Facultad

de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 1 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).

ASIGNATURA: Fundamentos de Circuitos Analgicos 1 Sem 2016 CDIGO: 23414

PRCTICA DE LABORATORIO: POLARIZACION Y AMPLIFICACION DE UN NO.: 04

AMPLIFICADOR EN FUENTE COMUN

INTRODUCCIN

En esta prctica se desarrollar la construccin de un amplificador fuente comn usando

los transistores MOS comerciales del CD4007. El estudio terico y comparacin con la
experimentacin permitirn reforzar algunos conceptos como ganancia, rangos de
entrada y excursin a la salida, nivel de DC, anlisis de pequea seal entre otros.

LISTA DE MATERIALES REQUERIDOS

1 integrado CD4007
Datasheet del CD4007 (debe llevarse al laboratorio IMPRESO)
Resistencias de 10k, 50k Ohmios.
Condensadores monolticos: 33 nF, 0.1 uF y 1 uF de 30 V.
Potencimetro de 100k Ohmios.
Protoboard y cables de conexin de varios tamaos.
Equipo de cmputo con PSpice instalado (o similar).

MARCO TEORICO

En la teora se aprende como un mosfet puede ser configurado como un amplificador

fuente comn. La seleccin de un punto de polarizacin adecuado en la caracterstica de
transferencia es muy importante para asegurar una buena amplificacin y reducir la
distorsin presente permitiendo al mismo tiempo una buena oscilacin en el voltaje de
salida. En la presente prctica se aprender como polarizar adecuadamente un transistor
NMOS en una configuracin de fuente comn y utilizar este circuito para amplificar una
seal de entrada.

Polarizacin

La configuracin fuente comn con un transistor NMOS se muestra en la Figura 1. La

polarizacin se realiza mediante la fijacin de la tensin en la puerta con un divisor de
voltaje y el uso de una resistencia en la fuente . Esta resistencia proporciona una
retroalimentacin negativa y estabiliza la corriente de polarizacin como una funcin de
las variaciones de temperatura y las caractersticas del transistor. Este es un esquema de
polarizacin popular para circuitos de transistores discretos. Hay otros mtodos de
polarizacin, tales como el uso de una resistencia de realimentacin entre drenador y
puerta, o utilizar una fuente de corriente constante. Este ltimo es muy popular en los
circuitos integrados, para esta prctica se enfocara en el primer mtodo ilustrado en la
figura 1.

Tenga en cuenta

Para una correcta polarizacin podemos usar la siguiente regla. Se selecciona la

resistencia de manera tal que el voltaje en el terminal de fuente este entre un tercio
y un quinto de la tensin suministrada . La resistencia se selecciona de manera tal
que la tensin en el drenador sea el promedio entre y . Esto se hace para que la
seal en el drenador tenga una oscilacin de salida relativamente grande y simtrica.
LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 1 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 2 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
Estas dos condiciones le darn los valores de y para una corriente especfica.
Puesto que el transistor est operando en la regin de saturacin sabemos que la relacin
entre la corriente y la tensin est dada por

1
= 2
2
> ( ) (1)

Por lo tanto para obtener una determinada corriente de polarizacin tenemos que
aplicar una tensin entre puesta y surtidor igual a

2
= + (2)

Entonces la correspondiente tensin en la puerta es igual a

2
= + = + + (3)

Una vez conocida la tensin en la puerta , se pueden encontrar los valores de las
resistencias 1 y 2 . Escogemos las resistencias de manera tal que el paralelo de las
resistencias sea relativamente grandes para asegurar una grande resistencia de entrada y
evitar efectos de la carga de la fuente = 1 || 2.

El factor ( ) se llama la tensin de saturacin y corresponde a la mnima tensin

entre drenador y fuente requerida para mantener el transistor en saturacin.

2
= = (4)

Para estar en un punto adecuado de operacin y que la amplificacin funcione debe

asegurarse de que la tensin en el drenador no sea ms baja que

> + = (5)

Esta tensin determinar la oscilacin del voltaje de salida.

