Fsca de Estado Slido (Texto: Kittel).

Temario:
Estructura Cristalina: arreglo peridico de tomos, tipos fundamentales de redes, ndices de
Mill estructuras cristalinas
Miller, i li simples
i l
Red Recproca: Difraction de ondas por cristales (Ley de Bragg), zonas de Brillouin, red
recproca para fcc, sc, bcc, anlisis de Fourier de la basis
Enlaces y Constantes Elsticas: cristales inicos, cristales covalentes, metales, enlace del
hidrgeno, atomic radii, constantes de elasticidad, ondas elsticas en cristales
Fonones I: Vibraciones Reticulares: monoatomic basis,, diatomic basis,, cuantizacin de
ondas elsticas, momento del fonn, dispersin inelstica por fonones.
Fonones II: Propiedades Trmicas: Capacidad calorfica de los fonones, interacciones
inarmnicas, expansin trmica, conductividad trmica
Gas Fermi de Electrones Libres: niveles de energa en una dimensin, distribucin Fermi-Dirac,
gas de electrones libres 3-D, capacidad calorfica del gas de electrones, conductividad elctrica y
Ley de Ohm, efecto Hall, conductividad trmica en metales.
Bandas de Energa: modelo del electrn casi libre, funciones de Bloch, modelo de Kronig-
Penney, ecuacin de onda del electrn en un potencial peridico, nmero de orbitales en una
banda.
Cristales Semiconductores: banda prohibida, ecuaciones de movimiento, concepto de hueco,
masa efectiva, concentracin intrnseca de portadores, estados donadores y aceptores, ionizacin
de impurezas. 1
Fsca de Semiconductores (Textos: McKelvey, Beiser, y Wolfe).
1. Mecnica Cuntica: Radiacin de cuerpo negro, efecto fotoelctrico, calor especfico, tomo
de Bohr, hiptesis de De Broglie y modelo ondulatorio, Mecnica Ondulatoria, propiedades
de las funciones de onda, principio de Incertidumbre, partcula en un pozo de potencial
infinito, finito, oscilador armnico cuntico, valores esperados y nmeros cunticos, tomo
de hidrgeno, spin electrnico, Principio de Exclusin, sistema peridico de los elementos.
2
2. Resumen de: Teorema de Bloch
Bloch, Estructuras de Bandas de Energa
Energa, Masa Efectiva,
Efectiva Enlaces
Insatisfechos, Impurezas.
3. Mecnica Estadstica: fundamentos de termodinmica, densidad de estados, distribuciones
estadsticas, estadstica clsica, energa molecular en un gas ideal (3/2 KT), estadstica cuntica
(bosones y fermiones), ley de la radiacin de Planck, calor especfico de slidos, estadstica de
electrones y huecos en equilibrio trmico, ionizacin de impurezas.
4. Propiedades de Transporte: La ecuacin de transporte de Boltzmann, Funcin de distribucin
fuera de equilibrio,
equilibrio la aproximacin del tiempo de relajacin,
relajacin transporte de carga y energa,
energa
efectos de campo elctrico alto.
5. Procesos de Dispersin: Potenciales de dispersin, apantallamiento (screening), integral de
colisin., tiempos de relajacin del momento, combinacin de diversos mecanismos de dispersin
y movilidad.
6. Propiedades pticas, interaccin electrn-fotn, absorcin banda-banda, directa e indirecta,
absorcin por excitn, absorcin por portadores libres, absorcin por la red y por impurezas.
7. Portadores en Exceso: recombinacin, ecuacin de continuidad, difusin y deriva., materiales
no uniformes, niveles cuasi-Fermi.
2
Cap. 2: Resumen de: Teorema de Bloch, Estructuras de
Bandas de Energa, Masa Efectiva, Enlaces
Insatisfechos, Impurezas.
Teorema de Bloch.
Estructuras de bandas de energa.
Momento de cristal y el teorema de la masa efectiva.

Funcin de onda del electrn:

H ( r ) ( r ) Ecuacin
E i de
d SSchrdinger
h di
independiente del tiempo.
En general:
Hamiltoniano Energa total del e H
2 2
V r

(incluye toda la energa 2m
pot.,, cintica,, fuerzas
p
aplicadas, interacciones
con otras partculas, etc.) Energa Energa
Cintica Potencial 3
 Donde se utiliz el operador asociado al momento:

p
i
2

2 r r
Electrn libre: 2m

V(r)=0 ( r ) Ae (onda plana)
ik r

k vector de onda

2 2 2
Relacin de p k
dispersin -k
Cintica
2m 2m
(parbola)
4
 Representacin de
Zona
Zona Extendida
Extendida

Representacin de Zona Reducida:

Supngase al mismo electrn libre, pero dentro de una red cristalina, i.e., el
electrn se encuentra en la red pero con V(r) = 0 Modelo de la Red Vaca

Espacio
Recproco es
PeridicoCual
quier vector k
fuera de la 1ra
Primera zona Z-B puede ser
de Brillouin representado por
un vector k
k
dentro de la 1ra
Z-B
5
Cualquier vector k
fuera de la 1ra Z-B k' k G
puede ser representado
G h b1 k b2 l b3 , h,k,l enteros
por un vector k
dentro de la 1ra Z-B bi vectores base en espacio recproco
servir como ndice para distintas bandas en la
G representacin de Zona Reducida:

2 2 1ra Z-B
2 2
k k k 'G
2m 2m
Electrn libre

vs. k en 1-D,
i.e.,, en direccin
de G.

