Captulo 11 Referncia Bandgap

Introduo

Os circuitos analgicos se utilizam de fontes de correntes e de tenses de

referncias de forma extensiva. Tais referncias so sinais cc que exibem pouca
dependncia com as variaes de tenso de alimentao, de processo e da temperatura.
Este captulo tratar do projeto de geradores (corrente ou tenso) de referncias usando
tecnologia CMOS, com foco nas tcnicas band-gap.

Em vrias aplicaes, a dependncia de temperatura requerida assume uma das

trs formas:
(1) proporcional a temperatura absoluta (PTAT);
(2) Comportamento Gm-constante;
(3) Independente da temperatura.

Ainda, vrios parmetros dos geradores de referncias, tais como impedncia

de entrada, rudo de sada e dissipao de potncia, podem ser crticos.
Polarizao independente da alimentao

Um circuito simples que estabelece corrente independente da alimentao.

A corrente de sada dependente de VDD:

Como gerar IREF independente da alimentao?

 Para se chegar a uma soluo menos
sensvel, postula-se que o circuito precisa
polarizar-se por si mesmo, ou seja, IREF
precisa ser derivado de Iout.

Se M1-M4 operam na saturao e = 0,

ento Iout = KIREF, e logo pode-se trabalhar
com qualquer nvel de corrente..
Assumindo = 0, ento Iout = IREF e VGS1=VGS2+ID2RS

Desprezando o efeito de corpo, tem-se

Isto A corrente independente da alimentao

mas dependente do processo e da temperatura
A anlise feita considerou que o efeito de corpo fosse desprezvel. Para que isto ocorra
necessrio que os comprimentos dos canais sejam de grandes dimenses.
Assumindo 0, determine Iout/VDD.

Denominando-se a transcondutncia de M2 e RS por Gm2, tem-se

Assim
Se
Ainda no circuito com a adio de RS tem-se que

Um aspecto importante neste circuito a

existncia de ponto de polarizao degenerado.
Por exemplo, se os transistores possuem cor-
rente zero quando a alimentao ligada, ele
permanecer indefinidamente neste estado,
uma vez que esta um condio estvel.
Em outras palavras o circuito possui dois
estados estveis de funcionamento.

Componente de start-up

Para evitar esta condio indesejada, acrescenta-

se o transistor M5 ao circuito
O dispositivo M5 conectado como um diodo
prov uma caminho de corrente de VD at a
terra atravs de M3 e M1, causando o start-up.
Esta tcnica vlida se VTH1+VTH5 +|VTH3|<
VDD e VGS1+VTH5+|VGS3|>VDD o que assegura
que M5 permanecer desligado aps o start-up.
Referncia independente da temperatura

Como gerar uma quantidade que permanea constante com a temperatura?

- se duas quantidades possuirem coeficientes de temperaturas opostas (TCs)
puderem ser adicionadas com pesos apropriados, o resultado apresenta um coeficiente de
temperatura zero.
- Ex. VREF=1V1+2V2, com TC zero se, 1V1/ T + 2 V2/ T=0

Tenso com Coeficiente de Temperatura (TC) Negativo

Para um componente bipolar, onde , sendo

A corrente de saturao IS proporcional a , onde m denota a mobilidade dos
portadores minoritrios e ni e a concentrao intrnseca dos portadores minoritrios do
silcio.
Dependncia com a temperatura: e onde e
a energia de bandgap do silcio.
Encontrando TC de VBE; desde que e , ento

Obs. O TC de VBE depende

Com e da temperatura.
Tenso com Coeficiente de Temperatura (TC) Positivo (PTAT)

Gerao de uma tenso PTAT

Se IS1=IS2 e a corrente de base desprezvel, ento

Assim, DVBE exibe um coeficiente de temperatura

positivo

Outra proposta
O TC independente da temperatura.
 Referncia Bandgap

Desenvolvimento de uma referncia tendo TC igual a zero.

