U.P.E.A.

INGENIERA ELCTRICA

ELECTRONICA Y LABORATORIO

ETN 401

INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES

24-FEBRERO-2017
INTRODUCCION Materiales semiconductores
Veremos desde las Propiedades atmicas de los
materiales conductores a los niveles continuos de la
energa electrnica en los tomos.
La carga de 1 electrn = 1,6x10exp-19 Culomb
La masa de 1 electrn = 9,11x10exp-31 Kg
1,6 / 1x10exp-19 C = 6x10exp18 electrones/C
1 A = 1 C/s
INTRODUCCION Materiales semiconductores
Veremos desde las Propiedades atmicas de los
materiales conductores a los niveles continuos de la
energa electrnica en los tomos.
La carga de 1 electrn = 1,6x10exp-19 Culomb
La masa de 1 electrn = 9,11x10exp-31 Kg
1,6 / 1x10exp-19 C = 6x10exp18 electrones/C
1 A = 1 C/s
Masa de 1 tomo hipottico = (1/16) peso de Oxigeno
Masa de 1 tomo hipottico = 1,66x10exp-27 Kg
Radio de 1 electron = 1x10exp-15 m
Radio de 1 tomo = 1x10exp-10 m
INTENSIDAD DE CAMPO, POTENICAL Y ENERGIA
La Intensidad de Campo elctrico es la fuerza f (N)
sobre la unidad de carga positiva (q) en un campo
elctrico (). f = q.
INTENSIDAD DE CAMPO, POTENICAL Y ENERGIA
La Intensidad de Campo elctrico es la fuerza f (N)
sobre la unidad de carga positiva (q) en un campo
elctrico (). f = q.
La segunda ley de Newton dice que una partcula
cargada q (C), de masa m (Kg), se mueve con
velocidad v (m/s). f = m.a
INTENSIDAD DE CAMPO, POTENICAL Y ENERGIA
La Intensidad de Campo elctrico es la fuerza f (N)
sobre la unidad de carga positiva (q) en un campo
elctrico (). f = q.
La segunda ley de Newton dice que una partcula
cargada q (C), de masa m (Kg), se mueve con
velocidad v (m/s). f = m.a

Potencial V (voltios) es el trabajo realizado para llevar

una carga positiva por el campo desde Xo hasta X
La energa potencial U (Joule) es el potencial V por la
carga q
La energa potencial U (Joule) es el potencial V por la
carga q

1 electrn, entonces, la carga ser q.

La ley de la conservacin de la energa
indica que la energa total W, que es la
suma de la energa potencial mas la
cintica, se mantiene constante
La energa potencial U (Joule) es el potencial V por la
carga q

1 electrn, entonces, la carga ser q.

La ley de la conservacin de la energa
indica que la energa total W, que es la
suma de la energa potencial mas la
cintica, se mantiene constante
La energa potencial U (Joule) es el potencial V por la
carga q

1 electrn, entonces, la carga ser q.

La ley de la conservacin de la energa
indica que la energa total W, que es la
suma de la energa potencial mas la
cintica, se mantiene constante

El potencial en B ser Vd
Igualando el total de la energa que haba
en A con la que hay en B tenemos:
Barrera de energa
potencial.
Barrera de energa
potencial.
Cada ordenada x 1
electron (-).
La energa total W de
1 electrn se mantiene
constante.
Barrera de energa
potencial.
Cada ordenada x 1
electron (-).
La energa total W de
1 electrn se mantiene
constante.
Mayor energa cintica
en O.
En P la energa
cintica es cero. El
electron regresa a A.
Una partcula nunca
puede avanzar a una
distancia mayor a Xo
Naturaleza del tomo
Consideremos el tomo de Hidrgeno: 1 proton (+) (nucleo)
y 1 electron (-), entonces el tomo es elctricamente neutro
y cumple con la ley de Coulomb.
La orbita del electrn es una circunferencia, donde la fuerza
vara en ralacin inversa al cuadrado de la distancia entre
las partculas.
Naturaleza del tomo
Consideremos el tomo de Hidrgeno: 1 proton (+) (nucleo)
y 1 electron (-), entonces el tomo es elctricamente neutro
y cumple con la ley de Coulomb.
La orbita del electrn es una circunferencia, donde la fuerza
vara en ralacin inversa al cuadrado de la distancia entre
las partculas.
La fuerza de atraccin entre el ncleo y el electrn del tomo
de Hidrogeno es:
Naturaleza del tomo
Consideremos el tomo de Hidrgeno: 1 proton (+) (nucleo)
y 1 electron (-), entonces el tomo es elctricamente neutro
y cumple con la ley de Coulomb.
La orbita del electrn es una circunferencia, donde la fuerza
vara en ralacin inversa al cuadrado de la distancia entre
las partculas.
La fuerza de atraccin entre el ncleo y el electrn del tomo
de Hidrogeno es:
Por la segunda ley de Newton debe ser igual a la masa por
la aceleracin normal al ncleo:

