INSTITUTO TECNOLGICO DE SALINA CRUZ

MATERIA:
ELECTRNICA DE POTENCIA

PRCTICA:
UJT

ALUMNOS:
GUZMN GMES ARMANDO
LPEZ MRTNEZ LENNIN

PROFESOR:
ING. PACHECO LPEZ APOLINAR

CARRERA:
ING. ELECTRNICA

8VO SEMESTRE GRUPO: C

SALINA CRUZ, OAXACA

INTRODUCCIN

Un Oscilador de Relajacin es un circuito generador de pulsos, separados por

intervalos regulares, y cuyo principio de funcionamiento se encuentra basado en la
utilizacin de dispositivos que presenten una zona de operacin con resistencia
negativa.
Dado que los Osciladores de Relajacin son ampliamente utilizados en el disparo
de dispositivos semicontrolados como SCRs y TRIACS, se realiza el estudio de su
funcionamiento en forma general para luego aplicarlo en implementaciones con
diversos elementos del mercado.
NDICE

Contenido
TEORA Y CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA. .................... 4

TEORA DE OPERACIN....................................................................................... 4

SIMULACIN .......................................................................................................... 8

CONCLUSIN ........................................................................................................ 9

FUENTES CONSULTADAS .................................................................................. 10

TEORA Y CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA.
El transistor unijuntura, UJT de sus denominacin en ingls Unijunction Transistor,
es un dispositivo introducido en forma terica en el ao 1948 y cuyas caractersticas
fueron descriptas por Skockley y Haynes al ao siguiente. Su primer fabricacin
comercial fue realizada en al ao 1952.

TEORA DE OPERACIN.
El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B1)
y Base Dos (B2). Su smbolo, caracterstica, tensiones y corrientes se indican en la
figura 1.

Figura 1. Smbolo, caracterstica.

Como indica su nombre, el UJT tiene solo una juntura PN, por lo que presenta una
caracterstica completamente diferente a un transistor convencional.
Para explicar su funcionamiento, es conveniente modelizarlo por una estructura de
barra como se indica en la figura 2, cuyo circuito equivalente se indica en la figura
3. Circuito vlido para corrientes de emisor iguales o inferiores a las de la corriente
de pico.
 Figura 2. Estructura simplificada del UJT.

Figura 3. Circuito equivalente vlido para IE menor o

igual a IP.

Figura 4. Circuito equivalente vlido para la regin de

resistencia negativa.
 Figura 5. Circuito equivalente vlido para la regin de
saturacin.

Al aplicarse una tensin VB2B1 circula una corriente en la barra de silicio entre los
dos terminales de base. Como la barra es una resistencia de valor rBB, la corriente
interbase resulta:
I B2= VB2B1/ rBB

Una fraccin de esta tensin aparece en el punto A, donde se encuentra el terminal

de emisor, fraccin conocida como coeficiente intrnseco e identificado por la letra
griega . Sin tensin aplicada al emisor, la tensin del punto A es VB2B1, por lo
que la juntura PN se encuentra inversamente polarizada y solo circula una pequea
corriente inversa.
Si se incrementa la tensin de emisor hasta al alcanzar el valor que justo inicia la
conduccin de a la juntura PN, este valor se corresponde con el valor de pico de la
tensin de emisor Vp. Cuyo valor constituye la ecuacin fundamental de los UJT
trabajando como osciladores de relajacin:
Vp = VD+ VB2B1

A partir de este valor, al polarizarse en sentido directo la juntura PN, se inyectan

huecos desde el emisor hacia la barra de silicio. El campo elctrico dentro de la
barra tiene la polaridad adecuada para transportar a los huecos hacia el terminal de
base uno. Como la conductividad de un material semiconductor es una funcin
directa de la concentracin y movilidad de los portadores, la inyeccin de huecos
aumenta la conductibilidad en la zona, dando origen a un proceso de realimentacin
positiva denominado modulacin de la conductividad. El incremento de portadores,
reduce la resistividad, causando a su vez un aumento en la cada de tensin entre
el emisor y base uno. Proceso que a su vez permite que ms huecos sean
inyectados desde el emisor, volviendo a disminuir la resistividad. Mientras el UJT
est sometido a este proceso entre los terminales de emisor y base uno se
encuentra en la zona de resistencia negativa.
En la figura 4, se grafica esta situacin. Para corrientes de emisor iguales o
inferiores a su valor de pico, la resistencia rbb puede considerarse dividida en dos
partes rB1 y rB2 de acuerdo a las siguientes expresiones:
rB1= rBBrB2= rBB- rB1

En la zona de resistencia negativa, la resistencia rB1 puede considerarse

compuesta por una parte fija rs (resistencia de saturacin) yuna variable rn
(resistencia negativa), siendo rs el mnimo valor de rB1 una vez finalizado el proceso
de realimentacin positivo y rn se haya hecho nula.
Cuando rB1= rs, el UJT ya no se encuentra en la zona de resistencia negativa y el
punto de la caracterstica donde rB1alcanza su valor mnimo es el punto de valle,
determinado por el par de valores IV y VV de la caracterstica de emisor. Pasado
este punto, el UJT entra en la zona de saturacin, donde la corriente de emisor es
una funcin lineal de la tensin de emisor. El circuito equivalente en esta regin se
indica en la figura 5.
En la curva caracterstica del UJT de la figura 3.1 pueden diferenciarse las tres
zonas; de corte, de resistencia negativa y de saturacin.
La primera de ellas no est dibujada a escala para poder visualizar el punto de pico,
ya que mientras Ip es del orden de los nA/uA, la Iv es del orden de los mA. A la
izquierda del punto de pico se encuentra la regin de corte, donde la juntura PN se
encuentra inversamente polarizada a excepcin de las cercanas del punto de pico,
y solo circula la pequea corriente de prdidas. A la derecha de este punto, y hasta
el punto de valle, se encuentra la zona de modulacin de conductividad que da
origen al comportamiento de resistencia negativa del UJT. A la derecha del punto
de valle se encuentra la zona de saturacin donde la corriente de emisor est
limitada por rs. La caracterstica de emisor para corriente nula de base dos es
esencialmente igual a la de un diodo de silicio.

En la siguiente tabla se indican valores tpicos de un transistor unijuntura.

SIMULACIN

Figura 6. Simulacin UJT.

 CONCLUSIN

Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber
entre E y B1 para que el UJT se dispare = Ip.

Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es

de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario.
Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las
tensiones al revs.
 FUENTES CONSULTADAS

http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES%203.pdf
https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-dispositivos-de-
disparo-ujt-y-put.pdf