Electronica I Prueba 1-2

PRUEBAS ANTERIORES
Los problemas presentados en esta seccin son algunos seleccionados, en general, en las pruebas
y/o examenes se preguntan problemas que fueron desarrollados en clases y/o en el apunte de clases.
Se ha tratado de no repetir los problemas que ya fueron desarrollados exhaustivamente en el apunte.
UNIVERSIDAD DE TARAPAC
Escuela Universitaria de Ingeniera
Elctrica-Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Vin=10+1sen(250t) [V] (la componente alterna se debe al ripple de la
fuente de alimentacin).
Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

0.7V a 1mA y n=2.
2. Determine la caracterstica de transferencia

Vin-V0, considere diodos ideales. Identifique las
distintas regiones de operacin e indique los
diodos que conducen en cada regin.
Dado V1=4, V2=2, R=1k
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
243
PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Vin=10+1sen(250t) [V] (la componente alterna se debe al ripple de la
fuente de alimentacin).
Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

0.7V a 1mA y n=2.
DESARROLLO:
Considerando, primero, el anlisis para la componente continua y

considerando VDQ 0.7V de acuerdo a los datos dados
IDQ= (VinCC VDQ )/R=0.93mA
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor supuesto.
En este punto de operacin, la resistencia dinmica del diodo rd es:
n VT
rd = =53.8
IDQ
El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK
rd
vd = 2 =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la seal sinusoidal a travs del diodo es 5.35mV. Por esto, la expresin del
voltaje del diodo es:
vD(t)=0.7 + 5.35103sen(250t) [V]
244
2. Determine la caracterstica de transferencia
Vin-V0, considere diodos ideales. Identifique las
distintas regiones de operacin e indique los
DESARROLLO:
El diodo D1 slo conduce cuando VS>V1 y entonces V0=V1.
El diodo D2 slo conduce cuando VS<V2 y entonces V0=V2.
Cuando el diodo est apagado V0= VS
1, > 1
= , 2 < < 1
2, < 2
Tal como se muestra en la figura a continuacin. V0
4 Vin
2
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
245
DESARROLLO:
a) C1 y C2 son condensadores de acoplamiento, permiten acoplar las seales alternas con la continua
de polarizacin. CE es de desacoplamiento en alterna permite eliminar RE2 (en este caso)
consiguiendo, con esto, elevar la ganancia.
b) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a la
polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
c) y d) Desarrollado extensamente en el punto 3.14.
e) circuito equivalente de alterna.
Para determinar la ganancia de tensin, tenemos:

= =

= ( || )

= + ( + 1)

La impedancia de entrada:

= = ! ||[ + ( + 1) ]

Similarmente, (comprobar)
Respecto a obtener V0 para un VS determinado podemos observar que

= = =

Donde,

=
+
Por lo tanto como VS es de 1[mV] y senoidal,
= = %&' () [mV]
246
ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:

a) el diodo es ideal
b) diodo ideal + V=0.6V
c) el diodo est descrito con la ec. de Schockley con
n=1.98, Is=14.10n.
d) suponga que la corriente continua en el diodo,
para el modelo del caso b) es de 100mA, obtenga su
modelo en alterna y obtenga iD cuando la excitacin
es E=6+0.01sen(t) [V]
4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

Vo-Vs e Is-Vs b) graficar la salida Vo cuando
Vs=7.5sen(t) [V]
c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.
247
Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
Desarrollo:
1.- a) esto est desarrollado en el punto 2.2 del apunte
b) desarrollado en el punto 2.2.1 del apunte
c) en el punto 1.6 del apunte.
d) tratado en el punto 1.8 del apunte.
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
Desarrollo:
La nica posibilidad es que conduzca el diodo 3 ya que es la nica

opcin para que se cumplan las leyes de Kirchhoff.
En efecto, si el D3 conduce (D3 ON) entonces su voltaje de nodo

es:
VA3=1V y = VA2= VA1=1V por lo tanto,
VAK1=1-3=-2 OFF
VAK2=1-2=-1 OFF
248
3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:
a) el diodo es ideal
b) diodo ideal + V=0.6V
c) el diodo est descrito con la ec. de Schockley con
n=1.98, Is=14.10n.
d) suponga que la corriente continua en el diodo,
para el modelo del caso b) es de 100mA, obtenga su
modelo en alterna y obtenga iD cuando la excitacin
es E=6+0.01sen(t) [V]
Desarrollo:
Este ejercicio se realiza detalladamente en clases y est descrito con pleno detalle en el punto 2.5 del
apunte.
4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