6
Bandas de energa de red vaca para la red cbica
centrada en las caras:
1ra Z-B de fcc ser una red cbica bcc,
generada por los vectores primitivos bi.
Puntos
P t ded Alt
Alta
Simetra
k 0
(1 punto)
2 2 2
X k x , y , z
a a a
(6 puntos )

L k ( x y z ), ( x y z ),...
a a
(8 puntos )
3
K k ( x y ),...
2a
(? puntos )
7

G h b1 k b 2 lb 3
2
G h k l x h k l y ( h k l ) z
a
Barriendo estos ndices y usando la Ec. de vs. k, se genera la
representacin de Zona Reducida:

2 2
k k 'G
2m

Los cruces (degeneracin)

se presentan en todas las
fronteras de la 1ra Z-B !!
Pero no existen bandas
prohibidas.

8
 Modelos y estructuras de bandas de energa.

Potencial
Potencial peridico
de una red
unidimensional.

Modelo de Kronig-
Penney de un
cristal infinito
unidimensional
u d e so a
(del McKelvey)
9
Para encontrar los niveles d 2 2m
permitidos de energa, se
2
2 V x x 0
resuelve la Ec. de Schrdinger d
dx Funcin
(1-D) para un electrn bajo la
Kronig-Penney de Bloch
influencia de ese potencial:

De acuerdo con el teorema de Bloch (1 - D) :

k x d d u k x x 0 u k x
, donde
ikx
uk x e

d 2u x d 2 2 2mV
du V x
Sustituyendo la 2
2ik k 2 u( x) 0
dx dx
funcin de Block:

El trmino ikx desaparece!

e
1
2m 2
donde 2
10
 (k ) Si crece,
k 2 k 2 2m
comportamientoi de
partcula libre; las bandas
permitidas se hacen mas
anchas y las prohibidas
p ms
delgadas
En los bordes de las bandas
p
permitidas,,
d d
0 0 vg 0
dk dk
onda estacionaria

11
 Representacin de Zona Reducida:

Todas las curvas vs.

k se trasladan a la izquierda y derecha por
nG , donde n= entero, y G es un vector de la red reciproca!
Cada banda permitida contiene 2N estados, donde N= nm. de celdas
unitarias del cristal, y el 2 provienen de los estados de Spin.
12
Origen de las Bandas Prohibidas
(modelo del enlace fuerte)

13
14
Banda de Conduccin

Banda de Valencia

15
16
 Momento de Cristal y Masa Efectiva
Electron movindose en una red peridica debe modelarse como un paquete de
soluciones tipo onda plana a la ecuacin de Schrdinger dependiente del tiempo:

r , t r e , r u r e

i t
ik r
k

Velocidad del grupo: v g k

Usando el operador
asociado a la energa
i t

total

* r , t r , t dr


i t

Relacin
R l i ded Planck.
Pl k
1
vg k
k
Cualquier en una red peridica perfecta y sin una F aplicada, tendr una vg
finita No existen procesos de dispersin.
17
 Si se aplica una fuerza externa F al paquete de ondas:

d 1 dk
vg F ( k )
dt dt

La energa del electrn cambia

dk d ( k )
vg F vg F
dt
d ddt

La cantidad k opera como un momento para fuerzas aplicadas a un electrn de
Bloch !!


p * dr
Pero p k slo para un libre!! i

Por ejemplo, para un electrn de Bloch:

ikr
uk r e uk r e dr
ikr

i

k uk2 r dr i uk r uk r dr



p k 18
Dado que la fuerza aplicada es igual al cambio de una cantidad que tiene


unidades de momento, F d (k ) ,a esa cantidad, k ,se le conoce como
dt
momento del cristal,

2da Ley de Newton en el cristal:

a
dv g
dt

d
dt
k


1

dk
k k
dt

F dk
y como
dt
1
a 2 k k F a no es paralelo a F

F puede producir cambios de v g en direcciones

diferentes a F
F
19
 1
Esta expresin permite definir una masa efectiva: a 2 k k F

m
1
*
1 2
2
k i k j
ijj
para

1
ai 2 j
2
k i k j
Fj

con i,j 1,2,3.

para k k i bi y suponiendo bandas parablicas :

0 Ak i
2
i , donde BC y BV

Banda Parablica Simetra cilndrica (elipsoides)

En ggeneral:
(simetra esfrica)
2
2k 2 2 k l k t 1 k t 2
0 k M k 0 0
2 2m * 2 m* *
l m t
Tensor de masa Masa efectiva Componentes longitudinal y transversal
efectiva recproco (escalar) de la masa efectiva 20
Imperfecciones Cristalinas:

Enlaces insatisfechos (electrones y huecos).

Impurezas.
Defectos p
puntuales ((estequiomtricos,
q , complejos).
p j )
Defectos lineales y planares.
Superficies.
Superficies
Vibraciones reticulares.

