LAB.

ELECTRONICA GENERAL TEMA: POLARIZACION DEL BJT

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA-ENERGA
LABORATORIO DE ELECTRONICA GENERAL

TEMA: Polarizacin de Transistores

Bipolares

INTEGRANTES:
Vega Larrea David
Tello Ccacce Luis
Toque Huaman Adderly

PROFESOR:
Ing. Bailn

2013
LAB. ELECTRONICA GENERAL TEMA: POLARIZACION DEL BJT

OBJETIVO

Estudiar en forma experimental las caractersticas DC de los diferentes tipos de

polarizacin.

MATERIALES

1 fuente DC. 1 Protoboard.

7 resistencia:
1K ,5.6K , 22K , 680K , 3.9K ,1M ,1.8M
1 Multitester

Cables de telfono. Transistores BC547, BC557

.

Cables de conexin para fuente DC

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MARCO TEORICO

POLARIZACIN DEL BJT

Los transistores tienen como funcin principal la

amplificacin de seales, para lograr este cometido deben
ser polarizados adecuadamente mediante la aplicacin de
voltajes DC en sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a travs de circuitos de
polarizacin, los cuales garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre
su "recta de carga" y en su zona activa.
Existen una gran variedad de circuitos de polarizacin, dentro de los cuales podemos
identificar claramente cuatro tipos bsicos:

a) circuito de polarizacin fija (corriente de base constante)

b) circuito de polarizacin estabilizada por emisor
c) circuito de polarizacin por divisor de voltaje (tipo H o universal)
d) circuito de polarizacin por realimentacin de colector

POLARIZACIN BASE COMUN

Este circuito es el ms sencillo de todos los circuitos de polarizacin. La resistencia Rc

limita la corriente mxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en
saturacin, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que
ingresa a la base del transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizar el
transistor (saturacin, activa o corte)

Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias

podremos determinar con exactitud el punto de trabajo
(Q) del transistor. Como se mencion al inicio, lo que se
busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su
recta de carga, para lograr esto debemos hacer uso de
ecuaciones caractersticas del circuito. Empezaremos por
analizar dichas ecuaciones. Para realizar esto ltimo,
debemos identificar la malla de entrada y de salida del
circuito.

Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa

RB, la unin B-E (produciendo el voltaje VBE) hasta
llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente
ecuacin de malla:

Vcc= IB*RB +
VBE... (1)

Por tratarse de transistores de silicio, VBE= 0,7 v

De la ecuacin (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q),
considerando que tenemos como datos RB, RC, beta () y Vcc. Entonces:
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IBQ = (Vcc - VBE)/RB... (2)

Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E
(produciendo el VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente
ecuacin:

Vcc= IC*RC + VCE ... (3)

De la ecuacin (3) podemos despejar IC:

IC = - (1/RC)*VCE + (Vcc/RC) ... (4)

La ecuacin (4) representa la

Ecuacin de la Recta de Carga,
cuya grfica nos permite
encontrar dos puntos
caractersticos: la corriente
mxima de colector (Isat) y el
voltaje colector-emisor mximo
(Vcorte). Adems podemos ubicar
sobre ella el punto de trabajo (Q)
del transistor, que grficamente
representa la interseccin de la
Recta de carga con la curva
caracterstica.

Para: VCE= 0, tenemos:

ICmax= Isat= Vcc/RC (saturacin)

Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0

Adems, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el
valor de VCEQ:

ICQ = *IBQ

IEQ = (1+)*IBQ

VCEQ = Vcc - ICQ*RC

Estos valores definen el punto de trabajo del transistor y con ello su zona de trabajo.
Este tipo de polarizacin no es muy estable, pues el punto Q vara bastante a medida
que el transistor se encuentra trabajando ms tiempo.

Cuando se requiere realizar el diseo de un circuito de este tipo, es necesario tener

como datos el punto Q, el Vcc y el beta () del transistor.
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POLARIZACION POR REALIMENTACION DEL COLECTOR.

RC

RB

Este circuito trabaja de la siguiente manera:

vCE
Si b aumenta, entonces iC aumenta, provocando que disminuya, esto a su vez
produce un decremento en la tensin de RB .

Como el voltaje de RB disminuye, la corriente de base se hace ms pequea que le calor

inicial, esto compensa el incremento en la corriente de colector.

