Diodo de Juno 1

Cap. 3 Sedra/Smith
Cap. 1 Boylestad

JUNO
SEMICONDUTORA
PN

Notas de Aula SEL 313

Circuitos Eletrnicos 1
1o. Sem/2017
Prof. Manoel
 Fundamentos e Reviso de Conceitos
sobre Semicondutores
Semicondutores : material cuja condutividade/resistividade situa-se
entre as dos materiais condutores e isolantes.

Cobre (Cu) 10-6 -cm Silcio (Si) 50 103 -cm ISOLANTES 1012 -cm
Germnio (Ge) 50 -cm

Material Semicondutor tpico em Eletrnica

Silcio puro (intrnseco) Z = 14

(9N) 99,999999999% puro (3 camadas eletrnicas)
(11N) (clula solar) 4 eltrons de valncia

Germnio (intrnseco) Z = 32
(4 camadas eletrnicas)
4 eltrons de valncia
 Material Semicondutor
Formam estrutura cristalina regular ;
Abundantes na natureza, principalmente o silcio (areia);
Permitem fabricao com alto grau de pureza;

-1 cm3 contem 5 1022 tomos de Si .

( talvez : 500 000 000 000 impurezas )

- Na temperatura ambiente encontram-se

1,5 1010 pares eltrons/lacunas livres,
portanto 1 em cada um Bilho de
tomos encontra-se ionizado.

- Para o Cobre (Cu-29)-material

condutor 8,5 1023 tomos/cm3
tomos com um eltron livre
por tomo. (pureza 3N a 7N)
Figura 1.1 - Tabela peridica dos elementos qumicos.
 Material Semicondutor
- Cada um dos elementos tpicos
Camadas
possuem 4 eltrons de valncia
que formaro ligaes covalentes Ncleo
com tomos adjacentes e
constituiro a rede cristalina do
material.
Eltrons de Ligaes
valncia covalentes

Eltrons
tomos de
de valncia
silcio

Figura 1.2 - Representao do Si e do Ge: (a) e (b); (c) Rede

(c) cristalina do silcio intrnseco (puro)
 Eltrons/Lacunas livres

Eltrons de Eltrons
valncia livre

1,5 1010 pares

de Ligao
eltrons/lacunas
Covalente Lacuna
livres a 300 oK livre
desfeita
e a cada
cm3.
Ligao tomo
covalente de
silcio
Carga eltrica

total NULA Figura 1.3 - Rede cristalina em temperatura ambiente com

pares de eltrons/lacunas livres.
 Concentrao de cargas
- Havendo concentrao de cargas, pode-se representar o nvel de
concentrao de carga positivas p ( ou negativas n) de forma grfica.

- Eliminando o efeito concentrador, ocorre Difuso de cargas at atingir

um regime de distribuio uniforme e aleatria.

Concentrao p

Figura 1.4 - Concentrao e difuso de cargas.

 Silcio Dopado ou Extrnseco
- A DOPAGEM visa alterar as caractersticas do material puro
acrescentando controladamente impurezas que aumentaro o nmero de
eltrons ou lacunas livres controle e alterao da condutividade
final.

Resultado : Silcio tipo P ou tipo N

-Silcio Tipo P : dopagem com impurezas Trivalentes como

Boro (B/5) ou Glio (Ga/31) ou ndio (In/49).
Impureza aceitadora.
Haver excesso de Lacunas-Livres
 Silcio Dopado ou Extrnseco

Silcio Tipo N : dopagem com impureza Pentavalente tal como

Fsforo (P/15) ou Arsnio (As/33) ou Antimnio (Sb/51).
Impureza doadora (de eltrons)
Haver excesso de Eltrons-Livres

(A dopagem P ou N no afeta os 1,5 1010

portadores/cm3 do efeito trmico)
 Silcio Dopado ou Extrnseco

- A Dopagem um processo tecnolgico que no caso do silcio

introduz-se em mdia 1 tomo de impureza a cada 107 tomos de Si.

- Dependendo a aplicao, a concentrao final de impurezas atinge

1015 a 1017 por cm3.
Somente aps este processo de Dopagem o semicondutor (silcio ou
germnio) se tornam til para os propsitos de fabricao de
componentes eletrnicos.

