Jitorres Tema 1

CAPITULO 1
TEMA I
Materiales para Ingeniera. Estructura Atmica. Enlace Atmico, Inico, Covalente, Metlico,
Vander Waals. Ordenamiento Atmico, Radio Atmico. Nmero de Coordinacin Atmica,
Factor de Empaquetamiento. Estructura Cristalina. Celda Unitaria. Sistema Cbico y Hexagonal
Compacto. Defectos cristalinos. Defectos de punto: Vacancias, defectos intersticiales,
sustitucionales. Defectos de lnea: Dislocaciones. Tipos: Vector de Burgers. Defectos
superficiales.
1.- MATERIALES PARA INGENIERA
Es conveniente separar los materiales para Ingeniera en las categoras siguientes:
Metales
Cermicos
Polmeros
Compuestos
1.1.- Metales.
Esta clase de materiales tecnolgicos se puede distinguir normalmente de las otras

categoras por algunas de sus caractersticas ms sobresalientes, tales como su
reflictividad a la luz, la transmisin de calor, la conductividad de corriente elctrica y con
mucha frecuencia, la capacidad de deformarse sin romper los elementos que constituyen
los metales tiene la propiedad de mezclarse o disolverse unos con otros en el estado slido
y de este modo, producen aleaciones metlicas. Las aleaciones pueden tener propiedades
que difieren mucho de las de los elementos que las constituyen y por fortuna, usualmente
se pueden controlar esas propiedades, regulando la porcin de elementos constituyentes.
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utilizacin con fines didcticos.
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1.2.- Cermicos.
En este caso reconocemos a las cermicas como materiales duros y quebradizos, que
exhiben propiedades parecidas a las del vidrio y se rompen abruptamente, sin una
deformacin aparente. Los materiales cermicos, como los ladrillos, el vidrio, la loza, los
aislantes y los abrasivos tienen escasa conductividad trmica y elctrica, son deficientes
en ductilidad, conformabilidad y resistencia al impacto. Presentan una excelente
resistencia a las altas temperaturas y a ciertas condiciones de corrosin.
1.3.- Polmeros.
En stos se incluyen el caucho, los plsticos y muchos tipos de adhesivos. Los polmeros
tienen baja conductividad elctrica y trmica, escasa resistencia mecnica y no se
recomiendan para aplicaciones en temperaturas elevadas. Algunos polmeros (los
Termoplsticos), presentan excelente ductilidad, conformabilidad y resistencia al impacto,
mientras otros (los Termoestables) tienen las propiedades opuestas. Los polmeros son
ligeros y con frecuencia cuenta con excelente resistencia a la corrosin.
1.4.- Compuestos.
Los compuestos (o compositos) estn constituidos por dos o ms materiales que generan
propiedades no obtenibles mediante uno solo.
2.- ESTRUCTURA ATMICA
Las propiedades fsicas y mecnicas de los materiales de Ingeniera dependen en gran medida de
la naturaleza y el comportamiento de los tomos que los constituyen.
Se reconoce universalmente a los tomos como los constituyentes bsicos de la materia, unidos
para formar materiales cristalinos o amorfos. Las diferencias especificas entre los tomos y las
formas como se comportan mecnica, fsica y qumicamente se debe principalmente a sus
estructuras atmicas.
El modelo hoy en da ms aceptado del tomo dice que el mismo consta de un ncleo. Formado
-24
este por protones con carga positiva y masa igual a 1.673x10 gr; neutrones con carga neutra y
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-24
masa 1.675x10 gr; en torno al ncleo se encuentran los electrones, que son partculas
-28
dinmicas, con carga negativa y una masa aproximada de 9.11x10 gr.
La cantidad de protones en el ncleo va a determinar el nmero atmico, este va a ser el valor

que identifica al elemento, mientras que la suma de protones y neutrones determina la masa o
peso atmico.
Los electrones suman en orbitas circulares o elptica, respecto al ncleo y los mismos estn
arreglados en capas definidas. El mximo nmero de electrones que pueden acomodar en cada
2
capa es 2m , donde m es el nmero de capa.
La porcin energtica al que pertenece cada electrn, esta determina por cuatro nmero
cunticos. Estos son: n, l, ml , ms, donde:
n Nmero cuntico principal: Representa la capa cuntica a la que pertenece el

electrn, se puede tomar los valores 1, 2, 3, etc. Tambin puede asignrsele las
letras maysculas K, n = 1; L, n = 2; M, n = 3, y as sucesivamente.
l Nmero cuntico acimutal: este representa el nmero de niveles de energa en

cada capa cuntica. Este nmero cuntico, toma los valores entre 0 y (n-1).
Tambin se simboliza por las letras minsculas s par l = 0, p para l = 1, d
para l = 2, f para l = 3. Si n = 2, le corresponden entonces dos nmeros
cunticos acimutales, l = 0 y l = 1; (s) y (p) respectivamente.
ml Nmero cuntico magntico: Indican los niveles de energa u orbitales, para
cada nmero acimutal. El nmero total de nmeros cunticos magnticos para

