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Guiones de prcticas.

Departamento de Electrnica y Tecnologa Componentes y Circuitos Electrnicos


de Computadores
Grado en Ingeniera de Tecnologas de Telecomunicacin

Prctica 1. Estudio y modelado del comportamiento en frecuencia


de un inductor.

1. Objetivos
En esta prctica se determinar el comportamiento en frecuencia (hasta 30 MHz) de un inductor real
(bobina) para comprobar si responde igual que una inductancia ideal. Para ello se medir el mdulo de
la impedancia de la bobina en funcin de la frecuencia. A partir de las medidas realizadas, se calcularn
los parmetros del modelo lineal de un inductor a alta frecuencia. Finalmente, se realizar con Spice la
simulacin de la bobina real y se compararn los resultados con los experimentales.

2. Introduccin
Como se ha visto en teora, un inductor ideal presenta una impedancia igual a jL en todo el rango
de frecuencias. Para frecuencias bajas, esta resulta ser una buena aproximacin de la impedancia de un
inductor real. Sin embargo, a altas frecuencias aparecen algunos comportamientos parsitos que desvan la
impedancia real que presenta el inductor del modelo ideal. Este comportamiento puede reproducirse con
un modelo lineal (formado por componentes ideales) que reproduce la influencia de algunos elementos
parsitos, como se muestra en la figura 1. En esta prctica se medir la impedancia de un inductor en
funcin de la frecuencia y se determinarn los valores correspondientes de los componentes parsitos.

L Rs

L
Cd

Figura 1: Circuito equivalente para un inductor real a alta frecuencia.

3. Trabajo previo (Pre-Lab)


1. Determine la admitancia total, Y (), en funcin de la frecuencia del circuito de la figura 1. Demuestre
que la frecuencia de resonancia (para la cual se anula la parte imaginaria de Y ()) es:
v
u
t 1 R2s
0 = 2 (1)
LCd L

1
2. Demuestre que a la frecuencia de resonancia, la parte real de la admitancia vale:

Cd R s
Y (0 ) = (2)
L
y que, por tanto, la resistencia equivalente total del circuito de la figura 1 es, a la frecuencia de
resonancia:
L
RT = (3)
Cd R s

3. Represente grficamente la funcin |Z()| obtenida en el punto 1 desde f = 10 kHz hasta f =


100 MHz usando los siguientes valores: L = 10 H, Cd = 100 pF y Rs = 2 . Alternativamente, puede
simular con Spice el siguiente circuito y representar en Probe la funcin V(V1:+)/I(V1), donde V1
es la fuente AC que se conecta al circuito.

4. Procedimiento experimental
Como paso preliminar se medir la inductancia L de la bobina utilizando el medidor de impedancias
del laboratorio. De esta forma, tendremos una referencia para poder comprobar si las siguientes medidas
son correctas.
Para medir experimentalmente la impedancia de la bobina en funcin de la frecuencia necesitamos
aplicar una tension y medir al mismo tiempo la corriente que pasa por ella y la diferencia de potencial
entre sus extremos. Para medir la corriente se utilizar una resistencia puesta en serie con la bobina, de
forma que la intensidad de la corriente que atraviesa los dos componentes sea la misma.

1. Montar el circuito de la figura 2 utilizando una resistencia R1 = 1 k. Como seal de entrada, selec-
cionar una seal sinusoidal con una amplitud de 2 V.

canal 1 canal 2
R1

2V L

Figura 2: Esquema del circuito.

2. Una vez montado el circuito, rellenar una tabla con los datos experimentales medidos al variar la
frecuencia de la seal sinusoidal entre 10 kHz y 30 MHz (ms o menos cinco puntos por dcada).
Realice una tabla en la que para cada frecuencia debe indicar la amplitud de la seal representada en
el canal 2 (tensin en la bobina) y la amplitud de la seal correspondiente a la cada de tensin en la
resistencia. Esta ltima seal se obtiene empleando las opciones matemticas (resta) del osciloscopio.
Aada una columna en la que indique el valor de la resistencia de test R1 .

