Chapitre 1

Etude des semi-conducteurs

Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

1.1 Introduction
Lobjectif de ce chapitre est de prsenter quelques notions sur les semi-conducteurs en
gnral et les semi-conducteurs III-V en particulier telles que les paramtres
caractristiques lectroniques et optiques, le transport de charges et les mcanismes de
gnration et de recombinaison des porteurs.

1.2 Les paramtres caractristiques dun semi-conducteur

1.2.1 Dfinition
Un semi-conducteur est un matriau qui prsente une conductivit intermdiaire entre
celle des mtaux (conducteurs) et des isolants. La spcificit dun semi-conducteur par
rapport aux autres matriaux rside dans les proprits suivantes :
conductivit
photoconduction
redressement

1.2.2 Conductivit
Pour un mtal, la conductivit dcrot quelque peu avec la temprature de mme pour
un isolant. Pour un semi-conducteur elle crot par contre trs rapidement avec la
temprature. Dans un mtal, la conduction est assure par un seul type de porteurs qui
sont en gnral les lectrons. Par contre sont les lectrons et les trous. Cette notion de
porteurs (lectrons et trous) sera dveloppe un peu plus loin.

1.2.3 Photoconduction
Un semi-conducteur clair voit sa rsistivit diminuer. Cette proprit est absente
chez les conducteurs et les isolants.

1.2.4 Redressement
Dans un semi-conducteur, le passage du courant est dans un seul sens. Cette proprit
est trs utilise pour le redressement de courant alternatif.

1.3 Les matriaux semi-conducteurs

En analysant le tableau de Mendliev, une partie de ses lments (tableau 1.1), est
considre comme tant forme de semi-conducteurs [5].

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groupe I II III IV V VI V II V II
B C N O
Al Si P S
Zn Ga Ge As Se

Cd In Sn Sb Te I

Tableau .1.1 Situation des semi-conducteurs dans le tableau priodique.

En raison de leurs proprits physiques le germanium(Ge) et surtout le silicium(Si)

sont les plus utiliss dans les applications lectroniques.
Les dveloppements de la technologie ont permis de nouveaux semi-conducteurs
beaucoup plus performants. Ces semi-conducteurs utilisent les alliages composs des
groupes III-V et II-IV.
On obtient ainsi les semi-conducteurs AsGa; PGa; SbGa etc Le semiconducteur
AsGa devient aujourdhui de plus en plus utilis.

1.4 Les composs binaires, ternaires et quaternaires des semi-conducteurs III-V

1.4.1 .1 Les composs binaires

Parmi tous les composs binaires possibles, tous n'ont pas le mme intrt potentiel.
L'tude de leurs proprits, et en particulier de la structure de bandes montre que les
lments les plus lgers donnent des composs dont laquelle la bande interdite est
large et indirecte, et dans laquelle la masse effective des lectrons est leve. Les
composs contenant du bore, de l'aluminium ou de l'azote entrent dans cette catgorie;
ils ont en gnral peu d'intrt pour l'lectronique rapide [6], qui demande de semi-
conducteurs forte mobilit de porteurs ou pour l'optolectronique ou une structure de
bande directe est ncessaire pour que les transitions optiques soient efficaces [7]. A
l'autre extrmit, les lments lourds comme le thallium ou le bismuth donnent des
composs base de Galium (GaAs, GaSb) ou d'indium (InP, InAs, InSb) dont les
proprits sont les plus intressantes. Le tableau 1.2 rsume quelques paramtres pour
diffrents matriaux de la famille III-V.

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Tableau 1.2 Paramtres des principaux composs binaires III-V 300 K [8, 9]

1.4.2 Les composs ternaires et quaternaires

L'intrt pratique des semi-conducteurs III-V est encore considrablement renforc par
la possibilit de raliser des alliages par substitution partielle de l'un des lments par
un autre lment de la mme colonne. On sait par exemple obtenir des alliages
ternaires, ou quaternaires qui sont identifis de la faon suivante :
Ternaires : S'il y a substitution de 2 atomes sur l'un des sous rseaux, soit,
AxA(1-x)B Exemple : GaxIn(1-x)P , lorsque la composition exacte compte peu, on crit
tout court GaInP .
Quaternaires 1+3 :S'il y a substitution de 3 atomes sur des sous rseaux soit :
AxAyA(1-x-y)B. Exemple GaxInyAl(1-x-y)As .

