UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN

FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y

SERVICIOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
MECANICA

CURSO:
FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA
PRESENTADO POR:
JULIANO BARRA LUIGGI JAVIER
DOCENTE:
ING. MANUEL CALLO

AREQUIPA-PER
2017
 APLICACIONES Y FUTURO DEL TRANSISTOR

1. INTRODUCCION

Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los artefactos domsticos de

uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, entre
otros ms.
Los transistores son parte esencial para el funcionamiento de la radio.
2. APLICACIONES DEL TRANSISTOR
Bsicamente el transistor funciona como:
a. INTERRUPTOR:

El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando aplicamos una corriente

a la base

El transistor funciona como interruptor ABIERTO cuando NO aplicamos una

corriente a la base
b. AMPLIFICADOR:

Por medio de una pequea corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra
mucho ms intensa entre colector y emisor
Esto significa que pequeas corrientes se pueden transformar en otras ms fuertes

2.1. EL TRANSISTOR COMO DISPOSITIVO AMPLIFICADOR

Al transistor se lo puede montar en emisor comn (EC), base comn (BC) o colector
comn (CC). Cada una de estas configuraciones posee ventajas y desventajas una
respecto de las otras, siendo la de emisor comn la ms recurrida a la vez que es
la de mejor respuesta en la mayor parte de las aplicaciones.

Cada configuracin obtiene diferentes coeficientes de ganancia en tensin (GV), as

como diferentes impedancias tanto de entrada como de salida.

A continuacin vemos un resumen de las principales caractersticas de cada uno de

los tres posibles montajes:

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El montaje en Base Comn posee una mayor ganancia de tensin frente a los otros
dos. Tambin tiene baja impedancia de entrada, lo que lo hace bastante inadecuado
para operar en circuitos de baja frecuencia (B. F.).

Con un montaje en Colector Comn logramos una muy baja distorsin sobre la seal
de salida y, junto con el montaje en Base Comn, es bastante idneo a la hora de
disear adaptadores de impedancia.
a. La Amplificacin:

Es la aplicacin prctica ms importante para la que se usan los transistores. El

diagrama muestra una etapa amplificadora en emisor comn:

El transistor ha sido polarizado por medio de polarizacin por divisin de tensin.

Como sabemos, un capacitor en altas frecuencias se comporta como un
cortocircuito mientras que a bajas frecuencias la misma aumenta hasta comportarse
como un circuito abierto para C.C.
Vindolo desde este punto de vista conviene analizar al amplificador en dos
etapas, una desde el punto de vista de la C.A. y el otro desde el punto de vista de
la C.C.
Con esta subdivisin podremos analizar al circuito mediante dos circuitos mas
sencillos, con lo cual, gracias a la teora de la superposicin, lo que ocurrir ser
que la respuesta total resultar de la suma de los datos obtenidos en los dos
circuitos en que descompusimos al original.
Comenzaremos el anlisis en el dominio de la C.C., para ello seguimos los
siguientes pasos:
1) Se cortocircuita el generador de entrada de alterna.
2) Se consideran los capacitores como circuitos abiertos.
3) Se analiza este circuito resultante.

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 Abriendo C1, C2 y C3 y cortocircuitando al generador de entrada en nuestro
circuito obtenemos el circuito resultante que vemos a continuacin:

Ahora, y con las referencias ya explicadas, se procede a la resolucin del circuito

resultante. Con estos datos obtenemos el punto de polarizacin (Q).
Para el anlisis en C.A. recurrimos a las siguientes reglas:
1) Se cortocircuita la fuente de tensin de C.C.
2) Se considera a los capacitores como circuitos cerrados (cortocircuitos).
3) Se estudia el circuito resultante.
En la figura vemos de que forma hemos procedido para obtener el circuito
resultante:

Los capacitores han desaparecido del circuito hacindose cortocircuitos, la

resistencia R4 desaparece por estar en paralelo con un cortocircuito, las resistencias
R1 y R3 estn ahora en paralelo, con lo cual obtenemos Ra. Con las resistencias de
salida ocurre lo mismo, y obtenemos Rb.
Para terminar con nuestro anlisis debemos suponer que ahora aplicamos una
seal al circuito y veremos cmo vara el punto Q
En la figura vemos un ejemplo, donde se muestra el punto Q en ausencia de
seal y cmo vara con la aplicacin de una seal de entrada.

