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Diodos y Transistores

Diseo de un Amplificador
con JFET con polarizacin
por divisor de voltaje

Adrin Yuciel Montalvo Reyes


1. Conseguir un JFET canal N
2n5457 o 2n4416o cualquier
otro Canal N
V1 Vcc
9V 15V

2. R3 Obt
e 1k ner
Key=A R1
33.66 % 1.0k Vp ,
I Q1
DSS

2N4416

mediante simulacin de circuito


IDSS
V1 Vcc XMM1
9V 15V

R3

1k
Key=A R1
33.661 % 1.0k

Q1

2N4416

VP
V1 Vcc
9V 15V

R3

1k
Key=A R1
33.661 % 1.0k
XMM1

Q1

2N4416

3. Curva Caracterstica del JFET


I D 9.489(1 V3.GS029 ) 2

curva caracteristica del JFET

4. Elegimos un punto Q para seleccionar ID y VGS


curva caracteristica del JFET

5. Elegimos VDD
6. Fijamos VDS a de VDD
7. Fijamos Vs < VDS
I D 5mA
VGS 0.83v
V DD 15v
V DS 7.5
V S 5v
8. Calcular VG

VG VGS VS
VG 0.83 5 4.17volts

9. Trazamos una lnea recta desde el punto VG al


punto Q

curva caracteristica del JFET

10. Fijamos un valor a RG1 >> a 47K y


calculamos RG2
RG1 220 K
RG 2
VG (VDD )
RG1 RG 2
4..17 RG 2

15 220k RG 2
0.278( 220k RG 2 ) RG 2

61,150 RG 2 .217 RG 2
61,160
RG 2 84.709 82 K
.722
Resistencia comercial = 82K

11. Calculamos RD y lo pasamos a valor


comercial.

VDD (VDS VS )
RD
ID
15 (7.5 5)
RD 500 510
5mA

Resistencia comercial = 510

12. Calculamos RS
VS 5v
RS 1k
I D 5mA
Resistencia comercial = 1K

13. Hacer un anlisis del circuito y obtener corrientes y


voltajes
Vcc
15V

82 K
R1 VG (15v) 4.07volts
R2
220k
510
220 K 82 K
Q1
VGS VG VS
VS (1k * I D )
2N4416 VGS 4.07 1K * I D
R3
82k
R4
1k VGS 2
I D I DSS (1 )
VP
VGS
I D 9.485 * (1 )2
3.029v

I DSS 9.485mA
V P 3.029volts
V D R D * I D 500 * 4.918mA 2.459volts
VS I D * RS 1K * 4.918mA 4.918volts
V DS 15 2.459 4.918 7.623volts

14. Simulacin del circuito


XMM1

Vcc
15V
XMM3
R1
R2 510
220k
XMM4
Q1

XMM5 XMM6 2N4416


R3
XMM2
82k
R4
1k
15. Simulacin con capacitores
XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

Vcc
15V

XFG1 R1
R2 510
220k C3

Q1 4.7F
C1
C2 R5
10.0M
4.7F
4.7F 2N4416
R3 C4
82k
R4 20F
1k

VGS ID VG VS VD VDS
INICIALES -0.83v 5mA 4.17v 5v 2.5v 7.5
CAlCULAD -0.848 4.918m 4.07v 4.918 2.495 7.623
OS A v v v
SIMULADO -.885m 3.54mA 5.147 1.982 2.68v 2.871
S A v v v

Ganancia del circuito


Vs p p 2.260mV
G 2.260
1mV 1mV

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