21
 Electrones y huecos.
Supngase un cristal semiconductor @ 0 K, intrnseco, con slo 8 estados permitidos
para k (i.e., un cristal unidimensional con 8 tomos y un tomo por celda unitaria). Se

aplica una fuerza F en t=0: dk
F k crece continuame
ti t en t
nte
dt
Banda de T=0K
conduccin
totalmente
Edos. vacos
vaca No hay
vvibraciones
b ac o es de
red.
Banda de Edos. ocupados No hay
valencia electrones
t t l
totalmente
t excitados
it d a lla
llena. banda de
Conduccin.

Los electrones realizan ciclos continuos en la 1ra Z-B indefinidamente!!! 22

Suponiendo bandas parablicas, m* es un escalar.
Si B-V est totalmente llena, no hay transferencia de energa en cualquier
8

parte
t ddell ciclo:
i l
ki 0
i 0
0 4 gana
En cualquier
q instante:
i d
4 8 pierde
1
k 4 0
1 2
m* 2 2 k 3 k 5
k
k 2 k 6
1 k1 k
a F 7
m* 1 1
k 0 k 8
1 2 2
vg
k
i

vi 0

I 0

23
Ahora supngase que un electrn fue excitado hacia la banda de conduccin
(T>0), y se aplica una fuerza F en t=0.

En t=0 todos los electrones (en ambas bandas) incrementan su k

simultneamente.

24
 eBC se ha movido de 4 a 5
eBV (8) se han transferido a 0
t=t1 o BV (4) se ha movido a 5
o BV (4) ha sido ocupado por e 3
o BV sigue la posicin de eBC

e BC 5 a 6
t t2 ambos incrementa n k en direccin de F
O BV 5 a 6

ki k5 , pero ki k 3 !!
BC t1 BV t1

Similarmente, k i k6 , pero k i k 2 !!
en tt=tt2: BC BV

dk
En BC, k crece con t como F
e dt 25

es muy diferente: la ki decrece con t bajo
En BV, la situacin
una fuerza F
BV

F qE

En BC dk
dt qE


dk dk
qE qE
En BV dt dt
Que es la ec. de mov. de una carga positiva!!

e e
El ensamble de en BV siempre
p ppresenta
la misma velocidad q que el en BC:
v v 5 en BC
e

@ t t1 :
v i v 3 BV v 5 BC
BV (Ver fig. 3.2)

v v 6 en BC
e

@ t t2 :
v i v 2 BV v 6 BC
BV 26
El e en BC y el ensamble de e`s en BV se comportan similarmente: masa efectiva
neta (suma) es positiva, negativa e infinita al mismo tiempo. La del ensamble
tambin crece al mismo tiempop qque el en BC.

Ahora, observando el comportamiento del estado vaco en BV (oBV) y el ensamble

de electrones en BV: Se comportan de manera opuesta!

0 e k0 BV e BV m *0 BV o m *e BV 0 etc...
BV BV
27
Diagrama de enlaces mostrando que la carga (+) asociada al hueco
proviene de los tomos

28
 Impurezas
Se usan para controlar la conductividad y otras propiedades del semiconductor.
Pueden ser:
Sustitucionales o intersticiales
La valencia de la impureza relativa a la de los tomos husped, determina si es
Donadora o Aceptora
La electronegatividad de la impureza,
impureza relativa a la de los tomos husped tambin
determina si es donadora o aceptora, an y cuando tengan la misma valencia!!

EC
Para que las impurezas
Donadores
d funcionen como
Eg dopantes, i.e., se ionicen:
Ei
, KT
Niveles Profundos, Aceptores d a
P Ej Au en Si
P.Ej., a
EV
29
As es una G es una
Ga
impureza impureza
donadora en aceptora en
ell Ge.
G el Ge.
Ge

Comporta
miento
Anfotrico
del Ge
como
impureza
en GaAs

30
Cuando la impureza tiene una valencia que difiere por ms de 1 con respecto a
los tomos husped, puede proporcionar ms de un electrn a la BC. Por ejemplo,
S en Ge puede ser una impureza divalente.

Donadores / aceptores Isovalentes: tienen la misma valencia que el tomo

h d pero su dif
husped, i en electronegatividad
diferencia l i id d h que se iionicen
har i ii o
positiva
negativamente.

31
 Clculo de la energa de ionizacion (aproximacin de la masa efectiva)
Partiendo de que la energa de ionizacion de impurezas debe ser pequea (decenas de
V) llos niveles
meV), i l d iintroducidos
de energa t d id en E d calcularse
Eg pueden l l id d que lla
considerando
energa potencial debida a stas es una pequea perturbacin al potencial peridico
U(r) de la red perfecta.

La atraccin coulmbica har que el electrn orbite alrededor del tomo donador.
Si la ionizacin es pequea la del enlace electrn-tomo es pequea el radio del orbital
grande el electrn sufrir los efectos del potencial coulmbico debido al ncleo pero
ser grande.el
apantallado por los electrones de valencia y los electrones en los orbitales inferiores. El
efecto se puede modelar usando la permitividad del material (para considerar la
Polarizabilidad de esos electrones). 32
 Para la red perturbada por la impureza:

2 2 2
H i i r i i r donde H i

U r
Zq
Z
2m 4 r

U(r) y H son los operadores correspondientes a una red noperturbada

por el tomo impureza:
p p
2
Zq
Hi H
4 r
Se construye una solucin como combinacin de funciones de Bloch:

i r


k
Ak k r donde k r uk r e
ikr

Sustituyendo en la ecuacin de Schrdinger:

Zq 2
Ak k r i Ak k r

H 4 r
k k
33
 Esta es la componente radial
2 2 Zq 2

Ar Ar
de la solucin a la ecuacin de
2m
*
4 r i c
Schrdinger para el tomo de
Hidrgeno!!

