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LOS TIRISTORES

La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su


diseo y a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen
gran variedad de tiristores, pero todos ellos tienen ciertas
propiedades en comn: son dispositivos de estado slido que se
disparan bajo ciertas condiciones pasando de un estado de alta
impedancia a uno de baja, estado que se mantiene mientras que la
corriente y la tensin sean superiores a un valor mnimo denominado
niveles de mantenimiento.

Estructuralmente, todos los tiristores consisten en varias capas


alternadas de silicio dopado con impurezas p y n. El disparo de un
tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones de forma que,
mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo
mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada,
siempre que se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y
corriente. Estas caractersticas hacen que los tiristores sean mucho
ms tiles que los conmutadores mecnicos, en trminos de
flexibilidad, duracin y velocidad.

Su funcionamiento bsico es el equivalente electrnico de los


interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar
plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener
nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes
sobrecargas de corriente.
Los tiristores son sumamente populares en el control de potencia en
cargas resistivas e inductivas como motores, solenoides, calefactores,
etc. Comparados con los dispositivos equivalentes mecnicos como
son los rels, los tiristores ofrecen mayor fiabilidad, mejores
prestaciones y menor costo.

El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco


arbitrariamente como sigue:

Rectificacin: consiste en usar la propiedad de funcionamiento


unidireccional del dispositivo, el cual realiza entonces la funcin
de un diodo.
Interrupcin de corriente: usado como interruptor, el tiristor
puede reemplazar a los contactores mecnicos.
Regulacin: la posibilidad de ajustar el momento preciso del
encendido permite emplear el tiristor para gobernar la potencia
o la corriente media de salida.
Amplificacin: puesto que la corriente de mando puede ser muy
dbil en comparacin con la corriente principal, se produce un
fenmeno de amplificacin en corriente o en potencia. En
ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de utilidad.

Al hablar de tiristores podemos mencionar algunos de ellos:

El diodo shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo.


Est constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una
estructura pnp, el cual acta como interruptor; est abierto hasta que
la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra
y permite la conduccin.

El SCR (rectificador controlado de silicio) es un dispositivo usado para


controlar corrientes ms bien altas para una carga. Acta a
semejanza de un interruptor. Cuando est en conduccin, hay una
trayectoria flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo.
Acta entonces como un interruptor cerrado cuando est en corte, no
puede haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta
como un interruptor abierto.

GTO acta como interruptor completamente controlable, los cuales


pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una
seal de compuerta.

SCS es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en


que posee dos terminales de puerta, uno para entrar en conduccin y
otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de potencia
menores que el SCR. El inconveniente que presenta respecto al SCR
es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y
corriente.

El DIAC (Diodo para corriente Alterna) es un diodo bidireccional


disparable que conduce la corriente circulante no sea inferior al valor
caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es
fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la corriente.

El TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de


compuerta para controlar las condiciones de encendido bilateral en
cualquier direccin.

Adems el tiristor puede adoptar uno de los siguientes estados:

- de bloqueo, cuando est polarizado en sentido inverso;


- de bloqueo o de conduccin, cuando la polarizacin es
directa, segn que est encendido o no.

En este ltimo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de


conduccin se recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial
del transistor de silicio: la de poseer una ganancia de corriente que
crece con la corriente de emisor, le.

Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un


aumento de la corriente IE. Los ms importantes son:

- La tensin. Cuando aumenta la tensin nodo-ctodo del


tiristor, llega un momento en que la corriente de fuga es
suficiente para producir un brusco aumento de la corriente
IE. Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos de
4 capas (diodos- tiristores).
- La derivada de la tensin. Ya se sabe que una unin PN
presenta una cierta capacidad. As, pues, si se hace crecer
bruscamente la tensin nodo-ctodo, esta capacidad se
carga con una corriente: i=C dv /dt

Y, si esta corriente i es suficientemente elevada, provocar el


encendido del tiristor.

- La temperatura. La corriente inversa de fuga de un transistor


de silicio aumenta al doble, aproximadamente, cada 14 C (al
aumentar la temperatura). Cuando la corriente alcanza un
valor suficiente, se produce el disparo del tiristor por los
mismos fenmenos ya vistos.
- El efecto transistor. Es la forma clsica de gobernar un
tiristor. En la base del transistor equivalente se inyectan
portadores suplementarios que provocan el fenmeno de
disparo (la base es la puerta del tiristor).
- El efecto fotoelctrico. La luz, otra de las formas de energa,
puede tambin provocar el encendido del tiristor al crear
pares electrn-hueco. En este caso se emplea un fototiristor.
que es un tiristor con una "ventana" (esto es una lente
transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la
regin de puerta.

Dentro de los tiristores existen rpidos y lentos. Los tiristores lentos


son para aplicaciones que operen a frecuencias industriales y de la
red de alimentacin. En cambio los rpidos son para aplicaciones
especiales, pero en general no superan los 20.000 ciclos por segundo;
no solamente debido a los tiempos de conmutacin, sino adems
porque la temperatura toma un papel preponderante a medida que se
eleva la frecuencia, ya que la temperatura producida por la energa
disipada durante la conmutacin toma un papel cada vez mayor con
frecuencias ms elevadas.
Las primeras protecciones incluidas en los semiconductores bloqueables
fueron las precauciones trmicas, los radiadores y las protecciones
elctricas y los fusibles. A menudo, es indispensable, y en todos los casos
deseables, completar estos dispositivos con circuitos electrnicos
encargados de limitar los efectos de las dv/dt y las sobrecargas de
intensidad.

La proteccin contra di/dt la que nos explica que el tiristor requiere de


un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente del
nodo que es muy alta en comparacin con la velocidad de dispersin
del proceso de activacin, aparecer un punto de calentamiento,
debido a una alta densidad de corriente, por lo que el dispositivo
puede faltar, debido a una temperatura excesiva.

La proteccin contra dv/dt nos dice que si la conexin brusca a la


alimentacin de circuitos prximos que contengan una carga inductiva o
variaciones exageradas en la fuerza contraelectromotriz de la carga pueden
provocar variaciones bruscas de la tensin de alimentacin mientras el
tiristor se encuentre en estado de bloqueo. El procedimiento ms corriente
para reducir la velocidad de subida de la tensin consiste en colocar un
condensador en los bornes del tiristor (o el triac). Pero la sobrecarga de
intensidad y la di/dt, que introducira la descarga brusca de esta capacidad
en los momentos de cebado, podran ser perjudiciales para el tiristor.

En la mayora de las aplicaciones en carga inductiva de los tiristores o de los


triacs, el usuario se ve impulsado a montar entre nodo y ctodo una red RC
destinada a eliminar los riesgos de cebados intempestiva por parsitos o de
recebados espontneos por dv/dt. La capacidad C y la impedancia de la
carga atenan los frentes de tensin transmitidos por la red o reaplicados
en conmutacin en la carga inductiva.

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