SENSOR DE ONDA ACSTICA SUPERFICIAL UTILIZANDO

DISPOSITIVOS PIEZOELCTRICOS
1 1 1 1
Rakesh kumar Pat , S.k.mohammed ali , Sakuntala Mohapatra , Millee Panigrahi

1. MEMS Design Center , Electronics and Telecommunicaton Dept., Trident

Academy Of Technology, Bhubaneswar, Odisha,India

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 I. ACKNOWLEDGEMENT

La satisfaccin y la euforia que acompaan a la finalizacin exitosa de cualquier tarea sera incompleta sin mencionar
a las personas que lo hicieron posible, con agradecimiento (Rakesh Kumar Pati) reconocer todas las guas y el
estmulo para completar con xito el proyecto.

En primer lugar, ofrezco mi sincera gratitud y respeto a mi consejero y gua Asst. Prof. Millee Panigrahi Academia
Trident de la tecnologa, que me dio la oportunidad de hacer este proyecto, cuyo inters vivo y la inspiracin constante
y la gua valiosa ayudaron en la terminacin del proyecto. Ella le dio su apoyo a la marea sobre potenciales callejones
sin salida y trampas.

Por ltimo, pero no menos importante, reconozco la ayuda proporcionada por el departamento de Electrnica y
Telecomunicaciones, TAT, Bhubaneswar, que ha sido fuente constante de inspiracin y fuerza para m.

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 SURFACE ACOUSTIC WAVE SENSOR USING PIEZOELECTRIC
MATERIALS

II. ABSTRACT
Desde 1985, cuando se emple el primer robot PUMA 560 para colocar una aguja durante una
biopsia cerebral CT, los robots quirrgicos se han vuelto ubicuos en cirugas clnicas. Se debe a
que como un dispositvo mecnico el robot quirrgico posee numerosas ventajas sobre los
cirujanos humanos, por lo tanto, es adecuado en cirugas remotas, cirugas mnimamente
invasivas y cirugas no tripuladas. A pesar de sus ventajas y xito en las cirugas, las interacciones
entre el robot y los cirujanos siguen siendo deficientes, especialmente para la deteccin de
presin que juega un papel importante y de nuevo la interaccin entre el robot y el paciente es
todava muy limitada. Es porque hasta ahora la visin es casi la nica sensacin que un robot
puede tener. La cmara rgida del endoscopio es una comn usada para seguir el movimiento del
robot. Pero para la ciruga mnimamente invasiva (como ciruga de corazn cercano, ciruga
gastrointestnal) donde el tejido sensorial es fundamental para completar la operacin. As que
una sensacin realista de sentr que nuestra piel est a la vanguardia de la investgacin. Tal
sensor podra servir como un componente clave en la piel artficial o estar equipado en el
extremo de un brazo robtco quirrgico en el futuro. Inspirado en el trabajo de XINYU DU en
deteccin bacteriana y diseo, fabricacin, anlisis y evaluacin de un innovador prototpo de
sensor de presin basado en nitruro de aluminio (AlN) onda superficial acstca (SAW) y Shear
Horizontal (SH) -SA. En este proyecto se disea un SAW SENSOR y se realiza una comparacin
utlizando los diferentes materiales piezoelctricos (ZnO, CdS y AlN).
Las herramientas de software utlizadas son 1) Comsol Multphysics herramienta de software & 2)
Origin8.

