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PRACTICA N0.3
NOMBRE DE LA PRCTICA
OBJETIVO ESPECFICO:
Comprobar la operacin de las memorias EPROM
(donde ser cargado el programa) y RAM (donde se
leen y cargan datos)
INTRODUCCIN:
Informacin terica
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o
corto plazo .La memoria es un componente fundamental de las computadoras
digitales y est presente en gran parte de los sistemas digitales.
M icroprocesadores
TIPOS
TIPOSDE
DEMMEM
EMORIAS
ORIAS
MEMORIA
M EMORIAPRINCIPAL
PRINCIPAL MEMORIA DE ALMACENAJE
ALAMCE N ALAM ACEN DE
SECUNDARIO RESPALDO
MEMORIA
MEM ORIADEDE MMEM
EMORIA
ORIADE
DE
LECTURA/ESCRITURA
LECTURA/ESCRITURA SOLO
SOLOLECTURA
LECTURA
RAM
RAM ( (VOLTIL)
VOLTIL) ROM
ROM(NO
(NOVOLTIL)
VOLTIL) ACCESO
ACCESO ACCESO
ACCESO
SEM I ALEATORIO
SEMI ALEATORIO SERIAL
SERIAL
Cinta
Cinta
MEMORIAS MEMORIAS DISCOS
DISCOS
ESTTICAS
ESTTICAS DINMICAS
DINMICAS MEM ORIAS M EMORIAS magntica
magntica
BORRABLE PERMANENTES Floppy
Floppy
BORRABLE PERMANENTES Burbujas
Burbujas
Duro
Duro
CD-ROM magnticas
magnticas
CD-ROM CCD
CCD
EPROM
EPROM M -ROM
M-ROM
EEPROM
EEPROM PROM
PROM
FLASH
FLASH
C arlos C anto Q .
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de sus siglas
en ingls Random Access Memories. Se caracterizan por ser memorias de
lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de direccin que permiten
seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e independiente de la
posicin en la que se encuentre.
Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no hay
energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica,
las cuales se describen en las siguientes dos secciones.
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se
compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con
transistores MOSFET, aunque tambin existen algunas memorias pequeas
construidas con transistores bipolares.
Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memories), a
diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en
comparacin a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias
de gran capacidad.
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM de la sigla en
ingls Read Only Memories. Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen
celdas de memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva
sin necesidad de energa. Este tipo de memoria se emplea para almacenar
informacin de forma permanente o informacin que no cambie con mucha frecuencia.
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.
Una alternativa para proyectos pequeos es el uso de una de las memorias de slo
lectura programables o PROM. Permiten que el usuario mismo pueda programar el
dispositivo, ahorrndose el alto costo de la produccin de la mscara Sus contenidos
no se construyen, como la ROM, directamente en el proceso de fabricacin, sino que
se tiene la posibilidad de que el usuario las pueda programar.
El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una
ROM normal.
Las prestaciones de las memorias
PROM son similares a las
anteriores, con la nica salvedad
del proceso de programacin. La
escritura de la memoria PROM
tiene lugar fundiendo los fusibles
necesarios por lo que la memoria
PROM solo puede ser programada
una vez.
nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de
lectura solamente. Para poder ser expuesta a al luz UV, para su borrado, est
encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre la pastilla de la EPROM.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos.
El microprocesador no puede
cambiar el contenido de la
memoria ROM. Lmpara =2537 m (Ultravioleta)
Lmparade deLuz
Luz
Ultravioleta
Ultravioletadel
deltipo
tipo
Dado que cualquier sistema germicida
germicida
microprocesador requiere de al
menos un mnimo de memoria
no voltil donde almacenar ya
sea un sistema operativo, un
programa de aplicacin, un
lenguaje intrprete, o una simple rutina de "upload", es necesario utilizar un dispositivo
que preserve su informacin de manera al menos semi-permanente. Y aqu es donde
comienzan a brillar las EPROMs.
