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Eletrnica DIGITAL
ATIVIDADE para AVALIAO

EXERCCIO 1
Considerar um oscilador em anel constitudo por 3 inver-
sores iguais.

a. Representar graficamente as tenses Vo1, Vo2 e Vo3.


(1 ponto)
b. Calcular a frequncia de oscilao se o atraso de
propagao de cada inversor for 20 ns. (1 ponto)

EXERCCIO 2
Considerar a seguinte porta lgica abaixo:

X1 M1

M3 X3
X2 M2
a. Que funo lgica implementada?(1,5 ponto)
b. Redesenhar o circuito eletrnico anterior substituindo R por transis-
tores PMOS.(1,5 ponto)
c. Para o novo circuito, supor que os comprimentos dos NMOS e PMOS
igual ao mnimo permitido pela tecnologia (Lmin), e que as larguras
dos NMOS so iguais entre si, acontecendo o mesmo com as largu-
ras dos PMOS. Sabendo quen = 3pe que, para a largura dos tran-
sistores, o valor mnimo permitido pela tecnologia igual ao dobro
do comprimento mnimo permitido, dimensionar as dimenses dos
NMOS e PMOS para iguais tempos de propagao na subida e des-
cida.(2 pontos)

EXERCCIO 3
Considerar a porta inversora TTL com os valores apresentados nos slides
da aula 4, com a entrada no nvel baixo (com tenso igual a 0,2 V).
Sabe-se que o valor exato da tenso Vo na sada depende da corrente
de sada Io.
Obter as equaes da tenso Vo nos trs seguintes casos:

a. Io = 0 A (sada em vazio)(1 ponto)


b. Io > 0eQ4 operando na zona ativa(1 ponto)
c. Io > 0eQ4 saturado.(1 ponto)

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gabarito
EXERCCIO 1

a. Vo2 Vo1 Vo3


VOH

VOH +VOL
2

VOL

tPHL2 tPLH3 tPHL1 tPLH2 tPHL3 tPLH1 tPHL2

tosc

b. Tosc=2N.tp=2 3 20 ns=120 ns

1 1
Fosc = = 1/(120n) 8.33 MHz
Tosc (120n)

EXERCCIO 2

a. Das aulas tericas:

Maior precedncia:obter o paralelo da srie M1/M2 com M3:

Y = /[f(X1, X2) + M3]

Precedncia seguinte:obter a srie M1/M2:

f(X1, X2) = X1. X2

Seguidamente, obter a funo:

Y = /[f(X1, X2) + M3] = / (X1. X2 + X3)

b. Maior precedncia: o dual com PMOS do paralelo da srie M1/M2


com M3.

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Precedncia seguinte: completar a expresso com o dual da srie
M1/M2.

X2
X1 M4 M5

X3 M6

X1 M1

M3 X3
X2 M2

c. L1, 2, 3, 4, 5, 6 = Lmin,W1 = W2 = W3 = 2LmineW4 = W5 = W6 = ?

Pior caso de descida (tPLH maior de todos):


Ocorre apenas paraX1X2X3 = 110pois a corrente tem de atravessar
a srie dos 2 NMOS M1 e M2.
Portanto,

(W/L)n,eq = (W1/(2L)) = (W2/(2L))

Pior caso de subida (tPHL maior de todos):


Ocorre para as combinaesX1X2X3 = 010 e 100 pois a corrente tem
de atravessar a srie dos 2 PMOS M4 com M6 e M5 com M6, respecti-
vamente.
Ento,

(W/L)p,eq = (W4/(2L)) = (W5/(2L)) = (W6/(2L))

ParatPLH = tPLHento

n.(W/L)n,eq = p.(W/L)p,eq

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Ou

3p.(W/L)n,eq = p.(W/L)p,eq

Ou ainda,

3(W/L)n,eq = (W/L)n,eq

Logo,

3(W1,2,3/(2L)) = (W4,5,6/(2L))

Finalmente,

W4,5,6 = 3W1,2,3

Em concluso,

W(PMOS) = 3.W(NMOS)

EXERCCIO 3

a. Para Io = 0 A (sada em vazio):

Vo = Vdd - VR3 - VBE4 - VD = 3,7 V

Note-se queVR3 = 0e como Q3 e D so percorridos apenas pela cor-


rente de fuga, muito pequena, esto no limiar de conduo com
VBE = VD 0,65 V,

b. ParaIo > 0eQ4na zona ativa:

Vo = Vdd Io/(F + 1). R3 VBE4 VD

c. ParaIo > 0eQ4saturado:

Vo = Vdd R4.Io VCE4,sat VD

A parcela R4.Io tem peso reduzido e, por isso, nela se usa Io ao invs
de IC4 que, devido saturao pode no ser IB4

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