3. Finalmente, complete la tabla con una columna en la que se calcula el mdulo de la impedancia de la
bobina (se calcula como el cociente entre la amplitud de la tensin que cae en la bobina y el mdulo
de la corriente que circula, calculada a su vez como la amplitud de la tension que cae en la resistencia
dividida por el valor de la resistencia).

Observe las siguientes recomendaciones.

Prestar atencin a la escala vertical de los canales a la hora de medir las amplitudes de las seales
(especialmente la obtenida al restar los dos canales). Si se usan los cursores, asegurarse de que el
dato que proporcionan est calculado segn la escala del canal que se est midiendo.

2
La amplitud de la diferencia de tensin entre el canal 1 y el canal 2 (que en el presente caso es la
tensin que cae en la resistencia) NO es igual a la diferencia de las amplitudes de los dos canales.

Prestar atencin a las diferencias entre frecuencia f y frecuencia angular (pulsacin) .

Representando el mdulo de la impedancia en la regin de bajas frecuencias se puede observar un


comportamiento lineal dado por |Z()| = L, as que un ajuste lineal de los primeros puntos medidos
proporcionar el valor de la inductancia L. Si las medidas y el ajuste se han llevado a cabo correctamente,
dicho valor debera ser compatible con la medida inicial de L.
A continuacin, representar el mdulo de la impedancia frente a la frecuencia para todas las medidas
efectuadas. En este caso, para observar correctamente todo el rango de frecuencias, es conveniente utilizar
la escala logartmica para el eje orizontal. Se observar que el modulo de la impedancia, |Z| crece hasta
un pico, a partir del cual empieza a decrecer con un comportamiento de tipo capacitivo, o sea, pasa a ser
proporcional al inverso de la frecuencia. Para poder extraer los parmetros de los componentes pasivos
correspondiente al modelo de la figura 1, vamos a necesitar la impedancia mxima y el valor correspon-
diente de la frecuencia, por lo que volveremos a medir los puntos que sean necesarios para capturar con
detalle el pico de resonancia con el procedimiento descrito anteriormente. En esta regin de frecuencias,
el mdulo de la impedancia de la bobina crece mucho, por lo que en la resistencia R1 apenas cae tensin
y puede resultar difcil medirla. Por esto, es conveniente ahora sustituir la resistencia de 1 k por otra de
mayor valor (R1 = 47 k).
A partir de los datos medidos:

1. Obtener el valor de la capacidad parsita (Cd ) a partir del valor de la frecuencia de resonancia
empleando la ecuacin (1). Para ello, desprecie en dicha ecuacin el trmino R2s /L 2 , de forma que:
v
t 1
0 ' . (4)
LCd

Si el valor calculado de Cd es correcto, los valores de impedancia medidos a altas frecuencias deberan
ajustares a la curva de impedancia del condensador correspondiente (Z = 1/( jC)).

2. Obtener el valor de la resistencia Rs utilizando el mdulo del pico de impedancia y despejando Rs de


la ecuacin (3). Compruebe la bondad de la aproximacin realizada en el punto anterior.

5. Trabajo posterior
1. Simule con Spice el comportamiento real de la bobina, segn el modelo lineal expuesto anteriormen-
te. Los valores de los diferentes componentes parsitos son los que se han obtenido en el laboratorio.

2. Represente la impedancia de la bobina real en funcin de la frecuencia y comprela con los resultados
experimentales que ha obtenido en el laboratorio.