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 III. INTRODUCTION:
Durante una ciruga robtca, el robot sostene y mueve herramientas en lugar de cirujanos humanos.
Formalmente hablando, un robot quirrgico es que "un manipulador de computadora con controlador
artficial con deteccin artficial que puede ser reprogramado para mover y colocar herramientas para
llevar a cabo una gama de tareas quirrgicas". Como dispositvo mecnico el robot quirrgico posee
numerosas ventajas sobre los cirujanos humanos incluyendo estabilidad, precisin, precisin, fiabilidad y
pequea incisin, por lo tanto, es adecuado en cirugas remotas, cirugas mnimamente invasivas y
cirugas no tripuladas.
A pesar de las aplicaciones clnicas exitosas existentes, sin embargo, la interaccin, es decir, la deteccin
artficial, entre el robot y el paciente es todava muy limitada. Con la ayuda de varias cmaras, la visin es
casi la nica sensacin que un robot puede tener. La cmara rgida del endoscopio es una comn usada
para seguir el movimiento del robot, para supervisar el proceso de la operacin y para proporcionar una
visin tridimensional para los cirujanos. Aunque la retroalimentacin de la visin puede ayudar en tareas
complejas, p. Atar una sutura, carecer de otras retroalimentaciones impide el surgimiento de robots
autnomos desarrollados a partr de robots pasivos. Por ejemplo, las reacciones tctles y de traccin son
deseadas por los cirujanos en una ciruga gastrointestnal. Sin embargo, ahora los cirujanos slo pueden
confiar en la retroalimentacin de vdeo de los robots para estmar la tensin ejercida sobre el tejido.
Otro ejemplo es la ciruga mnimamente invasiva donde el tejido sensorial es fundamental para
completar la operacin. En las referencias un robot llamado sistema "Da Vinci" es desarrollado por
Intuitve Surgical Incorporated y empleado en ciruga de corazn "cerrado" mnimamente invasiva cuyo
brazo slo lleva un endoscopio mientras que otros dos brazos llevan tjeras y pinzas.
Cmo dejar que un robot quirrgico posea una sensacin realista de sentrse como si nuestra piel
estuviera a la vanguardia de la investgacin. Con el fin de imitar la piel humana, varias seales, p. La
fuerza de la presin, el cambio de la fuerza, la velocidad y la aceleracin. Todas estas seales se procesan
con la ayuda de mtodos inteligentes artficiales para restaurar la textura del tejido. La medicin exacta
de estas seales fsicas es la base de la construccin de una piel artficial para que una presin de alta
precisin es deseable. En este trabajo exploraremos algunas tcnicas de diseo y fabricacin de un
sensor efectvo que ser instalado en nuestro brazo robtco quirrgico en el futuro.

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 CONTENTS
SL No. Name page no.
1 Acknowledgement I
2 Abstract II
3 INTRODUCTION
4 Chapter 1
SURFACE ACOUSTICS WAVE SENSOR
4.1 Introduction
4.2 Pressure Sensor & SAW Sensor
4.3 SAW Device Development
4.4 Design
4.5 Structure of SAW Device
4.6 Detailed Geometrical Dimension & Other relevant selection
4.7 Delta Function Analysis
5 Chapter 2
Design of SURFACE ACOUSTICS WAVE SENSOR
Using ComsolMultiphysics
5.1 Introduction
5.2 Model wizard
5.3 Geometry
5.4 Materials
5.5 Study
5.6 Results
5.7 Point Evaluation
5.8 Global Evaluation
5.9 Conclusion
5.10 References

LIST OF ABBREVIATIONS
1. SAW-Surface Acoustcs Wave
2. Al2O3- Aluminium Oxide

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 Chapter 1

Surface acoustics wave sensor

using piezoelectric devices

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INTRODUCTION:

Pressure Sensor & SAW sensor:

Un sensor de presin es un transductor para convertr la cantdad de presin impuesta en la seal

elctrica. Actualmente existen varios tpos de sensores de presin, p. Sensores piezorresistvos, sensores
de presin acstca de superficie, sensores de presin ptca, etc. Entre todos estos tpos de sensores
SAW tenen superioridades nicas que incluyen pero no se limitan a bajo costo compettvo, alta
sensibilidad, intrnsecamente fiabilidad, Tamao compacto y respuesta rpida en
Dinmico. Dado que el brazo robotzado quirrgico puede llevar el sensor al cuerpo humano donde el
sensor tene que tener la capacidad de operar en el entorno lquido. El modo SAW existente en estos
sensores es normal a la superficie del sensor, resultando en una gran atenuacin en el entorno lquido.
Este inconveniente intrnseco se puede superar utlizando el sensor de modo dual SH-SAW. En el sensor
de modo dual, se observa que un modo de corte transversal fuerte coexiste con el modo SAW que tene
el desplazamiento paralelo a la superficie del sensor de modo que la mayor parte de la energa se reserva
incluso en el entorno lquido. Esta propiedad hace que el dispositvo de modo dual funcione en un
entorno acuoso sin perder la alta sensibilidad como el dispositvo de modo SAW. Recientemente, se ha
diseado un tpo de dispositvos de modo dual basados en el material piezoelctrico nitruro de aluminio
(AlN), fabricados y aplicados con xito en la aplicacin de deteccin bacteriana. Como una extensin
natural, en este trabajo, vamos a modificar y aplicar a base de AlN, xido de cinc o cdmio Sulfuro sensor
en la aplicacin robtca quirrgica.

SAW DEVICE DEVELOPMENT:

Los dispositvos SAW son algunas herramientas que utlizan ondas acstcas de superficie para generar
seales elctricas en respuesta a algunas cantdades de entrada, por ejemplo. Las concentraciones
qumicas, la masa, la humedad relatva, la presin, la temperatura, etc. Para dispositvos SAW, SAW juega
un papel importante que puede acoplarse con cualquier medio en contacto con la superficie del
dispositvo. Este acoplamiento afecta fuertemente a la amplitud y velocidad de la SAW de modo que
permite que el dispositvo SAW detecte el cambio de las cantdades de entrada.

