Programaacademicoie 2007

CENTRO DE INVESTIGACIN Y DE ESTUDIOS
AVANZADOS DEL I.P.N.
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA
Cinvestav
PROGRAMAS ACADMICOS DE MAESTRA Y

DOCTORADO EN CIENCIAS EN INGENIERA
ELCTRICA
CONTENIDO
1. PRESENTACIN..................................................................................................................................1
2. PROGRAMA DE MAESTRA EN CIENCIAS EN INGENIERA ELCTRICA. ........................4
2.1. Objetivo. .................................................................................................................................5
2.2. Perfil del egresado. .................................................................................................................5
2.3. Duracin del Programa. ..........................................................................................................5
2.4. Proceso de Admisin. .............................................................................................................5
2.4.1 Admisin de Estudiantes....................................................................................................5
2.4.2 Cursos Propeduticos.........................................................................................................6
2.4.3 Comit de Admisin a la Maestra (CAM). .......................................................................6
2.4.4 Notificacin de Resultados. ...............................................................................................6
2.4.5 reas de Especialidad. .......................................................................................................7
2.5. Requisitos para la obtencin del Grado Acadmico. ..............................................................7
2.6. Admisin al Programa de Doctorado Directo.........................................................................8
2.7. Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica.....................................................9
2.7.1. Bioelectrnica ..................................................................................................................12
2.7.2. Comunicaciones ...............................................................................................................13
2.7.3. Electrnica del Estado Slido. .........................................................................................14
2.7.4. Mecatrnica......................................................................................................................15
2.8. Contenidos de Cursos Propeduticos....................................................................................16
2.8.1. Matemticas (40 hrs) ...........................................................................................................16
3.8.2 Electrnica Analgica (40 hrs) .............................................................................................18
2.9. Contenidos de Cursos de Tronco Comn .............................................................................20
2.9.1 Teora de Seales y Sistemas (64 hrs).............................................................................20
2.9.2 Matemticas (64 hrs).......................................................................................................23
2.9.3 Computacin (64 hrs)......................................................................................................26
2.9.4 Electrnica Digital (64 hrs).............................................................................................28
2.10. Contenidos de los Cursos de Especialidad............................................................................32
2.10.1. Cursos de Bioelectrnica....................................................................................................32
2.10.1.1. Anatoma Humana (90 hrs)......................................................................................32
2.10.1.2. Fisicoqumica de la Biologa (64 hrs)......................................................................33
2.10.1.3. Fundamentos y Normas de Seguridad Elctrica (50 hrs).........................................34
2.10.1.4. Sensores y Transductores (50 hrs) ...........................................................................35
2.10.1.5. Sistemas Teraputicos y Tecnologa Intrahospitalaria (50 hrs) ...............................36
2.10.1.6. Procesamiento Analgico de Bioseales y Aplicaciones (50 hrs) ...........................37
2.10.1.7. Tecnologas Avanzadas en Bioinstrumentacin (50 hrs).........................................38
2.10.1.8. Fisiologa Humana (64 hrs) ....................................................................................39
2.10.1.9. Istrumentacin en Oftalmologa (64 hrs) ..................................................................40
2.10.1.10. Cermicas Piezoelctricas (64 hrs) ........................................................................41
2.10.1.11. Visin Humana (64 hrs).........................................................................................42
2.10.1.12. Instrumentacin en Electrocardiografa (48 hrs)....................................................43
2.10.1.13. Sensores Qumicos y Biosensores (40 hrs) ............................................................44
2.10.1.14 Procesamiento de Imgenes (45 hrs) ......................................................................45
2.10.1.15. Introduccin a la Bioultrasnica (50 hrs)...............................................................46
2.10.1.16. Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica en la Materia Viva
(40 hrs) ......................................................................................................................................47
2.10.1.17. Introduccin a la Lgica Difusa (60 hrs) ...............................................................48
2.10.1.18. Procesamiento Digital de Bioseales (60 hrs) .......................................................49
2.10.2. Cursos de Comunicaciones.................................................................................................50
2.10.2.1. Probabilidad y Procesos Estocsticos (64 hrs).........................................................50
2.10.2.2. Electrnica para Sistemas de Comunicaciones (64 hrs) ...........................................53
2.10.2.3. Telefona (64 hrs) ....................................................................................................57
2.10.2.4. Fundamentos de Sistemas de Comunicacin (64 hrs)..............................................60
2.10.2.5. Teoria Electromagntica (64 hrs).............................................................................63
2.10.2.6. Teora de las Comunicaciones (64 hrs)....................................................................69
2.10.2.7. Redes de Computadoras y Protocolos de Comunicacin (64 hrs) ...........................73
2.10.2.8. Ingeniera de Teletrfico (64 hrs) ............................................................................76
2.10.2.9. Comunicaciones Digitales (64 hrs)..........................................................................79
2.10.2.10. Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones Mviles (64 hrs)........................81
2.10.2.11. Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas (64 hrs.)..........................................82
2.10.2.12. Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de Radiocomunicacin (64
hrs).............................................................................................................................................84
2.10.2.13. Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil (64 hrs) ..........................86
2.10.2.14. Redes de Comunicaciones Inalmbricas (64 hrs) .................................................87
2.10.3. Cursos de Electrnica del Estado Slido ............................................................................88
2.10.3.1 Introduccin a la a la Fsica y Tecnologa de Semiconductores (64 hrs).....................88
2.10.3.2. Dispositivos Semiconductores I..................................................................................92
2.10.3.3. Fsica de Semiconductores..........................................................................................95
2.10.3.4. Tecnologa de Semiconductores .................................................................................98
2.10.3.5. Dispositivos Semiconductores II ..............................................................................101
2.10.3.6. Simulacin Electrnica ............................................................................................103
2.10.3.7. Microelectrnica (48 hrs).........................................................................................106
2.10.3.8. Propiedades pticas de Semiconductores (48 hrs) ................................................109
2.10.3.9. Celdas Solares (48 hrs) ..........................................................................................111
2.10.3.10. Fsica Analtica (48 hrs)..........................................................................................113
2.10.3.11. Fisicoqumica de Semiconductores I (48 hrs)..................................................117
2.10.3.12. Fisicoqumica de Semiconductores II (48 hrs) ......................................................120
2.10.3.13. Pelculas Delgadas (64 hrs)....................................................................................123
2.10.3.14. Superficies, Interfaces y Heterouniones (48 hrs) ..................................................125
2.10.3.15. Introduccin a la Fsica de Superficies e Interfaces (48 hrs) .................................127
2.10.3.16. Estructura Electrnica de los Materiales (48 hrs) ..................................................129
2.10.3.17. Diseo de Circuitos Integrados I (48 hrs) ...........................................................131
2.10.3.18. Diseo de Circuitos Integrados II (48 hrs)..........................................................133
2.10.3.19. Sistemas Neurodifusos I (48 hrs)........................................................................135
2.10.3.20. Sistemas Neurodifusos II (48 hrs)........................................................................138
2.10.3.21. Sistemas Neurodifusos III (48 hrs) .....................................................................141
2.10.3.22. VLSI para Sistemas Neurodifusos (48 hrs)..........................................................144
2.10.4. Cursos de Mecatrnica ....................................................................................................145
2.10.4.1. Introduccin a la Mecatrnica (60 hrs) ..................................................................145
2.10.4.2. Introduccin al Control de Sistemas no Lineales (64 hrs) .....................................147
2.10.4.3. Modelado y Simulacin Dinmica de Sistemas Mecatrnicos (64 hrs).................149
2.10.4.4. Diseo Mecnico (64 hrs)......................................................................................151
2.10.4.5. Robtica I (56 hrs) .................................................................................................153
2.10.4.6. Sistemas Mecatrnicos (64 hrs) ............................................................................155
2.10.4.7. Mecnica Clsica (64 hrs)......................................................................................157
2.10.4.8. Sistemas No Lineales I (64 hrs.) ............................................................................158
2.10.4.9. Pasividad y Diseos Recursivos en Sistemas Dinmicos (64 hrs).........................160
2.10.4.10. Control por Planitud Diferencial (64 hrs) ............................................................162
2.10.4.11. Sistemas No Lineales IV: Anlisis y control de sistemas no lineales en tiempo
discreto (64 hrs) .....................................................................................................................164
2.10.4.12. Ingeniera de Robots (64 hrs)...............................................................................166
2.10.4.13. Robtica II (64 hrs)..............................................................................................168
2.10.4.14. Programacin en Tiempo Real (64 hrs) ...............................................................169
2.10.4.15. Diseo Mecnico II (64 hrs) ................................................................................171
2.10.4.16. CAD/CAM/CAE (72 hrs) ....................................................................................173
2.10.4.17. Sistemas Inteligentes (64 hrs) ..............................................................................175
2.10.4.18. Manufactura (64 hrs) ...........................................................................................177
2.10.4.19. Vibraciones Mecnicas (64 hrs)...........................................................................179
2.10.4.20. Identificacin de Sistemas (64 hrs)......................................................................182
2.10.4.21. Electrnica (64 hrs)..............................................................................................184
2.10.4.22. Mecnica Computacional (64 hrs) .......................................................................186
2.10.4.23. Control por Modos Deslizantes (64 hrs) ..............................................................189
3. PROGRAMA DE DOCTORADO EN CIENCIAS EN INGENIERA ELCTRICA. ...............191
3.1 Objetivo. .............................................................................................................................192
3.2 Perfil del Egresado..............................................................................................................192
3.3 Duracin del Programa. ......................................................................................................192
3.4 Proceso de Admisin. .........................................................................................................192
3.4.1 Requisitos de Ingreso. ....................................................................................................192
3.4.2 Notificacin de Resultados. ...........................................................................................193
3.5 Seguimiento del Trabajo Acadmico. .................................................................................193
3.6 Programa de Estudios. ........................................................................................................194
3.7 Requisitos de Permanencia. ................................................................................................194
3.8 Requisitos para la obtencin del Grado Acadmico. ..........................................................195
3.9 Examen Predoctoral............................................................................................................195
3.10 Caractersticas de la Tesis. ........................................................................................................196
3.11 Examen de Grado......................................................................................................................196
4. ESTRUCTURA ACADMICA...................................................................................................197
5. ANEXOS......................................................................................................................................203
A) Planta Acadmica y Lneas de Investigacin del Ncleo Acadmico Bsico de Tiempo Completo.
..........................................................................................................................................................204
B) Lista de Abreviaciones y Definiciones.........................................................................................207
1. PRESENTACIN
1
Este documento presenta la descripcin de los programas de posgrado ofrecidos en
Departamento de Ingeniera Elctrica (DIE).
La estructura acadmica y administrativa del DIE es tal que asegura la eficiencia en la

realizacin de las diversas actividades del mismo; y optimiza la utilizacin de los
recursos que facilitan la integracin de las especialidades de las diferentes
especialidades que lo conforman.
El grado de Maestra o de Doctorado en Ciencias en Ingeniera Elctrica ofrece cuatro

especialidades que son: Bioelectrnica, Comunicaciones, Electrnica del Estado
Slido o Mecatrnica.
Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica.
El Programa Acadmico del Posgrado de Maestra en Ciencias consiste de, un tronco

comn durante el primer cuatrimestre; constituido, en funcin de la especialidad, por
tres de los siguientes cursos: Electrnica Digital, Matemticas, Teora de Seales y
Sistemas, y Computacin, ms un curso de la especialidad. Una vez cursado el tronco
comn el alumno continuar su programa en alguna de las especialidades del
Departamento. Los cursos del tronco comn son responsabilidad de todo el Colegio de
Profesores del DIE (CP).
El DIE es el encargado de realizar el procedimiento de admisin y de impartir los

cursos propeduticos y los del tronco comn. Cabe aclarar que, el alumno, en la
solicitud de admisin, especifica las especialidades de su preferencia con orden de
prioridad y al cumplir con los criterios de admisin, se le garantiza un lugar en alguna
especialidad del DIE. El Comit de Admisin de la Especialidad (CAE) determina el
nmero de aspirantes que puede aceptar en ella y evala a los candidatos a ingresar a
la misma.
A partir del segundo cuatrimestre el Programa de Maestra queda bajo la

responsabilidad del Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE) , y es facultad de
este Colegio modificar y revisar el programa de la Especialidad.
Doctorado en Ciencias en Ingeniera Elctrica.
El Programa de Doctorado tiene un procedimiento de admisin nico incluyendo la

presentacin de un examen de conocimientos generales. Para el ingreso se exige el
conocimiento del idioma ingls validado por el examen TOEFL (500 puntos). El
alumno debe llevar un mnimo de dos cursos y presentar un examen predoctoral al
Ver, Estructura Acadmica (pg. 197) Lista de Abreviaciones y Definiciones (pg. 211).
trmino del quinto cuatrimestre. Cada alumno tiene un Comit Acadmico de
Seguimiento (CAS), encargado de evaluar el avance del Programa de Doctorado y que
eventualmente formar el jurado de grado. Aquellos alumnos que exceden el tiempo
reglamentario de tres aos en el Programa de Doctorado deben presentar un examen
de avance adicional por cada cuatrimestre al que se le autorice la inscripcin.
Programa de Doctorado Directo.
Los alumnos del Programa de Maestra con buen desempeo, demostrado con la
obtencin de un promedio mnimo de 9.0 en el primer ao de estudios, podrn solicitar
su incorporacin al programa de doctorado. Una vez admitidos deben seguir el mismo
plan General del Programa de Doctorado en Ciencias en Ingeniera Elctrica.
Estructura Administrativa de los Programas de Posgrado.
Por el nmero promedio de estudiantes del Departamento y con el fin de distribuir

adecuadamente la carga de trabajo, se tienen los nombramientos de los siguientes
coordinadores:
- Coordinador de admisin *.
- Coordinador acadmico de maestra *.
- Coordinador acadmico de doctorado *.
Los responsables de estos puestos son investigadores del Departamento de Ingeniera

Elctrica, y estn apoyados por un tcnico acadmico, quien est a cargo de las
actividades tcnico-administrativas del programa acadmico.
Para cada actividad relacionada con los Programas Acadmicos se tienen diferentes
comits formados por miembros del Colegio de Profesores (CP)* del DIE:
- Comit de Admisin a la Maestra (CAM)*.

- Comit Acadmico de Especialidad (CAE) *.
- Comit de Admisin al Doctorado (CAD) *.
- Comit Acadmico de Seguimiento (CAS) *.
- Jurados*.
*
*
Ver, Estructura Acadmica (pg. 197) Lista de Abreviaciones y Definiciones (pg. 211).
2. PROGRAMA DE MAESTRA EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELCTRICA.
El programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica que ofrece el DIE del
Cinvestav est dirigido a especialistas en Ingeniera Elctrica y ramas afines.
2.1. Objetivo.
El programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica tiene como objetivo

profundizar y extender los conocimientos, as como desarrollar habilidades que permitan
al graduado ejercer actividades cientficas, tecnolgicas, profesionales y docentes.
2.2. Perfil del egresado.
El egresado del programa de Maestra del DIE ser un profesional de calidad y alto nivel
tcnico, que entienda el estado del arte en su rea de especialidad y que posea las bases
cientficas y tecnolgicas para la solucin de problemas de desarrollo tecnolgico tanto
tericos y experimentales. Asimismo, la realizacin de actividades docentes de las
ciencias de la ingeniera elctrica y ramas afines.
2.3. Duracin del Programa.
La duracin del programa de Maestra tendr un mximo de tres aos, incluyendo las
bajas temporales.
2.4. Proceso de Admisin.
2.4.1 Admisin de Estudiantes.
Para ser admitido al Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica, el

aspirante debe cubrir los siguientes requisitos:
- Haber terminado una licenciatura en un rea afn. Se podrn admitir

alumnos en proceso de titulacin, previo anlisis de su expediente, aunque
la obtencin de la beca queda sujeta a los lineamientos establecidos por la
Institucin de Financiamiento.
- Tener un promedio en licenciatura no menor de 8.0. En caso contrario, el
CAM analizar la solicitud y dictaminar su viabilidad.
- Aprobar los exmenes de admisin.
- Llenar una solicitud de admisin. El aspirante deber especificar las
especialidades de su inters por orden de prioridad.
- Ser seleccionado de acuerdo a la disponibilidad de plazas por alguna de las
especialidades solicitadas.
5
- Presentar examen de CENEVAL: EXANI-III (examen de Ingreso al
Posgrado).
- Cubrir todos los requisitos especificados en el Reglamento General de
Estudios de Posgrado del Cinvestav.
2.4.2 Cursos Propeduticos.
El DIE ofrece cursos propeduticos en las reas de Matemticas y Electrnica. La

asistencia a los cursos propeduticos no es requisito indispensable para la admisin al
programa de maestra, pero si puede ser considerada por los comits de seleccin de las
especialidades en el dictamen final. La duracin de los cursos es de cuatro semanas, con
40 horas de duracin cada curso.
2.4.3 Comit de Admisin a la Maestra (CAM).
El CAM ser el encargado de:

- Revisar las solicitudes de admisin y determinar su pertinencia.
- Turnar los expedientes de los aspirantes seleccionados al Comit
Acadmico de la Especialidad (CAE) correspondiente.
La evaluacin inicial de los aspirantes se realiza considerando como base los resultados
del examen de admisin y el promedio obtenido por el estudiante en sus estudios previos,
asignando un peso especfico del 70% y del 30%, respectivamente.
El CAM turna a cada CAE un nmero de expedientes 50% mayor a la capacidad de la

especialidad, para que de entre ellos definan a los aspirantes que finalmente sern
aceptados.
En la seleccin final de aspirantes, el CAE puede considerar criterios adicionales como

por ejemplo el desempeo durante la realizacin de una entrevista personal; los
resultados de exmenes adicionales; el desempeo en los cursos propeduticos;
experiencia previa, o cualquier otro aspecto que considere conveniente.
Los estudiantes que no fueron aceptados en su primera opcin podrn ser considerados,
en su segunda, tercera o cuarta opcin, segn la disponibilidad de lugares en cada una de
las especialidades.
2.4.4 Notificacin de Resultados.
La decisin sobre la aceptacin de un alumno del programa de maestra ser dada por el
CAM, con base en los resultados y en su caso a las modalidades que sugiera el CAE al
estudiante.
2.4.5 reas de Especialidad.
El DIE ofrece cuatro especialidades en el rea de Ingeniera Elctrica.
Cada rea de especialidad mediante el Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE)

determina internamente el nmero de estudiantes de nuevo ingreso, considerando factores
como tamao de la planta acadmica, infraestructura, espacio para estudiantes, etc.
-Materias opcionales: stas son seleccionadas por el director de tesis, o bien, por el CAE
correspondiente, en coordinacin con el estudiante y de acuerdo al tema de tesis,.
-El CAE o el director de tesis puede recomendar materias adicionales si lo considera

conveniente para el estudiante.
Los estudiantes que hubiesen aprobado los exmenes de admisin pero no hubiesen sido
aceptados por alguna de las especialidades indicadas originalmente podrn ser aceptados
por alguna otra especialidad en el caso de que existieran lugares vacantes y fuera as el
deseo del aspirante.
El nmero de estudiantes admitidos no puede exceder al solicitado por cada rea de

especialidad.
En caso de que el nmero de estudiantes admitidos sea inferior a la capacidad de alguna
especialidad, el CAE revisar los casos de aquellos estudiantes que hayan aprobado los
exmenes de admisin, aunque no hubiesen sido seleccionados inicialmente por el CAM.
2.5. Requisitos para la obtencin del Grado Acadmico.
Para obtener el grado de maestro se requerir:
Para obtener el grado de maestra se requiere que el estudiante cumpla

satisfactoriamente con las obligaciones acadmicas establecidas en el
Reglamento del Programa Acadmico de Maestra en Ciencias en
Ingeniera Elctrica, incluida la elaboracin de una tesis y su defensa de
acuerdo con las disposiciones establecidas en el mismo programa.
Es recomendable el dominio del idioma ingls.
Cumplir con el programa de estudios con un promedio mnimo de 8.
Se recomienda que el trabajo de investigacin o desarrollo tecnolgico
incluido en la tesis sea presentado en un foro especializado o bien
publicado en una revista cientfica del rea.
Con la aprobacin del director de tesis, el estudiante entrega la tesis
terminada a todos los miembros del jurado designado por el CAE,
quienes la revisan. El estudiante est obligado a atender las
observaciones de los miembros del jurado. Una vez efectuada la revisin
de la tesis, el estudiante solicita la presentacin del examen de grado.
Presentar y aprobar el examen de maestra, consistente en la defensa de la
tesis de grado ante el jurado designado correspondiente.
Si la defensa es exitosa de acuerdo con los criterios del Jurado Designado, el

Cinvestav otorgar al estudiante el grado de Maestra en Ciencias en
Ingeniera Elctrica mencionando la opcin en la especialidad.
2.6. Admisin al Programa de Doctorado Directo.
Los alumnos del Programa de Maestra que obtengan un promedio mnimo de 9 en los
primeros tres cuatrimestres podrn solicitar al CAE su incorporacin al Programa de
Doctorado. Una vez admitidos seguirn el mismo plan general del Programa de
Doctorado en Ciencias en Ingeniera Elctrica.
2.7. Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica
Cursos Propeduticos Duracin Periodo

(horas)
Matemticas 40
Mayo - Junio
Electrnica Analgica 40
Calendario Escolar
Cuatrimestre Periodo
1er Septiembre Diciembre
2 Enero Abril
3 Mayo Agosto
4 Septiembre Diciembre
5 Enero Abril
6 Mayo - Agosto
Tronco Comn Duracin

Cuatrimestre
(horas)
1er Teora de Seales y Sistemas 64
Matemticas 64
Computacin 64
Electrnica Digital 64
9
Especialidades
CUATRIMESTRE Bioelectrnica Comunicaciones Electrnica del Estado Slido Mecatrnica
- Matemticas - Matemticas - Matemticas

- Computacin
- Electrnica Digital - Electrnica Digital - Computacin
- Electrnica Digital
1
- Teora de Seales y Sistemas - Teora de Seales y Sistemas - Teora de Seales y Sistemas
- Teora de Seales y Sistemas
-Anatoma Humana - Introduccin a la Fsica y Tecnologa - Introduccin a la Mecatrnica
- Probabilidad y Procesos Estocsticos
de Semiconductores
2 - Fiscoqumica de la Biologa - Electrnica para Sistemas de - Dispositivos Semiconductores - Introduccin al Control de
Comunicaciones Sistemas no Lineales
- Fundamentos y Normas de - Curso Opcional 1
Seguridad Elctrica - Fundamentos de Sistemas de - Diseo Mecnico
Comunicaciones - Curso Opcional 2
- Sensores y Transductores - Modelado y Simulacin Dinmica
- Telefona - Curso Opcional 3 de de Sistemas Mecatrnicos
- Teora Electromagntica - Robtica

3 - Sistemas Teraputicos - Teora de las Comunicaciones - Curso Opcional 4 - Sistemas Mecatrnicos
y Tecnologa intrahospitalaria
- Redes de Computadoras - Curso Opcional 5 - Curso Opcional 1
- Procesamiento Analgico Y Protocolos de Comunicacin
de Bioseales y Aplicaciones - Curso Opcional 6 - Curso Opcional 2
- Ingeniera de Telegrfico
- Tecnologas Avanzadas - Trabajo de Tesis - Curso Opcional 3
en Bioinstrumentacin - Cursos Opcional
- Curso Opcional - Curso Opcional

4 - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis
- Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis
5 - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis
- Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis

6
- Examen de Grado - Examen de Grado - Examen de Grado - Examen de Grado
10
CURSOS OPCIONALES DEL DIE
Bioelectrnica - Microelectrnica
- Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica - Simulacin Electrnica
en Materia Viva - Propiedades pticas de Semiconductores
- Cermicas Piezoelctricas - Celdas Solares
- Instrumentacin en Electrocardiografa - Superficies Interfaces y Heterouniones
- Instrumentacin en Oftalmologa - Fisicoqumica de Semiconductores I
- Introduccin a la Bioultrasnica - Fisicoqumica de Semiconductores II
- Procesamiento Digital de Bioseales - Tecnologa de Semiconductores
- Sensores Qumicos y Biosensores - Pelculas Delgadas Semiconductoras
- Visin Humana - Introduccin a la Fsica de Superficies
- Introduccin a la Lgica Difusa - Fsica Analtica
- Procesamiento de Imgenes - Estructura Electrnica de los Materiales
Comunicaciones Mecatrnica
- Comunicaciones Digitales. - Mecnica Clsica
- Procesamiento Digital de Seales Avanzado. - Sistemas no Lineales I.
- Introduccin a Sistemas de Comunicaciones Mviles. - Pasividad y Diseo de Sistemas Recursivos
- Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas. en Sistemas Dinmicos.
- Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de - Control por Plenitud Diferencial.
Radiocomunicacin. - Sistemas no Lineales IV. Anlisis y control de
- Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil. sistemas no lineales en tiempo discreto.
- Redes de Comunicaciones Inalmbricas. - Ingeniera de Robots.
- Robtica II.
- Programacin en Tiempo Real.
Electrnica del Estado Slido
- Diseo Mecnico II.
- Sistemas Neurodifusos I
- CAD/CAM/CAE.
- Sistemas Neurodifusos II - Sistemas Inteligentes.
- Sistemas Neurodifusos III - Manufactura.
- Diseo de Circuitos Integrados I - Vibraciones Mecnicas.
- Diseo de Circuitos Integrados II - Identificacin de Sistemas.
- VLSI para Sistema Neurodifusos - Electrnica.
- Fsica de Semiconductores - Mecnica Computacional.
- Dispositivos Semiconductores II - Control de Modos Deslizantes.
11
2.7.1. Bioelectrnica
1er. Cuatrimestre (Cursos de Tronco Comn).
Electrnica Digital.
Teora de Seales y Sistemas.
Matemticas.
Anatoma Humana.
2. Cuatrimestre (Obligatorias de la Especialidad).

Fisicoqumica de la Biologa
Fundamentos y Normas de Seguridad Elctrica.
Sensores y Transductores.
3. Cuatrimestre (Obligatorias de Especialidad).

Sistemas Teraputicos y Tecnologa Intrahospitalaria.
Procesamiento Analgico de Bioseales y Aplicaciones.
Tecnologas Avanzadas en Bioinstrumentacin.
Fisiologa Humana.
4. Cuatrimestre.
Curso Opcional.
Trabajo de Tesis.
Cursos Opcionales:
- Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica en Materia Viva
- Cermicas Piezoelctricas.
- Instrumentacin en Electrocardiografa.
- Instrumentacin en Oftalmologa.
- Introduccin a la Bioultrasnica.
- Procesamiento de Bioseales.
- Sensores Qumicos y Biosensores.
- Visin Humana.
- Introduccin a la Lgica Difusa
- Procesamiento de Imgenes
5. Cuatrimestre.
Trabajo de Tesis.
6. Cuatrimestre.
Trabajo de Tesis.
Examen de Grado.
12
2.7.2. Comunicaciones
Electrnica Digital.
Probabilidad y Procesos Estocsticos.
Computacin.
2. Cuatrimestre (Obligatorias de la Especialidad).
Electrnica para Sistemas de Comunicaciones.
Telefona.
Fundamentos de Sistemas de Comunicaciones.
Teora Electromagntica.
3. Cuatrimestre, un total de cuatro cursos de los cuales habr dos operaciones:
Teora de las Comunicaciones.

Redes de Computadoras y Protocolos de Comunicacin.
Ingeniera de Telegrfico.
Cursos Opcional
Cursos Opcionales:
- Comunicaciones Digitales.
- Procesamiento Digital de Seales Avanzado.
- Introduccin a Sistemas de Comunicaciones Mviles.
- Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas.
- Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de Radiocomunicacin.
- Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil.
- Redes de Comunicaciones Inalmbricas.
4 y 5 Cuatrimestres.
Trabajo de Tesis
6 Cuatrimestre.
Trabajo de Tesis
Examen de Grado
13
2.7.3. Electrnica del Estado Slido.
Electrnica Digital.
Matemticas.
Introduccin a la Fsica y Tecnologa de Semiconductores.
2. Cuatrimestre.
Dispositivos Semiconductores I.
Tres Cursos Opcionales.
Cursos Opcionales:
- Sistemas Neurodifusos I.
- Sistemas Neurodifusos II.
- Sistemas Neurodifisos III
- Diseo de Circuitos Integrados I.
- Diseo de Circuitos Integrados II.
- VLSI para sistemas Neurodifusos.
- Fsica de Semiconductores.
- Dispositivos Semiconductores II.
- Microelectrnica.
- Simulacin Electrnica.
- Propiedades pticas de Semiconductores.
- Celdas Solares.
- Superficies Interfaces y Heterouniones.
- Fisicoqumica de Semiconductores I.
- Fisicoqumica de Semiconductores II.
- Tecnologa de Semiconductores.
- Pelculas Delgadas Semiconductoras.
- Introduccin a la Fsica de Superficies.
- Fsica Analtica.
- Estructura Electromecnica de los Materiales.
3. Cuatrimestre.
Cuatro Cursos Opcionales.
Trabajo de Tesis.
Trabajo de Tesis
6 Cuatrimestre.
Trabajo de Tesis
Examen de Grado
14
2.7.4. Mecatrnica
1er. Cuatrimestre.
Matemticas.
Computacin.
Introduccin a la Mecatrnica.
2. Cuatrimestre.
Introduccin al Control de Sistemas Dinmicos.
Modelado y Simulacin de Sistemas Mecatrnicos.
Diseo Mecnico I.
Robtica I.
3. Cuatrimestre.
Sistemas Mecatrnicos.
Tres Cursos Opcionales.
Trabajo de Tesis.
6. Cuatrimestre.
Trabajo de Tesis.
Examen de Grado.
Cursos Opcionales:
- Mecnica Clsica.
- Sistemas no Lineales I.
- Pasividad y Diseo de Sistemas Recursivos en Sistemas Dinmicos.
- Control por Plenitud Diferencial.
- Sistemas no Lineales IV. Anlisis y control de sistemas no lineales en tiempo discreto.
- Ingeniera de Robots.
- Robtica II.
- Programacin en Tiempo Real.
- Diseo Mecnico II.
- CAD/CAM/CAE.
- Sistemas Inteligentes.
- Manufactura.
- Vibraciones Mecnicas.
- Identificacin de Sistemas.
- Electrnica.
- Mecnica Computacional.
- Control de Modos Deslizantes.
15
2.8. Contenidos de Cursos Propeduticos
2.8.1. Matemticas (40 hrs)
1.- ALGEBRA LINEAL (27 hrs)

1.1. Conjuntos. Funciones y relaciones de equivalencia. Principio del
buen orden. Introduccin matemtica.
1.2. Espacios vectoriales y subespacios vectoriales. Combinaciones
lineales y subespacio generado.
1.3. Dependencia e independencia lineal. Bases de dimensin.
1.4. Suma y suma directa de subespacios. Espacio cociente.
1.5. Sistemas de ecuaciones lineales.
1.6. Matrices. Suma, multiplicacin, matrices invertibles, inversas,
operaciones elementales, mtodo de eliminacin de Gauss- Jordan.
Transpuesta de una matriz.
1.7. Transformaciones lineales, ncleo e imagen. Representacin
matricial de una transformacin lineal. Operadores lineales. Matriz
de cambio de base. Semejanza de matrices.
1.8. Grupos de permutaciones y determinaciones.
1.9. Espacios euclidianos. Proceso de ortonormalizacin de Gram-
Schmidt.
2.- ANALISIS REAL (10.5 hrs)

2.1. Nmeros reales y funciones
2.1.1 Operaciones de los nmeros reales.
2.1.2 Funciones de variable real.
s 2.1.3 Valor absoluto y parte entera.
2.1.4 Supremo e infinito de conjuntos reales.
2.2 Limites y continuidad
2.2.1 Lmite de funcin.
2.2.2 Propiedades y operaciones de lmites de funciones.
2.2.3 Lmite por la izquierda y por la derecha.
2.2.4 Funciones continas.
2.2.5 Funciones continas en un intervalo.
2.2.6 Imagen de intervalos cerrados y de intervalos abiertos bajo
funciones continas.
2.2.7 Funciones montonas.
Bibliografa
1. Apostol, Tom M., Anlisis Matemtico, Revert, 1960.
2. Bartle, Robert G., The Elements of Real Analysis, Wiley, 1964.
3. Rudin, Walter, Principles of Mathematics Analysis, Second
Edition, Mc Graw-Hill, 1964. (Anlisis Matemtico, Mc. Graw
16
Hill).
4. Spivak, Michael, Calculus. Clculo Infinitesimal, Revert, S.A.,
1970.
5. Grossman, Stanley I, lgebra Lineal, 5 edicin, Mc Graw Hill,
1996.
6. Halmos, Paul R., Finite-dimensional Vector Spaces, Springer-
Verlag, 1974.
7. Lipschutz, Seymur, lgebra Lineal, Schaum-Mc Graw Hill, 1971.
8. Nering, Evar D., Linear Algebra and Matrix Theory, 2nd edition,
Wiley, 1970
17
3.8.2 Electrnica Analgica (40 hrs)
1.- REPASO DE LA TEORA BSICA PARA ANLISIS DE

(4 hrs)
CIRCUITOS ELCTRICOS.
1.1. Elementos elctricos bsicos: resistencia, inductancia y
capacitancia.
1.2. Leyes de Kirchhoff.
1.3. Teorema de superposicin.
1.4. Teoremas de red: Norton, Thevenin e intercambio de fuentes.
2.- PROCESAMIENTO ANALGICO (2 hrs)

2.1. Seales y funciones en el procesamiento analgico de seales.
3.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. (13 hrs)

3.1 Amplificador operacional ideal y real.
3.2 Ganancia en bucle abierto y bucle cerrado.
3.3 Circuitos lineales.
3.3.1 Linealizacin de algunos circuitos no lineales.
3.3.2 Funcin de transferencia.
3.3.3 Polos y ceros.
3.3.4 Respuesta en la frecuencia (RF).
3.3.5. Respuesta en el tiempo (RT).
3.3.6 Relaciones entre la RT y la RF.
3.4 Circuitos retroalimentados.
3.4.1. Relacin y diferencia de retorno.
3.4.2. Sensibilidad.
3.4.3. Efecto sobre las impedancias de entrada y de salida.
3.4.4. Efecto sobre las no linealidades.
4.- ESTABILIDAD (4 hrs)

4.1 El problema de la estabilidad.
4.2 La ecuacin caracterstica.
4.3 El criterio de Routh.
4.4 Criterio de Nyquist.
4.5 Mrgenes de fase y de ganancia.
5.- CONFIGURACIONES CON AMPLIFICADORES (10.5 hrs)

OPERACIONALES.
5.1 Circuitos lineales: Amplificador inversor, no inversor, diferencial,
sumador, acoplador de impedancias, amplificador de
instrumentacin, etc.
5.2 Circuitos no lineales: Comparadores, recortadores, multiplicadores,
18
etc.
5.3 Amplificadores de transimpedancia y transadmitancia.
5.4 Filtros diferenciales.
5.5 Filtros analgicos no lineales.
6.- RUIDO EN SISTEMAS ELECTRNICOS. (4 hrs)

6.1 Tipos de ruido.
6.2 Caractersticas espectrales del ruido.
6.3 Generador equivalente.
6.4 Tcnicas de medicin de ruido.
6.5 Tcnicas de reduccin de ruido.
Bibliografa
1. Anlisis de Redes. Van Valkenburg. Ed. Limusa (1979).
2. Analog Signal Processing. Ramn Palls Areny, John G. Webster,
Edit. John Wiley & Sons (1999).
3. Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated
Circuits, 3rd. Edition Sergio Franco, Edit. McGraw-Hill (2002).
4. Measurement System Application and Design. Ernest Doebelin.
McGraw-Hill 5th Ed. (2003).
5. Noise Reduction Techniques in Electronics Systems. Henry W.
Ott. Wiley-Interscience, 2 Ed. (1988).
6. Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits. Robert F.
Coughlin, Frederick F. Driscoll. Prentice Hall 6th Ed. (2000).
19
2.9. Contenidos de Cursos de Tronco Comn
2.9.1 Teora de Seales y Sistemas (64 hrs)
1.- INTRODUCCIN. (2 hrs)

1.1 Concepto de seal y de sistema.
1.2 Seales continuas y discretas en el tiempo.
1.3 Sistemas continuos y discretos en el tiempo.
2.- SEALES Y SISTEMAS. (22 hrs)

2.1 Seales en el tiempo y secuencia en el tiempo
2.2 Operaciones elementales.
2.2.1 Transformacin del rango.
2.2.2 Cuantizacin.
2.2.3 Transformacin del eje de seal.
2.2.4 Muestreo.
2.2.5 Interpolacin.
2.2.6 Otras operaciones entre seales.
2.3 Espacios de seales.
2.3.1 Normas.
2.3.2 Potencia promedio.
2.3.3 Espacios normados.
2.3.4 Producto interno.
2.3.5 Desigualdad de Cauchy-Schwarz.
2.3.6 Normas de seales.
2.3.7 Norma pico o L.
2.3.8 Norma RMS.
2.3.9 Valor absoluto promedio.
2.3.10 Norma Lp.
2.4 Seales discretas.
2.4.1 Funciones singulares.
2.5 Sistemas y mapeos entrada/salida.
2.5.1 Sistemas lineales.
2.5.2 Sistemas convolutivos.
2.5.3 Propiedades de la convolucin.
2.5.4 Sistemas diferenciales y de diferencias.
3.- SERIES DE FOURIER. (4 hrs

3.1 Introduccin.
3.2 Expansin de seales.
3.2.1 Dependencia e independencia lineal.
3.2.2 Base recproca.
3.2.3 Bases ortogonales y ortonormales.
20
3.3 Teorema de proyeccin y de la mejor aproximacin.
3.4 Expansin de Fourier.
3.4.1 Teorema de Plancherel y Parseval.
3.4.2 Series de Fourier de seales peridicas.
3.4.3 Convolucin.
3.4.4 Serie de Fourier en dos dimensiones.
4.- TRANSFORMADA DE FOURIER. (10 hrs)

4.1 Seales de longitud finita.
4.2 Transformada de Fourier discreta-discreta (DDFT).
4.3 Transformada de Fourier continua-discreta (CDFT).
4.4 Transformada de Fourier DCFT.
4.5 Transformada CCFT.
4.6 Transformada rpida de Fourier.
4.6.1 Algoritmos para el clculo de la FFT.
5.- TRANSFORMADA Z. (6 hrs)

5.1 Introduccin.
5.2 Transformada z.
5.3 Propiedades de la transformada z.
5.4 Transformada inversa.
5.5 Aplicacin al anlisis de sistemas.
5.6 Funcin de transferencia.
5.7 Polos y ceros.
5.8 Solucin de ecuaciones de diferencia.
5.9 Estabilidad.
6.- FILTROS DIGITALES. (8 hrs)

6.1 Sistemas digitales no recursivos.
6.2 Filtro pasa bajas con corrimiento de fase cero.
6.3 Funciones de ventana en tiempo discreto y sus propiedades.
6.4 Respuesta al impulso.
6.5 Respuesta en frecuencia.
6.6 Sntesis.
6.6.1 Filtros IIR.
6.6.2 Filtros FIR.
7.- APLICACIONES. (12 hrs)

7.1 Sistemas de comunicacin.
7.2 Sistemas de control automtico.
7.3 Sistemas bioelectrnicas.
Bibliografa
21
1. Fante, R. L., Signals Analysis and Estimation: an Introduction,
John wiley and Sons,1988.
2. Kwakernaak, H. y R. Sivan, Modern Signals and Systems,
Prentice Hall, 1991.
3. Oppenheim, A. V. and Schafer, R. W. Digital Signal Processing.
Prentice Hall, 1975.
4. Digital Signal Processing: Principles, Algorithms, and
Applications. John G. Proakis, Dimitris G. Manolakis. Prentice
Hall 2nd ed (1992).
5. Signals and Systems. Alan V. Oppenheim, Alan Willsky,
Prentice-Hall (1983).
6. Digital filters: Analysis and Design. Andreas Antoniou. McGraw-
Hill (1979).
7. Mathematical Methods and Algorithms for Signal Processing.
Todd K. Moon, Wynn C. Stirling. Prentice-Hall (2000).
8. Z transform Theory and Applications. Robert Vich (Basch,
Michael. Tr.) Dordrecht: D. Reidel (1987).
9. Schaums Outline of Theory and Problems of Signals and
Systems. Hwei P. Hsu. McWraw-Hill (1995).
22
2.9.2 Matemticas (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al alumno las herramientas matemticas necesarias que le
servirn como material de apoyo en los diferentes cursos de su
especialidad. Asimismo, se busca que el alumno aplique de manera
pertinente los diferentes mtodos matemticos revisados en este curso
para la solucin adecuada de problemas de ingeniera.
Contenido
1.- MAPEOS CONTINUOS Y DIFERENCIALES. (16 hrs.)
1.1 Continuidad.
1.2 Continuidad uniforme.
1.3 Propiedades de funciones continuas.
1.4 Convergencia de funciones.
1.4.1 Convergencia uniforme y puntual.
1.4.2 Criterio de Weierstrass.
1.4.3 Funciones elementales.
1.4.4 El espacio de las funciones continas.
1.5 Derivada.
1.6 Continuidad de los mapeos diferenciales.
1.7 Condiciones de diferenciabilidad.
1.8 Regla de la cadena.
1.9 Teorema del valor medio.
1.10 Teorema de Taylor.
1.11 Mximos y mnimo.
2.- FUNCIONES DE VARIABLE COMPLEJA. (16 hrs.)

2.1 Introduccin. Nmeros complejos.
2.2 Funciones de variable compleja.
2.3 Funciones analticas y multivaluadas.
2.4 Integracin de funciones complejas.
2.5 Sucesiones y series complejas.
2.6 Ceros y singularidades aisladas.
2.7 Residuos e integrales de contorno.
3.- ECUACIONES DIFERENCIALES. (16 hrs.)

3.1 Introduccin y motivacin. Aplicaciones y ejemplos.
3.2 Ecuaciones diferenciales lineales
3.2.1 Sistemas lineales homogneos. Matriz de trancisin y sus
propiedades. Existencia y unicidad. Ecuaciones integrales.
23
3.2.2 Ecuaciones no homogneas. Mtodo de variacin de las
parmetros
3.3 Ecuaciones diferenciales no lineales. Caso general
3.3.1 Ejemplos de naturaleza real en Ingeniera y otras ramas de la
ciencia.
3.3.2 Existencia y unicidad. Teoremas y mtodos (aproximaciones
sucesivas).
3.3.3 Puntos de equilibrio y soluciones peridicas. Linealizacin.
3.4 Dependencia de las soluciones sobre condiciones iniciales y
parmetros.
3.4.1 Continuacin de soluciones.
3.4.2 Dependencia continua en las condiciones iniciales.
3.4.3 Dependencia continua en los parmetros.
4.- PROBABILIDAD. (16 hrs.)

4.1 Definiciones de Probabilidad.
4.1.1 Definiciones.
4.1.2 Espacio de probabilidad.
4.1.3 Probabilidad condicional.
4.2 Pruebas repetidas.
4.2.1 Experimentos combinados.
4.2.2 Pruebas de Bernoulli.
4.2.3 Teoremas asintticos.
4.2.4 Teorema de Poisson y puntos aleatorios.
4.2.5 Teorema de Bayes.
4.3 Variable aleatoria.
4.3.1 Funciones de distribucin y de densidad.
4.3.2 Ejemplos de casos.
4.3.3 Distribuciones condicionales.
4.3.4. Probabilidad total y el Teorema de Bayes.
4.4 Funciones de una variable aleatoria.
4.4.1 La variable aleatoria g(x).
4.4.2 La funcin de distribucin de g(x).
4.4.3 Media, varianza y momentos.
4.4.4 Funciones caractersticas.
Bibliografa
1. J. Tinsley Oden. Applied Functional Analysis. Prentice-Hall,
New Jersey, 1979.
2. J. E. Marsden, M. J. Hoffman. Anlisis Clsico Elemental. S.Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1993.
3. L. Perko. Differential Equations and Dynamical Systems. Third
Ed., Springer, 2000.
4. J. W. Dettman. Introduction to Linear Algebra and Differential
24
equations. Dover Publications, 1986.
5. S. Lang. Introduccin al Anlisis Matemtico. Addison-Wesley
Iberoamericana, 1990.
6. A. Papoulis, Probability, Random Variables and Stochastic
Processes, McGraw-Hill, 2002.
25
2.9.3 Computacin (64 hrs)
Objetivo
El propsito del curso es ensear principios fundamentales y estrategias
generales para resolver problemas computacionales. En el curso se
presenta y analiza con detalle la formulacin y especificacin de
problemas, el diseo de una solucin, su evaluacin y su realizacin en el
lenguaje de programacin C++.
El curso se divide en tres partes. En la primera parte se ensean los

conceptos fundamentales del lenguaje de programacin C++, buscando
desarrollar la habilidad de programacin necesaria mediante la realizacin
de diversos programas. En la segunda parte se estudian soluciones bien
conocidas a problemas computacionales importantes y recurrentes, las
cuales han sido organizadas en la forma de estructuras de datos.
Finalmente, en la tercera parte se analizan estrategias generales para el
diseo y anlisis de algoritmos, los cuales permiten desarrollar mtodos
computacionales eficientes.
Contenido
1.- INTRODUCCIN A PROGRAMACIN C++. (16 hrs.)