Entnces:
Por otra parte, la energa potencial del electrn a la
distancia r del ncleo ser:
Por otra parte, la energa potencial del electrn a la
distancia r del ncleo ser:

y la energa cintica es:

De acuerdo a la ley de la conservacin de la energa:
Por otra parte, la energa potencial del electrn a la
distancia r del ncleo ser:

y la energa cintica es:

De acuerdo a la ley de la conservacin de la energa:
Por otra parte, la energa potencial del electrn a la
distancia r del ncleo ser:

y la energa cintica es:

De acuerdo a la ley de la conservacin de la energa:

Combinando con la ecuacin de la anterior pgina

tenemos:
Por otra parte, la energa potencial del electrn a la
distancia r del ncleo ser:

y la energa cintica es:

De acuerdo a la ley de la conservacin de la energa:

Combinando con la ecuacin de la anterior pgina

tenemos:

Que nos da la relacin entre el radio y la energa del

electrn. La energa del electrn es siempre negativa.
La energa del electrn es mas pequea cuanto mas se
acerca al ncleo. o es la permitividad del vacio.
Teora de las bandas de energa.
Se establece que en la estructura del tomo, los electrones
adoptan rbitas niveles de energa.
En un slido los electrones no son completamente libres,
sino que estn influenciados por los tomos del retculo
cristalino y por los restantes electrones.
Entonces aparecen ciertas caractersticas nuevas que nos
permiten comprender a los aisladores, los semiconductores
y los conductores.
Teora de las bandas de energa.
Se establece que en la estructura del tomo, los electrones
adoptan rbitas niveles de energa.
En un slido los electrones no son completamente libres,
sino que estn influenciados por los tomos del retculo
cristalino y por los restantes electrones.
Entonces aparecen ciertas caractersticas nuevas que nos
permiten comprender a los aisladores, los semiconductores
y los conductores.
Bandas de energa de un slido.
Consideremos un cristal formado por un gran nmero de
tomos e imaginemos que la distancia entre los tomos
puede variar a voluntad. Si la separacin interatmica
puede varias de un nivel muy grande a otro muy pequeo;
veremos la estructura de los niveles energticos del cristal.
Bandas de energa de un slido. (continuacin)
Si la distancia interatmica es muy grande, entonces, no
hay posibilidad de que un electrn pase de 1 tomo a otro.
Si se reduce la distancia interatmica, de modo que los
electrones exteriores de cada tomo se aproximen lo
suficiente a otro tomo como para quedar sometido a las
fuerzas ejercidas por ste, entonces, los electrones de estos
niveles podran intercambiar su posicin y pasar de un
tomo al siguiente.
Bandas de energa de un slido. (continuacin)
Si la distancia interatmica es muy grande, entonces, no
hay posibilidad de que un electrn pase de 1 tomo a otro.
Si se reduce la distancia interatmica, de modo que los
electrones exteriores de cada tomo se aproximen lo
suficiente a otro tomo como para quedar sometido a las
fuerzas ejercidas por ste, entonces, los electrones de estos
niveles podran intercambiar su posicin y pasar de un
tomo al siguiente.
Existe un nmero muy grande de niveles y su separacin
promedio es tan pequea que se lo considera como una
distribucin continua con una cierta densidad (E) que se
extiende desde un nivel de energa superior Emax a otro
inferior Emin, dando lugar a las bandas de energa
permitida y prohibida. Si banda permitida => distancia
Bandas de energa de un cristal hipottico en el que
considera variable la distancia entre tomos
Caractersticas elctricas de un cristal
Se recurre al principio de exclusin de Pauli, el cual
limita la posibilidad de ocupacin de cada uno de los
niveles de una banda a solamente un electrn.
Se debe asociar en la estructura de bandas de los
slidos a tres bandas de energa, una banda permitida
libre de electrones denominada banda de conduccin,
una banda permitida totalmente ocupada denominada
banda de valencia y una banda prohibida separando
las bandas anteriores.
Caractersticas elctricas de un cristal
Se recurre al principio de exclusin de Pauli, el cual
limita la posibilidad de ocupacin de cada uno de los
niveles de una banda a solamente un electrn.
Se debe asociar en la estructura de bandas de los
slidos a tres bandas de energa, una banda permitida
libre de electrones denominada banda de conduccin,
una banda permitida totalmente ocupada denominada
banda de valencia y una banda prohibida separando
las bandas anteriores.
Estructura de banda de los conductores
Sus niveles superiores ocupados son contiguos a un
nmero muy grande de niveles vacios.
Estructura de banda de los conductores (cont.)
Un conductor debe tener un gran nmero de electrones
cuyas energas estn dentro de un rango en el cual hayan
muchos estados no ocupados con energa muy prxima a
la de los electrones. Un conductor se caracteriza por la
presencia de numerosos niveles vacios adyacentes al nivel
mas alto ocupado. La banda llena mas extrema se llama
banda de valencia y la inmediata superior parcialmente
ocupada se llama banda de conduccin.
Estructura de banda de los conductores (cont.)
Un conductor debe tener un gran nmero de electrones
cuyas energas estn dentro de un rango en el cual hayan
muchos estados no ocupados con energa muy prxima a
la de los electrones. Un conductor se caracteriza por la
presencia de numerosos niveles vacios adyacentes al nivel
mas alto ocupado. La banda llena mas extrema se llama
banda de valencia y la inmediata superior parcialmente
ocupada se llama banda de conduccin.
Estructura de banda de los aisladores
Las bandas que contiene electrones estn totalmente
ocupadas. La banda de conduccin no contiene ningn
electrn y esta separada de la banda de valencia por una
banda prohibida cuya separacin es d varios electrn-volt.
Bandas de energa de un metal, un aislador y un
semiconductor