Z 2q 4 m *
c i Niveles de Bohr.
2(4 ) n2 2

La impureza donadora asociada al mnimo de BC en proporciona:

2
Z m*
dn c dn 13.6 , eV
n r m
Y el radio orbital del electrn en esos niveles ser:

4 2 n 2 n 2 r m
rdn * 2
0.53 * , A
mq Z Z m
34
Para impurezas aceptoras, los estados asociados a bandas esfricas con
mximo en se debe considerar otra masa efectiva: * 3 3 2
m (ml mh )
2
2 3

Para materiales con superficies elipsoidales en el mnimo de BC, la ec.

debe ser modificada para considerar la anisotropa de m*:

2 2 2 2 2 Z 2
2 2
Zq
Ar Ar


x y 2 m z 2
4 r
i c
2m t

35
 Semiconductores degenerados:
Cuando el radio de Bohr de la asociada a la impureza es aproximadamente
1/2 de la distancia entre dichas impurezas, las s se traslapan, dando lugar a
bandas permitidas dentro de Eg, las cuales pueden traslaparse con EC EV.

36
 Captulo 3: Distribucin en Equilibrio
Estadstica y funciones de distribucin:
@ 0 K,, y sin ningn
g defecto en la red cristalina ((impureza),
p ), todos los edos.
en BC estn vacos, mientras que todos los edos. en BV estn llenos.
@ T >0 K , y considerando un cristal al que se le han agregado impurezas
donadoras y aceptadoras habr una cierta distribucin de electrones
ocupando estados en BC, Ed, Ea.

Determinar esa distribucin!!

Estadstica
Estadstica (equilibrio Trmico)
Termodinmica
Densidad
D id d d de estados
t d

37
 Considrese un cristal con N celdas primitivas:
N niveles de por banda N estados k en una banda.

Cada k p
puede ser ocupado
p p
por 2 electrones con spin
p opuesto.
p
Edos. en la misma banda, pero en diferentes posiciones equivalentes
en la 1ra Z-B, pueden tener la misma . P. Ej.: 6 mnimos en BC
equivalentes p/Si, 4 mn. p/Ge, 2 mximos en BV (huecos ligeros y
pesados), etc.

Esta degeneracin (o edos. mltiples) por nivel k se indica por g k.
Cmo se distribuyen n electrones entre los gk edos.
de los niveles de energa k para las diversas bandas?
Principio de Exclusin: cada edo. gk puede ser ocupado slo por un
electrn.

Supngase que todos los gk tienen la misma probabilidad de ser

ocupados 38
 nk # total de electrones ocupando edos. gk
nk g k
A continuacin se calcula el nmero de formas que estos nk pueden acomodarse
en gk edos: Nivel k

Estados
Existen: gk formas de insertar el 1er electrn.
gk-1 formas de insertar el 2do elec.
elec

gk-2 formas de insertar el 3er elec.

gk-(nk-1) formas de insertar el elec. nk 39
 # total de formas nken gk es: nk

g k ( g k 1)( g k 2)...(
) ( g k ( nk 1)) ( g n 1)
nk 1
k k

Principio de incertidumbre:
Posicin y momento de los nk electrones no pueden ser definidos con precisin.
Principio de Incertidumbre no es posible distinguir un electrn de cualquier
otro! Los electrones son partculas indistinguibles.
Las permutaciones entre ellos (incluidas en la ecuacin) deben ser removidas

nk formas para el 1er electrn.

# Formas en
que los
l nk nk-1
1 formas para el 2do elec.
electrones nk-2 formas para el 3er elec.
pueden ser
reordenados:
1

formas para el elec. nk 40
 # total de permutaciones entre los nkelectrones es:
nk ( nk 1)( nk 2)...
) 1 nk !

Wk= # formas independientes de insertar nk ( g k nk 1)

Wk
n
electrones entre gk estados en el nivel k
k

nk !

Ordenando el numerador (multipl. y dividimos por el mismo nm.:

(g k nk 1) 1
nk
g k ( g k 1)...g k ( nk 1)g k nk g k nk 1...g k nk ( g k nk 1)
gk nk gk nk 1...gk nk ( gk nk 1)

1 2 nk
( g k nk ) trminos.
41
 Numerador = gk! gk !
Wk
Denominador: (gk-n
Denominador: nk)! nk ! g k nk !

WB= # formas
independientes
p de
insertar nk electrones
entre gk edos. / para toda
W B Wk
k gk !
nk ! ( g k nk )!
la banda con N ks:
k

42
Ocupacin de estados discretos en la banda prohibida (impurezas
Donadoras y Aceptoras):

Ejem: impurezas donadoras, Nd, con nivel d.

Puede estar vaco,, D+.

Ocupado en dos posibles formas, D0 (2 orientaciones de Spin).

4 2 *
c n= 4 Los niveles superiores (o
c d 2q Z m n=3 excitados) estn muy
2n 4
2

d
n=2 cerca de C, por lo tanto
n=1
slo n=1 es de inters.