La forma ms comn de generar o adquirir SAW es utlizar el material piezoelctrico donde los campos
mecnico y elctrico estn acoplados a nivel atmico. Hay dos fenmenos relacionados con SAW
intrnsecos en los materiales piezoelctricos: efecto piezoelctrico directo y efecto piezoelctrico inverso.
El efecto piezoelctrico directo es que el material puede generar potencial elctrico en respuesta al
esfuerzo mecnico aplicado. El efecto piezoelctrico inverso significa que un material produce la tensin
y la tensin cuando se aplica un campo elctrico.

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SAW puede excitarse y detectarse eficientemente usando electrodos de tpo peine denominados IDT colocados sobre la
superficie de un sustrato piezoelctrico. De all en adelante, se dedic una gran cantdad de esfuerzo a la investgacin y
desarrollo de dispositvos SAW y los dispositvos SAW se utlizaron ampliamente en circuitos electrnicos como filtros,
osciladores y transformadores, p. Por ahora todos los receptores de TV tenen filtros SAW.

A finales de los aos setenta, Wohltjen y Dessy [30] disearon y aplicaron el dispositvo SAW para la deteccin de vapor
qumico. Para tal sensor SAW es generado y adquirido por IDT en cada extremo del dispositvo. El objeto qumico puede
entonces ser detectado de acuerdo con el cambio de la seal elctrica de salida en trminos de frecuencia o fase. Ms
recientemente, los sensores SAW se han mejorado significatvamente y ampliamente aplicados a diversos campos debido a su
tamao pequeo, bajo costo, alta sensibilidad y gran variedad de medidas.

Existen variedad de materiales piezoelctricos, naturales o artficiales, cada uno de los cuales posee
propiedades y ventajas distntas. Una comparacin entre varios materiales sobre piezoelectricidad se
muestra en la Tabla 3.1. El cuarzo (SiO2 cristalino) es uno de los materiales piezoelctricos naturales
comunes. La ventaja principal del cuarzo es el coeficiente de baja temperatura comparado con otros
materiales piezoelctricos comunes. El precio es relatvamente bajo debido a su uso generalizado.
El xido de zinc (ZnO) y el nitruro de aluminio (AlN) son dos materiales partculares para sensores SAW
con estructura de pelcula delgada. ZnO tene un coeficiente de acoplamiento electromecnico
relatvamente alto y ampliamente utlizado en el campo de los transductores ultrasnicos.

Substrate v (m/s) K^2(%)

(Substrate Cut)
Quartz (ST, X) 3158 0.11
Lithium Niobate 3488 4.8
(-Y, Z)
Gallium Arsenide 2763 0.022
(Z, X+22.5 )

Table 3.1The comparison between various piezoelectric material on wave velocity, mechanical
propertes and piezoelectric coefficients.

Density 5684[kg/m^3] kg/m^3

Elastcity matrix (Ordering: xx, yy, zz, yz, xz, {9.06835e+010[Pa], 5.8089e+010[Pa], Pa
xy) 9.06835e+010[Pa], 5.09351e+010[Pa],
5.09351e+010[Pa], 9.38047e+010[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 1.50399e+010[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 1.50399e+010[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
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Bangalore
 0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 1.62973e+010[Pa]}
Coupling matrix {0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.219231[C/m^2], C/m^2
0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.219231[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 0.456838[C/m^2],
0[C/m^2], -0.210558[C/m^2], 0[C/m^2], -
0.210558[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2]}
Relatve permittivity {9.0171, 9.0171, 9.5210} 1

Table 3.2 various propertes of Cadmium Sulphide

Name Value Unit

Density 3300[kg/m^3] kg/m^3
Elastcity matrix (Ordering: xx, yy, zz, yz, xz, {4.1e+011[Pa], 1.49e+011[Pa], 4.1e+011[Pa], Pa
xy) 9.9e+010[Pa], 1.49e+011[Pa], 3.89e+011[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa]}
Coupling matrix {0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.58[C/m^2], C/m^2
0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.58[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 1.55[C/m^2], 0[C/m^2],
-0.48[C/m^2], 0[C/m^2], -0.48[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2],
0[C/m^2]}
Relatve permittivity 9 1

Table 3.3 Various parameters of Aluminium Nitride

Name Value Unit

Density 5680[kg/m^3] kg/m^3
Elastcity matrix (Ordering: xx, yy, zz, yz, xz, {2.09714e+011[Pa], 1.2114e+011[Pa], Pa
xy) 2.09714e+011[Pa], 1.05359e+011[Pa],
1.05359e+011[Pa], 2.11194e+011[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 4.23729e+010[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 4.23729e+010[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 4.42478e+010[Pa]}
Coupling matrix {0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.567005[C/m^2], C/m^2
0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.567005[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 1.32044[C/m^2],
0[C/m^2], -0.480508[C/m^2], 0[C/m^2], -
0.480508[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2]}
Relatve permittivity {8.5446, 8.5446, 10.204} 1

