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COMPONENTES ELECTRNICOS SEMICONDUCTOR PASIVOS

4. DIODOS O RECTIFICADORES.
Son componentes de estado slido, que son fabricados en material semiconductor como
el Silicio y Germanio, este componente permite el paso de la corriente elctrica en una
direccin y la bloquea en la otra; est formado por dos cristales uno del tipo Pcon
escasez de electrones y el otro del tipo N con exceso de electrones, estos dos cristales
son unidos y encapsulados de diferente manera, que dependen del fabricante. Las
formas fsicas y la simbologa de los diodos comunes se las ilustra en el siguiente
grfico. Existen tambin diodos especiales que ms adelante se los estudiaran con
detalle.

DIODOS COMUNES

Diodos de control
Anodo Ctodo
Diodos de potencia

Simbologa
Comportamiento del diodo comn:
Para hacer un anlisis del comportamiento de un diodo, debemos estudiar la estructura
interna del mismo, esto lograremos realizando dos tipos de circuito con el diodo.
a) Circuito con polarizacin DIRECTA
b) Circuito con polarizacin INVERSA

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a) Circuito con polarizacin DIRECTA:
Para realizar el anlisis de est tipo de circuito debemos considerar que los cristales del
diodo son conectados en forma directa, es decir, el cristal P es conectado al polo
positivo de la fuente de energa, el cristal N va conectado al polo negativo de la fuente
de energa, conectando as Ctodo y Anodo como vemos en la figura.

POLARIZACION DIRECTA
Corriente de lagunas

P +e -e N
Ctodo - N x y

B
Anodo +P F-Consumir

Corriente de electrones

I + -

Donde:
I = Interruptor N = Semiconductor tipo N
F = Foco o consumidor P = Semiconductor tipo P
P = Batera e = Hueco o laguna
B = Barrera potencial -e = lectrn

La conexin que tiene el diodo en el circuito mostrado arriba, es denominada circuito

con polarizacin directa, que da viabilidad al paso de la corriente elctrica.

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Funcionamiento.-
La conexin del polo positivo con el cristal P en el punto (x), hace que las cargas
positivas (+e) repelan a las cargas positivas del cristal P (flecha negra), pero al mismo
tiempo las cargas positivas de la batera atraen a los electrones del cristal P y N.

Por otra parte en el punto (y) los electrones de la batera repelen a los electrones del
cristal N y P (flecha negra), pero las lagunas dejadas por el electrn repelido son las que
atraen a nuevos electrones de la batera, este proceso de repulsin y atraccin es la
consecuencia del flujo de electrones en el circuito, por tanto mientras exista dicho flujo
la lmpara estar encendida. Los efectos que existen en el punto (x), (y) hacen que la
barrera potencial del diodo sea muy estrecha, al punto de que casi no sea ningn factor
negativo para el paso de los electrones.

Habr circulacin de electrones en el circuito, mientras exista una diferencia de

potencial en la batera, o dicho en otras palabras, hasta que en los dos polos de la
batera exista diferencia de electrones. Cuando haya la igualdad de electrones en los
polos + y la lampara dejara de iluminar.

a) Circuito con Polarizacin INVERSA:

Para hacer el anlisis de este circuito nos ayudaremos con la siguiente figura.
POLARIZACUION INVERSA
P N
No existe flujo de electrones

y
x
B
F

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I P

- +
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El diodo en un circuito con polarizacin inversa se comporta como un aislante o mal

conductor del flujo de electrones.

Funcionamiento.-
El comportamiento del circuito con una conexin como la que se ilustra en la figura,
parte del principio de accin de la ley de cargas elctricas, debido a que en el punto (x),
los electrones que provienen de la batera atraen a las lagunas o cargas positivas del
semiconductor tipo P quedando las cargas elctricas concentradas en la pared muy
prximas al punto (x).

De igual forma en el punto (y) las cargas positivas que provienen de la batera, atraen a
los electrones que tiene en exceso el semiconductor tipo N, quedando las mismas
concentradas en la pared muy prximas al punto (y).

Por la accin que se ejerce tanto en el punto (x) como (y), es que la barrera de potencial
del diodo se ensancha mas con lo que deja un vaco de cargas a lo ancho de la banda,
razn por la cual no existe el flujo de electrones ni el flujo de lagunas. Por tanto la
lampara no podr consumir energa elctrica y no llega a iluminar.