Vo-Vs e Is-Vs b) graficar la salida Vo cuando
Vs=7.5sen(t) [V]
c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.
DESARROLLO:
El diodo slo conduce cuando VS>5 y entonces V0=5.
En otro caso, el diodo est apagado V0= VS
5, > 5
= *
, < 5
V0
5 VS
(Este problema se analiza detalladamente en clases)
249
b)
5, > 5
= *
7.5 %&'(), < 5
c) Slo hay corriente cuando conduce el diodo, esto es cuando VS>5
(7.5 %&'() 5)/50, > 5

= *
0, < 5
Tal como se muestra en la figura a continuacin.
250
Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-
Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

i.- se polariza inversamente el diodo, la corriente que circula es de 110-9 A (es decir circula sta
corriente desde ctodo a nodo).
ii.- VD1=0.63V ID1=0.48mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.09mA
Cuando ID sea 0.3 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo circuital.
Considere el voltaje termal, VT=26mV @ temperatura ambiente.
2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
251
Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

ii.- VD1=0.63V ID1=0.48mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.09mA
Cuando ID sea 0.3 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo circuital.
Desarrollo:
Tal como se analiz en clases y se muestra en el anexo 4 usando la ecuacin de Schockley y haciendo la
relacin de los dos punto de operacin:
56
12 14 & 7
=
123 58
14 & 7
12 2 23

ln =
123 ' ;
Evaluando y despejando n se obtiene:
n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)
2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
Desarrollo:
a) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a
la polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
b) Uno de los objetivos de la polarizacin es que su punto de equilibrio no vari al variar parmetro,
por ejemplo, la ganancia del transistor, . Una forma de evaluar es midiendo por ejemplo ICQ/.
ICQ/VCC, ICQ/RC, etc.
252
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
Desarrollo:
Este tipo de problemas han sido ampliamente desarrollados en clases y en el apunte, tal vez lo nico
diferente est en el tem b)
En efecto, para evaluar si el punto de operacin es independiente de las variaciones de ? Entonces se

debera evaluar el factor ICQ/.
Esto tambin se puede realizar si consideramos =100 y =200 tenemos el y con los ICQ resultantes
obtenemos ICQ.
En general la variacin debera estar dentro de un 5% para que sea independiente de las .
253
PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Determine a) ICQ, VCEQ
b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de continua y alterna.
=100, VBE=0.7V en zona activa
(VT=26mV)
RLL
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.
3.- Obtenga las expresiones de
Av, Zin y Z0.
254
PAUTA PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de continua y

alterna.
RLL
(VT=26mV)
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
Vth VBEQ 2.51

I BQ = = = 19.18 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 130.84k
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 = 1.35k
I CQ 1.92m
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m) Recta
de carga de CONTINUA
en particular, en el punto de operacin ( I CQ = 1.92 mA) VCEQ = 2.47 V
Del circuito equivalente de alterna
v ce ic ( R E 2 + RC R L ) ic 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. punto operacin)
Dado que vCE = VCEQ + vce iC = I CQ + ic entonces
255
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. origen)
iC = 0.8m vCE + 3.9 m
Se muestran las rectas de carga de continua, alterna y el punto de operacin.
Del modelo en alterna:
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
Del circuito equivalente
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
Tambin, vo= RL ic= RL ib
256
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
Tal como se ha desarrollado en los problemas anteriores,
Z in = R12 ( h ie +( +1) R E2 ) =9.64k||21.55k=6.66k
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ RS + 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
257
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
DESARROLLO:
K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q deben
satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
Sustituyendo los valores y resolviendo, se encuentra
VGSQ= (IDQ/K) VP = 2.4748 3.5
Es decir,
VGSQ1= 2.4748 3.5= 5.9748, este valor se descarta, ya que es menor que VP.
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que est dentro del rango [ VP , 0 ].
Tambin en el punto Q se debe satisfacer la ecuacin (4.16):
VGSQ = IDQRs
Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
Por lo general, el punto Q de un amplificador no es crtico, y resultados satisfactorios se obtienen