Observacin
Para representar en una misma grfica los datos experimentales y los obtenidos mediante simulacin
con Spice puede capturar stos del siguiente modo: en la ventana del programa Probe represente las cur-
vas con los datos que quiere exportar. Posteriormente, seleccinelas (men Edit/Select All) y finalmente
cpielas en el portapapeles de Windows (ctrl+C o Edit/Copy). Los datos pueden, finalmente, pegarse en
cualquier programa de grficos (como Excel). Si los datos no se copian bien puede ser debido a la con-
figuracin del sistema para el formato de los nmeros. En Panel de control/configuracin regional y de
idioma/opciones regionales pulse el botn personalizar y como smbolo decimal establezca un punto (.) y
ningn smbolo para la separacin de miles (hay que escribir un espacio en blanco).

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Prctica 2. Diodos: medida de la caracterstica IV y


aplicaciones.
1. Objetivos
Determinar las curvas caractersticas IV de varios diodos. Aproximar las caractersticas IV me-
didas con modelos lineales a tramos y exponenciales. Estudiar circuitos sencillos con diodos para ver
algunas de sus aplicaciones tpicas: rectificacin y limitacin de tensin.

2. Introduccin
La caracterstica IV de un diodo est descrita por la siguiente ecuacin:
 V 
D
ID = IS e nVT
1 (1)

donde,
IS es la corriente inversa de saturacin
kB T
VT = q

n es el factor de idealidad que tiene en cuenta algunos efectos de segundo orden no considerados
en la frmula ideal (con n=1). El valor de n est comprendido entre 1 y 2.
Si VD >> nVT , la ecuacin 2 puede aproximarse por:
VD
ID = IS e nVT (2)

Sin embargo, normalmente conviene (especialmente para realizar clculos a mano) linealizar a
tramos la curva correspondiente a la expresin anterior, como se ilustra en la Figura 1. De este modo,
se supone que el diodo no conduce si VD no es mayor que cierta tensin umbral (V ). Para tensiones
mayores, la relacin entre ID y VD viene dada por una recta de pendiente 1/rd .
Existen varios tipos de diodos, que se diferencian por presentar diferente caractersticas IV (como
muestra la Figura 2). Los que vamos a utilizar en esta prctica son los siguientes:
Diodo rectificador Como su propio nombre indica, este diodo se usa para la rectificacin de seales,
esto es, para eliminar la componente negativa de la misma. Para que altere lo menos posible la
parte positiva de la seal, interesa que tenga un bajo valor de V y de rd (elevada pendiente).
Diodo Zner Este diodo se utiliza para estabilizar el valor de una tensin en un punto dado. Estos
diodos pueden conducir en inversa con una tensin negativa de varios voltios (VD = Vz ).
Diodo LED Estos diodos son emisores de luz. Cuando conducen, los procesos de recombinacin
generan luz visible. Estn constituidos por materiales de gap ancho y para que conduzcan es
necesario aplicar una tensin V mayor que la de un diodo convencional. Adems, generalmente
presentan un valor de rd mayor (menor pendiente en la caracterstica IV ).

1
Figura 1: Linealizacin de la curva IV de un diodo.

Figura 2: Curvas IV de distintos tipos de diodo.

Figura 3: Montaje experimental para medir la caracterstica IV .

2
Figura 4: Montaje experimental: circuito rectificador.

3. Procedimiento experimental
3.1. Estudio de la caracterstica IV
Para realizar el estudio experimental de la caracterstica IV vamos a comenzar montando el cir-
cuito de la Figura 3 usando una resistencia de entre 1 k y 10 k, un diodo LED y una fuente de
tensin variable. Vamos a realizar un barrido en tensiones empezando en 0 V; en cada paso anotare-
mos el valor de la cada de tensin en el diodo, as como el valor de la cada de tensin en la resistencia
(a partir del que obtendremos el valor de la corriente que circula por el circuito, y por tanto a travs
del diodo). Anotar en una tabla los datos medidos y aadir una columna con la corriente del diodo;
el barrido de tensiones aplicada se terminar al obtener intensidades de corriente del orden de 1 mA.
Representar en una grfica la corriente en funcin de la tensin que cae en el diodo. Realizar un
ajuste exponencial de la curva y obtener los parmetros Is y n (ver Trabajo previo). A continuacin,
considerar la zona correspondiente a la conduccin en directo con comportamiento prcticamente
lineal y obtener la recta que pasa por estos puntos a partir de un ajuste por mnimos cuadrados. La
pendiente es igual a 1/rd y el punto de corte con el eje X nos proporciona el valor de V .
Sustituir el diodo LED con un diodo Zner y repetir el procedimiento experimental anterior para
medir la curva IV . En este caso es necesario considerar tambin valores negativos de la tensin
aplicada para estudiar la conduccin cuando VD es menor de VZ . Estimar los parmetros IS y n
del modelo exponencial y rd y V del modelo lineal como en el caso del diodo LED y, utilizando las
medidas tomadas para valores negativos de la tensin aplicada, estimar el valor de VZ .