En figura podemos ver grficamente el comportamiento del diodo de unin:

If
Ge Si

Er Ef

40 30 20 10 0 0,5 1 1,5

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a

Ir
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El comportamiento del diodo en un eje de coordenadas establece un voltaje directo

(Ef), el que es necesario para vencer el potencial de barrera y los valores son:

Diodos de Germanio (Ge) 0,2 a 0,3 voltios

Diodos de Silicio (Si) 0,6 a 0,7 voltios

Conseguidos estos valores, el diodo puede llegar a conducir la corriente de electrones,

pero si continuamos dando valores de tensin mucho ms elevados, llega a un punto
crtico donde el diodo entra en avalancha, llegando incluso a destruirse.

El voltaje inverso (Er) es aquel que se establece con polarizacin inversa en el diodo,
pudiendo el diodo soportar hasta valores de 30 o 40 voltios establecidos por el tipo de
material del semiconductor, como se observa en la figura.

La corriente que puede transportar estos diodos es de acuerdo al tipo del mismo,
pudiendo ser los de control (Miliamperios) y los de potencia o industriales (Amperios).

Pruebas del diodo:

Conociendo que el diodo solo deja pasar la corriente en un solo sentido conectamos un
multitester digital de forma directa, es decir el ctodo (-) con el polo negativo del
instrumento y el nodo (+) con el polo positivo. Con esta conexin el tester tiene que

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marcar continuidad. Con un instrumento analgico las conexiones tienen que invertirse,
para que nos marque una continuidad en el tster.

Si el instrumento marca continuidad cuando polarizamos directa e inversamente, el

diodo esta en cortocircuito, si por el contrario en la conexin directa o inversa el
instrumento no marca continuidad, el diodo esta abierto o con ruptura.

4.2. DIODOS ESPECIALES.

El diodo zener:
El diodo zener es un componente que se encarga de controlar la tensin en un circuito,
tambin es nombrado como regulador de voltaje, para tener mejor comprensin del
funcionamiento de este diodo veremos la figura.

CARACTERSTICAS DEL DIODO ZENER

Rs o

Vs
Vz

En el circuito estamos utilizando directamente una fuente de poder que varia su voltaje
entre 0 y 30 voltios, adems una resistencia en serie y una lmpara en paralelo con el
zener, el diodo est funcionando en la zona de ruptura, por lo que la corriente que
circula por la resistencia en serie, ser:

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Is = Vs Vz / Rs

Considerando un diodo ideal, la tensin en ste ser igual al de la lmpara, por lo tanto
la corriente en la carga ser:

Ix = Vx / Rx

Aplicando la segunda ley de Kirchhoff en el punto (o) tendremos:

Is = Iz + Ix

Despejando la ecuacin podremos encontrar Iz:

Iz = Is - Ix

Como todo componente electrnico el diodo zener tambin es afectado por el

crecimiento de la temperatura, por lo que tiene un coeficiente de temperatura. Para las
tensiones de ruptura menores a 5 V, su coeficiente de temperatura es negativo. Cuando
el diodo zener est construido para tensiones de ruptura superiores a 6 V, el coeficiente
de temperatura es positivo, por el cambio que ocurre entre 5 y 6 V, es posible encontrar
un punto de funcionamiento para el diodo zener, donde el coeficiente de temperatura sea
cero.

Prueba de un diodo zener:

Para realizar prueba en el diodo zener, necesitamos conocer la tensin zener,
adems tener una fuente de poder de CC (corriente continua) de tensin variable cuyo
voltaje sea mayor a la tensin zener, dos voltmetros y un resistor de 330 a 470 hmios,
posteriormente armar el circuito como muestra la figura:

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V1 F

V2

Para comenzar empiece a virar el potencimetro de la fuente hasta 0, luego vaya

aumentando la tensin de la fuente mirando simultneamente los dos voltmetros, se
ver que ambas mediciones son idnticas, ya que no circula corriente por el diodo zener
y por lo tanto, no hay cada de tensin en el resistor de 470 hmios. Lentamente siga
aumentando la tensin hasta que el voltmetro V2 permanezca constante, mientras que
el voltmetro V1 sigue marcando el valor que da la fuente. En consecuencia el valor de
tensin del zener ser igual al marcado por el voltmetro V2.

Para tener xito en esta prueba se deber actuar con sumo cuidado, cuidando de no
aumentar excesivamente la tensin de la fuente, ya que podra sobrepasar la mxima
corriente que soporta el diodo zener, ocasionando la destruccin del mismo.

Los valores de voltaje de los diodos zener ms comerciales en el mercado son:

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1,4 7,5 24 75 175

2,1 8,2 27 90 180
Los valores de 2,8 9,1 30 95 ,,,,, potencia ms
comerciales son: 3,3 10 33 100
3,6 11 36 105
0,4
3,9 12 39 110
1
4,3 13 43 120
1,3
4,7 15 47 130
2,5
5,1 16 51 140
5
5,6 18 56 150
6,2 20 62 160
La aplicacin ms 6,8 22 68 170 significativa
dentro la mecnica automotriz est en los reguladores electrnicos.