utilizando el resistor estndar ms cercano. En este caso, considerando resistores de 10% de tolerancia se
utiliza Rs =390.
258
Av, Zin y Z0.
DESARROLLO:
El circuito equivalente en alterna,
Sea RL= rd||RS||RL
La corriente de entrada iin fluye a travs de RL es iin + gmvgs. Por esto,
v0 = RL ( iin + gmvgs)
Tambin se puede escribir la siguiente ecuacin en la malla del FET
vin = vgs + v0
Finalmente, el voltaje en RG es,
vgs = RGiin
Combinando las ecuaciones anteriores, se tiene
v0 = RL ( iin + gmRGiin)
y vin = RGiin + RL (1 + gmRG)iin
Dividiendo estas ecuaciones

259
AV= v0 /vin = RL (1 + gmRG)/[RG + RL (1 + gmRG)]
La resistencia de entrada Rin,
Rin = vin/iin= RG + RL (1 + gmRG)
De aqu se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
Resistencia de salida.
Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida.
Planteando las LCK y LVK se tiene
Zo= vv /iv = 1/[1/RS + 1/rd +1/( RG + R)+ gmRG /( RG + R) ]
260
1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje, 1.5k
AV , de corriente, Ai 56k
y de potencia AP
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son 1 Meg 15k
2.2k
descritos por los
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
3. Para los circuitos indicados y

considerando que la alimentacin
es simtrica (VCC=|VEE|) obtenga:
a) la expresin del voltaje de salida
v0
b) caracterstica de transferencia y
explquela. c) indique una
aplicacin prctica del circuito.
4.- Resuelva la ecuacin diferencial que se indica usando integradores.
d 2v dv
k0 2 + k1 + k2 v V1 = 0 k0, k1, k2, y V1 son constantes
dt dt
261
circuital asociado.
Desarrollo:
a) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
b) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
c) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
d) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje,
AV , de corriente, Ai 1.5k
56k
y de potencia AP
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son
descritos por los 1 Meg 15k
2.2k
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
262
Desarrollo:
El anlisis en continua ha sido desarrollado en extenso en problemas anteriores, comprobar.
El anlisis en alterna, nos entrega
<
= =
<
Donde
= = !
@
+ >? < + =0
1||AB
@ =
Luego
1||AB
= >? <
1||AB +
= <
Por lo tanto
1||AB
= = >? !
1||AB +
= C

= = =

=
Por inspeccin (y obviamente, prctica),
Similarmente el problema de la recta de carga ha sido desarrollado en las pruebas anteriores y en

el punto 3.14.
263
2. Para los circuitos indicados y
considerando que la alimentacin
es simtrica (VCC=|VEE|) obtenga:
a) la expresin del voltaje de salida
v0
b) caracterstica de transferencia y x
explquela. c) indique una
aplicacin prctica del circuito.
Desarrollo:
=E = =F = =
=
@ = = C@

C@ =
Por inspeccin
=
@
=G = 3 + @ = 3 + = 4=

@J = C@ + @ = 2@
= = =G + 4 @J = =G + 42 @ = 12=
3.- Resuelva la ecuacin diferencial que se indica usando integradores.

d 2v dv
k0 2
+ k1 + k2 v V1 = 0 k0, k1, k2, y V1 son constantes
dt dt
Desarrollo:
Utilizando los bloques sumadores, restadores e integradores se puede construir el siguiente
circuito.
Sugerencia es partir por despegar la segunda derivada e ir agregando los bloques.
Una solucin es la propuesta a continuacin:
264
Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-Electrnica
EIEE
Prueba N2: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
265
Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-Electrnica
EIEE
Prueba N2: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
Desarrollo:
a) Lo que se requiere es lo analizado detalladamente en el tem 3.9 de este apunte.

