Estructura de los transistores de efecto de campo de

unin, JFET (canal N)

P+
N- Canal
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
D
D G
G Otros smbolos

G D G D JFET (canal P) S
JFET (canal N) S Smbolo
Smbolo canal N S canal P S
ATE-UO Trans 82
 Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (I)

P+

N-
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha
Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (II)

P+
(D)
N-
(S)

P+
VV12
(G) V1 < V2

Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta

la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transicin, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unin, JFET (III)

ID Evolucin si la resistencia
D no cambiara con la tensin.
G +
VDS
- ID
S

VDS
Evolucin real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensin aplicada).
ATE-UO Trans 85
 Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(D)
- VPO +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS=VPO > V2

Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin

llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de
zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin VDS a la
que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de
tensin de contraccin (pinch-off), VPO.
ATE-UO Trans 86
 Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
LZTC (D)
N- LC
(S)
VDS
P+
(G) VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de VPO, va

aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin
embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeo
comparado con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87
 Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
- VPO + L
LZTC
ZTC (D)
(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=V4 > V3

Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de

portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada
de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que
cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal cuando
VDS>VPO. ATE-UO Trans 88
Resumen del principio de funcionamiento de
los JFET cuando VGS = 0

VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
fuente de corriente
VDS=V1

VDS=V2

VDS=VPO VDS

V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3

VDS=V4

ATE-UO Trans 89
 Qu pasa si VGS 0?
P+
Con VGS=0, la
(D)
VPO + contraccin ocurre
(S) cuando VDS = VDSPO =VPO.
-
N-
P+ VDS=VPO

(G) El canal es siempre

ms estrecho, al estar
polarizado ms
P+
N- inversamente
(D) mayor resistencia
VPO +
(S) + UA La contraccin se
- produce cuando:
P+ VD VDS=VDSPO=VPO + VGS
(G) + S
UB VGS Es decir:
- - VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la

contraccin se produce a una VDS menor. ATE-UO Trans 90
 Curvas caractersticas de un JFET (canal N)

Referencias ID Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+ VGS = 0V
G 4
+ VDS
- VGS = -0,5V
VGS S
- 2 VGS = -1V
VGS = -1,5V
Curvas de entrada: VGS = -2V VDS [V]
No tienen inters
(unin polarizada 0 2 4 6
inversamente)
Contraccin del canal
Contraccin producida cuando:
Muy importante VDSPO=VPO + VGS

ATE-UO Trans 91
 La tensin VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
N- drenador y la fuente y
(S) aplicamos tensin
entre puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
- Cuando la tensin VGS
alcanza un valor
P+
negativo
suficientemente
(D)
N- grande, la zona de
(S) transicin invade
totalmente el canal.
P+
Este valor es el de
(G) + contraccin del canal,
UB1< UB2 VGS = -VPO
- VPO.

ATE-UO Trans 92
 Anlisis grfico de un JFET en fuente comn
ID [mA]
ID VGS = 0V
2,5KW 4
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
- VGS = -2V
VGS S
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
Clculo de las corrientes en la zona de fuente
de corriente (canal contrado)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando VGS = 0 y el canal est contrado, ID0PO.
ID [mA]
ID0PO VGS = 0V
4
IDPO VGS = -0,5V
Tambin se conoce la
tensin de contraccin 2 VGS = -1V
del canal, VPO VGS = -1,5V
VGS = -2V
Ecuacin ya conocida:
0 4 8 12 VDS [V]
VDSPO = VPO + VGS
VGS = -VPO
Ecuacin no demostrada:
IDPO ID0PO(1 + VGS/VPO)2 Muy importante
ATE-UO Trans 94
 Comparacin entre transistores bipolares y
IC JFET (I) I D

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG 0 G (P)
N V
+ V + 2
2
V1
VBE E (N) VGS S
V1 - -

En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan

las corrientes de salida (IC e ID).
En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensin de entrada (JFET).
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms
pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unin puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
 Comparacin entre transistores bipolares y
JFET (II)
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
N-
P+ (transistor unipolar)

(S) (D)
+
P+
UA
VD
(G) + Muy
UB VGS S
importante
- -

El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no

determinada por la concentracin de minoritarios).
El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya
que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva.
Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96
 Estructura real de un JFET de canal N
SiO2
S G D

N+ P+ N+ Contactos metlicos
N-
P+ Canal N

G
Uso de un JFET de canal P
R -ID
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I 0 D
G G (N) V
en los mismas zonas de trabajo. 2
P
V1 +
VGS S
ATE-UO Trans 97
-
 Los transistores de efecto de campo de unin
metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
hmicos
GaAs aislante VGS<0

VDS
G G G G

Pequea Tensin GS Polarizacin Polarizacin

polarizacin nula inversa GS, inversa GS, zona
directa GS zona resistiva f. de corriente
ATE-UO Trans 98
 Los transistores de efecto de campo de metal-
xido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metlicos Metal
SiO2 S G D
S G D
xido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Smbolo
Smbolo
D G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N ATE-UO Trans 99
 Principios de operacin de los MOSFET (I)

G Zona de transicin
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - - N+
+ + + +
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una
G capa de electrones
S +++
++ +++
++ D (minoritarios del substrato)

N+ -- -- -- -- N+
- -
V2 > V1
P- - -
+
Substrato ATE-UO Trans 100
 Principios de operacin de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++
D llamada capa de inversin

N+ -- -- - - -- N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transicin (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es

igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral
(threshold voltage), VTH.
ATE-UO Trans 101
 Principios de operacin de los MOSFET (III)

Situacin con tensin G

mayor que la de umbral S +++++ +++++ D

N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato

G Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.