Figura 1. Amplificador fuente comn, polarizado a travs de un divisor de voltaje y una

resistencia en la fuente. La seal de entrada Vsig es acoplada a la puerta a travs de una
capacitor de acople Cc1.

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 2 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 3 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
Amplificacin

Para las frecuencias de inters se puede asumir que los condensadores actan como un
corto circuito, as el anlisis en pequea seal para determinar ciertos parmetros
importantes queda dado segn la figura 2a. El transistor puede ser reemplazado por su
circuito equivalente de pequea seal como se ilustra en la figura 2b.

La Figura 2 (a) circuito anlisis pequea seal configuracin fuente comn y la Figura 2
(b) modelo equivalente pequea seal del transistor.

Una de las caractersticas ms importantes de un transistor es su transconductancia

que es una medida de la cantidad de corriente que vara a la salida cuando el voltaje
vara. La transconductancia se puede calcular de la siguiente manera

= | = = 2

2
= (6)

La resistencia de salida viene dado por la relacin entre la tensin de Early (= 1 / )

sobre la corriente de polarizacin

= / = 1 / (7)

Se puede calcular fcilmente la expresin de la amplificacin

= || (8)

La ltima aproximacin supone que >> || .La ganancia de tensin en circuito

abierto es la ganancia cuando se retira , esta ganancia queda dada como =
. En caso de que la fuente de seal tenga una resistencia interna (no mostrado
en la Fig. 1 y 2), el valor de la amplificacin queda dado por

= || (9)
+ +

Observe que la resistencia interna forma un divisor de tensin con la resistencia =

1 ||2 que atena la seal de entrada. Es por ello esto que debemos mantener el
paralelo 1 || 2 grande en comparacin con (ver la seccin de polarizacin).

La resistencia de entrada del amplificador es igual a = 1 ||2 y la resistencia de

salida = || . Para un amplificador de tensin se desea mantener una resistencia
de entrada grande y una resistencia de salida pequea. Para el amplificador en fuente
comn, la resistencia de entrada en grande. Sin embargo, la resistencia de salida

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 3 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 4 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
tambin es grande. Es por esta razn que se agrega una resistencia de carga RL en la
salida y por lo tanto se reduce la amplificacin. Con el fin de obtener una pequea
resistencia de salida, se puede aadir una configuracin de dreno comn (o seguidor de
fuente) despus del amplificador en fuente comn.

ACTIVIDADES PREVIAS AL LABORATORIO

Las actividades de esta seccin deben presentarse completamente desarrolladas al inicio

de la prctica de laboratorio, ya que sin ellas NO se permitir al estudiante iniciar la
prctica y se penalizar su nota en esta prctica.

1. Lea la seccin "polarizacin mediante la fijacin de y la conexin de una

resistencia en la Fuente" (seccin 4.5.2) y "El Amplificador fuente comn" (seccin
4.7.3, Sedra-Smith, 5 ed.).
2. Qu es un capacitor de acoplamiento y cul es su funcin?
3. Su tarea es disear el amplificador de fuente comn de la figura 1 con una
corriente de polarizacin = 0,6 mA. El voltaje de la fuente debe ser 3V y la
tensin en el dreno debe ser elegidos de manera tal que este en el medio de y
. La resistencia de entrada debe ser mayor que 15 kOhm.

El transistor NMOS (integrado CD4007) tiene las siguientes caractersticas:

= 1.2
/ = 0.7 / 2
= 0.004 1
= 1.9 (nota: Puesto que los terminales de fuente y cuerpo estn
0.5

cortocircuitados no se tendr que utilizar para calcular la tensin de umbral).

a. Encontrar el valor de .
b. Encontrar los valores de la resistencia y .
c. Utilizando el valor de la resistencia encontrar y .
d. Encontrar los valores de las resistencias 1 y 2 .
e. Cul es la disipacin total de potencia en el amplificador? (Pista: la disipacin
de potencia es ).

