Electronica I R.Guirriman Nueva Edicion

Universidad de Tarapac
Electrnica I
Autores:
RAMN GUIRRIMAN CARRASCO

RAL SANHUEZA HORMAZBAL
Escuela Universitaria de Ingeniera

Elctrica - Electrnica
Arica - Chile
2015
1
Contenido
INTRODUCCIN ............................................................................................................................................15
DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA ...............................................................................................................16
PROGRAMA DE LA ASIGNATURA..................................................................................................................17
1. CAPTULO 1 Introduccin Fsica de Semiconductores .........................................................................21
1.1 Introduccin a los semiconductores ............................................................................................21
1.2 La Fsica de los Semiconductores .......................................................................................................21
1.2.1 Estructura Atmica de los materiales .........................................................................................21
1.3 Bandas de Energa ..............................................................................................................................23
1.3.1 Bandas de Conduccin y Valencia ...............................................................................................24
1.4 Conductores, Semiconductores y Aisladores .....................................................................................25
1.5 Enlace Covalente ................................................................................................................................26
1.6 Dopado (contaminado) ......................................................................................................................28
1.7 Portadores Mayoritarios y Minoritarios.............................................................................................30
1.8 La Juntura P-N ....................................................................................................................................31
1.8.1 Potencial de barrera ....................................................................................................................32
1.8.2 Polarizacin Directa .....................................................................................................................33
1.8.3 Polarizacin Inversa.....................................................................................................................35
2. CAPTULO 2 EL DIODO DE UNIN .........................................................................................................37
2.1 Introduccin ......................................................................................................................................37
2.2 Caracterstica V-I del Diodo de Unin ..............................................................................................38
2.2.1 La ecuacin de Schockley. ...........................................................................................................39
2.3 Modelos del diodo. ............................................................................................................................41
2.3.1 Modelo Ideal del Diodo ...............................................................................................................41
2.3.2 Modelo del Diodo lineal por tramos. ..........................................................................................43
2.4 Equivalente de pequea seal del diodo. ..........................................................................................49
2.5 Aproximacin a un Diodo real ............................................................................................................57
2.5.1 Forma iterativa (hacer una tabla) (se podra hacer en planilla Excel).........................................57
2.5.2 En forma grfica, a partir de la simulacin en PSpice (modelo SPICE del diodo). ......................57
2.5.3 En forma matemtica ya sea analtica o computacional. ...........................................................58
2.5.4 Ejemplo de respuesta para pequea seal considerando el diodo real. .................................63
2.5.5 Ejemplo de respuesta al linealizar...............................................................................................64
2.5.6 Respuesta real de un diodo. (Sin linealizacin en torno al punto de operacin). ...................65
2
3 CAPTULO 3 Transistor de Unin Bipolar .............................................................................................67
3.1 Introduccin .......................................................................................................................................67
3.2 Relaciones de Corriente y voltaje en un BJT ......................................................................................67
3.3 Caractersticas en Emisor Comn. ......................................................................................................70
3.4 Amplificacin mediante el BJT ...........................................................................................................71
3.5 Modelos circuitales para el BJT. .........................................................................................................73
3.5.1 Modelo en la regin Activa. ........................................................................................................73
3.5.2 Modelo en la regin de Saturacin. ............................................................................................73
3.5.3 Modelo en la regin de Corte. ....................................................................................................73
3.5.4 Modo Inverso. .............................................................................................................................74
3.6 Anlisis en Continua de Circuitos con BJT. .........................................................................................76
3.7 Circuitos de Polarizacin de BJT .........................................................................................................77
3.7.1 Polarizacin Fija. ..........................................................................................................................77
3.7.2 Polarizacin con Realimentacin. ...............................................................................................80
3.7.3 Circuito de Autopolarizacin. ......................................................................................................82
3.7.4 Polarizacin por divisor de Tensin. ...........................................................................................83
3.8 Modelos de Pequea seal para el BJT. .............................................................................................85
3.8.1 Regiones de Operacin. ..............................................................................................................85
3.8.2 El modelo rpi-beta. ......................................................................................................................86
3.8.3 Circuito equivalente de pequea seal para el BJT. ...................................................................88
3.8.4 Modelo de Parmetros hbridos de EmisorComn. ..................................................................89
3.9 Configuracin de Emisor Comn. .......................................................................................................90
3.10 Relacin entre el modelo de parmetros h y el modelo r . ........................................................95
3.11 El modelo pi-hbrido. ........................................................................................................................96
3.12 Amplificador en configuracin Emisor Comn...............................................................................100
3.12.1 Anlisis en continua. ...............................................................................................................100
3.12.2 Anlisis en Alterna (Con RE1=0.)...............................................................................................101
3.13 Seguidor de Emisor (configuracin colector comn). ....................................................................103
3.14 Concepto de recta de carga en continua y alterna. .......................................................................108
4 CAPTULO 4 Transistores de Efecto de Campo (FET) .........................................................................112
4.1 Introduccin. ....................................................................................................................................112
4.2 El Transistor de Efecto de Campo de Unin canaln (JFETn). .......................................................112
4.3 Curvas caractersticas del JFET de canal N (JFETn).........................................................................113
4.3.1 Regin de Corte. ........................................................................................................................115
3
4.3.2 Regin Triodo. ..........................................................................................................................116
4.3.3 Regin de Saturacin o Estrangulamiento (pinchoff). ............................................................116
4.3.4 Lmite entre las regiones de Triodo y Saturacin. .....................................................................117
4.3.5 Corriente de saturacin con polarizacin nula (IDSS). ................................................................117
4.3.6 Ruptura. .....................................................................................................................................119
4.4 MOSFETs (Metal oxide Semiconductor FET). ...................................................................................120
4.4.1 MOSFET de deplexin. ..............................................................................................................120
4.4.2 MOSFET de Mejoramiento (Enhancement MOSFET). ...............................................................121
4.5 Los circuitos de Polarizacin. ...........................................................................................................125
4.5.1 Polarizacin fija. ........................................................................................................................125
4.5.2 Circuito de Autopolarizacin (self bias)....................................................................................127
4.5.3 Circuito de Polarizacin fija y Autopolarizacin ( por divisor de voltaje) ...............................131
4.6 Circuito equivalente de pequea seal del FET. ..............................................................................135
4.7 Circuito equivalente ms completo. ................................................................................................136
4.8 Transconductancia y resistencia de drain. .......................................................................................137
4.9 Anlisis del Circuito equivalente de pequea seal. ........................................................................140
4.9.1 Amplificador de Source-comn ( fuente comn). ...................................................................140
4.9.2 Amplificador Seguidor de Source ( drain comn). ..................................................................142
5 CAPTULO 5 Amplificadores Operacionales y Comparadores ............................................................150
a. Introduccin. ..................................................................................................................................150
5.2 Modelo del amplificador de Voltaje.................................................................................................150
5.3 Amplificador Diferencial ...................................................................................................................151
5.4 Amplificador Operacional Bsico .....................................................................................................153
7.4.1 Descripcin AO 741. ..................................................................................................................154
5.4 Modelo, de primer orden, del Amplificador Operacional. ...............................................................155
5.5 Modelo del AO Ideal.........................................................................................................................156
5.5.1 Ganancia en Lazo Abierto..........................................................................................................156
5.5.2 Funcin de Transferencia EntradaSalida.................................................................................157
5.6 Circuitos con AO ideales ...................................................................................................................158
5.7 Respuesta en frecuencia. .................................................................................................................167
5.7.1 Esquema tpico de compensacin de un AO. ............................................................................168
5.8 No idealidades del AO. .....................................................................................................................170
5.8.1 Respuesta en frecuencia en lazo abierto (AO 741) ...................................................................170
5.8.2 Respuesta en frecuencia en lazo cerrado (AO 741) ..................................................................171
4
5.8.3 Razn de Rechazo de modo comn (CMRR) .............................................................................172
5.8.4 Corrientes y resistencias de Entrada .........................................................................................172
5.8.5 Resistencia de Entrada ..............................................................................................................173
5.9 Aplicaciones No-lineales del Amplificador Operacional. .................................................................173
5.10 Comparadores ................................................................................................................................178
5.10.1 Comparador con Histresis. ....................................................................................................179
5.10.2 Multivibrador Astable. ............................................................................................................180
5.10.3 Generador triangular...............................................................................................................181
5.10.4 Circuito Monoestable. .............................................................................................................183
6 CAPTULO 6 Realimentacin..............................................................................................................184
6.1 Introduccin. ....................................................................................................................................184
6.2 Efecto de la realimentacin en la Ganancia. ....................................................................................184
6.2 Topologas de Realimentacin. ........................................................................................................187
6.2.1 Topologas de realimentacin de voltaje/error de tensin. .....................................................187
6.2.2 Topologas de realimentacin de corriente/error de corriente. ...............................................188
6.2.3 Topologas de realimentacin de tensin/error de corriente. .................................................188
6.2.4 Topologas de realimentacin de corriente/error de tensin. .................................................189
6.3 Efecto de las conexiones de la realimentacin en las resistencias de puerta del Amplificador. .....190
6.3.1 Resistencia de entrada en la conexin con mezclado de entrada en serie. .............................190
6.3.2 Resistencia de entrada de la conexin de mezclado de entrada en paralelo. ..........................191
6.3.3 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en serie. ....................................192
6.3.4 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en paralelo................................193
6.4 Mtodo de Anlisis de un amplificador realimentado.....................................................................195
6.5 Realimentacin negativa, otros aspectos. .......................................................................................204
6.5.1 Variaciones incrementales en la ganancia. ...............................................................................204
6.5.2 Ampliacin del ancho de Banda con la realimentacin negativa .............................................205
6.5.3 Ejemplo de respuesta en frecuencia con simulacin. ...............................................................206
BIBLIOGRAFA .............................................................................................................................................209
ANEXOS ......................................................................................................................................................210
Anexo 1 Condiciones de entrada a la asignatura. .....................................................................................210
Anexo 2: Tabla peridica de los elementos. ..............................................................................................216
Anexo 3 RESUMEN Qu es un Semiconductor? .......................................................................................217
Anexo 4: Obtencin del parmetro coeficiente de emisin (n) a partir de dos mediciones de i y v. ........222
Anexo 5: Modelacin diodo ideal en Spice. ...............................................................................................224
5
Anexo 6: Anlisis de pequea Seal ...........................................................................................................227
LABORATORIOS PROPUESTOS ....................................................................................................................230
Laboratorio: Diodos de Unin ................................................................................................................230
Laboratorio: Amplificacin con BJT ........................................................................................................235
Laboratorio: Amplificadores Operacionales y Comparadores ...............................................................237
ANEXO LABORATORIOS ..........................................................................................................................240
PAUTAS SOBRE INFORMES DE LABORATORIO ...................................................................................240
PPT FUNDAMENTOS DE OSCILOSCOPIO PARA ESTUDIANTES DE INGENIERA ELCTRICA ................242
PPT EQUIPOS DE LABORATORIO EN LA EIEE ......................................................................................242
PPT OTRAS EXPERIENCIAS DE LABORATORIO ....................................................................................242
PRUEBAS ANTERIORES ...............................................................................................................................243
RESUMEN PRESENTACIONES DE PPT .........................................................................................................295
6
NDICE DE FIGURAS
Figura 1.1 Principales dispositivos semiconductores en Electrnica. ..........................................................21

Figura 1.2 Modelo bi-dimensional simple de un tomo. Compuesto de un ncleo de carga positiva y e- que
circulan en rbitas organizadas en capas..............................................................................................22
Figura 1.3 Descripcin simplificada del tomo de Germanio, Ge (32 e- ). a) Distribucin por capas, las capas
K, L y M estn completas, ltima capa (N) incompleta. b) Detalle de la capa de Valencia (capa N en
este caso), la cual contiene 4 electrones. ..............................................................................................23
Figura 1.4 Distribucin de las capas de Energa en el tomo de Silicio a temperatura ambiente. Se observa
que las capas K y L estn completas, y la capa M est incompleta y por ser la ms externa es la capa de
Valencia. .............................................................................................................................................24
Figura 1.5 Diagrama de Energa de un elemento cualquiera, en el que se indican los valores asociados a su
banda de Conduccin y la de Valencia. ...............................................................................................25
Figura 1.6 Diagrama de bandas de Energa para distintos tipos de materiales. Se observa que mientras menor
es el espaciamiento atmico del Cristal, se requiere ms energa para mover los e- desde la banda de
Valencia a la de Conduccin. ..............................................................................................................26
Figura 1.7 Representacin bi-dimensional simplificada del enlace covalente en un cristal. Detalle de la
estructura cristalina estable formada por un elemento de cuatro electrones de valencia. Se muestra slo
los e- de la capa de valencia (y el ncleo del tomo correspondiente), que son los que forman el enlace
inter-atmico. ......................................................................................................................................27
Figura 1.8 Generacin par electrn-hueco. Cuando un e- llega a ser libre (por ejemplo, mediante energa
calrica) "deja" o "produce" un hueco en su lugar. ..............................................................................27
Figura 1.9 Detalle del enlace covalente entre un material donador (tomo n5 con 5 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable es de 8e- y est completo
y sobra 1 e- por lo que este material tiene una mayor densidad de e- libres. ........................................28
Figura 1.10 Detalle del enlace covalente entre un material Aceptador (tomo n5 con 3 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable de 8e- no est completo
(falta 1 e- por cada enlace). .................................................................................................................28
Figura 1.11 Niveles de Energa y Energa promedio (Ea). a) Semiconductor Puro. n de e- n de h+. b)
Tipo N. n de e- > n de h+. c) Tipo P. n de e- < n de h+. ...............................................................29
Figura 1.12 Ejemplo del flujo neto de corriente en un material semiconductor. .............................................30
Figura 1.13 Distribucin de e- y h+ en la vecindad de la juntura p-n. a) Antes que la difusin tenga lugar. b)
Despus que se produce la difusin. ....................................................................................................31
Figura 1.14 Diagrama de energa de los materiales antes del contacto. ..........................................................33
Figura 1.15 Realineamiento de los niveles de energa despus del contacto de los materiales. .......................33
Figura 1.16 Diodo polarizado directo. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales. ..........................................................................34
Figura 1.17 Diodo polarizado inverso. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales. ..........................................................................35
Figura 2.1 Unin P-N (diodo). a) Representacin fsica. b) Smbolo estndar. ..............................................37
Figura 2.2 Polarizacin del diodo. a) Directa, la corriente queda determinada por los parmetros del diodo y
la caracterstica de la carga. b) Inversa, la corriente que circula es de fuga y es prcticamente
despreciable. .......................................................................................................................................37
Figura 2.3 Smbolo y caracterstica vD~iD de un diodo de unin. ................................................................38
Figura 2.4 Caracterstica vD~iD del Diodo Ideal. .........................................................................................41
Figura 2.5 D1 on; D2 off. ..............................................................................................................................42
Figura 2.6 Circuito del ejercicio 2.8. .............................................................................................................42
7
Figura 2.7 Circuito ejercicio 2.9. ...................................................................................................................43
Figura 2.8 Aproximacin de primer orden del diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin de su
voltaje umbral V . b) Smbolo del diodo e indicacin de sentidos de corriente y voltaje. c)
Aproximacin del diodo, utilizando un diodo ideal y modelando su voltaje umbral con una fuente
de continua. d) El modelo del diodo en estado de conduccin (ON) y en estado de noconduccin
(OFF). Notacin: ? :denota que la variable queda determinada por el resto del circuito...................44
Figura 2.9 Aproximacin de 2do orden para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin utilizada.
b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de conduccin
(ON) y en estado de noconduccin (OFF). ......................................................................................44
Figura 2.10 Aproximacin lineal por tramos para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin
utilizada. b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de
conduccin (ON) y en estado de noconduccin (OFF). ..................................................................45
Figura 2.11 Circuito ejemplo 2.2. .................................................................................................................45
Figura 2.12 Solucin grfica del ejemplo 2.3. .............................................................................................46
Figura 2.13 Circuito ejemplo 2.2. .................................................................................................................47
Figura 2.14 ....................................................................................................................................................47
Figura 2.15 ....................................................................................................................................................47
Figura 2.16 ....................................................................................................................................................48
Figura 2.17 Circuito conceptual utilizado para determinar el equivalente de pequea seal del diodo.......49
Figura 2.18 Desarrollo del modelo de pequea seal del diodo...................................................................50
Figura 2.19 Modelo circuital equivalente para el diodo para cambios pequeos alrededor del punto Q. La
resistencia incremental rd es la inversa de la pendiente de la tangente en Q, y VD0 es el intercepto
del la tangente con el eje vD. ..............................................................................................................51
Figura 2.20 Anlisis utilizando el equivalente de pequea seal del diodo. a) Circuito con diodo nolineal.
b) El diodo se reemplaza por un equivalente lineal considerando que las variaciones de seal son
pequeas. c) Anlisis para la componente continua. d) Anlisis para la componente alterna. ..........52
Figura 2.21 ejemplo 2.4................................................................................................................................53
Figura 2.22 ....................................................................................................................................................54
Figura 2.23 ....................................................................................................................................................55
Figura 2.24 ....................................................................................................................................................55
Figura 2.25 ....................................................................................................................................................55
Figura 2.26 ....................................................................................................................................................56
Figura 2.27 Circuito con diodo. ...................................................................................................................57
Figura 2.28 Caracterstica diodo, Recta de carga y recta tangente al punto de operacin. ..........................57
Figura 2.29 Caracterstica diodo, Recta de carga, recta tangente al punto de operacin y aproximacin con
ecuacin de Schockley. ......................................................................................................................58
Figura 2.30 Modelo circuital en el punto de operacin. ...............................................................................58
Figura 2.31 Circuito equivalente en el punto de operacin. .........................................................................59
Figura 2.32 Cto. con diodo. ..........................................................................................................................59
Figura 2.33 Ecuacin de Schocley y las rectas de cargas cuando E=1 y E=3..............................................60
Figura 2.34 Circuito medido. .......................................................................................................................61
Figura 2.35 Cto. con el diodo 1N4148. .........................................................................................................61
Figura 2.36 Obtencin del punto de operacin con ecuacin de Schockley y caracterstica del diodo. ......62
Figura 2.37Circuito simulado para dos casos: cuando la amplitud de la senoidal es 0.1 y 0.3V. ................63
Figura 2.38 Respuesta al linealizar. .............................................................................................................64
Figura 2.39 Respuesta de un diodo sin usar linealizacin. ...........................................................................65
8
Figura 3.1 El transistor npn. .........................................................................................................................67
Figura 3.2 Condiciones de polarizacin para uniones p-n. ..........................................................................68
Figura 3.3 Relaciones de corriente en un transistor npn. Slo una pequea fraccin de la corriente de
emisor fluye en la base (considerando que la unin colector-base es inversamente polarizada y la
base-emisor est directamente polarizada). .......................................................................................69
Figura 3.4 Configuracin de emisorcomn para el BJT NPN. ..................................................................70
Figura 3.5 a) Caractersticas de entrada (iB vs. vBE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN.
Ntese que una pequea variacin vBE produce una gran variacin en iB en la zona indicada.
Tambin la pendiente iB/vBE es el reciproco de la resistencia de la unin entre baseemisor. b)
Caractersticas de salida (iC vs. vCE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN. ...............72
Figura 3.6 Modelos a grandes seales del BJT pnp y npn. (Nota: los valores mostrados son apropiados
para dispositivos de silicio tpicos de pequea seal a una temperatura de 300K). a) Regin
Activa. b) Regin de Saturacin c) Regin de Corte. ........................................................................74
Figura 3.7 Regiones de operacin sobre las caractersticas de un BJT NPN. a) Caractersticas de salida. b)
Caractersticas de entrada. .................................................................................................................75
Figura 3.8 a) Circuito original. b) Circuito equivalente si se supone el transistor en saturacin. c)
Circuito equivalente si se supone el transistor en corte. ....................................................................77
Figura 3.9 Cto. Polarizacin fija. ...................................................................................................................77
Figura 3.10 Caracterstica de salida, iC vs. vCE, en la cual se indica la recta de carga de colector para el
circuito del ejemplo 3.4......................................................................................................................78
Figura 3.11 Con =300 el circuito del ejemplo 3.4 opera en saturacin, IBQ=100 A, ICQ=19.8mA,
VCEQ=VCEsat=0.2V. .............................................................................................................................79
Figura 3.12 Circuito de polarizacin por realimentacin. ............................................................................80
Figura 3.13 Circuito de autopolarizacin. ....................................................................................................82
Figura 3.14 Circuito de polarizacin por divisor de tensin de 4 resistencias. a) Circuito original. b)
Circuito original descompuesto en un circuito de base y otro de colector. c) Equivalente de
Thevenin del circuito original. ...........................................................................................................83
Figura 3.15 Circuito del ejemplo 3.9. ...........................................................................................................85
Figura 3.16 Circuito del ejemplo 3.8. ...........................................................................................................85
Figura 3.17 Regiones de operacin en el plano vBC-vBE.(Se considera un BJT npn) ...................................86
Figura 3.18 Ilustracin de la corriente de base total iB(t), la corriente del punto Q IBQ , y la corriente de
pequea seal ib(t). Esta misma ilustracin se puede aplicar a casi cualquier variable total de un
amplificador. ......................................................................................................................................87
Figura 3.19 Circuito equivalente de pequea seal, modelo r , para el BJT...........................................89
Figura 3.20 Red de dos puertas que modela un transistor bipolar en pequea seal. ..................................90
Figura 3.21 Circuito equivalente de parmetros h para la configuracin de emisor-comn. (Ntese que hie
es impedancia, hoe es conductancia) ..................................................................................................91
Figura 3.22 Obtencin del parmetro hre ganancia de tensin inversa del transistor, a partir de la
caracterstica de entrada del BJT. ......................................................................................................92
Figura 3.23 Obtencin del parmetro hie impedancia de entrada con la salida en coci, a partir de las
caractersticas de entrada del transistor. .............................................................................................93
Figura 3.24 a) Obtencin del parmetro hfe ganancia de corriente directa del transistor, a partir de las
caractersticas de salida del transistor. b) Obtencin del parmetro hoe admitancia de salida del
transistor, a partir de las caractersticas de salida del transistor. ........................................................94
Figura 3.25 Circuito equivalente de parmetros h con hre=0 y hoe=0. Este circuito es equivalente al modelo
r . ...................................................................................................................................................95
9
Figura 3.26 Circuito equivalente hbrido. ................................................................................................96
Figura 3.27 Modelo hbrido con rx =0, r=, ro =, y los condensadores reemplazados por circuitos
abiertos. Este modelo aproximado de baja frecuencia es equivalente al modelo r de la fig. 3.25.
...........................................................................................................................................................98
Figura 3.28 Amplificador en Emisor comn. .............................................................................................100
Figura 3.29 a) Configuracin Seguidor de Emisor.....................................................................................103
Figura 3.30 Circuito amplificador de base comn. ....................................................................................105
Figura 3.31 .................................................................................................................................................106
Figura 3.32 .................................................................................................................................................106
Figura 3.33 .................................................................................................................................................107
Figura 3.34 Amplificador para ejemplificar las rectas de carga.................................................................108
Figura 3.35 Recta de carga en continua para la entrada. ............................................................................109
Figura 3.36 Recta de carga de continua para la salida. ..............................................................................109
Figura 3.37 Voltaje CE y de salida para diferentes amplitudes en la seal de entrada. .............................111
Figura 3.38 Anlisis armnico del voltaje CE y de salida. ........................................................................111
Figura 4.1 JFET canaln (JFETn) (a) Estructura fsica simplificada. (b) Smbolo circuital. ..................112
Figura 4.2 La regin de deplexin (no conductiva) se hace ms gruesa mientras se aumenta la polarizacin
inversa entre gate y source. ..............................................................................................................113
Figura 4.3 Circuito utilizado para determinar las caractersticas de drain de un JFETn. .........................113
Figura 4.4 Corriente de drain (iD) versus voltaje drain-source (vDS) cuando el voltaje entre gate-source
(vGS) es cero. ....................................................................................................................................114
Figura 4.5 JFETn para vGS=0. (a) El canal se hace ms angosto a medida que vDS aumenta. (b) La
corriente (iD) est restringida a una banda muy angosta, para vDS >|VP|. .........................................114
Figura 4.6 Caractersticas tpicas de drain de un FET de canal N..............................................................115
Figura 4.7 Caracterstica de iD versus vGS en la regin de saturacin para un JFETn. .............................116
Figura 4.8 Caractersticas iDvDS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V. .............................................118
Figura 4.9 Caractersticas iDvGS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V. .............................................119
Figura 4.10 Si vGD excede el voltaje de ruptura VB la corriente de drain se incrementa rpidamente. ......119
Figura 4.11 MOSFETn de deplexin. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital. ....................................120
Figura 4.12 MOSFETn de mejoramiento. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital...............................121
Figura 4.13 Corriente de drain versus vGS en la regin de saturacin para dispositivos de canal n. ..........122
Figura 4.14 Caracterstica iD versus vGS del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo. ..........................123
Figura 4.15 Caracterstica de drain del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo. .................................124
Figura 4.16 Circuito de polarizacin fija JFET-n..........................................................................................125
Figura 4.17 Caracterstica iDvGS de dispositivos de la misma denominacin con variaciones extremas
entre sus parmetros. La polarizacin con un VGSQ fijo resulta en grandes variaciones de IDQ. ......126
Figura 4.18 Circuito de autopolarizacin, JFET-n. ......................................................................................127
Figura 4.19 Anlisis grfico del circuito de auto-polarizacin. Las variaciones de parmetros entre
dispositivo y dispositivo son mucho menores que para el caso de polarizacin fija. ......................128
Figura 4.20 Circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. a) Circuito original. ...............................131
Figura 4.21 Solucin grfica para el circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. Ntese que para
dispositivos con variaciones extremas de sus parmetros, las variaciones en IDQ son ms
independientes del dispositivo si Vgg es grande..............................................................................132
Figura 4.22 Circuito equivalente de pequea seal del FET. .....................................................................136
10
Figura 4.23 Circuito equivalente de pequea seal que considera la dependencia de la corriente id del
voltaje vDS. .......................................................................................................................................137
Figura 4.24 Determinacin de gm y rd para el transistor 2N42222A en el punto Q dado por VGSQ=0.5V y
VDSQ=10V. .......................................................................................................................................139
Figura 4.25 Amplificador source-comn fuente comn. ........................................................................140
Figura 4.26 Equivalente de pequea seal para el amplificador sourcecomn a frecuencias medias. ...140
Figura 4.27 Circuito utilizado para "medir" la impedancia de salida. ........................................................141
Figura 4.28 Amplificador Seguidor de source. ..........................................................................................142
Figura 4.29 Equivalente de alterna del circuito seguidor de fuente (Sourcefollower). ............................143
Figura 4.30 Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida. ...................................................144
Figura 4.31 .................................................................................................................................................145
b) El valor del resistor para obtener ID=3mA. Figura 4.32..................................................................145
Figura 4.33 .................................................................................................................................................146
Figura 4.34 .................................................................................................................................................146
Figura 4.35 .................................................................................................................................................147
Figura 4.36 .................................................................................................................................................147
Figura 4.37 Circuito multietapa ..................................................................................................................147
Figura 5.1 Modelo circuital de primer orden del amplificador de voltaje..................................................150
Figura 5.2 Diagrama en bloque amplificador diferencial...........................................................................151
Figura 5.3 Equivalente del amplificador diferencial considerando la ganancia de modo diferencial y de
modo comn.....................................................................................................................................152
Figura 5.4 Caso tpico de existencia de voltaje de modo comn. [Hambley, 94] ......................................153
Figura 5.5 Smbolo electrnico o esquemtico para el AO, tambin se detalla que estos AO deben estar
polarizados por fuentes externas. .....................................................................................................153
Figura 5.6 Esquemtico y detalle conexiones del integrado en la hoja de datos del fabricante (datasheet).
.........................................................................................................................................................154
Figura 5.7 Diagrama esquemtico simplificado AO 741. .........................................................................154
Figura 5.8 Modelo circuital del AO, aproximacin de primer orden. ........................................................155
Figura 5.9 Modelo ideal del AO.................................................................................................................156
Figura 5.10 Regiones de operacin de un amplificador. ............................................................................157
Figura 5.11 Circuito AO con realimentacin negativa. Amplificador Inversor. ........................................158
Figura 5.12 Amplificador inversor con entrada senoidal. ..........................................................................159
Figura 5.13 Seguidor o buffer. ...................................................................................................................159
Figura 5.14 Amplificador de voltaje no-inversor y tierra flotante. ............................................................159
Figura 5.15 Amplificador no-inversor. ......................................................................................................160
Figura 5.16 Amplificador no-inversor, con tierra flotante. ........................................................................160
Figura 5.17Adaptador de impedancias para fuente de corriente. ...............................................................160
Figura 5.18 Sumador. .................................................................................................................................161
Figura 5.19 Amplificador no-inversor. ......................................................................................................161
Figura 5.20 Restador o amplificador diferencial. .......................................................................................161
Figura 5.21 Circuito restador, con impedancia de entrada infinita. ...........................................................162
Figura 5.22 Restador como en Sedra, 2011................................................................................................162
Figura 5.23 Cto. ejercicio 1. .......................................................................................................................163
11
Figura 5.27 Amplificador no inversor, carga flotante. ...............................................................................164
Figura 5.28 Conversor de tensin a corriente (carga aterrizada)................................................................164
Figura 5.29 Derivador. ................................................................................................................................165
Figura 5.30 Integrador................................................................................................................................165
Figura 5.31Integrador con compensacin. ................................................................................................165
Figura 5.32 Ejemplos de compensaciones para el Integrador y el derivador. ............................................166
Figura 5.33 Resolucin de una ecuacin integro-diferencial usando slo integradores. ...........................166
Figura 5.34 Respuesta en frecuencia tpica de los amplificadores operacionales. .....................................167
Figura 5.35 Modelo circuital simplificado que muestra el condensador de compensacin. ......................167
Figura 5.36 Modelo de respuesta en frecuencia del AO. ..........................................................................168
Figura 5.37 Circuito resultante donde queda fijada la frecuencia de corte. ...............................................168
Figura 5.38 Respuesta en frecuencia AO 741. ...........................................................................................169
Figura 5.39 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo abierto. ...................................................................170
Figura 5.40 Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo abierto. ...................................................170
Figura 5.41 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo cerrado. ...................................................................171
Figura 5.42Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo cerrado.....................................................171
Figura 5.43 Amplificadores en modo diferencial y comn. .......................................................................172
Figura 5.44 Diversas manifestaciones de las resistencias de entrada de un AO. .......................................173
Figura 5.45 Seguidor y Seguidor positivo. .................................................................................................173
Figura 5.46 Circuito rectificador de media onda de precisin. ..................................................................174
Figura 5.47 Circuito equivalente del ejercicio anterior. .............................................................................174
Figura 5.48 Variante del rectificador de media onda. ................................................................................174
Figura 5.49 rectificador de media onda de precisin, negativo. .................................................................175
Figura 5.50 Rectificador de onda completa de precisin. ..........................................................................175
Figura 5.51 Rectificador de Onda completa de precisin. .........................................................................176
Figura 5.52 Rectificador de onda completa con desplazamiento. ..............................................................177
Figura 5.53 rectificador de media onda. .....................................................................................................177
Figura 5.54 Esquemtico del Comparador con las salidas posibles. ..........................................................178
Figura 5.55 Comparador con Salida de colector abierto. ...........................................................................178
Figura 5.56 Comparador con histresis y su caracterstica de salida. ........................................................179
Figura 5.57 Comparador con histresis, un caso prctico. .........................................................................179
Figura 5.58 Multivibrador Astable. ............................................................................................................180
Figura 5.59 Respuesta generador Astable. .................................................................................................180
Figura 5.60 Generador triangular. ..............................................................................................................181
Figura 5.61 Respuesta generador Triangular. ............................................................................................182
Figura 5.62 Circuito Monoestable. .............................................................................................................183
Figura 5.63 respuesta temporal del circuito Monoestable. .........................................................................183
Figura 6.1 Diagrama de bloques de un amplificador realimentado (Ntese que las variables x pueden ser
de voltaje o corriente). .....................................................................................................................185
Figura 6.2 Amplificador de voltaje (A0) realimentado por una red resistiva. .......................................186
Figura 6.3 Realimentacin de tensin/error de tensin (serie/paralelo). ....................................................187
Figura 6.4 Realimentacin de corriente/error de corriente (paralelo/serie). ..............................................188
Figura 6.5 Realimentacin de voltaje/error de corriente (paralelo/paralelo). ............................................188
Figura 6.6 Realimentacin de corriente/error de tensin (serie/serie). ......................................................189
12
Figura 6.7 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada para las topologas serie/paralelo y
serie/serie. ........................................................................................................................................190
Figura 6.8 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada para las topologas paralelo/serie y
paralelo/paralelo. ............................................................................................................................191
Figura 6.9 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las topologas paralelo/serie y
serie/serie. ........................................................................................................................................192
Figura 6.10 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las topologas serie/paralelo y
paralelo/paralelo...............................................................................................................................193
Figura 6.11 Amplificador de voltaje realimentado. ...................................................................................194
Figura 6.12 Equivalente del circuito realimentado original, en este caso se considera el efecto de la
realimentacin. .................................................................................................................................195
Figura 6.13 Circuito realimentado del ejemplo 6.3. ...................................................................................197
Figura 6.14 Circuito equivalente en alterna del circuito de la fig. 5.26. ..................................................198
Figura 6.15 Circuito realimentado del ejemplo 6.4. ...................................................................................198
Figura 6.16 Circuito equivalente bsico sin realimentacin. .....................................................................199
Figura 6.17 Circuito equivalente bsico sin realimentacin. .....................................................................200
Figura 6.18 Circuito equivalente para determinar la impedancia de salida. ..............................................201
Figura 6.19 Circuito realimentado en continua y alterna. ..........................................................................202
Figura 6.20 Diagrama en bloques bsico de la realimentacin negativa. ..................................................204
Figura 6.21 Sistema multi-realimentado. ...................................................................................................206
Figura 6.22 Otro sistema multi-realimentado.............................................................................................206
Figura 6.23 Circuito en lazo abierto. ..........................................................................................................206
Figura 6.24 El circuito anterior en lazo cerrado. ........................................................................................207
Figura 6.25 Caracterstica de transferencia Vo-VS en lazo abierto. ..........................................................207
Figura 6.26 Caracterstica de transferencia Vo-Vs en lazo cerrado. ..........................................................208
Figura 6.27 Respuestas en frecuencia en lazo abierto y cerrado. ...............................................................208
13
INDICE DE TABLAS
Tabla 1.1 Mximo nmero de e- por capas....................................................................................................22

Tabla 1.2 Ejemplo de distribucin de los electrones en algunos elementos. ..................................................23
Tabla 2.1 Recta de carga, ecuacin de Schockley y Error de la aproximacin ...........................................57
Tabla 2.2 Puntos de operacin y resistencia dinmica para diferentes valores de la fuente ........................66
Tabla 4.1 Tabulacin de los resultados del ejemplo 4.4 y 4.5....................................................................130
Tabla 4.2 Tabulacin de los resultados del ejemplo 4.6 y 4.7....................................................................134
Tabla 6.1 Tipos bsicos de Amplificadores ...............................................................................................186
Tabla 6.2 : Resumen Procedimiento de anlisis de Amplificadores realimentados. ..................................196
14
INTRODUCCIN
La asignatura electrnica I es fundamental en la formacin de los alumnos de ingeniera elctrica
y electrnica. En efecto, en esta asignatura se integran los conocimientos de matemticas, fsica y
de anlisis de circuitos para fundamentar conceptos, teoras, principios y resolver problemas
fundamentales de la electrnica.
Con las actividades de perfeccionamiento realizadas por el suscrito, es decir, el Postgrado con la
U. Autnoma de Barcelona y el Magister en Didctica con la U. de Tarapac se est en condiciones
de mayor propiedad de realizar un manual de buenas prcticas donde se incluyan una didctica
coherente con el aprendizaje significativo en el alumno. El desafo es mejorar el proceso de
enseanza-aprendizaje, para obtener de parte de los alumnos un aprendizaje significativo, es decir,
mejores logros de aprendizaje; y por parte del profesor, la satisfaccin de realizar todo lo que este
a su alcance para mejorar el proceso.
Para lograr el objetivo de mejorar los logros de aprendizaje, lo que redundar en mejorar
el ndice de aprobacin y el promedio del curso, adems, de las clases y ayudantas propias de cada
asignaturas. Se complementara con talleres de simulacin computacional, y actividades didcticas
que contribuyan a mejorar el desempeo acadmico de los estudiantes de la asignatura. Esto
debera ser realizado a la par de elaborar un procedimiento de evaluacin pertinente, vlida y
fiable. Adems, las evaluaciones deben ser continuas y con resultados acotados en el tiempo, que
sean una retroalimentacin efectiva para que el estudiante haga las correcciones necesarias. Tal
como lo dice Biggs (2011) un buen sistema de enseanza debe estar enmarcado de manera que
exista una correspondencia entre los objetivos del curso, las actividades de aprendizaje, as como
el proceso de evaluacin. Todo esto considera que el estudiante debera estar ms implicado en el
proceso para lo cual se requiere que realice todas las actividades sugeridas y que por lo tanto tenga
una buena asistencia al curso, tal como cita Navo (2012, p13) el alumnado tiene que construir su
aprendizaje mediante el esfuerzo y la implicacin activa en el propio proceso de aprender. Los
alumnos deben valorar el aprender, desarrollar un pensamiento crtico, enfrentarse con curiosidad
y creatividad en la resolucin de problemas, con compromiso tico, Bain (2004).
Este dossier es un compendio de notas y apuntes que se han ido desarrollando a lo largo de los
cursos, se considera un apoyo a las actividades de estudio que desarrolle el estudiante para su
proceso de aprendizaje, el cual debera ser sistemtico y comprometido para lograr una implicacin
activa en el estudiante en su formacin de ingeniero.
15
DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA
Presentacin
La electrnica es la base de todos los dispositivos actuales como radios, televisores,
telfonos y computadores, resultan familiares al utilizarse diariamente. Pero otros que tambin
estn presentes a diario, no son tan evidentes. Algunos sistemas electrnicos controlan la mezcla
del combustible y el instante del encendido para maximizar el rendimiento y minimizar las
emisiones de gases no deseadas en los motores de los automviles.
Ubicacin en el plan de estudios

En esta asignatura se utilizan conceptos de Anlisis de Circuitos y partes de las asignaturas
de Electromagnetismo. Est ubicado en el cuarto semestre de la carrera, es decir el segundo
semestre del segundo ao. Como poltica de la Escuela se imparte en los dos semestres del ao.
Descripcin de la asignatura. Adecuacin al perfil profesional

La asignatura contribuye a desarrollar competencias relacionadas con la modelacin de
dispositivos electrnicos, que son esencialmente no lineales. Sin embargo, se desarrolla una
metodologa para analizarlos en forma lineal pero por tramos. Con lo cual se puede utilizar la
metodologa de anlisis de circuitos lineales desarrolladas en los cursos anteriores. En efecto, esta
metodologa tambin conocida como linealizacin en torno al punto de operacin es la base del
anlisis de gran parte de los circuitos electrnicos, e incluso de sistemas complejos en ingeniera.
Relacin con otras asignaturas. Prerrequisitos y recomendaciones

En esta asignatura se utilizarn conceptos de Anlisis de Circuitos I, y electromagnetismo
como la base que la sustenta. Por esto se exige haber cursado dichas asignaturas.
16
PROGRAMA DE LA ASIGNATURA
UNIVERSIDAD DE TARAPAC
Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-Electrnica
PROGRAMA DE ASIGNATURA
NOMBRE DE LA ASIGNATURA Electrnica I
SEMESTRE CURRICULAR Cuarto Semestre
Nro. DE HORAS SEMANALES Seis (4, 0, 2)
PRE-REQUISITOS Anlisis de Circuitos I
1.- OBJETIVOS GENERALES:
Aplicar los fundamentos, modelos equivalentes, relaciones y caractersticas de dispositivos

semiconductores discretos.
Analizar el funcionamiento de circuitos con dispositivos semiconductores en aplicaciones
lineales y no-lineales.
Describir y aplicar los modelos adecuados de los dispositivos semiconductores para cada
aplicacin especfica. Explicar y comprender los rangos de validez y las limitaciones de
estos.
Desarrollar la competencia de aplicacin de software especializado.
2.- OBJETIVOS ESPECFICOS:

o Describir el principio de funcionamiento y en aplicaciones de los dispositivos
semiconductores discretos: diodo de unin, Transistor Bipolar (BJT) y de Efecto de
Campo (FET). Simbologa, notacin, caractersticas, modelos en continua, alterna,
frecuencias medias, baja y alta.
o Analizar circuitos que contengan diodos, BJT y FET en diferentes configuraciones.
Comprobar en laboratorio los principios tericos.
o Comprender y aplicar correctamente el modelo circuital asociado a los dispositivos
semiconductores. Modelos lineales por tramos. Modelos de parmetros h, pi-hbrido,
de baja y alta frecuencia.
o Analizar configuraciones de circuitos amplificadores lineales y no-lineales y obtener
sus parmetros: ganancia, impedancia de entrada, de salida, ancho de banda. En forma
analtica y mediante simulacin.
o Describir el principio de funcionamiento y los modelos de los amplificadores
operacionales ideales y reales.
o Analizar y disear circuitos con Amplificadores Operacionales, realizar prcticas de
laboratorio.
17
o Obtener e interpretar la Respuesta en Frecuencia de amplificadores analticamente y
mediante simulacin.
o Comprobar en laboratorio los principios tericos fundamentales, complementado con
simulacin utilizando software especializado.
3.- CONTENIDOS
1. Diodos. Fundamentos, modelos y aplicaciones.

Fundamentos de estructura atmica de los elementos. Modelo del tomo. Bandas de
energa. Conductores, aisladores y semiconductores. Enlace covalente. Dopado de
semiconductores: tipo P y tipo N. Juntura P-N. Polarizacin directa e inversa. El diodo
de unin. Caracterstica v-i del diodo. Modelo matemtico (ec. de Schockley) y modelo
circuital. Modelo ideal. Modelo lineal por tramos. Equivalente de pequea seal.
2. Introduccin a los Amplificadores.

Caractersticas y modelo de un amplificador: Ganancia, impedancia de entrada y de
salida. Tipos de amplificadores: de voltaje, de corriente, de trans-resistencia y de trans-
conductancia. Relaciones de ganancias. Amplificadores en cascada.
3. Dispositivos de Amplificacin. Amplificadores Multietapas.

Transistor de unin bipolar (BJT). Relaciones de corriente y voltaje en un BJT. Puerta de
entrada (IB-VBE) y de salida (IC-VCE) del BJT usado como amplificador. Caractersticas
en emisor comn. Modelos circuitales del BJT (modelo en la regin Activa, de
Saturacin, Corte y modo inverso). Anlisis en continua de circuitos con BJT. Circuitos
de polarizacin del BJT. Modelos de pequea seal del BJT: modelo r- y modelo de
parmetros h. Configuraciones de amplificadores con transistores. Anlisis comparativo
entre configuraciones.
Transistor de Efecto de Campo (FET). Caractersticas del FET de Unin (JFET).

Regiones de operacin. FET de Metal Oxido Semiconductor (MOSFET) de Deplexin y
de Enriquecimiento. Circuitos de polarizacin de FET. Circuitos equivalentes de pequea
seal del FET. Anlisis comparativo entre amplificadores con BJT y con FET. Circuitos
amplificadores multi-etapas.
4. Amplificadores Operacionales. Modelos y aplicaciones lineales y no-lineales.

Caracterstica de los Amplificadores Operacionales (AO) ideales. Modelo lineal en
continua, en alterna y macro-modelo. Anlisis de circuitos con amplificadores
operacionales ideales (inversor, no-inversor y diferencial). Aplicaciones lineales
(integrador, diferenciador, seguidores, convertidores, etc.). Aplicaciones no-lineales
(detectores, rectificadores de precisin, limitadores, etc.). Caractersticas de AO reales,
modelos y parmetros.
18
5. Comparadores principios y aplicaciones.
Diferencias entre comparadores y amplificadores operacionales. Modelo del
comparador. Detector de cruce por cero. Disparador de Schmitt. Generadores de onda
cuadrada astable y mono-estable, triangular, etc.
6. Introduccin a los amplificadores realimentados.

Concepto de retroalimentacin negativa y positiva. Definicin de ndices de mrito de
amplificadores realimentados. Topologas de retroalimentacin.
4.- BIBLIOGRAFA
Bsica:
Rashid, Muhammad H. Circuitos microelectrnicos - Anlisis y diseo,

International Thomson, 2000.
Goody, R. OrCAD PSpice para windows, Pearson, [2004] (Tres volmenes,
Vol.I y II)
Complementaria:
Cathey, J. - Schaums Electronic Devices and Circuits, McGraw-Hill, 2002.