Problema: hallar la ocupacin por nn electrones del nivel n con degeneracin gn.
Dado que la impureza est aislada y no interacta con otras ( caso no-degenerado)
gn slo
l debe
d b iincluir
l i las
l 2 orientaciones
i t i de
d Spin
S i y ell nmero
de
d impurezas
i Nd.

43
 gn formas para el 1er electrn.
electrn

gn-2 formas para el 2do elec.

Porque el electrn que ocup el 1er edo.
Formas de evita mediante repulsin la ocupacin del
insertar 2do edo.; de lo contrario se tendra una
-
impureza donadora D ionizada
electrones en
los niveles n:
negativamente, que es muy improbable.

gn-4 formas para el 3er elec.

g -2n +2
n n formas para el elec. nn.

44
 2 nn g n / 2 !
g n ( g n 2)( g n 4)...( g n 2nn 2)
nn
( g n 2nn 2)
gn / 2 nn !
Los electrones son indistinguibles # permutaciones entre ellos es nn!
Formas independientes de ocupar los edos.
edos de impurezas donadoras es:

2 nn
( g n 2 )!
W
n
(gn 2 n n )! n n !

ni eles n de la imp
Entre los n niveles impureza:
re a:

W W
n
n
n
2 nn ( g n 2))!
nn ! ( g n 2 nn )!

45
En situaciones prcticas: si cualquier
nivel (n=?) de la impureza est ocupado 2 n i ( g i 2 )!
la impureza est ocupada,
ocupada por lo W
n i ! ( g i 2 n i )!
i
que carece de sentido estudiar la
ocupacin de ms de un nivel.

Donde (gi/2) incluye slo la degeneracin por # de impurezas.

g
Recurdese que i incluye la degeneracin por # de
impurezas+Spin.

El factor 2 de (2ni)degeneracin por Spin.

ni = # total de electrones ocupando 1 nivel por impureza.

En caso de alguna degeneracin adicional (por ej., 6 mn. en

BC p/Si, 2 mx. en BV), el 2 debe ser sustituido por gd (=12
para donadores/Si 4 para aceptores).
46
 Para el caso de: Nd= # total de tomos donadores (monovalentes)

Nd0= donadores ocupados

ocupados.
Nd N N 0
d d
Nd+= donadores desocupados (ionizados).
ni N d0
g i / 2 N d (# total de edos. permitidos)
2 gd (2x6 12 p Si ; 8 p Ge,
Ge considerando # mn.
mn y spin)
Wd = # formas

indep. en que los g N

N d!
d

W d
donadores pueden
!( N d N
d
N d d )!
ser ocupados.
W
Wa = # fformas _
(Na N a)
indep. en que los g N a!
p
aceptores p
pueden Wa
a

ser ocupados.
N a ! ( N a N a )!
Donde ga contiene la deg.por Spin y mltiples mximos en BV; ga=2x2=4 p/Si. 47
 Caso ms general, semiconductor con sus bandas de energa, ms
donadores, ms aceptores:
W WBWdWa
_
Nd
gd Nd ! ga( Na N a ) Na ! gk !
W
Nd !( Nd Nd )! Na !( Na Na )! k nk !( gk nk )!
Donde W = # total de formas en que los niveles donadores, aceptores y niveles
permitidos en las bandas pueden ser ocupados por n electrones.

Cul es la distribucin de n en los diversos niveles p

permitidos?
Cristal Real:

p
Los electrones intercambian y entre ellos y los fonones
hasta que alcanzan una temperatura final en equilibrio trmico.
Este proceso es aleatorio, por lo que la distribucin final ms
probable
b bl es lla ms
ddesordenada.
d d
i.e.,la distribucin que puede ocurrir en un mayor nmero debe
ser la ms probable 48
 La distribucin ms probable se encontrar maximizando
W con respecto a n,pero sujeto a 2 restricciones:
1 # total de electrones debe permanecer constante
1. constante.
2. La energa total de los electrones tambin debe
permanecer constante
constante.
1) n' Nd Na nk Cte.
k

2) ' Nd d Naa nk k Cte.

k
Se cumplen las condiciones para maximizar W usando los
multiplicadores indeterminados de Lagrange:

Dada una funcin f( xi ), i=1,2,3,...n sujeta

j a la condicin de q
que
alguna otra funcin de las mismas variables g( xi ) permanezca
constante, un extremo (mx. mn.) se encontrar cuando:
df dg
d 0
Independiente del valor de 49
 Generalizando a 2 funciones arbitrarias g(xi ) y h(xi ):
dff dgg dh 0
g( xi ) Cte. dg 0
Restricciones
Restricciones h( xi ) Cte. dh 0
df 0 ya que se busca un extremo.
Diferenciales f ( x ) g ( x ) h ( x ) 0 , i 1 , 2 , 3 ,... n .
totales: x i
i i i

, multiplica dores indetermin ados.

x i n i electrones .
Donde: g ( x i ) n ' , que debe ser constante.
h ( x i ) ' , que debe ser constante.
f ( x i ) W , funcin a maximizar.
50
 Dado que lnW crece montonamente con W, lnWmax para Wmax
lnW.
Se maximizar f(xi))=lnW
Sea W A( N d ) B( N a )C ( nk )

ln W ln A( N ) ln B( N ) ln C ( nk )

d a

g N d
N d !
ln A ( N
) ln d

d
d
N d !( N N d )!
N
d ln g d ln N d ! ln N
d ! ln( N d N
d )!
Usando la aprox. Vlida para n
de Stirling:
ln n ! n ln n n
grande
grande.

