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INTRODUCCIN

TESIS DOCTORAL
CARRERA DE DOCTORADO EN CIENCIAS DE LA INGENIERA

DISEO ASISTIDO POR COMPUTADORA PARA LA


INGENIERA DE FOCALIZADORES DE PLASMA

Ing. Federico M. Casanova


DOCTORANDO

Dr. Jos Hctor Gonzlez


DIRECTOR

Dr. Csar Moreno


CODIRECTOR

Instituto Balseiro
Comisin Nacional de Energa Atmica
Universidad Nacional de Cuyo
Febrero de 2008

1
RESUMEN
Se presenta un conjunto de herramientas que conforman un sistema de diseo asistido
por computadora para la ingeniera y diseo de dispositivos Plasma Focus.

El diseo e implementacin de una arquitectura orientada a objetos que soporta


modelos matemticos con diversos mtodos de resolucin y elementos discretizados
espacialmente fue el paso inicial del trabajo, conformando una base general para la
implementacin de simuladores de este tipo. Haciendo uso de sta se implement el simulador
de dispositivos Plasma Focus, principal objeto de este trabajo.

Se ha desarrollado un modelo matemtico discreto deformable, que evita la


introduccin de parmetros concentrados, con el cual se describe en forma bidimensional la
cinemtica de la lmina de corriente para geometras arbitrarias de nodo, ctodo y aislante, y
configuraciones arbitrarias de circuito elctrico externo.

La lmina de corriente se representa mediante una discretizacin en segmentos cnicos


axisimtricos. El movimiento de cada segmento es gobernado por las ecuaciones de Newton y
en su correspondiente masa sigue la hiptesis de barredora de nieve. Estas ecuaciones junto
con el balance energtico y las ecuaciones electromagnticas se aplican para calcular las
propiedades del plasma (densidad, temperatura, masa, velocidad).

Para resolver el conjunto de ecuaciones en forma numrica se ha implementado como


parte de la arquitectura mencionada un integrador numrico de ecuaciones diferenciales
ordinarias de primer orden, basado en el mtodo de Runge-Kutta de cuarto orden. La
arquitectura permite que fcilmente pueda cambiarse el mtodo de integracin sin requerir
mayores modificaciones en el cdigo del simulador en cuestin.

A esto se agrega un conjunto de herramientas desarrolladas tales como el Editor de


Geometras Plasma Focus, que permite especificar grficamente las geometras de nodo,
ctodo y aislante de nuevos dispositivos a ser simulados; y el Generador Pov-Ray, que permite
obtener imgenes 3D renderizadas y animaciones de alta calidad del movimiento de la lmina
de corriente.

Los resultados del simulador han sido comparados con una concordancia muy
satisfactoria con numerosos datos experimentales de diversos equipos, para diferentes
condiciones geomtricas, elctricas y de gas de llenado.

Como resultado, se ha logrado un modelo simple, validado experimentalmente que


permite calcular rpidamente la dinmica de la lmina de plasma, la evolucin de las variables
del circuito elctrico y la produccin neutrnica.

La correcta representacin de la cinemtica y forma de la lmina de corriente durante


su movimiento hasta el momento del foco, donde se producen los fenmenos de fusin, el
correcto clculo de la inductancia variable a medida que sta se desplaza y de la produccin
neutrnica, con un mnimo de parmetros de ajuste, ha permitido obtener notables resultados y
representa un avance respecto a cdigos de clculo de parmetros concentrados.

2
INDICE
NOMENCLATURA 5
AGRADECIMIENTOS 7
CAPITULO I. INTRODUCCIN 8
I.1. LOS EQUIPOS PLASMA FOCUS 8
I.1.1. Componentes de un Plasma Focus 10
I.1.2. Descripcin fenomenolgica 11
I.1.3. Dinmica de la lmina de corriente 13
I.1.3.1. Ruptura dielctrica del gas 14
I.1.3.2. Etapa de movimiento coaxial 14
I.1.3.3. Desborde y convergencia 15
I.1.3.4. Focalizacin y compresin del plasma 16
I.1.4. Reacciones nucleares y productos de fusin 16
I.1.5. El Plasma Focus en el laboratorio 18
I.1.5.1. Componentes Principales 18
I.1.5.2. Sistemas sensores 19
I.1.5.2.1. Tensin interelectrdica 19
I.1.5.2.2. Derivada temporal de la corriente de descarga 19
I.1.5.2.3. Produccin de neutrones 20
I.1.5.2.4. Deteccin de rayos X 20
I.1.5.2.5. Cinemtica de la lmina de corriente 20
I.1.6. Aplicaciones de los equipos Plasma Focus 22
I.1.6.1. Radiografa y Defectoscopa 22
I.1.6.2. Tratamiento de superficies por choque trmico 23
I.1.6.3. Detector no intrusivo de sustancias de bajo peso atmico 23
I.2. MODELADO DE EQUIPOS PF 24
I.2.1. Antecedentes 24
I.2.2. Encuadre del modelo propuesto como herramienta de diseo e ingeniera de equipos PF 26
I.3. OBJETIVOS DEL TRABAJO 27
CAPITULO II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN PLASMA FOCUS CON
DISCRETIZACIN ESPACIAL 28
II.1. DESCRIPCIN DEL MODELO MATEMTICO 29
II.1.1. Representacin de geometras mediante discretizaciones espaciales 29
II.1.1.1. De los electrodos y el aislante 29
II.1.1.2. Modelo de la lmina de corriente 31
II.1.1.2.1. Algoritmo de tracking y reestructuracin de la lmina de corriente 33
II.1.1.2.1.1. Prdida de cohesin de la lmina discretizada 33
II.1.1.2.1.2. Inestabilidades geomtricas 33
II.1.1.2.1.3. Concavidades en la representacin de la lmina 35
II.1.1.2.1.4. Comportamiento de los segmentos que interactan con los electrodos 37
II.1.2. Spark-Gap y formacin de la lmina de corriente 37
II.1.2.1. Modelo de Resistencia Efectiva 38
II.1.2.2. Modelo de Cada de Tensin 38
II.1.3. Ecuaciones del Circuito Elctrico 39
II.1.3.1. Inductancia Variable en el Can de Plasma 40
II.1.4. Balance Energtico 41
II.1.5. Espesor de la Lmina de Plasma 42
II.1.6. Produccin Neutrnica 43
CAPITULO III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL 44
III.1. DISEO DE LA JERARQUA DE CLASES DEL SIMULADOR 44
III.1.1. Representacin del dispositivo y de los elementos que lo componen 45
III.2. REPRESENTACIN DE LAS ECUACIONES DEL MODELO 46
III.3. IMPLEMENTACIN DEL MTODO DE RESOLUCIN DE ECUACIONES 49
III.4. APLICACIONES DESARROLLADAS Y SUS FUNCIONALIDADES 51
III.4.1. Simulador de Dispositivos Plasma Focus: CShock 51
III.4.1.1. Entrada de datos por interfaz usuario 51
III.4.1.2. Entrada de datos mediante archivo 55

3
III.4.1.3. Salida de datos por interfaz usuario 55
III.4.1.4. Salida de datos mediante archivo 56
III.4.1.5. Otras funcionalidades 56
III.4.2. Editor de Geometras Plasma Focus 57
III.4.3. Generador Pov-Ray 59
III.5. CONSIDERACIONES NUMRICAS 59
III.5.1. Anlisis de Convergencia 59
III.5.2. Valores iniciales del simulador y eleccin del paso de tiempo 62
CAPITULO IV. VALIDACIN 63
IV.1. AJUSTE A EXPERIMENTOS SOBRE EL DISPOSITIVO PFII 64
IV.2. AJUSTES SOBRE DATOS DEL DISPOSITIVO GN1 68
IV.2.1. Caractersticas del equipo 68
IV.2.2. Mediciones 69
IV.2.3. Ajuste mediante simulaciones 69
IV.3. AJUSTE A EXPERIMENTOS SOBRE EL DISPOSITIVO CCII 71
IV.3.1. Caractersticas del Equipo 71
IV.3.2. Comparacin y ajuste de resultados 72
IV.3.2.1. Ajuste con modelo de Resistencias Efectivas 73
IV.3.2.1.1. Gas Argn y circuito RLC2 73
IV.3.2.1.2. Gas Nitrgeno y circuito RLC1 74
IV.3.2.1.3. Gas Nitrgeno y circuito RLC2 75
IV.3.2.1.4. Gas Nitrgeno y circuito RLC3 76
IV.3.2.2. Ajuste con modelo de Cada de Tensin 77
IV.3.2.2.1. Gas Nitrgeno y circuitos RLC1 y RLC2 77
IV.3.3. Resultados obtenidos 78
IV.3.4. Anlisis de sensibilidad a los parmetros del modelo 80
IV.3.5. Comparacin del perfil de la lmina de corriente 83
IV.4. COMPARACIN DEL PERFIL DE LA LMINA DE CORRIENTE DEL DISPOSITIVO CHILENO LA REINITA 87
IV.5. AJUSTE INDUCTANCIA 90
IV.6. SIMULACIN DE UNA GEOMETRA NO CONVENCIONAL 92
IV.7. PRODUCCIN NEUTRNICA 98
CAPITULO V. CONCLUSIONES 101
ANEXO 105
A.1. ARQUITECTURA DSIM 105
A.1.1. Introduccin al Modelado y Simulacin Computacional 106
A.1.1.1. Ecuaciones Diferenciales y Mtodos de Resolucin 108
A.1.1.1.1. Solucin de una Ecuacin Diferencial 110
A.1.1.1.2. Ecuaciones Diferenciales Ordinarias 111
A.1.1.1.3. Mtodo de Euler 112
A.1.1.1.4. Mtodos de Runge-Kutta 112
A.1.2. Breve introduccin a la orientacin a objetos 114
A.1.2.1. Caractersticas 115
A.1.2.2. Propiedades 116
A.1.2.2.1. Abstraccin 116
A.1.2.2.2. Encapsulamiento 117
A.1.2.2.3. Modularidad 117
A.1.2.2.4. Jerarqua 117
A.1.2.2.5. Polimorfismo 118
A.1.3. Aplicacin de la tecnologa de objetos al presente trabajo 118
A.1.3.1. Eleccin del lenguaje de programacin 118
A.1.3.2. Las componentes de la arquitectura DSim 119
A.1.3.2.1. Componente Model 120
A.1.3.2.2. Componente Equations 122
A.1.3.2.3. Componente Implementator 123
A.1.3.2.4. Componente Manager 124
A.2. DIAGRAMA DE CLASES DEL SIMULADOR CSHOCK 126
A.3. DESARROLLO DEL MODELO DE PRODUCCIN NEUTRNICA 129
BIBLIOGRAFA Y REFERENCIAS 132
PUBLICACIONES CON REFERATO 136

4
NOMENCLATURA
Smbolo Descripcin Unidades
r
B Campo magntico [kg / (A.seg2)]
r
J Densidad de corriente [A/m2]

Parmetro adimensional de ajuste [-]


B Temperatura adimensional, (TB / T*) [-]
i Angulo de inclinacin del segmento i [rad]
o Densidad del gas estancado [kg/cm3]
L Densidad de la lmina [kg/cm3]
sg Perodo de switch durante el que influye el spark-gap [s]
t Duracin del pinch [s]
< v> Seccin eficaz de fusin [m3/s]
< v> * Coeficiente de seccin eficaz, 3.31 10-23 m3/s [m3/s]
< v> B Seccin eficaz de fusin en Bennett [m3/s]
o Permeabilidad del vaco, 4 10-7 J/mA2 [J/mA2]
Ai Area de la superficie del segmento i [m2]
C Capacidad [F]
De Densidad inicial de elementos discretos en la lmina segmentos/mm

e Energa interna especfica de la capa [J/kg]


E0 Energa total del sistema [J]
Ecap Energa capacitiva [J]
Ecini Energa cintica del segmento i [J]
Einti Energa interna del segmento i [J]
eion Energa de ionizacin, para el deuterio 6.5 10 J/kg
8
[J/kg]
Elost Energa total se los segmentos que escaparon del [J]
electrodo externo
Emag Energa Magntica [J]
ep Energa por unidad de masa [J/kg]
h Longitud del pinch [m]
I Corriente [A]
-23 o
k Constante de Boltzmann, 1.38 10 J/ K [J/oK]
Ke Constante de proporcionalidad entre densidades de la [-]
lmina y del gas estancado.
Lc Inductancia del can [Hr]
Lext Inductancia Externa [Hr]
Li Inductancia debida al segmento i [Hr]
li Longitud del segmento i [m]

5
le Longitud de un elemento de clculo de inductancia [m]
linew Longitud corregida de los segmentos reformados [m]
lmin Factor de condicin de longitud mnima de segmento -
lmax Factor de condicin de longitud mxima de segmento -
M Masa de la lmina de plasma, M = M i
[kg]

Md Masa del deuteron, 3.34 10-27 kg [kg]


mi Densidad lineal de masa del segmento i [kg/m]
Mi Masa acumulada por el segmento i [kg]
Mp Masa encerrada en el volmen del pinch cilndrico. [kg]
N Nmero de deuterones en el volumen del pinch [-]
n Densidad del nmero de deuterones [m-3]
p Presin del gas comprimido en el pinch [N/m2]
pB Presin del gas en Bennett [N/m2]
Q Carga elctrica del banco de capacitores [C]
R Posicin radial de la cara externa del pistn cilndrico. [m]
Radio del pinch.
R0 Resistencia inicial de ionizacin en t=0 []
RB Radio del pinch en Bennett [m]
Rext Resistencia externa []
ri Radio medio del segmento i [m]
rmax Radio externo medio de un elemento de inductancia [m]
rmin Radio interno medio de un elemento de inductancia [m]
Rion Resistencia elctrica de la lmina parcialmente ionizada []
Rsg Resistencia del spark-gap []
Rsparkgap Resistencia inicial del spark-gap en []
Si Espesor del segmento i [m]
* 10 o
T Parmetro de seccin eficaz, 7.65 10 K [oK]
T0 Temperatura del gas estancado [oK]
TB Temperatura efectiva del pinch en Bennett [oK]
V Volumen del pinch, V = R 2 h [m3]

Vi Velocidad del segmento i en direccin normal [m/s]


xi Avance en direccin normal del segmento i [m]
Y Cantidad de neutrones [neutrones]
y Densidad lineal de neutrones [neutrones/m]

6
AGRADECIMIENTOS
En lo personal, debo comenzar por mis padres, quienes siempre confiaron en m y me
dieron todo a su alcance, mis hermanos, mis abuelos, y toda mi familia. A veces la palabra
gracias parece pequea, este es el caso. A ellos dedico este trabajo.