Quaternaires 2+2 :S'il y a substitution de 2 atomes sur chacun des deux sous rseaux,
soit : AxA(1-x)ByB(1-y). Exemple GaxIn(1-x)PyAs(1-y).
La plupart des solutions solides ainsi ralises sont compltes, la loi de Vegard
(Relation linaire entre le paramtre de rseau et la composition) est

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approximativement suivie, et on observe une volution progressive et rgulire des

proprits (dont la bande interdite et les paramtres cristallins) en fonction du taux de
Substitution [10].
Le diagramme de la figure 1.1 reprsente les variations de l'nergie de bande interdite
en fonction du paramtre cristallin a qui varie lui mme avec la composition. Les
points du graphe figurent la position des composs binaires, et les lignes reprsentent
l'volution du gap Eg et du paramtre cristallin a, en fonction de la composition des
alliages ternaires. Certaines lignes prsentent un point anguleux qui dnote une
transition entre un gap direct et un gap indirect. Ce diagramme est donc trs important
parce qu'il permet de connatre la composition de tout alliage ternaire susceptible d'tre
dpos en couche mince sur un substrat binaire comme GaAs ou InP. Les matriaux
III-V offrent donc une grande varit de compositions permettant de modifier leurs
proprits lectroniques [11].

Figure 1.1 Evolutions de l'nergie de bande interdite et du paramtre cristallin des

alliages de composs III-V.

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1.5 Structure cristalline des semi-conducteurs III-V

La plupart des matriaux III-V cristallisent dans la structure sphalrite dite "Zinc
Blende" prsente sur la figure 1.2. Cette structure, qui s'apparente celle du diamant
(C, Ge, Si, etc.), est constitue de deux sous-rseaux cubique face centre (cfc), l'un
d'lments III et l'autre d'lments V.

Figure 1.2 : Mailles cristallographiques des structures Diamant et Zinc Blende.

De ce fait, dans les matriaux III-V, les liaisons atomiques ne sont pas simplement
covalentes comme dans le silicium. Elles reposent sur le transfert d'lectrons des
atomes du groupe V sur ceux du groupe III. Dans le cas du phosphure d'indium, le
phosphore possde cinq lectrons priphriques et l'indium trois. Dans le cristal,
chaque atome de phosphore est entour de quatre atomes d'indium, et chaque atome
d'indium est entour de quatre atomes de phosphore. Il se produit alors un change
d'lectrons, et le cristal se construit avec les ions P+ et In-, qui ont tous quatre lectrons
priphriques. Cette rpartition est l'origine du caractre partiellement ionique et
partiellement covalent des liaisons (semi-conducteurs polaires), qui sont orientes dans
l'espace suivant les axes de symtrie d'un ttradre rgulier [11].

1.6 Structure de bandes des semi-conducteurs III-V

Le gap est direct dans les semi-conducteurs III-V car le minimum de la bande de
conduction et le maximum de la bande de valence correspondent au mme vecteur
d'onde, au centre de la zone de Brillouin (figue 1.3). La transition d'nergie minimale
entre ces deux bandes peut avoir lieu sans changement de vecteur d'onde, ce qui

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permet l'absorption et l'mission de lumire de faon beaucoup plus efficace que dans
les matriaux gap indirect comme le silicium [10].

Figure 1.3 : Structure de bande lectronique du GaAs dont la bande interdite est
reporte en pointills ; Eg = 1.42 eV 300 K. Le maximum de la bande de valence et
le minimum de celle de conduction sont au centre (de la zone de Brillouin do une
absorption et une mission de lumire trs efficaces (gap direct tout comme lInP,
InAs, GaSb, InSb, AlSb).

1.7 Proprits lectriques

Dans le tableau 1.3, on a regroup les paramtres cristallines et lectriques des
matriaux GaAs et Ga1-xAlxAs ; celles de ce dernier sont donns en fonction de la
fraction molaire x [12].

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Tableau 1. 3 : Proprits cristallines et lectroniques des matriaux GaAs et Ga1-

xAlxAs [12].

