eLab, Laboratorio Remoto de Electrnica

ITESM, Depto. de Ingeniera Elctrica

Prctica PB2
MODOS DE OPERACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

OBJETIVOS

Conocer los diferentes modos de operacin del transistor bipolar y las caractersticas que
presenta este dispositivo al operar en cada uno de estos modos (zonas de operacin).

Analizar tericamente y de forma experimental circuitos de polarizacin con transistores

bipolares e identificar la zona de operacin en cada caso.

1.1 INTRODUCCIN

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. En la

Figura 1 se muestra una representacin fsica de la estructura bsica de dos tipos de transistor bipolar:
NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos elctricos. El transistor
bipolar NPN contiene una delgada regin p entre dos regiones n. Mientras que el transistor bipolar PNP
contiene una delgada regin n entre dos regiones p. La capa intermedia de material semiconductor se
conoce como regin de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones de colector y de
emisor. Estas estn asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente.

C C

B B

E E

Transistor Bipolar tipo NPN Transistor Bipolar tipo PNP

Figura 1. Representacin fsica de la estructura bsica de dos tipos de transistores bipolares: NPN y
PNP, y sus respectivos smbolos elctricos.

Modos de operacin y aplicaciones

Dependiendo de la polarizacin de las dos uniones PN que conforman los transistores bipolares,
estos pueden operar normalmente en tres zonas de operacin: zona de corte, zona activa y zona de
saturacin. Para las aplicaciones del transistor como amplificador es necesario operar el dispositivo en
la zona activa. Para utilizar el transistor como un interruptor electrnico se requiere operarlo en las
zonas de corte (como interruptor apagado) y saturacin (como interruptor encendido). A continuacin
se presenta una breve descripcin de cada una de estas zonas de operacin.

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PB2 Modos de operacin del BJT

Operacin en la zona de corte. En esta zona existe una muy pequea cantidad de corriente circulando
del emisor al colector, comportndose el transistor de manera anloga a un circuito abierto. La
caracterstica que define la zona de corte es que ambas uniones, tanto la unin colector-base como la
unin base-emisor, se encuentran polarizadas inversamente.

Operacin en la zona de saturacin. En la zona de saturacin circula una gran cantidad de corriente
desde el colector al emisor y se tiene solo una pequea cada de voltaje entre estas terminales. El
comportamiento del transistor es anlogo al de un interruptor cerrado. Esta zona se caracteriza porque
las uniones colector-base y base-emisor se encuentran polarizadas directamente.

Operacin en la regin activa. La regin activa del transistor bipolar es la zona que se utiliza para usar
el dispositivo como amplificador. La caracterstica que define a la regin activa es que la unin
colector-base esta polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada
en forma directa.

Caractersticas de Voltaje contra Corriente

Para describir el comportamiento de los transistores bipolares, se requiere de dos conjuntos de

caractersticas, que dependen a su vez de la configuracin usada. Una de ellas describe la caracterstica
de voltaje contra corriente de entrada, y la otra, la caracterstica de voltaje contra corriente de salida.

Configuracin de base comn. En esta configuracin, la terminal de la base es comn a los lados de
entrada (Emisor) y salida (Colector), y usualmente se conecta a un potencial de tierra (o se encuentra
ms cercana a este potencial). Esta configuracin se ilustra en la Figura 2. La fuente de voltaje VBB
brinda polarizacin directa a la unin B-E y controla la corriente del emisor IE.

RE E C RC
-
VBC
+ IE + IC -
B
VBB VCC
- IB +

Figura 2. Configuracin de circuito de base comn para un transistor PNP

En esta configuracin, la caracterstica de corriente-voltaje de entrada, relaciona la corriente de

entrada IE con un voltaje de entrada VEB (o VBE para un transistor NPN). Esta caracterstica se puede
observar en la Figura 3(a). A su vez, la caracterstica de corriente-voltaje de salida relaciona la
corriente de salida IC con un voltaje de salida VBC (o VCB para un transistor NPN) para varios niveles de
corriente de entrada IE. Esta caracterstica se presenta en la Figura 3(b).