A mi compadre y amigo Gustavo, con quien comenzamos los trabajos iniciales de


simulacin computacional de Plasma Focus en el trabajo final de nuestra carrera de grado, a su
mujer Cecilia y a mi ahijado Ignacio.

A los Gmez, mi familia postiza, quienes siempre se alegran de la forma ms sincera


con cada uno de mis logros. Enorme fortuna la ma.

A mis amigos, Cabe, Galle, Marian, Gato, Marcos, Agus, hermanos de la vida, gracias
por infinitos buenos momentos compartidos, siempre alentando, dando la alegra, el apoyo y la
dicha de saber que siempre se puede contar con ellos. Gracias por ese regalo.

A todos los directivos y personal de los diversos institutos asociados e integrantes del
Programa Interinstitucional de Plasmas Densos, muy especialmente a los Dres. Alejandro
Clausse, Marcelo Vnere y Horacio Bruzzone. A todos por su gua, invaluable transferencia
de conocimiento, y apoyo permanente. Gracias por abrir las puertas del PLADEMA para que
sea mi lugar de trabajo.

A mis compaeros del PLADEMA, incontables mates compartidos, intercambios de


conocimientos y opiniones, ayuda desinteresada, risas y trabajos en conjunto. Sin ellos la tarea
diaria no sera tan amena, gracias por eso.

A mi director de tesis, Dr. Jos Pampa Gonzlez, por la transferencia de


conocimientos, por su apoyo y aguante durante el trabajo y principalmente durante mi perodo
de estudios en Bariloche. Al co-director de este trabajo, Dr. Csar Moreno, por su permanente
colaboracin y aporte de datos y conocimientos en cada encuentro que hemos tenido, y en
cada visita que he realizado a su laboratorio del INFIP-UBA.

A Pablo Florido por revisar esta tesis y recibirme en el DAEE durante mi estancia en el
Centro Atmico Bariloche, y a todo el grupo del DAEE.

Al personal y profesores de la Facultad de Cs. Exactas de la Universidad Nacional del


Centro de la Pca. de Buenos Aires.

Al personal, profesores y compaeros de cursada del Instituto Balseiro, quienes me


recibieron de la mejor manera al integrarme a sus clases, me brindaron todo a su alcance para
que logre los objetivos acadmicos e hicieron de mi estada mucho ms que una rica
experiencia acadmica.

A todos GRACIAS.

7
CAPITULO I.

INTRODUCCIN
El presente trabajo est orientado al diseo conceptual asistido por computadora de
equipos Plasma Focus (PF) para su posterior fabricacin y utilizacin como fuentes pulsadas
de neutrones y/o rayos-X.

En ese sentido, se desarrolla un modelo numrico que permite la estimacin de la


dinmica de la lmina de plasma y la produccin neutrnica de equipos PF operando con
diferentes gases de llenado. Como producto final se dispone de un conjunto de herramientas
que conforman un sistema de diseo asistido por computadora de tales dispositivos.

Antes de exponer tanto las consideraciones generales como el desarrollo del modelo, es
necesario comentar las caractersticas de este tipo de dispositivos, para luego detallar los
objetivos del trabajo.

I.1. Los equipos Plasma Focus


Los equipos plasma focus son caones coaxiales aceleradores de plasma, que mediante
reacciones de fusin constituyen fuentes pulsadas de neutrones, partculas cargadas y rayos X
de alta energa [ROS61] [BER77], siendo la duracin de los pulsos de algunos centenares de
nanosegundos, y caracterizados por una alta eficiencia en la produccin de reacciones de
fusin y su relativa simplicidad constructiva.

El inicio del auge en su investigacin puede verse en la dcada del 60, a partir de las
investigaciones y desarrollos de Filippov [FIL61] en Rusia y Mather [MAT64] en Estados
Unidos, siendo luego estudiados extensivamente y hasta la actualidad en laboratorios de todo
el mundo.

8
I. INTRODUCCIN

Fueron justamente estos investigadores quienes dieron nombre a las dos


configuraciones ms comunes de dispositivos PF, las diferencias ms relevantes (pero no las
nicas) entre ambas configuraciones consisten en la relacin entre el dimetro y la longitud de
los electrodos, y la disposicin de la pieza aislante entre ambos. El electrodo interno presenta
distintas alternativas, pero en general en los tipo Filippov (Figura 1.1) es cerrado en su
extremo, y en los Mather (Figura 1.2) es abierto. Adems en el caso Mather, el electrodo
externo es abierto en su extremo libre, mientras que en el Filippov es cerrado.

Es a la configuracin tipo Mather a la que nos referiremos principalmente en el resto


del trabajo, ya que es la ms difundida y sobre la que ms datos experimentales disponibles se
cuenta. Es por ello que al referir a un PF sin otra aclaracin de aqu en adelante estaremos
refiriendo a la configuracin mencionada.

Figura 1.1: Esquema de un equipo tipo Filippov.

Figura 1.2: Esquema de un equipo tipo Mather.

9
I. INTRODUCCIN

I.1.1. Componentes de un Plasma Focus


El PF es bsicamente un can acelerador de plasma. Est formado por dos electrodos
coaxiales y un aislante dentro de una cmara con gas a baja presin (generalmente entre 0,1 y
10 mbar) (Figura 1.2). El gas ms comnmente utilizado es el Deuterio, aunque en algunos
casos se usa tambin el Tritio. Este ltimo, aunque tiene ms eficiencia de produccin
neutrnica para las mismas condiciones, tiene la desventaja de ser radiactivo y de difcil
manejo. Tambin son utilizados el Nitrgeno, Hidrgeno o Argn, stos en el caso de estar
interesados exclusivamente en la produccin de rayos X, que tambin est presente en el caso
del Deuterio.

El electrodo interno o nodo (Figs. 1.3 y 1.4) es un cilindro hueco generalmente de


cobre electroltico o titanio, y el externo o ctodo (Figs. 1.5 y 1.6) generalmente no es un
electrodo cerrado, sino un conjunto de varillas generalmente de bronce o cobre ubicadas en
forma cilndrica alrededor del eje. El aislante (Fig. 1.7) es usualmente de vidrio Pyrex de
forma cilndrica y cubre parte del nodo. El can se ubica dentro de una cmara metlica
hermtica (Fig. 1.8) que una vez llevada a alto vaco, es llenada a la presin deseada con el gas
de carga. Los electrodos, en la base del dispositivo, se conectan apropiadamente a un banco de
capacitores de alta capacidad y baja inductancia (Fig. 1.9).

Fig. 1.4 Vista lateral del electrodo


Fig. 1.3 Electrodo interno cilndrico interno y el aislante.
hueco de cobre electroltico.

Fig. 1.6 Vista superior de un can


Fig. 1.5 Electrodo externo formado por barras. formado por los electrodos y el aislante.

10
I. INTRODUCCIN

Fig. 1.7 Vista superior de un aislante de Fig. 1.8 Cmara metlica hermtica que
Pyrex empotrado en la base de la cmara contiene al PF.
de un can.

Fig. 1.9 Banco de capacitores ubicados en forma de estrella debajo


de la cmara de un Plasma Focus

I.1.2. Descripcin fenomenolgica


Cuando se cierra el circuito al que est conectado el PF por medio de una llave gaseosa
(tipo spark-gap), se produce sobre los electrodos coaxiales la descarga del banco de
capacitores [KEL78]. sta se localiza inicialmente en la base de los electrodos a lo largo del
aislante que los separa, y se concentra en una capa delgada, comnmente denominada lmina
de corriente.

Luego de un transitorio inicial, el campo magntico azimutal generado por la corriente


r r
produce una fuerza J B (fuerza de Lorentz) que acelera la lmina de plasma hacia el
extremo abierto de los electrodos.

La lmina de corriente desborda cuando llega al extremo del nodo y en ese momento
el campo magntico acelera el plasma hacia el eje del sistema. Finalmente la lmina choca en

11
I. INTRODUCCIN
el eje en forma de un cilindro de plasma denso (llamado foco o pinch). El tiempo de vida del
foco es de algunas decenas o centenas de nanosegundos. Durante este perodo se produce una
compresin muy rpida del foco por medio del campo magntico asociado provocando el
calentamiento sbito del plasma. Si el gas utilizado es Deuterio, Tritio, o una mezcla de ellos,
se producen reacciones de fusin en su interior. En esta etapa del proceso se emite adems,
radiacin electromagntica en un amplio rango de energas.

En la Figura 1.10 puede observarse una secuencia de imgenes, obtenidas mediante


una cmara ultrarrpida, donde se observa el movimiento descripto de la lmina de corriente.
En este caso se observa un PF cuyo electrodo externo se encuentra en la base del dispositivo,
en vez de en una disposicin coaxial tradicional.

(a) (b)

(c) (d)

Fig. 1.10 Secuencia de fotos donde se observa el desplazamiento de la lmina de corriente. Imgenes
provistas por el INFIP, UBA.

Los equipos tipo Mather tienen electrodos con longitudes tpicas de decenas de
centmetros y radios del orden de los centmetros. Los bancos de condensadores utilizados
tienen capacidades comprendidas entre 1 y 1000 F y tensiones de carga en el rango de 10 a
50 kV. Otro parmetro elctrico de gran inters es la inductancia externa de la descarga (que
incluye la inductancia propia del banco, lnea de transmisin y conexionado a los electrodos)
con valores del orden de las decenas de nHy.

12
I. INTRODUCCIN
Desde el punto de vista elctrico, la descarga de un PF es equivalente a la de un
circuito RLC en serie, pero con la particularidad de que la inductancia total se compone de la
suma de un trmino constante (inductancia externa), ms un trmino variable correspondiente
a la inductancia del sistema lmina-electrodos. La medicin de la corriente de descarga (que se
realiza usualmente por medio de una bobina de Rogowski acoplada con un integrador
electrnico) constituye una diagnstica simple y de gran utilidad para verificar el correcto
funcionamiento del equipo.

La corriente de descarga tiene valores tpicos de 100 kA en equipos de pequea energa


(1 kJ) hasta algo ms de 1 MA para los de mayor energa (100 kJ). Los tiempos de colapso
medidos desde el comienzo de la descarga, estn en el rango de 0.7 a 3 s. La cantidad de
neutrones emitidos por descarga va desde 106 a 1012, de acuerdo con la energa inicial
almacenada y el tipo de gas empleado.

Fig. 1.11 Dinmica de la lmina de corriente. Imgenes generadas


con las herramientas desarrolladas en el presente trabajo.

I.1.3. Dinmica de la lmina de corriente


En la Figura 1.11 se observan instantes en la dinmica de la lmina de corriente. Las
figuras corresponden a una simulacin, que luego fue transformada en coordenadas espaciales
y renderizada en imgenes color, esto se logr utilizando el simulador y la herramienta

13
I. INTRODUCCIN
Generador Pov-Ray, ambas desarrolladas como parte del presente trabajo. Las mismas
corresponden a una descarga en el equipo GN1 del INFIP, UBA.

El proceso que tiene lugar en los Plasma Focus puede dividirse en tres etapas, las que
sern descriptas a continuacin.

I.1.3.1. Ruptura dielctrica del gas

Esta es una de las etapas ms abiertas a la investigacin y modelado. Al aplicarse la


tensin del banco de capacitores sobre los electrodos, si la geometra del equipo est bien
diseada, la misma produce un campo elctrico que provoca la ruptura dielctrica del gas. Se
produce la ionizacin del mismo y consecuentemente se establece una corriente elctrica que
cierra el circuito.

En general en la mayora de los equipos, al menos en el rango de parmetros que


operan habitualmente, la descarga comienza en una zona muy prxima al aislante. Sin
embargo cabe aclararse que existen otros caminos posibles de ruptura dielctrica del gas, que
dependen de la presin de llenado, de la geometra, y del material tanto de los electrodos como
del aislante. Estos posibles caminos de ruptura pueden ser sobre la superficie del aislante, en el
extremo libre de los electrodos, o a lo largo de los electrodos. El primer caso es el ms
favorable para la produccin neutrnica y de rayos X. En este caso, como se mencion, el
plasma se concentra en una regin (denominada lmina de corriente), cuya forma inicial
depende del aislante empleado, que comienza a moverse y deformarse en forma
aproximadamente parablica hacia el electrodo externo y el extremo libre de los electrodos.
Este desplazamiento es debido a la interaccin entre la densidad de corriente y el campo
magntico azimutal generado por la propia corriente. En general se considera que la etapa de
formacin finaliza cuando la parte posterior de la lmina alcanza el radio del electrodo externo
(secuencias a, b y c de la Figura 1.11).

En un modelo de dinmica bidimensional, como el que se presenta en este trabajo,


intenta reproducirse el comportamiento de la lmina, desde su estado inicial ideal que se
encuentra tomando la forma del aislante, sin otros parmetros de ajuste en su cinemtica ms
que el propio movimiento de los elementos discretos gobernados por las ecuaciones del
modelo.