1.8 Dopage des semi-conducteurs composs III-V binaires, ternaires et

quaternaires
Les lment de la colonne II du tableau de Mendeliev (Be, Mg, Zn, Cd ,Hg) sont des
impurets acceptrices quand elles se placent en site substitutionnel de llment III ,
soit [13] :
BeGa (pour un dopage de type p dans larsniure de gallium), MgIn(pour un dopage de
type p dans le phosphure dindium), ZnGa(pour un dopage de type p dans de larsniure
de gallium) etc.
Les lments de la colonne VI du tableau priodique des lments sont des donneurs
sils se placent en site substitutionnel des lments de la colonne V. SP (pour un dopage

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de type n dans le phosphure dindium), SeAs (pour un dopage de type n dans de

larsniure de gallium) etc. sont alors des impurets donatrices avec des niveaux
nergtiques proches de la bande de conduction.
Les lments de colonne IV, sils se placent en site substitutionnel des lments de la
colonne III sont aussi des donneurs. Le silicium en site gallium ou en site indium dop
de type n larsniure de gallium et le phosphure dindium respectivement.

II III IV V VI
Be B C N O
Mg Al Si P S
Zn Ga Ge As Se
Cd In Sn Sb Te
Hg

Accepteurs Accepteurs Donneurs Donneurs pour

III-V pour IV pour IV pour III-V

Tableau 1 .4 : Tableau simplifi de Mendeliev permettant davoir accs rapidement

aux dopants pour un matriau donn.

Ces lments de la colonne IV sont dits amphotres, cest--dire quils peuvent se

mettre soit en site III, soit en site V, et donc tre soit donneur ou accepteurs, selon les
conditions de croissance favorisant plus ou moins la localisation de limpuret en site
III ou V.
Pendant une croissance pitaxiale en phase liquide (conditions de croissance riches en
gallium (indium)), le silicium est accepteur, se plaant en site arsenic (phosphore).
Pendant la croissance pitaxiale de type MBE ou MOCVD, au contraire, on se trouve
dans des conditions riches en arsenic (phosphore) et alors limpuret amphotre se
place prfrentiellement en site gallium (indium). En implantation ionique, le silicium,
quoiquamphotre, se place prfrentiellement en site III ; plus de 90%, il est
donneur. Le carbone est de prfrence accepteur dans larsniure de gallium, et plutt
donneur dans le phosphure dindium.
Dans les semi-conducteurs III-V, certaines impurets prsentent la particularit davoir
un niveau dnergie dans la bande interdite loin de la bande de condition et de celle de

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Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

valence. Avec de telles impurets, le niveau de Fermi peut se placer prs du milieu de
bande interdite, et alors le semi-conducteur est semi isolant ( >107. cm).
Typiquement, le chrome est un accepteur profond dans la GaAs et le fer est un
accepteur profond dans lInP semi isolant est obtenu par dopage avec du fer.

1.9 Courants dans le semi-conducteur

Les courants dans le semi-conducteur rsultent du dplacement des porteurs de charge,
lectrons et trous, sous l'action de diffrentes forces, l'origine de ces forces peut tre un
champ lectrique (courant de conduction) ou un gradient de concentration (courant de
diffusion).
Le courant de conduction pour chaque type de porteurs (lectrons, trous) est
proportionnel au champ lectrique [14]:

j n en n E (1.1)

j p ep p E (1.2)

Le courant total s'crit alors:

Jc = e (nn + pp ) E =E (1.3)

Avec e (n n p p ) est la conductivit et n ( p ) est la mobilit des lectrons

(trous).
Lorsque les porteurs libres ne sont pas distribus uniformment dans le semi-
conducteur, ils sont soumis au processus de diffusion. Au dplacement des porteurs de
charges correspondent des courants de diffusion:
dn
j eD (1.4)
dn n
dx
dp
j eD (1.5)
dp p
dx
Dn et Dp sont les constantes de diffusion des lectrons et des trous respectivement.