Diodos emisores de luz o LED:

El primer dispositivo semiconductor dotado de una juntura capaz de emitir luz ya fue
conocido en el ao 1952, este componente estaba fabricado de Arseniuro de Galio con
Fsforo, el cual emita luz roja, recibiendo el nombre de Light Emitting Diode,
abreviado LED.

El diodo LED, es la que combina la ptica con la electrnica. En la figura se muestra el

smbolo y la forma fsica de un diodo LED.

Ctodo C

Anodo J. Freddy Arias A.

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La caracterstica de este diodo es que el terminal ms largo es el nodo y el terminal

corto el ctodo. El diodo LED debe trabajar con polarizacin directa, puesto que la
corriente que circula en la juntura provoca la recombinacin de los pares electrn
huecos.

Para que un LED comience a conducir en el sentido directo se aplica una tensin mayor
a la de los diodos comunes, como observamos en la figura:

I mA

Diodo Diodo
Comn LED

V
0,6 1,5

Dependiendo del material de que est construido el diodo LED y del color de la luz
emitida, la tensin mnima para la conduccin ser de 1,5 o 2,1 voltios. Los LED no
deben ser sometidos a tensiones inversas superiores a los 5 voltios.

Para utilizar el LED es muy necesario conectar una resistencia limitadora adecuada, esto
es para proteger al diodo LED. Para el efecto realizaremos un ejemplo.

En el circuito de la figura tenemos un LED de 1,6 voltios que esta conectado a una
batera de 9 voltios, la corriente que admite el diodo es de 10 mA. Cul es la
resistencia limitadora?.

J. Freddy Arias A.
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Datos:
Tensin de la fuente Vf = 9 v.
Tensin del LED = 1,6 v.
Corriente del LED = 10 mA
Corriente en el circuito = 7,5 mA o 0,0075 A

LED (10 mA)

+

7,5 mA

Aplicando la primera ley de Kirchooff:

R = Vf V LED / I LED
R = 9 1,6 / 0,0075 = 986,6 = 1 K ohmios
La potencia ser:
P = I * V = 1,6 * 0,0075 = 0,012 W

Nota: Para mayor seguridad slo tomamos el 75 % de la corriente directa mxima.

A continuacin veremos en la tabla algunos valores ms comerciales de este tipo de

diodos:

Color Rojo, amarillo, verde

Voltaje activo 1,6, 1,7, 1,8, 2, 2,1, 2,5, 2,8, 3
Dimetro LED 2,5, 4,9, 5,08 m.m.
Corriente mx. 10, 20, 25, 30, 35, 40, 100 mA

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Pruebas de un LED:
Al adquirir un LED no sabemos el voltaje de trabajo que tiene este diodo, por lo tanto
hacemos una prueba con una fuente regulable desde 0 voltios. Dicha fuente conectamos
al diodo, polarizando directamente, y luego incrementamos el voltaje hasta que el LED
adquiera un brillo suficiente, dicho voltaje nos servir tambin para calcular el resistor
limitador.

Fotodiodos:
Son diodos sensibles a la luz, el funcionamiento de los Fotodiodos podemos explicarlo
partiendo, de incidir con fotones a la juntura semiconductora con suficiente energa,
estos pueden liberar portadores de carga elctrica haciendo que la resistencia en el
sentido inverso disminuya y as la corriente circule con ms intensidad, es por lo que se
los emplea como detectores de luz.

En la figura observamos este diodo:

FOTODIODO

A C C

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Este diodo debe ser conectado en polarizacin inversa para que pueda actuar, adems
indicar que son muy sensibles. El fotodiodo posee un pico de respuesta de 8,500
(Angstrons), lo que significa una radiacin dentro la banda de infrarrojo y puede llegar a
sentir radiaciones hasta menos de 4,000 (Angstrons) que corresponde al lmite superior
de la radiacin visible, entrando en el ultravioleta.

Prueba del fotodiodo:

Para realizar prueba del diodo podemos ayudarnos con el siguiente circuito:

Rp Medidor

+ A
-
C

En el circuito podemos utilizar un potencimetro con un valor de 5 Kilohmios y el

medidor es un Miliampermetro. La prueba consiste en primeramente taparlo con el
dedo y luego destaparlo, y como consecuencia la lectura del ampermetro debe oscilar.