Una propiedad interesante de este tipo de polarizacin es que el transistor nunca se satura
aun cuando RB sea igual a cero. A medida que RB va disminuyendo el punto de
v
operacin Q se desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que CE nunca puede
ser menor a 0.7V. La base y el colector es un mismo punto cuando RB = 0 y el transistor
funciona en este caso como un diodo.

Anlisis en la malla de base:

VCC = RE iE + RBiB + vBE

R
VCC = iE RC + B + vBE
b +1
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VCC - vBE
iE =
RB
+ RC
b +1 Recta de polarizacin.

Como iE iC

V - vBE
iC CC
RB
+ RC
b

Anlisis en la malla de colector:

VCC = RC iE + vCE

VCC - vCE
iE =
RC

V - vCE
iC CC
RC

Recta de carga

VCC
RC

VCC
Puede notarse que

VCC
I Csat =
RC
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Y que cuando RB = 0

VCC - vBE
I C max =
RC
I C max < I Csat
Como en transistor nunca se satura.

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

 Con este tipo de polarizacin la estabilidad del punto Q
es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este
trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrn
casi inalterables. Es por esta razn que este tipo de
polarizacin es la ms utilizada cuando se trata de
disear un amplificador.

Para determinar los valores de las resistencias de

polarizacin, seguiremos considerando los mismos
criterios de diseo, como ya mencionamos
anteriormente, los cuales facilitan el clculo de las
resistencias.

Las condiciones de polarizacin las fijaremos de la siguiente manera:

Al hacer esto, estamos ubicando el punto Q en la mitad de la recta de carga, lo cual nos
permite obtener mxima excursin simtrica en la salida (esto es adecuado en
amplificadores de clase A).

Clculo de Resistencias

Para calcular los valores de las resistencias de polarizacin haremos uso de algunos
criterios de diseo, tales como:

Hallando RE y RC

Para hallar el valor de RE, hacemos uso del primer criterio de diseo.
Para hallar RC, hallamos la ecuacin de la
recta de carga en la malla de salida y luego
reemplazamos el valor de RE, consideramos adems las condiciones iniciales (punto Q).

Hallando R1 y R2

Para hallar el valor de R2, haremos uso de la ley de OHM y las leyes de Kirchhoff,
aplicados a la base del transistor.

Para hallar R1, haremos uso del segundo criterio de diseo,

junto con la ley de ohm y las leyes de Kirchhoff.

INFORME FINAL

I. Polarizacin de corriente de base constante

Armar el circuito de la fig.1

 TABLA1

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

2.52 v 2.27v 0.30v 2.66v 8.86v 2.36 mA 0.67v 0.008 2.37mA

Cambiar Rb = 1M por 680 K y obtenga el circuito mostrado en la fig. 2

TABLA2

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

3v 2.34v 0.13v 2.47v 9.12v 2.40 mA 0.67v 0.013 2.40mA

II. POLARIZACION CON REALIMENTACION DE CORRIENTE POR COLECTOR

Armar el circuito de la fig.3

 FIG.3

TABLA3

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

3.53 v 0.64v 0.90v 7.15v 1.32v 0.931 mA 8.10v 0.003 0.904mA

Cambiar Rf = 1.8 K por 680 K y obtenga el circuito mostrado en lafig.4

TABLA4

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

5.78 v 0.65v 1.47v 4.20v 1.95v 1.492 mA 5.66v 0.005 1.481mA

III. POLARIZACION TIPO H

Armar el circuito de la fig.5

 TABLA5

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

Finalmente desconecte la fuente de

polarizacin y cambie el transistor
BC547 por otro transistor BC557 luego conecte la fuente pero invierta la
polaridad como indica en la fig.6

TABLA6

VB VE VCE VC VRC IC VBE IB IE

Transistores PNP

Comparamos los transistores NPN Y PNP:

El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es el
contrario al de los electrones.

CONCLUSIONES

Cada una de las tcnicas de polarizacin antes mencionadas con la intencin de

que se utilice la ms adecuada para alguna aplicacin en particular, las cuales
 puedan ser, el transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente,
estabilidad del punto de operacin en un amplificador, etc.

El punto de trabajo del transistor (polarizacin) lo fijan las tensiones aplicadas a

travs de elementos externos (resistencias).