3.2. Circuito rectificador de media onda


Para estudiar el circuito rectificador de media onda utilizaremos el montaje experimental de la
Figura 4 donde R1 es una resistencia de 47 k. La seal de entrada es de tipo sinusoidal con una
frecuencia igual a 400 Hz, la mxima amplitud que proporcione el generador y sin offset. Deben rea-
lizarse las siguientes tareas, teniendo en cuenta que para poder apreciar bien lo que est pasando es
conveniente visualizar las seales de los dos canales usando la misma escala en amplitud.

1. Observar en el osciloscopio las tensiones de entrada y salida en funcin del tiempo. Representar
en una grfica las seales de entrada y salida mostradas en la pantalla del osciloscopio.

2. Variar la amplitud de la seal de entrada y comprobar qu sucede con la tensin de salida.

3. Utilizar el modo XY del osciloscopio para representar la tensin de salida frente a la de entrada.

4. Poner un condensador de 10 nF en paralelo con la resistencia (Figura 5) y comprobar el efecto


que esto tiene sobre la seal de salida.

5. Cambiar el condensador de 10 nF por otro de 100 nF y comprobar el efecto que esto tiene sobre
la seal de salida.

3
Figura 5: Montaje experimental: circuito rectificador con condensador.

Figura 6: Montaje experimental.

6. Explicar qu sucede y por qu.

3.3. Circuito limitador de tensin


Para estudiar el circuito limitador de tensin realizaremos el montaje experimental de la Figura 6.
En este caso, utilizaremos un diodo Zner con la tensin de conduccin en inversa medida en ante-
riormente. La tensin de entrada debe ser sinusoidal y de frecuencia igual a 400 Hz. Los valores de las
resistencias a utilizar son: R1 = 1 k y R2 = 10 k. Deben realizarse las siguientes tareas, teniendo
en cuenta que para poder apreciar bien lo que est pasando es conveniente visualizar las seales de
los dos canales usando la misma escala en amplitud:

1. Seleccionar un valor de amplitud de la seal de entrada de 10 V y sin offset. Comparar las seales
de entrada y salida. Explicar qu sucede y por qu.

2. Seleccionar un valor de amplitud de la seal de entrada de 0,5 V y usar un offset mayor de VZ .


Comparar las seales de entrada y salida. Explicar qu sucede y por qu.

4. Trabajo previo (Pre-Lab)


1. Explique cmo estimara el valor de IS y de n de la ecuacin 2 si conociera los coeficientes A y
B del ajuste de la curva de sus datos a una curva de tipo exponencial ID = AeBVD .

2. Simule con Spice el circuito de la Figura 5 con R1 = 1 k y C1 = 10 nF. Utilizar una seal tipo
seno con una amplitud de 10 V y una frecuencia de 400 Hz; realizar un anlisis transitorio con
tiempo final de unos periodos. Representar la seal de entrada y la de salida en funcin del
tiempo; comentar el resultado.

4
5. Trabajo posterior
Simular con Spice los diferentes circuitos estudiados en el laboratorio. Comparar las grficas si-
muladas de las tensiones de entrada y salida en funcin del tiempo con las obtenidas en el laboratorio.