I.1.3.2. Etapa de movimiento coaxial

La lmina de corriente generada en la etapa anterior se propaga hasta el final de los


electrodos empujada por la fuerza de Lorentz, barriendo e incorporando masa a su estructura
durante su avance. Como el campo magntico no es uniforme (decrece en la direccin de la
coordenada radial), diferentes porciones radiales de la lmina avanzan a distintas velocidades
en direccin axial, dndole la caracterstica forma parablica que puede observarse en las
fotografas ultrarrpidas.

El fenmeno de incorporacin de masa se da a medida que la lmina avanza, sta


ioniza e incorpora los tomos del gas neutro que encuentra a su paso, como si fuera una
barredora. Esta hiptesis es una de las ms difundidas en cuanto al diseo de modelos que
describan la incorporacin de masa a la lmina durante el fenmeno. [SHO61]

14
I. INTRODUCCIN
Recientes publicaciones proponen adems que existe una importante incorporacin de
masa desde el electrodo que es erosionado ante el paso de la lmina de corriente, aunque esto
es aun motivo de investigacin. [BRU01]

Debido a los altos valores de la corriente de descarga, la lmina de corriente se mueve


a velocidades supersnicas del orden de 106 a 107 cm/s. De este modo se genera delante de la
misma un frente hipersnico de choque ionizante. Dicho frente es una zona muy delgada
donde ocurren fuertes gradientes de velocidad y densidad, y consecuentemente gran disipacin
[VAR76]. En particular en esta zona se detecta una variacin brusca de la densidad del
plasma, y se observa que cuando la presin magntica es mucho mayor que la presin del gas,
el frente de choque permanece muy prximo a la lmina. En esta zona adems, el gas delante
de la lmina parcialmente disociado e ionizado por la radiacin emitida por la lmina de
corriente es comprimido, calentado y disociado en la zona frontal, identificada como frente de
choque.

Contiguo al frente de choque se encuentra la lmina de corriente propiamente dicha, e


inmediatamente detrs de esta se observa una zona de transicin donde la densidad del plasma
se hace importante y donde las partculas pesadas les transfieren energa a los electrones, que a
su vez tienen la posibilidad de ionizarlas. Por esta zona fluye la corriente que junto con su
campo magntico, constituyen el pistn magntico. Detrs del mismo se encuentra una zona
donde prcticamente no hay plasma ni gas neutro, ocupada slo por campo magntico.

Segn este esquema simplificado de la estructura del plasma y considerando que las
denominadas zonas de frente de choque y pistn magntico forman en s la lmina de
corriente, es vlido considerar que la lmina se separa en dos regiones bien definidas.
Descriptas desde un sistema de referencia fijo al laboratorio, por delante de la misma se tendr
el gas en reposo con la densidad de llenado y campo magntico nulo, y por detrs una zona
slo ocupada por campo magntico [VAR76].

Esta etapa se ve reflejada en las secuencias d, e, f y g de la Figura 1.11.

I.1.3.3. Desborde y convergencia

Al llegar al extremo libre de los electrodos la lmina de corriente desborda sobre el


nodo y comienza a acelerarse y deformarse radialmente convergiendo hacia el eje de los
mismos. Este tramo de aceleracin y deformacin se caracteriza por velocidades radiales
tpicas superiores por al menos un factor 4 5 a la velocidad axial alcanzada en el tramo
coaxial, con valores de aceleracin del orden de 1013 a 1014 cm/s2 .

Durante esta etapa suelen surgir inestabilidades magnetohidro-dinmicas que crecen


con el tiempo, y el comportamiento del plasma depender fuertemente de cmo se desarrollen
las mismas.

Se considera que la etapa de convergencia finaliza cuando el frente de choque alcanza


el eje de los electrodos. Habitualmente esta etapa tiene una duracin tpica comprendida entre
los 100 y 500 ns. [GON04].

Las secuencias h, i de la Figura 1.11 muestran imgenes representativas.

15
I. INTRODUCCIN
I.1.3.4. Focalizacin y compresin del plasma

Esta etapa comienza cuando el frente de choque llega al eje de simetra y el pistn
magntico sigue avanzando y comprimiendo al plasma, dando origen a la formacin del foco
de plasma (pinch). Este consiste de una columna de plasma de alta densidad (1018 a 1019 cm-3)
de aproximadamente 1 cm de longitud y un radio del orden de 1 mm al comienzo de la
compresin, y picos de temperatura del orden de los keV durante decenas de nanosegundos.

Experimentalmente puede observarse que durante esta compresin del gas se generan
inestabilidades magnetohidrodinmicas de longitudes de onda menor que 1 mm. Algunos
autores [LER02] encontraron que se forman zonas ms densas y calientes que el resto del
pinch denominadas hot spots. En estas zonas se alcanzan temperaturas de decenas de keV y
densidades del orden de 1020 cm-3 en lapsos de muy corta duracin (10 ns). Para estos autores
estas zonas suelen ser la fuente principal de neutrones de fusin, rayos X y los restantes tipos
de radiacin ya mencionados. Pero segn otros autores [MOR00], al considerar an
inexistente una evidencia concreta que afirme el aumento de temperatura de estas zonas de
mayor densidad, se limitan a mencionar a las mismas como manchas o puntos brillantes,
dado que es de este modo que se las evidencia experimentalmente y nada afirman sobre la
temperatura de las mismas ni sobre su intervencin en la produccin neutrnica. Como ya se
coment anteriormente, los mecanismos de produccin an son un tema abierto de discusin.

Esta compresin del plasma con la elevacin de la temperatura, hace que en el caso que
el gas utilizado sea Deuterio, Tritio o una mezcla, se activen mecanismos de fusin de los
elementos mencionados. De esta manera, es posible generar un pulso de neutrones ultracorto
de gran intensidad. La cantidad total de neutrones emitidos en cada descarga depende adems
de una buena formacin de la lmina de corriente y focalizacin del pinch, de la energa
almacenada en el banco de capacitores. Esta buena focalizacin se evidencia mediante un
fuerte aumento de la inductancia del sistema lmina-electrodos, que produce una depresin de
la corriente en el circuito.

La Figura 1.11 muestra una fotografa de una focalizacin. Una vez finalizada la
focalizacin se observa la presencia de un plasma tenue que se disgrega [VAR76] [BER00].

I.1.4. Reacciones nucleares y productos de fusin


Como se mencion, como consecuencia de la compresin del foco de plasma se
obtienen diferentes productos de radiacin, tales como partculas cargadas (protones iones y
electrones), y rayos X blandos provenientes del mismo foco de plasma. Tambin los electrones
libres provenientes de foco que son acelerados por campo elctrico hacia la base del nodo,
producen rayos X de alta energa por radiacin de frenado (bremsstrahlung) producida durante
la colisin del haz colimado de electrones emitidos en el foco con la base del nodo [RAS04].

La fusin de dos nucleidos requiere que stos se aproximen con la suficiente energa
cintica para vencer la repulsin coulombiana. Estas energas son del orden de los keV y
equivalen a temperaturas cercanas al milln de grados Kelvin. Mientras ms pesados son los
nucleidos, ms difcil es alcanzar las condiciones de temperatura adecuadas, por lo cual las
reacciones entre los istopos del Hidrgeno son ms fciles de lograr. En particular para el
Deuterio y el Tritio se tiene:

16
I. INTRODUCCIN

D + D 23 He(0.8MeV )+ 01n(2.4 MeV )


50% probabilidad
D + D T (1.0 MeV )+ 11p (3.0MeV )

D + T 24 He(3.5MeV )+ 01n(14.1MeV )

El origen de los neutrones de fusin en los equipos PF es un tema an en discusin. En


este trabajo, se propone la hiptesis del origen termonuclear de estos neutrones, lo cual se
validar contra datos experimentales. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que esto no excluye
la explicacin de la emisin neutrnica en PFs mediante otros modelos.

El comportamiento de las secciones eficaces de las reacciones de fusin D-D y D-T


puede verse en la Figura 1.12 [GON04]. Las mismas presentan un mximo, que en el caso de
la reaccin D-D se presenta a mayor temperatura. Adems se observa que a igual temperatura,
la seccin eficaz para la reaccin D-T es mayor, con lo cual la probabilidad de reaccin y por
lo tanto la produccin tambin lo ser.

Reaccin D-D Neutrn


2.45 Mev

He3

Protn
Deuterones
3.02 Mev

Tritio
1
10

0
10 3
6 8 - Ecap / 1,27 10
Rr=3,17 10 +1,39 10 e
fusin [barns]

-1
10

-2
10

-3
10

-4
10

-5
10 0 1 2 3 4
10 10 10 10 10
E [ KeV ]

Reaccin D-T

Neutrn
14.1 Mev
D

T
He4

Figura 1.12: Secciones eficaces de fusin termonuclear.

17
I. INTRODUCCIN

I.1.5. El Plasma Focus en el laboratorio

I.1.5.1. Componentes Principales

El PF puede dividirse en dos componentes principales, la cmara y el circuito externo.


Conectados a ellos se encuentran subsistemas complementarios y sistemas sensores.

La cmara comprende al recipiente en el que se inyecta el gas de llenado, y donde se


alojan el par de electrodos coaxiales y el aislante (Figuras 1.3 a 1.8). Como se observa en las
mencionadas figuras, si bien la configuracin Mather posee un electrodo coaxial externo, es
comn encontrar que el mismo no se construye como un cilindro slido de material conductor
sino de barras de este material ubicadas en forma coaxial equiespaciadas, o en algunos casos
sin electrodo externo coaxial, ubicando dicho electrodo en la base del dispositivo en forma de
disco de material conductor. Estas son las clases de electrodo exterior que sern soportadas por
el simulador del presente trabajo.

La cmara se encuentra conectada a tres subsistemas complementarios:

El subsistema de vaco, utilizado para eliminar los gases del interior de la


cmara, y compuesto por una bomba mecnica y una difusora conectadas en
serie, permitiendo obtener niveles de vaco de hasta 10-8 mbar. La secuencia de
vaciado de la cmara se realiza primero con la mecnica y luego con la difusora
hasta los niveles mencionados.

El subsistema de carga, compuesto por un tanque de gas que contiene el gas de


llenado (por ejemplo Deuterio, Argn, Nitrgeno, etc). Tambin se puede
operar con mezclas de gases. La presin de llenado se controla por medio de un
manmetro, hasta el orden de los milibares.

El subsistema de monitoreo de seales, compuesto por un conjunto de sensores


que permiten el registro de diversas seales de inters durante la descarga (e.g.
tensin entre los electrodos, corriente en el circuito, neutrones y rayos X
producidos).

El circuito externo esta tpicamente constituido por:

El banco de capacitores, cuya energa almacenada es descargada en la cmara,


conectados generalmente en paralelo para disminuir la inductancia del circuito.

La fuente de alta tensin, que permite cargar el banco hasta voltajes del orden
de los 50 kV. La carga se realiza en forma gradual a travs de una resistencia,
limitando de esta manera la corriente de carga hacia los capacitores, evitando
as daar la fuente.

La llave gaseosa de cierre rpido o spark gap, que permite, cuando se decide
el disparo, el cierre del circuito mediante un arco de corriente activado por un
pulso de alta tensin generado por un circuito auxiliar (trigger), descargando la
energa del banco hacia la cmara.

18
I. INTRODUCCIN
I.1.5.2. Sistemas sensores

Durante la dinmica descripta en un PF, las principales seales que se miden son:
[MOR03] [HAW04] [KNO05] [GON04].

I.1.5.2.1. Tensin interelectrdica

Mediante un divisor resistivo, que consiste en dos resistencias en serie conectadas entre
el punto a la tensin que se desea medir y tierra, y un osciloscopio se registra la tensin
aplicada entre los electrodos de la cmara en funcin del tiempo.

I.1.5.2.2. Derivada temporal de la corriente de descarga

Debida a las intensas corrientes que van de rdenes de kA a MA, se utiliza la llamada
bobina de Rogowski para medirla de forma indirecta (Figura 1.13). La bobina es un solenoide
flexible que se dispone en forma de toroide en la base de la cmara y rodeando al electrodo
central.

Figura 1.13: Bobina de Rogowski, utilizada para medir las variaciones de I(t)
en el conductor azul.

El campo magntico variable generado por la corriente circulante induce entre los
terminales de la bobina una tensin que es proporcional a la derivada temporal de la corriente
de descarga. La relacin entre la tensin inducida V con la derivada temporal de la corriente
dI/dt, est dada por:

dI
V =K
dt

K = 0 na 2

donde 0 es la permeabilidad magntica del vaco, n la densidad de espiras por unidad


de longitud y a es el radio de cada espira.

19
I. INTRODUCCIN
I.1.5.2.3. Produccin de neutrones

Debido a la naturaleza pulsada y de corta duracin de los neutrones emitidos, en la


mayora de los equipos la deteccin se realiza de manera indirecta, usando para ello las
caractersticas de activacin de la plata (Ag).

Los neutrones emitidos son moderados con parafina. De esta manera su energa
disminuye hasta niveles de la energa de resonancia de la Ag (5 eV). En este rango de energas
los neutrones son absorbidos por la Ag, que se activa y luego decae emitiendo una partcula -
con un perodo de 24.4 s., que es registrada por un detector Geiger generando de esta manera
un pulso cuantificable.

I.1.5.2.4. Deteccin de rayos X

Un detector bastante difundido consiste de un plstico centellador acoplado a un


fototubo que tiene la funcin de detectar la radiacin emitida por el plstico centellador. De
esta manera se origina la emisin de electrones que son multiplicados por efecto cascada y
registrados finalmente por una seal de tensin en un osciloscopio.

Estos detectores tienen la particularidad de ser sensibles a los neutrones. En la Figura


1.14 se puede ver la seal obtenida por el fotomultiplicador. Se tiene un pico de rayos X
seguido luego de 150 ns por uno menos intenso de los neutrones producidos. El
desplazamiento temporal de los dos picos corresponde a la diferencia de tiempo de vuelo entre
los rayos X y los neutrones de 2.45 MeV.

Figura 1.14: Ejemplo de seal de tensin del fotomultiplicador en un disparo.

