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Dispositivos Electrnicos
Coordinador :
Francisco Gmiz Prez
Autores:
Andrs Godoy Medina
Andrs Roldn Aranda
Carlos Sampedro Matarn
Juan Antonio Jimnez Tejada
Juan Bautista Roldn Aranda
Juan Enrique Carceller Beltrn
Francisco Gmiz Prez
Francisco Jimnez Molinos
Pedro Cartujo Casinello
1 Transde
Efecto)
Captulo
FUNDAMENTOS DE
SEMICONDUCTORES
Diagrama de bandas de un
semiconductor tipo N
ndice
1-1 Introduccin 1-5 Transporte de carga. Corriente en
1-2 Metales, aislantes y semiconduc- semiconductores
tores 1-6 Corriente y generacin-
1-3 Estadstica de semiconductores recombinacin. Ecuacin de continuidad
1-4 Portadores en desequilibrio
Objetivos
Exponer la diferencia entre metales, aislantes y semiconductores.
Presentar las principales caractersticas de los semiconductores y los tipos que
existen.
Introducir el concepto de hueco y explicar su contribucin a la corriente en un
semiconductor.
Mostrar el modelo de diagramas de bandas para el estudio de los
semiconductores.
Exponer los fundamentos bsicos de la estadstica de semiconductores.
Proporcionar las ecuaciones bsicas para el clculo de la densidad de portadores
mviles en semiconductores.
Estudiar las situaciones de desequilibrio y los procesos de generacin y
recombinacin
Analizar los mecanismos de conduccin elctrica: difusin y deriva.
Exponer la ecuacin de continuidad.
Palabras Clave
Semiconductor. Densidad de estados. Ecuacin de difusin.
Electrn. Densidad de portadores. Relacin de Einstein.
Hueco. Generacin. Movilidad.
Enlace covalente. Recombinacin. Coeficiente de difusin.
Diagrama de bandas. Equilibrio trmico. Distribucin de Fermi-Dirac.
Impurezas donadoras y Pseudoniveles de Fermi. Distribucin de Maxwell-
aceptadoras. Corriente de arrastre. Boltzmann.
Nivel de Fermi. Corriente de difusin. Semiconductor degenerado.
Funcin de distribucin. Ecuacin de continuidad.
Captulo 1
1.1 Introduccin
Enlace inico
Na+ Cl-
Enlace metlico
Enlace covalente:
Electrones
de valencia
4+ 4+ 4+
Enlace
covalente
4+ 4+ 4+
T = 0K
Concepto de hueco
4+ 4+ 4+
4+ 4+ 4+
Hueco
Electrn
libre
4+ 4+ 4+
T > 0K
4+ 4+ 4+ 4+
Hueco
Electrn
libre
4+ 4+ 4+ 4+
Dopado tipo N
4+ 4+ 4+
4+ 5+ 4+
In positivo (+q)
Electrn
libre
4+ 4+ 4+
Dopado tipo P
Hueco
4+ 3+ 4+
In negativo (-q)
4+ 4+ 4+
Introduccin
Eg Eg
a) b) c)
Semiconductores tipo N
La introduccin de impurezas donadoras equivale a la presencia
de un nivel energtico en el interior de la banda prohibida, cercano al
fondo de la banda de conduccin. De este modo, los electrones situados
en este nivel donador pueden saltar fcilmente a la banda de conduccin,
suministrndole electrones sin haber creado huecos.
Como la distancia entre ambas bandas es mucho mayor que la
que hay entre la banda de conduccin y el nivel donador que la que hay
entre ambas bandas, es mucho ms fcil que salte un electrn desde el
nivel donador que desde la banda de valencia.
Semiconductores tipo P
La introduccin de impurezas aceptadoras equivale a la
presencia de un nivel energtico en el interior de la banda prohibida,
cercano a la banda de valencia, y que permite que se generen huecos al
pasar electrones de la banda de valencia a este nivel aceptador.
Para ello:
8 2
g c (E) = (me ) 3 / 2 E E c , si E > E c , (1.4)
h3
8 2
gv (E) = (mh ) 3 / 2 E v E , si E < E v , (1.5)
h3
donde:
gc(E): densidad de estados en la banda de conduccin por unidad de
energa
gv(E): densidad de estados en la banda de valencia por unidad de energa
Ec: mnimo de la banda de conduccin
Ev: energa mxima de la banda de valencia
me: masa efectiva de los electrones para la densidad de estados
mh: masa efectiva de los huecos para la densidad de estados
donde:
f(E,T): funcin de distribucin de Fermi-Dirac. Es la probabilidad de
que un estado de energa E est ocupado por un electrn. Toma
valores entre 0 y 1
Ef: nivel de Fermi o potencial electroqumico
K: constante de Boltzmann
1 T= 0 K
T1
T2 > T1
0.5
T2
0
EF E
Hueco s
1
Probabilidad
Electrones
EF E
H. E E
BC BC
EF
EF
El. BV BV
EF
BV
0.5
c)
p 0 = = g v ( E )(1 f ( E ) ) dE .
Ev
(1.8)
f (E) e kT
. (1.9)
n0 = N c (T )e kT
Ev E F
. (1.10)
p0 = N v (T )e kT
3/ 2
2mh kT
N v (T ) = 2 . (1.12)
h2
Veamos ahora cul es la relacin que hay entre las
concentraciones de electrones y huecos. Calculemos en primer lugar el
valor de su producto:
Ev Ec Eg
n0 p0 = N c N v e kT
= N c N ve kT
. (1.13)
ni = pi = N c N v e 2 . kT (1.14)
n0 = ni e kT
Ei E f
. (1.16)
p0 = ni e kT
Semiconductores intrnsecos
Ec + Ev kT N v
Ei = + ln . (1.17)
2 2 Nc
Como puede verse, quedara justo en la mitad de la banda prohibida si las
densidades efectivas de estados en la banda de valencia y de conduccin
fuesen las mismas.
Semiconductores extrnsecos
Tipo N
Para obtener las densidades de portadores en un semiconductor
extrnseco tipo N, en principio deberamos emplear adems de (1.10)
(1.16) la siguiente ecuacin de neutralidad (puesto que desconocemos la
posicin del nivel de Fermi):
N D+ N0 1
= 1 D = EF ED . (1.19)
ND ND 1+ e kT
n0 N D
ni2
p0
ND (1.20)
Nc
E c E F = kT ln
ND
Tipo P
Anlogamente, para un semiconductor tipo P habra que plantear
la siguiente ecuacin de neutralidad:
p0 = n0 + N A , (1.21)
con:
N A 1
= E A EF . (1.22)
NA 1+ e kT
p0 N A
ni2
n0
NA (1.23)
Nv
E F E v = kT ln
NA
Semiconductores compensados
Los semiconductores compensados poseen tanto impurezas
donadoras como aceptadoras.
ED
EF
Ei
EA
n0 + N A= = p0 + N D+ . (1.24)
Adems, la posicin del nivel de Fermi debe verificar (1.10),
(1.19), (1.22)y (1.24),
por lo que habra que resolver este sistema de
ecuaciones. Sin embargo, en este caso, tambin se supone que todas las
impurezas estn ionizadas, cumplindose entonces que:
n0 N D N A
en un semiconductor tipo N,
p0 N A N D
en un tipo P).
Equilibrio trmico
Generacin y recombinacin
g = ar ni2 . (1.27)
En general, esta igualdad es cierta incluso fuera del equilibrio.
1.4.2 Desequilibrio
Portadores en desequilibrio
= g r = (g 0 + G ) r np ,
dn dp
= (1.28)
dt dt
donde G es la tasa de generacin provocada por la iluminacin del
semiconductor.
Si dejamos transcurrir el tiempo se llega a una situacin
estacionaria, en la que se generan y recombinan los mismos pares
electrn-hueco por unidad de tiempo:
= 0 (g 0 + G ) = r np .
dn dp
= (1.29)
dt dt
Supongamos que ahora repentinamente cesa la accin externa.
Qu sucede? El semiconductor intenta recuperar la situacin de
equilibrio trmico mediante procesos de generacin-recombinacin, de
forma que en todo instante se verifica:
dn dp
=
dt dt
( )
= g r = g 0 r np = r ni2 r np = r ni2 np . (1.30)
n(t ) = ne t / . (1.33)
donde:
n: exceso de portadores tras el cese de la iluminacin (en t = 0)
es el tiempo medio de vida de los portadores de carga en
desequilibrio o constante de tiempo de recombinacin y viene dado
por:
= 1 / r (n0 + p 0 ) .
Pseudoniveles de Fermi
Ejemplo
- un aumento de n E F
- un aumento de p E F
/E F que describa la concentrac iones n y p simultnea mente.
Como vemos en este ejemplo, en un sistema en desequilibrio no
podemos hablar de nivel de Fermi. En estos casos, se definen entonces los
pseudoniveles de Fermi, EFN y EFP, de forma que se verifica:
Ec E Fn
n = Nce kT
Ev E Fp (1.36)
p = Nve kT
np = N c N v e e
kT kT
np = ni2 e kT (1.37)
Como vemos, la concentracin de portadores difiere tanto ms de la
correspondiente al equilibrio (n0p0) cuanto mayor sea la separacin de los
pseudoniveles (eVnp). Adems:
E Fn > E Fp (V np > 0) np > n i2 exceso de portadores
E Fn < E Fp (V np < 0) np < ni2 defecto de portadores.
Nota importante: los pseudoniveles de Fermi pueden ser dependientes de
la posicin, al contrario que el nivel de Fermi, que define un sistema en
equilibrio y es constante.
donde:
= q (n n + p p )
es la conductividad.
En. cintica
qV
n(x)
t=0
t1 < t 2 < t3
t1
t2
t3
x
Figura 1.5.3 Evolucin del exceso de portadores inicialmente presente
en el origen de coordenadas al avanzar el tiempo
Relacin de Einstein
Dn kT
= (1.44)
n q
Anlogamente, para los huecos:
Dp kT
= (1.45)
p q
De la relacin de Einstein se deduce que un semiconductor con
buena movilidad tendr tambin un alto coeficiente de difusin.
REFERENCIAS 29
2.
Uniones
2
Captulo
UNIONES
Smbolo de un LED
ndice
2-1 Introduccin 2-7 Fenmenos de ruptura
2-2 Unin PN en equilibrio trmico 2-8 Comportamiento dinmico. Modelos
2-3 Unin PN polarizada en condiciones de conmutacin y de pequea seal
estacionarias. Curva I-V 2-9 Tipos de diodos y aplicaciones
2-4 Dependencia con la temperatura 2-10 Unin metal-semiconductor
2-5 Modelos I-V de gran seal. Anlisis 2-11 Heterouniones
de circuitos con diodos
2-6 Distribucin de carga y campo en la
unin. Clculo del ancho de la zona de
carga espacial.
Objetivos
Explicar cualitativamente el funcionamiento de un diodo de unin PN.
Obtener la expresin que relaciona la corriente con la tensin aplicada en
condiciones estacionarias.
Obtener modelos de gran seal.
Estudiar la conmutacin del diodo entre los estados de conduccin y no corte.
Proporcionar un modelo de pequea seal.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos a mano.
Estudiar otras uniones: unin metal-semiconductor y heterouniones
Palabras Clave
Diodo. LED. Resistencias parsitas.
Unin PN. Varactor. Respuesta en frecuencia.
Unin metal-semiconductor. Fotodiodo. Polarizacin.
Heterounin. Modelo de gran seal. Circuitos con diodos.
Rectificacin. Modelo de pequea seal.
Zner. Capacidades de las uniones.
2.1 Introduccin
Captulo 2
i0
nodo Ctodo
+ v0 -
Figura 2.1.1 Smbolo de un diodo
iD
vD
vD < 0 V vD = 0 V
iD = 0 A iD > 0 A
32 CAPTULO 2 UNIONES
Como detectores de luz
Como capacidades dependientes de tensin (varactores)
En osciladores (diodos tnel)
Captulo 2
2.2 Unin PN en equilibrio trmico
2.2.1 Descripcin
En condiciones de equilibrio trmico no hay excitacin externa
sobre el dispositivo y no debe haber ninguna corriente neta.
Para analizar qu ocurre en una unin PN en equilibrio trmico
supongamos primero las dos zonas P y N por separado:
zona N: hay una gran concentracin de electrones
zona P: hay una gran concentracin de huecos
Tipo P Tipo N
Ec
EF
EF
Ev
Ei nt
Captulo 2
Jd ifus in
Ja rras tre
EC
qR o
EF
EV
1
De aqu en adelante, el subndice N se usar para indicar que la magnitud a la
que acompaa se refiere a la zona N de la unin. Anlogamente, el subndice P
indica que la variable en cuestin se refiere a la zona P.
34 CAPTULO 2 UNIONES
A partir de estas definiciones, la altura de la barrera de energa potencial
( qV0 ) viene dada por (ver Figura 2.2.3):
qV0 = q FN + q FP . (2.3)
Captulo 2
Tipo P
Tipo N
Ei
qV0
EF EF
Ei
n N 0 = ni e kT
,
q P
(2.4)
p P0 = ni e kT
.
Luego:
kT n N 0 p P 0 kT N D N A
V0= ln ln . (2.5)
q n i2 q n2
i
Resulta interesante relacionar los cocientes de las
concentraciones de electrones (o huecos) en las dos zonas neutras (N y P).
De la primera igualdad de (2.5) y aplicando la ley de accin de masas:
nN0 P
= P 0 = e qV0 / kT . (2.6)
n P0 pN0
Ejercicio
Descripcin cualitativa
Captulo 2
2.3.1
N
N
+ - P
P
Ei nt
Jd ifusin
Ja rrastre
EC
qR o
EF
EV
Polarizacin inversa
36 CAPTULO 2 UNIONES
N P
+ -
Captulo 2
VD
EF P
q(V0+V D )
qVD
EF N
Figura 2.3.2 Polarizacin inversa: la barrera de potencial
aumenta. Se bloquea la difusin de mayoritarios y no se
altera la corriente de arrastre, que est limitada por la
generacin de minoritarios.
Polarizacin directa
VD
q(V0+V D )
EF N qVD
EF P
log n,p
nn(x)
pp(x)
z.c.e
np(0)
np(x)
pn(0)
pn(x)
38 CAPTULO 2 UNIONES
Curva I-V esttica
Captulo 2
extremos viene dada por:
I D = I S e VT 1,
V D
(2.8)
con:
Dp D
I S = qA p n 0 + n n p 0 ,
Lp Ln
kT (2.9)
VT = ,
q
A = rea de la unin.
En la Figura 2.3.5 se muestra la representacin grfica de esta curva I-
V (ecuacin (2.8)). Como puede verse, cuando la tensin es negativa, la
corriente es muy pequea e independiente de la tensin. Sin embargo,
para valores positivos la corriente aumenta notablemente con pequeos
incrementos de tensin.
ID
VD
p n ( x) = p n e Lp
. (2.11)
N P
-xn0 0 xp 0
np0+ )np
pn0+ )pn
np0
pn0
xn 0 0 xp
40 CAPTULO 2 UNIONES
p n ( x n0 )
e VD / VT . (2.16)
p n0
(Como ya habamos discutido de forma cualitativa, vemos ahora de nuevo
Captulo 2
que la poblacin de minoritarios aumenta o disminuye respecto del
equilibrio trmico dependiendo de la tensin VD). Finalmente:
p n = p n ( x n0 ) p n0 = p n 0 (eV D / VT
1) . (2.17)
Sustituyendo (2.17) en (2.12) obtenemos la corriente de difusin
de los minoritarios en la zona N:
Dp
jp = q p n 0 (e V D / VT
1) . (2.18)
Lp
Anlogamente, la difusin de electrones en la zona P es:
Dn
jn = q n p 0 (e V D / VT
1) . (2.19)
Ln
Por tanto, quedan demostradas las expresiones (2.8) y (2.9).
Observaciones
-xn 0 xp
I
ID
In huecos
Ip
electrones
xn 0 0 xp
p n ( x) = p n e Lp
,
(2.20)
VD / VT
p n = p n 0 (e 1) p n 0 .
Los minoritarios prximos a la zona de carga espacial son
barridos por el campo elctrico hacia el otro lado de la barrera. Esta
corriente est limitada por lo rpido que se repongan (mediante
generacin trmica) los minoritarios barridos2.
pn0
2
Obsrvese que la tasa de generacin por unidad de volumen es g = .
p
Si asumimos que todos los huecos generados en el volumen ALP son inyectados
hacia el otro lado de la unin tenemos una corriente igual a:
pn0
I p = qAL p ,
p
que coincide con la expresin de IS. Vemos de este modo cul es la interpretacin
de la corriente inversa de saturacin y cmo est limitada por la generacin trmica
2
de portadores (recordar que L p = D p p ).
42 CAPTULO 2 UNIONES
N
N PP
Captulo 2
-xn 0 xp
np0
pn0
)np = -np0
)pn = -pn0
xn 0 0 xp
(
I = I S eV / V 1 .
T
) (2.22)
T2
T3
T1>T2 > T3
VD
Ejercicio
44 CAPTULO 2 UNIONES
ID ID ID
Captulo 2
-1
RD
VD V( V D V( VD
V( V( RD
V D >V (
V D <V (
Ejercicio
N +
N + + - PP
Captulo 2
+ + + -
+ + + -
+ + + -
-xn0 0 xp 0
Densidad de carga
qND +
-xn0 xp 0
-qNA-
Campo elctrico
Em ax
-xn0 xp 0
d 2V ( x) ( x)
= . (2.25)
2
d x
( (x) es la densidad de carga y la constante dielctrica del
semiconductor). Se obtiene:
dE ( x) q
= N A (si 0 > x > x p 0 )
dx . (2.26)
dE ( x) q
= N D (si xn 0 < x < 0)
dx
Integrando las anteriores ecuaciones entre un borde de la zona de
carga espacial y el punto de unin (o por geometra, observando la Figura
46 CAPTULO 2 UNIONES
2.6.1c) se obtiene el campo elctrico mximo:
qN D xn 0 qN A x p 0
E ( x = 0) = Emax = = . (2.27)
Captulo 2
2.6.2 Ancho de la z.c.e:
A continuacin, se integra la expresin:
dV ( x)
= E ( x) , (2.28)
dx
para conseguir eliminar la dependencia de E(x) con la posicin y
relacionar E y la anchura de la z.c.e. con el potencial barrera:
xn 0 dV ( x) x
x dx = x E ( x)dx
n0
p0 dx p0
xn 0
V ( xn 0 ) V ( x p 0 ) = x E ( x)dx . (2.29)
p0
xn 0
V0 = x E ( x)dx
p0
1 1 qN D xn 0
V0 = WEmax = W. (2.31)
2 2
Teniendo en cuenta (2.23) y operando obtenemos:
1 q N AND
V0 = W 2. (2.32)
2 N A + ND
Por tanto:
2V0 1 1
W = ( + )
q N A ND
WN D
x p0 = . (2.33)
N A + ND
WN A
xn 0 =
N A + ND
2 (V0 VD ) 1 1
W= ( + ). (2.34)
q N A ND
48 CAPTULO 2 UNIONES
2.7 Fenmenos de ruptura
Hasta ahora hemos visto que los diodos en inversa slo conducen
Captulo 2
con una corriente muy pequea (-IS), denominada corriente inversa de
saturacin, que es independiente de la tensin aplicada. Sin embargo,
realmente no se puede aplicar cualquier voltaje en inversa mantenindose
esta situacin, sino que a partir de cierto valor crtico o tensin de ruptura,
la corriente inversa del diodo se incrementa abruptamente, obtenindose
un rango muy elevado de corriente con una pequea variacin de la
tensin (de forma anloga a como sucede en la regin de conduccin
directa). La Figura 2.8.1 muestra las dos regiones de conduccin de una
unin PN.
ID (A)
15
10
-2.0
-2.5
50 CAPTULO 2 UNIONES
El otro proceso de ruptura, la rotura Zner o tnel, se ilustra en la
Figura 2.7.4. La rotura tnel tiene lugar si la distancia entre las bandas de
conduccin y valencia es pequea en la zona de carga espacial. Esto
sucede cuando el dopado de los semiconductores es alto, ya que esto
Captulo 2
favorece que la anchura de la zona de carga espacial sea pequea y la
curvatura de las bandas tenga lugar en poco espacio.
Mediante el proceso tnel un electrn puede pasar de la banda de
valencia a la de conduccin (Figura 2.7.4). Este proceso es un mecanismo
de origen cuntico y no tiene explicacin dentro del contexto de la fsica
clsica. Debido a que los electrones tambin tienen un carcter
ondulatorio pueden atravesar, con cierta probabilidad, barreras de
potencial si stas son lo suficientemente bajas o estrechas, como es el
caso.
Al contrario que la ruptura por avalancha, la ruptura Zener tiene
un coeficiente de temperatura positivo, puesto que se facilita la ruptura de
un enlace al aumentar la temperatura.
2.8.1 Introduccin
Hasta ahora hemos estudiado la unin PN en condiciones
estacionarias. Sin embargo, normalmente los diodos se usan en
aplicaciones de conmutacin o en procesado de seales variables, por lo
que se requiere un anlisis del comportamiento transitorio y de pequea
seal.
52 CAPTULO 2 UNIONES
Transitorio de corte (paso de polarizacin directa a corte)
Transitorio de paso a inversa
Captulo 2
2.8.3 Conmutacin. Transitorio de corte
R R
VDD + VDD +
VD VD
- -
Figura 2.8.1 El transitorio de corte del diodo transcurre
entre las situaciones estacionarias representadas en las dos
figuras.
dQ p (t )
ya que dt
= 0 ). Despejando obtenemos la siguiente condicin inicial
que usaremos posteriormente:
Q p (0) = I i p . (2.37)
Para instantes t > 0, la ecuacin diferencial (2.35) cumple:
Q p (t ) dQ p (t ) dQ p (t ) Q p (t )
i (t > 0) = 0 = p
+ dt
dt
= p
. (2.38)
Q p (0) = I i p
t / p
. (2.39)
Q p (t > 0) = Q p (0)e
I Q(t) dpn
IJp )pn
IJpe -t /J p
tiempo creciente
xn
Figura 2.8.2 Grficas que representan en funcin de
tiempo, en un transitorio de corte, la intensidad (a), la carga
total almacenada (b) y la evolucin del exceso de
portadores (c).
p n (t ) = pn 0 (e v D (t ) / VT
1). (2.40)
Por tanto, aunque desde t = 0 no circule corriente, la tensin vD
no se anula hasta que desaparece el exceso de minoritarios (huecos en
nuestro caso particular).
En la figura se muestra cmo evoluciona la tensin vD para
diferentes valores del tiempo de recombinacin, que es el que determina
la rapidez con la que desaparece el exceso de minoritarios.
tp 0.1 us
v d( t , 0 )
tp 1 us 0.5
v d( t , 1 )
tp 10 us v d( t , 2 )
7 6 5 4
1 10 1 10 1 10 1 10
t
Como puede verse, para mejorar la rapidez del diodo hay que
disminuir p. Esto puede lograrse introduciendo impurezas que favorecen
la recombinacin (como el oro) al crear niveles energticos
aproximadamente en la mitad de la banda prohibida. Otra opcin es usar
diodos cortos, que acumulan poca carga en las regiones neutras.
VDD (t) +
vd
t
-
-E
Figura 2.8.4 Circuito y seal aplicada para el estudio del
transitorio de paso a inversa en una unin PN.
54 CAPTULO 2 UNIONES
siguiente expresin (si la tensin de la fuente de alimentacin es del orden
de varios voltios):
E + vd (t ) E
I D (t ) = . (2.41)
Captulo 2
R R
Se denomina tiempo de almacenamiento (tsd: storage delay time)
al tiempo necesario para eliminar el exceso de carga y que vd se anule.
Una vez que eliminado el exceso de carga, se tiene que llegar a la
situacin correspondiente al estado en inversa. Para ello, se deben
eliminar minoritarios y aumentar la tensin del diodo en inversa. La
siguiente grfica ilustra claramente los dos pasos del proceso:
Introduccin
superposicin:
y ( x0 + x) = Ax0 + Ax = y ( x0 ) + y (x) . (2.43)
En una defincin ms general, se define un sistema lineal como
aquel que verifica el principio de superposicin, cualquiera que sea la
relacin entre la entrada y la salida (puede ser adems de una relacin
de proporcionalidad, de tipo diferencial, integral o combinacin lineal de
las tres posibilidades).
El principio de superposicin nos permite estudiar la respuesta
de un circuito descomponiendo el problema en dos partes: primero se
estudia la salida con ciertos valores fijos de las variables de entrada
(polarizacin) y luego cmo cambia la respuesta del circuito al cambiar
el valor de una de las variables de entrada.
En general, las curvas de transferencia de los dispositivos no son
lineales (por ejemplo, la curva I-V de un diodo es de tipo exponencial) y
no se puede aplicar el principio de superposicin. Para evitar esto y
conseguir trabajar con sistemas lineales, se linealiza la curva de
transferencia en torno a un cierto punto de trabajo (o de polarizacin)
desarrollando en serie de Taylor:
y
y ( x 0 + x ) = y ( x 0 ) + x . (2.44)
x x = x0
donde: y = y ( x0 + xi ) y ( x0 ).
Se entiende por anlisis de pequea seal el estudio de la
respuesta del circuito ante las variaciones de tensin (o corriente)
pequeas (x) en torno a un punto de polarizacin DC (dado por (x0,y0)).
Se impone que sean pequeas para que se cumpla la relacin de
linealidad para que en el desarrollo en serie de Taylor (2.44) podamos
quedarnos slo con los dos primeros trminos y, de este modo, poder
aplicar el principio de superposicin y obtener la relacin lineal (2.45)
entre las variaciones de la seal de salida y de salida.
Por tanto, con un modelo de pequea seal en primer lugar se
resuelve el circuito en continua, para obtener el punto de polarizacin.
Posteriormente, se anulan las fuentes que polarizan al circuito y se
56 CAPTULO 2 UNIONES
estudia la respuesta de ste ante variaciones de los valores de estas
fuentes. Posteriormente se particularizaremos este explicacin para el
caso de una unin PN y veremos un ejemplo de aplicacin.
Cuando adems el cambio en las seales de entrada en pequea
Captulo 2
seal es de tipo sinusoidal, hablamos de rgimen de alterna o AC.
+
vd(t) +
- vD(t)
VD -
i D (t ) = I S e v D (t ) / VT
= I S e (V
D + vd (t ) ) / VT
= I D ev d (t ) / VT
, (2.47)
donde
I D = I S e VD / VT (2.48)
Como ya sabamos, no hay una relacin de linealidad entre la
corriente y la tensin en el diodo ni entre las variaciones de tensin y
corriente en el diodo. Sin embargo, esto ltimo puede solucionarse.
Desarrollando en serie de Taylor podemos obtener una relacin lineal
entre la corriente y la tensin de pequea seal:
3
La notacin aqu empleada es bastante habitual cuando se emplean modelos de pequea
seal. En minscula y con subndice en mayscula se expresa la tensin (o corriente, en su
caso) total. Cuando se escriben con mayscula tanto la variable como el subndice se indica
un punto de polarizacin (seal no variable). Con minscula y con subndice en minscula
se representan las variaciones de pequea seal.
Es decir:
i 1
id (t ) = D vd vd (2.50)
v D v D =VD
rd
Observaciones:
Ejercicio:
4
Anular una fuente de corriente equivale en un circuito a quitarla (dejando el circuito
abierto) y una fuente de tensin a sustituirla por un cortocircuito.
58 CAPTULO 2 UNIONES
Suponga que el diodo tiene una cada de 0.7 V con una corriente de 1 mA.
V+
Captulo 2
R 10K
Introduccin
1/ 2
N AND
Q = A2q (V0 v D ) (2.55)
N A + ND
Por tanto, la capacidad (Cj) asociada a esta carga es:
1/ 2
dQ A 2 q N AND A
Cj = = Cj (2.56)
dv D 2 (V0 v D ) N A + N D W
Como puede verse, esta expresin es anloga a la de un condensador
de lminas planoparalelas de rea A y separadas una distancia W.
Observaciones:
60 CAPTULO 2 UNIONES
impurezas donadoras (ND) del diodo.