b) Est detallado en el punto 4.3 de este apunte.
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
Desarrollo:
Equivalente thevenin en el Gate.
<< = @ 22 =1.82

@K8
K6 F@K8
< = << 12 =1.82 - ID1.5k ec.1
12 = L < M 3 ec.2
L=
N5OO
P8
=0.5 [mA/V2]
Resolviendo las ecuaciones 1 y 2 resulta VGS=-1.8V e IDQ=2.4 mA (se descarta la solucin que est fuera
del rango VP<VGS<0 )
266
Con esto se puede calcular la transconductancia, gm
>? = 2QL 12R
El circuito equivalente en Alterna es:
Luego, para la ganancia de voltaje, se tiene:
=ST
= =
=ST
= = >? =ST 2 ||
Y por inspeccin
= =ST
Por lo tanto

= = >? 2 ||

= < ||<3

= = =

Por inspeccin (y obviamente, prctica),
= 2
267
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
Desarrollo:
a) Dada las corrientes y haciendo LVK en cada transistor, tenemos:

VCC = IDRd + VDS + IDRS VDS=15-3.29(0.62+1.6)=7.69V
VCC IE2R3+ VEC2 + IE2R6 VEC2 15-1.84(1.4+4.7)=3.78V
VCC VCE3 + IE3R6||RL VCE3 15-3.25(0.232)=14.25V
b) Rectas de continua
VCC = IDRd + VDS + IDRS VCC = ID(Rd + RS )+VDS
VCC IE2R3+ VEC2 + IE2R6 VCC IC2(R3+ R6 )+VEC2
VCC VCE3 + IE3R6||RL VCC VCE3 + IE3R6||RL
c) Recta de alterna de salida:

Del circuito equivalente en alterna.
=UC = C + 1 C || UC ||
(=WC = WC + =UC
=WC = 1WC + UC )
Tal como se analiz en el punto 3.14.

268
En alterna, el circuito equivalente resulta:
C 3 =<

= =
X C 3 =< X
= C + 1 C ||

= C + 1 ||
C
@A C [C + C + 1 || ]

3 3 = C + = C +
A A
C 3
=
3 [ + C + 1 || ]
1 + C A
@Y 3 3

3 = >? =< + = >? =< +
Y Y
3 >?
=
=< 1 + 3
Y
X
=< = =
S + X X
Por inspeccin:
<
Similarmente, = ||
[Z[\] F@^ ]
_] F
(comprobar)
269
|
Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.

(VT=26mV)
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.

Av, Zin y Z0.
270
|
PAUTA Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV)
Desarrollo:
Anlisis en continua
R2
Vth = VCC = 4V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 6.67 k
Vth VBEQ 3.3
I BQ = = = 3.78 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 872.6k
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =0.945mA
VT 26m
hie = r = = 250 = 6.88k
I CQ 0.945m
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 12 = 6.75k IC +VCE (IC = 1.777m VCE 0.148m)

Recta de carga de CONTINUA
Anlisis en alterna.

vCE VCEQ ( iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I C Q ) 2631 Recta de carga de ALTERNA (ref.
origen)
iC = 0.38m vCE + 3.08m
(REVISAR PUNTO 3.14)
271
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
Anlisis en continua
K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q
deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2

VGSQ= (IDQ/K) VP = 2.4748 3.5
Es decir,
VGSQ1= 2.4748 3.5= 5.9748, este valor se descarta, ya que es menor que VP.
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que se encuentra
dentro del rango [ VP , 0 ].
Tambin en el punto Q se debe satisfacer la ecuacin (4.16):

VGSQ = IDQRs

Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
Por lo general, el punto Q de un amplificador no es crtico, y resultados satisfactorios se

obtienen utilizando el resistor estndar ms cercano. En este caso, considerando resistores de 10%
de tolerancia se utiliza Rs =390.
272
Av, Zin y Z0.
Desarrollo:
Cto. equivalente en alterna:
Equivalente de alterna del circuito seguidor de fuente (Sourcefollower).
Sea RL= rd||RS||RL