) N ln g d N N d N N

ln A ( N d d d ln N d d ln N d d

(N d N
d ) ln( N d N
d ) (N d N
d )

51
 (desaparecen los factoriales) y:
ln A ( N d ) N d ln g d N d ln N d N d ln N d ( N d N d ) ln( N d N d )

N d ln N d ln( N d N d ) N d ln g d ln N d ln( N d N d )
N d 1
Nd gd
N d ln

N d ln


Nd Nd d
N N
d

N d 1
Nd gd
Desarrollando ln W N d ln N d ln



Nd Nd d
N N
d
-
tambin lnB(Na ) y
lnC(nk) se obtiene: g N g N

N a ln a a
N a ln

a a


Na Na Na Na
gk nk
g k ln n k ln
k
g k nk g k n k 52
 Maximizando: (n' Nd Na nk )
k

ln W n ' ' 0
N d

ln W n ' ' 0
N a

ln W n ' ' 0
nk
Desarrollando :

ln W ln A ( N
d )
N d

N d

N d

n '

N d

N
d N
a nk

k


N d

'


N d
N
d
k

d N a a n k k d
53
Desarrollando : N d 1
Nd gd
ln A( N d )


N d ln N d ln


N d

N d d
N N
d
N N

d

d

Ufff !!!
N d
ln
g
d d
N N
d

N
ln W n ' '
0 Se reduce a:
d

Nd

ln
d
gd ( Nd Nd )
1
N
d
d

e
gd ( Nd Nd ) 54
 gd ( N d N )
N d

e d
d

1 1
gd e
d

1 Nd N d

N d 1

N d 1
1 e d

g d
Definiendo F
nivel de Fermi.



N 1
d

N 1 ( )
d 1 e d f

gd
55
Caso ms general, semiconductor con impurezas donadoras,
aceptoras y bandas de energa:
Nd ( N a Na )
Wm
g Nd !
d g

aNa !

Nd !( Nd Nd )! Na !( Na Na )!

k
gk !
nk !( gk nk )!

Se maximiza lnWm mediante los multiplicadores indeterminados

de Lagrange:
dff dg
g dh 0
Se maximiza con respecto a n:

n' N N nk Cte.

d a g
k

' N N nk k Cte. h

d d

a a
k
56
 Se encuentran las distribuciones
Y considerando ln Wm f
ms probables.

nk 1
( k F )
gk 1 e Con: F

N 1
d

Nd 1 ( d F )
1 e Recuerde: expresiones
gd
vlidas para partculas

N 1 Indistinguibles sujetas al

a
( a_ F )
principio
p p de Exclusin.
Na 1 gae

57
 Determinacin de y .
Ecuacin de Euler (1ra.y 2da. Ley de la Termodinmica)
para un sistema de electrones:
Principio de conservacin de
' S V n' qn' la energa para un gas de
electrones.

' Energa interna total.

S C tid d d
Cantidad de calor
l iintroducida
t d id extrada
t d all sistema.
it

V Relacionado a la cantidad de trabajo que puede realizar el sistema.

n' (potencial qumico) x (conc. de elec.)=energa de enlace

qn' (potencial electrosttico)x(carga elemental)x(concent. de elec.)=energa

potencial total del sistema de electrones debida a un potencial auto
construido (nada que ver con potenciales aplicados externamente!!)

58
En equilibrio trmico: S K ln W m
Cte. de Boltzmann.

' K ln W m V ( q ) n '
Sustituyendo lnW
l W m:
lnWm 'F n' gk ln 1 e
k

( F k )

Nd ln 1 gd e ( F d )
N lng e
a a
( F a )

Considerando que F =F ():

(lnW
(ln Wm )
' n'
59
Funcin de Helmholtz: F ' S
Energa libre Energa interna total

F Temp . Cte . Puede ser transformada completamente en trabajo.

En equilibrio trmico F presenta un mnimo para sistemas en los que T, P, y

n son constantes. En
E nuestro caso, F
F
0
' n '

F ' S S
1 0
' n ' ' ' '

S 1
, en equilibrio trmico.
' n '
60
 Usando de nuevo S K ln W m
S
( K ln W m ) K (ln W m )
' ' '
1
K (ln Wm )
' 1

n'

K
Y (ln Wm )
' n'

Por otro lado, F=-KT lnWm y usando la expresin apropiada

para lnW
l Wm (pgina 23), se puede demostrar que: F
F
n' T ,V
La energa de Fermi es el cambio en la energa libre del cristal que
ocurre cuando un electrn se remueve se agrega al cristal!! 61
Por otro lado, regresando a la funcin de Helmholtz,

F ' S sustituyendo:

' S V ( q )n'
F
( q )
n ' T ,V
F V ( q )n'

F Potencial
Y comparando con F F q electro-
n' T ,V qumico.