Captulo 2
Capacidad de difusin o de almacenamiento
Q p = I p p I p = p I S e v D / VT
(2.61)
Por tanto, la capacidad asociada a pequeos cambios en Qp es:
dQ p 1 I p
Cs = = p I S ev D / VT
CS = (2.62)
dv D VT VT
Si consideramos una unin PN hay que tener en cuenta tambin
la contribucin de Qn:
I p p I n n I
Cs = + Cs = T (2.63)
VT VT VT
Como vemos, en lugar de usar dos parmetros diferentes (n y
p), se ha definido un nico parmetro T (cuyo valor est comprendido
entre n y p) y que se denomina tiempo de trnsito.
Cs Cj
rd
2.9.1 Rectificadores
Se aprovecha la caracterstica del diodo de dejar pasar la
corriente slo en un nico sentido. Deben tener una caracterstica lo ms
prxima a la de un diodo ideal:
Muy baja corriente en inversa
Tensin umbral prxima a 0 V
Rd = 0
Tensin de ruptura elevada
rz
62 CAPTULO 2 UNIONES
Estos diodos se usan para conseguir capacidades controladas por
una tensin (por ejemplo, para su uso en filtros sintonizados) ya que la
capacidad de unin depende del voltaje aplicado entre sus extremos (VD).
Efectivamente, recordemos que:
Captulo 2
CJO
Cj VD m
VDm (en inversa) . (2.64)
(1 V0
)
q s = E 0 E Fs (2.66)
Adems, en el caso del semiconductor, se define la
afinidad electrnica como la energa que habra que aportar a un electrn
situado en el fondo de la banda de conduccin para que escapase del
material y pasase al nivel del vaco E0. Esto es, la afinidad electrnica del
semiconductor viene dada por:
q = E 0 E c (2.67)
64 CAPTULO 2 UNIONES
Metal Semiconductor
E0
eP
eMs
Captulo 2
eMm - EC
Efs
Efm
EV
E0
- + Ps
EC
EF
EV
Figura 2.10.2 Unin metal-semiconductor. La grfica
muestra la curvatura de la banda de conduccin del
semiconductor y la barrera de potencial que dificulta el
trnsito de los electrones del semiconductor hacia el metal.
66 CAPTULO 2 UNIONES
forma cuando se alcanza el equilibrio trmico es precisamente en esta
direccin (ver Figura 2.10.3).
Si ahora aplicamos una tensin positiva en el metal respecto del
semiconductor, los electrones no tienen ningn problema para ir hacia el
Captulo 2
metal, producindose corriente. Si la tensin es en sentido contrario, los
electrones que van a pasar del metal al semiconductor ven una barrera de
potencial, pero esta es mucho menor que en los contactos rectificadores
(Ec - EF), por lo que una pequea disminucin de la barrera causada por la
tensin negativa aplicada es suficiente tambin para permitir el paso de
corriente. Por tanto, en este tipo de uniones metal-semiconductor se
permite el paso de la corriente en ambos sentidos, por lo que se
denominan no rectificadoras o contactos hmicos.
Tambin pueden lograrse contactos hmicos dopando mucho el
semiconductor, para conseguir una zona de deplexin delgada. De este
modo, en el caso en el que exista una barrera de potencial, sta ser muy
estrecha y podr ser atravesada mediante efecto tnel.
E0
+ -
EC
EF
EV
2.11 Heterouniones
68 CAPTULO 2 UNIONES
E0
qV0
Captulo 2
Ps 2
EC2
E0
Ps1
)E c
EC1
EF
EV 2
)E v
REFERENCIAS
3
Captulo
EL TRANSISTOR
BIPOLAR DE UNIN
(BJT)
Transistor Bipolar
ndice
3-1 Introduccin 3-5 Comportamiento dinmico
3-2 Fundamentos bsicos. Descripcin 3-6 Efectos de segundo orden
cualitativa
3-3 Clculo de la corriente en rgimen
DC. Ecuaciones de Ebers-Moll
3-4 Caractersticas de transferencia.
Polarizacin
Objetivos
Describir el transistor bipolar.
Entender el funcionamiento bsico del transistor bipolar.
Describir los distintos modos de operacin de este dispositivo.
Evaluar de forma cuantitativa la corriente que circula por los diferentes
terminales del transistor.
Proporcionar modelos elctricos equivalentes en gran seal y pequea seal. Los
modelos debern ser lineales y permitirn analizar o disear circuitos electrnicos
que incluyan a este dispositivo.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos.
Estudiar la conmutacin de este dispositivo entre sus estados.
Analizar la influencia de efectos de segundo orden no considerados en un primer
anlisis simplificado del dispositivo.
Palabras Clave
Transistor bipolar de unin. Saturacin. Efecto Kirk.
Transistor npn y pnp. Activa inversa. Modelo de gran seal.
Emisor. Corte. Modelo de pequea seal.
Base. Modulacin de la anchura de Transconductancia.
Colector. la base. Resistencia de salida.
Ganancia de corriente en Tensin Early. Capacidades de las uniones.
base comn y en emisor Ruptura. Resistencias parsitas.
comn. Deriva en la base. Respuesta en frecuencia.
Activa. Ecuaciones de Ebers-Moll.
3.1 Introduccin
B B
N P N P N P
E C E C
C C
B B
E E
Captulo 3
VD
EF P
q(V0+V D )
EF N
N P N P
V
Inyector de
portadores
IE
IB
VB C
VE B VB C
2
IE IC
1
4 3
IB
VE B VB C
Captulo 3
La corriente de emisor se debe casi exclusivamente a los huecos
inyectados, no a los electrones procedentes de la base (para ello,
hay que dopar el emisor mucho ms que la base). Se define la
eficiencia de emisor como:
I Ep I Ep
= . (3.2)
IE I Ep + I En
(Por lo que en un buen transistor, se debe cumplir que sea
aproximadamente igual a 1).
Calculemos ahora cul es la relacin existente entre las
corrientes de colector y emisor (ganancia en base comn):
IC I Cp I Cp I Ep
F = = B . (3.3)
I E I Ep + I En I Ep I Ep + I En
(3.6)
IC = F I B .
Se usa sobre todo en aplicaciones analgicas (por ejemplo, como
amplificador).
Corte
Saturacin
Activa inversa
Captulo 3
3.3.1 Introduccin
Hasta ahora, hemos visto cualitativamente el funcionamiento del
BJT, calculando unas corrientes a partir de otras a travs de los
parmetros F y F. Pero no sabemos el valor de estos parmetros ni cmo
relacionar las corrientes con las tensiones aplicadas. Esto es lo que se
pretende hacer en este apartado.
De forma anloga a como se hizo en el caso del diodo, se puede
calcular la corriente de emisor (debida a los huecos) a partir de la
corriente de difusin en la base justo en el lmite de la z.c.e. entre el
emisor y la base (se desprecia la recombinacin en la z.c.e). Del mismo
modo, la corriente de colector se calcula a partir de la corriente de
difusin en el lmite de la base con la z.c.e. espacial que comparte con el
colector:
dpn ( xn = 0)
I Ep = qAD p
dxn
(3.9)
dpn ( xn = Wb )
I Cp = qAD p
dxn
Por tanto, lo primero que hay que hacer es resolver la ecuacin
de difusin para calcular el perfil de minoritarios inyectados en la base
(pn):
d 2p( xn ) p n ( xn )
= (3.10)
dxn2 L2p
p E = p n (0) = p n 0 (eV EB / VT
1) p n eV
EB / VT
. (3.11)
En el otro borde de la base, los huecos son barridos por el campo
elctrico hacia el colector, de modo que:
pC = pn (Wb ) = pn 0 . (3.12)
del colector):
*p
Sin recombinacin
)pE
en la base
-pn
WB
Con recombinacin
0 WB
)pE )pE
)pC )pC
0 WB 0 WB 0 WB
Captulo 3
Efectivamente se observa que la solucin es la suma de dos
trminos con la misma forma, cada uno debido a la contribucin de una
de las uniones.
(
I E = A eV EB / VT
) (
1 B eV CB / VT
)
1 ,
IC = B (e VEB / VT
1) A(e VCB / VT
1), (3.14)
I B = I E IC ,
con:
qAD p W
A= coth b pn 0
Lp Lp
(3.15)
qAD p W
B= cosh b pn 0
Lp Lp
Introduccin
equivalente:
IE IC
E C
Vemos pues que este modelo est descrito por la corriente de dos
diodos independientes y de dos fuentes de corriente que dan cuenta del
acoplamiento entre las dos uniones de la estructura.
Las ecuaciones de Ebers-Moll son las expresiones que relacionan
las corrientes y tensiones en el BJT de acuerdo con este modelo de diodos
acoplados.
Ecuaciones de Ebers-Moll
(
I E = I ES eV EB / VT
)
1 R I CS eV ( CB / VT
1 )
(
I C = F I ES eV EB / VT
)
1 I CS (eVCB / VT
1) (3.16)
I B = I E IC
Estas ecuaciones relacionan las corrientes en el BJT con las
tensiones aplicadas en sus uniones y son dependientes de cuatro
parmetros (las corrientes inversas de saturacin, IES e ICS y los
coeficientes de acoplamiento, F y R.
Captulo 3
correspondiente a IC y IB = -IE IC.
Con VCB = 0 V (y, en general, en la regin activa) se cumple:
(
I E = I ES eVEB / VT 1 )
(
I C = F I ES eVEB / VT 1 ) (3.17)
I B = (1 F ) I ES e( VEB / VT
)
1
Por tanto, tal y como habamos definido en la introduccin de este
tema, se cumple que (en activa):
IC
=F
IE
(3.18)
IC F
= F
IB 1 F
Como puede verse, si cortocircuitamos la base y el colector, el BJT se
comporta como un diodo.
Anlogamente, en la regin activa inversa se cumple que:
IE
= R (3.19)
IC activa inversa
Como se ha comentado anteriormente, las ecuaciones de Ebers-Moll
son dependientes de cuatro parmetros. Sin embargo, puede
demostrarse que se cumple la siguiente relacin entre ellos:
F I ES = R I CS . (3.20)
Por tanto, slo quedan tres parmetros independientes.
Otros modelos DC
I B = I E IC
Estas expresiones se conocen como la versin de transporte de
Captulo 3
I EC = I S eV ( CB / VT
1 )
I CC = I S (e VEB / VT
1)
(3.22)
IE IC
Versin de Spice
Puesto que las ecuaciones de Ebers-Moll tienen slo tres
parmetros independientes, se puede buscar un modelo en el que slo
aparezcan tres elementos en lugar de cuatro.
El modelo de Spice conecta directamente el emisor con el
colector. Para obtenerlo, primero se calcula la corriente de base a partir de
la figura anterior:
Captulo 3
Evidentemente, ninguna de estas corrientes es igual a la de
emisor ni a la de colector, por lo que debemos aadir ms elementos al
circuito equivalente. La corriente de emisor viene dada por:
I CC +1
IE = I EC = F I CC I EC =
F F
(3.24)
I
= I CC I EC + CC
F
Anlogamente:
I EC
I C = I CC I EC + (3.25)
R
El ltimo sumando de las ecuaciones (3.24) y (3.25) ya est
incluido en la expresin de la corriente de base, mientras que el resto es el
mismo en ambas expresiones. Por tanto, podemos expresar estas
ecuaciones mediante el siguiente circuito equivalente:
C
IC
IEC /$R
IB
B ICC - IEC
ICC /$F
IE
E
Activa
En la regin activa podemos eliminar los elementos dependientes
de la exponencial eV / V . El circuito basado en las ecuaciones de Ebers-
CB T
IE IC
E C
IB
IB
B $FIB
IE
E
Corte
En corte, slo quedan en las ecuaciones de Ebers-Moll los
trminos correspondientes a las corrientes inversas de saturacin de los
diodos, que son muy pequeas. Teniendo en cuenta la relacin (3.20)
podemos poner el circuito equivalente como:
(1- "F)IES
Captulo 3
IE
E
Ejercicio
3.4.1 Introduccin
Ya hemos visto que un BJT puede trabajar en cuatro regiones de
operacin diferentes. Que lo haga en una u otra depende de las tensiones
aplicadas a travs de elementos externos (resistencias y bateras), que
fijan el punto de trabajo del transistor (es decir, su polarizacin).
Los circuitos de polarizacin son los encargados de fijar el
funcionamiento en continua (DC) del transistor, esto es, el valor de las
tensiones aplicadas al BJT y de las corrientes que circulan por l.
En principio, hay seis variables para fijar: las tensiones entre los
terminales (VBB, VBC y VEC) y las corrientes que circulan (IE, IB e IC). Sin
embargo, slo dos de ellas son independientes puesto que existen cuatro
ecuaciones que relacionan estas seis variables: las dos ecuaciones de
Ebers-Moll y las dos leyes de Kirchoff. Por tanto, basta con fijarnos en
dos de estas variables e imponerlas externamente para determinar por
completo el punto de polarizacin del transistor.
Vamos a ver ahora uno de los circuitos de polarizacin ms
sencillos. Adems, introduciremos simultneamente las caractersticas de
transferencia (relaciones entre las variables, tensiones o corrientes, en el
transistor) habitualmente empleadas, tanto para la descripcin como para
la polarizacin de un BJT.
RC IC
Captulo 3
VCE
RB
VB B IB V IE
BE
iB
Recta de carga
IB
- 1/RB
VB E VB B vB E
VBB VBE
IB = (3.27)
RB
Captulo 3
3.4.3 Caracterstica de transferencia IC-VCE
Estas caractersticas de transferencia tienen la forma mostrada en
la siguiente figura:
iC
Recta de carga
IB 5
IB 4
IB 3
IC IB 2
IB 1
- 1/RB
vCE
VCE VCC
IE =
IS
F
(eVEB / VT
) (
1 I S eVCB / VT 1 )
(3.28)
(
IC = I S e VEB / VT
)
1
IS
R
(e VCB / VT
)
1
En la regin activa:
3.5.1 Introduccin
Hasta ahora se ha estudiado la relacin entre las corrientes y las
tensiones en el BJT cuando stas son estacionarias, no cambian con el
tiempo. Sin embargo, en la operacin normal del BJT pasaremos de un
estado a otro o le aplicaremos seales variables con el tiempo, por lo que
a continuacin se va a estudiar cmo responde el transistor bipolar en
estas situaciones.
Introduccin
Captulo 3
BJT en corte
p n ( xn ) = pn 0 (3.31)
*p
0 WB xn
Conmutacin
iB
IB
iE
Captulo 3
RB
t
+ iB -IB (c)
RL iC
- QB
Lmite regin
de saturacin
-VCC t
(a) iC
IC IC = V CC /RL
t
*p
(b) t4
t3
t1 t2
t0 xn
-pn
rb B C rC
B C
C:
+
CB
vb 'e rB gm vb'e r0
Captulo 3
base (ib):
ie = ic + ib
gmvbe reproduce la variacin en la corriente de colector causada por
un cambio (vbe) en la tensin en la unin BE. Por tanto, gm viene
dada por:
i IC
g m = C = (3.32)
v BE V
CE = cte
VT
C = Ccj = CJC
(1 ) V BC m
Vi
(3.35)
i IC
r01 = C = (3.36)
vCE V BE =cte
VA
3.6.1
VCE
I C = I s eV
BE / VT
1 + , (3.37)
VA
donde a VA se le conoce como tensin Early.
Captulo 3
-VA vCE
IC IC
IE IB
-VCB -VCE
BV CB0 BV CE0
(a) (b)
REFERENCIAS
Captulo 3
4
Captulo
LA ESTRUCTURA
METAL AISLANTE
SEMICONDUCTOR
Diagrama de
bandas
de una
estructura MIS
en equilibrio
ndice
4-1 Transistores de efecto campo. 4-4 Determinacin de la carga
4-2 Estructura MIS. en el semiconductor.
4-3 Estructura MIS polarizada. 4-5 Capacidad de la estructura MIS.
Objetivos
Definir el concepto de transistor de efecto campo.
Clasificar distintos tipos de transistores de efecto campo.
Presentar el dispositivo de efecto campo ms usado hoy en da en electrnica: el
MOSFET.
Analizar de forma separada, como dispositivo aparte, una parte esencial de su
estructura: el dispositivo metal-aislante-semiconductor (MIS).
En esta estructura el objetivo prioritario ser establecer una relacin entre la
tensin aplicada a los terminales externos con magnitudes elctricas internas
como son la cada de potencial en el xido y en el semiconductor, y las cargas
existentes en el semiconductor, en el aislante y en la interfaz silicio-aislante.
Palabras Clave
Transistor de efecto campo. Estructura metal-aislante- Tensin de banda plana.
Resistencia controlada por semiconductor. Potencial de superficie.
tensin. Funcin trabajo de un Carga en el xido.
Corriente controlada por material. Estados superficiales.
tensin. MIS en acumulacin. Carga en el semiconductor.
Dispositivos unipolares. Regin de vaciamiento Capacidad MIS.
Terminales de puerta, fuente depletion.
y drenador. MIS en inversin.
4.1 Transistores de efecto campo
D S
Captulo 4
canal
Semiconductor
MOSFET JFET
S G D S G D
+++++
+++ n+ n+
canal
canal GE2D
sustrato
sustrato GaAs (i)
MESFET HFET
nivel de Fermi del semiconductor, EFs, est por encima del nivel de Fermi
del metal, EFm,. Para que se igualen los niveles de Fermi, en el
semiconductor se debera desocupar la banda de valencia de electrones y
en el metal debera ocuparse la banda de conduccin con ms electrones.
E0
s
s
EC
m
E Fi
E Fs
E Fm EV
M I S
m
s
EF
P
M I S
Captulo 4
Figura 4.2.2 Diagrama de bandas de la estructura MIS en
equilibrio.
Puerta P Sustrato
M I S
VG
EC
E Fi
EF
qVG=qVFB EV
Captulo 4
qVFB=m- s EF
Potencial de superficie,s: EC
qs
Referido a la curvatura mxima
de las bandas en el E Fi
semiconductor corresponde al EF
valor del potencial en la EV
qVG
superficie del semiconductor con
el aislante. EF
Zona de
vaciamiento
Captulo 4
inversin. Se define dicho lmite entre regiones cuando se cumpla
s = 2 F con F = ( E Fi () E F ) / q .
qs
qV i
s
EC
E
m F E Fi
F
EV
qV G
qs
qV i
Captulo 4
Qs E=0
Es EC
E
m F E Fi
F
EV
Qox qVG
Ei Es
Qss
q V G = m - s + q s + q V i . (4.2)
Introduciendo las ecuaciones (4.1) en esta ltima se obtiene:
Q s + Q ss + Qox
q V G = ms + q s - q , (4.3)
C ox
donde COX es la capacidad del aislante por unidad de superficie,
COX = i / d i y di es el espesor del aislante.
Si se quiere calcular ahora la tensin de banda plana bastara con
anular la carga del semiconductor y el potencial de superficie. La tensin
Qss + Qox
q V FB = ms - q . (4.4)
C ox
La ecuacin (4.3) se puede expresar por tanto:
Qs
q V G = qVFB + q s - q . (4.5)
C ox
Captulo 4
es el valor de la carga que existe en el semiconductor para un valor dado
de la tensin de puerta, QS = QS (VG ) . Ni siquiera se conoce la relacin
carga del semiconductor con el potencial de superficie, QS = QS ( S ) .
Esta relacin se puede obtener resolviendo la ecuacin de Poisson en el
semiconductor:
dV
2
(x) q(p - n - N A )
=- =-
s s
2
dx
qV qV (4.6)
p = p po e - KT , n = n po e KT ,
N A = p po - n po ,
donde p es la concentracin de huecos, n la de electrones, NA la
concentracin de impurezas aceptadoras, pp0 es la concentracin de
huecos en equilibrio, np0 la concentracin de electrones en equilibrio, S es
la constante dielctrica del semiconductor y V = V ( x) es el potencial en
un punto x del semiconductor (Figura 4.4.1). Se ha tomado como origen
x = 0 la interfaz aislante-semiconductor, y como origen de potenciales el
potencial de los electrones de la banda de conduccin situados en la zona
neutra del semiconductor.
Introduciendo los valores de n, p y NA en la ecuacin de Poisson
(4.6) y relacionando el campo elctrico con el potencial se obtiene:
2
dV q dE dE
= n po( e KT - 1) - p po( e - KT - 1) = -
qV qV
=E . (4.7)
dx
2
s dx dV
Integrando entre el borde de la zona de carga espacial con la
zona neutra, donde el campo y el potencial son nulos, y un punto x del
semiconductor se llega a:
SiO 2 Si
0 EC
qV
E
qF E Fi
F
EV
V
Captulo 4
sKT ,
L Dp = 2
q NA
1 (4.9)
qV qV n po qV qV 2
f = ( e - KT + - 1)+ ( e KT - - 1) ,
KT p po KT
donde el signo negativo se emplea para semiconductores N y el signo
positivo para semiconductores P, se puede escribir el campo elctrico
como:
KT
E= 2 f . (4.10)
q L Dp
Se puede calcular el campo en la superficie del semiconductor,
ES, sin ms que particularizar el valor del potencial V por el potencial de
superficie s:
KT q s
Es = 2 f . (4.11)
q L Dp KT
Conocido este campo podemos calcular la carga que existe en el
semiconductor.
| Q s |= s | E s | . (4.12)
En acumulacin e inversin los trminos que dominan en la
funcin f son los exponenciales, obtenindose un crecimiento de la carga
2 KT q s 2 KT q s
| Qs | s 1 s = 2 s q N A s . (4.14)
qL Dp KT qL Dp KT
A partir de esta expresin se puede estimar el ancho de la zona
de carga espacial sin ms que igualar:
| QS |= qN AW = 2 s q N A s , (4.15)
Captulo 4
de donde se obtiene una expresin muy similar a la de la anchura de la
zona de carga espacial en una unin pn:
2 s s
W = . (4.16)
qNA
Acumulacin Inversin
COX C OX
VG
Acumulacin Inversin
LF
HF
VG
Captulo 4
CUESTIONES Y PROBLEMAS
EC
qS
E Fi
qF
EF
EV
SiO 2 Si
Figura P.1.
Captulo 4
5
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO MOS
(MOSFET).
Transistor
MOSFET. Estados
On y Off.
ndice
5-1 Estructura y smbolos de circuito. 5-7 Respuesta en frecuencia del
5-2 Modo de operacin. MOSFET.
5-3 Caracterstica de gran seal. 5-8 Efectos de canal corto.
5-4 Curvas caractersticas del MOSFET. 5-9 Conduccin subumbral en MOSFETs.
5-5 Modelos de circuito del MOSFET. 5-10 Corriente en el sustrato de
5-6 Uso de los modelos del MOSFET en MOSFETs.
circuitos.
Objetivos
Descripcin del transistor completo, partiendo de la estructura MIS, con el fin de
encontrar la caracterstica corriente tensin.
Encontrar las relaciones entre las corrientes que circulan por los tres terminales
con las diferencias de potencial existentes entre ellos. Para ello se har uso de un
modelo de canal gradual y se considerarn campos elctricos bajos.
Encontrar un modelo lineal a partir de las relaciones no lineales obtenidas entre
estas magnitudes. El objeto es simplificar el anlisis de los circuitos que
contengan a este tipo de dispositivos.
Descripcin de los modelos de gran seal y pequea seal. Encontrar esos
modelos lleva consigo sustituir el dispositivo por un circuito equivalente donde
aparezcan exclusivamente elementos con caracterstica I-V lineal.
Mostrar como se utilizan estos modelos en el anlisis de circuitos con MOSFETs.
Anlisis de un caso concreto: estudio de la respuesta en frecuencia del
dispositivo.
Introduccin de otros mecanismos en los modelos. Efecto de campos elctricos
elevados en el canal, corriente subumbral y la corriente a travs del sustrato.
Palabras Clave
MOSFET de enriquecimiento Regin triodo. Frecuencia para ganancia en
(normally off). Regin de saturacin. corriente en cortocircuito
MOSFET de deplexin Modulacin de la longitud del unidad.
(normally on). canal. Efectos de canal corto.
Canal de inversin de carga. Modelo de gran seal. Velocidad de saturacin.
Tensin umbral. Modelo de pequea seal. Conduccin subumbral.
Efecto body. Corriente en el sustrato.
Caracterstica I-V.
5.1 Estructura y smbolos de circuito
Una vez que se han asentado las bases de parte de este transistor,
como es la estructura metal-aislante-semiconductor, ya se est en
condiciones de abordar el estudio de la estructura completa. El dispositivo
se muestra en la Figura 5.1.1.
G
S D
MOSFET: SiO2
SiO2
SiO2
Transistor de efecto campo
+ +
basado en la estructura MIS. La n n
tensin aplicada a la puerta Contacto metlico
controla el espesor del canal, que o de polisilicio
une fuente y drenador, y en
consecuencia controla la Sustrato p L
corriente que por l circula.
Captulo 5
Captulo 5
D D D D
Canal n G B G B G G B
S S S S
D D D D
Canal p G B G B G G B
S S S S
Enriquecimiento Deplexin
normally off normally on
Sustrato p L
Q bo = - 2q N A s 2 f . (5.1)
En la Figura 5.2.1 se observa que el canal est a cero voltios,
pues estn conectados a tierra el drenador y la fuente. El sustrato tambin
se encuentra conectado a tierra. Si se observa exclusivamente el
semiconductor se puede ver una unin pn con los dos extremos a tierra. Si
ahora se aplicase una tensin negativa al sustrato (pues no interesa que
circule corriente en esa unin pn) esta tensin se empleara en aumentar la
zona de carga espacial que existe debajo del canal. El nuevo valor de la
carga, Qb, dependera de la diferencia de potencial aplicada entre el
sustrato y fuente, VSB:
Qb = - 2q N A s (2 f + V SB ) . (5.2)
Por regla general, la aplicacin de tensiones al sustrato no se
hace de manera intencionada. Lo ms conveniente sera no aadir
dificultad al estudio del dispositivo y conectar el sustrato al valor ms
+ Canal n +
n n
Zona de
carga espacial
Sustrato p L
Captulo 5
B
D
V G1
S
D
V G2
S
V t = V t0 + ( 2 f + V SB - 2 f ),
=
1
2q s N A , C ox =
ox ,
C ox t ox
donde se ha definido Vt0 como la tensin umbral para VSB=0. Valores
tpicos para el parmetro y la capacidad del xido por unidad de
superficie COX son: = 0.5 V1/2 , C ox = 3.5 104 pF m 2 .
La tensin umbral Vt0 se puede controlar aadiendo impurezas
aceptadoras al semiconductor. Este es uno de los parmetros de diseo
ms relevantes del transistor por lo que su control resulta primordial. Para
espesores del xido de unas 0.1 m Vt0 puede oscilar entre 0.5 y 1.5 V.
Si las impurezas se introducen en una capa muy delgada prxima
a la superficie del semiconductor la variacin de la tensin umbral vendr
dada por:
Qi
V t = , (5.4)
C ox
donde Qi es la carga introducida por unidad de superficie. Si las nuevas
impurezas penetran una distancia considerable en el semiconductor habra
que recalcular la expresin (5.3) con los nuevos dopados.
Tambin se puede controlar la tensin umbral aadiendo
impurezas donadoras, es decir, implantado un canal tipo N, con lo que
tendramos un MOSFET canal N de deplexin. En este caso se pueden
conseguir valores de tensin umbral, Vt0, entre 1 y 4 V.
+ +
n n
Captulo 5
0 V(y) V DS V
Sustrato p 0 y y+dy L y
-
B VSB
+
V DS bajo
+ +
n n
(a)
S G D
V DS mayor
+ +
n n
Captulo 5
(b)
S G D
VGS-VDS=Vt
+ + VDSsatVGS-Vt
n n
(c)
S G D
V DS>V DSsat
+ +
n n
(d)
VDS
(c)
VDSsat
Captulo 5
V DS
(a) (b) (d)
dV = I D dR = ID dy , (5.7)
W n Q I (y)
donde ID es la corriente que atraviesa el canal. Integrando la expresin
anterior a lo largo del canal se obtiene
L V DS V DS
I D dy = W Q (y)dV = W C
n I n ox (VGS -V -Vt )dV ,
0 o 0
k'W
ID= 2( V GS - V t )V DS - V 2DS , (5.8)
2 L
k = nC ox = n
ox .
t ox
Esta funcin es una parbola que presenta un mximo para
VDS = VGS Vt , justo el valor del agotamiento del canal en el drenador. A
partir de ese valor no tiene sentido usar la expresin parablica pues eso
implicara una disminucin de la corriente. Hemos visto que a partir del
Captulo 5
en el canal del drenador (Figura 5.3.4). Introduciendo esta variable, la
corriente en la regin de saturacin quedara:
k W
VDS VGS Vt .