cada l es (2l+1). Los valores de se me dan como nmeros enteros entre l y +l.
ms Nmero cuntico de espin: El principio de exclusin de Pauli, establece que no
puede haber ms de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital,
este tiene valores + y , que representan los diferentes giros.
CAPITULO 1
La configuracin electrnica de un tomo puede indicarse por un nmero representativo que

combina el nmero cuntico principal (1, 2, 3,. . .); la letra minscula para el nmero cuntico
asimutal (s, p, d, f,...) y el nmero de electrones en cada orbital, como ndice superior (2, 6,
10,...).
Ejemplo: Determinar la distribucin electrnica para el nmero cuntico principal n=3
N Total de Electrones 2 2
2n 2(3) = 18 electrones
N Cuntico Acimutal l (0, a (n-1) ) 0, 1, 2.
3 subniveles l = 0 (s), l = 1 (p), l = 2 (d)
N Cuntico Magntico ml = (2l+1)
para l = 0 ml = 1 (0)
Para l = 1 ml = 3 (-1, 0 ,1)
Para l = 2 ml = 5 (-2, -1, 0, 1, 2)
N Cuntico de Spin -, +
En resumen:
Nivel Principal n = 3 (M)
subnivel l = 0 s m =1 ml = 0 ms= -, + 2 electrones

l
subnivel l = 1 p ml =3 ml = -1 ms= -, +
ml = 0 ms= -, + 6 electrones
ml = 1 ms= -, +
subnivel l = 2 d ml =5 ml = -2 ms= -, +
ml = -1 ms= -, +
ml = 0 ms= -, + 10 electrones
ml = -1 ms= -, +
________ ml = -2 ms= -, + ____________
Total 18 electrones
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2 6 10
La notacin abreviada del ejemplo es: 3s , 3p , 3d .
2.1.- Desviaciones de la Estructura Electrnica Prevista.
La configuracin ordenada de la estructura electrnica no se sigue siempre, particularmente cuando el

nmero atmico es grande, por ejemplo: cabra esperar que la estructura atmica del Hierro, con
2 2 6 2 6 10 2 2 6
nmero atmico 26 fuera 1s 2s 2p 3s 3p 3d , pero la estructura real es 1s 2s 2p
2 6 2 6
3s 3p 4s 3d , el primer traslapamiento entre niveles energticos principales ocurre en el
subnivel 4s que est a menor energa que el subnivel 3d. A energas aun mayores, el orden de
ocupacin se vuelve muy complejo, de tal modo que, por ejemplo, hay electrones en el sexto
nivel energtico (6s) antes que se llene completamente el cuarto nivel principal (4f).
La figura siguiente es una gua til para el orden de ocupacin de los subniveles:
1s
2s 2p
3s 3p 3d
4s 4p 4d 4
f
5s 5p 5d 5
f
6s 6p 6d 6
f
7s 7p 7d
2.2.- Valencias.
La valencia de un tomo se relaciona con la capacidad del mismo para entrar en combinacin
qumica con otros elementos. Estos son siempre aquellos que siguen despus de la estructura
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2 6
completa de un gas noble (raro) (s p ). Para ello, es conveniente emplear una notacin simple.
Esta notacin se llama electrnica y esencialmente es el smbolo de elemento que representa el
centro de tomo, acompaado de una serie de puntos que representan los electrones de valencia
de aquel elemento, ejemplos:
H Na Be C Ne
2.3.- Electronegatividad.
Describe la tendencia de un tomo a ganar electrones de valencia. Los tomos con niveles
externos de energa casi completamente llenos, son sumamente electronegativos y aceptan
electrones fcilmente, sin embargo, los tomos con niveles de energa externos casi vacos, ceden
electrones fcilmente y son altamente electropositivos. Los tomos con alto nmero atmico
tienen tambin una escasa electronegatividad, debido a que los electrones externos estn muy
alejados del ncleo positivo, no son atrados con fuerza por este.
La electronegatividad no es una cantidad precisa, es ms bien un valor relativo. As la

electronegatividad de un elemento se define en funcin de la electronegatividad de otros.
2.4.- Tabla Peridica de los Elementos.
La estructuracin de la Tabla Peridica (Figura X) en columnas y renglones, llamados grupos

