INGENIERA MECATRNICA

SEMESTRE 6 A

ACTIVIDAD 2
SINTESIS

ASIGNATURA
ELECTRONICA DE POTENCIA

PROFESOR
ING. GONZALO VILLALOBOS TAPIA

EQUIPO NARANJA

INTEGRANTES
MONDRAGN SAUCEDO RICARDO
MONTIEl DOMINGUEZ EDWARD JESUS
MORENO RIVERA OSCAR ALEJANDRO
ORTEGA TINOCO ANTONIO
NARANJO IXTA JOS LUIS
NEGRETE MANRQUEZ JUAN MANUEL

URUAPAN MICHOACN. FECHA DE ENTREGA: 1 DE FEBRERO DE 2017

 Tabla comparativa ventajas y desventajas

Dispositivo BJT MOSFET IGBT

Ventajas Son controlados por Son controlador Combinan las
corriente. por voltaje. ventajas de los
Pueden actuar como Requieren muy BJT y MOSFET.
amplificadores, poca potencia de Son controlador
interruptor. excitacin en por voltaje.
Tiene ganancia de compuertas. No tienen
corriente. Sus parmetros fenmeno de
Cuando la corriente y son menos ruptura
el voltaje de la base se sensibles a la secundaria.
modifica la del colector temperatura de la Alta impedancia
se mantiene. unin. de entrada.
No requiere Bajas perdidas en
corriente de base estado activo.
para controlar la Est fabricado con
corriente del cuatro capas
colector. alternadas PNPN.
La velocidad de Controlado por
conmutacin es voltaje.
muy alta Ms rpido que un
(nanosegundos). BJT.
No tienen Tienen muchas
fenmeno de aplicaciones en
ruptura prcticas de
secundaria como potencia.
el BJT.
Tienen
aplicaciones en
los convertidores
de alta frecuencia
y baja potencia.

Desventajas Perdida de potencia en Problemas en Reduce la
las uniones Base - descargas ganancia de la
Emisor. electroestticas. terminan NPN.
La capacitancia de Es difcil de La velocidad de
agotamiento influyen protegerlos de un conmutacin es
en la activacin y corto circuito. inferior a los
desactivacin del Produce un diodo Mosfet.
transistor. paracito.
La corriente de la base
es mayor a la
requerida para saturar
al transistor.