Sedra, A., Circuitos microelectrnicas, McGraw-Hill, 2006.
Jaeger, R. Diseo de circuitos microelectrnicos, McGraw-Hill, 2005.
Horenstein, M. N, "Microelectrnica: Circuitos y dispositivos", 2da edicin,
Prentice Hall, 1997.
Malik, N. R., "Circuitos Electrnicos: Anlisis, simulacin y diseo", Prentice
Hall, 1998.
Roberts, G; Sedra, A, "Spice", 2e, Oxford University Press, 1998.
Scherz, P., Practical Electronics for Inventors, McGraw-Hill, 2000.
Al-Hashimi, Bashir, Art Of Simulation Using Spice: Analog & Digital, CRC
PRESS, 1995.
19
5. EVALUACIN
Evaluacin (%)
Bonificacin por asistencia
PRUEBA 1 20
PRUEBA 2 20
%Asistencia Nota
EXAMEN 25 Examen
+
Laboratorio (100% asistencia) 15
90 1
TaCo (Tareas+Controles) 20
80 %A <90 0.5
<80 0
DIRECTOR DE DEPARTAMENTO DECANO DE ESCUELA
DIRECCIN DE DOCENCIA
20
1. CAPTULO 1 Introduccin Fsica de Semiconductores
1.1 Introduccin a los semiconductores
Los ms importantes e interesantes dispositivos electrnicos usados actualmente son construidos
de materiales semiconductores. Los dispositivos electrnicos, tales como diodos, transistores,
tiristores, termistores, celdas fotovoltaicas, fototransistores, foto-resistores, lser y circuitos
integrados (ICs) son hechos de materiales semiconductores.
Figura 1.1 Principales dispositivos semiconductores en Electrnica.
De todos los dispositivos semiconductores, el diodo de unin es la base, y por eso tiene un papel muy
importante en la tecnologa moderna. Prcticamente cada sistema electrnico, desde el equipo de
audio hasta el computador usa diodos de una u otra forma.
El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la
polaridad. Es decir la corriente en el diodo puede fluir en una direccin solamente (descripcin ideal).
El primer diodo de vaco, basado en el fenmeno de emisin termo-inica (emisin de

electrones de un alambre metlico calentado), data de comienzos de 1900. Alrededor de 30 aos
despus, el diodo semiconductor fue introducido comercialmente. El primer diodo fue probado en
1905. La tecnologa de semiconductores de germanio y silicio se introdujo en los aos 30.
El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado slido, tiene muchas ventajas
importantes sobre el diodo de vaco. El diodo de estado slido es mucho ms pequeo, barato, y muy
confiable. Actualmente los diodos de vaco son usados en muy raras ocasiones.
1.2 La Fsica de los Semiconductores

El comportamiento del diodo de estado slido (y luego el del transistor) puede ser
comprendido a travs del anlisis de la estructura atmica de los materiales usados en su construccin.
Antes de realizar este anlisis se deben comprender algunos aspectos generales de la teora atmica.
1.2.1 Estructura Atmica de los materiales

El tomo puede ser modelado como una estructura que tiene un ncleo compuesto de protones (p+) y
neutrones, ms una capa o nube electrnica que lo envuelve, la cual est compuesta slo de electrones
(e).
Los electrones tienen carga negativa, los neutrones no tienen carga y los protones tienen carga positiva.
Es decir,
La carga del electrn es: q(e)= 1.610-19 C
Y la del protn es: q(p+)= +1.610-19 C
21
Ncleo: p+ y neutrones (unidos establemente debido a la fuerza nuclear)
Capa externa: e que orbitan el ncleo (mantenidos unidos al ncleo debido a la fuerza elctrica
y nuclear, principalmente)
rbitas de e-
Ncleo
Figura 1.2 Modelo bi-dimensional simple de un tomo. Compuesto de un ncleo de carga positiva y e- que
circulan en rbitas organizadas en capas.
En el tomo en estado normal se cumple que:

La carga total es nula (tomo neutro) es decir:
e que orbitan el ncleo = p+ dentro del ncleo
Dos electrones no pueden ocupar la misma rbita.
Las rbitas de los electrones estn organizadas en capas. Una capa puede consistir de muchas
trayectorias circulares que pueden ser ocupadas por e.
Una capa no necesariamente debe estar completamente llena.
Las capas son separadas una de otras por espacios vacos radiales en las cuales no pueden existir
rbitas.
Los e externos son los ms susceptibles de ser traspasados entre los tomos. Estos son llamados
e de valencia. La capa externa contiene los e de valencia.
Clculos tericos muestran que hay un nmero mximo de electrones que pueden ocupar una capa.
De esta manera los tomos estn organizados en capas de la siguiente manera:
Tabla 1.1 Mximo nmero de e- por capas
Capa Mximo n e-
K 2
L 8
M 18
N 32
O 50
P 72
Q 98
22
Nota: este es un modelo extremadamente simple del tomo, sin embargo, es funcional para
explicar el funcionamiento del diodo en conduccin y cuando est apagado.
Por ejemplo, el Germanio (Ge) que tiene peso atmico 32 tiene sus tres primeras capas completas y
la cuarta capa incompleta, Figura 1.3 a y b. Por otro lado, el Silicio (Si) cuyo peso atmico es 14 tiene
sus dos primeras capas completas y la tercera incompleta.
Tabla 1.2 Ejemplo de distribucin de los electrones en algunos elementos.
(ver Tabla peridica en el Anexo 2)

Capa Ge (32) Si (14) Kr (36) Na (11) Cl (17) Cu (29)
K 2 2 2 2 2 2
L 8 8 8 8 8 8
M 18 4 18 1 7 18
N 4 8 1
Ntese que la ltima capa es la llamada capa de Valencia.
Ncleo Ncleo
K
L Capa de
M Valencia
N (Capa de
Valencia)
Figura 1.3 Descripcin simplificada del tomo de Germanio, Ge (32 e- ). a) Distribucin por capas, las capas
K, L y M estn completas, ltima capa (N) incompleta. b) Detalle de la capa de Valencia (capa N en este caso),
la cual contiene 4 electrones.
1.3 Bandas de Energa

La estructura del tomo es mantenida por un balance de fuerzas: La fuerza de atraccin entre
electrones en rbita y protones en el ncleo, la fuerza Nuclear Fuerte y Dbil, la fuerza involucrada
en el movimiento de los electrones en sus trayectorias, etc. Estas fuerzas varan con la distancia al
ncleo, e implican que hay una cierta cantidad de energa asociada con cada electrn. Esta energa, al
igual que la fuerza que acta sobre los e-, vara con el radio de la rbita del e-. Por esto, se puede decir
que hay una energa especfica para cada electrn, cuyo valor es nico para cada rbita. Por ejemplo,
la capa L contiene 8 rbitas y en cada una de ellas puede contener un electrn. Entonces, se dice que
la capa L tiene 8 niveles discretos de energa. En la figura 1.5 se muestra una distribucin mediante
bandas de energa para el Silicio.
23
A medida que el radio de la rbita aumenta, el nivel de energa tambin aumenta. Las capas
externas tienen mayores niveles de energa que las capas internas. Por esto la energa de la banda de
valencia (la capa externa de un tomo) es la ms alta para un elemento particular.
Como se dijo anteriormente, las rbitas de los electrones estn en un radio especfico y
espacios vacos separan las diferentes capas. El espacio en el cual no son posible rbitas de e- es
llamado espacio de energa prohibida o Banda de Energa Prohibida (B. E. P.).
As, las capas de electrones son separadas por espacios de energa prohibidas. Claramente, si
un e- cambia su rbita, tambin cambia su nivel de energa. Una reduccin en el radio de la rbita del
e- hace que la energa del e- disminuya y la diferencia de energas ser liberada en forma de energa
radiada.
Para mover el electrn a una rbita mayor (digamos de la capa K a la L, por ejemplo) se
requiere una cantidad de energa discreta. Esto se puede realizar suministrando energa al tomo en
forma de calor o energa mediante un voltaje elctrico.
E
Banda de Conduccin
(B.E. P)
Banda de Valencia
(capa M, 4 niveles completos, 14 vacos)
(B.E. P)
8 niveles de Energa
(capa L, 8 niveles completos)
(B.E. P)
Baja Energa asociada con las capas internas
(pequeos radios de rbitas)
(B.E. P) (capa K, 2 niveles completos)
Figura 1.4 Distribucin de las capas de Energa en el tomo de Silicio a temperatura ambiente. Se observa
que las capas K y L estn completas, y la capa M est incompleta y por ser la ms externa es la capa de
Valencia.
1.3.1 Bandas de Conduccin y Valencia

La capa externa es llamada la banda de valencia o banda de energa de valencia. La banda de
valencia puede ser cualquier capa, la K, L, M, etc., la que sea la ms externa. En el cobre con 29 e-,
la banda de valencia es la capa N, mientras en el silicio con 14 e- la capa M contiene los electrones
de valencia. Los e- de valencia, por ser los ms exteriores, son los ms fciles de remover de la
estructura atmica para ser e- libres (e- que pueden ser movidos de un tomo a otro con la aplicacin
de energa adicional). Estos son los e- que al aplicarse un voltaje en el material, producen la corriente
24
elctrica. Ellos son los e- de conduccin (estn en la banda de Conduccin) tambin referidos como
portadores.
Para mover un e- de la capa de valencia, su energa debe ser aumentada. Ya que en el

movimiento de un electrn de una rbita a la otra, una cantidad discreta de energa es requerida para
mover el e- desde la banda de valencia a la de conduccin, convirtiendo al e- de la capa atmica
externa en un e- libre. Los e- de conduccin tienen una mayor energa que los e- de valencia. Aqu
nuevamente, existe un espacio de energa entre la banda de valencia y la de conduccin.
E [eV]
1.9
B. de C.
1.8
B. E. P.
0.6
B. de V.
0.5
Figura 1.5 Diagrama de Energa de un elemento cualquiera, en el que se indican los valores asociados a su
banda de Conduccin y la de Valencia.
El concepto de espacio de energa puede ser mostrado con el ejemplo numrico de la figura 6.
En sta se puede observar que las energas asociadas a las bandas externas son:
Energa Banda de Valencia 0.5-0.6 eV
Energa Banda de Conduccin 1.8-1.9 eV
Banda de E. Prohibida 0.6-1.8 eV
para mover un e- de la B. de V. a la B. de C. se requiere un
mnimo de 1.2eV
(eV: Electrn-Volt 1)
1.4 Conductores, Semiconductores y Aisladores
La conductividad elctrica est directamente relacionada a la densidad de e- libres.
Por ejemplo un buen conductor tiene una densidad de e- libres de 1023/cm3, y un aislador de
10/cm . Los semiconductores con una densidad entre 108/cm3 - 1014/cm3.
3
La densidad de e- libres est estrechamente relacionada a la estructura atmica, en particular

al espacio de energa entre los e- de Valencia y los de Conduccin e- libres.
Los e- libres son e- de V. que han sido removidos de su rbita por un incremento de energa.
Este incremento, en ausencia de energa elctrica (voltaje), es debido principalmente a la temperatura.
Cada e- que lleg a ser libre deja en su lugar un "hueco". Este proceso es referido como la generacin
par electrn-hueco. El proceso inverso, donde los e- caen en "huecos", es llamada recombinacin.
1
1eV=1.610-19 J 1J= 1CoulombVolt
25
Conductores, semiconductores y aisladores pueden ser clasificados por su gap de energa. Un
conductor tiene un gap de 0.05 eV o menos; el semiconductor es alrededor de 0.7 eV a 1.4 eV, mientras
los aisladores tienen un gap de 8 eV ms. (El semiconductor Silicio tiene un gap de 1.1 eV, el
Germanio 0.7 eV; el Ge es mejor conductor con una concentracin de e- 1000 veces mayor que la del
Si). Resulta ms difcil obtener un e- libre del Si que del Ge debido a que los cristales del Si tienen un
espaciamiento reticular ms pequeo.
En los materiales, los electrones se pueden elevar a niveles de energa ms altos por medio de la
aplicacin de calor, que provoca vibracin de la red cristalina del material. Los materiales que son
aislantes a temperatura ambiente pueden volverse conductores cuando la temperatura se eleva lo
suficiente. Esto provoca que algunos electrones se muevan a una banda de energa mayor, donde
quedan disponibles para conduccin.
E
Banda de Conduccin
Barrera de Energa
Espaciamiento
Banda de Valencia
atmico del cristal
C Si Ge Sn
Figura 1.6 Diagrama de bandas de Energa para distintos tipos de materiales. Se observa que mientras menor
es el espaciamiento atmico del Cristal, se requiere ms energa para mover los e- desde la banda de Valencia
a la de Conduccin.
El tipo de diagrama de energas de la figura 1.6 se utiliza para ilustrar la cantidad de energa
necesaria para que los electrones alcancen la banda de conduccin. El eje de abscisas de esta grfica
es el espaciamiento atmico del cristal. A medida que aumenta el espaciamiento, el ncleo ejerce
menos fuerza en los electrones de valencia. El eje est marcado con el espaciamiento atmico para
cuatro materiales. El Carbono (C) es un aislante en forma cristalina (diamante). El Silicio (Si) y el
Germanio (Ge) son semiconductores, y el Estao (Sn) es un conductor. La barrera de Energa mostrada
en la figura representa la cantidad de energa externa requerida para mover los electrones de valencia
hacia la banda de conduccin [4].
1.5 Enlace Covalente

El Ge que es un semiconductor, tienen cuatro e- de valencia (en la capa N que es su capa de
valencia). El Si otro semiconductor, tambin tiene cuatro e- de valencia (en la capa M que es la ms
externa). Los e- de valencia son los involucrados en el enlace atmico (enlace entre tomos) que
producen estructuras cristalinas. Una estructura atmica estable requiere 8 e- en la capa externa. Ya
que tanto el Ge como el Si; tienen solamente 4 e- de valencia, los tomos son estructurados en una
manera tal que los e- son compartidos por los tomos vecinos. En la figura 1.8 se da una representacin
bi-dimensional simplificada de una estructura atmica cristalina.
26
1
1+
2 3 Notacin utilizada::
2+ 3+
2 3 10 1+ : Ncleo (el nmero identifica el tomo)
1 2 3
1 : Electrn de Valencia (el nmero
4 5
6
prximo al e- indica el tomo
al cual pertenece)
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 5 6
7 8 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9 12
7 8 9
15
14 13
Figura 1.7 Representacin bi-dimensional simplificada del enlace covalente en un cristal. Detalle de la
estructura cristalina estable formada por un elemento de cuatro electrones de valencia. Se muestra slo los e-
de la capa de valencia (y el ncleo del tomo correspondiente), que son los que forman el enlace inter-atmico.
Cuando un e- deja su capa de valencia, un "hueco", h+ ausencia de un e- es dejado tras l. El signo

+ reemplaza el espacio ocupado por el e- n5 despus que l ha llegado a ser libre.
1 2 3
1+ 2+ 3+
2 3 10
1 2 3
4 5 6
4 5 6
4+ 5+ 6+
5 6 11
4 6
hueco 5
+
7 8 e- libre 9
7 8
9
7+ 8+ 9+
8 9
12
Figura 1.8 Generacin par electrn-hueco. Cuando un e- llega a ser libre (por ejemplo, mediante energa
calrica) "deja" o "produce" un hueco en su lugar.
27
1.6 Dopado (contaminado)
En la construccin de semiconductores, la concentracin de e- libres debe ser cuidadosamente
controlada y no se debe permitir que sea dependiente de la temperatura. Este control es realizado por
la incorporacin cuidadosa de cantidades discretas de impurezas en la estructura atmica del
semiconductor. Este proceso es conocido como dopado. Dependiendo del tipo de impurezas usados,
el proceso de dopado resulta en un incremento de la concentracin de huecos, e- libres en el
semiconductor original.
Si inyectamos en la estructura atmica tomos que tienen cinco e- de valencia (fsforo,
arsnico, antimonio), la estructura cristalina contendr un e- (por cada impureza inyectada al tomo)
que no son parte del enlace covalente. Este electrn es fcilmente movido de su rbita hacia la banda
de conduccin y llega a ser un e- libre. Luego, la energa del gap ha sido substancialmente reducido
por el proceso de dopado. Un semiconductor, que ha sido inyectado con impurezas donadoras, es
llamado de material tipo N (negativo debido al gran nmero de e- libres).
2+
5 electrn extra
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Donador
8
(5e- de Valencia)
8+
Figura 1.9 Detalle del enlace covalente entre un material donador (tomo n5 con 5 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable es de 8e- y est completo y sobra
1 e- por lo que este material tiene una mayor densidad de e- libres.
2+
hueco
4 5
4+ 5+ 6+
5 6
Atomo Aceptador
8 (3e- de Valencia)
8+
Figura 1.10 Detalle del enlace covalente entre un material Aceptador (tomo n5 con 3 e- de valencia) y un
material con 4 e- de valencia (tomos 2, 4, 6 y 8). El enlace covalente estable de 8e- no est completo (falta 1
e- por cada enlace).
28
Introduciendo impurezas con tres electrones de valencia (boro, aluminio, galio, indio) Se
puede controlar la concentracin de huecos, ya que cada impureza trivalente agrega un hueco a la
estructura atmica. Estas impurezas son llamadas tomos aceptadores, debido a que producen un
exceso de huecos "libres" que pueden aceptar e-. Este tipo de dopado produce un material llamado
tipo P (positivo debido al exceso de portadores positivos).
El proceso de dopado modifica substancialmente la distribucin de energa en el slido. Sin
agregar donadores, cada e- que deja la B. de V. y llega a ser un e- libre (electrn de alta energa) deja
tras de s un hueco, h+ (ausencia de un e- ). As, en un material semiconductor puro (intrnseco), la
concentracin de huecos iguala la de e-. La energa promedio del electrn est precisamente en la
mitad del gap de energa. El material tipo N tiene un exceso de e- libres. De aqu la energa promedio
es ms cercana a la banda de Conduccin, mientras en el material tipo P, la energa promedio est ms
cercana al nivel de la energa de Valencia.
E Ec (E. conduccin) E Ec
n n
e e
r r
g Ea (E. promedio) g
Ea

a a
Ev (E. valencia)
Ev
E
n Ec (E. conduccin)
e
r
g

Ea (E. promedio)
a
Ev (E. valencia)
Figura 1.11 Niveles de Energa y Energa promedio (Ea). a) Semiconductor Puro. n de e- n de h+.
b) Tipo N. n de e- > n de h+. c) Tipo P. n de e- < n de h+.
El Semiconductor intrnseco tiene igual concentracin de e- libres y huecos producidos por

ionizacin trmica.
np= cte. para un material determinado a una T dada.
ni2 = np
ni : densidad intrnseca de portadores

Como estas concentraciones estn provocadas por ionizacin trmica, ni depende de la T del cristal
(n p ambos dependen de la T).
29
tipo N La densidad de e- es independiente de la T. La concentracin de h+ (minoritarios) es
funcin de la T.
tipo P La densidad de h es independiente de la T. La concentracin de e- (minoritarios) es funcin
de la T.
Ntese que el semiconductor contaminado es aun elctricamente neutro.

La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de bloque. Un semiconductor
ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque.
1.7 Portadores Mayoritarios y Minoritarios.

El material tipo P tiene un nmero relativamente grande de huecos (huecos son portadores,
habilitados para moverse y llevar corriente elctrica) como resultado de las impurezas inyectadas. Al
mismo tiempo el proceso de ionizacin trmica, el cual produce electrones libres, tambin est
presente. Como un resultado, en el material tipo P, tenemos un gran nmero de "cargas mviles
positivas" (huecos) y un pequeo nmero de "cargas mviles negativas" (e- libres). Como en este caso
los huecos constituyen la mayora de los portadores de corriente disponibles, se dice que los huecos
son los portadores mayoritarios. Luego, los electrones libres en el material tipo P, son los portadores
minoritarios.
Similarmente, en el material tipo N, donde la mayora de los portadores de corriente son
electrones, los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos los portadores
minoritarios.
Debido a que los portadores minoritarios y mayoritarios tienen carga elctrica opuesta, ellos
llevan la corriente en direcciones opuestas. En la fig. 1.11 los portadores minoritarios y mayoritarios
estn viajando en la misma direccin. La corriente neta es (51012 106 ) debida a los portadores
mayoritarios como se muestra. El signo menos se debe al efecto opuesto que tienen los portadores
minoritarios y mayoritarios.
Figura 1.12 Ejemplo del flujo neto de corriente en un material semiconductor.
En el diodo semiconductor, el efecto de ambos portadores es considerado. El concepto de los

portadores minoritarios y mayoritarios es ms importante en el anlisis del comportamiento del
transistor.
Material tipo P: e- portadores minoritarios, h+ portadores mayoritarios.
Material tipo N : e- portadores mayoritarios, h+ portadores minoritarios.
30
1.8 La Juntura P-N
Es posible construir un cristal juntando un material tipo p con un tipo n. Un cristal p-n se
conoce comnmente como diodo.
El contacto de los materiales produce una redistribucin de huecos y e- en la vecindad de la

unin. La alta concentracin de huecos en el lado p y e- en el lado n produce una difusin de e- desde
el material n al p y, de huecos desde el p al n. (Difusin es el proceso natural a travs del cual las
cargas fluyen desde alta a baja concentracin y las diferencias en la concentracin son eliminadas).
Figura 1.13 Distribucin de e- y h+ en la vecindad de la juntura p-n. a) Antes que la difusin tenga lugar. b)
Despus que se produce la difusin.
Debido a su mutua repulsin, todos los electrones libres en el lado n tienden a difundirse
esparcirse en todas direcciones algunos se difunden a travs de la unin hasta que se logra el equilibrio.
Cuando un e- libre deja la regin n, al momento de su salida crea un tomo cargado
positivamente (in positivo) en la regin n. Cuando este e- entra en la regin p, rpidamente caer en
un hueco. Cuando esto sucede el hueco desaparece y el tomo asociado se carga negativamente (in
negativo).
(El in positivo se forma porque el tomo que tena e- libres pero era elctricamente neutro, ya que
est dopado y por cada enlace covalente existe 1 e- libre, los cuales son portadores mayoritarios, y el
material con el que se "dopo" tiene un ncleo con la cantidad de protones tales que el tomo es neutro.
Por ejemplo, el Ge que tiene 4e- de valencia dopado con Fsforo (P) que tiene 5e- de valencia forma
un enlace covalente de 8e- y 1e- libre, es decir, p+(Ge + P) = e-(Ge + P) (incluye el e- libre)
tomo neutro).
31
Cada vez que un e- se difunde a travs de la juntura se crea un par de iones. Estos iones estn
fijos en el cristal pues forman la estructura de los enlaces covalentes, por lo que no pueden moverse
como los e- libres y los huecos.
A medida que el nmero de iones crece, la regin cerca de la unin se agota de e- libres y
huecos. A esta regin se la llama capa de deplexin agotamiento.
Por otro lado, los portadores de carga se mueven aleatoriamente en el cristal debido a la
agitacin trmica. Las colisiones con el enrejado hacen que los portadores de carga cambien su
direccin frecuentemente. En efecto, la direccin de la trayectoria despus de una colisin es casi
perfectamente aleatoria - cualquier direccin es probablemente como cualquier otra. Sin campo
elctrico aplicado, la velocidad media de los portadores de carga en cualquier direccin es cero.
Si se aplica un campo elctrico, se ejerce fuerza sobre los portadores de cargas libres. (Para
huecos la fuerza es en la misma direccin que el campo elctrico, mientras que para electrones la
fuerza es opuesta al campo.) Entre las colisiones, los portadores de carga son acelerados en direccin
de la fuerza. Cuando los portadores colisionan con el enrejado, su trayectoria otra vez es aleatoria. De
esta manera los portadores de carga no se mantienen acelerados. El resultado neto es una velocidad
constante (en promedio) en la direccin de la fuerza.
Normalmente, la velocidad promedio debido al campo aplicado es mucho menor que la

velocidad debido a la agitacin trmica. El movimiento promedio de los portadores de carga debido
al campo elctrico aplicado se denomina corrimiento (drift).
1.8.1 Potencial de barrera

Despus de cierto punto, la capa de agotamiento acta como una barrera para la posterior
difusin de e- libres a travs de la unin. Por ejemplo, imagnese un e- libre en la regin n
difundindose a la izquierda hacia el interior de la capa de deplexin. Aqu encuentra una pared
negativa de iones empujndolo hacia la derecha. Si el e- libre tiene suficiente energa, puede romper
la pared y entrar a la regin p, donde cae en un hueco y crea otro ion negativo.
La energa de la capa de agotamiento contina aumentando con cada cruce de e- hasta que
llega al equilibrio; en este punto la repulsin interna de la capa de agotamiento detiene la difusin
posterior de e- libres a travs de la unin.
El voltaje producido a travs de la unin depende de la energa promedio del electrn de las
regiones P y N. Esto se aclara cuando examinamos el diagrama de energa de la unin, fig. 1.14. El
equilibrio producido a travs de la unin hace que la energa promedio de los electrones sea la misma
para los dos materiales.
32
Figura 1.14 Diagrama de energa de los materiales antes del contacto.
Figura 1.15 Realineamiento de los niveles de energa despus del contacto de los materiales.
La diferencia de potencial a travs de la capa de agotamiento se llama potencial de barrera.

Este potencial de barrera, a una temperatura de 25C (ambiental), es igual a 0.7 V para diodos
de silicio (los diodos de germanio tienen un potencial de barrera de 0.3 V y los de Arseniuro de galio,
AsGa, 1.2 V).
1.8.2 Polarizacin Directa

Para producir una corriente directa a travs de la juntura, es necesario reducir o eliminar el
voltaje de barrera (equivalente a reducir o eliminar la regin de deplexin). Esto se realiza aplicando
un voltaje externo que excede el voltaje de barrera y de polaridad opuesta, figura 1.16. Se debe aplicar
un voltaje externo mayor (VB) y de polaridad opuesta al voltaje de barrera, Vbr. El efecto, del voltaje
aplicado es reducir y finalmente eliminar la regin de deplexin. Los electrones inyectados por la
fuente de voltaje en la regin N eliminan (si el voltaje aplicado es lo suficientemente alto) los iones
positivos de la regin de deplexin. Similarmente, los iones negativos en el lado P son eliminados
mediante la inyeccin de huecos. La corriente producida en estas condiciones es principalmente una
corriente de Difusin.
33
Figura 1.16 Diodo polarizado directo. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales.
En equilibrio, la corriente de corrimiento equilibra la corriente de difusin. Debido a que el voltaje

externo aplicado reduce, o elimina, el voltaje de barrera, el cual produce la corriente de corrimiento,
solamente la corriente de difusin est presente. Debido a las grandes concentraciones de huecos y
electrones en los dos tipos de la unin, la corriente de difusin puede ser muy alta. Ntese que los
portadores mayoritarios de la regin P (huecos) difunden a travs de la unin, hacia la regin N. Sin
embargo, los huecos son portadores minoritarios en la regin N. En el proceso de transporte de los
portadores la concentracin de portadores minoritarios cerca de la unin es aumentada.
Descripcin del proceso que ocurre durante la polarizacin directa del diodo:
Durante la polarizacin directa del diodo, el terminal negativo de la fuente repele los e- libres
en la regin n hacia la unin. Estos electrones energizados deben cruzar la unin y caer en los huecos.
La recombinacin ocurre a diferentes distancias de la unin, dependiendo del tiempo en que un e-
pueda evitar la cada en un hueco. La posibilidad de que la recombinacin ocurra cerca de la unin es
alta.
A medida que los e- libres caen en los huecos, se convierten en e- de valencia. Luego, viajando
como e- de valencia, continan hacia la izquierda a travs de los huecos en el material P. Cuando los
e- de valencia alcanzan el terminal izquierdo del cristal, la abandonan y fluyen hacia el terminal
positivo de la fuente.
La secuencia de un solo e-, desde el momento en que este se mueve del terminal negativo de
la fuente al terminal positivo, es el siguiente:
1.- Despus de salir del terminal negativo, se introduce por el extremo derecho del cristal.
2.- Viaja a travs de la regin n como electrn libre.
34
3.- Cerca de la unin se recombina y se convierte en e- de valencia.
4.- Este viaja a travs de la regin p como e- de valencia.
5.- Despus de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la
fuente.
1.8.3 Polarizacin Inversa
El efecto de la polarizacin directa es prcticamente eliminar la corriente de corrimiento de

portadores minoritarios a travs de la unin. La polarizacin inversa contribuye a la barrera de voltaje
interna y, consecuentemente, reduce la corriente de difusin y aumenta la corriente de corrimiento.
La fig. 1.16 muestra las conexiones del circuito y las corrientes involucradas. La corriente de
corrimiento est constituida de portadores minoritarios, los e- de la regin P y los h+ de la regin N.
A medida que el voltaje inverso es aumentado, se alcanza un punto donde la corriente de difusin es
nula y la corriente consiste en la corriente de corrimiento de portadores minoritarios solamente. La
direccin de esta corriente es negativa (con relacin a la corriente de polarizacin directa). En el punto
donde todos los portadores minoritarios contribuyen a la corriente inversa (llamada tambin corriente
de fuga) se alcanza la corriente de saturacin inversa, Is. Un mayor aumento en el voltaje inverso
(dentro de los limites) no tiene efecto en la corriente inversa.
Figura 1.17 Diodo polarizado inverso. El voltaje de la batera es mayor que el voltaje producido en la regin
de deplexin al estar en contactos los dos materiales.
Claramente, Is depende principalmente (casi completamente) de la concentracin de portadores

minoritarios, o de la disponibilidad total de estos portadores. Ya que los portadores minoritarios tienen
una concentracin mucho ms baja (en materiales dopados) que los portadores mayoritarios, como un
resultado, Is es varios ordenes de magnitud ms pequeo que la corriente directa (en polarizacin
directa). Tpicamente, Is es solamente de unos pocos A (10-6), mientras que la corriente directa es de
35
100 a 200mA (tpico para un diodo de Germanio). Para diodos de Silicio, Is es tpicamente de slo
unos pocos pA.(10-12).
Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin a la juntura p-n se fuerza a los e- de la

regin n a que se alejan de la unin hacia el terminal positivo de la fuente, asimismo los huecos de la
regin P se mueven alejndose de la unin en direccin al terminal negativo (sin embargo, esto no es
recombinacin).
Descripcin del proceso que ocurre durante la polarizacin inversa del diodo:
Durante la polarizacin inversa del diodo, los e- salientes dejan ms iones positivos de la unin,
y los huecos salientes dejan ms iones negativos. Por lo tanto, la capa de agotamiento se ensancha.
Cuando mayor sea la polarizacin inversa, mayor es la capa de agotamiento; sta detiene su
crecimiento cuando su diferencia de potencial es igual al voltaje de la fuente. Cuando esto ocurre, los
electrones y huecos detienen su movimiento. A pesar de esto existe una corriente muy pequea
denominada corriente de fuga que es debida a los portadores minoritarios. La corriente de fuga (
corriente inversa de saturacin) Is es solo de unos pocos mA para el Ge y de unos pocos pA (10-12)
para el Si.
Durante la polarizacin inversa una carga que sale del terminal positivo de la fuente se
encuentra con un "gran obstculo" que es el potencial de barrera el cual puede tener valores muy
prximos al voltaje de la batera. Por esto, la cantidad de cargas que logran atravesar la "barrera" es
muy escasa, y por esto, se forma una corriente muy pequea llamada de fuga.
Si se aumenta el voltaje inverso, literalmente se alcanza un punto de ruptura, este se llama

voltaje de ruptura del diodo. En la ruptura el diodo conduce intensamente (Is ) y en forma
descontrolada, lo que produce la destruccin del diodo por la excesiva disipacin de potencia.
36
2. CAPTULO 2 EL DIODO DE UNIN
2.1 Introduccin
El diodo es un dispositivo bsico pero muy importante que tiene dos terminales, el nodo y el
ctodo. Como se estudi en el captulo1, el diodo se forma de la unin de un material tipo P y otro N.
Basados en un anlisis principalmente cuantitativo se establecen dos modos de operacin para la unin
P-N, figura 2.1a:
Polarizacin directa, con una sustancial conduccin de corriente. Cuya intensidad es determinada
por la carga.
Polarizacin inversa, con una conduccin despreciable de corriente.
El smbolo estndar del diodo es el mostrado en la fig. 2.1b. En el estado de conduccin

(polarizacin directa) hay una corriente directa ( ID=IF ), en el sentido convencional de la corriente
desde P a N, fig. 2.2a. La fig. 2.2b muestra una conexin de polarizacin inversa con una corriente
inversa o de fuga ( ID=IS).
P N
K A K
A
nodo Ctodo
Figura 2.1 Unin P-N (diodo). a) Representacin fsica. b) Smbolo estndar.
+ VD - ID=IF + VD - ID=IS
Figura 2.2 Polarizacin del diodo. a) Directa, la corriente queda determinada por los parmetros del diodo y
la caracterstica de la carga. b) Inversa, la corriente que circula es de fuga y es prcticamente despreciable.
37
2.2 Caracterstica V-I del Diodo de Unin
Una medicin de las corrientes directa e inversa del diodo (ID) como una funcin del voltaje
directo e inverso (VD= VAK) entrega la caracterstica grfica de la fig. 2.3. La operacin del diodo puede
ser dividida en tres regiones2.
La regin A es polarizacin directa, la corriente est compuesta principalmente de la difusin de

los portadores mayoritarios, huecos desde P a N (Ih), electrones desde N a P (Ie). Note que los
huecos son portadores mayoritarios en la regin P y los electrones son portadores mayoritarios en
la regin N. Las dos corrientes, fluyen en direccin opuesta, conformando la corriente del diodo.
La regin B, el voltaje directo aplicado es menor al voltaje de barrera del diodo. El resultado es
una mezcla de corrientes de difusin y de corrimiento (de portadores mayoritarios y minoritarios,
respectivamente). La corriente neta (muy pequea) es la diferencia de corriente entre los
portadores mayoritarios y minoritarios.
La regin C, tiene polarizacin inversa, produciendo una corriente casi completamente de

portadores minoritarios, o corriente de corrimiento (corriente de fuga del diodo).
Smbolo del Diodo iD

iD
nodo ctodo
+ vD=vAK
Regin C Regin B Regin A
vD
Regin de Corriente de saturacin,

ruptura inversa
Figura 2.3 Smbolo y caracterstica vD~iD de un diodo de unin.
2
La descripcin realizada es simplificada. Las tres regiones se solapan un poco con respecto a
las corrientes de corrimiento y difusin. Tambin, adems de las corrientes de difusin y de
corrimiento existen otras. Sin embargo, las de difusin y corrimiento son las componentes ms
importantes.
38
2.2.1 La ecuacin de Schockley.
Bajo ciertas suposiciones simplificadoras, y consideraciones tericas resulta la siguiente
relacin para la corriente iD y el voltaje en el diodo vD de unin:
v
i D = I s exp D 1
nVT
Esta es conocida como ecuacin de Schockley es una aproximacin matemtica de la caracterstica
del diodo. Donde IS es la corriente de saturacin y tiene un valor del orden de 10-14 A para diodos
de unin de pequea seal a 300K. El parmetro n es el coeficiente de emisin y depende de la
construccin del diodo y usualmente vara entre 1 y 2. El voltaje VT es llamado el voltaje termal y
su expresin es:
VT = kT/q = 0.0259 V a 300 K
Donde:
k=1.3810-23 J/K : Constante de Boltzmann.
q=1.610-19 C : carga del electrn.
Si la ecuacin de Schockley se despeja para el voltaje del diodo, se tiene

iD
v D = n VT ln(1 +
)
Is
Para diodos de unin de pequea seal a corrientes directas entre 0.01A y 10mA, la
ecuacin de Schockley con n=1 es muy precisa. Debido a que la derivacin de la ecuacin de
Schockley ignora varios fenmenos, la ecuacin no es precisa para corrientes muy pequeas o muy
grandes. Por ejemplo, bajo polarizacin inversa, la ecuacin de Schockley predice que iD IS,
pero generalmente se encuentra que la magnitud de la corriente inversa es mucho ms grande que
IS (aunque todava pequeo). Ms an, la ecuacin de Schockley no considera la ruptura inversa.
Aun cuando la ecuacin de Schockley no es precisa en todo el rango de los diodos de unin,
se pueden derivar las siguientes consideraciones:
- El coeficiente de temperatura del voltaje directo de un diodo tpico a 300K es

alrededor de 2mV/K.
- Sobre 0.6 V la corriente se incrementa por un factor de 10 por cada 60n mV.
Tambin con polarizacin directa de al menos unas milsimas de volt, la parte exponencial de la
ecuacin de Schockley es mucho mayor que 1, y con buena precisin se tiene
v
iD I S exp D
n VT
Esta forma aproximada de la ecuacin es a menudo ms fcil de utilizar.
39
Ejercicio 2.1 A una temperatura de 300K, un diodo de unin tiene iD=0.1mA para vD=0.6V.
Considere que n=1 y utilice VT= 0.026. Encuentre el valor de la corriente de saturacin IS. Luego
evale la corriente del diodo a vD=0.65V y vD=0.7V (Sugerencia: utilice la forma aproximada de
la ecuacin de Schockley, ec. 2.3)
Resp.: IS.=9.15510-15 , iD=0.684mA, iD=4.68mA.
Ejercicio 2.2 Considere un diodo polarizado directamente, de manera que se puede aplicar la
ecuacin de Schockley aproximada. Considere que n=1 y VT= 0.026. a) Cunto debe incrementarse
vD para que la corriente se duplique. b) Y para que la corriente aumente en un factor de 10.
Resp.: a) vD=18mV, vD=59.9mV.
2.1.2 Efectos de resistencia hmica.
A altos niveles de corrientes, la resistencia ohmica de los semiconductores que forman las
junturas llega a ser significativa. Esto se puede modelar agregando una resistencia RS al diodo
modelado por la ecuacin de Schockley. De esta manera, la versin modificada de la ecuacin (2.2)
queda,
iD
v D = n VT ln(1 + ) + RS i D
Is
Para diodos tpicos de pequea seal RS tiene valores comprendidos entre 10 y 100.
Ocasionalmente, se utiliza la ecuacin de Schockley para obtener resultados analticos de
circuitos electrnicos, sin embargo, ms tiles son los modelos ms simples que se ven a
continuacin.
Ejercicio 2.3: Un diodo de unin p-n tiene parmetros IS =10-10 y n=2. Determine la corriente del
diodo a la temperatura ambiente si el voltaje aplicado al diodo es 0.6V; 0.7V y 0.75V.
Respuesta: 16 A; 120 A y 327A.
Ejercicio 2.4: Repita el ejercicio anterior para IS =10-12.

Respuesta: 0.16 A; 1.2 A y 3.3 A.
Ejercicio 2.5: Para el ejercicio 2.3, estime el valor de vD que se requiere para producir una corriente
en el diodo de aproximadamente 1mA.
Respuesta: 0.806V
40
Ejercicio 2.6: Como el voltaje directo de diodos de silicio de pequea seal decrece alrededor de
2mV/K. Determine el voltaje de un diodo a 1mA y a una temperatura de 175C. Este diodo tiene
un voltaje de 0.600V a una corriente de 1mA y a una temperatura de 25C.
2.3 Modelos del diodo.
Un modelo de un dispositivo es una representacin aproximada del dispositivo que puede

ser usada para analizar circuitos que contienen este dispositivo. La representacin usada en el
apartado anterior es un modelo matemtico del diodo. Sin embargo, en muchos casos es preferible
un modelo circuital del diodo. Existen los modelos ideales, lineales por tramos, de pequea seal
y el de PSpice.
2.3.1 Modelo Ideal del Diodo
Un diodo ideal es aquel que en conduccin (on)

es un conductor perfecto con cero cada de voltaje
directo. En polarizacin inversa, es un circuito abierto,
es decir, no-conduce (off) y no tiene corriente de
saturacin inversa ni regin de ruptura inversa. Como
se ilustra en la fig. 2.4. Mientras el diodo ideal es
solamente aproximado en la practica, es til en
conjuncin con otros componentes para construir otros
modelos de diodos.
Cuando el diodo ideal est en el estado de

conduccin (on) en el estado de no-conduccin (off) es
un dispositivo lineal. Es nolineal solamente cuando
cambia de un estado al otro. Esto significa que si se
puede determinar el estado (on off) del diodo entonces Figura 2.4 Caracterstica vD~iD del Diodo
se puede utilizar anlisis lineal de circuitos. Ideal.
El problema de un circuito con diodos es que inicialmente no se sabe cul es el estado de
los diodos. Normalmente se puede seguir el siguiente procedimiento para determinar el estado del
diodo:
1. Hacer una suposicin razonable acerca del estado de cada diodo.

2. Redibujar el circuito sustituyendo los diodos en conduccin por un cortocircuito y el diodo en
corte por un circuito abierto.
3. Mediante el anlisis de circuitos determinar la corriente en cada cortocircuito que represente un
diodo en conduccin y la tensin en cada circuito abierto que representa un diodo en corte.
4. Comprobar las suposiciones hechas para cada diodo. Si hay contradiccin una corriente
negativa en un diodo en conduccin o una tensin positiva en un diodo en corte en cualquier
lugar del circuito, volver al paso 1 y comenzar de nuevo con una suposicin mejor.
5. Cuando no hay contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas para el circuito se
aproximan bastante a los valores verdaderos.
41
Ejemplo 2.1: En el circuito mostrado en la
fig. 2.5a utilice el modelo del diodo ideal para
determinar su respuesta.
Solucin:
S D1 off y D2 on:
El circuito equivalente resulta el de la
fig. 2.5b. Resolviendo iD2=0.5mA. Pero
si planteamos la LVK en la trayectoria
de los dos diodos tenemos,
vD1 E1 + E2=0
vD1=10 3 =+7 V Esto no
es consistente con la suposicin que D1
es OFF (ya que s vD1 0 D1 ON)
Por esto se debe probar otra suposicin.
S D1 on y D2 off:
El circuito equivalente resulta el de la
fig. 2.5c. Resolviendo iD1=1mA. Pero si
planteamos la LVK en la trayectoria de
los dos diodos tenemos,
E1 iD1R1 + vD2 E2=0
vD2=3 10 +1m4k =3V
Este valor es consistente con la
suposicin que D2 es OFF (ya que s vD2 Figura 2.5 D1 on; D2 off.
< 0 D2 off)
Ejercicio 2.7: En el ejemplo anterior es consistente suponer:

a) los dos diodo on?
b) los dos diodos off?.
Resp.: a) No, (comprobar s se cumple LCK).
b) No, la condicin de diodo no se satisface, ya que si el Vnodo > Vctodo debe
conducir.
Ejercicio 2.8: Determine los estados de los diodos del

circuito de la fig. 2.6.
Resp.: D3 est off, D4 est on.
Figura 2.6 Circuito del ejercicio 2.8.
42
Ejercicio 2.9. Determinar el estado del diodo y
determinar el valor de V0 en fig. 2.7.
R1= R2= R3=5k
E1=10V E2=6V
Desarrollo:
S D1 on:
........................................... Figura 2.7 Circuito ejercicio 2.9.
iD1=(5-6)/(R3+R1||R2) <0 !!!!!
Contradiccin por lo tanto el diodo NO puede estar conduciendo.
Luego, D1 debera estar apagado

------------------------------------------------------
Si D1 off:
VA=5V y VK=6
vD1= VA- VK=-1 <0 Coherente con el hecho que el diodo est apagado.
Luego, D1 efectivamente est apagado.
Ejercicio 2.10. Repetir si se da vuelta el diodo.