(lneas verticales) y perodos (lneas horizontales) respectivamente, se basa en la configuracin
electrnica de los elementos. En consecuencia, dicha tabla revela ciertos aspectos del
comportamiento de los elementos.
Los perodos en la Tabla corresponden a las capas cunticas o nmeros cunticos principales. Los
perodos terminan con aquellos elementos cuyos orbitales P del nivel principal mas exterior, estn
llenos con seis electrones. (Gases inertes). As el primer perodo slo corresponden los elementos
1 2
que tengan electrones en la capa cuntica n=1 (1s , 1s ) o sea dos elementos (H, He). Al segundo
2
perodo corresponden los elementos que tienen elementos en la segunda capa cuntica n = 2 (1s
2 6
2s 2p ) o sea un total de 8 elementos. Al tercer perodo corresponden los
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2 2 6 2 6
elementos que tengan electrones en la tercera capa cuntica n = 3 (1s 2s 2p 3s 3p ) o sea 8
elementos.
Sin embargo, en el perodo 4, los electrones adicionales, aadidos al gas inerte Argn, van a los
siguientes subniveles superiores 4s 3d y 4p, lo que corresponde a 18 elementos para este perodo.
En el perodo 5, aparecen nuevamente 18 elementos, pero en el perodo 6, despus del gas inerte
Xenn, los electrones adicionales llenan los subniveles 6s, 4f, 5d y 6p que corresponde as a 32
elementos.
Las columnas o grupos se refieren al nmero de electrones que se encuentran en el nivel

energtico s p (referido al nmero cuntico acimutal l) y corresponden a la valencia ms
comn. Ciertos grupos se encuentran relacionados tan estrechamente en sus propiedades que
pueden llamarse familias. Estn por ejemplo, la familia de los alcalinos del grupo I, que
corresponde elementos cuyas capas de valencia tienen un electrn s; la familia de los
Alcalinos-trreos del grupo II cuyas capas de valencia tiene 2 electrones s y la familia de los
2 5
halgenos grupo VII, cuyas estructuras de capa de valencia son s p .
Aquellos elementos con subniveles incompletos 3d, 4d y 5d, muestran propiedades similares
debido a sus estructuras electrnicas semejantes y constituyen un grupo de elementos en la parte
central de la Tabla, conocidos como metales de transicin.
Figura X.- Clasificacin peridica de los elementos segn Mendeleiev
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3.- ENLACE ATMICO
Existen varios modelos que explican las caractersticas de las fuerzas que mantienen unidos a los
tomos en las molculas. Estos son: Enlaces inico, enlace covalente, enlace metlico, enlace de
Van del Waals.
3.1.- Enlace Inico.
El modelo inico fue propuesto en 1916 por Kssel y Lewis, el mismo plantea que una de las
formas de producir unin entre los tomos es logrando que ellos adquieran cargas de signos
opuestos y en consecuencia se produzca entre ellos una atraccin de tipo electrosttico. Para
lograr que esto, ocurra debe tener lugar un doble proceso de ionizacin que permita que uno de
los tomos involucrados en el enlace se transforme en un Ion positivo (catin), por la prdida de
electrones y el otro en un Ion negativo (anin) por la ganancia de electrones.
Los elementos que mas marcadamente presentan esta propiedad son los de los grupos IA, IIA, y
los VIA y VIIA, los cuales al ionizarse y convertirse en aniones y cationes logran la
configuracin electrnica de gas noble.
Ejemplo tpico es el Cloruro de Sodio (NaCl)
2 2 6 1 - + (Catin)
Na (11), 1s 2s 2p 3s e Na
2 2 6 2 5 - (Anin)
Cl (17), 1s 2s 2p 3s 3p +e Cl
+ - NaCl Unin Inica

Na + Cl
3.2.- Enlace Covalente.
El modelo del enlace inico resulta inadecuado para explicar muchas otras molculas como por
ejemplo N2, Cl2, O2, H2 (Molculas Diatmicas), en los cuales es evidente la existencia de la
misma afinidad electrnica. El mecanismo de unin considera el enlace qumico existente como
la comparticin de un par de electrones de valencia entre dos tomos.
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La estabilidad de este enlace puede ser atribuida a la atraccin compleja de dos ncleos cargados
positivamente por el par de electrones compartido. En esta forma de enlace los tomos
involucrados alcanzan la estructura del gas inerte. Cuando dos tomos comparten un par de
electrones se forma enlace simple, cuando se comparten dos electrones, enlace doble y as
sucesivamente.
A B A B
A B
Figura X.-
3.3.- Enlace Metlico.
La falta de iones cargados opuestamente y la falta de suficientes electrones de valencia para

formar enlace covalente, hace necesario que ms de dos tomos compartan electrones de
valencia. Cada tomo del metal contribuye con sus electrones de valencia a formar una nube
electrnica negativa, estos elementos se mueven libremente entre los iones metlicos positivos.
Los iones metlicos se mantienen juntos en virtud de su atraccin mutua para la nube electrnica
negativa.
3.4.- Fuerzas de Van Der Waals.
Este tipo de enlace se presenta en tomos neutros, como los de los gases nobles se mantienen
unidos por cargas electrostticas dbiles.
CAPITULO 1
4.- ORDENAMIENTO ATMICO
Existen tres niveles de organizacin o arreglo de los tomos desordenacin, ordenamiento