Le courant total de diffusion s'crit donc:

j eD dn dp (1.6)
eD p
d n dx
dx

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 Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

Compte tenu des expressions (1.1), (1.2) et (1.4), (1.5) les courants rsultants
d'lectrons et de trous s'crivent:
dn
j e n E eD (1.7.a)
n n n
dx
dp
j e p E eD (1.7.b)
p p p
dx
La constante de diffusion D et la mobilit d'un type de porteur sont lies par la
relation d'Einstein:

D D
KT
n
p

n p e (1.8)

1.10 Gnration de porteurs en excs par la lumire

Les thories ondulatoires (quations de maxwell) ou corpusculaires de la lumire nous
permettent daborder les changes entre la matire et le rayonnement lumineux.
Conformment la thorie corpusculaire, les quanta dnergie associs au
rayonnement lumineux sappellent photons. Dans le cadre de la mcanique quantique,
lnergie du photon correspondant une radiation donne est relie sa longueur
donde par la relation :

hc 1,24
p hv (1.9)

: frquence de la radiation.

: longueur donde de la radiation en m.

c : vitesse de la lumire

Ep : energie du photon en eV

h: constante de Plank.

Une radiation lumineuse rencontrant un semi-conducteur est absorbe suivant la loi de

lambert-Bouguer :

x1Rexpx 0 expx. (1.10)

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x : profondeur dabsorption du faisceau dans le matriau partir de la surface du semi-

conducteur.
R : coefficient de rflexion, reprsente la part de lnergie lumineuse incidente I,
rflchie la surface du matriau.
: coefficient dabsorption, traduit la probabilit dabsorption dun photon par unit de
longueur. I1 change selon le matriau.
Quand les photons incidents ont une nergie suffisante pour provoquer le transfert des
lectrons de la bande de valence sur la bande de conduction, des paires lectron-trou
peuvent se crer. Ce phnomne appel mode dabsorption intrinsque ou
fondamentale prdomine dans les cellules solaires.
La figure 1.4 donne les spectres dabsorption de certains matriaux. Lnergie
minimale ncessaire au photon incident pour provoquer la transition lectronique
dpend de la largeur de bande de bande interdite Eg du matriau. A partir de la relation
(1.9), on dtermine un seuil dabsorption intrinsque. Dans le cas du silicium, =1.1
m et dans celui de larsniure de gallium, =0.86 m. Pour les photons dnergie
infrieure Eg , le coefficient dabsorption est ngligeable et la radiation lumineuse
traverse le matriau avec une attnuation quasiment nulle. Dautres types dabsorption
optique interviennent encore dans le cristal : par les atomes dimpurets (absorption
extrinsque), par les porteurs libres, le rseau, la formulation dune paire lectron-trou
lis appele exciton I1rsulte de cette numration de processus complexes
intervenant sous certaines conditions du milieu ambiant, que le spectre dabsorption du
semi-conducteur varie avec la temprature ou dautres facteurs tels que les champs
lectrique et magntique et la pression [15].

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Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

Figure 1.4 Absorption optique des semi-conducteurs gap direct et indirect [14].

Le calcul du taux de gnration de paires lectron-trou, G (x ) (cm-3s-1 ) s'effectue de la

faon suivante. Appelant Io , le flux de photons (cm-2s-1) incidents sur la face claire
du matriau et (cm-1) le coefficient d'absorption de la lumire par le matriau. A la
profondeur x, ce taux de gnration vaut:

G(x) .(1 R)I o .e x (1.11)

1.11 Mcanismes de recombinaison des porteurs en excs

Le semi-conducteur dans lequel les porteurs excdentaires ont t crs par injection
photonique, conformment au processus dcrit dans le paragraphe prcdent, va
tendre revenir ltat dquilibre. La disparition des porteurs en excs rtablissant

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Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

lquilibre thermodynamique se produit par lintermdiaire de mcanismes de

recombinaison.
On distingue trois modes de transfert de lnergie du porteur :

1.11.1 La recombinaison radiative

Le porteur en excs repasse directement de la bande de conduction la bande de
valence, en vacuant son nergie par mission dun photon (figure 1. 5). Ce processus
est important pour les matriaux bande interdite directe comme le GaAs et faible
pour les matriaux gaps indirects comme le Si. Le taux de recombinaison est dfini
par [16]:

U= ( . ) (1.12)

O Bo (cm3/s) est le coefficient de recombinaison radiative, il dpend de la temprature

et sa valeur exprimentale la temprature ambiante gale 1.1410-14 cm-3 s-1.

Figure1.5 Schma descriptif du processus de recombinaison de type radiatif

1.11.2 La recombinaison Auger

Lnergie libre par la recombinaison transfre un lectron sur un niveau
suprieur de la bande de conduction, ou un trou sur un niveau plus profond de la
bande de valence, comme le montre la figure 1.6.

