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11 de Julho de 2004
Conteúdo
1 Objetivo 2
2 Metodologia 2
2.1 Diagrama do circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2 Resultados esperados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3 Resultados obtidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.3.1 Comportamento de VCE X VBE e IC X VBE . . . . . . . . . . 4
2.3.2 Comportamento do Ganho X VBE do Ganho X IC . . . . . . . 6
2.3.3 Medição da resistência de entrada e saída e da transcondutância 7
2.4 Análise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4.1 Cálculo de IS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4.2 Relação entre as análises para pequenos e grandes sinais . . . 8
3 Conclusão 10
4 Apêndice - Preparação 11
1
1 Objetivo
O transistor é um dispositivo de fundamental importância para a eletrônica, suas
aplicações variam desde amplificação de sinais a até o projeto de circuitos lógico
digitais e de memória.
Essa prática teve como objetivo estudar o comportamento desse dispositivo, mais
especificamente, obter os parâmetros do modelo para pequenos sinais da configu-
ração emissor comum e relacioná-los com a curva para grandes sinais.
2 Metodologia
2.1 Diagrama do circuito
O circuito básico utilizado na prática foi o seguinte:
+12V
Rcarga
R2 20k
47k
R1
10k 50%
Rb
Ven 3,3k
2
VCE X VBE
12
IC X VBE
10
335,46263µ
8 123,4098µ
45,39993µ
VCE
IC
16,7017µ
4
6,14421µ
2
2,26033µ
0 831,52872n
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
VBE (V) VBE
200
250
Ganho de tensão
Ganho de tensão
200 150
150 100
100
50
50
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 0,0 100,0µ 200,0µ 300,0µ 400,0µ 500,0µ 600,0µ 700,0µ
VBE IC (A)
+
R2
47k Vp rp gmvp Rsa Rcarga
- 20k
R1
10k 40%
3
Segundo o datasheet e as condições de da prática, utilizou-se β = 300, IC =
0, 3mA, VT = 28mV , VA = 100V . Logo temos:
IC 0, 3mA
gm = = = 10, 7mΩ−1
VT 28mV
β 300
rπ = = = 28kΩ
gm 10, 7m
VA 100
rsa = = = 333, 3kΩ
IC 0, 3m
Como esses valores pode-se estimar a resistência de entrada e saída e a transcon-
dutância do circuito como todo.
ven
Ren = = 21, 18kΩ
ien
vsa
Rsa = = 18, 87kΩ
isa
isa
Gm = = 9, 03mΩ−1
vsa
O que resulta no seguinte circuito equivalente:
Ven Vsa
21,18k
gmvp 18,87k
+12V
Rcarga
20k
Vsa
R2
R1 47k
2N3904
4
Para realizar as medidas variou-se a posição do cursor do potenciômetro a fim
de que a tensão VBE assumisse valores entre 0,0V e 1,0V e coletou-se VCE para cada
tensão VBE . Para obter o valor de IC basta fazer uma simples conta:
12 − VCE
IC =
Rcarga
10
8
VCE (V)
5
Resultado esperado de IC X VBE
Pontos experimentais
335,46263µ
123,4098µ
IC (A)
Região linear
45,39993µ
16,7017µ
300
250
Ganho de tensão
200
150
100
50
0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
VBE
6
Resultado esperado do Ganho X IC
250 Pontos experimentais
200
Ganho de tensão
150
100
50
2.4 Análise
Para fazer a análise dos resultados obtidos, primeiro iremos determinar o valor
de IS do transistor e verificar se está de acordo com os valores típicos. Em seguida
será feita um relação entre as análise para pequenos e grande sinais.
2.4.1 Cálculo de IS
Na região linear mostrada na figura 10, a equação de IC pode ser simplificada
da seguinte forma:
Como nessa região VBE > 0 e VBC < 0 podemos reescrever a equação 2 de uma
forma mais simplificada.
7
Vbc Vbe
Ic = −ICS (e VT − 1) + αD IES (e VT − 1) (4)
| {z } | {z }
∼0 Vbe
∼αD IES e VT
Vbe
Ic ≈ IS e VT (5)
Fazendo a regressão linear de ln Ic X VBE dos pontos experimentais da devida
região, temos:
-8,0
-8,5
ln(IC)
-9,0
-9,5
-10,0 IS = 0,268pA
8
Pontos de VCE X VBE
Pontos do ganho X VBE
9
3 Conclusão
Essa prática foi bastante gratificante em dois aspectos, tanto no ponto de vista
de verificar os conhecimentos teóricos no laboratório, como também no momento de
implementar soluções a problemas inesperados.
Pelo lado de verificar os conhecimentos teóricos, foi possível observar claramente
o transistor funcionado como um amplificador de sinais, que é uma das principais
funções do transistor, como também foi visto que seu comportamento para grandes
sinais se encaixou muito bem com o resultado esperado e a relação entre pequenos
e grandes sinais ficou bastante clara e bem explicada pela teoria. Ou seja, em geral
o transistor se comportou muito bem com aquilo que era previsto.
Além disso, outro fato que deve ser comentado é o aprendizado adquirido com as
dificuldades que surgiam durante a realização da prática. A situação de se deparar
com um problema, entender o porquê, achar uma solução prática e depois disso
tudo verificar de os resultados obtidos estão de acordo com o esperado foi uma
tarefa bastante motivadora.
10
4 Apêndice - Preparação
11