1.1 Mtodos, clases y objetos.
1.1.1 Clases y objetos: Declaracin de objetos y datos.
1.1.2 Abstraccin, encapsulacin y modularidad.
1.1.3 Constructores y destructores.
1.1.4 Funciones miembros y datos miembro: Pblico, privado,
protegido, esttico.
1.2 Sobrecarga de funciones y operaciones.
1.3 Plantillas de clases y funciones.
1.3.1 Conceptos y ejemplos.
1.3.2 Bibliotecas de Plantillas Estndar (STL).
1.3.3 Restricciones en el uso de plantillas en sistemas embebidos.
2.- ESTRUCTURAS DE DATOS (18 hrs.)

2.1 Tipos primitivos.
2.2 Apuntadores y referencias.
2.3 Arreglos.
2.4 Lista ligadas.
2.5 Pilas.
2.6 Colas.
2.7 Tablas de Hash.
2.8 Grafos.
2.9 rboles y rboles B.
26
2.10 Generacin de variedades de nmeros aleatorios. Estimacin del
error al mtodo de Monte Carlo.
2.11 Aplicaciones y proyectos: Simulacin en colas de servicios
aritmtica en polinomios.
3.- ALGORITMOS. (20 hrs.)

3.1.- Complejidad de algoritmos.
3.1.1 Notacin.
3.1.2 Lmites de la complejidad espacial.
3.1.3 Lmites de la complejidad en tiempo.
3.1.4 Uso de ecuaciones de recurrencia para el anlisis de
algoritmos recursivos.
3.2.- Estrategias para el diseo de algoritmos.
3.2.1 Divide y vencers.
3.2.2 Algoritmos Greddy.
3.2.3 Backtracking.
3.2.4 Ordenamiento: Insercin y seleccin.
3.3.- Aplicacin de algoritmos.
3.3.1 Algoritmos de bsqueda secuencial y binaria.
3.3.2 Algoritmos de ordenamiento.
3.3.3 Tablas de Hash y estrategias para evitar colisiones.
3.3.4. rboles binarios.
3.3.5 Representacin de grafos.
3.3.6 Algoritmos de ruta mnima (Algoritmo de Dijkstra).
3.3.7 rbol expandido.
Bibliografa
1. Bjarne Stroupstrup, the C++ Programming Language, Third
Edition, Addison- Wesley, 1997.
2. Bruce Eckel, Thinking in C++, Volume 1: Introduction to
Standard C++ (2nd Edition), Prentice Hall, 2000.
3. Aho, A. V. Hopcroft, J. E. y Ullman, J. D. The Analysis and
Design of Algorithms, Addison-Wesley, 1974.
4. T.H. Cormen, C.E. Leiserson, R.L. Rivest, C. Stein, Introduction
to Algorithms (2nd Edition), MIT press, 1998.
5. Kruse, Robert L. Bruce P. Leung y Clovis L. Tondo. Data
Structures and Program Design in C, Pretince Hall, 1991.
27
2.9.4 Electrnica Digital (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al alumno, un panorama general de las herramientas
modernas de diseo, simulacin e implementacin de circuitos digitales
en base a dispositivos programables como FPGAs, DSPs y
Microcontroladores para la solucin de aspectos de ingeniera.
Este curso requiere conocimientos medios de electrnica digital,

analgica y lenguajes de programacin C y C++. Est dirigido a gente
con perfil de Ingeniera Electrnica, Ingeniera Industrial, Ingeniera
Mecnica, Fsico-Matemticos, Ingenieros en Computacin.
Contenido
1.- DESCRIPCIN Y SIMULACIN DE CIRCUITOS DIGITALES

(30 hrs.)
UTILIZANDO VHDL.
1.1 Estado actual de la lgica programable.
1.1.1 Conceptos fundamentales.
1.1.2 Dispositivos lgicos programables simples.
1.1.3 Dispositivos lgicos programables complejos.
1.1.4 Arreglo de compuertas programables en campo.
1.2 Sintaxis del lenguaje.
1.2.1 Introduccin a la descripcin en VHDL de circuitos digitales.
1.2.2 Estilos de programacin en VHDL.
1.2.3 Operadores y expresiones.
1.2.4 Objetos de datos.
1.2.5 Tipos de datos.
1.2.6 Atributos.
1.2.7 Declaracin de entidad y arquitectura.
1.3 Descripcin de flujo de datos.
1.3.1 Ejecucin concurrente y ejecucin serie.
1.3.2 Estructuras de la ejecucin flujo de datos.
1.3.2.1 Asignacin condicional.
1.3.2.2 Asignacin con seleccin.
1.3.2.3 Bloque concurrente.
1.3.3 Ejemplos.
1.4 Descripcin algortmica o funcional.
1.4.1 Diferencia entre variable y seal.
1.4.2 Estructuras de ejecucin serie.
1.4.2.1 El bloque de ejecucin serie.
1.4.2.2 Sentencia de espera.
1.4.2.3 Sentencia condicional.
1.4.2.4 Sentencia de seleccin.
1.4.2.5 Bucles.
28
1.4.3 Ejemplos.
1.5 Descripcin estructural.
1.5.1 Definicin de componentes.
1.5.2 Llamado a componentes.
1.5.3 Estructuras de repeticin.
1.5.4 Ejemplos.
1.6 Diseo jerrquico en VHDL.
1.6.1 Subprogramas.
1.6.1.1 Declaracin de procedimientos y funciones.
1.6.2 Llamadas a subprogramas.
1.6.3 Bibliotecas y paquetes.
1.6.4 Metodologa para el diseo jerrquico.
1.6.5 Ejemplos.
1.7 VHDL para simulacin.
1.7.1 Asignacin de retardos.
1.7.2 Notificacin de sucesos.
1.7.3 Descripcin de un banco de pruebas.
1.7.3.1 Mtodo tabular.
1.7.3.2 Utilizacin de archivos.
1.7.3.3 Metodologa algortmica.
1.7.4 Ejemplos.
2.- MICROCONTROLADORES. (16 hrs.)

2.1 Microcontroladores programables.
2.1.1 Introduccin.
2.1.2 Programacin de microcontroladores.
2.2 Arquitectura de un sistema con microcontroladores.
2.2.1 Arquitectura interna.
2.2.2 Mapa de memoria.
2.3 Microcontroladores de 8 bits.
2.3.1 Modos de operacin.
2.3.2 Recursos.
2.3.2.1 Manipulacin de puertos de entrada/salida.
2.3.2.2 Temporizadores y contadores.
2.3.2.3 Convertidor analgico/digital.
2.3.3 Manejo de interruptores.
2.3.4 Ejecucin de programas en varios modos.
2.3.4.1 Programa ejecutado desde EEPROM.
2.3.4.2 Programa ejecutado desde EPROM.
3.- PROCESADORES DIGITALES DE SEALES. (18 hrs.)

3.1 Ventajas, caractersticas y aplicaciones de los procesadores digitales
de seales.
3.2 Representaciones numricas de datos y aritmtica.
3.3 Arquitectura de procesadores digitales de seales.
29
3.3.1 Memoria.
3.3.2 Direccionamiento.
3.3.3 Conjunto de instrucciones.
3.3.4 Control de ejecucin.
3.3.5Cola de ejecucin (Pipeline).
3.3.6 Perifricos.
3.3.7 Facilidades de depuracin internas.
3.3.8 Manejo y consumo de energa.
3.3.9 Caractersticas del reloj.
3.4 Programacin de procesadores digitales de seales.
3.4.1 Software de programacin, depuracin y prueba.
3.4.2 Programacin en lenguaje ensamblador.
3.4.3 Programacin en C y C++.
3.4.4 DSP-BIOS.
3.4.5 Bibliotecas de soporte del chip.
3.4.6 Bibliotecas de soporte de la tarjeta de desarrollo.
3.4.7 Bibliotecas numricas y de procesamiento digital de seales.
3.5 Tarjeta de programacin y depuracin de aplicaciones.
3.6 Utilizacin del procesador digital de seales.
Bibliografa
1. HDL Chip Design
Douglas J. Smith
Doone Publications, Madison, AL, USA 1996.
2. Analysis and Design of Digital Systems with VHDL
Allen M. Dewey
PWS Publishing Company, Boston, MA 1997.
3. VHDL: Lenguaje para Sntesis y Modelado de Circuitos
Fernando Pardo y Jos A. Boluda
Alfaomega, 2000.
5. Digital System Design Using VHDL
Charles H. Roth
6. VHDL for logic synthesis
Andrew Rushton
7. Analog and Digital Circuits for Electronic Control System
Applications: Using the TI MSP430 Microcontroller. Jerry
Luecke. Newnes (2004).
8. Embedded Systems Design Using the TI MSP430 series. Chris
Nagy. Newnes (2003).
9. Pic microcontrollers: An Introduction to Microelectronics. Martin
P. Bates. Newnes, 2 Ed. (2004).
10. DSP Processor Fundamentals, Architectures and Features.
Phil Lapsley, Jeff Bier, Amit Shoham, Edward A. Lee.
IEEE Press, 1997.
11. DSP-Based Electromechanical Motion Control
Hamid A. Toliyat and Steven Campbell
30
CRC Press, 2003.
12. Manuales de Texas Instruments
Versiones en formato PDF disponibles en www.ti.com
(DSP Developers Village).
31
2.10. Contenidos de los Cursos de Especialidad
2.10.1. Cursos de Bioelectrnica
2.10.1.1. Anatoma Humana (90 hrs)
Objetivo
Adquirir los conocimientos suficientes de anatoma humana y de lenguaje para su
aplicacin en el diseo de instrumentacin biomdica.
Contenido
Introduccin. Generalidades. Posicin anatmica. Segmentos situados en: eje del cuerpo,
extremidades superiores y extremidades inferiores. Aparato Tegumentario. Sistemas:
esqueltico, articular, muscular, endocrino, nervioso (central y perifrico), circulatorio
(arterial, capilares y venoso), endocrino, linftico, urinario y reproductor. Cavidades dorsal
y ventral. Forma y funcin. Anatoma: antecedente y/o reforzador de la fisiologa.
Bibliografa
-Anatoma humana
Fernando Quiroz, (3 tomos), Ed. Porra Hnos. Mxico, 1990
-Anatoma y fisiologa humana 4. Edicin
S. W. Jacob, C. A. Francone, W. J. Lossow, Nueva Editorial Interamericana Mxico 1987
-Anatoma descriptiva, 21. Edicin
Testut Latarjet, Ed. Salvat Mxico, 1992
2.10.1.2. Fisicoqumica de la Biologa (64 hrs)
Objetivo
Dar a conocer al alumno los principios y leyes de la fisicoqumica de utilidad en la
comprensin de los fenmenos biolgicos y que son aplicables en el diseo de instrumentos
con aplicacin en biologa.
Contenido
Definicin y su objetivo. Relacin con la qumica y la fsica. Conceptos fundamentales.

Constitucin de la materia teora atmico-molecular. Tabla peridica, su clasificacin y su
uso. Unidades y dimensiones. Cantidades y propiedades medibles. Definicin de unidades
fundamentales. Patrones de medida primarios y secundarios. Estados de la materia: gases.
Propiedades generales de los gases. Leyes de los gases. Problemas. Ley de las presiones
parciales de Dalton. Problemas. Teoras que explican la cintica de los gases. Desviaciones de
la ley de los gases ideales. Problemas. Los gases en el cuerpo humano y su medida. Lquidos.
Propiedades generales. Presin de vapor. Punto de ebullicin. Punto de congelacin.
Diagrama de fases del agua. Problemas. Adhesin y cohesin. Tensin superficial. Conceptos
y mtodos de medida. Viscosidad. Concepto y mtodos de medicin. Slidos. Propiedades
generales de los slidos. Resumen comparativo de las propiedades generales de los estados de
la materia. Termodinmica. Conceptos de energa, calor y trabajo. Concepto de energa
interna. Concepto de temperatura. Primera y segunda leyes de la termodinmica, entalpa,
capacidad calorfica y calores de transicin. Conceptos y problemas. Concepto de
reversibilidad en algunos procesos de los seres vivos. Termoqumica. Definicin. Calores de
reaccin y calores de formacin. Soluciones no electrolticas. Soluciones electrolticas.
Bibliografa
-Qumica General, 8. Edicin
R.H. Petrucci, W.S. Harwood, F.G. Herring, Ed. Prentice Hall, Madrid, 2003
-Fisicoqumica, 2. Edicin
G.W. Castellan, Ed. Pearson Educacin, Mxico, 1998
33
2.10.1.3. Fundamentos y Normas de Seguridad Elctrica (50 hrs)
Objetivo
Comprensin de los principios bsicos de un sistema de medida aplicado a la medicin de
variables biolgicas. Estudio del origen de los biopotenciales. Anlisis de los efectos
fisiolgicos de la electricidad y las normas de seguridad elctrica que debe cumplir la
instrumentacin biomdica.
Contenido
Introduccin a los sistemas de medida. Origen de los biopotenciales. Biopotenciales en el

sistema nervioso. Instrumentacin biomdica. Configuracin general entrada-salida.
Caractersticas estticas de los sistemas de medida. Caractersticas dinmicas de los sistemas
de medida. Especificaciones generales de los instrumentos. Anlisis y reduccin del error.
Anlisis estadstico. Patrones de medicin. Proceso de diseo de instrumentos mdicos.
Bioelectrodos. Seguridad elctrica.
Bibliografa
-Medical instrumentation, Application and Design (Caps. 1, 4 y 14).
Editor J.G. Webster. Edit. Houghton Mifflin Company, Boston, 1992
-Encyclopedia of medical devices and instrumentation 2nd. Edition
John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 2006
-Principles of biomedical instrumentation and measurement
R. Aston. Edit. Merril Publishing Company, 1990
-Potenciales bioelctricos origen y registro
Maria Teresa Garca Gonzles. UAM Unidad Iztapalapa Mxico 1998
-Sensores y acondicionadores de seal
Ramn Palls Areny, Edit. Alfaomega Marcombo, Barcelona 2003
-Analog signal processing (Cap. 9)
Ramn Palls Areny, John G. Webster. Edit. John Wiley & Sons 1999
-Instrumentacin electrnica moderna y tcnicas de medicin
William D. Cooper. Albert D. Helfrick. Edit. Prentice Hall hispanoamericana 1991
-The measurement, instrumentation and sensors handbook
John G. Webster. CRC Press 1998
-Bioestadstica base para el anlisis de las ciencias de la salud
Wayne W. Daniel, Edit. Limusa Wiley 2004
34
2.10.1.4. Sensores y Transductores (50 hrs)
Objetivo
Estudio de los sensores y transductores utilizados en la medicin de seales biomdicas.
Contenido
Principios de medicin. Conceptos. Principios fsicos generales de los sensores. Tipos de

transductores: resistivos, capacitivos, inductivos, piezoelctricos, fotoelctricos,
termoelctricos y qumicos. Por variable fsica: temperatura, humedad, presin, posicin,
movimiento, caudal, conductividad, aceleracin, nivel y volumen. Sensores de temperatura.
Sensores basados en puente resistivo. Biopotenciales. Electrodos para el registro de
biopotenciales. Quimiosensores y biosensores. Sensores basados en fibra ptica.
Bibliografa
-Sensores y acondicionadores de seal, 2. Edicin
Ramn Palls Areny, Edit. Marcombo Boixareu 1994
-Transducers for biomedical measurements: principles and applications
Richard S.C. Cobbold, Edit. John Wiley & Sons. 1974
-Principles of applied biomedical instrumentation
L.A. Geddes, L.E. Baker, Edit. John Wiley & Sons. 1989
-Medical Instrumentation, Application and Design, 3rd. Edition
Editor John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons. 1998
35
2.10.1.5. Sistemas Teraputicos y Tecnologa Intrahospitalaria (50 hrs)
Objetivo
Estudio de los principios de operacin de dispositivos teraputicos y de asistencia utilizados
en medicina.
Contenido
Introduccin a los sistemas funcionales. Sistemas de estimulacin elctrica: corazn, cabeza y

cuello, muscular/nerviosa, gastrointestinal, visual y urinaria. Riesgos y precauciones mdicas
para la estimulacin elctrica. Robtica mdica: principios y aplicaciones en neurociruga,
laparoscopia y ortopedia. Sistemas interactivos hombre-mquina: voclicos, por
procesamiento de imagen y discretos. Trabajo experimental.
Bibliografa
-Speech Communication
Douglas O Shaughnessey, Edit. Addison-Wesley
-Medical instrumentation, Application and Design (Cap.13)
Edit. J.G. Webster. Edit. Houghton Mifflin Company, Boston, 1992
-Introduction to biomedical engineering (Cap. 18)
John D. Enderle, Susan M. Blanchard, Joseph D. Bronzino, Edit. Academic Press, 2000
-Principles of biomedical instrumentation and measurement
R. Aston, Edit. Merril Publishing Company, 1990
36
2.10.1.6. Procesamiento Analgico de Bioseales y Aplicaciones (50 hrs)
Objetivo
Estudio de las tcnicas de procesamiento analgico de seales bioelctricas mediante circuitos
integrados convencionales.
Contenido
Seales y funciones en el procesamiento analgico de seales. Amplificacin de Voltaje.

Amplificadores con entrada y salida diferenciales. CMRR de etapas en cascada.
Amplificadores compuestos. Amplificadores con retroalimentacin de corriente (CFA).
Amplificadores de transimpedancia y transadmitancia. Amplificadores de corriente.
Funciones analgicas lineales y no lineales. Transformacin de impedancias. Modulacin.
Filtros diferenciales. Filtros analgicos no lineales. Interruptores analgicos. Multiplexaje y
muestreo. Optoacopladores y aislamiento. Interferencias y su reduccin. Ruido, derivas y su
reduccin. Desarrollo de instrumentacin electrnica para aplicacin en electrocardiografa y
anlisis de la marcha humana.
Bibliografa
-Analog signal processing
Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 1999
-Sensores y acondicionadores de seal, 2. Edicin
Ramn Palls Areny, Edit. Marcombo Boixareu, 1994
Editor John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons, 1998
-Design with operational amplifiers and analog integrated circuits, 3rd. Edition
Sergio Franco, Edit. McGraw-Hill, 2002
37
2.10.1.7. Tecnologas Avanzadas en Bioinstrumentacin (50 hrs)
Objetivo
El estudiante conocer y discutir con sus colegas de curso, el estado del arte de diferentes
tecnologas utilizadas en la bioinstrumentacin.
Contenido
Estudio del estado del arte de la bioinstrumentacin, su desarrollo e influencia de cambio por
la evolucin de la ciencia y la tecnologa. Se harn prcticas de estudio de la adquisicin de
nuevos conocimientos, estudio de casos para afrontar el cambio tecnolgico. Se estudiarn
tcnicas de trabajo en equipo, manejo del tiempo, desarrollo de proyectos, desarrollo de la
investigacin, transmisin de ideas y su discusin. Se estudiarn las tecnologas relacionadas
con la bioinstrumentacin biomdica que estn dominando el mercado; en el diagnstico,
exploracin y la teraputica, as como las tecnologas que se calcula dominarn el campo de la
tecnologa biomdica en el futuro. Habr la preparacin de al menos 2 temas de sntesis
tecnolgica por cada estudiante en donde aplicar las tcnicas de estudio y exposicin
descritas en el inicio del curso, estas exposiciones sern criticadas por los estudiantes
aplicando las tcnicas de trabajo en equipo.
Bibliografa
-Ley de Ciencia y Tecnologa y Ley Orgnica del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa.
CONACYT, Julio 2002, Mxico.
-Dinmica de grupo, 6 Edicin, Balduino A. Andreola, Ed. Sal Trrea, 1984. ISBN: 84-293-
0695-1
-Proyectos de desarrollo, Ed. Banco Interamericano de Desarrollo Ed. LIMUSA S.A. 1981.
ISBN: 968-18-0999-8
-The Structure and Dynamics of Organizations and Groups Berne, Eric, Ballantine Books,
1973
-Biomedical Engineering Handbook, Volume I (Hardcover) Joseph D. Bronzino (Author),
CRC PRESS. ISBN: 0-8493-8346-3 Principles of Bioinstrumentation
Richard Normann, Edit. John Wiley & Sons. ISBN-13: 978-0471605140
-Bioinstrumentation John G. Webster, Edit. Wiley 2003. ISBN-13: 978-0471263272.
Understanding The Human Machine: A Primer For Bioengineering (Series on Bioengineering
& Biomedical Engineering), Max E. Valentinuzzi, Edit.: World Scientific Publishing
Company 2004. ISBN-13: 978-9812389305
-Libreras y bases de datos electrnicos: Amazon.com , Barnes & Noble, Casa del Libro,
Nerdbooks.com, UCSD Bookstore, IEEE, Blackwell Collection Manager, Cambridge
University Press, EDP Sciences, Elsevier Science, ESA Publications, Institute of Physics,
John Wiley & Sons, McGraw-Hill, MIT Press, NTIS, Oxford University Press, SPIE,
Prentice-Hall, Springer-Verlag, University Microfilms (UMI), University of Chicago Press,
Willman-Bell, Inc., World Scientific, etc
38
2.10.1.8. Fisiologa Humana (64 hrs)
Objetivo
Conocer los principios bsicos de la estructura y la funcin del organismo multicelular, su
integracin, su naturaleza y la forma en que han sido analizados. Adquirir la habilidad para
extrapolar dichos conocimientos para analizar las respuestas del individuo y de la especie,
tanto simples como complejas en diversas condiciones fisiolgicas y patolgicas.
Contenido
Estructura general del animal multicelular. Fisiologa celular. Transporte a travs de las
membranas celulares: mecanismos acarreadores. Excitabilidad de las membranas: potencial
de membrana y potencial de accin. Integracin del organismo: sistema nervioso.
Transmisin sinptica. Receptores sensoriales y conversin de la energa. Transmisin
neuromuscular y contraccin muscular. Control neurolgico del movimiento: mdula espinal.
Funciones superiores: corteza de asociacin. Integracin humoral: fisiologa de la sangre y
lquidos circulantes. Sistema cardiovascular. Respiracin. Funcin renal. Funciones del
aparato digestivo. Fisiologa del ejercicio.
Bibliografa
-Fisiologa mdica
William F. Ganong, Edit. El Manual Moderno, Ed. 18, Mxico, 2002
-Fisiologa
Linda S. Constanzo, Edit. McGraw-Hill Interamericana, Mxico, 2000
-Fisiologa humana
J.A.F. Tresguerres, Edit. McGraw-Hill Interamericana, 2da. Ed.,Mxico, 1999
-Fisiologa Mdica
Arthur C. Guyton, John E. Hall, Edit. McGraw-Hill Interamericana, 9na. Ed., Mxico, 1997
39
2.10.1.9. Istrumentacin en Oftalmologa (64 hrs)
Objetivo
Reconocer la anatoma y fisiologa de las estructuras que conforman el sistema visual para
poder desarrollar instrumentacin capaz de detectar micro-movimientos, movimientos
sacdicos, glisdicos, de seguimiento, de convergencia-divergencia, vestbulo-oculares,
pupilares, de la cabeza y registrar el campo visual. Aplicaciones en clnica y para el campo de
la investigacin en ingeniera biomdica.
Contenido
Movimientos oculares. Anatoma del sistema oculomotor. Movimientos oculares voluntarios

e involuntarios. Caractersticas de los sistemas de registro y seguridad. Mtodos de registro de
movimientos oculares. Seales tpicas de movimientos oculares. Opto-oculogramas. Electro-
oculogramas. Electromiogramas. Video-oculografa. Aplicacin en clnica. Patologas del
sistema oculomotor. Nistagmo congnito. Aplicacin en investigacin. Perimtrica objetiva.
Anatoma de la retina. Campo visual. Perimtrica subjetiva. Permetro de Goldmann. Pantalla
tangente. Perimtrica objetiva. Permetro de Goldmann monocromtico (fibra ptica).
Permetro de Goldmann cromtico. Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
Pupilometra. Anatoma del sistema visual. Movimientos pupilares. Video-oculografa.
Aplicacin en clnica. Aplicacin en investigacin.
Bibliografa
-Tratado de Fisiologa Mdica
Dr. Arthur C. Guyton, Ed. Interamericana, 4a edicin. Mxico, 1971
-Adler's Physiology of the eye Clinical application.
Robert A. Moses, The C. V. Mosby Company. USA, 1981
-Oftalmologa general
Daniel Vaughan, Taylor Asbury, Edit. El manual moderno, Mxico, 1987
-Neuroanatoma funcional
Dr. Jairo Bustamante B., Fondo educativo interamericano S. A., Colombia, 1978
-Vision and visual dysfunction
J. R. Cronly-Dillon, Macmillan press ltd Volumes 1-17 England, 1991
-Neurological control systems studies in bioengineering
Lawrence Stark, Plenum press USA, 1968
-Handbook of bioengineering
Richard Skalak, Shu Chien McGraw-Hill USA, 1987
-Bioengineering: Biomedical, Medical, and Clinical Engineering
A. Terry Bahill, Prentice-Hall USA, 1981
-Biomedical Instrumentation and measurements
Leslie Cromwell, Fred J. Weibell, Erich A. Pfeiffer, Edit. Prentice-Hall 2nd edition USA,
1980
40
2.10.1.10. Cermicas Piezoelctricas (64 hrs)
Objetivo
Al trmino del curso el alumno comprender el concepto de piezoelectricidad y su aplicacin
en cermicas. Ser capaz de disear, fabricar y caracterizar una cermica piezoelctrica y su
aplicacin en la fabricacin de transductores de ultrasonido para uso biomdico.
Contenido
Antecedentes histricos. Visin general acerca de las cermicas piezoelctricas. Cermicas de

Titanato de Bario (BaTiO3) y Titanato-Zirconato de Plomo (PZT). Cermicas de Titanato de
Plomo (PbTiO3) adicionado con elementos del grupo de los lantnidos. Manufactura de las
cermicas piezoelctricas. Caracterizacin. Sesiones prcticas. Aplicacin en transductores de
ultrasonido para uso mdico en oftalmologa.
Bibliografa
-Piezoelectric Ceramics
Bernard Jaffe, William R. Cook, Hans Jaffe, Edit. Academic Press London and New York
1971
-Ferroelectric Devices
Kenjio Uchino, Edit. Marcel Dekker, Inc. New York, U.S.A. 2000
-Ferroelectric Crystal Franco Jona, G. Shirane, Edit. Dover Publications, Inc. New York,
U.S.A. 1993
-Ultrasonic Testing of Materials
Josef Krautkrmer, Herbert Krautkrmer, Edit. Springer-Verlag, Second edition New York,
U.S.A 1977
-Materiales piezoelctricos del tipo PZT
Oscar Prez Martnez, Ernesto Suaste Gmez, Departamento de Ingeniera Elctrica,
CINVESTAV-IPN, Mxico, D.F., Mxico 1994
41
2.10.1.11. Visin Humana (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al estudiante los principios cientficos bsicos de percepcin al color v a la luz
blanca en condiciones fotpticas y escotopicas. Asimismo al estudio de las estructuras
anatmicas del globo ocular y su interrelacin en el proceso de visin humana foveal y
perifrica.
Contenido
El ojo humano y la visin. Estructura del ojo. Cornea y esclera. Cuerpos ciliares, coroides e
iris. Retina. Fovea. ptica del ojo. Problemas comunes de la visin. Reflexin, transmisin y
absorcin. Conos y bastones. Introduccin. Como se detecta la luz. Unidades fsicas y
lumnicas de la intensidad de luz. El proceso visual. Sensibilidad a la luz. Sensibilidad de
conos y bastones. Escotpico. Fotoptico. Visin tricromtica. Adaptacin a la luz y la
oscuridad. Teoras modernas de la visin. Young-Helmholts. Hering. Teora de zonas.
Colorimetra. Conceptos bsicos. Importancia de la mediciones del color. Fuentes de luz y
estndares. Especificaciones del color. Sistema Mansell. Sistema CIE. Ley de Grassman. El
sistema CIE XYZ. Coordenadas de cromaticidad. Cromaticidad. Tipos de diagramas.
Reproduccin del color. Ejemplos de diagramas.
Bibliografa
-Contrast sensitivity of the human eye and its effects on image qualm Peter G., J. Barten,
Edit. SP1E Optical Engineering Press, Washington USA. 1999
-Color vision from genes to perception Karl R. Gegenfurtner y Lindsay T. Sharpe, Edit.
Cambridge University Press, Cambridge UK, 1999
-ptica fisiolgica psicofsica de la visin
J. M. Artigas., P. Capilla., A. Felipe, J. Pujol, Edit Interamericana McGraw-Hill, Madrid
Espaa, 1995
-Color science concepts and methods, quantitative data and formulae
Gunter Wyszecki y W. S. Stiles, Edit. John Wiley & Sons Inc., New York USA, 2000
-Measuring colour R W G. Hunt, Edit. Fountain Press, England 1998
-Visual perception a clinical orientation
Steven H. Schwartz, Edit. Appleton & Lantje, Connecticut USA. 1994
-Principles of neural science
Enck R. Kandel, James H. Schwartz, Thomas M. Jessell, Edit. McGraw-Hill, New York
USA, 2000.
-Vision and visual dysfunction
J. R. Cronlv-Dillon, Edit. MacMillan Press, 1991
42
2.10.1.12. Instrumentacin en Electrocardiografa (48 hrs)
Objetivo
Descripcin de los conceptos bsicos de los potenciales de accin cardacos, de las
caractersticas de los electrodos y de la deteccin de la seal electrocardiogrfica (ECG).
Valoracin y discusin de las especificaciones de electrocardigrafos. Anlisis de tcnicas
avanzadas de diseo de amplificadores para ECG y su aplicacin en el desarrollo de un
electrocardigrafo.
Contenido
Origen de la actividad elctrica del corazn. El sistema de conduccin del corazn. Ondas e
intervalos del ECG. Caractersticas frecuenciales del ECG. Electrodos superficiales. ECG de
12 derivaciones. Derivaciones para monitoreo ambulatorio. Derivaciones para ECG de
ejercicio. Especificaciones bsicas de un electrocardigrafo. Tipos de interferencias y su
reduccin en equipos de monitoreo del ECG. Tcnicas avanzadas de diseo de amplificadores
para ECG. Desarrollo de un electrocardigrafo de 12 canales.
Bibliografa
-Encyclopedia of medical devices and instrumentation, 2nd. Edition
-Analog signal processing
Ramn Palls Areny, John G. Webster, Edit. John Wiley & Sons 1999
John G. Webster, Editor, Edit. John Wiley & Sons, 1998
-Introduction to biomedical equipment technology
Joseph J. Carr, John M. Brown, Edit. Prentice Hall, 2001
-Diagnostic electrocardiographic devices
ANSI/AAMI EC11:1991
-Ambulatory electrocardiographs ANSI/AAMI EC38:1998.
43
2.10.1.13. Sensores Qumicos y Biosensores (40 hrs)
Objetivo
Proporcionar al estudiante los conceptos terico-prcticos bsicos de los sensores qumicos
con prcticas de caracterizacin y calibracin. (Se recomienda que el estudiante tenga
conocimientos de fisicoqumica y de electroqumica).
Contenido
Sensores qumicos. Sensores potenciomtricos. Sensores amperomtricos. Biosensores.

Biosensores potenciomtricos. Biosensores amperomtricos. Sistemas bioinspirados, sensores
matriciales. Narices y lenguas electrnicas. Biosensores de afinidad: inmunosensores y
genosensores.
Bibliografa
-Principios de Anlisis Bioinstrumental
Skoog Douglas A., Holler F. James & Nieman Timothy A., Edit. McGraw Hill
-Fundamentos de Fisicoqumica
Crockford H.D., Knight Samuel B., Edit. CECSA
-Principles of Chemical Sensors
Janata J., Edit. Plenum Press, New Cork, 1989
-Medidor de pH extracelular en tejidos epiteliales usando transistores de efecto de campo
sensibles a iones. Hernndez Rodrguez Pablo Rogelio, Tesis de doctorado en Ciencias,
Departamento de Ingeniera Elctrica, CINVESTAV, Mxico, 1995
-Biosensors in the body continuos in vivo monitoring
David M. Fraser. Edit. John Wiley & Sons, 1997
-Biosensors theory and applications
Donald G. Buerk, Edit. Technomic Publishing Co. Inc. 1993
-Biosensors and their applications
Victor C. Yang, That T. Ngo, Edit. Kluwer Academic / Plenum Publishers
44
2.10.1.14 Procesamiento de Imgenes (45 hrs)
Objetivo
Las tcnicas empleadas para extraer informacin considerada como til en una imagen,
comnmente necesitan de herramientas matemticas especficas y de aproximaciones
propias a la disciplina. Este curso tiene como fin el presentar los diferentes medios
tericos y metodolgicos, los ms interesantes, para procesar y analizar una imagen.
Algunos avances significativos y recientes en esta rea son abordados y desarrollados con
un enfoque relacionado con la actividad que se realiza en la seccin. Cada captulo
expuesto en el curso, debe acompaarse de un trabajo personal de una profundizacin a
partir de los libros, artculos, memorias de tesis, reportes, que tratan este tema. (Se
recomienda que el estudiante tenga conocimientos bsicos en el tratamiento de seal).
Contenido
Sensores de imagen y de sistemas de visin. Definiciones. Algoritmos de preprocesamiento.

Segmentacin. Filtrado digital de imgenes. Anlisis de imgenes. Mtodos surgidos a partir
del tratamiento de seal. Morfologa matemtica. Visin para la robtica. Tratamiento de
imgenes mdicas.
Bibliografa
-Digital Image Processing
Gonzlez R., Wintz P., Edit. Addison Wesley, 1987
-Digital Image Processing Algorithms
Pitas I., Edit. Prentice Hall 1993
-Digital Picture Processing Vols 1&2

Rosenfeld A., Kak A., Edit. Academic Press 1982
-Digital Image Processing : A practical primer
Baxes G.A., Edit. Cascade Press 1984
-Procesamiento digital de imgenes
Aguilar S.A., Crdenas F.J., Martnez A., Martnez E., Edit. CCH/TIMAS-UNAM, 1994
45
2.10.1.15. Introduccin a la Bioultrasnica (50 hrs)
Objetivo
El estudiante adquirir los conocimientos tericos y prcticos para utilizar equipo ultrasnico
teraputico, conocer la fsica de generacin, los efectos que tiene el US sobre material
biolgico y tendr las bases para determinar si la energa aplicada est dentro de la norma
establecida, sin provocar dao al paciente o al equipo. (Se recomienda que el estudiante tenga
conocimientos bsicos de biologa, fsica y teora del ultrasonido)
Contenido
Introduccin. La generacin y propagacin del ultrasonido. Campo ultrasnico. Construccin

de transductores ultrasnicos. Caracterizacin experimental de la propagacin ultrasnica.
Interaccin de las ondas ultrasnicas con el medio de propagacin. Caracterizacin
ultrasnica de materiales biolgicos. Aplicaciones mdicas del ultrasonido.
Bibliografa
-Piezoelectric Transducers and applications
A. Arnau, Edit. Springer Verlag, Berlin, 2004
-Acoustic Waves, Devices, Imaging, and Analog Signal Processing
Gordon S. Kino, Edit. Prentice-Hall Inc. 1987
-Doppler Ultrasound
David H. Evans, Edit. John Willey & Sons, Ltd., 2000
-Ultrasonic Bioinstrumentation
Douglas A. Christiansen, Edit. John Willey & Sons, Ltd., 1998
-Ultrasonic Scattering in Biologic Tissues
K. Kirk Shung, Edit. CRC Press INC, 2000
-Elaboration et Caractrisation et Modlisation de Cramiques Magntolectriques a
Couches Darrt, Thse Universit de Bordeaux I, Alain LARGUETEAU, 1990
-La practique du Control Industriel para Ultrasons JL Pelletier, Edit. ENSAM, 1984
NDT Data Fusion X.E. Gros, Independent NDT Centre, France, Edit: Hodder Headline
Group, John Wiley &
Sons, Inc. 1997
-Biomedical Ultrasonic PNT Wells, Edit. Academic Press, 1977
46
2.10.1.16. Introduccin a los Efectos de la Radiacin Electromagntica en la
Materia Viva (40 hrs)
Objetivo
Estudiar los efectos de la radiacin electromagntica sobre los organismos vivos. Durante el
curso se estudiar como interaccionan las ondas electromagnticas con los organismos vivos,
que efectos tiene en el material celular y en la molcula. Se estudiarn las tcnicas de
medicin de estos efectos y se experimentar con prcticas demostrativas de los efectos
estudiados. Como caso particular, se estudiar la terapia por hipertermia; su generacin y
mecanismo de induccin por RF, as como la caracterizacin de los parmetros teraputicos.
Cada mdulo expuesto en el curso, debe acompaarse de un trabajo personal de una
profundizacin a partir de los libros, artculos, memorias de tesis, que aparecen en la
bibliografa y, la literatura reciente sobre la temtica. (Se recomienda que el estudiante tenga
conocimientos bsicos de biologa, fsica y teora electromagntica)
Contenido
Teora bsica del electromagnetismo. Mediciones EM en sitios abiertos. Mediciones en sitios

protegidos. Parmetros magnticos de substancias biolgicas. Los efectos de los campos
magnticos sobre organismos vivos. Efectos de la radiacin por RF. Complejos magnticos.
Mtodos experimentales. Principios de la interaccin ondas electromagnticastejido vivo: El
caso de la hipertermia. Phantoms para la evaluacin de sistemas de hipertermia.
Bibliografa
-Fundamentos de la teora electromagntica 3era Ed, Reitz, Milford, Christy, Edit. Addison-
Wesley Iberoamericana,S. A. 1986
-Thermo-radioteherapy and thermo-chemotherapy, Vol. 1: Biology, physiology, and physics,
Editores: Seegenschmiedt M.H., Fessenden P., Vernon C.C., Springer, 1995, Alemania
-Radiofrequency hyperthermia systems: Experimental and clinical assesment of the feasibility
of radiofrequency hyperthermia systems for loco-regional deep heating G.C. van Rhoon, Delf
University Press, 1994, Paises Bajos
-Biomagnetism R.S. Wadas Ells Hordwood and PWN-Polish Scientific Publishers, 1991
-Methods for electromagnetic field analysis Ismo V. Lindell, Edit. IEEE Press, 1995
-Solid dielectric horn antennas Carlos Salema, Carlos Fernndez, RamaKant Jha, Edit. Artech
House Inc, 1998
-Engineering electromagnetic compatibility V. Prasad Kodali, Edit. IEEE Press, 2001
-Electromagnetic fields and radiation, human bioeffects and safety Riadh W Y. Habash, Edit.
Marcel Dekker, Inc. 2002
47
2.10.1.17. Introduccin a la Lgica Difusa (60 hrs)
Objetivo
Comprensin de los principios bsicos de la lgica difusa. Ver otra forma de procesar datos,
adaptada al pensamiento humano para resolver los problemas cotidianos. Acercamiento con
aplicaciones usando la lgica difusa.
Contenido
Aspectos Tericos. Control difuso. Metodologa. Compaas suministradoras de herramientas.
Bibliografa
-The fuzzy logic market
Williams, T., Edit. Electronic Trend publications, USA
-Fuzzy sets, uncertainty, and information
Klir, J., George and Folger, Tina A., Edit Prentice Hall State University of New York,
Binghamton., USA.
-Fuzzy Logic education program 2.0
Center for Emerging Technologies Motorola, Inc., USA.
48
2.10.1.18. Procesamiento Digital de Bioseales (60 hrs)
Objetivo
Se pretende que al finalizar este curso el alumno tenga las herramientas suficientes para
aplicar los conceptos del procesamiento digital de seales al tratamiento de las bioseales.
Asimismo, el alumno deber ser capaz de seleccionar adecuadamente entre un procesamiento
lineal y uno no lineal tal que le permita obtener la informacin deseada a partir de una
bioseal.
Contenido
Adquisicin de bioseales. Condicionamiento digital de bioseales. Anlisis de series de

tiempo por modelo lineal. Procesamiento adaptativo de bioseales. Procesamiento no lineal
mediante redes neuronales artificiales (RNA). Procesamiento basado en la transformada de
Fourier. Anlisis de seales con la transformada Wavelet.
Bibliografa
-Digital Signal Processing. A computer-based approach
Sanjit K. Mitra, Edit. McGraw-Hill, New Delhi, 2 ed. 2001
-Neural networks and artificial intelligence for biomedical engineering
Donna L. Hudson and Maurice E. Cohen, Edit. IEEE Press series in biomedical engineering.
Metin Akay, editor. New York, 2000
-Nonlinear biomedical signal processing, volume II. Dynamic analysis and modelling. Metin
Akay, editor. New York. 2001
-A friendly guide to wavelets
Gerald Kaiser, Edit. Birkhuser, NJ, USA. 1994
49
2.10.2. Cursos de Comunicaciones
2.10.2.1. Probabilidad y Procesos Estocsticos (64 hrs)
Objetivo
Sentar las bases de la teora de la probabilidad y los procesos estocsticos para que el
estudiante pueda abordar distintos temas en las reas de las comunicaciones y el
procesamiento digital de seales. Introducir los conceptos de experimento aleatorio,
probabilidad, variables aleatorias, funciones de densidad, valores esperados y procesos
estocsticos. Fomentar la destreza en la manipulacin matemtica de eventos y seales
aleatorias desde un enfoque de probabilidad.
Contenido
1 Fundamentos de Probabilidad.
1.1 Eventos y Conjuntos.
1.2 Definiciones de Probabilidad.
1.3 Tcnicas de Conteo.
1.4 Combinatoria y Probabilidad.
2 La Probabilidad Axiomtica.
2.1 Definicin Axiomtica de Probabilidad.
2.2 Probabilidad Condicional.
2.3 El Teorema de Bayes y el Teorema de Probabilidad Total.
2.4 Eventos Independientes.
3 Eventos Mltiples.
3.1 Experimentos Combinados
3.2 Pruebas de Bernoulli.
3.3 Discusin y Teorema de Bernoulli.
4 Variables Aleatorias Discretas y Continuas.

4.1 El Concepto de Variable Aleatoria.
4.2 Funciones de Distribucin y Densidad.
4.3 Variables Aleatorias Especficas.
5 Funcin de Densidad de Probabilidad Condicional y Aproximaciones

Asintticas.
5.1 Funcin de Densidad de Probabilidad Condicional.
5.2 El Teorema de Bayes y el Teorema de Probabilidad Total.
5.3 Aproximaciones Asintticas a la Variable Aleatoria Binomial.
6 Funciones de una Variable Aleatoria.
50
6.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin.
6.2 Clculo a Partir de la Funcin de Densidad.
6.3 Ejemplos de Clculo.
6.4 Variables Aleatorias Discretas.
7 Valores Esperados.
7.1 La Media.
7.2 La Varianza.
7.3 Sobre la Media y la Varianza.
7.4 Valores Esperados Condicionales.
8 Dos Variables Aleatorias.

8.1 Funcin de Distribucin de Probabilidad Conjunta.
8.2 Funcin de Densidad de Probabilidad Conjunta.
8.3 Independencia de las Variables Aleatorias.
9 Una Funcin de dos Variables Aleatorias.

