Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
MONOGRAFIA PREVIA A LA
OBTENCION DEL TITULO DE
BACHILLER EN CIENCIAS
CUENCA - ECUADOR
Grafeno, el material del futuro, 1
RESPONSABILIDAD DE AUTORA
Firma:
....
Jairo Csar Galarza Pangol Charlee Emmanuel Vintimilla Mrquez
Grafeno, el material del futuro, 2
Grafeno, el material del futuro, 3
DEDICATORIA:
AGRADECIMIENTOS:
LarrainVial
Grafeno, el material del futuro, 6
Tabla de contenido
RESPONSABILIDAD DE AUTORA ................................................................................................ 1
DEDICATORIA: ........................................................................................................................... 3
AGRADECIMIENTOS: ................................................................................................................. 4
CAPITULO 1: ............................................................................................................................ 10
HISTORIA DE GRAFENO. .......................................................................................................... 10
1.1.- SIGLO XXI Y XX ............................................................................................................. 10
1.2.- DESCUBRIMIENTO, 2004.............................................................................................. 11
1.3.- INVESTIGACIONES INICIALES, 2009. ............................................................................. 12
1.4.- FABRICACIN DE OBLEAS DE GRAFENO, PENN STATE; IBM, TRANSISTORES; 2010...... 12
1.5.- PANTALLA TCTIL, UNIVERSIDAD SUNGKYUNKWAN, 2010 .......................................... 13
1.6.- PREMIO NOBEL DE FSICA, 2010 .................................................................................. 13
1.7.- EL GRAFENO SE AUTOREPARA, 2012............................................................................ 14
1.8.- EFECTO HALL CUNTICO FRACCIONAL, 2012 ............................................................... 15
1.9.- MAGNETISMO, 2013 ................................................................................................... 16
Grafeno, el material del futuro, 7
Grafeno, el material del futuro, 8
Grafeno, el material del futuro, 9
Grafeno, el material del futuro, 10
CAPITULO 1:
HISTORIA DE GRAFENO.
En abril de 2009, las noticias sobre el grafeno llenaron los peridicos: se expuso
que para los prximos 15 o 20 aos, el grafeno pasara a ser l sustituto del
silicio, el semiconductor ms usado en la produccin de microprocesadores
aplicado el todo el mundo. Esto se postul junto con las noticias que un equipo
de investigacin del Instituto Tecnolgico de Massachusetts (MIT), liderado por
el espaol Toms Palacios, se encontraban construyendo los productos
iniciales de este pequea era de experimentacin de las propiedades y
aplicaciones del grafeno, "Si con los chips de silicio podramos llegar como
mximo a los 100 GHz de velocidad, usando transistores de grafeno se
alcanzara el terahercio (1 THz). Es decir, 10 veces ms", dijo el madrileo de
34 aos, profesor del MIT. La empresa de Palacios desde el principio de sus
investigaciones tuvo la intencin de aprovechar las cualidades de este material
en la fabricacin de aparatos electrnicos que no se podan conseguir con
ningn otro material. Entre estos est un multiplicador de frecuencia,
aumentando en gran nmero o hasta duplicando la capacidad de transmisin y
fidelidad de cada chip al se le acople un multiplicador de estos.
grafeno. Por otro lado, los investigadores de IBM, lograron producir un transistor
de radiofrecuencia basado en grafeno, que gracias a su gran conductividad ha
permitido que tener una capacidad de 100 GHz, en este caso el grafeno se
hace crecer por epitaxia (un mtodo de deposicin cristalino en el que se
consigue crecer finas capas de material sobre un sustrato
(https://cv3.sim.ucm.es/wiki/site/curriculo-3313-1/epitaxia.html)). IBM propuso
emplear este prototipo de electrnica en los prximos circuitos integrados. La
frecuencia conseguida super a la mejor fabricada de silicio que lleg a los 40
GHz, mientras que otros transistores realizados anteriormente solo llegaban a
25 GHz.
intensifica en diferentes periodos o estados Hall. El FQHE difiere del efecto Hall
cuntico entero ms conocido. Aparece como efecto de las interacciones
fuertes que se producen entre los electrones, provocando que estos portadores
de carga se comportan como cuasi-partculas, con una carga que es una
fraccin de la de un electrn. Estas cuasi-partculas de carga fraccionada son
las responsables del FQHE y, posiblemente, una caracterstica muy til para el
desarrollo de futuros ordenadores cunticos.