Instituto Tecnolgico de Aguascalientes

Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Ingeniera Electrnica
Control de convertidores para electrnica de potencia

PRACTICA 3
circuitos impulsores

Alumnos:
Alvarez Esqueda Luis Fernando (11151037)
Roberto Csar Solis Abonce (13150070)
De Luna Aguilar Ral (12150565)
Quiones Vargas Jess Emmanuel (13150063)
Reyes Jess Eduardo (13150065)
Profesor:
Dr. Francisco Javier Villalobos pia
Lugar y fecha de realizacin: Aguascalientes, Ags. 27 de enero del 2017
Fecha de entrega: Aguascalientes, Ags. 7 de Febrero del 2017
Marco teorico............................................................................................1
Caractersticas dinmicas. Conmutacin...............................................1
Modelos del MOSFET durante la conmutacin.......................................1
El modelo de un MOSFET de canal n en PSpice.....................................2
Objetivo....................................................................................................3
Introduccin..............................................................................................3
Procedimiento...........................................................................................3
Desarrollo experimental.........................................................................3
observaciones...........................................................................................7
Conclusiones.............................................................................................8
Referencias...............................................................................................8
Marco teorico
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y slo
requiere una pequea corriente de entrada. La velocidad de
conmutacin es muy alta, y los tiempos de conmutacin son del orden
de nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando
aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja potencia
y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de fenmenos de
segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los
problemas de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en
su manejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones
de falla por cortocircuito.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una
impedancia de entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de
fuga muy pequea, del orden de los nano amperes. La ganancia de
corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje I D y la corriente
de compuerta IG suele ser del orden de 10 9. Sin embargo, la ganancia de
corriente no es un parmetro importante. La transconductancia, que es
la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta, define a
las caractersticas de transferencia, y es un parmetro muy importante
[1].
Caractersticas dinmicas. Conmutacin
El proceso de encendido y apagado. Si debe ser tenida en cuenta para el
dimensionado de circuitos de proteccin (snubbers) ya que es la que
entra en resonancia con inductancias de fugas de transformadores o de
conductores y determina por lo tanto los circuitos de amortiguacin de
oscilaciones, por ejemplo, en el apagado cuando la tensin UDS llega al
mximo y la corriente se anula.
Modelos del MOSFET durante la conmutacin
En las transiciones entre bloqueo y conduccin el MOSFET pasa en forma
transitoria por la zona activa o de saturacin. En conduccin es una
resistencia y en bloqueo un diodo en inverso (aproximadamente).
Durante el trnsito por la zona de saturacin se comporta como una
fuente de corriente dependiente de la tensin UGS. Este
comportamiento inuye en la tensin de gate durante la conmutacin.
En la figura 1(Mohn et al. 1995, adaptado de) se presentan los modelos
que se adoptan para los distintos estados.

1
 Figura 1 "Modelo de MOSFET para distintas zonas de operacin [1]"
Los IRF244 son el modo de mejora de canal N-silicio puerta, Transistores
de efecto de campo de potencia. Son potencia avanzada MOSFET
diseados, probados y garantizados para soportar, nivel de energa
especificado en el modo de avalancha de operacin. Todos estos
MOSFET de potencia estn diseados para aplicaciones tales como
reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin,
controladores de motor, controladores de rel y controladores para
transistores de conmutacin bipolares que requieren alta velocidad y
baja puerta de alimentacin. Estos tipos pueden ser operados
directamente desde circuitos integrados [2]
El modelo de un MOSFET de canal n en PSpice.
El modelo esttico (cd) que genera PSpice. La declaracin del modelo de
los MOSFET de canal n tiene la forma general donde MNOMBRE es el
nombre del modelo. NMOS y PMOS son los smbolos de tipo de los
MOSFET de canal n y de canal p, respectivamente. Los parmetros que
afectan el comportamiento de un MOSFET en conmutacin, en
electrnica de potencia, son L, W, VTO, KP, IS, CGSO y CGDo. El smbolo
de un MOSFET es M. El nombre de los MOSFET debe comenzar con M, y
tiene la forma general, siendo ND, NG, NS y NB los nodos de drenaje,
compuerta, fuente y masa (o substrato), respectivamente.

Funcionamiento: Cuando los interruptores S1-S4 figura 2 estn cerrados

(S2-S3 estarn abiertos), el motor ser atravesado por la tensin en una
direccin, a la que girar el motor. Ahora bien, si abrimos S1-S4 y
cerramos S2-S3 (en este orden) dicha tensin se habr invertido y la
operacin, invertir el sentido de giro del motor.

Este obstculo podra librarse si se utilizaran MOSFET de canal P en la

parte superior, pero estos son mucho ms costosos y difciles de
conseguir que los de canal N.

2
 Figura 2 "Funcionamiento de interruptores"

Objetivo
Implementar de forma experimental el uso de los circuitos impulsores
opto-aislados para el disparo de transistores en electrnica de potencia.

Introduccin
En sta prctica se llevar a cabo un circuito que regule la velocidad de
un motor de CD a travs de los circuitos impulsores y un transistor
MOSFET. Se dividir en dos partes, una donde armaremos un circuito
impulsor sin una carga que alimentar, de esta manera se lograr
obtener la salida deseada del circuito para comprobar el funcionamiento
correcto. Para despus poder conectarlo a un transistor MOSFET para
que ste se dispare y permita el control de la velocidad de un motor de
CD a travs del ciclo til del PWM que se usar como seal de entrada
del circuito impulsor, esa ser la segunda parte.