2
ID = ( V GS - V t ) (5.10)
2 L eff
G
S D
n+ n+
Leff xd
ID
/ V D
S
I D
VA V DS
Ejemplo 5.1
Solucin.
ms Q ss + Q ox Qb
Vt= - + 2 f - = V FB + 2 F + 2 F +V(y),
q C ox C ox
(5.15)
ms Q ss + Q ox
V FB = - .
q C ox
Captulo 5
Para calcular la corriente se sustituye esta nueva
expresin de QI ( y ) en (5.6):
dy
dR = ,
nW C ox [ V GS - V FB - 2 F -V(y) - 2 F +V(y) ]
L V DS
I dy = C W[ V
0
D
0
n ox GS - V FB - 2 F -V(y) - 2 F +V(y) ]dV , (5.17)
W V DS 2 3 3
I D = nC ox [( V GS - V FB - 2 F ) - 2 ]V DS - 3 [(2 F - V DS ) - (2 F ) ] .
2 2
L
3 3 3 1 3 1
(2 F + V DS )2 = (2 F )2 + (2 F )2 V DS + (2 F ) 2 V DS 2 + .. .
-
(5.18)
2 8
Regin de
ID Regin 300
saturacin
hmica o pinch-off
o triodo 250
VSB=0
V DS=V GS-V t 200
Real 150 VSB>0
Ideal 100
VGS aumenta
50
0
VDS 0 1 2 3 4 5 6 VGS (V)
VGSVt
Acumulacin
(V GS>0)
VDS=cte
VGS=0
Deplexin
(VGS<0) Vt
V DS V GS
Captulo 5
trabajar con un modelo que simplifique el anlisis de ese circuito. En
primer lugar debemos conocer, o asumir y comprobar posteriormente, en
qu regin trabaja el dispositivo. En el caso de trabajar en la regin de
saturacin el modelo sera el de la Figura 5.5.1.
El modelo refleja el modo de operacin del MOSFET. Presenta
una resistencia infinita en el terminal de puerta como consecuencia del
aislante. Dispone de una fuente de corriente entre fuente y drenador
dependiente de la diferencia de potencial entre puerta y fuente. Si se
quiere incluir el efecto Early habra que hacer uso de la expresin (5.14),
que incluye al parmetro . Si se trabaja en la regin triodo habra que
sustituir la expresin de la corriente de la fuente dependiente que aparece
en el modelo por la correspondiente a esta regin triodo (5.9).
G + D
-
S
Captulo 5
ecuacin (5.23).
Desde el punto de vista del anlisis de circuitos lo que nos
estamos planteando se muestra en la Figura 5.5.3. Realmente nos estamos
preguntando por la corriente que circula por el drenador con una
configuracin de fuentes de corriente continua (que representan el
comportamieno esttico) y fuentes de corriente alterna (que representan
las variaciones de tensin).
ID+)ID
+ - +
V GS V SB V DS
- + -
)V GS )V SB )V DS
W W
gm k ( V GS - V T ) = 2k I D . (5.26)
L L
Clculo de la transconductancia gmb:
ID W V t
g mb = = -k ( V GS - V t )(1 + V DS ) . (5.27)
V BS L V BS
Derivando la tensin umbral dada en (5.3) se obtiene:
V t
=- - . (5.28)
V BS 2 2 f + V SB
C js q s N A
= ; C js = . (5.31)
C ox 2(2 f + V SB )
Captulo 5
Clculo de la resistencia de salida rO:
-1 -1
ID Leff dx d 1 V
r o = =
=
= A. (5.32)
V DS I D dV DS ID ID
Como se observa, rO es funcin de la tensin Early.
Clculo de las capacidades. En este dispositivo existen
varias regiones que introducen efectos capacitivos:
9 Las zonas de carga espacial de las uniones drenador-
sustrato y fuente sustrato. Las expresiones de estas
capacidades, Csb y Cdb respectivamente, corresponden a
las de dos uniones polarizadas en inverso:
C sb 0
C sb =
V SB
1+
o
(5.33)
C db 0
C db =
V DB
1+
o
donde Csb0 y Cdb0 son las capacidades a tensin cero,
VSB y VDB son las diferencias de potencial en las uniones
fuente-sustrato y drenador-sustrato respectivamente y
0 es el potencial barrera de esas uniones.
9 Las regiones de interconexiones de puerta fuera de la
zona activa del transistor. Dan lugar a una capacidad
parsita entre el material de puerta y el sustrato, Cgb.
QT = W C ox ( V GS - V(y) - V t )dy
0
W C n
2 2 V GS -V t
ox 2
= ( V GS - V - V t ) dV = (5.35)
ID 0
2
= WL C ox ( V GS - V t ).
3
Derivando con respecto a la tensin se obtiene:
2
C gs = WL C ox + Csolapamiento (5.36)
3
donde Csolapamiento es la capacidad asociada al pequeo
solapamiento que existe entre el xido de puerta y la
regin N+ de fuente.
G D
S C sb
C gb B
Captulo 5
fuente de alimentacin VDD y una fuente de pequea seal vi. En el
apartado anterior se han encontrado modelos lineales para los regmenes
de gran y pequea seal. Este hecho permite que en primer lugar se pueda
aplicar el principio de superposicin y, posteriormente, analizar por
separado la respuesta del circuito a cada una de las fuentes.
V DD
R G1 RD
vi R G2 RS RL
RG1 RD R G1 RD
D
G
ID
S
RG2 RS R G2 RS
Captulo 5
(a) (b)
vi R G1 RG2 RS RD RL
(a)
D
G
S
vi R G1 RG2 RS RD RL
(b)
Captulo 5
ig vgs C gs Cgb g mvgs rO Cdb
gm
H ( j ) = . (5.39)
j( C gs + C gb + C gd )
id 1 gm
(j2 f T ) = 1 f T = . (5.40)
ig 2 C gs + C gb + C gd
Esta frecuencia se va a denominar frecuencia para ganancia en
corriente en cortocircuito unidad, fT. Vemos que depende de la
transconductancia, es decir de la corriente del transistor, y de las
capacidades parsitas. Esto demuestra la importancia que tienen estas
capacidades a altas frecuencias, pues son las que determinan el
decrecimiento de la ganancia a medida que aumenta la frecuencia. En el
caso frecuente de que domine la capacidad Cgs el parmetro fT se puede
aproximar por:
Captulo 5
1 gm n
fT = 1.5 ( V GS - V t ) , (5.41)
2 C gs 2 L2
donde se ha hecho uso de (5.26) y (5.36). Se observa que la fT depende
inversamente del cuadrado de la longitud del canal. Eso significa que si
nosotros queremos aumentar el rango de frecuencias de operacin de un
transistor MOSFET uno de los primero aspectos en los que nos
deberamos fijar sera en reducir las dimensiones del dispositivo. Ms
adelante justificaremos que en el caso de transistores de longitud de canal
inferior a la micra el parmetro fT es proporcional a 1/L.
Otra de las conclusiones que se pueden sacar de este estudio es
que en el caso de frecuencias bajas o intermedias el efecto de los
condensadores del modelo es despreciable. Por ello, se suele emplear un
modelo simplificado que permite hacer una estimacin rpida del
comportamiento de los circuitos con MOSFETs. Este modelo se muestra
en la Figura 5.7.2. Este modelo recoge los mismos parmetros que se
tuvieron en cuenta cuando se realiz el anlisis puramente formal del
transistor en el apartado 5.5.2
G D
g mvgs+g mbvbs rO
Captulo 5
incrementado. Esto tiene una repercusin inmediata: la relacin entre la
velocidad de los portadores de carga en el canal y el campo elctrico deja
de ser lineal. La Figura 5.8.1 muestra este fenmeno. En ella se representa
la velocidad de los electrones en un semiconductor en funcin del campo
elctrico. Para bajos valores del campo elctrico la relacin velocidad-
campo es de la forma:
v = n E . (5.42)
Para altos campos esta relacin se puede aproximar
empricamente por:
n E
v ,
E (5.43)
1+
Ec
donde Ec es el campo crtico, a partir del cual la relacin vE deja de ser
lineal. En esta figura Ec = 1.4104 V/cm y la movilidad de los electrones
n = 700 cm2V-1s-1.
Para ver cmo afecta esta relacin al comportamiento de un
MOSFET se puede evaluar la tensin que habra que aplicar al drenador
de un MOSFET de canal de 1m para alcanzar el campo crtico. El
resultado sera 1.5 V, por lo que resulta necesario modificar los modelos
empleados para describir al dispositivo.
Hasta ahora siempre que se haba trabajado con la expresin de
la corriente I = qnvWt (donde n es la densidad de electrones, v es su
velocidad, y W y t son la anchura y el espesor del canal respectivamente)
se haban considerado bajos campos, con lo que se apreciaba un
comportamiento hmico:
5
10
510
4
Medida
210
4
Aproximacin
4
10
510
3
3 4 5
10 10 10 E(V/cm)
1 dV dV
I D 1+ = W Q I (y) n . (5.46)
Ec dy dy
Integrando la ecuacin anterior a lo largo del canal se obtiene
L
1 dV
V DS
I D 1+ dy = W Q (y) dV .
I n (5.47)
0 E c dy 0
Captulo 5
S
R SX
C ox W
(V -V t )
2
ID= G S (5.50)
2 L
y la segunda ley de Kirchoff aplicada a la rama DS:
V GS = V G S + I D R SX , (5.51)
se obtiene:
C ox W
(V - I D R SX - V t ) ,
2
ID= GS (5.52)
2 L
de donde se puede despejar el valor de la corriente ID:
C ox W
(V GS - V t ) .
2
ID=
W L (5.53)
2 1+ C ox R SX (V GS - V t )
L
-4
10
-7
10
10 -10
-13
10
Vt V GS 0.5 1 1.5 2 V GS (V)
(a) (b)
Captulo 5
V V
- GS - DS
G
S D
+ z.c.e. +
n n
L1
Sustrato p L
EC
E FS
VDS
EV
EFD
EV V DS
E FD
(5.56)
dy
donde Seff es la seccin eficaz efectiva para la corriente subumbral
( S efff = Wd c ) , y dc es la anchura de la regin donde se encuentran la mayora
de los electrones. Si la longitud de difusin de electrones en el sustrato es
mayor que la longitud del canal ( LnD >> L) la densidad de electrones es
lineal, decreciendo de fuente a drenador (no hay recombinacin):
y
n(y) = n sd - ( n sd - n dd ) (5.57)
L1
donde nsd es la concentracin de electrones en el canal en el lado de fuente:
qV(z)
n sd = n p 0e KT (5.58)
y ndd es la concentracin de electrones en el canal en el extremo de drenador:
q (V(z)-V D )
n dd = n p 0e KT (5.59)
y V(z) es el potencial elctrico perpendicular a la superficie. Dicho potencial
se puede estimar a partir del diagrama de bandas de la Figura 5.9.4.
0 EC
V(z)
EF
EV
Captulo 5
En dicho diagrama se ha considerado que el campo en la zona de
carga espacial es constante e igual a:
| Qdep | 2q s N A
Es = = . (5.60)
s s
El potencial en la regin de vaciamiento ser por tanto lineal:
V(z) = s - Es z . (5.61)
De acuerdo con esta expresin la concentracin de electrones en
la superficie con el xido es proporcional a exp(q S / KT ) y decrece
como exp(qES z / KT ) . Podemos considerar por tanto que la mayora de los
electrones se encuentran en una capa de espesor d c KT / qE S . Con este
parmetro se puede calcular finalmente la corriente que circula entre
drenador y fuente:
dn KT KT n dd - n sd
I sub = -q S eff D n = -q(W )( n ) =
dy qF y q L
qV(z)
exp - V D - 1
(5.62)
exp
KT s KT n i2 KT KT
,
= -q(W ) n
q 2q s N A q NA L
s KT
L Dp = 2 (5.63)
q NA
I sub = s n . (5.64)
L q N 2A q s 2 L Dp
En esta expresin hay todava una variable interna a la cual no
tenemos acceso desde los terminales: el potencial de superficie s .
Necesitamos conocer su relacin con la tensin aplicada a la puerta del
transistor. Recordemos que esa relacin viene descrita por la ecuacin (4.5):
Qs
qV GS = qVFB + q s - q . (5.65)
C ox
Introduciendo en esta ecuacin la relacin entre el campo elctrico
del semiconductor con la carga en el mismo Q s = - s E s se puede escribir:
d i s
s = V GS - V FB - E s,
i
(5.66)
Captulo 5
d i s 2q s N A
s = V GS - V FB - .
i s
Elevando al cuadrado la ecuacin anterior se tiene:
2
2 2 d 2q s N A
s +( V FB - V GS ) + 2 s( V FB - V GS ) = i s a 2s 2 s , (5.67)
i s
donde se ha definido:
di .
a s q N A s (5.68)
i
De (5.67) se puede despejar el valor del potencial de superficie:
s 2 + 2 s( V FB - V GS - a 2s )+( V FB - V GS )2 = 0,
s = -( V FB - V GS - a 2s ) ( V FB - V GS - a 2s )2 - ( V FB - V GS )2 , (5.69)
s = ( V GS - V FB + a 2s ) - a s a 2s + 2( V GS - V FB ).
Teniendo en cuenta la dependencia del potencial de superficie
con la tensin de puerta se pueden agrupar constantes y modelar la
corriente subumbral por la siguiente expresin:
W qV GS qV DS
ID= kx exp 1- exp - , n 1.5 .
(5.70)
L nKT KT
Para VDS > KT / q , Isub es independiente de VDS. Este resultado era
de esperar pues en un canal largo la tensin VDS cae principalmente en la
unin de drenador. Se tiene una dependencia exponencial con VGS como se
Captulo 5
se puede modelar con el esquema de la Figura 5.10.1:
D
IDB
G B
k2
I DB = k 1 (V DS - V DS sat ) I D exp - , (5.71)
V DS - V DSsat
donde k1 y k2 son parmetros que dependen del proceso de fabricacin
del dispositivo y toman los siguientes valores en transistores NMOS:
k1 = 5 V 1 , k 2 = 30 V . En transistores de canal P este fenmeno no es tan
importante pues los huecos son mucho menos energticos que los
electrones, por lo que son mucho menos eficientes para generar pares
electrn hueco.
La repercusin mayor de esta corriente parsita es en el
comportamiento de pequea seal del MOSFET. Este nuevo camino por
donde circula la corriente presenta una resistencia que puede ser del orden
de otras resistencias del modelo del dispositivo. Este camino paralelo que
permite disipar potencia puede ser un factor importante a la hora de
RESUMEN
CUESTIONES Y PROBLEMAS
Captulo 5
saturacin aplicndole una diferencia de potencial entre drenador y
fuente de 5 V y una tensin puerta fuente VGS. Se mide una
corriente de drenador de 12 A para esta tensin y se obtiene una
resistencia de salida de 6 M. Datos tecnolgicos: el espesor del
xido es de 400 , las dimensiones dibujadas de la puerta del
transistor son 7 m x 100 m y la difusin lateral de drenador y
fuente de 0.6 m.
a) Avergese si se trata de un transistor canal N o canal P.
b) Calcular la longitud real del transistor.
c) Calcular la tensin de saturacin para esta tensin VGS.
d) Calcular la longitud efectiva del canal.
e) Cul es el factor de decrecimiento de la longitud del canal al
aumentar VDS ( dxd / dVDS )?
Captulo 5
tensin de valor VMAX + 10 V en serie con una resistencia de
10 K, qu corriente circula por el circuito? AYUDA:
representar la caracterstica I-V en inverso determinando bien
cual es la tensin de ruptura.
-6
10 10
(B)
|QS| (C/cm )
2
-7
10
V G (V)
5
-8
10
0
10 -9
-10
-5 10
0 0.5 1 0 0.5 1
s (V) s (V)
Figura P.1.
REFERENCIAS
6
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO DE
UNIN (JFET).
S D
Transistor Jfet
G
ndice
6-1 Estructura y funcionamiento. caracterstica corriente tensin.
6-2 Clculo cualitativo de la 6-4 Modelos de gran seal y
caracterstica corriente tensin. pequea seal en saturacin.
6-3 Modelo de uniones abruptas
para el clculo de la
Objetivos
Definir las regiones que componen el transistor de efecto campo de unin.
Describir el funcionamiento bsico de este dispositivo.
Evaluar de forma cualitativa la corriente que va a circular por el canal del
transistor en funcin de las tensiones aplicadas a sus terminales.
Presentar un modelo que permita encontrar expresiones analticas para la
corriente que circula por el transistor.
Proporcionar modelos elctricos equivalentes en gran seal y pequea seal. Los
modelos debern ser lineales y permitirn analizar o disear circuitos electrnicos
que incluyan a este dispositivo.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos.
Palabras Clave
Transistor de efecto campo Tensin de drenador. Modelo de gran seal.
de unin. Regin triodo. Modelo de pequea seal.
Dispositivo unipolar. Regin de saturacin. Transconductancia.
Espesor de la zona de carga Tensin de saturacin. Resistencia de salida.
espacial. Modulacin de la longitud del Capacidades de las uniones.
Espesor del canal de canal. Resistencias parsitas.
conduccin. Tensin Early. Respuesta en frecuencia.
Tensin de agotamiento. Regin de ruptura.
Corriente de drenador. Modelo analtico de uniones
Tensin de puerta. abruptas.
6.1 Estructura y funcionamiento
S D
P VGS1 < VGS2 < VGS3
+
N
V GS
Captulo 6
del canal.
Su clculo es sencillo pues basta igualar la anchura de la zona de
carga espacial de la regin P de una de las uniones (admitindolas
iguales) a la mitad de la anchura del canal:
2 s ( 0 +V p )
a= ,
NA (6.1)
q N A (1 + )
ND
donde NA y ND son las concentraciones de impurezas en la zona P y N
respectivamente y 0 es el potencial barrera de la unin. Despejando el
valor de la tensin de agotamiento se tiene:
NA
q N A (1 + )
ND - (6.2)
Vp= a
2
0 .
2s
La tensin de agotamiento suele tomar valores entre 1 y 3 V.
Presenta una dependencia trmica del orden de 2mV/oC.
x(y)
S - V(y) + D +
2a b(y)
VDS
L -
+
G V GS V(L)=VDS
-
(a)
+
V GS
G -
ID
S D +
Captulo 6
V DS
-
G +
VGS VDS=-Vp+VGS
-
Pinch-off
(b)
+
VGS
G -
V(y)=-V p+VGS ID
S D +
V DS
-
G +
VGS V DS>-V p+V GS
-
Saturacin
(c)
Captulo 6
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
BVDG0 V DS (V)
V GS=1.0 V -1
V GS=0.5 V
-2
V GS=0 V Triodo
Acumulacin
Ruptura
x(y)
S - V(y) + D ID
2a b(y) +
V DS
L -
+
G V GS V(L)=VDS
-
x(y) = k 1 0 + V R(y),
(6.3)
x(y) = k 1 0 +V GS -V(y),
Captulo 6
donde se ha definido
2 s
k1 = .
N (6.4)
q N A (1 + A )
ND
La anchura del canal se puede relacionar con x(y):
I D dy = W bdV . (6.7)
0 0
a = k1 0 +V p (6.9)
se puede escribir:
2 ( 0 + V GS - V DS ) 2 - ( 0 + V GS ) 2
3 3
I D = G 0 V DS + . (6.10)
3
1
( 0
+ V p ) 2
Esta expresin corresponde a la regin triodo. Es vlida para
valores de tensin inferiores a la condicin de agotamiento
| V D ' S |<| V Dsat || VGS V p | . En la Figura 6.3.2 podemos ver una serie de
curvas que corresponden a distintos valores de la tensin VGS y el valor de
VDS donde termina la regin triodo y comienza la regin saturacin.
ID
-Vp -3V p /4 -Vp /2 -V p /4
V DS
Captulo 6
V GS=3Vp /4
VGS=Vp /2
V GS=V p/4
V GS=0
I D = I D ( V D S = - V p + V GS ) , (6.11)
I D = G 0 - V p + V GS + . (6.12)
3
1
( 0
+ V p ) 2
2 ( 0 + V p )2 - ( 0 )2
3 3
3 ( 0
+ V p ) 2
Normalmente se suele utilizar una expresin emprica ms
compacta para la zona de saturacin, en la que aparece una dependencia
cuadrtica con la tensin VGS:
2
V GS
I D I DSS 1 - .
(6.14)
Vp
Para incluir el efecto de la modulacin de la longitud del canal se
aade el parmetro cuyo inverso nos proporciona la tensin Early.
2
V GS
I D = I DSS 1 - (1 + V DS ) .
(6.15)
Vp
Captulo 6
Ejemplo 6.1
Solucin.
IDSS 80
60
ID (A)
40
Funcin
cuadrtica
Modelo
de 20
Vp unin
abrupta
0
-8 -6 -4 -2 0
V GS (V)
Captulo 6
existentes entre ellos: se ha obtenido una expresin para ID y sabemos que
la corriente que circula por la puerta corresponde a la de una unin
polarizada en inverso, del orden de 10-12-10-10 A. Se puede por tanto
modelar al transistor. En la regin de saturacin el modelo de gran seal
del transistor se muestra en la Figura 6.4.1. Se puede ver la similitud entre
este modelo y el del MOSFET. La nica diferencia es el valor de la fuente
dependiente de corriente.
G + D
vgs V GS 2
ID=IDSS(1- ) (1+ 8V DS)
Vp
-
dI D 2 V V
gm = = - I DSS (1 - GS ) = g m 0 (1 - GS ) . (6.16)
dV GS Vp Vp Vp
C gs 0
.
V GS 13 (6.18)
(1 + )
0
9 Capacidad puerta-drenador:
C gd 0
C gd = .
V 1
(6.19)
(1 + GD )3
0
9 Capacidad puerta-sustrato.
C gss 0
C gss = .
V GSS 12 (6.20)
(1 + )
0
Captulo 6
1 gm
fT= (6.21)
2 C gs + C dg + C gss
G + D
vgs gmvgs
-
Ejemplo 6.2
Captulo 6
fija la tensin VGS.
Solucin.
( 0 + V GS - V D S ) 2 - ( 0 + V GS ) 2
3 3
V
I D = I p 3 ,
D S
+2 (6.22)
Va V a3 / 2
donde se ha definido V a 0 + V p e I p V a G o / 3 . La
ecuacin (6.22) se puede rescribir:
( 0 + V GS )2
3
VD 'S
3/ 2
V DS
ID = Ip 3 +2
1 1 . (6.23)
Va Va 3/ 2
0 + V GS
3
VD 'S
V DS ( 0 +V GS )2
ID Ip 3 + 3 (6.24)
Va Va3/ 2
0 + V GS
ID = 1+ VD 'S . (6.25)
Va Va
3I p 0 +V GS
1/ 2
I D
gD = = 1+ . (6.26)
VD 'S Va Va
RESUMEN
CUESTIONES Y PROBLEMAS
2 ( 0 V GS + V DS ) 2 - ( 0 V GS ) 2
3 3
I D = G 0 V DS . (6.27)
3 ( 0 + V p ) 2
1
1 g D 3 ( EG + 3KT ) / q 0 1
= + . (6.28)
g D T 2 2Va1/ 2 (V GS + 0 )1/ 2 1 ( (V GS + 0 ) / Va ) T
1/ 2
R1 R3
C
C V o(t)
Captulo 6
vi(t)
- R2 R4
Figura P.1.
4. Se pretende utilizar el JFET de la Figura P.2 como resistencia
variable en el intervalo 21.3 k 26.7 k para valores de la
tensin de puerta entre 10 V y 20 V. Suponiendo pequeos valores
de la tensin VDS calcular cual debe ser la longitud del canal y la
concentracin de impurezas del mismo conocidos el resto de los
parmetros que se muestran en la figura.
(Sol.: NA = 1.271017 cm-3, L = 266 m).
G
+
N
D
S
P 2 m
N
+
10 m
G
Figura P.2.
7
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO METAL
SEMICONDUCTOR
Transistor
MESFET
ndice
7-1 El arseniuro de galio. 7-4 Circuito equivalente
7-2 Estructura del MESFET. de pequea seal.
7-3 Principio de operacin.
Objetivos
Presentar otros materiales semiconductores empleados en aplicaciones
electrnicas particulares.
Describir la estructura del MESFET y su modo de operacin.
Presentar distintos modelos que tienen como fin el llegar a una expresin
analtica para la corriente de drenador.
Presentar otro modelo empleado en diseo asistido por ordenador que
proporciona una relacin I-V vlida para cualquier valor de la tensin.
Analizar cmo se modifican las expresiones de la corriente cuando se tienen en
cuenta otros efectos como las resistencias parsitas o la corriente de puerta a
travs del contacto Schottky.
Proponer un mtodo para extraer los parmetros que aparecen en las
caractersticas I-V a partir de medidas experimentales.
Presentar un modelo de pequea seal vlido para muy altas frecuencias, rango
donde es especialmente til este dispositivo.
Mostrar ejemplos de aplicacin de este modelo.
Palabras Clave
GaAs. Modelo de canal gradual. Corriente de puerta.
Contacto Schottky de puerta. Modelo de dos tramos para la Extraccin de parmetros.
Zona de carga espacial. velocidad de los electrones. Modelo de pequea seal.
Tensin de agotamiento. Modelo de Curtice.
Conductividad del canal. Resistencias parsitas.
7.1 El arseniuro de galio (GaAs)
z.c.e.
n+ n+
Canal n
Sustrato semiaislante
2 s ( 0 V GS )
h= , (7.1)
q ND
con el espesor del canal a (Figura 7.2.2). Despejando de esa igualdad la
tensin umbral se obtiene:
Captulo 7
qa 2 N D
Vt VGS (h = a) = 0 , (7.2)
2 s
donde ND es la concentracin de impurezas donadoras. Se suele definir
tambin la tensin de agotamiento o pinch-off, Vp, como:
qa 2 N D
Vp = . (7.3)
2 s
El espesor de la zona de carga espacial se puede rescribir:
( 0 V GS )
h=a . (7.4)
Vp
G
S D
h
+ a +
n n
Canal n
Sustrato semiaislante
sera:
qN D nW (a h)
G ds = . (7.6)
L
Cuando la zona de carga espacial ocupe todo el canal (a = h) la
conductividad se har nula.
Cuando, adems de aplicar una tensin a la puerta, la tensin VDS
es distinta de cero la diferencia de potencial entre puerta y un punto x del
canal variar a lo largo del mismo. Se debe dividir el canal en elementos
de longitud dx, cada uno de los cuales presentar un espesor ( a h( x)) )
y una conductividad diferentes entre s (Figura 7.3.1). El espesor de la
zona de carga espacial en un punto x es:
2 s ( 0 V GS + V ( x) )
h( x ) = , (7.7)
q ND
G
S D
h(x)
h(x)
+ +
n n
Canal n
y
dx
Sustrato semiaislante x
Captulo 7
Integrando esta ecuacin entre 0 y L se obtiene la relacin entre
la corriente que circula por el canal con las tensiones aplicadas entre los
terminales del transistor:
2 (V DS + 0 V GS )2 - ( 0 V GS ) 2
3 3
I D = G0 V DS . (7.10)
3 1
( V p ) 2
Esta aproximacin es slo vlida mientras no aparezca el
agotamiento del canal en la regin de drenador, es decir, mientras no se
cumpla h( L) = a . A partir de ese punto la corriente tomara un valor
constante que se obtiene imponiendo la condicin de agotamiento
VDSsat = V p 0 + VGS :
V 3
2 ( 0 V GS ) 2
I D = G0 p
+ + V . (7.11)
3 3 ( ) 21
0 GS
Vp
vsat
EC E
I D (VDS )
E ( L) =
2 s( 0 V GS + VDS )
qN D nW (a )
qN D
I D (VDS ) (7.13)
= .