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PB2 Modos de operacin del BJT

IC (mA)

IE (mA) 7 7 mA
9
s 6 6 mA
8 R
e a
7 t 5 5 mA
g u
6 i r 4 Regin Activa 4 mA
a
5 n c 3 3 mA
4
d i 2 2 mA
3 e n
2 1 IE=1 mA
1
IE=0 mA

0.2 0.4 0.6 0.8 VBE (V) 5 10 15 20 VCB (V)

Regin de corte
VBE (V) npn, o VEB (V) pnp
VCB (V) npn, o VBC (V) pnp
a) Caracterstica VI de entrada b) Caracterstica VI de salida
Figura 3. Caractersticas corriente-voltaje del transistor en configuracin base comn.

Configuracin en emisor comn. La configuracin de transistores que se encuentra con mayor

frecuencia se denomina configuracin de emisor comn, se denomina as dado que el emisor es comn
tanto al lado de entrada (Base) como al de salida (Colector). En la Figura 4 se ilustra un circuito de
emisor comn con un transistor NPN. En este circuito, la fuente VBB polariza directamente la unin B-E
y controla la corriente de base. El voltaje C-E puede variar cambiando VCC.

IC
C

RB + RC
B
VCE
+V
IB BE -
+ - +
E
VBB VCC
- IE -

Figura 4. Configuracin en emisor comn con un transistor NPN.

En esta configuracin tambin se necesitan de dos caractersticas del transistor para describir su
comportamiento (ver Figuras 5 (a) y 5 (b)). La primera corresponde a la relacin de entrada, la cual es
una grfica de la corriente de entrada IB contra el voltaje de entrada VBE (o voltaje VEB para un transistor
PNP). La segunda, es la relacin entre la corriente de salida IC contra el voltaje de salida VCE (o voltaje
VEC para un transistor PNP) para diversos valores constantes de la corriente de base IB.

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IC (mA)
90 A
9
IB ( A) 80 AA
80 m

90 8
70 A
80 7
R s 60 A
70 a 6
e t 50 A
60 g u 5
i Regin Activa
50 r 40 A
a 4
40 n c 30 A
3
30 d i 20 A
e n 2
20 10 A
10 1
IB =0 A

0.2 0.4 0.6 0.8 VBE (V) VCE (sat) 5 10 15 20 VCE (V)
Regin de corte
VBE (V) npn, o VEB (V) pnp
VEC (sat)
VCE (V) npn, o VEC (V) pnp
a) Caracterstica VI de entrada b) Caracterstica VI de salida
Figura 5. Caractersticas corriente-voltaje de un transistor en configuracin emisor comn.

Al observar las caractersticas de entrada, tanto de la configuracin de emisor comn como de la

de base comn, se observa un comportamiento similar al del diodo, por lo que se puede hacer la
siguiente aproximacin. Cuando el transistor se encuentre encendido o en conduccin el voltaje de base
a emisor (o de emisor a base) es aproximadamente 0.7 volts.

VBE 0.7 V para un transistor NPN, y VEB 0.7 V para un transistor PNP

Configuracin en colector comn. Este tipo de configuracin se utiliza fundamentalmente para

propsitos de acoplamiento de impedancias ya que tiene una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida, siendo esto lo opuesto a las configuraciones de base comn y emisor comn. Las
caractersticas de salida de la configuracin de colector comn son las mismas que las de emisor
comn.

Bibliografa

Libro de Texto:
Microelectronics; Circuit Analysis and Design (Chapter 1)
Donal A. Neamen, McGraw Hill, 3rd Edition, 2007
Libros de Consulta:
Electronic Devices (Chapter 1)
Thomas L. Floyd, Prentice Hall, 6th Edition, 2002
Electronic Circuits; Analysis, Simulation, and Design (Chapter 3)
Norbert R. Malik, Prentice Hall, 1995
Electronic Devices and Circuits (Chapter 1 and 2)
Robert T. Paynter, Prentice Hall, 7th Edition, 2006

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PB2 Modos de operacin del BJT

1.2 ACTIVIDAD PREVIA

Instrucciones

Siga detalladamente las instrucciones para cada uno de los puntos que se presentan en la
presente actividad. Conteste y/o resuelva lo que se le pide en los espacios correspondientes para cada
pregunta. Hgalo de manera ordenada y clara. En el reporte agregue en el espacio asignado grficas
comparativas, anlisis de circuitos, simulaciones en computadora, ecuaciones, referencias
bibliogrficas, ejemplos, aplicaciones, segn sea el caso. No olvide colocar una portada con sus datos
de identificacin as como los datos relacionados con la prctica en cuestin, como nmero de prctica,
titulo, fecha, etc.

