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RESUMEN TEÓRICO

EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA (UJT)


Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos
de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres
terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente
figura:

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en


realidad está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le
contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su
estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le
dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones
libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases
RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender
mejor cómo funciona este dispositivo, vamos a valernos del circuito
equivalente de la figura siguiente:

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos


entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada
por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases
es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre


las dos bases, la tensión que aparece entre el emisor y la base será la
que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de
tensión se cumplirá que:

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V 1 y


VBB.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica


igual a 0,85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el
terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastará con
operar de la siguiente forma:

Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay


que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo,
si aplicamos una tensión de 8V al emisor, éste no conducirá, ya que en el
cátodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente
a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo permanecerá polarizado
inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior a 10,9V
(los 10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo
comenzará a conducir, produciéndose el disparo o encendido del UJT. En
resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conducción es
necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca.

Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una
tensión de polarización directa del emisor respecto a la base 1, los
portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal
de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal
P está fuertemente contaminado con impurezas y el N débilmente). Este
efecto produce una disminución repentina de la resistencia R1 y, con ella,
una reducción de la caída de tensión en la base 1 respecto del emisor, lo
que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el


diodo permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase.
Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de características
y suele ser del orden de 5mA.

En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas


características de un UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay
que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar
que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada esta tensión, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que Ip), provocándose el descebado del UJT cuando
la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Aplicaciones del UJT


Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el
disparo de la puerta de TRIACS y SCR.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie


R-C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho
condensador comienza a cargarse. Como este condensador está conectado
al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en
conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy
pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en el terminal de B1
aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga del
condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento,
éste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del
condensador. Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una
señal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para
controlar los tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el
tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de la resistencia
variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de carga del
condensador.

En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de


pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR.
Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de
cualquier otro tipo de carga: estufas, lámparas, etc.) gracias a la
regulación de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para
controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los
pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del
potenciómetro RS.

2. Disparo Controlado de tiristores mediante transistores


Unijuntura Programables (PUT)

El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction


Transistor, PUT) es un dispositivo compuesto de 4 capas
semiconductoras, similar a un SCR. Sin embargo, el disparo del mismo es
respecto del ánodo en vez del cátodo. Mediante un divisor de tensión
resistivo se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de pico,
Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de
fase en circuitos de rectificación controlada, y en algunos casos, se los
utiliza como osciladores.
Operación del PUT:

El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta


(G). El símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente
se ven en la figura 1.

Figura 1

En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por


ánodo, esto es, si la compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el
dispositivo pasará del estado de bloqueo (o de corte) al estado de
conducción.

Una característica interesante que presenta este dispositivo es que


tiene una región o zona de trabajo de resistencia negativa. Cuando la
tensión entre ánodo y cátodo, Vak, supera a la tensión de pico Vp (la cual
es programada mediante el divisor resistivo; R1, R2), el dispositivo entra
en conducción, con lo cual cae la tensión Vak y aumenta la corriente. Esto
ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el cual es un punto
estable de operación. De esta forma, se obtiene la región de resistencia
negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle. Esto puede verse
claramente en la figura 2.

Figura 2

La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de


referencia del divisor de tensión, excepto por la caída de tensión en la
juntura de la compuerta.

Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de


relajación, como el de la figura 3. Para analizar más fácilmente como
funciona este circuito, es conveniente hablar del equivalente de Thevenin
para la fuente de tensión externa y el divisor resistivo, aplicado en la
compuerta. Estos parámetros quedan definidos:

Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia


equivalente en la compuerta, Rg, y de la tensión de alimentación Vs. Por
lo tanto, la curva característica del PUT es sensible respecto de
variaciones en Rg y Vs.
Figura 3

La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación


junto con R1 y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma
aproximada por:
CIRCUITOS A IMPLEMENTAR
DISPARO CON UJT

Circuito 1

DISPARO PUT

Circuito
CÁLCULOS PREVIOS
FÓRMULAS A UTILIZAR
-Para el UJT
𝑅𝑏1
𝑛=
𝑅𝑏2
𝑉𝑝 = 𝑛 ∗ 𝑉𝑏𝑏 + 𝑉𝑑
𝜏1 = 𝑅 ∗ 𝐶
𝜏2 = 𝑅1 ∗ 𝐶
𝑇𝑔 = 𝑅1 ∗ 𝐶
1
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln⁡( )
1−𝑛
-Para el PUT
𝑅2
𝑛=
𝑅1 + 𝑅2
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln⁡(1 + 𝑅2/𝑅1)
𝑉𝑠
𝐼𝑔 = (1 − 𝑛) ∗
𝑅𝑔
𝑅1 = 𝑅𝑔/𝑛
CÁLCULOS EN EL UJT
-Asumiendo ⁡𝐼𝑝 = 10⁡𝑢𝐴, 𝐼𝑣 = 10⁡𝑚𝐴,⁡⁡⁡𝑉𝑣 = 3.5, 𝑇𝑔 = 50⁡𝑢𝑠

a) Disparo con 𝑪 = 𝟎. 𝟐𝟐⁡𝒖𝑭; 𝑹𝒑𝟏 = 𝟓𝟎⁡𝑲; 𝒇 = 𝟔𝟎⁡𝑯𝒛

Sabemos que:
𝑉𝑠 − 𝑉𝑣 𝑉𝑠 − 𝑉𝑝
< 𝑅𝑝1 + 2.2⁡𝐾 <
𝐼𝑣 𝐼𝑝

𝑉𝑝 = 0.5 ∗ 24 + 0.5 = 12.5⁡𝑉

2.05⁡𝐾 < 𝑅𝑝1 + 2.2⁡𝐾 < 1.15⁡𝑀

−−> 𝑹𝒑𝟏 = 𝟓𝟎⁡𝒌⁡(𝑪𝒖𝒎𝒑𝒍𝒆)