Table 3.4 Various parameters of Aluminium Nitride

EL DISEO Y EL ANLISIS TERICO DE ESTE DISPOSITIVO

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El sensor de presin propuesto consta de tres partes: sonda de caucho, dispositivo SAW basado en AlN y placa de circuito que
se muestran en la Fig. 3.1. En este caso, la sonda de caucho tipo cilindro est unida al soporte de plstico que se fija en la placa
de circuito. Puede evitar que la superficie dura del dispositivo se rasque el tejido del cuerpo. La separacin entre la sonda y la
superficie del dispositivo proporciona al sensor de presin un desplazamiento ajustable que omitir la pequea perturbacin y
aumentar la estabilidad de la medicin. El rea de contacto constante hace que la lectura de la presin slo dependa de la
fuerza ejercida por lo tanto ms consistente.

El dispositivo SAW basado en AlN puede convertir el cambio de presin ejercido sobre la superficie en el cambio de la firma
de la seal elctrica (por ejemplo, frecuencia, fase, amplitud, etc.). Cuando el dispositivo est en contacto con los tejidos del
cuerpo del paciente, la seal elctrica que sale del dispositivo cambiar en consecuencia. Mediante el control del movimiento
del brazo robtico, la informacin que combina la fuerza y la velocidad puede ser recogida y analizada por el procesamiento de
la seal y el modelo de aprendizaje de la mquina en el robot o controlador remoto. De este modo se puede extraer el material
textil o la dureza. La placa de circuito elctrico es la base del dispositivo, as como proporciona las funciones para las seales
de excitacin, las seales de acondicionamiento y las seales de transmisin.

Fig 3.1 Los esquemas de un prototpo de sensor SAW basado en AlN

2.1 Estructura del dispositivo SAW

La estructura del dispositvo SAW basado en AlN propuesto se muestra en la Fig. 3.2.Este dispositvo tpo
sndwich incluye sustrato, material piezoelctrico, IDT metlico.

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 Fig 3.2 Structure of a SAW Device

En cristalogrfica, los ndices de Miller se utilizan ampliamente para especificar planos y direcciones que incluye tres enteros l,
myn escritos como (lmn). Por convencin, los enteros negativos se escriben con una barra, p. 1 para -1. Los tres enteros se
escriben generalmente en el trmino ms bajo, es decir, su mximo divisor comn debe ser 1. Un plano (l m n) significa que
intercepta tres ejes en l, m, n, o algn mltiplo de los mismos, respectivamente. El valor 0 significa que el plano no interseca
ese eje. Para las estructuras hexagonales, se utiliza un esquema de cuatro ndices llamado ndice de Bravais-Miller (h k i l) para
etiquetar los planos. Aqu h, k y l son idnticos al ndice de Miller, es un ndice redundante que es igual a -h-k. Por ejemplo, el
plano A de la Fig. 2.3 intercepta los ejes x e y en 1 y paralelo con el eje z. Por lo tanto, h = k = 1, i = -h-k = -2 y l = 0.

Fig 3.3 The typical plane orientaton

in the unit cell of sapphire
1. xido de aluminio

Se pueden usar varios sustratos para el crecimiento de AlN, p. Si, SiC, GaN, ZnO, MgO, etc. El SiC se considera como el
mejor sustrato para el crecimiento de AlNheteroepitaxy ya que el desajuste de la red con AlN es solamente de 3,5%.
Su inconveniente es el precio extremadamente alto ($ USD1090 por una oblea de 3 pulgadas en 2008). Hoy en da el
zafiro (xido de aluminio) es el sustrato ms utlizado para sintetzar el crecimiento heteroepitaxialAlN debido a la
adecuada estabilidad trmica y qumica a altas temperaturas de crecimiento, excelente morfologa estructural y
superficial y disponibilidad en grandes cantdades. Se han utlizado tres orientaciones principales de nitruro de
aluminio que son el plano C (0001), el plano A (1120) y el plano R (1 102) ilustrados en la Fig. 3.3. Las orientaciones
de cristal de zafiro y AlN son paralelas, pero el desajuste de red con AlN es de aproximadamente 12%. Observe que el
zafiro es tambin un material anisotrpico, por lo tanto, el diferente corte del sustrato hace el dispositvo diferente.
Se encontr que el dispositvo basado en AlN que crece en A

