Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
github.io

Teora de
Clula Solar Semiconductores

Unin P-N
Energa Solar Fotovoltaica iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Oscar Perpin Lamigueiro
http://oscarperpinan.github.io
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Teora de Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I En un slido el nmero de tomos es tan elevado http://
oscarperpinan.
que los niveles de energa forman bandas continuas github.io

de energa. Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I En un slido el nmero de tomos es tan elevado http://
oscarperpinan.
que los niveles de energa forman bandas continuas github.io

de energa. Teora de
Semiconductores
I Los electrones asociados a los tomos del slido Conduccin elctrica
Semiconductores
llenan estas bandas en orden ascendente. Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I En un slido el nmero de tomos es tan elevado http://
oscarperpinan.
que los niveles de energa forman bandas continuas github.io

de energa. Teora de
Semiconductores
I Los electrones asociados a los tomos del slido Conduccin elctrica
Semiconductores
llenan estas bandas en orden ascendente. Dopaje de semiconductores
Unin p-n
I La banda de mayor energa completamente ocupada Diodo

se denomina banda de valencia (electrones ligados a Unin P-N

iluminada
tomos). Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I En un slido el nmero de tomos es tan elevado http://
oscarperpinan.
que los niveles de energa forman bandas continuas github.io

de energa. Teora de
Semiconductores
I Los electrones asociados a los tomos del slido Conduccin elctrica
Semiconductores
llenan estas bandas en orden ascendente. Dopaje de semiconductores
Unin p-n
I La banda de mayor energa completamente ocupada Diodo

se denomina banda de valencia (electrones ligados a Unin P-N

iluminada
tomos). Funcionamiento
de una clula solar
I La siguiente banda, parcialmente ocupada o vaca, se
Fabricacin
denominada banda de conduccin (electrones
desligados de tomos).
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I En un slido el nmero de tomos es tan elevado http://
oscarperpinan.
que los niveles de energa forman bandas continuas github.io

de energa. Teora de
Semiconductores
I Los electrones asociados a los tomos del slido Conduccin elctrica
Semiconductores
llenan estas bandas en orden ascendente. Dopaje de semiconductores
Unin p-n
I La banda de mayor energa completamente ocupada Diodo

se denomina banda de valencia (electrones ligados a Unin P-N

iluminada
tomos). Funcionamiento
de una clula solar
I La siguiente banda, parcialmente ocupada o vaca, se
Fabricacin
denominada banda de conduccin (electrones
desligados de tomos).
I Estas bandas pueden estar separadas por otra banda
de energas que corresponde a estados no
permitidos (banda prohibida), o pueden estar
solapadas permitiendo una transicin fcil de una a
otra.
Bandas de energa
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
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Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

http://commons.wikimedia.org/
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
github.io
Las propiedades elctricas del slido dependen de esta
posicin relativa entre bandas. Teora de
Semiconductores
I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Conduccin elctrica
Semiconductores

circulan fcilmente por la banda de conduccin. Dopaje de semiconductores

Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
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github.io
Las propiedades elctricas del slido dependen de esta
posicin relativa entre bandas. Teora de
Semiconductores
I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Conduccin elctrica
Semiconductores

circulan fcilmente por la banda de conduccin. Dopaje de semiconductores

Unin p-n

I En un aislante se necesita una cantidad de energa Diodo

Unin P-N
muy alta para que los electrones puedan acceder a la iluminada

banda de conduccin (Eg > 5 eV) Funcionamiento

de una clula solar

Fabricacin
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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Las propiedades elctricas del slido dependen de esta
posicin relativa entre bandas. Teora de
Semiconductores
I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Conduccin elctrica
Semiconductores

circulan fcilmente por la banda de conduccin. Dopaje de semiconductores

Unin p-n

I En un aislante se necesita una cantidad de energa Diodo

Unin P-N
muy alta para que los electrones puedan acceder a la iluminada

banda de conduccin (Eg > 5 eV) Funcionamiento

de una clula solar
I En un semiconductor la Eg es baja (Eg < 5 eV): los Fabricacin
electrones pueden saltar a la banda de conduccin
con un aporte energtico.
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
github.io
Las propiedades elctricas del slido dependen de esta
posicin relativa entre bandas. Teora de
Semiconductores
I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Conduccin elctrica
Semiconductores