Resp.: 5.33V
2.3.2 Modelo del Diodo lineal por tramos.
Algunas veces se requiere un modelo ms preciso que la suposicin de diodo ideal pero
sin recurrir a la resolucin de ecuaciones no-lineales o tcnicas grficas. La caracterstica v-i
puede ser aproximada por segmentos de lneas rectas. De esta manera es posible modelar cada
seccin de la caracterstica del diodo con una resistencia en serie con una fuente de voltaje
constante. En las distintas secciones de la caracterstica se utilizan diferentes valores de resistencias
y voltajes.
De esta forma el diodo puede ser representado en forma razonablemente precisa mediante
un modelo lineal por tramos.
2.3.2.1 Modelo con tensin umbral (modelo de 1er orden)

En la fig. 2.8a, la recta de tensin constante aproxima el comportamiento del diodo para
iD0, proporcionando una desviacin o corrimiento (offset) de la tensin como en un diodo real.
Una tensin de umbral de 0.7 V normalmente es una buena aproximacin para una unin pn de
Silicio conduciendo una corriente moderada a 27C. (Para diodos de Germanio Ge, 0.25V es ms
adecuada; para arseniuro de Galio AsGa, 1.2V). Para vD 0, el diodo no conduce, luego es
equivalente a un circuito abierto. La fig. 2.8b muestra los modelos circuitales correspondientes.
Con este nuevo modelo el procedimiento para analizar circuitos con diodos ideales se
modifica ligeramente. En efecto, los diodos en conduccin se reemplazan por fuentes de 0.7V (para
43
el Silicio) y los diodos en corte por circuitos abiertos. Para verificar la suposicin de conduccin
se necesita que la corriente de la fuente, iD sea positiva. Para verificar la suposicin de corte se
necesita que vD 0.7V, no que vD 0 como para el diodo ideal.
Figura 2.8 Aproximacin de primer orden del diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin de su voltaje
umbral V . b) Smbolo del diodo e indicacin de sentidos de corriente y voltaje. c) Aproximacin del diodo,
utilizando un diodo ideal y modelando su voltaje umbral con una fuente de continua. d) El modelo del diodo
en estado de conduccin (ON) y en estado de noconduccin (OFF). Notacin: ? :denota que la variable
queda determinada por el resto del circuito.
2.3.2.2 Modelo con tensin umbral y resistencia directa (modelo de 2do orden)
Una mejor aproximacin se obtiene al agregarle una resistencia en serie que modela la cada
de tensin durante la conduccin, fig. 2.9a. De esta manera se obtiene una buena aproximacin a
la curva real durante la conduccin directa. Este modelo aumenta la precisin, pero tambin
incrementa la complejidad del anlisis manual.
Figura 2.9 Aproximacin de 2do orden para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin utilizada.
b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de conduccin (ON) y en
estado de noconduccin (OFF).
44
2.3.2.3 Modelo con tensin umbral, resistencia directa e inversa (lineal por tramos).
Tambin es posible modelar el voltaje de ruptura inversa (VBR, PIV) agregando otra rama
que solamente se activa cuando el voltaje inverso supera el voltaje VBR, como se indica en la fig.
2.10a.
Es posible seguir desarrollando otras aproximaciones lineales por tramos cada vez ms precisas,
pero no tienen mucho valor prctico. Generalmente, el modelo del diodo ideal entrega muy buenos
resultados. El anlisis de circuitos con diodos utilizando el modelo lineal por tramos es similar a
cuando se usa el modelo ideal, excepto que ahora hay tres regiones por cada diodo. En muchos
casos simples se puede determinar la regin por inspeccin, pero tambin se puede utilizar
aproximacin por prueba y error para determinar el estado de cada diodo. Tambin, esta
aproximacin se puede utilizar para modelar un diodo Zener, en donde VZ=VBR y RZ=Rr.
Figura 2.10 Aproximacin lineal por tramos para el diodo. a) Curva real del diodo y la aproximacin
utilizada. b) Modelo circuital de aproximacin del diodo. c) El modelo del diodo en estado de conduccin
(ON) y en estado de noconduccin (OFF).
Ejemplo 2.2: En el circuito de la fig. 2.11 determine el voltaje

y la corriente del diodo cuando E=10V, R=100. Considere el
modelo de 1er orden con V=0.7V.
Sol.: S iD=0 vD=10V, luego como vD>V el diodo conduce,

vD=V. Entonces,
iD=(E V)/R=93mA
vD=V=0.7 Figura 2.11 Circuito ejemplo 2.2.
45
Ejemplo 2.3: Repetir el ejemplo anterior considerando el
modelo de 2do orden con Rf=10.
Sol.: Nuevamente, s iD=0 vD=10V, luego como vD >V el diodo conduce.
Planteando LVK tenemos,

E vD iDR=0
Pero en el diodo ON (para este modelo) se cumple que
vD=V + iDRf
Combinando las ecuaciones anteriores y resolviendo para iD,
iD=(E V)/(R+Rf)=84.54mA, luego
vD=0.7 +84.54m10=1.54V
Grficamente, se tiene la fig. 2.11

Dibujar cto. equivalente, ejem.2.3
Figura 2.12 Solucin grfica del ejemplo 2.3.
Del ejemplo anterior se puede observar que los circuitos con diodos pueden ser resueltos en forma
matemtica y en forma grfica. Muchas veces la solucin grfica es ms prctica y en circuitos
nolineales es ms sencilla.
46
Ejercicio 2.11: Considere un diodo zener con los siguientes
parmetros rZ=12, VZ=6V, Rf=10, V=0.6V, E=10V,
R=2k. Determine V0 en el circuito de la fig. 2.13, cuando:
a)RL=10k b) RL=1k
(Sugerencia: Asegrese que la respuesta sea consistente con la
eleccin del circuito equivalente para el diodo los distintos
circuitos equivalentes son vlidos slo para rangos especficos
de voltaje y corriente del diodo. La respuesta debe estar en un
rango vlido para el circuito equivalente utilizado. Figura 2.13 Circuito ejemplo 2.2.
Resp.: a) V0=6.017V b) V0=3.333V
Ejercicio 2.12. En la fig. 2.13 y considerando los diodos ideales y dado que R=2.5k, RA=1k,
VCC=VEE=5V. Determine la corriente por la resistencia y el voltaje en el terminal x con respecto a
tierra.
Figura 2.14
Resp.: a) 2mA, 0V; b) 0mA, 5V; c) 0mA, -5V; d) 2mA, 0V; e) 3mA, +3V; f) 4mA, +1V
Ejercicio 2.13: S VCC=10V, VEE=10V y considerando

que los diodos son ideales, determinar ID1 y V0. Cuando:
a) R1=10 k R2=5 k
b) R1=5 k R2=10 k
Resp.:
a) ID1 =1 mA V0 =0 (D1 y D2 on)
b) ID1 =0 V0 =3.3V (D1 off y D2 on)
Figura 2.15
47
Ejercicio 2.14: Considere que los diodos son modelados
con parmetros IS = 10-14 y n=2. Utilizando SPICE
determine las corrientes en los diodos y V0.
Ejercicio 2.15: Determine la caracterstica

de transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas regiones
de operacin e indique los diodos que
conducen en cada regin.
Figura 2.16
Resp.: Caracterstica Vin-V0 mostrada.
V0
V2
V1 Vin
V2
48
2.4 Equivalente de pequea seal del diodo.
En electrnica existen muchos ejemplos de circuitos en los cuales fuentes de alimentacin
continuas polarizan un dispositivo no lineal en un punto de operacin y una pequea seal alterna
es inyectada en el circuito. El anlisis de estos circuitos se puede dividir en dos partes. Primero, se
analiza el circuito en continua para encontrar su punto de operacin. En este anlisis de condiciones
de polarizacin, se debe tratar con los aspectos no lineales del dispositivo. En la segunda parte del
anlisis, se considera el anlisis de pequea seal. Como cualquier caracterstica no-lineal se puede
considerar lineal en un tramo pequeo, para el anlisis de alterna se utiliza un circuito equivalente
de pequea seal para el dispositivo no lineal.
Frecuentemente, el principal inters en el diseo de estos circuitos es lo que sucede a la
seal alterna. La fuente de alimentacin continua polariza el dispositivo en un punto de operacin
adecuado. Por ejemplo, en una radio porttil, el principal inters es la seal que esta siendo recibida,
demodulada, amplificada, y entregada al parlante. Las corrientes continuas suministradas por la
batera son requeridas por los dispositivos para realizar su funcin sobre las seales alternas.
El circuito equivalente de pequea seal es un importante anlisis aproximado que se aplica
a muchos tipos de circuitos electrnicos.
En el caso del diodo, el circuito equivalente de pequea seal consiste en una resistencia.
Consideremos un diodo conectado a una seal compuesta de una componente continua y una
pequea componente alterna como se indica en la fig. 2.17. Supongamos que el voltaje continuo
de alimentacin produce el punto de operacin punto Q indicado en la caracterstica esttica del
diodo de la fig. 2.18. Luego una pequea seal alterna en el circuito "balancea" el punto instantneo
de operacin ligeramente arriba y abajo del punto Q.
Figura 2.17 Circuito conceptual utilizado para determinar el equivalente de pequea seal del diodo.
Para una seal alterna lo suficientemente pequea, la caracterstica es prcticamente una recta.
Luego se puede escribir
di
iD D vD
dvD Q
donde iD es el pequeo cambio en la corriente del diodo en torno al punto Q producido por la
seal alterna, vD es el cambio en el voltaje del diodo en torno al punto Q, y (diD/dvD)Q es la
pendiente de la caracterstica del diodo evaluada en el punto Q. Ntese que la pendiente tiene
unidades de resistencia inversa conductancia (Siemens, S).
Por esto, se define la resistencia dinmica del diodo como

49
1
di
rd D
dv D Q
con lo cual la ec. 2.5 queda
v
iD D
rd
Para pequea seal iD = id y vD =vd
vd
id =
rd
Figura 2.18 Desarrollo del modelo de pequea seal del diodo.
Como se muestra en la ec. 2.6, se puede determinar la resistencia equivalente del diodo para
pequeas seales alternas como el recproco de la pendiente de la curva caracterstica. La corriente
del diodo de unin est dada por la ecuacin de Schockley (ec. 2.1)
[ ( ) 1]
i D = I S exp
vD
nVT
La pendiente de la caracterstica puede determinarse diferenciando esta ecuacin, es decir

diD
dvD
= IS 1
nVT exp ( )
vD
nVT
Sustituyendo el voltaje en el punto Q, tenemos

50
diD
dvD Q
= IS 1
nVT exp ( )
VDQ
nVT
Para condiciones de polarizacin directa con VDQ al menos varias veces ms grande que VT, el
trmino 1 dentro de la ecuacin de Schockley es despreciable. Luego
I DQ I S exp ( ) V DQ
n VT
Sustituyendo en la ecuacin 2.10, tenemos

diD I DQ

dvD Q n VT
Tomando el recproco y sustituyendo en la ec. 2.6, tenemos la resistencia de pequea seal del
diodo en el punto Q:
n VT
rd =
I DQ
Como resumen, para seales que producen pequeos cambios en torno al punto Q, se puede tratar
el diodo simplemente como una resistencia lineal. El valor de la resistencia est dada por la ec.
2.13 considerando que el diodo est polarizado directo.
Si en la fig. 2.18 el punto en el cual la tangente intersecta al eje vD se denota por VD0, la
ecuacin de la recta tangente se puede escribir como:
1
iD = ( v D VD 0 )
rd
Esta ecuacin es un modelo para la operacin del diodo para pequeas variaciones alrededor de la
polarizacin o punto Q. Este modelo puede ser representado por el circuito equivalente de la fig.
2.19 (este modelo fue presentado en el punto 2.2, fig. 2.8), en el cual se tiene
vD = VD0 + iD rd
vD = VD0 + ( ID + id )rd
vD = VDQ + idrd
Figura 2.19 Modelo circuital equivalente para el diodo para cambios

pequeos alrededor del punto Q. La resistencia incremental rd es la inversa
de la pendiente de la tangente en Q, y VD0 es el intercepto del la tangente
con el eje vD.
51
Luego, como se esperaba, la seal de voltaje a travs del diodo es
dada por
vd = id rd
Figura 2.20 Anlisis utilizando el equivalente de pequea seal del diodo. a) Circuito con diodo nolineal.
b) El diodo se reemplaza por un equivalente lineal3 considerando que las variaciones de seal son
pequeas. c) Anlisis para la componente continua. d) Anlisis para la componente alterna.
Para ilustrar la aplicacin del modelo de pequea seal del diodo, consideremos el circuito de la
fig. 2.20a. Aqu la seal de entrada consta de dos componentes, una componente alterna (vS ) en
serie con una componente continua (VDD ). Cuando vS =0, la corriente continua se denota por IDQ y
el voltaje continuo del diodo por VDQ.
Para determinar la corriente de pequea seal id y la seal de voltaje a travs del diodo vd. Se
reemplaza el diodo por el modelo de la fig. 2.19, y se obtiene el equivalente de la fig. 2.20b.
Planteando LVK para este circuito se tiene
VDD + vS = iDR + VD0 + idrd

= IDQR + VDQ + id(R+rd)
3
El equivalente lineal, permite aplicar el principio de superposicin y por esto el anlisis se hace
separadamente para las dos fuentes utilizadas. Primero, un anlisis en continua cuando la alimentacin es
continua (VDD), y segundo, un anlisis en alterna para la componente de pequea seal (vS).
52
Separando las componentes continuas y alternas en ambos lados de la ecuacin, para la componente
continua se tiene:
VDD = IDR + VDQ (2.18)
la cual se representa mediante el circuito de la fig. 2.20c, y para la alterna,

vS = id(R + rd) (2.19)
la cual se representa por el circuito de la fig. 2.20d. Se puede concluir que la aproximacin de
pequea seal permite separa el anlisis en continua del anlisis de seal o de alterna. El anlisis
para la componente alterna (seal) se realiza eliminando todas las fuentes continuas y
reemplazando el diodo por su resistencia equivalente de pequea seal rd. Del circuito equivalente
de pequea seal, la seal de voltaje del diodo puede ser encontrada simplemente del circuito de la
fig. 2.20d, como:
rd
vd = vS (2.20)
R + rd
Esta tcnica de equivalente de pequea seal o linealizacin en torno al punto de operacin se

utiliza frecuentemente en el anlisis de circuitos electrnicos.
Ejemplo 2.4: para el circuito de la fig. 2.21 considere que R=10k

y Vin=10+1sen(250t) [V] (la componente alterna se debe al
ripple de la fuente de alimentacin).
Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada
de 0.7V a 1mA y n=2.
Solucin:
Considerando, primero, el anlisis para la componente continua y
suponiendo VDQ 0.7V
Figura 2.21 ejemplo 2.4.
IDQ= (VinCC VDQ )/R=0.93mA
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor
supuesto. En este punto de operacin, la resistencia dinmica del diodo rd es:
n VT
rd = =53.8
IDQ
El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK
rd
vd = 2 =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la seal sinusoidal a travs del diodo es 5.35mV. Por esto, la
expresin del voltaje del diodo es:
vD(t)=0.7 + 5.35103sen(250t) [V]
53
Ejercicio 2.16: determine los valores de rd para un diodo con corrientes de polarizacin de 0.1, 1,
y 10mA. Considere n=1.
Resp.: 250; 25; 2.5
Ejercicio 2.17: Para un diodo que conduce 1mA con una cada directa de 0.7V y con n=1,
determine la ecuacin de la recta tangente en IDQ=1mA
Resp.: iD=(1/25)(vD 0.675)
Ejercicio 2.18: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 1nA y n=2. Suponga
operacin a temperatura ambiente. Determine:
a) la corriente del diodo cuando se le aplica un voltaje positivo de 0.6V.
b) el voltaje que se debe aplicar a travs del diodo para aumentar su corriente en un factor de
10.
c) el voltaje que se debe aplicar a travs del diodo para aumentar su corriente en un factor de
100.
Resp.: a) iD=102.6 A b) vD=0.72V c) vD=0.84V
Ejercicio 2.19: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 1nA y n=1.95.
Determine el porcentaje de cambio en la corriente del diodo para un cambio en la temperatura
desde 27 a 43C a voltajes del diodo iguales a:
a) 1V.
b) 0.5V.
c) 0.8V.
Resp.: a) 535% b) 249.8% c) 184.4%
Ejercicio 2.20: Un diodo de Si tiene una corriente de saturacin inversa de 8nA y n=2. Determine
la corriente del diodo como una funcin del tiempo. Use la tcnica de lnea de carga.
Figura 2.22
Resp.: transformando fuentes se llega al siguiente circuito equivalente serie; v(t)=2.676+0.8919sen2t

Req=8.919 ms el diodo. De aqu se obtiene la recta de carga (en el tiempo) y se intersecta con la
caracterstica del diodo para dar la solucin.
54
Ejercicio 2.21: Los diodos tienen los siguientes parmetros rd1=20, rr1=, V1=0.2V, rd2=10, rr2=, V2=0.6V.
La fuente de voltaje tiene 200V. Determine la corriente en los diodos cuando: a) R=20k b)
R=4k
Figura 2.23
Resp.: a) iD1=9.98mA iD2=0 (D2 No conduce!) b) iD1=29.93mA iD2=19.87mA
Ejercicio 2.22 Determine los valores peak del voltaje en RL, dibuje un ciclo de la forma de onda de la fig.
Figura 2.24
Ejercicio 2.23 Los diodos del circuito se modelan como rd=0, rr=, V=0.7V. Dibuje la caracterstica de
transferencia para 0 Vi 30V. Indique todas las pendientes y nveles de tensin.
Figura 2.25
Resp.: 0 vi 3.108V v0 =2.408V

3.108< vi 6.2V v0 =0.2885 vi + 1.512
6.2< vi 18.33V v0 =0.6 vi 0.42
18.33< vi30V v0 10.6
55
Ejercicio 2.24 El potencimetro de la fig. 2.26 es puesto de manera que el nodo del diodo est a 2V. Si
el valor de Vs es de 14 Vpp, y la cada del diodo cuando conduce es de 0.7V. Cul son los voltajes peak en
la carga?
Figura 2.26
Resp.: +6.36V y 2.7V
56
2.5 Aproximacin a un Diodo real
Ejercicio: resuelva considerando que el diodo se modela ID
de acuerdo a la ec. de Schockley con n=1.984, Is=14.11n +
vD
E = I D R1 + VD : Recta de carga del circuito
nvVD
I D = I S e T 1 : Caracterstica aproximada del diodo
_

(Ec. de Schockley)
Para obtener la solucin de estas dos ecuaciones tenemos:
n=1.984, Is=14.11n Figura 2.27 Circuito con diodo.
2.5.1 Forma iterativa (hacer una tabla) (se podra hacer en planilla Excel).
Tabla 2.1 Recta de carga, ecuacin de Schockley y Error de la aproximacin
VD E VD nvVD = I D ( E _ Lineal ) I D ( E _ No Lineal )

I D ( ELineal ) = = 1
R1 I I e T

D ( E _ No Lineal ) S

0.6 20m 1.59mA 18.41

0.7 15m 11.04m 3.96m
0.8 10m 76.71m -66.71m
0.71 14.5m 13.4m 1.1m
De aqu se observa que VD=0.71V se acerca bastante a la solucin (se puede seguir iterando hasta
hacer que el error sea inferior a un mnimo, por ejemplo 0.3mA)
2.5.2 En forma grfica, a partir de la simulacin en PSpice (modelo SPICE del diodo).
Figura 2.28 Caracterstica diodo, Recta de carga y recta tangente al punto de operacin.
57
2.5.3 En forma matemtica ya sea analtica o computacional.
Determinado el punto de operacin (Q: (IDQ , VDQ)) (14.49mA, 710mV) se puede linealizar.
n VT 1.984 26
rd = = = 3.56
I DQ 14.49
De la grfica se observa que VD00.66V. (Intercepto eje x).
Por lo tanto la ecuacin (recta) de la tangente al punto de operacin (en azul) sera:
VD = rd I D + VD 0 VD = 3.56 I D + 0.66 (Ntese que sta ecuacin es vlida slo para ID >0)
En la siguiente grfica est el detalle, adems se agreg la ecuacin de Schockley (en amarillo)
con Is=14.11n y n=1.984.
Figura 2.29 Caracterstica diodo, Recta de carga, recta tangente al punto de

operacin y aproximacin con ecuacin de Schockley.
Luego el modelo del diodo en torno al punto de operacin sera:
Figura 2.30 Modelo circuital en el punto de operacin.
58
Por lo tanto el punto de operacin lo obtenemos interceptando dos rectas; la linealizada y la
recta de carga:
VD = 3.56 I D + 0.66
Es la linealizacin de la caracterstica del

diodo, vlida en torno al punto de operacin
(para pequea seal)
1 = I D 20 + VD
( E = I D R1 + VD ) : recta de carga.
IDQ=14.43mA, VDQ=0.71V
Graficadas en la fig 2.29. Figura 2.31 Circuito equivalente en el punto de

operacin.
Ej.: Determine la corriente del diodo para E=3V y E=1V.
Usando: a) modelo exponencial con Is=10-16A, n=1. (Schockley)
b) modelo con VD(on)=V=0.8V
Desarrollo:
a) dado que es un problema no-lineal y si

suponemos que la solucin est cerca del
voltaje umbral, digamos que VD=0.7V
entonces:
para E=3V
E VD 3 0.7
ec.(1) I D = = = 2.3 mA Figura 2.32 Cto. con diodo.
R 1k
La ecuacin del diodo debera darnos el mismo valor, para que fuera solucin,
entonces
(Ntese que este es el mismo procedimiento que el desarrollado en el punto 1)

VD
nVT
ec.(2) I D = I S (e 1) evaluando da ID=0.49A lo cual NO coincide4, por lo que no es
solucin.
Pero si reemplazamos el valor anterior (2.3mA) en ec. (2.1)
4
Ntese que esto puede ser comprendido mejor usando el anlisis grfico, es decir,
usando el concepto de recta de carga (como se ha desarrollado en clases)
59

= ln ( + 1)= 0.799V

Con este nuevo valor de VD, en ec. (1) ID=2.201mA y en ec. (2) ID=2.219mA y de ec. (2.1)
VD=0.7987V, se observa que se converge rpidamente a la solucin.
En efecto, dado que la ecuacin lineal da ID=2.201mA (VD=0.799V) y la no-lineal da

ID=2.219mA (VD=0.7987V), es decir, I D = 2.2012.219=-0.018mA (-0.82%) y tambin
VD = 0.7990.798=0.001(0.125%) por lo que, cualquiera de estos pares (VD, ID) es la solucin.
{Tambin se podra haber resuelto con las ecuaciones aproximadas, comprobando los supuestos,
e n VT >> 1 luego
VD
en efecto, como se supuso VD>>nVT entonces

ln ( )}

Anlogamente, para E=1V
(E=1) VD=0.742V ID=0.258mA
b) con el modelo con V=0.8V Analticamente:

E VD 3 0.8
(E=3) 0.8V 2.2mA ( I D = = = 2.2 m )
R 1k
E VD 1 0.8
(E=1) 0.8V 0.2mA ( I D = = = 0.2m )
R 1k
Se puede apreciar que el valor de corriente obtenido con el modelo del voltaje umbral constante
(b) es aproximado, sin embargo, se obtuvo con mucho menos esfuerzo de computo.
Usando SPICE para graficar estos resultados, se muestra la ecuacin del diodo (segn ecuacin
de Schokley), y las rectas de carga del circuito para E=3V y E=1V.
Figura 2.33 Ecuacin de Schocley y las rectas de cargas cuando E=1 y E=3.
60
Ej.: Se desea determinar los valores de R e IS. Se hacen
las siguientes mediciones:
a) cuando E=1V ID=0.2mA y

b) cuando E=2V ID=0.5mA (suponga que n=1)
Desarrollo:
LVK E = I D R + vD Figura 2.34 Circuito medido.
Reemplaando los datos
1V= 0.2mR + vD1 (1)
2V= 0.5mR + vD2 (2)
VD

Como ln ( ) cuando VD>>nVT (dado que si VD>>nVT I D = I S (e nVT
1)

VD
nVT
I D I S e ) reemplazando en (1) y (2)
}
1=0.2mR + 0.026{ln ( 0.2m) ln ( I S ) (ln: logaritmo natural)
2=0.5mR + 0.026{ln ( 0.5m) ln ( I )} S
IS=2.910-10 A
R=3.25k
Ej. En el circuito con diodos que se indica determine VD, ID y la resistencia dinmica en el punto
de operacin.
(a) Si el diodo es ideal (b) Si el diodo se modela con un diodo
ideal y una fuente de tensin de 0.7V (di+E) (c) Si el diodo se
modela con un diodo ideal, una fuente de 0.7V y una resistencia
dinmica (di+E+rd) considere Is=2.682nA, N=1.836 (d) Si el
diodo se modela con la ecuacin de Schockley (e) interprete el
desarrollo con simulacin que se incluye.
Responder en un mismo grafico a) b) y c)

en otro grafico d) y e) Figura 2.35 Cto. con el diodo 1N4148.
Repita si Vcc=1.5V, R6=40.
61
Parte de la respuesta de 1d) e)5
Figura 2.36 Obtencin del punto de operacin con ecuacin de Schockley y caracterstica del diodo.
5
Para pegar estos graficos desde Orcad PSpice a Office Word, en pantalla de despliegue de datos
(PSpice A/D) hacer click en: Windows Copy to clipboard change white to black OK
Se adjuntan archivos de simulacin.
62
2.5.4 Ejemplo de respuesta para pequea seal considerando el diodo real.
Se muestra lo que ocurre al usar la caracterstica real del diodo, es decir, con su caracterstica
no-lineal.
Figura 2.37Circuito simulado para dos casos: cuando la amplitud de la

senoidal es 0.1 y 0.3V.
Para VAMPL=0.1 y 0.3V y usando el diodo real se obtiene la siguiente respuesta en Orcad:
Ntese que la respuesta est distorsionada, especialmente cuando la amplitud es 0.3V. Esto es
porque se est trabajando cerca del codo de la caracterstica del diodo y la amplitud es tal que
abarca una zona amplia y no-lineal por lo cual se distorsiona la salida.
63
2.5.5 Ejemplo de respuesta al linealizar.
Si trabajamos con la linealizacin en

torno al punto de operacin:
En continua sera:
IDQ=14.43mA, VDQ=0.71V
Vs
En alterna: id = id=4.24mA para Vs=0.1V
rd + R1
id=12.73mA para Vs=0.3V
por lo tanto la respuesta total seria: iD = I DQ + id = 14.43+4.24sen(t) [mA] para Vs=0.1V
14.43+12.73sen(t) [mA] para Vs=0.3V
Y para el voltaje del diodo
v D = VDQ + vd donde vd = id rd entonces vD=0.71+0.015 sen(t) [V] (para Vs=0.1V)
vD=0.71+0.045 sen(t) [V] (para Vs=0.1V)
Ntese que estas

respuestas no tienen
distorsin.
Obviamente, porque
fueron obtenidas a
partir de la
linealizacin en
torno al punto Q.
Compare estas formas de

ondas con las de la hoja
anterior Figura 2.38 Respuesta al linealizar.
Actividades:
a) Repita usando E=3V
64
b) Use el diodo 1N914 obtenga respuesta
real y linealizada para E=1V y E=3V
2.5.6 Respuesta real de un diodo. (Sin linealizacin en torno al punto de operacin).

Anlisis punto de operacin. Consideraciones sobre linealidad. Se realiza un anlisis parmetrico
para tres casos, cuando la fuente VS es de 0.4, 0.6 y 0.8V de manera que se obtienen tres puntos de
operacin diferentes, con diferentes condiciones de linealidad.
Figura 2.39 Respuesta de un diodo sin usar linealizacin.

65
Al analizar los datos que entrega el archivo de salida (.out) (Analysis Examine Output) se
obtiene la siguiente informacin sobre los puntos de operacin del diodo:
ID que es la corriente en el punto de operacin analizado
VD que es la corriente en el punto de operacin analizado
REQ es la resistencia dinmica en el punto de operacin.
Tabla 2.2 Puntos de operacin y resistencia dinmica para diferentes valores de la fuente
Vdc ID VD REQ
0.4 1.14E-05 3.89E-01 4.32E+03
0.6 1.03E-04 4.97E-01 4.66E+02
0.8 2.60E-04 5.40E-01 1.81E+02
66
3 CAPTULO 3 Transistor de Unin Bipolar
3.1 Introduccin
Bsicamente un transistor bipolar de unin es un dispositivo de tres terminales que, entre
otras cosas, puede amplificar una seal de entrada. La principal caracterstica es que una corriente
de salida es controlada por una corriente en la puerta de entrada. En este captulo se estudian la
modelacin en continua y los diversos modelos en alterna del BJT. Se analizan circuitos en
aplicaciones como amplificadores. Nuevamente, se hace un uso intensivo de la linealizacin en los
puntos de operacin, y por lo tanto se analiza el transistor como si fuera un dispositivo lineal.
3.2 Relaciones de Corriente y voltaje en un BJT
Los BJTs son construidos de capas de materiales semiconductores (generalmente silicio)

dopado con impurezas adecuadas. Diferentes tipos de impurezas son usadas para crear materiales
semiconductores tipo n o tipo p (ver capitulo 1). Un transistor npn consiste de una capa de material
tipo p entre dos capas de material tipo n, como se muestra en la fig. 3.1a. Cada unin pn forma
un diodo, pero si las uniones son hechas muy cercanas una de otra en un cristal nico del
semiconductor, la corriente en una unin afecta la corriente en la otra unin. Es esta interaccin la
que hace al transistor un dispositivo particularmente til.
Las capas se denominan el emisor, la base y el colector, como se muestra en la fig. 3.1a. El
smbolo circuital para un transistor npn es mostrado en la fig. 3.1b, incluyendo las direcciones de
referencia para las corrientes.
Figura 3.1 El transistor npn.
Como se vio en el captulo 1, una unin pn est directamente polarizada si se le aplica la

polaridad positiva a la unin p. Por otro lado, la polarizacin inversa ocurre si la polaridad positiva
es aplicada a la unin n.
67
En operacin normal de un BJT como amplificador, la unin basecolector est
inversamente polarizada y la unin baseemisor est directamente polarizada. En el siguiente
desarrollo se considera que las uniones estn polarizadas de esta forma, a menos que se diga lo
contrario.
La ecuacin de Shockley da la corriente de emisor iE en trminos del voltaje base a emisor

vBE:
v
iE = IES exp BE 1
VT
Esta es exactamente la misma ecuacin que para la corriente de la unin de un diodo, excepto por
los cambios en la notacin. (El coeficiente de emisin n se hace igual a 1 ya que es el valor
apropiado para muchos transistores de unin.) Valores tpicos para la corriente de saturacin IES
estn en el rango de 1012 a 10 16 A, dependiendo del tamao del dispositivo. Hay que tener en
cuenta que a la temperatura ambiente (300K), VT es aproximadamente 26mV.
Por supuesto, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que la corriente que sale del transistor
sea igual a la suma de las corrientes que entran. Luego, refirindonos a la fig. 3.1b, tenemos
iE =iC + iB
(Esta ecuacin es verdadera independientemente de las condiciones de polarizacin de las uniones.)
Figura 3.2 Condiciones de polarizacin para uniones p-n.
Se define el parmetro como la razn de la corriente de colector a la de emisor,

i
= C (3.3)
iE
Los valores para estn en el rango entre 0.99 a 0.999, siendo muy tpico 0.99. La ecuacin (3.2)
indica que la corriente de emisor es suministrada parcialmente a travs del terminal de base y
parcialmente a travs del de colector. Sin embargo, como es casi la unidad, la mayora de la
corriente de emisor es suministrada por el colector.
Sustituyendo la ec. (3.1) en la (3.3) y reordenando, tenemos

[ ( ) ]
iC = I ES exp vVBET 1 (3.4)
68
Para vBE mayor que unas pocas dcimas de volt, el trmino exponencial dentro del parntesis es
mucho mayor que la unidad. Entonces el 1 dentro del parntesis puede ser despreciado. Tambin
se define la corriente de escala o corriente de saturacin inversa de la unin base-emisor como
IS = IES (3.5)
Luego la ec. (3.4) queda

i C I S ex p ( vV
BE
T ) (3.6)
Resolviendo la ec. (3.3) para iC, sustituyendo en la ec. (3.2), y despejando la corriente de
base, se obtiene
iE =(1 )iE (3.7)
Como es ligeramente menor a la unidad, slo una muy pequea fraccin de la corriente de emisor
es suministrada por la base. Utilizando la ec. (3.1) para sustituir iE, tenemos
iB = (1 ) I ES [ exp( vV ) 1]
BE
T (3.8)
Se define el parmetro como la razn de la corriente de colector a la corriente de base.
Tomando la razn de las ecs. (3.4) y (3.8) resulta
iC
= = (3.9a)
iB 1
+1
tambin, = (3.9b)

El rango de los valores para va desde 10 a 1000, y es muy comn el valor =100. Se puede
escribir
iC = iB (3.10)
Ntese que generalmente es muy grande comparado a la unidad, es decir la corriente de colector
es una versin amplificada de la corriente de base. Las relaciones de corrientes en un transistor npn
son ilustradas en la fig. 3.3.
Figura 3.3 Relaciones de corriente en un transistor npn. Slo una pequea fraccin de la corriente de
emisor fluye en la base (considerando que la unin colector-base es inversamente polarizada y la base-
emisor est directamente polarizada).
69
Ejercicio 3.1 Dado un transistor con =50, IES= 1014 A, vCE =5V, e iE =10mA. Suponga que
VT=26mV. Encuentre vBE, vBC, iB, iC y .
Resp.:
vBE =0.718V, vBC =4.28V, iB=0.2mA, iC =9.80mA, =0.980.
Ejercicio 3.2 Evale los valores correspondientes de s =0.9, 0.99, y 0.999.
Resp.: =9, 99, y 999, respectivamente.
Ejercicio 3.3 Un transistor operado con polarizacin directa en la unin baseemisor y

polarizacin inversa de la unin basecolector tiene iC=9.5mA e iE=10mA. Determine los valores
de iB, , y .
Resp.: iB =0.5mA, =0.95, y =19.
Ejercicio 3.4 Repita el ejercicio anterior si se tiene iC=19.8mA e iE=20mA. Determine los valores
de iB, , y .
Resp.: iB =200A, =0.99, y =99.
3.3 Caractersticas en Emisor Comn.
La configuracin de emisor comn para un BJT npn se muestra en la fig. 3.4. La batera
VBB polariza positivamente la juntura base-emisor. La batera VCC tambin polariza directamente
el colector respecto del emisor. Note que el voltaje a travs de la unin basecolector est dado por
vBC=vBE vCE (3.11)
Figura 3.4 Configuracin de emisorcomn para el BJT NPN.
70
Luego, si vCE es mayor que vBE, el voltaje basecolector vBC es negativo. Esta es la forma comn
de operacin del transistor como amplificador.
Las caractersticas de emisor comn del transistor son graficadas para las corrientes iB e
iC respecto a los voltajes vBE y vCE, respectivamente. Caractersticas representativas para un
dispositivo de silicio se muestran en la fig. 3.5.
La caracterstica de entrada de emisor comn mostrada en la fig. 3.5a es una grfica de

iB con respecto a vBE, la cual est relacionada por la ecuacin 3.8. Note que la caracterstica de
entrada tiene la misma forma que la caracterstica de polarizacin directa de un diodo. Luego, para
un significativo flujo de corriente, el voltaje baseemisor debe ser aproximadamente mayor a 0.6V.
Al igual que para el diodo de unin, vBE disminuye con la temperatura cerca de 2mV/K para una
corriente dada.
La caracterstica de salida de emisor comn mostrada en la fig. 3.5b son grficas de iC versus
vCE para valores constantes de iB (iC versus vCE parmetrizado por iB). El transistor ilustrado tiene
=100. Mientras la unin colectorbase es polarizada inversa (vBC<0 o equivalentemente, vCE >
vBE), se tiene que
iC = iB =100 iB
A medida que vCE es menor que vBE, la unin basecolector se polariza directamente, y
eventualmente la corriente de colector cae como se muestra en el costado izquierdo de la
caracterstica de salida (fig. 3.5b).
3.4 Amplificacin mediante el BJT
Si nos referimos a la fig. 3.5a y notamos que un cambio muy pequeo en el voltaje
baseemisor vBE puede resultar en un cambio apreciable de la corriente de base iB, particularmente
si la unin baseemisor est polarizada directa, de manera que alguna corriente (por ejemplo,
40uA) est fluyendo antes que se haga el cambio en vBE. Considerando que vCE es ms que unas
pocas dcimas de volt, este cambio en la base produce un cambio mucho ms grande en la corriente
de colector iC (debido a que iC= iB). En circuitos apropiados, el cambio en la corriente de colector
es convertido en un cambio de voltaje mucho mayor que el cambio inicial en vBE. De esta manera
el BJT puede amplificar una seal aplicada a la unin baseemisor.
71
Figura 3.5 a) Caractersticas de entrada (iB vs. vBE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN.
Ntese que una pequea variacin vBE produce una gran variacin en iB en la zona indicada. Tambin la
pendiente iB/vBE es el reciproco de la resistencia de la unin entre baseemisor. b) Caractersticas de
salida (iC vs. vCE) para una configuracin emisor comn de BJT NPN.
72
Ejemplo 3.1. Determinar el valor de en la caracterstica mostrada en la fig. 3.5b.
Solucin:
El valor de puede ser encontrado mediante la relacin entre iC e iB, considerando que vCE
es bastante alto de manera que la unin colectorbase est polarizada inversa. Por ejemplo, cuando
vCE=2V e iB=10uA, la caracterstica de salida da iC=1mA. Luego
= iC / iB =1mA/10uA=100
Tambin cuando vCE=2V e iB=40uA iC=4mA =100.
(Para algunos dispositivos, resultan valores ligeramente diferentes para diferentes puntos de la
caracterstica de salida.)
3.5 Modelos circuitales para el BJT.

En el anlisis o diseo de circuitos amplificadores con BJT, se considera el punto de
operacin en continua separadamente del anlisis de la seal. Generalmente se realiza primero el
anlisis del punto de operacin, y luego realiza el anlisis del amplificador o de pequea seal.
Los BJTs pueden operar en la regin activa, en saturacin o en corte. En la regin activa,
la unin baseemisor es polarizada directa, y la unin basecolector es polarizada inversa.
(Realmente, la regin activa incluye polarizacin directa de la unin de colector por unas pocas
milsimas de volt.)
3.5.1 Modelo en la regin Activa.
El modelo circuital en la regin activa es mostrado en la fig. 3.6a. Una fuente de corriente
controlada modela la dependencia de la corriente de colector de la de base. Las restricciones dadas
en la figura para IB y VCE se deben satisfacer para asegurar la validez del modelo en la regin activa.
En la regin activa , la unin base-emisor (B-E) y la colector-emisor (C-E) estn polarizadas
directamente, y la base-colector (B-C) (VBC=VBE-VCE) esta polarizada inversa.
Relacin del modelo en la regin activa a las caractersticas del dispositivo: La fig. 3.7 muestra las
curvas caractersticas de un transistor NPN. La corriente IB es positiva y vBE0.7V para la
polarizacin directa de la unin baseemisor como se muestra en la fig. 3.7b. Tambin se puede
observar de la fig. 3.7a que VCE debe ser mayor que alrededor de 0.2V para asegurar la operacin
en la regin activa (es decir, sobre los "codos" de las curvas caractersticas).
En forma similar, para el BJT PNP se debe tener IB >0 y VCE <0.2V para la validez del
modelo en la regin activa.
3.5.2 Modelo en la regin de Saturacin.
Los modelos del BJT en la regin de saturacin se muestran en la fig. 3.6b. En la regin de
saturacin, ambas uniones son polarizadas directas (BE y CB). De la fig. 3.7a se muestra que
VCE 0.2V para un transistor NPN en saturacin. De esta manera, el modelo para la regin de
saturacin incluye una fuente de 0.2V entre colector y emisor. Al igual que en la regin activa, IB
es positivo. Tambin, de la fig. 3.7a se observa que para operacin bajo el "codo" de la
caracterstica de colector, la restriccin es IB >IC >0.
3.5.3 Modelo en la regin de Corte.
En la regin de corte, ambas uniones estn polarizadas inversamente (BE y CB), y no
fluye corriente en el dispositivo. Por esto el modelo consiste en un circuito abierto para los tres
terminales como se muestra en la fig. 3.6c. (Realmente, si voltajes de polarizacin directo hasta de
73
0.5 V son aplicados, la corriente es despreciable, y por esto se utiliza el modelo en la regin de
corte.) Las restricciones para los voltajes en la regin de corte se muestran en la figura.
3.5.4 Modo Inverso.
Cuando la juntura colectorbase es polarizada inversamente y la unin baseemisor se
polariza directa, se dice que el transistor est operando en el modo normal o directo. Algunas
veces hay situaciones en las cuales la unin basecolector es polarizada directa y la unin
baseemisor es polarizada inversa. Esto es opuesto a la situacin normal, y se dice que el transistor
est operando en modo inverso. La operacin en modo inverso es el mismo que en el normal, pero
con el emisor intercambiado. Muchos dispositivos no son simtricos, de modo que y toman
valores diferentes para el modo inverso en relacin al normal. Este modo de operacin es raro de
encontrar en aplicaciones, por lo que se detallarn slo los otros tres modos.
Figura 3.6 Modelos a grandes seales del BJT pnp y npn. (Nota: los valores mostrados son apropiados
para dispositivos de silicio tpicos de pequea seal a una temperatura de 300K). a) Regin Activa. b)
Regin de Saturacin c) Regin de Corte.
74
Figura 3.7 Regiones de operacin sobre las caractersticas de un BJT NPN. a) Caractersticas de salida.
b) Caractersticas de entrada.
Ejemplo 3.2: Dado un transistor npn con =100. Determine las regiones de operacin s:
a) IB=50 A e IC=3mA; b) IB=50 A y VCE=5V; c) VBE= 2V y VCE= 1V.
Solucin:
a) Como IB e IC son positivos, el transistor est en la regin activa o en saturacin.
En la regin activa se debe cumplir que IC = IB, sin embargo no se cumple est relacin
para los valores dados, entonces el transistor no est en la regin activa.
En la regin de saturacin se debe cumplir la restriccin IC < IB, la cual se satisface, por
lo que el transistor est en saturacin.
b) Como IB > 0 y VCE>VCEsat=0.2V, el transistor est en la regin activa.
c) Se tiene VBE < 0 y VBC =VBE VCE =1V < 0. Por esto ambas uniones estn polarizadas
inversamente, por lo tanto, est en corte.
Ejercicio 3.5: Para un transistor npn con =100. Determine las regiones de operacin s:
a) VBE =0.2V y VCE =5V b) IB =50A e IC =2mA; c) VCE = 5V e IB =50A
Resp.: a) Corte; b) Saturacin; c) R. Activa.
75
3.6 Anlisis en Continua de Circuitos con BJT.
En el anlisis en continua de circuitos con BJT se puede aplicar el siguiente procedimiento

para determinar el estado del transistor:
1.- Realizar una suposicin razonable acerca de la operacin del transistor en una regin particular
(es decir, activa, corte, saturacin). (Suponer un estado de operacin esta justificado pues el
transistor es un dispositivo no-lineal).
2.- Utilizar el modelo apropiado para el dispositivo y resolver el circuito.
3.- Revisar si la solucin satisface las restricciones para la regin supuesta.
4.- Si se cumplen las restricciones, el anlisis es correcto. Si no, se debe suponer una regin
diferente y repetir hasta que se encuentre una solucin vlida (volver al punto 1).
Este procedimiento es particularmente til en el anlisis y diseo de circuitos de

polarizacin para amplificadores con BJT. En este caso, el objetivo del circuito de polarizacin es
poner el punto de operacin en la regin activa de manera que las seales sean amplificadas.
Debido a que los transistores tienen una considerable variacin en sus parmetros (an en
transistores de una misma denominacin y fabricante), tal como , la influencia de la temperatura.
Por esto, es importante que el punto de polarizacin sea independiente de estas variaciones.
Ejemplo 3.3. Determinar el estado del transistor de la fig. 3.8a.
Solucin:
Como en la base hay aplicada una tensin positiva elevada, se puede suponer que el
transistor est en saturacin. Sin embargo, si se sustituye el transistor por su modelo en saturacin
y se utiliza el equivalente de Thevenin, se obtiene la fig. 3.8b. De este circuito se obtiene que IB es
negativa, lo cual contradice la hiptesis de saturacin y sugiere el corte.
En efecto, en el circuito de la fig. 3.8b el equivalente de Thevenin visto desde los terminales de
base (b) con respecto a tierra es:
Vth=VbbRb/(Rs+Rb)=0.196V
Rth=Rs||Rb=RsRb/(Rs+Rb)=9.82k
Luego planteando LVK a travs del circuito de base, se tiene:

Vth IBRth Vbe=0
IB=(Vth-Vbe)/Rth=(0.196 0.7)/9.82k= 51.3 A
No es posible que el circuito est en saturacin, IB < 0
(Tampoco puede estar en la regin activa porque al reemplazar su modelo, igualmente se
tiene que IB = 51.3 A).
Como el resultado anterior sugiere el corte, entonces del circuito 3.8c, se tiene:
VBE=Vth=0.196V (IB=0) y VCE=VCC =15V (IC=0)
76
Figura 3.8 a) Circuito original. b) Circuito equivalente si se supone el transistor en saturacin. c) Circuito
equivalente si se supone el transistor en corte.
3.7 Circuitos de Polarizacin de BJT
Se analizaran varios circuitos de polarizacin. Algunos de estos son tan inestables que ellos
no pueden usarse en aplicaciones de amplificadores. Sin embargo, ellos son tiles para aplicaciones
digitales o de conmutacin donde la estabilidad de la polarizacin no es muy importante.
3.7.1 Polarizacin Fija.

En general, para amplificadores se sita el punto de
operacin (punto Q) en la regin activa. La fig. 3.9 muestra
un circuito de polarizacin fija. La corriente ICQ se obtiene
seleccionando una adecuada corriente de base IBQ de tal
manera que ICQ = IBQ.
El diseo del circuito trata con la seleccin de RB para

obtener el IB requerido. En este circuito IC depende
fuertemente de .
Figura 3.9 Cto. Polarizacin fija.
77
Ejemplo 3.4: El circuito de la fig. 3.9 tiene un transistor de silicio con =100 y VCC=20V, RC=1k.
Debe ser polarizado con ICQ=10mA. Determine RB.
Solucin:
Planteando LVK a travs del circuito de colector, tenemos,
VCC ICRC VCE =0
Est ecuacin se conoce como la recta de carga de colector.
Luego, VCEQ= VCC ICQRC=20 10m1k=10V

Como VCEQ > 0.2V, el diseo es en la regin activa, donde IC = IB
Por lo tanto, IBQ = ICQ/=100 A
Planteando LVK en el circuito de base

VCC IBRB VBE =0
Est ecuacin se conoce como la recta de carga de base.
Dado que el transistor es de silicio, VBEQ =0.7V, entonces

RB= (VCC VBEQ)/ IBQ=(20 0.7)/100=193k
Figura 3.10 Caracterstica de salida, iC vs. vCE, en la cual se indica la recta de carga de colector para el
circuito del ejemplo 3.4.
78
Ejemplo 3.5 En el ejemplo anterior suponer que cambia a 300. (Esto ocurre a menudo cuando
se cambia el transistor).
Solucin:
No se sabe el valor de ICQ, ya que no sabemos el estado del transistor. Sin embargo, tanto
en saturacin como en la regin activa VBEQ =0.7V
Del circuito de base, se tiene que
IBQ = (VCC VBEQ)/ RB =100 A
Si suponemos que est en la regin activa IC = IB=300100 =30mA. Luego, de la recta de carga
de colector,
VCEQ= VCC ICQRC=20 30m1k=10V
Como VCEQ <0.2V el transistor no est en la regin activa.
Ahora, si suponemos que est en saturacin, reemplazando el modelo del transistor en saturacin,
y planteando la ecuacin de colector,
ICQ= (VCC VCEsat)/RC=(20 0.2)/1k=19.8mA
y del circuito de base,
IBQ= (VCC VBEQ)/RB=(20 0.7)/193k=100A
Como IB=300100=30mA > IC =19.8mA se satisfacen las condiciones para la saturacin (es
decir, IB>IC e IB >0).
Figura 3.11 Con =300 el circuito del ejemplo 3.4 opera en saturacin, IBQ=100 A, ICQ=19.8mA,
VCEQ=VCEsat=0.2V.
Ejercicio 3.6: Repetir el ejercicio anterior s RC=500.

Resp.: Operacin en la regin activa, IBQ=100 A, ICQ=30mA, VCEQ=5V
79
3.7.2 Polarizacin con Realimentacin.
El circuito de polarizacin fija es muy inestable.

Cambios en o la temperatura afecta significativamente ICQ.
A veces un circuito que ha sido diseado para tener un
determinado ICQ puede presentar una variacin del doble o
triple de la corriente esperada debido a cambios en o la
temperatura, o ambos. Para combatir esta inestabilidad, se
utiliza el concepto de realimentacin. La idea es utilizar un
cambio anticipado en IC para controlar IC. El hecho que IC, por
ejemplo, haya aumentado se "realimenta" a la base de tal
manera de producir una reduccin en IC. El efecto neto de esta
realimentacin es un cambio mucho ms pequeo en IC. La
conexin de realimentacin tiende a negar o oponerse a los
Figura 3.12 Circuito de polarizacin por
cambios en IC. Este tipo de realimentacin se llama
realimentacin.
realimentacin negativa.
Una manera muy simple de introducir esta realimentacin en el circuito de polarizacin fija
es agregando una resistencia de emisor RE, llamada la resistencia de realimentacin de emisor, fig.
3.12. Aqu, un aumento en IC provoca un aumento en VE, el cual es el voltaje a travs de RE, y por
lo tanto como IB=(VCC VBE VE)/RB est disminuye. El descenso en IB compensa el aumento en
IC.
En efecto, al aplicar la LVK a travs del circuito de base, se tiene

VCC IBRB VBE IERE=0
Tambin, del circuito se tiene IE = IC + IB
Si la operacin es en la regin activa, IC = IB , entonces

IE = (+1)IB
reemplazando en la primera ecuacin y despejando IB

IB =( VCC VBE)/[ RB+(+1)RE ]
Luego,
IC = ( VCC VBE)/[ RB+(+1)RE ] ( VCC VBE)/[ RB/ + RE ] (3.12)
S RE >> RB/, la ecuacin anterior queda,

IC =( VCC VBE )/ RE
Esta expresin muestra que IC es prcticamente independiente de las variaciones de .
Desafortunadamente, los circuitos prcticos rara vez cumplen cabalmente la condicin RE>>RB/ ,
de manera que el punto de polarizacin depende de aunque en menor grado.
80
Generalmente se elige RE de modo que su voltaje, VE=IERE sea mayor a VBE (por ejemplo,
3 veces ms grande). De modo que, RE=3VBE/IEQ 3VBE/ICQ.
Esta expresin permite seleccionar RE directamente para un ICQ dado.
Ejemplo 3.6: En el circuito de la fig.3.12 se tiene RE=2k, RB=470k, RC=2 k, VCC=15V, =100
y el transistor es de silicio. Determine el punto Q. Repita s =200.
Solucin:
De la ecuacin (3.12) se tiene que
ICQ =( VCC VBE)/[ RB/ + RE ]=(15 0.7)/6.7k=2.13mA
Planteando LVK a travs del circuito de colector se tiene,
VCC ICRC VCE IERE=0
VCEQ= VCC ICQ(RC + RE /) , =/(+1)=0.9901
=15 2.13m4020=6.44V
Cuando =200
ICQ =(15 0.7)/4350=3.29mA
y VCEQ=15 3.29m4010= +1.807V (sigue en la R. activa)
Se puede observar que la variacin en ICQ es de (3.29-2.13)/2.13=+54% cuando sube un

100%, lo cual nos indica que este circuito es sensible a las variaciones de . Esto se explica ya que
no se cumple la relacin para que ICQ sea independiente de , es decir, no se cumple que RE >>
RB/.
Nota: cuando =100, VBQ=VBE+IEQRE=0.7 + 2.15m2k =5V

cuando =200, VBQ=VBE+IEQRE=0.7 + 3.32m2k =7.34V
S el voltaje en la base, VBQ se puede mantener constante entonces IEQ no variar. En este principio
se basa la polarizacin por divisor de tensin que se ver ms adelante.
Ejercicio 3.7: Determinar que ocurre s =300 en el ejemplo anterior.

Resp.: El transistor est en saturacin.
Ejercicio 3.8: Disee un circuito de polarizacin con realimentacin de modo que ICQ=4mA.
VCC=30V, =50.
Resp.: RE=525 (VE=3VBE) ; RB=340k (S VCEQ=20V RC2k)
81
3.7.3 Circuito de Autopolarizacin.
Este circuito, fig. 3.13, tiene una estabilidad un poco

mejor que el circuito de polarizacin fija con RE (polarizacin
con realimentacin).
El circuito de autopolarizacin es otro ejemplo del uso
de la realimentacin negativa para estabilizar el punto de
operacin o ms precisamente, para mantener IC constante
en el punto de reposo. En efecto, un cambio en IC produce un
cambio en VC (voltaje de colector) el cual cambia IB de tal
manera que minimiza el cambio en IC.
Por ejemplo, si IC disminuye, VC debera aumentar (VC=VCC
IERC , el trmino IERC decrece), lo que tiende a aumentar IB
lo que compensa la disminucin original de IC. Figura 3.13 Circuito de autopolarizacin.
Aplicando LVK a travs del circuito de base,

VCC IERC IBRB VBE IERE=0
Luego,
IB=( VCC VBE )/[ RB + (+1)( RC+ RE)] (3.13)
e
IC = IB = ( VCC VBE)/[ RB+(+1)( RC + RE)]
( VCC VBE)/[ RB/ + RC + RE]
Nuevamente, si se cumple la relacin (RC + RE)>>RB/ se tiene ms independencia de las

variaciones de .
Ejemplo 3.7: Disee un circuito con autopolarizacin con ICQ=5mA y VCEQ=8V.