0 V GS + VDS
qN D nWa 1
Vp
u sat
2
3
[ ]
(u g + u sat ) 3 / 2 u g3 / 2
= , (7.15)
1 (u g + u sat ) 1 / 2
de donde se puede extraer el valor de VDSsat.
Para >>1 la solucin de esta ecuacin se puede aproximar por
u sat + u g = 1 , idntico al modelo de canal gradual.
Para << 1 se puede aproximar u sat .
Tambin se puede resolver numricamente la ecuacin (7.15) y
obtener una frmula de interpolacin. Shur [2] demostr que dicha
frmula se poda aproximar por:
(1 u g )
u sat . (7.16)
+ 1 ug
La corriente de saturacin vendr dada por:
I D = qvsatWN D (a h( L))
0 VGS + VDSsat
= Go LEc (1 ( )1/ 2 )
Captulo 7
Vp (7.17)
I D G oV p (1 ( + u g ) 1 / 2 ) . (7.18)
Para valores intermedios Shur [3] propuso una formula de
interpolacin:
(1 u ) 2
I D = G oV p
g
, (7.19)
1 + 3
que tambin se puede escribir como:
Ejemplo 7.1
10
ID (mA)
6
4 (b)
2
0.22 V 1.469 V
0
0 1 2 3
VDS (V)
VDS>VDSsat
G
S D
h(x)
+ +
n n
46 nm 37 nm
Captulo 7
del canal
I V + V
1/ 2
g chi = D = G0 1 0 GS DS . (7.22)
V DS VGS = cte
V p
El modelo del dispositivo que se emplea en diseo asistido por
ordenador debe reproducir las curvas I-V en todo el rango de tensiones,
no solo en saturacin. Curtice [4] propuso una expresin que interpolaba
la corriente en todo el rango de tensiones:
0 VGS
I DSs = qWv sat N D a(1 ), (7.25)
Vp
RG
G
RS RD
S S D D
g ch
= . (7.32)
I DSs
Hasta ahora se ha considerado que la corriente que circula por la
puerta es despreciable pues la unin Schottky est polarizada en inversa.
Sin embargo, hay situaciones en las que puede ser til hacer circular
corriente por la puerta, en particular cuando se est interesado en extraer
parmetros del dispositivo. Para tener en cuenta estas situaciones se suele
modelar la corriente de puerta mediante la combinacin de dos diodos.
Uno de ellos est conectado entre el contacto de puerta y el de fuente y el
otro entre el contacto de puerta y drenador (Figura 7.3.6). Ello dara lugar
a una corriente de puerta de valor:
Captulo 7
I G = I gs + I gd ,
VG ' S ' I G RG ( I D + I gs ) RS
I gs = I g 0 exp q ,
KT (7.33)
VG ' D ' I G RG ( I D + I gd ) RD
I gd = I g 0 exp q .
KT
S S D D
L L
Rchi = = . (7.35)
q n N DW (a h) qa n N DW (1 (( 0 VGS ) / V p )1 / 2 )
LS LG LD
RG
+
C gs v C gd
RS - gsr RD
ds
Ri
jt
g mvgse
Cds
Captulo 7
+
vgs C gs
- jt
g mvgse rds C ds
Ri
RS
LS
1 1
I D (VDS + 0 V GS ) 2 - ( 0 V GS ) 2
gm = = G0 . (7.36)
VGS VDS = cte
1
(V p )2
Para valores bajos de la tensin de drenador
(VDS << 0 VGS ) la corriente de drenador y la
transconductancia se pueden aproximar por las siguientes
expresiones:
V GS 1 / 2
( g m ) sat G0 1 0 . (7.38)
V p
C g0
C GS = ,
1 V GS
o
(7.39)
C g0
C GD = ,
1 V GD
Captulo 7
o
donde
WL qN D s
Cg0 = . (7.40)
2 2 0
L L
rds = =
{ }
.
q n N DW (a h) qa N W 1 ( V ) / V 1/ 2 (7.41)
n D 0 GS p
L/2 L
a
Ri
X 3L
Captulo 7
-
S S
+ + + +
ii
vs vi vgs Cgs g mvgs rds C ds Z o vo
-
- - -
Captulo 7
entrada del dispositivo y a la carga Zo:
Pi = 1/ 2 Re( I i*Vi ),
(7.45)
Po = 1/ 2 Re( I o*Vo ).
Su cociente proporciona la ganancia de potencia mxima:
1 g m2 rds 1
MAG = . (7.46)
4 (2 ) 2 Ri (C gs f ) 2
Introduciendo en esta ecuacin las expresiones de los distintos
parmetros que en ella aparecen (7.37)-(7.42) se tiene que la ganancia
mxima es proporcional a ND2 e inversamente proporcional al producto
( L f ) 2 . Esto indica que si queremos aumentar el rango de operacin de
este dispositivo debemos disminuir la longitud del canal o aumentar el
dopado del semiconductor. Las longitudes de canal que se emplean hoy
en da son inferiores a las 0.5 m, valor que ronda el lmite inferior para
la fotolitografa ptica. Con otras tcnicas como la litografa por haces de
electrones se pueden conseguir longitudes inferiores a las 0.2 m. Con
RESUMEN
CUESTIONES Y PROBLEMAS
+ +
N N
a
L
GaAs tipo N
Sustrato semiaislante
Figura P.1.
REFERENCIAS
[1] W. Shockley. "A unipolar field effect transistor", PROC. IRE, vol.
40, pp. 1365-1376, November 1952.
[2] M.S. Shur. Low field mobility, effective saturation velocity and
Captulo 7
performance of submicron GaAs MESFETs Electron., Lett., Vol.
18 (21), pp. 909-911, Oct. 1982.
[3] M.S. Shur. Analitical model of GaAs MESFETs, IEEE Trans.
Electron Devices, vol. ED-25, pp. 612-618, June 1978.
[4] W.R. Curtice. A MESFET model for use in the design of GaAs
integrated circuits, IEEE Trans. MTT, vol. MTT-29, pp. 448-456,
May 1980.
8
Captulo
DISPOSITIVOS
OPTOELECTRNICOS.
Diodo Lser
S D
G
ndice
8-1 Introduccin 8-8 Descripciones cualitativas de la
8-2 Clasificacin de los dispositivos absorcin y de la ganancia de luz
optoelectrnicos en un semiconductor
8-3 Interaccin luz-materia 8-9 Amplificadores pticos y lseres
8-4 Transiciones entre estados. Ecua- semiconductores
cin de Einstein 8-10 Coeficiente de ganancia en un
8-5 Coeficiente de ganancia de inten- semiconductor
sidad de la radiacin luminosa 8-11 Perfil de emisin espontnea
8-6 Revisin de la teora elemental 8-12 Ejemplo: Obtencin de una
de semiconductores condicin umbral para obtener
8-7 Materiales semiconductores utili- ganancia en un semiconductor
zados en dispositivos optoelectr- 8-13 Diodos lser de homounin
nicos
Objetivos
Definir y clasificar funcionalmente los dispositivos optoelectrnicos.
Describir las caractersticas de la interaccin luz-materia, las transiciones entre
estados y la Ecuacin de Einstein.
Definir y evaluar los coeficientes de ganancia y absorcin de la intensidad de la
radiacin luminosa.
Establecer las condiciones de conservacin de la energa y el vector de onda en
las transiciones entre estados en materiales semiconductores.
Describir los materiales semiconductores utilizados en la fabricacin de estos
dispositivos.
Determinar las condiciones umbral en los diodos lser de homounin.
Palabras Clave
Dispositivos Conservacin de la energa y Densidad conjunta de
optoelectrnicos. del momento cristalino. estados.
Transiciones entre estados. Transiciones entre bandas de Perfil de emisin espontnea
Ecuacin de Einstein energa. en un semiconductor.
Absorcin de fotones. Amplificadores pticos. Espectro de emisin
Emisin espontnea y Lseres semiconductores. estimulada
estimulada de fotones. Condicin de mantenimiento Diodos lser de homounin
Coeficiente de absorcin y de la oscilacin.
de ganancia de la intensidad Condicin umbral de
de radiacin oscilacin.
8.1 Introduccin.
Captulo 8
FOTOTRAN-
SOLARES
SISTORES
c
El vector de onda k es un vector que indica la direccin de
propagacin de la onda en el medio, y cuyo mdulo se indica a
continuacin:
2
k= ; en el vaco, k = 2 (8.4)
De acuerdo con la fsica cuntica, la energa de una onda
electromagntica se transmite en "paquetes" de valor h, siendo h la
constante de Plank. Cada uno de estos paquetes recibe el nombre de
fotones, y la energa de una onda depende del "nmero de fotones que
transporta la onda". En realidad, esta frase no tiene sentido, ya que lo que
se puede medir es el nmero de fotones que inciden en una superficie en
Captulo 8
8.4 Transiciones entre estados. Ecuacin de Einstein
dN 2
= A21 N 2 .
dt esp
(8.8)
siendo A21 una constante que depende de los niveles particulares que
estemos considerando. (Obsrvese que esta expresin presupone que
cualquier electrn que pase del nivel 2 al 1 encuentra un estado vaco en
el nivel 1, es decir, no tiene en cuenta el principio de exclusin de Pauli.
Tngase en cuenta que en 1916 no se conoca dicho principio).
E2
h electrn h =E 2-E 1
E1
b) Absorcin de un fotn
Ahora el electrn pasa del nivel 1 al 2 mediante la absorcin de
un fotn de igual energa que el caso anterior. Para ello es necesario que
haya fotones presentes, es decir, radiacin procedente de alguna otra
fuente (otros tomos, las paredes del recipiente, radiacin externa al
sistema, etc). Si ()d es la densidad de energa (por unidad de
volumen) entre las frecuencias y + d, la variacin temporal de la
densidad de tomos N1 cuyo nivel 1 est ocupado por electrones es de la
forma
c) Emisin estimulada
Los dos tipos a) y b) citados anteriormente podan corresponder
ms o menos con las ideas admitidas que ya formaban parte del modelo
atmico de Bohr, y ser lgicas para la poca. Pero Einstein propuso
adems otro tipo de proceso, las transiciones del nivel 2 al nivel 1 por
emisin estimulada, en la que un fotn presente provocara (estimulara)
la transicin generando otro fotn. Esta idea era completamente nueva
Emisin estimulada de un
para la poca. La explicacin que da la mecnica cuntica actual es fotn
bastante compleja, y hay que tener en cuenta que los fotones son Es un proceso por el cual un
partculas de spin entero denominadas bosones. Este tipo de partculas fotn origina una transicin de un
tienen la propiedad de que pueden haber muchas en un mismo estado (no electrn de un nivel de mayor
rige para ellas el principio de exclusin de Pauli), y que cuantas ms hay energa a otro de menor. El
en un estado ms probable es que se les aada otra ms. Pero adems, los resultado es que el fotn saliente
fotones emitidos salen en el mismo estado que el que provoca la emisin, tiene todas sus propiedades
idnticas al que induce la
esto es, salen con la misma energa, fase, direccin y polarizacin que el
emisin, con lo que el proceso
fotn que induce la transicin. As, si un grupo de n fotones idnticos
termina con dos fotones. De esta
induce la emisin de otro ms, tenemos n+1 fotones con la misma fase, forma se puede obtener mayor
direccin, frecuencia y polarizacin, con lo que la intensidad de la nmero de fotones idnticos a la
radiacin formada por esos fotones aumenta. Si somos capaces de salida que a la entrada: Se puede
producir este tipo de emisin en una longitud d de materia podremos tener "amplificar" la intensidad de la
ms fotones idnticos a la salida que en la entrada: podemos "amplificar" radiacin.
la seal luminosa. Podemos pues ver que este tipo de radiacin va a ser,
precisamente, de capital importancia en el funcionamiento de los
amplificadores de luz y lseres. Ahora, la dinmica de los niveles
ocupados por electrones inducida por este proceso vendr dada por:
dN 2
= B21 ( ) N 2 . (8.10)
Captulo 8
dt em est
electrn E2
h h h =E 2-E 1
h
E1
dN 2
= A21 N 2 + B12 ( ) N1 B21 ( ) N 2 . (8.11)
dt
Esta ecuacin recibe el nombre de ecuacin de Einstein, y
constituye el punto de partida para el estudio de todos los procesos
optoelectrnicos.
Los coeficientes de proporcionalidad A21, B21 y B12 estn
relacionados entre s. Esta relacin se puede obtener imponiendo que en
equilibrio termodinmico N1 y N2 satisfagan la relacin de Boltzmann y
que () sea la del cuerpo negro:
E 2 E1
N 2 g2 8 n 2ng 2 h
= e k BT
; ( ) = h
. (8.12)
N1 g1 c3
e k BT
1
g1 y g2 son la degeneracin (nmero de electrones que pueden
ocupar cada nivel atmico) del nivel 1 y 2 respectivamente, y kB la
constante de Boltzmann. As se obtiene:
c3
g 2 B 21 = g 1 B12 ; B 21 = A21 . (8.13)
8 n 2 n g h 3
Captulo 8
dicha direccin (Figura 8.5.1). La intensidad que saldr del mismo ser
I + dI. El incremento dI depende de I (intensidad presente en el inicio
de dz), por lo que en cada trozo dz la produccin de fotones ser mayor
que en el anterior, en la mayora de los casos de forma no lineal. Teniendo
en cuenta esto, se define el coeficiente de ganancia de intensidad de
radiacin luminosa () como el incremento relativo de intensidad por
unidad de longitud:
1 dI La Ganancia de intensidad de
( ) = (8.18)
I dz radiacin luminosa es el
incremento relativo de intensidad
depende del material y en muchos casos de la posicin dentro por unidad de longitud.
del material, esto es =(, z, propiedades del material). Si >0 la
derivada de (8.18) es positiva, lo que significa que la intensidad aumenta.
I ( z ) = I 0 e z , (8.20)
en donde I0 es la intensidad que incide sobre el origen del material que
estamos considerando. (8.20) es la conocida frmula que da la absorcin
de luz en un material. Tanto como dependen, en general, de la
frecuencia de la intensidad luminosa que estimula las transiciones.
Otra forma muy utilizada de expresar la ganancia se obtiene
multiplicando el numerador y denominador del segundo miembro de
(8.18) por el rea A sobre la que incide I :
= A dz =
Volumen en el que se genera la potencia (8.21)
.
I Intensidad incidente
O, vuelta a escribir de otra forma equivalente:
Captulo 8
Captulo 8
cortos que unen el origen con sus tres vecinos ms prximos. El conjunto
de puntos R se denomina red de Bravais, y, bsicamente, es una
idealizacin matemtica del cristal, ya que, en muchos casos, no basta con
asociar a un punto de la red un slo tomo, sino que hay que asociarle un
grupo de tomos. Este grupo constituye la base del cristal, de forma que
k (r ) = e ik r u k (r ); con u k (r + R ) = u k (r) ,
(8.26)
E=E(k); E(k) = E(-k).
es decir, las soluciones dependen de un vector k que juega el papel de
nmero cuntico. El resultado expresado en la primera lnea de (8.26)
recibe el nombre de Teorema de Bloch, y las funciones (r) reciben
el nombre de funciones de Bloch. Para cada k, la funcin u(r) es
diferente, lo que hemos indicado por el subndice k. Por la misma
razn, lo ponemos tambin en (r). Si ahora reemplazamos k(r) en
(8.25) por su expresin en funcin de uk(r), la ecuacin que sta ha
de cumplir es:
h2
2m
{ }
2uk (r ) + [2ik uk (r )] k 2uk (r ) + V0 (r ) uk (r ) = E (k ) uk (r )
(8.27)
Si fijamos el valor de k, esta ecuacin es del tipo de las de valores
propios, que, en general, tiene infinitas soluciones, por lo que
necesitaremos otro nmero para sealar cada una de estas. Llamemos
n a este otro nmero, y los distintos valores de k(r), uk(r) y E(k) los
tendremos que sealar como n,k(r), un,k(r) y En(k). En la Figura
8.6.1 se muestra un diagrama de los posibles valores de la energa
para todo k en una dimensin y distintos valores consecutivos de n.
E
Captulo 8
Ed
Bandas de Energa
Los materiales que tienen una
E n+1
estructura cristalina tambin tiene
una estructura de bandas.
Ec
Esto no es privativo de
materiales cristralinos. Los que k
Eb
no lo son tambin pueden tener
estructura de bandas Ea En
Captulo 8
(Para una deduccin rigurosa ms general ver las referencias 0 y
0).
En los materiales de inters para nosotros, ax =ay =az =a , y se
denomina constante de red. Para un material tpico en
optoelectrnica, el arseniuro de galio, GaAs, a = 0.565 nm
(= 5.65 ).
Los valores de mi mayores que Ni, si bien son posibles, no
aportan ninguna informacin ya que se puede demostrar que las
propiedades fsicas, elctricas y pticas de mi y de mi - Ni son las
misma. Por lo tanto,
2 2 2 (2 )3
k = = , (8.31)
Lx L y L z VC
siendo VC el volumen del cristal. Este resultado, aunque
deducido para un caso muy particular, vale de forma general.
El vector de onda k desempea el papel que en mecnica clsica
tiene el momento lineal con respecto a la conservacin del
Captulo 8
kf = ki
E n+1
Captulo 8
Ec
Eb km = 2
a
kf = ki - kph
En
E E
EC
EC
k k
EV EV
a) b)
Captulo 8
1
f v (E) = E E Fp
.
(8.38)
1+ e k BT
Ancho de
Constante
banda Constante de
Material dielctrica
prohibida red (nm)
relativa - r
(eV)
GaAs 1.43 0.5653 13.2
AlAs (i) 2.16 0.5660 10.9
Captulo 8
GaP (i) 2.26 0.5451 11.1
InP 1.35 0.5969 12.4
Tabla 8.7.1 Propiedades ms significativas de algunos de los materiales
usados en optoelectrnica. El smbolo (i) indica que la banda prohibida es
indirecta.
Ganancia
T=0 K
Estados
vacios
Eg h
I0
Perdidas
Ii
Estados
ocupados
a) b) c)
este parmetro tiene la forma que se muestra en la Figura 8.8.1 c). En esta
situacin no puede haber ganancia, tan slo prdida de luz.
Obsrvese que al describir la anterior situacin hemos
considerado que la radiacin incidente no fuera muy intensa, y, aunque
parezca que esto no nos ha servido para nada, no es as. Siempre que hay
radiacin, hay una parte de la misma que se absorbe: hay estimulacin.
Son dos procesos que se manifiestan juntos. Por lo tanto, en la explicacin
anterior deberamos haber aadido un trmino de emisin estimulada. Si
Ganancia
h1
Eg
2h h
I0
h
Perdidas
h
Ii h1 E Fn-E Fp
T=0 K
a) b) c)
.
Figura 8.8.2 En a) se ilumina una muestra semiconductora con una luz
de frecuencia h1 adems de la de test h . La muestra se mantiene a 0 K.
b) Diagrama de bandas, mostrando la ocupacin a 0 K la presencia de h1
causa que se ocupen estados en la banda de conduccin y se vacen en la
de valencia . c) Forma de la ganancia o perdida de luz del semiconductor.
Captulo 8
provoca: Podemos tener amplificacin. A 0 K, esto se puede dar en el
intervalo de frecuencias:
E g < h < E Fn E Fp . (8.39)
O sea, en este intervalo podemos tener ganancia, si conseguimos
que haya suficientes electrones en la banda de conduccin y huecos en la
de valencia. Para energas superiores a EFn-EFp de nuevo tendramos
absorcin sin estimulacin (Este proceso est representado en la Figura
8.8.2 b) mediante una flecha que va desde la banda de valencia a la de
conduccin). La forma de la curva de ganancia es la que se muestra en la
Figura 8.8.2 c), y es justamente la misma que la de la Figura 8.8.1 c) pero
invertida. La emisin y la absorcin son fenmenos inversos uno del otro.
Si la temperatura no es de 0 K, la separacin entre estados vacos
y ocupados por electrones en ambas bandas no est bien definida. An
Espejos
Electrones
EC
Ii I0
EV
Huecos d
a) 1
b)
()lg
G=e I02
Captulo 8
I01 A
lg R2
R1
1 dI
( ) = . (8.42)
I dz
Si () no depende de la posicin, en una ida y vuelta del haz de
luz (cruza dos veces lg), la intensidad I1 vale:
2l g 2l g
I1 = I 0 e G=e . (8.43)
Captulo 8
que para ms comodidad repetimos a continuacin:
h2k 2 h2k 2
EC = EC 0 + ; E V = EV 0 . (8.44)
2 m c* 2 m v*
Sea E2 un valor permitido de la energa de un electrn en la
banda de conduccin, y dE2 un intervalo infinitesimal de energa entorno
a E2. Los electrones que realicen transiciones con emisin de fotones
debern conservar su vector de onda k, y ello nos dar el valor de la
energa E1 y el correspondiente intervalo dE1 de la banda de valencia al
que debern ir a parar (ver Figura 8.10.1).
Llamemos k2 al valor de k cuya energa es E2. Este mismo valor
de k ser el que corresponder a E1. Por lo tanto,
E 2+dE 2 EC
E2
E C0 h +d(h)
h
EV0 k
E1
E 1+dE 1
EV
h 2 k 22
= m c* ( E 2 E C 0 )
m c ( E 2 E C 0 ) = m v ( E v 0 E1 )
* *
2
. (8.45)
h 2 k 22 m c* dE 2 = m v* dE1
= m v* ( E v 0 E1 )
2
m c*
h = ( E 2 E C 0 ) + E g + ( E 2 E C 0 ) o, lo que es lo mismo
m v*
m v*
E 2 EC 0 = (h E g ).
m v* + m c* (8.47)
Analogamente ,
m c*
EV 0 E1 = (h E g ).
m v* + m c*
As pues acabamos de relacionar el nivel E2 (o E1) con la
Captulo 8
EC b x/2 bx/2
E 2+dE 2
E2
ky
bx
E1
E 1+dE 1
b x=2 /(L xa x)
EV b y=2 /(L ya y)
Captulo 8
1
h2k 2 2 m c* 2
E 2 EC 0 = k = (E 2 E C 0 )1 / 2 ;
2 m c* h2
3
(8.48)
4 2m 2
*
V2 = 2 c (E 2 E C 0 )3 / 2 .
3 h
Si ahora incrementamos E2 hasta E2+dE2, el volumen V2
experimenta un incremento dV2 que se obtiene derivando (8.48):
3
2 m* 2
dV 2 = 2 2 c (E 2 E C 0 )1 / 2 dE 2 . (8.49)
h
h (R 21 R12 ) ng
( ) = = B 21 h j ( ) [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.59)
I ( ) d c
Teniendo en cuenta la relacin
c3
B 21 = A21 , (8.60)
8 h 3 n 2 n g
Captulo 8
podemos poner
c2
( ) = A21 j ( ) [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.61)
8 n 2 2
Otra forma equivalente es:
c2 f ( E ) [1 f c ( E 2 )]
( ) = A21 f c ( E 2 ) [1 f v ( E1 )] j ( ) 1 v 1
8 n c ( E 2 ) [1 f v ( E1 )]
2 2
f
(8.62)
Y operando un poco ms:
( ) = K (h E g )1 / 2 [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.65)
La constante K se determina experimentalmente, y E2 y E1
vienen dados por (8.47). A la vista de esta expresin se puede pensar que
se ha eliminado la parte de dependencia con la frecuencia debida al
trmino 2 en el denominador de (8.63), y as es. Ello se debe a que en el
intervalo de frecuencias de inters, es decir, aquellas en las que puede
haber ganancia, la influencia debida al citado trmino del denominador es
relativamente poco importante.
8 2n 2ng h d
( ) d = . (8.66)
c 3 exp(h / k B T ) 1
h
c2 k BT
[ ( )]eq = R( )
2 2
e 1. (8.68)
8 n
La condicin de equilibrio termodinmico implica que
EFn = EFp = EF. As pues, podemos poner:
[ ( )]eq = [ ( )]E Fn = E Fp
=
h
c2 k BT (8.69)
= A21 f ( E 2 ) [1 f ( E1 )] j ( ) e 1
8 n
2 2
Lo que nos permite identificar
Captulo 8
R ( ) = A21 f ( E 2 ) [1 f ( E1 )] j ( ) , (8.70)
y relacionar el coeficiente de ganancia con datos experimentales:
h ( E Fn E Fp )
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )] c2 .
( ) = R( ) 1 e k BT
f ( E2 ) [1 f ( E1 )] 8 n 2 2 (8.71)
Es bastante habitual definir, de forma semiemprica,
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )] n
R( ) = g ( ) ,
f ( E2 ) [1 f ( E1 )] r
(8.72)
h ( E Fn E Fp )
n c2 1 e .
( ) = g ( ) k BT
(8.73)
r 8 n 2 2
p= [1 f ( E )] g ( E )dE .
v 1 v 1 1 (8.75)
(EV 0 E1 )1/ 2 dE
3 / 2 EV 0
1 2 mv*
p=
2 2 h 2
E1 E Fp 1
. (8.77)
1+ e k BT
y
p= dy
2 2 h 2
0
1 + e y
Captulo 8
integrales de Fermi de orden 1/2, y forman parte de un conjunto ms
amplio de integrales de Fermi de orden n/2 definidas por:
zn / 2
n ( ) =
2
0
1 + e z
dz . (8.80)
EC 0 E Fn
x1 / 2
2
n = NC e k BT
E Fn
dx
0
E
C0
k BT
+ ex .
Captulo 8
e
(8.84)
EV 0 E Fp
y1 / 2
2
p = NV e k BT
EV 0 E Fp
dy
0 k BT
e + ey
Si consideramos una temperatura de 27 C (T = 300 K;
kBT = 0.0259 eV); mc* = 0.067 m0 y mv* = 0.55 m0 (m0 es la masa en
reposo del electrn. Estos datos son propios del GaAs), obtenemos
NC = 4.36 1017 cm-3, NV= 1.02 1019 cm-3 . Para seguir con los clculos,
llamaremos I al termino entre parntesis en ambos casos, y utilizaremos la
tabla Tabla 8.7.1, de la que podemos deducir algunas consecuencias
importantes:
Captulo 8
de la tabla (~1019 cm-3), los niveles de energa creados por las
impurezas ya no son "individuales", sino que se mezclan entre
ellos creando "bandas de niveles", y tambin interaccionan con
las bandas de energa cambiando la forma del gap, de manera
que ste no queda claramente definido entre estados permitidos y
no permitidos, lo que conlleva que la regla de conservacin de k
ya no tiene que cumplirse necesariamente. Para evitar estas
cuestiones, vamos a seguir con nuestro modelo sencillo.
Si el dopado no es muy alto, entonces la conservacin de la
neutralidad elctrica obligar a que n p y estos provendrn de
la inyeccin elctrica. Por lo tanto, para conseguir situar los
niveles de Fermi de manera que Eg < EFn - EFp necesitaremos un
valor mnimo de n = p = 1.27 1018 cm-3. Este valor se deduce de
es:
1 kA
J = q d G = 1.6 1019 C 10 4 cm 3.23 1026 3
= 5.17 2 . (8.88)
cm s cm
(q es el valor absoluto de la carga del electrn).
Este valor de la corriente es considerablemente grande, y de
todas las magnitudes que intervienen, la que parece ms fcil de
manipular sera la distancia d en la que hay recombinacin, ya que el resto
son parmetros propios del semiconductor. As se hace, y en los apartados
siguientes veremos cmo.
De las expresiones de n y p dadas por (8.83), podemos deducir
que estos parmetros tienen una dependencia muy grande con la
temperatura, y, por ello, tambin lo ser la densidad de corriente umbral.
Contactos
Metlicos I
10 m Zona de
Carga
Captulo 8
V
Espacial
p
~1 m
n m
200
Zona activa
Ln = Dn n 20 D p p = 4.47 L p , (8.90)
p n
pp
nn
Ln pn
np
Lp
Captulo 8
d Ln , (8.91)
EV
EFp E Fp
Captulo 8
distancia d Ln a una velocidad n/r La densidad de corriente J para
mantener esta situacin de no equilibrio es:
qnd kA
J= = 18.49 . (8.94)
r cm 2
Este resultado es parecido al del apartado anterior, aunque algo
diferente por los valores numricos utilizados, y es tpico de los lseres de
homounin. Como se ve, J sigue siendo bastante grande, y para unas
dimensiones como las dadas en la Figura 8.13.1, la intensidad de corriente
que debera circular sera I=370 mA
De los razonamientos utilizados podemos deducir algunas
consideraciones importantes:
CUESTIONES Y PROBLEMAS
Captulo 8
1. Un modelo algo ms realista del GaAs puede obtenerse
admitiendo que la banda de valencia est compuesta por dos
bandas, denominadas banda de huecos ligeros y banda de huecos
pesados, y se describen por la expresin (8.44), reemplazando mv*
por mlh* y mhh* respectivamente (lh = light holes, hh = heavy holes).