Diodo tnel:
Es un diodo muy diferente por sus caractersticas particulares, su regin de juntura es
muy delgada, adems de tener una resistencia negativa, vale decir que la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado al interior del diodo; los portadores
de corriente atraviesan la juntura a la velocidad de la luz ( 3x103 m/seg.).

En la figura podemos observar el aspecto fsico y su simbologa:

Diodo Tnel
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A K A K
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Otra de las particularidades de estos diodos es de soportar tensiones menores a 1 voltio

por lo que se deber tomar precaucin; en lo que respecta a la corriente no se tiene
ningn inconveniente. Son utilizados en diferentes circuitos con interrupcin a alta
velocidad, tambin en circuitos lgicos y otros.

Para realizar pruebas en el diodo tnel se precisa un multitester o un hmetro con

escala baja, al medir el mismo debe marcar baja resistencia.

Diodo de seal:
Son diodos pequeos de Germanio que son utilizados ms en los circuitos de detectores
de seal R.F. (Radio Frecuencia).

A C Diodo deASeal C

Bigote de Gato Pelota

Para realizar pruebas tiene que obrar como si fuera un diodo comn.

Diodos varicap o varactores:

Son diodos de capacidad variable, lo cual quiere decir que este componente funciona
como un verdadero capacitor, en el que se hace la actuacin por medio de una tensin.

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Si aplicamos una tensin creciente para polarizar la juntura en el sentido inverso, lo que
se ver es una separacin cada vez mayor de los portadores de carga, es decir que se
forma una barrera, como si fuera un aislante. Al aumentar el voltaje inverso la barrera
crece y la capacidad disminuye y viceversa.

La prueba de este tipo de diodo se la realiza como si fuera un diodo comn.

Diodo varistor:
Son componentes electrnicos que actan como supresores de valores transitorios,
tambin se utilizan para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de
alimentacin.

Existen dos tipos: el primero, diodo compensador de temperatura y el segundo, diodo

compensador de voltaje.

Los valores ms comerciales del diodo compensador de temperatura son:

Corriente directa Voltaje directo Carga per.

mA Min. Max. C(mV)
10 0,63 0,69 2
100 1,26 1,36 4,6
20 0,56 0,61 1,5

5. LOS TRANSISTORES.
El transistor es un componente de tres terminales o conexiones, la resistencia interna
que tiene depende del nivel de corriente o voltaje aplicado a sus terminales. Se
agruparon en dos importantes grupos:

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Transistores bipolares
Transistores de efecto de campo o FET

Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente y los FET son
controlados por voltaje, en la figura podemos observar los diferentes tipos de
transistores:

ASPECTO FISICO Y TIPOS DE ENCAPSULADO

Baja potencia

Media potencia

BIPOLAR FET

Alta potencia
PNP NPN Canal N Canal P
En la figura abajo representamos la simbologa y su encapsulado de los diferentes
C
transistores. Los transistores C tres terminales yDse los denomina: E
bipolares tienen D-
emisor, C - colector y B - base.
B B G G

E E S S

B = Base G = Gate o Compuerta

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E = Emisor S = Sourse o Fuente
C = Colector D = Drain o Drenador
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En cambio en los transistores FET, se los designa como S fuente (en ingles sourge);
D - drenador (drain), y G - compuerta (gate).

Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN y los FET pueden ser de canal N o de
canal P, y los especiales de unin (JFET) y de compuerta aislada (MOSFET).

Transistores bipolares:
Es uno de los componentes ms representativos de la electrnica, est formado por tres
capas de semiconductor puro, a las que se aaden distintas impurezas como detallamos
en el captulo 1, esas capas se denominan colector, emisor y base, y para cada capa se
conecta una terminal.

El funcionamiento se basa en dos tipos de cargas elctricas: huecos y electrones, es por

est razn que se denominan bipolares; si se emplea un solo portador (huecos o
electrones), se lo puede considerar un dispositivo unipolar.

Los transistores se pueden clasificar de la siguiente manera:

De acuerdo al material semiconductor empleado:

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a) Transistores de Silicio, ejemplo: BC 549, 2N3055
b) Transistores de Germanio, ejemplo: AC180, 2N1383

De acuerdo a la disposicin de sus capas:

a) Transistores NPN
b) Transistores PNP

N P N P N P

C E C E

B B

De acuerdo a la disipacin de potencia:

a) Transistores de baja potencia
b) Transistores de media potencia
c) Transistores de alta potencia

Polarizacin de transistores:
Al igual que demostramos con los diodos, los transistores se polarizan de forma directa
e inversa.