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Figure 1.6 Recombinaison bande bande.

Ce mcanisme est prdominant pour les rgions fortement dopes.

Le taux de recombinaison est donn par la relation [14] :

U=AUGN.(pn2-nni2)+AUGP.(np2-pni2) ( 1.13)

Avec AUGN et AUGP les coefficients Auger pour les lectrons et les trous.

1.11.3 La recombinaison indirecte

Cest le mcanisme le plus probable temprature ambiante, dans les matriaux semi-
conducteurs les plus utilise pour les cellules solaires, le silicium et larsniure de
gallium. La recombinaison seffectue en deux tapes, par lintermdiaire dun centre
de recombinaison qui est un dfaut ou une impuret, situ un niveau profond, proche
du milieu de la bande interdite.
Llectron libre captur par le centre qui de ltat neutre devient ngatif peut tre
rmis vers la bande de conduction. La figure 1.7 montre quun processus identique se
produit pour un trou captur. Au total, un lectron et un trou libres disparaissent. Une
paire lectron-trou sest recombines.

16
Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

Figure 1.7 Recombinaison indirecte

Le taux de recombinaison en porteurs libres (cm-3.s-1) de Shockley-Read-Hall [16,17]

scrit :

2
U SRH pn ni
(1.14)
n p p1 P n n1

Ou n1 et p1 reprsentent les termes d'mission et sont donns par:

E t E fi
n1 ni exp , p1 ni (E t E fi ) (1.15)
exp
K .T K .T

Tels que Et reprsente l'nergie du niveau pige proche du milieu de la bande interdite,
Efi le niveau de Fermi intrinsque et n et p sont les dures de vie des lectrons et des
trous.

* Recombinaison en surface
La surface du semi-conducteur prsente de nombreux dfauts. Les traitements quelle
subit lors du polissage et de lattaque chimique, loxyde natif qui, dans le milieu
ambiant, crot en quelques minutes sur plusieurs dizaines dangstrms () perturbent
profondment la structure cristalline au voisinage de la surface.
Quand on claire le matriau uniformment, la recombinaison superficielle provoque
une concentration en porteurs excdentaires moins importante en surface que dans le
volume. Afin de pallier ce dsquilibre, les porteurs gnrs diffusent vers la surface,

17
Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

donnant naissance un courant de diffusion. Dans le cas dun matriau de type N par
exemple [15]:
p
(1.16)
DP Sp
x
S : vitesse de recombinaison en surface (cm.s-1).
Dans le cas dune densit leve de centres en surface, et en labsence de zone de
charge despace superficielle, on crit :

S p N s t v t h (1.17)

Nst : densit superficielle en centres recombinants.

p : section efficace de capture du centre.
Avec un matriau tel que le silicium, on prend en gnral une valeur S comprise entre
102 et 106 cm.s-1. La figure 1.8 montre linfluence des vitesses de recombinaison en
surface s1 et s2. La rpartition de la densit de porteurs en excs sous une excitation
lumineuse de longueur donde =1m a t reprsente en valeurs normalises, en
fonction de la profondeur dans lchantillon.

Figure 1.8 Effet de la vitesse de recombinaison en surface dans le silicium.

Dans larsniure de gallium, S est plus lev de 104 107 cm.s-1. Avec ce matriau
bande interdite directe, la gnration des paires lectron-trou se localise sur quelques
microns de profondeur. Cette recombinaison superficielle se rvle encore plus gnant
quavec le silicium.

18
Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

Le taux de recombinaison Shockley-Read-Hall en surface est donn par lexpression

suivante [17]:

n p n 2
U s
s s i
(1.18)
(ns n1 ) ( p p1 )
s

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Chapitre 1 Etude des semi-conducteurs

Sp Sn

O Sp et Sn (cm/s) sont respectivement les vitesses de recombinaison en

surface pour les lectrons et les trous, ns et ps sont les concentrations des
porteurs la surface.

1.12 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons rappel quelques notions de base de la
physique des semi-conducteurs III-V et nous avons donn leurs
proprits lectriques et optiques. Nous avons aussi tudi les
mcanismes de gnration et de recombinaison de porteurs en excs par la
lumire tout en donnant leurs modles analytiques.

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