VCC=20V, =100.
Solucin:
Si se considera VE=3VBE=30.7=2.1V
Como, IE =IC ( +1)/=IC/
IEQ=5m1.01=5.05mA
RE 3VBE/ICQ=2.1/5m=420
Luego planteando LVK a travs del colector, tenemos

VCC IERC VCE IERE=0
RC=( VCC VCE IERE)/IE =(20 8 2.1)/5.05m=1960
de ec. (3.13)
RB=(VCC VBE)/IC (RE+RC)=100(20 0.7)/5m 100(420+1960)=148k
82
3.7.4 Polarizacin por divisor de Tensin.
Un circuito que evita la variacin del punto de operacin es el mostrado en la fig. 3.14. Las
resistencias R1 y R2 forman un divisor de tensin que provee un voltaje casi constante en la base
(VBQ) del transistor (independientemente del del transistor). Como se vio en el ejemplo 3.6, un
voltaje constante en la base resulta en valores casi constantes para IC y VCE. Debido a que la base
no est directamente conectada a tierra o a la alimentacin, es posible acoplar una seal alterna a
la base mediante un condensador de acoplamiento.
Figura 3.14 Circuito de polarizacin por divisor de tensin de 4 resistencias. a) Circuito original. b)
Circuito original descompuesto en un circuito de base y otro de colector. c) Equivalente de Thevenin del
circuito original.
Planteando el equivalente de Thevenin al circuito de la izquierda de la lnea punteada de la fig.

3.14b. Tenemos que la resistencia Thevenin es el paralelo entre R1 y R2,
Rth=R1||R2= R1R2 /(R1 + R2)
Y el voltaje Thevenin es,
Vth=VCCR2 /(R1 + R2)
El circuito con el equivalente de Thevenin reemplazado es el de la fig. 3.14c. Luego, si estamos
operando en la regin activa (IC = IB) tenemos a travs del circuito de base
Vth IBRth VBE IERE=0
Como
IE= IC + IB =( +1)IB
Luego,
IB=( Vth VBE)/[Rth +( +1)RE]
Una vez que se conoce IB, quedan determinados IC e IE.

IC=IB = ( Vth VBE)/[Rth / + RE /] ( Vth VBE)/[Rth / + RE]
donde = /( +1), IC= IE
Tambin, planteando LVK a travs del circuito de colector se tiene

VCE=VCC ICRC IERE= VCC IB[ RC + (+1)RE]
83
El diseo de este circuito de polarizacin requiere algunas elecciones aparentemente
arbitrarias. Se debe seleccionar RE y ya sea R1 R2. La eleccin de RC no afecta el punto de
operacin ICQ (Sin embargo, es muy importante cuando se considera VCEQ). Es comn elegir
R2 <<RE (para mnimo). Una buena eleccin, algo arbitraria, es:
R2 = RE/10
La cual mantiene la condicin (R1||R2)<< RE. No es preciso decir que ICQ debe ser
conocido.
Ejemplo 3.8: En un circuito de polarizacin por divisor de tensin se tiene: R1=12k, R2=3k,
RE=470, RC=1.2k, VCC=15V, transistor de silicio. Determine el punto Q cuando 1=100 y
2=300.
Solucin:
Vth=VCCR2 /(R1 + R2)=153k/15k=3V
Rth=R1||R2= R1R2 /(R1 + R2)=12k3k/15k=2.4k
Luego, cuando 1=100
IB1Q=( Vth VBE)/[Rth +( 1+1)RE]=( 3 0.7)/[2.4k + 101470]=46.12 A
IC1Q=1IB1Q=10046.12=4.61mA
IE1Q=IC1Q /1=4.61m/0.99=4.66mA
VCE1Q=VCC IB1Q[ 1RC + (1+1)RE]=15 46.12[ 1001.2k + 101470]=7.28V
cuando 2=300
IB2Q=( 3 0.7)/[2.4k + 301470]=15.99 A
IC2Q=2IB2Q=30015.99=4.80mA
IE2Q=IC2Q /2=4.80m/0.997=4.81mA
VCE2Q= 15 15.99[ 3001.2k + 301470]=6.98V
Podemos observar que para 1=100 IC1Q= 4.61mA, y para 2=300 IC2Q= 4.80mA. Es decir, para
un cambio de 1:3 en , la corriente de colector cambia en un +4.12%. Similarmente, VCEQ cambio
en un 4.12%.
Ejemplo 3.9: Dado el circuito de la fig. 3.15 donde =100, Silicio, RE=1k, R1=8.2k R2=1.8k,
VCC=5V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Solucin:
Vth= 51.8k/10k=0.9V
Rth= 1.8k8.2k/10k=1.476k
Luego planteando LVK en el circuito de base,

Vth IBRth VBE IERE +VEE=0
IBQ=( Vth + VEE VBE)/[Rth +( +1)RE]
=5.2/102476=50.74 A
ICQ=IBQ=5.074mA
84
IEQ=ICQ /=5.12mA
Y aplicando LVK a travs del circuito de colector,

VCC VCE IERE + VEE=0
VCEQ = 5 5.12m1k + 5 = 4.88V
Figura 3.16 Circuito del ejemplo 3.8. Figura 3.15 Circuito del ejemplo 3.9.
Ejercicio 3.9: Para el circuito de la fig. 3.16 donde =100, Silicio, RE=390, R1=22k R2=4.7k,
RC=2.2k, VCC=10V y VEE=5V. Determine el punto Q.
Resp.: ICQ=4.5mA, VCEQ=3.345V.
Ejercicio 3.10: Disee un circuito de polarizacin por divisor de tensin con los siguientes
parmetros: =100, Silicio, ICQ=5mA, VCC=20V y VCEQ=10V. Utilice resistencias estndar de 10%
de tolerancia.
Resp.: RE=420, R2=4.2k, R1=27k (25.8k) y RC=1.5k (1.58k)
3.8 Modelos de Pequea seal para el BJT.
Se han desarrollado un gran nmero de modelos de diversa complejidad para el BJT.

Algunos modelos consideran los efectos no-lineales, mientras que otros son lineales (vlidos
solamente para anlisis de pequea seal.) Algunos modelos consideran el efecto de
almacenamiento de carga, y por esto son precisos en un amplio rango de frecuencias. Sin embargo,
modelos ms simples son ms fciles de usar y precisos para anlisis de baja frecuencia. Para la
comprensin bsica y anlisis manual se utilizan los modelos simples. Modelos complejos no-
lineales son utilizados principalmente en anlisis mediante computadores. Por ejemplo, el modelo
del BJT utilizado por SPICE incluye sobre 50 parmetros, lo cual lo hace impracticable para
anlisis manual (ver anexo parmetros de SPICE).
3.8.1 Regiones de Operacin.
Para el BJT se identifican cuatro regiones de operacin, dependiendo de la polarizacin

(directa o inversa) aplicada a cada unin. En la fig. 3.17 se muestran las regiones de operacin en
85
el plano vBC-vBE. Generalmente, se utilizan modelos que son vlidos slo en una nica regin de
operacin. En circuitos de amplificadores, los BJT operan en la regin activa directa,
generalmente llamada regin activa. A menudo, las variaciones de seales son pequeas, y se
puede modelar el transistor con un circuito equivalente lineal.
vBC
Regin
Regin de
Activa Inversa
Saturacin
vBE
Regin Regin
Corte Activa
Figura 3.17 Regiones de operacin en el plano vBC-vBE.(Se considera un BJT npn)
Ocasionalmente, hay aplicaciones en las cuales los roles del emisor y colector son
intercambiados, y entonces el dispositivo opera en la regin activa inversa. La operacin en la
regin activa inversa es similar a la regin activa directa, excepto que el tiende a ser pequeo
(cercano a 1). Ms an, la respuesta en frecuencia y velocidad de conmutacin son mucho ms
pobres para un dispositivo operando en la regin activa inversa comparado a la directa. Si se
comprende la operacin del transistor en la regin activa directa, este conocimiento puede ser
transferido a la regin activa inversa mediante el intercambio del emisor y el colector.
En circuito digitales y aplicaciones del transistor como conmutador, a menudo el dispositivo
est en la regin de corte o en la regin de saturacin. Las transiciones lgicas hacen que el
dispositivo vare desde corte, a travs de la regin activa, hacia la regin de saturacin, o viceversa.
Para obtener una buena precisin en el anlisis de circuitos de conmutacin, se deben utilizar
modelos no-lineales de gran seal que consideran los efectos de almacenamiento de carga.
3.8.2 El modelo rpi-beta.
Para circuitos amplificadores se establece la siguiente notacin. Se denotan las corrientes y

voltajes por smbolos en minscula con subndice en mayscula. De esta manera iB(t) es la corriente
de base total como una funcin del tiempo.
Las corrientes y voltajes del punto Q (seales continuas) son denotados por smbolos en
maysculas con subndices en mayscula. De este modo IBQ es la corriente de base en continua si
la seal de entrada es nula.
Finalmente, las variaciones en torno al punto Q de la corrientes y voltajes (debido a la seal

de entrada a ser amplificada) se denotan mediante smbolos en minscula con subndices en
86
minscula. Luego ib(t) denota la componente de seal de la corriente de base. Como la corriente de
base total es la suma del valor en el punto Q y la componente de seal, tenemos:
iB(t)=IBQ + ib(t) (3.14)
Estas cantidades se ilustran en la fig. 3.18. Similarmente, para el voltaje baseemisor,

vBE(t)=VBEQ + vbe(t) (3.15)
Figura 3.18 Ilustracin de la corriente de base total iB(t), la corriente del punto Q IBQ , y la corriente de
pequea seal ib(t). Esta misma ilustracin se puede aplicar a casi cualquier variable total de un
amplificador.
El punto Q se establece con el circuito de polarizacin como se analiz en la seccin

correspondiente. Para determinar como estn relacionadas las componentes de pequea seal en el
BJT tenemos que la corriente total de base es dada en trminos del voltaje base-emisor por la
ecuacin:
iB=(1 )IES[exp(vBE/VT) 1] (3.16a)
Ahora como en aplicaciones de amplificadores se trabaja en la regin activa, el trmino
exp(vBE/VT)>>1, luego se puede despreciar el 1 en la ecuacin anterior.
Luego, sustituyendo la ecuacin (3.14) y (3.15) en la (3.16a)
IBQ +ib(t)=(1 )IESexp[(VBEQ+vbe(t))/VT] (3.16b)
Esto puede ser escrito como,

IBQ +ib(t)=(1 )IESexp(VBEQ/VT)exp[vbe(t)/VT)] (3.17)
La ecuacin (3.16a) tambin relaciona el punto Q, luego se puede escribir

IBQ=(1 )IESexp(VBEQ/VT) (3.18)
Sustituyendo en la ecuacin (3.17), tenemos

IBQ +ib(t)=IBQexp[vbe(t)/VT)] (3.19)
Como interesa las seales pequeas donde la magnitud de vbe(t) es mucho ms pequea que
VT en todo instante. [vbe(t) es de unos pocos milivolt o menos.
87
En general, para |x|<<1, se cumple la siguiente aproximacin:
exp(x) 1+x
De este modo la ecuacin (3.19) se puede escribir como

IBQ +ib(t) IBQ[1+vbe(t)/VT)] (3.20)
Si se cancela IBQ a ambos lados, tenemos

ib(t) = IBQvbe(t)/VT= vbe(t)/r (3.21)
Donde r=VT/IBQ, entonces para variaciones de pequea seal alrededor del punto Q, la unin
baseemisor del transistor se puede modelar como una resistencia r dada por
r=VT/IBQ (3.22)
Sustituyendo IBQ=ICQ/, se tiene una frmula alternativa
r=VT/ICQ (3.23)
Con lo que quedan determinados los parmetros del modelo r.
A temperatura ambiente, VT 26mV. Un valor tpico de es 100, y una corriente de
polarizacin para un amplificador de pequea seal es ICQ=1mA. Esto da r=2600 .
Por otro lado, la corriente total de colector es veces la corriente de base total.
iC(t)= iB(t) (3.24)
Como las corrientes totales son la suma del valor del punto Q y las componentes de seal, tenemos,
ICQ + ic(t)= IBQ +ib(t) (3.25)
Luego las componentes de seal se relacionan mediante la siguiente ecuacin

ic(t)= ib(t) (3.26)
3.8.3 Circuito equivalente de pequea seal para el BJT.
Las ecuaciones (3.21) y (3.26) relacionan las corrientes y voltajes de pequea seal en un
BJT. Es conveniente representar el BJT por su circuito equivalente de pequea seal mostrado
en la fig. 3.19.
Por supuesto que el transistor pnp tiene exactamente el mismo circuito equivalente que el
npn an las direcciones de referencia para las seales de corriente son las mismas. La resistencia
r es dada por la ecuacin (3.23) para ambos tipos de transistores. (Se supone que ICQ tiene
referencia saliendo del colector para el pnp y tiene valor positivo).
Este modelo es vlido para seales pequeas, es decir para pequeas variaciones de voltaje
y corriente alrededor del punto de polarizacin (punto Q) en la regin activa. Es un modelo de baja
frecuencia que no considera las capacidades de la unin. Tambin ignora los efectos secundarios
88
tales como la modulacin del ancho de la base. Sin embargo, este modelo simple es a menudo lo
suficientemente preciso para un diseo inicial.
Figura 3.19 Circuito equivalente de pequea seal, modelo r , para el BJT.
3.8.4 Modelo de Parmetros hbridos de EmisorComn.
Otro modelo de pequea seal para el BJT es el modelo hbrido h. Este modelo se basa
en los parmetros h de las redes de dos puertas, conocidos como los parmetros hbridos.
En general, los modelos de los dispositivos activos pueden ser determinados sobre la base
de considerarlos como cuadripolos y en este caso no interesa el comportamiento fsico del
dispositivo. Por lo tanto, bajo este criterio existen diversos modelos del transistor, tales como el de
parmetros z, y h. Debido a que un transistor se puede considerar como una red de dos puertas y
por razones de medicin de sus parmetros se utiliza el modelo h para el transistor bipolar.
Tambin se pueden modelar los transistores sobre la base de su comportamiento fsico y en

este caso se obtiene lo que se conoce como modelo natural o hbrido, este modelo se analizar
en la prxima seccin.
La expresin general utilizada para los parmetros h es:

v1=h11i1 + h12v2 (3.27)
i2=h21i1 + h22v2
En estas ecuaciones las variables independientes son las corrientes de entrada i1 y la tensin de
salida v2. En un transistor estas variables representan pequeas variaciones alrededor del punto de
reposo (de este modo los parmetros del transistor pueden considerarse constante.)
En la teora de circuitos con transistores, los subndices numricos son sustituidos por letras
que indican la naturaleza del parmetro, luego las ecuaciones generales de las redes de dos puertas
se modifican convenientemente de la siguiente manera:
v1=hii1 + hrv2 (3.28)
i2=hfi1 + hov2
Estas ecuaciones representan la red de dos puertas de la fig. 3.20.
89
Figura 3.20 Red de dos puertas que modela un transistor bipolar en pequea seal.
El circuito equivalente asla los circuitos de entrada y salida, siendo considerada su interaccin
por dos fuentes controladas; adems, las dos partes del circuito tienen una forma tal que es fcil
distinguir los circuitos de alimentacin y de carga. El circuito de entrada es un equivalente de
Thevenin y el de salida un circuito equivalente de Norton.
El significado de los parmetros h puede obtenerse a partir de las ecuaciones, entonces:
v1
hi = : Impedancia de entrada con la salida en cortocircuito []
i1 v2 = 0
v1
hr = : Ganancia de tensin inversa en circuito abierto.
v2 i1 = 0
i2
ho = : Admitancia de salida con la entrada en circuito abierto [S ]
v2 i1 = 0
i2
hf = : Ganancia de corriente directa en cortocircuito.
i1 v2 = 0
En general, los parmetros son diferentes para cada configuracin (conexin) y se obtienen a
partir de los circuitos equivalentes para emisor comn, colector comn y base comn.
3.9 Configuracin de Emisor Comn.
Como se supone funcionamiento lineal (alrededor del punto Q, y variaciones de pequea

seal), se puede utilizar el principio de superposicin. De esta forma, el anlisis puede ser
descompuesto en un anlisis en continua y otro anlisis en alterna. En esta seccin se considerara
slo el anlisis en alterna ya que el anlisis en continua se estudi en la seccin de polarizacin.
El equivalente de parmetros h para el BJT se muestra en la fig. 3.21. Este circuito

equivalente es completamente general para condiciones de pequea seal. Dados los valores
90
apropiados de los cuatro parmetros, el modelo de parmetros considera los efectos secundarios
del dispositivo. (Sin embargo, este es un modelo lineal y por esto no considera los efectos no-
lineales.)
S los parmetros son valores complejos funciones de la frecuencia, el modelo es vlido

para todas las frecuencias. Sin embargo, los parmetros del modelo estn relacionados a la fsica
interna del dispositivo de manera engorrosa, de modo que la variacin con la frecuencia no es fcil
de comprender. Consecuentemente, para el anlisis en alta frecuencia se utilizan modelos que estn
relacionados directamente a la fsica del dispositivo.
Figura 3.21 Circuito equivalente de parmetros h para la configuracin de emisor-comn. (Ntese que
hie es impedancia, hoe es conductancia)
En trminos de los parmetros h, las corrientes y voltajes de pequea seal en una

configuracin de emisor comn estn relacionados mediante (del circuito de la fig. 3.21),
vbe=hieib + hrevce (3.29)

ic =hfeib + hoevce (3.30)
Ntese que hie tiene unidades de resistencia, hre y hfe son adimensional, y hoe es una
conductancia.
Partiendo de las ecuaciones (3.29) y (3.30), podemos expresar cada parmetro como una
derivada parcial, evaluada en el punto de operacin. Por ejemplo, si ponemos ib=0 en la ecuacin
(3.29) y resolviendo para el parmetro hre, tenemos
vbe
hre = (3.31)
vce ib =0
Debido a que vbe, vce, e ib representa pequeos cambios alrededor del punto Q, se tiene
vBE
hre = (3.32)
vCE i B = I BQ
91
De esta manera se puede encontrar el valor de hre haciendo pequeos cambios en vCE manteniendo
constante iB, y tomando la razn del cambio resultante en vBE al cambio en vCE. En otras palabras,
hre es la derivada parcial de vBE con respecto a vCE.
Figura 3.22 Obtencin del parmetro hre ganancia de tensin inversa del transistor, a partir de la
caracterstica de entrada del BJT.
En la fig. 3.22 se muestra la caracterstica de entrada de un transistor y la obtencin de su parmetro

hre. Para obtener este parmetro se localiza el punto Q y se considera un incremento para vCE
centrado en el punto Q. Ya que el iB requerido debe ser constante, el cambio incremental es hecho
a lo largo de la lnea horizontal, como se muestra en la fig. 3.22. Por ejemplo, en el caso indicado
vCE= 155=10V, y el incremento resultante en vBE es vBE=6mV. Luego, hre=6mV/10V=6104.
Debido a su bajo valor, en general, el parmetro hre se puede despreciar (ya que por su
pequeo valor, equivale a un coci en el modelo) sin afectar mayormente los clculos. Hay que tener
presente que los modelos en ingeniera siempre son aproximados, y la eleccin del modelo ms
apropiado depende fundamentalmente de la aplicacin.
Similarmente, para el parmetro hie se tiene:

vbe
hie =
ib vce = 0
(3.33)
v
hie = BE
iB vCE =VCEQ
El valor de hie se obtiene haciendo pequeos cambios en iB manteniendo constante vCE, y tomando
la razn del cambio resultante en vBE al cambio en iB. En otras palabras, hie es la derivada parcial
de vBE con respecto a iB. En la fig. 3.23 se describe el significado en forma grfica del parmetro.
92
Figura 3.23 Obtencin del parmetro hie impedancia de entrada con la salida en coci, a partir de las
caractersticas de entrada del transistor.
El parmetro hie esta relacionado a la etapa de entrada del transistor, en particular a la unin
baseemisor. Luego, como esta unin polarizada directamente representa en cierta forma un diodo,
entonces la relacin vbe/ib representa la resistencia dinmica rd de esta unin, medida en el punto
Q, fig. 3.23.
Es decir,
hie= vbe/ib |punto Q = VT/IBQ ( VT/ICQ) (3.34)
donde a T ambiente VT =26mV
Como se puede observar, este parmetro depende principalmente de ICQ y su valor est
comprendido, generalmente, entre 200 y 2k.
Similarmente, para el parmetro hfe se tiene:

ic
h fe =
ib vce = 0
(3.35)
i
h fe = C
i B vCE =VCEQ
El valor de hfe se obtiene haciendo pequeos cambios en iB manteniendo constante vCE, y tomando
la razn del cambio resultante en iC al cambio en iB. En otras palabras, hfe es la derivada parcial de
iC con respecto a iB. En la fig. 3.24a se describe el significado en forma grfica del parmetro.
93
Figura 3.24 a) Obtencin del parmetro hfe ganancia de corriente directa del transistor, a partir de las
caractersticas de salida del transistor. b) Obtencin del parmetro hoe admitancia de salida del
transistor, a partir de las caractersticas de salida del transistor.
El parmetro hfe hFE = es funcin de la corriente de polarizacin. La ltima aproximacin se

puede realizar no en todos los transistores, ya que mucho tienen variaciones de , dependiendo de
la zona en la que se haga la medicin (en la caracterstica iCvCE).
De manera similar, para el parmetro hoe se tiene

ic
hoe =
vce ib = 0
(3.36)
i
hoe = C
vCE i B = I BQ
El valor de hoe se obtiene haciendo pequeos cambios en vCE manteniendo constante iB, y tomando
la razn del cambio resultante en iC al cambio en vCE. En otras palabras, hoe es la derivada parcial
de iC con respecto a vCE. En la fig. 3.24b se describe el significado en forma grfica del parmetro.
94
Como se puede ver de la grfica, el parmetro hoe es la pendiente de la caracterstica de colector
en el punto Q. En la prctica este parmetro de conductancia es menor a 1mS (milliSiemens), es
decir, representa una resistencia mayor a 10k (R=1/G). Por esto, en muchos casos este
parmetro se considera nulo, lo cual significa un circuito abierto en el circuito equivalente.
Finalmente, considerando que hre y hoe son muy pequeos el circuito equivalente de la fig.
3.21 se puede reducir al siguiente.
Figura 3.25 Circuito equivalente de parmetros h con hre=0 y hoe=0. Este circuito es equivalente
al modelo r .
3.10 Relacin entre el modelo de parmetros h y el modelo r .
Como se vio en la seccin anterior el parmetro hre es muy pequeo. Bsicamente,

considera el efecto de la modulacin del ancho de la base sobre la caracterstica del dispositivo.
Similarmente, hoe es una conductancia pequea que considera la pendiente de la caracterstica de
salida, la cual tambin es causada por el efecto de la modulacin del ancho de la base.
Como una aproximacin, se puede hacer hre y hoe igual a cero. (Como hoe es una
conductancia, hacindola igual a cero representa un circuito abierto.) Con estos cambios, el circuito
de parmetros h se reduce al mostrado en la fig. 3.25. El cual es equivalente al modelo r de la
fig. 3.19.
De esta forma se tiene,
hie r (3.37)
y
hfe . (3.38)
En general, en electrnica no se hace mucho uso del modelo completo del equivalente de
parmetros h en el anlisis o diseo. Sin embargo la hoja datos del fabricante contiene informacin
acerca de los parmetros h. Por ejemplo, la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega los valores
de los parmetros h en dos puntos de operacin.
95
3.11 El modelo pi-hbrido.
En la fig. 3.26 se muestra un circuito equivalente de pequea seal para el BJT conocido como el
modelo hbrido. Este modelo es un modelo fsico del transistor, es decir, sus parmetros estn
relacionados con su fsica interna. La resistencia rx, llamada la resistencia de baseextendida,
considera la resistencia hmica de la regin de base. Tpicamente, es pequea comparada a r ,
variando entre 10 y 100 para dispositivos de pequea seal. Este valor es casi independiente del
punto de operacin.
Figura 3.26 Circuito equivalente hbrido.
La resistencia r representa la resistencia dinmica de la unin baseemisor "vista" desde

el terminal de base. Es el mismo r mostrado en la fig. 3.19, y su valor es dado por la ecuacin
(3.23). La resistencia r considera el efecto de la modulacin de ancho de la base sobre la
caracterstica de entrada. En otras palabras, r representa la realimentacin desde el colector a la
base. En este sentido, virtualmente cumple el mismo rol que el parmetro hre en el circuito
equivalente de parmetros h. La siguiente frmula relaciona estos parmetros:
hre= r /(r +r ) r /r (3.39)
El valor de r es muy grande varios megahoms son tpicos. Por simplicidad, a menudo se
reemplaza por un circuito abierto. A altas frecuencias, estos es an ms justificado debido a que r
es "cortocircuitado" por la impedancia mucho ms baja de C.
La resistencia ro considera (aproximadamente) la pendiente ascendente de la caracterstica
de salida del transistor. De esta manera tiene aproximadamente el mismo rol que hoe del circuito
equivalente de parmetros h. Es decir, se puede escribir
ro 1/ hoe (3.40)
Algunas veces, para simplificar el anlisis, se reemplaza ro por un circuito abierto.
C es la capacitancia de deplexin de la unin de colector. Su valor depende de VCBQ y del

tipo de dispositivo. A menudo, su valor se entrega en la hoja de datos (datasheet) como Cobo.
96
(Desafortunadamente, el uso de smbolos no est estandarizado dentro de la comunidad
electrnica). Por ejemplo, la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega un valor mximo de Cobo
de 8pF para VCBQ =10V.
Algunas veces la constante de tiempo del circuito RC entre los terminales de base y colector
es dada en la hoja de datos. Por ejemplo la hoja de datos del transistor 2N2222A entrega este valor
denominado como rbCC. Esta constante de tiempo es aproximadamente igual a rxC.
Considerando que C es conocido, se puede utilizar el valor de la constante de tiempo para
encontrar rx.
La capacitancia C considera la capacitancia de difusin de la unin baseemisor. El valor

de C depende del punto Q y del tipo de transistor. Tiene valores tpicos en el rango desde 10 a
1000pF para dispositivos de pequea seal.
Generalmente, la tabla de datos no entrega los valores de C directamente. Sin embargo, la

frecuencia de transicin ft es dada. La frecuencia de transicin est relacionada a los parmetros
hbridos mediante la frmula aproximada
ft /[2r( C +C)] (3.41)
La fuente controlada gmv mostrada en la fig. 3.26 considera las propiedades de

amplificacin del transistor.
Si consideramos operacin en baja frecuencia, los condensadores llegan a ser circuitos

abiertos. Por esto, como una aproximacin razonable se puede reemplazar rx por un cortocircuito
y reemplazar r y ro por circuitos abiertos. El circuito resultante es mostrado en la fig. 3.27.
Comparando este modelo simplificado con el modelo r vemos que ambos circuitos de entrada
tiene la resistencia r. Tambin, ambas fuentes controladas deben producir la misma corriente de
colector. Por esto, tenemos
gmv = ib (3.42)
Despejando la transconductancia gm , se tiene

gm = ib/ v (3.43)
Sin embargo, ib/v=1/r , tenemos

gm =/r (3.44)
Utilizando la ecuacin (3.23) para sustituir r, se tiene

gm =ICQ /VT (3.45)
Luego se puede calcular gm conociendo el punto Q.
97
Figura 3.27 Modelo hbrido con rx =0, r=, ro =, y los condensadores reemplazados por circuitos
abiertos. Este modelo aproximado de baja frecuencia es equivalente al modelo r de la fig. 3.25.
Ejemplo 3.10 Utilice la hoja de datos del transistor 2N2222A para determinar el circuito
equivalente hbrido para un transistor tpico 2N2222A en el punto Q: ICQ = 10mA y VCEQ=10V.
Solucin: De la ecuacin (3.45) calculamos la transconductancia,

gm =ICQ /VT =10mA/10V=0.385S
De la hoja de datos encontramos que un valor tpico para hfe = es 200. (El rango dado en la hoja
de datos para hfe en este punto de polarizacin es desde 75 a 375.) De la ec. (3.23), tenemos
r= VT/ICQ =20026mV/10mA=520
(La hoja de datos da valores para hie = r en el rango 250 a 1250, lo cual es bastante consistente
con el rango dado para hfe =.)
La hoja de datos da un valor mximo para hre de 4104. Utilizando este valor mximo para
calcular r. De la ecuacin 3.39 da
r r/ hre =520/4104=1.3 M
Tambin de la ec. (3.40)

ro 1/ hoe
La hoja de datos da un rango para hoe desde 15 a 200s. Por esto, ro vara desde 5 a 66.7k.
Luego, se puede tomar como un valor tpico

ro =20k
Para VCBQ=10V e IEQ=0, la hoja de datos un valor mximo de que Cobo=C de 8pF. Esta es la
capacitancia de deplexin de la unin de colector y es casi independiente de la corriente de emisor.
La capacitancia depende de VCBQ, pero del punto Q dado en el problema se tiene
VCBQ= VCEQVBEQ 100.6=9.4V
98
el cual es muy cercano a la especificacin de la hoja de datos. Luego tomando el valor mximo
tenemos
C = 8pF
Para determinar C utilizamos la especificacin de la frecuencia de transicin ft. De la hoja

de datos, el valor mnimo de ft es 300MHz para VCEQ=20V e ICQ=20mA. La frecuencia de
transicin es una funcin de VCEQ e ICQ, y la hoja de datos no da informacin para los puntos de
polarizacin dados en el problema. Sin embargo, el examen de informacin de transistores
similares indica que ft no debera variar ms de alrededor de un 20% debido a la diferencia en los
puntos Q. Por esto, utilizamos ft=300MHz para determinar un valor para C. De la ecuacin (3.41),
resolviendo para C y evaluando
C /(2r ft ) C 196 pF
Finalmente, la hoja de datos da un valor mximo para la constante de tiempo colectorbase de

150ps. Es decir,
rxC.=150ps
Resolviendo para rx y evaluando, tenemos

rx =150p/8p =19
De esta forma se han utilizado los valores de la hoja de datos para encontrar los parmetros del
circuito equivalente hbrido.
Ejercicio 3.11 Suponga que un transistor tiene ft=500MHz =100, y C=4pF. Suponga que ft, ,
y C son independientes de ICQ. (Realmente, esto no es verdadero; en la prctica dependen de ICQ.
Sin embargo, la dependencia no es pronunciada. Considerando constante y ft es una primera
aproximacin razonable, al menos para un rango restringido de corriente. Dibuje rx, C y gm a escala
con relacin a ICQ. Utilice escalas logartmicas para todos los ejes. Grafique para una variacin en
ICQ desde 1 a 100mA.
99
3.12 Amplificador en configuracin Emisor Comn.
En un amplificador, se polariza el transistor en un punto de operacin en la regin activa.

En la fig.3.28a se muestra un amplificador en conexin de emisor comn (ntese dnde se aplica
la entrada y dnde se toma la salida). Los amplificadores se analizan y/o evalan determinando su
ganancia, resistencia de entrada, y resistencia de salida mediante el uso de equivalentes de pequea
seal.
En el circuito indicado R1, R2, RE1 y RC conforman la red de polarizacin. El condensador

C1 acopla la seal a la base del transistor, y C2 acopla la seal amplificada del colector a la carga
RL. El condensador CE es llamado condensador de desacoplamiento. Y provee una trayectoria
de baja impedancia hacia tierra para la corriente de emisor.
Figura 3.28 Amplificador en Emisor comn.
Los condensadores de acoplamiento (C1 y C2) son usados para conectar la carga y la fuente de
seal sin afectar el punto de polarizacin. Estos condensadores y el de desacoplamiento (CE) son
elegidos lo suficientemente grandes para que tengan una impedancia muy baja a la frecuencia de
la seal (en anlisis de alterna.) Luego, en un anlisis de pequea seal a frecuencias medias,
estos condensadores son efectivamente cortocircuitos. Sin embargo, a bajas frecuencias estos
condensadores limitan la ganancia del amplificador, y por esto determinan la frecuencia de corte
inferior del amplificador. En alta frecuencia, estos condensadores son cortocircuitos y el modelo
del transistor a utilizar debe ser vlido para alta frecuencia (como el hbrido).
3.12.1 Anlisis en continua.
El anlisis en continua ya se realiz en el punto de polarizacin, hay que tener en cuenta

que en continua los condensadores de acoplamiento C1, C2 y el condensador de desacoplamiento
CE son circuitos abiertos.
100
3.12.2 Anlisis en Alterna (Con RE1=0.)
En alterna (a frecuencias media) CE es un cortocircuito (coci) por lo tanto RE2 no aparece

en el circuito equivalente de alterna (ntese que este anlisis inicial RE1=0). Adems, la fuente de
alimentacin, VCC tambin es un coci para este anlisis.
Fig. 3.28b Equivalente de pequea seal para el amplificador a frecuencias medias, ntese que todos
los condensadores son coci y que RE1=0.
Luego, sean
RB=R1||R2 =R1R2/(R1 + R2) RL=RL||RC =RCRL/(RL + RC)
Ganancia de voltaje, AV:
Del circuito equivalente de la fig. 3.28b tenemos

vin=vbe= rib (3.46)
Tambin,
vo= RL ic= RL ib (3.47)
AV= vo /vin = RL/r = RCRL/[(RL + RC)r] (3.48)
S la carga est en circuito abierto (RL infinita), la expresin anterior queda:

AV0= vo/vin = RC/r (3.49)
Impedancia de entrada, Zin.
La impedancia de entrada es la impedancia "vista" por los terminales de entrada.

Es decir,
Zin= vin/iin= RB||r (3.50)
Ganancia de corriente, AI y de potencia, AP.

AI= io/iin=(vo/RL)/(vin/Zin)= AVZin/RL= RCRB/[(RL + RC)(RB +r)] (3.51)
La ganancia de potencia se obtiene de

AP=P0/Pin=( voio)/( viniin)= AV AI (3.52)
101
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situacin es mostrada en la fig.3.28c. Con VS=0 no hay
corriente en la base, luego ib=0 y entonces ib=0, y por esto la impedancia "vista" por Vv es slo
RC. Ntese que la fuente de medicin Vv es slo "virtual", es decir, fsicamente no existe ni es
necesaria, entonces
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida.
Z o = RC (3.53)
Fig.3.28c. Circuito equivalente para obtener la impedancia de salida, Zo.
Ejercicio 3.12: repetir el desarrollo anterior s RE10.

Resp.:
AV= vo /vin = RL/[r+(+1)RE1]
Zin= vin/iin= RB||r
AI= io/iin= AVZin/RL= RCRBr/{(RL + RC)[r +(+1)RE1]( RB+r)}
Z o = RC
Ejemplo 3.11: Para el amplificador EC de la fig. 3.28a dado que:

RS=500 R1=10k R2=5k VCC=15V
RE2=1k (RE1=0) RC =1k RL=2k =100 VBEQ=0.7V
Determine ICQ, VCEQ y r.
Solucin:
Reemplazando
ICQ=4.12mA
VCEQ =6.72V
r=VT/ICQ = 631
Ejercicio 3.13: repetir el ejemplo anterior s =300.
Resp.:
AV=109, AV0=164 (RL ), Zin=1185, AI=64.5
AP=7030, Z0=1k v0(t)= 76.7sen(t) [mV]
102
3.13 Seguidor de Emisor (configuracin colector comn).
El circuito de la configuracin seguidor de Emisor se muestra en la fig. 3.29a, R1, R2, y RE

componen la red de polarizacin. Ntese que RC no es necesario en este circuito. El anlisis de este
circuito es muy similar al del Emisor comn.
Figura 3.29 a) Configuracin Seguidor de Emisor.
Sean RL= RE ||RL y RB= R1||R2
Ganancia de voltaje, AV:
Del circuito equivalente de la fig. 3.29b, se tiene

v0= RL(+1)ib
Fig. 3.29 b) Circuito equivalente a frecuencias medias, Seguidor de Emisor.
y en la entrada
vin= rib + RL(+1)ib (3.54)
Luego, la ganancia de voltaje es
AV = RL(+1)/[r + RL(+1)] (3.55)
103
Ntese que en esta configuracin la ganancia de voltaje AV es menor a la unidad. Algunas veces
un amplificador con una ganancia menor a la unidad puede ser til debido a que tiene una ganancia
de corriente elevada.
Impedancia de entrada, Zin.
La impedancia de entrada es la impedancia "vista" por los terminales de entrada.

Es decir,
Zin= vin/iin= RB||rbase (3.56)
Donde rbase= vb /ib= r + RL(+1) (de la ec. vin= vb =rib + RL(+1)ib)
Impedancia de salida, Zo
La impedancia de salida es la impedancia "vista" por los terminales de carga con las entradas
anuladas (equivalente Thevenin.) Esta situacin es mostrada en la fig.3.29c. En este caso al anular
la fuente de entrada VS=0, no implica que la corriente de entrada sea nula, esto se puede ver al
plantear las ecuaciones en la fig. 3.29c.
Zo= Vv /iv |con Vs=0 : impedancia de salida. (3.57)
Se necesita relacionar Vv con iv. Para esto se puede plantear una LCK en el nodo de emisor, luego:
ib + ib + iv =Vv/RE (3.58)
Fig. 3.29 c) Circuito equivalente a frecuencias medias, para obtener la Zo. Ntese que en este caso
el colector est conectado a tierra.
Si denotamos por
RS= RS||R1||R2 (3.59)
Luego, relacionando ib con vv se tiene
Vv + rib + RSib =0 (3.60)
Combinando las ecuaciones anteriores y reordenando se tiene

Zo= Vv /iv=1/[(+1)/( r+RS) + 1/RE] (3.61)
104
Ejercicio 3.13 El circuito de la fig. 3.30 se conoce como un amplificador de base comn (la
entrada es por emisor, la salida es por colector). Determine expresiones para la ganancia de voltaje,
resistencia de entrada y resistencia de salida en trminos de , r , y las resistencias.
Figura 3.30 Circuito amplificador de base comn.
Resp.: AV=v0/vin=RL/r RL=RL||RC

Zin= RE||[r/(+1)]
Z0=RC
Ejercicio 3.14 Varios transistores, del tipo npn o pnp son medidos y se determinan los siguientes
voltajes entre sus terminales denominados E, B, C. Identifique el tipo de transistor y su modo de
operacin (corte, saturacin, regin activa directa, inversa):
Dispositivo E B C Tipo (npn Modo de

# [V] [V] [V] pnp) Operacin
1 2.1 2.8 4.9
2 1.0 1.2 10.0
3 2.1 2.4 -1.1
4 2.2 1.4 1.9
5 1.8 1.4 -8.9
6 0.6 1.4 0.9
Resp.: 1: npn, activa; 2: npn, corte; 3: pnp, corte; 4: pnp, saturacin; 5:

pnp, corte (pero casi activa); 6: npn, saturacin.
105
Ejercicio 3.15 Para los dispositivos y situaciones descritos en la siguiente tabla, complete la tabla.
La lnea "a" se da completa a manera de ejemplo.
Dispositivo IC IB IE
# mA mA mA
a 10 0.1 10.1 0.99 100
b 1 50
c 2.0 0.98
d 0.01 0.995
e 110.0 10
f 0.001 1000
Para completar la tabla, es necesario suponer que los transistores estn en la regin activa directa?
Justifique.
Ntese que los transistores como el f) estn construidos con bases muy delgadas en orden de
obtener un alto , pero tienen un voltaje de ruptura inversa reducida.
Resp.: b: 0.02, 1.02, 0.98; c: 1.96, 0.04, 49; d: 1.99, 2.00, 199; e: 100, 10, 0.909; f:
1, 1.001, 0.999.
Ejercicio 3.16 Encuentre los valores de las resistencias RC y

RB si el punto de operacin es IC=6mA y VCE=4V.
=200 y VBE=0.7V
Resp.: RC =1k RB=310k
Figura 3.31
Ejercicio 3.17 Determine los valores de las resistencias

RC y RE si la pendiente de la recta de carga de continua
es igual a 0.334103 [S], y la pendiente de la recta de
carga de alterna es 0.5103 [S]. Calcule la cada de
voltaje a travs del transistor VCE si el voltaje de
alimentacin es 20V y la corriente de base es IB=500 A.
=100 RB1=17k RB2=7k.
Resp.: RE =1k RC=2k VCE=5V
Figura 3.32
106
Ejercicio 3.18 Para el amplificador de 3 etapas mostrado en la figura encuentre la expresin para
la ganancia de voltaje AV y de corrriente AI en trminos de los componentes del circuito. Suponga
que cada transistor puede ser modelado por el equivalente simple mostrado.
RS= R1= R2= RL=1k, gm=0.4 [S] y Ri=1.25k
Figura 3.33
Resp.: AV= gm3RL(R3||Ri)(R2||Ri)(R1Ri/[R1RS+(R1+RS)Ri ] = 19.75106

AI= 03R2R3/[(R2+ Ri) (R3+ Ri)]= 2.47104 donde 0=gmRi
107
3.14 Concepto de recta de carga en continua y alterna.
En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el

punto de operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de
entrada y salida c) la ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
Figura 3.34 Amplificador para

ejemplificar las rectas de carga
Para el desarrollo de este problema se har uso de Mathcad como una forma de automatizar las
respuestas y utilizar un software de ingeniera.
RC := 4300 RE := 1500 Vcc := 12 := 100 VBE:= 0.7

R1 := 30000 R2 := 10000 RL := 100000
R1 R2 3
Rth := Rth = 7.5 10 := = 0.99
R1 + R2 +1
Vcc
Vth := R2 Vth = 3
R1 + R2
Vth VBE 5
IBq := IBq = 1.447 10 ICq := IBq
Rth + ( + 1) RE
3
ICq = 1.447 10
VCEq := Vcc ICq RC +

RE
VCEq = 3.588

Recta de carga de entrada (Continua):
= + + ( + 1)
108
Figura 3.35 Recta de carga en continua para la entrada.
Recta de carga de salida (Continua): Vcc := IC RC +

RE
+ VCE

Figura 3.36 Recta de carga de continua para la salida.
109
Anlisis en Alterna:
0.026 3
hie := hie = 1.797 10
ICq
1 3
RCL := RCL = 4.123 10
1 1
+
RC RL
RCL Rth hie 3
Av := Av = 229.373 Zin := Zin = 1.45 10
hie Rth + hie
Zin Av
AI := AI = 3.326
RL
Ap := AI Av Ap = 762.827
Recta de carga en alterna:

vce = RCL ic recta de carga de alterna ejes vce ic ( RC L = RC R L )
( vCE VCEQ ) = RCL (iC I CQ ) (vCE =VCEQ + vce ; iC =ICQ + ic )
(vCE VCEQ )
iC = I CQ recta de carga de alterna ejes vCE iC
RCL
La excursin simtrica mxima se puede determinar a partir del punto de operacin y observando
las variables vCE iC
En este ejemplo, del modelo en alterna se observa que vce=v0

De la recta de carga de alterna se observa que:
vCE puede variar entre (3.74-0.2)=3.54 hasta (9.5-3.74)=5.76
la menor de estas diferencias es 3.54, es decir la mxima seal de salida simtrica es de
3.54V=v0max
(es lo mismo que vCEmax =vcemax + VCEQ =v0max + VCEQ=3.54+3.74=7.28V)
v0 v0max 3.54
Dado que vin = vin max = = = 15mV dado que
Av Av 229
vin R + Zin R + Zin v0
vS = iin RS + vin = ( ) RS + vin = ( S )vin = ( S )
Zin Zin Zin Av
vSmax=26.1mV (terico, naturalmente, que pueden haber discrepancias con lo prctico,
especialmente porque en la teora se asume que la caractersticas estticas son homogneas
independientemente del punto de operacin)
Se ha realizado una simulacin considerando el voltaje de entrada vs=10, 20 y 30 mV. Ntidamente

se ve que hay distorsin para 20 y 30mV en la fuente de entrada. Slo la entrada de 10mV no sufre
ninguna distorsin, obsrvese el espectro armnico ms abajo. Incluso, la seal de salida tiene una
componente continua cuando la entrada es de 30mV.
110
Figura 3.37 Voltaje CE y de salida para diferentes amplitudes en la seal de entrada.
Figura 3.38 Anlisis armnico del voltaje CE y de salida.
Se puede observar que al aumentar, sobre un lmite, el voltaje de entrada el circuito se satura
provocando distorsin en la seal de salida. Por esto existe un voltaje mximo de entrada que
provoca la mxima excursin simtrica a la salida, es decir, mantiene al amplificador operando en
su zona lineal.
111
4 CAPTULO 4 Transistores de Efecto de Campo (FET)
4.1 Introduccin.
Los Transistores de Efecto de Campo (FET) son dispositivos importantes que, al igual que
los BJT, son tiles en amplificadores y circuitos lgicos. En este captulo se describen las
caractersticas externas de varios tipos de FETs, el desarrollo de modelos para circuitos de
polarizacin, y los modelos de pequea seal. Finalmente, se estudian varias aplicaciones de los
FETs en circuitos amplificadores.
4.2 El Transistor de Efecto de Campo de Unin canaln (JFETn).