- Cada um dos tipos de silcio dopado P ou N ainda tem carga total nula,
pois cada aceitador ou doador gera um par de cargas opostas.
 Silcio tipo P
Eltrons de Ligaes
- Um silcio tipo P valncia covalentes tomo de
apresenta silcio
impureza trivalente
Impureza
com Trivalente
uma ligao covalente (aceitadora)
incompleta (ou com
Lacuna
uma lacuna) e que
aceitar eltrons
livres do efeito
trmico. Figura 1.5 - Silcio tipo P.
 Silcio tipo N
- Um silcio tipo N
Eltrons de Ligaes
apresenta
valncia covalentes
impureza pentavalente
com uma ligao Eltron-
Livre
covalente
doado pela
completa e um eltron impureza
Impureza
em excesso, que fica Pentavalent
livre ou fracamente e
tomo
(doadora)
ligado ao seu tomo. Este de
eltron pode ainda se silcio
recombinar com lacunas
Figura 1.6 - Silcio tipo N.
livres geradas por efeito
trmico.
 Portadores de carga

- No semicondutor dopado distingue-se os:

Portadores Majoritrios provenientes da dopagem
Portadores Minoritrios gerados termicamente
No tipo N : eltrons so Majoritrios e lacunas Minoritrias
No tipo P : lacunas so Majoritrias e eltrons Minoritrios
ons doadores Fixos ons aceitadores Fixos

Portadores
Majoritrios
Livres

Portadores Portadores
minoritrios Majoritrios
Livres
Portadores
Tipo N Tipo P minoritrios

Figura 1.7 - Portadores majoritrios e minoritrios.

 Juno PN
- Resulta da juno IDEAL de dois materiais semicondutores (silcio)
dopados e de tipos diferentes.
Regio de Depleo

Tenso de
Barreira V0

Figura 1.8 - Juno PN aberta e potencial de juno V0.

 Juno PN

- Devido alta concentrao de portadores majoritrios livres em cada

uma das partes, ocorre um fluxo de cargas positivas (lacunas) de P para
N e de cargas negativas (eltrons) de N para P.

- Prximo da juno ocorre ento uma recombinao de eltrons e

lacunas que estabelecem ento ons fixos (tomos fixos) nesta regio.

- Estes ons geram por sua vez um campo eltrico com potencial
positivo na regio N e negativo na regio P.

-Este campo eltrico passa ento a atuar como uma barreira para a
continuidade de difuso de cargas e portanto da recombinao.
 Juno PN - Regio de Depleo

Esta regio de largura fixa e repleta de ons fixos se encontra vazia de

cargas livres, ou seja depletada de cargas livres.
Da o nome Regio de DEPLEO.

A regio de depleo tem largura dependente do nvel de dopagem em cada

lado e apresenta um potencial V0, que para o silcio da ordem de 0,6V a
0,8 V .

Tipicamente adota-se V0 = 0,7V.

 Juno PN polarizada reversamente

- Neste caso conecta-se uma bateria com o plo positivo na regio N e

o negativo na regio P.

- Desta forma retira-se eltrons da regio N e injeta-se eltrons na

regio P.

- A retirada de eltrons em N expande a regio de depleo deste lado e

a injeo de eltrons em P promove maior recombinao com lacunas e
tambm expande a regio de depleo neste lado.

- O efeito final um aumento da regio de depleo que aumenta a

tenso de barreira e aumenta o potencial do campo eltrico.
 Juno PN polarizada reversamente

Com isto uma corrente muito desprezvel se mantm no dispositivo.

A nica corrente no dispositivo devido aos portadores minoritrios

gerados termicamente e que sofrem ao do campo eltrico na regio de
depleo.

O aumento da tenso reversa ir aumentar cada vez mais a tenso de

barreira e no limite ir danificar o dispositivo.
Juno PN polarizada reversamente

Corrente de portadores minoritrios

Regio de Depleo

Figura 1.9 - Juno PN reversa.

 Juno PN polarizada diretamente

Neste caso o terminal positivo da bateria ligado na regio P e o

negativa na regio N.

Agora ocorre injeo de eltrons em N e retirada de eltrons em P.

Com mais eltrons ainda na regio N e aumento de lacunas na regio P

a recombinao destes na regio de fronteira promove um diminuio
da largura da regio de depleo.
 Juno PN polarizada diretamente

Com isto diminui-se a tenso de barreira e o potencial do campo eltrico.

O efeito final um aumento expressivo da corrente entre os terminais da

bateria atravs do dispositivo.

Se a tenso da bateria superar o valor da tenso de barreira (0,6V a 0,8V)

a corrente no circuito s ser limitada pela resistncia interna do
semicondutor.

Para valores maiores de tenso da bateria deve-se prever um mecanismo

de limitao de corrente externamente (resistncia externa).
Juno PN polarizada diretamente

majorit. majorit.

Regio de depleo

Figura 1.10 - Juno PN direta.

 DIODO de JUNO

- constitudo da juno PN vista anteriormente e de terminais

metlicos para conexes externas.