Polarizacin directa:
Es uno de los aspectos ms importantes para que pueda funcionar adecuadamente el
transistor, para un transistor NPN, la unin emisor base debe polarizarse en forma
directa, la unin colector base en polarizacin inversa, tal como observamos en la
figura:

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N P N

a b

Ic
Ib Ie

+ - + -

1 2

En el circuito los portadores mayoritarios, tanto en el emisor como en el colector, son

los electrones. En el punto (b) los electrones que llegan de la fuente 2, por la ley de
atraccin de cargas, repelen a los electrones que se encuentran en el emisor, stos llegan
a pasar la barrera emisor - base, para que luego los huecos sean el medio de transporte
de los electrones para llegar al colector.

En el colector tambin existen los electrones en mayora, los mismos son atrados por
las cargas positivas de la fuente 1 con lo que se completa el flujo de electrones emisor
colector.

Por otra parte se debe considerar la diferencia de corrientes, donde la corriente de base
(Ib), conocida tambin como la llave del transistor, es la dcima parte de la corriente
de carga o colector (Ic); en consecuencia la igualdad resultante ser:

Ib = Ic /10

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Sin embargo al circuito le faltan muchos detalles como por ejemplo la resistencia
polarizadora, el consumidor y otros. En todo caso el transistor est funcionando
interviniendo sus tres cristales.

Polarizacin inversa:
Para dar mayor amplitud en el manejo de los transistores, vamos a realizar el circuito
con conexin inversa en un transistor del tipo PNP como observamos en el grfico.

a b

- + + -

Como podemos apreciar en el circuito en los puntos (a) y (b), es donde se concentran las
cargas tanto positivas como negativas, por el efecto de atraccin que influye en ellas.

Por tanto no podr existir el flujo de electrones ni de huecos, puesto que en el transistor
las barreras potenciales tanto de emisor base y de colector base se ensancharan ms,
con lo que el transistor actuar como un componente electrnico del tipo aislante.

En la figura podemos observar algunas de las identificaciones de las terminales: emisor,

base y colector:

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Identificacin de Terminales

C E C E

B B
C E

B
B
E C E C

Pruebas del transistor unipolar:

Para realizar pruebas de calificacin del transistor en optimas condiciones,
necesariamente tenemos que equiparnos con material de ensayo como ser: multitester,
fuente de poder, consumidor, resistencia variable y accesorios (cables, conectores y
otros).

A continuacin realizaremos circuitos de conexin directa e inversa, para saber las

condiciones del transistor.

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El Tester
Marca

1 2 3
N
P P

El circuito de la figura nos muestra un transistor en prueba donde las terminales 1, 2, y 3

son las que corresponden al emisor, base y colector; para identificar cada una de ellas
realizamos lo siguiente:

1 Conectamos el polo positivo del tester a la terminal 1 del transistor (Flecha

directa), al mismo tiempo conectamos el negativo a la terminal 2 del transistor. Si el
tester marca continuidad inmediatamente se podr deducir que la terminal 1 es del tipo
de cristal (N) y la terminal 2 por tanto ser del tipo (P), esto es debido a que hemos
polarizado casualmente en forma directa al transistor.

2 Debemos invertir los polos de conexin, con lo que el tester no deber

marcarnos continuidad, debido a que estamos polarizando de forma inversa. (En caso de
marcarnos continuidad, de hecho que el transistor esta averiado).

3 Conectando el polo positivo del tester a la terminal 1 del transistor y el

negativo a la terminal 3 del transistor, en estas condiciones si el tester nos marca

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continuidad, habremos determinado la terminal 3 como un cristal del tipo (N). (Al
invertir las conexiones no deber marcar continuidad).

4 Habiendo identificado el tipo de transistor como P-N-P, donde la base del

transistor corresponde a la terminal 1, la cual es del tipo (N), lo que queda es identificar
el colector y emisor.

5 Medir la resistencia que existe entre las terminales 1 y 2, posteriormente 1 y 3,

una de las dos lecturas ser mayor que la otra, la mayor corresponde al emisor y la
menor al colector. Tomando en cuenta que ya se identific a la terminal 1 como la base.

Si se trabaja con un tester digital las mediciones se debern realizar en forma directa,
vale decir que el polo positivo corresponde a un cristal (P), el polo negativo al cristal
(N), con lo que se estar polarizando de forma directa.

Transistores FET de Efecto de Campo: Los transistores FET, tienen una serie de
ventajas sobre los transistores bipolares como
Bajo consumo
Rigidez mecnica
Alta resistencia de entrada (1012 a 109 ohmios)
Amplificacin con muy bajo nivel de distorsin
Pero contrariamente existen desventajas como ser:
Poseen una pequea ganancia en el ancho de la banda
El costo es mas elevado que los bipolares.
Principio de funcionamiento:
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El flujo de electrones se controla mediante la variacin de un campo elctrico que queda
establecido al aplicar una tensin entre un electrodo de control llamado compuerta (G) y
el otro electrodo llamado fuente (S). En la figura podemos observar el comportamiento
de las corrientes y su sentido del transistor FET con canal P.