62
 Funcin de Distribucin de Fermi-Dirac.
Equilibrio trmico.
Equilibrio
1
f o ( , T ) ( F ) / kT
Partculas indistinguibles
1 e (incertidumbre).
Partculas sujetas al principio
de exclusin.
Indica la probabilidad de que un estado
en la banda de energa , est ocupado 1
por un electrn @ T. f o ( F ) 0 K
2

63
Probabilidad de que un estado en la banda de energa se encuentre desocupado
(hueco) @ T:
1 1
1 f o ( , ) 1 ( F ) / kT

1 e 1 e ( F ) / kT

Otras Funciones de Distribucin tiles en Fs. de Semic.:

Func. De Dist. Bose-Einstein vlida
1
f B E ( , ) / kT
para partculas
t l indistinguibles
i di ti ibl que
e 1 no cumplen exclusin: FONONES,
FOTONES.

Func. de Dist. Maxwell-Boltzmann,

vlida para partculas distinguibles
f M B ( , ) e ( F ) / kT
que no cumplen el principio de
exclusin. Ej.,molculas de un gas.

f 0 ( , ) f MB ( , ) Cuando V 4K F C 4K
64
 Tarea

1. Explique el Espectro de Emisin de un Radiador de

Cuerpo Negro Ideal (frmula de Planck) usando la
Funcin de Distribucin de Bose-Einstein.
2. Utilice la estadstica de Bose-Einstein para derivar el
modelo de Debye para el Calor Especfico de un
Slido Cristalino.
Cristalino Grafique dicho modelo en el rango
0 <T< 1000 K para el Silicio. Compare con el modelo
clsico.

65
 Densidad de Estados.

Determinacin de la Probabilidad de ocupacin.

relacin entre el No.
Estados permitidos disponibles en
total de electrones y
la 1ra. Z-B.
F en una banda
banda.

nk = # de electrones en cada edo

edo.con k. n k g k f o ( k )
con ndice k

n = # total de electrones en la banda. n ' g k f o ( k )

k

Para # de edos. k suficientemente grande,

k

66

Para todas
las bandas
n ' g ( ) f o ( )d

Contiene la deg. por Spin,densidad de niveles permitidos, etc.

Para calcular n en BC:

1
Densidad!
n f o ( ) N ( )d
V c
Volumen
del cristal Nmero total de estados permitidos
que se encuentran entre las
Densidad de
superficies constantes y +d.
Estados

67
 ggradk
dk
(2)3/V

dkn +d
dS

68

2V ds ds = elemento
En general, N ( ) diferencial de rea
( 2 ) 3 S k de la superficie de
energa cte. .
Viene del clculo del Vol. en el espacio recproco
encerrado entre las superficies y d
d

V
N ( )d 2 ds dk n Y dado que
( 2 ) 3 d k d k k dk n
S

Spin 1/Vol. Ocupado por cada edo. en 1ra B-Z

Caso particular:
Densidad de estados para bandas de energa elipsoidales con una relacin de
dispersin cuadrtica.
Considerando un tensor de masa efectiva recproca diagonalizado:
1/ m1 0 0

M 0 1/ m2 0
0 0 1/ m
3 69
 Para la banda de Conduccin, y considerando slo un mnimo:

C
2
2 i
k i2
m*i

2 2 2 2
Usando la

k1 k2 k3 ki
ecuacin 1 , ai Ejes de la
d una
de a1 a2 a3 i ai elipsoide
elipsoide: 1/ 2
k2 2m* ( )
Reordenando i
2 i 1 a

2( c ) m *
i
i


i
2
c


1/ 2

4 2 m m m ( c )
3 3
4
Velip ai 1 2

3
2 3

3 i
3 ( )
4

3 8m1 m 2 m 3
3

1/ 2
c
3/ 2

70

Buscamos: Velip( )-Velip( d) = dVelip.
dVelip 4
d

3 8m1 m 2 m 3
3

1/ 2 d
d
c 3 / 2

4

dVelip 3 8m1 m 2 m 3
3
1/ 2 3

2
( c )1 / 2 d

2
1/ 2

3 8m1 m 2 m 3 ( c )1 / 2 d

Vol.
Vol ocupado por edo edo.== ( 2 ) 3

Considerando: V
Multip. x 2 (Spin)
Usando h 2
4 V

N ( ) 3 8 m 1 m 2 m 3
h
1/ 2
( c )1 / 2

Densidad de estados para electrones en la banda de conduccin (1 mnimo!)

71
Para una banda con mltiples mnimos equivalentes:

4V
N ( ) 3 2m d o
3/ 2 1/ 2

h
Donde m d masa efectiva de la densidad de edos. para electrones.
1/ 3
md (g m m m )
2
1 2 3

gNo.
No de mnimos equivalentes para BC (g = 6 p/Si).
p/Si)

Mnimos en BC con simetra cilndrica (P. Ej., Si y Ge):

m d ( g 2 m l m t2 )1 / 3
ml = masa efec. longitudinal al eje principal de revolucin.
mt = masa efec. transversal.