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 Se ve que la seal Ie no es una correspondencia directa de la aplicada en la base
del transistor dado la curvatura de la grfica de la caracterstica del transistor.
Es importante verificar bien el lugar de ubicacin del punto Q, dado que si
queremos que el transistor opere en la zona activa y polarizamos a ste en un punto
Q cercano a la zona de saturacin, corremos el riesgo de que cuando le aplicamos
una seal de entrada, Q se desplace hacia la zona de saturacin, dejando la zona
activa. Para evitar este problema conviene analizar siempre antes la variacin de Q
en nuestro transistor y verificar que no salga de la regin donde queremos que
trabaje.
Otra familia de transistores muy importante es la de los de efecto de campo, de
los cuales es parte el FET. Los mismos realizan la funcin de control de la corriente
mediante una tensin aplicada en uno de sus terminales.
Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une los dos
terminales (Fuente y Drenador), a esta regin se la llama canal y sobre sta existe
otra con signo opuesto que se conecta a la puerta, entre ambas se forma una unin
PN o NP, segn sea su topologa. Este conjunto est montado sobre un
semiconductor con igual signo al de la puerta. Cuando se aplica una tensin entre
Drenador y Fuente, habr circulacin de corriente por el canal.
El control de dicha corriente se har con una tensin variable que es aplicada a
la puerta, ya que, al aplicar dicha tensin, las uniones P-N se polarizan en forma
inversa, haciendo que el canal se haga ms delgado y, por consiguiente, aumente
la resistencia de ste, generando as una variacin de la corriente circulante por l.
Como esta corriente de Puerta ser extremadamente dbil debido a que se trata
de una unin polarizada en inversa, ser posible variar la corriente que circula por
el transistor sin que sea necesario absorber corriente de l.

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 Tambin la familia de transistores MOS o MOSFET (Metal, Oxido,
Semiconductor) es parte de los transistores de efecto de campo.
Este tipo de transistor es fabricado partiendo de un semiconductor tipo P en el
que se difunden dos regiones tipo N que forman la fuente y el Drenador, y, encima
de la superficie de estos, se aplica una capa de dixido de silicio (SiO 2), que tiene
la propiedad de ser muy aislante, sobre la que est situada la Puerta. Entre Fuente
y Drenador tambin existir un canal similar al del tipo FET, cuya resistencia y
anchura ser controlada con la tensin de puerta.
En las curvas caractersticas de los transistores de efecto de campo se
representa la corriente de Drenador (ID) en funcin de la tensin aplicada entre
Drenador y Fuente (VDS). Como en el caso de la transferencia de los transistores
bipolares, se traza una curva para cada uno de los valores de V GS deseados.
Tambin en estas curvas se observan dos zonas; desde el origen la corriente crece
con la tensin, pero alcanzado cierto valor Vp, se hace constante y se forma a partir
de all la segunda zona, a estas dos zonas se las llama regin lineal a la primera y
regin de saturacin a la ltima.
Este tipo de transistores pueden ser utilizados en los circuitos en una disposicin
similar a la de los bipolares, es decir: Fuente comn, Puerta comn y Drenador
comn, aunque la primera y la ltima son las ms utilizadas en la prctica.

2.2. APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES: FOTOTRANSISTORES

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para
comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
Tambin se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman
parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados
conjuntamente con un LED, formando interruptores pticos (opto-switch), que
detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisin y de reflexin. Teniendo las mismas
caractersticas de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector
por medio de la corriente de base. Y tambin, dentro de sus caractersticas de
elemento optoelectrnico, el fototransistor conduce ms o menos corriente de
colector cuando incide ms o menos luz sobre sus junturas.