Seja , onde VTlnn a diferena de tenso entre as tenses

base-emissor dos dois transistores bipolares operando com diferentes densidades
de corrente.
Como escolher a1 e a2 ?
Desde que a temperatura ambiente e e que
pode-se fazer a1=1 e escolher ,ento
indicando que para TC zero:

O gerador de tenso independente da temperatura pode ser gerado com

 onde

Para um TC zero, deve-se ter

Por exemplo, escolhendo-se n=31 e R2/R3=4.
Note que o resultado no depende do TC dos resistores.

Compatibilidade com a Tecnologia CMOS

Circuito implementado com transistores pnp

O substrato p atua como coletor e

inevitavelmente conectado a tenso
mais negativa (usualmente terra)
Tenso de off-set do amplificador operacional e impedncia de sada

Efeito da tenso de off-set na tenso de referncia

Se A1 grande, VBE1-VOSVBE2+R3IC2 e Vout=VBE2+(R3+R2)IC2. Assim

O ponto chave que VOS amplificado pelo fator (1+R2/R3) introduzindo

erro em Vout. Mais importante, VOS por si s varia com a temperatura,
aumentando assim, o coeficiente de temperatura da ten~so de sada.
 Reduo do efeito da tenso de off-set do amplificador operacional

R1 e R2 so escalonados pelo fator de m, produzindo I1 mI2.

Negligenciando as correntes de base e assumindo A1 seja grande, tem-se

VBE1+VBE2-VOS=VBE3+VBE4+R3I2 e Vout=VBE3+VBE4+(R3+R2)I2. Resultando em

O efeito da tenso de off-set reduzido pelo

aumento do primeiro termos dentro do colchete.
 A implementao no possvel de ser feita em um processo CMOS padro
porque os coletores de Q2 e Q4 no esto aterrados. Pode-se fazer a seguinte
alterao para adequar a proposta com o processo CMOS. Para isso, converte-se o
diodo MOS em um seguidor de emissor (Fig. 11.14a)
 Gerador de referncia incorporando duas tenses base emissor em srie

Discusso
Vantagem
O amplificador operacional no sofre
carregamento resistivo.
Desvantagem
O descasamento e a modulao de
comprimento de canal dos transistores
PMOS introduzem erros na sada.
Desde que Q2 e Q4 possuem ganho
de corrente b finito, eles geram erros de
correntes de emissor em Q1 e Q3 e
Introduzem erros na sada.
 Realimentao

O fator de realimentao negativa dada por

O fator de realilmentao positiva dada por

Para assegurar uma predominncia da realimentao negativa, precisa ser

menor que , preferencialmente por um fator maior que dois, de forma que a
resposta transiente seja bem comportada, mesmo com cargas capacitivas elevadas.
 Referncia Bandgap

Na referncia bandgap VREF=VBE+VTlnn, ento

Fazendo e

Tem-se

Assim, obtm-se

A tenso de referncia exibe um coeficiente trmico TC nominalmente igual a

zero e dado por poucos coeficientes fundamentais: a tenso de bandgap do
silcio (Eg/q), o expoente da temperatura da mobilidade (m) e a tenso trmica
(VT).

O termo bandgap usado aqui porque quando T0, VREF Eg/q

 Dependncia com a tenso de alimentao e start-up

A tenso de sada relativamente independete da tenso de alimentao desde que

o amplificador operacional possua um ganho relativamente alto.
O circuito pode requerer um mecanismo de start-up porque se Vx e Vy forem iguais
A zero, o amplificador diferencial de entrada do amplificador operacional pode ser
desligado.
A rejeico da tenso de alimentao tipicamente se degrada com as altas frequncias
dependendo das propriedades de rejeio dos amplificadores operacionais, assim as
caractersticas de regulao da fontes tornam-se determinantes.
 Correo da curvatura

Dependncia da curvatura da tenso bandgap com a temperatura

A tenso de bandgap exibe uma curvatura finita,
isto , seu coeficiente trmico
TC tipicamente zero a uma temperatura com
coeficientes positivos ou negativos em outras
temperaturas.
A curvatura modificada com a variao devido a temperatura da
tenso base-emissor , correntes de coletores e tenses de off-set.