Estas bandas tienen la misma energa en k=0 y se pueden tratar
como bandas independientes. Pues bien, considrese una muestra
de GaAs intrnseco con me* = 0.067 m0, mlh* = 0.067m0,
mhh* = 0.55m0 siendo m0 la masa en reposo del electrn
(m0 = 9.110-31 Kg), y Eg = 1.43 eV. Mediante bombeo ptico se
generan 51018 cm-3 electrones en la banda de conduccin (e igual
densidad de huecos en total en las de valencia). Considerando
T=0K
dn n
= G n2 ,
dt D
68
0
m
1 m 12 meV
1.476 eV
43 meV
Captulo 8
a) Cul es la longitud de onda para la mxima ganancia? (Rta:
0.84 m)
b) Cul es la anchura a mitad de altura de altura (FWHM = Full
Width at Half Maximum) del coeficiente de ganancia en Hz y cm-1?
12 -1
(Rta: 5.110 Hz y 169 cm )
c) Determinar la densidad de portadores necesaria para llevar el
15 -3
lser a la condicin umbral. (Rta: 6.510 cm )
d) Esta concentracin de portadores debe mantenerse mediante
algn tipo de bombeo -inyeccin de portadores, bombeo ptico u
otros. Estimar la mnima potencia de bombeo para mantener una
inversin de 1016 cm-3 en toda la estructura. (Rta: 369 mW)
200
(cm )
-1 100
Eg=1.43 eV
25 meV
Captulo 8
Captulo 8
9
Captulo
CRECIMIENTO DE
SEMICONDUCTORES.
Fabricacin de una
oblea de Silicio
ndice
Objetivos
Palabras clave
Mtodo de Czochralski. Homoepitaxia. Posicin substitucional
Mtodo de Zona Flotante. Heteroepitaxia. Defecto Frenkel.
Policristalin Epitaxia en fase liquida o LPE Gettering.
Monocristalino. Epitaxia en fase gaseosa o VPE
Coeficiente de segregacin. Epitaxia por haces
Tcnica LEC. moleculares (M.B.E.).
Mtodo de Bridgman. Posicin intersticial
9.1 Introduccin
Metodo de Czochralski
Captulo 9
principales como muestra la Figura 9.2.1
Captulo 9
aade silicio altamente dopado al Silicio intrnseco fundido.
La concentracin de dopante del silicio una vez que se solidifica
es siempre inferior a la del silicio fundido. Esta segregacin causa que la
concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.
La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el
otro extremo. Tambin se tiene un pequeo gradiente de concentracin a
lo largo del radio de la barra de cristal. La relacin entre estas dos
concentraciones se define como coeficiente de segregacin en equilibrio, k0:
Si GaAs
Dopante k0 Tipo Dopante k0 Tipo
As 0.3 n S 0.5 n
Bi 7x10-4 n Se 0.1 n
C 0.07 n Sn 0.08 n
Li 10-2 n Te 0.064 n
O 0.5 n C 1 n/p
P 0.35 n Ge 0.018 n/p
Sb 0.023 n Si 2 n/p
Captulo 9
Te 2x10-4 n Be 3 p
Al 2.8x10-3 p Mg 0.1 p
Ga 8x10-3 p Zn 0.42 p
B 0.8 p Cr 5.7x10-4 Semi-
aislante
Au 2.5x10-5 Deep Fe 3x10-3 Semi-
lying aislante
M
k0
S
= 1 - (9.6)
C0 M0 M0
Como por otro lado tenemos que
S
Cl = (9.7)
M0 - M
Captulo 9
Cl (M0 - M ) M
k0
= 1 - (9.8)
C0 M 0 M0
De donde finalmente se obtiene la concentracin de dopante en el
cristal:
k0 - 1
M
Cs = C0 k0 1 - (9.9)
M0
dC
D + ( Cl (0) - Cs ) v = 0 (9.12)
dx x=0
-
v Cl - Cs
e D = (9.13)
Cl (0) - Cs
por lo que el coeficiente de segregacin efectiva queda en la forma:
Cs k0
ke = (9.14)
Cl k0 + (1 - k0 ) e- D
v
Captulo 9
dx
Cs d A dx = ke S (9.17)
L
donde ke es el coeficiente de segregacin efectiva. En consecuencia
la variacin en la cantidad de dopante en la zona fundida es:
k S
dS = C0 d A - e dx (9.18)
L
Integrando
x S
dS
dx = ke S (9.19)
0 S0
C0 d A -
L
donde S0=C0dAL es la cantidad inicial de dopante en la zona
fundida. Como resultado de la integral anterior se obtiene:
[ ]
Captulo 9
C0 A d L
1 - (1 - ke ) e- L
k x e
S= (9.20)
ke
Como Cs=keCl, y Cl que es la concentracin de dopante en el
lquido viene dada por:
S
Cl = (9.21)
A d L
[
Cs = C0 1 - (1 - ke ) e
-
ke x
L ] (9.22)
Puesto que Cs es menor que C0, este mtodo, al igual que el mtodo
de Czochralski puede emplearse para purificar cristales.
Para ciertos dispositivos conmutadores (tiristores) se utilizan
grandes reas del chip (una oblea entera para un slo dispositivo). Esto
implica la necesidad de un dopado homogneo en toda la oblea. Para obtener
esto, se utiliza una lmina de silicio monocristalino crecida mediante la
tcnica de "float-zone" con un dopado mucho ms pequeo que el
finalmente requerido. A continuacin, la lmina se irradia con neutrones
trmicos. Este proceso denominado irradiacin de neutrones da lugar a una
transmutacin del silicio en fsforo obtenindose silicio monocristalino tipo-
n:
Si14 + neutrones Si14 + radiaci n P15 + radiaci n
30 31 31
Captulo 9
evaporacin del arsnico presente en el fundido. Sin embargo, lo que
realmente se hace es aislar el fundido mediante una capa de un segundo
material (xido brico) que impide la salida del arsnico del fundido como
muestra la Figura 9.3.2
Cs k0
ke = (9.24)
Cl k 0 + (1 - k 0 ) e- D
v
Captulo 9
Captulo 9
final en la obtencin de las obleas es el pulido, cuyo propsito es obtener una
superficie especular dnde puedan definirse los detalles de los dispositivos
electrnicos.
Captulo 9
concentracin de SiCl4, alcanzndose un valor mximo. Despus de este
mximo, la velocidad de crecimiento disminuye a medida que aumenta la
concentracin de SiCl4, llegando un momento en que la velocidad es
negativa, es decir, ocurre la reaccin de eliminacin de silicio. Generalmente
la capa epitaxial de silicio se crece en la regin de bajas concentraciones en
la que se verifica un comportamiento lineal:
-Cintica de crecimiento.
Consideremos la figura siguiente:
3 d v
hg = Dg (9.26)
2 L
siendo Dg la difusividad del gas, su viscosidad, d su densidad, v
la velocidad a la que es introducido el gas y L la longitud del tubo donde se
realiza el crecimiento epitaxial.
Por otro lado, el flujo consumido por la reaccin qumica que tiene
lugar en la superficie de la capa crecida puede expresarse cmo:
F2 = k s Cs (9.27)
donde ks es la constante de velocidad de la reaccin. En el estado
Captulo 9
estacionario ambos flujos sern idnticos, por lo que tendremos que:
F F1 = F2 (9.28)
de donde se obtiene que la concentracin de reactivos en la
interface es:
Ct
ks hg _ v = ks y (9.32)
Ca
es decir, la velocidad de crecimiento est determinada por cmo de
rpido se produzca la reaccin en la superficie del semiconductor. Se dice
que el proceso est controlado por la velocidad de reaccin superficial.
- Por otro lado, si ks o hg, entonces, la velocidad de crecimiento:
Ct
ks hg _ v = hg y (9.33)
Ca
es decir, la velocidad de crecimiento est determinada por cmo de
rpido llegan los reactivos a la superficie de la oblea. En este caso se dice
que el proceso est controlado por la transferencia de masa.
La Figura 9.5.4muestra la dependencia con la temperatura de la
velocidad de crecimiento para varias fuentes de silicio. A bajas temperaturas
(regin A) la velocidad de crecimiento sigue una ley exponencial,
Captulo 9
Captulo 9
Un cristal real, tal como una oblea semiconductora como las que
acabamos de estudiar, difiere en varios aspectos de un cristal ideal:
1.- El cristal real es finito, por lo que los tomos de la superficie
estn incompletamente ligados, rompindose de esta forma la periodicidad
de la red.
2.- Presenta defectos que influyen fuertemente sobre las
propiedades elctricas, mecnicas y pticas de los semiconductores.
Hay cuatro tipos de defectos diferentes en un semiconductor: (a)
puntuales ; (b) dislocaciones; (c) de rea, (d) de volumen.
Captulo 9
Los defectos de rea representan una superficie de discontinuidad
en la red. Existen dos defectos tpicos:
-Impurezas residuales.
Tanto el carbono como el oxgeno son impurezas residuales (no
intencionadamente introducidas) que aparecen al crecer el cristal. Las
concentraciones de carbn y oxgeno son mucho mayores en los cristales
crecidos mediante la tcnica de Czochralski que mediante la tcnica del
"float zone", debido a la disolucin del crisol de slice (que proporciona
oxgeno) y a la contaminacin del fundido con carbono procedente del
soporte de grafito.
Las concentraciones tpicas de carbono estn en el rango 1016 a 1017
tomos/cm3. Carbono entra en posicin substitucional en el silicio dando
lugar a la formacin de defectos.
En cuanto al oxgeno, las concentraciones tpicas caen dentro del
rango 1017 a 1018 tomos/cm3. Al contrario que el carbono, el oxgeno tiene
tanto efectos perjudiciales como beneficiosos.
9
Figura 9.6.3: Gettering
La profundidad de la zona desnuda (libre de impurezas) depende
del tiempo y de la temperatura de los ciclos de temperatura. La figura
siguiente muestra la anchura de la zona desnuda en funcin del tiempo, para
diferentes condiciones ambientales a las que se realiza el proceso:
Captulo 9
cromo para obtener una resistividad inicial de 109 -cm. Oxgeno es una
impureza no deseada en el arseniuro de galio debido a la formacin de
complejos que aumentan la resistividad de la oblea. Para minimizar la
contaminacin de oxgeno puede emplearse crisoles de grafito. Mediante la
tcnica de Bridgman se obtiene una densidad de dislocaciones un orden de
magnitud ms pequea que la obtenida mediante el mtodo de Czochralski
10 IMPURIFICACIN
CONTROLADA DE
Captulo
SEMICONDUCTORES.
Implantador
ndice
Objetivos
Conocer las razones por las que es necesario contaminar determinadas zonas de
una muestra semiconductora.
Describir los diferentes procedimientos existentes para la impurificacin
controlada de semiconductores. Establecer las principales ventajas,
inconvenientes y diferencias de los diferentes procedimientos.
Obtener modelos analticos que nos proporcionen el perfil de dopado en funcin
de las variables tecnolgicas de proceso.
Obtener la ecuacin de la difusin de Fick y obtener soluciones a la misma una
vez establecidas las condiciones iniciales y de contorno.
Obtencin de mscaras para la difusin y la implantacin inica a partir de
dixido de silicio.
Difusin lateral.
Palabras Clave
Difusin. Difusin Intrnseca. Rango.
Implantacin Inica. Difusin extrnseca. Rango proyectado.
Impurezas. Difusin con concentracin Parada nuclear.
Substitucional. de dopante constante en la Parada electrnica.
Vacantes. superficie. Acanalamiento.
Intersticios. Difusin con cantidad de Implantacin lateral.
Ecuacin de Fick. dopante constante.
Perfil Impurezas. Mscaras.
Coeficiente de difusin. Difusin lateral.
10.1 Introduccin. Difusin e Implantacin Inica
Captulo 10
(a) (b)
Figura 2.7 Mecanismos de difusin: (a) por vacantes; (b) por intersticios.
Captulo 10
C ( x )
F (x ) = D (10.1)
x
donde la constante de proporcionalidad D se denomina coeficiente de
difusin o difusividad. De acuerdo con esto, el flujo de tomos de dopante
es proporcional al gradiente de concentracin, y stos se movern desde
regiones con alta concentracin a regiones con ms baja concentracin, tal
como indica el signo menos.
Consideremos una capa infinitesimal de semiconductor de
espesor dx como muestra la figura 10.2.8
C(x)
x dx
C ( x, t )
dx = F ( x ) F ( x + dx ) (10.2)
t
Desarrollando en serie de Taylor, F(x+dx) hasta primer orden y
sustituyendo se obtiene:
C (x, t ) F ( x ) C ( x, t )
= = D (10.3)
t x x x
Si el coeficiente de difusin, D, es constante, se obtiene
finalmente:
C ( x, t ) 2 C ( x, t )
=D (10.4)
t x 2
C ( x, t = 0) = 0 (10.6)
esto es, inicialmente la concentracin de dopante en el semiconductor es
cero. En cuanto a las condiciones de contorno:
C ( x = 0, t ) = cte = C S (10.7)
C ( x = , t ) = 0 (10.8)
donde Cs es la concentracin en la superficie (x=0) que es independiente
del tiempo (esta condicin es la que da nombre al mtodo). La segunda
condicin de contorno establece que a grandes distancias de la superficie
no hay tomos de dopante.
La solucin a la ecuacin de difusin de Fick con estas
condiciones iniciales y de contorno viene dada por:
x
C ( x, t ) = C S erfc (10.9)
2 Dt
donde erfc es la funcin error complementaria y Dt la longitud de
difusin. La figura siguiente muestra, tanto en escala lineal como en
escala logartmica la concentracin normalizada de impurezas como
funcin de la profundidad para tres valores diferentes de la longitud de
difusin (D se mantiene fija). Se observa que a medida que aumenta el
tiempo el dopante penetra cada vez ms hacia el interior del
semiconductor.
Captulo 10
2
Q (t ) = C S Dt 1.13 Dt (10.11)
La ecuacin 10.11 pone de manifiesto que la cantidad de dopante
aumenta a medida que aumenta el tiempo. Finalmente el gradiente del
perfil de difusin puede obtenerse derivando la concentracin de tomos
de dopante (Ecuacin 10.9) teniendo en cuenta las propiedades de la
funcin error complementaria:
x2
dC C
= S e 4 Dt (10.12)
dx x ,t Dt
Captulo 10
C ( x, t = 0 ) = 0 (10.13)
Las condiciones de contorno por el contrario son ahora:
C (x, t )dx = S
0
(10.14)
C ( x = , t ) = 0 (10.15)
donde S es la cantidad total de dopante por unidad de rea. Con estas
condiciones de contorno, la solucin a la ecuacin de Fick (Ecuacin
10.4) es una distribucin gaussiana:
x2
C ( x, t ) =
S
e 4 Dt (10.16)
Dt
Puesto que la cantidad total de dopante permanece constante, a
medida que este se difunde hacia el interior del semiconductor deber
disminuir su concentracin en la superficie:
C ( x = 0, t ) C S (t ) =
S
(10.17)
Dt
La figura 10.3.2 muestra el perfil de la distribucin normalizada
por la cantidad total de dopante. Se observa en la figura la reduccin de la
concentracin superficial a medida que aumenta el tiempo de difusin, y
se ensancha el perfil de la distribucin. El gradiente del perfil del dopado
viene dado por:
x2
dC xS
= e 4 Dt (10.18)
2 (Dt )
32
dx x ,t
Captulo 10
C ( x, t ) C ( x, t )
= D (10.19)
t x x
Supongamos el caso en el que el coeficiente de difusin pueda
escribirse en la forma:
C
D = DS (10.20)
CS
donde CS es la concentracin en la superficie, DS es el coeficiente de
difusin en la superficie y un entero positivo. En este caso, la ecuacin
de difusin proporciona una ecuacin diferencial ordinaria que puede
resolverse numricamente. La figura 10.4.2 proporciona las soluciones en
condiciones de concentracin constante en la superficie para diferentes
valores de .
Captulo 10
Captulo 10
D
(Dt )eff = D1t1 + D1t 2 2 = D1t1 + D2 t 2 (10.22)
D1
y obtener as una expresin para la longitud de difusin efectiva total para
un dopante que se difunde a una temperatura T1 con difusividad D1
durante un tiempo t1 y posteriormente se difunde a una temperatura T2
con una constante de difusin D2 durante un tiempo t2. En general, la
longitud de difusin total viene dada por la suma de las longitudes de
difusin de cada proceso:
Captulo 10
Captulo 10
11 16
tpicas de iones implantados por centmetro cuadrado es de 10 a 10
2
iones/cm . Las principales ventajas de la implantacin inica sobre la
Captulo 10
Figura 10.6.3.
A lo largo del eje de incidencia, el perfil de las impurezas
implantadas puede aproximarse por una funcin gaussiana (Ecuacin
10.25) tal como muestra la figura 10.6.4.
(
xRp )2
S 2 R 2p
n( x ) = e (10.25)
2 R p
donde S es la concentracin de iones por unidad de rea (dosis).
Captulo 10
S
C p n( R p ) = (10.26)
2 R p
expresin que nos da una relacin muy til entre la dosis, S, y la
concentracin de impurezas en el pico, Cp.
La ecuacin 10.25 es idntica a la ecuacin 10.16 obtenida en el
caso de difusin con cantidad total de dopante constante, excepto que el
2
factor 4Dt es reemplazado ahora por 2Rp ; adems, ahora la distribucin
aparece desplazada a lo largo del eje x una distancia Rp. Por lo tanto, para
la difusin el mximo aparece en x=0, mientras que en el caso de
implantacin inica el mximo aparece a una distancia Rp de la superficie.
La concentracin de iones se reduce en un 40% de su valor mximo a una
distancia Rp. A lo largo del eje perpendicular al eje de incidencia, la
distribucin de impurezas sigue tambin una funcin gaussiana, por lo
que aparecer tambin cierta implantacin lateral. Sin embargo, sta es
mucho ms pequea que la difusin lateral, cmo veremos prximamente.
Captulo 10
S
C p n( R p ) = (10.28)
2 R p
S n (E ) =
dE
(10.29)
dx colisiones
= S n (E ) + S e (E )
dE dE dE
= + (10.30)
dx dx n dx e
Si un in posee una energa inicial E0 la distancia total recorrida
hasta perder toda la energa y quedar en reposo, es decir, el rango, R,
R E0 dE
R = dx = (10.31)
0 0 S n ( E ) + S e (E )
conocida la energa inicial del in, E0, podemos calcular el rango R,
supuestas conocidas las funciones Sn(E) y Sp(E).
Estudios detallados del proceso de colisin de iones con tomos
del substrato, muestran que Sn(E) aumenta con la energa del in, para
bajos valores de la energa, y alcanza un valor mximo para un valor
intermedio de energa. Para altas energas, Sn(E) disminuye con la energa
debido a que las partculas a tan alta velocidad no tienen tiempo suficiente
de interaccin para que se produzca una transferencia efectiva de energa.
En el caso de Se(E) se ha comprobado que es proporcional a la
velocidad de incidencia del in (o lo que es lo mismo):
S e (E ) = k e E (10.32)
donde ke es igual a 107 (eV)1/2/cm para el silicio y 3x107 (eV)1/2/cm para
el arseniuro de galio.
La figura 10.7.3 muestra los parmetros Sn(E) para arsnico,
fsforo y boro en silicio, y Ss(E) para el silicio. A medida que los iones
son ms pesados la prdida de energa por colisin con los ncleos es
mayor. Se muestra tambin en la figura los puntos de corte de ambas
curvas. Para el boro, el punto de corte es de 10 keV. Esto significa que
puesto que el rango normal de energa de implantacin es de 30 a 300
keV, en el caso del boro el principal mecanismo de prdida de energa es
el de interaccin electrnica. Por el contrario, en el caso de arsnico que
tiene un masa atmica elevada, el cruce se produce para 700 keV, por lo
que las colisiones con los ncleos son el mecanismo principal de prdida
de energa para los iones implantados. Captulo 10
R
Rp
M (10.33)
1+ 2
3M 1
2 M 1 M 2
R p Rp (10.34)
3 M 1 + M 2
donde M1 es la masa del in incidente y M2 la masa de un tomo de la red
cristalina sobre la que se produce la implantacin.
Captulo 10
(x R p )2
S 2 (R 2p + 2 Dt )
n( x ) = e (10.35)
2 R p
donde t es el tiempo de recocido y D el coeficiente de difusin de las
impurezas a la temperatura de recocido. Como se observa, en un recocido
en horno convencional se produce un ensanchamiento importante debido
al tiempo elevado de recocido. Para evitar esto, lo que se hace es
implantar iones inertes que conviertan a la superficie del silicio en
amorfa, y proceder despus a una epitaxia en fase slida. Recientemente
se han utilizado otras fuentes energticas para llevar a cabo el recocido,
como por ejemplo recocido con haces de electrones. Los resultados se
muestran en la figura 10.8.4.
Captulo 10
electrones energticos.
(x
m Rp )
* 2
( )
* 2
2 R p (10.36)
C ( xm ) = C e
* *
p C substrato
C*
xm = R *p + R *p 2 ln p = R *p + mR *p (10.37)
CB
La dosis de impurezas implantadas que atraviesan la mscara y
alcanzan el substrato viene dada por:
(x
m Rp
* 2
)
S
( 2
) S x m R *p
dx = erfc
2 R*p
Sp =
2 R *p
xm
e
2 2 R *
(10.38)
p
CUESTIONES Y PROBLEMAS
Captulo 10
RESUMEN 303
REFERENCIAS
[1] S. Sze. VLSI Technology, Ed. Mcgraw-Hill.
[2] J.D.Plummer, M.D.Deal, P.B.Griffin, Silicon VLSI Technology,
Ed.Prentice Hall.
[3] Chang and S. Sze, ULSI Technology, Ed. Mcgraw-Hill.
[4] Streetman and Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice
Hall,Fifth edition, 2000.
[5] Glosario: http://semiconductorglossary.com/
Captulo 10
CRECIMIENTO Y
11 DEPOSICIN DE
Captulo PELCULAS DELGADAS
Horno de Oxidacin
ndice
Objetivos
Palabras Clave
xidos nativos CVD PVD
Oxidacin LPCVD Metalizacin
Oxidacin seca PCVD Sputtering
Oxidacin hmeda TEOS Metales refractarios
Cintica de oxidacin Nitruro de silicio Siliciuros
xidos delgados LOCOS Electromigracin
Silano Polisilico
11.1 Introduccin
Si ( s ) + O2 (g ) SiO2 (s ) (11.1)
Si ( s ) + 2 H 2O (g ) SiO2 (s ) + 2 H 2 (11.2)
Cuando se utiliza como oxidante oxgeno molecular, se dice que
la oxidacin se realiza en ambiente seco (ecuacin 11.1) mientras que si
se emplea vapor de agua, se dice que la oxidacin se realiza en ambiente
hmedo (ecuacin 11.2).
La unidad bsica estructural del dixido de silicio trmicamente
crecido es un in de silicio rodeado por cuatro tomos de oxgeno
formando un tetraedro (Fig11.2.5 a). Estos tetraedros se unen unos a otros
por los extremos compartiendo un tomo de oxgeno de distintas formas
que dan lugar a diferentes estructuras de dixido de silicio (slice). La
slice tiene varias formas cristalinas (por ejemplo el cuarzo) y una forma
amorfa. Cuando el dixido de silicio se crece trmicamente se obtiene una
estructura amorfa. La estructura amorfa es menos densa que la cristalina
debido a la mayor cantidad de huecos existentes. Adems estos huecos
permiten que los tomos de impurezas (por ejemplo sodio) se difundan de
forma relativamente fcil a travs de la capa de dixido de silicio.
Captulo 11
dC C Cs
F1 = D D 0 (11.3)
dx x
donde D es el coeficiente de difusin y x el espesor del xido ya crecido.
En la superficie del silicio los oxidantes reaccionan con este, siguiendo
alguna de las reacciones qumicas detalladas anteriormente. Suponiendo
que la velocidad de reaccin es proporcional a la concentracin de
especies oxidantes en la superficie del silicio, el flujo F2, de molculas de
oxidante que desaparecen en la interface entre Si y SiO2, viene dado por:
F2 = kC s (11.4)
donde k es la constante de velocidad de la oxidacin. En el estado
estacionario, ambos flujos deben ser iguales, F1 = F2 F , de ah que
finalmente se obtenga:
DC0
F=
D (11.5)
x+
k
reaccin de las especies oxidantes con silicio forma dixido de silicio. Sea
C1 el nmero de molculas de especies oxidantes en una unidad de
volumen del xido. Por cada cm3 de xido hay 2.2x1022 molculas de
dixido de silicio. Por cada molcula de SiO2 se necesita una molcula de
oxgeno (O2) y dos molculas de (H2O). Por lo tanto, C1=2.2x1022 cm-3
para la oxidacin en oxgeno seco, mientras que C1=4.4x1022 cm-3 en
oxidacin con vapor de agua. La velocidad de crecimiento de la capa de
xido viene dada por el cociente entre la velocidad de molculas que
llegan a la interface Si-SiO2 y las que se incorporan a la capa de xido:
C0
D
dx F C1
= = (11.6)
dt C1 D
x+
k
Esta ecuacin diferencial puede resolverse sujeta a las
condiciones iniciales, x(0)=d0, donde d0 es el espesor inicial del xido. La
solucin a la ecuacin diferencial anterior viene dada por:
Captulo 11
2 2 Dd 0
d0 + C1
k (11.8)
2 DC0
Resolviendo la ecuacin de segundo grado (11.7) podemos
calcular el espesor del xido tras un tiempo de oxidacin t:
D 2C k 2 (t + )
x= 1+ 0 1 (11.9)
k DC1
La expresin 11.9 nos proporciona el valor del espesor de xido
en funcin del tiempo, una vez conocidos D y k, que son funcin de la
temperatura y del tipo de oxidacin (seca o hmeda) utilizada. Por lo
tanto, proporciona el modelo que nos planteamos en un principio. Para
obtener una mayor informacin, consideremos los lmites asintticos de
esta expresin. Para valores muy pequeos del tiempo t + , podemos
x
usar la aproximacin 1+ x 1+ , con lo que el espesor de xido
2
queda:
x=
kC0
(t + ) (11.10)
C1
Es decir, el espesor de xido depende linealmente del tiempo, y
viene limitado por la velocidad de oxidacin (no depende del coeficiente
de difusin de las especies oxidantes a travs del xido previamente
crecido).
Para valores grandes del tiempo t + , el espesor de xido
puede ponerse como
2C0 D (t + )
x =
(11.11)
C 1
Es decir, el espesor de xido aumenta con la raz cuadrada del
tiempo, y adems la velocidad de crecimiento est limitada por la difusin
de los oxidantes a travs del xido crecido (no hay dependencia con la
velocidad de oxidacin).
De acuerdo con las expresiones anteriores, en las primeras etapas
de crecimiento del xido, cuando la reaccin en la interface Si-SiO2 es el
factor que limita la velocidad de crecimiento, el espesor del xido vara
Captulo 11
2D
A (11.12)
k
2 DC0
B (11.13)
C1
Las expresiones 11.9 a 11.11quedan ahora:
x 2 + Ax = B (t + ) (11.14)
Regin lineal:
x=
B
(t + ) (11.15)
A
Regin parablica:
x 2 = B (t + ) (11.16)
Por esta razn, el trmino B/A se denomina constante de
velocidad lineal, mientras que el trmino B se denomina constante de
velocidad parablica. Las figuras 11.2.7 y 11.2.8 muestran los valores
experimentales de estos coeficientes para el silicio en funcin de la
temperatura:
Captulo 11
Ejemplo
x 2 + Ax = B (t + ) (11.18)
W
3 = arctg (11.22)
l
donde l es la profundidad del pozo y W la anchura.