Nota: Simulacin de diodos


Para simular uno diodo con Spice hay que seleccionar la librera BREAKOUT, y dentro de esta
librera el elemento Dbreak. Si se edita el modelo correspondiente al elemento podemos observar que
contiene la siguiente lnea:

.model Dbreak D Is=1e-14 Cjo=.1pF Rs=.0


El valor del parmetro de la corriente inversa de saturacin del diodo (Is) determina la tensin a la que
el diodo conduce en directo. Si queremos simular un diodo Zener debemos seleccionar de la misma
librera el elemento DbreakZ. En este caso tenemos el mismo modelo de antes, por tanto, tenemos que
modificarlo para incorporar el comportamiento caracterstico del diodo Zener; es decir, conduccin
en inversa a partir de una determinada tensin Vz. Para esto aadimos el parmetro BV al modelo. En
este caso igual a la tensin para la que los diodos zener de las prcticas conducen (aproximadamente
7V). Por tanto, el modelo quedara as:

.model Dbreak D Is=1e-14 Cjo=.1pF Rs=.1 BV=7

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Prctica 3. Fotodiodo.

1. Objetivos
Comprender el funcionamiento del fotodiodo a travs del estudio de un circuito sencillo. Estu-
diar el comportamiento del fotodiodo ante distintos estmulos de luz. Estudiar la dependencia del
comportamiento del fotodiodo con la posicin del foco luminoso que lo excita.

2. Introduccin
2.1. Fotodiodos
Los fotodiodos son diodos de unin PN cuyas caractersticas elctricas dependen de la cantidad de
luz que incide sobre la unin. El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin
de pares electrn-hueco debido a la energa luminosa. Este hecho es lo que le diferencia del diodo
rectificador de silicio en el que solamente existe generacin trmica de portadores de carga. La gene-
racin luminosa tiene una mayor incidencia en los portadores minoritarios, que son los responsables
de que el diodo conduzca ligeramente en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de
luz. Conviene recordar que el diodo real presenta unas pequeas corrientes de fugas de valor IS . Las
corrientes de fugas son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la
zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores
minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa.
El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de
portadores. Esto es debido a que los portadores provenientes del dopado (portadores mayoritarios)
son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.

2.2. Amplificador Operacional


Para estudiar la respuesta del fotodiodo en esta prctica, vamos a medir la intensidad de corriente
que genera. Esta intensidad es muy pequea por lo que es necesario amplificarla. Para llevar a cabo
esta tarea, utilizaremos un Amplificador Operacional (A.O.). El A.O. es un circuito integrado con dos
entradas, inversora (-) y no inversora (+), y una salida de manera que a la salida se obtiene la diferencia
entre la entradas inversora y no inversora amplificada un cierto valor llamado ganancia. Idealmente se
supone que la ganancia es infinita, que las corrientes de entrada al A.O. son cero (I+ = I = 0) y que
las tensiones en las entradas inversora y no inversora son iguales (V+ = V ). Sin embargo, no es posible
obtener a la salida un valor arbitrariamente grande ya que para amplificar la entrada, es necesario
alimentar el A.O.. Esto supone una limitacin ya que no es posible poder entregar ms tensin de la
que se usa para alimentar el A.O.. Cuando la salida del A.O. se fija al valor de su alimentacin se dice
que este dispositivo est saturado.

1
Vi 1 M

15 V

Vo
+
100 10 k

Figura 1: Montaje experimental.

