LABORATORIO DE DISPOSITIVOS

ELECTRNICOS
INFORME DE LA PRCTICA No. 4A
VERIFICACIN DE
CARACTERSTICAS DEL MOSFET Y
POLARIZACIN
Sebastin Lozada, Daniel Panche, Jairo Torregrosa.
Ingeniera Electrnica,
Pontificia Universidad Javeriana
lozadas@javeriana.edu.co, panched@javeriana.edu.co,
torregrosaj@javeriana.edu.co.

Resumen- Este documento presenta el informe 4A de la
prctica titulada verificacin de caractersticas del MOSFET y
polarizacin. En la cual se analiza el cambio en las etapas de
polarizacin del MOSFET.
I. USO DEL TRAZADOR DE CURVAS PARA LA
CARACETERIZACIN DE UN MOSFET
1. Identifique los terminales del MOSFET 2N7000. Para
esto, es posible utilizar la hoja de especificaciones del
componente.
Segn el datasheet, el valor de VDS en el lmite de trodo y
saturacin es igual al valor de VGS por lo que VDS=VGS
VDS = 0.79
PI-2. Teniendo en cuenta que, en la regin de saturacin, la
corriente Id se estabiliza respecto al voltaje Vds, y en la regin
trodo stos valores varan casi de forma lineal en cul regin
utilizara un MOSFET para realizar una etapa de amplificacin
y en cul un circuito de conmutacin?
En la regin de saturacin pues en esta regin se puede
amplificar una seal, ya que se tiene una fuente de corriente
controlada por el voltaje entre los terminales Gate y Source, y
aunque esta relacin no sea totalmente lineal, polarizando el
MOSFET en un punto especfico, esta relacin si se podr
modelar linealmente por lo que se tendr un amplificador lineal
y el circuito de conmutacin los disearamos en la regin de
trodo.

2. Mida los voltajes y corrientes de polarizacin en el

Figura 1. Mosfet. Circuito 1 y escrbalos en la Tabla 1.

GATE:2 DRAIN: 3 SOURCE: 1

Id(mA) Vd(V) Vs(V) Vg(V) Valores
6. Dibuje la caracterstica observada. 4,68 1,56 1m 1,56 Medidos

4,61 2,31 0 2,31 Calculados

Tabla1. Circuito 1

PII-1. Explique las posibles diferencias entre los valores

Grafica 1. Caracterstica del 2N7000 Curva ID-VDS
VGS (th): 0.79V
Resistencia D - S: 4,32
PI-1. Qu valor aproximado posee Vds cuando el MOSFET
se encuentra en el lmite entre trodo y saturacin?
medidos y los calculados.
La discrepancia entre los valores de corriente no fue tan
grande, aunque en el VG y VS si hubo una desviacin mayor
la cual no llega a ser alarmante pues esto puede estar
ocasionado debido a que el valor de vgs utilizado para los
clculos es un rango y no un valor exacto, los valores
calculados fueron con un valor arbitrario que no coincide con
el valor real, sino que es cercano.
 3. Mida los voltajes y corrientes de polarizacin en el
96.5 43.62
Circuito 2 y escrbalos en la Tabla 2.
99.1 43.63
Id(mA ) Vd(V) Vs(V) Vg(V) Valores Tabla 3. Variacin de ID con respecto a T

50,8 425m 0,22 2,71 Medidos PIII-1. Qu cambio nota en la corriente de polarizacin del
circuito? Coincide el resultado con lo asegurado en las
46.6 2,38 0 2,57 Calculados preguntas previas?
Tabla 2. Circuito 2. La corriente vari en unos 200uA, siendo esta una variacin
muy pequea a medida que la temperatura aument. Si, el
PII-2. Explique las posibles diferencias entre los valores resultado coincide con lo asegurado en las preguntas previas.
medidos y calculados.
El valor de vgs es un rango y no un valor exacto, los valores CONCLUSIONES
calculados fueron con un valor arbitrario que no coincide con Se observ la curva caracterstica de un MOSFET.
el valor real, sino que es cercano. El nico con una diferencia Se observ la dependencia de las caractersticas de
mayor es Vd, esto se puede deber a la potencia soportada por polarizacin de una etapa amplificadora del MOSFET con el
las resistencias utilizadas, lo que pudo crear un error en los cambio del dispositivo por otro de la misma referencia.
datos al ser tomados. Se observ la variacin de la corriente con respecto a la
temperatura
4. Apague la fuente e intercambie los MOSFET de los
circuitos 1 y 2, luego mida la corriente de polarizacin en cada REFERENCIAS
circuito. FLOYD, Thomas, Dispositivos Electrnicos. Octava
Edicin, Pearson Education, 2008.
ID Cto1 (M1) = 4.86mA ID Cto1 (M2) =4.83mA SEDRA & SMITH, Microelectronic Circuits. Ed.
Oxford, 5a. Edicin, 2004.

REFERENCIA DE DATOS
Variacin cto1= 6.17m Los datos fueron obtenidos gracias a Mateo Ibarra, Juan Piez-
Chacn y Stefano Sgro.
ID Cto2 (M2) = 157mA ID Cto2 (M1) = 156mA Los datos de la tabla 1, fueron tomados por nosotros.

Variacin cto2 = 6.37m

PII-3. Cul circuito es ms estable con el cambio del

MOSFET? Por qu? Coincide esto con lo analizado en las
preguntas previas.
El circuito 1 resulta ser ms estable frente a un cambio de
dispositivo, esto puede ser debido a la resistencia de Gate que
impide el paso de pequeas corrientes parsitas en el terminal
GATE del MOSFET mientras que el otro circuito al no tener
una resistencia en esa parte del circuito puede cambiar un poco
el punto de polarizacin del transistor al cambiar el voltaje
Gate - Source.

III. VARIACIN DE LA CORRIENTE CON LA

TEMPERATURA.

Temperatura (C) Corriente ID (mA)

33 43.86

52.6 43.73

78.2 43.65

87.1 43.62

90.1 43.61