Extracto de las Actas de la Conferencia COMSOL de 2013 en Bangalore

El zafiro plano tene la capacidad de trabajar en entornos acuosos debido a la existencia del modo SH-SAW. En
general, nuestro dispositvo SAW basado en AlN se crecer en un zafiro plano.
2.IDT
Hay dos extremos para IDT, extremo del transmisor y extremo del receptor. Generalmente, son
geomtricamente simtricos. Cuando se conecta una tensin de radiofrecuencia (RF) al extremo del
transmisor IDT, cada par de dedos de transductor puede considerarse como una fuente de energa
discreta. Todos los dedos en el lado superior o inferior tenen el mismo potencial elctrico, ya que
estn conectados con el mismo electrodo. El sustrato piezoelctrico debajo de los dedos con el
mismo potencial elctrico tendr la misma deformacin. Por lo tanto, se generar una onda acstca
en el sustrato (por ejemplo, la onda acstca 1 mostrada en la figura 2.4). La longitud de onda de la
onda acstca es igual a la distancia

Entre dos pares d IDT adyacentes d ya que la longitud de onda se define como la distancia entre
puntos consecutvos correspondientes de la misma fase, es decir

3.1

.3.2

.3.3

Donde v es la velocidad de fase de la onda acstca de aproximadamente 5740 m / s para AlN que est
determinada por materiales de substrato (algunos materiales se enumeran en la Tabla 3.1). Como AlN es
un material anisotrpico, la velocidad puede variar a lo largo de diferentes direcciones de propagacin.
Tambin vale la pena sealar que la onda electromagntca es de cinco rdenes de magnitud ms rpida
que la onda acstca, la dimensin del dispositvo que confa solamente en la onda electromagntca
tene que ser cinco rdenes ms pequeo que el dispositvo acstco de la onda.

Dado que el IDT metlico es conductor, es necesario revestir una capa aislante sobre el IDT para hacer que el dispositivo
funcione en un entorno acuoso. Se concluy que la capa aislante trae una atenuacin adicional que da como resultado un
deterioro del rendimiento. En nuestro trabajo, se realizan dos mejoras. En primer lugar, la capa aislante no cubre toda la
superficie de la superficie superior, sino que slo las reas IDT y electrodos estn cubiertas. En segundo lugar, inspirado en el
diseo en el que el IDT se colocan entre el sustrato y el material piezoelctrico en un dispositivo SAW basado en ZnO, se
recubre otra capa de AlN, aunque este diseo trae algunas dificultades tcnicas debido a diferentes temperaturas de fusin en
AlN y Al IDT.

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Las dimensiones geomtricas detalladas y otra seleccin relevante: -

Despus de determinar la estructura y el material del dispositvo, la geometra detallada debe definirse
antes de la fabricacin. Algunas consideraciones que se indicarn a contnuacin de las dimensiones de
IDT se eligen como se muestra en la Tabla 3.5. De acuerdo con las Ecuaciones 3.1 - 3.4 y otras
consideraciones que se indicarn a contnuacin las dimensiones de IDT se eligen como se muestra en la
Tabla 3.5. En la Fig. 1 se muestra una descripcin intuitva de todo el dispositvo. 3.2. Tenga en cuenta que
para una mejor virtualizacin, el tamao de la grfica de la Fig. 3.2 no es directamente proporcional al
tamao real.

Ancho de dedo IDT 6 m

Longitud del dedo IDT 1680 m
Distancia entre dos dedos adyacentes IDT 6 m
Distancia entre el transmisor y el receptor 3606m
IDT
Distancia entre el transmisor y el receptor
Ancho del electrodo 720m
Distancia entre electrodos 1760 m
Ancho del aislador 3400 m
Longitud del aislador 4240 m

Table 3.5 Relevant Parameters & there length

Fig 3.4 The device schematc plots: (a) on x-z plane

Con el fin de mejorar el rendimiento del dispositvo, se realiza una modificacin en el diseo original.
Cada dedo IDT se divide en dos dedos para reducir las ondulaciones de la banda de paso. El ancho de
cada dedo modificado se convierte en la mitad de la anchura original. La ondulacin de la banda de paso
es causada por mltples reflexiones dentro y entre los dedos IDT.

2.3. Delta Function Model Analysis of the Device

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El modelo de funcin Delta es un anlisis de respuesta de impulso. Se ha aplicado extensamente
en diversos tipos de dispositivos de SAW para alcanzar resultados cualitativos [55].
Generalmente, un sistema lineal invariante en el tiempo (LTI) puede ser caracterizado
completamente por su respuesta de impulso h (t) ya que la respuesta a otra seal arbitraria para
un sistema LTI puede ser representada por h (t). Por lo tanto, derivar la respuesta de impulso h (t)
para un dispositivo SAW aqu, y luego obtener su respuesta de frecuencia H (f). De esta manera,
podemos investigar las caractersticas de frecuencia para un dispositivo SAW.

