AMPLIFICADORES USANDO BJT (NPN/PNP)

1 OBJETIVOS.
En esta prctica profundizamos en el conocimiento de la amplificacin, en general, y del amplificador de una etapa
formado por un BJT en emisor comn, en particular. Mediremos el punto de operacin, las impedancias de entrada y salida, los
mrgenes dinmicos y observaremos la influencia que tiene el condensador de desacoplo sobre la ganancia del circuito.

2 MATERIAL.
Los componentes necesarios para realizar esta prctica son:
Resistencias de :R1=51K, R2=50K, R3=1K, R4=100K, R5=7.5K, R6=30K, R7=300, R8=1.5K

Condensadores electrolticos: C1=10 , C2=10 , C3=10

Transistor: NPN(TIP35CG)/PNP(2N3250A)

Potencimetro: R2=50K
3. TEORIA

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de

conmutacin y procesado de seal.

El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido

incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe

desgaste por partes mviles).

Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales.

Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de

entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito

al que est conectado. (Transfer Resistor).

CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT

Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto.(Emisor, Base

y Colector)
En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.

La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base- Colector en inversa. As, por la

unin Base-Colector circula una corriente inversa.

En npn, la regin de emisor tiene

mayor dopaje que la base. Al

polarizar la unin Base-Emisor en

P N P
directa, y la Base-Colector en

inversa, los electrones libres que

proceden del emisor llegan a la

base, con mucho menor nmero de

huecos, por lo que son atrados por

el colector (con alta concentracin

de impurezas).
N P N
 TRANSISTOR BIPOLAR npn

Est formado por una capa fina tipo p

entre dos capas n, contenidas en un
mismo cristal semiconductor de germanio
o silicio, presentando las tres
zonas mencionadas (E, B, C).

El emisor emite portadores de carga hacia

el interior de la base.
En la base se gobiernan dichos portadores.

En el colector se recogen los

portadores que no puede acaparar la
base.

Unin emisor: es la unin pn entre la base

y el emisor.

Unin colector: es la unin pn entre

la base y colector.

Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que

el colector o emisor.

La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

 TRANSISTOR BIPOLAR pnp

El BJT pnp est formado

tambin por un cristal

semiconductor con tres

regiones definidas por el

tipo de impurezas.

Las tensiones de continua

aplicadas son opuestas a las

del npn.

Las corrientes fluyen

en sentido contrario al

del npn.

Por lo dems, este

dispositivo es similar al

npn.

El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El exceso de huecos

que no pueden recombinarse en la base van a parar al colector.

CONFIGURACIONES DEL BJT

Aunque el transistor posea

nicamente tres terminales,

se puede realizar su estudio

como un cuadripolo (dos

terminales de entrada y dos

de salida) si uno de sus

terminales es comn a la

entrada y salida:

Base Comn.

Emisor Comn.

Colector Comn
 Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea; Rs muy grande.

Colector comn (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequea.

Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re pequea; Rs grande.

El montaje EC se aproxima ms al amplificador de corriente ideal.

El montaje BC permite adaptar una fuente de baja resistencia que ataca a una carga

de alta resistencia.

El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una carga de

bajo valor.

FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn

En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base- Emisor; e inversamente la

unin Base-Colector.

Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y Vce>Vbe (unin base-

colector en inversa).

La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor polarizada en directa y

depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

CONFIGURACION DEL BJT EN EMISOR COMUN CURVAS CARACTERISTICAS BASICAS

El presente circuito permite obtener las curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y de salidad (Ic vs. Vce) del

BJT en EC.

Se observa que la caracterstica de entrada, es similar a la del diodo. As, tambin disminuir

Vbe con la temperatura a razn de 2mV/K.

Las curvas caractersticas de salida muestran la corriente de colector independiente de la Vce,

si es mayor de 0,2 v.
4. DESARROLLO

4.1 PRESENTACION DEL CIRCUITO

4.2 SIMULACION DEL CIRCUITO NPN

4.3 SIMULACION DEL CIRCUITO PNP

5 CONCLUSIONES

De esta prctica se concluye lo tiles que son los transistores en la configuracin de amplificador
diferencial, ya que son parte fundamental en la elaboracin delos amplificadores operacionales.
Los transistores bipolares funcionan muy bien como amplificadores pero hay que
r e s p e t a r s u s rangos de trabajo (en especial la corriente) porque al rebasarlos estos no
trabajaran adecuadamente y podran daarse. Siguiendo los mtodos analticos adecuados los resultados
obtenidos en la prctica que acercan mucho a los obtenidos analticamente y a los obtenidos en la simulacin
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de los circuitos electrnicos.
Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, Y a que
en casi todos los aparatos electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos
de transistores, as como su aspecto fsico, su estructura bsica y las simbologas utilizadas, pudiendo concluir
que todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos
de transistores.