SEMICONDUCTIVIDAD

Cul es el mecanismo de conduccin en el Si puro? En este caso de conductividad

intrnseca, es necesario: sacar electrones de valencia desde los enlaces (banda de valencia)
y transformarlos en electrones libres, en la banda de conduccin. Esto requiere mucha
energa (1,1 eV, ver Fig. 5.23); ello hace poco prctico esta forma de conduccin, lo cual
lleva al uso de semiconductores extrnsecos o dopados. Ntese que al saltar un electrn
desde un enlace (banda de valencia) al gas de electrones libres (banda de conduccin), en
los enlaces se genera un hueco positivo. Al aplicar un potencial elctrico al cristal, habr
entonces dos mecanismo que contribuirn a la conduccin: la conduccin por electrones
libres (negativos) y la conduccin por huecos positivos. Se entiende que la conduccin por
huecos positivos se debe al salto de electrones a esos huecos: si un hueco salt a la derecha
es porque un electrn salt a la izquierda (igual que las vacancias y los tomos). De
manera que en una misma direccin se movern electrones del gas y tambin electrones que
van saltando de enlace en enlace, aprovechando huecos.

Las Figura 5.24 y 19.14 ilustran el caso de Si dopado con B (v=3). El B se sita en
una posicin de sustitucin del cristal tipo diamante del Si. En la Figura 5.23 se muestran
las aperturas de semiconductividad extrnseca (por dopantes). En el lugar donde se ubique
el B, que slo aporta con 3 electrones, faltar un electrn de un par covalente. Esa vacancia
electrnica es positiva (falta de un electrn) y, con nulo voltaje aplicado, estar asociada al
B. Pero, al ser impuesta una diferencia de potencial moderada se podr superar una apertura
energtica moderada, 0,45 eV, y as algn electrn de valencia de algn enlace covalente
Si-Si vecino podr saltar a esa vacancia junto al B. Y aparecer una vacancia electrnica en
ese enlace Si-Si. Siempre manteniendo el voltaje aplicado, ese cuarto electrn seguir fijo
al B, y la vacancia electrnica positiva viajar de enlace Si-Si a travs del cristal,
conduciendo. La conductividad por vacancias (o huecos, holes) positivas en un
semiconductor extrnseco, se llama conductividad tipo p. Ntese que en este caso la
conductividad NO es por electrones libres; es decir, no es por electrones que hayan pasado
a la banda de conduccin, que sigue vaca.
En el caso de la conductividad tipo n, el dopante es de valencia 5. Consideremos el
caso de P en Si, ver Figura 9.12. Tambin se forma una solucin slida de sustitucin en el
Si diamante. El P se enlazar covalentemente con cuatro tomos vecinos de Si, y adems,
de no haber voltaje aplicado, conservar su quinto electrn. Originalmente, sin voltaje
aplicado, cada quinto electrn del P estar en un nivel de donores, algo por debajo de la
banda de conduccin. Sin embargo, con un voltaje moderado, se podr superar una apertura
de 0,044eV, y ese quinto electrn originalmente del P quedar como un electrn libre.
Habr conductividad por electrones libres en la banda de conduccin.
En la Fig. 5.23 ntese que el gran valor de la apertura del Si se mantiene, no es modificada
por los dopantes. Las aperturas extrnseca se basan en modificar el enlace del dopante y
luego en hacer viajar una vacancia electrnica de enlace en enlace Si-Si (caso
conductividad tipo p) o un electrn libre (caso conductividad tipo n).
La cantidad de dopante que se agrega es siempre baja, de algunas partes por milln.
El proceso de fabricacin de un semiconductor extrnseco parte de Si (o Ge) monocristalino
y puro, el cual es dopado por va gaseosa. El B por ejemplo, se gasifica calentndolo y, a
alta temperatura, se deposita sobre la superficie y luego ingresa al Si tambin caliente. El B
difunde en el Si slido por el conocido mecanismo de difusin por vacancias, propio de
una solucin slida de sustitucin.