un aislador un semiconductor un conductor

Estructura de banda de los semiconductores
Un semiconductor es un slido que presenta una
conductividad intermedia entre la de los conductores y los
aisladores. Se caracteriza por tener una reducida banda
prohibida. Son aisladores a temperaturas suficientemente
bajas (prximas a 0K), pero a temperatura ambiente
(300K) un apreciable nmeros de electrones puede pasar
de la banda de valencia ocupada a la banda de conduccin
vaca, debido a la agitacin trmica atribuyndole
conductividad y se le denomina semiconductor intrnseco.
Germanio (Ge) con ancho de banda prohibida de 0,785 e-V
Silicio (Si) con 1,21 e-V de ancho de banda prohibida.
Estructura de banda de los semiconductores
Un semiconductor es un slido que presenta una
conductividad intermedia entre la de los conductores y los
aisladores. Se caracteriza por tener una reducida banda
prohibida. Son aisladores a temperaturas suficientemente
bajas (prximas a 0K), pero a temperatura ambiente
(300K) un apreciable nmeros de electrones puede pasar
de la banda de valencia ocupada a la banda de conduccin
vaca, debido a la agitacin trmica atribuyndole
conductividad y se le denomina semiconductor intrnseco.
Germanio (Ge) con ancho de banda prohibida de 0,785 e-V
Silicio (Si) con 1,21 e-V de ancho de banda prohibida.
1 Jule es la unidad de medida de Energa => 1W = 1 J/s
1J = 1x10exp7 erg. => 1e-V = 1,6x10exp-12 erg.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
El Germanio en la tabla peridica de los elementos tiene un
nmero atmico de 32, lo que significa que, tiene 32
protones en el ncleo y 32 electrones distribuidos en capas
y subcapas alrededor del ncleo.
Los tomos tienen 4 capas: K, L, M y N cada una con 2, 8,
18 y 32 electrones respectivamente.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
El Germanio en la tabla peridica de los elementos tiene un
nmero atmico de 32, lo que significa que, tiene 32
protones en el ncleo y 32 electrones distribuidos en capas
y subcapas alrededor del ncleo.
Los tomos tienen 4 capas: K, L, M y N cada una con 2, 8,
18 y 32 electrones respectivamente.
Cada capa tiene subcapas s, p, d y f con 2, 6, 10 y 14
electrones respectivamente.
La capa K(2) tiene la subcapa s(2).
La capa L(8) tiene las subcapa s(2) y p(6).
La capa M(18) tiene las subcapas s(2), p(6) y d(10).
La capa N(32) tiene las subcapas s(2), p(6), d(10) y f(14).
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
El Germanio en la tabla peridica de los elementos tiene un
nmero atmico de 32, lo que significa que, tiene 32
protones en el ncleo y 32 electrones distribuidos en capas
y subcapas alrededor del ncleo.
Los tomos tienen 4 capas: K, L, M y N cada una con 2, 8,
18 y 32 electrones respectivamente.
Cada capa tiene subcapas s, p, d y f con 2, 6, 10 y 14
electrones respectivamente.
La capa K(2) tiene la subcapa s(2).
La capa L(8) tiene las subcapa s(2) y p(6).
La capa M(18) tiene las subcapas s(2), p(6) y d(10).
La capa N(32) tiene las subcapas s(2), p(6), d(10) y f(14).
Ge => NA=32 => K=2; L=8(s=2,p=6); M=18(s=2,p=6,d=10);
N=4(s=2, p=2,d=0,f=0) libres p=4, d=10 y f=14
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
El Silicio en la tabla peridica de los elementos tiene un
nmero atmico de 14, lo que significa que, tiene 14
protones en el ncleo y 14 electrones distribuidos en capas
y subcapas alrededor del ncleo.
Si => NA=14 => K=2; L=8(s=2,p=6); M=4(s=2,p=2,d=0);
libres p=4, d=10
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
El Silicio en la tabla peridica de los elementos tiene un
nmero atmico de 14, lo que significa que, tiene 14
protones en el ncleo y 14 electrones distribuidos en capas
y subcapas alrededor del ncleo.
Si => NA=14 => K=2; L=8(s=2,p=6); M=4(s=2,p=2,d=0);
libres p=4, d=10