Transistor FET
Vds

S D

Vgs

Cuando se aplica un potencial inverso se da origen a un campo elctrico asociado que,

a su vez, determina la conductividad de la regin y en consecuencia el ancho efectivo
del canal ira decreciendo progresivamente a medida que aumenta dicha polarizacin
aplicada; la corriente que circula desde la fuente (S), hacia el drenaje (D), depender de
la polarizacin inversa aplicada entre la compuerta (G) y la fuente (S).

Segn su sistema de fabricacin existen dos tipos de FET, el FET de juntura y el

MOSFET y cada uno de ellos pueden ser del tipo P o del tipo N.

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FET BIPOLARES MOSFET

D D D D

G G
G G

S S S S
Canal N Canal P MOSFET N MOSFET P

Pruebas de transistores de efecto de campo FET.-

Al igual que para los transistores unipolares, para esta prueba se necesitan los
instrumentos anteriormente mencionados.

1 Preparar el multitster con selector en ohmiaje bajo y Rx1 para los analgicos;
o Rx200 para los digitales.

2 Para identificar las terminales se mide las resistencias en sentido directo e

inverso del transistor; si se encuentra un par en el que la resistencia directa e inversa es
la misma y el tester marca baja resistencia, la terminal en desuso ser la compuerta (G)
y las terminales medidas sern el drenaje (D) y la fuente (S), como podemos observar en
la figura:

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Tambin existen los transistores de unijuntura que son dispositivos semiconductores

unipolares, constituidos por una barra de semiconductor tipo N, que posee una conexin
elctrica en cada extremo, denominadas B1 y B2. En el centro de la barra se dopa al
semiconductor para formar zonas P+ y N-, cuya unin determina el tipo de emisor del
transistor; en la figura podemos observar este transistor:

Base 1

Emisor Base 1
Emisor

Base 2
Base 2

6. TIRISTORES.
Los tiristores son componentes electrnicos, que son construidos en cuatro capas de
material semiconductor. Son ms conocidos como switchs electrnicos, que en la
actualidad reemplazan a los famosos interruptores electromecnicos.

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Los principales tiristores son el SCR, el TRIAC, o TRIODO de C.A., y como elementos
de disparo el DIAC y el transistor UJT, o transistor de uniunin, pero sin embargo en la
actualidad sigue revolucionando este componente electrnico.

En la figura podemos observar, la diferencia de un circuito electromecnico y un

circuito electrnico de cierre y apertura.

CIRCUITO CON CONTROL

Electromecnico Electrnico

Carga Carga
R
Fuente Fuente A

C G

El rectificador controlado de silicio SCR:

Este tipo de tiristor es un conmutador, rectificador y amplificador a la vez, por lo que es
muy utilizado en circuitos electrnicos de potencia, en la figura podemos apreciar su
smbolo, el circuito equivalente y el aspecto fsico.

Compuerta (Gate)

Anodo (A) J. Freddy Arias A.

Ctodo
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N N
P P

Funcionamiento:
Un SCR al igual que un diodo tiene ctodo y nodo y deja pasar la corriente en un solo
sentido, pero a diferencia del diodo, tiene una terminal adicional denominada compuerta
(gate).

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La compuerta se utiliza para empujar o disparar el SCR al estado de conduccin.

Solamente cuando la compuerta recibe un voltaje positivo es que el SCR se comporta
permitiendo pasar la corriente entre su nodo y ctodo.

El tiristor seguir en conduccin aunque se suspenda el voltaje positivo aplicado a la

compuerta del tiristor. La nica manera de poder suspender la conduccin es retirar o
cambiar la polaridad de voltaje en el nodo.

Pruebas en un tiristor SCR:

En principio se deber identificar las terminales del tiristor utilizando un tester en un
rango de Rx10 y midiendo con ellos las resistencias entre las terminales hasta encontrar
un par que tenga baja resistencia (100 ohmios o menos), la terminal que qued fuera de
est medicin resulta ser el nodo, por lo que solo quedar identificar las dos terminales.

Conectamos la punta de prueba positiva a la terminal identificada como nodo y la otra

terminal negativa a una de las dos terminales; al mismo tiempo cortocircuite
momentneamente las terminales que se cree que son, compuerta y ctodo, el
multmetro debe indicar baja resistencia, como observamos en la figura.