4. Utilice los valores de las resistencias y la corriente de polarizacin, para calcular la

amplificacin del amplificador:
a. Calcule el valor de la transconductancia y la resistencia de salida de
pequea seal .
b. Asuma que no hay resistencia de carga , calcule el valor de .
c. Calcular la ganancia de voltaje para el caso en que una resistencia de carga
= 10 kOhm sea aadida como se ilustra en la Figura 1.
d. Asuma que una resistencia en la fuente de 5 kOhm est presente, cul es
el efecto sobre la amplificacin? Cul es el valor de la ganancia de tensin con
y presentes?
e. Cul es la tensin mnima en la fuente con el fin de mantener el transistor en
saturacin? Cul es la oscilacin de voltaje correspondiente?
f. Resumir las caractersticas del amplificador en forma de tabla: corriente y
voltajes en DC ( , y ), la disipacin de potencia total, transconductancia
, resistencia de entrada , resistencia de salida = || , la
amplificacin con y sin la resistencia de carga . Suponga que tiene una
resistencia interna en fuente de seal despreciable.

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 4 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 5 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).

5. Verificar su diseo utilizando PSpice. Tendr que usar un modelo para el transistor
CD4007. Los modelos se pueden encontrar en la biblioteca ESE216LIB que puede
ser descargada desde internet. Guarde los archivos cd4007.lib y cd4007.olb en su
directorio. Los transistores se llaman nnmos para el NMOS y ppmos para el PMOS.
Tendr que aadir esta biblioteca al dibujar el esquemtico. Adems, al crear un
nuevo Perfil de simulacin, mientras se hace la simulacin, tendr que agregar la
ruta y el nombre del archivo desde la biblioteca (en la pestaa Bibliotecas). Ver
PSpice Primer, seccin 4 en "Using and Adding Vendor Libraries".

a. Implemente el esquema de la figura 1 sin la resistencia de carga y el

condensador de acoplamiento 2 . Para el transistor es necesario haber
agregado la librera del CD4007.Simular el circuito de la figura 1 (sin la
resistencia de carga ). Hacer una simulacin de polarizacin y encontrar los
voltajes de DC en cada nodo y la corriente actual. Comparar los resultados
con el calculado en el apartado 3.
b. A continuacin, hacer una simulacin transitoria. Utilice como seal de
entrada una fuente sinusoidal (Vsin) de 5 kHz de frecuencia y una amplitud de
0,2 V. Haga esto primero sin la resistencia de carga y despus agregue una
resistencia de carga RL de 10 kOhm. Encuentra la tensin de salida. Cul es
la amplificacin de tensin y ? Compare los resultados obtenidos la
simulacin con los clculos realizados a mano.
c. Realice un barrido de frecuencia (AC simulation) mediante la sustitucin de la
fuente de entrada por una fuente de AC Vac. Simule el circuito con la
resistencia de carga de 10 k ohmios conectada. Realice el barrido desde una
frecuencia de 10 Hz hasta 100 kHz. Encuentra la baja frecuencia de punto de
corte. Trazar el diagrama de Bode de la amplificacin. Determine frecuencia de
corte y la frecuencia media de amplificacin. Qu relacin encuentra con el
resultado obtenido con respecto a la amplificacin de la simulacin transitoria?

6. Realice un resumen de los resultados obtenidos en la simulacin en forma de tabla

en una hoja aparte y entrguelo junto con los clculos y las curas obtenidas en la
simulacin. Etiquete claramente cada grfico.