Al Si y al Ge se los conoce por la

estructura de la ltima capa que
tiene 4 electrones denominados
electrones de valencia, por lo que
ocupa la cuarta familia en la tabla
peridica. Comparten 2 electrones
en ligaduras covalentes
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Si introducimos impurezas al cristal afectaremos las
propiedades elctricas del cristal; introduciendo portadores
adicionales dentro de las bandas. A estos se les denominan
semiconductores extrnsecos. La clase ms simple son
aquellos una pequea fraccin (10exp-5 a 10exp-10) de los
tomos del cristal fueron reemplazados por tomos de un
elemento cuya valencia es diferente a la del material slido.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Si introducimos impurezas al cristal afectaremos las
propiedades elctricas del cristal; introduciendo portadores
adicionales dentro de las bandas. A estos se les denominan
semiconductores extrnsecos. La clase ms simple son
aquellos una pequea fraccin (10exp-5 a 10exp-10) de los
tomos del cristal fueron reemplazados por tomos de un
elemento cuya valencia es diferente a la del material slido.
Las impurezas de mayor inters son las del grupo III (Boro
5, Indio 49, Galio 31) y grupo V (Antimonio 51, Fosoforo 15,
Arcenico 33). En cualquiera de los dos casos, el tomo de la
impureza reemplaza a un tomo del cristal semiconductor
sin alterar para nada su estructura cristalina. Puesto que el
tomo de impureza tiene un electrn de valencia dems, el
resultado es la aparicin de 1 electrn en exceso.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Si consideramos el caso de impurezas pentavalentes del
Antimonio, Fosforo y Arsnico. Puesto que tienen 5
electrones de valencia, al sustituir a un tomo de Si en el
cristal, 4 de los 5 entran en las ligaduras covalentes con 4
tomos de Si prximos. El quinto electrn queda dbilmente
ligado y puede liberarse y convertirse en un electrn de
conduccin y se les denomina impurezas donoras.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Si consideramos el caso de impurezas pentavalentes del
Antimonio, Fosforo y Arsnico. Puesto que tienen 5
electrones de valencia, al sustituir a un tomo de Si en el
cristal, 4 de los 5 entran en las ligaduras covalentes con 4
tomos de Si prximos. El quinto electrn queda dbilmente
ligado y puede liberarse y convertirse en un electrn de
conduccin y se les denomina impurezas donoras.
Par el elementos del grupo III como el Boro, Indio y Galio
que tienen 3 electrones en su ltima rbita, sustituye a un
tomo de Si. Solo 3 de los 4 tomo vecinos ven satisfechos
sus enlaces covalentes. Esto crea un deficit de enlace o
hueco. Para satisfacer los 4 enlaces, las impurezas del
grupo III aceptaran facilmente un electrn; por esta razon
se llaman impurezas aceptoras.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)

Un semiconductor que tiene impurezas donoras se llama

semiconductor tipo N; uno que tenga impurezas aceptoras
se denomina semiconductor tipo P.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Las impurezas donoras crean nuevos estados de energa
permitidos dentro de la banda prohibida, ligeramente por
debajo del fondo de la banda de conduccin. => a
temperatura ambiente, casi todos los electrones en exceso
pasan a la banda de conduccin.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Las impurezas donoras crean nuevos estados de energa
permitidos dentro de la banda prohibida, ligeramente por
debajo del fondo de la banda de conduccin. => a
temperatura ambiente, casi todos los electrones en exceso
pasan a la banda de conduccin.
Las impurezas aceptoras crean niveles permitidos
ligeramente por encima de la del tope de la banda valencia.
=> a temperatura ambiente se producirn huecos en la
banda de valencia y son los que intervienen en el proceso
de conduccin, o los electrones de los niveles donores
pasan a la banda de conduccin.
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)
Estructura de banda de los semiconductores (cont.)

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac)

Analicemos como se comportan los electrones del cristal en
condiciones de equilibrio trmico a una temperatura T.
Mil gracias por su atencin