9.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin Conjunta.
10 Dos Funciones de dos Variables Aleatorias.

10.1 Clculo a Partir de la Funcin de Distribucin Conjunta.
10.2 Clculo a Partir de la Funcin de Densidad Conjunta.
10.4 Variables Auxiliares.
11 Funciones de Densidad Condicional y Valores Esperados.

11.1 Funciones de Densidad Condicional.
11.3 Media y Covarianza.
11.4 Valores Esperados Condicionales.
12 Momentos y Funcin Caracterstica.

12.1 Los Momentos y la Funcin Caracterstica.
12.2 Relacin entre la Funcin Caracterstica y los Momentos.
12.3 Momentos Conjuntos y Funciones Caractersticas Conjuntas.
12.4 Suma de Variables Aleatorias.
13 Procesos Estocsticos.
13.1 Estadsticas de Procesos Estocsticos.
13.2 Procesos Estocsticos estacionarios.
13.3 Espectro de Potencia.
13.4 Procesos Discretos en el Tiempo.
51
14 Procesos Estocsticos y Sistemas.
14.1 Sistemas con Entradas Estocsticas.
14.3 Espectro de Potencia y Sistemas Lineales.
14.2 Diferenciacin e Integracin.
14.4 Procesos Discretos en el Tiempo.
15 Procesos Estocsticos y Aplicaciones.

15.1 Cruces de Nivel de Procesos Gaussianos Estacionarios.
15.2 Puntos de Poisson y Ruido Impulsivo.
15.3 Procesos Cicloestacionarios.
15.4 Seales Determinsticas en Ruido.
Bibliografa
-A. Papoulis and S. U. Pillai, Probability, Random Variables and Stochastic Processes,
4th edition, McGraw-Hill, 2002.
-H. Stark and J. W. Woods, Probability and Random Processes with Applications to
Signal Processing , 3rd edition , Prentice Hall, 2001.
-W.B. Davenport, Jr. and W.L. Root, An Introduction to the Theory of Random Signals
and Noise, McGraw Hill, 1987.
-K. S. Shanmugan and A. M. Breipohl, Random Signals: Detection, Estimation and -
Analysis, John Wiles and Sons, 1988.
-W. Feller, An Introduction to Probability Theory and Its Applications, Volume 1, 3rd
ed., John Wiley and Sons, Inc., New York, 1968.
-W. Feller, An Introduction to Probability Theory and Its Applications, Volume 2, 2nd
ed., John Wiley and Sons, Inc., New York, 1971.
52
2.10.2.2. Electrnica para Sistemas de Comunicaciones (64 hrs)
Objetivo
El objetivo del curso son capacitar a los estudiantes de maestra en resolver una serie de
tareas que se presentan al disear y construir bloques de los sistemas de
comunicaciones, as cuando se operan sistemas de radiocomunicacin las cuales estn
principalmente relacionadas con los siguientes problemas:
a) La gran mayora de los sistemas modernos de comunicaciones operan en la regin de

las altas frecuencias: Cuando las frecuencias de operacin son altas, en los elementos y
circuitos que constituyen a los sistemas de comunicaciones se manifiestan una serie de
efectos parsitos (que alejan el comportamiento descrito por sus modelos de primer
orden) que normalmente se desprecian a bajas frecuencias.
b) Generalmente en la parte receptora de los sistemas de comunicaciones se reciben

seales de amplitud pequea y los ruidos, tanto los inherentes a los elementos como los
externos (los cuales son despreciables cuando las seales tienen amplitud grande)
degradan la calidad de la recepcin de la seal.
c) Cuando los sistemas de comunicaciones reciben seales tiles (una o varias

simultneamente), o cuando la seal til se recibe en presencia de interferencias,
aparece todo un conjunto de efectos indeseables que degradan o hacen imposible la
recepcin de la seal, a causa de la interaccin no lineal entre los diferentes
componentes de la seal o entre la seal y las oscilaciones interferentes. Los efectos de
estas interacciones son insignificantes cuando se considera a las amplitudes de las
seales y oscilaciones interferentes pequeas.
d) Cuando se disean y construyen sistemas de comunicaciones, un mal

desacoplamiento del subsistema de tierras, o del subsistema de alimentacin degrada
significativamente el funcionamiento del sistema o de los bloques que lo constituyen.
e) En los circuitos analgicos de radiofrecuencia o circuitos digitales rpidos, un mal

acoplamiento de impedancias induce reflexiones que degradan severamente el
funcionamiento de los circuitos o incluso se puede llegar a su destruccin.
f) La operacin simultnea de sistemas de radiocomunicacin y de equipo que emplea

para su funcionamiento energa elctrica, generan un ambiente electromagntico
complejo y cambiante, que puede interferir a los sistemas de comunicaciones y a equipo
electrnico. Este problema se vuelve ms crtico conforme crece el nmero de sistemas
de radiocomunicacin tanto fijo como mvil, tambin conforme se incrementa la
velocidad del reloj de los sistemas digitales y la escala de integracin se hace mayor.
Para alcanzar el objetivo planteado, el curso tiene el siguiente contenido:
Contenido
53
I. MODELOS DE ELEMENTOS FISICOS E INTERACCIONES DE LOS SISTEMAS
DE COMUNICACIONES
1.1 Limitaciones de los modelos de elementos fsicos.
1.2 Elementos semiconductores en circuitos de alta frecuencia para sistemas de
comunicaciones.
1.3 Interaccin entre los sistemas de comunicaciones.
II. INTRODUCCION A LA COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA

2.1 Qu es la compatibilidad electromagntica y su importancia en los sistemas de
comunicaciones.
2.2 Fuentes de oscilaciones interferentes, y emisiones espurias como manifestacin
de fenmenos de segundo orden.
2.3 Susceptibilidad a oscilaciones interferentes en radiorreceptores como
manifestacin de efectos de segundo orden de los componentes y circuitos que los
constituyen.
2.4 Anlisis funcional de un enlace de radiocomunicacin, con nfasis en
fenmenos de segundo orden de los bloques que los constituyen.
III. CARACTERISTICAS DE LOS ELEMENTOS PASIVOS EN RADIOFRECUENCIA

3.1 Conductores: Efecto superficial y autoinductancia.
3.2 Resistores.
3.3 Condensadores.
3.4 Microcintas.
3.5 Inductores y transformadores.
3.6 Transformadores y acopladores direccionales.
3.7 Lneas de transmisin: Elementos de parmetros distribuidos.
IV. DESACOPLAMIENTO DE FUENTES DE ALIMENTACION

4.1 Problemtica general.
4.2 Acoplamiento de ruido a travs de una impedancia comn.
4.3 Clasificacin de las tierras de seal.
4.4 Desacoplamiento de las fuentes de alimentacin.
4.5 Filtros de desacoplamiento.
4.6 Desacoplamiento de amplificadores.
4.7 Caractersticas particulares del desacoplamiento del sistemas de alimentacin
para circuitos digitales.
V. MODELAMIENTO DE ELEMENTOS ACTIVOS PARA EL DISEO ASISTIDO

POR COMPUTADORA DE CIRCUITOS ELECTRONICOS
5.1 Modelamiento de transistores bipolares.
5.2 Tcnica de medicin de los parmetros de modelo de ebers-Moll.
5.3 Transistores de efecto de campo.
5.4 Fets de arseniuro de galio.
5.5 Amplificadores paramtricos.
5.6 Elementos activos de dos terminales para amplificar generar seales de
54
microondas.
VI. ELEMENTOS DE DISEO DE CIRCUITOS DE ALTA FRECUENCIA

6.1 Acoplamiento de impedancias.
6.2 Acoplamiento de resistencias reales.
6.3 Acoplamiento de impedancias complejas.
6.4 Diagramas de SMITH.
6.4.1 Construccin de diagramas de Smith.
6.5 Ejemplos del empleo del diagrama de Smith.
6.5.2 Graficacin de impedancias.
6.5.3 Manipulacin de impedancias en el diagrama de Smith
6.5.4 Conversin de impedancias a admitancias.
6.5.5 Diseo de redes de acoplamiento de impedancias con ayuda del diagrama
de Smith.
6.5.6 Diseo de redes de acoplamiento tipo L con la ayuda del diagrama de
Smith.
6.6 Parmetros Y y parmetros S.
6.6.1 Parmetros distribuidos de redes de N puertos.
6.6.2 Ejemplo del empleo de estas ecuaciones: Matriz de parmetros de
dispersin de corriente.
6.6.3 Limitaciones de los parmetros Y, h, z, g.
6.6.4 Parmetros de redes de dos puertos.
VII. RUIDO EN AMPLIFICADORES Y RADIORRECEPTORES

7.1 Introduccin
7.1.1 Definicin del ruido.
7.2 Ruido en elementos electrnicos.
7.3 Ancho de banda de ruido.
7.4 Circuitos equivalentes del ruido trmico de elementos concentrados.
7.4.1 Adicin de fuentes de ruido.
7.5 Ruido de exceso.
7.6 Ruido de disparo.
7.7 Circuitos equivalentes de redes de dos puertos con ruido y de parmetros
concentrados.
7.7.1 Obtencin de los parmetros del modelo de una red ruidosa.
7.8 Figura de ruido y temperatura de ruido.
7.9 Resistencia optima de la fuente.
7.10 Ruido de redes conectadas en cascada.
7.11 Ruido en transistores bipolares.
7.11.1 Ruido equivalente de los transistores bipolares.
7.11.2 Figura de ruido ptima de los transistores bipolares.
7.12 Ruido en transistores de efecto de campo.
7.13 Ruido en amplificadores operacionales.
7.14 Otros tipos de ruido.
VIII. DISTORSIONES NO LINEALES EN SISTEMAS CUASILINEALES E
55
INTRODUCCION A LOS RADIORRECEPTORES
8.1 Introduccin
8.2 Distorsiones e interferencias en los radiorreceptores de comunicaciones.
8.3 Representacin en serie de potencias de las distorsiones no lineales en
sistemas
con no linealidades pequeas.
8.4 Generacin de armnicas.
8.5 Compresin de ganancia.
8.6 Bloqueamiento.
8.7 Intermodulacin.
8.8 Modulacin cruzada.
8.9 Generacin AM-PM en sistemas con linealidades pequeas.
8.10 Series de volterra.
8.11 Mtodo estructural de anlisis para circuitos y sistemas no lineales.
8.12 Balance armnico modificado.
8.13 Mtodos de compensacin de las no linealidades en amplificadores.
8.13.1 Retroalimentacin negativa.
8.13.2 Anlisis del amplificador con retroalimentacin negativa no lineal.
8.13.3 Carga no lineal.
8.13.4 Amplificadores con transmisin de error hacia adelante.
IX. ELEMENTOS AVANZADOS DE LA ELECTRONICA PARA SISTEMAS DE

RADIOCOMUNICACION MOVIL Y DIGITAL
Bibliografa
-Electrnica para Sistemas de Comunicacin y Medicin. Dr. Hildeberto Jardn
Aguilar CINVESTAV-IPN, Reporte interno serie verde, octubre de 1989.
-Compatibilidad Electromagntica de los Sistemas de Radiocomunicacin: Alfa
Omega.
-Amplificador de Alta Linealidad (reporte tcnico)
-Radiorreceptores para sistemas de radiocomunicacin.
REFERENCIA
Microwaves.
RF and Microwaves.
IEEE Microwaves.
RF and Microwave Linear and Nonlinear Circuits Rhode.
Communications Receiver W. Rhode.
Libros sobre Compatibilidad Electromagntica.
Libros sobre Electrnica de RF y Microondas.
56
2.10.2.3. Telefona (64 hrs)
Objetivos
Que el estudiante domine los principios fundamentales de diseo de las redes telefnicas.
Que el estudiante sea capaz de entender, analizar y disear los elementos fundamentales de
las centrales telefnicas.
Contenido
I. Estructura de la Red Telefnica

1.1 Introduccin
1.2 Organizaciones de normalizacin
1.3 Estructura de la red telefnica
1.4 Plan de numeracin
1.4.1 Plan de numeracin mundial
1.4.2 Plan de numeracin nacional
1.5 Enrutamiento
1.5.1 Enrutamiento jerrquico
1.5.2 Enrutamiento dinmico
1.5.3 Plan de conmutacin nacional
1.5.4 Enrutamiento internacional
II. Digitalizacin
2.1 Ventajas de la digitalizacin
2.2 Desventajas de la digitalizacin
2.3 Muestreo
2.4 Modulacin por pulsos codificados
2.5 Otros esquemas de digitalizacin de la voz
III. Arquitectura de Centrales Digitales

3.1 Introduccin
3.2 Funciones de una central
3.3 Elementos de una central digital
3.3.1 Terminal digital
3.3.2 Terminal digital de alta velocidad.
3.3.3 Multiplexores y translacin
3.3.4 Terminal analgica
3.3.5 Elementos de control
3.3.6 Recursos generales
3.3.7 Dispositivos de E/S
3.4 Conmutacin
3.4.1 Conmutacin espacial
3.4.2 Conmutacin temporal
57
3.4.3 Conmutacin espacial-temporal
3.4.4 Elementos de clculo de congestin
3.5 Ejemplos de arquitectura de centrales telefnicas
IV. Control de Centrales Telefnicas

4.1 Descripcin del problema
4.2 Arquitecturas de control
4.3 Uso de diagramas de estado
4.4 Explicacin de LED
4.5 Programas de control secuencial
4.6 Programacin concurrente
V. 5.1 Arquitectura de protocolos TCP/IP

5.2 Arquitectura de protocolos OSI
5.3 IP
5.4 TCP
5.5 H. 323
5.6 Arquitectura de sistemas de conmutacin VoIP
5.7 Ejemplos de sistemas
VI. Transmisin
6.1 Introduccin
6.2 Principios de transmisin
6.3 El medio de transmisin
6.4 Multiplexaje digital plesicrono
6.5 Multiplexaje digital sncrono
6.6 Sistemas de transmisin por fibra ptica
6.7 Plan de transmisin
VII. Sealizacin
7.1 Introduccin
7.2 Sealizacin por canal asociado
7.3 Sealizacin por canal comn
VIII. Sincronizacin
8.1 Introduccin
8.2 Fluctuacin de fase
8.3 Fluctuacin de frecuencia
8.4 Sincronizacin de la red telefnica
8.5 Plan de sincronizacin
IX . Otros Sistemas
9.1 Conmutadores privados
9.2 Telefona celular
Bibliografa
58
-John Bellamy. Digital Telephony. John Wiley & Sons, 2000.
-John C. McDonald. Fundamentals of Digital Switching. Plenum Press, 1990.
Roger L. Freeman. Telecommunication Systems Engineering. John Wiley & Sons, 1989.
-J. E. Flood and P. Cochrane: Transmission Systems. Peter Peregrinus L t d.
-Giuseppe Fanlauzzi: Digital Switching Control Architectures. Artech House, 1990.
-Gary C. Kessler. ISDN, Concepts, Facilities, and Services. McGraw-Hill, 1993.
-W. C. Y. Lee: Mobile Cellular Telecommunications Systems. McGraw-Hill Company,
1999.
-P. K. Bhatnagar: Engineering Networks for Synchronization, CCS7, and ISDN. IEEE
Press. 1997.
-David J. Wright. Voice Over Packet Networks. John Wiley and Sons, 2001.
-Stefano Bregni. Sincronization of Digital Telecommunications Networks, John Wiley ans
Sons, LTD, 2002.
-Byeong Gi Lee, Woojune Kim. Integrated Broadband Networks, Artech House, 2002.
-Sulkin, Alan PBX Systems for IP Telephony, Mc GRaw Hill, 2002.
Stallings, William, Wireless Communication and Networking, Prentice Hall, 2002.
59
2.10.2.4. Fundamentos de Sistemas de Comunicacin (64 hrs)
Objetivo
El objetivo de este curso es que el estudiante adquiera los conceptos fundamentales de los
sistemas de comunicaciones. Para lograr lo anterior, se inicia con un simple diagrama a
bloques de estos sistemas, de donde se desprenden todo un conjunto de tpicos asociados
como los medios de transmisin, las limitaciones del ruido, ancho de banda e interferencias,
la problemtica de la propagacin de las ondas de radio en diferentes frecuencias y
ambientes, el acondicionamiento de las seales al canal de comunicacin por medio de las
tcnicas de modulacin digital y los esquemas de diversidad como un mecanismo para
combatir algunos de los efectos que introduce el canal de radio. Posteriormente se abordan
las consideraciones a tomar en cuenta para la planeacin de un sistema de
radiocomunicaciones y las diferentes posibilidades de acceso mltiple y multiplexaje
empleadas para hacer un uso ms eficiente del medio de transmisin. Finalmente el curso
concluye con las tcnicas de control de potencia usadas en diferentes sistemas de
comunicacin.
Contenido
1. Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones

1.1 Definicin de un sistema de comunicaciones
1.2 Clasificacin de los sistemas de comunicaciones
1.3 Aplicaciones
1.4 Diagrama a bloques de un sistema de comunicaciones
1.5 Bloques del transmisor
1.6 Bloques del receptor
1.7 Definicin de canales de comunicacin
2. Medios de Comunicacin
2.1 Introduccin
2.2 El espectro electromagntico
2.3 Constantes primarias y secundarias de los cables elctricos
2.4 Caractersticas de transmisin del par torcido
2.5 Caractersticas de transmisin del cable coaxial
2.6 Caractersticas de transmisin de las fibras pticas
2.7 Caractersticas de transmisin de la atmsfera
2.8 Comparacin de los medios usados en los sistemas de comunicaciones
3. Problemas Generales de las Redes de Comunicaciones

3.1 Lmites fundamentales en los sistemas de comunicaciones
3.2 Ruido
3.3 Ancho de banda
3.4 Interferencia
3.5 Medidas de desempeo
3.6 Compromisos en los sistemas de comunicaciones
60
3.7 Sistema ideal de comunicaciones
4. Propagacin
4.1 Introduccin
4.2 Propagacin en el espacio libre
4.3 Propagacin sobre una superficie reflejante
4.4 El efecto de la atmsfera
4.5 Propagacin sobre terreno irregular
4.6 Propagacin en reas construidas
4.7 Caracterizacin del fenmeno multitrayectoria
5. Modulacin Digital
5.1 Introduccin
5.2 Clasificacin de los esquemas de modulacin
5.3 Modulacin por pulsos: PAM, PDM, PPM
5.4 Modulacin pasabanda
5.5 Espacio de seal y ruido
5.6 Deteccin
5.7 Tcnicas de modulacin BPSK, BFSK, QPSK, DQPSK, /2QPSK, MSK, OQPSK
5.8 Tcnicas de modulacin de alto nivel: M-PSK, M-QAM
5.9 Espectros
5.10 Eficiencia espectral
6. Tcnicas de Diversidad
6.1 Introduccin
6.2 Principio de reciprocidad
6.3 Macrodiversidad y microdiversidad
6.4 Diversidad en frecuencia
6.5 Diversidad en tiempo
6.6 Diversidad espacial
6.7 Combinadores
6.8 Coeficiente de correlacin
7. Consideraciones en la Planeacin de una Red de Radiocomunicacin

7.1 Trminos y objetivos de calidad
7.2 Necesidad de lnea de vista en sistemas de radiocomunicacin
7.3 Eleccin de la posicin ideal para las estaciones
7.4 Lnea de vista en sistemas punto a punto y punto (PP) a multipunto (PMP)
7.5 Incremento en el alcance del enlace y resolucin de obstculos en enlaces PP
7.6 Resolucin de problemas de cobertura y sombras en reas con enlaces PMP
7.7 ngulo de apertura de las antenas
7.8 Anlisis del enlace deseado (link budget)
7.9 Radio de cobertura en enlaces terrestres
8. Esquemas de Multiplexaje y Acceso Mltiple

8.1 Introduccin
61
8.2 Tcnicas de multiplexaje: FDM, TDM sncorno y TDM estadstico
8.3 Comparacin entre FDM y TDM
8.4 Clasificacin de las tcnicas de acceso mltiple
8.5 FDMA
8.6 TDMA
8.7 DS-CDMA
8.8 FH-CDMA
8.9 SDMA y antenas inteligentes
9. Control de Potencia
9.1 Introduccin
9.2 Control de potencia de lazo abierto
9.3 Control de potencia de lazo cerrado
9.4 Control de potencia en el enlace de bajada
9.5 Control de potencia en redes VSAT
Bibliografa
-Bell Telephone Laboratories, Transmission Systems for Communications, 1982.
-M. Schwartz, Information Transmission, Modulation and Noise, McGraw-Hill, 1990.
-B. Sklar, Digital Communications, Prentice Hall, 1988.
-W. Stallings, Data and Computer Communications, Macmillan, 1991.
-R. Steele, Mobile Radio Communications, Pentech Press & IEEE Press, 1992.
-J. D. Parsons, The Mobile Radio Propagation Channel, John Wiley & Sons, 1992.
-W. C. Jakes (Editor), Microwave Mobile Communications, IEEE Press, 1974.
-J. D. Parsons and J. G. Gardiner, Mobile Communications Systems, Halsted Press, 1989.
-S. Haykin, Digital Communications, John Wiley & Sons, 1988.
-J. G. Proakis, Digital Communications, McGraw-Hill, 1989.
-R. L. Freeman, Radio System Design for Telecommunications, John Wiley & Sons,
1997.
-R. Rom and M. Sidi, Multiple Access Protocols, Springer-Verlag, 1990.
-K. I. Kim (Editor), Handbook of CDMA System Design, Engineering and Optimization,
Prentice Hall PTR, 2000.
-G. Maral and M. Bousquet, Satellite Communications Systems, John Wiley & Sons,
2006.
62
2.10.2.5. Teoria Electromagntica (64 hrs)
Objetivos
Los objetivos fundamentales de este curso de. Teora Electromagntica, es la de
proporcionar a los estudiantes de la especialidad de comunicaciones, una slida
preparacin, en el significado fsico y matemtico, del campo electromagntico y, adems,
para que les sirva para otros cursos que pueden tener relacin con este tema.
Contenido
I. INTRODUCCION
II. LEYES DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO EN EL ESPACIO LIBRE

2.1 Postulados Bsicos y Definiciones.
2.2 Densidad de Carga y Densidad de corriente.
2.3 Cuarto Postulado: Las Ecuaciones del Campo Electromagntico en el
Espacio Libre. Ecuaciones de Maxwell, de Gauss y de Conservacin de Carga, en Forma
Integral.
2.3.1 El Significado fsico de las leyes integrales del campo
Electromangtico.
2.3.2 Ejemplos.
2.4 Resumen.
III. TEMAS DE ANALISIS VECTORIAL

3.1 El Gradiente, y las Derivadas Direccionales de Campos Escalares.
3.2 La Divergencia y el Teorema de Gauss.
3.3 El Rotacional y el Teorema de Stockes.
3.4 Resumen.
IV. LAS LEYES DIFERENCIALES DEL CAMPO ELECTROMAGNETICO

4.1 Las Leyes Diferenciales del Campo Electromagntico.
4.1.1 Las leyes o Ecuaciones de Maxwell.
4.1.2 El significado de las Leyes Diferenciales del Campo
Electromagntico.
4.2 Densidades Superficiales de Carga y de Corriente.
4.3 Condiciones de Frontera.
4.3.1 Discontinuidades en las Componentes Normales de los Campos
Elctrico y Magntico.
4.3.2 Discontinuidades en las Componentes Tangenciales de los Campos
Elctrico y Magntico.
4.3.3 El significado de las Condiciones de Frontera.
4.4 Ejemplos de Aplicacin de las Leyes del Campo Electromangtico, en su
Forma Diferencial.
4.5 El Campo Electromagntico en Conductores.
4.5.1 El modelo Macroscpico de Materia Conductora.
63
4.5.2 Las Leyes Diferenciales del Campo Electromagntico en
Conductores.
4.6 Resumen.
V. CAMPOS ESTATICOS
5.1 Las Leyes de los Campos Electrosttico y Magnetosttico.
5.2 Campos Electrostticos.
5.2.1 El campo de Coulomb de Cargas Estticas Conocidas en todas
partes.
5.2.2 Ejemplos de campos Electrostticos.
5.3 El Potencial Escalar.- Las Ecuaciones Diferenciales del Potencial Escalar.
5.3.1 Ecuaciones de Laplace y de Poisson.
5.3.2 La solucin particular de la Ecuacin de Poisson.
5.3.3 La Necesidad de una solucin Homognea.
5.4 Campos Magnetostticos.
5.4.1 El Potencial Magntico Vectorial.
5.4.2 El Campo Magnetosttico de Corrientes Conocidas Fijas.
5.5 El Potencial Magntico Escalar.
5.5.1 Corrientes dentro de V.- La Solucin Particular.
5.5.2 La Solucin Homognea y el Potencial Magntico Escalar.
5.5.3 Condiciones de Frontera.
5.6 Ejemplos de Campos Magnetrostticos.
5.7 Resumen.
VI. CAMPOS MACROSCOPICOS EN MATERIA

6.1 Campos Microscpicos y Macroscpicos en Materia.
6.2 El Modelo Macroscpico de Materia Polarizable.
6.2.1 Breve Descripcin de los Mecanismos de Polarizacin.
6.2.2 Densidad de Polarizacin.
6..2.3 Densidades de Carga y de Corriente de Polarizacin.
6.3 El Modelo Macroscpico de Materia Magnetizable
6.3.1 La Base Fsica del Magnetismo.
6.3.2 Breve Descripcin de los Mecanismos de Magnetizacin.
6.4 El Modelo de Corriente Amperiana
6.4.1 La Densidad de Corriente Amperiana.
6.5 El Modelo de Carga Magntica.
6.5.1 El Concepto de Carga Magntica.
6.5.2 Densidad de Carga Magntica.
6.6 Las Relaciones Constituyentes.
6.7 Resumen.
VII. ENERGIA Y POTENCIA ELECTROMAGNETICA

7.1 Fuerzas Electromanticas Ejercidas sobre Cargas Electricas en Movimiento.
7.2 Potencia Suministrada, por el Campo Electromagntico, a las cargas
Elctricas en Movimiento.
7.3 Conservacin de la Energa. Teorema de Poynting.
64
7.3.1 Forma Diferencial del Teorema de Poynting.
7.3.2 Forma Integral del Teorema de Poynting.
7.3.3 Algunas Dificultades en la Identificacin de la Densidad de Potencia
S y de la Densidad de Energa W.
7.4 La Energa Almacenada en los Campos Elctrico y Magnetismo.
7.5 Potencia Absorbida por Materia.
7.5.1 Densidades de Potencia de Polarizacin, de Magnetizacin y de
Conduccin.
7.5.2 Teorema de Poynting en Materia.
7.6 Flujo de Potencia, de Campos Estticos y Disipacin en Materia.
7.7 Ejemplos de Aplicacin.
7.8 Resumen y Conclusiones.
VIII. ONDAS ELECTROMAGNETICAS

8.1 Ondas Electromagnticas en Medios Homogneos.
8.1.1 Ecuaciones de Propagacin de las Ondas, en el Espacio Libre.
8.1.2 Propagacin de Ondas Planas Uniformes. Solucin General de
Ecuacin de Propagacin de las Ondas, para Ondas Planas.
8.1.3 Ondas Planas Uniformes.
8.1.4 Relacin entre los Campos E y H, en Ondas Planas
Uniformes.
8.1.5 Polarizacin.
8.2 La Ecuacin de Propagacin de las Ondas en Medios Conductores.
8.3 Conductores y Dielctrica.
8.4 Campos y Potencia en el Dominio de la Frecuencia.
8.4.1 Uso de vectores Complejos.
8.4.2 Polarizacin Elptica, Circular y Lineal.
8.4.3 El Teorema de Poynting en su Forma Compleja.
8.5 Velocidades de Fase, de Grupo y de Seal.
IX. RADIACION Y ANTENAS

9.1 Definiciones.
9.2 Leyes Bsicas del Campo Electromagntico y Potenciales
9.2.1 Potenciales Escalares y Vectoriales.
9.2.2 Ecuaciones Generales de Propagacin de Ondas.
9.2.3 Soluciones de las Ecuaciones Generales de Propagacin de las
Ondas. Uso de Potenciales Retardados.
9.3 Radiacin del Dipolo Elemental.
9.3.1 Campo de Fuentes Puntuales.
9.3.2 La solucin par el Dipolo Elctrico.
9.3.3 Propiedades del Campo del Dipolo.
9.3.3.1 Movimiento de Propagacin de Ondas.
9.3.3.2 Impedancias de Onda.
9.3.3.3 Vector de Poynting Complejo y Potencia Radiada.
65
9.3.3.4 Solucin para el Dipolo Magntico.
9.4 Antenas Fsicas
9.4.1 Naturaleza del Problema.
9.4.2 El dipolo Elctrico Fsico.
9.4.2.1 Detalles de Solucin.
9.4.2.2 Impedancias de Onda.
9.4.2.3 Caractersticas de Radiacin.
9.4.3 Antena Radiadora de Media Longitud de Onda.
9.4.3.1 Detalles de Solucin.
9.4.3.2 Caractersticas de Radiacin.
9.5 Arreglos.
9.5.1 Arreglos de Dipolos.
9.5.2 Factor de Fase o de Elementos, Factor de Arreglo.
9.5.3 Celosas, Factor de Elemento, Factor de Arreglo.
X. Bibliografa
-EXPERIMENTAL RESEARCH IN ELECTRICITY.
By M. Faraday 1855
-A TREATISE ON ELECTRICITY AND MAGNETISM VOLS. I & II.
By James Clerk Maxwell Third Edition 1981
ELECTROMAGNETIC THEORY VOLS. I, II & III.
-By Oliver Heaviside 1893
ELECTRIC WAVES.
-By H. R. Hertz 1900
THE MATHEMATICAL THEORY OF ELECTRICITY AND MAGNETISM.
-By Sir James Jeans Five Edition 1925
INTRODUCTORY ELECTRODYNAMICS FOR ENGINEERS.
-By E. Benett and H. M. Grothers 1926
THE ELECTROMAGNETIC FIELD.
-By Max Mason and Warren Weaver 1929
ELECTRICITY AND MAGNETISM.
-By M. Abraham and R. Becker 1930
PRINCIPLES OF ELECTRICITY.
-By L: Page and N.I. Adams 1931
TEXT BOOK OF PHYSICS, ELECTRICITY AND MAGNETISM.
-By J. H. Poynting and Sir J.J. Thomson 1932
THEORY OF ELECTRICITY AND MAGNETISM.
-By M.K:E.L. Plank 1932
STATIC AND DYNAMIC ELECTRICITY
-By W. R. Smithe 1939
ELECTRODYNAMICS
-By L. Page and N. Y. Adams 1940
INTRODUCTION TO ELECTRICITY AND OPTICS
-By N. H. Frank 1940
66
ELECTROMAGNETIC THEORY
-By J. A. Stratton 1941
FUNDAMENTALS OF ELECTRIC WAVES
-By H.H. Skilling 1942
ELECTROMAGNETIC WAVES
-By S. Schelkunoff 1943
HYPER AND ULTRA-HIGH FRECUENCY ENGINEERING
-By R. Y. Sarabacher and W. A. Edson 1943
ELECTROMAGNETIC ENGINEERING
By R. W. P. King 1945
ELECTROMAGNETISM
-By J. C. Slater and N. H. Franki 1947
ELECTRIC AND MAGNETIC FIELDS
-By S. S. Attwood Third Edition 1949
ELECTROMAGNETIC WAVES AND RADIATING SYSTEMS
-By E.C. Jordan 1959
ELECTROMAGNETICFIELDS
-By E. Weaver 1959
ELECTRODYNAMICS
-By A. Somerfeld 1952
SHORT WAVE RADIATION PHENOMENA - VOLS I & II
-By A. Hund 1953
ELECTROMAGNETIC WAVES
-By G. Toraldo Di Francia 1953
FIELDS AND WAVES IN MODER RADIO
-By S. Ramo & J. R. Whinnery 1953
ELECTROMAGNETICS
-By J. D. Kraus 1953
TOPICS IN ELECTROMAGNETIC THEORY
-By D. A. Watkins 1958
ELECTROMAGNETIC FIELDS ENERGY AND FORCES
-By R. B. Adler, L. J. Chu, R. M. Fano 1960
ELECTROMAGNETIC ENERGY TRANSMISSION AND RADIATION
-By R. B. Adler, L. J. Chu, R. M. Fano 1960
ELECTROMAGNETIC FIELDS
-By R. A. Wangsness 1979
-By Hayt 1979
ELECTROMAGNETIC FIELD, ENERGY AND WAVES
-By L. M. Magid 1981
INTRODUCTION TO ELECTROMAGNETIC FIELDS
-By C. R. Paul and S. A. Nasar 1982
THEORY OF ELECTROMAGNETIC WAVES:
COORDINATE-FREE APPROACH
-By H. C. Chen 1983
ELECTROMAGNETICS
67
-By J. D. Kraus Third Edition 1984
FUNDAMENTAL ELECTROMAGNETIC THEORY
-By reitz 1984
FUNDAMENTAL ELECTROMAGNETIC THEORY
AND APPLICATIONS
-By R.W.P. King and S. Prasad 1986
-By Jin Au Kong 1986
68
2.10.2.6. Teora de las Comunicaciones (64 hrs)
Objetivo
Ampliar y profundizar los conceptos de las comunicaciones, formar el sistema de los
conceptos tericos para los sistemas de comunicaciones.
Contenido
Capitulo 1 Sistemas de Transmisin
1.1 Introduccin
1.2 Conceptos Preeliminares
1.2.1 Informacin, mensajes y seales
1.2.2 Canal de comunicacin
1.3 Transformaciones de mensajes y seales
1.3.1 Codificacin y Modulacin
1.3.2 Demodulacin y Decodificacin
1.3.3 Digitalizacin y cuantizacin de mensajes analgicos
1.4 Interferencia y Distorsin
1.4.1 Caracterizacin de la interferencia
1.5 Caractersticas de los sistemas de comunicacin
1.6 Preguntas acerca del captulo I
Capitulo 2 Sistemas de Modulacin Digital
2.1 Introduccin
2.2 El concepto de modulacin Digital
2.2.1 Parmetros modificables en la portadora
2.2.2 El subbloque de mapeador
2.3 Tipos de modulacin Digital
2.3.1 Modulacin de amplitud
2.3.2 Modulacin angular: Fase
2.3.3 Modulacin angular de fase binaria
2.3.4 Modulacin angular de fase M-aria
2.3.5 Modulacin angular de frecuencia binaria
2.3.6 Modulacin angular de frecuencia M-aria
2.3.7 Modulacin mezclada de amplitud y fase
2.4 Tcnicas para eficientar los mtodos de modulacin
2.4.1 El filtro formador
2.4.2 Cambios de fase mnimos en modulaciones de amplitud
2.4.3 Cambios de fase mnimos en modulacin de frecuencia
2.4.4 Relacin entre los cambios de fase mnimos de las modulaciones de frecuencia y
amplitud
2.4.5 Conclusin del captulo
2.5 Modulacin por codificacin de pulsos (PCM)
2.5.1 Diferentes tipos de modulacin por pulsos
69
2.5.2 Distorsin
2.6 Preguntas acerca del captulo 2
Captulo 3 Caracterizacin de seales
3.1 Introduccin
3.2 Representacin estadstica
3.2.1 Conceptos de procesos estocsticos
3.2.2 Espectro de una seal
3.2.2.1 Procesos estocsticos
3.2.2.2 Densidad espectral de potencia
3.2.3 Teorema de Wiener-Khinchin
3.3 Representaciones complejas y pasa-banda
3.3.1 Transformada de Hilbert
3.3.2 Representaciones pasa-banda y pasa-bajas
3.3.3 Procesos Cuasiarmnicos
3.3.3.1 Distribuciones de la envolvente y la fase de procesos Gaussianos
Captulo 4 Espacio de seales
4.1 Introduccin
4.2 Espacio mtrico
4.3 Espacio lineal
4.3.1 Dimensin de un espacio vectorial
4.3.2 Espacio normado
4.3.3 Espacio Eucldeo
4.4 Expansin en series con polinomios ortogonales
4.5 Espacio de seales de energa finita
4.6 Teorema de Nyquist-Kotelnikov
Captulo 5 Canales de comunicacin
5.1 Introduccin
5.2 Transformacin de seales en canales analgicos
4.2.1 Seales aleatorias en canales determinsticos
5.3 Multitrayectoria y desvanecimientos
5.3.1 Correlacin y tasa de desvanecimientos
5.4 Modelos matemticos de canales continuos
5.4.1 Canales continuos
5.4.2 Canales discretos
5.5 Modelos estadsticos
Captulo 6 Transmisin de datos discretos en canales continuos
6.1 Introduccin
6.2 Criterios de recepcin
6.3 Algoritmos para deteccin coherente
70
6.4 Filtros acoplados. Implementaciones pasivas
6.4.1 Filtrado Cuasiptimo
6.5 Inmunidad al ruido de la deteccin coherente
6.6 Receptores no-coherentes
6.7 Inmunidad al ruido de la deteccin no-coherente
6.8 Canales con desvanecimiento
6.9 Diversidad en la recepcin
6.10 Receptores de seal ptimos en presencia de ruido no-Gaussiano
6.10.1 Ruido no-Gaussiano
6.10.2 Receptores lineales en presencia de ruido no-Gaussiano
6.10.3 Receptores localmente ptimos
Captulo 7 Principios de la teora de la informacin
7.1 Introduccin
7.2 Parmetros de informacin, de mensajes y de seales
7.2.1 Informacin mutua
7.2.2 Redundancia
7.3 Entropa diferencial
7.4 Capacidad de canal
7.5 Comentarios acerca de la frmula de Shannon
7.6 Teoremas de codificacin de Shannon
7.7 Aplicaciones de la teora de la informacin a los sistemas de transmisin
analgicos
Captulo 8 Multiplexaje de seales y canales
8.1 Introduccin
8.2 Teora del multiplexaje
8.2.1 Divisin de cdigo
8.3 Acceso mltiple por divisin de frecuencia (FDMA)
8.3.1 Multiplexaje por divisin de frecuencia ortogonal (OFDM)
8.4 Acceso mltiple por divisin de tiempo (TDMA)
8.5 Sistemas con acceso libre
8.6 Acceso mltiple por divisin de cdigo (CDMA)
8.6.1 Formas de la seal
8.6.2 Tipos de sistemas CDMA
8.6.3 Receptor RAKE
8.6.4 Propiedades antijamming
8.7 Sistemas de banda ultra ancha (UWB)
8.7.1 Definicin y propiedades de un sistema UWB
8.7.2 Seales y principios de los sistemas UWB
Captulo 9 Mtodos de codificacin
9.1 Introduccin
71
9.2 Codificacin de fuente
9.2.1 Ejemplo del cdigo Shannon-Fano
9.3 Cdigos correctores de errores (cdigos de bloque)
9.4 Cdigos con ponderacin constante
9.4.1 Cdigo Simplex
9.5 Cdigos lineales de bloques
9.6 Cdigos cclicos
9.6.1 Decodificacin de mayora para cdigos cclicos
9.7 Cdigos Concatenados
9.8 Un criterio para la comparacin de cdigos de bloques
9.9 Cdigos Convolucionales
9.9.1 Introduccin
9.9.2 Diagrama de trellis para cdigos convolucionales
9.9.3 Comentarios generales
9.10 Turbo cdigos
9.11 Sistemas de transmisin con retroalimentacin
9.11.1 Sistemas ARQ
9.12 Cdigos de lnea
Captulo 10 Construcciones seal-cdigo
10.1 Introduccin
10.2 Constelaciones de seales basadas en PSK DPSK
10.2.1 Seales QAM
10.3 Construcciones seal-cdigo
10.3.1 Controversia entre tasa de transmisin e inmunidad contra el ruido
10.3.2 Introduccin a la modulacin codificada
10.3.3 Ejemplo de una construccin seal-cdigo
10.4 Modulacin codificada por trellis (TCM)
10.4.1 Mapeo por particin de conjunto
10.4.2 Codificacin
Bibliografa
-J.G. Proanis Digital Communications, Yrd edition, MC Graw Hill, 2001
-V. Ya. Kontorovitch, F. Ramos Alarcn Apuntes de Teora de las Comunicaciones
CINVESTAV-IPN, 2000, No. 56 serie verde.
72
2.10.2.7. Redes de Computadoras y Protocolos de Comunicacin (64 hrs)
Objetivos
- Adquirir los fundamentos de las redes de computadoras y los protocolos
- de comunicacin.
- Asociar los fundamentos con los principales mtodos y tecnologas aplica dos en la
actualidad en la redes de computadoras y la Internet.
Contenido
Parte I: COMUNICACION DE DATOS
1-1 Transmisin de datos

Datos analgicos y datos digitales
Codificacin de datos analgicos en datos digitales
Seales digitales para la transmisin de datos
Razn de transmisin de bits y razn de sealizacin
1-2 Tcnicas de codificacin de seales
Modulacin digital
Codificacin de lnea
1-3 Tcnicas de comunicacin de datos
Transmisin asncrona y sncrona
Errores
Deteccin de errores
Correccin de errores
1-4 Control de enlace de datos
Requerimientos del control de enlace de datos
Sincrona de trama
Configuraciones de lnea
Direccionamiento
Control de flujo
Control de errores
Protocolo HDLC
1-5 Multiplexaje
Multiplexaje por divisin de frecuencia
Multiplexaje sncrono por divisin de tiempo
Multiplexaje estadstico
ADSL
Parte II: CLASIFICACION DE LAS REDES Y ARQUITECURA DE PROTOCOLOS
2-1 Redes de comunicacin de datos

Usos de las redes de computadoras
Caractersticas de los diferentes tipos de trfico
73
Modelos de servicio: sin conexin y orientado a conexin
Tcnicas de comunicacin en redes: conmutacin y broadcasting
Conmutacin de circuitos
Conmutacin de paquetes: circuitos virtuales y datagramas
Control del acceso al medio
LANs, MANs, WANs y PANs
2-2 Arquitectura de protocolos y modelos de referencia

La necesidad de una arquitectura de protocolos
Modelo OSI
Arquitecura de los protocolos TCP/IP
Parte III: REDES DE COMUNICACION
3-1 Enrutamiento en redes basadas en conmutacin de paquetes

Tcnicas de enrutamiento
Enrutamiento en Arpanet
Algoritmos de costo mnimo
3-2 Modo de transferencia asncrono

Antecedentes: X.25 y frame relay
Arquitectura de protocolos ATM
Conexiones lgicas en redes ATM
Celdas ATM
Transmisin de celdas ATM
Categoras de servicio en redes ATM
Capa de adaptacin ATM
3-3 Control de congestin

Efectos de la congestin
Control de la congestin
Manejo de trfico
Control de la congestin en redes basadas en conmutacin de paquetes
Control de la congestin en redes Frame Relay
Manejo de trfico en redes ATM
3-4 Redes de rea local (LANs)

Introduccin
Topologas y medios de transmisin
Arquitectura de los protocolos de una LAN: IEEE802
Puentes
Switches de capa 2 y capa 3
Redes Ethernet, Fast Ethernet y Gigabit Ethernet
3-5 Redes de rea local inalmbricas (WLANs)

Introduccin
74
Tecnologas para redes inalmbricas
WiFi: LANs inalmbricas IEEE 802.11
Parte IV: INTERCONEXION DE REDES Y CAPAS SUPERIORES
4-1 Interconexin de redes

Introduccin a la interconexin de redes
Operacin de los protocolos para interconexin de redes
Protocolo ARP
Protocolo Internet (IP)
Protocolo ICMP
IPv6
IP switching
MPLS
IP para mviles
Redes privadas: NAT, VPN
4-2 Mecanismos internos en una internet

Multicasting
Protocolos de enrutamiento en Internet
Servicios diferenciados
4-3 Protocolos de transporte

Protocolo UDP
Mecanismos de los protocolos de transporte orientados a conexin
Protocolo TCP
Control de la congestion en TCP
4-4 Aplicaciones en Internet
Correo electrnico: SMTP y MIME
Administracin de redes: SNMP
Servicio de directorio: DNS
Transferencia de archivos: FTP
Acceso a la Web: URLs, URIs y HTTP
Voz y video sobre IP: RTP, RSVP, QoS
Bibliografa
-William Stallings. Data and Computer Communications. Prentice Hall, eighth edition,
2007.
-Andrew S. Tanenbaum. Computer Networks. Prentice Hall, fourth edition, 2003.
-Douglas E. Comer. Internetworking with TCP/IP. Prentice Hall, fifth edition, 2006.
-James F. Kurose. Computer Networking: A Top-Down Approach. Addison-Wesley, fourth
edition, 2007.
75
2.10.2.8. Ingeniera de Teletrfico (64 hrs)
Objetivos
Comprender los conceptos y principios de la ingeniera de teletrfico y sus aplicaciones a
diferentes sistemas de comunicaciones. Por medio de modelos matemticos, entender la
relacin entre sistema, calidad de servicio y trfico ofrecido para ser utilizada como
herramienta de dimensionamiento, planeacin y/u optimizacin. Finalmente, revisar la
forma en que los anlisis matemticos pueden ser validados y empleados para la evaluacin
del desempeo.
Contenido
I. Introduccin
1.1 Motivacin a la teora de colas.
1.2 Caracterizacin de una estacin de servicio.
1.3 Naturaleza del trfico.
1.4 Igualdad de Little.
II. Tpicos de Probabilidad

2.1 Distribucin de probabilidad tiles en teletrfico.
2.2 Definicin de proceso estocstico.
2.3 Procesos de Poisson.
2.4 Funcin generatriz
III Procesos de Nacimiento y Muerte Unidimensional

3.1 Arribos aleatorios y cuasialeatorios.
3.2 Sistema con llamada perdida.
3.3 Sistema con cola de espera.
3.4 Simulacin de procesos de nacimiento y muerte.
IV. Procesos de nacimiento y muerte multidimensional

4.1 Algunos casos particulares.
4.2 Servicio en tndem.
4.3 Redes de colas de espera.
4.4 Mtodo de Wilkinson y trfico de desborde.
4.5 Tcnicas numricas.
4.6 Simulacin.
V. Redes de Conexin
5.1 Sistemas eslabn.
5.2 Graduaciones.
5.3 Redes sin bloqueo.
5.4 Mtodo de Jacoboeus.
5.5 Mtodo de Lee.
76
VI. Cademas de Markov Inmersas
6.1 Sistema M/G/s.
6.2 Sistema M/G/1/n.
6.3 Sistema GI/M/n.
VII Dimensionamiento y Planificacin de Redes

7.1 Retardo en redes de computadoras.
7.2 Asignacin de flujo.
7.3 Planificacin de redes pblicas telefnicas.
Bibliografa
Tema 1.- R.B. Cooper, Introduction to Queueing Theory,
Mac Millan, EE.UU., 1972. Captulo 1


K.M: Olsson, Simulation on Computers, English

Translation of the Swedish edition of TELE #4, Suecia, 1964

Tema 5.- R. Mina, Introduction to Teletraffic Engineering

Telephony, EE.UU., 1974
A. Elldin, Switch Calculations General Survey,

L.M. Ericsson, Suecia, 1969
A. Elldin and G. Lind, Elementary Tepephone Traffic Theory,

L.M. Ericsson, Suecia, 1971.
C. Clos, A Study of Non Blocking Switching Networks

Bell System Technical Journal, March 1953, pp. 406-424.
C.Y. Lee, Analysys of Switching Networks, Bell System

Technical Journal, November 1955, pp. 1287-1315.

