EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

I. DESARROLLO:

Circuito de la figura 3.6:

Tabla 3.1
V GS=0 V GS=0.5 V V GS=1 V V GS=2 V V GS=4 V V GS=5 V

V DS ( V ) I D (mA) I D (mA) I D (mA) I D (mA) I D (uA ) I D (uA )

0 0 0 0 0 0 0
0.5 2.10 1.63 1.12 0.10 0 0
1 3.80 2.78 1.75 0.11 0 0
1.5 4.99 3.44 1.87 0.11 0 0
2 5.70 3.59 1.90 0.11 0 0
2.5 5.89 3.63 1.92 0.11 0 0
3 5.95 3.67 1.94 0.11 0 0
3.5 6.02 3.71 1.96 0.11 0 0
4 6.08 3.75 1.98 0.11 0 0
6 6.33 3.90 2.10 0.12 0 0
8 6.57 4.10 2.14 0.12 0 0
12 7.06 4.40 2.30 0.13 0 0
14 7.31 4.51 2.40 0.14 0 0
16 7.55 4.66 2.47 0.14 0 0
Grafica obtenida de la tabla 3.1:
 VP
El es hallado observando los resultados de la tabla y la graficas, concluyendo entonces:

V ( P) GS=2 V

Circuito de la figura 3.10:

Tabla 3.2:
FET surtidor comn
vi v0 Av ii io Ai Zi Desfase

353mV 2.973V 8.42 78.04nA 0.56uA 7.17 4.5M 180

Grafica de las seales de entrada y salida:

Amarillo: tensin de entrada
Verde: tensin de salida
Calculando:
vo 2.973
A v= = =8.42
v i 353 103

V i 353 mV
Z i= = =4.5 M
I i 78.04 nA

i 0.56 106
A i= o = =7.17
i i 78.04 109

II. CUESTIONARIO:

1.- Presentar las medidas efectuadas en cada circuito con el diseo original
R1
XMM1 470
id

R2 vds V1
Q1 XMM2 1.5 V
V2 1M
5 V 0%
Key=A XMM3
BF245B
vgs

V GS=0 V GS=0.5 V V GS=1 V V GS=2 V V GS=4 V V GS=5 V

 V DS ( V ) I D (mA) I D ( mA) I D ( mA) I D (mA) I D (uA ) I D (uA )

0 0 0 0 0 0 0
0.5 2.10 1.63 1.12 0.10 0 0
1 3.80 2.78 1.75 0.11 0 0
1.5 4.99 3.44 1.87 0.11 0 0
2 5.70 3.59 1.90 0.11 0 0
2.5 5.89 3.63 1.92 0.11 0 0
3 5.95 3.67 1.94 0.11 0 0
3.5 6.02 3.71 1.96 0.11 0 0
4 6.08 3.75 1.98 0.11 0 0
6 6.33 3.90 2.10 0.12 0 0
8 6.57 4.10 2.14 0.12 0 0
12 7.06 4.40 2.30 0.13 0 0
14 7.31 4.51 2.40 0.14 0 0
16 7.55 4.66 2.47 0.14 0 0
XSC1
VDD
15V Tektronix
XMM2
R1 RD P 1 2 3 4 T
820k 3.3k G

XMM1
Q1
R2
vo
3.3M BF245B
C1

22F
V1

0.5 Vpk P
RS C2
1kHz 470k
80% 1.1k 100F
0 Key=A

FET surtidor comn

vi v0 Av ii io Ai Zi
Desfase

353mV 2.973V 8.42 78.04nA 0.56uA 7.17 4.5M 180

2.- Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas en una sola hoja para
poder hacer comparaciones, una por cada tabla.
8

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

2.5

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
 0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

3.- Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de las rectas de carga DC.

Los distintos puntos Q obtenidos en las graficas se debe a las distintas formas y tensiones de
entradas en la puerta y drenador as como la polarizacin del transistor.
4.- Dgame como funciona un JFET, incluyendo en su explicacin la tensin de
estrangulamiento y la tensin de corte puerta fuente.

Un JFET funciona en la zona de deplecin que rodean a cada zona P al ser polarizadas
inversamente.

Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deflexin se hacen

ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades
para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deflexin, cuanto mayor es la tensin
inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.

Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensin y no por corriente.

La tensin de estrangulamiento es el voltaje mximo en el cual las zonas de deflexin se hacen

muy estrechas haciendo casi imposible el paso de la corriente elctrica, la tensin de corte
puerta fuente es la tensin en la cual la corriente de puerta es casi cero o igual a cero.