Variao dos coeficientes trmicos TC zero para diferentes amostras.

Muitas tcnicas de correo de curvatura
foram propostas para suprimir a variao de
VREF em circuitos bandgap bipolares, mas
que so raramente utilizados em circuitos
CMOS. Isto porque, devido aos grandes offset
e variaes de processo, as amostras exibem
diferentes coeficientes de temperatura zero,
o que torna difcil a correo da temperatura de forma
confivel.
 Gerao de corrente PTAT

Gerao de corrente PTAT Gerao de corrente PTAT usando amplificador

simples

Na prtica, devido aos descasamentos dos transistores

e o TC de R1, a variao de ID5 desvia-se da equao
ideal.
 Gerao de uma tenso independente da temperatura.

M1=M2, M3=M4=M5, e a sada igual

Se , pode-se encontrar o valor da

tenso desejada.

Na realidade, descasamentos dos transistores

PMOS introduzem erros em Vout.
 Polarizao com Gm constante
Polarizao independente da tenso de alimentao

Frequentemente desejvel que o transistor seja polarizado de forma que

a sua transcondutncia no dependa da temperatura, processo ou tenso de
polarizao.
O circuito com polarizao independente da tenso de alimentao, apresenta:

A transcondutncia de M1 igual a,

independente da tenso de alimentao e dos parmetros do dispositivo MOS.

Na realidade, o valor de RS varia com a temperatura e o processo.

 Polarizao com Gm constante por meio de um resistor implementado com a tcnica
de capacitor chaveado.
Um resistor implementado com a tcnica de capacitor chaveado dado por

Desde que o valor absoluto do capacitor tipicamente melhor controlado e

que o TC do capacitor muito menor que do resistor, esta tcnica prov uma
maior reprodutibilidade da corrente de polarizao e da transcondutncia.

Converso tenso-corrente usando resistor a capacitor

Chaveado.
 Fator Velocidade
Efeito de transientes de circuito nas tenses e correntes de referncia

Para uma mudana rpida em VN, o amplificador

operacional no pode manter VP constnte e as
correntes de M5 e M6 sofrem grandes variaes.
Ainda, a durao do transiente em P pode ser longo
se o amplificador operacional sofre de resposta lenta.
Por esta razo, muitas aplicaes requerem um
amplificador operacional de alta velocidade em
geradores de referncia.

O n P crtico e pode ser aterrado por meio de um capacitor de valor

elevado (CB) para suprimir o efeito dos distrbios externos.
Este mtodo envolve dois fatores:
A estabilidade do amplificador operacional no pode ser degradado com a
adio de CB, requerendo um amplificador operacional de um estgio.
Desde que CB geralmente torna a resposta transiente do amplificador
operacionao mais lenta, seu valor precisa ser muito maior que as capacitncias
acopladas ao n P. ara uma
 Efeito do aumento de capacitor na resposta do gerador de referncia

Arranjo para teste da resposta transiente do gerador de referncia

 Fator Rudo
Conversor A/D usando gerador de referncia
Se um conversor A/D de alta preciso
emprega uma tenso de bandgap
como uma referncia com a qual a
entrada do sinal comparada, ento
o rudo na referncia diretamente
adicionada a entrada.
Circuito para clculo do rudo em um gerador de referncia

N A:

Desde que tipicamente

ento

O rudo de um amplificador operacional aparece na sada.

Mesmo com a adio de um grande capacitor na sada para o terra no pode
suprimir a rudo 1/f, causando sria dificuldade para aplicaes de baixo rudo.
Ncleo central de um circuito bandgap
Gerao de uma tenso de referncia flutuante
Regulao da tenso de alimentao para melhoria da rejeio a variao da fonte
de alimentao