particular, ordenamiento general.
4.1.- Desordenacin.
En este arreglo, los tomos carecen de una distribucin ordenada, los mismos se distribuyen
aleatoriamente, confinados al espacio disponible. Ejemplo: los gases.
4.2.- Ordenamiento Particular. (De corto alcance)
Un material presenta ordenamiento particular si el arreglo caracterstico de los tomos se

restringe solo a tomos circunvecinos, ms la cadena o molcula se distribuye aleatoriamente.
Amorfo
Intermedio
Cristalino
Figura X.- Transicin del estado amorfo al estado cristalino.
4.3.- Ordenamiento General.
En este ordenamiento, los tomos se distribuyen de una forma especfica por todo el material, formando
un patrn reticular repetitivo, de manera que las inmediaciones de cada punto son idnticas.
Figura X.- Estado ordenado y estado desordenado.
CAPITULO 1
5.- ESTRUCTURA CRISTALINA
La estructura cristalina sigue un ordenamiento general o de largo alcance, de tal forma que los
tomos forman un patrn repetitivo. La red o retcula es un conjunto de puntos denominado
Puntos Reticulares, los cuales siguen un patrn regular. La celda unitaria es la menor subdivisin
de una red.
5.1.- Celda Unitaria.
Es la menor subdivisin de una red que tiene caractersticas generales de toda la retcula, se
consideran 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais, agrupadas en siete estructuras
cristalinas, estas son: Cbica, tetragonal, ortorrmbica, hexagonal, rombodrica, monoclnica y
triclnica.
5.2.- Parmetro de Red.
Los parmetros de reticulares que definen el tamao y la forma de la celda unitaria, son: las
dimensiones de los lados y los ngulos que la forman. La convencin adoptada para describir los
parmetros reticulares consiste en escoger las distancias a, b y c, segn los ejes x, y y z. Los
ngulos se definen segn al plano perpendicular al cual se hace corresponder. A x entonces
corresponde , a y entonces corresponde y a z entonces corresponde .
Figura X.- Parmetros de red.
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Los 7 sistemas cristalinos son:
1. CBICO Tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares.

a=b=c = = = 90
2. TETRAGONAL Tres ejes perpendiculares, solo dos iguales.
a=bc = = = 90
3. ORTORRMBICA Tres ejes desiguales, mutuamente perpendiculares
abc = = = 90
4. HEXAGONAL Dos ejes iguales, coplanares a 120 y un eje desigual,
perpendicular.
a=bc = = 90, = 120
5. ROMBOEDRAL Tres ejes iguales, todos los ngulos iguales pero
diferentes de 90.
a=b=c = = 90
6. MONOCLNICA Tres ejes desiguales, uno de los cuales es
perpendicular a otro de los restantes.

abc = = 90
7. TRICLNICO Tres ejes desiguales, ngulos desiguales y distintos de
90.
abc 90
Las 14 Redes de Bravais son:
CBICA
Cbica Simple Cbica Centra en el Cuerpo Cbica Centra en las Caras
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TETRAGONAL
Tetragonal Simple
Tetragonal Centra en el Cuerpo
ORTORRMBICA
Ortorrmbica Simple Ortorrmbica Centrado Ortorrmbica Ortorrmbica

en el Cuerpo Centra en las Bases Centrada en las Caras
HEXAGONAL
ROMBOEDRAL
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MONOCLNICA
Monoclnica Simple Monoclnica Centra en las Bases
TRICLNICO
CAPITULO 1
5.3.- Radio Atmico.
Si se imaginan los tomos como esferas apenas tocndose y en equilibrio, entonces la distancia
entre lo centros de las esferas pueden tomarse como dimetro atmico aproximado. El radio
atmico ser entonces d/2. El dimetro atmico aumenta conforme al nmero de capas ocupadas,
se incremente y disminuye conforme el nmero de electrones de valencia aumenta.
5.4.- Numero de tomos por Celda Unitaria.
Un punto de red en las esquinas (nodos) es compartido por ocho celdas a la vez, quiere decir que
las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto. Las caras son compartidas por 2 celdas, quiere
decir que contribuyen con tomo, y las porciones centrales no son compartidas quiere decir
que contribuye con 1 tomo.
El nmero tomos por celda unitaria es el producto del nmero de tomos por punto reticular
multiplicado por el nmero de puntos red por celda unitaria. Equivalente atmico dentro de la red
cristalina.
5.5.- Numero de Coordinacin.
Es el nmero de tomos que se encuentran en contacto con un tomo en particular, o el nmero

de tomos vecinos ms cercanos. Esto indica la eficiencia del empaquetamiento.
5.6.- Factor de Empaquetamiento.
Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos, suponiendo que sean esferas slidas.
Factor de empaquetamiento Nm. de tomo / celda Vol. de tomo
Vol. de celda
Esto indica la eficiencia de acomodamiento.
5.7.- Densidad.
La densidad terica de un metal se calcula aplicando las propiedades de la estructura cristalina.
tomo / celda masa atmica