circulan fcilmente por la banda de conduccin. Dopaje de semiconductores

Unin p-n

I En un aislante se necesita una cantidad de energa Diodo

Unin P-N
muy alta para que los electrones puedan acceder a la iluminada

banda de conduccin (Eg > 5 eV) Funcionamiento

de una clula solar
I En un semiconductor la Eg es baja (Eg < 5 eV): los Fabricacin
electrones pueden saltar a la banda de conduccin
con un aporte energtico.
I Eg (Si) = 1,12 eV
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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github.io
Las propiedades elctricas del slido dependen de esta
posicin relativa entre bandas. Teora de
Semiconductores
I En un conductor la Eg es muy baja y los electrones Conduccin elctrica
Semiconductores

circulan fcilmente por la banda de conduccin. Dopaje de semiconductores

Unin p-n

I En un aislante se necesita una cantidad de energa Diodo

Unin P-N
muy alta para que los electrones puedan acceder a la iluminada

banda de conduccin (Eg > 5 eV) Funcionamiento

de una clula solar
I En un semiconductor la Eg es baja (Eg < 5 eV): los Fabricacin
electrones pueden saltar a la banda de conduccin
con un aporte energtico.
I Eg (Si) = 1,12 eV
I Eg (AsGa) = 1,4 eV
Conductores, aislantes y semiconductores
Clula Solar

Oscar Perpin
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La conductividad de los materiales depende de la Teora de

Semiconductores

concentracin de electrones libres (n) presentes en Conduccin elctrica

Semiconductores

la banda de conduccin Dopaje de semiconductores

Unin p-n
Diodo

Unin P-N
Valores tpicos de n iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
I Metal: 1022 cm3 Fabricacin
I Aislante: 10 cm3
I Semiconductor: 1010 cm3 a T = 300 K
Teora de Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Red cristalina de Si (T = 0 K)
Clula Solar

Oscar Perpin
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Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Generacin de electrn-hueco (T > 0 K)
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Generacin de electrn-hueco

I Cuando se rompe un enlace, un

electrn y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conduccin intrnseca).
Generacin de electrn-hueco

I Cuando se rompe un enlace, un

electrn y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conduccin intrnseca).
I Esta circulacin es aleatoria, sin
una direccin predeterminada: no
es aprovechable en un circuito
externo.
Generacin de electrn-hueco

I Cuando se rompe un enlace, un

electrn y un hueco quedan libres
para moverse por el material
(conduccin intrnseca).
I Esta circulacin es aleatoria, sin
una direccin predeterminada: no
es aprovechable en un circuito
externo.
I La densidad intrnseca de huecos
y electrones es idntica (depende
de la temperatura y de Eg ).
Recombinacin de un par electrn-hueco

I Se producen encuentros
electrn-hueco que restablecen un
enlace con liberacin de energa
(Eg ) en forma de calor.
Recombinacin de un par electrn-hueco

I Se producen encuentros
electrn-hueco que restablecen un
enlace con liberacin de energa
(Eg ) en forma de calor.
I Para evitar la recombinacin es
preciso dirigir el movimiento de
electrones y huecos mediante un
campo elctrico.
Teora de Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Definicin
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
El dopaje de semiconductores consiste en introducir de github.io

forma controlada impurezas en el cristal para alterar las Teora de

bandas de energa. Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Tipo n
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Tipo n
I Los tomos de Fsforo tienen cinco
electrones de valencia (uno ms
que el silicio).
Tipo n
I Los tomos de Fsforo tienen cinco
electrones de valencia (uno ms
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Fsforo, el quinto
electrn no queda bien integrado
en la red.
Tipo n
I Los tomos de Fsforo tienen cinco
electrones de valencia (uno ms
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Fsforo, el quinto
electrn no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
Tipo n
I Los tomos de Fsforo tienen cinco
electrones de valencia (uno ms
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Fsforo, el quinto
electrn no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
I El quinto electrn queda libre
pero la carga positiva (in P+ ) est
ligada a la red cristalina.
Tipo n
I Los tomos de Fsforo tienen cinco
electrones de valencia (uno ms
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Fsforo, el quinto
electrn no queda bien integrado
en la red.
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
I El quinto electrn queda libre
pero la carga positiva (in P+ ) est
ligada a la red cristalina.
I La densidad de electrones
(portador mayoritario) es superior
a la de huecos
Tipo p
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
github.io

Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Tipo p

I Los tomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
Tipo p

I Los tomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
Tipo p

I Los tomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
Tipo p

I Los tomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
I El hueco queda libre pero la carga
negativa (in B ) est ligada a la
red cristalina.
Tipo p

I Los tomos de Boro tienen tres

electrones de valencia (uno menos
que el silicio).
I Al impurificar un cristal de Silicio
con tomos de Boro, hay un enlace
sin cubrir (hueco).
I La rotura de este enlace se produce
con baja aportacin energtica
(menor que Eg ).
I El hueco queda libre pero la carga
negativa (in B ) est ligada a la
red cristalina.
I La densidad de huecos (portador
mayoritario) es superior a la de
electrones
Teora de Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Unin p-n
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
github.io

Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Conduccin en una unin p-n
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
I Al unir un semiconductor tipo p con otro tipo n, se http://
oscarperpinan.
produce un desequilibrio: github.io
I Corriente de Difusin
Teora de
I Corriente de Arrastre Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Corriente de Difusin
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
I Difusin de portadores mayoritarios oscarperpinan.
github.io
I Movimiento de huecos desde cristal p a cristal n,
dejando iones con carga negativa. Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Corriente de Difusin
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
I Difusin de portadores mayoritarios oscarperpinan.
github.io
I Movimiento de huecos desde cristal p a cristal n,
dejando iones con carga negativa. Teora de
I Movimiento de electrones desde cristal n a cristal p, Semiconductores
Conduccin elctrica
dejando iones con carga positiva. Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Corriente de Arrastre
Clula Solar

Oscar Perpin
I Los iones fijos cercanos a la unin generan un Lamigueiro
http://
campo elctrico de arrastre en sentido opuesto a la oscarperpinan.
github.io
difusin: barrera de potencial
Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Corriente de Arrastre
Clula Solar

Oscar Perpin
I Los iones fijos cercanos a la unin generan un Lamigueiro
http://
campo elctrico de arrastre en sentido opuesto a la oscarperpinan.
github.io
difusin: barrera de potencial
I Los portadores minoritarios que atraviesan la Teora de
Semiconductores
unin se recombinan en la zona cercana a la unin Conduccin elctrica
Semiconductores

despoblada de portadores y con iones cargados Dopaje de semiconductores

Unin p-n

ligados a la red. Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Equilibrio en una unin p-n
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
http://
oscarperpinan.
I El equilibrio se alcanza al compensarse los github.io

movimientos de difusin y de arrastre. Teora de

Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

Figura de Sedra and Smith, Microelectronic Circuits

Polarizacin en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
Polarizacin en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unin
p-n est polarizada en directa.
Polarizacin en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unin
p-n est polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
elctrico de la zona de unin.
Polarizacin en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unin
p-n est polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
elctrico de la zona de unin.
I La corriente de arrastre disminuye
y no puede compensar la corriente
de difusin.
Polarizacin en directa
I Para conseguir corriente es
necesario romper el equilibrio
alcanzado y reducir la barrera de
potencial.
I Diferencia de potencial con lado p
positivo respecto al lado n: unin
p-n est polarizada en directa.
I En estas condiciones se reduce la
barrera de potencial y, en
consecuencia el valor del campo
elctrico de la zona de unin.
I La corriente de arrastre disminuye
y no puede compensar la corriente
de difusin.
I Convenio: la corriente entra por
zona p y sale por zona n.
Polarizacin en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
est a menor tensin que la zona
n, la unin queda polarizada en
inversa.
Polarizacin en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
est a menor tensin que la zona
n, la unin queda polarizada en
inversa.
I En estas condiciones la barrera de
potencial en la unin queda
reforzada y el paso de portadores
de una a otra zona queda an ms
debilitado.
Polarizacin en inversa

