Ing. Elctrica UNI-Noviembre del 2016.

INFORME PREVIO DEL LABORATORIO N7

EE131O
Universidad Nacional de Ingeniera
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
JHON KENNY MAMANI RAMIREZ
Kenny20141306@gmail.com

RESUMEN: Este informe trata sobre el circuito RLC, en

el cual veremos aquellos circuitos sub amortiguados,
sobre amortiguados y crticamente amortiguados ya visto
en EE111.Pues aqu es donde veremos y simularemos
estos circuitos y ver las seales de dichas caractersticas.

I. INTRODUCCIN

E ste informe se tendr como objetivos importantes lo

siguiente: observar la respuesta de los circuitos de
segundo orden RLC, estudiar el almacenamiento de
energa de los instrumentos usados, medir
experimentalmente las constantes necesarias para poder
describir de una manera adecuada los circuitos RLC,
mediante el uso de la ecuacin caracterstica la cual
proviene de la solucin de la ecuacin diferencial.
Tambin se usar las simulaciones para poder observar
una grfica adecuada, se usar el programa de
simulacin Multisim.
.

II. DATOS CARACTERSTICOS DEL MDULO

En las experiencia previa se tom los datos del mdulo
que se usar en el prximo laboratorio, por lo cual en la
Figura 1, se presenta los datos hallados.
Estos datos se usaron para poder realizar las
simulaciones que se presentaran en este informe, los
cuales se podrn comprobar con las frmulas halladas en
la clase de circuitos RLC.

A continuacin se presenta la hoja de datos de informe

previo:
Fig. 1. Hoja de datos del informe previo, el cual nos
muestra los resultados que se usaran para similar los
circuitos.

III.CUESTIONARIO
En este informe se nos pide realizar las siguientes
preguntas:
1. En el circuito del mdulo de trabajo para valores de
resistencia de carga de 30K y 50 K
respectivamente haga las simulaciones de voltaje
correspondientes, considere los casos
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crticamente amortiguado, sub amortiguado, y

sobre amortiguado.
2. En el circuito del mdulo de trabajo para el caso de
resistencia de carga de 0 K, haga las
simulaciones de voltaje correspondientes,
considere los casos crticamente amortiguado, sub
amortiguado, y sobre amortiguado.
3. Compare el comportamiento de las grficas en los
3 casos (resistencia de carga de 30K , 50K y 0
K) haga los comentarios necesarios

IV. SOLUCIN DEL CUESTIONARIO

Fig. 4. Grfica obtenida con la simulacin del circuito 1
Para la solucin haremos lo siguiente, siguiendo las
con el potencimetro en 100%.
instrucciones dadas en el laboratorio, se medir con el
potencimetro en 0% y 100%, de los cuales se harn una
grfica. Ahora usaremos la otra Resistencia, por lo cual el
1. Usaremos este circuito: circuito queda de la siguiente manera:
XSC3 XSC3
G
G

XFG1 XFG1 T
T
A B C D
A B C D
COM
COM

L1 L1

2.7H R1 2.7H R2
R1 R2 C1
9.53k 0%
C1
3.159k 9.53k 100 % 49.79k
121nF 121nF
Key=A Key=A

Fig. 5. Circuito 2 utilizado para la simulacin.

Fig. 2. Circuito 1 utilizado para la simulacin.
La grfica que se obtiene cuando el potencimetro
La grfica que se obtiene cuando el potencimetro
est en 100%, es la siguiente:
est en 0%, es la siguiente:

Fig. 3. Grfica obtenida con la simulacin del circuito Fig. 6. Grfica obtenida con la simulacin del circuito
1 con el potencimetro en 0%. 2 con el potencimetro en 100%.

La grfica que se obtiene cuando el potencimetro

est en 100%, es la siguiente:
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La grfica que se obtiene cuando el potencimetro La grfica que se obtiene cuando el potencimetro est
est en 100%, es la siguiente: en 100%, es la siguiente:

Fig. 10. Grfica obtenida con la simulacin del circuito

3 con el potencimetro en 100%
Fig. 7. Grfica obtenida con la simulacin del circuito
2 con el potencimetro en 0% 3. Comparacin de resultados
Observamos diferentes graficos cuando se vara el
potencimetro, los cuales mencionaremos, a que grfica
2. Usaremos este circuito: tienden a ir, segn los grfico de amortiguamiento.
Lo compararemos usando la figura 11.
XSC3
G

XFG1 T

A B C D
COM

L1

R1 2.7H
C1
9.53k 100 %
121nF
Key=A

Fig. 8. Circuito 3 utilizado para la simulacin.

La grfica que se obtiene cuando el potencimetro

est en 0%, es la siguiente:

Fig. 11. Grfico comparativo: (arriba: crticamente

Fig. 9. Grfica obtenida con la simulacin del circuito 3 amortiguado, medio: sub amortiguado, abajo: sobre
con el potencimetro en 0% amortiguado).
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Luego se obtiene lo siguiente:

FIGURA 3 CRITICAMENTE AMORTIGUADO

FIGURA 4 SOBRE AMORTIGUADO

FIGURA 6 SOBRE AMORTIGUADO

FIGURA 7 SUB AMORTIGUADO

FIGURA 9 SUB AMORTIGUADO

FIGURA 10 CRITICAMENTE AMORTIGUADO

Tabla 1: Comparacin de las grficas encontradas.

V. CONCLUSIN
Se puede concluir que se obtuvo las grafica que se
requeran cuales son similares a las que deben salir Fig. 13. Imagen del mdulo usado como referencia.
mediante la teora de circuitos RLC.
Tambin es importante conocer los programas de
simulacin, el que se us en este informe ha sido el
programa Multisim, si se requiere mayor informacin de
VI. COMENTARIOS
este programa muy til, pueden encontrarlo en la
siguiente pgina web: http://www.ni.com/multisim/esa/.
Si se requiere informacin de circuitos RLC,
Las siguientes imgenes son del mdulo del cual se se recomienda buscar informacin en
ha tomado como referencia. http://web.mit.edu/8.02t/www/materials/StudyGui
de/guide12.pdf ya que nos muestra una
informacin muy completa de este tema (en
ingls).

El cuestionario realizado en este informe se
puede encontrar en la pgina web de la FIEE:
http://www.fieeuni.edu.pe/lms/mod/assignmen
t/view.php?id=31078, para lo cual se requiere
una cuenta de usuario.

Fig. 12. Imagen del nombre y nmero del mdulo

usado como referencia.
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