Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
MARCO TERICO
Los diodos estn constituidos por materiales semiconductores. En esta clase de materiales la
corriente elctrica aparece debido al movimiento de los electrones en la banda de conduccin y al
movimiento de los agujeros en la banda de valencia. Los electrones ligados en la banda de valencia
tratan de ocupar los agujeros dejados por los electrones que se han desplazado hacia la banda de
conduccin.
Los diodos pueden pensarse idealmente como junturas p-n, se denomina as a la unin de un cristal
semiconductor tipo p (dopado de impurezas aceptoras) y otro tipo n (dopado con impurezas
dadoras).
La presencia de cargas negativas en la zona n genera una difusin de electrones que eventualmente
pueden traspasar la juntura a la zona de portadores positivos. Este proceso provoca as la formacin
progresiva de dipolos en la juntura que eventualmente se libera de portadores libres (zona de
vaciamiento) y en la cual se generan dipolos debido a la diferencia de ionizacin entre las zonas p y
n (figura 1).
Los dipolos generan, por lo tanto, un campo elctrico que frena la difusin electrnica a travs de la
juntura y produce adems una barrera de umbral (Vu). Tpicamente, los valores de Vu para diodos de
germanio y de silicio son aproximadamente 0,3V y 0,7 V respectivamente.
Al aplicar tensin sobre los bornes del diodo se lo polariza: si la polarizacin es directa (figura 2-a) y
supera el potencial de umbral, la fuente produce un flujo de portadores hacia la juntura. De esta
forma los dipolos de la zona de vaciamiento desaparecen y el diodo actuar como una llave cerrada.
En cambio, para polarizacin inversa la zona de vaciamiento se acenta, esto es, se generan ms
dipolos ya que la fuente atraer a los electrones a su borne positivo y los huecos al negativo. En
esta configuracin el diodo trabaja como una llave abierta (figura 2-b).
Eventualmente, si la tensin inversa aplicada supera cierto valor de ruptura (tpicamente entre 50 y
100 V), el diodo dejar de impedir el paso de corriente y actuar nuevamente como una llave
cerrada.
Figura 3: Esquematizacin de la curva caracterstica de corriente en funcin de la tensin aplicada
para un diodo de avalancha. Obsrvese que para polarizacin inversa existe un voltaje de ruptura.
En diodos cuyo dopaje de los cristales es muy alto, la zona de vaciamiento para polarizacin inversa es
mucho ms estrecha y el campo elctrico generado por los dipolos es muy intenso. Por lo tanto, existe
cierto valor de tensin inversa (tpicamente de 5V) para el cual el campo es tal que permite arrancar
electrones de las capas superiores de portadores para la corriente.
2. Marco Terico
3.1 Diodo
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y
por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy pequea.Debido a
este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de
suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los experimentos
de Lee De Forest.
Figura 1.1 Circuito con un diodo y una fuente DC, tomado de
http://www.uned.es/ca-
bergara/ppropias/Morillo/web_et_dig/02_semiconduc/semiconductores.pdf.
4. Practica
D1 Rd 13 Ri 1.74
D2 Rd Ri 22.3
D1 = diodo 1
D2 = diodo 2
Rd = resistencia directa
Ri = resistencia inversa
Se realiz el siguiente montaje con una fuente en CD, con un diodo y despus con
un led
Vr Vd I
D1 4.2 V 0.75 V 0.019 A
Led 0.3 V 2V 0.015 A
Vr Vd I
D1 4.3 V 0.75 V 0.007 A
Led 0.3 V 2V 0.015 A
Ve Id Vd1 Vr1
0.0 0 0 0
0.2 0.001 0.19 0.001
0.4 0.036 0.036 0.036
0.6 0.15 0.34 0.15
0.8 0.32 0.47 0.15
1.0 0.5 0.48 0.5
1.5 0.96 0.53 0.96
2.0 1.44 0.55 1.44
2.5 1.93 0.569 1.93
3.0 2.44 0.581 2.41
3.5 2.4 0.59 2.1
4.0 3.4 0.59 3.4
4.5 3.9 0.6 3.9
5.0 4.35 0.612 4.38
5.5 4.88 0.617 4.88
6.0 5.37 0.62 5.37
6.5 5.8 0.62 5.83
7.0 6.4 0.63 6.3
7.5 6.86 0.64 6.8
8.0 7.3 0.64 7.36
8.5 7.8 0.64 7.85
Ve I1 Vd1 Vr1
0.0 0 0 0
0.2 0 0.2 0
0.4 0. 0.21 0
0.6 0. 0.6 0
0.8 0. 0.8 0
1.0 0. 1.0 0
1.5 0. 1.5 0
2.0 0 2.0 0
2.5 0 2.5 0
3.0 0 3.0 0
3.5 0 3.5 0
4.0 0 4.0 0
4.5 0 4.5 0
5.0 0 5.0 0
5.5 0 5.5 0
6.0 0 6.0 0
6.5 0 6.5 0
7.0 0 7.0 0
7.5 0 7.5 0
8.0 0 8.0 0
8.5 0 8.5 0
Grfica del diodo polarizado directamente
5. Conclusiones
Cuando un zener esta polarizado de manera directa, se comportar como un diodo normal, y cuando
est polarizado de manera inversa, mientras el voltaje sea menor al voltaje indicado en la hoja de datos
del zener nicamente pasar una minima corriente por el diodo, sin embargo, cuando el voltaje de
entrada a superado al voltaje del zener el voltaje del zener se mantendr constante en sus terminales.
Es importante colocar una resistencia en serie entre la fuente y el diodo zener para limitar la corriente a
un valor menor al de la limitacin, pues de no ser as el diodo zener se quemara.
Se comprueba para el rectificador de media onda, que la mitad de la seal de entradase rectifica
mediante el circuito construido.Se confirma tambin que para tensiones de entrada mucho mayores a
la tensindirecta del diodo (0,7 V) el corrimiento se hace cada vez menos notorio. Tambin severifica
que al aumentar la capacitancia del capacitor, se logra una salida de corrientecontinua.Se comprueba
que para el rectificador de onda completa la seal de entrada serectifica totalmente mediante el
circuito construido; se logra as una salida de corrientecontinua en base a una entrada de corriente
alterna.Los circuitos rectificadores de media onda presentan un alto rizado en la seal desalida, dicho
rizado puede ser reducido al colocar un capacitor en paralelo a la carga