I.1.5.2.5. Cinemtica de la lmina de corriente

Una sonda magntica es una bobina de aproximadamente 1 mm de dimetro que


permite medir la variacin de flujo de campo magntico inducido sobre ella en el lugar donde
se encuentra ubicada.

La ubicacin de estos dispositivos en distintas zonas interelectrdicas permite registrar


el paso de la lmina en cada etapa de su evolucin. La tensin inducida en las espiras se

20
I. INTRODUCCIN
transporta hasta el exterior del cuerpo de la sonda mediante un cable microcoaxial. Dicha seal
es enviada hasta un digitalizador por medio de un cable coaxial. Adems las sondas son
aisladas elctricamente por medio de un tubo de bronce, y se las asla elctricamente del
plasma por medio de un tubo de vidrio que encierra al tubo de bronce y la espira.

La colocacin de las mismas en el sistema de medicin se realiza como se muestra en


la 1.15-a y 1.15-b por medio de soportes que permiten regular su posicin manteniendo a la
vez el cierre hermtico de la cmara de descarga. [KNO05] [GON04]

(a)

Sonda de Medicin
(b)

Fig. 1.15 Ubicaciones tpicas de las sondas de medicin en equipos tipo


Mather

21
I. INTRODUCCIN

I.1.6. Aplicaciones de los equipos Plasma Focus


Las posibles aplicaciones para la radiacin producida por los equipos Plasma Focus
son diversas. Bsicamente con estos dispositivos se tiene una fuente de neutrones y rayos X
innovadora por ser portable, compacta, de bajo costo y de naturaleza pulsada. Como todo
equipo productor de radiacin que no usa fuentes radiactivas, no emiten radiacin mientras
estn apagados, por lo que no es necesario blindarlos o tener especiales precauciones con ellos
mientras no se usan. Adems, como los pulsos son ultracortos, para energas bajas del banco
no son necesarios cuidados especiales en la operacin, ya que las dosis por pulso son muy
bajas.

Los componentes de mayor costo son los capacitores y la fuente de alta tensin. El
costo total de un Plasma Focus de energa del orden de los kJ ronda en U$S 40000, el mismo
representa una alternativa vlida frente a otras fuentes como aceleradores o equipos de rayos X
convencionales.

Entre las numerosas aplicaciones desarrolladas y en proceso de desarrollo para los


equipos PF, mencionar las que mayor auge tienen en el pas.

I.1.6.1. Radiografa y Defectoscopa

Adems de las ya mencionadas y ampliamente comprobadas aplicaciones de los PF


como fuentes de rayos-X para radiografas de objetos metlicos estticos y en movimiento
[RAS04] [MOR06] [RAS07], se abren campos a reas como la defectoscopa. [VEN01]
[MOR02]

Fig. 1.16 Dispositivo desarrollado para toma de radiografa de varios ngulos.


Fuente: [MOR02]

Como se observa en la Fig. 1.16 se ubica a una distancia conveniente la pieza a


estudiar entre el emisor de rayos-X, en este caso el PF, y la pelcula radiogrfica, sobre un
plateau capaz de rotar sobre su eje.

De esta forma se obtienen secuencias de imgenes como las que se puede observar en
la Fig. 1.17, que posteriormente tratadas por un software desarrollado para tal fin, permite su

22
I. INTRODUCCIN
reconstruccin como un slido 3D para su posterior visualizacin desde cualquier ngulo
deseado y anlisis de fallas.

Fig. 1.17 Toma radiogrfica desde varios ngulos de un conector BNC de


acero inoxidable. Fuente: [VEN01]

I.1.6.2. Tratamiento de superficies por choque trmico

Actualmente en el laboratorio de superficies del Instituto de Fsica de la Universidad de


Rosario se est investigando en el uso de dispositivos Plasma Focus para el tratamiento
superficial de materiales. Esto consiste en utilizar el efecto de choque trmico provocado por
la incidencia de haces de plasmas altamente energticos, focalizados y de corta duracin, sobre
superficies metlicas. La finalidad de estas investigaciones es introducir algunas mejoras en
las propiedades mecnicas superficiales de distintos aceros, como puede ser aumentar la
resistencia al desgaste, reducir la friccin y aumentar su microdureza.

Tambin pueden encontrarse trabajos en el marco de cooperacin argentino-chilena


(CNEA, PLADEMA, CCHEN) sobre el desarrollo de equipos PF optimizados para el
tratamiento de superficies por choque trmico. [SYL01]

I.1.6.3. Detector no intrusivo de sustancias de bajo peso atmico

La deteccin de sustancias prescindiendo de la extraccin y posterior anlisis de


muestras o la introduccin de sondas u otros instrumentos de medicin, es de indudable inters
en numerosos campos de aplicacin, tales como la seguridad (deteccin de explosivos en
aeropuertos o zonas controladas), agroindustria (deteccin de humedad en semillas o suelos) y
minera (prospeccin de petrleo), entre otras.

Conceptualmente el mtodo consiste en emitir un pulso de neutrones empleando un


Plasma Focus ubicado en las cercanas de la regin que se desea explorar, y comparar la
lectura de dos detectores de neutrones.

23
I. INTRODUCCIN

Fig. 1.18 Arreglo experimental para la deteccin de agua mediante pulso de


neutrones. Fuente: [TAR04]

El detector de referencia medir la cantidad de neutrones producidos por el PF en cada


pulso, mientras que el detector de neutrones dispersados solo ser sensible a los neutrones que
interaccionen con la sustancia en cuestin. La comparacin entre las lecturas de ambos
detectores permite determinar si la sustancia en cuestin esta est presente o no, y a qu
distancia se encuentra ubicada y en qu cantidad. Utilizando detectores adecuados, tambin se
puede saber la geometra espacial de la misma.

Actualmente dentro del PLADEMA se encuentra en desarrollo la tecnologa para la


deteccin de agua mediante pulsos de neutrones utilizando un equipo PF como fuente, en la
Fig. 1.18 puede observarse el arreglo experimental utilizado. En este caso se agrega al equipo
sensor de produccin de neutrones, el detector denominado LINA 4 para obtener lecturas de
los neutrones dispersados, este detector no posee cubierta de parafina a fin de no tomar lectura
de los neutrones que son emitidos propiamente del PF, a su vez posee una cubierta de borax,
sustancia rica en boro, que dejando una ventana sin este material solamente en direccin al
objeto a medir, busca evitar la deteccin de neutrones provenientes de direcciones diferentes a
las de dicho objeto. [TAR04]

I.2. Modelado de equipos PF

I.2.1. Antecedentes
El modelado del funcionamiento de un PF comprende tres reas: los estudios sobre la
cinemtica y la lmina de corriente, los estudios de la estructura interna de la lmina, y los
estudios de los mecanismos de calentamiento, emisin y produccin de neutrones y rayos X.
Obviamente cada uno de estos temas est vinculado con los dems, y engloban fenmenos de
gran complejidad.

24
I. INTRODUCCIN
Los trabajos de referencia ms importantes en el rea experimental y sus modelos
asociados pueden encontrarse en [MAT71] [POT71] [BRU76] [VAR76] [DYA80] [BRU92]
[MOR00].

Uno de los temas abiertos a la investigacin es la formacin de la lmina al comienzo


de la descarga, esta etapa no puede ser descripta dentro del contexto magnetohidrodinmico
(MHD). Es aceptada la hiptesis de que una vez formada la lmina estar an en las
proximidades del aislante con una forma similar a este [BRU06] [SYL06]. Se proponen
modelos y anlisis terico-experimentales para alcanzar las condiciones de un plasma de
electrones termalizados, y modelos que resuelven las ecuaciones de continuidad para
electrones e iones junto con la ecuacin de Poisson.

Como puede leerse en varios de los trabajos presentados como bibliografa, con
respecto a la etapa de evolucin axial y/o radial, tambin denominada de barrido, se han
elaborado diversos modelos para describir la dinmica de la lmina de corriente. La mayora
de ellos parten del mismo principio fsico: la lmina de corriente arrastra ionizando al gas que
se encuentra en su camino, y es conocido como hiptesis de barredora de nieve. Su dinmica
resulta entonces del balance entre la presin magntica que la empuja y el impulso cedido a las
partculas barridas.

En los modelos ms simples se realiza un tratamiento unidimensional del problema,


suponiendo una lmina plana, sin espesor ni estructura interna [GON04]. La ecuacin de
movimiento se modela en forma autoconsistente con la ecuacin del circuito elctrico
equivalente de la descarga. Los mismos sirven para predecir satisfactoriamente la dinmica de
la lmina de corriente, con buenos resultados para las velocidades y tiempos transcurridos
entre el inicio de la descarga y la formacin del foco.

Para el caso de los modelos ms sofisticados, como el que se presenta en este trabajo,
el tratamiento es bidimensional, se incluyen hiptesis sobre la estructura interna de la lmina y
tambin se acopla la ecuacin del circuito elctrico. Este tipo de modelos permite conocer la
curvatura y el espesor de la lmina de corriente. Uno de los trabajos de referencia ms citados
es el modelo de Gratton-Vargas [VAR76], donde no se incluye la etapa de formacin, y se
trabaja sin estructura de la lmina, es decir que se la considera de espesor despreciable. Plantea
un modelo que resuelve mediante el mtodo de las caractersticas y permite calcular
analticamente la forma de la lmina de corriente en todo instante con buen acuerdo con los
datos experimentales.

Butler [BUT69] y Potter [POT71] son algunos de los primeros investigadores en tratar
de modelar la estructura interna de la lmina de corriente. Proponen varios modelos que
considerando ecuaciones de balances energticos, los cuales permiten obtener otros
parmetros del plasma como temperatura, densidad y espesor. Butler resuelve un modelo
MHD bidimensional, que describe la cinemtica de la lmina, y da valores medios de
parmetros de su estructura. Potter con un voluminoso trabajo numrico obtiene una
descripcin muy completa de la dinmica de la lmina de corriente, basado en un modelo
bidimensional de dos fluidos (iones y electrones) que incluye resistividad, viscosidad,
conduccin trmica y prdidas por radiacin de frenado. En la misma lnea de Potter cabe citar
tambin a Maxon y Eddleman [MAX78] tambin con un clculo bidimensional donde al igual
que el cdigo de Potter utiliza una viscosidad artificial, que le permite trabajar con grandes
variaciones de los valores de las variables en pocos puntos sin sufrir oscilaciones numricas.

Dentro de los modelos bidimensionales ms recientes, cabe mencionar al de Alessi-


Moreno-Bilbao [ALE02], el cual pone especial nfasis en la correcta cinemtica y forma de la

25
I. INTRODUCCIN
lmina de corriente durante su recorrido en equipos de electrodos cilndricos coaxiales, e
incluye la estimacin de la produccin neutrnica para un equipo en particular.

Cabe aclarar aqu que hasta el momento no se ha encontrado bibliografa sobre


modelos o esquemas de clculo que permitan la incorporacin de geometras cuasi-arbitrarias
de electrodos y aislante, tal como el que se presenta en este trabajo.

I.2.2. Encuadre del modelo propuesto como herramienta de diseo e


ingeniera de equipos PF
La gran variedad de aplicaciones posibles para los PF incrementa la necesidad de
disear y construir nuevos dispositivos, principalmente transportables, y orientados a
satisfacer exigencias de cada aplicacin tecnolgica particular. Es importante contar con
modelos y herramientas que permitan la asistencia en las diferentes etapas de la ingeniera de
estos dispositivos, ya sea conceptual, bsica o de detalle, y que permitan predecir las variables
relevantes en la dinmica y en el comportamiento del PF a construir.

En el pas instituciones tales como el PLADEMA y el INFIP-UBA, pertenecientes al


Programa Interinstitucional de Plasmas Densos, llevan a cabo tareas de desarrollo y
factibilidad de aplicaciones de equipos PF, y desarrollo y validacin de modelos de
produccin de radiacin, realizando sistemticamente experimentos orientados a la obtencin
de nuevos datos mediante diversos equipos PF montados para tal fin, y aprovechando adems
la existencia en bibliografa de una gran cantidad de resultados experimentales.

El desarrollo de modelos unidimensionales, generalmente con parmetros efectivos que


se ajustan con datos experimentales [GON04], se orienta a asistir en la etapa de ingeniera
conceptual de diseo, permitiendo reproducir las tendencias de los resultados con respecto a
variaciones en los parmetros del equipo. Generalmente permiten variar las dimensiones
principales de los electrodos, segn una geometra clsica de acuerdo al tipo de dispositivo, y
predecir el orden de magnitud de la radiacin emitida.

La etapa de ingeniera bsica requiere modelos que incluyan ms detalle que en la


etapa conceptual. Pueden ser bidimensionales y con ms posibilidades de analizar un mayor
nmero de variables. Los resultados son ms precisos y ajustan dentro del error experimental.
Es as que finalizada esta etapa se considera congelado el diseo en sus parmetros
principales. Es hacia esta etapa a la que est orientado el desarrollo del presente trabajo,
adems de pretender cubrir lo requerimientos de una etapa conceptual de diseo.

Finalmente, y para completar la mencin de las diferentes etapas de diseo, en la


ingeniera de detalle slo se introducen modificaciones menores sin cambiar las partes
principales del diseo y se trabaja con clculos detallados para diferentes partes especficas.

Como se mencion, el PLADEMA est abocado al desarrollo de los equipos PF desde


un punto de vista ingenieril de la optimizacin de fuentes pulsadas de radiacin, orientadas a
una determinada aplicacin. Entonces para estos usos, se hace necesario comenzar el
desarrollo con una etapa conceptual. Esta etapa, acompaada de una programacin sistemtica
de mediciones experimentales, permite validar los resultados obtenidos.