Vol. de celda nmero de Avogadro
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6.- SISTEMAS CBICOS
Los sistemas cbicos quedan definidos por tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares y tres
ngulos iguales entre si e iguales a 90. Los sistemas cbicos estn formados por tres tipos de
redes, estas son: Cbico Simple (CS), Cbico Centrado en el Cuerpo (BCC), Cbico Centrado en
las Caras (FCC).
6.1.- Cbico Simple.
Relacin entre radio atmico y parmetro de

red:
del grfico a 2r
a Nmero de coordinacin:
r r nmero de vecinos mas cercano = 6 tomos

1/8 tomo
a
Nmero de tomos por celda unitaria:
8 tomos por celda * 1/8 tomo = 1 tomo
Factor de empaquetamiento:
FE tomo celda vol.

tomo vol. celda
FE 1 tomo4 / 3
r 3 a3
como: a 2r
FE 1* 4 / 3 r 3 4 r 3
2 r 3 3*8
r3
0,52
FE
6
CAPITULO 1
6.2.- Cbico Centrado en el Cuerpo.
4r a 4r a
a 2.a
Relacin entre radio atmico y parmetro de red:
16 r 2 a2 2 a2 16r23a2
4
a 16 / 3 r 3 3 r
Nmero de coordinacin:
El tomo central tiene 8 vecinos.
8 tomos por celda * 1/8 tomo = 1 tomo

1 tomos en el centro = 1 tomo.
Total = 2 tomo
s
FE 2 tomo4 / 3
r3 a3
como: a 4 / 3 r
FE 2 * 4 / 3 r 3 3 r 3
4 / 3 r 3 8 r3
3
FE 8 0,68
CAPITULO 1
6.3.- Cbico Centrado en las Caras.
4r a
16 r 2 2 a2
a 16 / 2 r 2 2 r
Nmero de coordinacin:
4 tomos vrtice + 4 tomos plano posterior + 4 tomos plano posterior = 12

tomos.
8 tomos por vrtices * 1/8 tomo = 1 tomo

6 tomos en cada cara *1/6 tomo = 3 tomo.
Total = 4 tomos
FE 4 tomo4 / 3 r
3
a3
como: a 2 2 r
FE 4 * 4 / 3 r 3 1 r 3
2 2 r 3 3 2 r3
FE 2 0,74
6
CAPITULO 1
6.4.- Estructura Hexagonal Compacta.
El sistema hexagonal queda definido por dos lados iguales y uno desigual y por dos ngulos
iguales e iguales a 90 y otro de 120.
La inspeccin de este cristal revela siete tomos en cada plano de las bases, ms tres tomos entre
los planos de las bases. Ubicados a 120, estos tomos centrales se encuentran entre los
intersticios de los tomos en los planos de base.
c
a a
del grfico: a 2r
Nmero de Coordinacin:
El tomo del centro [ tomo , plano B] est

tocado por 6 vecinos, adems, est tocado por 3
arriba ( plano A) y 3 abajo (Plano A)
Total 12 tomos
del grfico: 1/6 tomo por esquina x 6 esquina = 1

como son 2 planos base s =1
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CAPITULO 1
3 tomos en el centro de los planos = 3
tomo / base x 2 bases =1
Total = 6 tomos
4 / 3 r 3
FE 6 tomo
3 3 a2
c
2
FE 6 4 2 r 3 2
3 3 3 1.633 8 r 3 3 3 1.633
FE 0.74
CAPITULO 1
7.- PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA
7.1.- Coordenadas de un punto.
Estableciendo un sistema de coordenadas se pueden localizar ciertos puntos y las posiciones de

los tomos en la celda unitaria.
La distancia se mide en trminos de

parmetros de red en cada una de las
coordenadas.
Las coordenadas se denotan enunciando las

tres distancias, separador comas.
7.2.- Direcciones en la Celda Unitaria.
Los ndices de Miller es la notacin que se usa para describir estas direcciones.
El procedimiento para obtener los ndices de Miller es el siguiente.
a) Se determinan las coordenadas de dos puntos que estn en esa direccin.
b) Se restan las coordenadas del punto trasero de las del punto delantero.
c) Se eliminan las fracciones y/o se reducen los resultados obtenidos de las restas, a los
enteros mnimos.
d) Se enuncian los nmeros entre corchetes [ ], si se obtiene un nmero negativo, se

representa con una barra sobre el nmero.
Los grupos de direcciones equivalentes se denominan familias de direcciones, se usan