Supongamos que una entrada de impulso (+ V, -V) est conectada al extremo del transmisor IDT, cada dedo IDT generar
una seal de impulso con la amplitud A y -Alternativamente (mostrada en la Figura 2.5). La amplitud A es una constante y
determinada por el material piezoelctrico y las propiedades del sustrato. Obsrvese que las entradas de impulso no pueden
ser (+ V, 0) ya que contradice nuestra suposicin de que la polaridad de dos dedos adyacentes IDT es opuesta. Como
resultado, la salida del transmisor IDT es una serie de seales de impulso (es decir, SAW) con el periodo T / 2 y la
amplitud A y -A. Aqu se omite la atenuacin de la amplitud A causada por el sustrato.

Dado que la funcin de respuesta de impulso h (t) es discreta en el tiempo, utilizamos h (n) para representar h (t) y la
correspondiente respuesta de frecuencia de tiempo discreto H (f) T puede calcularse de acuerdo con la Fourier discreta
inversa Transformar la ecuacin,

Ha sido encontrado

1. Si aumentamos el nmero de pares de dedos IDT el ancho de banda se har ms estrecho.

2. El retardo de fase depende de N, T, L y v. Si aumentamos N, T o L o disminuimos v, el retardo de fase se

incrementar.

2.4. Anlisis Mecnico Estructural del Dispositivo

Como se discuti anteriormente, el sensor SAW es una clase de dispositivos de ondas acsticas. La seal elctrica de
entrada excita la onda acstica por materiales piezoelctricos y pasa a travs del dispositivo. La onda acstica es sensible a
la fuerza exhibida en el dispositivo y convertida a la seal elctrica por

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Material piezoelctrico. Por lo tanto, para derivar el modelo matemtco de todo el dispositvo, la
propagacin de la onda acstca de superficie debe derivarse en un primer momento.

Como material elstco, ya sea para Al2O3 o AlN, las ecuaciones de onda se determinan por la
tensin y tensin internas. La tensin dentro del cuerpo es causada por una carga aplicada en el
exterior del cuerpo. Uno puede imaginar que dos bloques adyacentes dentro del cuerpo ejerzan la
fuerza interna unos sobre otros a travs de un plano imaginario de separacin. Cuando la fuerza es
paralela a este plano se llama esfuerzo de cizallamiento. Cuando la fuerza es normal a ella, es tensin
normal. Las tensiones derivan de la naturaleza cohesiva del material del cuerpo. Con el esfuerzo
normal, el tamao de un elemento en un cuerpo se cambiar, que se llama simplemente tensin.
Con la tensin de cizalla, se cambiar el ngulo de borde de un elemento en un cuerpo que se conoce
como deformacin por cizallamiento. Segn la ley de Hooke, los materiales que se consideran
elstcos se rigen por las dos ecuaciones siguientes,

Donde E es el mdulo de Young y G es el mdulo de rigidez. Son las propiedades elsticas intrnsecas de un material. Estas dos
ecuaciones caracterizan completamente el comportamiento elstico de un slido en el pequeo lmite de deformacin (la
deformacin es menor que 10-5). En el espacio tridimensional, el esfuerzo normal (deformacin) y el esfuerzo cortante
(deformacin) para cualquier punto del cuerpo tendrn mltiples componentes como se muestra en la Fig. 3.2. Para una mejor
presentacin, el tensor T de Cauchy se utiliza para definir todas las componentes de tensiones y el tensor de deformacin S para
todas las componentes de deformacin que fueron introducidas por Cauchy alrededor de 1822, es decir,

.3.5

Cada componente de T est denotado por dos subndices, el primero denotando la direccin de la fuerza
y el segundo denota la direccin del rea. El componente de la cepa S tambin tene dos subndices. Si los
dos subndices son iguales, la tensin y la tensin son la tensin y la tensin normales, es decir, el cambio
es perpendicular a la superficie. De lo contrario, es una tensin de cizallamiento (o tensin) en dos
direcciones diferentes indicadas por los dos subndices, es decir, el cambio es paralelo a la superficie.
Ecuaciones involucradas en el anlisis de modelos matemticos
Para el material piezoelctrico AlN, el modelo matemtco debe contener otras dos variables de
campo, la densidad de flujo elctrico D y la intensidad de campo elctrico E. Segn la teora
electromagntca, las cantdades D y E estn relacionadas por la permittividad elctrica del material,
es decir

D = E .3.6

Sin embargo, para el material piezoelctrico donde la estructura del cristal carece de un centro de simetra de inversin, los
cambios de tensin producen el cambio de la distribucin de carga que produce la polarizacin elctrica. Esto se denomina
efecto piezoelctrico directo y puede ser descrito por,

D= eS+E 3.7

Donde e = Constante de esfuerzo piezoelctrico Matriz con carga unitaria / (longitud) ^ 2

Si consideramos la aproximacin cuasi-electrosttca entonces

El campo elctrico E puede expresarse como la funcin del potencial elctrico, es decir

Donde es la densidad de carga y es usualmente insignificante en materiales piezoelctricos.