Si bien se tienen como antecedentes varios modelos bidimensionales como los que se
mencionaron en la seccin anterior, se pretende distinguir el propuesto con caractersticas tales
como la posibilidad de disear arbitrariamente geometras de los componentes, un conjunto de
ecuaciones gobernantes que sea simple y orientado hacia una descripcin macroscpica del

26
I. INTRODUCCIN
evento, pero aun as logrando ajustes satisfactorios a los valores experimentales medidos, y
con una integracin a otro conjunto de herramientas que conformen el pretendido sistema de
diseo asistido por computadora. Un sistema de este tipo deber conservar una alta
performance de clculo y velocidad de convergencia, y no introducir parmetros de ajuste que
acten en la fsica bsica del problema, tal como la viscosidad y la eficiencia de barrido, que
comnmente se introducen para asegurar la convergencia hacia una solucin.

I.3. Objetivos del trabajo


El objetivo general del presente trabajo es el desarrollo de un modelo que describa la
dinmica de equipos PF a nivel de ingeniera conceptual y bsica, orientado al diseo
conceptual. Se pretende conformar un sistema de diseo asistido por computadora para la
ingeniera de dispositivos focalizadores de plasma (PF). Esto se lograr en la medida que se
alcancen varios objetivos particulares.

Por un lado se propone establecer una plataforma de desarrollo de simuladores de PF


que requieran discretizacin espacial variable, con cdigo eficiente, y estructuras de datos
adecuadas, utilizando tecnologas de Orientacin a Objetos para aprovechar todo su potencial
de flexibilidad, mantenibilidad, modificabilidad y reutilizacin de componentes. Se pretende
calcular las variables globales (corriente, tiempo al foco, inductancia del can acelerador de
plasma, etc.) y estimar la produccin neutrnica en cada pulso para equipos usados con gas de
Deuterio.

Por otro lado, se propone desarrollar un modelo bidimensional de Plasma Focus que
deber describir correctamente la cinemtica de la lmina de plasma desde su recorrido desde
la base del can coaxial hacia el desborde en el extremo del nodo, previo al pinch,
permitiendo estudiar la evolucin del estado durante su movimiento y los valores de las
magnitudes fsicas con que llega el pinch, de manera que sirvan de entrada al modelo de
clculo de produccin neutrnica.

Por ltimo se propone desarrollar herramientas grficas que permitan realizar el diseo
CAD en la computadora de las diferentes geometras de los componentes de un PF, y tomar
los resultados de las simulaciones para generar animaciones y reconstrucciones
tridimensionales de la cinemtica de la lmina de corriente y la geometra del PF.

27
CAPITULO II.

MODELO MATEMTICO
COMPUTACIONAL DE UN
PLASMA FOCUS CON
DISCRETIZACIN ESPACIAL
Utilizando la arquitectura DSim desarrollada como parte del presente trabajo, y
descripta en el Anexo A.1, se utiliz su potencial para desarrollar el simulador de dispositivos
Plasma Focus, que llamamos CShock. Dicha arquitectura, tal como fue concebida, result
propicia para el desarrollo de este simulador ya que un caso tpico de onda de choque es el que
encontramos en la lmina de corriente de los dispositivos plasma focus, por ello el desarrollo
de un simulador de estos dispositivos resulta un caso de aplicacin de la arquitectura
propuesta.

La simulacin de los dispositivos PF resulta de gran utilidad, por cuanto se intenta


detectar y lograr los parmetros que optimizan el diseo de los mismos en cuanto a la
produccin de neutrones y/o de rayos-X, abaratando los costos y acortando los tiempos de
pruebas y desarrollo.

Uno de los fenmenos fsicos, complejos en cuanto a su modelado, es el movimiento


de la lmina de corriente en el can coaxial. Esta lmina es una onda de choque que avanza a
velocidades hipersnicas, que va deformndose durante el avance, lo que llev a proponer un
modelo basado en la discretizacin espacial lagrangiana de la misma. De esta manera, no se
discretiza el espacio con una grilla fija (discretizacin euleriana), sino que la misma lmina se
divide en elementos que van cambiando su tamao durante la evolucin temporal.

28
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

II.1. Descripcin del modelo matemtico


El movimiento de la lmina de corriente presenta un desafo para el modelista ya que
durante su desplazamiento desde la base hacia el extremo del dispositivo sta se estira y
deforma de acuerdo a la forma de los electrodos y las fuerzas que actan sobre ella. Se logra
simplificar la representacin de dicha lmina mediante la utilizacin de una discretizacin
espacial, discretizando su forma con segmentos cnicos (Fig. 2.1). Para ello se implementan
los algoritmos necesarios para mantener la cohesin de los segmentos, y las ecuaciones que
describen el movimiento de cada uno mediante el clculo de las fuerzas que sobre cada uno se
ejerce.

Como hiptesis se supone que todos los eventos que se suceden tienen simetra
azimutal, por lo que en realidad no es necesario describir los sucesos en 3 dimensiones, sino
que puede imaginarse un corte transversal del dispositivo, tal como el mostrado en la Fig. 1.2,
donde se observa el eje de simetra y el sistema de coordenadas bidimensionales utilizado
segn la hiptesis mencionada. Con esto llevamos las ecuaciones a dos dimensiones, radial r
y axial z.

II.1.1. Representacin de geometras mediante discretizaciones


espaciales

II.1.1.1. De los electrodos y el aislante

Parte del inters de desarrollar un simulador, reside en experimentar numricamente


con diferentes configuraciones de dispositivos. Para ello el simulador debe permitir establecer
geometras arbitrarias para los electrodos (nodo y ctodo) y para el aislante.

Para lograr esta flexibilidad se modelaron los electrodos y el aislante con una
discretizacin espacial, mediante segmentos cnicos, que representan elementos cuyas
propiedades son la conductividad elctrica y su forma geomtrica. En la Fig. 2.1-a se observa
una disposicin geomtrica convencional, y en la Fig. 2.1-b una no convencional que se
representa en el simulador mediante una discretizacin espacial, en este caso se pueden ver los
puntos que son uniones de los segmentos que discretizan los electrodos y el aislante. Cuando
se menciona que se representan mediante segmentos cnicos, se debe tener en cuenta que si
bien mostramos un corte transversal (bidimensional) del dispositivo, los clculos y
discretizaciones toman en cuenta las tres dimensiones del dispositivo, que bajo la hiptesis de
simetra mencionada, resulta de la revolucin sobre el eje de cada elemento discreto.

29
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

a)

b)
Fig. 2.1 -a) Geometra de un dispositivo convencional tipo Mather.
b) Geometra de un dispositivo no convencional representada mediante discretizacin.

Para comprender mejor esto, la Fig. 2.2-a muestra la vista 3D del nodo y aislante
correspondiente al perfil mostrado en la Fig. 2.1-a de un dispositivo convencional, las Figs.
2.2-b y 2.2-c muestran la vista 3D del nodo y aislante correspondiente al perfil mostrado en la
Fig. 10-b de un dispositivo de geometra no convencional.

a) b)

c)
Fig. 2.2 a) Vista 3D superior del nodo, aislante y base del dispositivo cuyo perfil es la Fig. 2.1-a.
b) Vista 3D superior del nodo, aislante y base del dispositivo cuyo perfil es la Fig. 2.1-b.
c) Vista 3D de perfil de la representacin del dispositivo mencionado.

30
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
Como se detallar ms adelante la reconstruccin tridimensional de las formas
representadas en el simulador, que se han visto y vern en el presente informe, ya sean
estticas o dinmicas, se realizan mediante aplicaciones desarrolladas como parte del presente
trabajo.

II.1.1.2. Modelo de la lmina de corriente

El movimiento y forma de la lmina de corriente tambin pueden ser modelados con


una discretizacin espacial de la misma. La lmina es representada por segmentos cnicos
acoplados (Fig. 2.3 y 2.4) con variables de estado asociadas, como se detallar a continuacin.

CATODO

b)

EJE DE SIMET RIA

ANODO

a)

Fig. 2.3 a) Vista superior del dispositivo y la lmina de corriente (en segmentos cnicos)
b) Vista de lado de un corte transversal, se observan los segmentos que representa a
cada seccin de la lmina de corriente (la correspondencia se representa con una lnea punteada).

En la Fig. 2.4 se observa una reconstruccin 3D del dispositivo GN1(*), la lmina de


corriente se ve en tono rojizo. Para reflejar mejor las discretizaciones utilizadas en la
simulacin, se superpuso una lnea roja, otra azul y otra verde, que representan al ctodo,
nodo y aislante respectivamente tal como el modelo bidimensional los representa. Se muestra
en color negro la discretizacin espacial de la lmina de corriente en segmentos, y con puntos
rojos las uniones entre estos segmentos.

(*)
INFIP, UBA.

31
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

a) b)

Fig. 2.4 a) Reconstruccin 3D de un dispositivo simulado, se observan los diferentes elementos que discretizan a
los electrodos, aislante y lmina.
b) Ampliacin del rea de la lmina de corriente, se observa la discretizacin con segmentos y las uniones entre
stos (slo ilustrativo, en la simulacin se utilizan densidades de 1 a 4 segmentos por mm para la discretizacin).

Los segmentos de lmina llevan la


informacin de las variables de estado mecnicas
y termodinmicas: masa, posicin, velocidad,
densidad y energa interna. Como es parte de una
onda de choque ionizante, cada segmento se
mueve normal a su superficie (Fig.14) acelerado vi
por la fuerza de Lorentz de acuerdo a: li

d ( M iVi ) o li 2
= I ( 1)
dt 4 ri

Durante el movimiento de la lmina, cada


segmento que la conforma acumula la masa del
gas que va arrastrando, de acuerdo a la hiptesis Fig. 2.5 Representacin del desplazamiento de la
de barredora de nieve [MOR00] [CAS05]. La lmina y los segmentos que la representan.
variacin temporal de la masa de un segmento es
entonces:

dM i
= o AiVi (2)
dt

A su vez, los elementos del contorno externo tienen la posibilidad de perder masa
por expulsin del plasma a travs del nodo, que se supone enrejado o barrado como son las
configuraciones ms usuales.

Cada segmento se desplazar en direccin a su normal de acuerdo a:

dxi
= Vi (3)
dt

32
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

II.1.1.2.1. Algoritmo de tracking y reestructuracin de la lmina de corriente

Se desarroll un algoritmo de tracking y re-estructuracin de elementos discretos. Este


algoritmo se ejecuta en cada paso de tiempo, luego de calcular el avance independiente de
cada segmento de lmina, y consta de varias estrategias que pretenden resolver diferentes
aspectos que de no tratarse llevaran a la prdida de representatividad de la discretizacin.

A continuacin se enumeran los diferentes problemas que llevan a la necesidad de


tener tal algoritmo, y las estrategias que se eligieron implementar en cada caso.

II.1.1.2.1.1. Prdida de cohesin de la lmina discretizada

Dado que cada segmento de lmina siguiendo la direccin de su normal, si se aplicara


el movimiento a cada uno en forma independiente, cada uno quedara desacoplado de su
vecino, perdiendo la cohesin necesaria para mantener la representatividad de la lmina (Fig.
2.5).

En este punto debe mencionarse que se realizaron numerosas pruebas con diferentes
estrategias, siempre buscando modificar de la menor manera posible la posicin calculada de
cada nuevo segmento. Luego de estas pruebas se lleg a la conclusin que el mejor
comportamiento se obtena aplicando la siguiente estrategia que mantiene en todo momento la
cohesin en la lmina:

1) Calcular el desplazamiento que debera tener cada elemento respecto a su


normal de acuerdo a las ecuaciones de movimiento (flechas punteadas en la Fig.
2.5).

2) Desplazar los nodos (uniones entre segmentos) de acuerdo a un nuevo vector


calculado como el promedio de los desplazamientos de los dos elementos
adyacentes.

II.1.1.2.1.2. Inestabilidades geomtricas

Una vez solucionado el punto anterior se obtiene un conjunto de segmentos acoplados.


Sin embargo, como resultado del movimiento los segmentos varan de tamao, llevando a
representaciones con segmentos que difieren bastante en las longitudes entre ellos. Este efecto
puede producir inestabilidades geomtricas locales a medida que avanza la simulacin.

Para evitar este problema, nuevamente se probaron diferentes estrategias. Se vio que
reestructurar la lmina en cada paso de tiempo, llevando a todos los segmentos a una misma
longitud patrn, introduca un error apreciable en la posicin calculada de la lmina. Se
probaron luego estrategias que aplican reestructuraciones globales o locales al superarse cierto
umbral preestablecido. Como consecuencia se selecciona la estrategia que menor error
introduce a la posicin de la lmina previa a la reestructuracin. Para ello el usuario en la
interfaz de configuracin del simulador puede ingresar un valor de densidad deseada de
segmentos por unidad de longitud, que en cada paso de tiempo, conocida la longitud total de la
representacin de la lmina en ese instante, determina la cantidad linew que representa la
longitud patrn deseada de un segmento de lmina en particular. As se establece esta medida
que regir los criterios de unin o divisin de segmentos en ese paso de tiempo. Teniendo esto
en cuenta, se implementa la siguiente estrategia:

33
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

Si la longitud del segmento i es menor que el factor lmin (cuyo valor utilizado es
de 0,5) de linew, o sea menor a lmin*linew , entonces unir el segmento i con el
vecino de menor longitud. Para ello si los nodos del segmento i son (i0, i1) y los
nodos del vecino k de menor longitud son (k0 ,k1) entonces se reemplaza los
segmentos i y k por un nuevo segmento m cuyos nodos sern (i0 , k1). Y cuyos
valores iniciales de las variables de estado sern:

Masa m = Masai + Masa k (4)

(Velocidad i * Masai ) + (Velocidad k * Masa k )


Velocidad m = (5)
Masai + Masa k

EnergiaInterna m = EnergiaInternai + EnergiaInterna k (6)

Si la longitud del segmento i es mayor que un factor lmax (cuyo valor utilizado
es de 2) de linew , o sea si es mayor que lmax* linew , entonces se divide el dicho
segmento en dos. De esta forma si los nodos del segmento i eran (i0, i1), se
reemplaza el segmento i por dos nuevos segmentos k y m con nodos (i0,
(i0+i1)/2) y ( (i0+i1)/2, i1) respectivamente. Las variables de estado de los
nuevos segmentos tomarn los valores iniciales de acuerdo a los siguientes
clculos:

2
i +i
long = i + 0 1
2
0 (7)
2

Al dividir el segmento i en el punto medio la longitud long ser la misma para


los dos nuevos segmentos.

i +i
i0 + 0 1
RadioMedio k = 2 (8)
2

i +i
i1 + 0 1
RadioMediom = 2 (9)
2

Superficiek = 2 * RadioMediok * long (10)

Superficiem = 2 * RadioMediom * long (11)

Recordando que cada segmento es un disco cnico (Fig. 2.3), la superficie de


dichos discos aumenta con el radio.