- Recebe denominao : Regio N Catodo

Regio P Anodo

VD = 0,7 V

Anodo Catodo
Corrente
direta

Figura 1.11 - Diodo de Juno.

- No caso ideal o diodo : Diodo Ideal
se comporta como um curto circuito se polarizado direto e como um
circuito aberto se polarizado reverso.
conduz uma corrente apenas limitada por um circuito externo ou no
conduz nada se polarizado em modo direta ou reverso respectivamente
Limite Imax
Anodo Catodo
... polarizao reversa polarizao direta ...

Limite Vmax

... polarizao reversa polarizao direta ...

Figura 1.12 - Diodo Ideal.
 Diodo Ideal
- Em resumo, no diodo ideal observa-se :

caracterstica (v x i) no-linear (dois segmentos de retas);

Tenso de Barreira VD = 0V;
O diodo conduz para qualquer tenso de catodo positiva em
relao ao catodo;
EXEMPLO 01 No caso a seguir valem as tenses e correntes
indicadas:

Polarizado Polarizado
direto reverso

Figura 1.13 - Modos de operao com diodo ideal.

 Retificador com Diodo Ideal
- EXEMPLO 02 : A operao fundamental do diodo, em funo de sua
caracterstica no-linear, a operao de retificao.

Um retificador bsico ilustrado a seguir tendo uma fonte de tenso

CA, um diodo ideal e uma resistncia externa para limitao de
corrente.

Figura 1.14 - Retificador. (a) Circuito bsico; (b) Forma

de onda da tenso da fonte CA vi(t).

Em funo do diodo a carga (resistor R) s ser percorrida por uma

corrente ID durante os semi-ciclos positivos da tenso da fonte CA.

Semi-ciclo positivo curto-circuito

Semi-ciclo negativo circuito aberto
 Retificador bsico (meia-onda)

Tenso sob o diodo

Tenso de sada
(na carga R)

Caracterstica
De
Transferncia
vi v0
Figura 1.15 - Operao e formas de onda do retificador.
 Retificador bsico
- EXEMPLO 03 Circuito com duas fontes. Avaliar intervalo de
conduo do diodo e valor de pico da corrente no diodo.

Figura 1.16 - Retificador ideal com duas fontes.

Soluo: encontrar o instante da tenso da fonte que vale 12. Somente

a partir deste instante ocorre polarizao direta.
12
24 sen( ) 12 arc sen 30

24
Intervalo conduo 2 120
24 12
iD 120 mA e vD _ REV 24 12 36 V
100
 Portas Lgicas com Diodos
Em muitos casos pode-se gerar circuitos eletrnicos lgicos apenas com
diodos, tal como a seguir considerando um padro TTL.

Lgica AND

Lgica OR

Figura 1.17 - Portas lgicas OR e AND com diodos

No primeiro caso basta uma das entradas em nvel 1 (5V) que o diodo
conduzir e proporciona 5V na sada.
No segundo caso a sada s ser 1 (5V) se todas as trs entradas
estiverem em nvel 1 (5V), ou seja, nenhuma corrente circular em R e a
tenso 5V vista na sada vy.
 Exemplos e exerccios com diodos
Exerccio 01 : Obter V e I dos circuitos a seguir com diodo ideal.

Figura 1.18 - Exerccio 01.

 Exemplos e exerccios com diodos
Exerccio 02 : Obter V e I dos circuitos a seguir com diodo ideal.

Figura 1.19 - Exerccio 02.

 Anotaes

Links para animao de fabricao de semicondutores (diodo)

http://www.ee.columbia.edu/~bbathula/courses/SSDT/lect14.pdf

Crescimento de cristal (Silcio)

http://www.youtube.com/watch?v=6jv6n-cV7I0&feature=related

Produo refino silcio

http://www.youtube.com/watch?v=eypAfmrRpB0&NR=1

http://www.cleanroom.byu.edu/EW_formation.phtml

Fabricao Diodo
http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_2/12.html

Tratamento silcio Intel

http://www.youtube.com/watch?v=aCOyq4YzBtY&feature=related
 Anotaes

Links para animao de juno PN

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html

http://www.acsu.buffalo.edu/~wie/applet/pnformation/pnformation.html

http://pvcdrom.pveducation.org/SEMICON/PN.HTM

http://www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/passive/diode/diode.htm

http://www.youtube.com/watch?v=W6QUEq0nUH8&feature=related
 Bibliografia

Contedo:

SEDRA - Pgs. 130 a 148

MALVINO - Pgs. 29 a 74

BOYLESTAD - Pgs. 1 a 7