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 Chapter 2

SAW WAVE SENSOR

DESIGN
USING COMSOL

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

INTRODUCTION:

In this chapter main emphasis is made on the main design of AIN Based pressure sensor using Comsol
Multphysics. All the design steps are discussed as follows.

MODEL WIZARD

1. Open the Model Wizard. To open the Model Wizard,

double-click the COMSOL icon on the desktop Or when
COMSOL is already open,

- Click the New button on the main toolbar

-Select File>New from the main menu

-Right-click the root node and select Add Model Fig 4.1 Model Wizard

2.When the Model Wizard opens, select a

Space dimension; the default is 3D. Click the

Next button.

3. In the Add Physics window, click the ac/dc folder, then

right-click electrostatics and choose Add Selected. Click
the Next button .

4. In the Select Study Type window, click to select

the Stationary study type. Click the Finish button. Fig 4.2 Add Physics Window

Fig 4.3 Study type Window

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 GEOMETRY:
In this design we are designing all the geometry by our own rather than importng from a predefined
library. It is done as per following process.

1. In the Model Builder window click on model1-

>Definitons->Geometry.
2. Right click on geometry 1 and chose Block
3. Give the dimensions of the 1st block ( In the Size field :--
Width=5, Height=1. In the Positon edit field:-- x=0m,
y=0m ).
4. Now Click on Build Selected. Click on Zoom Extent. Fig 4.4 Selectng
block The figure appears as below:

Fig 4.5 Block1

5. Similarly build other blocks of dimensions as given below:-

-

Block-2(Size:-- Width=5m, Height=0.5m depth=2m&

Positon:-- x=0m, y=0m,z=1m)

Block-3(Size:-- Width=1.3m, Height=1m, depth=2m&

Positon:-- x=0m, y=0.0&z=1m)

Block-4(Size:--Width=0.2m,Height=1m, depth=1.8m&
Positon:-- x=0.1m, y=0.1m &z=1.5m)

Block-5(Size:--Width=0.2m,Height=1m, depth=1.8m &

Positon:-- x=1m, y=0.1m &z=1.5m)

Fig 4.6 Block 1-6

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 To draw similar blocks we have to use array.

6. Right click on geometry, and then select transforms->array.

7. Go to Array Settings Window, Select Blockp-3,4& 5 as Input
objects. In size edit field x=2, y=3. In Displacement edit field
x=3.7m.Click on Build select.

Fig 4.7 Replica of block 3,4,5 using array

8. Create another Block as Block6( Size:-- Width=5m,

Height=0.2 m depth=2m & Positon:-- x=0m, y=0m,z=2m)

Fig 4.8 Complete block diagram

Now form the union to complete geometry.

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 Fig 4.9 Complete Geometry

MATERIALS:
The Materials node stores the material propertes for all physics and domains in a Model node. In
this secton different materials are added to the model as per its requirement as follows.

1. In the Model Builder, right-click Materials and select Open

Material Browser (or select View>Material Browser.
2. Right click on MEMS>Insulator>Al2O3 and chose add
material to the model.

3. Go to Material settings window. Select only domain 1 that is the substrateIn the Material content
window check the values assigned.

Fig 4.10 Al2O3 applied to domain 1

Name Value Unit

Density 3965[kg/m^3] kg/m^3
Elastcity matrix (Ordering: 10 Pa
xx, yy, zz, yz, xz, xy)
Coupling matrix {2, 5, 5, 4, 5, 6, 9, 1, 8, 3, 5, 0, 4, 0, 4, 7, 8, 9} C/m^2
Relatve permittivity 1 1

Table 4.01 Material propertes Al2O3

4. Again chose material browser. Right click on Pizoelectric devices->Aluminium Nitride and chose add
material to the model.Go to Material settings window. Select only domain 2,3,4& 7 that is the
substrateIn the Material content window check the values assigned.