La familia 2700
La capacidad de esta
memoria es de 32K X 8 y
Caractersticas Tcnicas
como memoria Flash
Referencia
28F256
tiene la caracterstica
Tipo particular de ser borrada
FLASH EEPROM en un tiempo muy corto
Capacidad (bits) (1 seg.). El tiempo de
32768 X 8 programacin por byte es
Tipo de salida de 100 ns y el tiempo de
(5V) (Vp=12.5V) retencin de la
Tiem pos de Acceso informacin es de
90/100/120/150 ns aproximadamente 10
Encapsulado aos
DIL-28
CARACTERSTICAS
24 terminales.
fabricada con la tecnologa CMOS,
Organizacin de la memoria: 2048 X 8
Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnologa TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM 6132
Microprocesadores
A7 1 24 Vcc
CE WE OE
A6 2 23 A8
A10
A5 3 22 A9
A4 4 21 WE
Bus de A3 5 20 OE
direcciones A2 6 CMOS 19 A10
A1 7 6116 18 CE
A0 8 17 DQ7
A0 DQ0 9 16 DQ6
DQ1 10 15 DQ5
DQ2 11 14 DQ4
Datos Vss 12 13 DQ3
E/S
Nombre de los terminales
CS WE OE BUS DE DATOS
A0-A10 Entradas de VCC Potencia(+5)
1 x x TRI-STATE
Direcciones
1 1 1 TRI-STATE
CE Chip Enable WE Write Enable
0 0 1 ENTRADA
VSS Ground OE Output Enable
0 1 0 SALIDA
DQ0-DQ7 Data In/Data Out
Carlos Canto Q.
CARACTERSTICAS
Tecnologa CMOS de canal N.
24 terminales
Tiempo de acceso menor que 250 nseg.
Bajo consumo de potencia :
DESCRIPCIN DE LAS
Caractersticas Tcnicas TERMINALES
Referencia
27C16B A0-A10: Lineas de direcciones
Tipo D0-D7: Salida de datos
EPROM CMOS (CE)' Habilitador de la pastilla
Capacidad (bits)
(OE)' Habilitador de salidas
2048 X 8
Tipo de salida PGM Condicin de
(5V) (Vp=12.75V) programacin
Tiempos de Acceso Vcc Voltaje de alimentacin +5.0
150/250 ns Volts
Encapsulado Vss Terminal de tierra 0.0 Volts
DIL-24
Vpp Voltaje de programacin
NC No conexin
OPERACIN DE LECTURA
Para leer la memoria, la terminal Vpp se conecta a Vcc para inhibir con esto la
programacin, las entradas (OE)' y (CE)' se colocan a tierra y con estas simples
conexiones se puede leer la memoria, los datos estarn sobre las terminales D0 - D7,
quienes indican el dato direccionado por las terminales A0 - A10, cuya capacidad es
de (2K X 8), 2048 localidades de 8 bits cada una.
MODO DE PROGRAMACIN
Se requiere un capacitor de 0.1 uF dispuesto entre +Vcc y GND para suprimir los
estados transitorios de tensin que puedan daar al dispositivo EPROM 2716.
Microprocesadores
RESET
RESET
YYRELOJ
RELOJ
Z80
+5V
RST 74LS32
CLK EPROM
EPROM RAM
220 220 MEMWR RAM
WR 2716 6116
2716 6116
Mem MREQ WR
MEMRD
Mem OK RD OE
RD
error CE CE
HALT
IORQ A
B
C A11
G2A
A11 74LS14 A0-A10 A0-A10
1/4 74LS244
Bus de Direcciones (A0-A15)
Carlos Canto Q.
M ic r o p r o c e s a d or e s
M A P A D E M E M O R IA P R O P U E S T O P A R A E L D E L S IS T E M A
FFFFH
SSININMMEEMMOORRIAIA
1000H
0F F F H
RRAAMM
66111166
0800H
07F F H
EEPPRROOMM
22771166
0000H
C a rlo s C a n to Q .