La corriente de entrada iin fluye a travs de RL es iin + gmvgs. Por esto,
v0 = RL ( iin + gmvgs)
Tambin se puede escribir la siguiente ecuacin en la malla del FET
vin = vgs + v0
Finalmente, el voltaje en RG es,
vgs = RGiin
Combinando las ecuaciones anteriores, se tiene
v0 = RL ( iin + gmRGiin)
y vin = RGiin + RL (1 + gmRG)iin
Dividiendo estas ecuaciones
AV= v0 /vin = RL (1 + gmRG)/[RG + RL (1 + gmRG)]
La resistencia de entrada puede ser encontrada de la ecuacin (4.50) se tiene Rin,

Rin = vin/iin= RG + RL (1 + gmRG)
De aqu se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
273
Resistencia de salida.
Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida.
Planteando las LCK y LVK se tiene

Zo= vv /iv = 1/[1/RS + 1/rd +1/( RG + R)+ gmRG /( RG + R) ]
274
Examen: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
circuital asociado. 20p
2. En el Amplificador de Instrumentacin indicado determine la razn de rechazo comn.
3,- si =250, VBE=0.7V

Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.
15p
275
Pauta Examen: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
circuital asociado. 20p
Desarrollo (R E S P U E S T A POSIBLE):
e) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
f) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
g) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
h) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
2. En el Amplificador de Instrumentacin indicado determine la razn de rechazo comn.
Desarrollo:
Dado que IR1=IR2 y que IR3=IR4
Entonces para evaluar la Amplificacin Diferencial
276

2 =
` a
Tenemos que:

VoutDiferencial = Vout (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
= ` a 1 +
3
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:
3
= a 1 +

= ` b1 + c
C C 3
= ` b1 + c a b1 + c
C C
3
= ` b1 + c a b + c
C C C

considerando que R1=R4 y R2=R3 la tensin diferencial ser:
= ` b1 + c a b1 + c = ` a b1 + c
3 3 3
Es de destacar que de acuerdo con las frmulas obtenidas, con este circuito no se puede tener
ganancia unitaria, y en caso de necesitarse hay que utilizar la configuracin de tres AO's.-
Amplitud de Salida de Modo Comn
3
Considerando VA=VB =VCM de las ecuaciones anteriores obtenemos:
= ` + ` a a
C C C
3
= ` + ` a a
C C
3
La tensin de Salida de Modo Comn ser:
Wd = Wd b1 c
C
Y la ecuacin del CMRR:
2
ef = 20 log i j

1 3
C
Considerando la frmula para el CMRR vemos que este se incrementa con la amplificacin
diferencial y con el apareamiento de las resistencias, ya que si se logra, el CMRR tiende a
infinito.-
Amplitud de Salida Diferencial
VoutDiferencial = Vout=V0 (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
277

= ` a b1 + c
3
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:

= a b1 + c
3 = ` b1 +
c
C C
4 2 4
= ` b1 + c a b1 + c
3 1 3
3,- si =250, VBE=0.7V

Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.
15p
Desarrollo:
WW = 1W + W + + 13 + !

En continua (los condensadores son circuito abierto)
En alterna:
=U + U ||B + 3 = 0
Del circuito equivalente en ac planteando LVK se obtiene:
U = k
Como
=U = U ||B + = U W

@8
l
Entonces recta de alterna ejes ic-vce.
=W = WR + =U

Y dado que siempre:
W = 1WR + U
=W WR
Luego expresando estas ecuaciones en trminos de las variables completas vCE e iC.
W = 1WR
W
W = 1WR + @mno

mnp
Recta que pasa por los puntos
=W = WR + W 1WR
Tal como est desarrollado en el punto 3.14 del presente apunte.