La estructura fsica de un JFETn es mostrada en la fig. 4.1a, y su smbolo circuital en la
fig. 4.1b. (La estructura mostrada en la fig. 4.1a ha sido simplificada para claridad). El dispositivo
consiste de un canal semiconductor tipo n con contactos hmicos (no rectificadores) en cada
terminal. Estos contactos son llamados el drain y el source. A los costados del canal hay regiones
tipo p conectadas elctricamente entre ellas y al terminal de gate.
Figura 4.1 JFET canaln (JFETn) (a) Estructura fsica simplificada. (b) Smbolo circuital.
La unin pn entre el gate y el canal es un contacto rectificador similar a la unin pn de los

diodos. En casi todas las aplicaciones, la unin entre el gate y el canal es polarizada inversa, de
esta manera virtualmente no fluye corriente en el terminal de gate. (Hay que tener presente que el
lado p es negativo con respecto al lado n durante la polarizacin inversa de una unin pn.) Por
esto el gate es negativo con respecto al canal en operacin normal de un JFETn.
La aplicacin de voltaje de polarizacin inverso entre gate y canal hace que una capa del
canal prximo al gate llegue a ser no-conductiva. Esta es llamada la capa o regin de deplexin.
Al aumentar la polarizacin inversa, la regin de deplexin se hace ms ancha. Eventualmente, la
capa de deplexin (no conductiva) se extiende completamente a travs del canal, y entonces se dice
que se lleg al estrangulamiento (pinch-off). Esto se ilustra en la fig. 4.2. Note que el rea de la
trayectoria conductiva entre drain y source depende de la magnitud de la polarizacin inversa entre
gate y canal. Por esto, la resistencia entre drain y source depende de la polarizacin entre gate y
canal.
112
El voltaje de estrangulamiento VP de un dispositivo dado es el valor de la polarizacin gate a canal
necesario para extender la regin de deplexin completamente a travs del canal. Tpicamente, es
de unos pocos volts en magnitud y es negativo para dispositivos de canal n.
Figura 4.2 La regin de deplexin (no conductiva) se hace ms gruesa mientras se aumenta la
polarizacin inversa entre gate y source.
En la operacin normal de un dispositivo tipo n, se aplica un voltaje positivo entre drain y

source. La corriente fluye hacia el drain, a travs del canal, y sale del source, debido a que la
resistencia del canal depende del voltaje gate a source, la cantidad de corriente de drain que fluye
es controlada por el voltaje gatesource, vGS.
4.3 Curvas caractersticas del JFET de canal N (JFETn).
Un circuito para el estudio detallado de las curvas caractersticas del JFET se muestra en la
fig. 4.3. Primero, supongamos que vGS es cero. Luego, mientras vDS se aumenta, iD aumenta como
se muestra en la fig. 4.4. El canal es una barra de material conductivo con contactos hmicos en
los terminales exactamente igual al tipo de construccin utilizado en los resistores ordinarios.
Por esto, iD es proporcional a vDS para pequeos valores de vDS .
Figura 4.3 Circuito utilizado para determinar las caractersticas de drain de un JFETn.
113
Sin embargo, para valores ms grandes de vDS , la corriente de drain se incrementa ms y
ms lentamente. Esto se debe a que el terminal del canal ms cercano al drain est polarizado
inverso por el voltaje vDS. A medida que vDS aumenta, la capa de deplexin se hace ms ancha,
haciendo que el canal tenga una resistencia ms alta, como se ilustra en la fig. 4.5. Despus que se
alcanza el voltaje de estrangulamiento, la corriente de drain se mantiene aproximadamente
constante para aumentos adicionales en vDS.
El flujo de corriente produce una cada de voltaje a lo largo del canal (particularmente en
el terminal de drain, donde el canal es muy angosto). As el voltaje entre el canal y el gate vara a
lo largo del canal. En el terminal de drain del canal, la polarizacin de la unin gate a canal es
vGD=vGS vDS. En el terminal del source del canal, la polarizacin gate a canal es vGS. Esta es la
razn para el adelgazamiento del espesor de la regin de deplexin mostrado en la fig. 4.5.
Figura 4.4 Corriente de drain (iD) versus voltaje drain-source (vDS) cuando el voltaje entre gate-source
(vGS) es cero.
Figura 4.5 JFETn para vGS=0. (a) El canal se hace ms angosto a medida que vDS aumenta. (b) La
corriente (iD) est restringida a una banda muy angosta, para vDS >|VP|.
114
Una familia completa de caractersticas de drain de un JFET a pequea seal es mostrada
en la fig. 4.6. Para valores negativos de vGS , la unin gate-canal est polarizada inversa an con
vDS = 0. As la resistencia inicial del canal es ms alta. Esto es evidente en la fig. 4.6 debido a que
la pendiente inicial de las curvas es ms pequea para valores de vGS ms cercanos al voltaje de
estrangulamiento (VP). Por esto, para pequeos valores vDS , el FET se comporta como una
resistencia entre drain y source. Adems, el valor de la resistencia la controla vGS. Si vGS es menor
que el voltaje de estrangulamiento, la resistencia llega a ser un circuito abierto, y en este caso se
dice que est en corte.
Como en el caso con vGS=0, la corriente de drain para otros valores de vGS eventualmente
llega a ser constante cuando vDS es elevado, debido al estrangulamiento en el terminal drain del
canal. La regin donde la corriente de drain es constante es llamada la regin de saturacin o regin
de estrangulamiento. (Esta es una seleccin desafortunada de terminologa debido a que la regin
de saturacin en un BJT es cercana al eje de corriente. La regin de saturacin del FET corresponde
a la regin activa del BJT). La regin para la cual iD depende de vGS es llamada la regin Lineal o
la regin Triodo del FET. Estas regiones son indicadas en la fig. 4.6.
Figura 4.6 Caractersticas tpicas de drain de un FET de canal N.
4.3.1 Regin de Corte.
Un FET canal n est en corte si se cumple que:

vGS < VP (4.1)
En la regin de corte, la corriente de drain es cero,
iD = 0 (4.2)
115
4.3.2 Regin Triodo.
Un FET canal n est en la regin Triodo si se cumple que:

vGS > VP (4.3)
y adems s
vGD= vGS vDS > VP (4.4)
En la regin Triodo, la corriente de drain es dada por

iD = K[2(vGS VP)vDS vDS2 ] (4.5)
La constante K tiene unidades de corriente por volt2 [A/V2]. El estudio de esta ecuacin para un
valor fijo de vGS muestra que esta describe una parbola que pasa por el origen del plano iD vGS.
Ms an, el pice de la parbola est en el lmite entre la regin de Triodo y Saturacin.
4.3.3 Regin de Saturacin o Estrangulamiento (pinchoff).
Un FET canal n est en la regin de Saturacin s

vGS > VP (4.6)
y s
vGD= vGS vDS < VP (4.7)
En la regin de Saturacin, la corriente de drain es dada por

iD = K(vGS VP)2 (4.8)
Est caracterstica se indica en la fig. 4.7.
Figura 4.7 Caracterstica de iD versus vGS en la regin de saturacin para un JFETn.
116
4.3.4 Lmite entre las regiones de Triodo y Saturacin.
La ecuacin que determina los lmites entre la regin de Triodo y de saturacin en el plano
iD vDS se puede derivar considerando que como vGD=VP define los lmites entre las regiones, se
necesita encontrar iD en trminos de vDS bajo la condicin que vGD=VP. Ya que vGD= vGS vDS, la
condicin de los lmites es dada por
vGS vDS= vGD= VP (4.9)
Resolviendo esta ecuacin para vGS , sustituyendo en la ec. (4.8), y reduciendo, tenemos que la
ecuacin para el lmite es
iD= KvDS2 (4.10)
Resolviendo la ecuacin (4.9) para vDS y sustituyendo en la ec. (4.5) tambin se encuentra la ec.
(4.10). Note que los lmites entre la regin de Triodo y la de Saturacin es una parbola, la cual es
mostrada en lnea segmentada en la fig. 4.6.
4.3.5 Corriente de saturacin con polarizacin nula (IDSS).
La corriente de drain en la regin de saturacin para vGS=0 se denota como IDSS y

generalmente es especificada por el fabricante en la hoja de datos del dispositivo. Sustituyendo
vGS=0 en la ecuacin (4.2), se encuentra que
IDSS= KVP2 (4.11)
Es decir,
K= IDSS/ VP2 (4.12)
Luego, si se conocen los valores de IDSS y VP, entonces se pueden determinar las
caractersticas estticas del JFET.
Ejemplo 4.1 Un JFETn tiene IDSS =18mA y VP=3V. Dibuje las caractersticas iDvDS y de iDvGS.
Solucin:
De la ecuacin 4.12 encontramos el valor de K,
K=2 [mA/V2]
Luego la ecuacin (4.10) da el lmite entre la regin de Triodo y la de saturacin. De esta manera
se tiene,
iD= 2vDS2
donde iD est en mA y vDS en V. El dibujo de est ecuacin est con lnea segmentada en la fig.
4.8.
A partir de la ecuacin (4.8) se pueden calcular las corrientes de drain en la regin de

saturacin para cada uno de los valores de inters de vGS. De este modo,
iD = K(vGS VP)2
117
Tabulando los resultados se tiene:
vGS [V] iD [mA]
0 18
1 8
2 2
3 0
Estos valores son vlidos en la regin de saturacin como se muestra en la fig. 4.8.
Figura 4.8 Caractersticas iDvDS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V.
118
Figura 4.9 Caractersticas iDvGS del JFETn con IDSS =18mA y VP=3V.
4.3.6 Ruptura.
Las ecuaciones estudiadas no modelan algunos efectos del dispositivo. Un ejemplo de estos
efectos ocurre si la polarizacin inversa entre gate y canal llega a ser demasiado grande entonces
la unin experimenta ruptura inversa y la corriente de drain aumenta muy rpidamente.
Generalmente, la mayor polarizacin inversa est en el terminal de drain del canal, as la ruptura
ocurre cuando vDG excede la magnitud del voltaje de ruptura VB. Como vDG= vDS - vGS , la ruptura
ocurre a valores ms pequeos de vDS cuando vGS toma valores cercanos al estrangulamiento. Esto
se ilustra en la fig. 4.10. Naturalmente se debe evitar operar el JFET en la regin de ruptura.
Figura 4.10 Si vGD excede el voltaje de ruptura VB la corriente de drain se incrementa rpidamente.
119
4.4 MOSFETs (Metal oxide Semiconductor FET).
Otra importante clase de dispositivos es el Transistor de Efecto de campo de metal-xido-

semiconductor (MOSFET). Existen dos tipos, conocidos como los MOSFETs de deplexin y de
mejoramiento (enhancement). Otro nombre para estos dispositivos es Transistores de efecto de
campo de compuerta aislada (IGFET).
4.4.1 MOSFET de deplexin.
El MOSFET de deplexin tiene caractersticas de salida casi idnticas a las del JFET, pero
su construccin es algo diferente Fig. 4.11a. Un delgado canal de semiconductor tipon,
generalmente silicio, conecta el source y drain. Sobre el canal hay una capa de material aislante tal
como dixido de silicio. Sobre el aislante hay una capa de metal (Aluminio o silicio policristalino)
que forma el gate. La regin p es llamada el sustrato o el cuerpo.
Generalmente, el cuerpo es conectado a un voltaje negativo de magnitud suficiente para que

la unin pn entre el canal y el cuerpo este polarizada inversa en todo instante y no circule corriente
en el terminal del sustrato. (A menudo, esto se realiza mediante la conexin del cuerpo al terminal
source.) El smbolo circuital para un MOSFET de deplexin de canaln es mostrado en la fig.
4.11b.
La principal diferencia entre el JFETn y el MOSFETn de deplexin es el hecho que el

MOSFET puede ser controlado con valores positivos de vGS. (Esto no es realizado usualmente con
el JFET porque resultara en polarizacin directa de la unin gatecanal.) Las caractersticas de
salida del MOSFETn de deplexin son cercanamente idnticas a las del JFETn, por esto, las
ecuaciones que fueron obtenidas para el JFETn tambin se aplican al MOSFETn de deplexin.
(a) (b)
Figura 4.11 MOSFETn de deplexin. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital.
120
4.4.2 MOSFET de Mejoramiento (Enhancement MOSFET).
Como se muestra en la fig. 4.12a, el MOSFET de mejoramiento est construido en una

manera muy similar a la del MOSFET de deplexin. La diferencia es que con cero voltaje
gatesource, el dispositivo de mejoramiento no tiene un canal de material tipo n entre el drain y
source. Con vGS=0, hay dos uniones p-n entre el drain y source. La corriente no puede fluir en
ninguna direccin debido a que una u otra de las uniones podra estar inversamente polarizada. Sin
embargo, si el gate es polarizado lo suficientemente positivo con respecto al source, los electrones
son atrados a la regin bajo el gate, y un canal tipo n es creado. Entonces la operacin del MOSFET
de mejoramiento es muy parecido al de deplexin.
No hay flujo de corriente en el canal n del dispositivo de mejoramiento para vGS menor que
un cierto valor positivo conocido como el voltaje umbral, el cual es denotado como Vth. La
ecuacin que se obtuvo para la corriente de drain del JFET se aplica al MOSFET de mejoramiento
si el voltaje de estrangulamiento VP (negativo) es reemplazado por el voltaje umbral Vth (positivo).
(a) (b)
Figura 4.12 MOSFETn de mejoramiento. a) Estructura fsica. b) Smbolo circuital
La fig. 4.13 muestra la corriente de drain versus vGS para los tres tipos de FETs de canal n.
Note que el parmetro IDSS, el cual es til para caracterizar los JFETs y MOSFETs de deplexin,
no se aplican para MOSFET de mejoramiento. Para un MOSFET de mejoramiento, los valores de
K y Vth son necesarios para su caracterizacin.
121
(a) (b) (c)
Figura 4.13 Corriente de drain versus vGS en la regin de saturacin para dispositivos de canal n.
Ejemplo 4.2 Un MOSFET de mejoramiento y canal n tiene un voltaje umbral Vth=2V y

K=0.2mA/V2. Dibuje iD versus vGS en la regin de saturacin. Tambin dibuje las caractersticas
de drain para vGS = Vth, 4, 8 y 12V, con vDS variando entre 0 y 20 V.
Solucin: el dispositivo est en corte para vGS <Vth. Entonces,
iD =0 para vGS = Vth=2V
En la regin de saturacin, la corriente de drain es dada por la ecuacin (4.8) (con VP reemplazada
por Vth).
iD = K(vGS Vth)2= 0.2(vGS 2)2
Evaluando se tiene:
vGS [V] iD [mA]
2 0
4 0.8
8 7.2
12 20
La grfica de iD versus vGS se muestra en la fig. 4.14.
122
Figura 4.14 Caracterstica iD versus vGS del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo.
Para dibujar las caractersticas de drain, primero se obtiene los lmites entre las regiones de
Triodo y saturacin usando la ec. (4.10), es decir
iD= KvDS2 =0.2 vDS2
La cual es dibujada con lnea segmentada en la fig. 4.15.
En la regin de saturacin, la corriente de drain es constante (es decir, independiente de

vDS). De esta manera se pueden graficar los valores tabulados para cada valor de vGS como se
muestra en la fig. 4.15.
En la regin de Triodo, se aplica la ecuacin 4.5 (reemplazando VP por Vth)
iD = K[2(vGS Vth) vDS vDS2 ]
123
Figura 4.15 Caracterstica de drain del MOSFETn de mejoramiento del ejemplo.
Ejercicio 4.1: Un MOSFETp de mejoramiento tiene Vth=4V. Cul es la regin de operacin

(lineal, saturacin, o corte) s: a) vGS=5V y vDS=5V; b) vGS=3V y vDS=5V; c) vGS=7V y
vDS=6V.
Resp.: a) saturacin; b) corte; c) saturacin.
Ejercicio 4.2: Un MOSFETp de mejoramiento tiene Vth=4V. S iD=10mA para vGS=7V y

vDS=10V. Determine K para este dispositivo.
Resp.: K=1.11mA/V2.
124
4.5 Los circuitos de Polarizacin.
El anlisis de amplificadores es realizado en dos etapas. Primero, se analiza el circuito en

continua para determinar el punto de operacin Q. En este anlisis, se utilizan las ecuaciones no
lineales o las curvas caractersticas del dispositivo. Luego, completado el anlisis en continua, se
utiliza un circuito equivalente lineal de pequea seal para encontrar los parmetros del
amplificador.
4.5.1 Polarizacin fija.
En la fig. 4.16 se muestra un circuito de

polarizacin fija, aqu como la corriente de gate es casi
nula, IG 0, entonces al plantear LVK en la malla de gate,
se obtiene:
VGSQ=Vgg (4.13)
Luego, la corriente de drain queda determinada,

IDQ = K(VGSQ VP)2 = IDSS(1 VGSQ /VP)2 (4.14)
Es decir, el punto de operacin IDQ (VGSQ) queda

directamente definido con el valor de la fuente Vgg.
Figura 4.16 Circuito de polarizacin fija JFET-n.
A pesar de la sencillez, la polarizacin con dos

fuentes no es prctica, generalmente se dispone de una
sola fuente.
Sin embargo, un problema ms significativo es que los parmetros del JFET varan
considerablemente de un dispositivo a otro. Para un tipo de JFET, el IDSS puede variar en una
relacin de 5:1. Adems, el voltaje de estrangulamiento VP es diferente de dispositivo a dispositivo.
Como se ilustra en la fig. 4.17, pueden existir variaciones extremas de los parmetros an
en JFETs del mismo fabricante y denominacin. El rango de variacin mostrado es tpico. Se
observa que si el VGSQ fuera el mismo para todos los dispositivos, se obtiene una considerable
variacin en IDQ (IDQ=IDQ2 IDQ1). Por esto, el circuito de polarizacin fija no es adecuado para
polarizar un JFET. Un circuito de polarizacin ms prctico es mostrado en la fig. 4.18,
denominado circuito de autopolarizacin.
125
Figura 4.17 Caracterstica iDvGS de dispositivos de la misma denominacin con variaciones extremas
entre sus parmetros. La polarizacin con un VGSQ fijo resulta en grandes variaciones de IDQ.
Ejemplo 4.3: el transistor 2N4221 tiene IDSS=5mA y VP=3.5V, para el circuito de polarizacin
fija de la fig. 4.16 determine el valor de Vgg para que el transistor tenga una IDQ=1mA. Si Vdd=12V
y Rd=5k, calcule VDSQ.
Solucin:
Despejando de la ecuacin (4.8) se tiene que,

VGSQ = [1 ( IDQ/IDSS) ]VP= 1.935 [V]
Planteando LVK en la malla de drain,

Vdd= IDQRd + VDSQ
Luego,
VDSQ=12 1mA5k=7V
Con estos resultados se puede decir que los puntos de operacin en las caractersticas del JFET
son:
En la caracterstica iD vDS IDQ=1mA, VDSQ = 7V
En la caracterstica iD vGS IDQ=1mA, VGSQ = 1.935V
126
4.5.2 Circuito de Autopolarizacin (self bias).
En este circuito generalmente la resistencia Rg es de un
valor elevado (varios megaohms) de tal manera que el
voltaje de polarizacin en el terminal de gate es el de
tierra (nulo). Adems, la corriente que circula en el gate
es muy pequea (1 nA menos) luego, la cada de
voltaje a travs de Rg es despreciable.
A menudo es necesario incluir Rg en el circuito

de manera que las seales alternas a ser amplificadas
puedan ser aplicadas al gate a travs de un condensador
de acoplamiento. En algunos circuitos amplificadores,
las seales no son aplicadas al gate, y entonces Rg puede
Figura 4.18 Circuito de autopolarizacin, JFET-n.
ser reemplazada por un cortocircuito (alambre).
La resistencia Rd se requiere cuando se quiere obtener una seal amplificada desde el

terminal de drain. Esto no sera posible si el drain fuera conectado directamente a la fuente de
alimentacin Vdd. Sin embargo, en algunos circuitos, la salida es tomada desde el terminal source,
y en este caso Rd puede ser nula (coci).
Anlisis del circuito de Autopolarizacin:
Planteando LVK a travs de la malla de gate, se tiene
IGRg +VGS + IDRs = 0 (4.15)
Pero como, IG 0 entonces,
VGS = IDRs (4.16)
Si se grafica esta ecuacin en las caractersticas de dispositivos con variaciones extremas

de sus parmetros tenemos la fig. 4.19. El punto de operacin es la interseccin de la recta de
polarizacin (o de carga) y las curvas caractersticas del dispositivo. Ntese que VGSQ es ms
pequea en magnitud para el dispositivo de baja corriente (VGSQ1) que para el de alta corriente
(VGSQ2). De esta manera, el circuito de autopolarizacin ajusta VGSQ para compensar los cambios
en el dispositivo, resultando en menores variaciones en IDQ (IDQ) comparadas al circuito de
polarizacin fija (fig. 4.17).
Las curvas del dispositivo mostradas en la fig. 4.19 son vlidas slo si el dispositivo opera
en la regin de saturacin. Generalmente, en circuitos amplificadores con JFET es deseable la
operacin en la regin de saturacin. Sin embargo, se debe comprobar que VDSQ es lo
suficientemente grande para que opere en esta regin, antes de aceptar los resultados basados en
este anlisis.
127
Figura 4.19 Anlisis grfico del circuito de auto-polarizacin. Las variaciones de parmetros entre
dispositivo y dispositivo son mucho menores que para el caso de polarizacin fija.
Ejemplo 4.4 Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP=
3.5V (JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA. Utilice
valores estndares de resistencias con 10% de tolerancia.
Solucin:
Se deben especificar los valores de Rg y Rs. El valor de Rg no es crtico en lo referido a la
polarizacin, sin embargo un valor desde cero hasta 10M es razonable. Generalmente, no se
disea un circuito de polarizacin sin alguna idea acerca de las especificaciones de alterna, las
cuales daran una indicacin para elegir valores adecuados de Rg. Sin esta informacin,
arbitrariamente podemos elegir Rg=1M.
La constante K para este JFET (ec. 4.12) es:

K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q
deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
Sustituyendo los valores y resolviendo, se encuentra

VGSQ= (IDQ/K) VP = 2.4748 3.5
Es decir,
VGSQ1= 2.4748 3.5= 5.9748, este valor se descarta, ya que es menor que VP.
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que se encuentra dentro del
rango [ VP , 0 ].
128
Tambin en el punto Q se debe satisfacer la ecuacin (4.16):
VGSQ = IDQRs

Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
Por lo general, el punto Q de un amplificador no es crtico, y resultados satisfactorios se

obtienen utilizando el resistor estndar ms cercano. En este caso, considerando resistores de 10%
de tolerancia se utiliza Rs =390.
Ejemplo 4.5. Analizar el circuito anterior utilizando la resistencia estndar. Repetir el anlisis
utilizando un dispositivo con alta corriente que tiene IDSS=10mA y VP= 7V.
Solucin:
Primero, del ejemplo anterior tenemos IDSS=5mA, VP= 3.5V (K=0.4082mA/V2), Rd=2.2k,
Vdd=20V y el valor de la resistencia estndar encontrado es Rs=390. Como
VGSQ = IDQRs
y como el JFET opera en la regin de saturacin, entonces el punto Q est relacionado con la
ecuacin 4.8.
IDQ = K(VGSQ VP)2
Combinando las ecuaciones anteriores, tenemos

VGSQ = K(VGSQ VP)2Rs
Reordenando se obtiene,
VGSQ2+ [(1/ RsK) 2VP]VGSQ + VP2=0
Reemplazando los valores, se tiene la ecuacin de 2 grado

VGSQ2+ 13.281VGSQ + 12.25=0
cuyas races son VGSQ1 =0.997 y VGSQ2 =12.283. Sin embargo, VGSQ2 no es posible debido a que
el transistor estara en corte con este voltaje (VGSQ2 < VP). Por esto, la raz significativa es VGSQ1
=0.997. Sustituyendo en la ec. 4.16, tenemos IDQ=VGSQ1/Rs=2.556mA.
Finalmente, se encuentra que

VDSQ=Vdd RdIDQ RsIDQ=13.38V
Antes de aceptar estos resultados, se deberan revisar para asegurarse que el transistor est
en la regin de saturacin como se asumi.
En efecto, con vGS=VGSQ=0.997V, el transistor est en saturacin mientras vDS
(VDSQ=13.38V) es mayor que vGS VP=2.503V. Por esto el transistor est efectivamente en la
regin de saturacin.
129
Repitiendo los clculos para el transistor de alta corriente,
K=IDSS/VP2=10mA/(7)2=0.2041 mA/V2 , luego se llega a la siguiente ecuacin,
VGSQ2+ 26.563VGSQ + 49=0
cuyas races son VGSQ1=1.994V y VGSQ2=24.568V. Donde se descarta VGSQ2.

Luego, IDQ=VGSQ1/Rs=5.113mA y VDSQ=Vdd(Rd+Rs)IDQ=6.757V. Revisando, se cumple que
VDSQ > VGSQ VP , por lo que tambin se encuentra en saturacin.
Se puede observar que la variacin de corriente al utilizar dos dispositivos con variaciones
extremas entre sus parmetros es IDQ=5.1132.556=2.557mA. Ahora, como el circuito fue
diseado para un IDQ=2.5mA se puede afirmar que al utilizar el resistor estndar ms cercano a
nuestro valor de diseo hay un error de (2.5562.5)/2.5=+2.24% del IDQ. Y al utilizar un transistor
con variacin extrema de parmetros el error en la corriente de polarizacin es de
(5.1132.5)/2.5=+104.52% de IDQ, es decir, la variacin en IDQ es de ms del doble.
Tabla 4.1 Tabulacin de los resultados del ejemplo 4.4 y 4.5.
Resumen Situacin Original Utilizando Rs estndar y Utilizando Rs estndar y

FET de baja corriente FET de alta corriente
Parmetros FET IDSS=5mA y VP=3.5V IDSS=5mA y VP=3.5V IDSS=10mA y VP=7V
Valor de Rs, 410 390 390
VGSQ , V 1.025 0.997 1.994
IDQ , mA 2.5 2.556 5.113
% de IDQ 0.0 2.24% 104.52%
Ejercicio 4.3: Un circuito de autopolarizacin es utilizado por un JFETn que tiene IDSS=16mA,
VP= 4V. Si Rg=100k, Rd=1k, Vdd=20V, y la polarizacin de corriente debe ser IDQ 5mA.
Determinar los valores estndar con tolerancia de 5% para el Rs con el que se consiguen mejor las
especificaciones dadas.
Resp.: Rs=353 y el valor ms cercano con tolerancia del 5% es 360.
Ejercicio 4.4: Un circuito de autopolarizacin tiene Rg=1M, Rd=4.7k, Rs=3.9k y Vdd=20V.

El transistor es un JFETn que tiene IDSS=16mA, VP= 4V. Determinar IDQ y VDSQ.
Resp.: IDQ 0.797mA VDSQ 13.1V
Ejercicio 4.5: Encuentre el valor ms grande de Rd que puede ser usado en el circuito anterior si
el transistor permanece en la regin de saturacin.
Resp.: Rdmax 20.1k
130
4.5.3 Circuito de Polarizacin fija y Autopolarizacin ( por divisor de voltaje)
El circuito de autopolarizacin tiene un desempeo aceptable en mantener un IDQ fijo de

dispositivo a dispositivo, pero algunas veces se necesita un desempeo mejor. El circuito de
polarizacin fija ms autopolarizacin de la fig. 4.20a provee una solucin.
Para propsitos de anlisis, se reemplaza el circuito de gate por su equivalente de Thevenin,

como se muestra en la fig. 4.20b. El voltaje Thevenin es
Vgg=VddR2/(R1+R2) (4.17)
y la resistencia Thevenin Rg es la combinacin del paralelo de R1 y R2. Planteando LVK a travs
de la malla de gate de la fig. 4.20b, obtenemos
Vgg=vGS + RsiD (4.18)
Ahora, como el voltaje a travs de Rg es cero (Ig0) y considerando que el transistor est en la
zona de saturacin, tenemos
iD = K(vGSQ VP)2 (4.19)
Combinando las ecuaciones 4.18 y 4.19, y resolviendo se obtiene el punto de operacin (siempre
que este dentro de la regin de saturacin). La tensin vDS se encuentra planteando LVK a travs
del circuito de drain.
vDS =Vdd (Rd+Rs)iD
Figura 4.20 Circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. a) Circuito original.

b) Circuito de polarizacin de gate reemplazado por su equivalente Thevenin.
La fig. 4.21 muestra la solucin grfica de las ec. 4.18 y 4.19. Ntese que valores altos de Vgg
resulta en pequeas variaciones de IDQ para dispositivos con variaciones extremas de sus
parmetros. Ya que valores altos de Vgg hacen que la recta de polarizacin (ec. 4.18) sea ms
horizontal. (Tambin se puede observar que Vgg=0 corresponde al circuito de autopolarizacin).
Sin embargo, Vgg no se debe elegir demasiado alto ya que esto eleva la cada de voltaje en Rs, y
voltaje suficiente debe repartirse en vDS y Rd.
131
Figura 4.21 Solucin grfica para el circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin. Ntese que para
dispositivos con variaciones extremas de sus parmetros, las variaciones en IDQ son ms independientes
del dispositivo si Vgg es grande.
Ejemplo 4.6: Disee un circuito de polarizacin fija ms autopolarizacin para el JFET del
ejemplo 4.4, el cual tiene: IDSS=5mA y VP= 3.5V (JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El
circuito debe tener IDQ=2.5mA. Disee para Vgg5V.
Solucin:
Se deben especificar R1, R2, y Rs. Como Vgg5V es especificado y Vdd=20V, entonces
Vgg=20R2/(R1+R2)=5V
Luego, escogiendo un valor estndar para R2, por ejemplo R2=1M R1=3M
Esta eleccin es algo arbitraria. En algunos casos las especificaciones de alterna pueden forzar una
eleccin particular. A menos que exista algn motivo para elegir resistencias pequeas, se prefiere
seleccionar resistencias de valores elevados debido a que consumen menos.
Como K=IDSS/VP2=0.4082mA/V2
VGSQ= 1.0252V
Para este punto Q se debe satisfacer la ec. 4.18, de tal manera que
Vgg=VGSQ + RsIDQ
5= 1.0252 +Rs2.5m
Rs=2410 , cuyo valor estndar de 10% de tolerancia es Rs=2.2k.
Ejemplo 4.7 Analizar el circuito diseado en el ejemplo anterior (utilizando la resistencia estndar
ms cercana a nuestro valor de diseo). Repetir el anlisis para un dispositivo de alta corriente que
tiene IDSS=10mA y VP= 7V.
Solucin:
Del ejemplo anterior
132
K=0.4082mA/V2 , VP=3.5V, Vdd=20V, Rd=2.2k, Rs=2.2k (resistencia estndar ms
cercana a nuestro valor de diseo)
El punto Q debe satisfacer las ecuaciones 4.18 y 4.19. Resolviendo ambas ecuaciones:
Vgg=VGSQ + RsID
ID = K(VGSQ VP)2
Reemplazando y ordenando,
VGSQ2 + [ 1/(RsK) 2VP]VGSQ + VP2 Vgg/(RsK)=0
Sustituyendo los valores y utilizando la resistencia estndar (Caso a), tenemos
VGSQa2 + 8.113VGSQa + 6.683=0
Resolviendo,
VGSQ1a=0.930V y VGSQ2a=7.183V. La segunda raz se descarta. Luego
IDQa = K(VGSQ1a VP)2 = 2.696mA
Resolviendo para VDSQ

VDSQa =Vdd (Rd+Rs)IDQa=8.14V
el cual es lo suficientemente alto como para asegurar que la operacin est en saturacin.
Si se repiten los clculos para otro transistor (Caso b) (con variacin extrema de
parmetros), se encuentra
K=0.2041mA/V2, IDSS=10mA y VP= 7V; Rd=2.2k, Rs=2.2k, Vdd=20V
VGSQb2 + 16.227VGSQb + 37.865=0
Resolviendo,
VGSQ1b=2.825V y VGSQ2b=13.400V. La segunda raz se descarta. Luego
IDQb = K(VGSQ1b VP)2 = 3.558mA
VDSQb =Vdd (Rd+Rs)IDQb=4.345V (VDSQb > VGSQb VP=4.175) por lo que efectivamente est en
saturacin).
Se puede observar que la variacin de corriente al utilizar dos dispositivos con variaciones
extremas entre sus parmetros es IDQ= IDQb IDQa=3.5582.696=0.862mA.
Ahora, como el circuito fue diseado para un IDQ=2.5mA se puede afirmar que al utilizar el
resistor estndar ms cercano a nuestro valor de diseo (Caso a) hay un error de
(2.6962.5)/2.5=+7.84% del IDQ. Y al utilizar un transistor con variacin extrema de parmetros
(Caso b) la variacin % en la corriente de polarizacin aumenta a (3.5582.5)/2.5=+42.32% de
IDQ, es decir, la variacin en IDQ es menos de la mitad.
133
Tabla 4.2 Tabulacin de los resultados del ejemplo 4.6 y 4.7.
Situacin Original Utilizando Rs estndar y Utilizando Rs estndar y

FET de baja corriente FET de alta corriente
(caso a) (caso b)
Parmetros FET IDSS=5mA y VP=3.5V IDSS=5mA y VP=3.5V IDSS=10mA y VP=7V
Valor de Rs, 2410 2200 2200
VGSQ , V 1.025 0.930 2.825
IDQ , mA 2.5 2.696 3.558
% de IDQ 0.0 7.68% 42.32%
Como se puede observar, la variacin ms grande en IDQ es del orden del 42% en la
polarizacin por divisor de tensin. Sin embargo, en la autopolarizacin la variacin ms grande
en IDQ es del orden de 104%. Con este ejemplo se puede visualizar que el circuito de polarizacin
por divisor de voltaje mantiene una corriente de drain aproximadamente constante.
Ejercicio 4.6: Disee un circuito de polarizacin para un MOSFET de mejoramiento que tiene
Vth=4V y K=103 A/V2. La fuente de alimentacin es Vdd=15V. Se desea el punto Q en VDSQ5V e
IDQ5mA. El circuito a utilizar debe ser uno en que la salida se obtiene en el terminal de drain.
Resp.: Circuito por divisor de tensin, s se elige R1+R2=1.5M, R1=380k y R2=1.12M.
Rd no puede ser cero, porque la salida es por drain, se elige Rd=Rs=1k.
Ejercicio 4.7: En el ejercicio anterior, a) determine IDQ y VDSQ. b) Repita para un MOSFET de
mejoramiento que tiene Vth=5V y K=2 mA/V2.
Resp.: a) IDQ =4.87mA, VDSQ =5.27V; b) IDQ =4.56mA, VDSQ =5.87V.
Ejercicio 4.8: Un MOSFET de mejoramiento tiene Vth=2V y K=2 mA/V2. El circuito de

polarizacin por divisor de tensin tiene Vdd=20V, R1=R2=1M, Rs=2.2k, y Rd=1k.
Determine IDQ y VDSQ.
Resp.: IDQ =3.07mA, VDSQ =10.2V
Ejercicio 4.9: Determine el mayor valor de Rd que puede ser utilizado en el ejercicio anterior para
que el MOSFET permanezca en saturacin. Considere que R1 y R2 permanecen fijos.
Resp.: Rdmax=3.91k.
134
4.6 Circuito equivalente de pequea seal del FET.
En las secciones anteriores, se han considerado los circuitos de polarizacin para FET. Ahora se
consideraran las relaciones entre las seales de corrientes y voltajes para pequeos cambios en
torno al punto Q.
Para aplicaciones en amplificadores, el FET est polarizado en la regin de saturacin, y en

este caso la ecuacin (4.8) relaciona la corriente de drain con el voltaje gate-source
iD= K(vGS VP)2
Expresando est ecuacin en trminos de sus componentes en continua y alterna, es decir,

como iD = IDQ + id(t), vGS = VGSQ +vgs(t), tenemos
IDQ + id(t) = K(VGSQ +vgs(t) VP)2 (4.20)

= K(VGSQ VP)2 + 2K(VGSQ VP)vgs(t) + K v2gs(t) (4.21)
Pero en el punto Q tambin se cumple la ec. 4.8, es decir

IDQ= K(VGSQ VP)2 (4.22)
Por esto, reemplazando en la ec. 4.21 y reordenando resulta,

id(t) = 2K(VGSQ VP)vgs(t) + K v2gs(t) (4.21a)
Ahora, para el anlisis de pequea seal es vlido suponer que

| vgs(t) |<<| VGSQ VP |.
Con estos cambios, la ec. (4.21a) queda:

id(t) = 2K(VGSQ VP)vgs(t) (4.23)
Se define la transconductancia del FET como:

gm= 2K(VGSQ VP) (4.24)
Entonces la ec. 4.23 se puede escribir como

id(t) = gmvgs(t) (4.25)
La corriente del gate para el FET es despreciable, luego

ig(t) =0 (4.26)
Las ecuaciones 4.25 y 4.26 pueden ser representadas por el circuito equivalente de pequea seal
mostrado en la fig. 4.22. De esta manera el FET es modelado mediante una fuente controlada de
corriente conectada entre los terminales de drain y source.
135
Figura 4.22 Circuito equivalente de pequea seal del FET.
Resolviendo la ec. (4.22) para la cantidad (VGSQ VP) y sustituyendo en la ec. 4.24,
gm = 2 K IDQ (4.27)
Entonces si usamos la ec. 4.12 para sustituir K, tenemos

I DSS I DQ
gm = 2 (4.28)
VP
Esta es una frmula conveniente para calcular la transconductancia de un JFET o MOSFET de

deplexin en un punto Q determinado.
4.7 Circuito equivalente ms completo.
Algunas veces, se requiere un modelo ms completo para el FET. Por ejemplo, para
considerar la respuesta en alta frecuencia se incluye pequeas capacitancias entre los terminales
del dispositivo. Las ecuaciones del dispositivo y el circuito equivalente que se derivan slo
describen el comportamiento esttico del dispositivo. Para corrientes y voltajes de alta frecuencia,
se requieren capacitancias adicionales para un modelo preciso.
Ms an, las ecuaciones de primer orden encontradas para el FET no incluyen un trmino
para considerar el pequeo efecto de vDS en la corriente de drain. Anteriormente, se ha considerado
que las caractersticas de drain son horizontales en la regin de saturacin, pero esto no es exacto,
la caracterstica de drain tiene una ligera pendiente con el incremento en vDS. Si se quiere considerar
el efecto de vDS en el circuito equivalente de pequea seal se puede considerar el siguiente
desarrollo: Dado que la corriente de Drain es una funcin del voltaje gatesource, vGS, y del voltaje
drainsource, vDS, utilizando una aproximacin de primer orden se tiene:
iD=f(vGS, vDS)
iD iD
iD = vGS + vDS (4.29)
vGS VDS
vDS VGS
para pequea seal iD = id , vGS = vdgs , y vDS= vds , luego:

136
1
id = gm vgs + vds (4.30)
rd
donde:
iD iD id
gm = =
vGS VDS
vGS VDS
vgs : transconductancia (o conductancia mutua) (4.31)
vds =0
vDS vDS vds

rd = :resistencia de drain. (4.32)
iD VGS
iD VGS
id vgs = 0
Se define el factor de amplificacin para el FET como:

vDS vDS vds
= (4.33)
vGS ID
vGS ID
vgs id = 0
S en la ec. (4.30) hacemos id=0

vds/vgs= gmrd
luego
= gmrd (4.34)
La ec. (4.30) aplicada a un dispositivo de tres terminales como el FET define el equivalente
circuital mostrado en la fig. 4.23.
Figura 4.23 Circuito equivalente de pequea seal que considera la dependencia de la corriente
id del voltaje vDS.
4.8 Transconductancia y resistencia de drain.
En la ec. (4.30), ntese que si vds= 0, gm es la razn de id y vgs. Es decir

id
gm = (4.35)
v gs v =0
ds
Sin embargo, id , vgs , y vds representan pequeos cambios en torno al punto Q. Por esto, la
condicin vds=0 es equivalente a que vDS sea constante en el punto Q, VDSQ. Luego
137
iD
gm (4.36)
vGS v =V
DS DSQ
donde iD es un incremento de la corriente de drain centrada en el punto Q. Similarmente, vGS es

un incremento del voltaje gate-source centrado en el punto Q.
La ecuacin 4.36 es una aproximacin a una derivada parcial. Por esto, una definicin
alternativa de gm es la derivada parcial de iD con respecto a vGS, evaluada en el punto Q.
iD
gm = (4.37)
vGS punto Q
Similarmente, se puede aproximar el recproco de la resistencia de drain por

1 iD
(4.38)
rd v DS v = V
GS GSQ
Por esto la definicin de rd es

1 iD
= (4.39)
rd vDS puntoQ
Dadas las caractersticas de drain, se pueden aproximar valores de las derivadas parciales.
Luego se puede modelar el FET por un circuito equivalente de pequea seal en el anlisis de un
circuito amplificador.
Ejemplo 4.8: Dadas las caractersticas de drain del transistor 2N4222A determine los valores
aproximados de gm y rd en el punto Q definido por VGSQ= 0.5 y VDSQ=10V.
Solucin:
Localizando el punto Q en la fig. 4.24, evaluamos gm.
iD
gm
vGS v =V
DS DSQ
Es decir, se debe hacer un cambio en el punto Q mientras se mantiene vDS constante. Por esto, el
cambio incremental se hace a lo largo de una lnea vertical a travs del punto Q.
Para obtener un valor representativo de gm, consideramos un incremento centrado en el punto Q.

Tomando los cambios partiendo desde la curva bajo el punto Q y terminando en la curva sobre el
punto Q, tenemos iD7.698 4.404=3.294mA y vGS=0 (1)=1V. Entonces
iD 3.294 mA
gm = =3.294mS
vGS v =V 1V
DS DSQ
138
Figura 4.24 Determinacin de gm y rd para el transistor 2N42222A en el punto Q dado por VGSQ=0.5V
y VDSQ=10V.
La resistencia de drain se determina aplicando la ec. 4.38

1 iD

rd v DS v = V
GS GSQ
Como el cambio incremental se debe efectuar mientras vGS se mantiene constante, los
cambios son hechos a lo largo de la curva caracterstica a travs del punto Q. Luego 1/rd es la
pendiente de la curva a travs del punto Q. Para vGS=VGSQ=0.5V, se obtiene iD 6mA cuando
vDS=12.08V, e iD 5.85mA a vDS =7V . Luego
1 iD 6 5.85 015
. mA
= = =0.02953mS
rd v DS v = V 12.08 7 5.08V
GS GSQ
Es decir, rd=33.87k
Ejercicio 4.10: Determine los valores aproximados de gm y rd en el punto Q definido por

VGSQ=1.0V y VDSQ=5V en la caracterstica del transistor 2N4222A de la fig. 4.24.
Resp.:
gm =2.77mS y rd =44.44 k
139
4.9 Anlisis del Circuito equivalente de pequea seal.
4.9.1 Amplificador de Source-comn ( fuente comn).
El diagrama de un circuito amplificador de source-comn es mostrado en la fig. 4.25. La

seal alterna a ser amplificada es suministrada por vf. Los condensadores de acoplamiento C1 y C2
al igual que el condensador de desacoplamiento CS tienen una muy baja impedancia a la frecuencia
de la seal alterna. En esta seccin, se realiza un anlisis a frecuencias medias del amplificador, en
el cual los condensadores son cortocircuitos a la frecuencia de la seal.
Figura 4.25 Amplificador source-comn fuente comn.
A Circuito equivalente de Pequea seal.
El circuito equivalente de pequea seal se muestra en la fig. 4.26. Los condensadores han
sido reemplazados por cortocircuitos. El FET ha sido reemplazado por su equivalente de pequea
seal.
Figura 4.26 Equivalente de pequea seal para el amplificador sourcecomn a frecuencias medias.
Ganancia de voltaje:
1
Sea RL= rd ||RD ||RL =
1 / rd + 1 / RD + 1 / RL
Entonces, el voltaje de salida es
vo = (gm vgs)RL (4.40)
140
Del circuito se observa que
vin =vgs (4.41)
Luego, la ganancia de voltaje es
AV= v0/vin = gmRL (4.42)
El signo menos indica que el amplificador de source-comn invierte la seal de entrada.
Resistencia de Entrada.
La resistencia de entrada Rin es dada por
Rin= vin/iin= RG (4.43)
La resistencia RG forma parte de la red de polarizacin, pero su valor no es crtico. Valores

prcticos se encuentran en el rango entre 1 y 10M en circuitos con componentes discretos. Esto
implica que se tiene un grado de libertad en el diseo de la resistencia de entrada de un amplificador
de source-comn. Obviamente, esto no es verdadero para amplificadores con BJT.
Resistencia de Salida.
Para encontrar la resistencia de salida de un amplificador se debe desconectar la carga, y

eliminar las fuentes independientes y enseguida "medir" la resistencia "vista" por los terminales de
salida. Este circuito equivalente se muestra en la fig. 4.27.
Figura 4.27 Circuito utilizado para "medir" la impedancia de salida.
Debido a que no hay fuente conectada al lado de la entrada del circuito, se tiene que vgs=0,
luego id= gm vgs=0, por lo tanto
Zo= vv /iv = rd||RD (4.44)
Ejemplo 4.9 Determine el gm para un circuito source-comn como el de la fig. 4.25, donde RD
=2.7k, RG =1M, R=100k, RL=10k, y vf(t)=0.1sen(2000t) [V]. IDSS= 8mA, VP= 2V,
rd=, e IDQ=2mA. Considere VDD=15V.
Solucin:
I DSS I DQ
gm = 2 = 4mA/V
VP
141
Ejercicio 4.11: Determine la ganancia de voltaje del amplificador de la fig. 4.25 s RL es
reemplazada por un circuito abierto.
Resp.: AV0=10.8
Ejercicio 4.12: Determine el valor de RS para el circuito del ejemplo 4.9.