1 1
= (2.2⁡𝐾 + 𝑅𝑝) ∗ 𝐶 ∗ ln ( ) … (𝑎)
60 1−𝑛
𝒏 = 𝟎. 𝟕𝟔𝟔(𝑪𝒖𝒎𝒑𝒍𝒆)
Sabemos que n debe estar entre este rango de valores:
𝟎. 𝟒𝟓 < 𝒏 < 𝟎. 𝟖𝟐
𝑇𝑔
𝑅1 = ; ⁡⁡⁡𝑅1 = 227.273⁡(𝑛𝑜⁡𝑐𝑢𝑚𝑝𝑙𝑒)
𝐶
𝑇𝑔 50 ∗ 10−6
𝑅1 = < 100;⁡⁡⁡ < 100
𝐶 𝐶
𝟎. 𝟓⁡𝒖𝑭 < 𝑪⁡(𝑪𝒐𝒏𝒅𝒊𝒄𝒊ó𝒏)

b) Disparo con 𝑪 = 𝟏⁡𝒖𝑭; 𝑹𝒑𝟏 = 𝟓𝟎⁡𝑲; 𝒇 = 𝟔𝟎⁡𝑯𝒛

0.45 < 𝑛 < 0.82


1
0.5978 < 𝑙𝑛 ( ) < 1.7148
1−𝑛
1
0.5978 ∗ 10−6 < (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) ∗ 𝐶 ∗ 𝑙𝑛 ( ) < 1.7148 ∗ 10−6
1−𝑛
1
0.5978 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) < < 1.7148 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝)
𝑇
0.5978 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) < 0.0166 < 1.7148 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝)
𝟕. 𝟓⁡𝑲 < 𝑹𝒑 < 𝟐𝟓. 𝟔⁡𝑲⁡

Nuestro Rp=50 K no satisface esta condición


c) Disparo con 𝑪 = 𝟓⁡𝒖𝑭; 𝑹𝒑𝟏 = 𝟓⁡𝑲; 𝒇 = 𝟔𝟎⁡𝑯𝒛
0.45 < 𝑛 < 0.82
1
0.5978 < 𝑙𝑛 ( ) < 1.7148
1−𝑛
1
0.5978 ∗ 5 ∗ 10−6 < (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) ∗ 𝐶 ∗ 𝑙𝑛 ( ) < 1.7148 ∗ 5 ∗ 10−6
1−𝑛
1
2.989 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) < < 8.574 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝)
𝑇
2.989 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝) < 0.0166 < 8.574 ∗ 10−6 ∗ (2.2𝐾 + 𝑅𝑝)
𝟎 < 𝑹𝒑 < 𝟑. 𝟓⁡𝑲⁡
Nuestro Rp=5 K no satisface esta condición

CÁLCULOS EN EL PUT
-Se debe cumplir que Rs<100
-Asumiendo Tg=50us
⁡Tg = Rs ∗ C
50⁡us = Rs ∗ C
𝟎. 𝟓⁡𝐮𝐅 < 𝐂⁡(𝐂𝐨𝐧𝐝𝐢𝐜𝐢ó𝐧)

-Sabemos que:
𝑉𝑠
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln⁡( )
𝑉𝑠 − 𝑉𝑝

El período es constante igual a 16.66 ms; por tanto, para valores fijos de R el
valor de n variará.
a) Disparo con C=1 Uf; R=Rp+2.2 K=52.2 K; Vs=24 V
1
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln⁡( )
1−𝑛
1
16.6666⁡𝑚𝑠 = 52.2⁡𝐾 ∗ 1⁡𝑢𝐹 ∗ ln⁡( )
1−𝑛
𝒏 = 𝟎. 𝟐𝟕
-Asumiendo Ig=1 mA
𝐼𝑔 = (1 − 𝑛) ∗ 𝑉𝑠/𝑅𝑔
𝑅𝑔 = 17.52⁡𝐾
𝑅𝑔
𝑅1 = = 65⁡𝐾
𝑛
𝑅𝑔
𝑅2 = = 24⁡𝐾
1 − 𝑛⁡

b) Disparo con C=5 Uf; R=Rp+2.2 K=22.2 K; Vs=24 V


1
𝑇 = 𝑅 ∗ 𝐶 ∗ ln⁡( )
1−𝑛
1
16.6666⁡𝑚𝑠 = 22.2⁡𝐾 ∗ 5⁡𝑢𝐹 ∗ ln⁡( )
1−𝑛
𝒏 = 𝟎. 𝟏𝟒
-Asumiendo Ig=1 mA
𝐼𝑔 = (1 − 𝑛) ∗ 𝑉𝑠/𝑅𝑔
𝑅𝑔 = 20.64⁡𝐾
𝑅𝑔
𝑅1 = = 147.43⁡𝐾
𝑛
𝑅𝑔
𝑅2 = = 24⁡𝐾
1 − 𝑛⁡

SIMULACIÓN