278
1. Determine: a) la ganancia de voltaje para el circuito

que se indica. Los transistores son descritos por los
siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el
punto Q se obtuvo: ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k
y en el punto Q IDQ=2mA, VDSQ=14V
b) las rectas de cargas de continua y alterna en cada
transistor, grafique.
2. en el circuito indicado. Explique el principio

de funcionamiento y determine la funcin del
voltaje de salida. Considere diodos ideales.
Obtenga la expresin y grfica de v0(t) cuando
el voltaje de entrada es 1.5sen(t) [V]
3. Considerando que VCC=|VEE| obtenga: a) las formas de

ondas relevantes y sus expresiones, deduzca la expresin
del periodo del voltaje de salida.
b) proponga modificaciones al circuito para que la
tensin de salida tenga ciclo de trabajo variable
(T=T1+T2, T1 y T2 diferentes)
279
PAUTA Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Determine: a) la ganancia de voltaje para el circuito

que se indica. Los transistores son descritos por los
siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el
punto Q se obtuvo: ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k
y en el punto Q IDQ=2mA, VDSQ=14V
b) las rectas de cargas de continua y alterna en cada
transistor, grafique.
ib ib(+1)
ib
gmvgs
Vi = v gs R d 1 = rd R1 500 se puede despreciar hoe-1 por ser un valor muy grande

vds
g m v gs + id 1 = ib [1] id1 = [2] vds = [hie + ( + 1) RE ]ib [3]
Rd1
h + ( + 1) RE
Reemplazando id1 en [1] ib 1 + ie = g m Vi
Rd 1
Como V0 = ib RC
V0 g m RC
AV = = = 25.22
Vi hie + ( + 1) RE
1 +
Rd 1
FET:
Recta de continua ( I D vs. VDS ): VCC Rd 1 I D + VDS
Recta de alterna ( id vs. vds ): reemplazando en la ec. [1] id + id 1 = ib las ecs. [2] y [3]
280
vds vds
id + =
Rd 1 [ hie + ( + 1) RE ]
1 1
id = vds +
Rd1 [ hie + ( + 1) RE ]
BJT:
Recta de continua ( IC vs. VCE ): VCC ( RE + RC ) I C + VCE
Recta de alterna ( ic vs. vce ): LCK en la trayectoria de vce ib + vce + ( + 1)ib = 0

vce
despejando ic y dado que en la zona activa ( ib = ic ) ic
(RE + RC )
2. en el circuito indicado. Explique el

principio de funcionamiento y determine la
funcin del voltaje de salida. Considere
diodos ideales.
Obtenga la expresin y grfica de v0(t)
cuando el voltaje de entrada es 1.5sen(t)
[V]
Desarrollo:
Tal como se realiza en el punto 5.9 de este apunte

V0
VS
-R2/R1
281
La respuesta temporal obtenida por simulacin o por
dibujo a mano alzada considerando la caracterstica de
transferencia.
282
3. Considerando que VCC=|VEE| obtenga: a) las formas de
ondas relevantes y sus expresiones, deduzca la expresin del
periodo del voltaje de salida.
b) proponga modificaciones al circuito para que la tensin de
salida tenga ciclo de trabajo variable (T=T1+T2, T1 y T2
diferentes)
Desarrollo:
a) Multivibrador Astable
t

vC (t ) = VCC (VCC + VEE )e RC
T1

en t=T1 VCC = VCC (VCC + VEE )e RC
1 + (VEE VCC )
Al resolver para T1, se tiene T1 = R C ln Para el intervalo T2, la salida es
1
baja y el condensador se descarga desde el voltaje VCC hacia el voltaje final VEE . En este caso
t'

'
vC (t ) = VEE + (VEE + VCC )e RC
Donde en t=0, vC ( t ' ) = VCC y en t=T2, vC (T2 ) = VEE es decir

T2
1 + (VCC VEE )
VEE = VEE + (VEE + VCC )e RC
T2 = R C ln
1
Para un caso comn VCC = VEE y la salida representa una onda cuadrada de periodo
1+
T = T1 + T2 = 2R C ln
1
T1 T2
VCC
VCC
- VEE
b)
-VEE
T1 y T2 diferentes al agregar diferentes

resistencia con diodos, tal como se
indica.
283
1.- En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

ii.- VD1=0.63V ID1=0.4878mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.0907mA
Cuando ID sea 0.5 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo
circuital.

