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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELCTRICA

CURSO:

Dispositivos y Componentes Electrnicos

INTEGRANTES:

Garca Huarancca, Frank Anthony 1523110104

Cahuapaza Principe, John 1523120896

Cabezas Champi, Freddy 1523110131

Ponte Ayala, Juan Edison 1523120637

PROFESOR:

Snchez Hernndez, Jaime Eloy

LIMA-PER

2017
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Escuela Profesional de Ingeniera Elctrica

TRANSISTOR BIPOLAR

1. OBJETIVO:
Determinar la curva caracterstica del transistor en funcin de corriente de base
(LB), corriente de conector y voltaje colector emisor.
Determinar las caractersticas del transistor propuesto segn el manual de
reemplazo.
Analizar cada uno de los componentes a utilizar.
2. MONTAJE DEL CIRCUITO:
3. CUADRO DE ANLISIS DE TENSIONES Y CORRIENTES:

Para el anlisis de las distintas corrientes que aparecen en


un transistor vamos a considerar un transistor de tipo
PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 1.
Este tipo de polarizacin ser el usado cuando el transistor
trabaje en regin activa, como se ver en los
siguientes apartados. La unin emisor-base queda
polarizada como una unin en directa, y la unin
colector-base como una unin en inversa.
En la figura 2. se muestran las principales corrientes (de
electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras
aplicar la polarizacin indicada en la figura 1. Se puede
observar lo siguiente:

Figura 1. Polarizacin

Figura 2. Corrientes en TRT

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Tema: Transistor Bipolar
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Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unin est en
directa
El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la
base, sino que siga hacia el emisor (ICp)
Entre el colector y la base circula una corriente mnima por estar polarizada en inversa (ICn
ms una parte nfima de ICp)
Por la base realmente circula una pequea corriente del emisor, ms otra de colector, ms
la corriente de recombinacin de base (IEn+ICn+IBr)

4. FUNDAMENTO TERICO:

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s,
que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la
unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

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5. RELACIN DE MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS:

1 transistor BC 547 o BC 548


2 resistencias 150 ohm y otra de 5.6k ohm
2 potencimetros 10k ohm o 50k ohm
Manual de reemplazo
Multmetro digital
Fuente dc variable
Microampermetro dc
Miliampermetro dc
Protoboard
Terminales

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