Desarrollo de la actividad previa

I) Lea detenidamente el capitulo 5 de su libro de texto (El Transistor de Unin Bipolar) y conteste lo
siguiente:

Para un transistor bipolar NPN y PNP, indique como deben polarizarse las uniones base-emisor
y base-colector para que ste opere en el modo activo.
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________

Que condiciones se requieren para que un transistor opere en la regin de corte y saturacin?
Que caracteriza a cada una de estas regiones?
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________

Explique el concepto de corrientes de fuga en un transistor bipolar.

_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________

Explique el concepto de lnea de carga de CD y su relacin con los modos de operacin de un

transistor bipolar en un circuito de polarizacin.
_____________________________________________________________________________
____________________________________________________________

De acuerdo a la caracterstica de salida de la Figura 5b determine el valor aproximado de la

ganancia de corriente (hFE) del transistor.
_____________________________________________________________________________

II) Anlisis de un circuito en configuracin emisor comn. Analice el circuito en configuracin

emisor comn que se ilustra en la Figura 4 para las siguientes tres condiciones:
Regin activa. Suponga que el transistor opera en la regin activa, en este punto el voltaje
VBB>VBE(on), donde VBE(on), representa el voltaje base-emisor de encendido. a) Analice la malla
Emisor-Base, y utilizando la ecuacin de la Ley de voltajes de Kirchhoff determine una expresin
matemtica para la corriente IB. b) Determine una expresin matemtica para la corriente IC en
funcin de la corriente IB obtenida en el inciso (a). c) Analice la malla Colector-Emisor, y utilizando

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PB2 Modos de operacin del BJT

la ecuacin de la Ley de voltajes de Kirchhoff determine una expresin matemtica para el voltaje
VCE. Realice las operaciones analticas en el espacio asignado enseguida.

Anlisis Resumen de Ecuaciones

(Realice sus anlisis en esta columna para cada uno de los incisos) (Escriba las ecuaciones obtenidas)
a) Calculo de la corriente IB
IB=

b) Clculo de la corriente IC
IC=

c) Clculo del voltaje VCE

VCE=

Regin de saturacin. Suponga que el transistor opera en la regin de saturacin, en este punto el
voltaje VBB>VBE(on), donde VBE(on), representa el voltaje base-emisor de encendido. a) Analice la
malla Emisor-Base, y utilizando la ecuacin de la Ley de voltajes de Kirchhoff determine una
expresin matemtica para la corriente IB. b) Analice la malla Colector-Emisor, y utilizando la
ecuacin de la Ley de voltajes de Kirchhoff determine una expresin matemtica para la corriente
IC(sat) en funcin del voltaje VCE(sat) proporcionado por el fabricante. Realice las operaciones analticas
en el espacio asignado enseguida.

Anlisis Resumen de Ecuaciones

(Realice sus anlisis en esta columna para cada uno de los incisos) (Escriba las ecuaciones obtenidas)
a) Calculo de la corriente IB de saturacin
IB=

b) Clculo de la corriente de saturacin ICsat

Voltaje de Colector-Emisor de saturacin proporcionado por el ICsat =
fabricante VCEsat =

Regin de corte. Suponga que el transistor opera en la regin de corte, en este punto el voltaje
0<VBB<VBE(on), donde VBE(on), representa el voltaje base-emisor de encendido. a) Determine el valor
de la corriente IB e IC para esta condicin b) Tomando en cuenta el resultado del inciso anterior,
analice la malla Colector-Emisor, y utilizando la ecuacin de la Ley de voltajes de Kirchhoff

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PB2 Modos de operacin del BJT

determine una expresin matemtica para el voltaje VCE. Realice las operaciones analticas en el
espacio asignado enseguida.