34
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

Masai * Superficiek
Masa k = (12)
Superficiek + Superficiem

Masai * Superficiem
Masa m = (13)
Superficiek + Superficiem

Velocidad m = Velocidad k = Velocidad i (14)

EnergaInternai * Superficiek
EnergaInterna k = (15)
Superficiek + Superficiem

EnergaInternai * Superficiem
EnergaInterna m = (16)
Superficiek + Superficiem

II.1.1.2.1.3. Concavidades en la representacin de la lmina

A raz de la geometra inicial del aislante, que ser la adoptada por la lmina en el
comienzo, y de los errores numricos y geomtricos propios del clculo, es comn encontrar
que algn segmento de lmina se retrasa respecto a sus vecinos, mostrando situaciones como
la de la Fig. 2.6. [CAS07].

Figura 2.6. Nodo retrasado formando una concavidad y su


correccin.

Estas situaciones se dan tanto por problemas numricos, como por problemas
ocasionados con la forma del aislante. Esto es as ya que la lmina en el instante inicial, segn
las hiptesis mencionadas, toma la forma del aislante, y ste si contiene puntos angulosos,
determina una irregularidad en la representacin que en determinadas circunstancias se
propaga y aumenta formando las concavidades mencionadas.

Se verifica entonces la existencia de estas situaciones, para ello se recorren los


segmentos y se identifica, si existiera, el nodo (unin de dos segmentos) retrasado que produjo
la concavidad. Se corrige la posicin del nodo retrasado, para ello se lo adelanta hasta

35
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
equiparar la posicin de sus vecinos (Figura 2.6). Esta correccin debe acompaarse con el
incremento correspondiente de masa barrida. Con esto ltimo se conserva la masa del sistema,
pero se pierde la conservacin de momento y energa. Sin embargo, las desviaciones
acumuladas hasta el pinch son muy pequeas (< 0,9 %).

Como se mencion, la forma del aislante influye en la generacin y propagacin de


puntos de concavidad. Se verifica una disminucin de la generacin y propagacin de
concavidades si el aislante no posee puntos angulosos, esto es, si posee formas redondeadas. A
modo de ejemplo se muestran las Figs. 2.7-a, b y c.

(a) (b)

(c)
Figura 2.7. a y b) Diseo en el Editor de Geometras PF de un aislante con formas redondeadas.
c) Forma de la lmina de corriente en los instantes iniciales de la simulacin

36
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
II.1.1.2.1.4. Comportamiento de los segmentos que interactan con los electrodos

Una vez realizados los pasos descriptos, se debe tener en consideracin dos casos
especiales: el segmento de lmina ms exterior (el ms cercano al electrodo externo) y el ms
interno (el que toca al electrodo interno).

Para el primer caso se tiene en cuenta que se representan dispositivos cuyo electrodo
externo no es un slido cerrado sino barras por las que se expulsa masa de la lmina durante
su recorrido (este fenmeno fue observado experimentalmente). Luego de calcularse la nueva
posicin del segmento de lmina ms exterior, puede ocurrir que ste tenga o no interseccin
con el electrodo externo:

Si tiene interseccin, se corta el segmento en dicha interseccin y se elimina lo


que quede fuera del electrodo externo, de forma que la masa, momento y energa
interna total de la lmina disminuir.

Si no tiene interseccin se prolongar este segmento hasta encontrar el


electrodo.

Para el segundo caso, el segmento ms interno puede despegarse del nodo en un


paso de tiempo, debindose tomar alguna accin para mantener la representatividad de la
lmina. En la Fig. 2.8-a se observa tal caso, con la forma de la lmina en el tiempo t y luego de
su avance en el tiempo t +t.

Luego de probar varias estrategias, se encontr que la que mantiene una mejor
concordancia con la forma y posicin de lmina observadas experimentalmente es calcular la
longitud media entre la posicin del segmento ms interno en el tiempo t y t+t, luego
proyectar dicha longitud sobre el electrodo interno, y tomar este punto como punto de
interseccin entre el segmento de lmina y el electrodo interno. Esta solucin se observa en la
Fig. 2.8-b.

t t + t t t + t
Long.
media

a) b)

Fig.2.8 a) La lmina al avanzar se despega del electrodo.


b) Solucin al problema proyectando sobre el electrodo la longitud media entre los segmentos.

II.1.2. Spark-Gap y formacin de la lmina de corriente


La etapa de rompimiento dielctrico tiene un impacto significativo en la cinemtica de
la lmina de corriente, ya que es responsable de establecer las condiciones iniciales del
proceso de aceleracin.

37
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
La formacin de la lmina es un fenmeno complejo que comprende varios procesos
fsicos que ocurren cuando se cierra el circuito. En los dispositivos de descarga tales como el
plasma focus, hay dos puntos donde se produce un rompimiento dielctrico del gas: el spark-
gap y la capa que rodea al aislante en el can coaxial (lugar donde se forma la lmina de
corriente).

II.1.2.1. Modelo de Resistencia Efectiva

El proceso de ionizacin que ocurre sobre el aislante anular en la base del can puede
ser modelado imponiendo un perodo de incubacin previo a que la lmina de plasma est
completamente formada y lista para comenzar a moverse. Un modelo simple de este proceso
es una resistencia disipadora efectiva, que acumula energa interna a una tasa proporcional al
cuadrado de la corriente. De esta manera se considera que la lmina comienza su movimiento
cuando la energa interna alcanza el valor requerido para ionizar el 80 % de la masa del gas
contenida en una capa delgada efectiva pegada al aislante, por ejemplo la energa de
ionizacin del deuterio es 13,6 eV, por lo que cuando la energa interna supera los 10,88 eV se
considera formada la lmina y comienza su movimiento. La resistencia elctrica de la lmina
parcialmente ionizada se asume como:

ep
Rion = Ro 1 (17)
e ion

y la energa interna especfica de la capa, e, se incrementa por disipacin hmica, o


sea:

d (eM )
= Rion I 2 (18)
dt

En esta instancia el spark-gap fue modelado como una resistencia constante, Rsparkgap,
que acta durante un perodo de switch (perodo de cierre del circuito) sg .

Rsparkgap t < sg
Rsg = (19)
0 t >= sg

Como se ver en el captulo de validacin, se realizaron pruebas de ajuste a


experimentos utilizando este modelo, obteniendo resultados muy satisfactorios. [COR00]
[MOR03]

II.1.2.2. Modelo de Cada de Tensin

Posteriormente se dejaron de lado los modelos de resistencias efectivas, y se describe


al spark-gap y las etapas iniciales mediante una ecuacin ms realista, que muestra buenos
resultados prediciendo la respuesta elctrica de esta clase de componente [BRU89] [CAS05].
La cada de potencial en el spark-gap Vsg se describe mediante la siguiente funcin:

38
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

V0 1 + e t0
Vsg (t ) = ( t t0 ) (20)
1+ e
donde y t0 son parmetros caractersticos que pueden depender de la presin de
llenado y la geometra del can, ya que reflejan la interaccin entre el rompimiento
dielctrico del spark gap y el rompimiento dielctrico sobre el aislante. A t0 generalmente se lo
llama instante de cierre de la llave. Ms adelante se mostrarn valores tpicos de estos
parmetros para cada equipo ajustado, y la sensibilidad a sus valores.

Ambos modelos fueron incluidos en la ecuacin general del circuito, para su posterior
prueba en la etapa de ajustes. No se pretende utilizarlos en forma conjunta es por ello que
cuando se decide utilizar el modelo de resistencias efectivas se ponen valores iniciales de
grandes y t0=0, y por el contrario cuando se quiere utilizar el modelo de cada de tensin se
utilizan valores iniciales de Rsg=0 y R0=0.

II.1.3. Ecuaciones del Circuito Elctrico


Desde el punto de vista elctrico, el equipo PF es representado como una inductancia
variable (can de plasma) acoplada en serie con un circuito RLC, un esquema de ste puede
verse en la Fig. 2.9.

Spark Gap Lc

Lext Rext
Fig. 2.9 Esquema del circuito RLC que representa elctricamente al
dispositivo

Las ecuaciones correspondientes son las de un circuito RLC tpico:

d
[(Lext + Lc )I ] + (Rext + Rion + Rsg )I + Q = Vsg (t ) (21)
dt C

dQ
=I (22)
dt

39
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
II.1.3.1. Inductancia Variable en el Can de Plasma

La inductancia del can corresponde a la de una geometra coaxial con radio variable.

Su clculo numrico resulta de cuantificar la contribucin de elementos del espacio


interelectrdico posterior a una posicin dada de la lmina de corriente, como puede
observarse en la Fig. 2.10.

rmax
le

rmin
Fig. 2.10 Elementos para el clculo de la inductancia del can de plasma. Se observa en detalle
lnea azul punteada que es la aproximacin de un elemento a la forma de la lmina en ese lugar,
tomando el radio medio.

Tpicamente la cantidad de elementos en los que se divide este espacio es de


aproximadamente 250 por centmetro de longitud del eje del can. Obviamente a partir de
cierto valor se obtiene una convergencia numrica hacia un valor de inductancia que hace
superfluo continuar aumentando el nmero de elementos de clculo. Sin embargo, debe
tenerse en cuenta que si bien para el can de la Fig. 2.10 resulta intil dividir en elementos el
espacio interelectrdico posterior al punto en que la lmina de corriente hace contacto con el
electrodo externo (ya que se trata de una cmara con electrodos cilndricos concntricos) un
objetivo de este trabajo es que la simulacin pueda efectuarse sobre dispositivos no
convencionales, tal como el mostrado en las Figs. 2.1-b y 2.2-b., donde s es necesaria la
discretizacin espacial en elementos de inductancia.

La contribucin a la inductancia de cada elemento visto en la Fig. 2.10 es calculada


como:

o r
Li = le ln max (23)
2 rmin

Donde rmax y rmin son el radio media externo e interno respectivamente, de un elemento
de inductancia, como se mencion este radio medio puede ser el correspondiente a un
electrodo o a la lmina de corriente, comprendidos en el elemento de inductancia.

La inductancia total del can ser la suma de todas las contribuciones elementales,
siendo N la cantidad de elementos de inductancia.

N
Lc = Li (24)
i =1

40
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL
El clculo de la inductancia tiene lugar en cada paso de tiempo, por lo que la
implementacin eficiente del mtodo descripto resulta importante para el desempeo final del
simulador.

Este modelo relativamente simple para el clculo de inductancia, como se ver en el


captulo de validacin, arroja resultados y tendencias sorprendentemente ajustadas a los
valores medidos experimentalmente.

II.1.4. Balance Energtico

La ecuacin general de energa descompuesta en los diferentes trminos es la siguiente:

E0 = Ecap + Emag + ER + Einti + Ecini + Elost (25)

Donde E0 en el instante inicial ser igual a la energa inicial del banco de


capacitores (Ecap). A continuacin se detallar cada trmino de la ecuacin:

Ecap : Energa del banco de capacitores.

1 Q2
Ecap = (26)
2 C

Emag : Energa magntica, estar en funcin de la inductancia total.

1
Emag = ( Lext + Lc ) I 2 (27)
2

ER : Energa cintica del elemento i.

t
E R = I 2 Rext .dt (28)
0

Einti : Energa interna del elemento i. Durante el movimiento de la lmina, la


variacin de energa interna de cada elemento de plasma puede ser
modelada escribiendo el balance energtico local de cada elemento en
sistema de referencia donde el elemento est en reposo. En este caso, el
elemento ve un flujo de gas que viene a una velocidad Vi, el cual le
transfiere toda su energa cintica al elemento cuando es detenido por el
frente de choque de la lmina.

dE int i 1 dM i
= Vi 2 (29)
dt 2 dt

Ecini : Energa cintica del elemento i.

41
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

1 2
Ecini = M iVi (30)
2

Elost : Como se mencion, generalmente el ctodo tiene la forma de barras o


enrejados, por que no es cerrado y por lo tanto hay masa de la lmina de
corriente que escapa a travs de l hacia el exterior del can acelerador.
Debido a esto habr elementos de la lmina de corriente que escapan
ms all del ctodo por lo que consideramos dejan de formar parte de
dicha lmina. Sin embargo, dichos elementos llevan consigo una cierta
energa interna y cintica adquiridas hasta el momento. La energa
perdida Elost representa la acumulacin de la energa interna y cintica de
dichos elementos que escaparon. Este valor se acumula en Elost de modo
de mantener la conservacin en el clculo de la energa total.

II.1.5. Espesor de la Lmina de Plasma


Se considera que la lmina tiene un cierto ancho (espesor) con una densidad de masa
L y por delante de este espesor se encuentra el gas que aun no se ha barrido con una
densidad igual a la inicial de carga 0. Debido a que se trata de una onda de choque
hipersnica, la densidad del gas delante de la lmina no se ve afectada por el movimiento de la
lmina hasta tanto no choca con sta.