Mac Millan, EE.UU., 1972. Captulo 5 y 6.
Tema 7.- A.S. Tanenbaum, Computer Networks, Prentice Hall,
77
EE.UU., 1981, Captulo 2.
C. Marazzi, Pronsticos y Planificacin en Telecomunicaciones,

Ingeniera Elctrica, CINVESTAV. Mxico, D.F., captulos 9 y 10.
G.J. jones, Tarifas del Servicio Telefnico,

Boletn de Telecomunicaciones, Vol. 50, V-1983
Y. Rapp, Algunos Puntos de Vista Econmicos para el Planeamiento de

Largo Plazo de la Red Telefnica, L.M. Ericsson, Suecia.
78
2.10.2.9. Comunicaciones Digitales (64 hrs)
Objetivo
El objetivo principal es el aprendizaje de los principios de la transmisin digital y la
implementacin de los distintos mtodos de la transmisin mediante el uso del procesamiento
digital de seales. Se propone proporcionar una base slida en los fundamentos de modulacin
digital, deteccin, codificacin de canal, igualacin y sincronizacin mediante planteamientos
generales y rigurosos, sin perder de vista la intuicin y la aplicabilidad prctica de los conceptos
abarcados. En este sentido se pretende capacitar tanto para el diseo bsico de receptores
ptimos como para la evaluacin de los sistemas de comunicaciones digitales en trminos de sus
factores de coste, tales como velocidad de transmisin, potencia, ancho de banda y tasa de
errores de bit.
Contenido
1 Codificacin de Fuente.
1.1 Conceptos y Medidas de Informacin.
1.2 Codificacin de Fuentes Discretas.
1.3 Codificacin de Fuentes Analgicas.
2 Codificacin de Canal
2.1 Cdigos de Bloque.
2.2 Cdigos convolucionales
2.3 Decodificacin de mximaverosimilitud
2.4 Cdigos concatenados y turbo cdigos-entrelazadores
2.5 Decodificacin suave de cdigos convolucionales
2.6 Decodificacin iterativa de turbo cdigos
3 Sincronizacin de Portadora y de Smbolo.

3.1 Estimacin de los Parmetros de la Seal.
3.2 Estimacin de la Fase de la Portadora.
3.3 Estimacin del Tiempo del Smbolo.
3.4 Estimacin Conjunta de la Fase de la Portadora y del Tiempo del Smbolo.
4 Transmisin en Canales Limitados en Ancho de Banda.

4.1 Interferencia entre Smbolos (IES).
4.2 Modulacin y Conformacin de Pulsos.
4.3 Ancho de Banda y Eficiencia espectral.
4.4 Receptor ptimo ML para canales con IES.
4.5 Igualadores Lineales.
4.6 Igualadores Realimentados.
4.7 Igualadores Lineales Adaptables.
5 Aspectos de Radio Frecuencia y Frecuencia Intermedia

en Sistemas Digitales de Comunicacin
79
5.1 El concepto Software Radio
5.2 Subsistemas de Radio Frecuencia
5.3 Distorsiones en la Etapa de Radio Frecuencia
5.4 Control Automtico de Ganancia
6 Otras Tcnicas de Transmisin Digital.

6.1 Sistemas Multiportadora OFDM.
6.2 Sistemas de Espectro disperso.
6.3 Sistemas Multiusuario CDMA.
6.4 Comunicacin en Canales con Desvanecimientos.
7 Sistemas de Comunicacin Tipo MIMO

7.1 Capacidad de canal en sistemas MIMO.
7.2 Diversidad contra Incremento de Tasa.
7.3 Codificacin Espacio-Tiempo.
Bibliografa
- J. G. Proakis. Digital Communications. 4th edition. McGraw-Hill International Editions. 2001.
- S. Benedetto and E. Biglieri, Principles of Digital Transmission with Wireless Applicatins,
Kluwer Academic, 1999.
- E. A. Lee, D. G. Messerschmitt. Digital communication. 2nd ed. Kluwer Academic, 1994
- S. Haykin. Digital Communications. John Wiley & Sons Inc. 1988.
- B. Sklar. Digital Communications. Fundamentals and Applications. Prentice Hall International
Editions. 1988.
- E. G. Larsson and Petre Stoica, Space-Time Block Coding for Wireless Communications,
Cambridge University Press, 2003.
80
2.10.2.10. Introduccin a los Sistemas de Comunicaciones Mviles (64 hrs)
Descripcin General
Curso introductorio a los sistemas de comunicaciones mviles y a la metodologa de
anlisis matemtico para la evaluacin de su desempeo.
Objetivos
Revisar la evolucin tecnolgica de los sistemas de comunicaciones mviles (estndares
1G-3G-4G). Estudiar los principios de operacin, diseo, anlisis y optimizacin de los
sistemas de comunicaciones mviles. Adems, estudiar el modelado y las metodologas
de anlisis matemtico y por simulacin para su evaluacin y dimensionamiento.
Finalmente, estudiar las diferentes estrategias y mecanismos de manejo de recursos para
mejorar su desempeo.
Contenido
Conceptos Bsicos
Propagacin en Radio Mvil
Elementos de control de los Sistemas Celulares
Esquemas de Acceso Mltiple para Comunicaciones Inalmbricas
Evolucin de los Sistemas Celulares (Estndares de 1G, 2G, 3G, 4G)
Elementos de Diseo de los Sistemas de Canales
Cobertura de las Celdas
Interferencia
Sectorizacin y Divisin de Celdas
Transferencia de Llamada y Control de Potencia
Modelado de Teletrfico
Simulacin de Sistemas Celulares
Dimensionamiento y Evaluacin de Capacidad de Sistemas con TDMA/FDMA
Dimensionamiento y Evaluacin de Capacidad de Sistemas CDMA
Esquemas de Manejo de Recursos
Sistemas Celulares Jerrquicos
Sistemas Microcelulares
Elementos de optimizacin de Sistemas Celulares
Evolucin de los sistemas celulares para transmisin de datos (CDPD, GPRS, EDGE,
1xRTT, 1xEV-DO, HSDPA, HSUPA, WiMax, Flash-OFMA and IEEE 802.20)
Tendencias
81
2.10.2.11. Ingeniera de Radiofrecuencia y Microondas (64 hrs.)
Objetivo
Preparar a estudiantes de maestra en los fundamentos, as como con las tcnicas de su
anlisis por computadora de los circuitos tanto pasivos como activos de RF y microondas
que se emplean en los modernos sistemas de radiocomunicacin.
Contenido
1. Introduccin a la ingeniera de RF y microondas: elementos de la teora de las

lneas de transmisin.
2. Lneas de transmisin y anlisis de circuitos de RF y microondas.
3. Acoplamiento de impedancias.
4. Resonadores, divisores de potencia y acopladores direccionales de RF y

microondas.
5. Filtros y elementos unidireccionales de RF y microondas.
6. Circuitos activos para radiorreceptores.
7. Circuitos activos para transmisores.
8. Osciladores y mezcladores de RF y microondas.
9. Introduccin a sistemas de microondas.
10. Introduccin al diseo de circuitos de RF y microondas por computadora.
Bibliografa
1) D. M. Pozar Microwave Engineering John Wiley and Sons.
2) D. M. Pozar Microwave and RF Wireless Systems John Wiley and Sons.
3) V. Rohde, D.P. Newkirk RF/Microwave Circuit Design for Wireless

Applications John Wiley and Sons.
Bibliografa Complementaria
1) R. S. Carlson Radio Communications Concepts: Analog John Wiley and Sons.
2) T. Itoh, G. Haddad, J. Harvey RF Technologies for low Power Wireles
82
Communications John Wiley and Sons.
3) C. A. Balanis Antena Theory: Analysis and Design John Wiley and Sons.
4) Manuales de operacin de paquetes de anlisis de circuitos de RF y microondas

por computadora.
5) Pettai Noise in Recerving Systems John Wiley and Sons.
6) K. Chang, Editor Encyclopedia de RF and Microwave Engineering John Wiley

and Sons.
83
2.10.2.12. Diseo de Receptores y Transmisores para Sistemas de
Radiocomunicacin (64 hrs)
Objetivo
Introducir a los estudiantes de la maestra en los requerimientos, diseo y tcnicas de
simulacin de bloques de RF para radiorreceptores y radiotransmisores de sistemas de
comunicacin, adems se presentan los requerimientos impuestos por los sistemas
modernos de comunicacin en los bloques de RF de receptores y transmisores.
Contenido
1. Introduccin a receptores y transmisores de los modernos sistemas de

radiocomunicacin.
2. Diseo de bloque de RF de receptores.
3. Criterios de diseo del bloqueo de RF de transmisores.
4. Eficiencia de amplificadores de potencia de RF para transmisores.
5. Tcnicas de incrementar la linealidad de amplificadores de RF para
radiorreceptores.
6. Tcnicas de linealizacin de amplificadores de RF para transmisores.
7. Tcnicas de simulacin por computadora de bloques de la etapa de RF de
receptores y transmisores.
8. Introduccin a enlaces de radiocomunicacin.
Bibliografa
1) Razavi RF Microelectronics, John Wiley and Sons.
2) Kevin Mcclaning, Tom Vito Radio Receiver Design Noble Publishing.
3) Ulrich L. Rohde, David P. Newkirk, RF and Microwave Circuit Desing for
Wireles Application.
4) G. Gonzalez Microwave Transistor Amplifier Analysis and Design, Prentice-
Hall.
5) Mihai Albulet RF Power Amplifiers, Noble Publishing.
6) U.L. Rohde, J.C: Whitakor, and T.T. Bucher Communication Receiver:
Principles and Design, McGraw-Hill.
7) J.C: Pedro, N. B. Carvalho Intermodulation Distrortion in Microwave and
Wireless Circuits, Artech House.
Bibliografa Complementaria
1) George D. Vendelin Design of Amplifiers and Oscillators by The S-Parameter
Method, John Wiley and Sons.
2) R. Petti Noise in Receiving Systems, John Wiley and Sons.
3) H. W. Ott.., Noise Reduction Techniques in Electronic Systems John Wiley and
Sons.
4) H. Jardn Aquilar, Fundamentos de los Sistemas Modernos de Comunicacin,
Alfa-Omega.
84
5) K. Chang Enciclopedia of RF and Microwave Engineering John Wiley and
Sons.
6) L. Laskar Modern Receiver Frond-Ends, John Wiley and Sons.
85
2.10.2.13. Dimensionamiento de Sistemas de Comunicacin Mvil (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al estudiante los fundamentos matemticos para el dimensionamiento de
Sistemas de Comunicacin Mvil.
Contenido
I. Introduccin y Repaso de Probabilidad.

II. Procesos de Poisson.
III. Procesos de renovacin.
IV. Cadenas de Markov finitas.
V. Cadenas de Markov con espacios de estados finitos contables.
VI. Procesos de Markov con espacios de estado contables.
VII. Dimensionamiento de Redes Celulares que transmiten por conmutacin de
circuitos.
VIII. Dimensionamiento de Redes celulares que transmiten por conmutacin de
paquetes.
Bibliografa
Gallager, Robert, Discrete Stochstic Propcesses, Kluwer Academi Publishers, 1996.
Cooper, Robert, Introduction to Queueing Theory, Ceep Press, 1990.
The Member of the Technical Staf, Bell Labs, Handbook of CDMA System Design,
Engineering and Optimization, Prentice Hall, 2000.
86
2.10.2.14. Redes de Comunicaciones Inalmbricas (64 hrs)
Objetivos
- Proporcionar al estudiante los fundamentos de diseo de las redes de comunicacin
inalmbrica.
- Estudiar las normas en las que se basan diversos sistemas inalmbricos en operacin
en la actualidad.
Contenido
I. Introduccin.
II. Redes de Comunicaciones.
III. Protocolos y TCP/IP.
IV. Vo/IP.
V. Propagacin.
VI. Esquemas de acceso.
VII. Sistemas Celulares.
VIII. Ip Mvil.
IX. Redes locales inalmbricas.
X. Lazo de abonado inalmbrico.
XI. WiMax.
Bibliografa
Stallings, William. Wireless Communications and Networking, Prentice Hall, 2002.
Sklar, B, Digital Communications,Prentice Hall, 2001.
Parsons, David,The Mobile Radio Propagatio Channel, John Wiley and Sons, 1992.
Kumar, Vineet, IP Telephony with H.323, John, Wiley and Sons,
87
2.10.3. Cursos de Electrnica del Estado Slido
2.10.3.1 Introduccin a la a la Fsica y Tecnologa de Semiconductores (64

hrs)
Objetivo
1) Dar al estudiante las herramientas fundamentales para la comprensin de los fenmenos
de funcionamiento y tecnologa de los semiconductores y prepararlo para la especialidad
en Electrnica del Estado Slido. 2) Revisar las propiedades fisicoqumicas de las
superficies e interfaces, y los mtodos y tcnicas de caracterizacin elctrica y ptica, con
el objetivo de desarrollar aplicaciones tecnolgicas aprovechando los comportamientos de
las superficies e interfaces.
Los temas que se abordaran en el curso se han seleccionado tomando como base algunos de
los temas que se introdujeron en los cursos de Tecnologa de Semiconductores I y Fsica de
Semiconductores. Se han seleccionado los temas evitando abordar tpicos excesivamente
especializados, buscando sentar las bases para desarrollar aplicaciones tecnolgicas de las
superficies y las interfaces. Las aplicaciones pueden ser tan variadas como el desarrollo de
sensores de gases o bien el de la formacin de pelculas antirreflejantes. Se examinan
algunos temas relacionados a tcnicas de caracterizacin, las cuales pueden implementarse
en nuestros laboratorios, o se vienen utilizando de manera regular como es el caso de la
elipsometra.
Contenido
1. Introduccin a la termodinmica
1.1. Gases
1.2. Primera Ley de la termodinmica
1.3. Segunda y tercera leyes de la termodinmica
2. Fundamentos de cristalografa
2.1. Definicin de un cristal
2.2. Estructuras cristalinas, redes de Bravais.
2.3. ndices de Miller,
2.4. Distancia y ngulo entre planos
3. Modelo de Kronig-Penney
3.1. E(k), zona reducida.
3.2. Dinmica de partculas cargadas: masa efectiva, cantidad de movimiento.
3.3. condiciones de difraccin en las fronteras de las zonas de Brillouin.
4. Teora de bandas en semiconductores. Banda prohibida, bandas de conduccin y
de valencia
4.1. Densidad de estados y ocupacin: Conductores, Dielctricos y Semiconductores.
4.2. Estadstica de Fermi-Dirac.
4.3. Estadstica de semiconductores homogneos no degenerados.
5. Huecos y Electrones.
88
5.1. Ley de accin de masas
5.2. Semiconductores intrnsecos: ni(Eg, m*e,h, T), Concentracin de portadores libres,
5.3. nivel de Fermi en funcin de Eg, m*, T.
6. Conduccin elctrica, movilidad y resistividad.
6.1. Tiempo de colisin.
6.2. Seccin eficaz de dispersin.
6.3. Conductividad elctrica.
6.4. Movilidad.
7. Impurificacin.
7.1. Impurezas hidrogenoides, estadstica de impurezas.
7.2. Clculo del nivel de Fermi:
7.3. Ionizacin parcial, total, mtodo de Shockley.
7.4. Variacin del nivel de Fermi en un Semiconductor con varios niveles en la banda
prohibida.
7.5. Dependencia con la temperatura.
7.6. Conductividad en semiconductores extrnsecos.
8. Generacin y recombinacin de portadores.
8.1. Ecuaciones de continuidad.
8.2. Mecanismos de recombinacin; teora de Schokley-Read.
8.3. Dependencia del tiempo de vida de los portadores de carga en funcin de la
temperatura
8.4. Ecuacin de transporte ambipolar y coeficiente de difusin ambipolar
9. Propiedades de materiales semiconductores.
9.1. Estructura cristalina
9.2. Efectos de orientacin
9.3. Defectos
9.3.1. Defectos intrnsecos
9.3.2. Defectos puntuales
9.3.3. Dislocaciones
9.3.4. Frontera de grano
9.3.5. Defectos extrnsecos
9.4. Impurezas en silicio
9.5. Impurezas en GaAs
10. Diagramas de fase
10.1. Diagramas unitarios
10.2. Diagramas binarios
10.3. Solubilidad slida
10.4. Diagramas ternarios
11. Obtencin de cristales.
11.1. Materiales de partida
11.1.1. Obtencin y purificacin de silicio
11.1.2. Sntesis de GaAs
11.2. Crecimiento a partir del fundido
11.2.1. Bridgman
11.2.2. Czochralski
11.3. Impurificacin en la mezcla
89
11.4. Procesamiento por zonas
12. Difusin de impurezas en semiconductores.
12.1. Naturaleza de la difusin
12.2. Difusin en un grandiente de concentracin (Primera ley de Fick)
12.2.1. Difusin en un campo elctrico
12.2.2. Interaccin del coeficiente de difusin con vacancias cargadas
12.2.3. Comportamiento de impurezas
12.2.4. Silicio
12.2.5. GaAs
12.3. Ecuacin de difusin (Segunda ley de Fick)
12.4. Sistemas de difusin
12.4.1. Sistemas para silicio
12.4.2. Problemas especficos para la difusin de silicio
12.5. Sistemas de difusin para GaAs
Bibliografa
Quantum Theory of Atoms, Molecules Solids, Nuclei and particles
R. B. Eisberg & R. Resnik
J. Wiley
Quantum Mecahnics
L. I. Shiff
Mc. Graw Hill
Principles of Modern Physics
R. B. Leighton
Mc. Graw Hill
Introduction to Solid State Physics
C. Kittel
John Wiley & Sons
Physics of Semiconductors
J. L. Moll
Mc. Graw Hill
Solid State and Semiconductor Physics
J. P. McKelvey
Harper & Row
Electronic Properties of Crystalline solids: an Introduction to Fundamentals
R. H. Bube
Acad. Press
Electron in Solids: an introductory survey
R. H. Bube
Acad. Press
Electrons and Crystals
T. L. Martin & W. F. Leonard
Cole Pub.
Physics and Technology of Semiconductor Devices
A. S. Grove
J. Wiley
90
Physics of Semiconductor Devices
S. M. Sze
J. Wiley
Fsica de los Semiconductores
K. V. Shalimova
Editorial Mir
S.K. Ghandi, "VLSI Fabrication techniques",
Wiley, 1983.
S.A. Campbell, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication,
Oxford University Press, 2001.
Sze, S.M., Semiconductor Devices - Physics and Technology,
Wiley, 1985
F. Daniels, R.A. Alberty, "Physical Chemistry" 3a. Edtion,
Wiley and Sons 1966
91
2.10.3.2. Dispositivos Semiconductores I
Objetivos
Este curso introducir al estudiante al conocimiento de las bases de funcionamiento de
los dispositivos semiconductores y de los modelos tericos que explican sus
comportamientos. Se analizan los fenmenos fsicos que constituyen la base del
funcionamiento, la configuracin de sus estructuras bsicas, y las limitaciones fsicas de
los dispositivos. Se har nfasis en los parmetros que caracterizan a los dispositivos y
en la dependencia de stos con las propiedades intrnsecas de los semiconductores, as
como el diseo (geometra, configuracin,...) del dispositivo. Se sealarn las
desviaciones ms comunes que ocurren en los dispositivos reales y las limitaciones de
los modelos existentes.
Contenido
TEMA 1: UNIN P-N (UPN)
1.1.- Estructura fsica de la UPN, unin abrupta y gradual.

1.2.- Establecimiento del equilibrio termodinmico en la unin.
1.3.- Modificacin de la energa potencial electrosttica de cada regin de la unin
1.4.- Anlisis electrosttico: Solucin de la ecuacin de Poisson, distribucin de carga
fija, campo elctrico, potencial y energa, potencial electrosttico.
1.5.- Diagrama de bandas de energa
1.6.- Capacidad de la UPN
1.7.- Efecto de la impurificacin de las diferentes regiones de la unin
1.8.- Concentracin de portadores libres en la zona de vaciamiento
1.9.- Flujo de portadores a travs de la unin en equilibrio y fuera de equilibrio
1.10.- Diagrama de bandas de la UPN en condiciones de polarizacin
1.11.- Transporte elctrico a travs de la UPN: Modelo de Shockley para el diodo de
regiones infinitas y de regiones finitas
1.12.- Presencia de centros de recombinacin-generacin
1.13.- Almacenamiento de carga: transitorios de voltaje en la UPN, fenmenos de
ruptura y alta inyeccin
1.14.- Circuito equivalente a pequea seal
1.15.- Efecto de la temperatura sobre cada aspecto caracterstico de la UPN.
TEMA 2: UNIN METAL SEMICONDUCTOR Y CONTACTO HMICO
2.1,- Estructura fsica

2.2.-.Efecto de la posicin relativa del nivel de Fermi en cada material y establecimiento
del equilibrio termodinmico de las estructuras.
2.3.- Anlisis electrosttico
2.4.- Anlisis de los mecanismos de transporte elctrico:
2.4.1- Emisin termoinica,
2.4.2- Emisin por campo, arrastre-difusin, recombinacin y efecto de carga imagen
92
sobre los mecanismos de transporte
2.5.- Transitorio de voltaje en la barrera Schottky
2.6.- Contacto hmico por acumulacin
2.7.- Contacto hmico por efecto tnel
TEMA 3: TRANSISTOR BIPOLAR
3.1.- Estructura fsica y diagrama de bandas

3.2.- Flujos de carga en equilibrio
3.3.- Polarizacin del transistor y efecto transistor
3.4.- Transporte elctrico: flujos de carga bajo polarizucioll
3.5.- Tiempo de transito en la base
3.6.- Modelo de Ebbers-Mol (E-M) y Modelo de Control de Carga
3.7.- Efecto Early
3.8.- Modelo a pequea seal
3.9.- Respuesta en frecuencia
TEMA 4: ESTRUCTURA MOS
4.1.- Estructura fsica y diagrama de bandas de energa

4.2.- Estructura MOS ideal
4.3.- Curvas C- V en las diferentes regiones de polarizacin
4.4.- Efecto de la frecuencia sobre curvas C- V
4.5.- Efectos de la funcin de trabajo del metal, cargas en el aislante y estados en la
interfase xido-semiconductor en las curvas C- V
4.6.- Efecto de la temperatura en la estructura MOS
TEMA 5: TRANSISTOR MOS

5.1.- Principio de funcionamiento del transistor MOS
5.2.- Ecuaciones fundamentales: ecuacin de Poisson, densidad de corriente de huecos y
electrones, etc.
5.3.- Modelos de bandas en la interfase xido-silicio con diferentes potenciales de VGS.
Equilibrio y no equilibrio VDS =0.
5.4.- Corriente de drenador
5.5.- Relacin corriente-tensin
5.6.- Densidad de carga
5.7.- Empobrecimiento
5.8.- Dbil inversin
5.9.- Fuente de inversin
5.10.- Acumulacin
5.11.- Tensin de umbral en fuerte inversin
5.12.- Modelo con movilidad constante
5.13.- Expresin de corriente
5.14.- Parmetros dinmicos
5.15.- Modelo con movilidad variable
5.16.- Ley de velocidad
93
5.17.- Campo elctrico. Longitudinal y transversal Transistor MOS en dbil inversin
5.18.- Modelo aproximado
5.19.- Modelo completo
5.20.- Transistor MOS fuera de saturacin
5.21.- Modelo simple
5.22.-Modelo con campo elctrico longitudinal
5.23.-Transistor MOS en saturacin
5.24.-Zona de oclusin en el canal
5.25.-Clculo de ID, VDSS, VDS, Y RD Respuesta en C.A
5.26.-Circuitos equivalentes a pequea seal
5.27.-Frecuencia de corte
Bibliografa
-Physics of Semiconductor Devices (2nd. Edition). S.M. Sze. John Wiley & Sons.
-Semiconductor Devices and Integral Electronics A.G. Milnes.
-Solid State and Semiconductor Physics J.P. McKelvey Harper& Row (1966)
Principles of Semiconductor Devices Operation. A.K. Johnscher. John Wiley & Sons.
-Physics and Technology of Semi conductor Devices A.S. Grove. John Wiley & Sons.
-MOS Physics and Technology E.H. Nicollian & J.R. Brews. John Wiley & Sons
(1982).
-Device Electronics for Integrated Circuits. Richard S. Muller.
94
2.10.3.3. Fsica de Semiconductores
Objetivo
El objetivo del curso es proporcionar al alumno los elementos tericos necesarios para
entender las propiedades estructurales, elsticas y elctricas de los semiconductores,
tanto en equilibrio como fuera de l.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN A LA TECNOLOGA PLANAR

1.1 Concepto de tecnologa Planar
1.2 Concepto de tecnologa limpia
TEMA 2 CARACTERSTICAS DEL OXIDO DE SILICIO TRMICO

2.1 Aplicaciones y mtodos de obtencin del xido de silicio trmico
2.2 Cintica de crecimiento. Estructura y caractersticas de la interfaz SiO2-Si: estados
superficiales, carga fija y mvil; origen naturaleza fsica y formas de disminuirlos;
TTAT y TTBT
2.3 Mtodos de obtencin del SiO2 trmico (tubo abierto, alta presin y RTP),
principales aplicaciones
TEMA 3 MEDICIN Y CONTROL DE PARMETROS TECNOLGICOS DE

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
3.1 Curvas C-V: fundamento terico y aplicaciones fundamentales
3.2 Aplicacin de las curvas C-V de alta frecuencia a la determinacin de las
propiedades de la interfase SiO2- Si; determinacin de la magnitud de la carga mvil;
determinacin de la concentracin de impurezas en el semiconductor
3.3 Medicin de resistividad por 4 puntas
3.4 Otras tcnicas de caracterizacin y control
TEMA 4 MTODOS DE DEPOSICIN Y APLICACIONES

FUNDAMENTALES DE CAPAS DIELCTRICAS METLICAS Y
SEMICONDUCTORAS
4.1 Capas dielctricas utilizadas en la tecnologa Planar; capas de xido de silicio; capas
de vidrio fosfosilicato; capas de vidrio borofosfosilicato; capas de nitruro de silicio;
capas de polisilicio y silicio amorfo; caractersticas y aplicaciones
4.2 Deposicin qumica a partir de la fase de vapor (CVD) y sus variantes: ( APCVD,
LPCVD, PECVD, RTCVD, MOCVD)
4.2.1 Deposicin de SiO2 por CVD a presin atmosfrica y a baja presin
4.2.2 Deposicin de capas de vidrio fosfosilicato
4.2.3 Deposicin de capas de vidrio borofosfosilicato
4.2.4 Deposicin de capas de nitruro de silicio
4.2.5 Deposicin de capas de polisilicio y silicio amorfo
4.3 Caractersticas del equipamiento utilizado en la deposicin qumica a partir de la
fase de vapor
95
4.4 Caractersticas del equipamiento utilizado en la deposicin de capas por
pulverizacin catdica
4.4.1 Deposicin de nitruro de silicio, polisilicio y silicio amorfo por pulverizacin
catdica
4.5 Tcnicas de deposicin de metales
4.5.1 Deposicin de metales para contactos y metales refractarios
4.5.2 Deposicin de siliciuros y sus caractersticas y aplicaciones; problemas de los
contactos ohmicos
TEMA 5 ATAQUE EN SECO DE CAPAS DIELCTRICAS,

SEMICONDUCTORAS Y METLICAS
5.1 Mtodos fundamentales de ataque en seco y principios fsicos en los que se basan;
descarga elctrica automantenida; fenmeno fsicos asociados a la introduccin de un
electrodo en una descarga gaseosa
5.2 Equipos ms utilizados en los procesos de ataque con ayuda de plasma; equipos de
tipo barril y de placas paralelas
5.3 Equipos ms utilizados en los procesos de ataque por erosin catdica reactiva
(RIE)
5.4 Ataques isotrpicos, principales caractersticas y aplicaciones; selectividad y control
de dimensiones
5.5 Aplicaciones fundamentales del ataque en seco
TEMA 6 PROCESOS FOTOLITOGRFICOS EN LA MICROELECTRNICA

6.1 Introduccin, concepto de mscaras, fotorresinas, preparacin de mscaras
6.2 Tipos de fotolitografa ptica; situacin actual y tendencias
6.3 Fotolitografa con haz de electrones, equipos, fotorresina electrnica, la dispersin y
el efecto de proximidad, aplicaciones
6.4 Fotolitografa de rayos X, caractersticas generales; fotorresina para rayos X;
mscaras; fuentes
TEMA 7 ASPECTOS RELACIONADOS CON LA SOLDADURA DE DADO, DE

HILO Y ENCAPSULADO DE DISPOSITIVOS
TEMA 8 EL PROCESAMIENTO TRMICO RPIDO (RTP),

CARACTERSTICAS FUNDAMENTALES
TEMA 9 EJEMPLO DE SECUENCIAS TECNOLGICAS, INTERACCIN

ENTRE LOS DIFERENTES PROCESOS QUE CONFORMAN LA SECUENCIA
9.1 Secuencia para realizar un transistor bipolar y un C.I. bipolar en base al silicio
9.2 Secuencia para realizar un transistor MESFET de AsGa
9.3 Secuencia para realizar un C.I. CMOS.
Las prcticas se realizarn en 8 sesiones.
Bibliografa
-M. Estrada, A. Cerdeira, R. Martnez, Circuitos Integrados: Fundamentos
Tecnolgicos, Editorial Pueblo y Educacin 1987
96
-Sze. S.M., Semiconductor Device Technology, 1985
-Grove, A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, 1967
-Burger and Donovan, Fundamentals of Silicon Integrated Device Technology, Pertice-
Hall International Inc. London, 1967.
97
2.10.3.4. Tecnologa de Semiconductores
Objetivos
Introducir al estudiante al estado del arte de la tecnologa del silicio, aplicaciones
fundamentales de los procesos tecnolgicos bsicos ya estudiados y complementacin
de los conocimientos sobre tcnicas de depsito y ataque en seco de capas dielctricas y
semiconductoras, as como procesos fotolitogrficos y algunos aspectos sobre
caracterizacin y control de parmetros tecnolgicos. Introducir al estudiante en
procesos de fabricacin de dispositivos orgnicos.
Como resultados el estudiante deber saber:

1) Los procesos tecnolgicos que se requieren para fabricar dispositivos discretos y
circuitos integrados en base a silicio y materiales orgnicos:
2) Algunas tcnicas de evaluacin de los mismos como resistividad por 4 puntas y
curvas C-V.
3) Deber saber calcular un proceso de oxidacin y caracterizarlo una vez obtenido.
4) Deber conocer los pasos fundamentales de una secuencia tecnolgica para realizar
un circuito integrado CMOS.
METODOLOGIA
El curso se impartir mediante conferencias, ejercicios prcticos y sesiones en las que
los alumnos se le asignarn temas para presentar y discutir.
MODO DE EVALUACION: La evaluacin consistir en preguntas orales o tareas

asignadas durante el semestre, y un examen final escrito.
TEMA 1
1.-Introduccin a la Tecnologa Planar; concepto de Tecnologa Limpia.
TEMA 2
2.-Caractersticas, aplicaciones y mtodos de obtencin del xido de silicio trmico.
2.1. Cintica de crecimiento, estructura y caractersticas de la interfaz SiO2-Si;
estados superficiales, carga fija y mvil. Origen y naturaleza fsica y formas de
disminuirlos mediante TTAT y TTBT.
2.2. Mtodos de obtencin del SiO2 trmico principales aplicaciones.
TEMA 3
3.-Medicin y control de parmetros tecnolgicos de dispositivos semiconductores.
3.1. Curvas C-V: fundamento terico y aplicaciones fundamentales.
3.2. Aplicacin de las curvas C-V de alta frecuencia a la determinacin
de las propiedades de la interfase SiO2-Si; determinacin de la magnitud de la carga
mvil; determinacin de la concentracin de impurezas en el semiconductor. 3.3.
Medicin de resistividad por 4 puntas.
3.4. Otras tcnicas de caracterizacin y control.
98
TEMA 4 EPITAXIA
4.1 Epitaxia en haces moleculares (MBE)
4.2 Epitaxia en fase de vapor (VPE). Nucleacin, cintica de crecimiento.
4.3 Procesos para silicio
4.4 Procesos para GaAs. Sistemas inorgnicos (haluros e hidruros), mtodo
metalorgnico
4.5 Epitaxia en fase lquida
TEMA 5 IMPLANTACION IONICA

5.1 Profundidad de penetracin
5.2 Dao de implantacin
5.3 Recocido
5.4 Sistemas de implantacin inica
5.5 Consideraciones del proceso
TEMA 6
6. Mtodos de depsito y aplicaciones fundamentales de capas dielctricas
metlicas y semiconductoras.
6.1. Capas dielctricas utilizadas en la Tecnologa Planar. Capas de xido de silicio;
capas de vidrio fosfosilicato; capas de vidrio borofosfosilicato; capas de nitruro de
silicio; capas de polisilicio y silicio amorfo: caractersticas y aplicaciones.
6.2. Depsito qumico a partir de la fase de vapor (CVD) y sus variantes: (APCVD,
LPCVD, PECVD, RTCVD, MOCVD).
6.2.1. Depsito de SiO2
6.2.2. Depsito de capas de vidrio fosfosilicato;
6.2.3. Depsito de capas de vidrio borofosfosilicato;
6.2.4. Depsito de capas de nitruro de silicio;
6.2.4 Depsito de capas de polisilicio y silicio amorfo.
6.3 Caractersticas del equipamiento utilizado en la deposicin qumica a partir de la
fase de vapor.
6.4. Otros mtodos de depsito de capas semiconductoras.
6.5. Tcnicas de depsito de metales;
6.5.1. Depsito de metales para contactos y metales refractarios;
TEMA 7
7.-Ataque en seco de capas dielctricas, semiconductoras y metlicas.
7.1. Mtodos fundamentales de ataque en seco y principios fsicos en los que se
basan; descarga elctrica auto-mantenida; fenmenos fsicos asociados a la introduccin
de un electrodo en una descarga gaseosa.
7.2. Equipos mas utilizados en los procesos de ataque con ayuda de plasma; equipos de
tipo barril y de placas paralelas.
7.3. Equipos utilizados para el ataque por erosin catdica reactiva (RIE).
7.4. Ataques isotrpos y anisotrpos, principales caractersticas y aplicaciones;
selectividad y control de dimensiones.
7.5. Aplicaciones fundamentales del ataque en seco.
99
TEMA 8
8.-Procesos fotolitogrficos en la microelectrnica.
8.1. Introduccin, concepto de mscaras, fotorresinas, preparacin de mscaras
8.2. Tipos de fotolitografa ptica; situacin actual y tendencias.
8.3. Fotolitografa con haz de electrones, equipos, fotorresina electrnica,
la dispersin y el efecto de proximidad; aplicaciones.
8.4 Otras tcnicas litogrficas en la microelectrnica.
TEMA 9
9.-Dielctricos ultrafinos y de baja constante dielctrica para dispositivos
submicromtricos
TEMA 10
10.-Procesos de fabricacin de dispositivos en base a materiales orgnicos.
TEMA 11
11.-Ejemplo de secuencias tecnolgica interaccin entre los diferentes procesos que
conforman la secuencia.
11.1 Secuencia para realizar un C.I. CMOS.
Bibliografa
-Grove, A.S., Physics and Technology of Semiconductor Devices, 1967.
-Sze. S. M., Semiconductor Device Technology, 1985.
-M. Estrada, A. Cerdeira, R. Martnez, Circuitos Integrados: Fundamentos
Tecnolgicos, Editorial Pueblo y Educacin, 1987.
-M. Peckerar, Electronic Materials: Science and Technology, Academic Press,1989.
-S. A. Campbell, The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford,
1996.
-S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI era, Vol. 4: Deep-submicron Process
Technology, Lattice Press, 2002.
100
2.10.3.5. Dispositivos Semiconductores II
Objetivos
Se espera que al trmino del curso, el estudiante tenga una buena comprensin de los
fenmenos que limitan las caractersticas de los principales dispositivos bipolares, as
como saber disearlos en sus aspectos principales. En cuanto a los dispositivos de
microondas y fotoelctricos que conozcan bien el funcionamiento de los mismos, as
como los fenmenos en base a los cuales operan.
Contenido
TEMA 1 DISPOSITIVOS BIPOLARES

1.1 Unin p-n
1.1.1 Respuesta en frecuencia
1.1.2. Manejo de alta corriente
1.1.3 Tensiones de ruptura alta
1.1.4 Diodos PIN
1.1.5 Diseo de diodos
1.1.6 Heterouniones
1.2 Transistor bipolar
1.2.2 Manejo de alta corriente
1.2.3 Tensiones de ruptura alta
1.2.4 Transistores de "conmutacin"
1.2.5 Criterio de diseo de transistores
1.3 Tiristores
1.3.1 Funcionamiento
1.3.2 SCRs, GTO, Bidireccionales
TEMA 2 DISPOSITIVOS DE MICROONDAS

2.1 Dispositivos de tuneleo cuntico
2.1.1 Diodos tnel
2.2 Dispositivos de avalancha por ionizacin por impacto y tiempo de trnsito
2.2.1 IMPATT
2.2.2 BARTT
2.2.3 Respuesta a altos voltajes
2.3 Dispositivos de transferencia de electrones
2.3.1 Efecto Gunn (Efecto TED)
2.3.2 TED
2.4 Metal Semiconductor, Transistor de efecto de campo "MESFET"
2.4.1 Estructuras de MESFET de microondas
2.4.2 respuesta en frecuencia
101
TEMA 3 DISPOSITIVOS FOTOELCTRICOS
3.1 Dispositivos de conversin de energa elctrica a radiacin ptica
"Electroluminiscencia"
3.1.1 Diodos emisores de luz "LED"
3.1.2 LSER Semiconductor
3.2 Dispositivos de deteccin de seales pticas "Fotodetectores"
3.3 Dispositivos de conversin de radiacin ptica en energa elctrica
3.1.1 "Dispositivos fotovoltaicos" (Celda Solar)
Bibliografa
-Transistors. Warner and Grang. John Wiley & Sons (1983).
-Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, Second Edition (1981).
-Semiconductor Power Devices. S. K. Ghandhi. John Wiley & Sons (1977).
-Thyristor Physics. A. Blicher. Springer Verlag (1976).
-Theoric approfondie du transistor bipolaire. G. Rey et P. Leturcq. Manon (1972).
-Caractersticas y Limitaciones de los Transistores. R.D. Thornton, et al. Tomo 3 de la
serie SEES, Edit. Revert (1971)
-Luminiscence and the light emitting diode. E.W. Williams and P. Hall. Pergamon Press
(1978).
-Injection electroluminiscent devices. C.H. Gooch. John Wiley & Sons (1973)
-Avalance transist time devices. George I. Hadda. Artech House Inc. (1973)
-Fundamentals of solar cells. Alan L. Fahrenbruch. Academic Press (1983).
102
2.10.3.6. Simulacin Electrnica
Objetivos
Presentar al estudiante algunos de los conceptos bsicos asociados con la simulacin
digital de diversos procesos fsicos y de sistemas de la electrnica actual, mediante un
mtodo terico-prctico. Se tocan conceptos diversos, en orden tal que se absorban
primero los que suelen ser ms familiares al Ingeniero en Electrnica, se dejan para el
final aqullos que, si bien son parte de un curriculum normal, son menos conocidos. La
parte medular consiste en una serie de problemas concretos, que se analizan y se
resuelven utilizando los mtodos de solucin ms populares: diferencias finitas,
elemento finito, mtodo de Newton y mtodo Monte Carlo. Se empieza as con circuitos
elctricos y electrnicos. Se pasa a continuacin al mtodo de Newton, de importancia
en problemas no lineales, y se aplica en la prctica a un caso de optimizacin de
parmetros. A continuacin se presentan problemas de transporte en semiconductores,
unidimensionales primero y luego bidimensionales, aunque siempre con polarizacin
inversa, para simplificar las soluciones. Por ltimo se aborda el mtodo de Monte Carlo,
de importancia en fsica de semiconductores. Para ajustar los temas impartidos al
tiempo asignado al curso, el material de los captulos "Tratamiento numrico de algunas
ecuaciones de la electrnica" y "Bases matemticas" es ajustado segn las limitaciones
de tiempo: de los mismos deben cubrirse como mnimo los conceptos requeridos en el
captulo principal "Introduccin terico prctica a diversos mtodos numricos de
inters en la electrnica.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN
1.1 El papel de los modelos en la Ciencia y la ingeniera
1.1.1 Modelos analgicos y modelos simblicos
1.1.2 Modelos deterministas y modelos estocsticos
1.1.3 Modelos de sistemas discretos
1.2 Simulacin en el campo de la electrnica: circuitos, procesos, dispositivos y fsica
del estado slido
TEMA 2 INTRODUCCIN TERICO-PRCTICA A DIVERSOS MTODOS