Anlisis Resumen de Ecuaciones

(Realice sus anlisis en esta columna para cada uno de los incisos) (Escriba las ecuaciones obtenidas)
a) Calculo de la corriente IB e IC de corte
IBcorte =

ICcorte =

b) Clculo del voltaje de corte VCEcorte

VCEcorte =

III) Imprima las primeras hojas de datos del fabricante para el siguiente modelo de transistor: 2N3904.
Estudie esta hoja de datos y conteste lo siguiente:

Especifique claramente el tipo de Transistor e identifique sus terminales

Tipo de Transistor:

Terminales: 1 2 3

Obtener los siguientes parmetros considerando una operacin a temperatura ambiente (25C).

Voltaje de Base a Emisor VBE en modo Activo

Voltaje de Base a Emisor VBE en Saturacin
Voltaje de Colector a Emisor de Saturacin VCE
Ganancia de Corriente hFE ( F) en modo Activo
Corriente continua mxima de Colector IC
Voltaje mximo de Colector a Emisor
Disipacin mxima de potencia del Transistor

Finalmente, en las hojas de datos impresas, subraye en color rojo, los datos que se presentaron
en la tabla anterior. Anexe esta informacin como parte del reporte de esta actividad.

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PB2 Modos de operacin del BJT

1.3 PROCEDIMIENTO

En esta seccin se analiza un circuito con transistor bipolar en configuracin Emisor Comn y
se determinan, a partir de las mediciones realizadas, cada uno de los modos de operacin estudiados en
la actividad previa. Este anlisis se llevara a cabo realizando mediciones de voltaje y corriente en
varios puntos de inters del circuito utilizando la interfase grfica del Laboratorio Remoto de
Electrnica (eLab). Se realiza tambin un anlisis terico del circuito y se comparan posteriormente
estos resultados con los que arrojan las mediciones del mismo.
Para cada una de las mediciones y/o clculos efectuados se deben agregar enseguida las
unidades respectivas, por ejemplo: para mediciones de voltaje utilizar V, mV, V (rms), etc; para las de
corriente A, mA, A (rms), etc; para frecuencia utilizar Hz o rad/s, segn el caso; etc.

Circuito con Transistor Bipolar NPN en configuracin Emisor Comn

A continuacin se presenta el procedimiento que servir de gua durante el anlisis del circuito
en configuracin Emisor Comn que se ilustra en la Figura 6. Los valores exactos de los componentes,
tal como el de la fuente Vcc, se encuentran disponibles dentro de la interfase grfica del Laboratorio
Remoto de Electrnica (eLab).

Figura 6. Circuito con transistor bipolar NPN en configuracin Emisor Comn.

a) Medicin del voltaje de alimentacin Vcc. En este punto del procedimiento mida el voltaje exacto
de la fuente de alimentacin Vcc y coloque el resultado de esta medicin enseguida. Este dato es
importante ya que se utilizar en clculos posteriores.

Voltaje de alimentacin. Vcc=

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PB2 Modos de operacin del BJT

I) Modo de operacin 1
A continuacin se llevaran a cabo mediciones de voltaje y corriente en el circuito de la prctica.
Con los resultados de estas mediciones se deber determinar el modo de operacin del transistor. Para
este inciso ajuste el voltaje de la fuente VBB a un valor de 1.5 V y realice las mediciones que se indican
enseguida.
a) Mida los voltajes entre las terminales base-emisor (VBE) y base-colector (VBC) del transistor.
Coloque los valores medidos en la casilla Resultado de la medicin.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Voltaje Base-Colector VBC = VBC =
Voltaje Base-Emisor VBE = VBE =

b) Observe los resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores y determine la

polarizacin de las juntas Base-Emisor y Base-Colector.