Los dos modos de regulacin de la corriente de colector se pueden utilizar en forma

simultnea. Si bien es comn que la conexin de base de los fototransistores no se
utilice, e incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de fbrica, a veces se
aplica a ella una corriente que estabiliza el funcionamiento del transistor dentro de
cierta gama deseada, o lo hace un poco ms sensible cuando se debe detectar una
luz muy dbil. Esta corriente de estabilizacin cumple con las mismas reglas de
cualquier transistor, es decir, tendr una relacin de amplificacin determinada por
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la ganancia tpica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le suman las
variaciones producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor.

Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy
corto, es decir que pueden responder a variaciones muy rpidas en la luz. Debido a
que existe un factor de amplificacin de por medio, el fototransistor entrega
variaciones mucho mayores de corriente elctrica en respuesta a las variaciones en
la intensidad de la luz.

3. EL FUTURO DE LOS TRANSISTORES: UNA ALTERNATIVA AL SILICIO

Y EL GRAFENO

Ms pequeo y ms eficiente que los chips electrnicos actuales, la Molidbenita

podra ser un sustituto. En un artculo publicado online en la revista Nature
Nanotechnology , el Laboratorio de Electrnica EPFL (Escuela Politcnica Federad
de Lausana) publica un estudio que muestra que este material tiene ventajas sobre
el silicio tradicional o el grafeno para su uso en aplicaciones electrnicas. El
descubrimiento hecho en la EPFL podra desempear un papel importante en la
electrnica, permitiendo hacer transistores ms pequeos y energticamente ms
eficientes. La investigacin llevada a cabo en el Laboratorio de Electrnica y
estructuras a nanoescala ha revelado que molibdenita, o MoS2, es un
semiconductor muy eficaz. Este mineral, que es abundante en la naturaleza, a
menudo se utiliza como elemento de las aleaciones de acero o como aditivo en
lubricantes. Pero an no haba sido estudiado para uso en electrnica. Es un
material de dos dimensiones, muy delgado y fcil de usar en nanotecnologa. Tiene
un verdadero potencial en la fabricacin de transistores muy pequeos, diodos
emisores de luz (LED) y clulas solares, dice el profesor de la EPFL, Andras Kis,
cuyos colegas M. Radisavljevic, Radenovic y M. Brivio han trabajado con l en el
estudio. l compara sus ventajas con dos otros materiales: silicio, actualmente el
principal componente utilizado en chips electrnicos e informticos, y el grafeno,

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cuyo descubrimiento en 2004 hizo ganar a los fsicos Geim Andr y Novoselov
Konstantin el Premio Nobel de Fsica en 2010. Una de las ventajas de la molibdenita
es que es menos voluminosa que el silicio, que es un material tridimensional. En
una hoja de 0,65 nanmetros de espesor, los electrones pueden moverse con tanta
facilidad como en una hoja de 2 nanmetros de grosor de silicio, explica Kis. Pero
no es posible en la actualidad fabricar una lmina de silicio tan fina como una hoja
de monocapa de MoS2. Otra ventaja de la molibdenita es que puede ser utilizada
para fabricar transistores que consuman 100 mil veces menos en estado de espera
que los transistores de silicio tradicionales. Un semiconductor con una brecha se
debe utilizar para convertir un transistor encendido y apagado, y una placa de
molibdenita de 1,8 brecha electrn-voltios es ideal para este propsito. Mejor que el
grafeno. En la fsica de estado slido, la teora de banda es una forma de
representar la energa de los electrones en un material determinado. En los
semiconductores, los espacios libres de electrones entre estos grupos, la llamada
banda de las lagunas. Si el espacio no es demasiado pequeo o demasiado
grande, algunos electrones saltan a travs del boquete. Por lo tanto, ofrece un
mayor nivel de control sobre el comportamiento elctrico del material, que puede
ser encendido y apagado fcilmente. La existencia de esta brecha en la molibdenita
tambin le da una ventaja sobre el grafeno. Considerado hoy por muchos cientficos
como el material de la electrnica del futuro, el semi-metal grafeno no tiene hueco,
y es muy difcil de reproducirlo artificialmente en el material.

4. LOS TRANSISTORES DE GRAFENO IMPRESOS ABREN EL FUTURO A

LA ELECTRNICA FLEXIBLE

Varios investigadores hacen demostraciones de circuitos de grafeno flexibles lo

suficientemente rpidos como para las comunicaciones de telefona mvil.