NUMRICOS DE INTERS EN LA ELECTRNICA
2.1 Solucin numrica de las ecuaciones de circuitos electrnicos: el caso de un
amplificador de un transistor
2.1.1 Leyes de Kirchhoff y ecuaciones de estado
2.1.2 Formulacin del problema para la solucin del amplificador propuesto
2.1.3 Solucin del problema numrico resultante
2.2 Mtodo de Newton y optimizacin: ajuste de los parmetros R,L y C a los datos
experimentales de un circuito resonante
2.2.1 Linealizacin de sistemas de ecuaciones algebraicas no lineales: matriz Jacobiana
2.2.2 Solucin al sistema de ecuaciones resultante
2.2.3 Optimizacin
103
2.3 Diferencias finitas: solucin de las ecuaciones de transporte de carga elctrica en
semiconductores, con polarizacin inversa
2.3.1 Problemas con condiciones iniciales dadas, y problemas con condiciones de
frontera dadas
2.3.2 Discretizacin de ecuaciones diferenciales: reduccin a un sistema de ecuaciones
algebraicas
2.3.3 Solucin del sistema de ecuaciones resultante
2.4 Elemento finito: solucin en dos dimensiones de las ecuaciones de transporte en
semiconductores, con polarizacin inversa
2.4.1 Discretizacin en dos dimensiones
2.4.2 Derivacin de ecuaciones de un elemento discreto tpico
2.4.3 Formulacin de un sistema de ecuaciones a partir de las ecuaciones dadas para
cada elemento
2.4.4 Funcionales
2.5 Mtodo de Monte Carlo: solucin en dos dimensiones de la ecuacin de Poisson
2.5.1 Generacin de nmeros al azar
2.5.2 Problemas de potencial (V2=0)
2.5.3 Recorridos al azar fijos y recorridos al azar flotantes
TEMA 3 TRATAMIENTO NUMRICO DE ALGUNAS ECUACIONES DE LA

ELECTRNICA
3.1 Simulacin de circuitos elctricos y electrnicos
3.2 Las ecuaciones de transporte de carga elctrica: aspectos relevantes de su solucin
por los mtodos de diferencias finitas y elemento finito
3.2.1 Condiciones de frontera
3.2.2 Discretizacin
3.2.3 Interpolacin
3.2.4 Caractersticas de las matrices resultantes
3.2.5 Extraccin de los parmetros
3.3 Procesos de fabricacin de dispositivos
3.3.1 Condiciones de frontera mviles
3.4 Aspectos de la solucin de la ecuacin de transporte de Boltzmann mediante el
mtodo de Monte Carlo
3.4.1 Simulacin de transporte de electrones y huecos
3.4.2 Obtencin del tensor de difusin
3.4.3 Transporte bajo fuertes campos elctricos
TEMA 4 BASES MATEMTICAS

4.1 Elementos de lgebra lineal
4.1.1 Espacios vectoriales, matrices y sistemas lineales
4.1.2 Normas de vectores y de matrices
4.1.3 Solucin numrica de sistemas de ecuaciones lineales
4.1.4 Eliminacin de Gauss
4.1.5 Pivoteo y escalamiento en el mtodo de eliminacin gaussiana
4.2 Mtodo de Newton
4.2.1 Convergencia global, convergencia local
104
4.2.2 Mtodos amortiguados de solucin
4.3 Interpolacin y ajuste de curvas
4.3.1 Interpolacin mediante polinomios
4.3.2 Ajuste en curvas a datos experimentales: un problema de optimizacin
Bibliografa
-Rosenbleth, A. And N. Winer, The role of models in science, philos, Sci. XII, No. 4,
Oct. 1945, 316-321.
-A. Vladimerescu, "Spice - The third decade" IEEE 1990 Bipolar Circuits and
Technology Meeting.
-J.G. Ronald, Goosens, R.W. Dutton, "Device CAD in the '90s: At the crossroads, IEEE
Circuits and Devices, Jul. 1992.
-M. Shur, "Physics of Semiconductor Devices" Pretice Hall, 1990 Biblioteca QC
611.5563, 1990, p. 112-123.
-Cuthbert, T.R. Optimization using personal computers: with applications to electrical
networks, Wiley 1987- I-O-471-85949-4.
J. Miguel, F. Castells, "Curve fitting made easy" hydrocarbon processing Nov. 1986.
-Atkinson, "An introduction the numerical analysis", Wiley, 1978 Seccin 8.8. The
numerical solution of poisson's equation.
-U.M. Ascher, R.M.M. Matheij, R.D. Russell, "Numerical solution of boundary value
problems for ordinary differential equation a Prentice Hall, 1991. Cap. 3 theory of
ordinary differential equations.
-M.N.O. Sadiku, "A simple introductions to finite element analysis of electromagnetic
problems" IEEE transactions on Educations, Vol. 32, 2, 1989.
-P.P. Silver, R.L. Ferrari, "Finite elements for electrical engineers" Cambridge
University Press, 2nd. Editions, 1990, 3.
-M.N.O. Sadiku "Monte Carlo methods in an introductory electromagnetic course",
IEEE Transactions on Education, Vol. 3,1,1990.
-Raghuram, R. "Computer simulations of electronic circuits" Wiley, 1989. Q-0-470-
213331-O.
-W.L.Engl. H.K. Dirks, B. Meinerzhagen, "Device modeling" proceedings of the IEEE,
Vol. 71,1,1983.
-R.W. Dutton, Z. Yu, "Technology CAD Computer Simulation of IC processes and
devices" Kluwer Academic Publishers 1993. Apendice A.
-R.W. Dutton, Z. Yu, "Technology CAD Computer Simulation of IC processes and
devices" Kluwer Academic Publishers, 1993. Cap. 2, Introduction to SUPREM.
-M. Shur, "Physics of semiconductor devices" Prentice Hall 1990 Biblioteca QC
611.5563.1990, pp. 112-123.
-D.K. Ferry "Semiconductors" Mac Millan, 1991 Biblioteca QC 611 F43 1991 Cap. 10,
Sec. 4, Monte Carlo Method, p. 354.
-Atkinson "An introduction the numerical analysis" Wiley 1978.
-Luenberger "Programacin lineal y no lineal" Adison Wesley Iberoamericana, 1989,
Cap. 9, Mtodos Cuassi Newton.
-Atkinson "An introduction the numerical analysis" Wiley 1978 Cap. 3, Interpoltion
Theory.
105
2.10.3.7. Microelectrnica (48 hrs)
Objetivo
El objetivo de esta asignatura es ensear al alumno los fundamentos de la
microelectrnica y su relacin con parmetros elctricos de estructuras para la
fabricacin de circuitos integrados MOS y CMOS. Para este objetivo se calculan las
expresiones de corriente del transistor MOS, se dan varios modelos aproximados, y se
emplean dichas expresiones en el diseo de circuitos de sistemas de procesamiento
digital. Se muestra adems una Metodologa asistida con herramientas de cmputo para
la simulacin de los circuitos incluidos en este programa.
El grupo de temas en este programa constituye el ncleo de conocimientos requeridos

para continuar con cursos avanzados de diseo de circuitos integrados, as como del
anlisis de dispositivos individuales con tecnologa de alta integracin.
Contenido
TEMA 1 EL TRANSISTOR MOS: LIMITACIONES

1.1 Velocidad de respuesta
1.2 Resistencias en serie
1.3 Corriente subumbral
1.4 Escalamiento
1.5 Efecto de las geometras pequeas
1.5.1 Velocidad lmite
1.5.2 Canal corto
1.5.3 Canal estrecho
1.5.4 Portadores calientes
1.5.5 Ruptura
1.5.6 El efecto "punch-trought"
TEMA 2 EL TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO CIRCUITAL

2.1 El inversor
2.1.1 Inversor con carga resistiva
2.1.2 Inversor con carga saturada
2.1.3 Inversor con carga no saturada
2.1.4 Inversor con carga de empobrecimiento
2.1.5 El inversor CMOS
2.2 La compuerta de transmisin
2.3 Las compuertas lgicas: NAND; NOR
2.4 El efecto "latch-up"
2.5 Las memorias RAM
2.5.1 La celda de memoria RAM dinmica
2.5.2 La celda de memoria RAM esttica
2.6 La celda de memoria no-voltil
106
TEMA 3 LA SIMULACIN DEL TMOS
3.1 Introduccin
3.2 Descripcin del TMOS
3.3 Sobre los modelos elctricos (niveles)
3.3.1 Nivel 1
3.3.2 Nivel 2
3.3.2.1 Corriente entre D y S
3.3.2.2 Saturacin por "pinch-off"
3.3.2.3 Saturacin por velocidad lmite
3.3.2.4 Conduccin en inversin dbil
3.3.3 Nivel 3
3.4 Capacitancias del MOSFET
3.5 Dependencia de la temperatura
3.6 Empleo del PSPICE
3.7 Ejemplos
3.8 La extraccin de parmetros
3.8.1 Extraccin individual
3.8.2 Extraccin por optimizacin matemtica
3.8.2.1 Un ejemplo
TEMA 4 DISEO TOPOLGICO DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

4.1 Etapas de fabricacin de un CIMOS con compuerta de polisilicio
4.2 Reglas de diseo con el factor ( (Mead-Conway)
4.3 Topologas tpicas de las celdas de inversores
4.4 Celdas bsicas digitales ms utilizadas
4.5 Lneas de interconexin: resistencia y capacitancia. Mtodo Manhattan
4.6 Los voltajes de alimentacin de un circuito integrado
4.7 Circuitos de entrada/salida
4.8 Diseo semi a la orden: arreglos de compuerta y celdas estandard
4.9 Diseo a la orden
4.10 Herramientas para el diseo de los CI
Bibliografa
-A. Cerdeira, "Notas de clase de Microelectrnica", 1996.
-A.S. Grove, "Physics and Technology of Semiconducotr Devices", Wiley, 1967.
-S.M Sze. "Physics of Semiconductor Devices", Wiley, 1981.
-A.G. Milnes, "Semiconductor Devices and Integrated Electronics", VanNostrand,
1980.
-R.S. Muller, T.I. Kaminis, "Device Electronics for Integrated Circuits", 2d. Ed. Wiley,
1986.
-L.H. Fenicel, "PSPICE: A tutorial, Pertice Hall, 1992.
-F. Moussen, "PSPICE with circuit analysis" Mckmillan, 1993.
-A. Vladimirescu, S. Liu. "The Simulation of MOS Integrated Circuits using SPICE2",
Univ. Of California, Berkeley, feb. 1980.
-A. Cerdeira, F. Guerra, J.C. Mori, L. Garca, "Extraccin de parmetros de transistores
MOS a partir de la tcnica de optimizacin", Ing. Electrnica, Automtica y
107
Comunicaciones, vol. X, No. 2, 1989.
-Brown, J.E. Dennis, "Derivative free analogues of the Levenberg Marquard and Gauss
algorithms for nonlinear squares aproximations" Numer. Math. Vol. 18, pp. 289-297,
1972.
-C. Mead, L. Conway, "Introduction to VLSI Systems", Addison Wesley, 1980.
Yannis P. Tsividis, "Operation and Modeling of the MOS Transistor", Mc.Graw-HIll,
1987.
-John P. Uyemura, "Circuit Design for CMOS VLSI", Kluwer Academic Publ. 1982.
108
2.10.3.8. Propiedades pticas de Semiconductores (48 hrs)
Objetivo
El propsito del curso es proporcionar al estudiante una visin general de los fenmenos
fsicos que resultan de la interaccin entre la radiacin electromagntica y tomos en un
semiconductor.
Contenido
TEMA 1 CONSTANTES PTICAS DE LOS SLIDOS

1.1 Relacin entre las constantes pticas y elctricas de los slidos
1.2 Coeficiente de reflexin en incidencia normal
1.3 Reflexin en incidencia oblicua
1.4 Transmisin en incidencia normal
1.5 Efectos de interferencia
1.6 Transmisin en incidencia oblicua
1.7 Elipsometra
TEMA 2 ABSORCIN
2.1 Introduccin
2.2 Dispersin y absorcin por portadores libres
2.3 Teora elemental de estados debido a impurezas
2.4 Excitones
2.5 Par aceptor-donador
2.6 Teora de transiciones cunticas (perturbaciones dependientes del tiempo)
2.7 Regla de oro de Fermi
2.8 Absorcin intrnseca de la luz por semiconductores
2.9 Calculo del coeficiente de absorcin intrnseco de un semiconductor
2.10 Absorcin por transiciones indirectas
2.11 Absorcin debido a bandas de impurezas
2.12 Absorcin de luz por estados localizados
2.13 Absorcin por la red
TEMA 3 EMISIN DE RADIACIN EN SEMICONDUCTORES

3.1 Introduccin
3.2 Velocidad de recombinacin
3.3 Tiempo de relajacin y de vida
3.4 Eficiencia cuntica interna de emisin
3.5 Relacin de Van-Roosbroeck-Shokley
3.6 Recombinacin radiativa banda a banda
3.7 Transiciones directas e indirectas
3.8 Autoabsorcin
3.9 Recombinacin radiativa a travs de estados localizados
3.10 Recombinacin a travs de niveles poco profundos
3.11 Transiciones hacia niveles profundos
109
3.12 Corrimiento de Frank-Condon
3.13 Transiciones donador-aceptor
3.14 Recombinacin entre pares ms prximos
3.15 Recombinacin no-radiativa
3.16 Efecto Auger
3.17 Recombinacin superficial
Bibliografa
-Semiconductor Optoelectronics, T.S. Moss, G.J. Burrel, B. Ellis London Butterworths
1973.
-Semiconductor Physics, P. Kireev, Ed. MIR Moscu 1978.
-Optical Process in Semiconductor, P.I. Pankove, Prentice Hall New Jersey 1971
110
2.10.3.9. Celdas Solares (48 hrs)
Objetivos
El objetivo fundamental del curso es que el estudiante comprenda claramente y que sepa
explicar cualitativa y cuantitativamente el fenmeno fotovoltaico en diversas estructuras
sobre materiales cristalinos, policristalinos y amorfos. Adems sabr disear y
caracterizar celdas solares, as como interpretar sus caractersticas ms importantes,
tales como: curvas I-V bajo iluminacin y bajo obscuridad, y de fotorespuesta espectral.
Tambin tendr la capacidad de utilizar computadoras digitales para calcular o
interpretar en forma cuantitativa los fenmenos que ocurren, y para determinar
parmetros importantes en celdas solares tales como corriente de corto circuito, voltaje
de circuito abierto, factor de llenado, corriente de saturacin en obscuridad y factor de
idealidad.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN
1.1 Breve revisin del efecto fotovoltaico. Una explicacin cualitativa
1.2 Discusin general sobre los temas a tratar en el curso
1.3 La computadora y su uso para clculo de parmetros en las celdas solares. Ejemplo:
Determinacin de la mxima corriente en una celda solar de silicio
TEMA 2 REPASO SOBRE LAS ECUACIONES DE TRANSPORTE EN

SEMICONDUCTORES FUERA DE EQUILIBRIO
2.1 Ecuaciones de continuidad en semiconductores uniformes
2.2 Recombinacin volumtrica y recombinacin superficial
2.3 Experimento de Haynes-Shockley
2.4 Solucin de las ecuaciones de transporte en casos simples
TEMA 3 LA RADIACIN SOLAR

3.1 Origen de la radiacin solar
3.2 La constante solar en la superficie terrestre
3.3 La radiacin directa y la radiacin difusa en la superficie terrestre
3.4 Clculo simple de la radiacin sobre una superficie inclinada a lo largo de un ao
TEMA 4 FUNDAMENTOS DE FISICA DE CELDAS SOLARES

4.1 Absorcin de la radiacin luminosa en semiconductores directos e indirectos
4.2 Solucin de las ecuaciones de transporte en celdas solares de unin n-p
4.3 Clculo de eficiencia cuntica, corriente de iluminacin y de la corriente de
saturacin
4.4 Clculo de la eficiencia en una celda solar ideal
4.5 Efectos de las resistencias internas (serie y paralelo) en el factor de llenado
4.6 Efectos de degradacin en funcin de la temperatura
111
TEMA 5 DISEO DE LAS CELDAS SOLARES CONVENCIONALES
5.1 Diseo de la estructura (resistividades, espesores, campo elctrico posterior) de las
celdas solares convencionales de unin n-p
5.2 Diseo del enrejado de coleccin de corriente en una celda solar
5.3 Diseo de capas antireflejantes en celdas solares
5.4 Diseo de celdas solares para operar bajo concentracin
TEMA 6 TECNOLOGA ACTUAL PARA LA FABRICACIN DE CELDAS

SOLARES Y MDULOS FOTOVOLTAICOS
6.1 Obtencin del silicio cristalino
6.2 Obtencin de la unin n-p por difusin de impurezas
6.3 Fabricacin de campo elctrico posterior
6.4 Fabricacin de enrejado y contactos hmicos por serigrafa
6.5 Fabricacin de las capas antirreflejantes
6.6 Fabricacin de los mdulos fotovoltaicos
TEMA 7 CELDAS SOLARES EN MATERIALES POLICRISTALINOS Y

AMORFOS
7.1 El efecto de la recombinacin en las fronteras de grano
7.2 Celdas solares de hetero-unin en materiales policristalinos de pelcula delgada
7.3 Los materiales amorfos y sus propiedades
7.4 Celdas solares PIN en silicio amorfo
TEMA 8 INTRODUCCIN A LOS SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

8.1 Definicin de sistemas fotovoltaicos autnomos
8.2 Concepto de horas pico de radiacin
8.3 Diseo de pequeos sistemas fotovoltaicos
8.4 Utilizacin de computadoras en el diseo de sistemas fotovoltaicos autnomos
Bibliografa
-M.A. Green, Solar Cells: Operating Principles, Technology and system Applications,
Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ. (1982).
-H.J. Hovel, Solar Cells, Voll. 11 of Semiconductors and Semimetals Series, Academic
Press, N.Y. (1975).
-J.P. Mckelvey, Solid State and Semiconductor Physics, Harper and Row, N.Y. (1966).
112
2.10.3.10. Fsica Analtica (48 hrs)
Objetivo
Consideracin terica de la interaccin in-slido, Rayos-X-solid y electrn-slido
como principio fsico de diferentes tcnicas de anlisis superficial. Estudio de algunas
caractersticas analticas de tcnicas modernas de anlisis de superficies y revisin de
instrumentos modernos de anlisis.
Descripcin del Curso

Categora del Curso: Optativo
Nivel del Curso: Maestra
Numero de horas: 48 horas
Temario del Curso

Introduccin
Aplicaciones de rayo de electrones o rayo de iones en el anlisis de superficies.
Sistemas con alto vacio: formacion de vacio, medicion de vaci, tcnica de alta vaci.
2. Descripcin fsica de la interaccin in-slido

- Teora de colisiones atmicas
- Erosin mediante bombardeo con iones (sputtering)
- Implantacin de iones
3. Rayo de iones en anlisis de materiales

Espectrometra de Iones Dispersados, (ISS)
Espectroscopia Rutherford de Retrodispersin, (RBS)
Espectrometra de Masas de Iones Secundarios, (SIMS)
Espectrometra de Masas de tomos Neutros Secundarios, (SNMS)
4. Interaccin de Rayo de Electrones y Slido

- Procesos fsicos involucrados en la interaccin electrn-slido
- Difraccin de electrones en cristales
- Algunos efectos especiales en la interaccin electrn-slido.
5. Rayo de Electrones en el Anlisis de Materiales

Difraccin de electrones de baja energa o alta energa, (LEED, HEED)
Microscopio electrnico de barrido, (SEM)
Microscopio electrnico de transmisin, (TEM)
Microscopio de Electrn Auger, (AES, SAM)
Microanlisis Electrn Fotn, (EPMA)
Comunicaciones Digitales (64 hrs)
Objetivo
El objetivo principal es el aprendizaje de los principios de la transmisin digital y la
113
implementacin de los distintos mtodos de la transmisin mediante el uso del
procesamiento digital de seales. Se propone proporcionar una base slida en los
fundamentos de modulacin digital, deteccin, codificacin de canal, igualacin y
sincronizacin mediante planteamientos generales y rigurosos, sin perder de vista la
intuicin y la aplicabilidad prctica de los conceptos abarcados. En este sentido se
pretende capacitar tanto para el diseo bsico de receptores ptimos como para la
evaluacin de los sistemas de comunicaciones digitales en trminos de sus factores de
coste, tales como velocidad de transmisin, potencia, ancho de banda y tasa de errores
de bit.
Contenido
1 Codificacin de Fuente.
1.1 Conceptos y Medidas de Informacin.
1.2 Codificacin de Fuentes Discretas.
1.3 Codificacin de Fuentes Analgicas.
2 Codificacin de Canal
2.1 Cdigos de Bloque.
2.2 Cdigos convolucionales
2.3 Decodificacin de mximaverosimilitud
2.4 Cdigos concatenados y turbo cdigos-entrelazadores
2.5 Decodificacin suave de cdigos convolucionales
2.6 Decodificacin iterativa de turbo cdigos
3 Sincronizacin de Portadora y de Smbolo.

3.1 Estimacin de los Parmetros de la Seal.
3.2 Estimacin de la Fase de la Portadora.
3.3 Estimacin del Tiempo del Smbolo.
3.4 Estimacin Conjunta de la Fase de la Portadora y del Tiempo del Smbolo.
4 Transmisin en Canales Limitados en Ancho de Banda.

4.1 Interferencia entre Smbolos (IES).
4.2 Modulacin y Conformacin de Pulsos.
4.3 Ancho de Banda y Eficiencia espectral.
4.4 Receptor ptimo ML para canales con IES.
4.5 Igualadores Lineales.
4.6 Igualadores Realimentados.
4.7 Igualadores Lineales Adaptables.
114
5 Aspectos de Radio Frecuencia y Frecuencia Intermedia
en Sistemas Digitales de Comunicacin
5.1 El concepto Software Radio
5.2 Subsistemas de Radio Frecuencia
5.3 Distorsiones en la Etapa de Radio Frecuencia
5.4 Control Automtico de Ganancia
6 Otras Tcnicas de Transmisin Digital.

6.1 Sistemas Multiportadora OFDM.
6.2 Sistemas de Espectro disperso.
6.3 Sistemas Multiusuario CDMA.
6.4 Comunicacin en Canales con Desvanecimientos.
7 Sistemas de Comunicacin Tipo MIMO

7.1 Capacidad de canal en sistemas MIMO.
7.2 Diversidad contra Incremento de Tasa.
7.3 Codificacin Espacio-Tiempo.
Bibliografa:
- J. G. Proakis. Digital Communications. 4th edition. McGraw-Hill International

Editions. 2001.
- S. Benedetto and E. Biglieri, Principles of Digital Transmission with Wireless
Applicatins, Kluwer Academic, 1999.
- E. A. Lee, D. G. Messerschmitt. Digital communication. 2nd ed. Kluwer Academic,
1994
- S. Haykin. Digital Communications. John Wiley & Sons Inc. 1988.
- B. Sklar. Digital Communications. Fundamentals and Applications. Prentice Hall
International Editions. 1988.
- E. G. Larsson and Petre Stoica, Space-Time Block Coding for Wireless
Communications, Cambridge University Press, 2003.
Espectroscopia Electrnica para Anlisis Qumico, (ESCA, XPS)
6. Rayos-X en el Anlisis de Materiales

- Difraccin de Rayos-X
- Fluorescencia de Rayos-X
7. Nuevos mtodos para el anlisis de superficies

- Bases fsicas de microscopio de contacto
- Microscopia de Fuerza Atmica Microscopia de Tunelamiento, (STM AFM)
Bibliografa
-Sputtering by Particle Bombardment, Part I Physical Sputtering of Single-Element
Solids. Ed. by R. Behrisch, Springer Verlag, 1981
115
-Methods of surface analysis, Ed. by A.W. Czanderna, Elsevier, 1975.
-Feldman, Leonard C., Fundamentals of surface and thin film analysis, North Holland,
1986.
-Briggs, D. and Seah M.P., Practical surfaces analysis by Auger and X-ray
Photoelectron Spectroscopy, J. Wiley and Sons, 1984.
-D.P. Woodruff, T.A. Delchar, Modern techniques of Surface Analysis, Cambridge
University Press, New York, 1986
-D. Sarig, Scanning Force Microscopy, Oxford University Press, 1991
Responsable del Curso: Dr. Yury Kudriavtsev, Profesor Titular del SEES
116
2.10.3.11. Fisicoqumica de Semiconductores I (48 hrs)
Objetivos
Introducir al estudiante a los diferentes mtodos de fisicoqumica equilibrada usados en
desarrollo de las tecnologas de semiconductores y tecnologas de dispositivos
semiconductores. Al finalizar el curso el estudiante deber conocer los modelos
modernos y los mtodos para descripcin de las caractersticas de materiales
semiconductores.
El estudiante deber conocer como se hacen en realidad los modelos para predecir las
caractersticas de semiconductores modernos y futuros. Deber conocer las ventajas,
desventajas y limitaciones de los diferentes modelos, aproximaciones y conocer los
problemas que puede resolver.
El curso est enfocado principalmente a las aleaciones semiconductoras porque la

mayora de los materiales modernos de electrnica del estado slido son tales
aleaciones.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN A LA FISICOQUIMICA DE SEMICONDUCTORES

1.1 Que es fisicoqumica?
1.2. Mtodos de termodinmica y termodinmica estadstica
1.3. Concepto de miscibilidd
1.4. Diagramas binarias de fases
1.5. Compuestos, aleaciones
Diagramas ternarias de fases
Materiales semiconductores
Estructuras cristalinas de semiconductoras
TEMA 2 METODOS DE TERMODINMICA Y TERMODINMICA

ESTADSTICA
1.9. Formalismo matemtico de termodinmica
1.10. Postulados de mecnica estadstica
1.11. Ensamble microcannico de Gibbs
1.12. Ensamble cannico de Gibbs
Ensamble macrocannico de Gibbs
Ley de Boltzman
Funcin de particin, energa libre de los ensambles de Gibbs
Sistemas macroscpicos y grados de libertad
TEMA 3 ALEACIONES BINARIAS, TERNARIAS Y CUATERNARIAS DE TRES

COMPUESTOS BINARIOS ESTRICTAMENTO REGULARES
1.17. Modelo de las aleaciones regulares
1.18. Aleaciones binarias regulares
117
1.19. Aproximacin estrictamente regular
1.20. Aleaciones binarias ideales, diluidas y no diluidas
1.21. Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias
1.22. Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones binarias
1.23. Aleaciones ternarias y cuaternarias ideales, diluidas y no diluidas
1.24. Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias y cuaternarias
1.25. Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones ternarias y cuaternarias
Diagrama de fases del sistema (Al, Ga, BV)LIQIDO (AlxGa1-xBV)SOLIDO, (BV = P,
As, Sb)
Diagrama de fases del sistema (In, Ga, BV)LIQIDO (InxGa1-xBV)SOLIDO, (BV = P,
As)
TEMA 4 ALEACIONES BINARIAS, TERNARIAS Y CUATERNARIAS DE TRES

COMPUESTOS BINARIOS QUASIQUIMICAS Y EN MTODO DE
VARIACIN DE CLUSTERES
1.28. Aproximacin quasiqumica de las aleaciones regulares
1.29. Orden del corto alcanzo de las aleaciones binarias
1.30. Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias
1.31. Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones binarias
1.32. Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias y cuaternarias
1.33. Zona de descomposicin espnodal de las aleaciones ternarias y cuaternarias
1.34. Mtodo de variacin de clsteres de las aleaciones binarias
1.35. Orden del corto alcanzo de las aleaciones binarias con estructuras diferentes
1.36. Zona immiscibilidd de las aleaciones binarias con la estructura de diamante
Zona immiscibilidd de las aleaciones ternarias con las estructuras de
zincblenda y wurzita
TEMA 5 ALEACIONES CUATERNARIOS DE CUATRO COMPUESTOS

BINARIAS ESTRICTAMENTO REGULARES
Modificacin del modelo de aleaciones regulares para aleaciones cuaternarias de cuatro

compuestos binarios
1.39. Aleaciones cuaternarias estrictamente regulares
1.40. Zona immiscibilidd
1.41. Zona de descomposicin espnodal
1.42. Diagrama de fases del sistema (AIII, BIII, CV, DV)LIQIDO (AIIIXBIII1- xCVyDV1-
SOLIDO
y)
TEMA 6 ALEACIONES CUATERNARIOS DE CUATRO COMPUESTOS

BINARIAS QUASIQUIMICAS Y EN MTODO DE VARIACIN DE CLUSTERES
1.43. Aproximacin quasiquimica
1.44. Orden del corto alcanzo
1.45. Zona immiscibilidd
1.46. Zona de descomposicin espnodal
1.47. Diagrama de fases del sistema (AIII, BIII, CV, DV)LIQIDO (AIIIXBIII1-xCVyDV1-
SOLIDO
y)
118
Modificacin del mtodo de variaciones de clusteres para aleaciones
cuaternarias de cuatro compuestos binarios
1.49. Energa libre en mtodo de variacin de clusteres
TEMA 7 MODELO DEL CAMPO DE FUERZA DE VALENCIA

1.50. Estructura de las aleaciones real
1.51. Modelo del campo de fuerza de valencia
1.52. Energa de deformacin interna de las aleaciones AxB1-xC y ABxC1-x con la
estructura de zincblenda
Tendencia a formacin de superestructura
Orden del largo alcanzo
1.55. Tipos de superestructuras y transiciones de fase
Transicin de fase con formacin de superestructura en las aleaciones A0.5B0.5C y
AB0.5C0.5
Transicin de fase con formacin de superestructura en las aleaciones
A0.75B0.25C y AB0.75C0.25
1.58. Estabilidad termodinmica con respeto a descomposicin espnodal y formacin
de superestructura de las aleaciones A0.75B0.25C y AB0.75C0.25
119
2.10.3.12. Fisicoqumica de Semiconductores II (48 hrs)
Objetivos
Introducir al estudiante a los diferentes mtodos de fisicoqumica desequilibrada y
cristalografa de tres y dos dimensiones usados en desarrollo de las tecnologas de
semiconductores y tecnologas de dispositivos semiconductores. Al finalizar el curso el
estudiante deber conocer los mtodos modernos para investigacin de las
caractersticas de materiales semiconductores.
El estudiante deber conocer como se hacen en realidad los mtodos para predecir las
caractersticas de semiconductores modernos y futuros. Deber conocer las ventajas,
desventajas y limitaciones de los diferentes modelos, aproximaciones y conocer los
problemas que puede resolver.
El curso est enfocado a los semiconductores III-V, II-VI y IV-VI porque los materiales
modernos de electrnica del estado slido son tales semiconductores.
TEMA 1 FISICOQUIMICA DESEQUILIBRADA DE SEMICONDUCTORES

Estabilidad termodinmica de las aleaciones ternarias de compuestos III-V con
superestructura CuPt
Desviacin del equilibrio de crecimiento de los compuestos III-V por la epitaxia por
fase liquida
Desviacin del equilibrio de crecimiento de las aleaciones ternarias de compuestos III-
V por la epitaxia por fase liquida
Desviacin del equilibrio de crecimiento de las aleaciones cuaternarias de compuestos
III-V por la epitaxia por fase liquida
Modelo desequilibrado de crecimiento de GaN por MOCVD en baja temperatura
Modelo desequilibrado de crecimiento de GaN por MBE en baja temperatura
Contenido
TEMA 2 ELEMENTOS DE LA TEORA DE GRUPOS

1.9. Grupos
Subgrupos
Clases adyacentes de subgrupos
1.11. Isomorfismo y homomorfismo de grupos
Grupo de rotaciones
Angulos de Eiler
Grupo ortogonal completo
Grupo de Euclid
Grupos puntuales
Grupos puntuales de primer orden
Grupos puntuales de segundo orden
Grupos de translaciones
120
TEMA 3 CRISTALOGRAA DE TRES DIMENSIONES
1.20. Sistemas coordenadas fsicos y cristalogrficos
1.21. Sistemas cristalinos
1.22. Clases de cristales
1.23. Redes de Bravais
Grupos de espacio
Notaciones de Schoenfliess y Notaciones Internacionales
1.26. Grupo de espacio de estructura de diamante
1.27. Grupo de espacio de estructura de zincblenda
1.28. Grupo de espacio de estructura de cloruro de sodio
Grupo de espacio de estructura de wurzita
Grupo de espacio de estructura de calcopirita
Grupo de espacio de la aleacin con superestructura CuPt
Grupo de espacio de la aleacin con superestructura CuAu-I
Grupo de espacio de la aleacin con superestructura Cu3Au
Grupo de espacio de la aleacin con superestructura Al3Ti
TEMA 4 CRISTALOGRAA DE DOS DIMENSIONES

1.35. Planos de la redes
1.36. Superficies de cristales ideales
Simetra de translaciones y las redes de superficies ideales
Sistemas cristalinos
Redes de Bravais
1.38. Grupos puntuales
1.39. Grupos de espacio
1.40. Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de
diamante
zincblende
cloruro de sodio
Grupos de espacio de superficies de semiconductores con la estructura de wurzita
Proyeccin de cristal de tres dimensiones encima de su superficie
Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
diamante
Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de
zincblende
Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de cloruro
de sodio
Vectores bsicos de superficies ideales de semiconductores con la estructura de wurzita
Desplazamientos atmicos adentro de superficie
Simetra de estructura de superficie relajada
Simetra de estructura de superficie reconstruida
Simetra de translaciones
Simetra puntual
Simetra de espacio
121
Reconstrucciones de superficies (001) de semiconductores III-V y II-VI con la
Reconstrucciones de superficies (111) A y (111) B de semiconductores III-V y II-VI
con la estructura de zincblenda
Reconstrucciones de superficies (110) de semiconductores III-V y II-VI con la
122
2.10.3.13. Pelculas Delgadas (64 hrs)
Objetivo
Es introducir al estudiante al campo de las pelculas delgadas, en aspectos tales como:
fabricacin, fenmenos de transporte y estructura, propiedades pticas y aplicaciones.
Contenido
TEMA 1 TERMODINMICA Y CINTICA

1.1 Introduccin histrica
1.2 Equilibrio de fases
1.3 termodinmica de defectos y diagramas de fases en cristales compuestos
1.4 Teora de nucleacin
1.5 Estructura de soluciones supersaturadas
1.6 Mecanismo de crecimiento de cristales
1.7 Modelo a escala atmica de crecimiento de cristales
TEMA 2 TRANSPORTE Y ESTABILIDAD

2.1 Descripcin de procesos de transporte
2.2 Modelos en volumen de solidificacin
2.3 Estabilidad morfolgica
2.4 Efectos de flujo sobre la estabilidad morfolgica
2.5 Formacin de patrones en crecimiento de cristales
TEMA 3 CRECIMIENTO DE CRISTALES EN VOLUMEN

3.1 Tcnicas bsicas
3.2 Investigacin de crecimiento de cristales en ciencias de la tierra y planetarias
3.3 Tcnicas de crecimiento de Bridgemen y relacionadas
3.4 Crecimiento de Czochralski
3.5 Crecimiento de cristales por fundicin en zona flotante
3.6 Empleo de campos magnticos en crecimientos a partir del fundido
3.7 Cristalizacin fraccional
3.8 Mecanismo de crecimiento y dinmica
3.9 Fenmenos de segregacin en crecimiento de cristales a partir del fundido
3.10 Convencin en crecimiento del fundido
3.11 Esfuerzos en el enfriamiento del cristal
3.12 Modelacin del crecimiento de Bridgeman y Czochralski
3.13 Crecimiento de cristales con formas definidas
3.14 Cristalizacin de autcticos, monotcticos y peritcticos
3.15 Pelculas delgadas y epitaxia
3.16 Tcnicas bsicas
3.17 Epitaxia por transporte de halgenos
3.18 Epitaxia en fase vapor de organometlicos
3.19 Principios de epitaxia de haces moleculares
3.20 MBE con fuente gaseosa
123
3.21 Epitaxia en fase lquida
3.22 Epitaxia en fase slida
3.23 Mecanismos de crecimiento
3.24 Procesos de cintica en fase vapor
3.25 Cintica de reaccin en OMVPE
3.26 Fenmenos de transporte en reactores de epitaxia en fase vapor
3.27 Epitaxia de capas atmicas
3.28 Nucleacin y difusin superficial en MBE
3.29 MOVPE de pozos cunticos ultradelgados
3.30 Epitaxia auxiliada por luz
3.31 Estudio ptico in situ de crecimiento epitaxial
Bibliografa
-Semiconductor Handbook.
124
2.10.3.14. Superficies, Interfaces y Heterouniones (48 hrs)
Objetivo
Al finalizar el curso el alumno resolver problemas bsicos y aplicados relacionados
con la fsica de las superficies y de los dispositivos a base de heterouniones, evaluando
experimentalmente los parmetros necesarios en una aplicacin dada.
Contenido
TEMA 1 SUPERFICIES
1.1 El origen de la carga especial
1.1.1 Campos externos
1.1.2 Potencial de contacto
1.1.3 Efecto de los estados superficiales
TEMA 2 FORMA DE LA BARRERA POTENCIAL

2.1 Potencial y barrera de potencial, normalizados
2.2 Ecuacin de Poisson
TEMA 3 DENSIDADES DE PORTADORES EN EXCESO An y Ap
TEMA 4 REGIN DE CARGA ESPACIAL EN PRESENCIA DE NIVELES

PROFUNDOS
4.1 Conjunto discreto de niveles localizados
4.2 Densidad continua de estados localizados
TEMA 5 ESTADOS DE TAMM Y ESTADOS DE SHOCKLEY
TEMA 6 INTERACCIN DE LOS ESTADOS SUPERFICIALES CON UNA

BANDA
TEMA 7 RECOMBINACIN SUPERFICIAL
TEMA 8 HETEROUNIONES
8.1 Introduccin
8.2 Bandas de energa
8.3 Desacople de la red
8.4 Desacople trmino
8.5 Interdifusin
8.6 Ingeniera de banda prohibida
TEMA 9 MECANISMOS DE TRANSPORTE

9.1 Modelo de difusin
9.2 Modelo de emisin
9.3 Modelo de emisin-recombinacin
125
9.4 Modelo de tuneleo
9.5 Modelo de tuneleo-recombinacin
TEMA 10 PROPIEDADES PTICAS

10.1 Ondas guiadas en una barra dielctrica
10.2 Gua de onda de tres capas
10.3 Propagacin de onda en una gua simtrica
10.4 Guas de onda de cuatro y cinco capas
TEMA 11 DISPOSITIVOS CON HETEROUNIONES

11.1 Transistores bipolares de heterounin
11.2 Transistores de efecto de campo de heterounin
11.3 Celdas solares
11.4 Estructuras SAS
11.5 Diodos electroluminiscentes
11.6 Lseres
11.7 Detectores en base a transistores y diodos de heterounin
Bibliografa
-Semiconductor surfaces. A. Many, Y.Goldstein and N.B. Grover, North_holland
Publishing Company, Amsterdam-London, 1971.
-Heterojuntions and Metal-Semiconductor Junctions. Milnes and Feucht, Academic
Press, 1972.
-Heterojunction band discontinuities. Physics and device applications, F. Capasso and
G. Margaritondo (Eds), North-Holland, 1987.
-Heterojuntions. A. G. Milnes, Solid-State Electronics, 29, 1986, 99-121.
Semiconductor heterojunctions, B.L. Sharma, R.K. Purohit, Pergamon Press, Oxford,
N.Y. 1974.
-Heterostructure lasers. H. C. Casey Jr. M.B. Panish, Academic Press, N.Y. 1978.
126
2.10.3.15. Introduccin a la Fsica de Superficies e Interfaces (48 hrs)
Objetivo
Revisar las propiedades fisicoqumicas de las superficies e interfaces, y los mtodos y
tcnicas de caracterizacin elctrica y ptica, con el objetivo de desarrollar aplicaciones
tecnolgicas aprovechando los comportamientos de las superficies e interfaces.
Descripcin del curso

Los temas que se abordaran en el curso se han seleccionado tomando como base
algunos de los temas que se introdujeron en los cursos de Tecnologa de
Semiconductores I y Fsica de Semiconductores. Se han seleccionado los temas
evitando abordar tpicos excesivamente especializados, buscando sentar las bases para
desarrollar aplicaciones tecnolgicas de las superficies y las interfaces. Las aplicaciones
pueden ser tan variadas como el desarrollo de sensores de gases o bien el de la
formacin de pelculas antirreflejantes. Se examinan algunos temas relacionados a
tcnicas de caracterizacin, las cuales pueden implementarse en nuestros laboratorios, o
se vienen utilizando de manera regular como es el caso de la elipsometra.
Contenido
Parte I: Propiedades Fisicoqumicas de las Superficies e Interfaces.
Capitulo I.- Importancia de la Tecnologa de Superficies e Interfaces.

- Mtodos de Preparacin de Superficies.
- Mtodos de Caracterizacin de Superficies e Interfaces.
- Condiciones Ideales para el Estudio de las Superficies e Interfaces
Capitulo II.- Morfologa y Estructura de Superficies e Interfaces.
- Tensin Superficial y Forma Macroscpica.
- Relajacin, Reconstruccin y Defectos.
- Redes Bidimensionales, Superestructura y Espacio Reciproco.
- Modelos Estructurales de Interfaces Slido/Slido.
- Nucleacin y Crecimiento de Pelculas Delgadas.
- Estudios de Crecimiento de Pelculas.
Capitulo III.-Fonnes y Vibraciones de Redes en Superficies.
-Revisin de las Propiedades Opticas Volumtricas.
-Vibraciones en redes monoatmicas.
-Redes con dos tomos en la celda primitiva.
-Funcin dielctrica de los slidos.
-Existencia de Vibraciones de una Red superficial.
-Extensin a un slido de Tres dimensiones con una superficie.
-Curvas de Dispersin desde los experimentos y desde clculos reales.
Parte II: Mtodos de Caracterizacin de Superficies e Interfaces.
127
Captulo IV.- Mtodos de Caracterizacin de Superficies.
-Fundamentos de las propiedades pticas de superficies.
-Propiedades pticas relevantes a las superficies.
-Aproximacin de la funcin dielctrica en superficies
-Revisin de los modelos para la funcin dielctrica en superficies.
-Espectroscopa de transmisin y reflexin, fundamentos y aplicaciones
-Aplicacin de la Elipsometra para el anlisis de superficies.
Bibliografa
1.- Surfaces and interfaces of Solids. H. Lth; Springer-Verlag; Berlin Heidelberg,
1993.
2.- Surface Science: An Introduction. John B. Hudson; John Wiley & Sons. New
York, 1998.
3.- Surface Physics of materials. Ed. by J.M.Blakely . Academic Press. New York.
1975. Vol. I and II.
4.- Fundamentos de la Teora Electromagntica. J.R. Reitz, F.J. Milford y R.W.
Christy. Pearson Education, 1996.
5.- Introduction to Solid State Physics. Charles Kittel. John Wiley & Sons. New
York, 1976.
6.- Physical Chemistry. P. W. Atkins. Oxford University Press. 1982.
7.- Fundamentals of Statistical and Thermal Physics, Federick Reif. Mc Graw Hill.
8.- Interfaces in Materials: Atomic Structure, Thermodynamics and Kinetics of Solid-
Vapor, Solid-Liquid and Solid-Solid Interfaces. James M Howe. John Wiley & Sons.
New York, 1997.
9.- Physics at Surfaces Andrew Zangwill. Cambridge University Press, Cambridge
1988.
10.- Optical properties of solids., Editer by F. Abels. Abels, F. ed. Amsterdam :
North-Holland, 1972.
11.- Ellipsometry and polarized light R.M.A. Azzam, N.M. Bashara. Amsterdam :
North-Holland, 1977.
128
2.10.3.16. Estructura Electrnica de los Materiales (48 hrs)
El conocimiento de la simetra de un cristal y su clasificacin en trminos de su

pertenencia a un grupo puntual permite hacer predicciones cualitativas acerca de la
naturaleza del enlace interatmico, determinar las transiciones espectroscpicas
permitidas y hacer comentarios generales acerca de su espectro de absorcin (ie.
Cuntas bandas de absorcin podran aparecer en dicho espectro y como cambiara ste
cuando la celda unitaria es alterada).
Objetivo
En este curso nos proponemos usar la teora de grupos y su relacin con la simetra de
un cristal, como una herramienta para el anlisis de las propiedades pticas y elctricas
de los semiconductores. El presente curso puede ser considerado como una extensin al
trmino de algunos temas ya cubiertos en otras materias de nuestro Programa de
Maestra, tales como el enlace atmico y su relacin con la estructura de las bandas de
energa, las espectrocopias infrarroja y Raman y la estructura cristalina.
Contenido
Captulo 1. Antecedentes
1.1 Postulados de la mecnica cuntica
1.2 Notacin de Dirac.
1.3 El tomo de hidrgeno
1.4 El oscilador armnico
1.5 Conceptos bsicos del lgebra de matrices.
Captulo 2. Teora de grupos y la simetra.