3. Procedimiento experimental
En esta prctica de laboratorio realizaremos el montaje experimental mostrado en la figura 1 don-
de el diodo de la izquierda es un diodo LED que utilizaremos como foco luminoso para excitar el
fotodiodo o fotodetector del circuito de la derecha. Antes de encender la fuente de alimentacin Vi
asegrese de que la fuente de tensin variable est en valores bajos (Ilimit al mnimo) para evitar que
el LED pueda daarse.
Al llegar la luz del LED al fotodiodo, ste comenzar a conducir en inversa. La cantidad de luz
recibida por el fotodiodo depende de la situacin del LED, por esta razn es importante que site el
LED apuntando directamente a la superficie del fotodetector. La luz emitida por el LED es altamen-
te direccional, es decir, que no emite lo mismo en cualquier direccin sino que se concentra en un
determinado ngulo de salida (en torno a 60o ). Podr comprobar que la tensin medida en la salida
depende de la posicin del LED pero tambin de la iluminacin del laboratorio (natural y artificial).
Pruebe a cubrir el LED y el fotodiodo con una pequea caja para realizar las medidas y de esta manera
evitar influencias externas. Product data
Como ya se ha apuntado, la intensidad generada por el fotodiodo es muy pequea y es necesa-
rio amplificarla antes de medirla para lo que utilizaremos el amplificador operacional LM358A cuyo
NE/SA/SE532/
erationalesquema puede verse en la figura 2. El LM358A consta en realidad de dos A.O., A y B. Como puede
amplifiers
verse, la entrada inversora del A.O. A es pin 2 y LM258/358/A/2904
la del B es el pin 6 mientras que las entradas no in-
versoras son el pin 3 para el A.O. A y el pin 5 para el A.O. B. Finalmente, la salida del A.O. A es el pin
1 y la del B es el pin 7. Este amplificador es single supply, esto significa que debe alimentarse con una
tensin de +15V (pin 8) y tierra (pin 4) (ver figura 2), por tanto, estaremos limitados a tensiones po-
sitivas en la salida. Por
PINesta razn, es fundamental que el fotodetector se conecte tal y como se indica
CONFIGURATION
en la figura
dependent, high gain, 1 ya que al conducir en inversa debemos hacer que Vo sea positiva.
tional amplifiers internally D, DP, and N Packages
plifiers designed specifically
ver a wide range of voltages. OUTPUT A 1 8 V+
so possible, and the low
INVERTING INPUT A 2 A B 7 OUTPUT B
nt of the magnitude of the + +
NON INVERTING INPUT A 3 6 INVERTING INPUT B

V 4 5 NON INVERTING INPUT B

ode voltage range includes SL00282


swing to includes ground Figura 2: Patillaje
Figure del LM358A.
1. Pin configuration.
ground, even though
y voltage. The unity gain
sated. The input bias current
3.1. Medidas
Monte el circuito de la figura 1 con un LED rojo asegurndose de que la luz emitida por el diodo
LED ilumina perfectamente el fotodetector. Cubra su montaje con una caja para eliminar influencias
unity gain externas. Partiendo de valores muy bajos de Vi ( 1 V) y sin llegar a superar los 10 V, realice una tabla

2
emperature-compensated)
y: 3 VDC to 30 VDC,
de 15 elementos como mnimo con las siguientes medidas:

El voltaje de entrada Vi

La corriente que circula por el LED ID . Para ello use el polmetro y mida la cada de tensin en
R = 100 .

El voltaje de salida Vo .

Cuando Vo o ID varan rpidamente los intervalos deben ser muy pequeos y cuando las variaciones
sean pequeas puede espaciar las medidas.
La corriente que circula por el fotodiodo, If , se puede calcular en funcin de la tensin de salida
Vo a utilizando la relacin Vo = RIf (ver trabajo previo). Con los datos anteriores, represente:

Vo frente a Vi

ID frente a Vi

If frente a ID

Para Vi = 10 V, retire la caja que cubre su montaje y realice una medicin ms de Vo . Se observan
diferencias?
Para Vi = 10 V, cambie la posicin del diodo LED con respecto del fotodiodo y realice medidas de
Vo para cada una de las posiciones elegidas cubriendo su montaje con una caja. Se observan diferen-
cias? Comente el comportamiento del circuito.
A continuacin realice medidas similares para los LED verde y azul. Compare la Vo que ha obteni-
do en cada caso. Es posible que con el LED azul la tensin de salida Vo se sature pronto, para evitarlo
coloque diodo LED de manera que no ilumine plenamente el fotodetector.