ACTIVIDADES EN EL LABORATORIO

1. Explicacin previa.
Preste atencin a la discusin previa del circuito expuesta por el docente.

2. Montaje del amplificador fuente comn en protoboard.

Para el montaje en protoboard asegrese de entender las conexiones internas del
integrado y la manera correcta de realizar un montaje limpio y ordenado del
circuito.

a. Construya el circuito de la Figura 3. Use el transistor que est entre los pines
3, 4 y 5. Observe que hemos conectado el cuerpo (pin 7) al terminal de fuente
(pin 5) del transistor NMOS. Esto se puede hacer ya que slo estamos usando
un solo transistor NMOS del integrado. La razn de cortocircuitar dreno con
cuerpo es para eliminar el efecto cuerpo de la tensin de umbral. Para la
resistencia de polarizacin 2 , utilice un potencimetro de 100 kOhm.
b. Mida la tensin de DC en el drenador. Es importante que esta tensin este
entre los 9 o 10 V. Ajuste el potencimetro 2 de modo que este alrededor

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 5 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 6 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
de 9 voltios. Despus de ajustar la tensin de la puerta, medir las tensiones en
los terminales de puerta y fuente. Cul es la correspondiente corriente ?

Figura 3. Polarizacin configuracin fuente comn.

c. A continuacin, deber utilizar el transistor como amplificador y medir su

amplificacin y su respuesta en frecuencia. Tambin se estudiar el efecto de
las resistencias de fuente y carga en la amplificacin.

Figura 4. Amplificador fuente comn. (Rsig es la resistencia interna de la fuente, est

alrededor de los 50 Ohm).

d. Modificar el circuito de la figura 3 mediante la adicin de los capacitores CC1 y

CS como se muestra en la Figura 4. Conectar una seal de entrada sinusoidal
de amplitud de 0,2 V (0.4Vpp) y frecuencia de 5 kHz.
e. Mida la oscilacin de la tensin en el dreno usando el osciloscopio. Muestre
en un canal y la tensin de entrada en el otro canal. Mida los valores pico a
pico de la seal de entrada y de salida. Cul es la amplificacin de circuito
abierto ? Ntese la relacin de fase. Tome fotos de los resultados para su
informe. Cmo se compara con los resultados obtenidos a mano? Se debe
mencionar que las caractersticas del transistor pueden variar
considerablemente de chip a chip. No es raro que los valores medidos difieran
entre un 10-20% con respecto a las especificaciones.
f. Aumente la amplitud de la seal de entrada y observe la seal de salida.
Cundo inicia la seal de salida a distorsionarse? Cul es la variacin
mxima de tensin antes de que ocurra una distorsin considerable?

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 6 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 7 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
g. Reduzca la seal de entrada de modo que la seal de salida se vea
distorsionada. Medir la FFT de la seal de salida y determinar la distorsin
armnica total. En cuantos dB de amplitud los armnicos estn por debajo de
la amplitud de la frecuencia fundamental. Tome una foto de la FFT (incluir la
escala vertical en dB).
h. Remueva el capacitor de acoplamiento . Mida la seal de salida. Cul es la
amplificacin? Observe el fuerte efecto de eliminar el condensador en la
amplificacin. Documente.
i. Coloque el capacitor de acoplamiento . Aada el capacitor de acoplamiento
2 y la resistencia de carga como se muestra en la Figura 1. Utilice un valor
2 de 0,1 uF y para un valor de 10 kOhm. Mida el voltaje de salida Vo y la
correspondiente amplificacin. Observe que la tensin de DC se ha eliminado
de la tensin de salida. Qu pas con la amplificacin? Para su informe,
incluya una breve discusin sobre el efecto de RL.
j. Mida la respuesta en frecuencia del amplificador con la resistencia de carga
conectada. Vari la frecuencia de la seal de entrada. A partir de 5 kHz reduzca
la frecuencia hasta que la amplitud de la salida haya disminuido por un factor
de 0.707 (o 3 dB). Registre esta frecuencia de 3 dB. Cul es la relacin de fase
entre la entrada y la seal de salida? A continuacin aumente el valor de la
frecuencia de entrada a partir de 5kHz hasta que la amplificacin se reduzca a
0.707 de su valor. Tome este punto. Cul es el ancho de banda del
amplificador? Cul es el producto ganancia-ancho de banda? Para su informe,
se puede explicar el valor medido del punto 3 dB de baja frecuencia? Qu
hace frecuencia de corte?