Entre ctodo y compuerta la resistencia es

Albaja
producir el disparo la resistencia
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Si al deshacer el cortocircuito la aguja vuelve a indicar alta resistencia, entonces el

terminal libre es el ctodo, para estar seguro repita la prueba, si no se consigue el
disparo de ningn modo, el SCR puede no tener las caractersticas que permitan la
prueba, o en su caso puede que el tiristor este defectuoso.

Pruebas de funcionamiento:
Las pruebas que a continuacin realizaremos son simplemente para los tiristores de las
series:
MCR106
C106
TIC 106
IR106

Enque
Las tensiones con las inversa
trabajan estos tiristores estn entre 20 y 400 voltios, adems,
En circuito
indicar que para esta prueba necesitaremos unEn
multitester.
buen estado
En directa

En est prueba determinaremos el estado de la juntura y tambin verificaremos las

condiciones de disparo:

C A G C A G

Medicin inversa y directa Prueba de funcionamiento

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Con el multmetro se medir la resistencia directa e inversa de nodoctodo, ctodo

compuerta y nodocompuerta.

La resistencia directa entre compuerta y ctodo debe indicar bajo valor, todas las dems
lecturas del multmetro deben ser altas.

Si la resistencia entre nodo y ctodo es baja, el SCR esta en cortocircuito, en cambio si

la resistencia entre compuerta y ctodo es alta el SCR estar abierto.

La resistencia entre compuertactodo debe ser de 10, 100 hasta menores de 1000
ohmios aproximadamente, esto es segn el tipo de tiristor sujeto a prueba.

Existe tambin la prueba de disparo, enganche o cebado, sta se la realizar armando un

circuito diferente, el cual ser analizado en detalle en el tema cuatro.
Circuito equivalente
Smbolo
7. EL TRIAC.
T1
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales, una de las cuales es el mando
(puerta), y los otros dos son las terminales de conduccin T1 y T2. Este componente
puede pasar de un estado de bloqueo a un estado de conductor, es decir en los dos
sentidos de polarizacin,
Compuerta y volver al estado por inversin de la tensin o por
disminucin de la corriente por debajo del valor de mantenimiento.

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En realidad un triac es equivalente a dos SCR conectados en paralelo, como explicamos

arriba el funcionamiento es similar a estos y se lo utiliza en interruptores que trabajan
con corriente alterna.

Este componente esta fabricado con cinco capas de material semiconductor, para
explicar el funcionamiento del triac realizaremos circuito de aplicacin en el prximo
tema.

8. EL CIRCUITO INTERGRADO (CI).

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Dentro la electrnica, los circuitos integrados son considerados como los componentes
electrnicos ms importantes, estn conformados por la unin de varios componentes
comunes como transistores, diodos, resistencias y hasta condensadores en un solo
empaque y son configurados como un circuito total o completo, conocido comnmente
como chip.

El avance de estos componentes es impresionante debido a que se aumente sus

funciones y densidad agrupando cientos o miles de componentes en un solo empaque y
al mismo tiempo disminuyen su tamao.

En la figura observamos algunos circuitos integrados y simbologas ms importantes,

adems se demuestra cmo estn determinadas las diferentes terminales de los CI.

12 11 10 9 8 7

1 2 3 4 5 6

Todos los circuitos electrnicos pueden ser clasificados en dos grupos:

Circuitos electrnicos reguladores (Anlogos):

Estos circuitos son bsicamente los amplificadores operacionales, reguladores de voltaje
que utilizan un pequeo voltaje variable para regular mayores cantidades de corriente,
de voltaje y de potencia.

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La particularidad de estos circuitos reguladores o anlogos es que la potencia de
entrada no es conectada o desconectada, si no que es variada en dos extremos, efecto de
variacin que se produce simultneamente en la potencia de salida del circuito.

Se dice entonces que la variacin de potencia de salida es anloga a la variacin de

potencia de entrada, o tambin se dice que la potencia de salida es regulada por la
potencia de entrada.

En conclusin indicamos que, si en un circuito electrnico se produce los fenmenos

anteriores, est circuito se denominar circuito anlogo o analgico. En la figura vemos
un ejemplo de este tipo de circuito.

Regulador de luz
Circuito analgico

mi. max

El regulador de luz realiza el trabajo de entregar la tensin desde un valor mnimo a un

valor mximo, pudiendo controlar la iluminacin de una cantidad de focos, dependiendo
la misma de la potencia del dimer.

Circuito digital o conmutable:

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Los circuitos conmutables trabajan simplemente conectando o desconectando la
potencia que ellos controlan.

Los circuitos digitales pueden encender o apagar una luz permitiendo que fluya o no
fluya corriente que alimente a la lmpara. Estos circuitos tambin son denominados
circuitos todo o nada, pues permiten que todo o nada de la potencia circule.