El dixido de silicio obtenido a partir de TEOS proporciona una
cobertura uniforme. Sin embargo, la deposicin a partir de la reaccin del
silano con oxgeno proporciona una cobertura que depende del ngulo de
llegada de las molculas.
Deposicin de nitruro de silicio
Las capas de nitruro de silicio se utilizan para pasivacin de
dispositivos, puesto que actan como barrera a la difusin de agua y
sodio.
Pueden usarse tambin cmo mscaras para la oxidacin
selectiva del silicio (LOCOS - LOCal Oxidation of Silicon), puesto que el
nitruro de silicio se oxida muy lentamente evitando que el substrato de
silicio que existe por debajo de l se oxide. La figura 11.3.2 muestra
esquemticamente un proceso de oxidacin selectiva mediante el uso de
Si3N4
Captulo 11
SiH 4 Si + 2H 2 (11.24)
La velocidad de crecimiento y la estructura del polisicio
depositado, depende de la temperatura y presin parcial del silano
empleado, y de los dopantes. El polisilicio puede doparse por difusin,
implantacin inica o mediante la adicin de gases dopantes durante la
deposicin. Generalmente se utiliza la implantacin inica debido a la
menor temperatura del proceso.
El empleo del polisilicio ha sido especialmente importante en
tecnologa MOS. Recientemente, sin embargo, ha sido utilizado tambin
en circuitos integrados bipolares.
Captulo 11
Captulo 11
CUESTIONES Y PROBLEMAS
Captulo 11
RESUMEN 331
REFERENCIAS
[1] S. Sze. VLSI Technology. Ed. McGraw-Hill.
[2] Chang and S. Sze. ULSI Technology. Ed. McGraw-Hill.
[3] J.D.Plummer, M.D.Deal, P.B.Griffin, Silicon VLSI Technology,
Ed.Prentice Hall.
[4] Streetman and Banerjee. Solid State Electronic Devices. Prentice
Hall, Fifth edition, 2000.
[5] Glosario: http://semiconductorglossary.com/
Captulo 11
12 LITOGRAFA Y
GRABADO
Captulo
ndice
Objetivos
Palabras clave
Litografa UV Mascara Selectividad en el grabado
Litografia rayos X Grabado seco Sala Blanca
Haces de electrones Grabado humedo Escalonador
Fotorresina positiva Ataque isotrpico Reactive Ion Etching (RIE)
Fotorresina negativa Ataque anisotrpico
Captulo 12
12.1 Litografa
Una vez creada la capa de aislante SiO2 sobre la oblea, parte de ella
debe ser eliminada selectivamente en aquellos sitios en los que den
introducirse los tomos de dopante. El grabado selectivo se realiza
generalmente mediante el uso de un material sensible a la luz denominado
fotorresina. Para ello, la oblea oxidada se cubre en primer lugar por una
capa de fotorresistencia. A continuacin se recubre la fotorresistencia con
un negativo fotogrfico parcialmente transparente denominado mscara o
fotomscara.
Sala blanca
En el proceso de litografa debe realizarse en una habitacin espacial
denominada sala blanca. La necesidad de esta sala blanca se debe a que
las partculas de polvo del aire pueden depositarse sobre la superficie del
semiconductor y las mscaras litogrficas causando defectos en los
dispositivos. Cuando las partculas de polvo se depositan sobre las
fotomscaras, se comportan como cuerpos opacos de la misma forma que
los diferentes patrones grabados sobre la mscara (las partculas de polvo
tienen dimensiones del orden de los diferentes patrones). La figura 12.1.2,
muestra los posibles efectos de una partcula de polvo depositada sobre
una fotomscara.
Una vez que los patrones se han grabado sobre la fotorresistencia por
alguna de las tcnicas de litografa estudiadas, y se ha disuelto la parte no
polimerizada de sta mediante el uso de tricloroetileno, es necesario
eliminar la parte de SiO2 no protegida para abrir las ventanas deseadas en
el xido, que dejen a la vista el substrato de silicio. Para eliminar la parte
de xido no protegido puede usarse un bao de cido fluorhdrico que
ataca al dixido de silicio no protegido, pero no ataca al silicio. Existen un
gran nmero de diferentes reactivos qumicos que atacan a los materiales
selectivamente de manera que eliminan la capa de xido pero producen un
ataque muy pequeo sobre los materiales subyacentes. Esta tcnica se
denomina grabado qumico o grabado hmedo.
Generalmente el ataque qumico de la capa de xido suele ser isotrpico,
es decir, por igual en todas las direcciones (aunque existen algunas
excepciones). Esto significa que el xido no slo se ataca hacia abajo sin
que tambin se ataca lateralmente por debajo del protector:
se inicia por electrones libres que tras ser proporcionados por un electrodo
polarizado negativamente adquieren energa cintica gracias al campo
elctrico. En el transcurso de su viaje a travs del gas los electrones
chocan con las molculas del gas y pierden su energa. La energa
transferida durante las colisiones hace que las molculas del gas se
ionicen. Las concentracin de electrones en un plasma empleado para
grabado en seco suele ser baja, del orden de 109 a 1012 cm-3. Las
molculas ionizadas del plasma son aceleradas perpendicularmente a la
oblea, donde chocan con los tomos del semiconductor, que adquieren
energa para liberarse de los enlaces que los mantienen unidos al mismo.
(en otros casos los molculas ionizadas reaccionan qumicamente con el
material que debe ser atacado, con lo que se consigue una mayor
selectividad (RIE.reactive-ion-etching). De esta forma se eliminan los
tomos de la superficie, llevndose a cabo el grabado. Como no se
produce bombardeo sobre las paredes laterales el grabado lateral es
mucho ms pequeo que el grabado perpendicular, con lo que se consigue
un alto grado de anisotropa. Existe sin embargo un inconveniente
importante, que es la prdida de selectividad en el grabado, de tal forma
que tambin el substrato se ve afectado por el ataque.
El proceso de accin de grabado por plasma queda esquematizado en la
Figura 12.2.2
Fotorresina +
SiO2
SiO2
SUBSTRATO Si
SUBSTRATO Si
Tricloroetileno
Fotorresina +
Fotorresina +
SiO2
SiO2
SUBSTRATO Si
SUBSTRATO Si
Fotorresina +
Fotorresina +
SiO2
SiO2
SUBSTRATO Si SUBSTRATO Si
Fotorresina +
SiO2
SiO2
SUBSTRATO Si
SUBSTRATO Si
(f) Bao con sulfurico (SO4H2) para (g) Oblea preparada para el proceso de
eliminar la capa de resina implantacin
REFERENCIAS
13 TECNOLOGA DE
FABRICACIN DE
Captulo
CIRCUITOS
SOI MOSFET
ndice
Objetivos
Palabras Clave
Resistencia laminar Si3N4 xido enterrado
Capacidades integradas Mscara Aislamiento en trinchera y
NMOS, CMOS, SOI Fotorresistencia meseta
BiCMOS, MESFET Litografa Latchup
Difusin Grabado
Implantacin Eltran, Smart Cut
Oxidacin Silicio Poroso
13.1 Introduccin
Captulo 13
cientos de chips rectangulares idnticos de 1 a 10mm de lado. Cada chip
es comprobado elctricamente y los defectuosos se marcan con una
mancha de tinta negra. A continuacin, los diferentes chips son cortados y
separados. Aquellos que han superado satisfactoriamente todos los tests,
se encapsulan. De esta manera se consigue un buen aislamiento trmico y
elctrico y un entorno adecuado para la utilizacin del circuito integrado
en diferentes aplicaciones electrnicas.
Un chip puede contener desde unos cuantos dispositivos (activos
o pasivos) hasta varios millones. Desde la invencin del circuito integrado
en 1958, el nmero de componentes ha crecido exponencialmente.
Generalmente se hace la siguiente clasificacin de los circuitos
integrados:
-SSI (small scale of integration) hasta 102 componentes.
-MSI (medium scale of integration) hasta 103 componentes.
-LSI (large scale of integration) hasta 104 componentes.
-VLSI/ ULSI (very/ultra large scale of integration) ms de 105
componentes.
1
R = xj
,
(13.4)
q pp ( x ) dx
0
Captulo 13
una delgada lmina de xido sobre una difusin de emisor y a
continuacin se realiza una metalizacin de aluminio sobre el xido.
Queda definida una capacidad entre el aluminio y la difusin de emisor
con un valor comprendido entre 0.2 y 0.3 pF/mm2 y una tensin de
ruptura de entre 60 y 100V. Esta capacidad es extremadamente lineal y
presenta un coeficiente de temperatura muy bajo. Aparece un
inconveniente en forma de capacidad parsita inherente a la regin de
vaciamiento que se forma entre el substrato tipo p y la regin epitaxial n.
No obstante, es despreciable en la mayora de los casos.
En tecnologa MOS las capacidades juegan un papel ms
importante que en tecnologa bipolar ya que stas desempean muchas
funciones que en el caso bipolar desarrollan las resistencias.
Diferentes procesos de fabricacin MOS utilizan dos lminas de
polisilicio para implementar funciones analgicas. La segunda lmina
proporciona una estructura capacitiva eficiente y una lnea de
interconexin extra. La separacin entre lminas es comparable al espesor
de xido de puerta de los transistores MOS.
Se debe tener en cuenta la existencia de capacidades parsitas
asociadas a cada una de las lminas de polisilicio. La ms grande es la que
se forma entre la lmina inferior y el substrato, proporcional al rea de la
lmina inferior y con un valor tpico que ronda entre el 10 y el 30 % de la
capacidad total. La capacidad parsita asociada a la lmina superior tiene
su origen en la metalizacin que conecta dicha lmina con el resto del
circuito ms la capacidad parsita del transistor al cual est conectado. El
valor de esta capacidad parsita est comprendido entre 5 y 50 fF.
Otros parmetros importantes de estos componentes son la
tolerancia, el coeficiente de tensin y el coeficiente de temperatura. La
tolerancia en el valor absoluto de la capacidad es una funcin del espesor
del xido y se mueve en un rango de entre el 10 y el 30%. Sin embargo
dentro del mismo chip, las diferencias entre capacidades se reducen a
menos de 1%. Esto se debe al hecho de que las lminas que forman los
contactos de la capacidad estn constituidas por semiconductores muy
dopados en lugar de conductores ideales. La realidad es que se producen
variaciones en el potencial superficial de la lmina al aplicar la tensin
(fenmeno de poli deplexin) resultando en un ligero cambio en la
capacidad con la tensin aplicada.
El transistor MOS en s mismo se puede utilizar tambin como
una capacidad cuando se polariza en la regin triodo; la puerta constituye
un contacto y la fuente, el drenador y el canal la otra. Debido a que el
substrato no est muy dopado se producen grandes variaciones del
potencial al modificar la tensin aplicada y por tanto presenta un
coeficiente de tensin muy elevado.
-
n
n+
Silicio p
Captulo 13
n
+
n
Silicio p
n
+
n
Silicio p
Emisor de
polisilicio
n
n+
Silicio p
n +
n
+ n
Silicio p
Captulo 13
En la actualidad los transistores MOS son los ms utilizados en
circuitos VLSI ya que pueden ser escalados a dimensiones ms pequeas
que el resto de dispositivos. La tecnologa MOS puede dividirse en
tecnologa NMOS que produce transistores canal n, y tecnologa CMOS
compuesta por transistores canal n y canal p sobre el mismo substrato. Las
dos tecnologas son importantes puesto que la tecnologa NMOS es ms
simple que la tecnologa bipolar (involucra menos pasos de proceso)
mientras que la tecnologa CMOS proporciona circuitos con muy bajo
consumo de potencia. A principio de los 70, la longitud mnima de los
transistores MOS era del orden de 7.5 m y el rea total del chip del
orden de 6000 m2. En la actualidad se fabrican transistores con longitud
de canal por debajo de 0.1 m (100nm).
13.4.1 Proceso de fabricacin
El material inicial para la fabricacin de transistores NMOS es
una oblea de silicio tipo p, ligeramente dopada ( 1015 cm-3) y orientada,
generalmente en la direccin <100>, ya que posee menor densidad de
trampas en las interfases que la <111>, lo que proporciona mejores
propiedades elctricas a los dispositivos (mayor movilidad). Se pueden
destacar los siguientes puntos:
1.- El primer paso en la fabricacin del transistor NMOS es la
formacin del xido de aislamiento. El proceso es parecido al utilizado en
tecnologa bipolar para crecer el xido que asla lateralmente a los
distintos dispositivos. Una capa de xido delgado (500 ) se crece sobre
toda la oblea para proteger al silicio de la capa de nitruro de silicio que se
deposita para la oxidacin selectiva. A continuacin se define el rea
activa del dispositivo mediante una mscara de fotorresistencia.
Seguidamente se implanta a ambos lados de la zona activa el channel-
stop. El nitruro no cubierto por la mscara se elimina mediante un proceso
de grabado (etching). La oblea se introduce entonces en un horno de
oxidacin donde sobre las zonas no cubiertas por el nitruro se crece una
capa gruesa de xido (0.5 a 1 m), que ser el responsable del aislamiento
elctrico del dispositivo.
2.- El segundo paso es el crecimiento del xido de puerta y el
ajuste de la tensin umbral. Para ello se elimina toda la capa de nitruro y
xido que cubre la zona activa, y se crece un xido delgado con un
espesor de unos cientos de angstroms. Para ajustar la tensin umbral se
implanta el canal con iones de impurezas. En el caso de un transistor en el
modo de realce (tensin umbral positiva) se implanta el canal con tomos
de boro, hasta que la tensin umbral tenga un valor determinado. Para el
caso de transistores canal n de deplexin (tensin umbral negativa) se
implanta el canal con tomos de arsnico.
Captulo 13
espacio que un inversor NMOS).
Asociado con todos los circuitos CMOS aparece un problema
inherente denominado latchup. Este problema est relacionado con la
aparicin de transistores bipolares parsitos. Puede formarse un transistor
npn con la difusin n+ de fuente o drenador cmo emisor, el pozo p como
base y el pozo n cmo colector. De la misma forma puede observarse la
formacin de un transistor pnp con la difusin p+ de fuente o drenador
como emisor y con los pozos n y p cmo base y colector respectivamente.
Los dos transistores bipolares parsitos pueden acoplarse y actuar como
un tiristor. En condiciones normales de operacin, todas las uniones pn
estn polarizadas en inverso. Sin embargo, si por algn motivo los dos
transistores bipolares entran en la regin activa, el dispositivo posee una
gran realimentacin positiva (si el producto de las betas es mayor que la
unidad) de manera que los transistores conducen producindose la ruptura
del transistor MOS.
Para que ocurra el latchup, una de las uniones debe estar
polarizada en directo fluyendo corriente a travs de los transistores. Esta
corriente puede proceder de una gran multitud de causas, como por
ejemplo la aplicacin de una tensin a una de las entradas superior a la de
alimentacin.
Para evitar el latchup se debe reducir la ganancia de corriente de
los dispositivos parsitos. Una forma de conseguirlo es utilizar dopado de
oro o irradiacin de neutrones para reducir la vida media de los portadores
minoritarios. Sin embargo este procedimiento es difcil de controlar. Un
procedimiento ms efectivo es usar el aislamiento de trinchera (trench
isolation). En este caso los transistores bipolares quedan fsicamente
aislados y por lo tanto se elimina el latchup.
La tecnologa CMOS tiene que proporcionar transistores canal n
y transistores canal p sobre la misma oblea. Ahora bien, el substrato de un
transistor NMOS es tipo p, mientras que el de PMOS es tipo n. El
principal inconveniente a salvar por la tecnologa CMOS es el de
proporcionar los dos tipos de substrato. Este problema se resuelve
fabricando por implantacin o difusin en el substrato de la oblea (que
ser tipo n o tipo p) un pozo de conductividad contraria al del substrato.
Para ello hay que aadir una concentracin de dopante mayor que la
existente en el substrato. Si el substrato es tipo n, hay que aadir una
concentracin de aceptadores en la regin del pozo NA >ND para que el
pozo tenga conductividad tipo p. Debido a la alta concentracin de
impurezas que hay que aadir en el pozo, la movilidad del canal quedar
degradada ya que sta depende de la concentracin total de dopantes (ND
+NA). Para evitar este problema, se utiliza un substrato muy poco dopado,
y se realizan dos pozos, cada uno de ellos con un tipo de conductividad.
SiO2
Pozo n
Silicio p
Captulo 13
oxidarn de modo que despus de un tiempo prolongado de oxidacin
hmeda aparece un xido de campo grueso en las regiones situadas entre
los transistores. Este xido grueso es necesario para aislar transistores.
Tambin permite que las lneas de interconexin se tracen en la parte
superior sin que se formen inadvertidamente canales de conduccin en la
superficie del silicio.
SiO2 SiO2 SiO2
Pozo n
Silicio p
Pozo n
Silicio p
Fotoresistencia
Pozo n
Silicio p
Fotoresistencia
+ + Pozo n
n n
Silicio p
Captulo 13
SiO2
+
n+ n+ p+ p
Pozo n
Silicio p
SiO2
n +
n
+ p+ p+
Pozo n
Silicio p
Captulo 13
ganancia de corriente de los transistores bipolares).
El proceso comienza con el enmascaramiento y la implantacin
de iones de antimonio para la formacin de capas enterradas n+ dentro del
substrato tipo p, en las zonas donde se vaya a realizar el transistor bipolar
npn o el transistor PMOS. Una segunda implantacin de boro se realiza
para formar el pozo donde se fabricar el dispositivo NMOS. Se crea una
capa epitaxial de 1 m de espesor para formar los colectores de los
transistores bipolares y el canal del transistor PMOS. A continuacin se
crecen las capas de xido de campo que sirven para aislar a los diferentes
dispositivos. Finalmente se realiza una serie de implantaciones para
formar las regiones de base y emisor en los transistores bipolares y de
drenador y fuente en los transistores MOS. Durante esta secuencia se
crece el xido de puerta, se crecen las puertas de polisilicio y se ajusta la
tensin umbral de los transistores mediante implantacin. Posteriormente
se depositan las diferentes capas de metalizacin. El resultado puede
observarse en la siguiente figura,
Captulo 13
que conserva la planaridad de la estructura resultante.
Contactos hmicos
Los contactos hmicos de fuente y drenador de un MESFET de
GaAs deberan tener una caracterstica I-V lineal con una resistencia de
contacto mnima. El mtodo ms usado para conseguir un buen contacto
hmico es depositar una lmina de AuGeNi por evaporacin y entonces
formar una aleacin con el GaAs. De hecho la formacin de contactos
hmicos sobre GaAs es un proceso muy complejo que an hoy no se
comprende completamente. Para contactos hmicos planos en MESFETs
la transicin entre el material en volumen y el contacto se caracteriza
mediante una resistencia de contacto que normalmente es menor que 0.1
mm.
Barreras Schottky
Debido a la reduccin de dimensiones, la formacin de la barrera
Schottky es el paso crtico en la fabricacin de MESFETs. El mtodo ms
utilizado en la fabricacin de barreras Schottky es depositar aluminio o
una aleacin de AuPtAu sobre la zona deseada. Como resultado se
obtiene una caracterstica I-V que, en condiciones de polarizacin directa,
responde a la siguiente expresin
qV qV
I = A*T 2 S exp b exp GS , (13.6)
kT nkT
donde A* es la constante de Richardson, S el rea, Vb la altura de la
barrera, n el factor de idealidad y VGS la tensin de puerta. Normalmente
Vb es aproximadamente 0.8 y n 1.1. La puerta tambin se caracteriza por
la resistencia de metalizacin que es un factor que puede limitar el
comportamiento del dispositivo.
Formacin de dielctricos: Interconexiones
Los pasos finales en la fabricacin de un MESFET son la
formacin del dielctrico y la interconexin. El propsito de la lmina
dielctrica es proteger la superficie de posibles ataques qumicos o
mecnicos. Estas lminas generalmente se forman mediante una
deposicin asistida por plasma o sputtering. El dielctrico ms utilizado
sobre GaAs es el nitruro de silicio (Si3N4). En el caso de circuitos
integrados, las lminas dielctricas tambin se utilizan como aislante entre
dos niveles de metalizacin.
El problema de interconexin es importante en MESFETs de
potencia y en circuitos integrados cuando se necesita aumentar la anchura
total de la puerta. Son dos las tcnicas ms empleadas para realizar las
interconexiones. La primera se conoce como puentes sobre aire que se
fabrican depositando el metal sobre una lmina gruesa del semiconductor
que posteriormente se elimina. El segundo mtodo consiste en un ataque
Captulo 13
En este captulo se ha estudiado la tecnologa de fabricacin de
circuitos integrados. Se ha tratado de explicar brevemente la secuencia de
procesos necesarios para fabricar un dispositivo en cada una de las
tecnologas seleccionadas basndonos en las explicaciones de captulos
previos dedicados al estudio de la oxidacin, difusin, implantacin
inica, litografa, etc.
Se ha hecho un recorrido por las diferentes tecnologas que
histricamente han jugado un papel importante. Algunas como la bipolar
y NMOS se encuentran en un claro declive ya que sus aos de apogeo
pasaron y han sido sustituidas por la CMOS que actualmente domina el
mercado con claridad. Para algunas aplicaciones especficas podemos
encontrar la BiCMOS. Muy importante en nuestros das es el silicio sobre
aislante (SOI) que est conquistando rpidamente una importante cuota de
mercado debido a las ventajas que le confiere el aislante enterrado. Existe
la posibilidad de fabricar dispositivos con materiales diferentes al silicio
como por ejemplo el GaAs, AlGaAs, InP, etc. Sin embargo todos ellos
ocupan nichos de mercado muy restringidos a aplicaciones especficas
(comunicaciones aerospaciales o militares fundamentalmente). Nunca han
tenido xito debido a sus elevados costes y a la constante mejora de la
tecnologa de silicio que sigue inexorable la Ley de Moore.
Por supuesto existen variantes a los procedimientos aqu
mostrados ya que por ejemplo no sera lo mismo fabricar un dispositivo
de potencia que otro diseado para actuar a frecuencias elevadas. No
obstante, conocidos los procesos bsicos la alteracin de la secuencia no
implica una mayor dificultad conceptual.
RESUMEN 367
REFERENCIAS
Captulo 13
ASPECTOS
14 INDUSTRIALES DE LA
Captulo FABRICACIN DE
Objetivos
Palabras clave
Nomarski Reflactancia laser Chip bonding
SEM Channeling Pegado eutectico
TEM X ray diffraction Wire bonding
Auger TED Empaquetamiento TCP
NAA EBIC Empaquetamiento Flip-Chip
RBS Empaquetado cermico Rendimiento
SIMS Empaquetado plstico Fiabilidad
XRF Back grinding
XPS Dicing
14.1 Tcnicas de diagnstico
2) Anlisis qumico
3) Determinacin de la estructura cristalogrfica y de las
propiedades mecnicas
4) Mapeo elctrico de los lugares con roturas y fugas
Estructura
Determina
Anlisis cristalogrfica Mapeo
Mtodo instrumental Acrnimo cin de la
Qumico y propiedades Elctri
morfologa
mecnicas co
Auger electron
AES X
Spectroscopy
Electron Bean induced
EBIC X
current microscopy
Laser reflectance LR X
Neutron activation
NAA X
Analysis
Normarski interference
contrast optical X
microscopy
Rutherford
backscattering RBS X (X)
spectroscopy
Scanning electron
SEM X (X) (X)
microscopy
Secondary ion mass
SIMS X
spectroscopy
Transmission electron
TED X
diffraction
Transmission electron
TEM X (X) X (X)
microscopy
Voltage contrast
VC X
microscopy
X-ray diffraction XRD X
X-ray emission
XES X
microscopy
X-ray fluorescence XRF X
X-ray photoelectron XPS,
X
spectroscopy ESCA
Tabla 14.1.1: Aplicacin de los mtodos instrumentales para anlisis de
los problemas de la VLSI
Captulo 14
En la Tabla 14.1.2 se muestran los procesos basados en estas
iteraciones y los rangos de energa tpica de las radiaciones incidentes y
secundarias:
Rayo incidente Radiacin secundaria
Electrn X-ray
Procedi Procedi
Energa Energa
Radiacin Tipo miento Energa miento
E0 (keV) (eV)
analtico analtico
2-10 Auger 20-200 AES
Secunda
2-40 <10 SEM(VC)
ria
Electrn
Back-
2-40 <E0 SEM(BS)
scattared
20-200 <E0 XES
<2 Primary 20-200 XPS
X-ray
<50 ionized <E0 XFR
Tabla 14.1.2: Tipos de radiacin resultante del bombardeo de la
superficie de una muestra y mtodos instrumentales basados en esas
interacciones
14.1.1 Determinacin morfolgica
Con este anlisis se examina las formas de partes relevantes
como los bordes de las lneas grabadas, proximidad entre estas,
alineamiento. Estas caractersticas se pueden examinar por microscopia
ptica, SEM (scaning electrn microscopy) y TEM (transmisin electrn
microscopy). Los aumentos mximos de cada tcnica son
aproximadamente de 1000X, 50000X y 500000X respectivamente. Puesto
que los rangos de magnificacin se superponen pocas caractersticas
morfolgicas podrn escapar del escrutinio.
Captulo 14
Figura 14.1.3: Esquema de un microscopio optico de contraste de
interferencia de Nomarski libro VLSI Technology de Sze
La luz pasa a travs de un polarizador y es reflejada para abajo,
hacia unos cristales birrefrigentes que juntos forman un prisma Wollaston,
esto es, un prisma en el cual la luz se separa en dos componentes
polarizadas perpendiculares que se mueven a diferentes velocidades con
una divergencia angular d. Despus de emerger del prisma y reflejarse en
la muestra, los dos rayos se recombinan al pasar nuevamente por el
prisma en direccin opuesta. El haz reconstituido pasa entonces a travs
de un analizador donde sus cambios de intensidad son observados.
Captulo 14
Figura 14.1.6: Penetracin de los electrones en funcin de
la energa de los electrones incidentes para diferentes
materiales
El haz de electrones incidentes experimenta mltiples colisiones
al penetrar en la muestra. Los electrones que no son reflejados finalmente
se detienen despus de atravesar una distancia R que puede ser calculado
o medida. La Figura 14.1.6 muestra el clculo de las distancias que
recorren los electrones para el silicio el aluminio y el oro. Estas distancias
se incrementan cuanto menor es el nmero atmico de la muestra y mayor
es la energa E0 del haz de electrones incidentes. La trayectoria de los
electrones vara con cada colisin lo que causa que el estrecho rayo
incidente se disperse a medida que penetra en la muestra.
Captulo 14
dependencia del rendimiento con una curvatura de la superficie. Las
superficies cuya pendiente difieren pueden se claramente distinguidas.
La resolucin espacial por tanto depende de la superficie de la
muestra que contribuye a las emisiones secundaria y dispersada hacia tras,
de los cambios locales de fase, composicin y orientacin de la muestra.
Los cuales como se ha explicado influyen en el flujo de electrones de las
dos emisiones.
El anlisis de los circuitos VLSI mediante SEM tiene tres
problemas: la contaminacin de la muestra, el dao que produce el haz de
electrones y las cargas que se inducen en la superficie durante el anlisis.
La mayor parte de contaminacin se produce por polimerizacin de
hidrocarbono producida cuando el haz de electrones choca con la
superficie. Aunque los microscopios modernos tienen unas buenas
bombas para mantener un vaco de unos 10-6 Torr esta contaminacin no
puede ser evitada. El segundo problema es el dao que causa los
electrones en lo xidos. La radiacin de electrones produce cargas
positivas en el oxido y trampas en la interfaces las cuales se pueden evitar
si se mantiene una energa baja para que no penetren los electrones en las
zonas activas como los oxido de puerta. Una vez que se han formado
estos defectos pueden ser eliminados por recocido a temperaturas entre
400 y 550 C
El tercer problema es la carga inducida en superficies aislantes.
Esto sucede cuando las energas del haz incidente estn por encima del
punto de cruce de rendimiento de la emisin secundaria. La superficie se
carga negativamente enturbiando la trayectoria del haz de electrones
incidente y degradando la imagen. Una forma de evitar esto es usar un haz
incidente de baja energa.