VGS Conectamos una fuente de

N+ -- - -- -- - -- N+ tensin entre los terminales
P- fuente y drenador.

Cmo es la corriente de
Substrato
drenador?
ATE-UO Trans 102
 VDS 0 ID 0 Principios de operacin de
los MOSFET (IV)
G Existe un canal entre drenador
S +++++ +++++ D y fuente constituido por la capa
VGS de inversin que se ha formado.
N+ -- - -- -- - -- N+ Con tensiones VDS pequeas
P- (<<VGS), el canal es uniforme.

Substrato VDS =VDS1 >0

ID

El canal se empieza a contraer G

segn aumenta la tensin VDS. S +++++ +++++ D
La situacin es semejante a la VGS
que se da en un JFET. N+ - - - - -
- - - - - N+
P-

ATE-UO Trans 103 Substrato

 VDS2=VDSPO >VDS1
Principios de operacin
ID de los MOSFET (V)
G
S +++++ +++++ D El canal formado se contrae
VGS totalmente cuando VDS = VDSPO.
- - -
N+ ------- N+
P-
VDS3 >VDSPO
Substrato ID

G
S +++++ +++++ D
Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET
se comporta como una fuente - - - VGS
N+ ------- N+
de corriente (como en el caso de
los JFET).
P-

Substrato
ATE-UO Trans 104
 Principios de operacin de los MOSFET (VI)
VDS2 > VDS1
VDS1
ID0 ID0

G G
S D S D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prcticamente

nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105
 Curvas caractersticas de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas ID Curvas de salida
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen inters 0
(puerta aislada del canal) 2 4 6
VGS < VTH =
2V

Muy importante

ATE-UO Trans 106

 Anlisis grfico de un MOSFET en fuente comn
ID [mA]
ID VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
+ S - 10V VGS = 3V
VGS = 2,5V
VGS
- 0 12 VDS [V]
4 8
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107
Clculo de las corrientes en la zona de fuente de
corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO (VGS - VTH)2ZmnCox/2LC

VTH 2fF + (ersxox/erox)(4qNAfF/(erse0))1/2

Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin.

Cox = Capacidad del xido por unidad de rea de la
puerta.
ers, erox y e0 = permitividades relativas del
semiconductor y del xido y permitividad absoluta.
xox = grosor del xido debajo de la puerta.
fF =VTln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108
 Los MOSFET de deplexin (I)
G
S D
Existe canal sin necesidad de aplicar
tensin a la puerta. Se podr establecer
-
N+ N N+ circulacin de corriente entre drenador
P- y fuente sin necesidad de colocar
tensin positiva en la puerta.
Substrato +

+ Modo ACUMULACIN:
G Al colocar tensin positiva
S +++ +++ D en la puerta con relacin al
VGS=V1 canal, se refuerza el canal
- - - - - - con ms electrones
N+ N- N+
P- V1
procedentes del substrato.
El canal podr conducir
Substrato + - ms.
ATE-UO Trans 109
 Los MOSFET de deplexin (II)

G +
S --- --- D
VGS=-V1
+ + + + + + V1
N+ N- N+
P-
Substrato + -

Operacin en modo DEPLEXIN:

Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la
puerta con relacin al substrato. El canal podr
conducir menos corriente.

ATE-UO Trans 110

 Los MOSFET de deplexin (III)
Cuando se aplica tensin entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operacin.
VDS VDS
ID ID

G G
S +++ +++ D S --- --- D
- - - - + + + + + +
N+ N-
N+ N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +

Modo acumulacin Modo deplexin

ATE-UO Trans 111

 Comparacin entre las curvas caractersticas de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
4
Muy importante
VGS = 4V
2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
ID [mA] Deplexin
0 2 4 6 VDS [V]
VGS = 1V VGS < VTH = 2V
4
VGS = 0,5V Modo acumulacin
2 VGS = 0V
VGS = -0,5V Modo deplexin
VGS = -1V

0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V ATE-UO Trans 112
Comparacin entre los smbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexin con ambos
tipos de canal
D D Canal N
G G
Tipo S Tipo S
enriquecimiento deplexin

D D Canal P
G G
S Tipo S
Tipo
enriquecimiento deplexin

ATE-UO Trans 113

 Comparacin de los circuitos de polarizacin
para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente
de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal

ID -ID
R R
D D
+ +
G VDS G VDS
V2 + S - V2
+ S -
VGS V1 VGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
 Comparacin entre transistores JFET y MOSFET
ID ID
R R
D
IG 0 D
IG = 0
G V G
+ + S V2
2
V1 VGS VGS
S V1
- -
JFET, canal N MOSFET, canal N
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es ms pequea
an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unin puerta-canal).
La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
El xido se puede llegar a perforar por la electricidad
esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener
de proteccin.
Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116