Si bien la hiptesis de barredora de nieve supone una lmina de corriente delgada, de


espesor ignorable [VAR76], se propone a fin de poder calcular apropiadamente la posicin del
pinch y poder acoplar este modelo a los de clculo de produccin neutrnica, considerar una
relacin constante entre la densidad de la lmina y la del gas estancado, es decir:

L = Ke 0 (31)

Se considerar que un segmento de lmina llega al pinch cuando su posicin actual


sumada a su espesor alcanza el eje de simetra.

As el espesor Si del segmento de lmina i en el pinch se calcula como:

Mi
Si = (32)
L li

Donde Si es en ese momento el radio del cilindro formado en el pinch.

42
II. MODELO MATEMTICO COMPUTACIONAL DE UN P.F. CON DISCRETIZACIN ESPACIAL

II.1.6. Produccin Neutrnica


Para el clculo de la cantidad de neutrones producidos durante el foco, se utiliza un
modelo algebraico basado en [MOR00]. En nuestro caso calculamos la produccin de
neutrones en un pinch con las propiedades del primer segmento de la lmina de plasma que
llega a la posicin del foco.

Consideramos que un segmento llega al foco cuando, sumando su espesor a su posicin


actual, se alcanza al eje de simetra del sistema.

La densidad lineal de neutrones debido al segmento de lmina i es [MOR00]:

19 1
2 *2 B 3
1 0 3M d < v > B 6 *e
y= * * *I4 *
128 4 kT *
5
( ) RB (33)

Donde:

0 J m3 J
= 10 7 < v > * = 3,31.10 23 k = 1,38 .10 23 o
4 mA
2
s K

3
T 4
[ ]
T * = 7.65 * 1010 o K M d = 3.34 * 10 27 [kg ] R B = S i . 0
TB

TB 1 0 M d 2
B = TB = I
T* k 16 .mi

y es un parmetro adimensional de ajuste.

En el Anexo A.3 puede verse en detalle el desarrollo que lleva a obtener la expresin
para calcular y (ecuacin 33).

Como se mencion debido a la arquitectura de desarrollo utilizada es simple la


implementacin de diferentes modelos de produccin, o la implementacin de varios modelos
en simultneo para realizar comparaciones.

43
CAPITULO III.

IMPLEMENTACIN
COMPUTACIONAL

En este captulo se describir en detalle la implementacin computacional del


simulador CShock que utiliza el modelo descripto, basado en la Arquitectura DSim detallada
en el Anexo A.1.

Se describirn adems el resto de las herramientas desarrolladas que conforman el


sistema de diseo asistido por computadora para la ingeniera de dispositivos PF.

III.1. Diseo de la jerarqua de clases del Simulador


En el Anexo A.2 puede observarse la jerarqua de clases completa del simulador,
mostrndose adems las clases base de la arquitectura DSim, y las extendidas para la
implementacin del simulador CShock.

Para la visualizacin de las jerarquas de clases se utilizan diagramas UML [LAR98].


Se muestran en color verde las clases base de la arquitectura DSim, y en amarillo las clases
extendidas para la implementacin del simulador CShock.

44
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

III.1.1. Representacin del dispositivo y de los elementos que lo


componen
A continuacin se muestra el diagrama de clases que se especializaron en el
componente Model para representar los diferentes elementos a simular del dispositivo.

Como se describe en el Anexo A.1, la clase SimModel representa a aquellas clases que
tendrn asociado un modelo matemtico en la simulacin.

La clase FusionDevice, hereda de SimModel ya que posee ecuaciones que definen su


estado a lo largo de la simulacin, representa al dispositivo completo, y sus propiedades
denotan caractersticas propias de todo el dispositivo como por ejemplo, la corriente elctrica
y la energa interna total. Est compuesto por dos clases, Cannon y ExternalCircuit. El primero
representa al can acelerador de plasma del dispositivo, hereda de Model ya que el can en
si no posee ecuaciones dependientes del estado de la simulacin para definir su
comportamiento puesto que no varia en toda la simulacin.

La clase ExternalCircuit que tambin hereda de SimModel, tendr asociadas ecuaciones


para definir su estado durante la simulacin, representa todo el circuito elctrico externo. Si
bien este circuito externo se podra haber dividido en el banco de capacitores y la llave spark

45
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
gap, se decidi que esta divisin no aportaba algo a la solucin del problema y, por lo tanto, se
lo consider todo como parte del circuito elctrico externo.

El can del dispositivo esta compuesto fsicamente por dos electrodos y un aislante.
Por lo tanto Cannon est compuesto por dos electrodos (clase Electrode) y un aislante (clase
Discretization). Para los electrodos se especializ la clase Discretization, ya que era necesario
poder agregarle propiedades especficas de stos, mientras que para representar el aislante se
utiliz la misma clase Discretization.

El can, cuando el dispositivo es disparado, contiene tambin la lmina de corriente


que se mueve en el espacio interelectrdico, por lo tanto la lmina tambin se considera parte
del mismo.

La lmina de corriente es representada por la clase PlasmaSheath, como era de esperar


es una de las partes ms importantes. Hereda de Discretization ya que fue modelada como una
discretizacin mediante segmentos cnicos como se mencion en la descripcin del modelo
utilizado, se especializaron los segmentos genricos heredando de Segment en una clase que
llamamos PlasmaSegment. Esta ltima clase deriva de SimModel, ya que la lmina no se
mueve por s sola, sino son los elementos por los cuales esta compuesta los que lo hacen
gobernados por un conjunto de ecuaciones.

III.2. Representacin de las Ecuaciones del Modelo


Las clases que heredan de SimModel, pueden estar compuestas por otras del tipo
Equation posibilitando la representacin y clculo de sus ecuaciones durante la simulacin.

46
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
Como se mencion, las clases que tienen asociadas un conjunto de ecuaciones como parte de
sus modelos son PlasmaSegment, FusionDevice y ExternalCircuit.

A continuacin se muestran las clases heredadas.

EQFusionDevice es la clase que implementa las ecuaciones correspondientes al


FusionDevice. stas son el clculo de la nueva energa interna (funcin NewEnergy), y el
clculo del nuevo valor de J donde J representa a J = (Lext + Lc )I . (funcin NewJ).

EQPlasmaSegment es la clase correspondiente a las ecuaciones de cada uno de los


segmentos que componen la lmina de corriente. Calcula el nuevo avance con la funcin
NewAdvance y el nuevo momento M*V, con la funcin NewMV.

Por ltimo se tiene a EQExternalCircuit, que calcula la carga de los capacitores durante
la simulacin mediante la funcin NewQ.

Cuando una nueva clase hereda de Equation, sta debe declarar en su constructor el
orden de las ecuaciones. Este orden ser el orden en el que se ejecuten, si bien este orden no es
importante en nuestro caso particular, es relevante poder alterar el orden de ejecucin de las
ecuaciones permitiendo as resolver diferentes problemas.

A modo de ejemplo se muestra el constructor de la clase EQFusionDevice.

constructor TEQFusionDevice.Create;
begin
inherited;
FCantEquation := 2;
FEQuations[0] := NewEnergy;
FEQuations[1] := NewJ;
end;

47
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

En este constructor se detallan dos ecuaciones, NewEnergy y NewJ. Cabe recordar que
todas las ecuaciones son funciones de un mismo tipo, o sea cada funcin acepta los mismos
parmetros y en el mismo orden. Esto es lo que hace posible que este protocolo funcione.

La interfaz IEquation define una propiedad llamada ParamsOfEquation. Esta propiedad


retorna qu parmetros y en qu orden deben ser pasados a cada ecuacin cuando requiera ser
calculada.

Por ejemplo el cdigo de esta funcin para la clase EQFusionDevice es el siguiente:

function TEQFusionDevice.GetParamsOfEquation(Index: Integer): string;


begin
Result := inherited GetParamsOfEquation(Index);
case ( Index ) of
0 : Result := 'J';
1 : Result := 'Q,J';
end;
end;

En este punto se define que la primera ecuacin (que es NewEnergy) tiene como
parmetro a la variable J, y que la segunda ecuacin tiene como parmetro a las variables Q y
J, en ese orden.

A continuacin se muestra el cdigo de una de estas funciones a modo ilustrativo de


cmo se utilizan el VarProxy y la lista de parmetros que se le pasa a cada funcin para su
ejecucin.

function TEQFusionDevice.NewJ(aSimModel:TSimModel; aVarProxy: IVarProxy ; params: array of


Double): REquationResult;
var
_Lec, _C, _R, _Li: Double;
_Ionized: Boolean;
begin
Result.Name := 'J';

_Ionized := aVarProxy[Gas.Ionized];
_Lec := aVarProxy['ExternalCircuit.Inductance'];
_C := aVarProxy['ExternalCircuit.Capacitance'];
_R := aVarProxy['ExternalCircuit.Resistence'];
_Li := aVarProxy['PlasmaSheath.Inductance'];

if ( _Ionized ) then _Li := 0;

Result.Value := -params[0] / _C - _R * (params[1] / ( _Lec + _Li ));


d

Como se puede observar, el VarProxy es el encargado de proveer el valor de las


variables que se necesitan para ejecutar esta ecuacin. NewJ es la segunda ecuacin y como se
mostr anteriormente, el array params, tendr en su primera posicin el valor de la variable Q
y en su segunda posicin el valor de la variable J.

Una pregunta que surge de este protocolo es por qu se tienen que pasar valores de
variables en una lista de parmetros y no se usa el VarProxy para obtener el valor de las

48
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
mismas. La respuesta es que el valor de las variables pasadas en la lista de parmetros puede
variar dependiendo del mtodo de resolucin numrica que se este utilizando. Es decir, que es
posible que no sea el valor de la variable al comienzo de la simulacin de ese paso de tiempo,
es por ello que el implementador del mtodo de resolucin numrica puede obtener qu
parmetros y en qu orden necesita cada funcin, luego modificar el valor de estas variables
para ajustarlas a los nuevos valores segn sea necesario.

III.3. Implementacin del Mtodo de Resolucin de


Ecuaciones
La clase Implementator slo define un mtodo abstracto el cual es Implement. Las
clases que hereden de sta (Implementator), sern las encargadas de llevar a cabo la resolucin
del mtodo de clculo numrico especfico.

Para simulador que se presenta, se hered de Implementator y se defini la clase


Runge-Kutta que implementa el mtodo de resolucin de cuarto orden ya mencionado.

A continuacin se muestra la jerarqua de clases.

Se cre la clase Euler ya que formalmente Runge-Kutta es un refinamiento del mtodo


de resolucin de Euler, este ltimo no nos provea de la precisin necesaria como para
utilizarlo.

La clase RungeKutta posee variables internas para el manejo de todos los clculos
intermedios que se necesitan para este mtodo. Este mtodo divide el clculo de todas las
variables del problema desde el paso de tiempo t a t+t en 4 partes.

A continuacin se muestra el cdigo del mtodo Implement en la clase RungeKutta y el


clculo de una de las 4 etapas de este mtodo.

49
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

procedure TRungeKutta.Implement(aProxy:IVarProxy; aModels: TList);


begin
// Se copian el proxy y los modelos a variables locales
FVarProxy := aProxy;
FModels := aModels;
// Se ejecutan las 4 Partes del mtodo
DoQ0;
DoQ1;
DoQ2;
DoQ3;
Calculate;
end;

Como se puede observar, el mtodo Implement pone en variables de instancia la


referencia al VarProxy y a los modelos que poseen ecuaciones que sern calculadas. A
continuacin se observa el llamado a los mtodos que representan los cuatro pasos de Runge
Kutta, y el mtodo final que con los resultados de los cuatro pasos calcula el valor final.

A modo de ejemplo, a continuacin se muestra el primero de los cuatro pasos del


mtodo de Runge Kutta.

procedure TRoungheKutta.DoQ0;
var
_i, _eq, _param: Integer;
_paramNames: TStringList;
_simModel: TSimModel;
_params: array [0..5] of Double;
begin
_paramNames := TStringList.Create;

for _i:=0 to FModels.Count-1 do


begin
_SimModel := TSimModel(FModels[_i]);
for _eq:=0 to _SimModel.Equations.CantEquations-1 do
begin
// Recuperar los parmetros de la ecuacin
// Recuperar el valor de los parmetros de la ecuacin
// Calcular cada ecuacin.

_paramNames.CommaText := _SimModel.Equations.ParamsOfEquation[_eq]; // Se copian los


parmetros

for _param:=0 to _paramNames.Count-1 do


_params[_param] := FVarProxy[_paramNames[_param]]; // Se recupera el valor de los
parmetros

FTempVals[0][_eq] := _SimModel.Equations.Equation[_eq](_SimModel, FVarProxy,_params);


// se calcula la ecuacin en cuestin
end;
end;

50
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
Este mtodo es genrico para cualquier problema que pueda ser resuelto con Runge-
Kutta. Como se puede observar el algoritmo es el siguiente:

Recuperar el modelo que posee ecuaciones que deben ser calculadas.


Para cada modelo
o Recuperar las ecuaciones del modelo.
o Para cada ecuacin
Recuperar los parmetros necesarios.
Por cada parmetro se obtiene su valor con el VarProxy.
Se calcula la ecuacin y se almacena su resultado.

Se puede observar que este algoritmo no depende de cuntos modelos se tengan, ni de


la cantidad de ecuaciones, lo que garantiza la independencia del problema con respecto al
mtodo de resolucin.

III.4. Aplicaciones desarrolladas y sus funcionalidades


Para lograr un sistema de diseo de Plasma Focus, debe proveerse un conjunto de
herramientas perifricas al simulador, que permitan realizar el diseo grfico de las geometras
de los elementos contenidos en el can acelerador, y que luego de realizada la simulacin
permitan extraer los valores de variables de estado en cada paso para su anlisis y de la forma
y evolucin de la lmina de corriente para su anlisis numrico y graficacin o reconstruccin
tridimensional en imgenes estticas o en animaciones.

En las secciones subsiguientes se dar una breve explicacin de la funcionalidad y


forma de utilizacin de las aplicaciones desarrolladas.

