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Objetivo
Desarrollo.
_ Bipolar.
_ Unipolar o FET.
_ IGBT.
1) Pequeas fugas.
2) Alta potencia.
3) Bajos tiempos de respuesta, para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.
4) Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.
5) Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado.
6) Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt). Una limitacin
importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no
se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton ,toff). Las
causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las
uniones colector-base y base-emisor y los tiempos de difusin y recombinacin
de los portadores.
Tiempos de conmutacin
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito
abierto.
Conclusin.
Los transistores de potencia estn conformados por distintas etapas formados
por distintos componentes que han cambiado con los aos, las mejoras y el
desarrollo de los semiconductores han hecho que las prdidas en los
transistores de potencia sea cada vez menor, los transistores de potencia
tienen muchas aplicaciones en distintas ramas no solo de la industria, adems
su desarrollo se ha venido dando desde hace ya un largo tiempo y ha avanzado
conjuntamente con los semiconductores, aun cuando algunos de los
componentes se han descontinuado, existen maquinas que an siguen
funcionando con estos, su desempeo depende tambin de la tipologa usada
en cada mquina as como de la potencia, voltaje o corriente requerida en cada
caso.