Por ser considerados circuitos todo o nada se los puede visualizar como simples swiches
o interruptores, siendo entendido as que un circuito digital no es ms que un conjunto
de swiches interconectados muy ordenadamente.

Un solo interruptor realiza una funcin sencilla de apagar y prender un circuito, pero un
conjunto de swiches trabajan sincronizadamente pueden ejecutar una operacin muy
compleja como el de sumar diez mil nmeros de cinco dgitos en un solo segundo.

En los ltimos tiempos el progreso en los circuitos integrados ha sido tan notable que
muchos de los circuitos analgicos han sido cambiados por los circuitos conmutables o
digitales; algunos aparatos digitales como ejemplo podemos citar a: Voltmetros,
contadores digitales, monitores, instrumentos y otros son construidos aplicando la
tcnica digital.

Clasificacin por nmero de componentes

Los circuitos integrados pueden ser clasificados tambin por el nmero de componentes
electrnicos que poseen, entre ellos podemos citar a:

Circuitos integrados SSI

Son aquellos circuitos integrados que estn considerados en pequea escala, los mismos
poseen entre 1 y 10 componentes electrnicos por chip.

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Circuitos integrados MSI
Son aquellos circuitos integrados a media escala, y poseen entre 10 y 500 componentes
electrnicos por chip.

Circuitos integrados LSI

Son circuitos integrados a gran escala, tienen entre 500 y 10.000 componentes
electrnicos por pastilla de circuitos integrado.

Circuito integrado VLSI y SSLI

Actualmente los circuitos integrados de estos dos tipos, tienen tecnologa avanzada
debido a que hacen posible integrar en un solo chip un microcomputador completo, y es
muy utilizado en la unidad de control electrnico del automvil (ECU)

Familias de circuitos integrados digitales

Se podra considerar un tipo de clasificacin que esta basada en la arquitectura interna
del circuito integrado, sobre la base de esto se han fabricado cinco categoras de
familias que son: RTL, DTL, TTL, IzL y MOS, de los cuales la tecnologa de TTL,
IzL y MOS , esta siendo ms utilizada en la actualidad.

El TTL
La familia TTL significa transistortransistorlogic. Traducindose lgica transistor a
transistor. En la figura podemos apreciar este tipo de circuito:

Transistor Transistor - Logic

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Es uno de los circuitos ms populares, y es identificado con los nmeros 74 o 54,

algunos ejemplos podemos citar:

7400 - 7404 - 7408 - 7490 - 74121 - 74154

Pero tambin debemos indicar que esta familia se ha subdividido en otras familias, por
caractersticas de voltaje, de trabajo, caractersticas de corriente y velocidad, las cuales
son:
7400 TTL comn
74F00 Fas TTL ( Rpido)
74H00 High Speed TTL (Alta velocidad)
74L00 Low power TTL (Baja velocidad)
74S00 Sichott Ky TTL
74 LS00 Low power schott Ky TTL
74LAS00 Advanced low power schott Ky TL.

El MOS
La sigla MOS significa metalxido-semiconductor y se fabrica con xidos metlicos;
existen algunas subdivisiones al interior que son: PMOS, NMOS, CMOS, VMOS,
DMOS y HMOS, pero sin embargo el grupo de CMOS es el ms utilizado en la
actualidad.

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El voltaje del CMOS es de amplio rango, pues est entre 5 y 15 voltios en sus ms bajos
consumos de potencia.

Son inmunes a los ruidos, pero susceptibles a daos ocasionados por la electricidad
esttica.

Los circuitos CMOS son generalmente designados con 4 o 5 dgitos como ser: el 4001,
4011, 40174. Existen tambin otros tipos de nomenclatura, que son:
74CXXX Donde: 74 es la identificacin del CMOS
74CHXX HCT son indicadores de alta velocidad
74HCTXX XXX son nmeros de caractersticas tcnicas

Estos circuitos son empacados en tres diferentes formas: empaque redondo, empaque
plano y empaque DIP, como vemos en la figura.

Empaques

1
1
2 1 2
3 2 6 3
3 5 4
Redondo 4
Dip. Plano

Precaucin al manejo del circuito integrado

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Una accin que los circuitos integrados rechazan absolutamente es la aplicacin de un
voltaje inverso en una de sus terminales; esto se ve cuando aplicamos a un pin positivo
el polo negativo y viceversa, donde particularmente los tipos CMOS son los que se
daan con mayor facilidad, incluso se las pueden daar con la electricidad esttica que
adquiere el cuerpo humano.

J. Freddy Arias A.