Tipo de polarizacin
Junta Base-Emisor JBE:
Junta Base-Colector JBC:

c) Basado en los resultados de las mediciones especifique el modo en el que se encuentra operando el
transistor. Proporcione una justificacin para su respuesta.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

d) Realice las mediciones adecuadas en el circuito y a partir de ellas determine el valor de la corriente
de base IB, el de la corriente de colector IC y el de la corriente de emisor IE. Coloque los valores de estas
corrientes en la casilla Resultado de la medicin. Posteriormente y con los valores medidos para VBE,
Vcc y F (este ultimo se medir en el siguiente inciso del procedimiento) determine analticamente el
valor de estas mismas corrientes, coloque estos resultados en la casilla Resultado analtico

Resultado analtico Resultado de la medicin

Corriente de Base IB= IB=
Corriente de Colector IC= IC=
Corriente de Emisor IE= IE=

Realice el anlisis del circuito en el siguiente espacio:

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PB2 Modos de operacin del BJT

e) Tomando en cuenta el valor de las corrientes medidas en el inciso anterior determine el factor de
amplificacin del transistor F (tambin llamada ganancia de corriente hFE en la hoja de datos
proporcionada por el fabricante). Coloque sus operaciones y el resultado en la casilla Resultado de la
medicin. En la casilla restante coloque el valor de hFE proporcionado por el fabricante en la hoja de
especificaciones para este modelo del transistor.

Hoja de datos Resultado de la medicin

Factor de amplificacin F F = hFE = F = hFE =

f) Tomando los resultados del inciso anterior calcule la ganancia de corriente de base comn F.

Hoja de datos Resultado de la medicin

Ganancia de corriente de base comn F= F=

g) Mida el voltaje entre las terminales colector-emisor (VCE) del transistor. Coloque los valores
medidos en la casilla Resultado de la medicin. Enseguida y utilizando los resultados de las
mediciones de corriente determine analticamente el valor de este voltaje.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Voltaje Colector-Emisor VCE= VCE=

h) Agregue una imagen o print screen del osciloscopio con el despliegue, en los 4 canales, del voltaje
VBB, VCC, VBE y VBC. En la misma imagen habilite los dos cursores para medir los voltajes VBB y VCC.

II) Modo de operacin 2

Para este modo de operacin, ajuste el voltaje de la fuente VBB a un valor de 3.5 V y realice las
mediciones que se indican a continuacin.
a) Mida los voltajes entre las terminales base-emisor (VBE) y base-colector (VBC) del transistor.
Coloque los valores medidos en la casilla Resultado de la medicin.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Voltaje Base-Colector VBC = VBC =
Voltaje Base-Emisor VBE = VBE =

b) Observe los resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores y determine la

polarizacin de las juntas Base-Emisor y Base-Colector.

Tipo de polarizacin
Junta Base-Emisor JBE:
Junta Base-Colector JBC:

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PB2 Modos de operacin del BJT

c) Basado en los resultados de las mediciones especifique el modo en el que se encuentra operando el
transistor. Proporcione una justificacin para su respuesta.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

d) Realice las mediciones adecuadas en el circuito y a partir de ellas determine el valor de la corriente
de base IB, el de la corriente de colector IC y el de la corriente de emisor IE. Coloque los valores de estas
corrientes en la casilla Resultado de la medicin. Posteriormente y con los valores medidos para VBE,
Vcc y F (este ultimo se medir en el siguiente inciso del procedimiento) determine analticamente el
valor de estas mismas corrientes. Coloque los resultados del calculo analtico en la casilla Resultado
analtico.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Corriente de Base IB= IB=
Corriente de Colector IC= IC=
Corriente de Emisor IE= IE=

Realice el anlisis del circuito en el siguiente espacio:

e) Tomando en cuenta el valor de las corrientes medidas en el inciso anterior determine el factor de
amplificacin del transistor F (tambin llamada ganancia de corriente hFE en la hoja de datos
proporcionada por el fabricante). Coloque sus operaciones y el resultado en la casilla Resultado de la
medicin. En la casilla restante coloque el valor de hFE proporcionado por el fabricante en la hoja de
especificaciones para este modelo del transistor.

Hoja de datos Resultado de la medicin

Factor de amplificacin F F = hFE = F = hFE =

f) Tomando los resultados del inciso anterior calcule la ganancia de corriente de base comn F.