BONUS. Amplificador fuente comn con carga activa PMOS.

Esta parte no es necesaria, pero se puede hacer para el crdito adicional.

El objetivo de este experimento es reemplazar la resistencia conectada en el

drenador por un transistor PMOS. A esto le llamamos una carga activa. La ventaja de
hacer esto es: (1) la resistencia es ms grande y por lo tanto una amplificacin ms
grande; (2) sin necesidad de utilizar una resistencia. Este ltimo es de particular
importancia para el diseo de circuitos integrados, puesto que los valores altos de
resistencias son difciles de hacer y ocupan gran rea.

El transistor base de amplificacin sigue siendo el NMOS. Sin embargo una fuente de
corriente se ha sustituido por la resistencia , como se muestra en el esquemtico de
la Figura 6a. La resistencia establece la tensin en la puerta. Una fuente de
corriente puede implementarse con un espejo de corriente PMOS como se ilustra en la
Figura 6b.

Figura 6 (a) amplificador fuente comn con una fuente de corriente como carga; (b) la
fuente de corriente puede ser implementado por un espejo de corriente PMOS.
LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 7 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 8 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).

Mediante la sustitucin de la fuente de corriente por el espejo de corriente, se obtiene

el amplificador con carga activacompleto como se ilustra en la Figura 7. Tambin
hemos aadido una resistencia de carga y un condensador de acoplamiento 2 .

Figura 7. Amplificador fuente comn con carga activa.

a) Construir el circuito de la figura 7. Por ahora no incluya la resistencia de carga

y el capacitor de acople 2 . Los pines del IC CD4007 se dan en el esquema.
Realice un montaje claro y ordenado en la protoboard.
b) Medir las tensiones de DC 12 , y Cul es la corriente correspondiente
= ?
c) Aplique una fuente de entrada sinusoidal con amplitud de 50 mV y 5 kHz
de frecuencia. Mida el voltaje de salida (no incluya la resistencia de carga ni
2 ). Puede ser necesario ajustar la amplitud de entrada para evitar la
distorsin de la seal de salida. Cul es la amplificacin de tensin en circuito
abierto ? Qu nota acerca de la magnitud de la amplificacin, en
comparacin con los resultados obtenidos en el amplificador de la figura 1?
d) Ahora conecte 2 y una resistencia de carga = 10 kOhm. Mida la tensin de
salida . Cul es la amplificacin? Observe el efecto de la carga en la
amplificacin.
e) Para su informe analice el efecto de la carga activa en la amplificacin. Se
puede calcular el valor de la amplificacin? (Pista: sustituir en la expresin
de amplificacin (8) por el paralelo de las resistencias de salida de los
transistores PMOS y NMOS. Suponga que el PMOS tiene las siguientes
caractersticas:
= -1 V; / = 0,7 / 2 y = 0.035 1 .

3. Preparacin del informe

Preste atencin a las indicaciones del docente para el desarrollo y entrega del informe
de la prctica.

Referencias

1. "Microelectronic Circuits, Sedra, Smith, 5 th edition, Oxford University Press, New York,
2004.
2. "The Art of Electronics", Horowitz and Hill, Cambridge University Press.
3. "CD4007M/CD4007C Dual Complementary Pair Plus Inverter" Datasheet, National
Semiconductor, 1995.
LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 8 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A
 Facultad
de Escuela de Ingenieras
Ingenieras Elctrica, Electrnica y de
Fsico Telecomunicaciones
Mecnicas

LABORATORIO- Hoja 9 de 9.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414).
4. "HCF4007UB Dual Complementary Pair Plus Inverter," Datasheet, ST Microelectronics,
2004.

LABORATORIODE
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALGICOS (23414)
Segundo Semestre de 2015

Hoja: 9 De: 9 CONSTRUIMOS FUTURO

JAAP/JA8A