COMPORTAMIENTO DINMICO DE LAS UNIONES Y CONTACTOS SOLIDOS

Una unin o contacto slido al aplicrsele entre sus extremos una diferencia de potencial elctrico, mediante
una fuente de alimentacin externa, tiene un comportamiento dinmico definido por su respuesta voltaje
aplicado VS Intensidad de corriente circulante. Si esa respuesta es lineal y simtrica se dice que la unin o
contacto tiene un comportamiento OHMICO o puramente resistivo, pero si su comportamiento es alineal y
asimtrico, entonces se dice que se trata de una unin o contacto rectificante.

En el primer caso, la respuesta V-I, est determinada por la expresin:

1
= La cual representa una recta que pasa por el origen y tiene una pendiente

En el segundo caso, la respuesta V-I est determinada por la expresin:

= 0 ( 1)

Que es conocida como la ecuacin del diodo o ecuacin de Schockley. En ella:

I.- Es la intensidad de corriente que circula por la unin o contacto cuando se le aplica al mismo un voltaje V.

q.- es la carga elctrica del electrn: 1.6 1019

k.- Es la constante de Boltzmann: 1.38 1023 = 8.625 105

T.- La temperatura de trabajo en

0 .- Intensidad de corriente de saturacin inversa. (Mxima intensidad de corriente que circula por la unin o
contacto cuando se le aplica un potencial inverso o negativo, sin llegar a la ruptura). Depende fundamentalmente
de los portadores minoritarios a cada lado de la unin. En una unin abrupta se puede expresar por:

0 = ( + )

q.- es la carga elctrica del electrn: 1.6 1019

A.- rea de la seccin recta de la unin o contacto.

. Densidad volumtrica de electrones (minoritarios) en la regin P

. Densidad volumtrica de huecos (minoritarios) en la regin N.

.
Adems, se deben cumplir las siguientes relaciones para las constantes de difusin y las longitudes promedio
de difusin de los portadores libres en el cristal:

= { }

1
= () 2 { }

Es decir, la expresin de I0 tambin se puede escribir como:

1 1
2 2
0 = [ ( ) + ( ) ]

Ntese que, por la Ley de accin de masas:

2 2
= =

Adems, bajo la condicin de ionizacin completa, en una unin abrupta:

= . = ,

Sustituyendo en la expresin de I0:

1 1 1 1
2 2 2 2 1 2 1 2
0 = [ ( ) + ( ) ] = 2 [ ( ) + ( ) ]
. ,

Si, como por lo regular ocurre, . , :

1
1 2
0 2 [ ( ) ]
,

Es decir, la corriente de saturacin inversa en una unin abrupta depende, fundamentalmente, de

los portadores minoritarios en la regin de menor impurificacin.
1

Adems, puesto que = ( )2 2 , depende fuertemente de la temperatura, entonces I 0
tambin. Lo que implica que I0 tenga un coeficiente de variacin con la temperatura positivo. Por lo
regular, se considera que en uniones de silicio I0 se duplica cada 6 0C, mientras que en las de germanio
cada 10 0C. Es decir:

10 0 6 0
0 = 0(25 ) 2 0 = 0(25 ) 2
Caracterstica de conduccin inversa de un diodo (unin PN) de silicio y uno, comparable, de germanio a la temperatura ambiente. Ntese la diferencia entre las
magnitudes de las corrientes y el efecto de la tensin inversa sobre ellas.