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV) RLL
3.- Determine la ecuacin diferencial que resuelve el siguiente circuito.
f(t)
y
z x(t)
284
DESARROLLO:
1.- En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:
ii.- VD1=0.63V ID1=0.4878mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.0907mA
Cuando ID sea 0.5 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo
circuital.
Desarrollo:
Tal como se analiz en clases y se muestra en el anexo 4 usando la ecuacin de Schockley y

haciendo la relacin de los dos punto de operacin:
56
12 14 & 7
=
123 58
14 & 7
12 2 23

ln =
123 ';
Evaluando y despejando n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV) RLL
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
Vth VBEQ 2.51
I BQ = = = 19.18 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 130.84k
285
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 =
I CQ 1.92m
1.35k
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m)
Recta de carga de CONTINUA
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref.
origen)
iC = 0.8m vCE + 3.9 m
286
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
Del circuito equivalente
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
Tambin, vo= RL ic= RL ib
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
Z in = R12 ( h ie +( +1) R E2 ) =9.64k||21.55k=6.66k
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ S
R + 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
287
3.- Determine la ecuacin diferencial que resuelve el siguiente circuito.
f(t)
y
z x(t)
Desarrollo
R3
VX = VZ
R4
1
R2C2
VZ = VY ( )d
dVZ
VY = R2C2
dt
1 1
VY =
RbC1 VX ( )d
RaC1
V f ( )d
Reemplazando
q3 r
+ 400 = 1000s)
q) 3
288
Electrnica EIEE
EXAMEN: Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
1.- Determine los estados de los diodos del circuito.
2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT y su relacin con el modelo en alterna
del dispositivo.
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
289
DESARROLLO :
1.- Determine los estados de los diodos del circuito.
Desarrollo :
Por ser un circuito no-lineal con cuatro posibilidades :
-Se descarta la posibilidad que los dos estn apagados, porque hay una fuente de corriente que debe
conducir su corriente en el circuito.
Provando los otros estados posibles se encuentra que la nica solucin es que conduzca el D4 y el
D3 est apagado.
En efecto, en este caso IR1=5mA luego planteando LVK
VD3= IR1 R1 10= 5mA1k - 10= -5 LO que comprueba que efectivamente el diodo
D3 est apagado y slo conduce el D4.
2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT .
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
Desarrollo :
a) Esto se desarroll detalladamente en clases y es lo que se explica en el punto 3.4 y detalles
se encuentran en la fig 3.5.
b) La principal diferencia que los caracteriza es que el AO est diseado para realimentacin
negativa en cambio el Comparador para realimentacin positiva.
Los circuitos con operacionales son de gran versatilidad van desde los amplificadores
inversores, no-inversores, sumadores, integradores, rectificadores de presicin, etc. En cambio
los Comparadores son caractersticos de los circuitos que su salida varia entre dos valores, que
generalmente son los valores de polarizacin, as tenemos los generadores de ondas mono, y
astable, etc.
Se reconocen fundamentalmente por el signo de la realimentacin, es decir:
negativa AO; y si la realimentacin es positiva Comparador.
c) En el punto 3.8.4 de este apunte se da una exahustiva descripcin de los parmetros h,
adems, esto fue desarrollado ntegramente en la catedra.
290
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
Este problema fue desarrollado ntegramente en clases y se expone en la fig. 5.51 se encuentra el
desarrollo.
291
Electrnica EIEE
EXAMEN: Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
V1=6 V2=3 Vin=10 sen t [V]
2.- En el amplificador que se

indica. =200 VBE=0.7V
Determine: a) el punto de
operacin (Q) b)el punto de
operacin es independiente
de las variaciones de ? c)
grafique las rectas de carga de
continua de entrada y salida.
d) el circuito equivalente en
alterna y las expresiones de
AV, Zin y Z0. e) s
Vs=2sin(t) [mV] grafique
iE(t). 25p
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
292
PAUTA EXAMEN:
1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
V1=6 V2=3 Vin=10 sen t [V]
Resp.:
D1 on cuando Vin >6 V0
D2 ON cuando Vin<-3
Caracterstica Vin-V0 mostrada.