Resp.: RS=500
Ejercicio 4.13: Determine la ganancia de voltaje del amplificador de la fig. 4.25 s RL es

reemplazada por un circuito abierto.
Resp.: AV0=10.8
4.9.2 Amplificador Seguidor de Source ( drain comn).
El circuito amplificador con FET seguidor de source source comn se muestra en la fig.
4.28. La seal a ser amplificada la suministra la fuente Vf, que tiene una resistencia interna R.
Mediante el condensador de acoplamiento C1 se acopla la seal al gate del FET. El condensador
C2 conecta la carga al terminal source del FET. (En el anlisis a frecuencias medias se considera
que los condensadores de acoplamiento se comportan como cortocircuitos.) La resistencia RS
provee una trayectoria para la corriente continua que fluye del terminal source del FET.
Figura 4.28 Amplificador Seguidor de source.
La resistencia RG provee una trayectoria para la corriente de fuga del gate. Una razn para utilizar
un seguidor de source es para obtener una alta impedancia de entrada, y debera elegirse un alto
valor para RG. Las resistencias ms grande disponibles estn en el orden de los 10 M. An con
estos valores de resistencia, la cada de voltaje continuo generalmente es despreciable, de manera
que se considera que el voltaje gatesource es nulo. Como un resultado, el valor de la corriente de
polarizacin es IDQ=IDSS. Debido a que IDSS tiene considerables variaciones entre dispositivos, la
corriente de polarizacin de este circuito no est bien controlada. (Esta situacin puede ser
corregida conectando RG a tierra, pero esto produce un reduccin significativa de la resistencia de
entrada.)
142
Circuito equivalente de Pequea seal.
El circuito equivalente de pequea seal del amplificador seguidor de source se muestra en

la fig. 4.29.
Figura 4.29 Equivalente de alterna del circuito seguidor de fuente (Sourcefollower).
Ganancia de voltaje.
Del circuito de la fig. 4.29 se observa que rd, RS y RL estn en paralelo. Luego s,
RL= rd||RS||RL (4.45)
La corriente de entrada iin debe fluir a travs de RG. Por esto, la corriente que fluye a travs de
RL es iin + gmvgs. Por esto,
v0 = RL ( iin + gmvgs) (4.46)
Tambin se puede escribir la siguiente ecuacin en la malla del FET

vin = vgs + v0 (4.47)
Finalmente, el voltaje en RG es,

vgs = RGiin (4.48)
Combinando las ecuaciones anteriores, se tiene

v0 = RL ( iin + gmRGiin) (4.49)
y vin = RGiin + RL (1 + gmRG)iin (4.50)
Dividiendo estas ecuaciones

AV= v0 /vin = RL (1 + gmRG)/[RG + RL (1 + gmRG)] (4.51)
De esta expresin, se tiene que la ganancia de voltaje es positiva y menor que 1. Sin embargo, en
la mayora de los circuitos es slo ligeramente menor a la unidad.
143
Resistencia de entrada.
La resistencia de entrada puede ser encontrada de la ecuacin (4.50) se tiene Rin,

Rin = vin/iin= RG + RL (1 + gmRG) (4.52)
De aqu se observa que la resistencia de entrada puede ser muy grande comparada a RG.
Resistencia de salida.
Para determinar la impedancia de salida se tiene el circuito de la fig. 4.30.
Figura 4.30 Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida.
Planteando las LCK y LVK se tiene:
Zo= vv /iv = 1/[1/RS + 1/rd +1/( RG + R)+ gmRG /( RG + R) ] (4.53)
Este valor es muy bajo, y esta es otra razn para utilizar un seguidor de source.
Ejercicicio 4.14: Dados los FETs que se indican, complete la siguiente tabla:
Dispositivo Canal Vt vS vG vD Modo (Regin)

# Tipo [V] [V] [V]
a n 1 0 3 2.1
b n 2 -2 2 -0.1
c p -2 0 -1 -3.0
d p -1 2 0 -1.0
e 2 -3 0 saturacin
f -2 3 0 -1.0
g -2 3 -3.0 corte
Resp.: a: saturacin; b: triodo; c: corte; d: saturacin; e: canal n, -2V; f:
canal p, saturacin; canal p, 1 V.
144
Ejercicicio 4.15: Un MOSFET de deplexin canaln con K=1mA/V2, y Vt=4V es operado bajo
diversas condiciones de operacin como se establece parcialmente en la tabla. Complete la tabla.
# vS vG vGS vD vDS Modo iD

[V] [V] [V] [V] [V] operacin [mA]
a 0 -4 5
b 0 -2 3 saturacin
c 0 0 5
d 0 0 2
e 0 +1 5 25
f 0 +2 5 triodo
g 0 +2 0
h 0 +2 0 triodo
Resp.: a: -4V, 5V, corte, 0 mA; b: -2V, 3V, 4mA; c: 0V, 5V, saturacin, 16mA; d: 0V, 2V, triodo,
12mA, e: -1V, 4V, lmite de saturacin; f: 2V, 5V, 35mA; g: 2V, 0V, triodo, 20mA; h:
-2V, 2V, 20mA.
Ejercicicio 4.16 Los parmetros de un JFET son IDSS=7.5mA, VP=

4V. Debe ser polarizado a ID=2mA, VDS=6V con el circuito
mostrado. Determine los valores de RD y RS para completar el diseo
cuando VDD=20V.
Figura 4.31
Resp.: RS=967.5 RD=6.033k
Ejercicicio 4.17 La corriente de salida de una fuente de corriente con

FET puede ser ajustada mediante una resistencia R en el terminal de
Source como se indica en el circuito. Si el JFET tiene los siguientes
parmetros: IDSS=5mA, VP= 2.5V. Determine:
a) El valor del resistor para obtener ID=2mA.
b) El valor del resistor para obtener ID=3mA. Figura 4.32
Resp.: a) R=459.4 R=182.8k
145
Ejercicicio 4.18 Dados dos JFET-n con parmetros IDSS=6mA,
VP= 2.5V. Determine VDS1, VDS2, e ID2 para el circuito indicado.
Resp.: VDS1=10.675V VDS2=10.675V ID2=1.325mA
Figura 4.33
Ejercicicio 4.19 Usando el modelo del FET de baja frecuencia mostrado en la fig. 4.34a. Derive y
compare la ganancia de voltaje y la resistencia de salida para las configuraciones de amplificadores
mostradas en las fig. 4.34 b y c.
Figura 4.34
Resp.: circuito b) AV=(1+ )RL/(RL+rd) donde =gmrd R0= rd+ (+1) RG
circuito c) AV=RL/[(+1)RL+rd ] R0= rd /(+1)
146
Ejercicicio 4.20 Disee un amplificador Mosfet de una etapa como el mostrado que tenga una
ganancia de voltaje de 8, y las condiciones del punto Q son IDQ=5mA, VDSQ=5V. Los parmteros
del transistor son IDSS=8mA, VP= 3V y rd=12k. Considere que todos los condensadores son muy
grandes.
Figura 4.35
Resp.: RD=2.91k RS=1.09k RG1=2.34M RG2=560k
Ejercicicio 4.21 Dado el circuito de divisin de voltaje que se

indica y con un Mosfet con: IDSS=4mA, VP= 2V. Cul es la
magnitud del voltaje de entrada que produce 1V a la salida?
Resp.: Vi= 1.293V
Figura 4.36
Ejercicicio 4.22 Determine la ganancia de voltaje para el circuito que se indica. Los transistores
son descritos por los siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el punto Q se obtuvo:
ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k y en el punto Q
IDQ=2mA, VDSQ=14V
Figura 4.37 Circuito multietapa
147
Resp: AV= (hfeRC/RX)( gmR1||RX||rd)=( 25.78)( 0.985)=25.4
donde RX=hie+(hfe+1)RC
Desarrollo:
Primero se reemplazan los equivalentes de cada dispositivo en el circuito, y el circuito queda de
la siguiente manera:
Reordenando el circuito:
148
V0 = ib ( RC )
rd R1
VRd1 = ( ib gmVi ) Rd1 donde Rd1 =
rd + R1
Despejando Vi de la ecuacin:
1 VRd1
Vi = ib R
gm d1
Pero V Rd1 tambin es:
VRd1 = ( +1) ib RE + ib hie = ib ( +1) RE + hie
y el voltaje de entrada Vi queda:
1 ib ( + 1) RE + hie ib ( + 1) RE + hie
Vi = ib + = 1 +
gm Rd 1 g m Rd 1
Finalmente el la ganancia de voltaje es:

Vo ib ( RC ) gm RC Rd1
Av = = =
Vi ib ( + 1) RE + hie Rd1 + ( + 1) RE + hie
1 +
gm Rd1
rd R1
Donde : Rd1 = = 500
rd + R1
Reemplazando los valores se obtiene:
Vo g m RC Rd1 2m 150 5.6k 500

Av = = = = 25.22
Vi Rd1 + ( + 1) RE + hie 500 + 151 200 + 2.6k
Nota: en los ejercicios resueltos de pruebas anteriores se da una solucin un poco diferente.
149
5 CAPTULO 5 Amplificadores Operacionales y Comparadores
a. Introduccin.
El amplificador operacional es uno de los dispositivos electrnicos integrados ms verstiles que
se utilizan en la rama de la electrnica. Se puede considerar una clula fundamental de los sistemas
electrnicos. Es robusto, barato, accesible y muy poderoso.
5.2 Modelo del amplificador de Voltaje
R0
ii
i0
+ + +
Ri Avovi RL v0
vS vi _ _
Amplificador de Voltaje
Figura 5.1 Modelo circuital de primer orden del amplificador de voltaje
Parmetros del Amplificador de Voltaje

Avo: ganancia de circuito abierto.
R0: resistencia de salida
Ri: resistencia de entrada
La ganancia del amplificador cuando se le conecta una carga RL es:

v0 Av 0 vi 1 Av 0
Av = = RL =
vi R0 + RL vi (1 + R0 RL )
Ntese que si R0 0 RL entonces Av Av0.
Por otro lado, su ganancia de corriente es:

i v R R Av 0
Ai = 0 = 0 L = Av i = Ri
ii vi Ri RL ( RL + R0 )
y su ganancia de potencia es:
P0 v0 i0 2 R
AP = = = Av Ai = ( Av ) i
Pi vi ii RL
Tambin la ganancia de voltaje total del sistema es:

v0 Av 0 vi 1 Av 0 1
AvT = = RL =
vS R0 + RL vS (1 + R0 RL ) ( RS Ri + 1)
RS
donde vS = ii RS + vi = ( + 1)vi
Ri
150
Ntese, que cuando R0 0 RL y cuando RS 0 Ri entonces AvT Av0.
Por esto, se considera que un amplificador de voltaje es ideal cuando Ri y cuando R0 0
Ejem: Una fuente de voltaje de 1mV rms con una resistencia interna de 1M, es conectada a un
amplificador de voltaje que tiene una ganancia de circuito abierto de 104, una resistencia de entrada
de 2M, y una resistencia de salida de 2. La resistencia de carga es de 8. Encuentre la ganancia
del amplificador, total del sistema, de corriente y de potencia.
Desarrollo:
Avo=104
R0 =2, Ri =1M
RL=8 y RS=1M
v Av 0
Av = 0 = = 8000
vi (1 + R0 RL )
v0 Av 0 1
AvT = = =5333
vS (1 + R0 RL ) ( RS Ri + 1)
i0 Av 0
Ai = = Ri =2109
ii ( RL + R0 )
AP=161012
De dnde proviene la energa extra disponible en la salida?

Resp.: de la(s) fuente(s) que alimentan al amplificador.
5.3 Amplificador Diferencial

Ahora consideraremos amplificadores que tienen dos fuentes de entradas.
Amplificador
v0=Ad(vi1-vi2)
Diferencial
vi1
vi2
Figura 5.2 Diagrama en bloque amplificador diferencial.
151
En un Amplificador diferencial se tiene que :
v0(t)=Ad [vi1(t)-vi2(t)]
= Ad vi1(t)- Ad vi2(t)
Ntese que la ganancia es positiva para el voltaje aplicado al terminal 1 y negativa para el voltaje
aplicado al terminal 2. Por esto, el terminal 2 se llama entrada inversora, y el terminal 1 es llamado
entrada no-inversora.
La diferencia entre los voltaje de entrada es conocido como la entrada diferencial vid.
vid= vi1 -vi2
Luego se puede describir la salida del amplificador diferencial como
v0(t)=Ad vid
La seal de modo comn vicm es el promedio de los voltajes de entrada y es

vicm = 12 (vi1 + vi 2 )
1
vid /2
vi1 2
vicm
vid /2
vi2
2
Figura 5.3 Equivalente del amplificador diferencial considerando la ganancia de modo diferencial y de
modo comn.
Entonces el voltaje
v0 = Ad vid + Acm vicm = v0d + v0cm

Ntese que si Acm=0 v0=Ad vid
Se define la razn de rechazo de modo comn, CMRR (common-mode rejection ratio) como:
= !
, en decibeles, $ = 20'() !
"# "#
,/0 -/0 1 -/0
*+ = ,$ -$ .1 + 1 = ,$ -$ .1 + 1
,$ -$ -$
El CMRR de un amplificador es funcin de la frecuencia, siendo ms bajo a medida que la
frecuencia es elevada. A 50Hz, un CMRR de 120dB es considerado bueno.
152
Figura 5.4 Caso tpico de existencia de voltaje de modo comn. [Hambley, 94]
Ej. Determine el mnimo CMRR que debe tener un amplificador de electrocardiografo si la

ganancia diferencial es 1000, la seal diferencial deseada es 1mV peak, la seal de modo comn
es de 100V peak a 50Hz. Se desea que la salida contenga una contribucin peak de modo comn
de 1% menos con respecto a la seal diferencial.
Desarrollo:
De la expresin v0d = Ad vid =10001mV=1V seal deseada.
Luego la seal de moco comn deber ser
v0cm = 1% de v0 d , es decir v0cm = 0.01 peak o menos
0.01
Entonces, Acm = = 10 4 = 80dB
100
1000
Luego, CMRR=20log 4 =140dB
10
5.4 Amplificador Operacional Bsico

Un AO es un amplificador diferencial de muy alta ganancia y diseado especialmente para trabajar
con realimentacin negativa.
Figura 5.5 Smbolo electrnico o esquemtico para el AO, tambin se detalla que estos AO deben estar
polarizados por fuentes externas.
153
Figura 5.6 Esquemtico y detalle conexiones del integrado en la hoja de datos del fabricante (datasheet).
En general, los amplificadores operacionales son amplificadores de alta ganancia, acoplados

directamente (en continua), con una realimentacin para controlar la caracterstica de respuesta. Se
emplea en una amplia variedad de funciones lineales (y tambin no-lineales). Tiene todas las
ventajas de un CI monoltico: pequeo tamao, alta seguridad, reducido costo, regulacin con la
T, desviacin de tensin y corriente pequea.
Figura 5.7 Diagrama esquemtico simplificado AO 741.
7.4.1 Descripcin AO 741.
El AO 741 es uno de los AO ms utilizados en electrnica, en el esquemtico de la fig. 5.7 se

muestra su circuitera simplificada, esta se compone de:
Entrada amplificador diferencial de BJT PNP (Q1,Q2)
Para obtener una alta CMRR, un espejo de corriente Q13, Q14 proporcionan la corriente de emisor
del amplificador diferencial (RE, fte. de corriente con Z0 )
154
Para obtener la ganancia de voltaje ms alta posible para el amplificador diferencial se usa una
carga espejo de corriente (Q3, Q4). (Ya que la ganancia de voltaje es A=Rc/(hfehie))
Puesto que Q3 acta como un diodo, tiene una impedancia baja, luego la carga de Q1 aparece como
un corto de ca. Q2, por otro lado, acta como una fuente de corriente pnp. Por lo tanto, en Q4
aparece una Rc equivalente alta.
La salida del amplificador diferencial (colector de Q2) excita a un seguidor de emisor (Q5). Esta
etapa eleva el nivel de la impedancia para evitar sobrecargar el amplificador diferencial. La seal
que sale de Q5 va hacia Q6, el cual es un excitador de clase B.
La ltima etapa es un emisor seguridad en contratase (push-pull) de clase B (Q9 , Q10). Puesto que
la alimentacin bipolar (+Vcc, -Vee son iguales) entonces la salida sin seal idealmente es cero.
(en la realidad es distinta de cero ya que existe un voltaje de offset).
Q11 y Q12 son cargas de espejo de corriente para el excitador de clase B (carga activa).
Ntese que se usa acoplamiento directo (en continua) entre todas las etapas. Por esto no existe la
frecuencia inferior de corte. En otras palabras un AO es un amplificador de continua porque opera
desde la frecuencia cero, equivalente a continua.
Cargas activas
Existen dos ejemplos de cargas activas (transistores (hoe) en vez de resistores como carga). Hay
una carga dada por Q3 y Q4. Y otra en la etapa de excitacin (Q11, Q12). Puesto que las fuentes
tienen impedancias altas, las cargas activas producen una ganancia de voltaje mucho ms alta que
la que se puede producir con resistores. Estas cargas activas producen una ganancia de voltaje tpica
de 100,000 para el 741.
Condensador de Compensacin
Debido al efecto Millar este condensador (30pF tpicamente) tiene un fuerte efecto en la respuesta
en frecuencia. Cc es parte de una red de atraso en la base que atena la ganancia de voltaje a razn
de 20dB/dec. Esto es necesario para evitar las oscilaciones (una seal indeseada producida por el
amplificador).
5.4 Modelo, de primer orden, del Amplificador Operacional.

Un modelo bsico que satisface el funcionamiento de un AO es el de un amplificador fuente de
voltaje
Av(V2-V1)
Figura 5.8 Modelo circuital del AO, aproximacin de primer orden.
Para el caso del AO 741 se tienen los siguientes parmetros:

A=100.000 (105) Ri=2M R0=75
155
5.5 Modelo del AO Ideal
Si bien el modelo de primer orden es una aproximacin bastante efectiva, pero dado que la ganancia
es extremadamente alta, la impedancia de salida es pequea y la de entrada es extremadamente
grande. Por esto generalmente se utiliza el modelo ideal del AO. El cual tiene las siguientes
caractersticas:
1. Resistencia de entrada infinita, Ri
2. Resistencia de salida nula, R0=0
3. Ganancia de tensin, Av
4. Ancho de banda BW infinito, BW
5. Equilibrio perfecto V0=0 cuando v2=v1
6. No existe desviacin de las caractersticas con la temperatura.
Dado que la impedancia de entrada es

extremadamente elevada,
Rin i+=0, i=0
Similarmente, la ganancia es muy grande,

v0
Av vi=(v2v1)= 0
Av v0
Los terminales V+ (v2) y V- (v1) estn a

potencial cero (en esta configuracin).
tierra virtual!
Como la impedancia de salida es muy Figura 5.9 Modelo ideal del AO.
pequea,
R0=0 v0 =A0(v2v1)
Ntese que v0 es finito y est comprendido entre los valores de la fuente de polarizacin VEE
< v0 < VCC
Tambin que i0 puede tener cualquier valor y sentido. Adems, la energa extra obtenida en
la salida, proviene de las fuentes de alimentacin externas (como en las mayoras de las
notaciones VEE y VCC ).
5.5.1 Ganancia en Lazo Abierto

o Como la la ganancia A es grande (indistintamente se usa A, A0 Av ) cualquier ligera
diferencia entre las seales de entrada V+ y V produce un voltaje de salida elevado.
o sta magnitud del voltaje de salida es limitada por la(s) fuente(s) de alimentacin, VEE y
VCC.
o El voltaje de salida se satura cuando se usa el amplificador en Lazo abierto.
o Para comportarse como un amplificador lineal (sin saturacin), la diferencia entre los
voltajes de entrada debe ser muy pequea de modo que VEE < v0 < VCC. En efecto, dado
156
v0
que Av vi=(V+V)= 0, es decir, dado que la ganancia es muy grande, para
Av
que la salida sea acotada implica que la entrada es muy pequea.
5.5.2 Funcin de Transferencia EntradaSalida

o La ganancia del amplificador A operacional es elevada 104 106
o Generalmente VCC y |VEE| no son mayores a 20V.
o De este modo la regin lineal del amplificador es muy pequea en trminos del voltaje de
entrada. Slo en esta zona lineal trabaja el AO donde VCC/A y -VEE/A son muy pequeos.
En el caso del AO 741 con polarizacin de +15V y -15 V entonces la zona lineal, voltaje
de entrada al AO, estara entre 15/105=150uV y -15/105=-150uV y su salida variara entre
-15V y +15V, tal como se muestra en la fig. 5.10.
o Cuando el amplificador opera fuera de la zona lineal ya es un Amplificador Operacional,
sino que opera como un Comparador, que se vern ms adelante.
o El AO est diseado para trabajar eficientemente con realimentacin negativa (la salida se
realimenta en el terminal -), y lo hace en la zona lineal. Si se utiliza realimentacin positiva
negativa (la salida se realimenta en el terminal +), el amplificador se satura y trabaja en la
zona no-lineal, este modo particular es propio de otra familia de amplificadores conocidos
como comparadores.
-VEE/A
-VEE
Zona saturada neg. Amplificacin Zona saturada pos.

(operacin no-lineal) (operacin lineal) (operacin no-lineal)
Figura 5.10 Regiones de operacin de un amplificador.
157
5.6 Circuitos con AO ideales
El anlisis de circuitos con AO es bastante eficaz al utilizar el modelo del AO ideal. Por los motivos
que se expusieron en el punto anterior. Por ejemplo, en el circuito de la fig. 5.11 se muestra un
circuito tpico de una AO realimentado negativamente.
Figura 5.11 Circuito AO con realimentacin negativa. Amplificador Inversor.

En efecto, dado que la ganancia es muy grande y la salida finita entonces la entrada al AO debe ser
nula (V+V)=0, luego,
*3
23 =
3
Como la corriente que entra al AO es nula, la nica posibilidad es que la corriente se vaya por R2
luego
*+
23 = 24 = 5
4
Entonces, combinando estas ecuaciones
4
*+ = 5 *3
3
Es decir, este es un amplificador que invierte (en 180) la seal de entrada, por esto se le denomina
amplificador inversor. Ntese que ahora la ganancia (en lazo cerrado) es muy inferior a la de lazo
abierto (A), esto es efecto de la realimentacin negativa (que se estudiar en el captulo 6), pero
ahora la ganacia la fija el diseador.
158
Ejemplo 5.1: el circuito de la fig. 5.11 con R1=10k y R2=33k y 75k.
En este caso la ganancia ser -33/10=-3.3 y -75/10=-7.5 respectivamente.
Figura 5.12 Amplificador inversor con entrada senoidal.
Ejemplo 5.2:
V + = v0
V + = v S = v0
Por esto se le llama seguidor (follower)
o Buffer a este circuito.
Tambin, adaptador de impedancia.
Figura 5.13 Seguidor o buffer.
Este circuito es muy importante porque permite acoplar circuitos sin stress para la fuente
de seal vS.
Ejemplo 5.3:
vS
iS = v0 = i0 RL
RS
RL
v0 = vS
RS
Figura 5.14 Amplificador de voltaje no-inversor y tierra flotante.
159
Ejemplo 5.4:
ii = 0 v f = vS
R2
vf = v0 ( iR = iR )
R1 + R2 1 2
R1 + R2
v0 = vS
R2
independiente de RL!
Figura 5.15 Amplificador no-inversor.
Ejemplo 5.5
ii = 0 v f = vS
vf = if Rf ( i R = i0 = i R )
L f
v0 = i0 RL
RL
v0 = vS
Rf
Figura 5.16 Amplificador no-inversor, con tierra flotante.
Ejemplo 5.6
ii = 0 i f = iS
v f + v0 = 0 (LVK)
v0 = R f iS
Independiente de RL!
(Fuente de voltaje
controlada por corriente)
Figura 5.17Adaptador de impedancias para fuente de corriente.
160
Ejemplo 5.7
6 6 6
*+ = 5( *3 + *4 + + * )
3 4 8 8
Si 3 = 4 = 9 =. . = 8
Entonces,
6
*+ = 5 (*3 + *4 + + *8 )
3
Sumador
Figura 5.18 Sumador.
Ejemplo 5.8.
vO 2 v2
V = R1 = V+ = R4
R1 + R2 R3 + R4
R4 ( R1 + R2 )
vO2 = v2
R1 (R3 + R4 )
S R1 = R3 R2 = R4
R2
vO 2 = v2
R1
Figura 5.19 Amplificador no-inversor.
Ejemplo 5.9.
(vO v1 ) v2
V = R1 + v1 = V+ = R4
R1 + R2 R3 + R4
S R1 = R3 R2 = R4
R2
vO = (v2 v1 )
R1
Figura 5.20 Restador o amplificador diferencial.
Ejer. : Analice lo que ocurre al considerar el efecto del voltaje de modo comn.
3
*3 = *;< + 4 *$
3
*4 = *;< 5 4 *$
161
Ejemplo 5.10.
Figura 5.21 Circuito restador, con impedancia de entrada infinita.
La corriente que sube por la resistencia 2R1 es:
(*-4 5 *-3 )
43 =
23
Luego el voltaje *+4 5 *+3 = 43 (4 + 23 + 4 )
(=>? @=>A )
Entonces *+4 5 *+3 = 4BA
(23 + 24 )
Del ejemplo anterior

BC B B?
*+ = (*+4 5 *+3 )= C (1 + )(*-4 5 *-3 )
BD BD BA
Restador, con impedancia de entrada infinita.
Figura 5.22 Restador como en Sedra, 2011.
162
Ejercicio 1: determinar v0.

4
*+ = 5E ( + 1)2F
3
Figura 5.23 Cto. ejercicio 1.

*+ = 53 2F

E
*+ = 2 *
F
163

*+ = 12*F
Ver desarrollo en Prueba N2 de final

del apunte.
Ejemplo 5.11.
V _ =V +
v0
R = vS
R + ZL
v0 R + Z L
=
vS R
Figura 5.27 Amplificador no inversor, carga

flotante.
Ejemplo 5.12.
V _ =V +
(v0 vS ) R2 || Z L
vS + R1 = v0
R1 + R f R3 + R2 || Z L
R3 R f vS
Si = iL =
R2 R1 R2
Figura 5.28 Conversor de tensin a corriente

(carga aterrizada)
164
Ejemplo 5.13
dv S v
iC = C = iR = 0
dt R
dv S
v0 = R C
dt
Derivador, no se utiliza por los sobre-

voltajes que se producen en la salida debido
al ruido (o cambio brusco) del voltaje de
Figura 5.29 Derivador. $=
entrada, es decir, .
$
Ejemplo 5.14
vS
iR = = iC
R
1 t 1 vS ( )
t
v0 =
C

iC ( ) d =
C
R
d
Integrador, se utiliza intensivamente dado que

suaviza los ruidos que trae vS(t).
Figura 5.30 Integrador. Tambin se puede ver que:
v0 1
= Ganancia en continua !!
vS sR C
sin control sobre la ganancia continua,

entonces una pequea componente continua en
la entrada puede saturar la salida.
SOLUCIN: Se utiliza una resistencia de valor

elevado (Rbig) para controlar esta ganancia. Sin
embargo, ahora el circuito NO es un integrador
perfecto.
Figura 5.31Integrador con compensacin.
v0 1
= (ganancia de
vS ( sR C + R Rbig )
continua controlada, pero ya no es exactamente
un integrador)
165
Derivador
Integrador
Figura 5.32 Ejemplos de compensaciones para el Integrador y el derivador.
Ejemplo de Aplicacin.
Dado que se prefiere utilizar slo integradores debido a que los derivadores amplifican los errores
o ruidos entonces en el siguiente ejemplo se sintetiza una ecuacin integro-diferencial usando slo
integradores.
Los integradores se pueden utilizar en el concepto de computador anlogo, por ejemplo para
d 2v dv
resolver la siguiente ecuacin diferencial: 2
+ k1 + k2 v v1 = 0
dt dt
Figura 5.33 Resolucin de una ecuacin integro-diferencial usando slo integradores.
166
5.7 Respuesta en frecuencia.
Ningn sistema responde de la misma forma para diferentes frecuencias, cada sistema tiene una
respuesta en frecuencia que lo caracteriza. En el caso de los AO la respuesta en frecuencia es tal
que la ganancia en continua es mxima y despus, al ir aumentando la frecuencia, la ganancia
disminuye a causa de las capacidades parasitas que tienen los elementos constructivos del
amplificador, fig. 5.34.
Figura 5.34 Respuesta en frecuencia tpica de los amplificadores operacionales.
En la figura se indica la caracterstica de la ganancia en lazo abierto y en lazo cerrado, el principal

problema con la respuesta de frecuencia tiene que ver con la fase de la salida, porque si la fase
alcanza los 180 cuando la ganancia es mayor que 1, implica que la realimentacin negativa se
convierte en positiva lo que hace inestable al sistema, Por esto se debe compensar el
amplificador, esta compensacin es interna y en algunos casos, adems es externa. Se logra
compensar con un condensador adecuadamente ubicado de modo que el fije la frecuencia de
corte del sistema.
Condensador de
compensacin
V0
vid
Amplif. Diferencial de Amp. de Buffer de ganancia

transconductancia voltaje unitaria
Figura 5.35 Modelo circuital simplificado que muestra el condensador de compensacin.
167
5.7.1 Esquema tpico de compensacin de un AO.
Un AO se puede modelar como un amplificador de voltaje (como se estudi en el punto 5.4). Para
modelar la respuesta en frecuencia se pone un condensador que domina la respuesta en frecuencia,
como se indica en la fig. 5.36.
Figura 5.36 Modelo de respuesta en frecuencia del AO.
Utilizando el teorema de Miller podemos reducir el circuito anterior (ntese que es la ganancia
de voltaje) tambin que R=R01||Ri1
Figura 5.37 Circuito resultante donde queda fijada la frecuencia de corte.
El polo dado por C(1+) domina la respuesta del AO. En efecto la frecuencia de corte quedar
fijada en C=R C(1+)
168
Ejercicio de simulacin. En el caso del 741 Gm=0.19mA/V =529 Ri2=4M
R01=6.7M C=30pF
Al simular este circuito en Orcad pspice se muestran los resultados en la fig.5.38.
200
100
-100
Vdb(out) Vdb(out2)
0d
-100d
SEL>>
-200d
10mHz 100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
Vp(out) Vp(out2)
Frequency
Figura 5.38 Respuesta en frecuencia AO 741.
169
5.8 No idealidades del AO.
o La ganancia en lazo abierto es tan grande que podemos despreciar su impacto en la
ganancia de lazo cerrado del circuito.
o Pero una no-idealidad significativa que no podemos ignorar es la finita ganancia en lazo
abierto como una funcin de la frecuencia.
o La capacitancia parsita produce que la ganancia caiga a alta frecuencia (no se puede hacer
H infinita para ningn amplificador)
o la ganancia puede ser diseada para cambiar con la frecuencia para asegurar estabilidad
COMPENSACIN [8].
5.8.1 Respuesta en frecuencia en lazo abierto (AO 741)
Figura 5.39 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo abierto.
Figura 5.40 Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo abierto.
170
5.8.2 Respuesta en frecuencia en lazo cerrado (AO 741)
Figura 5.41 AO 741 respuesta en frecuencia en lazo cerrado.
Figura 5.42Respuesta en Magnitud y fase del AO 741 en lazo cerrado.
Se observa que al estar en lazo cerrado su ganancia disminuy desde aproximadamente 120 dB a
20dB, sin embargo, tambin se observa que el ancho de banda aumento considerablemente [9].
171
5.8.3 Razn de Rechazo de modo comn (CMRR)
Debido a las no-idealidades de los transistores, algunas pequeas cantidades de amplificacin

ocurren a causa de las seales comunes a ambas entradas. Tal como se describi en el punto 5.3.
IJ
,$ =
(IK @IL )
(
,/0 =
/0
A
Figura 5.43 Amplificadores en modo CMRR =
diferencial y comn. Acm
vid = v2 v1
v icm = ( v 2 + v1 ) 2
v0 = A vid + Acm vicm
Un CMRR tpico est entre 80-100dB a bajas frecuencias, esto est considerado como un buen
valor. Significa que la seal de modo comn afecta muy poco a la salida.
5.8.4 Corrientes y resistencias de Entrada

-hay una pequea corriente dc que fluye
hacia/desde las entradas Corriente de
polarizacin (bias C.)
Es decir, las corrientes no son exactamente nulas sino que

presentan pequeos valores de orden de los nano Amper.
-hay tambin una componente de la corriente de entrada que cambia con el voltaje de entrada (modo
comn y diferencial) resistencias de entrada
172
5.8.5 Resistencia de Entrada
Estas resistencias son generalmente muy

grandes: Rcm100M, y Rid1M (son an
mayores para tecnologa MOS) [10].
Figura 5.44 Diversas manifestaciones de las resistencias de entrada de un AO.
5.9 Aplicaciones No-lineales del Amplificador Operacional.
Figura 5.45 Seguidor y Seguidor positivo.
En el primer circuito se observa que + = F por esto se le llama seguidor o buffer (ya que le
ofrece una impedancia infinita a la seal de entrada).
En el segundo circuito + = |F |0O es decir el circuito queda en la salida con el mximo valor
positivo de la seal de entrada.
173
Ejercicio. Mostrar que la caracterstica V0-VS es la indicada [11].
V0
-R2/R1
VS
Figura 5.46 Circuito rectificador de media onda de precisin.
Figura 5.47 Circuito equivalente del ejercicio anterior.
Ejercicio. Mostrar que la caracterstica V0-VS es la indicada.
V0
Vref<0
2Vref VS
Figura 5.48 Variante del rectificador de media onda.
174
Ejercicio. Mostrar que la caracterstica V0-VS es la indicada (ntese que es el mismo circuito de la
fig. 5.46 slo que los diodos estn en el otro sentido).
V0
VS
-R2/R1
Figura 5.49 rectificador de media onda de precisin, negativo.
Rectificador Onda Completa (con dos de media onda)
V0
VS
Figura 5.50 Rectificador de onda completa de precisin.
Ntese que este rectificador de onda completa est conformado por dos de media onda (uno
positivo y el otro negativo) y con un restador.
175
Rectificador Onda Completa (con uno de media onda)
Se usa el principio que 2vS (t ) vS (t ) = vS (t ) (sumador de una salida no-lineal) si ahora la entrada
es negativa la rectificacin es cero y la diferencia es 2 0 vS (t ) = vS (t )
Figura 5.51 Rectificador de Onda completa de precisin.
v1 v01
R2Rf/R1RA1
VS VS
-R2/R1
Rf R f R2
v0 v = 0 = v01 = v1 = vS , vS>0
2
RA1 RA1 R1
v02 V0=v01+ v02
R2Rf/R1RA1 Rf/RA2
-Rf/RA2 -Rf/RA2
VS VS
Rf Rf
v0 v =0 = v02 = v2 = vS
1
RA 2 RA 2
176
Rf
Ejemplo: para un rectificador de pendientes 1 se puede hacer = 1 y la otra pendiente
RA 2
R2 R f Rf Rf R2
=1 entonces si =1 =2
R1 R A1 RA 2 RA1 R1
Rectificador de onda completa con desplazamiento.
V0
-1 VS
Vref
Figura 5.52 Rectificador de onda completa con desplazamiento.
Rectificador de media onda negativo.

El diodo conduce cuando V+ tiende a ser
negativa y no conduce cuando V+ es
positiva.
Cuando vS<0, D conduce y V+=0 (diodo
ideal)
La tensin en la entrada inversora es
V0
V _ = Ra
Ra + R f
Como V+ = V =0 v0=0
Figura 5.53 rectificador de media onda.
Cuando vS>0, D=OFF y se tiene
Vs V0
V + = Rx y en la entrada no inversora V _ = Ra
Rx + R1 Ra + R f
Igualando (V+ = V)
V0 =
(1 + R f Ra ) RxVS
=
(1 + R f Ra ) VS
R1 + Rx (1 + R1 Rx )
Resumiendo,
0 , VS > 0

V0 = (1 + R f Ra )VS rectificador
,VS < 0
(1 + R1 Rx )
177
5.10 Comparadores
Es una especie de AO diseado especialmente para trabajar con realimentacin positiva.

Un AO se puede utilizar como comparador lento. Sin embargo, un comparador NO se puede utilizar
como AO.
V0 V0
A VOH
VOL
VS VS
-A
Salida Simtrica Salida Asimtrica
Figura 5.54 Esquemtico del Comparador con las salidas posibles.
Ganancia LM111 200000 (2105) tpica.

Tienen respuestas temporales finitas
200ns (LM111)
Y hay con tiempos de respuestas de unos pocos ns
Comparadores con Salidas de colector abierto: permiten versatilidad en la aplicacin. El nivel del
voltaje de salida el diseador lo puede manejar a voluntad.
Salida TTL o CMOS
Figura 5.55 Comparador con Salida de colector abierto.
178
5.10.1 Comparador con Histresis.
Son muy tiles cuando la seal a comparar viene con ruido.
V0
VH
VL VS
Figura 5.56 Comparador con histresis y su caracterstica de salida.
R1
Cuando v0 = +Vsat VR1 = VH = Vsat = Vsat ( vin < V H )
R1 + R2
Figura 5.57 Comparador con histresis, un caso prctico.
Ntese que en este caso la salida del comparador es de colector abierto por lo que el rango del
voltaje de salida no necesariamente es el mismo rango al de polarizacin.
179
5.10.2 Multivibrador Astable.
En este circuito se tiene:
t

vC (t ) = VCC (VCC + VEE )e RC
T1

VCC = VCC (VCC + VEE )e RC
Al resolver para T1, se tiene

1 + (VEE VCC )
T1 = R C ln
1
Para el intervalo T2, la salida es baja y el

Figura 5.58 Multivibrador Astable.
condensador se descarga desde el voltaje VCC
hacia el voltaje final VEE . En este caso
t'

vC (t ) = VEE + (VEE + VCC )e
' RC
Donde en t=0, vC ( t ' ) = VCC y en t=T2, vC (T2 ) = VEE es decir

T2

VEE = VEE + (VEE + VCC )e RC
1 + (VCC VEE )
Luego T2 = R C ln
1
Para un caso comn VCC = VEE y la salida representa una onda cuadrada de periodo
1+
T = T1 + T2 = 2R C ln
1
T1 T2
VCC
VCC
- VEE
-VEE
Figura 5.59 Respuesta generador Astable.
180
5.10.3 Generador triangular.
Consideremos que la salida del

comparador es VA = +VCC = + E en
t = t0 . Entonces, la corriente que
circula hacia el integrador es
E
I = , constante, por lo que la salida
R
del integrador es una rampa negativa,
Figura 5.60 Generador triangular.
1 t I
v0 (t ) = vC (t0 )
C
t0
I ( ) d =vC (t0 )
C
(t t 0 )
E
v0 (t ) = vC (t0 ) (t t0 ) (*)
R C
La tensin en el punto P (VP) del detector de umbral es, (superposicin) [3]

R1
o Si v0 = 0 vP1 (t ) = E = E
R1 + R f
Rf
o Si v A = 0 vP2 (t ) = E = E
R1 + R f
R1 Rf
Luego, v P (t ) = v P (t ) + v P (t ) = E+ E = E + E (**)
1 2
R1 + R f R1 + R f
Cuando v P pasa por cero y se transforma en negativa, la salida del comparador cambia al estado
de salida negativa y VA = VEE = E . En este momento, t=t1, vP (t1 ) = 0 , y por la ecuacin (**)
encontramos
R1
v0 (t1 ) = E
Rf
E
La corriente de alimentacin del integrador para t1 < t < t 2 , ser: y la salida del I =
R
integrador es una rampa positiva con la misma pendiente anterior. Al cabo de un tiempo t2,
R1
v0 (t2 ) = + E
Rf
El comparador vuelve a tener salida positiva y el ciclo se repite.

E
v0 (t ) = vC (t0 ) (t t 0 )
R C
Si evaluamos en
181
E T
v0 (t1 ) = vC (t0 ) (t1 t0 ) (t1 t 0 ) =
R C 2
Reemplazando:
R R E T
1 E= 1 E
Rf Rf R C 2
R1
T =4 R C
Rf
20V
0V
-20V
200us 250us 300us 350us 400us 450us 500us 550us
V(p) V(outC) V(out)
Time
Figura 5.61 Respuesta generador Triangular.
182
5.10.4 Circuito Monoestable.
Figura 5.62 Circuito Monoestable.
En estado estable:
vid = v + v = E VD1 T
VCC
VCC
VD1
- VEE
-VEE
Figura 5.63 respuesta temporal del circuito Monoestable.

VD1 ( E ) VD1 + E
i(0) = = =k
Rf Rf
t
1 t
vC (t ) = i( )d + vC (0) = (VD1 + E)(e 1) VD1
RC
C 0
VD1 RCt
= E[1 (1 + )e ]
E
T
VD1 RC
vC (T ) = E = E[1 (1 + )e ]
E
VD1
1 + E
T = R C ln
1

183
6 CAPTULO 6 Realimentacin
6.1 Introduccin.
La realimentacin o retroalimentacin consiste en devolver una parte de la salida de un
sistema a la entrada. En un amplificador con realimentacin negativa, una parte de la seal de
salida es devuelta y restada a la seal de entrada original. En la realimentacin positiva, la seal
de realimentacin es devuelta y sumada a la seal de entrada original.
Generalmente en amplificadores, la realimentacin negativa es ms til que la

realimentacin positiva. Sin embargo, la realimentacin positiva es ms til en el diseo de
osciladores. Tambin, la realimentacin es una tcnica muy til en sistemas de control.
La realimentacin negativa tiene la desventaja de reducir la ganancia de un amplificador.

Sin embargo, se obtienen muchas ventajas, tales como:
1. Estabilizacin de la ganancia. En un amplificador realimentado diseado apropiadamente, la
ganancia es casi independiente de los parmetros del dispositivo activo (tales como r, , y gm).
Al contrario, la ganancia depende casi nicamente de la red de realimentacin que es construida
con componentes pasivos estables (es decir, resistores y/o condensadores).
2. Reduccin de distorsin nolineal. Esto es particularmente beneficioso en amplificadores de
alta potencia para los cuales el punto de operacin debe variar sobre un amplio rango de las
caractersticas del dispositivo.
3. Reduccin de ciertos tipos de ruido, tales como el de las fuentes de alimentacin. Sin embargo,
existen algunos tipos de ruido que no se pueden reducir con realimentacin.
4. Control (por el diseador) de las impedancias de entrada y salida. Dependiendo de como se
utiliza la realimentacin, la impedancia de entrada se puede disminuir o aumentar. Ms an, se
puede controlar la impedancia de salida independientemente de la impedancia de entrada.
5. Aumento del ancho de banda.
A menudo, estos beneficios de la realimentacin exceden con mucho la reduccin de la

ganancia, la cual puede ser superada agregando unas etapas adicionales de amplificacin.
En el diseo del amplificador y la red de realimentacin se debe ser cuidadoso para evitar
oscilaciones, las cuales son un problema delicado cuando se aplica realimentacin.
6.2 Efecto de la realimentacin en la Ganancia.
La fig. 6.1 muestra el diagrama de bloques de un amplificador realimentado, La Fuente

suministra la seal de entrada xS a ser amplificada. (Se denotan las seales por x debido a que
pueden ser seales de voltaje o corriente). La seal de la fuente entra a un sumador en el cual la
seal realimentada xf es sustrada. La seal de la diferencia xi se aplica al amplificador, el cual
genera una seal de salida xo=A xi. La red de realimentacin "muestrea" la salida y devuelve una
porcin xf= xo a la entrada. En forma de ecuaciones tenemos:
xe= xS xf
184
xf= xo
luego, la seal de salida es
xo= Axe= A(xS xo)
Reordenando esta ecuacin, se obtiene la ganancia con realimentacin Af como

xo A
Af = = (6.1)
xS 1 + A
La ganancia Af se denomina ganancia en lazo cerrado debido a que es la ganancia con la
realimentacin operativa. Por otra parte, A es llamada la ganancia de lazo abierto debido a que es
la ganancia con la red de realimentacin abierta (desconectada). El producto A es llamado la
ganancia del lazo.
Fuente xS + xe= xS xf Amplificador xo=A xi Carga

A
xf= xo Red de
Realimentacin

Figura 6.1 Diagrama de bloques de un amplificador realimentado (Ntese que las variables x
pueden ser de voltaje o corriente).
Las ganancias A y pueden ser funciones complejas de la frecuencia, pero en este apunte
se consideran que ellas son constantes y reales. Si A y son valores positivos, el denominador de
la ec. (6.1) es mayor que la unidad, y por esto la ganancia con realimentacin Af es menor que la
ganancia A del amplificador original. Esta es la condicin para realimentacin negativa.
La ganancia A puede ser: AV (de voltaje)
AI (de corriente)
AG (de transconductancia)
AR (de transresistencia)
Tambin, debe tener unidades recprocas a la de la ganancia de modo que A es adimensional,

esto asegura que xS y xf tengan las mismas unidades.
S A es grande de tal modo que A>>1 entonces la ec. (6.1) se acerca al lmite
1
Af (6.2)

La ganancia Af se hace independiente de A. Esta caracterstica es importante ya que permite que

se especifique con precisin Af independientemente del valor exacto de A. Dado que la red de
185
realimentacin, por lo general, se fabrica a partir de elementos de circuitos pasivos estables (y
fciles de controlar). Luego, los factores que afectan a A, como las variaciones de temperatura
(T), variaciones en los parmetros de los componentes, y la no-linealidad se convierten en mucho
menos importantes para el circuito en lazo cerrado.
Tabla 6.1 Tipos bsicos de Amplificadores
Variable de Variable de Amplificador de: Ganancia

Entrada Salida
V V Voltaje AV
V I Transconductancia AG
I I Corriente AI
I V Transresistencia AR
Ejemplo 6.1: En el circuito de la fig. 6.2 se

muestra un amplificador de voltaje (A0),
realimentado por una red () compuesta de las
resistencias R1 y R2. Determinar el voltaje de
salida, considere que i12 >>ia, y que A0 es muy
grande.
Solucin:
Del circuito se tienen las siguientes ecs.:
como i12 >>ia

R1
Vf = Vout = Vout
R1 + R2 Figura 6.2 Amplificador de voltaje (A0) realimentado por una red
En la malla de entrada resistiva.
Ve = VS Vf
El amplificador entrega una salida (Vout) que es el voltaje de entrada (Ve) por la ganancia (A0)
Vout = A0 Ve = A0 ( VS Vf )= A0 ( VS Vout )
reordenando
A0
Vout = VS
1 + A0
Como A0 es muy grande
Vout 1 R1 + R2
Af = = independiente de A0 !
VS R1
186
De este resultado se puede observar que la ganancia en lazo cerrado, cuando se cumplen
ciertas condiciones, es independiente de la ganancia en lazo abierto. Esto implica que Af es
independiente a las variaciones de algunos parmetros del amplificador A0.
6.2 Topologas de Realimentacin.
Cada uno de los cuatro tipos bsicos de amplificadores, tiene su propia topologa de
realimentacin, determinada por los tipos de seales de entrada y salida [4].
Un amplificador de voltaje para el cual las seales de entrada y salida son voltajes, requiere
de mezclado de voltaje, es decir, en serie en la entrada. En la salida requiere de un muestreo de
voltaje, es decir, una muestra de tensin tomada en paralelo. Esta topologa denominada mezclado
en seriemuestra en paralelo, realimentacin de voltaje/error de tensin se indica en la fig. 6.3
6.2.1 Topologas de realimentacin de voltaje/error de tensin.
La realimentacin es de voltaje porque se toma una muestra de voltaje en la salida. El error

es de tensin porque a la entrada del amplificador el error es la diferencia de dos seales de tensin.
Tambin se denomina esta topologa como serie/paralelo ya que el error se toma de las seales en
serie, y la realimentacin o muestra se toma en paralelo en la salida.
Figura 6.3 Realimentacin de tensin/error de tensin (serie/paralelo).
187
6.2.2 Topologas de realimentacin de corriente/error de corriente.
Similarmente, un amplificador de corriente requiere muestrear la corriente de salida y su

seal de error debe ser de corriente. Es decir,
Error Corriente (se "toma" en paralelo en la entrada)
Muestra Corriente (se "toma" en serie en la salida)
Tambin se conoce como topologa paralelo/serie.
Figura 6.4 Realimentacin de corriente/error de corriente (paralelo/serie).
6.2.3 Topologas de realimentacin de tensin/error de corriente.
Figura 6.5 Realimentacin de voltaje/error de corriente (paralelo/paralelo).
188
Similarmente, en este caso
Error Corriente (se "toma" en paralelo en la entrada)
Muestra Tensin (se "toma" en paralelo en la salida)
Topologa paralelo/paralelo.
6.2.4 Topologas de realimentacin de corriente/error de tensin.
Figura 6.6 Realimentacin de corriente/error de tensin (serie/serie).
Similarmente,
Error Voltaje (se "toma" en serie en la entrada)
Muestra Corriente (se "toma" en serie en la salida)
Topologa serie/serie.
Ntese que se debe cumplir que A debe ser adimensional de modo que xS y xf tengan las mismas
unidades. Por ejemplo, si el amplificador (A) es de transconductancia, la red de realimentacin
debe ser de transresistencia de modo que se tiene xS =VS y xf=Vf.
189
6.3 Efecto de las conexiones de la realimentacin en las resistencias de puerta del
Amplificador.
6.3.1 Resistencia de entrada en la conexin con mezclado de entrada en serie.
Este es el caso de las topologas serie/paralelo y serie/serie.
En el caso serie/paralelo, (amp. de voltaje)

Vfx= vout AVvin (routA 0)
y, en el caso serie/serie, (amp. de transconductancia)
Vfx= iout AGvin (routA )
En general, se escribe para estos dos casos

VFx= Avin
Luego,
VS ienrin ienrout VFx =0
como
VFx= Avin y vin= ienrin
Entonces,
VS = ien(rin + rout +Arin)
Luego,
vS
Rin = = rout + (1+A)rin (1+A)rin , (rout<< (1+A)rin) (6.3)
ien
Es decir, con realimentacin la impedancia aumenta en un factor (1+A).
Figura 6.7 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada

para las topologas serie/paralelo y serie/serie.
190
6.3.2 Resistencia de entrada de la conexin de mezclado de entrada en paralelo.
Este es el caso de las topologas paralelo/serie y paralelo/paralelo.
En el caso, paralelo/serie (amp. de corriente)

iFx= iout = (Aiiin) ( routA )
y, en el caso, paralelo/paralelo (amp. de transresistencia)

iFx= vout (Ariin) ( routA 0)

iFx= Aiin
Luego, para calcular la impedancia de entrada, tenemos
v v v v v
iS= iin+ iF =iin + iFx + vS/rout = S + ( A iin + S ) = S + A S + S )
rin rout rin rin rout
1
v 1 + A 1 rin rin
luego Rin = S = + = ||rout (6.4)
iS rin rout 1+ A 1+ A
Es decir, con realimentacin la impedancia disminuye en un factor (1+A).
Figura 6.8 Efecto de la realimentacin en la resistencia de entrada para las topologas

paralelo/serie y paralelo/paralelo.
191
6.3.3 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en serie.
Este es el caso de las topologas paralelo/serie y serie/serie.
En el caso, paralelo/serie (amp. de corriente)

Axin = Ai(iS iF ), pero iS=0
Aiiout (rout )
y en el caso serie/serie (amp. de transconductancia)
Axin = Agvin= Ag(vS vf ), pero vS0
= Agiout (rout 0 )

Axin = Aiout
Luego, para calcular la impedancia de salida, tenemos

v ( v v iv rin )
iv = A x in + x = A iv + (iout =iv )
rout rout
vv
Rout = = rout (1 + A ) + rin rout (1 + A ) (6.5)
iv
Es decir, la impedancia de salida con realimentacin se ve aumentada en el factor (1+A).
Figura 6.9 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las

topologas paralelo/serie y serie/serie.
192
6.3.4 Resistencia de salida de la conexin con muestreo de salida en paralelo.
Este es el caso de las topologas serie/paralelo y paralelo/paralelo.
En el caso, serie/paralelo (amp. de voltaje)

Axin = AV(vS vF ), pero vS=0
AVvout (rout 0)
y en el caso paralelo/paralelo (amp. de transresistencia)
Axin = Ariin= Ar(iS if ), pero iS0
= Arvout (rout )

Axin = Avout
Luego, para calcular la impedancia de salida, tenemos
v v ( v v A x in ) v v ( v v A ( v v ))
iv = + = +
rin rout rin rout
1
v 1 + A 1 rout rout
Rout = v = + = ||rin (6.6)
iv rout rin 1+ A 1+ A
Es decir, la impedancia de salida con realimentacin se ve disminuida en el factor (1+A).
Figura 6.10 Efecto de la realimentacin en la resistencia de salida para las

topologas serie/paralelo y paralelo/paralelo.
193
Ejemplo 6.2 Un amplificador A de voltaje tiene los siguientes parmetros:
rin =1M rout =100 AV=105
Determine los parmetros del amplificador al realimentar con R1=10k y R2=50k.
Figura 6.11 Amplificador de voltaje realimentado.
Solucin:
Como rin es grande en comparacin a R1 y R2, tenemos ia << I12, luego
R1
Vf = Vout = Vout
R1 + R2
Es decir, =10k/(10k+50k)=1/6=0.167
Luego, A= 1051/6=1667>>1
Entonces,
AV 1
Af =
1 + AV
Como la realimentacin es de tensin con error de tensin (serie/paralelo), de la ec. (6.3)
Rin=rout + (1+A)rin
=R1|| R2 + (1+1051/6)1M=16.7G
Tambin de la ec. 6.6
rout
Rout= ||rin=0.006
1+ A
Se puede hacer una comparacin entre el circuito sin realimentar y el realimentado, observndose
que en esta configuracin aumento la impedancia de entrada y disminuyo la de salida. Muchas
veces una ventaja en una aplicacin puede ser una desventaja en otra, por esto, el tipo de
realimentacin a utilizar depende del tipo de amplificador y de la aplicacin.
194
En el circuito de la fig. 6.12, se muestra un equivalente del circuito realimentado original, en este
caso se considera el efecto de la realimentacin. En efecto, para el circuito de entrada se ha
determinado un equivalente de Thevenin, y en la salida se ha considerado el efecto de carga de la
red de realimentacin. Ntese que en el anlisis de los circuitos realimentados se considera, en
general, que los amplificadores son unidireccionales. Es decir, el amplificador A amplifica desde
izquierda a derecha, y la red de realimentacin desde derecha a izquierda.
Figura 6.12 Equivalente del circuito realimentado original, en este caso se

considera el efecto de la realimentacin.
6.4 Mtodo de Anlisis de un amplificador realimentado.