I Si la diferencia de potencial
aplicada consigue que la zona p
est a menor tensin que la zona
n, la unin queda polarizada en
inversa.
I En estas condiciones la barrera de
potencial en la unin queda
reforzada y el paso de portadores
de una a otra zona queda an ms
debilitado.
I La corriente que atraviesa la unin
en polarizacin inversa es de muy
bajo valor.
Teora de Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
Definicin
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
github.io

Teora de
Semiconductores

El dispositivo electrnico basado en una unin p-n se

Conduccin elctrica
I Semiconductores

denomina diodo.
Dopaje de semiconductores
Unin p-n
Diodo
I La zona p del diodo es el nodo y la zona n es el Unin P-N
ctodo. iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
Anodo Catodo ID
Fabricacin
+
Ecuacin del Diodo
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
github.io

I Teora de
V Semiconductores
ID = I0 [exp( ) 1] Conduccin elctrica
m VT Semiconductores
Dopaje de semiconductores

donde I0 es la corriente de saturacin en oscuridad Unin p-n

Diodo

del diodo, V la tensin aplicada al diodo y m el factor Unin P-N

de idealidad del diodo. iluminada

Funcionamiento
I Para una temperatura ambiente de 300 K, de una clula solar

Fabricacin
kT
VT = = 25,85 mV
e
donde k es la constante de Boltzmann, T la temperatura
del diodo (en grados Kelvin), y e es la carga del electrn.
 Clula Solar

Oscar Perpin
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github.io

Teora de
Semiconductores
Conduccin elctrica
Semiconductores
Dopaje de semiconductores
Corriente

Unin p-n
Diodo

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

0.0 0.2 0.4 0.6

Tensin (V)
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
 Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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github.io

Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Efecto fotoelctrico
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
I Efecto fotoelctrico: los electrones se desplazan a la github.io

banda de conduccin por el aporte energtico de

Teora de
fotones (Ef = hc ). Semiconductores

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Efecto fotoelctrico
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
I Efecto fotoelctrico: los electrones se desplazan a la github.io

banda de conduccin por el aporte energtico de

Teora de
fotones (Ef = hc ). Semiconductores

Unin P-N
I Al iluminar una unin p-n, el campo elctrico de la iluminada
unin conduce los portadores y dificulta la Funcionamiento
de una clula solar
recombinacin.
Fabricacin
Efecto fotoelctrico
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
I Efecto fotoelctrico: los electrones se desplazan a la github.io

banda de conduccin por el aporte energtico de

Teora de
fotones (Ef = hc ). Semiconductores

Unin P-N
I Al iluminar una unin p-n, el campo elctrico de la iluminada
unin conduce los portadores y dificulta la Funcionamiento
de una clula solar
recombinacin.
Fabricacin
I La fotocorriente es ahora aprovechable por un
circuito externo (corriente de iluminacin, corriente de
generacin)
Efecto fotoelctrico
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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oscarperpinan.
I Efecto fotoelctrico: los electrones se desplazan a la github.io

banda de conduccin por el aporte energtico de

Teora de
fotones (Ef = hc ). Semiconductores

Unin P-N
I Al iluminar una unin p-n, el campo elctrico de la iluminada
unin conduce los portadores y dificulta la Funcionamiento
de una clula solar
recombinacin.
Fabricacin
I La fotocorriente es ahora aprovechable por un
circuito externo (corriente de iluminacin, corriente de
generacin)
I La presencia de tensin en los terminales de la
unin (por ejemplo, cada de tensin en una
resistencia alimentada por la fotocorriente) favorece
la recombinacin (corriente de oscuridad o corriente de
diodo).
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
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github.io

I Si el fotn es poco energtico (Ef < Eg ) no interacta Teora de

Semiconductores
con el semiconductor (como si fuese transparente) Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
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I Si el fotn es poco energtico (Ef < Eg ) no interacta Teora de

Semiconductores
con el semiconductor (como si fuese transparente) Unin P-N
iluminada
I Fotones en el espectro visible (400 nm < < 700 nm)
Funcionamiento
y ultravioleta ( < 400 nm) rompen enlaces. de una clula solar