5.- Dibuje las curvas de drenador y la curva de transductancia de un JFET.

Curva de transductancia:
Curva caracterstica de drenador:

6.- Compare el transistor JFET con el transistor de unin bipolar. Sus comentarios
debern incluir las ventajas y desventajas de cada uno de ellos.

La diferencia ms importante entre los dos, es que el JFET por su estructura, tiene una gran
impedancia de entrada, adems es mas inmune al ruido que un BJT, pero por otro lado, su
respuesta en frecuencia es menor, o sea que son ms lentos y su frecuencia de corte superior
es mas chica, adems son menos lineales.

El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y corrientes de salida mucho ms bajas
que los BJT.
Los BJT son ms lineales que los JFET.

La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET.

7.- Cmo puede saber si un FET est trabajando en la regin hmica o en la regin
activa?

Un FET trabaja en la zona hmica cuando se comporta como una resistencia y se puede saber
este comportamiento mediante mediciones de tensin y corriente. Y est en la regin activa
cuando la corriente se mantiene constante frente a cualquier entrada de tensin VDD.

8.- Dibuje un seguidor de fuente de JFET y explique cmo funciona.

El seguidor de fuente JFET es funcionalmente similar al

seguidor de emisor BJT. Asimismo, no proporciona
ganancia de voltaje, pero s modifica la impedancia,
creando ganancia de corriente (y de potencia).

Seguimos utilizando buenas prcticas de diseo, por lo

que al pensar en el seguidor de fuente como una fuente
de voltaje, conseguimos que la resistencia de fuente sea
mucho menor que la de carga y, as, podemos obviar la
carga en nuestro anlisis.

La cada de voltaje en la resistencia de fuente es, por lo tanto, la resistencia de fuente es una
potencia de la corriente de drenador. Podemos relacionar la corriente de drenador con el
voltaje puerta-fuente mediante la transconductancia. Y tambin comprobamos que el voltaje
de fuente coincide con el de salida. La transconductancia tpica corresponde a una resistencia
ms pequea (aproximadamente de 200 ohmios) que la resistencia de fuente y, por lo tanto, la
ganancia se aproxima a 1.

9.- Qu magnitud de entrada controla la corriente de salida de un BJT? Y en un

JFET? Si las magnitudes son diferentes, explquelo.
La magnitud de entrada que controla la corriente de salida de un BJT es una corriente muy
pequea creada por la corriente de base la cual se produce poner una fuente de tensin
pequea en serie con la base. La magnitud de la corriente de salida de un JFET es controlada
por una tensin de puerta la cual ayuda a crear una polarizacin y una mejor conduccin en el
JFET de tal manera q gracias a esta fuente queda polarizada.

10.- Un JFET es un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una tensin en
la puerta. Explique esta afirmacin.

El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas

de deflexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.

Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deflexin se hacen

ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga ms dificultades
para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deflexin, cuanto mayor es la tensin
inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.

Por esto se dice que el JFET un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una
tensin en la puerta. Explique esta afirmacin.

11.- Nombrar las aplicaciones de los JFET y de los MOSFET.

APLICACIONES DEL JFET:

Las aplicaciones con este tipo de transistores es muy variada, aqu se mostrarn slo dos
aplicaciones bsicas, a saber, la construccin de osciladores para generacin de formas de
onda cuadradas a determinadas frecuencias, y el anlisis y diseo de las configuraciones
fundamentales de amplificadores con JFET's.

APLICACIN DE LOS MOSFET:

La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Vase Tecnologa
CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

IV.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:

OBSERVACIONES:

Al aplicar una fuente en polarizacin inversa a la puerta de FET la corriente de

drenador para cualquier caso es cero.

Se debe tener cuidado al hacer la aplicacin a corriente alterna.

Los potencimetros tienen que ser lo mas variables posibles para tener un valor

cercano al requerido.

La tensin VDD es controlada en su mayor parte por la fuente VGG.

Se debe polarizar bien los instrumentos de medida para evitar errores de medidas.

CONCLUSIONES:

Los JFET producen una mayor ampliacin de la seal de entrada.

 La ganancia de voltaje y tensin son muy pequeas.

La impedancia de entrada es muy elevada.

La fuente de tensin en la puerta controla la corriente de salida.

La configuracin de seguidor de tensin acta como una fuente lo cual permite

despreciar la resistencia de entrada en la puerta.

V.- BIBLIOGRAFIA

http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/jfet_aplicaciones.htm
http://www.unicrom.com/Tut_Fet.asp
http://ingeniatic.net/index.php/tecnologias/item/636-transistor-jfet