parntesis angulares < > para indicar este conjunto de direcciones.
CAPITULO 1
Ejemplo:
Direccin A:
a) Dos puntos son, 1,0,0 y 0,0,0
b) Resta de los puntos 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0
c) No hay fracciones, ni enteros.
d) Direccin [1 0 0]
Direccin B:
a) Dos puntos son, 1,1,1 y 0,0,0.
b) Resta de los puntos 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1
c) No hay fracciones, ni enteros.
d) Direccin [1 1 1]
Direccin C
a) Dos puntos son 0,0,1 y ,1 ,0
b) Resta de los puntos 0,0,1 ,1,0 = -1/2,-1,1
c) 2*(-1/2,-1,1)= -1,-2,2
d) Direccin 1 2 2
CAPITULO 1
7.3.- Planos en la Celda Unitaria.
Se logra una identificacin rpida de los planos en un cristal, utilizando los ndices de Miller,
para ello se usa el siguiente procedimiento.
a) Se identifican los puntos en los cuales el plano respectivo intercepta los ejes coordenados.
Si el plano respectivo pasa por el origen, este debe ser desplazado.
b) Se obtienen los recprocos de estas intersecciones.
c) Se eliminan las fracciones, pero no se reducen a mnimos enteros.
d) Se encierran las cifras resultantes entre parntesis ( ), y los nmeros negativos se

representan con una raya en la parte superior.
Plano A:
a) cortes con ejes x=1, y=1, z=1
b) recprocos 1/x=1, 1/y=1, 1/z= 1
c) No hay fracciones
d) plano: (1 1 1)
Plano B: Plano C:
a) cortes con ejes x= , y=1, z= b) a) cortes x= , y=, z=
recprocos 1/x=0, 1/y=1, 1/z= 0 b) recprocos 1/x=0, 1/y=2, 1/z= 0
c) No hay fracciones c) No hay fracciones
d) plano: (0 1 0) d) plano: (0 2 0)
CAPITULO 1
7.4.- Direcciones y planos en las Celdas Unitarias Hexagonales.
El sistema de coordenadas para este tipo de celdas

utiliza cuatro ejes en lugar de tres, siendo redundante
uno de los ejes, donde la tercera coordenada es la
suma de las dos primeras con signo negativo, (h k i l) i
= -(h+k).
El procedimiento utilizado es el aplicado

anteriormente (celdas cbicas) tanto para planos como
para direcciones.
Ejemplos:
Direccin : Direccin :
a) Dos puntos: 0,0,1 y 1,0,0 a) Dos puntos: 0,1,0 y 1,0,0

b) Resta 0,0,1 - 1,0,0 = -1,0,1 b) Resta 0,1,0 (1,0,0) = -1,1,0
c) No hay fracciones c) No hay fracciones
d) Direccin [ 1 0 1 ] d) Direccin [ 1 1 0 ]
Plano A: Plano B:
a) Cortes: a1 , a2 , c = 1 e) Cortes: a1 1 , a2 1, c = 1
b) Recprocos: 1/a1= 0, 1/a2 = 0, 1/c = 1. f) Recprocos: 1/a1= 1, 1/a2 = 1, 1/c = 1.
c) No hay fracciones, i = -(0 + 0) = 0 g) No hay fracciones, i = -(1 + 1) = 2
d) Plano: (0 0 0 1) h) Plano: (1 1 2 1)
CAPITULO 1
8.- DEFECTOS CRISTALINOS.
Los cristales reales se desvan, en cierto nmero de formas importantes, de la periodicidad

perfecta que se estableci anteriormente. A cualquier desviacin de una disposicin ordenada de
puntos reticulares se le llama defecto o imperfeccin.
Los defectos se agrupan en tres tipos:
Cuando la desviacin de una disposicin ordenada esta localizada en la proximidad de unos

pocos tomos solamente, se denomina defecto de punto. Si el defecto se extiende a travs de
zonas del cristal, se denomina defectos reticulares. A su vez, los defectos reticulares se dividen en
defectos de lnea y Defectos de Superficie.
8.1.- Defectos de Punto.
Existen tres tipos de defectos de punto:
8.1.1.- Lugar Vacante.
El mismo sucede cuando se pierde un tomo

de una posicin de la red. En los metales
puros se crean por excitacin trmica
pequeos nmeros de vacantes y estas son
termodinmicamente estables a temperaturas
tomo tipo A mayores que el cero absoluto.
Figura X. Lugar vacante
En equilibrio, la fraccin de puntos reticulares que estn vacos a una temperatura determinada
est dada, aproximadamente, por la ecuacin:
N Q
EXP
N0 RT
N Nmero de vacantes de equilibrio.
N0 Cantidad total de puntos reticulares