Fig 4.11 Aluminum Nitride appled to domain 2,3,4,7

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 Name Value Unit

Density 3300[kg/m^3] kg/m^3

Elastcity matrix (Ordering: xx, yy, zz, yz, {4.1e+011[Pa], 1.49e+011[Pa], Pa

xz, xy) 4.1e+011[Pa], 9.9e+010[Pa],
1.49e+011[Pa], 3.89e+011[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa], 0[Pa], 0[Pa],
0[Pa], 0[Pa], 0[Pa], 1.25e+011[Pa]}

Coupling matrix {0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.58[C/m^2], C/m^2

0[C/m^2], 0[C/m^2], -0.58[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 1.55[C/m^2],
0[C/m^2], -0.48[C/m^2], 0[C/m^2], -
0.48[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2],
0[C/m^2], 0[C/m^2], 0[C/m^2]}

Relatve permittivity 9 1

Table 4.2 material propertes Aluminium Nitride

5. Again chose material browser. Right click on Built in->Aluminium and chose add material to the
model.Go to Material settings window. Select only domain 5,6,8& 9 that is the substrateIn the
Material content window check the values assigned.

Fig 4.12 Aluminum applied to Domain 5,6,8,9

Name Value Unit

Density 2700[kg/m^3] kg/m^3
Elastcity matrix (Ordering: xx, yy, zz, yz, xz, {10.3e10, 10.3e10, 10.3e10, 5.1e10, 5.1e10, Pa
xy) 5.1e10}
Coupling matrix {10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110, C/m^2
120, 130, 140, 150, 160, 170, 180}
Relatve permittivity 1.7 1

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 Table 4.3 Material propertes of aluminum
6. Also we can add Zinc Oxide, Cadmium sulphide in place of Aluminum Nitride for different analysis.

MESH ANALYSIS:

Mesh analysis is done to check the correctness of the model.The simplest way to mesh is to create
an unstructured tetrahedral mesh.It is done as follows:

1. Go to Model 1->geometry 1->Right click on mesh 1 and select Free Tetrahedral.

2. Go to Size settings window ->Select Predefined (if extra modificaton in meshing is not required.
Unless one can select custom & can assign Max element size, Min element size, Max element growth
rate, Resoluton of Curvature, Resoluton of narrow regions etc.)->Choose Extra fine-> Select Build
All.
3. Wait for some extent & the following figure arises.

Fig 4.14 Mesh Analysis

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 STUDY:
The Study node automatcally defines a soluton sequence for the simulaton based on the selected
physics and the study type. The simulaton only takes a few seconds to solve. The study of AIN based
Pressure Sensor is made as per following process.Set Eigen frequency=0.128e-6i

1. In the Model Builder, right-click Study 1 and choose

Compute. Or press F8.
2. Wait for some extent the following analyzed figure arises.

Fig 4.15 Study window

RESULTS:

Fig 4.16 (using Aluminum Nitride)Eigen Freq. Vs Surface total displacement

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

 Fig 4.17(using Lithium Niobate) Eigen Freq. Vs Surface total displacement

Fig 4.18(Using Zinc Oxide)Eigen Freq. Vs Surface total displacement

Fig 4.19(Using CadmimumSulphide)Eigen Freq. Vs Surface total displacement

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore
 Fig. 4.20 Total Displacement in Time domain

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

POINT EVALUATIONS
1. Using Aluminum Nitride

Fig 4.21 DispVs Eigen Freq.(point 5) Fig 4.21 DispVs Eigen Freq.(point 9)

Fig 4.22DispVs Eigen Freq. (point 28) Fig 4.23DispVs Eigen Freq.(point 32)

Fig 4.24DispVs Eigen Freq.(point 54)Fig 4.25DispVs Eigen Freq.(point 60)

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

2.Using Cadmium Sulphide

Fig 4.25DispVs Eigen Freq.(point 4) Fig 4.26 DispVs Eigen Freq.(point 9)

Fig 4.27DispVs Eigen Freq.(point 10) Fig 4.28DispVs Eigen Freq.(point 28)

Fig 4.29 DispVs Eigen Freq.(point 32) Fig 4.30DispVs Eigen Freq.(point 59)

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore

GLOBAL EVALUATIONS:

Fig 4.31 Quality Factor Vs Eigen Freq. Fig 4.32 Total K.E. Vs Eigen Freq.

Fig 4.33 Total Elastc Strain Energy Vs Eigen Freq.Fig 4.33 Total P.D. Vs Eigen Freq.

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 Fig 4.33 Total Electric Energy Vs Eigen Freq.

CONCLUSION:

Above project we have successfully completed inital learning of COMSOL and the design of aAIN
BASED PRESSURE SENSOR using COMSOL.

REFERENCES:

[1] R. Weigel, et al., "Microwave acoustc materials, devices and applicatons," IEEE
Transactions onmicrowave theory and techniques, vol. 50, pp. 738-749, 2002.

Excerpt from the Proceedings of the 2013 COMSOL Conference in Bangalore