El uso de circuitos electrnicos flexibles hara posibles dispositivos radicalmente

nuevos, como ordenadores tableta resistente al agua que se pudieran enrollar o
plegar. Un grupo de investigadores acadmicos y de la industria ha demostrado uno
de los componentes ms importantes de este futuro totalmente flexible: electrnica
de radiofrecuencia de grafeno lo suficientemente rpida para producir, recibir y
procesar seales de telecomunicaciones.

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Existen muchos materiales que podran
ser candidatos para su uso en circuitos
flexibles, y cada uno conlleva su propia
serie de problemas. Algunos realizan
clculos con demasiada lentitud como
para usarse en aplicaciones prcticas,
mientras que otros logran procesar las
seales rpidamente, aunque los
investigadores saben que no hay
esperanza de poder fabricarlos a
precios razonables. Eso est
empezando a cambiar, seala Deji
Akinwande, ingeniero elctrico e
informtico en la Universidad de Texas
en Austin (EE.UU.), que dirige el trabajo
sobre los transistores de grafeno
impresos. "Creo que, de forma realista,
podemos imaginar telfonos
inteligentes, tabletas y otros
dispositivos de comunicacin flexibles",
seala.

El grupo de Akinwande se centra en aplicaciones prcticas para el grafeno, hojas

de carbono de un tomo de espesor con propiedades mecnicas y elctricas
excepcionales.
Los transistores y circuitos de grafeno, hechos sobre superficies rgidas con tcnicas
de fabricacin de chips convencionales, han roto varios rcords de velocidad dentro
de la electrnica. Pero cuando los investigadores han tratado de sacar provecho de
la resistencia del grafeno y su flexibilidad extrema en dispositivos flexibles
construidos en plstico, la velocidad de conmutacin cae en picado. Esto resulta
problemtico puesto que para que la electrnica flexible sea econmica, segn
Akinwande, debe ser impresa en zonas ms extensas, como un peridico.

Los transistores de grafeno no solo son rpidos, sino muy slidos. Los dispositivos
siguen funcionando incluso despus de mojarse en agua, y son lo suficientemente
flexibles como para plegarse. "A medida que haces que la [electrnica] sea ms
delgada, las propiedades mecnicas son cada vez mejores", asegura Javey. "Y el
grafeno es el material ms delgado que puedes conseguir".

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 5. EL TRANSITOR FIN-FET

El trmino FinFET fue definido por investigadores de la Universidad de Berkeley

(California) para describir un nuevo modelo de transistor multipuerta, que no segua
la arquitectura MOS plana. La caracterstica principal es que el canal conductor se
encuentra envuelto por la puerta por tres de sus lados.

En estos dispositivos, la unin entre fuente y drenador est construida verticalmente

a la superficie del sustrato y presenta una anchura reducida. Esto hace posible una
disminucin de la resistencia en serie entre los terminales de fuente y drenador.

La longitud de puerta del dispositivo viene determinada por dicha anchura. La puerta
es una pelcula de polisilicio altamente dopado que rodea la unin entre fuente y
drenador. Al aplicar una tensin en dicha puerta se crea un canal en la superficie de
la unin, poniendo el transistor en conduccin.

Una segunda configuracin se consigue utilizando dos puertas laterales

independientes, creando el denominado FinFET 4T que presenta cuatro
terminales: fuente, drenador, puerta 1 y puerta 2.

El control independiente de las puertas permite modificar la tensin umbral (Vth) del
dispositivo y, adicionalmente, aumenta la inmunidad al indeseado efecto de canal
corto. Generalmente el grosor del xido de puerta suele ser simtrico, pero
modificando estas medidas se puede mejorar an ms el control de la tensin
umbral del transistor.

El gran inters mostrado hacia el FinFET es fruto de las ventajas que muestra
respecto a otros transistores multipuerta, tales como menor coste de fabricacin de
obleas, baja densidad de defectos en los dispositivos por oblea, menor voltaje de
polarizacin y sobretodo su gran compatibilidad con los procesos de fabricacin
actuales. Todo ello hace que el FinFET sea el primer transistor multipuerta
implementado a nivel comercial.