Mnimo en BC, simetra esfrica, cero multiplicidad (p. Ej. GaAs):

md m 72
Densidad de Edos. para extremos no equivalentes pero
que existen para la misma energa (Por ejemplo, mximo de
BV donde coinciden las bandas de huecos ligeros y pesados), se
deben sumar las contribuciones:

4V
( ) 3
h 2m
i
di 3/ 2
oi
1/ 2

Generalizacin de la 1ra. Ec./lmina 34

, m di , oi se suman las contribuciones de
cada banda! Sea i , h :
i

2m di
3/ 2
oi
1/ 2
23/ 2
m
d
3/ 2
o
1/ 2
m dh
3/ 2
oh
1/ 2

i

C id
Considerando
d que 0 max 0h max V
73
2mdi
3/ 2
oi
1/ 2
2
3/ 2
m
d
3/ 2
m dh
3/ 2

V
1/ 2

3
md 2

2V 1/ 2
( ) 3 (2md ) V
3/ 2

74
Densidad de Edos. para niveles localizados en la banda
prohibida:
Edos. basales de impurezas hidrognicas incluyendo spin = 2Ni

# efectivo de edos. = Ni (puesto que ambos edos. de spin no

pueden ser ocupados al mismo tiempo.

( ) i ( i )
t

1
Distribucin de Huecos y n f o ( ) ( )d
Electrones: V c
3/ 2
2mde

( ) 1/ 2
d
n 4 2
1 e
c
c
( F ) / kT

Para mnimos elipsoidales. 75

 c F c
Haciendo un cambio de variables: x y
KT KT
( c )1 / 2 ( kT )1 / 2 x 1 / 2 , F x
dx 1
( c ) d ( kT ) x dx
1/ 2 3/2 1/ 2

d kT 3/2
2 KTm de x 1 / 2 dx
m m n 4
o xo h 2
0 1 e
( x )

1
Integral de Fermi-Dirac de orden F1 / 2 ( )
2

1/ 2 Sin Sol. Analtica

2 x dx
F1/ 2 () ( x )
Tabulada.
0 1 e Se calcula numricamente.
76
 3/2
2 KTm de
n 4 2 F1 / 2 ( )
h 2
Semiconductor no-degenerado:
g
c F 4KT F 4KT puesto que c x 4

12

( x ) x
e 1 ( x )
e ( x ) x 1 2 dx
0 1 e 0

x 1/ 2
e e x dx e
0


0
x 1/ 2
e x dx e
2

77
 3/ 2 3/ 2
2 KTmde 2KTmde
n 4 3

e n 2 2 e ( F c ) / kT
h 2 h

Densidad efectiva de
Edos. en BC = Nc
Distribucin
Di t ib i
clsica
M-B

( F c ) / kT
n ce

78
Concentracin de Huecos en los mximos de las bandas
d valencia:
de l i

V 3/ 2 V
2mdh ( V )1 / 2 d

1
p 1 f o ( )( )d 4 2
V h 1 e ( F ) / kT

3/2
V V F 2 KTm dh
D fi i d x
Definiendo: , , V 2 2
KT KT h

(V F ) / KT
p NV F1/ 2 () p V e cuando ( F V ) 4KT

79
Semiconductor Intrnseco:
Nd = Na =0 @ cualquier T

Nd,Na 0 @ T elevada tal que p,n >> Nd,Na

n = p = nii Concentracin
C i iintrnseca
de portadores.
Se puede usar la aprox. clsica!
( F C ) / KT (V F ) / KT
n p C e V e
V (F C V F )/ KT V
e 2F (C V ) KT ln
C C

c v KT V se localiza cerca de la mitad

F ln
de Eg !!!
2 2 C
80
 Ley de accin de masas (caso no-degenerado)
-Independiente de Nd y Na, i.e., de F:

np C e( F C ) / KT NV e(V F ) / KT
C V e ( C V ) / KT C V e Eg / KT
2
np ni C V e Eg / KT
Que es una definicin de equilibrio trmico!

Concentracin Intrnseca ni (T ) C (T ) V (T )e Eg / kT

Slo depende de la Temperatura!!!

Propiedad del Semiconductor
81
 Ley de accin de masas (caso degenerado)

C 4 KT F V 4kT
F C V F
np equil.trm. C V F1/ 2
2
F1/ 2 ni
kT kT
np en equi.
i trm.
depende
d d F (y
d de ( por lo
l tanto de
d la
l concentracin
i de
d
impurezas!)

En equilibrio trmico
C V kT NV
No-Degenerado: np ni (T , g ) F
2
ln
2 2 NC
np ni (T , g ) f T , F , Na , Nd
2
Degenerado:

? 82
Obtencin de F usando la neutralidad de carga:
Slo para semiconductores homogneos Eg f(r) ,dopados uniformemente,
Nd,Na f(r) , donde no existen regiones de carga especial).

Qi 0 d a p n 0
Sustituyendo las expresiones apropiadas:

d a
( F d ) / KT
( a F ) / KT

1 gd e 1 gae
V F F C
V F1/ 2 C F1/ 2 0
KT KT
Dadas T, Na y Nd, la ecuacin slo admite solucin numrica!!
83
Dependencia del Nivel de Fermi con Na, Nd y
Temperatura.

84
85
 Proyecto: para entregar en Abril

p P ((Na=1015 cm-3, Boro))

Considere una muestra de Silicio tipo
que es dopada uniformemente con Fsforo: a) Nd=1015 cm-3, b)
Nd=1016 cm-3, y c) Nd=1019 cm-3(degenerado):
Grafique el nivel de Fermi y la concentracin de electrones
en el rango 0 <T< 1000 K; recuerde que la densidad efectiva de
estados en BC depende de la temperatura, y justifique el valor de
la masa efectiva utilizada. Desprecie la dependencia en
temperatura del ancho de la banda prohibida y de la masa
efectiva.
f ti

86