Modos de operacin del diodo Gunn.

Modo de acumulacin de carga:

Cuando Ln0<10^12 cm ^-2 la inestabilidad de carga no llega a desarrollarse
completamente en el tiempo de trnsito. Se produce una zona de acumulacin
de electrones (electrones lentos del mnimo 2), lo que cambia la distribucin
de campo en el interior del dispositivo.
Una pequea fluctuacin en el ctodo genera un exceso local de electrones
que va aumentando a medida que es arrastrado hacia el nodo (figura c). El
campo en el dispositivo va cambiando, como consecuencia de la
discontinuidad generada por la zona de acumulacin de electrones (figura b).
Dado que la carga debe conservarse, la inestabilidad se desarrolla a partir de
los electrones que entran por el ctodo y que se van acumulando. Los
electrones se acumulan porque, al ser transferidos al mnimo 2, se ralentizan.
La acumulacin de carga en el dispositivo hace disminuir la corriente en el
circuito exterior (figura d). En el punto 6 la corriente vuelve a aumentar por la
llegada de los electrones de la zona de acumulacin al nodo. La zona de
acumulacin desaparece y el dispositivo vuelve al punto de trabajo 1, de
manera que se puede iniciar una nueva inestabilidad. La frecuencia de trabajo
estar, bsicamente, determinada por el tiempo de trnsito.
Modo acumulacin de carga espacial limitada (LSA).
- No damos tiempo a formar dominio (<varias veces R-)
- Se deben eliminar los electrones cercanos al ctodo cuando la seal est bajo
el umbral (>> R+)
- electrones llegan al nodo a travs de muestra de conductividad negativa.
Modo de dominios estable:
Pulsos cortos de corriente, pequeo rendimiento.

Mayor rendimiento: en cavidad resonante de microondas

Modo suprimido (quenched): para trabajar a frecuencias mayores (<t) se

aniquila el dominio antes de llegar al nodo.
 Modos extinguido y de dominio demorado
Considrese un dispositivo electrnico transferido colocado en una
cavidad resonante de Q alto y polarizado en la regin de polaridad
negativa. El voltaje V(t) a travs del dispositivo es la suma del voltaje de
polarizacin Vb ms en valor instantneo del voltaje de RF V1 cos(Wot
+). El voltaje total se puede escribir como:
w 0 t +
V ( t )=V b+ V 1 cos

Donde w0 es la frecuencia de resonancia de la cavidad,

correspondiente a un periodo T 0 =2/w 0 . Si V1 es comparable a

V b , el voltaje total V(t) puede fluctuar abajo del umbral durante
partes del ciclo y dar lugar o bien a un colapso del dominio o a evitar la
nucleacin de un nuevo dominio.

a) Modo de dominio extinguido TD < T0 < T t : Dado que T 0 es

mayor que T D , un dominio que nuclea en el ctodo cuando el

 voltaje flucta arriba del valor del umbral tiene el tiempo suficiente
para madurar. No obstante, como T0 es menor que T t , el voltaje

oscilar abajo de VT antes de que el dominio llegue al nodo.

VT es el voltaje de umbral correspondiente al campo ET de

umbral. Cuando el voltaje flucta abajo del voltaje Vs de sostn de

dominio (que es menor que V T ) el dominio se extinguir an antes

de alcanzar al nodo. Como se vio antes, Td es menor que TD y

consecuentemente Td es mucho menor que T 0 ; es decir, la

constante de tiempo de extincin es pequea comparado con el
tiempo de oscilacin. En el modo extinguido de operacin el tiempo
de vida del dominio es funcin de la polarizacin, de la fluctuacin de
RF (y por tanto del Q del circuito) y de la relacin entre T0 y Tt .

b) Modo de dominio demorado TD < Tt < T0 : Cuando Tt es

menor que T0 un dominio puede alcanzar el nodo antes que el

voltaje caiga abajo que Vs . El dominio siguiente no nuclear antes

de que el voltaje exceda al valor del umbral. Por tanto, el resonador
demora la formacin de los dominios y de este modo se denomina
inhibido o demorado.
En consecuencia, seleccionando un circuito resonante para tener un
dominio extinguido o demorado, puede hacerse que el TEO opere
tanto arriba como debajo de la frecuencia del tiempo de trnsito
intrnseca.
En los tres modos que se trataron la frecuencia de oscilacin est
relacionada con el tiempo de trnsito y por tanto con la dimensin
fsica (espesor del dispositivo). Puesto que el dispositivo opera en un
valor fijo de campo electrnico, el voltaje a travs del dispositivo
decrece linealmente en la medida en que aumenta la frecuencia del
diseo. Adems, como la capacitancia aumenta al disminuir el
espesor la impedancia del dispositivo tambin decrece con la
frecuencia. En virtud de estas consideraciones, el producto de la
2
potencia de salida por la impedancia cae en la razn 1/ f . Esta es
una caracterstica de todos los dispositivos de tiempo de trnsito.
BIBLIOGRAFA
[1] M. Golio "The RF and Microwave handbook" CRC Press 2001
[2]DISPOSITIVOS EMISORES DE MICROONDAS (DISPOSITIVOS GUNN),
Universidad de Valencia, leccin 10
[3] Generacin de microondas con tubos de vaco-