Como se ha visto, para el anlisis de un amplificador realimentado conviene separarlo en
dos bloques:
El amplificador bsico A, y
La red de realimentacin ,
Ya que conociendo se pueden calcular las caractersticas ms importantes del sistema

realimentado, es decir, Af , Rif y Rof. El amplificador bsico sin realimentacin, pero incluyendo la
carga que representa la red puede obtenerse aplicando las siguientes reglas [4] [6]:
Para hallar el circuito de entrada.

1. Hacer V0 =0 para el muestreo de tensin. En otras palabras, cortocircuitar la salida.
2. Hacer I0=0 para el muestreo de corriente. Abrir la red de salida.
Para hallar el circuito de salida.

1. Hacer Vi =0 para el error de corriente. Es decir, cortocircuitar la entrada.
2. Hacer Ii=0 para el error de voltaje. Abrir la red de entrada.
195
Este procedimiento asegura que la realimentacin se reduce a cero sin alterar la carga del
amplificador bsico.
El anlisis completo del amplificador realimentado se obtiene aplicando la siguiente
secuencia:
1.- Identificar la topologa.
Realimentacin (xf) de tensin o corriente.
Realimentacin (xf) en serie o paralelo.
Seal de salida (x0) realimentada de tensin o corriente.
2.- Dibujar el circuito del amplificador bsico sin realimentacin, siguiendo las reglas indicadas
anteriormente.
3.- Emplear un equivalente Thevenin s la seal de realimentacin es una tensin uno Norton s
la seal de realimentacin es una corriente.
4.- Reemplazar cada uno de los dispositivos activos por su modelo apropiado.
5.- Indicar xf y x0 en el circuito obtenido y evaluar =xf/xo.
6.- Hallar A aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito equivalente.
7.- Con A y , hallar Af , Rif y Rof.
Un resumen del procedimiento a realizar en el anlisis de un amplificador realimentado es el

entregado por la siguiente tabla:
Tabla 6.2 : Resumen Procedimiento de anlisis de Amplificadores realimentados.
Topologa Real.: V Real.: I Real.: I Real.: V

error: V error: V error: I error: I
Caracterstica AV AG AI AR
xf V V I I
x0 V I I V
Para hallar el lazo de entrada* V0 =0 I0 =0 I0 =0 V0 =0
Para hallar el lazo de salida* Ii =0 Ii =0 Vi =0 Vi =0
Fuente de seal Thevenin Thevenin Norton Norton
=xf/xo vf /v0 vf /i0 if /i0 if /v0
A=x0/xi AV =v0 /vi AG =i0 /vi AI =i0 /ii AR =v0 /ii
D=1+A 1+AV 1+AG 1+AI 1+AR
Af AV /D AG /D AI /D AR /D
Rif RiD RiD Ri/D Ri/D
R0f R0 /D R0 D R0 D R0 /D
Este procedimiento entrega el circuito del amplificador bsico sin realimentacin, pero
considerando su efecto, es decir, teniendo en cuenta la carga que producen la red de
realimentacin , la resistencia de carga RL y la resistencia de la fuente RS.
196
Ejemplo 6.3 Considerando que la fuente Vs no tiene componente continua, determine el voltaje
de todos los nodos y las corrientes de polarizacin de los emisores de Q1 y Q2. =100
Plantee el equivalente en alterna de este circuito y del amplificador bsico sin realimentacin.
Figura 6.13 Circuito realimentado del ejemplo 6.3.
Planteando LCK en el colector de Q1

20010-6 = IE2/ + IE1 (e.1)
En continua la fuente alterna VS es nula por lo cual se puede determinar la corriente a travs de
ella como
IS = VBE1/RS = 0.7V/10k= 0.07mA
Se observa que como la resistencia de RE << que la de Rf (es decir, If << IE2 ) entonces
IE2 IRE
Luego, el voltaje a travs de Rf se puede evaluar como:

Vf = VBE1 IE2RE = If Rf (e.2)
Planteando LCK en el nodo de Base, tenemos:

IS + IE1/ + If =0 (e.3)
Resolviendo las ecuaciones anteriores tenemos,
IE1 =99.3A
IE2 =10.07mA
Tambin, If =70.99A (con este valor se corrobora la suposicin que If << IE2 )
VE2 = IE2RE=1.41V
VB2 = VBE2 + VE2 =2.11V
VB1 = VBE1=0.7V
VC2 IE2RL=5.04V
El circuito equivalente en alterna del amplificador realimentado es:
197
Figura 6.14 Circuito equivalente en alterna del circuito de la fig. 5.26.
Continuar el desarrollo!
Ejemplo 6.4 Considere que el circuito de polarizacin (que no est mostrado completamente)
produce IC1=0.6mA IC2=1mA e IC3=4mA. Con hfe= = 100 hre=
Determine A, , Af=I0/VS, V0/VS , Rinf y Rof.
I0
Vf
Figura 6.15 Circuito realimentado del ejemplo 6.4.
198
Desarrollo:
De los datos de polarizacin (continua) tenemos que
hie1= hfe VT/ IC1=10025mV/0.6mA=4.17k
hie2= hfe VT/ IC2= 2.5k
hie3= hfe VT/ IC3= 625
Anlisis en alterna:
Del circuito y de la ganancia que hay que calcular se desprende que:
Seal de error : voltaje (VBE= VS Vf)
Seal muestreada : corriente (I0)
Luego de acuerdo al procedimiento sealado en la Tabla 5.2 el circuito equivalente bsico sin
realimentacin se obtiene haciendo:
Circuito de entrada > I0 = 0
Circuito de salida > Ii = 0
If I0
Vf

Figura 6.16 Circuito equivalente bsico sin realimentacin.
Del circuito se tiene:

xf=Vf
x0=I0
Luego = xf /x0= Vf /I0
del circuito 5.29 se obtiene
I 0 RE 2
If =
RE1 + RE 2 + R f
V0 = If RE1
V RE1 RE 2
Por lo tanto = f = .
= 119
I 0 RE1 + RE 2 + R f
199
Completando el circuito anterior con los modelos de los transistores, se tiene:
Figura 6.17 Circuito equivalente bsico sin realimentacin.
I0 A
Dado que se necesita determinar Af= =
VS 1 + A
La ganancia A se obtiene del circuito equivalente de la fig. 5.30. En este circuito se pueden plantear
las siguientes ecuaciones en el circuito de entrada.
VS = ib1 [hie1 + ( +1)RXE1] = ib1 13.07k es decir, ib1=76.51SVS
donde RXE1 = RE1||(Rf +RE2)
Por otro lado se puede plantear
ib1 (RC1||hie2)= ib2 hie2 es decir, ib2= 78.25 ib1
( ib3 + ib2)RC2= ib3 [hie3 + ( +1)RXE2]
donde RXE2 = RE2||(Rf +RE1)
evaluando ib3= 34.43 ib2
Y tambin se tiene que

I0 =( +1) ib3 es decir, I0 = 101 ib3
I0 I0 ib3 ib2 ib1
Con esto, A= = =101(34.43)( 78.25)76.51=20.82 [S]
VS ib3 ib2 ib1 VS
I0 A 20.82
Finalmente, Af= = = = 0.0837 [S]
VS 1 + A 1 + 20.82 119
.
la desensibilidad D=(1 + A)=248.76
La impedancia de entrada, se puede obtener de la ecuacin planteada para la red A
Rin = VS /ib1 =[hie1 + ( +1)RXE1]=13.07k
Luego Rinf de la Tabla 6.2 se evala como:
Rinf= Rin D=13.07k248.76=3.25 M
200
Para obtener la impedancia de salida (impedancia Thevenin "vista" por la "variable" de salida) a
partir del circuito de la fig. 5.30 y anulando el voltaje de entrada (ntese que si no hay tensin de
entrada, entonces ib1 =0 luego ib2 =0 e ib3 =0) se obtiene:
Figura 6.18 Circuito equivalente para determinar la impedancia

de salida.
Al poner la fuente virtual se "mide" la impedancia de salida

R0 =vv/iv
R0 = RE2||(Rf +RE1) + (RC2 +hie3)/(+1) = 143.79
Luego, de la tabla 5.2 se tiene
R0f = R0 D= 143.79248.76=35.77k
Ejemplo 6.5 En el circuito realimentado que se indica hfe=100, compruebe que hie1=1.2k y
hie2=708. Identifique las funciones de Rf1 y Rf2, el tipo de realimentacin, realice el anlisis y
obtenga A, , Af, Rinf y Rof.
201
Figura 6.19 Circuito realimentado en continua y alterna.
La resistencia de 22k provee una realimentacin que acta en c.c. y muy baja frecuencia debido a
la accin de C3. Su funcin es estabilizar el punto de trabajo de los transistores ya que introduce
una realimentacin negativa, por ejemplo, supngase que IC1 aumenta (debido a un aumento de la
temperatura) |VC1| disminuye |VE2| disminuye |IB1| disminuye (a travs de la resistencia de
22k) tiende a compensar el aumento de IC1.
Al obtener el circuito equivalente para pequea seal, es decir, al cortocircuitar los
condensadores. Se observa que la realimentacin se produce a travs de las resistencias Re1 y Rf1,
y es una tensin proporcional a la tensin de salida.
Amp. con realimentacin de tensin en serie
(En efecto, de la figura se puede observar que la entrada alterna es entre base y emisor de Q1. Si
suponemos que vbe1 aumenta (por ejemplo, por efecto de la temperatura) ib1 aumenta ib2
aumenta v0 aumenta vf aumenta. Como vbe1 = vi vf, luego, ya que vf aumenta y vi se
mantiene, entonces vbe1 disminuye; compensando de esta forma el aumento inicial realimentacin
negativa!
De acuerdo al procedimiento sealado en la Tabla 5.2 tenemos:

Circuito de entrada > V0 = 0
Circuito de salida > Ii = 0
Del circuito equivalente

xf=Vf x0=V0
Luego = xf /x0= vf /v0=0.076
Y la ganancia de voltaje es
AV= v0 /vi = v0 /ib2 ib2 /ib1 ib1 /vi
se tiene,
v0 = ib2 RC2||RX2||RL= 14442ib2
202
ib2 = ib1RC1/(RC1 + hie2)= 94.43 ib1
vi = ib1 [hie1 + (+1)RX1]= 8856 ib1

evaluando da
AV=154 D=(1 + A)=12.7
Luego,
AVf= AV/D=12.1
Para la resistencia de entrada, se tiene

si RA= hie1 + (+1)RX1 =8856
entonces Ri = RA||Rb1||Rb2 =8856||10k||5.6k=2.5k
y Rif = Ri D=31.75 k
Similarmente,
R0 = RC2||RX2 =520
y R0f = R0 /D=42.73
203
6.5 Realimentacin negativa, otros aspectos.
xS +
x
A
x0

xf
Figura 6.20 Diagrama en bloques bsico de la realimentacin negativa.
Como se vio en el punto 6.2 la ganancia disminuye con realimentacin negativa.

x0 A
Af = = D =1+ A : Desensibilidad
xS 1 + A
Af A 1
= =
A A 1 + A (1 + A )2
6.5.1 Variaciones incrementales en la ganancia.
Un cambio incremental en la ganancia A produce un cambio en Af

A f A
A A A 1+ A A
A f = = = =
(1 + A ) (1 + A )
2 2
(1 + A )
2
Af A 1+ A
A A f A f 1
SA f = = : Sensibilidad de la ganancia
A A 1+ A
Cuando A >> 1, que es el caso en general, la sensibilidad de Af con respecto a A se hace muy
pequea. Es decir, un cambio significativo en A causar slo uno pequeo en Af.
Tipo de realimentacin
Para ver si existe realimentacin de corriente, ponga la carga en circuito abierto, de tal modo
que la corriente de salida sea cero. Si la seal devuelta a la entrada del amplificador por la
red de realimentacin (xf) tambin resulta ser cero, el amplificador tiene realimentacin de
corriente.
Para ver si existe realimentacin de tensin, cortocircuite la carga, de tal modo que la
tensin de salida sea cero. Si la seal devuelta a la entrada del amplificador por la red de
realimentacin (xf) es tambin igual a cero, el amplificador tiene realimentacin de tensin.
204
6.5.2 Ampliacin del ancho de Banda con la realimentacin negativa
Considerando un sistema simple cuya frecuencia superior de corte es H

AM
A(s) =
1 + s H
Con realimentacin negativa y suponiendo que la red de realimentacin no vara.
AM AM
A(s) 1 + s H AM 1 + AM
Af ( s ) = = = =
1 + A ( s ) 1 + AM 1 + s H + AM 1 + s
1 + s H H (1 + AM )
Hf = H (1 + AM ) La frecuencia superior de corte aument en el factor

de la Desensibilidad, D !!
Anlogamente para un sistema simple cuya frecuencia inferior de corte es L , (recuerde que un
modelo bsico de un pasa-alto, que sirve para modelar la frecuencia inferior de corte de un sistema
A s (A )s
simple es A( s ) = M = M L )
s + L s L + 1
Lf = L / (1 + AM )
Ej a1: Un amplificador con realimentacin negativa tiene A=103 y = 0.1. Si xS(t)=cos(t)

determinar x0, x y xf. Repetir para A=104. a que se aproxima a medida que A se aproxima a
infinito?
Resp.con A=103 x=0.01 cos(t) con A=104. x=0.001 cos(t)
cuando A x 0
Ej a2.: Un amplificador tiene una ganancia en lazo abierto nominal de A=104 con una variacin de
3% debido a la variacin de temperatura ambiente. Para estabilizar este amplificador se propone
una realimentacin negativa. qu valor de debe utilizarse de manera que las variaciones de Af
con la temperatura no sean mayores de 0.1%? cul es el valor nominal de Af para este valor de
? Suponga que es constante con las variaciones de temperatura.
Resp.: 2910-4 Af=333
Ej a3: Suponga que la ganancia en lazo abierto de un amplificador vara en 10%. Se desea disear
un amplificador realimentado con una ganancia en lazo cerrado de 10 0.1%. Determine los valores
requeridos para la ganancia en lazo abierto A y para el factor de realimentacin .
Resp.: A990 (s A=990 =0.098989)
205
Ej a4: Determine Af en las configuraciones que se indican
xs A1 A2 x0
1
Figura 6.21 Sistema multi-realimentado. A1 A2
Af =
1 + 1 A2 + 2 A1 A2
xs A1 A2 A3 x0
2
Figura 6.22 Otro sistema multi-realimentado.
A1 A2 A3
Af =
1 + 2 A2 + 1 A1 A2 A3
6.5.3 Ejemplo de respuesta en frecuencia con simulacin.
Un amplificador de voltaje con Av=5000, Rin=100k y Ro=50. Tambin se incluye un condensador

que modela la atenuacin de la respuesta con la frecuencia.
AV=5000
Lazo abierto
Figura 6.23 Circuito en lazo abierto.
206
Se realimenta negativamente con una red indicada.
S consideramos que
la corriente que pasa
por R2 pasa
mayoritariamente por
R1 (dado que
R1>>Rinr), es decir vf
lo obtenemos del
divisor de tensin
solamente +
v R1 1
= f =
v0 R1 + R2 101
vf
D = 1 + AV = 50.5
Figura 6.24 El circuito anterior en lazo cerrado.

A 5000 1
AVf = = = 99
D 50.5
(ntese que AV >> 1 ) Lazo cerrado
Anlisis esttico.
En efecto, al hacer el barrido (DC sweep) en continua se obtiene
2.0KV
(85.955m,419.293)
En lazo abierto:
0V
419.293
AV = = 4878
85.955m
(la recta pasa por el
origen por eso su -2.0KV
pendiente se mide -300mV -200mV 0V 200mV
V(out)
fcilmente) V_Vs
Figura 6.25 Caracterstica de transferencia Vo-VS en lazo abierto.
207
En lazo cerrado: 40V
(85.484m,8.4570)
8.457
AVf = = 98.93
85.484 m
0V
-40V
-300mV -200mV 0V 200mV
V(outr)
V_Vs
Figura 6.26 Caracterstica de transferencia Vo-Vs en lazo cerrado.

Respuesta en frecuencia (barrido en alterna, AC sweep):
en lazo abierto 75
AV 73.65 dB (4814) (66.795,70.682)
10.486,73.654)
H 67 Hz
50
La frecuencia de corte se
mide cuando la potencia de
salida ha disminuido a la 25
mitad tiene una
disminucin de 3dB. (como
se indica) 0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
DB(V(out)/ V(in))
Frequency
En lazo cerrado
AVf 39.9 dB (98.85) 40
La ganancia diminuy en (10.508,39.907)
A 30 (3.0470K,37.086)
V
D
Hf 3047 Hz 20
En efecto,
Hf H D = 67 50.5 = 3383 10
Hz
Es decir, el ancho de banda, 0
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
BW aumento en DB(V(outr)/ V(in))
aproximadamente la Frequency
Desensibilidad D. Figura 6.27 Respuestas en frecuencia en lazo abierto y cerrado.
208
BIBLIOGRAFA
[1] Al-Hashimi, Bashir; Art Of Simulation Using Spice: Analog & Digital, CRC press, 1995.
[2] Cathey, J. Schaum; Electronic Devices and Circuits, McGraw-Hill, 2002.
[3] Goody, R.; OrCAD PSpice para windows, Pearson, 2004. (Tres volmenes, Vol.I y II)
[4] Hambley, A.; Electronics: A Top-Down Approach to Computer-Aided Circuit Design - 1994
[5] Horenstein, M. N, "Microelectrnica: Circuitos y dispositivos", 2da edicin, Prentice Hall,

1997.
[6] Jaeger, R. Diseo de circuitos microelectrnicos, McGraw-Hill, 2005.
[7] Malik, N. R., "Circuitos Electrnicos: Anlisis, simulacin y diseo", Prentice Hall, 1998.
[8] Rashid, Muhammad H. Circuitos microelectrnicos - Anlisis y diseo, International

Thomson, 2000.
[9] Roberts, G; Sedra, A, Spice, 2e, Oxford University Press, 1998.
[10] Scherz, P., Practical Electronics for Inventors, McGraw-Hill, 2000.
[11] Sedra, A., Circuitos microelectrnicas, McGraw-Hill, 2006.
209
ANEXOS
Anexo 1 Condiciones de entrada a la asignatura.

Condiciones de Entrada ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
Se plantean una serie de ejercicios con resultados, de tal manera, que el alumno que ingresa a
Electrnica I debiera ser capaz de resolverlos en forma satisfactoria (auto-evaluacin). Si no es
capaz de realizarlos satisfactoriamente debe repasar anlisis de circuitos utilizando la bibliografa
citada en el programa, particularmente el libro de Alexander-Sadiku.
Linealidad
2. calcule i0 y v0, a) cuando vS=1V
1. Determine i0, cunto vale para un
valor de 10V en la fuente de voltaje? b) cuando vS=10V c) cuando todas las R=1 son
Resp.:0.1A, 1A reemplazadas por 10 y vS=10V.
Superposicin
4. determine i:
3. Determine ix y la potencia disipada por la
R=10.
Resp: -1.32A, 17.43W Resp.: 3A
Resp.: 8V 0.1111A
210
-0.1176A ix= 8 + 16/3 = 40/3
9-10. Transformacin de fuentes
0.555A vx=48V
v0=3V 1.6A
13-18. Determine el equivalente de Thevenin Norton
20, 50V 10, 10V
THEVENIN: (a) terminales a-b: 3.857, 4 V, NORTON (a) terminales a-b: 2, 7A,
(b) terminales b-c: 3.214 , 15 V (b) terminales c-d: 1.5, 12.67 A
211
18. El circuito indicado corresponde al modelo de un
amplificador diferencial. Encuentre una expresin para
v0 en trminos de v1 y v2.
Norton: 3, 1A
Caractersticas No-lineales
19. Algunos dispositivos tienen una caracterstica corriente voltaje no lineal para todo v e i, es decir R no
es constante para todos los valores de corriente y voltaje. Sin embargo, para muchos dispositivos se puede
aproximar su caracterstica mediante una aproximacin lineal por tramos. Para una porcin de la curva
caracterstica alrededor del punto de operacin, la pendiente de la curva es relativamente constante.
La inversa de esta pendiente en el punto de operacin es definida dv V

R =
como la resistencia incremental, R . (tangente en el punto Q) di [VQ , IQ ] I [VQ , I Q ]
Donde [VQ , I Q ] es el punto de operacin del circuito.
A un circuito cuyo equivalente de Thevenin es Vth=15V y Rth=200 se le conecta una carga no-lineal cuya
caracterstica es I = 0.0025V 2 . Determine y grafique:
a) el punto de operacin. b) la resistencia incremental en este punto de operacin. c) si Vth se aumenta
a 20V, determine el nuevo punto de operacin y la nueva resistencia incremental.
Resp.. a) I=52.2mA, V=4.57V b) R=43.8 c) I=73mA, V=5.4V R=37
20.- Si en el problema 14, Rth=10, Vth=10V, se conecta

entre a y b una carga con la caracterstica i-v indicada,
determine el voltaje y corriente entre a y b.
Resp.: vab=5V, iab=0.5A
Repita si la carga se da vuelta.

ix
Resp.: la misma anterior
Pendiente, 1/10
Rth a x
+ vxyb
vab vxy
212
21.- Ahora se conecta una carga que tiene la caracterstica i-
v indicada, determine el voltaje y corriente entre a y b. ix
-8
Repita si la carga se da vuelta. 6 vxy
vxy
22.- Nuevamente se conecta otra carga que tiene la

caracterstica v-i indicada, determine el voltaje y corriente
entre a y b.
2
Pendiente, 5
ix
Resp.: vab=0V, iab=1A
Repita si la carga se da vuelta.
Resp.: vab=3.34V, iab=0.66A
vxy
23.- Finalmente, se conecta otra carga que tiene la
8
caracterstica v-i indicada, determine el voltaje y corriente
entre a y b.
Resp.: vab=8V, iab=0.2A -2 ix

Repita si la carga se da vuelta. -6
Resp.: vab=-8V, iab=-1.8A
24.- En un circuito lineal desconocido (caja negra) de dos

terminales se hacen dos mediciones: 1. se cortocircuitan los
terminales, obtenindose, Icoci=3A 2. se abren los terminales y se
mide el voltaje, obtenindose, Vcto.abto=20V. si se conecta una
resistencia de 20, cunto disipara? Resp: 11.25W
R [] v [V] i [A]
25.- En una caja negra de dos terminales se conectan dos
resistencias y se obtienen los datos tabulados. 1 8/5 8/5
Cunta corriente circular si se conecta una resistencia de 12? 2 8/3 4/3

Cunto es el voltaje y corriente en los terminales cuando la
caracterstica de la carga es vxy=ix2? Resp.: 0.5A, 1.464A
213
-Y
Transformacin Y-
26-27.-
Ra=Rb=Rc=30 Ra=103.3 Rb=155 Rc=62
Todas las resistencias son de 100
Rab=125 Rab=275
Rab=40, i=2.5A Rab=9.632, i=12.458A
214
30. Cunto debe valer
R de manera que la
fuente entregue
800mW.
Resp.: 889
12.21 1.64A
34.- Dos delicados dispositivos con datos de placa indicados

son conectados como se indica, Determine el valor de R1 y
R2 necesarios para alimentarlos usando solo una batera de
24V. Cunto es la potencia que entrega la batera?
Cunto tiempo durar si es de 60 A-h?
375, 257.1
215
Anexo 2: Tabla peridica de los elementos.
Fuente tabla peridica: An Introduction to Chemistry, Mark Bishop
216
Anexo 3 RESUMEN Qu es un Semiconductor?
Los materiales son clasificados por su habilidad de conducir la electricidad. Los materiales que
conducen fcilmente la corriente elctrica, tales como la plata y el cobre, son referidos como
conductores. Los que presentan una resistencia elctrica muy elevada, tales como la goma, el vidrio
y el tefln, son llamados aisladores. Existe una tercera categora de materiales cuya conductividad
se encuentra entre los conductores y aisladores. Esta tercera categora de materiales se conocen
como semiconductores. Los semiconductores se definen como aquellos materiales que tienen una
conductividad en el rango entre 107 y 103 [S/cm]. Algunos semiconductores son estructuras
puras (por ejemplo, Silicio, Germanio) y otros son aleaciones.
El Silicio
Es el semiconductor ms importante utilizado en dispositivos electrnicos. Tambin se utilizan

otros materiales como el Germanio y el Selenio, pero son menos populares. En forma pura el Silicio
tiene una estructura atmica nica con propiedades muy importantes que son tiles en la
construccin de dispositivos semiconductores.
217
El Silicio es segundo en cantidad en la corteza terrestre, un 27% se encuentra en rocas gneas. Es
extremadamente raro encontrar Silicio en su forma cristalina pura en la naturaleza, y antes de ser
utilizado en dispositivos electrnicos, debe ser separado de sus elementos aliados. Despus de
realizado el proceso de purificacin se obtiene una oblea (wafer) de Silicio. Luego para que tenga
alguna utilidad desde el punto de vista electrnico se hace un proceso de dopado (doping).
Los electrones en un tomo

orbitan el ncleo en diferentes
capas. La actividad qumica del
tomo es determinada por los
electrones en la capa exterior,
llamados electrones de
valencia, y por como se
completa esta capa. Por ejemplo,
el Nen (gas noble) exhibe una
capa externa completa (con 8
electrones) y por esto no presenta
tendencia a reacciones qumicas
(no se combina con nadie por eso
lo de noble). Por otro lado, el
Sodio tiene solamente un electrn
de valencia, listo para
abandonarlo; y el Cloro tiene siete
electrones de valencia, listo para
recibir uno ms. Por esto, ambos
elementos son altamente
reactivos. Al combinar Cloro con
Sodio se obtiene un cristal muy
estable; la Sal comn.
218
El principio anterior sugiere, por ejemplo, que los tomos que tienen aproximadamente cuatro
electrones de valencia estn entre los gases inertes (que no se combinan con nada) y los elementos
altamente voltiles (que estn dispuestos a combinarse para formar una estructura con ocho
electrones de valencia).
Doping (Dopado).
El dopado es el proceso de mezcla con algn elemento de tal manera que resulte un material de
propiedades elctricas tiles. Se utilizan algunos elementos en el proceso de dopado, tales como
Antimonio, Fsforo, Boro, Arsnico, Aluminio y Galio. Estos elementos proveen caractersticas
especializadas tales como respuesta en frecuencia a voltajes aplicados, fuerzas, integridad trmica,
etc. Sin embargo, los elementos que producen los mejores resultados desde el punto de vista
electrnico son el Fsforo y el Boro.
Cuando una oblea de Silicio es dopada con Boro o Fsforo, su conductividad elctrica es
alterada radicalmente. Normalmente, una oblea pura de Silicio no contiene electrones libres; los
cuatro electrones de valencia son enlazados en enlaces covalentes con sus tomos vecinos. Sin
electrones libres, un voltaje aplicado no tiene efecto para producir un flujo de electrones a travs
de la oblea.
Sin embargo, si se agrega Fsforo a la oblea, ocurre algo muy interesante. El Fsforo tiene
5 electrones de valencia mientras que el Silicio tiene 4 electrones de valencia. Cuatro electrones de
valencia del Fsforo con los cuatro del Silicio forman un enlace covalente, pero el quinto electrn
de valencia del Fsforo queda libre. Por lo que por cada enlace cristalino hay un electrn libre.
Si se aplica un voltaje a travs de la mezcla Silicio-Fsforo, el electrn libre se mover hacia el
terminal positivo de voltaje. Suministrando ms Fsforo a la mezcla, resultar un mayor flujo de
electrones. El Silicio dopado con Fsforo se conoce como Silicio tipo-n, o Silicio tipo portador de
carga negativo.
Ahora, si se le agrega Boro al Silicio se producir un efecto de conduccin distinto. El Boro

contiene solamente tres electrones de valencia. Cuando se mezcla con el Silicio sus tres electrones
de valencia se unirn con los cuatro electrones del Silicio. Sin embargo, habr un espacio vaco
-llamado hueco- dentro del enlace covalente que forman el tomo de Boro y el de Silicio. Si se
219
aplica un voltaje, el hueco se mover hacia el terminal de voltaje negativo, mientras que un electrn
vecino ocupar su lugar. Los huecos son considerados portadores de carga positivos an cuando
ellos no contienen una carga fsica per-se. La carga neta de un tomo particular de Silicio con un
hueco aparecer positiva en una cantidad de carga equivalente de un protn. El Silicio dopado con
Boro se conoce como Silicio tipo-p, o Silicio con portadores de carga positivos.
Resumiendo, ambos tipos de silicio, el tipo-p y el tipo-n tienen la habilidad de conducir

electricidad, uno lo hace con los electrones extras libres (tipo-n), y el otro lo hace con los huecos
(silicio tipo-p).
El Diodo de Unin
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales,
construido como se indic anteriormente, y que conduce corriente en
un solo sentido.
Los diodos son utilizados en circuitos: que convierten voltajes
alternos en continuos (rectificacin), que elevan el voltaje
(multiplicadores), desplazadores de voltajes, limitadores de voltaje,
reguladores, etc.
Polarizacin directa:
Cuando un diodo se polariza directamente, los
electrones (e-) del lado N son forzados hacia la
izquierda y los huecos (h) del lado P son forzados
hacia la derecha por el campo elctrico suministrado
por la batera. Los electrones y huecos se combinan,
y corriente fluye a travs del diodo.
220
Polarizacin Inversa:
Cuando un diodo es conectado a la batera, como
se indica, los huecos del lado N son forzados hacia
la izquierda, mientras que los electrones en el lado
P son forzados hacia la derecha. Esto resulta en
una zona vaca de portadores de carga (e- y h)
que se conoce como zona de Deplexin. Esta gran
zona de Deplexin evita que los portadores de
carga puedan atravesarla, por lo que la corriente
es prcticamente cero.
Los diodos de Silicio tienen un voltaje umbral cercano a los 0.7V y los de Germanio a los 0.3V.
Otra diferencia fundamental entre los diodos de Silicio y los de Germanio, es su habilidad para
disipar calor. Los diodos de Silicio disipan mejor el calor que los de Germanio. Cuando los
diodos de Germanio alcanzan temperaturas sobre los 85C su operacin es no fiable.
Otras disposiciones de los materiales tipo-P y tipo N basados en el Silicio dan lugar a otros
dispositivos electrnicos de carcter controlado, que se analizarn ms adelante.
221
Anexo 4: Obtencin del parmetro coeficiente de emisin (n) a partir de
dos mediciones de i y v.
Como se expone en el captulo de diodos, la caracterstica de estos se puede modelar matemticamente

con la ecuacin de Schockley. Se puede graficar usando cualquier software grfico, incluso en Excel. Aqu
se muestra al graficarla con el Orcad Pspice.
30m
20m
10m
0
0V 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV 600mV 700mV 800mV
10E-12*( EXP(V_V1/1.35/0.026)-1)
V_V1
v
i D = I s exp D 1
nVT
Para calcular el coeficiente de emisin (n), a partir de la ecuacin de Schockley, encontramos la

relacin de corrientes para dos puntos de operacin.
Cuando vD=VD1
IA
3 = P Q 8I 5 1R
Y cuando vD=VD2
I?
4 = P Q 8I 5 1R
Luego si el voltaje del diodo es mucho mayor que el voltaje termal (VT=25.9mV a 27C)
222
I
> 0.1 P 8I
Luego al hacer la relacin

IA
3 P 8I
=
4 I?
P 8I
Se puede despejar n
3 3 5 4

ln =
4 n
223
Anexo 5: Modelacin diodo ideal en Spice.
Utilizando un simulador, como Orcad Pspice, se puede obtener la caracterstica de transferencia de

cualquier dispositivo. En el caso del diodo, utilizando el barrido en continua (DC Sweep) se puede graficar
la caracterstica i-v del diodo [1].
Caracterstica i-v diodo real

10mA
(0.64V, 5mA)
5mA
(-5V,-10.uA)
0A
-5mA
-6.0V -4.0V -2.0V 0V
I(D1)
V(a1)
Se puede modelar el diodo ideal utilizando el editor de modelos del Orcad (Edit model) y cambiando
los parmetros. De esta forma queda de la siguiente forma su caracterstica:
Caracterstica i-v diodo ideal

10mA
(69.6uV, 5mA)
5mA
(-5V,-5.01pA)
0A
-5mA
-6.0V -4.0V -2.0V 0V
I(D2)
V(a2)
224
Tabla: Parmetros de modelos en Orcad para diodo real e ideal [3].
Parmetros Descripcin Defecto Diodo Real Diodo Ideal

SPICE (1N4001)
Is Corriente de saturacin 110-14 14.11n --
n Coeficiente de emisin 1 1.984 0.001
BV Voltaje de ruptura inversa 75 --
IBV Corriente de ruptura inversa 110-10 10u --
Rs Resistencia Ohmica 0 33.89m --
Para ver los parmetros del dispositivo hacer click en el dispositivo, luego edit model
Edit instante model (Text)
Ej. Modelo SPICE diodo rectificador D1N4001:
.model D1N4001 D(Is=14.11n N=1.984 Rs=33.89m Ikf=94.81 Xti=3 Eg=1.11 Cjo=25.89p

M=.44 Vj=.3245 Fc=.5 Bv=75 Ibv=10u Tt=5.7u) [2].
Procedimiento para modelar un Diodo ideal en Orcad PSpice.
Poner un diodo Dbreak (Get new part Dbreak)
Manteniendo seleccionado el diodo, clickear Edit Model Edit Instante Model (Text)
225
En vez de (parmetros por defecto en el Diodo break, usado como plantilla para crear modelos de
diodos propios) :
Is=1e-14
Cjo=.1pF
Rs=.1
Poner N=0.001
Ntese que se cambi

la palabra break por
ideal o el nombre
que uno desee. (la
ltima D despues del
espacio debe estar
siempre porque es la
que define el modelo)
Finalmente el diodo ideal aparece como:
226
Anexo 6: Anlisis de pequea Seal
El anlisis de pequea seal es fundamental para analizar los sistemas no lineales utilizando
tcnicas lineales. Esto es posible porque al linealizar en torno al punto de operacin el problema se
linealiza pero los resultados son vlidos en torno al punto de linealizacin, por esto se deben
aplicar pequeas seales. Esto se aplica, en Electrnica I en anlisis de diodos y de amplificadores
con transistores, pero en general es utilizado en gran parte de las ingenieras.
Caso: Los Amplificadores
Los amplificadores son los bloques esenciales de los sistemas analgicos y digitales.
Los amplificadores son necesarios por varias razones que incluyen:
- Amplificar una seal anloga dbil para mayor procesamiento.
- Reducir los efectos de ruido de la etapa siguiente.
- Proveer niveles lgicos adecuados (en circuitos digitales)
Los amplificadores tambin juegan un papel fundamental en sistemas realimentados.
Caractersticas de los Amplificadores [5].
Idealmente los amplificadores son considerados sistemas lineales
Es decir, la salida es del tipo: V =WX
En el mundo real la caracterstica entrada-salida es tpicamente una funcin no-lineal.
Es ms conveniente usar una aproximacin lineal de una funcin no-lineal.

Usar la recta tangente a la curva dada en el punto de operacin.
227
Q
Donde el punto Q es el punto de operacin.
La aproximacin lineal en torno al punto Q es una buena aproximacin de la caracterstica

real.
Por eso el anlisis de pequea seal o en torno al punto de operacin, Q, es muy
popular.
ANALISIS DE PEQUEA SEAL
Una funcin no lineal en la vecindad (cercana) de un punto dado (Q) se puede aproximar por su
correspondiente serie de Taylor:
Y (X+ ) Y 8 (X+ )
V Y(X+ ) + Y (X+ ) (X 5 X+ ) + (X )
5 X+ + +
4
(X 5 X+ )8
2! !
6 (O\ )
Sea W8 = Entonces
8!
V W+ + W3 (X 5 X+ ) + W4 (X 5 X+ )4 + + W8 (X 5 X+ )8
Si X = X 5 X+ es pequeo, se pueden despreciar los trminos de mayor orden (por esto se llama
anlisis de pequea seal) y resulta:
V W+ + W3 (X 5 X+ )
Donde 0 se conoce como el punto de operacin o equilibrio (o polarizacin) y 1 es la ganancia

de pequea seal.
V = V 5 Y(X+ ) = V 5 W+ W3 X
Ejemplo:
Sea V = Y(X) en un punto, X = ^ donde la funcin f es derivable, pasa por el punto ((a), f(a))
con pendiente Y _ (^), tiene por ecuacin V = Y(^) + Y _ (^) (X 5 ^) = `(X)
228
Es decir, la recta tangente es la grfica de la funcin lineal `(X) = Y(^) + Y _ (^) (X 5 ^)
L(x)
A la funcin al `(X) se le llama linealizacin de la funcin f en el punto a. La aproximacin

Y(X) `(X) se le llama aproximacin lineal de f en el punto a. Obsrvese que `(^) = Y(^) y
que `_ (^) = Y(^) .
229
LABORATORIOS PROPUESTOS
ESCUELA UNIVERSITARIA DE
INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA
Electrnica I: Prof.: Ramn Guirriman C.

Laboratorio: Diodos de Unin
Objetivos
Conocer y describir las propiedades bsicas de los diodos de unin y, emplear el diodo en
aplicaciones bsicas. El mayor nfasis estar en sus propiedades de conduccin directa en las
aplicaciones de rectificacin de media y onda completa.
Componentes e Instrumentacin
o 1N914 (diodo pequea seal)
o 1N4007 (diodo rectificador de baja potencia)
o Osciloscopio, generador de funciones, multimetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Condensador electroltico de 100uF, >20V; Resistencias, 120, (2x) 1k, 10k.
PREPARACIN
P.1 Rectificacin Ideal
a) para un circuito rectificador consistente en un diodo ideal cuyo ctodo est conectado a tierra
y con 1k de carga (en serie), alimentados por una seal triangular de 6 V Peak a 100Hz, dibuje
las formas de onda de entrada y la salida.
b) Ahora, repita considerando que la cada es constante de 0.7V, para todas las corrientes.
P2.1 Mediciones bsicas. Diodo en Conduccin la cada directa.
a) un diodo particular con el ctodo a tierra, alimentado va un resistor de 1k, tiene una cada
de voltaje de 0.62V. cul es la corriente del diodo?
b) Cuando al diodo, que esta operando en el caso anterior, se le conecta en paralelo una resistencia
de 1k, la cada de voltaje cambia en 30mV. cul es el nuevo punto de operacin del diodo?
Estime n (coeficiente de emisin).
EXPERIENCIAS
E1. Arme el circuito indicado usando el diodo 1N4007,
una resistencia de 1k y con la fuente de alimentacin
en 10V.
a) mida vD (=VB) y encuentre iD.
b) conecte en paralelo a R otra del mismo valor.
mida vD (=VB) y encuentre iD. Estime n.
c) al circuito anterior conctele un segundo diodo
en paralelo. Cunto es vD? que se puede decir al
respecto.
230
E2. Obtenga la caracterstica iD-vD. (use la tabla slo como referencia)
v
(*) calculada, R .
R
E(V) vD iD(*)
-5
-1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
2
4
6
(por ejemplo estos valores)
Rectificacin de media onda.

Objetivo: explorar el comportamiento del diodo en un rectificador.
Setup:
o Arme el circuito de la fig.2 usando el diodo 1N4007, un
resistor de 1k.
o Ponga el generador de alterna en 50Hz con una amplitud
de 6V peak.
o Utilice el osciloscopio para desplegar los voltajes A y B.
Mediciones:
a) medir los voltajes A y B con el osciloscopio.
b) medir la cada de voltaje del diodo en el peak de la salida para las dos resistencias en la
carga.
c) Cambiar el generador a una salida de onda cuadrada. Ntese el efecto de la cada en el
diodo.
Rectificacin de media onda con filtro.

Objetivo: explorar el uso del capacitor para almacenar
energa y su efecto en el suavizado del voltaje de salida.
+
Setup: Arme el circuito de la fig. 3. Use un generador
sinusoidal de 6V peak y f=50Hz. Utilice un switch para
conectar el condensador. Use un capacitor C=100uF,
R=1k, ntese que el capacitor es polarizado, es decir,
debe ser operado con su terminal (+) al terminal de mayor
potencial.
231
Mediciones:
Despliegue las formas de onda de los nodos A y B. mida la cada en conduccin del diodo. Dibuje
cuidadosamente las formas de ondas. Estime los intervalos de tiempo para los cuales el diodo est
conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo, vak).
Rectificacin de onda Completa. Transformador con tap central.
Objetivo: comprender el proceso de

rectificacin.
Setup: Arme el circuito de la fig. 4.
utilice un transformador de tap-
central. Cuidado con manipular el
primario que est a una tensin
peligrosa.
RL=1k, C=220F/50V
Mediciones:
Despliegue las formas de onda de los nodos A y B. mida la cada en conduccin del diodo. Dibuje
cuidadosamente las formas de ondas. Estime los intervalos de tiempo para los cuales el diodo est
conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo, vak).
232
Rectificacin de onda Completa. Puente de Graetz.
Objetivo: comprender el proceso de rectificacin con un puente de Graetz.

Setup: Arme el circuito de la fig. 5. utilice un transformador normal. Cuidado con manipular el
primario que est a una tensin peligrosa.
Mediciones:
Despliegue las formas de onda del voltaje de secundario y el voltaje de salida con y sin filtro. Mida
la cada en conduccin del diodo. Dibuje cuidadosamente las formas de ondas. Estime los
intervalos de tiempo para los cuales el diodo est conduciendo directo. (dibuje el voltaje del diodo,
vak). Y sugiera mediciones que sean de inters.
1k
233

.
.
ANEXO:
Para calcular el coeficiente de emisin (n), usando la ecuacin de Schockley.

I I
= P Q 8I 5 1R > 0.1 P 8I
IA
Dadas dos mediciones vD1, ID1 3 P 8I
=
y vD1, ID1 si hacemos la relacin 4 I?
entre ellas P 8I
3 3 5 4

ln =
4 n
234
Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
Laboratorio: Amplificacin con BJT
Objetivos
o Analizar el funcionamiento de un amplificador de emisor-comn
o La relacin entre linealidad y ganancia (excursin simtrica mxima)
o Contrastar lo terico, simulado y prctico.
o BC548 (BJT)
o Osciloscopio, generador de funciones, multmetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Resistencias: 150, 1k, 3.3k(x2), 5.6k, 10k, 20k, 33k, 82k, 390k
o Condensadores 10uF, 100uF.
Anlisis en continua
Determine los puntos de operacin, dado que el hFE (= ) de este transistor vara entre =110 y
=8006. el circuito est diseado para ser independiente de las variaciones de ?
Analticamente, obtenga las Recta de cargas de continua. (Considere el punto de operacin medio
entre los valores anteriores).
Anlisis en Alterna7
Obtenga la Recta de carga de alterna. Obtenga Av, AI la expresin de v0(t) y de vce(t) si
Vin(t)=Amsin(t).
De la recta de carga de alterna obtenga el valor del vcemx posible sin distorsin. Con este valor
estime el mximo valor posible del voltaje de entrada.
Laboratorio
Mida los valores del punto de operacin ICQ, VCEQ se puede medir indirectamente IBQ? Puede
estimar el en que est trabajando su circuito?