PRACTICA NUM. 3
CONEXIN DE LAS MEMORIAS EPROM Y RAM
AL SISTEMA
BUS DE DATOS
D0-D7
BUS DE DIRECCIONES
A0-A15
A0-A10
+5V +5V
24 24
VCC 8 VCC 9
A11-A15 A0 D0
8 9 7 10
7 A0 O0 10 6 A1 D1 11
6 A1 O1 11 5 A2 D2 13
5 A2 O2 13 4 A3 D3 14
4 A3 O3 14 3 A4 D4 15
3 A4 O4 15 2 A5 D5 16
2 A5 O5 16 1 A6 D6 17
+5V 1 A6
A7
O6
O7
17 23 A7
A8
2016 D7
+5V 23
22 A8 2716 22
19 A9
19 A9 A10
16 21 A10 18
VCC VPP 20 CE
A11 1 15 18 21 OE
A12 2 A Y0 14 20 CE WE
B Y1 OE
Z80 A13 3
C Y2
Y3
13
12 12
GND
12
GND
74LS138 Y4 11
10
A14 4 Y5 9
5 G2A Y6 7
A15 G2B Y7
6
8 G1
GND
+5V
4
RD 6 MEMRD
5
MREQ 1
3 MEMW
2
WR
A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
74LS32 0 0 0 0 0 X X X X X X X X X X X
C.CANTO
II.- Implemente un programa para generar un retardo con una duracin de 1 minuto
aproximadamente ( tome el diagrama de flujo mostrado abajo, como ejemplo).
Ensamble su programa a mano usando la tabla de instrucciones del manual del Z80.
M ICROPRO CESADORES
Rutina generadora de retardos
DELAY
DELAY
Cont2
Cont2NN22
Cont1
Cont1NN11
Cont1
Cont1cont1-1
cont1-1
No
Cont1=0
Cont1 =0
??
si
Cont2
Cont2cont2-1
cont2-1
No
Cont2=0
Cont2=0
??
si
Ret
Ret
Carlos Canto Q.
Esta prueba consiste en escribir un patrn conocido (normalmente AAh, ya que consta
de 0 y 1 alternados) a cada localidad de memoria y leerla de nuevo, comparar la
lectura con el patrn previamente escrito a la memoria, si coinciden, realizar lo mismo
a la siguiente localidad, y repetir hasta que se termine con todas las localidades, si en
todos los casos lo que se lee es igual al patrn que se escribi entonces la memoria
est en buenas condiciones y se debe prender el LED en HALT.
MICROPROCESADORES
Rutina para checar la memoria RAM
Ram_test
Ram_test
HL
HLDireccin
Direccininicial
inicial
Apatrn
Apatrnde
deprueba
prueba
(HL)
(HL)AA
AA (HL)
(HL)
HL
HL HL-1
HL-1 Es
Es A=
A= No
patrn
patrn de
de prueba
prueba
??
si
No Es
Esltima
ltima
localidad
localidadRAM
RAM
??
si
Halt
Halt Output
Output
Carlos Canto Q.
manual del Z80.
Una vez ensamblado crguelo, teclendolo en el buffer del programador de memorias
para despus cargarlo en la EPROM
SUGERENCIA DIDCTICA:
Ejercicio 1
Disear un banco de memorias de 32 Kbytes de RAM y 32 Kbytes de ROM para un
microprocesador Z80. Se dispone de chips de 4K *8 de RAM y de 16 K * 8 de ROM
Ejercicio 2
Construir el mapa de memoria para la decodificacin implementada en la figura. En
que direcciones se acceden al primer byte de cada memoria que componen los
64K?
Ejercicio 3
Disear la
decodificacin de un
sistema que conste
de 32K de ROM y
16K de RAM.
Para la RAM se
dispone de 2 chips de
8K*8 cada uno
mientras que la ROM
es un solo chip de 32K*8. Se pretende que la RAM est en lo ms alto del mapa de
m
e
m
o
r
i
a
m
i
e
n
t
r
a
s
q
ue la ROM est al principio. El resto del espacio de memoria deber ser mapeado
para cada una de las posibilidades que se muestran en las figuras.
REPORTE:
I.- Llene la tabla de abajo con el programa para generar retardo.
Usando el men de instrucciones del manual del Z80, ensamble a mano su
programa y reprtelo en la tabla, no olvide los comentarios.
II.- reporte los clculos realizados para ajustar el tiempo de retardo a 1 minuto, as
como el tiempo real obtenido con el cronmetro.
TIEMPO CALCULADO
TIEMPO CRONOMETRADO
BIBLIOGRAFA:
Manual de Zilog
Ramesh S. Gaonkar
The Z80 Microprocessor: Architecture, Interfacing, Programming,
and Design