UNIVERSIDAD TECNOLGICA

ISRAEL

INTEGRANTES: CURSO: Sptimo B

Benitez Gabriel
Lisintua Byron
Rueda Jorge

MOSFET DE POTENCIA
Como se ver a, el MOSFET de potencia se fabrica de manera que el canal sea
lo ms corto y del mayor espesor y ancho posible. En ese caso, el campo
creado por la tensin de drain cuando pasa de UDsat puede llegar a valores
mayores que 1,5 a 2106V/m. En esas condiciones la velocidad v de conduce
de los electrones satura a aproximadamente 105m/s y se hace independiente
de la tensin UDS, dependiendo solamente de la disponibilidad de portadores,
que depende de UGS UGS(th).
La corriente en este estado de saturacin de velocidad es proporcional a la
velocidad dividida por la resistencia1. La resistencia efectiva es inversamente
proporcional a UGS UGS (th). Por lo tanto:
IDsat = K2(UGS UGS(th))
La corriente depende solamente de UGS y lo hace en forma lineal. Esto es lo
que sucede en un MOSFET de potencia con corrientes altas. La gura 1.4
(Mohan, Underland & Robbins 1995) muestra IDsat en funcin de UGS
(transferencia) en un MOSFET de acumulacin
ETRUCTURA DE UN MOSFET DE POTENCIA
 Figura 1: Curva de transferencia

Figura 2: Estructura de un MOSFET de potencia

Muestra que en la zona de saturacin o activa un mismo dispositivo puede

comportarse como MOSFET largo, sin saturacin de velocidad a bajas
corrientes y como MOSFET corto a corrientes altas. A corrientes bajas IDsat
depende de UGS en forma cuadrtica y a corrientes altas, con saturacin de
velocidad, esta dependencia es lineal.

SIMBOLO MOSFET DE POTENCIA

OPERACIN MOSFET DE POTENCIA

El dispositivo descrito puede funcionar como llave trabajando entre bloqueo y
zona lineal; de esa forma funciona en circuitos lgicos. Su alta velocidad de
conmutacin y simplicidad de manejo, as como su mecanismo de conduccin
basado en portadores mayoritarios - lo convierten en una opcin para superar
las limitaciones de los BJT en circuitos convertidores de potencia. Sin embargo
la estructura lateral de la gura 1.1 presenta fuertes limitaciones en cuanto a
la tensin de bloqueo, corriente de conduccin y resistencia en la zona lineal
que la hacen inaplicable a circuitos de potencia de uso corriente.

CARACTERISTICAS MOSFET DE POTENCIA

Mxima tensin drenador-fuente
Mxima corriente de drenador
Resistencia en conduccin
Tensiones umbral y mximas de puerta
Velocidad de conmutacin
Mxima tensin drenador-fuente Corresponde a la tensin de ruptura de la
unin que forman el substrato (unido a la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)

MODELOS MOSFET DE POTENCIA

APLICACIONES
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS Y NMOS
complementarios. Las Aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.)
Mescladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta

TRANSISTOR PUT
ESTRUCTURA
Con las siglas pUT de Programmable Unijunction Transistor (transistor
uniunin programable) se designa a un elemento cuyo comportamiento es
similar al UJT,con la diferencia respecto a ste de que la relacin n puede
programarse mediante un divisor de tensin exterior. A pesar de llamarse
transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el terminal de puerta G se
toma del lado del nodo en lugar del de ctodo.
SIMBOLO

OPERACIN
Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho terminal es:

Vg = Vbb Rb1/(Rb1 + Rb2) = n Vbb

El circuito no se disparar hasta tanto el potencial en el terminal de nodo no sea

superior en el voltaje de polarizacin directa de la juntura pn entre nodo y compuerta y
el voltaje de compuerta. Por lo tanto:
Vak = Vp = Vd + Vg = .7 + n Vbb

La curva tensin-corriente que representa la caracterstica de funcionamiento del PUT

es mostrada en la figura .
 Figura .- Curva Tensin-Corriente del PUT

Mientras la tensin Vak no alcance el valor Vp, el PUT estar abierto, por lo cual los niveles de
corriente sern muy bajos. Una vez se alcance el nivel Vp, el dispositivo entrar en conduccin
presentando una baja impedancia y por lo tanto un elevado flujo de corriente. El retiro del nivel
aplicado en compuerta, no llevar al dispositivo a su estado de bloqueo, es necesario que el
nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para reducir la corriente por debajo de un valor de
mantenimiento I(br).

CARACTERTSTICAS
Las caractersticas del dispositivo aparecen en la figura. Como se observa en el
diagrama, el estado apagado y el estado encendido estn separados por la
regin inestable como ocurri para el UJT. Es decir, el dispositivo no puede
permanecer en el estado inestable; simplemente cambiar al estado apagado
o al estado encendido estable.

APLICACIONES
El PUT es utilizado tambin como oscilador de relajacin. Si inicialmente el
condensador est descargado la tensin Vak ser igual a cero. A medida que
transcurre el tiempo ste adquiere carga. Cuando se alcanza el nivel Vp de
disparo, el PUT entra en conduccin y se establece una corriente Ip. Luego,
Vak tiende a cero y la corriente aumenta. A partir de este instante el
condensador empieza a descargarse y la tensin Vgk cae prcticamente a
cero. Cuando la tensin en bornes del condensador sea prcticamente cero, el
dispositivo se abre y se regresa a las condiciones inciales. En la figura 3 puede
observarse la configuracin circuital para el oscilador.

TRANSISTORES IGBT
ESTRUCTURA
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan
(PNPN) que son controlados por un metal-xido-semiconductor (MOS),
estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de
puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de
canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye con un
drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del transistor de
unin bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje
de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. En la
figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres
pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
SIMBOLO

OPERACIN
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual
la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la
terminal G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede
estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este
valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de
estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15
V, y la corriente IC se autolimita.

CARACTERSTICAS
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio.
Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando
desde puerta.
VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200,
1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y
un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
APLICACIONES
El IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta
tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones
en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada
da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstic
o, Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en
Ingls UPS), etc.