Estime r (=hie) ( hie = VT )
IC Q
Visualice las seales completas y sus componentes vCE(t)=VCE (t) + vce(t) etc
Obtenga Av a distintas frecuencias de la seal de entrada, tabule (obtenga el Ancho de banda)

Para diferentes amplitudes de la seal de entrada, obtenga la salida cul es la mxima amplitud
de entrada, sin provocar distorsin en la salida? (Excursin simtrica mxima)
6
Ver datasheet
7
Notacin: ejemplo, vCE(t)=VCE (t) + vce(t) .. (variableCOMPLETA)=(VARIABLECONTINUA)
+ (variablealterna)
235
5.6k
20k
f Av Am(mV) Amplitud
Amplitud salida V0
Entrada
236
Laboratorio: Amplificadores Operacionales y Comparadores

Prof.: Ramn Guirriman C.
Objetivos
o Analizar el funcionamiento de un amplificador Operacional en aplicaciones lineales y no-
lineales
o Observar los efectos de la realimentacin negativa.
o Contrastar lo terico, simulado y prctico.
o Amplificadores Operacionales LM 358 / LM532
o Comparadores LM311 / LM393
o Osciloscopio, generador de funciones, multimetro digital, y una fuente de alimentacin
dual.
o Resistencias: 100,(2x)1k, 10k, 100k, (2x) 1Meg.
o Condensadores 1nF, 80nF, 0.1uF, 100uF.
Polarizacin: para todos los circuitos use 15V.
1. Restador
Implemente el circuito restador y observe la
respuesta a diferentes voltajes de entrada:
a) continuos.
b) Alternos. Realice medidas a diferentes
niveles de amplitud y frecuencia.
237
2. Amplificador de ganancia finita y controlable.
Repita la operacin anterior para distintos niveles de alimentacin
3. Rectificador
Compruebe la funcin de Rectificacin
y comente sobre los voltajes umbrales
de ella.
4. Generador de pulsos de ancho T1 y T2.
Analice el circuito y determine los tiempos

T1 y T2 .
Observe las variables del circuito en

particular los puntos de comparacin.
Cmo se puede variar la frecuencia y los
tiempos T1 y T2
238
Otras experiencias para simular y/o experimentar (obtenidas de la hoja de datos, datasheet, de los
fabricantes.
5. INFORME FINAL
5.1 Analizar las mediciones realizadas de voltaje AC, para seales senoidales.
5.2 Analizar las mediciones realizadas con respecto a amplitud y de frecuencia.
5.3 Presente los resultados tabulados y en forma grfica.
5.4 Conclusiones generales.
239
ANEXO LABORATORIOS
ESCUELA UNIVERSITARIA DE INGENIERA
ELCTRICA Y ELECTRNICA
PAUTAS SOBRE INFORMES DE LABORATORIO
CARACTERSTICAS GENERALES.
Los laboratorios son evaluados usualmente por medio de informes. Las personas que lo
leern no necesariamente deben saber la materia tratada por lo tanto, el informe debe ser claro y
conciso respecto a mtodo e interpretacin del resultado.
El informe deber ser escrito en pasado, tercera persona y completamente impersonal. Debe
ser completo, ordenado, limpio y gramaticalmente correcto.
FORMATO
1. Ttulo del trabajo
2. Gua de laboratorio
3. Informe previo.
4. Informe final.
CONTENIDO:
1.0.- TITULO DE TRABAJO
En esta pgina debe aparecer el nombre de la Universidad, el nombre de la asignatura, fecha
y ttulo de la experiencia, fecha de entrega del informe, nombre del estudiante y/o de sus
compaeros participantes en la experiencia, nombre del profesor.
2.0.- INFORME PREVIO

Debe contener grficos, anlisis o justificacin terica, dimensionamiento de los
elementos, mtodos de medicin a emplear y prediccin de resultados experimentales.
3.0.- INFORME FINAL Debe incluir:

3.1.- INDICE
El ndice de materias detallar todos los captulos del informe, con el nmero de
pgina correspondiente.
3.2.- INTRODUCCIN
La introduccin debe ser un prrafo conciso apuntando al objetivo y alcances de que
se trata el informe y debe incluir las especificaciones del diseo.
3.3.- IDENTIFICACIN DE LOS ELEMENTO E INSTRUMENTOS UTILIZADOS
Hacer una lista de todo el equipo usado en la experiencia con nmero, modelo,
nombre de fbrica y descripcin general s el instrumento es usado por primera vez.
Cantidad y nombres de componentes.
3.4.- PROCEDIMIENTO O MEDICIONES:
Indicacin de los pasos seguidos con nfasis en los mtodos empleados, formas de
comprobacin, compensaciones, situaciones de inters o conflictivas y como se superaron,
240
errores de diseo, armado o procedimiento. Dificultades, instrumentales o ambientales no
superadas. Todo lo necesario para repetir en forma idntica la experiencia y obtener los
mismos resultados. Observaciones personales.
3.5.- PRESENTACIN DE RESULTADOS
Siempre que sea posible, los resultados deben presentarse en forma grfica, de modo
que puedan ser interpretados en forma ms conveniente u objetiva para el lector. Tambin
puede presentarse en forma de tablas. Generalmente debe incluir comparaciones mostrando
porcentaje de error.
Las escalas de los grficos deben ser seleccionadas con cuidado, no muy amplias ni
muy chicas. Habr que poner el nombre del grfico y de las variables con sus unidades en
las coordenadas. Debe ser completo con toda la informacin necesaria para explicar su
significado.
3.6.- CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

La parte ms importante del informe tcnico es la discusin y explicacin de los
resultados, conclusiones importantes, y las observaciones personales
Anlisis de la experiencia realizada en relacin a los objetivos planteados.
Que otros objetivos se lograron.
Como fue el trabajo en relacin al instrumental y al medio ambiente.
Grado de dificultad en relacin al conocimiento y habilidad del alumno en ese momento.
3.7.- BIBLIOGRAFA
241
Se incluye la presentacin en el disco y est disponible en intranet.
PPT FUNDAMENTOS DE OSCILOSCOPIO PARA ESTUDIANTES DE INGENIERA ELCTRICA
Fundamentos_de_osciloscopios_para_est_EE.pdf
PPT EQUIPOS DE LABORATORIO EN LA EIEE

EquiposLaboratorio-osc-equip.pdf
Manejo del osciloscopio
Manejo del generador de funciones
Manejo de la fuente de alimentacin
PPT OTRAS EXPERIENCIAS DE LABORATORIO
ELaboratorioElectro-exp.pdf
Efecto de la tensin de codo

Comportamiento en frecuencia
Montaje con diodos zener
Obtencin de curvas caractersticas de diodos
Corriente inversa de los diodos
Efecto de la temperatura
Uso de un LED como fotodiodo
Uso de un LED como clula solar
Montajes con transistores bipolares
Uso como amplificador del transistor
Operacin en zona activa
Circuitos para mejorar la conmutacin
Construccin de una clula de memoria
Montajes con MOSFET
Manejo de la puerta de un MOSFET
Driver para MOSFETs
Inversor digital con tecnologa MOSFET
242
PRUEBAS ANTERIORES
Los problemas presentados en esta seccin son algunos seleccionados, en general, en las pruebas
y/o examenes se preguntan problemas que fueron desarrollados en clases y/o en el apunte de clases.
Se ha tratado de no repetir los problemas que ya fueron desarrollados exhaustivamente en el apunte.
Elctrica-Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Vin=10+1sen(250t) [V] (la componente alterna se debe al ripple de la
fuente de alimentacin).
Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

0.7V a 1mA y n=2.
2. Determine la caracterstica de transferencia

Vin-V0, considere diodos ideales. Identifique las
distintas regiones de operacin e indique los
diodos que conducen en cada regin.
Dado V1=4, V2=2, R=1k
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
243
PRUEBA N1: Electrnica General I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Para el circuito de la figura considere que R=10k y

Vin=10+1sen(250t) [V] (la componente alterna se debe al ripple de la
fuente de alimentacin).
Determinar vD(t) considerando que el diodo tiene una cada de

0.7V a 1mA y n=2.
DESARROLLO:
Considerando, primero, el anlisis para la componente continua y

considerando VDQ 0.7V de acuerdo a los datos dados
IDQ= (VinCC VDQ )/R=0.93mA
Como este valor es muy cercano a 1mA, el voltaje continuo del diodo es muy cercano al valor supuesto.
En este punto de operacin, la resistencia dinmica del diodo rd es:
n VT
rd = =53.8
IDQ
El valor peak-to-peak del voltaje alterno en el diodo se determina aplicando LVK
rd
vd = 2 =10.7mV (la amplitud de la componente ac de Vin es 1V, luego su
R + rd
valor peak-to-peak es 2)
De esta manera, la amplitud de la seal sinusoidal a travs del diodo es 5.35mV. Por esto, la expresin del
voltaje del diodo es:
vD(t)=0.7 + 5.35103sen(250t) [V]
244
2. Determine la caracterstica de transferencia
Vin-V0, considere diodos ideales. Identifique las
distintas regiones de operacin e indique los
DESARROLLO:
El diodo D1 slo conduce cuando VS>V1 y entonces V0=V1.
El diodo D2 slo conduce cuando VS<V2 y entonces V0=V2.
Cuando el diodo est apagado V0= VS
1, F > 1
+ = bF , 2 < F < 1
2, F < 2
Tal como se muestra en la figura a continuacin. V0
4 Vin
2
3.- En el amplificador que se indica. Explique: a) la funcin de cada condensador. b) por qu es necesario
polarizar el transistor. Determine: c) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V d) grafique las
rectas de carga de entrada y salida e) la ganancia de voltaje, AV y de corriente AI f) Zin y Z0. g) si el voltaje
de entrada, VS es de 1mV de amplitud senoidal, grafique el voltaje de salida (en estado estacionario y a
frecuencias medias).
245
DESARROLLO:
a) C1 y C2 son condensadores de acoplamiento, permiten acoplar las seales alternas con la continua
de polarizacin. CE es de desacoplamiento en alterna permite eliminar RE2 (en este caso)
consiguiendo, con esto, elevar la ganancia.
b) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a la
polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
c) y d) Desarrollado extensamente en el punto 3.14.
e) circuito equivalente de alterna.
Para determinar la ganancia de tensin, tenemos:
J J 2e
,I = =
-8 2e -8
+ = 2e (3 ||E )
-8
= -g + ( + 1)3
2e
La impedancia de entrada:
-8
h-8 = = ij ||[-g + ( + 1)3 ]
2-8
Similarmente, h+ 3 (comprobar)
Respecto a obtener V0 para un VS determinado podemos observar que
J J 2e -8 -8
,IF = = = ,I
F 2e -8 F F
Donde,
h-8
-8 =
F + h-8 F
Por lo tanto como VS es de 1[mV] y senoidal,
J = ,IF F = ,IF m no [mV]

246
Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:

a) el diodo es ideal
b) diodo ideal + V=0.6V
c) el diodo est descrito con la ec. de Schockley con
n=1.98, Is=14.10n.
d) suponga que la corriente continua en el diodo,
para el modelo del caso b) es de 100mA, obtenga su
modelo en alterna y obtenga iD cuando la excitacin
es E=6+0.01sen(t) [V]
4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

Vo-Vs e Is-Vs b) graficar la salida Vo cuando
Vs=7.5sen(t) [V]
c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.
247
Prueba N1: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) la caracterstica i-v del diodo de unin. b) la ecuacin de Schockley y c/u de sus parmetros,
limitaciones. c) que es un material tipo n y tipo p d) como se logra un diodo de unin en una juntura n-
p.
Desarrollo:
1.- a) esto est desarrollado en el punto 2.2 del apunte
b) desarrollado en el punto 2.2.1 del apunte
c) en el punto 1.6 del apunte.
d) tratado en el punto 1.8 del apunte.
2.- determine el diodo que conduce y la corriente que pasa por R3.
Desarrollo:
La nica posibilidad es que conduzca el diodo 3 ya que es la nica

opcin para que se cumplan las leyes de Kirchhoff.
En efecto, si el D3 conduce (D3 ON) entonces su voltaje de nodo

es:
VA3=1V y = VA2= VA1=1V por lo tanto,
VAK1=1-3=-2 OFF
VAK2=1-2=-1 OFF
248
3.- Si E=6V Obtenga iD, vD si:
a) el diodo es ideal
b) diodo ideal + V=0.6V
c) el diodo est descrito con la ec. de Schockley con
n=1.98, Is=14.10n.
d) suponga que la corriente continua en el diodo,
para el modelo del caso b) es de 100mA, obtenga su
modelo en alterna y obtenga iD cuando la excitacin
es E=6+0.01sen(t) [V]
Desarrollo:
Este ejercicio se realiza detalladamente en clases y est descrito con pleno detalle en el punto 2.5 del
apunte.
4.- Obtener a) las caractersticas de transferencia

Vo-Vs e Is-Vs b) graficar la salida Vo cuando
Vs=7.5sen(t) [V]
c) graficar la corriente de entrada el para el caso anterior.
DESARROLLO:
El diodo slo conduce cuando VS>5 y entonces V0=5.
En otro caso, el diodo est apagado V0= VS
5, F > 5
+ = p
F , F < 5
V0
5 VS
(Este problema se analiza detalladamente en clases)
249
b)
5, F > 5
+ = p
7.5 mno, F < 5
c) Slo hay corriente cuando conduce el diodo, esto es cuando VS>5
(7.5 mno 5 5)/50, F > 5

2F = p
0, F < 5
Tal como se muestra en la figura a continuacin.
250
Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-
Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

i.- se polariza inversamente el diodo, la corriente que circula es de 110-9 A (es decir circula sta
corriente desde ctodo a nodo).
ii.- VD1=0.63V ID1=0.48mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.09mA
Cuando ID sea 0.3 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo circuital.
Considere el voltaje termal, VT=26mV @ temperatura ambiente.
2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
251
Electrnica EIEE
PRUEBA N1: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

ii.- VD1=0.63V ID1=0.48mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.09mA
Cuando ID sea 0.3 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo circuital.
Desarrollo:
Tal como se analiz en clases y se muestra en el anexo 4 usando la ecuacin de Schockley y haciendo la
relacin de los dos punto de operacin:
IA
3 P 8I
=
4 I?
P 8I
3 3 5 4

ln =
4
Evaluando y despejando n se obtiene:
n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)
2.- respecto de la polarizacin de un BJT para amplificacin, responda:
a) Cul es el objetivo de la polarizacin? b) Cmo se puede evaluar si una polarizacin es mejor que
otra?
Desarrollo:
a) Se polariza para llevar el transistor a su punto de operacin y luego acoplarle la seal alterna a
la polarizacin, de esta manera logara un amplificador efectivo de seales. Aprovechando la gran
ganancia que tiene el transistor.
b) Uno de los objetivos de la polarizacin es que su punto de equilibrio no vari al variar parmetro,
por ejemplo, la ganancia del transistor, . Una forma de evaluar es midiendo por ejemplo ICQ/.
ICQ/VCC, ICQ/RC, etc.
252
3.- En el amplificador que se indica. a) el punto de operacin (Q) considere que VBE=0.7V b) el punto de
operacin es independiente de las variaciones de ? c) grafique las rectas de carga de entrada y salida.
Desarrollo:
Este tipo de problemas han sido ampliamente desarrollados en clases y en el apunte, tal vez lo nico
diferente est en el tem b)
En efecto, para evaluar si el punto de operacin es independiente de las variaciones de ? Entonces se

debera evaluar el factor ICQ/.
Esto tambin se puede realizar si consideramos =100 y =200 tenemos el y con los ICQ resultantes
obtenemos ICQ.
En general la variacin debera estar dentro de un 5% para que sea independiente de las .
253
PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Determine a) ICQ, VCEQ
b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de continua y alterna.
=100, VBE=0.7V en zona activa
(VT=26mV)
RLL
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.
3.- Obtenga las expresiones de
Av, Zin y Z0.
254
PAUTA PRUEBA N2: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de continua y

alterna.
RLL
(VT=26mV)
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
Vth VBEQ 2.51

I BQ = = = 19.18 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 130.84k
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 = 1.35k
I CQ 1.92m
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m) Recta
de carga de CONTINUA
en particular, en el punto de operacin ( I CQ = 1.92 mA) VCEQ = 2.47 V
Del circuito equivalente de alterna
v ce ic ( R E 2 + RC R L ) ic 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. punto operacin)
Dado que vCE = VCEQ + vce iC = I CQ + ic entonces
255
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref. origen)
iC = 0.8m vCE + 3.9 m
Se muestran las rectas de carga de continua, alterna y el punto de operacin.
Del modelo en alterna:
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
Tambin, vo= RL ic= RL ib
256
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
Tal como se ha desarrollado en los problemas anteriores,
Z in = R12 ( h ie +( +1) R E2 ) =9.64k||21.55k=6.66k
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ RS + 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
257
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
DESARROLLO:
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q deben
satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2
VGSQ= (IDQ/K) VP = 2.4748 3.5
Es decir,
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que est dentro del rango [ VP , 0 ].
VGSQ = IDQRs
Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
Por lo general, el punto Q de un amplificador no es crtico, y resultados satisfactorios se obtienen

utilizando el resistor estndar ms cercano. En este caso, considerando resistores de 10% de tolerancia se
utiliza Rs =390.
258
Av, Zin y Z0.
DESARROLLO:
El circuito equivalente en alterna,
Sea RL= rd||RS||RL
La corriente de entrada iin fluye a travs de RL es iin + gmvgs. Por esto,
v0 = RL ( iin + gmvgs)
vin = vgs + v0
vgs = RGiin
v0 = RL ( iin + gmRGiin)
y vin = RGiin + RL (1 + gmRG)iin

259
AV= v0 /vin = RL (1 + gmRG)/[RG + RL (1 + gmRG)]
La resistencia de entrada Rin,
Rin = vin/iin= RG + RL (1 + gmRG)
Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida.
Planteando las LCK y LVK se tiene
Zo= vv /iv = 1/[1/RS + 1/rd +1/( RG + R)+ gmRG /( RG + R) ]
260
1.- Explique a) cul es el objetivo de polarizar un transistor? b) Cmo se puede evaluar si una
polarizacin es mejor que otra? c) los condensadores en el amplificador: cul es su nombre y su
funcin? d) describa los diferentes estados en que puede estar un transistor bipolar y su modelo
circuital asociado.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje, 1.5k
AV , de corriente, Ai 56k
y de potencia AP
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son 1 Meg 15k
descritos por los 2.2k
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
3. Para los circuitos indicados y

considerando que la alimentacin
es simtrica (VCC=|VEE|) obtenga:
a) la expresin del voltaje de salida
v0
b) caracterstica de transferencia y
explquela. c) indique una
aplicacin prctica del circuito.
4.- Resuelva la ecuacin diferencial que se indica usando integradores.
d 2v dv
k0 2 + k1 + k2 v V1 = 0 k0, k1, k2, y V1 son constantes
dt dt
261
circuital asociado.
Desarrollo:
a) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
b) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
c) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
d) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
2.- a) el punto de
operacin del BJT y
del FET. b) la
ganancia de voltaje,
AV , de corriente, Ai 1.5k
y de potencia AP 56k
c) la recta de carga
de continua y alterna
de la etapa de Q1 e)
Zin y Z0.
Los transistores son
descritos por los 1 Meg 15k
2.2k
siguientes
parmetros:
BJT: hfe= = 250,
hoe1
FET: IDSS=11.7mA,
VP= 3V, rd=95k
262
Desarrollo:
El anlisis en continua ha sido desarrollado en extenso en problemas anteriores, comprobar.
El anlisis en alterna, nos entrega
J J 2e t
,I = =
-8 2e t -8
Donde
*+ = 5 2e j
B3
2e + )0 t + =0
1||uv
B3 = 2e -g
Luego
1||uv
2e = 5)0 t
1||uv + -g
-8 = t
Por lo tanto
J 1||uv
,I = = )0 j
-8 1||uv + -g
h-8 = 9
J
2J E ,I
,- = = = h
2-8 - E -8
h-8
h+ =
Por inspeccin (y obviamente, prctica),
Similarmente el problema de la recta de carga ha sido desarrollado en las pruebas anteriores y en

el punto 3.14.
263
2. Para los circuitos indicados y
considerando que la alimentacin
es simtrica (VCC=|VEE|) obtenga:
a) la expresin del voltaje de salida
v0
b) caracterstica de transferencia y x
explquela. c) indique una
aplicacin prctica del circuito.
Desarrollo:
*@ = *w = *F
*F
2B = = 29B

29B = 2iB
Por inspeccin
*F
*O =
3 + 2B =
3 + = 4*F

2iB = 29B + 2iB = 22B
*J = *O + 4 2iB = *O + 4
2 2B = 12*F
3.- Resuelva la ecuacin diferencial que se indica usando integradores.

d 2v dv
k0 2
+ k1 + k2 v V1 = 0 k0, k1, k2, y V1 son constantes
dt dt
Desarrollo:
Utilizando los bloques sumadores, restadores e integradores se puede construir el siguiente
circuito.
Sugerencia es partir por despegar la segunda derivada e ir agregando los bloques.
Una solucin es la propuesta a continuacin:
264
EIEE
Prueba N2: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
265
EIEE
Prueba N2: Electrnica I PROF.: Ramn Guirriman C.
1.- Explique: a) qu son los parmetros h y su significado fsico. (Describa y use grficos para mejor
interpretacin). b) la caracterstica de entrada y salida de un JFET (apyese en grficos) 15p
Desarrollo:
a) Lo que se requiere es lo analizado detalladamente en el tem 3.9 de este apunte.

b) Est detallado en el punto 4.3 de este apunte.
2.- En el amplificador Jfet IDSS=8mA, VP= 4V. RS=1.5k, RD=2.4k RG1=2.1M, RG2=270k. a) Determine el punto
de operacin, grafique las correspondientes rectas de cargas. b) Calcule AV, AI, Zin, Zo.
Desarrollo:
Equivalente thevenin en el Gate.
tt = B =1.82

By?
yA wBy?
tF = tt F =1.82 - ID1.5k ec.1
= z
tF { 4 ec.2
z=

I|?
=0.5 [mA/V2]
Resolviendo las ecuaciones 1 y 2 resulta VGS=-1.8V e IDQ=2.4 mA (se descarta la solucin que est fuera
del rango VP<VGS<0 )
266
Con esto se puede calcular la transconductancia, gm
)0 = 2}z ~
El circuito equivalente en Alterna es:
Luego, para la ganancia de voltaje, se tiene:
J J *
,I = =
- * -
*+ = )0 *
||E
Y por inspeccin
- = *
Por lo tanto
J
,I = = )0
||E
-
h-8 = t3 ||t4
J
2J E ,I
,- = = = h
2-8 - E -8
h-8
Por inspeccin (y obviamente, prctica),
h+ =
267
3.- En el amplificador que se indica. a) completar los puntos de operacin (Q) de los tres transistores b)
Las rectas de cargas de continua de los transistores c) las rectas de carga de alterna de la salida c) la
ganancia de voltaje, AV , de corriente, Ai y de potencia AP d) Zin y Z0.
VCC=+15
IDQ=3.29mA
IE2Q=1.84mA
IE3Q=3.25mA
2=150
RL +
3=80
250 Vo
VBE=0.7V
Desarrollo:
a) Dada las corrientes y haciendo LVK en cada transistor, tenemos:

VCC = IDRd + VDS + IDRS VDS=15-3.29(0.62+1.6)=7.69V
VCC IE2R3+ VEC2 + IE2R6 VEC2 15-1.84(1.4+4.7)=3.78V
VCC VCE3 + IE3R6||RL VCE3 15-3.25(0.232)=14.25V
b) Rectas de continua
VCC = IDRd + VDS + IDRS VCC = ID(Rd + RS )+VDS
VCC IE2R3+ VEC2 + IE2R6 VCC IC2(R3+ R6 )+VEC2
VCC VCE3 + IE3R6||RL VCC VCE3 + IE3R6||RL
c) Recta de alterna de salida:

Del circuito equivalente en alterna.
*/g9 =
9 + 1 2e9
i ||E 2/9
i ||E
(*;9 = ;9 + */g9
*;9 = ;9 + 2/g9 )
Tal como se analiz en el punto 3.14.

268
En alterna, el circuito equivalente resulta:
J J 2e9 2e4 *t
,I = =
6 2e9 2e4 *t 6
+ =
9 + 1 2e9
i ||E
J
=
9 + 1
i ||E
2e9
Bu 2e9 [-g9 +

9 + 1
i ||E ]
4 2e4 = 2e9 + = 2e9 +
u u
2e9 4
=
2e4 [ +
9 + 1
i ||E ]
1 + -g9 u
B$ 2e4 -g4

2e4 = )0 *t + = )0 *t +
$ $
2e4 )0
=
*t 1 + -g4
$
6
*t = *
+ 6 6
Por inspeccin:
h-8 t
Similarmente, h+ = i ||
[>D wB ]

D w3
(comprobar)
269
|
Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

b) Av, Ai, Zin Z0.
c) Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.

(VT=26mV)
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene IDSS=5mA y VP= 3.5V
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener IDQ=2.5mA.

Av, Zin y Z0.
270
|
PAUTA Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV)
Desarrollo:
Anlisis en continua
R2
Vth = VCC = 4V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 6.67 k
Vth VBEQ 3.3
I BQ = = = 3.78 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 872.6k
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =0.945mA
VT 26m
hie = r = = 250 = 6.88k
I CQ 0.945m
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 12 = 6.75k IC +VCE (IC = 1.777m VCE 0.148m)

Recta de carga de CONTINUA
Anlisis en alterna.

vCE VCEQ ( iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I C Q ) 2631 Recta de carga de ALTERNA (ref.
origen)
iC = 0.38m vCE + 3.08m
(REVISAR PUNTO 3.14)
271
2.- Disear un circuito de auto-polarizacin para un JFETn que tiene I =5mA y V = 3.5V
DSS P
(JFETn 2N4221), y Rd=2.2k, Vdd=20V. El circuito debe tener I =2.5mA.
DQ
Anlisis en continua
Considerando que el dispositivo opera en la regin de saturacin, los valores del punto Q
deben satisfacer la ec. 4.8. Luego,
iD = K(vGS VP)2

VGSQ= (IDQ/K) VP = 2.4748 3.5
Es decir,
VGSQ2= +2.4748 3.5= 1.0252, este valor es la solucin ya que se encuentra
dentro del rango [ VP , 0 ].

VGSQ = IDQRs

Rs = VGSQ/IDQ= 1.0252/2.5m=410.08
Por lo general, el punto Q de un amplificador no es crtico, y resultados satisfactorios se

obtienen utilizando el resistor estndar ms cercano. En este caso, considerando resistores de 10%
de tolerancia se utiliza Rs =390.
272
Av, Zin y Z0.
Desarrollo:
Cto. equivalente en alterna:
Equivalente de alterna del circuito seguidor de fuente (Sourcefollower).
Sea RL= rd||RS||RL

La corriente de entrada iin fluye a travs de RL es iin + gmvgs. Por esto,
v0 = RL ( iin + gmvgs)
vin = vgs + v0
vgs = RGiin
v0 = RL ( iin + gmRGiin)
y vin = RGiin + RL (1 + gmRG)iin
AV= v0 /vin = RL (1 + gmRG)/[RG + RL (1 + gmRG)]
La resistencia de entrada puede ser encontrada de la ecuacin (4.50) se tiene Rin,

Rin = vin/iin= RG + RL (1 + gmRG)
273
Circuito equivalente para "medir" la impedancia de salida.
Planteando las LCK y LVK se tiene

Zo= vv /iv = 1/[1/RS + 1/rd +1/( RG + R)+ gmRG /( RG + R) ]
274
Examen: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
circuital asociado. 20p
2. En el Amplificador de Instrumentacin indicado determine la razn de rechazo comn.
3,- si =250, VBE=0.7V

Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.
15p
275
Pauta Examen: Electrnica I Prof.:Ramn Guirriman C.
circuital asociado. 20p
Desarrollo (R E S P U E S T A POSIBLE):
e) El objetivo es poner el transistor en un punto de operacin de tal manera que al agregar una
seal senoidal se pueda amplificar sin distorsionar. Es el principio de la linealizacin en el
punto de operacin, para pequea seal, se puede aplicar tcnicas lineales de anlisis.
f) Una polarizacin es mejor cuando el punto de operacin no cambia al cambiar el valor de
un parmetro. Generalmente, el parmetro que tiene los cambios ms pronunciados es la
ganancia . Entonces se evala IC/ o cualquier otra variacin IC/RC, IC/VCC, etc.
El circuito que presente las menores variaciones es el mejor.
g) Los que conectan la fuente de seal al amplificador y el que conecta el amplificador a la
carga son los llamados condensadores de acoplamiento. Los condensadores que se
colocan en paralelo a las resistencias (generalmente en el emisor) son los condensadores de
desacoplamiento. Su funcin es anular dicha resistencia para el anlisis en alterna, con
esto se logra, en la prctica, aumentar la ganancia por un lado, y establecer un punto de
operacin en continua con esta resistencia, por otro.
h) El transistor bipolar puede estar en: a) Corte b) Activa c) Saturacin. Los modelos
circuitales son los del apartado 3.5 de este apunte.
2. En el Amplificador de Instrumentacin indicado determine la razn de rechazo comn.
Desarrollo:
Dado que IR1=IR2 y que IR3=IR4
Entonces para evaluar la Amplificacin Diferencial
276
+
, =

Tenemos que:
3
VoutDiferencial = Vout (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
+ =

1 +
4
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:
4
+3 =
1 +
3
i i
+ = .1 + 1 +3
9 9 i 4 i
+ = .1 + 1 .1 + 1
9 3 9
i i i 4
+ = .1 + 1 . + 1
9 9 9 3
3 3 3
considerando que R1=R4 y R2=R3 la tensin diferencial ser:
+ = .1 + 1 .1 + 1 =
.1 + 1
4 4 4
Es de destacar que de acuerdo con las frmulas obtenidas, con este circuito no se puede tener
ganancia unitaria, y en caso de necesitarse hay que utilizar la configuracin de tres AO's.-
Amplitud de Salida de Modo Comn
i i i 4
Considerando VA=VB =VCM de las ecuaciones anteriores obtenemos:
+ = +
9 9 9 3
i i 4
+ = +

9 9 3
i 4
La tensin de Salida de Modo Comn ser:
+;< = ;< .1 1
9 3
Y la ecuacin del CMRR:
,
= 20 log

1 i 4
9 3
Considerando la frmula para el CMRR vemos que este se incrementa con la amplificacin
diferencial y con el apareamiento de las resistencias, ya que si se logra, el CMRR tiende a
infinito.-
Amplitud de Salida Diferencial
VoutDiferencial = Vout=V0 (donde VA es distinto de VB) es la siguiente:
277
3
+ =
.1 + 1
4
Esta ecuacin surge haciendo el siguiente anlisis del circuito anterior:
3
+3 = .1 + 1 i i
4 + = .1 +
1 +3
9 9
4 2 4
+ = .1 + 1 .1 + 1
3 1 3
3,- si =250, VBE=0.7V

Grafique las rectas de carga de
continua y alterna.
15p
Desarrollo:
;; = ; 3 + ; +
+ 1
4 + j
En continua (los condensadores son circuito abierto)
En alterna:
*/g + 2/ 3 ||v + 2g 4 = 0
Del circuito equivalente en ac planteando LVK se obtiene:
2/ = W 2g
Como
*/g = 2/
3 ||v + = 2/ ;E
B?

Entonces recta de alterna ejes ic-vce.
*; = ;~ + */g

Y dado que siempre:
2; = ;~ + 2/

*; ;~
Luego expresando estas ecuaciones en trminos de las variables completas vCE e iC.
2; = ;~
;E
2; = ;~ + B
I
Recta que pasa por los puntos

*; = ;~ + ;E ;~
Tal como est desarrollado en el punto 3.14 del presente apunte.

278
1. Determine: a) la ganancia de voltaje para el circuito

que se indica. Los transistores son descritos por los
siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el
punto Q se obtuvo: ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k
y en el punto Q IDQ=2mA, VDSQ=14V
b) las rectas de cargas de continua y alterna en cada
transistor, grafique.
2. en el circuito indicado. Explique el principio

de funcionamiento y determine la funcin del
voltaje de salida. Considere diodos ideales.
Obtenga la expresin y grfica de v0(t) cuando
el voltaje de entrada es 1.5sen(t) [V]
3. Considerando que VCC=|VEE| obtenga: a) las formas de

ondas relevantes y sus expresiones, deduzca la expresin
del periodo del voltaje de salida.
b) proponga modificaciones al circuito para que la
tensin de salida tenga ciclo de trabajo variable
(T=T1+T2, T1 y T2 diferentes)
279
PAUTA Examen: ELECTRNICA I PROF.: Ramn Guirriman C.
1. Determine: a) la ganancia de voltaje para el circuito

que se indica. Los transistores son descritos por los
siguientes parmetros:
BJT: hfe= = 150, hie=2.6k, hoe1=132k y en el
punto Q se obtuvo: ICQ=1.515mA, VCEQ=6.21V
MOSFET: : IDSS=2mA, VP= 2V, gm=2mA/V, rd=50k
y en el punto Q IDQ=2mA, VDSQ=14V
b) las rectas de cargas de continua y alterna en cada
transistor, grafique.
ib ib(+1)
ib
gmvgs
Vi = v gs R d 1 = rd R1 500 se puede despreciar hoe-1 por ser un valor muy grande

vds
g m v gs + id 1 = ib [1] id1 = [2] vds = [hie + ( + 1) RE ]ib [3]
Rd1
h + ( + 1) RE
Reemplazando id1 en [1] ib 1 + ie = g m Vi
Rd 1
Como V0 = ib RC
V0 g m RC
AV = = = 25.22
Vi hie + ( + 1) RE
1 +
Rd 1
FET:
Recta de continua ( I D vs. VDS ): VCC Rd 1 I D + VDS
Recta de alterna ( id vs. vds ): reemplazando en la ec. [1] id + id 1 = ib las ecs. [2] y [3]
280
vds vds
id + =
Rd 1 [ hie + ( + 1) RE ]
1 1
id = vds +
Rd1 [ hie + ( + 1) RE ]
BJT:
Recta de continua ( IC vs. VCE ): VCC ( RE + RC ) I C + VCE
Recta de alterna ( ic vs. vce ): LCK en la trayectoria de vce ib + vce + ( + 1)ib = 0

vce
despejando ic y dado que en la zona activa ( ib = ic ) ic
(RE + RC )
2. en el circuito indicado. Explique el

principio de funcionamiento y determine la
funcin del voltaje de salida. Considere
diodos ideales.
Obtenga la expresin y grfica de v0(t)
cuando el voltaje de entrada es 1.5sen(t)
[V]
Desarrollo:
Tal como se realiza en el punto 5.9 de este apunte

V0
VS
-R2/R1
281
La respuesta temporal obtenida por simulacin o por
dibujo a mano alzada considerando la caracterstica de
transferencia.
282
3. Considerando que VCC=|VEE| obtenga: a) las formas de
ondas relevantes y sus expresiones, deduzca la expresin del
periodo del voltaje de salida.
b) proponga modificaciones al circuito para que la tensin de
salida tenga ciclo de trabajo variable (T=T1+T2, T1 y T2
diferentes)
Desarrollo:
a) Multivibrador Astable
t

vC (t ) = VCC (VCC + VEE )e RC
T1

en t=T1 VCC = VCC (VCC + VEE )e RC
1 + (VEE VCC )
Al resolver para T1, se tiene T1 = R C ln Para el intervalo T2, la salida es
1
baja y el condensador se descarga desde el voltaje VCC hacia el voltaje final VEE . En este caso
t'

vC (t ) = VEE + (VEE + VCC )e
' RC
Donde en t=0, vC ( t ' ) = VCC y en t=T2, vC (T2 ) = VEE es decir
1 + (VCC VEE )
T2

VEE = VEE + (VEE + VCC )e RC
T2 = R C ln
1
Para un caso comn VCC = VEE y la salida representa una onda cuadrada de periodo
1+
T = T1 + T2 = 2R C ln
1
T1 T2
VCC
VCC
- VEE
b)
-VEE
T1 y T2 diferentes al agregar diferentes

resistencia con diodos, tal como se
indica.
283
1.- En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:

ii.- VD1=0.63V ID1=0.4878mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.0907mA
Cuando ID sea 0.5 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo
circuital.

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV) RLL
3.- Determine la ecuacin diferencial que resuelve el siguiente circuito.
f(t)
y
z x(t)
284
DESARROLLO:
1.- En un laboratorio se miden los parmetros de un diodo, cuando:
ii.- VD1=0.63V ID1=0.4878mA
iii.- VD2=0.7V ID2=2.0907mA
Cuando ID sea 0.5 A, determine : a) VD b) el valor de la resistencia dinmica, rd c) un modelo
circuital.
Desarrollo:
Tal como se analiz en clases y se muestra en el anexo 4 usando la ecuacin de Schockley y

haciendo la relacin de los dos punto de operacin:
IA
3 P 8I
=
4 I?
P 8I
3 3 4

ln =
4
Evaluando y despejando n= 1.72 (ntese que este valor est entre 1 y 2 para los diodos de unin)

b) Av, Ai, Zin Z0.
continua y alterna.

(VT=26mV) RLL
Desarrollo:
R2
Vth = VCC = 3.21V
R1 + R2
Rth = R1 R 2 = 9.64 k
Vth VBEQ 2.51
I BQ = = = 19.18 A
Rth + ( + 1)( RE1 + RE 2 ) 130.84k
285
VT 26m
Dado que estamos en la zona activa I CQ = I BQ =1.92mA hie = r = = 100 =
I CQ 1.92m
1.35k
VCC I C RC + VCE + I C ( RE1 + RE 2 ) 9 = 3.4k IC +VCE (IC = 2.65m VCE 0.294m)
Recta de carga de CONTINUA
vCE VCEQ (iC I CQ ) ( R E 2 + RC R L ) ( iC I CQ ) 1248 Recta de carga de ALTERNA (ref.
origen)
iC = 0.8m vCE + 3.9 m
286
R1 R2 RC RL
R12=R1||R2 = RL=RL||RC = =1.05k
R1 + R2 RC + RL
Ganancia de voltaje, AV
vin= ib ( h ie +( +1) R E2 )
Tambin, vo= RL ic= RL ib
v0 R 'L
AV = = = 4.87
vin h ie +( +1) R E2
Z in = R12 ( h ie +( +1) R E2 ) =9.64k||21.55k=6.66k
vin
Alternativamente, vS = iS RS + vin iS = ib +
R12
vin 1 1
vS = (ib + ) RS + vin = + RS + 1 vin = AT vin
R12 h ie +( +1) R E2 R12
v0 R ' 1 1
Luego AVT = = AV AT = L
+ R +
S 1
vS h ie +( +1) R E2 hie +( +1) R E2 R12
i0 ( v0 / RL ) Z 6.66k
AI = = = AV in = 4.87 = 16.2
iin ( vin / Z in ) RL 2k
Z 0 RC
287
3.- Determine la ecuacin diferencial que resuelve el siguiente circuito.
f(t)
y
z x(t)
Desarrollo
R3
VX = VZ
R4
1
R2C2
VZ = VY ( )d
dVZ
VY = R2C2
dt
1 1
VY =
RbC1 VX ( )d
RaC1
V f ( )d
Reemplazando
4
+ 400 = 1000Y
o
o 4
288
Electrnica EIEE
EXAMEN: Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
1.- Determine los estados de los diodos del circuito.
2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT y su relacin con el modelo en alterna
del dispositivo.
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
289
DESARROLLO :
1.- Determine los estados de los diodos del circuito.
Desarrollo :
Por ser un circuito no-lineal con cuatro posibilidades :
-Se descarta la posibilidad que los dos estn apagados, porque hay una fuente de corriente que debe
conducir su corriente en el circuito.
Provando los otros estados posibles se encuentra que la nica solucin es que conduzca el D4 y el
D3 est apagado.
En efecto, en este caso IR1=5mA luego planteando LVK
VD3= IR1 R1 10= 5mA1k - 10= -5 LO que comprueba que efectivamente el diodo
D3 est apagado y slo conduce el D4.
2.- Explique:
a) las caractersticas de entrada y salida de un transistor BJT .
b) Explique las principales caractersticas y diferencia entre el Amplificador operacional y el
Comparador. De ejemplos, cmo se reconocen? Etc.
c) Explique los parmetros h y su significado. (Describa y grafique la interpretacin).
Desarrollo :
a) Esto se desarroll detalladamente en clases y es lo que se explica en el punto 3.4 y detalles
se encuentran en la fig 3.5.
b) La principal diferencia que los caracteriza es que el AO est diseado para realimentacin
negativa en cambio el Comparador para realimentacin positiva.
Los circuitos con operacionales son de gran versatilidad van desde los amplificadores
inversores, no-inversores, sumadores, integradores, rectificadores de presicin, etc. En cambio
los Comparadores son caractersticos de los circuitos que su salida varia entre dos valores, que
generalmente son los valores de polarizacin, as tenemos los generadores de ondas mono, y
astable, etc.
Se reconocen fundamentalmente por el signo de la realimentacin, es decir:
negativa AO; y si la realimentacin es positiva Comparador.
c) En el punto 3.8.4 de este apunte se da una exahustiva descripcin de los parmetros h,
adems, esto fue desarrollado ntegramente en la catedra.
290
3.- Compruebe que el circuito indicado corresponde a un rectificador onda completa cuando
R2=2R1. Dibuje la respuesta para una entrada sinusoidal de 1V de amplitud y 2kHz.
Este problema fue desarrollado ntegramente en clases y se expone en la fig. 5.51 se encuentra el
desarrollo.
291
Electrnica EIEE
EXAMEN: Electrnica I Prof.: Ramn Guirriman C.
1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
V1=6 V2=3 Vin=10 sen t [V]
2.- En el amplificador que se

indica. =200 VBE=0.7V
Determine: a) el punto de
operacin (Q) b)el punto de
operacin es independiente
de las variaciones de ? c)
grafique las rectas de carga de
continua de entrada y salida.
d) el circuito equivalente en
alterna y las expresiones de
AV, Zin y Z0. e) s
Vs=2sin(t) [mV] grafique
iE(t). 25p
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
292
PAUTA EXAMEN:
1. Determine la caracterstica de
transferencia Vin-V0, considere diodos
ideales. Identifique las distintas
regiones de operacin e indique los
V1=6 V2=3 Vin=10 sen t [V]
Resp.:
D1 on cuando Vin >6 V0
D2 ON cuando Vin<-3
Caracterstica Vin-V0 mostrada.

V2
V1 Vin
V2
2.- En el amplificador que se

indica. =200 VBE=0.7V
Determine: a) el punto de
operacin (Q) b)el punto de
operacin es independiente
de las variaciones de ? c)
grafique las rectas de carga de
continua de entrada y salida.
d) el circuito equivalente en
alterna y las expresiones de
AV, Zin y Z0. e) s
Vs=2sin(t) [mV] grafique
iE(t). 25p
Desarrollo:
Este problema est completamente desarrollado en el punto 3.14 del presente apunte. Se ha
evitado rehacer los problemas que estn desarrollados en algn tem del apunte.
293
3.- Dado que R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4. Determine la razn de rechazo de modo comn
(CMRR).
Desarrollo:
En este amplificador tal como se vio en el ejemplo 5.10 al hacer R5=R6=R; R1=R3 y R2=R4 la
amplificacin diferencial es:
+ 2 4
, = = 1 +

3
Amplificacin de Modo Comn

Considerando VA=VB =VCM y como los amplificadores de entrada estn en una configuracin
simtrica, la misma tensin aparece en V1 y V2, de manera que de las ecuaciones vistas
anteriormente en amplificadores diferencia (para cualquier valor de resistencias), surge que:
+ i 3 + 4 4
=
;< 9 + i 3 3
Y el CMRR ser
,
= 20 log
i 3 + 4 4
9 + i 3 3
Nuevamente el CMRR depende de la AD y del cuidado en seleccionar los valores de las

resistencias, ya sea para que sean lo ms iguales posibles o sus relaciones de unas a otras sean lo
ms exactas posibles.-
294
RESUMEN PRESENTACIONES DE PPT
295

Electronica I R.Guirriman Nueva Edicion

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Universidad de Tarapac

RAMN GUIRRIMAN CARRASCO

Escuela Universitaria de Ingeniera

Figura 1.1 Principales dispositivos semiconductores en Electrnica. ..........................................................21

Tabla 1.1 Mximo nmero de e- por capas....................................................................................................22

Ubicacin en el plan de estudios

Descripcin de la asignatura. Adecuacin al perfil profesional

Relacin con otras asignaturas. Prerrequisitos y recomendaciones

Escuela Universitaria de Ingeniera Elctrica-Electrnica

NOMBRE DE LA ASIGNATURA Electrnica I

SEMESTRE CURRICULAR Cuarto Semestre

Nro. DE HORAS SEMANALES Seis (4, 0, 2)

PRE-REQUISITOS Anlisis de Circuitos I

1.- OBJETIVOS GENERALES:

Aplicar los fundamentos, modelos equivalentes, relaciones y caractersticas de dispositivos

2.- OBJETIVOS ESPECFICOS:

1. Diodos. Fundamentos, modelos y aplicaciones.

2. Introduccin a los Amplificadores.

3. Dispositivos de Amplificacin. Amplificadores Multietapas.

Transistor de Efecto de Campo (FET). Caractersticas del FET de Unin (JFET).

4. Amplificadores Operacionales. Modelos y aplicaciones lineales y no-lineales.

6. Introduccin a los amplificadores realimentados.

Rashid, Muhammad H. Circuitos microelectrnicos - Anlisis y diseo,

Cathey, J. - Schaums Electronic Devices and Circuits, McGraw-Hill, 2002.

DIRECTOR DE DEPARTAMENTO DECANO DE ESCUELA

Figura 1.1 Principales dispositivos semiconductores en Electrnica.

El primer diodo de vaco, basado en el fenmeno de emisin termo-inica (emisin de

1.2 La Fsica de los Semiconductores

1.2.1 Estructura Atmica de los materiales

En el tomo en estado normal se cumple que:

Tabla 1.1 Mximo nmero de e- por capas

Tabla 1.2 Ejemplo de distribucin de los electrones en algunos elementos.

(ver Tabla peridica en el Anexo 2)

Ntese que la ltima capa es la llamada capa de Valencia.

1.3 Bandas de Energa

1.3.1 Bandas de Conduccin y Valencia

Para mover un e- de la capa de valencia, su energa debe ser aumentada. Ya que en el

La densidad de e- libres est estrechamente relacionada a la estructura atmica, en particular

1.5 Enlace Covalente

Cuando un e- deja su capa de valencia, un "hueco", h+ ausencia de un e- es dejado tras l. El signo

El Semiconductor intrnseco tiene igual concentracin de e- libres y huecos producidos por

ni : densidad intrnseca de portadores

Ntese que el semiconductor contaminado es aun elctricamente neutro.

1.7 Portadores Mayoritarios y Minoritarios.

Figura 1.12 Ejemplo del flujo neto de corriente en un material semiconductor.

En el diodo semiconductor, el efecto de ambos portadores es considerado. El concepto de los

El contacto de los materiales produce una redistribucin de huecos y e- en la vecindad de la

Normalmente, la velocidad promedio debido al campo aplicado es mucho menor que la

1.8.1 Potencial de barrera

La diferencia de potencial a travs de la capa de agotamiento se llama potencial de barrera.

1.8.2 Polarizacin Directa

En equilibrio, la corriente de corrimiento equilibra la corriente de difusin. Debido a que el voltaje

1.8.3 Polarizacin Inversa

El efecto de la polarizacin directa es prcticamente eliminar la corriente de corrimiento de

Claramente, Is depende principalmente (casi completamente) de la concentracin de portadores

Si se invierte la polaridad de la fuente de alimentacin a la juntura p-n se fuerza a los e- de la

Si se aumenta el voltaje inverso, literalmente se alcanza un punto de ruptura, este se llama

El smbolo estndar del diodo es el mostrado en la fig. 2.1b. En el estado de conduccin

Figura 2.1 Unin P-N (diodo). a) Representacin fsica. b) Smbolo estndar.

La regin A es polarizacin directa, la corriente est compuesta principalmente de la difusin de

La regin C, tiene polarizacin inversa, produciendo una corriente casi completamente de

Smbolo del Diodo iD

Regin C Regin B Regin A