Hoja de datos Resultado de la medicin

Ganancia de corriente de base comn F= F=

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PB2 Modos de operacin del BJT

g) Mida el voltaje entre las terminales colector-emisor (VCE) del transistor. Coloque los valores
medidos en la casilla Resultado de la medicin. Enseguida y utilizando los resultados de las
mediciones de corriente determine analticamente el valor de este voltaje.
Resultado analtico Resultado de la medicin
Voltaje Colector-Emisor VCE= VCE=

III) Modo de operacin 3

Para este otro modo de operacin, ahora ajuste el voltaje de la fuente VBB a un valor de -2.0V
(voltaje negativo) y realice las mediciones que se indican a continuacin.
a) Mida los voltajes entre las terminales base-emisor (VBE) y base-colector (VBC) del transistor.
Coloque los valores medidos en la casilla Resultado de la medicin.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Voltaje Base-Colector VBC = VBC =
Voltaje Base-Emisor VBE = VBE =

b) Observe los resultados obtenidos directamente de las mediciones anteriores y determine la

polarizacin de las juntas Base-Emisor y Base-Colector.

Tipo de polarizacin
Junta Base-Emisor JBE:
Junta Base-Colector JBC:

c) Basado en los resultados de las mediciones especifique el modo en el que se encuentra operando el
transistor. Proporcione una justificacin para su respuesta.
___________________________________________________________________________________
__________________________________________________________________

d) Realice las mediciones adecuadas en el circuito y a partir de ellas determine el valor de la corriente
de base IB, el de la corriente de colector IC y el de la corriente de emisor IE. Coloque los valores de estas
corrientes en la casilla Resultado de la medicin. Posteriormente y con los valores medidos para VBE,
Vcc y F (este ultimo se medir en el siguiente inciso del procedimiento) determine analticamente el
valor de estas mismas corrientes. Coloque los resultados del calculo analtico en la casilla Resultado
analtico.

Resultado analtico Resultado de la medicin

Corriente de Base IB= IB=
Corriente de Colector IC= IC=
Corriente de Emisor IE= IE=

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PB2 Modos de operacin del BJT

Realice el anlisis del circuito en el siguiente espacio:

g) Mida el voltaje entre las terminales colector-emisor (VCE) del transistor. Coloque los valores
medidos en la casilla Resultado de la medicin. Enseguida y utilizando los resultados de las
mediciones de corriente determine analticamente el valor de este voltaje.
Resultado analtico Resultado de la medicin
Voltaje Colector-Emisor VCE= VCE=

Compare el resultado obtenido directamente de la medicin para el voltaje VCE con el voltaje de
alimentacin Vcc. Escriba sus observaciones en las siguientes lneas.
________________________________________________________________________________
_______________________________________________________________

IV) Transicin entre modos de operacin

En esta parte del procedimiento se investigarn los lmites (superior e inferior) en el valor del
voltaje de entrada VBB que mantienen operando al transistor en la zona activa. Se observar la
transicin entre esta zona y las zonas de saturacin y corte. A continuacin se describe dicho
procedimiento.

a) Regin activa. Vare el voltaje de entrada VBB y realice las mediciones necesarias, de tal forma que
pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < VBB < V(max)) que mantiene al transistor operando en
la regin activa. Una vez efectuado lo anterior proceda a llenar la siguiente tabla.

V(min) < VBB < V(max)

Intervalo de voltaje VBB que mantiene
operando al transistor en la Regin Activa _________< VBB <__________

b) Enseguida ajuste el voltaje de la fuente de entrada VBB a los valores V(min) y V(max) encontrados en el
inciso anterior y proceda a medir la corriente de colector en cada caso. De esta forma se habr
encontrado el intervalo de la corriente de colector para la Regin Activa. Escriba este intervalo en el
siguiente recuadro.