V2
V1 Vin
V2
2.- En el amplificador que se

indica. =200 VBE=0.7V
Determine: a) el punto de
operacin (Q) b)el punto de
operacin es independiente
de las variaciones de ? c)
grafique las rectas de carga de
continua de entrada y salida.
d) el circuito equivalente en
alterna y las expresiones de
AV, Zin y Z0. e) s
Vs=2sin(t) [mV] grafique
iE(t). 25p
Desarrollo:
Este problema est completamente desarrollado en el punto 3.14 del presente apunte. Se ha
evitado rehacer los problemas que estn desarrollados en algn tem del apunte.
293
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
Desarrollo:
En este amplificador tal como se vio en el ejemplo 5.10 al hacer R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4 la
amplificacin diferencial es:
2 3
2 = = t1 + u
` a S
Amplificacin de Modo Comn

Considerando VA=VB =VCM y como los amplificadores de entrada estn en una configuracin
simtrica, la misma tensin aparece en V1 y V2, de manera que de las ecuaciones vistas
anteriormente en amplificadores diferencia (para cualquier valor de resistencias), surge que:
+ 3 3
=
Wd C +
Y el CMRR ser
2
ef = 20 log i j
+ 3 3
C +
Nuevamente el CMRR depende de la AD y del cuidado en seleccionar los valores de las

resistencias, ya sea para que sean lo ms iguales posibles o sus relaciones de unas a otras sean lo
ms exactas posibles.-
294

Electronica I Prueba 1-2

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Electronica I Prueba 1-2

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PRUEBAS ANTERIORES

PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.

1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

2. Determine la caracterstica de transferencia

Dado V1=4, V2=2, R=1k

Escuela Universitaria de Ingeniera

PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.

1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

Considerando, primero, el anlisis para la componente continua y

IDQ= (VinCC VDQ )/R=0.93mA

El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK

vD(t)=0.7 + 5.35103sen(250t) [V]

El diodo D1 slo conduce cuando VS>V1 y entonces V0=V1.

El diodo D2 slo conduce cuando VS<V2 y entonces V0=V2.

Cuando el diodo est apagado V0= VS

Tal como se muestra en la figura a continuacin. V0

c) y d) Desarrollado extensamente en el punto 3.14.

e) circuito equivalente de alterna.

Para determinar la ganancia de tensin, tenemos:

Respecto a obtener V0 para un VS determinado podemos observar que

Por lo tanto como VS es de 1[mV] y senoidal,

Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.

3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:

4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.

Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.

1.- a) esto est desarrollado en el punto 2.2 del apunte

b) desarrollado en el punto 2.2.1 del apunte

c) en el punto 1.6 del apunte.

d) tratado en el punto 1.8 del apunte.

La nica posibilidad es que conduzca el diodo 3 ya que es la nica

En efecto, si el D3 conduce (D3 ON) entonces su voltaje de nodo

VA3=1V y = VA2= VA1=1V por lo tanto,

4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.

El diodo slo conduce cuando VS>5 y entonces V0=5.

En otro caso, el diodo est apagado V0= VS

(Este problema se analiza detalladamente en clases)

c) Slo hay corriente cuando conduce el diodo, esto es cuando VS>5

(7.5 %&'() 5)/50,  > 5

Tal como se muestra en la figura a continuacin.

PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.

1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:

PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.

1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

12 2 23

Evaluando y despejando n se obtiene:

2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:

En efecto, para evaluar si el punto de operacin es independiente de las variaciones de ? Entonces se

PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

1.- Determine a) ICQ, VCEQ

b) Av, Ai, Zin Z0.

c) Grafique las rectas de carga de continua y alterna.

=100, VBE=0.7V en zona activa

3.- Obtenga las expresiones de

Av, Zin y Z0.

PAUTA PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

1.- Determine a) ICQ, VCEQ

b) Av, Ai, Zin Z0.

c) Grafique las rectas de carga de continua y

(7.5 %&'() 5)/50, > 5

12 2 23

< = << 12 =1.82 - ID1.5k ec.1

= = >? =ST 2 ||

= < ||<3

=UC = C + 1 C || UC ||

(=WC = WC + =UC

=WC = 1WC + UC )

C 3 =<

= C + 1 C ||

@A C [C + C + 1 || ]

@Y 3 3