Fabricacin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
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I Si el fotn es poco energtico (Ef < Eg ) no interacta Teora de

Semiconductores
con el semiconductor (como si fuese transparente) Unin P-N
iluminada
I Fotones en el espectro visible (400 nm < < 700 nm)
Funcionamiento
y ultravioleta ( < 400 nm) rompen enlaces. de una clula solar
I Si > 1100 nm (infrarrojo) el fotn no interacta. Fabricacin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
Lamigueiro
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I Si el fotn es poco energtico (Ef < Eg ) no interacta Teora de

Semiconductores
con el semiconductor (como si fuese transparente) Unin P-N
iluminada
I Fotones en el espectro visible (400 nm < < 700 nm)
Funcionamiento
y ultravioleta ( < 400 nm) rompen enlaces. de una clula solar
I Si > 1100 nm (infrarrojo) el fotn no interacta. Fabricacin

I Los fotones ms energticos (baja longitud de onda)

son absorbidos en la superficie.
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

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I Si el fotn es poco energtico (Ef < Eg ) no interacta Teora de

Semiconductores
con el semiconductor (como si fuese transparente) Unin P-N
iluminada
I Fotones en el espectro visible (400 nm < < 700 nm)
Funcionamiento
y ultravioleta ( < 400 nm) rompen enlaces. de una clula solar
I Si > 1100 nm (infrarrojo) el fotn no interacta. Fabricacin

I Los fotones ms energticos (baja longitud de onda)

son absorbidos en la superficie.
I Los fotones menos energticos (alta longitud de
onda) penetran en el interior hasta romper un
enlace.
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

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Teora de
I Los fotones con Ef < Eg atraviesan el cristal sin ser Semiconductores

absorbidos: prdidas de no-absorcin Unin P-N

iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

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Teora de
I Los fotones con Ef < Eg atraviesan el cristal sin ser Semiconductores

absorbidos: prdidas de no-absorcin Unin P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

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Teora de
I Los fotones con Ef < Eg atraviesan el cristal sin ser Semiconductores

absorbidos: prdidas de no-absorcin Unin P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una clula solar
I Debido a anchura del semiconductor y coeficiente de Fabricacin
absorcin del material parte no son absorbidos:
prdidas de transmisin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
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Teora de
I Los fotones con Ef < Eg atraviesan el cristal sin ser Semiconductores

absorbidos: prdidas de no-absorcin Unin P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una clula solar
I Debido a anchura del semiconductor y coeficiente de Fabricacin
absorcin del material parte no son absorbidos:
prdidas de transmisin
I Debido a diferencia de ndices de refraccin:
prdidas de reflexin
Absorcin de luz y generacin de portadores
Clula Solar

Oscar Perpin
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Teora de
I Los fotones con Ef < Eg atraviesan el cristal sin ser Semiconductores

absorbidos: prdidas de no-absorcin Unin P-N

iluminada
I Fotones con Ef > Eg : Funcionamiento
de una clula solar
I Debido a anchura del semiconductor y coeficiente de Fabricacin
absorcin del material parte no son absorbidos:
prdidas de transmisin
I Debido a diferencia de ndices de refraccin:
prdidas de reflexin
I Parte de los portadores generadores se recombinan
dentro del dispositivo: prdidas por recombinacin
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
 Clula Solar

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Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

Fabricacin
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Curva IV y Puntos Caractersticos
Influencia de Temperatura y Radiacin
Circuito equivalente de la clula
Clculo del MPP

Fabricacin
Caracterstica I-V de iluminacin
Clula Solar

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I = IL ID oscarperpinan.
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eV
   
Teora de
ID = I0 exp 1 Semiconductores
m k Tc Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
Isc Curva IV y Puntos
Caractersticos

Impp Influencia de Temperatura y

Radiacin
Circuito equivalente de la
3 clula
Clculo del MPP

Fabricacin
2
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Isc y Voc
Clula Solar