CAPITULO 1
Q = Energa de activacin necesaria para formar una mole de vacantes (cal/mol).
R = Constante de los Gases (2 cal/mol*K)
T = Temperatura en K
Se pueden producir concentraciones de vacancias mayores que en el equilibrio, mediante

deformacin plstica, o como resultado del bombardeo con partculas nucleares de
energa elevada
8.1.2.- Intersticial.
tomo A tomo B
tomo tipo A
a) Autointersticial b) Heterointersticial
Figura X, Defectos intersticiales
Se forma cuando se inserta un tomo adicional en la estructura de una red. En un lugar que no es
un nodo normal. Ejemplo: C N en hierro (Fe).
Los autointersticiales son tomos de la misma naturaleza del cristal, mientras los
heterointersticiales son tomos de una naturaleza diferente a los del cristal. Los defectos
intersticiales en los metales puros ocurren por bombardeo con partculas nucleares, pero
frecuentemente no se producen por activacin trmica.
CAPITULO 1
8.1.3.- Sustitucional.
Se forma cuando se inserta un tomo en la red,

el mismo reemplaza al tomo original en el
lugar normal, como sucede con el Cr en el
Fe.
tomo A tomo B
Figura X, tomo sustitucional.
8.1.4.- Defecto de Frenkel
Este defecto se forma por el desplazamiento de un in desde su posicin normal en la red, hasta
un lugar intersticial de la red, este al saltar produce una vacancia. Este defecto solo se produce en
materiales con enlace inico.
8.1.5.- Defecto Shottky.
Esta imperfeccin sucede por la migracin de un par de iones (positivo y negativo) hasta una
posicin en la superficie libre o a una frontera intercristalina.
8.2.- Defectos de Lnea.
Las dislocaciones son el defecto ms importante en la red cristalina.
CAPITULO 1
Es posible identificar dos tipos bsicos de dislocaciones. La dislocacin de Tornillo y la

dislocacin de Borde o Arista.
8.2.1.- Dislocacin de tornillo.
Esta dislocacin se puede formar desplazando la red uno o varios espacios cristalinos.
Figura X.- Figura esquemtica de una dislocacin de tornillo.
Si se sigue el plano cristalogrfico una revolucin alrededor del eje, recorriendo igual nmero de
espaciamientos atmicos en cada direccin se terminar un espacio por debajo del punto de
partida, el vector que se requiere para completar el giro y reintegrarnos al punto de partida, es el
vector de Burgers b, el eje alrededor del cual se sigue la trayectoria es la lnea de dislocacin, se
puede nota que la dislocacin y el vector de Burgers son paralelos.
8.2.2.- Dislocacin de borde o arista.
Esta dislocacin puede formarse insertando medio plano cristalogrfico en el cristal perfecto.
Figura X1.- Figura esquemtica de una dislocacin de borde.
CAPITULO 1
Si se describe un giro en el sentido de las manecillas del reloj alrededor de la dislocacin de

arista, recorriendo igual nmero de espaciamientos atmicos en cada direccin, se terminara uno
o varios tomos de distancia del punto de partida, el vector requerido para completar el giro es
nuevamente el vector de Burgers, en este caso el vector es perpendicular a la dislocacin de
arista.
El vector de Burgers y la dislocacin forman un plano de deslizamiento, esto permite explicar la

deformacin plstica o permanente de los materiales.
Cuando acta a una fuerza cortante en la direccin del vector, la dislocacin puede moverse en el
sentido del vector de Burgers.
Si el proceso continua se producir un escaln en el cristal al momento de encontrar una

superficie.
Figura.
Si aun se introduce otra dislocacin y el proceso continua, este llegar a romperse formando otra
superficie.
CAPITULO 1
8.3.- Defectos Superficiales.
Estos defectos se pueden clasificar de la siguiente forma:
8.3.1.- Bordes de grano.
Los materiales estn compuestos de un arreglo estructural (FCC, BCC, HCP, etc). Durante la
cristalizacin, los cristales adoptan diversas orientaciones, dando lugar estos a bordes que separan
una orientacin en particular. Esta separacin en el lmite o borde de grano, dentro de un grano,
las celdas unitarias tienen la misma orientacin.
Figura
8.3.2.- Tamao de grano.
El tamao de grano tiene un efecto sobre la mayora de las propiedades mecnicas, por ejemplo a
temperatura ambiente, al disminuir el tamao de grano, aumenta la dureza, el lmite elstico, la
resistencia a la traccin, inclusiva el lmite de fatiga. Estas propiedades se van a afectar dado que
existe un nmero mayor de fronteras, cualquier dislocacin encontrar un lmite de grano al
moverse, lo cual redundar en obstaculizar el movimiento de las dislocaciones.
La American Society for Tesing and Material (ASTM), establece la siguiente relacin para
expresar el tamao del grano.
N 2n1
CAPITULO 1
Donde:
N = es el nmero de granos por pulgada cuadrada en una microfotografa con

ampliacin 100X.
n = es el ndice de tamao del grano.
8.3.3. Fallas de apilamiento.
Las fallas de apilamiento ocurren en los cristales FCC y Hc y representa un error en la secuencia
de apilamiento en los planos compactos. Normalmente se produce una secuencia de apilamiento
ABCABCABC en una red FCC perfecta. Pero supongamos que se produce la siguiente
secuencia:
ABCABABCABC
En la posicin indicada en la secuencia, un plano tipo A se tiene donde habra normalmente un