4. Trabajo previo (Pre-Lab)


1. En esta prctica, el fotodiodo se comporta como una fuente de corriente. Justifique este compor-
tamiento.

2. Analice el circuito de la figura 1 y compruebe que se cumple que Vo = RIf , donde R = 1 M.


Para ello, suponga que el A.O. es ideal y que el fotodiodo se comporta como una fuente de
corriente de valor If .

3. Busque una caja o una tapadera que le sirva para cubrir el montaje de la prctica.

5. Trabajo posterior
Esta prctica no tiene trabajo posterior asociado ya que se evaluar mediante un examen que se
realizar al principio de la cuarta sesin de laboratorio.

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Prctica 4. Transistor MOSFET: medida de la caracterstica


esttica.
1. Introduccin
Objetivos
En esta prctica obtendremos experimentalmente las curvas IDS VDS e IDS VGS de un MOSFET. Se
emplear el osciloscopio en modo XY como trazador de curvas. Se determinarn algunos parmetros
que definen el comportamiento del transistor como la tensin umbral, el parmetro n y la tensin
Early.

Circuito integrado CMOS 4007


Para la realizacin de esta prctica se utilizar un transistor MOSFET de tipo n, incluido en el
circuito integrado CMOS 4007. En este circuito hay seis transistores en total, tres de tipo n y tres de
tipo p, conectados segn el esquema de la figura 1. En la misma figura se representa tambin la funcin
y posicin de cada patilla. El transistor que se va a utilizar en esta prctica se indica con un crculo en
la figura 1: la fuente corresponde a la patilla 7, la puerta a la 6 y el drenador a la 8.

Figura 1: Patillaje del circuito integrado CMOS 4007; el crculo indica el transistor que se va a utilizar
para la prctica.

2. Modelo DC de un MOSFET en saturacin


Procedimiento experimental
Empleando un transistor NMOS montar el circuito de la figura 2. El drenador del MOSFET est
cortocircuitado con la puerta, as que si conduce (VGS > VT ), el transistor est forzado a operar en
saturacin. En estas condiciones la corriente de drenador se puede aproximar como:
n
IDS = (VGS VT )2 (1)
2

1
1. Medir la cada de tensin en la resistencia, as como la diferencia de tensin entre drenador y
fuente, variando la tensin de la salida regulable de la fuente de alimentacin, Vi en la figu-
ra 2, entre 0 V y 15 V utilizando al menos 15 valores diferentes de Vi . Aplicando la ley de Ohm,
calcular para cada punto la corriente de drenador asumiendo que la corriente de puerta es nula;

2. Representar la raz cuadrada de IDS en funcin de VGS e identificar en la grfica las regiones
de corte y de saturacin. Para esta ltima deducir los valores de n y VT por ajuste de mnimos
cuadrados, utilizando la expresin (1).

10 k
+
Vi

Figura 2: Montaje para la medida del MOSFET en saturacin.

3. Curva IDS VDS de un MOSFET


Introduccin

1 k
+
+ Vi
VGG

Figura 3: Montaje para la medida de la curva IDS VDS

1. Montar el circuito de figura 3.

2. Manteniendo VGG = 3 V se realizar un barrido de la tensin Vi (hasta 7,5 V) para medir distintos
valores de IDS (a travs de la cada de tensin en la resistencia) y VDS .

3. Representar la curva IDS VDS identificando las regiones lineal y saturacin.

4. Aproximar el tramo correspondiente a saturacin con una recta y estimar el punto en el que
dicha recta se cruza con el eje de abscisas. La tensin correspondiente a este punto se conoce
como tensin Early.

4. Trabajo previo (Pre-Lab)


1. Justificar la siguiente afirmacin: un transistor con puerta y drenador cortocircuitados siempre
est en saturacin cuando no est en corte.