Oscar Perpin
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Corriente de Cortocircuito http://
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Isc = I (V = 0) ID = 0 I = IL Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada
Tensin de Circuito Abierto Funcionamiento
de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y

k Tc
 
IL Radiacin

Voc = V (I = 0) IL = ID Voc = m ln +1 Circuito equivalente de la

clula
e I0 Clculo del MPP

Fabricacin

Ecuacin general

e (Voc V )
  
I = Isc 1 exp
m k Tc
Punto de mxima potencia
Clula Solar

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0 < V < Vmpp Lamigueiro
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dP dI I
>0 > Teora de
Semiconductores
dV dV V
Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
Isc de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Impp Influencia de Temperatura y
Radiacin
3
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

2 Fabricacin
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensin de clula (V)
Punto de mxima potencia
Clula Solar

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V=Vmpp Lamigueiro
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dP dI I
=0 = Teora de
Semiconductores
dV dV V
Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
Isc de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Impp Influencia de Temperatura y
Radiacin
3
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

2 Fabricacin
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensin de clula (V)
Punto de mxima potencia
Clula Solar

Oscar Perpin
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Vmpp < V < Voc http://
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dP dI I
<0 < Teora de
Semiconductores
dV dV V
Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
Isc de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Impp Influencia de Temperatura y
Radiacin
3
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

2 Fabricacin
Potencia (W)
Corriente (A) MPP

0 Vmpp Voc

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Tensin de clula (V)
Factor de forma y Eficiencia
Clula Solar

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I Factor de Forma
Teora de
Impp Vmpp Semiconductores
FF =
Isc Voc Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
Pmpp = FF Isc Voc de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
I Eficiencia Radiacin
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

Impp Vmpp Fabricacin

=
PL
Impp Vmpp
=
AG
Eficiencia de clulas

http://www.nrel.gov/ncpv/
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Curva IV y Puntos Caractersticos
Influencia de Temperatura y Radiacin
Circuito equivalente de la clula
Clculo del MPP

Fabricacin
Radiacin
Clula Solar

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Teora de
Semiconductores
I Fotocorriente proporcional a intensidad de Unin P-N
iluminada
radiacin
Funcionamiento
I Relacin logartmica con tensin de circuito abierto: de una clula solar
Curva IV y Puntos

e ln(X )
Voc = Voc1 + mkT Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
I El factor de forma aumenta ligeramente Circuito equivalente de la
clula

La eficiencia crece de forma logartmica hasta

Clculo del MPP
I
Fabricacin
determinado nivel.
Influencia de la Radiacin
Clula Solar

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Teora de
Semiconductores
4 Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
3 de una clula solar
Corriente (A)

Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
2
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

1 Fabricacin
G(W m2)
200
400
600
0 800
1000
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Tensin (V)
Temperatura
Clula Solar

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Teora de
Semiconductores

Unin P-N
I Se estrecha el salto entre banda de valencia y iluminada

conduccin: aumenta ligeramente la fotocorriente Funcionamiento

de una clula solar
I Disminuye linealmente la tensin de circuito Curva IV y Puntos
Caractersticos

abierto: dVoc /dTc = 2,3 mV C1 Influencia de Temperatura y

Radiacin
Circuito equivalente de la
I Disminuye el factor de forma y la eficiencia: clula
Clculo del MPP

d/dTc = 0,4 % C1 Fabricacin

Influencia de Temperatura
Clula Solar

Oscar Perpin
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Teora de
Semiconductores

Unin P-N
3 iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
Corriente (A)

Curva IV y Puntos
Caractersticos
2
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP
1
Fabricacin
Ta(C)
0
20
40
0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensin (V)
Condiciones Estndar de Medida
Clula Solar

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Teora de
I Irradiancia: G = 1000 W m2 con incidencia normal. Semiconductores

Unin P-N
I Temperatura de clula: Tc = 25 C. iluminada

Funcionamiento
I Masa de aire: AM = 1.5 de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Pmpp = Impp Vmpp Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

V
Impp Fabricacin
mpp
=
A G
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Curva IV y Puntos Caractersticos
Influencia de Temperatura y Radiacin
Circuito equivalente de la clula
Clculo del MPP

Fabricacin
Circuito equivalente
Clula Solar

Oscar Perpin
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I Rs http://
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ID + Teora de
Semiconductores