plano tipo C. Esta pequea regin que tiene un apilamiento con una secuencia AB en lugar de la
secuencia ABC, representa una falla de apilamiento.
Las fallas de apilamiento se pueden representar por dos mecanismos diferentes. Primero si se
perturba el crecimiento de la estructura cristalina durante la solidificacin. Un segundo
mecanismo requiere de la disociacin de una dislocacin en dos dislocaciones parciales, lo que
produce una configuracin que se conoce como dislocacin extendida.
8.3.4. Bordes de macla.
Figura X.- Representacin esquemtica de un plano de macla y varias maclas en el interior de

un grano de Cobre.
CAPITULO 1
Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tiene una pequea
diferencia en la orientacin de sus planos.
Las maclas se producen cuando una fuerza cortante que acta a lo largo del borde del grano, hace
que los tomos abandonen su posicin. El borde de macla ocurre durante la deformacin o el
tratamiento trmico de ciertos metales.

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CAPITULO 1

1.- MATERIALES PARA INGENIERA

Es conveniente separar los materiales para Ingeniera en las categoras siguientes:

Esta clase de materiales tecnolgicos se puede distinguir normalmente de las otras

2.- ESTRUCTURA ATMICA

La cantidad de protones en el ncleo va a determinar el nmero atmico, este va a ser el valor

n Nmero cuntico principal: Representa la capa cuntica a la que pertenece el

l Nmero cuntico acimutal: este representa el nmero de niveles de energa en

cada nmero acimutal. El nmero total de nmeros cunticos magnticos para

ms Nmero cuntico de espin: El principio de exclusin de Pauli, establece que no

La configuracin electrnica de un tomo puede indicarse por un nmero representativo que

Ejemplo: Determinar la distribucin electrnica para el nmero cuntico principal n=3

Para l = 1 ml = 3 (-1, 0 ,1)

Para l = 2 ml = 5 (-2, -1, 0, 1, 2)

subnivel l = 0 s m =1 ml = 0 ms= -, + 2 electrones

2.1.- Desviaciones de la Estructura Electrnica Prevista.

La configuracin ordenada de la estructura electrnica no se sigue siempre, particularmente cuando el

La electronegatividad no es una cantidad precisa, es ms bien un valor relativo. As la

2.4.- Tabla Peridica de los Elementos.

La estructuracin de la Tabla Peridica (Figura X) en columnas y renglones, llamados grupos

Las columnas o grupos se refieren al nmero de electrones que se encuentran en el nivel

Figura X.- Clasificacin peridica de los elementos segn Mendeleiev

3.- ENLACE ATMICO

3.1.- Enlace Inico.

Ejemplo tpico es el Cloruro de Sodio (NaCl)

+ - NaCl Unin Inica

3.2.- Enlace Covalente.

3.3.- Enlace Metlico.

La falta de iones cargados opuestamente y la falta de suficientes electrones de valencia para

3.4.- Fuerzas de Van Der Waals.

4.- ORDENAMIENTO ATMICO

Existen tres niveles de organizacin o arreglo de los tomos desordenacin, ordenamiento

4.2.- Ordenamiento Particular. (De corto alcance)

Un material presenta ordenamiento particular si el arreglo caracterstico de los tomos se

Figura X.- Transicin del estado amorfo al estado cristalino.

4.3.- Ordenamiento General.

Figura X.- Estado ordenado y estado desordenado.

5.- ESTRUCTURA CRISTALINA

5.1.- Celda Unitaria.

5.2.- Parmetro de Red.

Figura X.- Parmetros de red.

Los 7 sistemas cristalinos son:

1. CBICO Tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares.

perpendicular a otro de los restantes.

Las 14 Redes de Bravais son:

Cbica Simple Cbica Centra en el Cuerpo Cbica Centra en las Caras

Ortorrmbica Simple Ortorrmbica Centrado Ortorrmbica Ortorrmbica

Monoclnica Simple Monoclnica Centra en las Bases

5.3.- Radio Atmico.

5.4.- Numero de tomos por Celda Unitaria.

5.5.- Numero de Coordinacin.

Es el nmero de tomos que se encuentran en contacto con un tomo en particular, o el nmero

5.6.- Factor de Empaquetamiento.

La densidad terica de un metal se calcula aplicando las propiedades de la estructura cristalina.

tomo / celda masa atmica

6.- SISTEMAS CBICOS

6.1.- Cbico Simple.

Relacin entre radio atmico y parmetro de

r r nmero de vecinos mas cercano = 6 tomos

8 tomos por celda * 1/8 tomo = 1 tomo

FE tomo celda vol.

6.2.- Cbico Centrado en el Cuerpo.

Relacin entre radio atmico y parmetro de red:

El tomo central tiene 8 vecinos.