Captulo 14
Hay que tener un cuidado especial en la preparacin y colocacin
de la muestra para el anlisis con TEM. En la Figura 14.1.10 podemos
ver un dibujo de la seccin de un corte vertical de un chip (el plano del
dibujo es perpendicular a la superficie del chip). Si la muestra esta mal
orientada se produce un desdoblamiento de las lneas que marcan los
limites de las interfaces (b). Esto es un gran problema que aparece
tambin si el corte de la muestra no se hace debidamente como se ve en el
dibujo (c)
El contraste en un TEM es diferente segn se trate de estructuras
cristalinas o amorfas.
Para estructuras cristalinas el haz de electrones sufre una
difraccin por el material y, las variaciones en la intensidad de difraccin
producen un contraste en una imagen proveniente del haz no difractado
(zona brillante) o desde uno o mas haces difractados (zona oscura). Los
cambios abruptos de espesor, fase de la estructura o orientacin
cristalogrfica causan cambios abruptos en el contraste y estas
caractersticas cristalogrficas pueden ser vistas fcilmente con gran
resolucin
Captulo 14
Figura 14.1.13: Generacin de un electrn Auger
(http://www.almaden.ibm.com/st/scientific_services/materials_analysis/)
La energa del electrn incidente esta comprendida entre los 2 y
10 KeV y penetra una pequea distancia. Las energas de los electrones
Auger van de los 20 a 2000Ev energas entre las bajas energas de los
electrones secundarios y las altas energas de los electrones dispersados
hacia atras (backscattered electrons). La energa de escape de los
electrones Auger es menor de 50 y mas pequea cuanto menor es a
energa de transmisin. Ver Tabla 14.1.3
Elemento Energa de transmisin Profundidad de escape
(eV) ()
120 5
Fosforo
1859 32
Boro 179 6
Oxigeno 507 12
Arsnico 1228 23
Aluminio 1396 26
92 4
Silicio
1619 29
Tabla 14.1.3: Profundidad de escape para los electrones Auger
Captulo 14
una irradiacin de neutrones.
Captulo 14
Donde [] es el factor de seccin de corte de parada y N es la
densidad atmica de los elementos de la muestra. Se puede obtener un
perfil de profundidad representando el numero de iones dispersados hacia
tras en funcin de las energas de los iones E1
RBS es de los pocos anlisis qumicos que pueden proporcionar
informacin cuantitativa sin el uso de estndares.
RBS no es una tcnica destructiva ya que no existe dao de
radiacin, sputterin o transferencia de carga
Captulo 14
efecto channeling. Los iones penetran profundamente en el material sin
encontrar ningn obstculo. Si se cambia el ngulo de incidencia
ligeramente la dispersin hacia tras crece abruptamente.
Captulo 14
transmisin. La imagen que se obtiene de un material policristalino es una
seria de crculos concntricos, en caso de un material cristalino una serie
de puntos. La tcnica TED se puede usar para la determinacin de la
orientacin de pequeos cristales de Silicio que se producen dentro del
oxido de polisilicio en el proceso de oxidacin trmica del polisilico.
Figura 14.1.27: Esquema de la medida EBIC (a) de una unin PN, (b) de
una unin de barrera Schottkly, (c) de una capacidad. La energa del haz
incidente es k0.
La tcnica EBIC se suele utilizar para estudiar las barreras
Schottky y las uniones PN detectndose los defectos en el silicio como las
fault stacking, dislocaciones e inhomogeneidades segregadas durante el
proceso de crecimiento del cristal. La microscopia EBIC puede utilizarse
tambin para detectar defectos en los xidos delgados de las capacidades
debido al aumento local de la corriente tnel con un alto campo que
aparece en esos sitios. En todos los casos los defectos crean una
perturbacin local de la corriente la cual crea un contraste de imagen. Por
Captulo 14
difunden hacia la regin de carga espacial y son recogidas dando una
corriente. Los centros de recombinacin debidos a los defectos que estn
en el camino que recorren los portadores generados disminuyen la
corriente localmente que se recoge, formndose, de esta forma, una
imagen de contraste con la cual se localizan estos defectos.
Captulo 14
sido preensamblada es un bastidor. Para el cortado se usa una sierra de
diamante de 25 micras de espesor y que gira 20.000rpm. Esta corta la
oblea a una profundidad que varia entre el 90 y 100% del espesor de esta.
El corte con esta sierra permite secciones de corte de solo 60micras de
ancho.
Captulo 14
se realiza un ligero movimiento o restregn del chip. El proceso se realiza
por un brazo robotizado que coge el chip lo orienta y lo sita encima del
substrato. La temperatura de fusin debe ser ms elevada que la
temperatura que se alcanza en el proceso posterior (wire bonding).
14.2.3.1.2 Pegado con pegamento
En el pegado con pegamento se usa una resina con trocitos de
plata para mejorar la conduccin elctrica y trmica. Los pegamentos con
plata son mucho mas baratos que las soldaduras con alto contenido en oro,
adems son mas flexibles en la absorcin del estrs trmico entre el chip y
el substrato.
El chip no necesita la mentalizacin posterior ya que ya que el
pegamento proporciona una mejor adhesin con el dixido de silicio de
atrs, al substrato si se somete a una mentalizacin. En el proceso de
pegado no se necesita un restregado, por tanto la probabilidad de dao de
los bordes del chip es menor. El proceso de pegado se puede automatizar
fcilmente. Con este mtodo se consigue una velocidad de pegado e un
chip por segundo. En el proceso de pegado se tendr que completar con
un tratado a altas temperaturas de 125 a 175C con una duracin de una a
dos horas.
En el pasado la resina tenia muchos iones hidrolizables, lo cual
puede afectar directamente a fiabilidad. En la actualidad se usan resinas
con concertaciones muy pequeas de iones. Las resinas son ampliamente
usadas en la actualidad en la tecnologa ULSI.
Figura 14.2.9: Fotografia del proceso de wire bonding del tipo una unin
bola-cua http://www.netmotion.com/
http://www.smallprecisiontools.com/caps_bond_cycle.htm
Captulo 14
chip. El capilar ejerce la necesaria presin sobre la bola formndose la
unin entre la bola de oro y el contacto de aluminio del chip (c), (en caso
de que el sistema fuera termosnico se aplicara despus una vibracin
ultrasnica). Despus se sube el capilar dejando que corra el cable a travs
de el y se lleva hasta el terminal del substrato metlico, se baja de nuevo
el capilar hasta el terminal del empaquetado (d), mediante la combinacin
de temperatura y presin del capilar se forma una unin del cable al
terminal (en una maquina termosnica se aplicara luego una vibracin
ultrasnica), despus se sube el capilar y se cierra a una altura programada
,el capilar sigue subiendo de forma que el cable se corta en la parte mas
delgada de la unin (e). De esta forma se tiene nuevamente un trozo de
hilo que sobresale por la parte inicial del capilar y se vuelve a repetir el
proceso con la formacin de la bola de oro mediante una llama de
hidrgeno.
La ventaja del mtodo de unin bola cua es que despus de
realizar la unin de bola, la unin con el empaquetado se pude realizar en
cualquier otra direccin mientras que en las uniones cua-cua las dos
uniones tiene que estar alineadas. Por tanto la versatilidad del mtodo de
unin bola-cua permite un mayor potencial de automatizacin. El
mtodo de unin bola-cua con hilo de oro es ampliamente usado en la
tecnologa de empaquetamiento ULSI. En la actualidad las maquinas de
cableado totalmente automatizadas del tipo unin bola-cua tiene una
velocidad de seis cables por segundo.
Captulo 14
empaquetamiento que son mas rpidas. Estas son:
1) El empaquetado TCP (tape carrier package)
2) El empaquetado de vuelta de chip (Flip Chip Pakage)
Captulo 14
cada burbuja del chip a su correspondiente conexin del substrato. La
ventaja de este mtodo es que todas las conexiones se realizan a la vez, se
pude conseguir una gran densidad de interconexiones y se tiene una
inductancia muy baja de interconexin con el empaquetado. Las
desventajas se deben a que las uniones se hacer debajo del chip siendo
imposible su inspeccin visual. Adems de que tiene un peor
comportamiento trmico.
Figura 14.2.13: Esquema de la unin de los contactos del chip con los
terminales del encapsulado mediante la tcnica flip chip
www.mm.fh-heilbronn.de/wehl/ projekte/lotdruck.htm
http://education.netpack-europe.org/
http://extra.ivf.se/ngl/
.
Captulo 14
Figura 14.3.1 fotografa de una oblea con chips defectuosos sealados en
oscuro.
Durante la fabricacin de la oblea se llevan a cabo varias
operaciones que pueden dar lugar a pequeas pero crticas variaciones en
el espesor y tamao de la oblea. Por ejemplo durante el proceso de
oxidacin trmica se crece una capa de oxido por las dos caras de la oblea
que tensionar la capa de silicio de forma que la oblea resultante de la
oxidacin tendr un dimetro mayor que el anterior. Si el grado de tensin
supera el lmite elstico del material se producir una deformacin. Si el
oxido es quitado de unas de las caras la oblea estar curvada.
A medida que las tcnicas de procesado y procesos se van
desarrollando muchas de estos efectos se reducen o son eliminados pero
sin embargo otros nuevos aparecen.
Captulo 14
tienen que ser limpiadas peridicamente.
Un fabricacin satisfactoria requiere el continuo control de la
densidad de defectos puntuales. Este control se realiza mediante la
observacin con microscopio SEM durante todos los pasos del proceso de
fabricacin.
14.3.2 Fiabilidad
La fiabilidad de los circuitos integrados viene determinada por
varias disciplinas como el diseo, los procesos de fabricacin del chip, el
empaquetamiento y testeo del C.I. Se usan procesos de fabricacin y
manufacturado delicados para producir finalmente un CI. Cuando este
falla se puede deber a una gran cantidad de causas. Se requieren
sofisticados y tediosos anlisis para saber la causa del error. Desde la
perspectiva del consumidor lo que el requiere es que sea til durante la
vida media especificada. Normalmente los fabricantes disean un CI para
10 aos. La fiabilidad del producto esta asegurada si cada uno de los
elementos del producto es fiable durante esos aos. Existen tres elementos
fundamentales en la fiabilidad: la fiabilidad del diseo, la fiabilidad de los
procesos, y la fiabilidad del ensamblado. Si la fiabilidad de cada uno de
esos procesos cumple los requisitos de vida media, entonces la fiabilidad
del producto esta asegurada.
La tecnologa ULSI conlleva el escalado de los procesos por
debajo de las dimensiones submicra, como tambin la adicin de nuevos
mdulos de procesos no usados en la era VLSI. La fiabilidad de cada uno
de esos nuevos procesos y como interacciona con los anteriores ser
critica en la fiabilidad final del proceso completo. En la tecnologa ULSI
el concepto de diseo para la fiabilidad es muy importante. Se debe hacer
un diseo de la fiabilidad durante todos los pasos de fabricacin de un CI,
diseo del circuito, procesado y manufacturado.
Los circuitos integrados estn formados por varios elementos
discretos como transistores, resistencias interconexiones, pelculas de
dielctricos y capacidades. Todas estas partes de un CI integrado sufren
poco a poco un deterioro debido a su operacin. En el caso de los
transistores una de las causas de fallo es el efecto de los electrones
calientes Hot carriers, otra, la ruptura de oxido de puerta. En el caso de
las interconexiones aparecen los problemas de electromigracin y
migracin de estrs.
15
MODELOS PARA
SIMULACIN DE
DISPOSITIVOS
Captulo
ELECTRNICOS
Concentracin de electrones
en un DGSOI
ndice
15-1 Modelado de Dispositivos 15-4 Discretizacin del Espacio Continuo
15-2 Clasificacin de los Simuladores 15-5 Condiciones de Contorno
15-3 Modelos de Movilidad y Generacin- 15-6 Simuladores Comerciales
Recombinacin
Objetivos
Justificar la necesidad de simuladores de dispositivos
Presentar las diferentes aproximaciones a la ecuacin de transporte
Introducir el mtodo Monte Carlo
Presentar diferentes modelos de Movilidad y Generacin-Recombinacin
Estudiar el modelo de discretizacin del espacio continuo y de las ecuaciones a
resolver
Justificar los diferentes tipos de condiciones de contorno que pueden ser
impuestas al espacio a simular
Presentar diferentes soluciones comerciales
Palabras Clave
Ecuacin de Poisson Mtodo de Monte Carlo Modelo Shockley-Reed-Hall
Ecuacin de Continuidad Procesos de dispersin Recombinacin Auger
Ecuacin de Transporte Autoscattering Mtodo de Diferencias Finitas
de Boltzmann Aproximacin semiclsica Condicin de contorno
Modelo de Difusin-Deriva Hiptesis ergdica Dirichlet
Relacin de Einstein Ecuacin de Schrdinger Condicin de contorno
Modelo Hidrodinmico Modelo de Caughey-Thomas Neumann
15.1 Modelado de Dispositivos
Captulo 15
excesivamente costoso en tiempo de computacin. As por ejemplo, una
simulacin monodimensional puede ser suficiente para estudiar una unin
MOS en equilibrio mientras que para el caso de un transistor MOSFET
con tensin aplicada entre drenador y fuente ser necesaria una
simulacin, al menos, bidimensional para el caso en que la longitud de
canal sea pequea.
Otra decisin crtica que debe tomarse es la eleccin del modelo
que describir el comportamiento del sistema. En la mayora de los casos
la distribucin del potencial en el dispositivo viene descrita por la
ecuacin de Poisson en cualquiera de sus versiones
( V ) = . (15.1)
Sin embargo existe mucha ms flexibilidad a la hora de elegir el
modelo que describir el transporte de los portadores de carga. La teora
semi-csica de transporte est basada en la ecuacin de transporte de
Boltzmann (BTE)
f eE
+ v r f + k f =
t h
= S ( k ', k ) f ( r , k ', t ) 1 f ( r , k , t ) (15.2)
k'
S ( k , k' ) f ( r , k , t ) 1 f ( r , k ', t )
k'
n 1
Captulo 15
= Jn + Un (15.3)
t q
p 1
= J p +U p (15.4)
t q
donde n y p representan la concentracin de electrones y huecos
respectivamente, U las tasas de Generacin-Recombinacin de portadores
y J las densidades de corriente cuya expresin viene dada por:
J n = qn n E + qDn n (15.5)
J n = qp p E qD p p (15.6)
El primer trmino de la densidad de corriente corresponde a la
corriente de arrastre y depende del campo elctrico y de la movilidad de
los portadores. El segundo, describe los procesos de difusin originados
por la diferencia en la concentracin de portadores en las diferentes zonas
del dispositivo.
Si se recuerda la definicin de campo elctrico
E = V (15.7)
se encuentra que el clculo de las concentraciones de portadores depende
tambin de la distribucin de potencial con lo que aparece un sistema de
ecuaciones diferenciales acoplado, requirindose una resolucin
autoconsistente junto a la ecuacin de Poisson.
15.2.2 El Modelo Hidrodinmico
Una segunda aproximacin consiste en el modelo hidrodinmico
que expresa la conservacin de partculas, de momento y energa a partir
del clculo de los momentos de la BTE en trminos de la funcin de
distribucin para los portadores que vienen definidos como
nv = v ( k ) f ( r , k , t ) d 3 k (15.9)
m* 2
v ( k ) f (r, k, t ) d k
3 (15.10)
W=
2
donde n es la concentracin de partculas, v es la velocidad media y W la
densidad de energa cintica.
Este modelo es bastante ms complicado que el comentado
anteriormente de difusin y deriva. Uno de los principales problemas de
este mtodo es que las tres ecuaciones bsicas de conservacin pueden ser
resueltas siempre que uno conozca con un grado de exactitud adecuado
una aproximacin de las funciones de distribucin de forma que los
Captulo 15
momentos puedan ser calculados de manera razonable. Incluso teniendo
esta informacin, la tarea de resolver estas ecuaciones es muy costosa
computacionalmente, sobre todo para aplicaciones en ingeniera.
15.2.3 El Mtodo Monte Carlo
Quizs el mtodo ms utilizado para el estudio del transporte en
semiconductores junto al de difusin y deriva sea el Monte Carlo. Bajo
este trmino se agrupan una serie de tcnicas de naturaleza estocstica que
utilizan la generacin de nmeros aleatorios. Para el caso del transporte se
usa para resolver la BTE sin realizar ninguna suposicin sobre la funcin
de distribucin. Las distribuciones de probabilidad apropiadas para los
distintos parmetros se obtienen a partir de la generacin de secuencias
nmeros aleatorios uniformemente distribuidos.
Las aproximaciones tomadas para el modelo semiclsico son las
siguientes:
Las partculas se consideran como objetos puntuales con
posicin y momentos perfectamente definidos violndose
por tanto, el principio de incertidumbre. Esta suposicin
es descartada en el caso de la interpretacin cuntica.
Se hace uso de la aproximacin de masa efectiva, donde
se incluyen los efectos cunticos derivados de la
existencia de un potencial peridico correspondiente a la
estructura cristalina
El movimiento de las partculas se describe como una
serie de vuelos libres interrumpidos por procesos de
dispersin. Las variaciones en la trayectoria y en el
momento se calculan utilizando mecnica clsica,
mientras que las probabilidades de dispersin se calculan
de acuerdo a las reglas de la mecnica cuntica.
Dentro de estas tcnicas se pueden encontrar dos aproximaciones
principales para la descripcin del sistema.
f = f (15.11)
donde f representa la magnitud a estudio. Este mtodo tiene una
aplicacin limitada en el estudio de dispositivos, aunque permite obtener
resultados interesantes para dependencias de la movilidad y otras
magnitudes con respecto al campo elctrico aplicado de forma que pueden
Captulo 15
t
exp ( k ( t ' ) ) dt ' (15.12)
0
y por tanto la probabilidad de que un electrn sufra una colisin en un
intervalo dt alrededor de un instante de tiempo t viene dada por
t
P ( t ) dt = ( k ( t ) ) exp ( k ( t ' ) ) dt ' dt (15.13)
0
En general la forma de ( k ) es muy complicada, de modo que la
integral resulta bastante difcil de resolver. Sin embargo en 1968 Rees
Captulo 15
propuso la solucin mediante la introduccin de un proceso de dispersin
1
ficticio denominado autoscattering. Se toma M definido como
0
el valor mximo de ( k ) en la regin de inters. De esta forma se tiene
que para cualquier instante, la probabilidad total de dispersin es siempre
constante e igual a M . Cuando el electrn sufre un autoscattering su
estado despus de la colisin es el mismo que el inicial con lo que sigue
su movimiento como si nada hubiese pasado. Aplicando este
razonamiento la ecuacin (15.13) queda de la forma
t
P ( t ) dt = e
1 0 (15.14)
0
tr = 0 ln ( r ) (15.15)
donde r es un nmero aleatorio uniformemente distribuido.
Una vez que se ha determinado el tiempo de vuelo se debe
determinar qu mecanismo de dispersin entra en juego para poder
calcular as el estado final tras la colisin. Debido a que la probabilidad de
que un vuelo termine como consecuencia del mecanismo n-simo es
proporcional a ( k ) y
n
M = n n ( k ) (15.16)
el mecanismo responsable del fin del vuelo libre puede determinarse
eligiendo un nmero aleatorio uniformemente distribuido entre 0 y M
de forma que el mecanismo seleccionado es aquel para el que el nmero
aleatorio r es menor que la primera suma parcial j que se encuentre:
j
( k ) < r < ( k ).
j =1
j
j =1
j (15.17)
D kT
= . (15.18)
q
Para el caso de la movilidad y los trminos de G-R existen
diferentes modelos que permiten ampliar el rango de validez de la
aproximacin de Difusin Deriva.
15.3.1 Modelos de Movilidad
La movilidad es una magnitud que da idea de la facilidad con que
se pueden mover los portadores en un cristal semiconductor. Su valor no
es constante en todo el dispositivo y depende de mltiples factores
relacionados tanto con las caractersticas del dispositivo como con la
polarizacin aplicada en los terminales.
En el caso de transporte en volumen la movilidad viene
determinada principalmente por la dispersin producida por los tomos de
la red y las impurezas ionizadas con valores tpicos del orden de 1350
cm2/Vs para electrones y de 500 cm2/Vs para huecos para un cristal
ligeramente dopado a 300 K Para el caso de lminas de inversin en un
MOSFET (gases de e-h bidimensionales) predominan los efectos
producidos por los campos, tanto longitudinal como transversal, y la
rugosidad superficial. La movilidad disminuye a valores del orden de 670
cm2/Vs para electrones y de 160 cm2/Vs para huecos para VGS=VT y NA ,
ND < 1017 cm-3.
En dispositivos en los que aparecen lminas de inversin, los
portadores que circulan por ella estn sometidos a campos transversales
muy fuertes producidos por la polarizacin de la puerta. La dependencia
Captulo 15
obtenidos de forma emprica.
Un segundo modelo, esta vez obtenido de forma emprica, es el de
Lombardi que incorpora efectos tales como son los de dispersin
superficial por fonones acsticos (ac,) rugosidad superficial (sr,) y
efectos de transporte en volumen (b,). En este caso las dependencias con
el campo transversal son directas y no a travs del campo medio. La
movilidad total puede ser calculada usando la regla de Mathiessen
1
1 1 1
eff = + + (15.20)
ac b sr
Una vez obtenida la movilidad efectiva por cualquiera de los
modelos que se elija, se introduce sta en la expresin que contiene la
dependencia longitudinal del campo. El modelo ms utilizado es el de
Caughey-Thomas
eff
=
E (15.21)
1 + effsat
v
sat
donde v es la velocidad de saturacin para los portadores y un
parmetro emprico (tpicamente = 2 para electrones y < 2 para
huecos).
15.3.2 Modelos de Generacin-Recombinacin
En cuanto a los trminos de generacin-recombinacin, existen
diferentes modelos segn el mecanismo que entre en juego para describir
el proceso. As, el modelo de Shockley-Reed-Hall se utiliza cuando los
procesos de G-R estn relacionados con niveles creados por trampas
electrnicas.
El mtodo de diferencias finitas es el ms utilizado de todos los el tamao del mallado y el paso
esquemas de discretizacin debido a su relativa simplicidad. Est basado temporal tienden a cero.
en el uso de series de Taylor truncadas para realizar aproximaciones Consistencia:
Un esquema es consistente si el
numricas a las derivadas. As
error de truncamiento tiende a
cero cuando el tamao del
u x 2 2 u
u ( x + x ) = u ( x ) + x + + O x 3 ( ) (15.25) mallado y el paso temporal
Captulo 15
x 2 x 2 tienden a cero.
u x 2 2 u
u ( x x ) = u ( x ) x
x
+
2 x 2
+ O x 3 .( ) (15.26)
u u ( x + x ) u ( x )
= + O ( x ) . (15.27)
x x
De (15.26) se tiene la aproximacin de diferencias hacia atrs:
u u ( x ) u ( x x )
= + O ( x ) . (15.28)
x x
Restando (15.25) - (15.26) se tiene la aproximacin en
diferencias centradas:
u u ( x + x ) u ( x x )
x
=
2 x
+ O x 2 ( ) (15.29)
2u u ( x + x ) 2u ( x ) + u ( x x )
x 2
=
x 2
( )
+ O x 2 . (15.30)
( t ) b D ( t ) = 0 (15.31)
donde b es el potencial debido al dopado de la zona de
contacto y D ( t ) el potencial externo aplicado.
Para el caso de contactos controlados por corriente se tiene
( J n + J p ) dA - I D ( t ) = 0 (15.32)
Do
np ni2 = 0 (15.33)
n p C = 0 (15.34)
C = N D+ N A . (15.35)
Las condiciones de contorno para portadores quedan de la
siguiente forma
C 2 + 4ni2 + C (15.36)
n= .
2
C 2 + 4ni2 C (15.37)
p= .
2
Interfases:
sem ins = Qint (15.38)
n sem n ins
Captulo 15
normal a la interfase debe ser igual a la tasa de
recombinacin superficial RSURF
J n n = qR SURF (15.39)
J p n = qR SURF (15.40)
Fronteras artificiales:
En este caso las fronteras son impuestas bien porque el
dispositivo es demasiado grande y en esa zona las
variaciones de las magnitudes son muy pequeas (por
ejemplo en las zonas lejanas a la regin de deplexin de un
MOSFET) o por consideraciones de autocontencin para el
espacio a simular (zonas de drenador y fuente en las que no
se aplica directamente el potencial externo y no estn
cubiertas por xido).
Es posible aplicar condiciones de tipo Dirichlet o tambin de
tipo Neumann
=0 (15.41)
n
n
=0 (15.42)
n
p
=0 (15.43)
n
En cualquier caso, el uso de estas condiciones debe estar
justificado previamente por razonamientos matemticos o
fsicos de forma que el error introducido por la frontera
artificial sea despreciable.
Captulo 15
autoconsistente. Tambin es posible acoplar la ecuacin de Schrdinger
para que los efectos cunticos sean tenidos en cuenta. DAMOCLES
utiliza una estructura de bandas completa resolviendo la BTE en 3D para
el espacio de momentos y en 2D en el espacio real. El tiempo es tambin
una variable incluida en el simulador con lo que resulta ser un simulador
6D.
Ejemplo 15.1 La ecuacin de Difusin 1D
f 2 f
=a 2 (15.44)
t x
Se va a estudiar la difusin de un exceso de portadores en un
semiconductor generado por un pulso de luz en el centro del mismo
aplicado durante un tiempo muy pequeo. La recombinacin de los
portadores est implcitamente despreciada en la ecuacin donde a
representa la constante de difusin de los portadores en el medio.
Para utilizar el formalismo de diferencias finitas es necesario
realizar una discretizacin tanto espacial como temporal. Para ello se
dividir el espacio y el tiempo en intervalos de igual amplitud, x y t
respectivamente.
Para la aproximacin de la primera derivada temporal se utilizar
el siguiente esquema:
f f n +1 ( x ) f n ( x )
= (15.45)
t t
donde los superndices indican la variable temporal discreta de forma que
f
n
( x ) = f ( x, nt ) . Aplicando la expresin (15.30) para la derivada
segunda espacial se tiene finalmente:
f n ( x + x ) 2 f n ( x ) + f n ( x x )
f n +1 ( x ) = f n ( x ) + at . (15.47)
x 2
Se puede demostrar que para que la solucin sea estable y
converja es necesario que se cumpla la siguiente relacin entre los
intervalos espaciales y temporales:
( x ) 2
Captulo 15
t . (15.48)
2a
En la Figura 15.6.1 se observa la evolucin espacial y temporal
cuando se generan en un intervalo dt 107 portadores. Se impone como
condiciones de contorno que la concentracin de portadores se anule en
7 3
los extremos del semiconductor y se toman t = 10 , x = 10 y a = 1,
todo medido en unidades arbitrarias.
Simulacin
% Resolucion de la ecuacion
for i=2:300
for j=2:100
sol(j,i)=(dif*dt/(dx*dx))*(sol(j+1,i-1)
-2*sol(j,i-1)+sol(j-1,i-1))+sol(j,i-1);
end
end
[1] http://silvaco.com/products/TCAD.html
[2] www.research.ibm.com/DAMOCLES/home.html
[3] www.ise.ch
Captulo 15
[5] U. Ravaioli. ECE439 - Advanced Theory of Semiconductors and
Semiconductor Devices Numerical Methods and Simulation. 1994
[7] S. Wolf. Silicon Processing for the VLSI Era, Vol 3: The Submicron
MOSFET, Lattice Press, Sunset Beach, 1995
REFERENCIAS 439
C
16 MODELOS PARA
SIMULACIN DE
Captulo
PROCESOS
Simulacin
ndice
Objetivos
Palabras Clave
Difusin Athena, SSuprem4 Oxidacin lineal - parablica
Silicidacin Simulacin Monte Carlo Vacantes, intersticiales
Oxidacin Ley de Fick Modelos de Fermi y
Implantacin Inica RTA bidimensional
Grabado (Etching) ETD, OED
Deposicin Distribuciones Gaussiana,
SiGe Pearson y doble Pearson
Epitaxia Modelo CNET de difusin
Materiales amorfos y Stress
cristalinos Clusters
16.1 Importancia de la simulacin de procesos
importantes por dos razones: 1.- Casi siempre son mucho ms rpidas y
baratas que disear e implementar que los experimentos. 2.- Proporcionan
informacin que es difcil o imposible de medir. El principal
inconveniente es que toda la fsica/qumica relevante del proceso debe
incorporarse al simulador y para ello es necesario desarrollar los mtodos
numricos necesarios para resolver el sistema de ecuaciones resultante. El
usuario del simulador debe especificar:
La geometra de la estructura a simular.