2.1 Concepto de grupo y sus propiedades.
2.2 Grupos puntuales.
2.3 Simetra de traslacin y grupos espaciales.
2.4 Teora de la representacin.
2.5 Operadores de proyeccin.
Capitulo 3. Representaciones y vibraciones

3.1 Fundamentos de la teora de representacin de un grupo.
3.2 Representaciones reducibles e irreducibles.
3.3 Tablas de multiplicacin y sistema de caracteres.
3.4 Operadores de proyeccin.
3.5 Modos y coordenadas normales.
3.6 Ecuacin de Shredinger y el diplo elctrico.
3.7 Reglas de seleccin.
3.8 Espectroscopias inrfrarroja y Raman.
Captulo 4. El enlace qumico y la estructura de bandas de energa de slidos.

4.1 tomos multielectrnicos.
129
4.2 Orbitales atmicos e hibridacin.
4.3 Teora de grupos y enlaces hbrtidos.
4.4 Modelo de la combinacin lineal de orbitales atmicos.
4.5 Molculas biatmicas.
4.6 Cristales unidimensionales.
4.7 Cristales bi- y tri- dimensionales.
Bibliografa
- Applied Group Theory for chemists, phisicists and engineers, Allen Nussbaum,
Prentice Hall, Inc. (1971).
- Valance, C. A. Coulson, 2 edtion, Oxford University Press (1961).
Elexctrons and Chemical Bonding, Harry B. Gray, W. A. Benjamin, Inc. (1977).
- Quantum chemistry of solids, Alexander A. Levin, Mc GRAW-HILL (1977).
- Quantum chemistry H. Eyring, J. Walter, G.E. Kimball, John Wiley and and Sons
(1961).
130
2.10.3.17. Diseo de Circuitos Integrados I (48 hrs)
Objetivo
Introducir al alumno en la tecnologa MOS de los circuitos integrados de muy alto nivel
de integracin (VLSI), para que comprenda los diferentes aspectos tecnolgicos que
intervienen en el funcionamiento de un dispositivo MOS, y de este modo saber
caracterizarlo y utilizar su modelo en la concepcin de circuitos bsicos.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN
1.1 Diseo de Circuitos Integrados Analgicos
1.2 Notacin, simbologa y terminologa
TEMA 2 TECNOLOGA CMOS

2.1 Procesos de fabricacin de dispositivos MOS
2.2 Transistor MOS
2.3 Componentes pasivos
2.4 Consideraciones geomtricas para los Circuitos Integrados
TEMA 3 MODELADO DE CIRCUITOS ANALGICOS CMOS

3.1 Modelo simple a gran seal para el transistor MOS
3.2 Modelo a pequea seal para el transistor MOS
3.3 Modelo de subumbral del transistor MOS
3.4 Uso de la computadora para la simulacin del transistor MOS
TEMA 4 CARACTERIZACIN DE LOS DISPOSITIVOS CMOS

4.1 Aspectos geomtricos de la caracterizacin
4.2 Caracterizacin mediante el modelo MOS simple y el modelo extendido
4.3 Caracterizacin de componentes resistivos
4.4 Caracterizacin de capacitancias
TEMA 5 CIRCUITOS ANALGICOS CMOS

5.1 Interruptor MOS
5.2 Cargas activas
5.3 Fuentes de corriente
5.4 espejos de corriente
TEMA 6 AMPLIFICADORES CMOS

6.1 Inversores
6.2 Amplificadores diferenciales
6.3 Amplificadores cascode
6.4 Etapas de salida
Bibliografa
131
CMOS Analog Circuit Design. Phillip E. Allen and Douglas R. Holberg. Sunders
College Publishing 1987.
132
2.10.3.18. Diseo de Circuitos Integrados II (48 hrs)
Objetivo
Presentacin y estudio de los sistemas analgicos fundamentales en tecnologa CMOS
para procesamiento de seales continas.
Contenido
TEMA 1 COMPARADORES
1.1 Modelo de un comparador
1.2 Desarrollo de un comparador CMOS
1.3 Comparador de dos etapas
1.4 Comparador con histresis
1.5 Tcnicas de auto-cero
1.6 Resumen
TEMA 2 AMPLIFICADORES OPERACIONALES CMOS DE

TRANSCONDUCTANCIA
2.1 Metodologa de diseo
2.2 Compensacin de amplificadores operacionales
2.3 Diseo de un amplificador operacional de dos etapas
2.4 Amplificadores operacionales "cascode"
2.5 Simulacin y medicin de amplificadores operacionales
TEMA 3 AMPLIFICADORES OPERACIONALES DE ALTO DESEMPEO

3.1 Amplificadores operacionales con etapa de salida MOS
3.2 Amplificadores operacionales con etapa de salida MOS/BJT
3.3 Amplificadores operacionales de alta velocidad y frecuencia
3.4 Estabilizacin por muestreo
3.5 Amplificadores operacionales de micro-potencia
3.6 Circuitos dinmicos con amplificadores operacionales
TEMA 4 CONVERTIDORES CMOS-CMOS D/A Y A/D

4.1 Caracterizacin de convertidores D/A
4.2 Convertidores D/A con escalamiento de voltaje y carga
4.3 Convertidores D/A tipo serie
4.4 Caracterizacin de convertidores A/D
4.5 Convertidores A/D tipo serie
4.6 Convertidores A/D de velocidad media
TEMA 5 CIRCUITOS Y SISTEMAS ANALGICOS CMOS

5.1 Multiplicadores analgicos
5.2 Circuitos generadores de ondas
Bibliografa
133
-CMOS Analog Circuit Design Phillip E. Allen and Douglas R. Holberg, Sunders HBJ
(1987)
134
2.10.3.19. Sistemas Neurodifusos I (48 hrs)
Objetivo
Presentacin y estudio de las propiedades de cmputo de redes neuronales artificiales,
abordando problemas en el rea de reconocimiento de patrones.
Contenido
TEMA 1 INTRODUCCIN
1.1 Redes neuronales artificiales
1.2 Redes neuronales biolgicas
1.3 Aplicaciones
1.4 Arquitecturas
TEMA 2 REDES NEURONALES SENCILLAS PARA CLASIFICACIN DE

PATRONES
2.1 Arquitecturas
2.2 Polarizaciones y umbrales
2.3 Separabilidad lineal
2.4 Representacin de datos
2.5 Red de Hebb
2.5.1 Algoritmo
2.5.2 Aplicaciones
2.6 Perceptron
2.6.1 Arquitectura
2.6.2 Algoritmo
2.6.3 Aplicacin
2.6.4 Teorema de convergencia de la regla de aprendizaje
2.7 Adaline
2.7.1 Arquitectura
2.7.2 Algoritmo
2.7.3 Aplicaciones
2.7.4 Derivaciones
2.7.5 Madaline
TEMA 3 ASOCIACIN DE PATRONES

3.1 Algoritmos de entrenamiento
3.1.1 Regla de Hebb
3.1.2 Regla Delta
3.2 Memoria heteroasociativa
3.2.1 Arquitectura
3.2.2 Aplicacin
3.3 Memoria autoasociativa
3.3.1 Arquitectura
3.3.2 Algoritmo
135
3.3.3 Aplicacin
3.3.4 Capacidad de almacenamiento
3.3.5 Memoria autoasociativa iterativa
3.3.6 Autoasociador lineal recurrente
3.3.7 Red "brain-state-in-a-box"
3.3.8 Autoasociador con funcin de umbral
3.3.9 Red de Hopfield discreta
3.3.10 Memoria asociativa bidireccional
3.3.11 Arquitectura
3.3.12 Algoritmo
3.3.13 Aplicacin
3.3.14 Anlisis
TEMA 4 REDES NEURONALES BASADAS EN COMPETENCIA

4.1 Redes competitivas de pesos fijos
4.2 Red "maxnet"
4.3 Red "mexican hat"
4.4 Red de Hamming
4.5 Arquitectura
4.6 Algoritmo
4.7 Aplicacin
4.8 Cuantizacin por aprendizaje vectorial
4.9 Arquitectura
4.10 Algoritmo
4.11 Aplicacin
4.12 Variaciones
4.13 Contrapropagacin
4.13.1 Contrapropagacin completa
4.13.2 Contrapropagacin nicamente en avance
TEMA 5 TEORA DE RESONANCIA ADAPTATIVA RED ART

5.1 Introduccin
5.2 Motivacin
5.3 Arquitectura bsica
5.4 Operacin bsica
5.5 Red ART 1
5.5.1 Arquitectura
5.5.2 Algoritmo
5.5.3 Aplicaciones
5.5.4 Anlisis
5.6 Red ART 2
5.6.1 Arquitectura
5.6.2 Algoritmo
5.6.3 Aplicaciones
5.6.4 Anlisis
136
TEMA 6 RED POR RETROPROPAGACIN DE ERRORES
6.1 Retropropagacin estndar
6.1.1 Arquitectura
6.1.2 Algoritmo
6.1.3 Aplicaciones
6.2 Variaciones
6.2.1 Procedimientos alternativos de actualizacin de pesos
6.2.2 Funciones de activacin alternativas
6.2.3 Retropropagacin estrictamente local
6.3 Resultados tericos
6.3.1 Derivacin de reglas de aprendizaje
6.3.2 Redes multinivel como aproximadores universales
TEMA 7 REDES AVANZADAS

7.1 Redes de pesos fijos para optimizacin restringida
7.1.1 Mquina de Boltzmann
7.1.2 Red de Hopfield continua
7.1.3 Mquina de Gauss
7.1.4 Mquina de Cauchy
7.2 Redes con aprendizaje
7.2.1 Aprendizaje de Hebb modificado
7.2.2 Mquina de Boltzmann con aprendizaje
7.2.3 Redes recurrentes sencillas
7.2.4 Retropropagacin en el tiempo
7.2.5 Retropropagacin para redes totalmente recurrentes
7.3 Arquitecturas adaptativas
7.3.1 Redes probalisticas
7.3.2 Correlacin en cascada
7.4 Red neocognitrn
7.4.1 Arquitectura
7.4.2 Algoritmo
Bibliografa
-Fundamentals of Neuronal Networks. Architectures, Algorithms and -Applications.
Laurene Fausett. Prentice Hall 1994.
-Neural Networks. A. Comprehensive Foundation. Simon Haykin Mac Millan 1994.
137
2.10.3.20. Sistemas Neurodifusos II (48 hrs)
Objetivo
Proporcionar los conceptos fundamentales de la lgica difusa, operaciones, propiedades,
caractersticas, operadores y relaciones de los conjuntos difusos, implantacin de
circuitos para lgica difusa, as como los principios de funcionamiento de controladores
difusos utilizando herramientas de cmputo.
Contenido
TEMA 1 CONJUNTOS DIFUSOS Y CONJUNTOS CERTEROS

1.1 Introduccin
1.2 Conceptos bsicos de conjuntos difusos
1.3 Lgica clsica y Lgica multivaluada
1.4 Lgica difusa
TEMA 2 OPERACIONES SIMPLES SOBRE LOS CONJUNTOS DIFUSOS

2.1 Inclusin difusa
2.2 Igualdad difusa
2.3 Interseccin difusa
2.4 Unin difusa
2.5 Negacin difusa
TEMA 3 PROPIEDADES DE LOS CONJUNTOS DIFUSOS

3.1 Conmuntatividad
3.2 Asociatividad
3.3 Distributividad
3.4 Involucin
3.5 Idempotencia
3.6 Leyes de De Morgan
3.7 Absorcin
3.8 Frmulas de equivalencia
3.9 Ley de no contradiccin. Ley del Tercero Excluido
TEMA 4 CARACTERSTICAS DE LOS CONJUNTOS DIFUSOS

4.1 Soporte
4.2 Altura
4.3 Punto de cruce
4.4 Corte-alfa
4.5 Corte-alfa estricto
4.6 Escalamiento difuso
4.7 Impulso difuso
4.8 Convexidad
4.9 Producto cartesiano
4.10 Relaciones difusas
138
4.11 Composicin
4.12 Principio de extensin
TEMA 5 OPERADORES ALTERNOS EN LA LGICA DIFUSA

5.1 Normas-t
5.2 Conormas-t
5.3 Parejas de normas t y conormas t tpicas
5.3.1 Producto drstico. Producto acotado. Suma acotada
5.3.2 Producto einsteniano. Suma einsteniana. Suma algebraica
5.3.3 Producto de hamacher. Suma de hamacher
5.3.4 Operador mnimo. Operador mximo. Diferencia acotada
5.4 Criterios para seleccionar operadores apropiados de agregacin
TEMA 6 RELACIONES DIFUSAS

6.1 Ecuaciones certeras y difusas
6.2 Relaciones binarias
6.3 Relacin binaria sobre un conjunto simple
6.4 Relaciones de equivalencia y similitud
6.5 Relaciones de compatibilidad o tolerancia
6.6 Ordenamientos
6.7 Morfismos
6.8 Ecuaciones de relacin difusa
TEMA 7 INFERENCIA DIFUSAS

7.1 Sistemas expertos difusos
7.2 Modelos de inferencia difusa
7.3 Inferencia de tipo Modus Ponens-Tollens
7.4 Funciones de implicacin
7.5 Inferencia basada en el Modus Ponens
7.6 Inferencia en sistemas con mltiples reglas
7.7 Planos de inferencia
TEMA 8 ARITMTICA DE NMEROS DIFUSOS

8.1 Intervalo de certidumbre
8.2 Nmeros inciertos o nmeros difusos
8.3 Suma de nmeros difusos
8.4 Multiplicacin de nmeros difusos
8.5 Mnimo y Mximo de nmeros difusos
8.6 Convolucin y Doconvolucin
8.7 L-R
8.8 Nmeros triangulares
TEMA 9 CONTROLADORES LGICOS DIFUSOS

9.1 Sistema de control difuso. Componentes del sistema
9.2 Mtodos de fusificacin
9.2.1 Tablas de bsqueda
139
9.2.2 Funciones de membresa triangulares y trapezoidales
9.2.3 Funciones matemticas
9.2.4 Universo de discurso
9.3 Evaluacin de reglas
9.3.1 Definicin de reglas
9.3.2 representacin matricial
9.4 Defusificacin. Mtodos de defusificacin
9.5 Etiquetas difusas
9.6 Estrategia de diseo de un controlador lgico difuso
9.6.1 Modelizacin del operador experto
9.6.2 Modelizacin del sistema
9.6.3 Dictado de reglas
9.6.4 Superficies de control
TEMA 10 ARQUITECTURAS CLSICAS DE CIRCUITOS CON LGICA

DIFUSA
10.1 Realizaciones analgicas
10.2 Realizaciones digitales
TEMA 11 MANEJO DE UN SIMULADOR PARA INFERENCIAS DIFUSAS

11.1 Edicin
11.2 Creacin de funciones de membresa
11.3 Dictado de reglas
11.4 Defusificacin
11.5 Superficies de control
11.6 Ejemplos de aplicacin
Bibliografa
-Klir G. J. And Folger T.A. FUZZY SETS, UNCERTAINTY AND INFORMATION
Eds. Prentice Hall 1988.
-Kosko B. NEURAL NETWORKS AND FUZZY SYSTEMS Eds. Prentice Hall 1992.
-Kaufmann A. And Gupta M. M. INTRODUCTION TO FUZZY ARITHMETIC Eds.
Van Nostrand Reinhold 1991.
140
2.10.3.21. Sistemas Neurodifusos III (48 hrs)
Objetivo
El objetivo de este curso es presentar al estudiante los conceptos fundamentales en las
reas de diseo de sistemas electrnicos desarrollados en tecnologa CMOS, mostrando
las propiedades elctricas que son anlogas a los modelos de sistemas neuronales
artificiales y de sistemas de lgica difusa. Se abordan casos especficos para mostrar una
metodologa de desarrollo de estos sistemas.
Contenido
1) Sistemas neurodifusos.
1.1) Modelado de sistemas neurodifusos.
1.2) Combinacin de redes neuronales y sistemas difusos.
1.3) Tipos de sistemas neurodifusos.
2) Sistemas neurodifusos hbridos.
2.1) Introduccin
2.2) La arquitectura ANFIS
Descripcin de capas funcionales
Algoritmo de aprendizaje hbrido
Regla de aprendizaje hbrida
o Mtodo descendiente abrupto
o Mtodo de mnimos cuadrados
ANFIS y la regla de aprendizaje hbrida
ANFIS en el ambiente de Matlab
3) Sistemas neurodifusos basados en el Perceptron difuso.

3.1) El perceptron difuso
3.2) El controlador neurodifuso Nefcon
Arquitectura
Regla de aprendizaje
Software de simulacin
3.3) El clasificador neurodifuso Nefclasss
Arquitectura
Regla de aprendizaje
Software de simulacin
3.4) Aproximador de funciones Nefprox
Arquitectura
Aprendizaje de parmetros y estructura
4) Diseo de circuitos integrados neurodifusos.

4.1) Principio translineal generalizado
4.2) Derivacin del Principio MOS Translineal - MTL
4.3) Topologas de Mallas
4.4) Anlisis de circuitos MOS translineales
141
4.5) Grafos translineales (TL graphs)
4.6) Anlisis sistemtico de redes MTL
4.7) Multiplicador de Cuatro Cuadrantes MTL
4.8) Circuitos CMOS para construir celdas bsicas de ANFIS
Generador de funciones de membresa
Operador norma-T
Multiplicador/divisor
Circuitos auxiliares
5) Simulacin de celdas y pruebas elctricas.
5.1) Simulacin a nivel funcional (Matlab)
5.2) Simulacin elctrica (PSpice)
Modelos, parmetros y tipos de anlisis
Generador de funciones de membresa
Operador norma-T
Multiplicador/divisor
5.3) Diseo topolgico
Celdas bsicas
Circuito integrado completo
Extraccin elctrica
5.4) Fabricacin
5.5) Pruebas elctricas
Diseo de circuitos de prueba
Pruebas a nivel de celdas
Pruebas a nivel sistema
Bibliografa
J. S. R. Jang, C. T. Sun and E. Mizutani, Neuro-Fuzzy and Soft Computing: A
Computational Approach to Learning and Machine Intelligence. Prentice Hall, 1997.
ISNB: 0-13-261066-3.
D. Nauck, F. Klawonn and R. Kruse, Foundations of Neuro-fuzzy Systems. John Wilwy

& Sons, 1997. ISBN: 0-471-97151-0.
R. J. Wiegerink, Analysis and Synthesis of MOS Translinear Circuits, Kluwer

Academic Publishers, 1993. ISBN: 0-7923-9390-2.
C. T. Lin and C. S. G. Lee, Neural Fuzzy Systems. Prentice Hall PTR, 1996. ISBN: 0-
13-235169-2.
Sitios WEB
Jyh-Shing Roger Jang.
http://neural.cs.nthu.edu.tw/jang/
Neural Networks and Fuzzy Systems.

Nauck/Klawonn/Kruse.
142
http://fuzzy.cs.uni-magdeburg.de/papers.html
Internet's Resources for Neuro-Fuzzy and Soft Computing.

http://www.cs.nthu.edu.tw/~jang/nfsc.htm
143
2.10.3.22. VLSI para Sistemas Neurodifusos (48 hrs)
Objetivo
El objetivo de este curso es presentar al estudiante los conceptos fundamentales en las
reas de diseo de sistemas electrnicos desarrollados en tecnologa CMOS, mostrando
las propiedades elctricas que son anlogas a los modelos de sistemas neuronales
artificiales y de sistemas de lgica difusa. Se abordan casos especficos para mostrar una
metodologa de desarrollo de estos sistemas.
Contenido
Introduccin.
1. Revisin de Tcnicas de Implementacin en Hardware..
2. Redes Neuronales Artificiales Generalizadas.
3. Diseo de Arquitectura. Fundamentos.
4. Diseo, Modelado e Implantacin de un Dispositivo MOS Sinptico.
5. Red Neuronal Artificial basada en el Dispositivo MOS Sinptico.
6. Red Neuronal Artificial Cuadrtica.
7. Consideraciones Tecnolgicas. Memorias Analgicas. Efectos de Escalamiento.
8. Memorias Analgicas Avanzadas. Mecanismos de Inyeccin con

Portadores Calientes y por Tuneleo
9. Estructuras de Memoria Anti-Fusible.
10. Conclusiones.
Bibliografa
- VLSI-Compatible Implementations for Artificial Neural Networks
Sied Mehdi Fakhraie and Kenneth C- Smith
Kluwer Academic Publishers, Boston MA, USA (1997)
- Learning on Silicon. Adaptive VLSI neural systems

Gert Cauwenberghs and Magdy A. Bayoumi (editors)
Kluwer Academic Publishers, Boston MA, USA (1999)
144
2.10.4. Cursos de Mecatrnica
2.10.4.1. Introduccin a la Mecatrnica (60 hrs)
Objetivo
El objetivo de este curso es proporcionar al estudiante un panorama general de las diversas
disciplinas que competen a la Mecatrnica. El enfoque de este curso es fundamentalmente
prctico, con casos de estudio que muestran el diseo integrado de Sistemas Mecatrnicos.
Contenido
1. Introduccin
1.1 Qu es la Mecatrnica? La combinacin de mecnica, electrnica, control y
computacin
1.2 Diseo integrado
1.3 Ejemplos
2. Modelado de sistemas elctricos, mecnicos y electromecnicos

2.1 Motivacin
2.2 Sistemas elctricos, circuitos elctricos, magnticos
2.3 Sistemas mecnicos, cadenas cinemticas, levas, trenes de engranajes, ruedas dentadas,
bandas y cadenas, soportes, tornillos
2.4 Sistemas electromecnicos. Motores de CD y CA
3. Actuadores, sensores, transductores y medicin

3.1 Requerimientos fsicos y computacionales
3.2 Desplazamiento, posicin, proximidad, velocidad y movimiento, fuerza
3.3 Sensores fotoelctricos y ultrasnicos
3.4 Acondicionamiento de seales, filtraje, conversin A/D y D/A
3.5 Interfases, puertos entrada/salida
4. Conceptos bsicos de control

4.1 Espacio de estados
4.2 Transformada de Laplace y Respuesta frecuencial
4.3 Control clsico, compensadores PID
4.4 Realimentacin del vector de estados
4.5 Simulacin
5. Integracin de sistemas.
Ejemplos
Bibliografa
1. S. Cetinkunt. Mechatronics. Hoboken, NJ, John Wiley and Sons, 2007.
2. R. H. Bishop (editor). The mechatronics handbook. Boca Raton, FL, CRC Press,
145
2002.
3. W. Bolton. Mechatronics: electronic control systems in mechanical engineering.
2nd ed. Harlow, Longman, 1999.
4. D. M. Auslander. Mechatronics: mechanical system interfacing. Upper Saddle
River, N.J., Prentice Hall, 1996.
5. L. J. Kamm. Understanding electro-mechanical engineering: an introduction to
mechatronics. New York, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
146
2.10.4.2. Introduccin al Control de Sistemas no Lineales (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al estudiante los elementos fundamentales para el anlisis de sistemas dinmicos
descritos por ecuaciones diferenciales ordinarias y por ecuaciones en derivadas parciales. En
este curso el alumno debe aprender a relacionar conceptos como equilibrio, estabilidad,
soluciones peridicas con ejemplos fsicos provenientes de algunos sistemas mecatrnicos.
Contenido
Introduccin.
Algunos ejemplos introductorios de sistemas no lineales descritos por ecuaciones
diferenciales ordinarias: el pndulo, sistemas masa resorte, manipulador robtico de uno y dos
grados de libertad.
Otros ejemplos de sistemas dinmicos de inters en la mecatrnica.
Conceptos Fundamentales.
Concepto de punto de equilibrio, puntos de equilibrio mltiples.
Comportamiento alrededor de puntos de equilibrio.
Ciclos lmites.
Planos de fase.
Bifurcaciones.
Estabilidad en el sentido de Lyapunov.
Funciones de Lyapunov.
Criterio de Sylvester.
Teoremas de Lyapunov sobre la estabilidad del movimiento.
Teoremas de estabilidad asinttica.
Teoremas de inestabilidad.
Mtodos para la obtencin de funciones de Lyapunov.
Aplicaciones.
Conceptos avanzados de estabilidad.
El teorema de la variedad central.
Regiones de atraccin y Teoremas de Invarianza.
Ejemplos fsicos.
Sistemas dinmicos en tiempo discreto.

Existencia y unicidad de soluciones.
Equilibrios.
Estabilidad.
Primer y segundo mtodo de Lyapunov.
Control de Sistemas No Lineales.

Diseo por aproximacin tangente, Estabilizacin, Regulacin y Seguimiento de Trayectorias.
Linealizacin exacta por realimentacin y cambio de coordenadas.
Diseos basados en Lyapunov.
147
Sistemas Dinmicos de Dimensin Infinita.
Algunos ejemplos motivadores dentro de la mecatrnica que ameriten descripcin mediante
ecuaciones en derivadas parciales.
La ecuacin de transporte. El caso homogneo y no-homogneo.
Ecuaciones de onda. La solucin de DAlembert. Solucin por mtodos esfricos. El
problema no homogneo.
La cuerda vibrante finita, la barra vibrante, longitudinal y torsional.
Bibliografa
S. Sastry. Nonlinear Systems. Systems and Control. Springer. New York 1999.
H. Khalil. Nonlinear Systems, Third Edition. Prentice Hall, 2006.
D. Merkin. Introduction to the Theory of Stability. Texts in Applied Mathematics, Springer
1997.
S. Karlov. Partial Differential Equations for Scientists and Engineers. John Wiley and Sons,
New York, 1982.
M. Vidyasagar, Nonlinear Systems Analysis. 2nd. Edition. Prentice-Hall. Englewood Cliffs,
N.J., 1993.
H. Sira-Ramrez and S. K. Agrawal. Differentially Flat Systems. Marcer Dekker, New York,
2004.
E.D. Sontag, Mathematical control theory. Deterministic finite dimensional systems, 2nd.
Edition, Texts in applied mathematics 6, Springer-Verlag, 1990.
J. Zabczyk, Mathematical control theory: An introduction, Birkhuser, Boston, 1992.
F. John. Partial Differential Equations, 4th edition. Springer, New York, 1982.
148
2.10.4.3. Modelado y Simulacin Dinmica de Sistemas Mecatrnicos (64
hrs)
Objetivo
Proveer al alumno con las herramientas fundamentales del modelado de sistemas dinmicos,
con nfasis especial en el modelado de sistemas mecnicos, elctricos y electromecnicos. Se
explica en detalle la derivacin de las ecuaciones de Euler-Lagrange a partir del Clculo de
Variaciones. Se realizan una serie de ejemplos ilustrativos de modelado de estos sistemas con
una visin hacia la simulacin en lazo abierto de estos sistemas y se introduce someramente
las posibilidades de regulacin y control de tales sistemas con leyes de control simples.
Simulacin y animacin de modelos dinmicos de sistemas fsicos.
Contenido
1. Clculo de Variaciones
1.1. Condiciones estacionarias en dimensiones finitas y su contraparte en infinitas
dimensiones.
1.2. Definicin de la variacin de una funcional.
1.3. Ecuaciones de Euler.
1.4. Ejemplo de la Braquistcrona y otros ejemplos clsicos.
2. Ecuacin del movimiento

2.1. Introduccin a la mecnica clsica, Principio de Relatividad de Galileo, Leyes de
Newton.
2.2. El Lagrangiano de un sistema y sus propiedades generales.
2.3. Invariancia respecto de integrales exactas.
2.4. Lagrangiano de un sistema compuesto.
2.5. Ecuaciones de Euler Lagrange de sistemas elementales de partculas y de sistemas
complejos.
2.6. Ejemplos de aplicacin a sistemas mecnicos.
2.7. Modelado de circuitos elctricos utilizando las ecuaciones de Euler-Lagrange.
2.8. Restricciones holonmicas.
2.9. Rudimentos del modelado en la Electrnica de Potencia y en los sistemas
electromecnicos.
2.10. Ejemplos.
3. Modelado de robots manipuladores

3.1. Manipuladores Robticos completamente actuados.
3.2. Modelado usando las ecuaciones de Euler Lagrange y la Segunda Ley de Newton.
3.3. Clculo de trayectorias nominales.
3.4. Simulacin de Robots.
3.5. Ejemplos de preclculo de trayectorias nominales en robots manipuladores
completamente actuados y su utilizacin en leyes de control simples.
4. Modelado de robots mviles
149
4.1. Modelos cinemticos, simulacin y preclculo de trayectorias.
4.2. Restricciones no-holonmicas.
4.3. Incorporacin de restricciones al modelado Euler Lagrange.
4.4. Modelos de carros simples, carros con remolques, el cycab.
4.5. Robots prismticos mviles.
4.6. Modelado del avin de despegue vertical.
4.7. Modelado del hovercraft.
4.8. Modelado del bpedo caminante y otros robots mviles.
Bibliografa
V.I. Arnold, Mathematical methods of classical mechanics, 2a edicin , Springer-Verlag,
1989.
L. Landau y E. Lifchitz, Fsica Terica, MIR, Mosc, 1982.
F. Gantmacher, Lectures in Analytical Mechanics, Mir Mosc, 1970.
R. Kelly y V. Santibez, Control de Movimiento de Robots Manipuladores, Pearson 2003.
A. Bloch, Nonholonomic Mechanics and Control, Springer-Verlag, 2003
H. Goldstein, Ch. Poole and J.L. Safko. Classical Mechanics, 3rd. Edition, Addison-
Wesley, Publishing Co. Reading Mass., 2002.
J.V. Jose and E.J. Saletan, Classical Dynamics: A Contemporary Approach,
Cambridge University Press, Boston, 1998.
J. Marsden and T. Ratiu, Introduction to mechanical systems and symmetry: a basic
exposition to classical mechanical systems, Nmero 17 en Texts in Applied Mathematics,
Springer-Verlag, 1999.
150
2.10.4.4. Diseo Mecnico (64 hrs)
Objetivos
Proporcionar los fundamentos y herramientas bsicas para resolver problemas que se originan
en el Diseo Mecnico, desde la concepcin hasta el diseo de mecanismos, elementos de
mquinas e integracin de sistemas mecatrnicos. El curso contempla tambin elementos de
mecnica de materiales, cinemtica, vibraciones y aplicacin de mtodos de la mecnica
computacional.
Contenido
1. Introduccin.
1.1. Introduccin general.
1.2. El diseo mecnico.
1.3. Procedimiento general en el diseo.
1.4. Consideraciones importantes en el diseo.
1.5. Factor de seguridad.
1.6. Algunos casos documentados de fallas.
1.7. La evolucin de la Mecnica.
1.8. El papel del diseo mecnico en Mecatrnica.
2. Mecnica de materiales.
2.1 Anlisis de cargas.
2.2 Ecuaciones de equilibrio.
2.3 Esfuerzo y deformacin.
2.4 Esfuerzos de tensin/compresin, cortante, torsin y flexin.
2.5 Propiedades mecnicas de materiales.
2.6 Anlisis de esfuerzos principales.
2.7 Crculo de Mohr.
2.8 Teoras de falla.
2.9 Impacto y fatiga.
2.10 Mecnica de la fractura.
3. Diseo de elementos de mquinas.

3.1 Tornillos y sujetadores.
3.2 Uniones soldadas y adherentes.
3.3 Resortes.
3.4 Ejes, flechas y cojinetes.
3.5 Engranes y trenes de engranes.
3.6 Transmisiones mecnicas con elementos flexibles.
3.7 La optimacin de elementos de mquinas.
3.9 El empleo de las herramientas de CAD/CAE
4. Introduccin al mtodo de elemento finito.

4.1. Introduccin.
151
4.2. Anlisis de esfuerzos y equilibrio.
4.3. Condiciones de frontera.
4.4. Energa potencial.
4.5. Mtodo de Rayleigh-Ritz.
4.6. Mtodo de Galerkin.
4.7. Casos de esfuerzo unidimensional, plano y tridimensional.
4.8. Ecuaciones de movimiento de un elemento.
4.9. Programas para anlisis y simulacin.
Bibliografa
1. R.E. Bishop, The Mechatronics Handbook, CRC Press, Boca Raton, FL, 2002.
2. T. Chandrupatla, A.D. Belegundu, Introduccin al Estudio del Elemento Finito en
Ingeniera, 2 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1999.
3. R.C. Hibbeler, Mecnica de Materiales, 3 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1998.
4. S. Moaveni, Finite Element Analysis: Theory and Application with ANSYS, 2nd edition,
Pearson Education, NJ, 2003.
5. R.L. Norton, Diseo de Mquinas, 1 Edicin, Prentice Hall, Mxico, 1999.
6. O.D. Nwokah, Y. Hurmuzlu, The Mechanical Systems Design Handbook: modeling,
measurement, and control, CRC Press, Boca Raton, FL, 2001.
7. S.S. Rao, The Finite Element Method in Engineering, Elsevier-Butterworth-Heinemann,
Oxford, UK, 2005.
8. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Diseo en Ingeniera Mecnica, 5 Edicin, McGraw-Hill,
Mxico, 1990.
9. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Mechanical Engineering Design, 6th Edition, McGraw-Hill,
NY, 2001.
10. J.E. Shigley, J.J. Uicker, Teora de Mquinas y Mecanismos, McGraw-Hill, Mxico,
1988.
11. J.E. Shigley, C.R. Mischke, Standard Handbook of Machine Design, 2nd Edition,
McGraw-Hill, 1996.
152
2.10.4.5. Robtica I (56 hrs)
Objetivo
Este curso pretende fomentar en el alumno una visin global de la robtica como una
aplicacin central de la Mecatrnica. Se proporcionarn conocimientos y herramientas para
resolver problemas del modelado, anlisis, diseo y control de robots, desde la concepcin
hasta el diseo y operacin de robots manipuladores. El curso contempla integrarse con el
diseo mecnico, sensores y actuadores, electrnica, programacin, manufactura, etc. As
como experimentos de laboratorio.
Contenido
1. Introduccin
1.1 Robtica.
1.2 Robots industriales.
1.3 Estructuras de manipuladores.
1.4 Modelacin y control de robots manipuladores.
1.5 Robtica como una aplicacin de la Mecatrnica.
2. Cinemtica
Posicin y orientacin de un cuerpo rgido.
Matriz de rotacin.
2.3 Angulos de Euler.
2.4 Transformaciones homogneas.
2.5 Cinemtica directa.
2.6 Espacio de trbajoj.
2.7 Cinemtica inversa.
2.8 Cinemtica diferencial y esttica.
2.9 Ejemplos.
3. Dinmica
3.1 Formulacin Euler-Lagrange.
3.1.1. Clculo de la energa potencial.
3.1.2. Clculo de la energa cintica.
3.1.3 Ecuaciones de movimiento.
3.2 Propiedades del modelo dinmico.
3.3 Formulacin Newton-Euler.
3.4 Dinmica directa y dinmica inversa.
3.5 Ejemplos.
4. Planificacin de Trayectorias
4.1 Districin entre ruta y trayectoria.
4.2 Trayectorias en el espacio articular.
4.2.1. Movimiento punto a punto.
4.2.2. Movimiento a lo largo de rutas.
153
4.3 Trayectorias en el espacio operacional.
4.3.1. Rutas primitivas.
4.3.2. Posicin.
4.3.3. Orientacin.
5. Control del Movimiento

5.1 El problema del control.
5.2 Control en el espacio articular.
5.3 Control independiente de las articulaciones.
5.4 Control por par calculado.
5.5. Control centralizado.
5.6 Control en el espacio operacional.
5.7 Interaccin de robots con el entorno.
5.7.1. Control de compliancia.
5.7.2. Control de impedancia.
5.7.3 Control de fuerza.
6. Actuadores y Sensores
6.1 Actuadores, transmisiones y servomotores.
6.2 Sensores de posicin, velocidad, aceleracin y fuerza.
7. Consideraciones Generales
7.1 Configuraciones y arquitecturas de robots.
7.2 Sobre los lenguajes de programacin y simulacin.
Bibliografa
-J. Angeles, Fundamentals of Robotic Mechanical Systems: Theory, Methods and Algorithms,
Springer-Verlag, New York, 1997.
-K.S. Fu, R.C. Gonzlez, C.S.G. Lee, Robotics: Control, Sensing, Vision and Intelligence,
McGraw-Hill, New York, 1987.
-B-Z. Sandler, Robotics: Designing for Mechanisms for Automated Machinery 2nd Edition,
Academic Press, San Diego, 1999.
-L. Sciavicco, B. Siciliano, Modelling and Control of Robot Manipulators, 2nd Edition,
Springer-Verlag, London, 2000. (Texto principal).
-J.M. Selig, Introductory Robotics, Prentice-Hall International, UK, 1992.
-J.E. Shigley, J.J. Uicker, Teora de Mquinas y Mecanismos, McGraw-Hill, Mxico, 1988.
-M.W. Spong, M. Vidyasagar, Robot Dynamics and Control, Wiley, New York, 1989.
-W. Stadler, Analytical Robotics and Mechatronics, McGraw-Hill, Singapore, 1995.
154
2.10.4.6. Sistemas Mecatrnicos (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar los fundamentos tericos del diseo integrado de sistemas mecatrnicos
empleando el enfoque de la programacin matemtica. Mediante dos casos de estudio, el
estudiante aprender a crear modelos matemticos apropiados para diseo, basados en la
optimizacin y usar tcnicas analticas y computacionales para solucionar el problema de
diseo de sistemas mecatrnicos.
Contenido
Parte I. Modelado.
Captulo I. Introduccin
Captulo 2. Modelado Integrado de Sistemas Electromecnicos mediante el enfoque de Bond-

graphs
2.1 Sistemas multipuerto y grficas de vnculos

2.2 Campos multipuerto y estructuras de unin
2.3 Transductores, Amplificadores e Instrumentos
2.4 Sistemas Mecnicos con geometra no lineal
Captulo 3. Anlisis dinmico y modelado de la etapa de control
3.1 Sistemas en lazo cerrado con controladores lineales

3.2 Sistemas en lazo cerrado con controladores no lineales
3.2.1 Controladores por par calculado
3.2.2 Controladores por modos deslizantes
Parte II. Programacin matemtica.
Captulo 4. Introduccin a la programacin matemtica
4.1 Optimizacin del diseo

4.2 Factibilidad y Acotacin
4.3 Existencia de soluciones ptimas
4.4 Exploracin local sin restricciones
4.5 Exploracin local con restricciones
Captulo 5. Diseo paramtrico ptimo de sistemas mecnicos
5.1 Soluciones paramtricas

5.2 Variables independientes y optimalidad
5.3 Diseo de un tren de engranes
155
Parte III. Casos de estudio.
Captulo 6. Optimizacin del diseo concurrente de la estructura mecnica y el control de

robots de alta velocidad
6.1 Modelado de la estructura mecnica

6.2 Diseo del controlador
6.3 ndice de desemepeo y restricciones
6.4 Diseo del sistema integrado como un problema de programacin matemtica
Captulo 7. Un enfoque sistemtico para el diseo de sistemas de posicionamiento de

mquinas herramientas de alta velocidad
7.1 Modelado del sistema de posicionamiento

7.2 Factores de evaluacin
7.3 Anlisis de desempeo
7.4 Formulacin del problema de diseo integrado
Bibliografa
Dean C. Karnopp, Donald L. Margolis, and Ronald C. Rosenberg, System Dynamics:
Modeling and Simulation of Mechatronic Systems, 4th Edition, John Wiley & Sons, 2006.
Panos Y. Papalambros and Douglass J. Wilde, Principles of Optimal Design: Modeling and
Computation 2nd Edition, Cambridge University Press 2000.
Park JH, Asada H. Concurrent design optimization of mechanical structure and control for
high speed robots. ASME J Dynam Syst Meas Contr 1994;116(3):34456.
Min-Seok Kim, Sung-Chong Chung, A systematic approach to design high-performance

feed drive systems International Journal of Machine Tools & Manufacture 45 (2005) 1421
1435
156
2.10.4.7. Mecnica Clsica (64 hrs)
Objetivo
Proveer al alumno de las bases fundamentales de tipo terico sobre la mecnica clsica,
sus postulados y resultados principales as como sus problemas fundamentales. Este
curso es un curso formativo que dar al alumno un espritu y visin de la ciencia fsica a
lo largo de los ltimos 3 siglos en el contexto de los problemas que han debido ser
resueltos para lograr una descripcin convincente del mundo fsico, en general, y de
sistemas mecnicos en particular.
Contenido
1. Revisin de la mecnica newtoniana

2. Clculo de Variaciones y la Ecuacin de Euler
3. Los principios de Lagrange y Hamilton
4. Lagrangianos con restricciones
5. Coordenadas generalizadas y el principio del trabajo virtual
6. Conservacin de la Energa y la Dinmica de Hamilton
7. Ecuaciones Cannicas en el espacio de fase. El teorema de Noether
8. Transformaciones Cannicas
9. El problema de Kepler
10. Colisiones elsticas e inelsticas
11. Scatering (Dispersin)
12. Mecnica del cuerpo rgido. Angulos de Euler y Ecuaciones del movimiento
13. Lagrangianos de sistemas continuos. Slidos y fluidos. Generalizacin a las
Ecuaciones de Lagrange.
Bibliografa
Goldstein, Herbert. Classical Mechanics. 3rd ed. San Francisco, CA: Addison-Wesley,
2002.
Marion, Jerry B., and Stephen T. Thornton. Classical Dynamics. 4th ed. Fort Worth,
TX: Saunders College Pub., 1995.
L. Landau, y E. Lifchitz, , Fsica Terica, Tomo 1. Mecnica, Editorial MIR, Mosc,
1982.
I. Fantoni y R. Lozano, Nonlinear Control of Underactuated Systems, Springer, London
2002.
J. Marsden y T. Ratiu Introduction to Mechanical Systems and Symmetry. A basic

exposition of Classical Mechanical Systems,. Texts in Applied Mathematics, Nmero
17. Springer-Verlag, 1999.
J. Jos and E. Saletan, Classical Dynamics: A contemporary Approach. Cambridge

University Press. 2002.
157
2.10.4.8. Sistemas No Lineales I (64 hrs.)
Objetivo
Que el estudiante sea capaz de utilizar las herramientas bsicas de anlisis de sistemas
no lineales utilizando el enfoque geomtrico. De igual manera, el estudiante disee
esquemas de control bsicos para resolver problemas clsicos en este tipo de sistemas.
Contenido
1. Introduccin.
1.1. Modelos No Lineales.
1.2. Complejidad de la Dinmica No Lineal.
1.3. Algunos Ejemplos de Sistemas No Lineales.
2. Conceptos Bsicos de Geometra Diferencial.

2.1 Difeomorfismos.
2.2 Espacios Tangentes y Campos Vectoriales.
2.3 Variedades.
2.4 Distribuciones y Codistribuciones.
2.5 Teorema de Frobenius.
3. Controlabilidad, Observavilidad y Descomposiciones Locales.

3.1 Controlabilidad.
3.2 Observabilidad.
3.3 Distribuciones Invariantes.
3.4 Descomposiciones Locales.
4. Control No Lineal de Sistemas Multivariables.

4.1. Transformacin de Coordenadas.
4.2. Linealizacin Exacta por Retroalimentacin.
4.3. Control No Interactivo.
4.4. Desacoplamiento a Perturbaciones y Seguimiento en la Salida.
4.4. Extensin Dinmica.
5. Tpicos Avanzados de Control No Lineal.