Procedimiento
Desarrollo experimental
Equipo y Material.
Una resistencia de 470.

Integrado TLP250.

Generador de seales.

Osciloscopio.

Fuente bipolar.

1.- Armar el circuito de la figura 3.

3
 Figura 3 "Circuito impulsor con TLP250
2.- Por medio del generador de seales aplicar una seal TTL a la
entrada OSC del circuito y variar la frecuencia de 0 hasta 1MHz.
En la Fig.3 se muestra en el CH1 la seal de entrada TTL con una
frecuencia de 105.3Hz y en el CH2 la seal de salida del circuito TLP250
(pin 6), para esta frecuencia de entrada el integrado funciona de manera
correcta sin tener desfases o deformaciones en la seal de salida.

Figura 4 "Seal TTL de entrada (canal 1) y seal de salida (Canal 2)"

En la Fig.4 se muestra en el canal 1 la seal de entrada TTL con una
frecuencia de 205.2kHz y en el canal 2 la seal de salida del circuito
TLP250 (pin 6), para esta frecuencia de entrada el integrado tiene un
pequeo desfase de 406nS a la salida.

4
 Figura 5 "Seal TTL de entrada (canal 1) y seal de salida (Canal 2)"
En la Fig.5 se muestra en el canal 1 la seal de entrada TTL con una
frecuencia de 500.kHz y en el canal 2 la seal de salida del circuito
TLP250 (pin 6), para esta frecuencia de entrada el integrado tiene un
retardo de 800nS.

Figura 6 "Seal TTL de entrada (canal 1) y seal de salida (Canal 2)"

En la hoja de datos del integrado tlp250 se especifica que la frecuencia
mxima del circuito es 1.5uS que son 666.6kHz de frecuencia mxima
de entrada, haciendo una comparacin con los datos obtenidos en la
figura 6 se pude verificar que despus de la frecuencia especificada de
666kHz hay desfases y deformaciones en la seal de salida que impiden
el buen funcionamiento del circuito.
3.- Armar el siguiente circuito impulsor de la figura 7.

5
 Figura 7 "Circuito de control de velocidad de motor de CD con Mosfet."
4.- Aplicar una seal de PWM de 4kHz y variar el ciclo til de la seal y
mirar el efecto producido en el motor de corriente directa.

Figura 8 "Comparacin de seal de entrada (PWM) y salida (TLP250)"

En la Fig.8 se muestra la seal de PWM con un ciclo de 0% y la salida del
TLP250

6
 Figura 9 "Seal de entrada (PWM 50%) y la salida del TLP250"
En la Fig.7 se muestra la seal de PWM con un ciclo de 50% que es
aplicada al circuito impulsor para poder controlar la velocidad del motor
de CD a travs del disparo del transistor MOSFET y la variacin del ciclo
til de la seal de entrada, de tal manera que as se comprueba
experimentalmente el uso de los circuitos impulsores con transistores de
electrnica de potencia.

observaciones
en el armado del circuito no se tuvo ningn inconveniente debido a que
los componentes que se usan son muy sencillos de manipular, esto
aunado al hecho de que no se manipularon ni componentes delicados ni
grandes valores de voltaje o corriente.
Segn nuestro punto de vista quedaron algunas dudas de l porque el
uso de un solo pin del componente para conectar cada una de las
alimentaciones mientras que para la salida del componente presenta 2,
ya que segn la ley de corriente de Kirchhoff sabemos que no podramos
otorgar mas corriente que la que es inducida al circuito, esto sin contar
que la entrada de seal es optoaislada.
Debido a que la seal que estaba siendo utilizada como entrada del
circuito presentaba un voltaje bajo esta presentaba un ruido mayor que
el que presentaba la seal de salida, con lo cual podemos garantizar que

7
nuestro componente trabaja de manera digital. Por lo que no podra ser
usado para la manipulacin de seales analgicas.

Conclusiones
Los niveles de frecuencia a los que podemos hacer funcionar este
componente cumplen con la mayora de los diseos que podramos
realizar para electrnica de potencia, adems que nos permite aislar
nuestro circuito de control de nuestra etapa de potencia.
Pese a que altas frecuencias nuestra seal se va deformando conforme a
mayor sea, al menos hasta los 500KHz como se observa en la figura 6,
se sigue manteniendo, aunque deformada la seal de entrada.
Con respecto al uso de optoacopladores convencionales en altas
frecuencias no se calientan ni se deforma la seal de igual manera por lo
que es pertinente su uso.

Referencias
[1 M. H. RASHID, Electronica De Potencia, Prentice Hall.
]
[2 datasheetcatalog, HARRIS semiconductor , January 1998.
]
[3 unicrom.com, 2016. [En lnea]. Available: http://unicrom.com/filtro-
] rc-paso-bajo/. [ltimo acceso: 07 02 2017].
[4 C. A. C. A. B. SMITH, CONTROL AUTOMATICO DE PROCESOS. TEORIA Y
] PRACTICA, dspace.ucbscz.edu.bo, 1991.