3): PROCEDIMIENTO.

1. P): Montar el circuito de fa fig.1.

2. P): Variar la tensin de la fuente entre -10 V y +10V (de voltio en

voltio) sin exceder de los lmites y medir para cada una de estas
tensiones de fuente, la tensin en R (VRJ Y la tensin nodo Ctodo
sobre el diodo (VAK)

3. P): Acercar la punta caliente de un soldador at diodo y efectuar las

mismas mediciones En 2.P, para tensiones

De -10, -5, 0, +5 y +10 (Voltios).

4. P): Montar el circuito de la fig.2.

5. P): Para cinco posiciones distintas del curso del potencimetro

(incluyendo las Posiciones extremas) efectuar las mismas mediciones
que en 2.P.

Procesamiento de datos:

1.1): Construir una tabla de valores lA - VAK Con las mediciones de 2.P y
efectuar la grfica correspondiente.

2. P): Variar la tensin de la fuente entre -10 V y +10V (de voltio en

voltio) sin exceder de los lmites y medir para cada una de estas tensiones
de fuente, la tensin en R (VRJ Y la tensin nodo Ctodo sobre el
diodo (VAK)

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SEMESTRE I/2017
R.- N VOLTAJE DE (VR) (VD) (ID)
(VCD)
1 0 -9.96 -
-9.98 0.010
66
2 -8.06 0 -8.07 -
0.008
7
3 -5.22 0 -5.24 -
0.005
9
4 -2.19 0 -2.19 -
0.002
9
5 -1.29 0 -1.29 -
0.001
9
6 0 0 0 0
7 1.29 0.85 0.44 -
0.000
26
8 2.20 1.74 0.46 -
0.000
24
9 5.13 4.62 0.50 -
0.000
2
10 8.04 7.52 0.52 -
0.000
1
11 10.05 9.52 0.54 -
0.000
16

LAB.Electronica I ETN 403

SEMESTRE I/2017
 2.1): Idem que el punto 1.I, para 3.P.

3. P): Acercar la punta caliente de un soldador at diodo y efectuar las

mismas mediciones En 2.P, para tensiones

De -10, -5, 0, +5 y +10 (Voltios).

R.-

N VOLTAJE DE (VR) (VD) (ID)

(VCD)
1 0 - -
-10.07 10.05 0.010
75
2 -8.22 0 -8.21 -
0.008
9
3 -5.21 0 -5.21 -
0.005
9
4 -2.07 0 -2.07 -
0.002
7
5 -1.29 0 -1.29 -
0.001
9
6 0 0 0 0
7 1.3 0.85 0.38 -
0.000
32
8 2.21 1.74 0.42 -
0.000
28
9 5.29 4.62 0.45 -
0.000
25
10 8.28 7.52 0.47 -
0.000
23
11 10.88 9.52 0.50 -
0.000
2
LAB.Electronica I ETN 403
SEMESTRE I/2017
3.1): Con los datos de 5.P construir una tabla IA - VAK, para el codo de la
curva caracterstica y trazar este codo.

5. P): Para cinco posiciones distintas del curso del potencimetro

(incluyendo las Posiciones extremas) efectuar las mismas mediciones que
en 2.P.

Voltios).

R.-

N RESISTDE (VR) (VD) (ID)

(VCD)
1 0 - -
-10.07 10.05 0.010
75
2 -8.22 0 -8.21 -
0.008
9
3 -5.21 0 -5.21 -
0.005
9
4 -2.07 0 -2.07 -
0.002
7
5 -1.29 0 -1.29 -
0.001
9
6 0 0 0 0
7 1.3 0.85 0.38 -
0.000
32
8 2.21 1.74 0.42 -
0.000
28
9 5.29 4.62 0.45 -
0.000
25
10 8.28 7.52 0.47 -
0.000
23
11 10.88 9.52 0.50 -
LAB.Electronica I ETN 403 0.000
SEMESTRE I/2017
2
2.C): Indicar que tipo de desplazamiento se espera de la caracterstica
obtenida en base a 3.P, respecto

A la obtenida en base a 2.P.

3. P): Acercar la punta caliente de un soldador at diodo y efectuar las

mismas mediciones En 2.P, para tensiones

De -10, -5, 0, +5 y +10 (Voltios).

2. P): Variar la tensin de la fuente entre -10 V y +10V (de voltio en

voltio) sin exceder de los lmites y medir para cada una de estas tensiones
de fuente, la tensin en R (VR) y la tensin tensiona nodo ctodo sobre
el diodo (Vak).

R.-

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SEMESTRE I/2017
LAB.Electronica I ETN 403
SEMESTRE I/2017
3.C): Indicar cualitativamente cual ser el comportamiento del diodo en
5.P, y adelantar

Aproximadamente los resultados esperados en las mediciones de ese

punto.

5. P): Para cinco posiciones distintas del curso del potencimetro

(incluyendo las Posiciones extremas)

Efectuar las mismas mediciones que en 2.P.

R.-

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4.C): Despreciando cadas hmicas, generacin y recombinacin y
portadores en la regin de carga espacial,

Indicar la relacin Corriente -Tensin en una unin P - N.

R.-

5.C): Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores sobre

los tubos de vaco.

R.- Las ventajas del tubo de vaco y el transistor se combinan en este

trabajo gracias a las tcnicas de fabricacin en nano-escala. Durante este
proceso, una tcnica de incineracin foto-resistiva permite la nano
separacin, de salto en el vaco (Nano-gap), entre el colector y el emisor
(Drain y Source en este caso) del transistor, lo que favorece un
funcionamiento a menos de 10 V, mucho menos de lo que un tubo de
vaco clsico requiere. En los semiconductores o tubos de vaco?
logrados durante los experimentos, se ha alcanzado una frecuencia de
corte de 460Ghz (0,46THz.), aunque an no nos queda claro cules han
sido las tcnicas para determinar estos lmites de frecuencia. De todos
modos, estos tubos de vaco, (o transistores) construidos en nano-escala,
pueden proporcionar una ultra alta frecuencia de operacin sumado al
beneficio de poder trabajar con interesantes niveles de potencia
energtica. Adems, satisfacen las demandas actuales de ligereza, coste,
tiempo de vida, y estabilidad de funcionamiento en duras condiciones de
trabajo. Como cierre de esta investigacin, los esfuerzos estn centrados
en que el voltaje de operacin pueda ser disminuido para permitir a estos
dispositivos tener un desempeo energtico comparable (y mejor) a los
semiconductores modernos con tensiones de trabajo menores a 1Volt.

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SEMESTRE I/2017
Otra representacin del canal de vaco entre los electrodos principales
del transistor

En un artculo aceptado por la revista Applied Physics Letters,

perteneciente al Instituto Americano de Fsica (AIP, American Institute of
Physics), los autores describen el modo en que este tipo de transistores
puede ser til para aplicaciones en sensores qumicos peligrosos, en
mtodos de diagnstico mdico no invasivos y en el creciente mundo de
las telecomunicaciones de alta velocidad, as como en los llamados
"medio ambiente extremo", donde encuentran un escenario ideal para
las aplicaciones militares y espaciales.

Consumen menos energa al funcionar, ergo, se calientan menos y se

pueden, como se hace, miniaturizar a tamaos micromtricos

4): OBSERVACIONES Y CONCLUCIONES .

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