5.1. Control por Modos Deslizantes.
5.2. Observadores No Lineales.
5.3. Linealizacin por Retroalimentacin Adaptable.
Bibliografa
12. A. Isidori, Nonlinear Control Systems, 3rd Edition, Springer, London, 1995.
13. S. Sastry, Nonlinear Systems: Anlisis, Stability and Control, Springer, NY, 1999.
14. R. Marino, P. Tomei, Nonlinear Control Design, Prentice Hall, London, 1995.
15. J.J. Slotine, W. Li, Applied Nonlinear Control, Prentice Hall, NJ, 1991.
16. H.J. Marquez, Nonlinear Control Systems, Wiley-Interscience, NJ, 2003.
158
17. H. Nijmeijer, A.J. van der Schaft, Nonlinear Dynamical Control Systems,
Springer, NY, 1990.
159
2.10.4.9. Pasividad y Diseos Recursivos en Sistemas Dinmicos (64 hrs)
Objetivos
Proporcionar los conceptos y herramientas matemticas relacionados al concepto de la
pasividad en sistemas dinmicos. Disear esquemas de control basados en el concepto
de la pasividad, en particular, moldeo de energa y diseos recursivos.
Contenido
1. Conceptos de Pasividad.
1.1. Disipatividad y pasividad.
1.2. Interconexin de sistemas pasivos.
1.3. Estabilidad en el sentido de Lyapunov y pasividad.
1.4. Equivalencia a sistemas pasivos.
1.5. Pasividad como una herramienta para estabilizacin.
1.6. Mrgenes de estabilidad.
2. Moldeo de Energa.
2.1 Ecuaciones de Euler-Lagrange y pasividad.
2.2 Estabilizacin por molde de la energia potencial.
2.3 Estabilizacin por inyeccin de amortiguamiento.
2.4 Sistemas Hamiltonianos con puertos.
2.5 Control por interconexin.
2.6 Control por asignacin de la interconexin y del amortiguamiento.
3. Diseos en cascada.
3.1 Sistemas en cascada.
3.2 Diseo por retroalimentacin parcial del estado.
3.3 Pasivacin por retroalimentacin de sistemas en cascada.
3.4 El sistema TORA.
4. Diseos recursivos.
4.1. Backstepping.
4.2. Forwarding.
4.3. Sistemas interconectados.
Bibliografa
18. R. Sepulchre, M. Jankovic y P. Kokotovic, Constructive Nonlinear Control,
Springer-Varlag, 1997.
19. A. J. van der Schaft, L2-Gain and Passivity Techniques in Nonlinear Control, 2
revised and enlarger edition, Springer-Verlag, Springer Communications and
Control Engineering series, p. xvi+249, London, 1999.
160
20. R. Ortega, A. Loria, P.J. Nicklasson y H. Sira-Ramirez, Pasivit-based Control of
Euler-Lagrange Systems, 1 Edicin, Springer-Verlag, London, 1998.
21. R. Ortega, A. van der Schaft, B. Maschke y G. Escobar, Interconnection and
damping assignment passivitybased control of portcontrolled hamiltonian systems
nite, Automatica, Vol. 38, No. 4, April, 2002nd edition, Pearson Education, NJ,
2003.
161
2.10.4.10. Control por Planitud Diferencial (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al alumno las bases tericas as como la significacin prctica del
concepto de la Planitud diferencial en las siguientes clases de sistemas dinmicos
controlados: Sistemas Lineales continuos y discretos del tipo mono-variable y multi-
variable. Sistemas no lineales continuos y discretos de naturaleza mono y multi-
variables. Sistemas lineales con retardos y sistemas descritos por ecuaciones en
derivadas parciales cuya accin de control concentrada reside en la frontera del sistema.
El nfasis del curso ser tratar el diseo de controladores para sistemas de naturaleza
fsica mediante la adecuada planificacin de trayectorias.
Contenido
1. Introduccin
La planitud como elemento natural en los sistemas sobredeterminados. Ejemplo en
ecuaciones lineales algebraicas. Ventajas y dificultades de una parametrizacin
diferencial. Preclculo. Satisfaccin de restricciones. Invertibilidad dinmica sin
dinmica de ceros. El control calculado como precursor de la planitud. Diseo de
controladores para estos casos. Ejemplos de aplicacin.
2. Planitud en Sistemas Lineales mono-variables y multi-variables, continuos y

discretos. Sistemas descritos por funciones y matrices de transferencia. La igualdad de
Bezout. Sistemas descritos por ecuaciones de estado. Equivalencia entre controlabilidad
y planitud. Sistemas descritos por ecuaciones matriciales. Diseo de controladores
usando planitud en esta clase de sistemas. Ejemplos fsicos.
3. Planitud en Sistemas no lineales continuos mono-variables. Controlabilidad no

lineal. Comparacin con las condiciones de Isidori para el caso contnuo. Ejemplos
fsicos. Caso multivariable. Extensiones dinmicas. Ejemplos fsicos. El PVTOL,
Robtica Mvil. Sistemas en forma de cadenas. Diseo de controladores. Planitud en
sistemas no lineales discretos.
4. Planitud en Sistemas de dimensin infinita. El caso de sistemas lineales con

retardos. Ejemplos de naturaleza fsica. Revisin del concepto de planitud en sistemas
descritos por ecuaciones en derivadas parciales lineales controladas desde la frontera.
Plenitud infinito dimensional. La ecuacin de la transmisin del calor. La barra flexible
torsional y la barra flexible longitudinal. Crecimiento de cristales y otros ejemplos de
naturaleza fsica. etc.
5. Sistemas no diferencialmente planos. El caso de los sistemas Liouvilianos.

Ejemplos fsicos. Plenitud infinita a la Picard. Ejemplos de sistemas subactuados no
planos. El pndulo de longitud variable. El pndulo de Furuta. Control de Sistemas de
fase no-mnima. Ejemplos de aplicacin.
162
6. Estimacin de estados mediante mtodos algebraicos. Cerrando el lazo en sistemas
no lineales controlados mediante plenitud. Ejemplos fsicos relevantes.
Bibliografa
M. Fliess, J. Levine, Ph. Martin and P. Rouchon Flatness and Defect of Nonlinear
Systems: Introductory Theory and Examples International Journal of Control., Vol
61, pp. 1327-1361, 1995.
M. Fliess, J. Levine, Ph. Martin and P. Rouchon A Lie-Backlund approach to

equivalence and Flatness of Nonlinear Systems. IEEE Transactions on Automatic
Control. Vol. AC-44, pp. 922-937, 1999.
J. Rudolph. Flatness based control of Distributed Parameter Systems, Shaker-Verlag,

Aagen 2003.
J. Rudolph. Flatness based control of Distributed Parameter Systems: Examples and

Computer Exercises from Various Technological Domains. Shaker Verlag, Aagen 2003.
H. Sira-Ramrez and S. K. Agrawal, Differentially Flat Systems, Marcel Dekker, New

York, 2004.
163
2.10.4.11. Sistemas No Lineales IV: Anlisis y control de sistemas no lineales
en tiempo discreto (64 hrs)
Objetivo
El objetivo del curso es presentar un panorama general de la caracterizacin de propiedades
estructurales y solucin de algunos problemas de control para sistemas no lineales en tiempo
discreto, empleando la nocin de forma diferencial como herramienta principal.
Contenido
1. Ejemplos de sistemas no lineales en tiempo discreto
2. Ecuaciones de diferencias
Sistemas dinmicos discretos
Funciones de Lyapunov
Estabilidad e inestabilidad
3. Herramientas matemticas
Formas diferenciales
La versin dual del Teorema de Frobenius
El Teorema de la funcin implcita
4. La nocin de grado relativo

El caso de sistemas lineales
El caso de sistemas no lineales en tiempo continuo
El caso de sistemas no lineales en tiempo discreto
Grado relativo de una forma diferencial
5. Accesibilidad
Clasificacin de formas diferenciales segn su grado relativo.
La definicin clsica de accesibilidad
Elementos autnomos
Caracterizacin de la propiedad de accesibilidad
6. Linealizacin exacta
Linealizacin por retroalimentacin esttica
Linealizacin por retroalimentacin dinmica
Equivalencia a sistemas primos bajo transformaciones clsicas
Equivalencia a sistemas primos bajo transformaciones unimodulares
7. Codistribuciones invariantes y sus aplicaciones

Definicin de codistribucin invariante
Solucin al problema de rechazo de perturbaciones
Equivalencia a la feedforward form
164
8. Tpicos avanzados: linealizacin mediante retroalimentacin dinmica exgena.
9. Caso de estudio: aplicacin a un robot mvil.
Bibliografa
1. E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, C.H. Moog, Discrete-time nonlinear control systems, en
preparacin.
2. E. Aranda-Bricaire, C.H. Moog, J.-B. Pomet, A Linear Algebraic Framework for Dynamic
Feedback Linearization, IEEE Transactions on Automatic Control, Vol. 40, No. 1, January
1995, pp. 127-132.
3. E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, C.H. Moog, Linearization of discrete-time systems, SIAM
Journal on Control and Optimization, Vol. 34, No. 6, December 1996, pp. 1999-2023.
4. E. Aranda-Bricaire, R.M. Hirschorn, Equivalence of nonlinear systems to prime systems
under generalized output transformations, SIAM Journal on Control and Optimization, Vol.
37, No. 1, 1999, pp. 118-130.
5. E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, Equivalence of discrete-time nonlinear systems to prime
systems, Journal of Mathematical Systems, Estimation and Control, Vol. 8, No. 4, 1998, pp.
471-474.
6. E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, Generalized controlled invariance for discrete-time nonlinear
systems with an application to the dynamic disturbance decoupling problem, IEEE
Transactions on Automatic Control, Vol. 46, No. 1, January 2001, pp. 165-171.
7. E. Aranda-Bricaire, U. Kotta, A geometric solution to the dynamic disturbance decoupling
for discrete-time nonlinear systems, Kybernetika, Vol. 40, No. 2, 2004, pp. 197-206.
8. E. Aranda Bricaire, C.H. Moog, Invariant codistributions and the feedforward form for
discrete-time nonlinear systems, Systems & Control Letters, Vol. 52, No. 2, June 2004, pp.
113-122.
9. E. Aranda Bricaire, C.H. Moog, Linearization of discrete-time systems by exogenous
dynamic feedback, accepted for publication in Automatica, February 2007.
10. U. Kotta, Inversion Method in the discrete.time nonlinear control systems synthesis
problems, Lecture Notes in Control and Information Sciences, Vol. 205, Springer, 1995
11. J.P. La Salle, The stability of dynamical systems, CBMS-NSF Regional Conferences in
Applied Mathematics, Vol. 25, SIAM, 1976.
12. H.Nijmeijer, A.J. van der Schaft, Nonlinear Dynamical Control systems, Springer, 1990.
13. E.D. Sontag, Mathematical control theory, deterministic finite dimensional systems, Second
Edition, Texts in Applied Mathematics, Vol. 6, Springer, 1998.
165
2.10.4.12. Ingeniera de Robots (64 hrs)
Objetivo
Conocer los fundamentos de la robtica, estudiando el modelo dinmico del manipulador
robtico como mecanismo rgido, en su modalidad de cadena cinemtica cerrada, los
componentes electromecnicos de sensado y actuacin, las tcnicas bsicas de control de
manipuladores.
Contenido
1. Introduccin a la Robtica
1.1 Antecedentes Histricos
1.2 Origen y desarrollo de la Robtica
1.3 Definicin y Clasificacin de Robots
1.4 Aplicaciones de los Robots
2. Anlisis Cinemtico del Robot de Cadena Cinematica Cerrada

2.1 Estructura mecnica cerrada del Robot
2.2 Representacin de la Posicin y orientacin
2.3 Anlisis Cinemtico Directo
2.4 Anlisis Cinemtico Inverso
2.5 Matriz Jacobiana de Cinematica Directa e Inversa
2.6 Generacin de trayectorias
4. Anlisis Dinmico del Robot de Cadena Cinematica Cerrada

4.1Modelo Dinmico de la estructura mecnica de un Robot Rgido por Newton-Euler
4.2Modelo Dinmico mediante la formulacin de Euler- Lagrange
4.3Modelo de impedancia para robots en contacto
4.4Descomposicin ortogonal para robots en contacto
5. Control de Robots
5.1 Estabilidad
5.2 Control PID
5.3 Control Par Calculado
5.4 Control adaptable
5.5 Control por modos deslizantes
5.6 Control hbrido de fuerza - posicin.
5.7 Aspectos prcticos de la implantacin del controlador
Bibliografa
1. Mark W. Spong, M. Vidyasagar. Robot Dynamics and Control. John Wiley & Sons
Publisher, 1989. ISBN: 0-471-61243-X
166
2. F.L. Lewis, C.T. Abdallah and D.M. Dawson. Control of Robot . Macmillan Publishing
Company, 1993, ISBN 0-02-370501-9.
3. John Craig. Introduction to Robotics Mechanics and Control. Second Edition. Addison
Wesley, 1989.
4. Lorenzo Sciavicco, Bruno Siciliano. Modeling and control of robot manipulators. The
McGraw-Hill Companies, Inc., 1996, ISBN 0-07-114726-8.
5. Richard M. Murray. Zexiang Li, S. Shankar Sastry. A Mathematical Introduction to Robotic

Manipulation. CRC Press. ISBN: 0-8493-7981-4
6. Lung-Wen Tsai, Robot Analysis, John-Wiley & Sons, Inc., 1999, ISBN 0-471-32593-7
167
2.10.4.13. Robtica II (64 hrs)
Objetivo
Introducir al estudiante en el anlisis y control de vehculos propulsados por ruedas. Se
impartirn los conocimientos bsicos para el anlisis cinemtico y dinmico de este tipo de
vehculos haciendo nfasis en los vehculos propulsados por velocidades diferenciales y los
del tipo omnidireccional. Asimismo, se introducir el estudio de los vehculos articulados. Se
analizar especialmente los problemas de seguimiento de trayectorias y evasin de obstculos.
Contenido
1. Modelado y propiedades estructurales de robots mviles

a. Descripcin de robots mviles
b. Restricciones de robots mviles
c. Robots de tres ruedas
d. Modelo cinemtica.
i. Modelo general
ii. Movilidad, direccionabilidad y maniobrabilidad
e. Modelo dinmico.
i. Derivacin del modelo
2. Objetivos de Control.
a. Problema de regulacin (Postura)
b. Problema de Seguimiento
c. Control de velocidad y torque
3. Retroalimentacin en robots mviles
a. Retroalimentacin esttica
i. Robots ommidireccionales
ii. Robots con restricciones
b. Retroalimentacin dinmica.
i. Algoritmo de extensin dinmica
ii. Problema de singularidades
4. Vehculos articulados
a. Modelado
b. Problema de Regulacin (Postura)
c. Problema de seguimiento de trayectorias
5. Control discreto de robots mviles
a. Modelado
b. Problema de Regulacin (Postura)
c. Seguimiento de trayectorias.
Bibliografa
-C. Canudas de Wit, B. Siciliano and G. Bastin (Eds.). Theory of robot
Control. Springer-Verlag, 1997.
-W. E. Dixon, D. M. Dawson, E. Zergeroglu and A. Behal, Nonlinear control
of wheeled mobile robots. Springer-Verlag, 2001.
168
2.10.4.14. Programacin en Tiempo Real (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar las metodologas y tcnicas disponibles para disear sistemas de tiempo real
estricto.
Contenido
0. Conceptos Bsicos de Programacin en C

0.1 Variables
0.2 Operadores
0.3 Control de Flujo
0.4 Funciones
0.5 Punteros
0.6 Arreglos
0.7 Estructuras
0.8 Administracin de Memoria en C
0.9 Escritura a puertos y temporizacin
0.10 Prcticas de Programacin
0.10.1 Aspectos miscelneos de programacin
0.10.2 Adquisicin y generacin de seales
1. Introduccin
1.1 Definicin de Sistemas de Tiempo Real (STR)
1.2 Ejemplos de Sistemas de Tiempo Real
1.3 Caractersticas de Sistemas de Tiempo Real
2. Programacin concurrente
2.1 Definicin de Procesos
2.2 Ejecucin concurrente
2.3 Sincronizacin
2.4 Exclusin Mutua
2.5 Comunicacin
2.6 Implementacin de Procesos en RTAI
2.7 Prcticas de programacin
2.7.1 Instalacin de RTAI
2.7.2 Escritura y compilacin de mdulos de Kernel (MK)
3. Comunicacin entre procesos

3.1 Semforos
3.2 FIFOS
3.3 Memoria Compartida
3.4 Mailboxes
3.5 Prcticas de programacin
169
3.5.2 Comunicacin MK Linux
3.5.3 Comunicacin MK MK
4. Planificacin
4.1 Conceptos de planificacin
4.2 Rate Monotonic
4.3 Deadline Monotonic
4.4 Earliest Deadline First
5. Diseo de STR basado en Redes de Petri

5.1 Introduccin a Redes de Petri
5.2 Modelado de STR usando Redes de Petri
5.3 Especificaciones de diseo
Bibliografa
(1) Karl-Erik Arzen, Real-Time Control Systems, Department of Automatic Control,
Lund Institute of Technology, Lund 2001.
(2) A. Burns and A. Welling, Real-Time Systems and Programming Languages,
Addison Wesley, 1997.
(3) E. Bianchi, L. Dozio, P. Mantegazza., RTAI, A Hard Real Time support for
LINUX, Dipartimento di Ingegneria Aerospaziale, Politecnico di Milano, 2001.
(4) Giorgio C. Buttazzo, Hard Real-Time Computing Systems: Predictable Scheduling
Algorithms and Applications Springer; 2nd ed. Edition.
170
2.10.4.15. Diseo Mecnico II (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar las tcnicas de optimizacin que seleccionen el conjunto de soluciones
factibles para el problema de diseo paramtrico de sistemas electromecnicos.
Contenido
1. Introduccin
1.1 Historia de la optimizacin
1.2 La optimizacin en el proceso de diseo
1.2.1 Diseo de un embrague cnico
1.2.2 Diseo de un filtro pasa bajas
1.3 Estructura de problemas de diseo ptimo
2. Condiciones de optimalidad y dualidad

2.1 Condiciones de optimalidad KKT
2.1.1 Sin restricciones
2.1.2 Con restricciones
2.1.3 Condiciones suficientes y de segundo orden
2.2 Calificacin de las restricciones
2.2.1 Conos tangentes
2.2.2 Problemas con restricciones
2.3 Dualidad Lagrangiana
3. Optimizacin esttica
3.1 Problemas sin restricciones
3.2 Problemas con restricciones de igualdad
3.3 Condiciones suficientes para un mnimo
3.4 Solucin numrica con mtodo gradiente y Newton
4. Casos prcticos de diseo ptimo esttico

4.1 Diseo de un sistema de transmisin del tipo banda-polea
4.2 Diseo de una estructura planar
4.3 Diseo de una mquina de combustin interna (modelo termodinmico)
4.4 Diseo de un tren de engranes
5. Optimizacin Dinmica
5.1 Sistemas dinmicos discretos (Programacin dinmica)
5.2 Solucin numrica con mtodos gradiente
5.3 Sistemas dinmicos continuos (Principio de Mximo)
5.4 Solucin numrica con mtodos gradiente
6. Casos prcticos de diseo ptimo dinmico

6.1 El problema de control ptimo
171
6.2 El problema de tiempo mnimo
6.3 Planeacin de trayectorias en robots redundantes
Bibliografa
A.E. Bryson, Dynamic Optimization, Addison Wesley Longman, 1999.
P.P. Papalambros, D.J. Wilde, Principles of Optimal Design, 2nd. Ed. Cambridge
University Press, 2000.
Bazaraa M., Sherali H. D. and Shetty C.M. Nonlinear programming. Theory and
algorithms, 2nd Editionn, John Wiley & Sons Inc. New York, 1993.
Angeles J. Optimum Design, Lecture Notes, Department of Mechanical Engineering &

Centre for Intelligent Machines, McGill University, Montreal (Quebec), Canada, 2004
Eschenauer H., Koski J. and Osyczka A. Multicriteria Design Optimization. Procedures

and Applications Springer Verlag, Berlin, 1990
172
2.10.4.16. CAD/CAM/CAE (72 hrs)
Objetivo
El objetivo del curso es ensear a los estudiantes del Programa de Maestra en Mecatrnica
los conocimientos para el manejo del programa de cmputo Autodesk Mechanical Desktop:
para el Diseo Paramtrico de Slidos, de Ensambles, de Dibujos y Bocetos asociativos. Se
trata fundamentalmente de aplicar las diversas herramientas de este software para realizar
actividades de diseo, rpida y fcilmente, de tal manera de beneficiarse con su uso en forma
inmediata.
Contenido
Mechanical Desktop Mdulo 1.

Modelador paramtrico de slido y sus dibujos asociativos.
1. Introduccin.
1.1 Manejo de la lnea de comandos, cajas de dilogos, barras flotantes de AutoCAD
Designer (Modelado de Partes).
1.2 Compatibilidad con AutoSurf, AutoCAD AME.
2. Fundamentos de AutoCAD Designer.

2.1 Creacin de perfiles (Profiles).
2.2 Comprensin y personalizacin de las reglas de dibujo.
2.3 Uso restricciones geomtricas y de forma en perfiles.
2.4 Dimensionado (Adicionar, Modificar, Borrar).
2.5 Creacin y uso de relaciones y dimensiones paramtricas (Desplegar, Adicionar y Borrar).
2.6 Uso de ecuaciones entre dimensiones con operadores matemticos, ecuaciones, y
parmetros globales.
3. Slidos ACIS o Slidos de AutoCAD Designer.

3.1 Creacin de caractersticas como slidos (Extrude, Swep, Revolve).
3.2 Modificacin del modelo o parte.
3.3 Modificacin del perfil.
3.4 Agregar elementos y modificacin de los mismos con los comandos de AutoCAD
Designer (amextrude, amrevolve, amsweep, amfillet, amchamfer, amarray).
4. Manejo de Dibujos.
4.1 Aplicacin de planos de dibujo (SKETCH PLANE).
4.2 Planos de trabajo (WORK PLANES).
4.3 Puntos de trabajo (WORK POINT).
4.4 Ejes de trabajo (WORK AXIS).
4.5 Uso, aplicacin y tipos existentes de cada uno de ellos.
173
5. Generacin de Vistas (Plano de Taller).
5.1 Obtencin de la vista base.
5.2 Obtencin de vistas principales: (frontal, superior, lateral derecha, isomtrica, auxiliar, y
de detalle).
5.3 Obtencin de vistas de corte: (Corte medio, escalonado, transversal).
5.4 Acotacin y modificacin de vistas.
5.5 Edicin de vistas.
5.6 Edicin de las acotaciones (Ocultar, mover).
5.7 Adicin de anotaciones.
5.8 Adicin de dimensiones referencial.
5.9 Conversin de planos de dibujos de AutoCADA DEsigner D a AutoCAD 2D.
6. Creacin de Partes o Modelos Relacionados con Superficies de AutoSurf.

6.1 Corte de un slido con una superficie.
6.2 Exportacin de AutoCAD Designer a AutoSurf.
6.3 Cambio de partes slidas a superficies.
7. Aplicacin de Libreras Incluidas en el Paquete de Mechanical Desktop.

7.1 Uso del CD PartSpect, con relacin con AutoCAD Designer.
7.2 Uso del CD MaterialSpect, con relacin con AutoCAD Designer.
8. Impresin de Planos
174
2.10.4.17. Sistemas Inteligentes (64 hrs)
Objetivos
Estudiar las tcnicas emergentes de la inteligencia artificial, las cuales son cada da ms
utilizadas en los ambientes industriales, en tareas tales como: identificacin, control,
supervisin, diagnstico y deteccin de fallas. Presentar esquemas industriales, en
especial de tipo mecatrnico, donde se utilicen sistemas inteligentes. Desarrollar, a
travs de proyectos, aplicaciones donde se usen las diferentes tcnicas inteligentes
estudiadas. Analizar nuevas alternativas de utilizacin de las tcnicas inteligentes a
problemas de control.
Contenido
1. Introduccin.
1.1. Introduccin a la inteligencia artificial. Motivacin. Aspectos histricos.
1.2 Estado del arte.
1.3. Sistemas expertos. Antecedentes histricos.
1.4 Componentes de los Sistemas Basados en Conocimiento.
1.5 Ingeniera de Conocimiento.
1.6 Metodologa para el desarrollo de Sistemas Expertos.
1.7 Arquitecturas de Sistemas Expertos en Control de Procesos.
1.8 Ejemplos de aplicacin.
2. Redes Neuronales.
2.1 Introduccin. Resumen histrico.
2.2 Configuraciones topolgicas.
2.3 Algoritmos de entrenamiento.
2.4 Aplicaciones y ejemplos.
3. Diseo lgico difuso.

3.1 Introduccin.
3.2 Los conjuntos y operadores difusos.
3.3 La lgica de razonamiento difuso.
3.4 Aplicaciones y ejemplos.
4. Algoritmos genticos.
4.1. Introduccin.
4.2. Principios de operacin.
4.3. Operadores genticos.
4.4. Aplicaciones industriales.
4.5. Problemas de optimizacin.
4.6. Hibridacin con otras tcnicas inteligentes.
Bibliografa
22. Cohen, P. The Handbook of Artificial Intelligence. New York. Addison Wesley.
175
1989.
23. Harmor, P. Expert Systems: Artificial Intelligence in Business. New York.
John Wiley & Sons Inc. 1988.
24. Price, K. V. Differential evolution: a practical approach to global optimization.
Berlin. Springer-Verlag, 2005.
25. Jamshidi, M. Robust control systems with genetic algorithms. Boca Raton, FL.
Taylor & Francis, 2003.
26. Coello Coello, C. A. Evolutionary algorithms for solving multi-objective problems.
New York : Kluwer Academic/Plenum Pub., 2002.
27. Xu, Jian-Xin. Linear and nonlinear iterative learning control. Lecture notes in
control and information sciences, N. 291, Berlin. Springer, 2003.
28. Nguyen, Hung T. A first course in fuzzy and neural control. Boca Raton, Florida.
Chapman and Hall / CRC, 2002.
29. Ge, S. S. Stable adaptive neural network control. Boston. Kluwer Academic, 2002.
30. Moore, R. Real-Time Expert Systems in the information age. IEEE AI Expert.
1987.
31. Holman, J. y Cookson, M. Expert Systems for medical applications. Journal Med
Eng Technol. 1987. 11(4): 151-9.
32. Schewe, S. y Schereiber, M. Stepwise development of a clinical expert system in
rheumatology. Clin Invest. 71:2, 139-44. 1993.
33. Kaplan, R. AI/Consult: a prototype directed history system based upon the
AI/Rheum knowlegde base. Proc Annu Symp Comput Appl Med Care. 639-43.
1991.
176
2.10.4.18. Manufactura (64 hrs)
Objetivo
Aprender los conceptos asociados con las Redes de Petri y Autmatas Finitos, relacionados
con el modelado y diseo de sistemas de manufactura flexible (SMF) as como sistemas de
eventos discretos (SED).
Contenido
1. Introduccin.
1.1. El concepto de evento.

1.2. Propiedades de los DES
1.3. Ejemplos de DES
1.4. Niveles de abstraccin para el estudio de DES (Lgico, Temporizado).
2. Lenguajes y Autmatas
2.1. Definiciones de Lenguaje y Autmata.

2.2. Operaciones con Autmatas.
2.3. Autmatas de estado finito.
2.4. Aplicacin a DES (Seguridad, Bloqueo, Diagnstico).
3. Control Supervisorio
3.1. Control mediante supervisores.

3.2. Especificaciones de un sistema controlado.
3.3. Incontrolabilidad.
3.4. Bloqueo.
3.5. Control modular.
3.6. Control descentralizado.
4. Redes de Petri (RP)
4.1 Conceptos Bsicos

4.2 Nocin de RP
4.3 Ejemplos introductorios
4.4 Algunos ejemplos con MEF
4.5 Representacin Numrica y Definicin formal
4.6 Propiedades e implicaciones de las RP
4.7 Mtodos de anlisis y de reduccin
5. Modelado de DES con RP.
5.1 RP interpretadas (RPI)
177
5.2 RP cronometradas (RPC)
5.3 RP estocsticas (RPE)
5.4 Ejemplos diversos de modelos de SED
5.5 Tcnicas de modelado
5.6 Modelos de controladores (implementacin)
5.7 Maquinas de estado
5.8 Grafos marcados
6. Programas de cmputo para el anlisis y simulacin de DES.
6.1. Simulacin de SED

6.2. Esquemas y herramientas de simulacin de RPC
6.3. TCT (Wonham)
6.4. UMDES (Lafortune)
6.5. Supremica (Chalmers University of Technology, Sweden)
Bibliografa
C. Cassandras, S. Lafortune, Introduction to Discrete Event Systems, Kluwer Academic
Publishers, Bosto, 1999.
S. Gaubert, Introduction aux Systmes Dynamiques vnements Discrets, Notes du
Cours.
J. Hopcroft, J. Ullman, Introduction to Automata Theory, Languajes, and Computation,
Addison-Wesley, 1979.
P.J. Ramadge, W.M. Wonham, The control of discrete event systems, IEEE
Proceedings: Special Issue on Discrete Event Systems, Vol. 77, 1989, pp. 81-98.
P.J. Ramadge, W.M. Wonham, Supervisory control of a class of Discrete Event
Processes, SIAM J. Control Optim., Vol. 25, 1987, pp. 206-230.
Silva, M. Las Redes de Petri: en la Informtica y en la Automtica. Ed. Ac, Madrid,
1985
W.M. Wonham, Notes on control of discrete-event systems, University of Toronto,
2003.
J. Wang, Timed Petri Nets Theory and Applications, Kluwer Academic Publishers,
Boston, 1998.
178
2.10.4.19. Vibraciones Mecnicas (64 hrs)
Objetivos
Que el alumno aprenda los fundamentos y herramientas bsicas de la Teora de Vibraciones
Mecnicas para el anlisis y el diseo de sistemas mecatrnicos eficientes, donde la presencia de
vibraciones indeseables sea disminuida mediante diseos estructurales adecuados y/o la
aplicacin de mtodos de control pasivo o activo. Se realizarn experimentos de anlisis de
vibraciones en sistemas mecatrnicos simples, auxilindose de herramientas computacionales
para el clculo y simulacin numrica, del equipo didctico ECP y otra instrumentacin
disponible en los laboratorios.
Contenido
1. Fundamentos de vibraciones.
1.1. Introduccin.
1.2. Importancia del estudio de las vibraciones.
1.3. Elementos de un sistema dinmico.
1.4. Conceptos bsicos de vibraciones.
1.5. Clasificacin de las vibraciones.
1.6. Resortes, masa o inercia y amortiguadores.
1.7. Movimiento armnico.
1.8. Anlisis de estabilidad.
2. Vibraciones en sistemas de un grado de libertad.

2.1. Vibraciones libres de un sistema no amortiguado.
2.2. Vibraciones libres con amortiguamiento.
2.3. Vibraciones excitadas armnicamente.
2.4. Vibraciones excitadas armnicamente a travs de la base o estructura del sistema.
2.5. Respuesta de sistemas con desbalance rotatorio.
2.6. Vibraciones no lineales.
3. Vibraciones en sistemas con varios grados de libertad.

3.1. Vibraciones libres en sistemas de dos grados de libertad.
3.2. Anlisis de vibraciones forzadas.
3.3. Autoexcitacin y anlisis de estabilidad.
3.4. Vibraciones sncronas en rotores.
3.5. Sistemas de varios grados de libertad.
3.6. Modelado de sistemas continuos como sistemas discretos de un nmero finito de grados
de libertad.
3.7. Ecuacin de Lagrange de un sistema de varios grados de libertad.
3.7.1. Coordenadas y fuerzas generalizadas.
3.7.2. Matrices de energa potencial y cintica.
3.7.3. Valores caractersticos.
3.8. Coeficientes de influencia de rigidez y flexibilidad.
179
4. Control de vibraciones.
4.1. Introduccin.
4.2. Mtodos de balanceo en maquinaria rotatoria.
4.2.1. Balanceo en un plano.
4.2.2. Balanceo en dos planos.
4.3. Control de vibraciones.
4.3.1. Clasificacin de mtodos.
4.3.2. Mtodos de control pasivo.
4.3.3. Mtodos de control activo.
4.3.3.1.El problema de control activo.
4.3.3.2.Control de sistemas vibratorios lineales.
4.4. Control de sistemas vibratorios no lineales.
5. Medicin de vibraciones mecnicas y sus aplicaciones.

5.1. Tipos de transductores.
5.2. Sensores de vibraciones.
5.3. Generadores o excitadores de vibraciones.
5.4. Analizadores de seales.
5.5. Mtodo experimental de anlisis modal con un martillo de impacto.
5.6. Plataforma experimental ECP.
Bibliografa
1. C.F. Beards, Structural Vibration: Analysis and Damping, Arnold, London, 1996.
2. S.G. Braun, D.J. Ewins, S.S. Rao (Eds.), Encyclopedia of Vibration, Vols. 1-3, Academic
Press, San Diego, CA, 2001.
3. R.L. Clark, W.R. Saunders, G.P. Gibbs, Adaptive Structures: Dynamics and Control,
John Wiley & Sons, 1998.
4. J.P. Den Hartog, Mechanical Vibrations, 4th Edition, Mc-Graw Hill, NY, 1956. (Edicin
disponible en espaol).
5. C.W. De Silva, Vibration: Fundamentals and Practice, CRC Press, Boca Raton, FL 2000.
6. A.D. Dimarogonas, Vibration for Engineers, Prentice-Hall, NJ, 1996.
7. D.J. Ewins, Modal Testing: Theory, Practice and Applications, Research Studies Press Ltd.,
Baldock, Hertfordshire, U.K., 2000.
8. C.R. Fuller, S.J. Elliot and P.A. Nelson, Active Control of Vibration, Academic Press, San
Diego, CA, 1997.
9. C.R. Fuller and A.H. von Flotow, Active Control of Sound and Vibration: An Overview.
IEEE Control Systems Magazine, Vol. 15, No. 6, December 1995.
Diego, CA, 1997.
11. G. Genta, Vibration of Structures And Machines: Practical Aspects, 2nd Edition, Springer-
Verlag, 1995.
12. W. Heylen, S. Lammens, P. Sas, Modal Analysis Theory and Testing, Katholieke
Universiteit Leuven, Faculty of Engineering, Department of Mechanical Engineering,
Belgium, 2000.
13. D.J. Inman, Engineering Vibration, 1st Edition, Prentice-Hall, NJ, 1996.
180
14. B.G. Korenev, L.M. Reznikov, Dynamic Vibration Absorbers: Theory and Technical
Applications, 1993.
15. S.G. Kelly, Fundamentals of Mechanical Vibrations, 2nd Edition, Mc-Graw-Hill, NY, 2000.
16. L. Meirovitch, Fundamentals of Vibrations, Mc-Graw-Hill, NY, 2001.
17. L. Meirovitch, Dynamics and Control of Structures, John Wiley & Sons, NY, 1990.
18. A.H. Nayfeh, D.T. Mook, Nonlinear Oscillations, Wiley, NY, 1979.
19. S.S. Rao, Mechanical Vibrations, 3rd Edition, Addison-Wesley, NY, 1995.
20. M. Roseau, Vibrations in Mechanical Systems: Analytical Methods and Applications,
Springer Verlag, 1987.
21. A.A. Shabana, Theory of Vibration: An Introduction, 2nd Edition, Springer-Verlag, 1995.
22. W.T. Thomson, M.D. Dahleh, Theory of Vibrations with Applicactions, 5th Edition,
Prentice-Hall, NJ, 1997. (La 2 Edicin de 1982 est disponible tambin en espaol por
Prentice-Hall Hispanoamericana, Mxico).
23. H. van Brussel, P. Sas, W. Dehandschutter, P. Van den Braembussche, Indrawanto,
New methods for Active and Semi-active Vibration Control in Machines, Katholieke
Universiteit Leuven, Dept. of Mech. Eng., B-3001, Leuven Belgium, 1994.
181
2.10.4.20. Identificacin de Sistemas (64 hrs)
Objetivo
Familiarizacin con las tcnicas y mtodos ms comnmente utilizados para la
identificacin de sistemas dinmicos tanto fuera de lnea como en lnea. Se har nfasis
especial en el anlisis de las principales propiedades y limitaciones de los mtodos y en
las posibles aplicaciones a la regulacin de sistemas mecatrnicos.
Duracin del curso: 60 horas.
Contenido
1. Introduccin a la Identificacin
1.1 Objetivo de la identificacin
1.2 Caracterizacin
1.3 Distancias y criterios
1.4 Tcnicas de identificacin, validacin.
2. Modelos
2.1 Ecuaciones diferenciales y en diferencias
2.2 Modelos de estado
2.3 Modelos de entrada-salida, funciones de transferencia
2.4 Relacin entre modelos de estado discreto y continuo
3. Mtodos no paramtricos de identificacin

3.1 Anlisis de la respuesta transitoria
3.2 Anlisis de respuesta en frecuencia
3.3 Mtodo de correlacin con sucesiones binarias pseudo-aleatorias
4. Mtodo del modelo de referencia

4.1 Descripcin del mtodo
4.2 Influencia del ruido en el proceso de la identificacin
4.3 Algoritmos recursivos
5. Mnimos cuadrados
5.1 Planteamiento del problema
5.2 Caractersticas del ruido
5.3 Solucin analtica de los mnimos cuadrados
5.4 Interpretacin geomtrica
5.5 Propiedades
5.6 Problemas de caracterizacin
5.7 Mnimos cuadrados recursivos
6. El Mtodo Algebraico de Estimacin

6.1 La identificacin en lnea. Ejemplos elementales
182
6.2 Robustez respecto de condiciones iniciales y perturbaciones estructuradas
6.3 Identificacin de perturbaciones de manera seccional
6.4 Estimacin en lnea de estados en sistemas lineales y no lineales
6.5 El clculo en lnea de derivadas temporales.
6.6 Casos de estudio.
Bibliografa
1. L. Ljung. System identification: Theory for the user. Prentice Hall Inc. (1987).
2. R. Johansson. System modeling identification. Prentice Hall Inc. (1993).
3. L. Ljung and T. Soderstrom. Theory and practice of recursive identification.
MIT Press, (1983).
4. D.T. Pham and X. Liu. Neural networks for identification, prediction and
control. Springer Verlag, (1995).
5. Jaime Alvarez, Moiss Bonilla. Introduccin a la identificacin de procesos.
Notas de curso. CINVESTA-IPN. Departamento de Ingeniera Elctrica. (1983).
6. M. Fliess y H. Sira-Ramrez ``An algebraic framework for linear identification
ESAIM, Control, Optimization and Calculus of Variations, Vol 9, pp. 151-168,
January. 2003.
7. M. Fliess and H. Sira-Ramrez ``Closed-loop Parametric Identification for
Continuous-time Linear Systems via New Algebraic Techniques" en H. Granier
& L. Wang (Eds.) Continuous Time Model Identification from Sampled Data,
Springer-Verlag, Berlin, 2008.
8. Notas del curso elaboradas por el profesor.
183
2.10.4.21. Electrnica (64 hrs)
Objetivo
Proporcionar al alumno un panorama de la electrnica de potencia que es relevante a los
sistemas mecatrnicos, revisando los diferentes dispositivos de conversin de energa,
rectificacin e inversin que son de uso comn en sistemas electromecnicos de
aplicacin comn en sistemas integrados. El nfasis fundamental de este curso est en el
diseo de tales dispositivos, el diseo de sus estructuras de regulacin y la integracin
con otros elementos generadores de movimiento, tales como motores de diversa
naturaleza (CD, Sincrnicos, Induccin, etc.).
Contenido
1. Introduccin.
La electrnica de potencia. Breve historia de los problemas de conversin de energa.
La electrnica de potencia y el control automtico. El contexto mecatrnico. Integracin
de sistemas electrnicos y electromecnico. Las dificultades fundamentales.
2. Convertidores CD-CD Mono-variables y Multi-variables
Convertidor Buck, Boost, Buck-Boost, Ck, Puntos de Equilibrio promedio,
caractersticas de amplificacin, reduccin e inversin. La modulacin Sigma-Delta
como herramienta de traduccin de diseos en promedio. Propiedades generales,
pasividad, planitud. Resolucin de problemas de regulacin mediante modelos
linealizados promedio. Diseo no lineal, Regmenes Deslizantes. Convertidores en
Cascada. Casos del Boost-Boost, Buck-Boost-Buck-Boost.
3. Convertidores CD-CA, Mono-variables y Multi-variables.
Conversin CD-CA como un problema de seguimiento de trayectorias. Problemas de
inversin de Sistemas de Fase no Mnima. Alternativas de aproximacin. Iteraciones
funcionales. Otros mtodos indirectos. Caso del Buck de doble puente, El boost-boost
en contrafase.
4. Correccin del Factor de Potencia.
El convertidor boost como corrector del factor de potencia.
5. Rectificadores.
Rectificadores monofsicos y trifsicos. Casos de estudio.
6. Inversores
7. Convertidores DC-DC Multi-nivel.
La modulacin Sigma-Delta multi-nivel. Regmenes deslizantes multi-nivel.
Aplicaciones en la conversin de energa CD-CA
8. Sistemas compuestos y sus aplicaciones.
Asociacin de convertidores de CD-CD con motores de CD y otros sistemas
electromagnticos. Rectificadores asociados a Conversores CD-CD en alimentacin de
motores de CD. Rectificadores asociados a Inversores y a motores de CA.
Bibliografa
H. Sira-Ramrez y R. Silva-Ortigoza, Control Design Techniques in Power Electronics
Devices, Springer, London 2006.
184
B.K. Bose, Modern Power Electronics, Evolution, Technology and Applications. IEEE
Press, New York 1992.
J. Kassakian, M. Schlecht and G. Verghese. Principles of Power Electronics. Addison-

Wesley, Reading, Massachusetts, 1991.
R. Ortega, A. Loria, H. Nicklasson and H. Sira-Ramirez, Passivity Based Control of

Euler Lagrange Systems: Mechanical, Electrical and Electromechanical Applications.
Springer, London 1998,
185
2.10.4.22. Mecnica Computacional (64 hrs)
Objetivos
Se realiza una revisin de los principales aspectos estructurales y dinmicos en sistemas
mecnicos vibratorios, utilizando herramientas computacionales para el anlisis y la simulacin
numrica de sistemas mecnicos, con cuerpos rgidos y deformables en medios continuos, en
presencia de rigidez y amortiguamiento, como son los mtodos de elemento finito, tcnicas de
anlisis modal, etc. A lo largo del curso se abordan diversos casos de estudio de investigaciones
recientes sobre absorcin de vibraciones y maquinaria rotatoria.
Contenido
6. Fundamentos.
6.1. Introduccin general.
6.2. Elementos de un sistema vibratorio.
6.3. Conceptos bsicos de vibraciones.
6.4. Clasificacin de las vibraciones.
6.5. Resortes, masa/inercia y amortiguadores.
6.6. Movimiento armnico.
6.7. Aspectos de estabilidad.
7. Sistemas vibratorios.
7.1. Vibraciones libres de un sistema de un grado de libertad no amortiguado.
7.2. Vibraciones libres con amortiguamiento.
7.3. Vibraciones excitadas armnicamente.
7.4. Vibraciones excitadas armnicamente a travs de la base o estructura del sistema.
7.5. Respuesta de sistemas con desbalance rotatorio.
7.6. Vibraciones no lineales.
7.7. Vibraciones libres en sistemas de dos grados de libertad.
7.8. Anlisis de vibraciones forzadas en sistemas de dos grados de libertad.
7.9. Sistemas de mltiples grados de libertad.
7.10. Modelado de sistemas continuos como sistemas discretos de un nmero finito de grados
de libertad.
7.11. Ecuacin de Lagrange para sistemas de varios grados de libertad.
7.12. Estabilidad y auto-excitacin.
7.13. Sistemas continuos (parmetros distribuidos).
8. Mtodos de anlisis modal.