IL D Rp V Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la

I Ecuacin general clula

Clculo del MPP

Fabricacin
V + I Rs V + I Rs
I = IL I0 [exp( ) 1]
m VT Rp
I Ecuacin simplificada

V Voc + I Rs
I = Isc [1 exp( )]
m Vt
Resistencia Serie: Curva IV
Clula Solar

Oscar Perpin
I Resistencia de contactos metlicos con el Lamigueiro
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semiconductor oscarperpinan.
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I Resistencia de capas semiconductoras
I Resistencia de malla de metalizacin Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar
4
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
3 Radiacin
Circuito equivalente de la
Corriente (A)

clula
Clculo del MPP
2 Rs()
Fabricacin
1e04
1 0.001
0.01

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensin (V)
Resistencia Serie: Curva PV
Clula Solar

Oscar Perpin
I Resistencia de contactos metlicos con el Lamigueiro
http://
semiconductor oscarperpinan.
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I Resistencia de capas semiconductoras
I Resistencia de malla de metalizacin Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada

2.0 Funcionamiento
de una clula solar
Curva IV y Puntos
Caractersticos
1.5 Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la
clula
Potencia (W)

1.0 Clculo del MPP

Rs()
Fabricacin
0.5 1e04
0.001
0.01
0.0

0.5

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensin (V)
Resistencia paralelo: Curva IV
Clula Solar

Oscar Perpin
I Fugas de corriente en bordes de clula Lamigueiro
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I Cortocircuitos metlicos oscarperpinan.
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I Caminos de difusin en fronteras de grano
Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada
4 Funcionamiento
de una clula solar
Curva IV y Puntos
3 Caractersticos
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Corriente (A)

2 Circuito equivalente de la

Rp()
clula
Clculo del MPP

1 1 Fabricacin
10
100
0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensin (V)
Resistencia paralelo: Curva PV
Clula Solar

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I Fugas de corriente en bordes de clula Lamigueiro
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I Cortocircuitos metlicos oscarperpinan.
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I Caminos de difusin en fronteras de grano
Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada
2.0
Funcionamiento
de una clula solar
1.5
Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
1.0 Radiacin
Potencia (W)

Circuito equivalente de la

Rp()
clula

0.5 Clculo del MPP

1 Fabricacin
10
0.0 100

0.5

1.0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

Tensin (V)
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Curva IV y Puntos Caractersticos
Influencia de Temperatura y Radiacin
Circuito equivalente de la clula
Clculo del MPP

Fabricacin
Mtodo de J.M. Ruiz
Clula Solar

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I Normalizacin github.io

Teora de
V Semiconductores
v= Unin P-N
Voc iluminada
I Funcionamiento
i= de una clula solar
Isc Curva IV y Puntos
Caractersticos
Influencia de Temperatura y
I MPP Radiacin
Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP

Vmpp Fabricacin
vmpp =
Voc
Impp
impp =
Isc
pmpp = FF
Mtodo de J.M. Ruiz
Clula Solar

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I Resistencia Serie y FF Teora de

Semiconductores

Unin P-N
iluminada
Rs
rs = Funcionamiento
(Voc /Isc ) de una clula solar
Curva IV y Puntos

ff = vmpp impp = FF Caractersticos

Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la

I Tensin trmica clula

Clculo del MPP

Fabricacin

Voc
koc =
Vt
Mtodo de J.M. Ruiz
Clula Solar

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Teora de
I Aproximacin para MPP Semiconductores

Unin P-N
iluminada
DM
impp = 1 Funcionamiento
de una clula solar
koc Curva IV y Puntos

ln(koc /DM ) Caractersticos

vmpp = 1 rs impp Influencia de Temperatura y

Radiacin
koc Circuito equivalente de la
clula

DM0 + 2 rs D2M0
Clculo del MPP
DM = Fabricacin
koc 1
DM0 =
koc ln koc
Mtodo de J.M. Ruiz
Clula Solar

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I Itinerario
Teora de
I Obtener los valores de Isc y Voc en las condiciones de Semiconductores

temperatura y radiacin deseadas Unin P-N

iluminada
I Obtener resistencia serie (supondremos Rs = Rs )
Funcionamiento
de una clula solar