Ic(max) < IC < Ic(min)

Intervalo de la corriente de colector Ic para
la Regin Activa. __________< Ic <___________

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PB2 Modos de operacin del BJT

c) Regin de saturacin. Incremente el voltaje de entrada VBB y realice las mediciones necesarias, de
tal forma que pueda determinar el voltaje de VBB que hace que el transistor cambie su operacin de la
regin activa a la regin de saturacin. Una vez efectuado lo anterior proceda a llenar la siguiente tabla.

VBB >VBBsat
(donde VBBsat es el voltaje que al ser superado por VBB lleva
a saturacin al transistor)
Intervalo de voltaje VBB que mantiene operando
al transistor en la Regin de Saturacin VBB >__________

d) Enseguida ajuste el voltaje de la fuente de entrada VBB al valor VBBsat encontrado en el inciso
anterior y proceda a medir la corriente de colector. De esta forma se habr encontrado el valor de la
corriente de saturacin del circuito. Escriba este valor en el siguiente recuadro.

IC = Icsat
Corriente de colector Ic para la Regin de
Saturacin. Ic= Icsat =___________

Incremente el voltaje de la fuente de entrada VBB por arriba de VBB(sat) y mida la corriente de
colector para varios valores de este voltaje. Describa el comportamiento de esta corriente en las
siguientes lneas.
________________________________________________________________________________
______________________________________________________________

e) Regin de corte. Modifique el voltaje de entrada VBB y realice las mediciones necesarias, de tal
forma que pueda determinar el voltaje de VBB que hace que el transistor cambie su operacin de la
regin activa a la regin de corte. Una vez efectuado lo anterior proceda a llenar la siguiente tabla.

VBB <VBBcorte
(donde VBB(corte) es el voltaje de VBB limite que lleva a al
transistor al estado de corte)
Intervalo de voltaje VBB que mantiene operando
al transistor en la Regin de Corte VBB < __________

f) Enseguida ajuste el voltaje de la fuente de entrada VBB al valor VBB(corte) encontrado en el inciso
anterior y proceda a medir la corriente de colector. Escriba este valor en el siguiente recuadro.

IC = Iccorte
Corriente de colector Ic para la Regin de Corte. Ic= Iccorte =___________

Reduzca el voltaje de la fuente de entrada VBB por debajo de VBB(corte) y mida la corriente de
colector para varios valores de este voltaje. Describa el comportamiento de esta corriente en las
siguientes lneas.
________________________________________________________________________________
______________________________________________________________

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PB2 Modos de operacin del BJT

1.4 ACTIVIDADES Y CONCLUSIONES FINALES

1) Con los resultados obtenidos en el procedimiento proceda a llenar la siguiente tabla comparativa,

ZONA DE CORTE ZONA ACTIVA ZONA DE SATURACIN

VBE(corte) < ______ _______ < VBE < _______ VBE(sat) ______
IB(corte) = ______ _______ < IB < _______ IB(sat) = ______
IC(corte) = ______ _______ < IC < _______ IC(sat) = ______
IE(corte) = ______ _______ < IE < _______ IE(sat) = ______
VCE(corte) = ______ _______ < VCE < _______ VCE(sat) = ______

Observe los lmites para la zona activa y comprelos con los valores obtenidos para la regin de
saturacin y corte. Escriba sus conclusiones en las siguientes lneas.
________________________________________________________________________________
________________________________________________________________

2) Utilizando los resultados obtenidos en los puntos I, II y III del procedimiento. Compare la
polarizacin de las juntas Base-Emisor y Base-Colector para los tres modos de operacin, para ello
complete la siguiente tabla.

Regin de operacin Junta Base-Emisor Junta Base-Colector

(Tipo de polarizacin) (Tipo de polarizacin)
ACTIVA JBE: JBC:
SATURACIN JBE: JBC:
CORTE JBE: JBC:

3) Con los resultados obtenidos directamente de las mediciones dibuje la Lnea de Carga de Corriente
Directa en el siguiente espacio (Ver Figura 5b) e indique en ella los puntos de operacin para la zona
activa, de corte y de saturacin. Indique los valores de voltaje (VCE ) y corriente (IC) en cada punto de
operacin. Indique tambin el valor de la corriente de base para cada punto.

5) Anote enseguida sus conclusiones generales de la presente prctica:

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