8.1. Introduccin.
8.2. Modos normales de vibracin.
8.3. Transformaciones de coordenadas vs acoplamiento dinmico.
8.4. Vectores modales y propiedades.
8.5. Respuesta a excitaciones armnicas.
8.6. Respuesta a excitaciones armnicas por anlisis modal.
8.7. Mtodos de estimacin y validacin de parmetros modales.
186
9. Aplicacin del mtodo de elemento finito.
9.1. Introduccin.
9.2. Anlisis de esfuerzos y equilibrio.
9.3. Condiciones de frontera.
9.4. Energa potencial.
9.5. Mtodo de Rayleigh-Ritz.
9.6. Mtodo de Galerkin.
9.7. Casos de esfuerzo unidimensional, plano y tridimensional.
9.8. Ecuaciones de movimiento de un elemento.
9.9. Programas para anlisis y simulacin.
10. Maquinaria rotatoria.

10.1. Introduccin.
10.2. Fuentes de vibraciones.
10.3. Terminologa de maquinaria rotatoria.
10.4. Tipos y modelos de rotores.
10.5. Vibraciones sncronas en sistemas rotor-chumacera.
10.6. Mtodos de compensacin del desbalance.
10.7. Balanceo de maquinaria rotatoria.
11. Absorcin de vibraciones.

11.1. Introduccin.
11.2. Mtodos de control de vibraciones.
11.2.1. Clasificacin general.
11.2.2. Mtodos de control pasivo.
11.2.3. Mtodos de control activo.
11.2.3.1. El problema de control activo.
11.2.3.2. Control de sistemas vibratorios lineales.
11.3. Algunos casos de estudio.
Plataforma experimental
Se realizarn experimentos de dinmica, vibraciones y control en dos plataformas experimentales
(traslacional y torsional), de la marca Educational Control Products (ECP), en un sistema rotor
kit de Bently Nevada, con generador de vibraciones de KCF Technologies, etc. Este equipo est
disponible en el Laboratorio de Absorcin de Vibraciones y Sistemas Electromecnicos de la
Seccin de Mecatrnica.
Software a utilizar
Matlab, Maple, MSC/Nastran, SDTools, ANSYS, etc.
Bibliografa
24. C.F. Beards, Structural Vibration: Analysis and Damping, Arnold, London, 1996.
25. S.G. Braun, D.J. Ewins, S.S. Rao (Eds.), Encyclopedia of Vibration, Vols. 1-3, Academic
Press, San Diego, CA, 2001.
26. R.L. Clark, W.R. Saunders, G.P. Gibbs, Adaptive Structures: Dynamics and Control, John
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Wiley & Sons, 1998.
27. J.P. Den Hartog, Mechanical Vibrations, 4th Edition, Mc-Graw Hill, NY, 1956. (Edicin
disponible en espaol).
28. C.W. De Silva, Vibration: Fundamentals and Practice, CRC Press, Boca Raton, FL 2000.
29. A.D. Dimarogonas, Vibration for Engineers, Prentice-Hall, NJ, 1996.
30. D.J. Ewins, Modal Testing: Theory, Practice and Applications, Research Studies Press Ltd.,
Baldock, Hertfordshire, U.K., 2000.
31. L.L. Faulkner, E. Logan Jr. (Eds.), Handbook of Machinery Dynamics, Marcel Dekker, NY,
2001.
Diego, CA, 1997.
33. M.R. Hatch, Vibration Simulation using MATLAB and ANSYS, Chapman and Hall, CRC
Press, FL, 2001.
34. W. Heylen, S. Lammens, P. Sas, Modal Analysis Theory and Testing, Katholieke
Universiteit Leuven, Faculty of Engineering, Department of Mechanical Engineering,
Belgium, 2000.
35. D.J. Inman, Engineering Vibration, 1st Edition, Prentice-Hall, NJ, 1996.
36. B.G. Korenev, L.M. Reznikov, Dynamic Vibration Absorbers: Theory and Technical
Applications, 1993.
37. S.G. Kelly, Fundamentals of Mechanical Vibrations, 2nd Edition, Mc-Graw-Hill, NY, 2000.
38. L. Meirovitch, Fundamentals of Vibrations, Mc-Graw-Hill, NY, 2001.
39. L. Meirovitch, Dynamics and Control of Structures, John Wiley & Sons, NY, 1990.
40. S. Moaveni, Finite Element Analysis: Theory and Application with ANSYS, 2nd edition,
Pearson Education, NJ, 2003.
41. S.S. Rao, The Finite Element Method in Engineering, Elsevier-Butterworth-Heinemann,
Oxford, UK, 2005.
42. S.S. Rao, Mechanical Vibrations, 3rd Edition, Addison-Wesley, NY, 1995.
43. J.M. Vance, Rotordynamics of Turbomachinery, John Wiley & Sons, NY, 1988.
44. V. Wowk. Machinery Vibration: Balancing, Mc-Graw Hill, 1995.
45. V. Wowk. Machinery Vibration: Measurement and analysis, Mc-Graw Hill, 1991.
188
2.10.4.23. Control por Modos Deslizantes (64 hrs)
Objetivo
En este curso el alumno encontrar los elementos fundamentales del control de sistemas
fsicos gobernados por uno o varios conmutadores, o controles que toman valores en
conjuntos discretos y las condiciones bajo las cuales se podrn traducir objetivos de
control especficos en restricciones algebraicas sobre las que el sistema puede y debe
evolucionar utilizando conmutacin de frecuencia infinitamente grande. Se sistematiza
el control por regmenes deslizantes a sistemas lineales y no lineales de uno y varios
controles conmutados. Se revisan una serie de metodologas de diseo de control en
promedio que pueden ser instrumentadas a travs de modulacin sigma delta en
sistemas conmutados.
Contenido
1. Generalidades sobre regmenes deslizantes.

Ejemplos de revisin y alcances de la teora. Regimenes deslizantes locales y globales.
Regmenes deslizantes en mltiples niveles. El esquema de control en promedio
mediante modulacin sigma delta.
2. Condiciones generales de existencia de regmenes deslizantes

Regmenes deslizantes en sistemas no lineales controlados por un solo conmutador.
Operadores de Proyeccin. El control equivalente. Robustez con respecto a
perturbaciones aditivas desconocidas de planta. Ejemplos.
3. El caso de Sistemas multi-variables.

Existencia de regmenes deslizantes. El mtodo de la jerarqua de los controles.
Obstculos dinmicos. La planitud diferencial en promedio como mtodo general de
creacin de regmenes deslizantes. Modulacin Sigma-Delta multivariable. Ejemplos
fsicos.
4. El mtodo geomtrico
Formulacin geomtrica de control por regmenes deslizantes para sistemas
conmutados. El grado relativo promedio. El caso de los sistemas de fase no-mnima
Diseo de superficies de deslizamiento linealizantes. Generacin de derivadas de la
salida. Controladores y alternativas clsicos. Ejemplos de aplicacin,
5. El mtodo algebraico.
Un sistema lineal visto como un mdulo. Ventajas para el diseo de regmenes
deslizantes. Generalizaciones posibles. Regmenes deslizantes desde la perspectiva
algebraica. Regmenes deslizantes dinmicos. El caso no lineal y las extensiones de
campos diferenciales. Generalizaciones. Ejemplos fsicos.
6. Diseo de control discontinuo mediante modelos promedio.

El control generalizado proporcional integral (GPI), el control deslizante y la planitud
189
diferencial. El controlador lineal variante en el tiempo de Hagenmayer-Delaleau.
Ejemplos de naturaleza fsica. Extensin a sistemas con retardos y otros sistemas
infinito dimensionales.
7. Tpicos de investigacin.
Otros enfoques sobre los regmenes deslizantes. Regmenes deslizantes de segundo
orden. Extensiones al caso discreto. Conos de deslizamiento. La propuesta de Furuta.
Ejemplos.
Bibliografa
Edwards, C., and S. K. Spurgeon, Sliding Mode Control, Taylor and Francis, London,
(1998).
H. Sira-Ramrez and S. Agrawal, Differentially flat systems, Marcel Dekker, Boston,

(2004).
Sira-Ramrez, H., Differential Geometric Methods in Variable Structure Control,

International Journal of Control, Vol. 48, No. 4 pp. 1359-1391 (1988).
Sira-Ramrez, H., Sliding modes, Delta-modulators, and Generalized Proportional

Integral Control of linear systems, Asian Journal of Control, Special Issue on
Variable Structure Systems. Vol. 5, No. 4, pp. 467-475, December 2003.
Slotine J.J. and W. Li, Applied Nonlinear Control, Prentice Hall, Upper Saddle River,
N.J., (1991).
Steele, R., Delta Modulation Systems, Pentech Press, London (1975).
Utkin, V. I., Sliding modes and their applications in Variable Structure Systems, Mir
Publishers, Moscow (1978).
Utkin, V. I., Sliding Modes in Control and Optimization, Springer-Verlag, Berlin

(1992).
Utkin, V. I., J. Guldner and J. Shi, Sliding Mode Control in Electromechanical Systems,
Talylor and Francis, London (1999).
Notas para el curso elaboradas por el profesor.
190
3. PROGRAMA DE DOCTORADO EN CIENCIAS EN
INGENIERA ELCTRICA.
191
El programa de Doctorado en Ciencias en Ingeniera Elctrica que ofrece el DIE del
Cinvestav est dirigido a especialistas en Ingeniera Elctrica y ramas afines.
3.1 Objetivo.
El objetivo del programa doctoral es la formacin de recursos humanos del ms alto nivel
en las reas que se cultivan en el DIE, capaces de generar conocimiento, concebir, dirigir y
realizar proyectos de investigacin cientfica y/o de desarrollo tecnolgico, as como de ejercer la
docencia a nivel superior y de posgrado.
3.2 Perfil del Egresado.
El egresado del programa doctoral del DIE ser un investigador que domine el estado del
arte en su rea de especialidad y que posea las bases cientficas y tecnolgicas para convertirse
en lder en su especialidad a nivel nacional e internacional. Ser capaz de concebir y realizar
proyectos de investigacin cientfica y tecnolgica.
3.3 Duracin del Programa.
La duracin normal de los estudios de Doctorado en Ciencias de Ingeniera Elctrica es

de nueve cuatrimestres. El CAE puede revisar solicitudes especiales y autorizar un plazo menor
o la inscripcin a cuatrimestres adicionales hasta acumular un mximo de doce. La duracin del
programa de doctorado no puede ser inferior a un ao. El plazo mximo para presentar el
examen de grado ser de cinco aos a partir del momento de la primera inscripcin al Doctorado.
3.4 Proceso de Admisin.
3.4.1 Requisitos de Ingreso.
1.- Promedio mnimo de 8.5 en los estudios de maestra. En casos en que el promedio sea inferior
al mnimo requerido, la solicitud podr ser evaluada si a juicio del CAD el aspirante demuestra
capacidad suficiente.
2.- Poseer grado de maestra en ciencias en Ingeniera Elctrica o ramas afines.
3.- Entregar la documentacin requerida por el Departamento de Servicios Escolares.
4.- Conocimiento del idioma ingls a un nivel de 500 puntos del TOEFL.
5.- Solicitud de admisin dirigida al Coordinador Acadmico de Doctorado del DIE.
6.- Currculum Vitae con copia de los documentos que acrediten la informacin reportada
(incluyendo certificado de calificaciones de licenciatura y maestra).
7.- Resumen de trabajo de tesis de maestra.
192
8.- Dos cartas de recomendacin (original y copia). Estas cartas pueden ser expedidas por
profesores o por personas que puedan testificar el desempeo del candidato, ya sea desde el
punto de vista acadmico o en el terreno profesional. De preferencia al menos una debe de ser de
un profesor del ltimo programa de estudios realizado.
9.- Sostener una entrevista con una comisin del CAE.
10 Aprobar un examen de admisin determinado por el CAD.
11. Aval de un investigador adscrito al programa manifestando su disposicin de dirigir al
estudiante.
3.4.2 Notificacin de Resultados.
La decisin sobre la aceptacin de un alumno al programa de doctorado la toma el CAD, con

base en los resultados y en su caso a las modalidades que sugiera el CAE al estudiante, de
acuerdo al procedimiento de admisin descrito. La notificacin de resultados se efecta por
escrito al aspirante (sta ser inapelable) extendindole una carta de aceptacin o no aceptacin.
La carta de aceptacin tiene una validez de un ao. La respuesta debe darse en un periodo entre
4 y 8 semanas a partir de la fecha de solicitud.
3.5 Seguimiento del Trabajo Acadmico.
La responsabilidad y las acciones en el cumplimiento del programa de doctorado as

como del seguimiento del trabajo acadmico recaen en el CP del DIE y los CAE. Estas
garantizan que:
Se establezca un plan de actividades acadmicas del estudiante para obtener el

grado de doctorado, y que este sea realizable en el tiempo previsto;
El alumno desarrolle adecuadamente su plan de actividades acadmicas y que sus
logros sean evaluados peridicamente;
Se facilite hacer adecuaciones y modificaciones al plan de actividades
acadmicas, si as se requiere.
Se integre un CAS por cada alumno inscrito.
El trabajo acadmico del estudiante ha de desarrollarse de acuerdo a los siguientes

lineamientos:
Antes de finalizar el primer cuatrimestre el alumno y su director de tesis deben presentar

un protocolo de investigacin al CAE. Este puede aceptarlo o sugerir modificaciones al mismo.
Asimismo el CAS avala que el alumno asista y apruebe un mnimo de dos cursos, los que
sern de carcter obligatorio.
Al trmino del quinto cuatrimestre el alumno deber presentar un examen predoctoral, en

sesin abierta, el mismo es calificado por el CAS.
193
Para inscribirse al dcimo, decimoprimero o decimosegundo cuatrimestres el alumno
debe presentar un examen de avance de tesis en sesin abierta para cada inscripcin. Este
examen es calificado por el CAE.
Cada inscripcin posterior al noveno cuatrimestre debe ser autorizada por el CAS despus
de conocer el resultado del examen de avance correspondiente.
Una vez concluida la tesis, esta es revisada por un jurado designado por el CAE y una vez
aprobada por ste es presentada y defendida en un examen abierto.
El CP del DIE es la mxima autoridad acadmica del DIE, y es el responsable de resolver

los aspectos no previstos.
3.6 Programa de Estudios.
Las actividades acadmicas son asignadas a cada alumno por su director de tesis con el aval del
CAS respectivo; comprenden adems del proyecto de investigacin, cursos, talleres, seminarios,
actividades docentes, y aquellas otras que proporcionen una slida formacin acadmica en los
conocimientos especficos del campo de inters principal del alumno, y lo preparen para la
candidatura al grado de doctor.
Las actividades antes mencionadas se han de realizar sin perjuicio de otras actividades asignadas
por el director de tesis y el CAS.
3.7 Requisitos de Permanencia.
La permanencia en los estudios del doctorado est sujeta a los siguientes requisitos:
Dedicar tiempo completo a los estudios de doctorado.
Realizar satisfactoriamente las actividades acadmicas que establezca el CAS.
Recibir un dictamen favorable en el examen de predoctoral, en el plazo sealado.
En caso de que la evaluacin del examen predoctoral resulte desfavorable, el CAS podr
autorizar una segunda y ltima evaluacin. Cuando el resultado de la segunda evaluacin sea
desfavorable, el alumno es dado de baja del programa.
Cuando un alumno interrumpa los estudios de doctorado, el CAS determina los trminos
para ser reincorporado al programa. El tiempo total de inscripcin efectiva no puede exceder los
lmites establecidos; el tiempo total acumulado de bajas temporales no debe exceder de seis
cuatrimestres.
194
Un estudiante que esta dado de baja puede solicitar la presentacin del examen de grado
previa presentacin de la tesis solo si su periodo de baja es inferior a un ao.
3.8 Requisitos para la obtencin del Grado Acadmico.
Para obtener el grado de Doctor en Ciencias en Ingeniera Elctrica se requerir:
Cumplir con el programa de estudios con un promedio mnimo de 8.

Haber cumplido satisfactoriamente con las actividades acadmicas establecidas
por el director de tesis y el CAS.
Haber cumplido satisfactoriamente con los requisitos de permanencia.
El estudiante debe demostrar un dominio del ingls con un mnimo de 550 puntos
del TOEFL.
Elaborar una tesis doctoral basada en los resultados de las investigaciones
realizadas por el alumno. Estos resultados representan la culminacin de sus
estudios de doctorado y la experiencia acumulada durante su formacin.
Haber publicado o tener aceptado un producto que la COPEI considere con una
calificacin igual o mayor a cinco puntos; donde el trabajo de investigacin de
la tesis sea el elemento sustancial. El CAS verifica que se cumpla este aspecto.
Con la aprobacin del director de tesis, el estudiante entrega la tesis terminada a
todos los miembros del jurado, quienes la revisan. El estudiante debe tener en
consideracin y responder satisfactoriamente a las observaciones de los
miembros del jurado. Una vez efectuada la revisin de la tesis el estudiante
solicita la presentacin del examen de grado.
Presentar y aprobar el examen de grado de doctor, consistente en la defensa de la
tesis de grado ante el jurado correspondiente.
Si la defensa es exitosa de acuerdo con los criterios del Jurado Designado, el Cinvestav otorga al
estudiante el grado de Doctor en Ciencias en Ingeniera Elctrica mencionando la opcin en la
especialidad.
3.9 Examen Predoctoral.
Se considerar que un alumno es candidato a doctor cuando demuestre que cuenta con una
slida formacin acadmica y capacidad para la investigacin. En consecuencia debe presentar
un examen predoctoral, cuya evaluacin tiene por objetivo verificar que el aspirante:
Sea capaz de identificar y plantear un tema de investigacin original en su campo

disciplinario con destreza y creatividad.
Maneje de manera crtica la informacin cientfica y tecnolgica de fuentes
especializadas de actualidad relacionadas con el proyecto de investigacin que lo
conducir a su tesis de grado.
Tenga conocimientos slidos en su campo disciplinario y temas afines que estn
relacionados con su investigacin y tenga capacidad para integrarlos.
195
El examen predoctoral debe presentarse al finalizar el quinto cuatrimestre.
El CAS es el encargado de determinar si el alumno de doctorado est preparado para

optar por la candidatura al grado. Las caractersticas y procedimientos del examen de candidatura
al grado de doctor sern descritos en las normas operativas. Este examen predoctoral versa de
manera principal sobre el campo disciplinario del alumno relacionado con su investigacin, los
temas ms cercanos y la propuesta en primera aproximacin de la base terico-metodolgica de
su tesis de grado. Todo alumno tiene un mximo de dos oportunidades para presentarlo y
aprobarlo. Debe transcurrir un mnimo de cuatro y un mximo de doce meses entre ambas
oportunidades.
Para obtener la candidatura al grado de doctor es necesario obtener un dictamen positivo

en el examen predoctoral.
3.10 Caractersticas de la Tesis.
La tesis de doctorado debe corresponder a la realizacin de un proyecto de investigacin

original acorde con los objetivos del Programa.
La tesis debe ser una evidencia escrita integral y sistemtica de las hiptesis planteadas,
las estrategias empleadas en la resolucin del problema de investigacin y los resultados
obtenidos.
3.11 Examen de Grado.
El examen de grado consiste en la presentacin y defensa de la tesis de grado.

El CAS es el encargado de proponer al CAE el jurado de examen.
Los jurados de los exmenes de doctorado son nombrados por el CAE e integrados por al
menos cinco y un mximo de siete sinodales, bajo el siguiente esquema:
El Director de Tesis.
Al menos dos miembros del CAS.
Al menos un miembro del CPE.
Un investigador externo al Cinvestav.
Si la tesis es codirigida, el nmero mnimo de miembros del jurado es de seis.
Es requisito previo para autorizar la realizacin del examen de grado la aprobacin de la

tesis por todos los miembros del jurado.
La operacin y procedimientos respectivos son resueltos conforme a las normas operativas del
Reglamento General de Estudios de Posgrado del Cinvestav.
196
4. ESTRUCTURA ACADMICA.
PUESTOS Y FUNCIONES
COLEGIO DE PROFESORES DEL DIE (CP)

Es la autoridad acadmica del DIE y lo forma el pleno del personal acadmico. Es decir, todos
los Profesores del DIE en activo con nombramiento de Investigador Cinvestav.
Funciones
-Elaborar planes de desarrollo del DIE.
-Desarrollar programas de estudio y de investigacin.
-Conformar al interior del DIE los comits de estudio y/o de trabajo que aseguren el buen
funcionamiento del DIE.
-Conocer y opinar sobre las polticas de desarrollo institucional.
-Para el caso de votaciones tienen derecho de voz y voto los profesores en activo, como son
aquellos que estan recibiendo ntegras sus percepciones econmicas, incluyendo a quienes se
encuentren de sabtico o de comisin con goce de sueldo.
-Determinar la forma de operar mediante un Reglamento de Colegio.
COLEGIO DE PROFESORES DE LA ESPECIALIDAD (CPE)

Este Colegio est compuesto por el pleno del personal acadmico de la especialidad. Formar
parte del CP. El CPE establece su forma de operar.
Funciones
-Modificar y revisar el programa de estudio as como de investigacin de la Especialidad.
-Elaborar planes de desarrollo de la Especialidad.
-Determinar internamente el nmero de estudiantes de nuevo ingreso, considerando factores
como tamao de la planta acadmica, infraestructura, espacio para estudiantes, etc.
-Conformar hacia el interior de su entidad los comits de estudio y/o de trabajo que aseguren el
buen funcionamiento de la especialidad, tales como: CAM, CAE, CAS y CAD.
COMIT DE ADMISION DE MAESTRA (CAM).

-Coordinador de admisin.
-Coordinador acadmico de maestra.
-Representantes de cada especialidad.
Funciones:
-Planeacin de las actividades de promocin del posgrado.
-Revisar las solicitudes de admisin y determinar su pertinencia.
-Analizar y dictaminar la viabilidad de la admisin de estudiantes cuando el alumno no cumpla
con el promedio superior a 8.0 en la licenciatura.
-Planeacin de cursos propeduticos y exmenes de admisin.
-Planeacin de los procedimientos de admisin.
-Revisin y seleccin de los aspirantes y canalizacin a los CAE.
198
-Solicitar los recursos fsicos y financieros para los cursos propeduticos y/o tronco comn.
COORDINADOR DE ADMISION.
-Investigador del DIE que forma parte del CAM, CAD y los Comits de los Programas de
Maestra y Doctorado.
Funciones:
-Coordinacin de las actividades de promocin del posgrado de Maestra y Doctorado.
-Coordinacin de los cursos propeduticos.
-Ejecucin de los procedimientos de admisin.
-Coordinacin de los exmenes de admisin.
COMIT DEL PROGRAMA DE MAESTRIA.

-Jefe del DIE.
-Coordinador acadmico de maestra.
-Representantes de cada una de las especialidades (pueden ser diferentes a los miembros de otros
comits).
Funciones
-Revisin del plan de estudios.
-Revisin y aprobacin del reglamento de posgrado de maestra.
-Planeacin, Programacin y Presupuestacin de los recursos necesarios para la realizacin de
los cursos a propuesta del CAM.
-Atencin a los casos de conflicto con los estudiantes.
-Avalar los jurados propuestos por los CAE correspondientes.
COORDINADOR ACADMICO DE MAESTRA.

-Investigador del DIE que formar parte del Comit de Programa de Maestra.
Funciones:
-Estudio y dictamen sobre las solicitudes de admisin a la maestra.
-Supervisin de las actividades acadmicas de la maestra.
-Programacin de los cursos de maestra del DIE.
-Atencin a los trmites acadmicos de los estudiantes de maestra.
-Proponer para su anlisis al CP los asuntos acadmicos del programa de maestra que considere
pertinentes.
-Verificar la eficiencia terminal de los estudiantes.
-Seguimiento del desarrollo profesional de los egresados.
-Elaboracin de las estadsticas e indicadores relevantes del Programa de Maestra.
-Informar de las actividades desarrolladas dentro el Programa de Maestra del DIE a la Secretara
Acadmica del Cinvestav y al Conacyt PNP, as como realizar los reportes e informes
correspondientes.
199
-Coordinar los trabajos para la elaboracin del Reglamento Acadmico de Maestra del DIE.
COMIT DE ADMISIN DE DOCTORADO (CAD).

-Coordinador acadmico de doctorado.
-Representantes de cada especialidad.
Funciones:
-Planeacin de las actividades de promocin del posgrado.
-Planeacin de los procedimientos de admisin al doctorado.
-Llevar a cabo el examen de admisin para el doctorado.
-Decidir sobre la aceptacin de un alumno al programa de doctorado.
-Evaluar las solicitudes en cuyo caso el promedio mnimo de 8.5 en los estudios de maestra no
se cumpla.
-Revisin y seleccin de los aspirantes al doctorado y canalizacin a los CAE correspondientes.
-Poner a disposicin de los directores y de los alumnos del programa un conjunto de sugerencias
para la presentacin de tesis de grado.
-Solicitar los recursos fsicos y financieros para la adecuada operacin del programa de
doctorado.
COMIT DEL PROGRAMA DE DOCTORADO.

-Jefe del DIE.
-Coordinador acadmico de doctorado.
-Coordinacin de admisin.
-Representantes de cada una de las especialidades (pueden ser diferentes a los miembros de los
otros comits).
Funciones.
-Revisin del plan de estudios.
-Revisin y aprobacin del reglamento de posgrado de doctorado.
-Planeacin, Programacin y Presupuestacin de los recursos necesarios para la realizacin de
los cursos a propuesta del CAD.
-Atencin a los casos de conflicto con los estudiantes.
-Avalar los jurados propuestos por los CAE correspondientes.
COORDINADOR ACADEMICO DE DOCTORADO.

-Investigador del DIE que y formar parte del Comit de Programa de Doctorado.
Funciones.
-Estudio y dictamen sobre las solicitudes de admisin al doctorado.
-Supervisin de las actividades acadmicas del doctorado.
-Programacin de los cursos de doctorado del DIE.
-Atencin a los trmites acadmicos de los estudiantes de doctorado.
200
-Proponer para su anlisis al CP los asuntos acadmicos del programa de doctorado que
considere pertinentes.
-Verificar la eficiencia terminal de los estudiantes.
-Elaboracin de las estadsticas e indicadores relevantes del Programa de Doctorado.
-Seguimiento del desarrollo profesional de los egresados.
-Informar de las actividades desarrolladas dentro el Programa de Doctorado del DIE a la
Secretara Acadmica del Cinvestav y al Conacyt PNP, as como realizar los reportes e
informes correspondientes.
-Coordinar los trabajos para la elaboracin del Reglamento Acadmico de Doctorado del DIE.
COMITES ACADMICO DE ESPECIALIDAD (CAE).

- Es elegido de entre los miembros del CPE.
Funciones.
-Nombrar representantes ante los comits de admisin y acadmicos.
-Proponer ante el comit de programa cambios en el plan de estudios de la especialidad.
-Revisar las solicitudes de admisin al doctorado de estudiantes que deseen hacerlo en la
especialidad. Turnar la propuesta al comit de admisin.
-Avalar los temas de tesis propuestos de la especialidad.
-Determinar la capacidad de estudiantes que pueden ser admitidos en la especialidad.
-Revisar y dictaminar las solicitudes de los aspirantes a la maestra que hayan sido turnados por
el comit de admisin. En este caso los expedientes podrn ser turnados a subcomits.
-Nombrar a los jurados para los exmenes de grado.
COMIT ACADMICO DE SEGUIMIENTO (CAS).

Este comit se forma a propuesta de los CPE y debe incluir al Director y Codirectores de Tesis.
Este CAS es asignado a cada alumno aceptado para el programa de doctorado.
Estar formado por:
Director o Codirectores de tesis.
Dos profesores del CP.
Un investigador externo al DIE.
Funciones
-Avalar que el alumno asista y apruebe un mnimo de dos cursos, los que son de carcter
obligatorio, de comn acuerdo con su director de tesis.
-Calificar el examen predoctoral en sesin abierta, al trmino del quinto cuatrimestre.
-Autorizar cualquier inscripcin del programa de doctorado, posterior al noveno cuatrimestre,
despus de conocer el resultado del examen de avance correspondiente.
-Formar parte del jurado para el examen de grado de doctorado (al menos lo integrarn dos
miembros).
-Avalar las actividades acadmicas asignadas a los alumnos de doctorado por su director de tesis
(comprendern adems del proyecto de investigacin; cursos, talleres, seminarios, actividades
docentes y aquellas otras que proporcionan una slida formacin acadmica en los
conocimientos especficos del campo de inters principal del alumno).
201
-Verificar que se lleven a cabo satisfactoriamente las actividades acadmicas establecidas por el
CAS para determinar la permanencia de los alumnos en el programa de doctorado.
-Autorizar una segunda y ltima evaluacin en caso de que la evaluacin de examen predoctoral
resulte desfavorable.
-Determinar los trminos para incorporar a los alumnos a los estudios de doctorado cuando estos
interrumpan los estudios.
-Determinar si el alumno de doctorado est preparado para optar por la candidatura del grado.
-Verificar para la obtencin del grado de doctorado que se hayan cumplido satisfactoriamente:
Las actividades acadmicas establecidas por el director de tesis.
Confirmar que el estudiante haya publicado o tener aceptado un producto que la
COPEI considere con una calificacin igual o mayor a cinco puntos donde el
trabajo de investigacin de la tesis sea el elemento sustancial.
-Proponer al CAE el jurado de examen de grado de doctorado.
-Cuando un alumno interrumpa los estudios de doctorado, el CAS determina los trminos para
ser reincorporado al programa.
JURADO DE MAESTRA
Es designado por el CAE y deber incluir:

El Director.
El Codirector (Si as corresponde).
Al menos un profesor del CPE.
Al menos un profesor del CP.
Se sugiere integrar al menos un profesor externo al DIE.
JURADO DE DOCTORADO
Los jurados de los exmenes de doctorado son nombrados por el CAE e integrados por al menos
cinco y un mximo de siete sinodales, bajo el siguiente esquema:
El director de Tesis.
Al menos dos miembros del CAS.
Al menos un miembro del CPE.
Un investigador externo al Cinvestav.
Si la tesis fue codirigida, el nmero mnimo de miembros del jurado es de seis.
202
5. ANEXOS.
A) Planta Acadmica y Lneas de Investigacin del Ncleo Acadmico Bsico de
Tiempo Completo.
NIVEL
INVESTIGADOR LNEA DE INVESTIGACIN
SNI
1. Dr. Arturo Minor Rehabilitacin y estimulacin funcional. I
Martnez
2. Dr. Arturo Vera Bioinstrumentacin, hipertermia.
Hernndez
3. Dr. Carlos Alvarado Bioinstrumentacin y biotelemetra.
Serrano
4. Dr. David Elas Vias Bioinstrumentacin electrnica y biofsica.
5. Dr. Ernesto Suaste Metodologas instrumentales para la investigacin de II
Gmez la visin humana y la biomecnica ocular.
Transductores piezoelctricos.
6. Dr. Lorenzo Leija Salas Rehabilitacin, biotelemetra, uso de la R.F. en I
teraputica.
7. Dr. Pablo R. Hernndez Sensores y biosensores, biotelemetra y procesamiento I
Rodrguez de bioseales.
8. Dr. Roberto Muoz Rehabilitacin y control mioelctrico. I
Guerrero
9. Dr. Ruperto Osorio Microelectrnica. I
Saucedo
10. Dr. Aldo G. Orozco Lugo Procesamiento digital de seales para comunicaciones, I
simulacin de sistemas de comunicacin, modelado
del canal de radio, tcnicas de sincronizacin.
11. Dr. Domingo Lara Redes de comunicacin mvil y redes telefnicas. I
12. Dr. Felipe Cruz Mtricas de calidad de servicio (QoS). Probabilidad de I

bloqueo, probabilidad de terminacin forzada, retardo
de transmisin, retardo de acceso, ancho de banda
asignado. Dimensionamiento: Cobertura, capacidad,
calidad.
13. Dr. Hildeberto Jardn Electrnica de alta linealidad y bajo nivel de ruido para II
sistemas de radiocomunicacin, compatibilidad
electromagntica de los sistemas de
radiocomunicacin.
14. Dra. Giselle Galvn Propagacin de ondas de radio, antenas para sistemas I
de comunicaciones, capacidad, cobertura y diseo de
sistemas de telefona inalmbrica fija, tcnicas de
acceso mltiple.
15. Ing. Jorge Surez Daz Proyectos de desarrollo tecnolgico e investigacin en III
comunicaciones.
16. Dr. Mauricio Lara Procesamiento digital de seales para comunicaciones, I
simulacin de sistemas de comunicacin, codificacin
de voz, igualacin, estimacin de canal, protocolos de
acceso al medio, redes ad hoc.
204
17. Dr. Ral Garca Grupo de redes de comunicacin: protocolos de
comunicacin, redes de datos.
18. Dr. Valeri Ya. Radiocomunicaciones, comunicaciones mviles, III
Kontorovitch Mazover modelado y simulacin de canales de comunicacin,
compatibilidad electromagntica de sistemas de
comunicacin.
19. Dr. Alejandro vila Silicio amorfo hidrogenado, produccin de pelculas y I
Garca su caracterizacin tanto ptica como elctrica. Niveles
profundos en semiconductores y su caracterizacin.
20. Dr. Antonio Cerdeira Desarrollo y estudio de dispositivos semiconductores y II
Altuzarra circuitos integrados, desarrollo y caracterizacin de
sensores semiconductores de radiacin y presin.
21. Dr. Arturo Escobosa Crecimiento epitaxial de compuestos III-V. I
Echavarria Caracterizacin de semiconductores, dispositivos opto
electrnicos.
22. Dr. Jos Antonio Moreno Diseo de sistemas VLSI, lgica difusa, redes I
Cadenas neuronales artificiales.
23. Dr. Felipe Gmez Diseo de sistemas VLSI, lgica difusa, redes I
Castaeda neuronales artificiales.
24. Dr. Arturo Maldonado xidos semiconductores obtenidos por roco qumico. II
lvarez
25. Dra. Magali Estrada del Semiconductores de silicio y circuitos integrados, II
Cueto mtodos de obtencin y caracterizacin de capas
dielctricas y semiconductoras y de estructuras en base
a ellas. Obtencin, caracterizacin y aplicacin de
detectores de radiacin en base a silicio.
26. Dra. Maria De La Luz Semiconductores. xidos semiconductores, sensores II
Olvera Amador de gases.
27. Dr. Mario Alfredo Reyes Diseo de circuitos integrados analgicos, memorias I
Barranca MOS de compuerta flotante para redes neuronales
artificiales, lgica difusa
28. Dr. Mauricio Ortega Sntesis de materiales semiconductores por mtodos I
Lpez qumicos, desarrollo de celdas solares fotovoltaicas,
investigacin bsica en celdas solares. Fsica de
dispositivos semiconductores.
29. Dr. Arturo Morales- Sntesis de materiales semiconductores por mtodos III
Acevedo qumicos, desarrollo de celdas solares fotovoltaicas,
investigacin bsica en celdas solares. Fsica de
dispositivos semiconductores.
30. Dr. Viatcheslav Crecimiento de pelculas delgadas de semiconductores II
Alexandrovich Elyunkhin compuestos con aplicaciones en opto electrnica,
estudio de la termodinmica del depsito de pelculas
delgadas, dispositivos opto electrnicos a base de
compuestos III-V.
31. Dr. Gabriel Romero- Dispositivos semiconductores de silicio y silicio I
Paredes Rubio poroso, caracterizacin de semiconductores, procesos
tecnolgicos de circuitos integrados de silicio.
32. Dr. Iouri Koudriavtsev Espectroscopia de masas de iones secundarios. I
33. Dr. Jaime Mimila Arroyo Celdas solares, transistores de alta frecuencia, III
fotoconductores, crecimientos de cristales masivos y
205
en pelculas delgadas.
34. Dr. Ramn Pea Sierra Crecimiento y caracterizacin de pelculas epitaxiales I
semiconductoras de la familia III-V por MOCVD,
diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs, laseres de
semiconductor, dispositivos optoelectrnicos.
35. Dr. Rene Asomoza Difraccin de rayos X, propiedades de transporte III
Palacio. elctrico de semiconductores, semiconductores no
cristalinos, espectroscopia de masas de iones
secundarios.
36. Dr. Rodolfo Antonio Simulacin numrica de dispositivos semiconductores,
Quintero Romo prospeccin tecnolgica.
37. Dr. Vctor Manuel Crecimiento de cristales masivos por la tcnica I
Snchez Resndiz Czochralski, crecimiento de pelculas epitaxiales por la
tcnica MOCVD.
38. Dr. Yasuhiro Matsumoto Celdas solares de pelculas delgadas a base de silicio I
Kuwabara amorfo hidrogenado, transistores de pelculas
delgadas.
39. Dr. Eduardo Aranda Sistemas dinmicos no lineales, diseo y control de I
Bricaire sistemas de transporte.
40. Dr. Francisco J. Ruiz Robtica, modelado, simulacin y control de sistemas
Snchez de manufactura flexible.
41. Dr. Vicente Parra Vega Robtica, modelado, simulacin y control de sistemas I
de manufactura flexible.
42. Dr. Hebertt Sira Ramrez Sistemas dinmicos no lineales, sistemas III
electromecnicos y mquinas elctricas, absorcin de
vibraciones mecnicas.
43. Dr. Carlos Alberto Cruz Diseo y control de sistemas de transporte,
Villar optimizacin de sistemas mecatrnicos, modelado,
simulacin y control de sistemas de manufactura
flexible.
44. Dr. Jaime lvarez Sistemas dinmicos no lineales, sistemas III
Gallegos electromecnicos y mquinas elctricas, absorcin de
vibraciones mecnicas, optimizacin de sistemas
mecatrnicos.
45. Dr. Martn Velasco Villa Sistemas dinmicos no lineales, diseo y control de I
sistemas de transporte, robtica.
46. Dr. Rafael Castro Linares Sistemas dinmicos no lineales, sistemas II
electromecnicos y mquinas elctricas.
47. Dr. Gerardo Silva Sistemas dinmicos positivos, perturbaciones I
Navarro singulares, estabilizacin de sistemas no lineales,
control de procesos, absorcin pasiva y activa de
vibraciones en sistemas mecnicos.
48. Alejandro Rodrguez Nuevas tecnologas de teora de control, mecnica, y I
ngeles mecatrnica, sincronizacin de sistemas, robots
manipuladores, robots mviles, control adaptable,
observadores de estado, sistemas con friccin,
modelado e identificacin de sistemas.
206
B) Lista de Abreviaciones y Definiciones.
1. Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa (Conacyt)

2. Centro de Investigacin y de Estudios Avanzados del I.P.N. (Cinvestav)
3. Comisin de Promocin y Estmulos para los Investigadores del Cinvestav
(COPEI)
4. Departamento de Ingeniera Elctrica (DIE)
5. Colegio de Profesores del DIE (CP)
Es la autoridad acadmica del DIE y lo forma el pleno del personal acadmico.
Es decir, todos los Profesores del DIE en activo con nombramiento de
Investigador Cinvestav
6. Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE)
Este Colegio estar compuesto por el pleno del personal acadmico de la
especialidad. Formar parte del CP
7. Coordinador de Admisin
Investigador del DIE (nombramiento equivalente a coordinador acadmico)
8. Coordinador Acadmico de Maestra
Investigador del DIE
9. Coordinador Acadmico de Doctorado
10. Comit del Programa de Maestra
Jefe del DIE
Coordinador acadmico de maestra
Coordinador de admisin
Representantes de cada una de las especialidades (pueden ser diferentes a los
miembros de otros comits)
11. Comit del Programa de Doctorado
Jefe del DIE
Coordinador acadmico de doctorado
Coordinacin de admisin
Representantes de cada una de las especialidades (pueden ser diferentes a los
miembros de los otros comits)
12. Comit Acadmico de Especialidad (CAE)
Ser elegido de entre los miembros del CPE
13. Comit de Admisin de Maestra (CAM)
Coordinador acadmico de maestra
Representantes de cada especialidad
14. Comit de Admisin de Doctorado (CAD)
Coordinador acadmico de doctorado
Representantes de cada especialidad
15. Comit Acadmico de Seguimiento (CAS)
207
Este comit se forma a propuesta de los CPE y deber incluirse al Director y
Codirectores de Tesis. Este CAS ser asignado a cada alumno aceptado para el
programa de doctorado
Estar formado por:
Director o Codirectores de tesis
Dos profesores del CP
Un investigador externo al DIE
16. Jurado de Maestra
Ser designado por el CAE y deber incluir
El Director
El Codirector (Si as corresponde)
Al menos un profesor del CPE
Al menos un profesor del CP
Se sugiere integrar al menos un profesor externo al DIE
17. Jurado de Doctorado
Los jurados de los exmenes de doctorado sern nombrados por el CAE e
integrados por al menos cinco y un mximo de siete sinodales, bajo el siguiente
esquema:
El director de Tesis
Al menos dos miembros del CAS
Al menos un miembro del CPE
Un investigador externo al Cinvestav
Si la tesis fue codirigida, el nmero mnimo de miembros del jurado ser de seis
18. Director de Tesis
19. Codirector de Tesis
Podr ser un investigador del DIE o un investigador externo al Cinvestav, activo en
investigaciones y con grado de doctor
En caso de codirecciones al menos uno de ellos deber ser profesor del DIE.
20. Padrn Nacional de Posgrado del Conacyt (PNP)
21. Sistema Nacional de Investigadores (SNI)
22. Centro Nacional de Evaluacin para la Educacin Superior (CENEVAL)
23. Test of English as a Foreing Language (TOEFL)
24. (Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
25. International Standard Book Numbering (ISBN)
208

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CENTRO DE INVESTIGACIN Y DE ESTUDIOS

AVANZADOS DEL I.P.N.

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- Comit de Admisin a la Maestra (CAM)*.

El programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica tiene como objetivo

2.2. Perfil del egresado.

2.3. Duracin del Programa.

2.4. Proceso de Admisin.

2.4.1 Admisin de Estudiantes.

Para ser admitido al Programa de Maestra en Ciencias en Ingeniera Elctrica, el

- Haber terminado una licenciatura en un rea afn. Se podrn admitir

2.4.2 Cursos Propeduticos.

El DIE ofrece cursos propeduticos en las reas de Matemticas y Electrnica. La

2.4.3 Comit de Admisin a la Maestra (CAM).

El CAM ser el encargado de:

El CAM turna a cada CAE un nmero de expedientes 50% mayor a la capacidad de la

En la seleccin final de aspirantes, el CAE puede considerar criterios adicionales como

2.4.4 Notificacin de Resultados.

El DIE ofrece cuatro especialidades en el rea de Ingeniera Elctrica.

Cada rea de especialidad mediante el Colegio de Profesores de la Especialidad (CPE)

-El CAE o el director de tesis puede recomendar materias adicionales si lo considera

El nmero de estudiantes admitidos no puede exceder al solicitado por cada rea de

2.5. Requisitos para la obtencin del Grado Acadmico.

Para obtener el grado de maestro se requerir:

Para obtener el grado de maestra se requiere que el estudiante cumpla

Si la defensa es exitosa de acuerdo con los criterios del Jurado Designado, el

2.6. Admisin al Programa de Doctorado Directo.

Cursos Propeduticos Duracin Periodo

Tronco Comn Duracin

CUATRIMESTRE Bioelectrnica Comunicaciones Electrnica del Estado Slido Mecatrnica

- Matemticas - Matemticas - Matemticas

- Teora Electromagntica - Robtica

- Curso Opcional - Curso Opcional

- Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis - Trabajo de Tesis

2. Cuatrimestre (Obligatorias de la Especialidad).

3. Cuatrimestre (Obligatorias de Especialidad).

Teora de las Comunicaciones.

2.8.1. Matemticas (40 hrs)

1.- ALGEBRA LINEAL (27 hrs)

2.- ANALISIS REAL (10.5 hrs)

1.- REPASO DE LA TEORA BSICA PARA ANLISIS DE

2.- PROCESAMIENTO ANALGICO (2 hrs)

3.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES. (13 hrs)

4.- ESTABILIDAD (4 hrs)

5.- CONFIGURACIONES CON AMPLIFICADORES (10.5 hrs)

6.- RUIDO EN SISTEMAS ELECTRNICOS. (4 hrs)

2.9.1 Teora de Seales y Sistemas (64 hrs)

1.- INTRODUCCIN. (2 hrs)

2.- SEALES Y SISTEMAS. (22 hrs)

3.- SERIES DE FOURIER. (4 hrs