Impp Curva IV y Puntos
V + m V ln(1
Voc mpp t )
Isc
Caractersticos

Rs =
Influencia de Temperatura y
Radiacin
Impp Circuito equivalente de la
clula
Clculo del MPP
donde se debe emplear el valor de Vt para Fabricacin
Tc = 25 C.
I Calcular rs y koc , y con ellos DM0 y DM .
I Calcular impp y a continuacin vmpp .
I Deshacer la normalizacin para obtener Impp y Vmpp .
Simplificado: Factor de Forma Constante
Clula Solar

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Teora de
Semiconductores

Unin P-N
FF = FF iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Impp Curva IV y Puntos
Impp Caractersticos
=
Influencia de Temperatura y
Isc Isc Radiacin
Circuito equivalente de la

Vmpp clula
Vmpp Clculo del MPP
= Fabricacin
Voc Voc
Ejercicio de Clculo
Clula Solar

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Teora de
Semiconductores

De una clula de 100 cm2 y Isc

= 3 A, I
mpp = 2.7 A ,
Unin P-N
iluminada

Voc = 0.6 V, Vmpp = 0.48 V, calcular suponiendo factor de Funcionamiento
de una clula solar
forma constante: Curva IV y Puntos
Caractersticos

I , FF ,
Pmpp Influencia de Temperatura y
Radiacin
Circuito equivalente de la

Impp , Vmpp cuando Tc = 60C y G = 800 W/m2 .

clula
I Clculo del MPP

Fabricacin
Teora de Semiconductores

Unin P-N iluminada

Funcionamiento de una clula solar

Fabricacin
 Clula Solar

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Teora de
Semiconductores

Unin P-N
iluminada

Funcionamiento
de una clula solar

Fabricacin

https://www.youtube.com/watch?v=BZKEkwOJ9Nw
https://www.youtube.com/watch?v=fZ1SC-vUe_I
Purificacin de silicio
Clula Solar

Oscar Perpin
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I El silicio puede extraerse de la cuarzita obteniendo github.io
Silicio de grado metalrgico (98% pureza).
Teora de
I Para la industria de la electrnica se necesita silicio Semiconductores

de grado electronico (nivel de impureza por debajo Unin P-N

iluminada
de 109 , 9 nueves). Funcionamiento
de una clula solar
I Para las clulas solares puede utilizarse silicio de Fabricacin
grado solar (nivel de impureza algo mayor, 105 , 5
nueves).
I Al mezclar silicio con acido clorhdrico se produce
triclorosilano, que es destilado para eliminar
impurezas.
I Al unir silano de cloro con hidrgeno se obtiene de
vuelta silicio, vlido para clulas policristalinas
(varios cristales en cada clula)
Formacin de obleas
Clula Solar

Oscar Perpin
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I Para obtener mayor pureza se emplea el silicio github.io

monocristalino (un slo cristal) obtenido mediante el Teora de

Semiconductores
proceso de Czochralski o similar (se utiliza una
Unin P-N
semilla de cristal para crecer silicio a muy alta iluminada

temperatura). Funcionamiento
de una clula solar
I El lingote resultante debe ser cortado en obleas de Fabricacin
200 500 m.
I Las obleas son sometidas a limpieza para eliminar
impurezas por el cortado.
I A continuacin, son dopadas con Fsforo y Boro
para crear la unin p-n.
I Se limpian los bordes para evitar la formacin de
cortocircuitos entre las zonas p y n.
Formacin de clulas
Clula Solar

Oscar Perpin
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github.io

Teora de
I Se aaden los contactos posterior (alto Semiconductores

recubrimiento) y anterior (optimizacin para obtener Unin P-N

iluminada
baja Rs y poco sombreado) empleando aleaciones de Funcionamiento
plata y aluminio. de una clula solar

Fabricacin
I Para reducir las prdidas por reflexin se aade una
capa antireflectante con (p.ej) xido de Titanio (color
azulado).
I Si es posible, se textura la superficie (creacin de
mini pirmides).