La secuencia de procesos (implantacin, grabado, difusin, etc)
que se van a simular.
Los modelos fsicos a utilizar.
A continuacin se presentan, en cada uno de los apartados de este
captulo, los modelos que los simuladores comerciales utilizan para
reproducir el resultado de la oxidacin, silicidacin, implantacin inica y
algunos otros procesos.
16.2 Modelos de Difusin
Captulo 16
implantado. Sin embargo, cuando los dopantes estn presentes en
elevadas concentraciones se produce la formacin de clusters o la
desactivacin elctrica de manera que la concentracin elctricamente
activa es menor que la concentracin qumica correspondiente.
16.2.1 Descripcin matemtica
La definicin matemtica de un modelo de difusin incluye las
siguientes especificaciones:
Una ecuacin de continuidad (ecuacin de difusin).
Uno o ms trminos de flujo.
Un conjunto de condiciones de contorno.
En el caso de la difusin de impurezas en semiconductores, se necesita
una ecuacin para cada impureza dopante presente y para cada tipo de
defecto si stos se representan explcitamente en el modelo. Puesto que
los dopantes se difunden nicamente como miembros de pares dopante-
defecto, la ecuacin de continuidad del dopante es realmente una ecuacin
de continuidad para las parejas defecto-dopante.
La formulacin de las ecuaciones de continuidad se realiza partiendo de
un nmero de suposiciones:
Los procesos electrnicos ocurren en una escala temporal mucho
menor que la del resto de los procesos (aproximacin
adiabtica).
La reaccin de emparejamiento entre dopantes y defectos se
supone siempre en equilibrio.
Los dopantes mviles son elctricamente activos y viceversa.
Captulo 16
otra para los defectos intersticiales y una ltima para los defectos
vacantes. Adems, tambin es necesario tener cuenta la formacin y
disolucin de clusters < 311 >, la generacin de defectos puntuales
producidos por la oxidacin y la recombinacin en el volumen y en las
interfases.
Algunos comentarios sobre la difusin de defectos
Los defectos puntuales tienen difusividades mayores que los
dopantes y pueden difundirse a mayores profundidades en la estructura
durante la simulacin. Si la geometra utilizada es poco profunda,
podemos obtener resultados carentes de significado fsico como por
ejemplo una elevada concentracin de defectos en regiones donde los
dopantes estn presentes y como consecuencia un aumento ficticio de su
difusividad. Por lo tanto, es posible que necesitemos ampliar la
profundidad de la estructura simulada para proporcionar un sumidero
adecuado a los defectos puntuales. Para determinar esta profundidad
debemos estimar la longitud de difusin caracterstica del defecto usando
la siguiente expresin
l = Dx t (16.3)
donde Dx es el coeficiente de difusin del defecto y t el tiempo total de
difusin. Las simulaciones demuestran que una profundidad de entre 20 y
50 micras es suficiente en la mayora de los casos. Esta restriccin en la
profundidad mnima de la estructura plantea una amenaza a la eficacia del
clculo siempre que se empleen los modelos de difusin que incluyen
defectos puntuales. No obstante, puesto que no se necesita una gran
precisin en el perfil de defectos cerca del fondo de la estructura,
As + + V = R AsV (16.4)
2.- El modelo de activacin semiemprico tabulado se utiliza para
todos los dopantes excepto el arsnico. El programa interpola en una tabla
Captulo 16
de datos experimentales que contiene la temperatura y el correspondiente
th
umbral de desactivacin calculando el valor C A que corresponde a la
temperatura de simulacin.
16.2.9 Modelo de activacin transitoria
El modelo transitorio de activacin supone que los dopantes
justamente despus de ser implantados son inactivos. Despus de que un
in se implanta en el silicio, se requiere cierto tiempo antes de que lleguen
a ser elctricamente activos. Por tanto, este modelo asume que todos los
dopantes son inicialmente inactivos y puede que no se activen
inmediatamente sino que llegan a serlo gradualmente despus de cierto
tiempo. El modelo transitorio de activacin simula este comportamiento y
se aplica para activar los dopantes implantados. Para ello debemos
resolver la siguiente ecuacin para la concentracin activa CA:
( CC C A ) CC C Aeq
= (16.5)
t A
eq
donde CC es la concentracin qumica del dopante y C A es la
concentracin activa en equilibrio. El parmetro A , conocido como
constante de tiempo para la activacin, es una funcin de la temperatura y
se calcula mediante una expresin de tipo Arrhenius.
A = A0 exp
TRACT .E
(16.6)
kT
Captulo 16
para la difusin de la impureza en polisilicio. En este modelo, se describe
matemticamente la microestructura del polisilicio usando una
aproximacin de homogeneizacin local.
En esta aproximacin, cada cristal de polisilicio est formado por
dos componentes, el interior y el contorno del cristal. La red formada por
los contornos de los granos se caracteriza por una funcin escalar que
describe el tamao del grano y una funcin vectorial que describe la
direccin del contorno. En consecuencia, la difusin de cada impureza se
divide en dos componentes: dentro del grano y en el contorno del grano.
Durante un tratamiento trmico, la recristalizacin del polisilicio tambin
se modela para incluir el crecimiento del tamao de los cristales.
16.3 Modelos de Oxidacin
( )
F1 = h C * CO no (16.7)
C* = K P (16.8)
donde K es una constante. La difusin de las molculas del oxidante en el
SiO2 es producida por un gradiente de la concentracin y expresada
mediante la ley de Ficks como:
F2 = Deff C (16.9)
donde Deff es el coeficiente de difusin del oxidante (O2 o H2O) en la
lmina de xido.
16.3.1 Modelos numricos de oxidacin
En la seccin previa, se ha presentado una introduccin al
modelado unidimensional de la oxidacin. A continuacin se tratar de
describir los modelos bidimensionales.
Los modelos numricos de oxidacin necesitan resolver la
ecuacin de difusin del oxidante en incrementos temporales en los
puntos del mallado contenidos en la capa de SiO2 conforme este aumenta
de tamao. La ecuacin de la difusin del oxidante viene dada por:
C
= F (16.10)
t
donde C es la concentracin de oxidante en el SiO2, t es el tiempo de la
oxidacin y F es el flujo del oxidante. La ecuacin (16.10) se resuelve
sustituyendo la expresin (16.9) para F, y definiendo condiciones de
contorno apropiadas en las interfases con el SiO2.
2V = P (16.11)
donde P es la presin hidrosttica, V es la velocidad del oxidante y la
viscosidad del xido.
16.3.2 Relacin lineal
Para tiempos breves y bajas temperaturas de oxidacin, el
crecimiento del xido mantiene una relacin lineal con el tiempo de
oxidacin. Los procesos que tienen lugar en las interfases (transporte del
Captulo 16
oxidante a travs de la interfase gas/SiO2 y del oxidante en la interfase
Si/SiO2) constituyen un factor determinante en la descripcin de la
cintica del crecimiento. En este rgimen el espesor del xido se puede
aproximar como:
x0 ( B A ) t (16.12)
donde (B/A) es la constante de la relacin lineal.
Este factor de crecimiento lineal depende de diferentes
parmetros fsicos que ser comentados a continuacin.
Se sabe que la orientacin del substrato afecta la cintica de
oxidacin. La influencia de la orientacin sobre la constante de
crecimiento se modela mediante (B/A)ori (p. ej. (B/A)ori =1 para substratos
<111>)
Utilizando valores elevados de la presin durante la oxidacin se
pueden hacer crecer lminas gruesas de SiO2 manteniendo una
temperatura baja de manera que se evite la redistribucin de dopantes. La
dependencia con la presin viene expresada como
B L. PDEP
=P (16.13)
A P
donde P es la presin parcial del gas oxidante.
El uso de cloro durante la oxidacin consigue mejorar la
pasivacin y aumentar la resistencia dielctrica del xido. Para
oxidaciones en ambiente seco, el HCl reacciona con el O2 y produce H2O
y Cl2 como productos. Para modelar la constante de crecimiento (B/A)Cl se
utiliza un modelo tabulado como funcin de la temperatura y del
porcentaje de HCl.
B B B B B B
= (16.14)
total A i A ori A P A Cl A doping
A
x02 Bt (16.15)
Captulo 16
BP = P P. DEP (16.17)
donde P es la presin parcial del gas que oxida expresada en atmsferas.
Se ha observado que la presencia de HCl durante la oxidacin
tambin afecta la velocidad de crecimiento del xido. Diferentes estudios
suponen que el HCl provoca una tensin en la estructura cristalina del
xido que a su vez aumenta el coeficiente de difusin del oxidante. La
dependencia de la constante B con la concentracin de HCl se modela de
una manera similar al caso anterior de dependencia lineal con el tiempo
de oxidacin. El procedimiento es muy sencillo, dada una concentracin
de HCl, se utiliza una relacin previamente tabulada para determinar el
factor de realce que modifica la constante parablica.
Captulo 16
durante el proceso de oxidacin.
Un ejemplo tpico donde es importante utilizar un grid fino y
preciso es durante el crecimiento del oxido de puerta de un MOSFET con
una puerta de polisilicio con elevada concentracin de dopado. Por
defecto, SSUPREM4 utiliza un espaciado en el grid de 0.1 m. De esta
forma, se aade un nuevo punto al grid del xido cuendo este crezca un
espesor de 0.1 m (1000 ). Esta distancia entre puntos del grid es
apropiada para xidos de campo.
Sin embargo, usar este espaciado para la formacin del xido de
puerta en la tecnologa MOS actual da lugar a la ausencia de puntos del
grid en el interior del SiO2. Sin un mallado fino en el xido de puerta, al
resolver la ecuacin de difusin posteriormente, nos encontramos con que
el dopante del polisilicio puede penetrar en el substrato subyacente del
silicio. Este efecto de la simulacin conduce a valores de la tensin
umbral muy diferentes de los esperados.
Con frecuencia los dopantes se implantan sobre capas de xido
crecidas trmicamente. Existen dos razones importantes por las cuales es
necesario tener un espaciamiento apropiado en el grid del xido a travs
del cual el dopante se implanta. En primer lugar, sto ayudar en la
determinacin correcta del perfil de dopante en la capa de xido y el
silicio subyacente. En segundo lugar, es necesario un grid apropiado para
simular la difusin del dopante en el xido durante los procesos
posteriores. Durante el recocido el dopante se difunde en el SiO2 y el
silicio, e incluso puede llegar a evaporarse en el ambiente a travs de la
interfase gas/SiO2. Si el grid en el xido no es el apropiado, la cantidad
de dopante evaporado se puede subestimar, resultando una concentracin
de dopante conservada en el substrato mayor de la real. El origen del
( xVM + yVSi ) VM
Captulo 16
Si y
V = x
100 (16.20)
xVM + yVSi
donde V es el cambio de volumen molecular, VM , VSi , VM x Si y el
volumen molecular del metal, el silicio y el siliciuro respectivamente y (x,
y) o las proporciones estequiomtricas, el nmero de tomos de metal y
silicio en el siliciuro MxSiy .
16.5 Modelos de Implantacin Inica
df ( x ) ( x a) f ( x)
= (16.22)
dx b0 + b1 x + b2 x 2
Captulo 16
C ( x ) = 1 f1 ( x ) + 2 f 2 ( x ) (16.23)
donde la dosis es representada por cada funcin de Pearson f1,2(x). f1(x) y
f2(x) estn normalizadas, cada una con su propio conjunto de momentos.
La primera funcin de Pearson representa la parte de dispersin aleatoria
alrededor del pico del perfil y la segunda funcin representa la regin de
la cola del canal.
16.5.4 Convolution Method
Athena calcula perfiles implantados bidimensionales usando un
mtodo de convolucin. La direccin de la implantacin dentro del plano
de simulacin queda descrito mediante los ngulos de inclinacin y
rotacin . es el ngulo entre la direccin del haz de iones y el eje Y,
es el ngulo entre la direccin del haz de iones y el plano de simulacin.
La manera ms sencilla de construir una distribucin
bidimensional es mediante el producto de una funcin longitudinal f1(x)
que puede ser una Gaussiana, Pearson o doble Pearson y una funcin
transversal ft(y) independiente de la profundidad
y2 ( x ) = co + c1 ( x R p ) + c2 ( x R p )
2
. (16.25)
Captulo 16
eleccin de una funcin u otra no est clara y normalmente se realiza
mediante comparaciones con distribuciones obtenidas a partir de
simulaciones MC. Athena suele utilizar un promedio de las dos funciones
anteriormente citadas.
16.5.5 Implantes Monte Carlo
Los modelos analticos descritos en la seccin anterior dan
resultados muy buenos cuando se utilizan en implantaciones inicas sobre
estructuras planas (silicio desnudo o cubierto por una delgada lmina de
otro material). Sin embargo, en estructuras formadas por muchas capas de
diferentes materiales, geometras que no sean planas y en los casos que no
se han estudiado todava experimentalmente se requieren modelos ms
sofisticados. La aproximacin ms flexible y extendida para simular la
implantacin de iones en condiciones no estndar es la tcnica Monte
Carlo. Este mtodo permite el clculo de los perfiles de implantacin en
una estructura arbitraria con exactitud comparable a la de los modelos
analticos en estructuras de una capa. Athena utiliza dos modelos para la
simulacin Monte Carlo de la implantacin inica: Materiales amorfos y
materiales cristalinos. Los dos se basan en la aproximacin binaria de la
colisin (BCA), pero aplican distintas aproximaciones a la estructura del
material y a la propagacin del in en ella.
1.- Naturaleza fsica del problema
Un haz de iones rpidos (en un rango de energas aproximado de
entre 50 eV/amu y 100 keV/amu) penetrando en el slido cristalino o
amorfo es frenado y dispersado por las colisiones nucleares y la
interaccin electrnica. A lo largo de su trayectoria, un proyectil
individual interacciona con los tomos del material objetivo que a su vez
Captulo 16
16.5.7 Monte Carlo para materiales cristalinos
Para calcular la distribucin en reposo de los proyectiles, Athena
simula colisiones atmicas en objetivos cristalinos usando la
aproximacin binaria de la colisin (BCA). El algoritmo sigue la
secuencia de los iones lanzados desde un haz externo sobre el material
objetivo. Los objetivos pueden tener regiones compuestas de diferentes
materiales, cada uno con su propia estructura cristalina o amorfa. El
frenado de los proyectiles se sigue hasta que abandonan el material o su
energa disminuye por debajo de un cierto valor umbral.
16.5.8 Daos producidos por implantacin inica
Los daos sobre la estructura cristalina provocados por la
implantacin de iones pueden desempear un papel importante en los
diferentes mecanismos relacionados con la difusin y la oxidacin.
Athena presenta varias maneras de incluir los daos generados para que se
puedan utilizar en un clculo posterior de la difusin. Los daos inducidos
por la implantacin tienen su origen en las colisiones atmicas en
cascada. Si estas colisiones en cascada alcanzan elevadas densidades
puede dar lugar a una transformacin del material cristalino en otro
amorfo. La simulacin precisa de la colisin en cascada junto con una
estimacin simultnea de la generacin de diferentes tipos de defectos
puntuales, clusters y de defectos espaciales se puede realizar solamente en
la aproximacin de colisin binaria (BCA) o con simuladores de dinmica
molecular (MD). Estas simulaciones consumen gran cantidad de tiempo y
recursos y su uso no es prctico dentro de los simuladores de propsito
general. Generalmente, los daos generados y la distribucin de los
Captulo 16
RESUMEN 461
REFERENCIAS
[1] S. Wolf. Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 4.
Lattice Press, 2002.
[2] Athena Users Manual 2D Process Simulation Software.
Silvaco International, Santa Clara, CA USA December 2002.
[3] http://www.silvaco.com
Captulo 16
17 SIMULACIN DE
Captulo
DISPOSITIVOS CON PISCES
MOSFET (POSTMINI)
ndice
17-1 Desarrollo de PISCES 17-5 La Herramienta POSTMINI
17-2 Descripcin del simulador 17-6 Ejemplos
17-3 Tipos de simulacin 17-7 Ejecucin de PISCES
17-4 El Archivo de entrada
Objetivos
Presentar el simulador de dispositivos PISCES
Describir los modelos fsicos incluidos
Comentar los distintos modelos de movilidad y Generacin-Recombinacin
incluidos.
Enumerar los distintos tipos de simulacin disponibles.
Describir la estructura de los archivos de entrada que caracterizan los dispositivos
a simular.
Introducir la herramienta POSTMINI para la posterior presentacin de los
resultados de la simulacin.
Desarrollar algunos ejemplos de simulaciones en dispositivos anteriormente
estudiados en captulos anteriores.
Palabras Clave
Simulador PISCES Modelos de movilidad Simulacin AC
Modelos de movilidad dependientes del campo Simulacin transitoria
Modelo de Difusin-Deriva transversal Archivo de entrada
Modelo DUET Modelos de movilidad Herramienta POSTMINI
Variables de estado para el dependientes del campo Representacin 1D, 2D, 3D
modelo DUET longitudinal
Modelos de movilidad para Modelos de Generacin-
bajos campos Recombinacin
Simulacin estacionaria
17.1 Desarrollo de PISCES
Captulo 17
PISCES es un simulador para dispositivos semiconductores
capaz de resolver el transporte en estructuras tanto uni y bidimensionales.
El modelo utilizado en las primeras versiones fue el de difusin-deriva
(DD) comentado en el Captulo 16.
En PISCES-2ET se utiliza el modelo DUET basado en la
aproximacin de momentos para resolver la ecuacin de transporte de
Boltzmann (BTE). Para describir el dispositivo semiconductor se utilizan
seis variables de estado:
Potencial electrosttico,
Concentraciones de portadores, n y p
Temperatura de los portadores, Tn y Tp
Temperatura de la red cristalina, TL
Todas ellas son funciones del espacio y del tiempo y se
consideran como variables independientes. El resto de magnitudes tales
como la corriente son calculadas una vez conocidas las seis anteriores.
Para conocer las distribuciones de las distintas variables bajo
unas condiciones de polarizacin dadas es necesario resolver seis
ecuaciones acopladas con las condiciones de contorno apropiadas.
Con el modelo de difusin y deriva (DD) para el transporte de
portadores y usando las ecuaciones de continuidad y la de Poisson es
( N , TL , E , E / Tc ) = f ( 0 ( N , TL , E ) , E / Tc ) (17.1)
Captulo 17
el segundo tiene en cuenta los efectos de dispersin por
fonones acsticos (ac) y el tercero efectos debidos a la
dispersin producida en la superficie e interfases (srf).
La movilidad final es obtenida aplicando la regla de
Mathiessen.
1 1 1 1
= + + (17.3)
( N , TL , E ) ac ( N , TL , E ) srf ( E ) 0 ( N , TL )
Modelo de Movilidad Superficial de Watt: Este modelo
supone que toda la lmina en inversin se encuentra
dentro del espacio situado entre la interfase con el xido
y el primer punto del mallado correspondiente al Si. Por
tanto, al contrario de lo que se suele utilizar, el primer
punto del mallado debe estar razonablemente separado
de la interfase (unos cientos de ngstrom) en vez de ser
una zona densa desde el punto de vista de la
discretizacin. La movilidad utilizada depende del
campo efectivo que corresponde con el campo medio en
la capa de inversin y es calculada de nuevo a partir de
la regla de Mathiessen a partir de trminos de dispersin
por fonones, rugosidad superficial y dispersin por
impurezas ionizadas en la lmina de inversin.
0 ( N , TL , E )
( N , TL , E , Tc ) =
3 (17.5)
1 + ( N , TL , E ) k B (Tc TL )
2
np - ni2
U SRH =
q( Et Ei )
q( Ei Et )
(17.7)
p n + ni e kT + n p + pi e kT
Modelo de Recombinacin Auger: Este es un proceso
de recombinacin en el que intervienen tres partculas,
dos electrones y un hueco o dos huecos y un electrn.
Foto-Generacin: En este caso se modela un trmino de
generacin forzada por el flujo de fotones que inciden
sobre el semiconductor. La tasa de generacin es
proporcional a dicho flujo y decae exponencialmente
con la profundidad en el dispositivo a travs de la
trayectoria de incidencia. Este decaimiento est
caracterizado por el coeficiente de absorcin.
Captulo 17
17.3 Tipos de Simulacin
<estimate>
<transient>
<ac>
<files> (optional)
Captulo 17
final indicando el paso al que corresponde la solucin.
Currents = <logical> (por defecto false). Si se activa esta opcin,
se calculan las corrientes de electrones, huecos y de desplazamiento as
como el campo elctrico guardndose en el archivo de solucin.
AScii = <logical> (por defecto false). Cuando esta opcin est
activada el archivo de salida resulta ser de tipo ASCII en lugar de binario.
17.4 El archivo de entrada
9 REGION
9 ELECTRODE
ELIMINATE y SPREAD son opcionales, pero si
aparecen deben hacerlo en ese orden.
DOPING debe aparecer justo despus de la definicin
del mallado.
Antes de calcular una solucin es necesario realizar una
factorizacin simblica. A no ser que se calcule una
solucin para el caso en equilibrio se debe utilizar una
previa para aportar una estimacin inicial.
Cualquier CONTACT debe preceder a la orden
SYMBOLIC.
Los parmetros fsicos no deben ser cambiados
utilizando MATERIAL, CONTACT o MODEL despus
de haber utilizado una vez SOLVE o LOAD.
MATERIAL y CONTACT deben preceder al comando
MODEL.
PLOT 2D debe preceder a cualquier trazado de
contornos para establecer los lmites del trazado.
PLOT 2D, PLOT 1D, REGRID o EXTRACT necesitan
acceder a las variables de resolucin (potencial
Captulo 17
archivo de datos 2D.
3D Plot: Representa una cantidad como una superficie
en 3D.
Compare: Dibuja varias curvas sobre el mismo grfico
pudiendo proceder stas del mismo archivo o de
diferentes. Tambin es posible dibujar diagramas de
barras.
Overlay: Permite representar varios diagramas de
contorno sobre la misma grfica.
Find: Busca el punto en que una determinada cantidad
alcanza un valor.
Integrate: Integra una determinada cantidad en una
regin o a lo largo de una lnea.
Line: Escribe en un archivo una seccin de un conjunto
de datos bidimensional a lo largo de cualquier lnea
vertical u horizontal.
Minmax: Determina el valor mximo o mnimo de una
cantidad interna.
Print: Escribe un conjunto de datos bidimensionales en
un formato determinado en un archivo.
Captulo 17
COMMENT DEFINICION zona n
REGION NUM=1 IX.LO=1 IX.HI=18 IY.LO=1 IY.HI=20 SILICON
MODELS CONSRH
LOG OUTF=CURRENT.DAT
SOLVE INIT
Captulo 17
SOLVE INIT
Captulo 17
Figura 17.6.3 Representacin 3D de la concentracin de
electrones en un MOSFET
Captulo 17
RESUMEN 483
REFERENCIAS
18 SIMULACIN DE PROCESOS
CON ATHENA
Captulo
90 nm CMOS
ndice
18-1 Descripcin de ATHENA 18-3 Uso de ATHENA con DeckBuild
18-2 Descripcin de las posibilidades de 18-4 Creacin de la estructura de un
ATHENA dispositivo
Objetivos
Presentar un simulador de procesos comercial
Mostrar las diferentes capacidades de ste
Describir su uso bajo el entorno DeckBuild
Ilustrar la creacin paso a paso de un transistor MOS
Palabras Clave
ATHENA. DeckBuild. Difusin.
SSUPREM. SSF. Oxidacin.
ELITE. TonyPlot. Grabado.
OPTOLITH. Postmini. Realajacin del mallado.
FLASH. Grid adaptativo. Reflexin de estructuras.
CMP. Deposicin de pelculas
CVP. simples.
18.1 Descripcin de ATHENA
Captulo 18
regiones de polisilicio.
Clculos basados en modelos fsicos incluyendo
difusin simultnea de impurezas, segregacin e
inyeccin de defectos puntuales para procesos de
silicidacin.
18.3 Uso de ATHENA con DeckBuild
Captulo 18
real.
18.4.1 Definicin de un mallado rectangular
Para la definicin del mallado se debe marcar en el men
Commands y, una vez desplegado ste, se elige la opcin Mesh Define.
En este momento se puede especificar el mallado inicial. La correcta
especificacin de ste es fundamental para obtener una simulacin lo ms
precisa posible y est directamente relacionada con el nmero de nodos.
Es recomendable definir un mallado fino en las zonas en que se vaya a
producir una implantacin inica, en las uniones p-n o donde la
iluminacin vaya a cambiar las propiedades de la resina fotosensible. El
nmero mximo de nodos que se pueden utilizar es de 20.000 aunque lo
normal es utilizar muchos menos.
Para crear un mallado uniforme de 1 micra por 1 micra primero
se debe seleccionar el campo Location introduciendo el valor 0.0 y a
continuacin seleccionar el campo Spacing dndole el valor 0.1. Haciendo
click sobre el botn Insert. Del mismo modo se debe repetir la operacin
Captulo 18
escribir la definicin de este en el archivo de entrada pulsando sobre
Write. El archivo queda de la siguiente forma:
GO ATHENA
# NON-UNIFORM GRID
LINE X LOC=0.00 SPAC=0.1
LINE X LOC=0.3 SPAC=0.02
LINE X LOC=1 SPAC=0.1
LINE Y LOC=0.00 SPAC=0.03
LINE Y LOC=0.2 SPAC=0.02
LINE Y LOC=1 SPAC=0.1
Captulo 18
Figura 18.4.4 Men de configuracin para una deposicin
de xido
El siguiente paso ser la deposicin de una capa de polisilicio
dopado con fsforo de 0.5 micras de espesor. Se debe elegir dicho
material y la concentracin puede fijarse en el cuadro de dilogo. Es
posible seleccionar un mallado ms fino para esta zona fijando el nmero
de capas en 10 con un espaciado nominal de 0.02 micras y localizndolo
en la posicin 0.0 correspondiente a la superficie. El cdigo queda de la
siguiente forma:
# POLY DEFINITION
ETCH POLY RIGHT P1.X=0.3
Captulo 18
# POLY DEFINITION
ETCH POLY START X=0.2 Y=-1
ETCH CONT X=0.4 Y=1
ETCH CONT X=2 Y=1
ETCH DONE X=2 Y=-1
# RELAX EVERYWHERE
RELAX DIR.X=T DIR.Y=T
Captulo 18
# RELAX LOWER HALF OF THE STRUCTURE
RELAX X.MIN=0.00 X.MAX=1.00 Y.MIN=0.3 Y.MAX=1.00 DIR.X=T
DIR.Y=T
una regin
El rea a relajar debe tener, al menos, 5 x 5 puntos
No se permite formar tringulos obtusos
18.4.6 Reflexin de Estructuras
Hasta este punto se ha realizado el equivalente a la mitad de una
estructura MOSFET. En algn momento antes de definir los contactos o
exportar la estructura a un simulador de dispositivos se debe obtener la
estructura completa. En general esto se debe de realizar cuando la
estructura vaya a dejar de ser simtrica.
Para realizar esto con la estructura que se ha ido creando hasta
ahora se debe seleccionar Mirror en el men de instrucciones y se
aadir lo siguiente a la lnea de comandos:
Captulo 18
en un simulador de dispositivos para ser caracterizada elctricamente.
Para ello es necesario definir los electrodos que servirn de contactos para
aplicar las distintas polarizaciones externas.
ATHENA puede asignar un electrodo a cualquier estructura de
siliciuro, metal o polisilicio. Por ejemplo si se deposita una lmina de
aluminio de 0.1 micras de espesor en toda la estructura y despus se
realiza un grabado en parte de ella utilizando la opcin Any Shape
Captulo 18
Figura 18.4.14 Estructura de dispositivos de carga
acoplados (CCD)
Captulo 18