2

2. Para un MOSFET en saturacin tenemos un ajuste lineal de IDS de la forma IDS ' A+B VGS ;
calcular la tensin umbral VT y el parmetro n en funcin de los coeficientes A y B, utilizando
la ecuacin (1).

3. Suponiendo que VT = 1,5 V, indicar en qu regiones (corte, triodo, saturacin) se encuentra el


transistor para los siguientes casos:

VDS = 2 V y VGS entre 0 V y 5 V


VGS = 3 V y VDS entre 0 V y 5 V

3
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Prctica 5. Estudio de un amplificador MOSFET monoetapa.

1. Introduccin
Objetivos
En esta prctica se va a estudiar un amplificador MOSFET en configuracin de fuente comn. A
partir de medidas experimentales de tensiones se obtendrn los valores de gm y se estimar la ganancia
en pequea seal.

Circuito integrado CMOS 4007


Para la realizacin de esta prctica se utilizar el mismo transistor utilizado en la Prctica 4, un
transistor MOSFET de tipo n, incluido en el circuito integrado CMOS 4007. En este circuito hay seis
transistores en total, tres de tipo n y tres de tipo p, conectados segn el esquema de la figura 1. En
la misma figura se representa tambin la funcin y posicin de cada patilla. El transistor que se va a
utilizar en esta prctica se indica con un crculo en la figura 1: la fuente corresponde a la patilla 7, la
puerta a la 6 y el drenador a la 8.

Figura 1: Patillaje del circuito integrado CMOS 4007.

2. Procedimiento experimental
En primer lugar se determinar la tensin umbral VT del transistor utilizado como se estudi en
la primera parte de la Prctica 4.

2.1. Circuito de polarizacin


Montar el circuito de polarizacin de la figura 2 y realizar los siguientes pasos:

medir VDS y VGS ,

1
medir la cada de tensin en la resistencia RD para calcular ID ,

a partir de los datos anteriores, calcular la transconductancia de pequea seal, gm , correspon-


diente a la polarizacin aplicada (ver trabajo previo).

15 V

RD
RG
10 k
1 M

RS
100

Figura 2: Circuito de polarizacin.

2.2. Amplificador completo


Montar el circuito correspondiente al amplificador completo que se muestra en la figura 3. Uti-
lizando el valor de gm obtenidos en el paso anterior y las expresiones obtenida en el trabajo previo,
calcular la ganancia terica del amplificador en pequea seal, tanto para el caso en que se desprecia
el efecto de RG como para el caso general. A continuacin:

comprobar que la polarizacin de gran seal medida en el paso anterior se mantiene

realizar un estudio transitorio utilizando para la fuente sinusoidal una amplitud de 500 mV y
una frecuencia de 10 kHz,

medir la ganancia en pequea seal y comparar su valor con el valor terico esperado.

Muy importante: esta prctica se evaluar con el trabajo realizado en el laboratorio, as que para
superar la prctica ser imprescindible que el profesor verifique los datos que se van obteniendo en
cada paso.

3. Trabajo previo (Pre-Laboratorio)


1. Demuestre que la transconductancia de pequea seal gm se puede calcular como:

2ID
gm =
VGS VT

2. Calcule la ganancia en pequea seal del amplificador de la figura 3; la gananci se define como
cociente entre la amplitud de la tension de salida vo y la de entrada vi . Empezar despreciando el
efecto de RG (considerar circuito abierto en lugar de RG , y luego repetir el calculo para el caso
general.

2
15 V

RD
RG 10 k
1 M
vo
C1
Ri1 10 F
1 k

vi
vs Ri2
100 RS C2
100 10 F

Figura 3: Amplificador completo.

4. Trabajo posterior
Si la prctica se ha realizado totalmente en el laboratorio y los resultados obtenidos son satisfac-
torios, no es necesario realizar ningn trabajo o memoria adicional. En caso contrario, se debern
realizar las simulaciones necesarias con Spice para obtener los datos experimentales que se piden en
este guin y entregar una memoria con los resultados.