III.4.1. Simulador de Dispositivos Plasma Focus: CShock


Como se mencion, mediante esta aplicacin se pueden realizar simulaciones de
dispositivos Plasma Focus. En la seccin anterior se mostr que CShock es resultado de
especializar la arquitectura DSim desarrollada como parte del presente trabajo, especializando
las clases necesarias para llevar a cabo la simulacin de esta clase de dispositivos.

III.4.1.1. Entrada de datos por interfaz usuario

La interfaz usuario de divide bsicamente en dos partes. La primera orientada al


ingreso de los datos de parmetros iniciales de la simulacin, la segunda para visualizar el
progreso de la simulacin, que se explicar en la siguiente seccin.

Para la interfaz de ingreso de parmetros (Fig. 3.1-a,b,c,d,e,f) se utiliz un TabSheet,


este tipo de componente permite organizar los diferentes grupos o tems de la interfaz como
carpetas de un fichero, facilitando la ubicacin de los diferentes parmetros y evitando
interfaces demasiado cargadas. Se agreg tambin una vista 3D del dispositivo que se va a
simular (Fig. 3.1-d), mediante la utilizacin de libreras OPENGL, esta vista permite rotar,
alejar y acercar el objeto 3D que se genera cuando se abre el archivo de geometra de
dispositivo que se va a simular.

51
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
Con el objetivo de facilitar la visualizacin de los valores de los parmetros ms
importantes previo a iniciar la simulacin, se muestra sobre el lado izquierdo de la interfaz un
rbol ordenado jerrquicamente por grupo de parmetros, donde cada tem es un parmetro
con el valor ingresado.

Fig. 3.1 a) Interfaz de carga de parmetros del dispositivo

Fig.3.1 - b) Interfaz de carga de datos del circuito externo

52
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

Fig. 3.1 - c) Interfaz de carga de parmetros del simulador

Fig. 3.1 - d) Interfaz de carga y visualizacin 3D de la geometra de los electrodos y aislante mediante
OPENGL

53
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

Fig. 3.1 - e) Interfaz que permite la activacin de la simulacin automtica. Se debe cargar los datos
de valores de inicio, fin e incremento de cada parmetro y los archivos de geometras a utilizar.

Fig. 3.1 - f) Interfaz de carga de datos del modelo de produccin neutrnica

54
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
III.4.1.2. Entrada de datos mediante archivo

Con la opcin del men File-Open se puede abrir un archivo extensin *.pfc que
contiene parmetros del dispositivo a simular, no siendo necesario ingresarlos nuevamente por
pantalla. El formato de archivo es de texto, siendo editable, y si se desea fcilmente
modificable. A su vez con la opcin del men File-Save se genera un archivo *.pfc con los
parmetros actuales para su posterior utilizacin.

Mediante el control Load Device Geometry se carga la geometra del dispositivo que
se va a simular, estos archivos son extensin *.pf, y son generados mediante el Editor de
Geometras Plasma Focus, aplicacin desarrollada como parte del proyecto y que ser
explicada ms adelante.

III.4.1.3. Salida de datos por interfaz usuario

La segunda interfaz (Fig. 3.2), es la que se muestra mediante el control Initialize en


la primer interfaz. Aqu se observan los controles de la simulacin, los botones Auto (inicia
la simulacin), Step (ejecuta un paso de simulacin cada vez que es accionado) y Stop
(detiene la simulacin). Se observa a la derecha un grfico del corte bidimensional del
dispositivo simulado y el movimiento de la lmina de plasma, pudiendo realizar zoom y otras
funciones de visualizacin en esta rea. Tambin se muestra un rbol a la izquierda con los
valores de los parmetros principales a medida que avanza el tiempo en la simulacin.

Fig. 3.2 Interfaz de ejecucin de la simulacin, se proveen los controles de inicio y stop, se muestran los
valores de las diferentes variables de estado a lo largo del tiempo y la visualizacin del progreso de la
simulacin mostrando el corte transversal del dispositivo y la lmina.

55
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL
III.4.1.4. Salida de datos mediante archivo

Como resultado de la simulacin se generan al menos dos archivos. El archivo de


salida llamado generalmente salida.dat (su nombre puede cambiarse en la interfaz de
entrada, Fig. 3.1-c) que es un archivo de texto, cuyo formato es en columnas separadas por
caracteres tab, y la primer fila lleva el nombre de las diferentes variables que se ubicarn en
cada columna, con este formato simple este archivo puede importarse directamente a hojas de
datos de aplicaciones como el Microcal Origin para el anlisis de esos datos. Se genera una
fila en este archivo por cada paso de tiempo, y se almacenan los valores de las variables ms
importantes de la simulacin.

El otro archivo que se genera es el llamado produccion.dat (su nombre puede


cambiarse en la interfaz de entrada, Fig. 3.1-c) y con el mismo formato de salida.dat se
genera una nica fila que contiene los valores de las variables principales en cuanto a la
produccin de neutrones cuando la lmina de plasma llega al pinch.

Es posible generar un tercer tipo de archivos, esta opcin se encuentra en la interfaz de


entrada (Fig. 3.1-c) como Generate Shape Files. Habilitando la opcin, cada cierto paso de
tiempo que se especifica en la interfaz, se genera un archivo ps*.dat conteniendo los datos
de la forma de la lmina de plasma en ese paso de tiempo. Estos datos luego pueden ser ledos
por la aplicacin Generador Pov-Ray (se explicar ms adelante), que generar a su vez los
archivos que permitirn hacer una reconstruccin 3D del movimiento de la lmina. Los
nombres de los archivos pf*.dat son una sucesin numrica, as es que el primer archivo
generado ser pf0001.dat, luego pf0002.dat y as sucesivamente hasta que se alcance el
final de la simulacin.

III.4.1.5. Otras funcionalidades

La aplicacin provee la posibilidad de realizar simulaciones varias de forma


automatizada mediante la interfaz de la Fig. 3.1-e. La utilidad de tal funcin es que a menudo
dado un experimento que se realiz en el laboratorio, y del que se desea obtener una
reproduccin con el simulador, existen parmetros del modelo de los que se desconoce el valor
que debern tener para ajustar el experimento. Para ello deben hacerse simulaciones sucesivas
e ir probando con diferentes valores de estos parmetros hasta lograr un ajuste entre el evento
simulado y el experimental.

Mediante esta funcin, pueden ingresarse rangos de valores de parmetros del modelo
matemtico, e incluso hacer referencia a varios archivos con diferentes geometras del
dispositivo, y la aplicacin por cada variacin de uno de ellos generar una fila de un archivo
que contendr el resultado de la produccin de neutrones y dems datos principales de esa
corrida de simulacin en particular. Esto permite un gran ahorro de tiempo en la tarea de
buscar valores de parmetros que ajustan a un experimento.

56
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

III.4.2. Editor de Geometras Plasma Focus


El objetivo de la aplicacin es que sirva como editor tipo CAD de las diferentes
componentes de un dispositivo Plasma Focus, como son el electrodo externo, interno, y el
aislante.

Se observa en el lado izquierdo de su interfaz una barra de herramientas que permite,


seleccionar o mover objetos del dibujo, agregar puntos al grfico, borrar puntos del grfico,
insertar puntos entre otros dos que ya estn dibujados y acoplar puntos (esto es por ejemplo
unir en una misma coordenada un punto del aislante con uno del electrodo interno para que no
haya vacos provocados por imprecisiones al dibujar).

En el centro se encuentra la pizarra donde efectuar el dibujo, en todo momento se ven


las coordenadas z, r de la posicin actual del mouse, y pueden hacer operaciones como zoom y
desplazamientos de la imagen.

En la derecha de la interfaz est la opcin para seleccionar el tipo de elemento, esto


es sobre qu elemento se va a trabajar. As, por ejemplo si seleccionamos electrodo interno y
el botn para dibujar puntos, con clicks del mouse se podr dibujar el electrodo interno,
identificado en la aplicacin en color azul.

En la derecha se encuentra tambin la opcin de Ingreso Manual, esto es, en vez de


dibujar mediante clicks del mouse, pueden ingresarse las coordenadas y oprimir el botn
Ingresar, de forma de ir haciendo el dibujo con una precisin que con el mouse no puede
lograrse.

Se muestra a continuacin en la Fig. 3.3, la imagen de la interfaz del Editor, con un


dispositivo de prueba dibujado. En las Figs. 3.4-a y 3.4-b, se observa la reconstruccin 3D de
este dispositivo que puede obtenerse mediante la opcin Vista 3D, esta vista se logr
utilizando libreras OPENGL para la visualizacin. En la modalidad 3D no se dibuja el
electrodo externo.

57
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

Fig. 3.3 Interfaz del editor de geometras, se observa el corte transversal de una geometra en edicin.

a) b)

Fig. 3.4 Interfaz del editor de geometras que permite la vista 3D de la geometra que se est creando.

58
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

III.4.3. Generador Pov-Ray


Esta aplicacin toma como entrada la lista de archivos pf*.dat que contienen la
forma de la lmina en cada paso de tiempo, y cuya generacin se vio en III.4.1.4.

Con estos datos, realiza los clculos mediante rotaciones geomtricas, teniendo en
cuenta la simetra coaxial del dispositivo, y reconstruye a partir de una representacin 2D, otra
3D de la lmina de plasma [WAT00]. Los polgonos que representarn cada la lmina 3D (una
por cada paso de tiempo) son luego traducidos a lenguaje Pov-Ray. El Pov-Ray es una
aplicacin de rendering de objetos tridimensionales mediante el mtodo de ray-tracing.

Se genera entonces para cada instante de tiempo una reconstruccin de la lmina en 3D


en un archivo *.pov. De los cuales luego con el Pov-Ray se realiza el rendering de cada foto, y
si se desea, se le agregan los electrodos a la figura. Con estas fotos luego, mediante algn
programa disponible de generacin de AVI (archivos de video) se puede generar una
animacin que muestre el movimiento de la lmina de plasma desde su inicio hasta el pinch.

Es interesante tambin agregar a los datos de los archivos pf*.dat el valor de alguna
variable de estado de la lmina en ese instante, e instruir al Generador Pov-Ray para que vare
el color de la lmina entre determinado rango de acuerdo al valor de la variable en ese instante
de tiempo. As es que luego al reconstruir la animacin no slo se observa el movimiento de la
lmina, sino tambin el progreso de una determinada variable de estado.

En la Fig. 1.11 se observan diferentes fotos de la simulacin del dispositivo GN1, y la


lmina coloreada de forma que refleje el valor de la temperatura de la lmina, desde el azul
hacia el rojo.

III.5. Consideraciones numricas


A continuacin se tocarn dos temas importantes en el mbito de mtodos numricos
como el presentado, tales como el anlisis de convergencia y la eleccin de valores iniciales
del simulador y del paso de tiempo apropiado. Esto es complementado mediante el estudio de
sensibilidad que se mostrar en el siguiente captulo.

III.5.1. Anlisis de Convergencia


La convergencia del esquema se analiz entendindola como la existencia de un lmite
en el valor del clculo numrico de una funcin, promoviendo un acercamiento asinttico al
valor de dicho lmite. Debe tenerse en cuenta que el esquema planteado, al contrario de uno
tradicional, no posee una grilla fija de clculo, sino que sta es generada por la misma solucin
del problema (i.e. la posicin de la lmina de corriente). Hay dos parmetros que controlan la
convergencia. El paso de tiempo t afecta el tamao de esta grilla en sentido normal a cada
elemento, y De afecta la longitud de los segmentos.

Visto esquemticamente en la Fig. 3.5, en rojo se puede observar la analoga a una


celda de la grilla bidimensional que queda conformada entre el paso de simulacin del tiempo
t al t+t. Siguiendo con esta analoga, la convergencia del esquema ser satisfactoria si al
disminuir el tamao de grilla, la funcin objetivo se acerca asintticamente a un valor lmite.

59
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

De

t+t
t
Fig. 3.5 Avance de lmina en un paso de tiempo.

Se us como funcin objetivo el tiempo de llegada al foco, que engloba la evolucin


del circuito elctrico y de la lmina de corriente durante su recorrido. Se tom como caso de
estudio el equipo CCII, que ser descripto en detalle en el siguiente captulo.

Se hicieron simulaciones disminuyendo los valores de t y De. Las condiciones


iniciales fueron:

dQ
mi t =0
= 10 11 kg , vi t =0
= 0, Q t =0 = C.V0 , = 0.
dt t =0

Con valores de =0,2 s-1 y t0=0,2 s.

A continuacin en la Fig. 3.6 puede observarse lo obtenido si se fija t=5*10-9.

60
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

-6
9,5x10
-9
t=5*10
-6
9,4x10

-6
9,3x10

Tiempo al foco (seg) 9,2x10


-6

-6
9,1x10

-6
9,0x10

-6
8,9x10

-6
8,8x10

-6
8,7x10

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
De (segmentos por mm)

Fig. 3.6 Tiempo al foco en funcin de la densidad de segmentos.

Como puede verse a medida que decrece el tamao de grilla en sentido radial (esto
equivale a aumentar la densidad de segmentos De) el valor resultante de tiempo al foco de la
lmina de corriente se acerca asintticamente a un valor mostrando la convergencia buscada.

Por otra parte, disminuyendo el paso de tiempo manteniendo constante la densidad de


segmentos, el comportamiento es el mostrado en la Fig. 3.7.

De=1 segmento/mm
9,59E-6
Tiempo al foco (seg)

9,52E-6

9,45E-6

-10 -9 -8 -7
10 10 10 10
t (seg)

Fig. 3.7 Tiempo al foco en funcin del paso de tiempo.

61
III. IMPLEMENTACIN COMPUTACIONAL

Puede verse que en ambos parmetros se encuentra una tendencia asinttica, lo cual
indica la existencia de un lmite cuando ambos parmetros disminuyen en sus valores.

Este comportamiento muestra un cumplimiento satisfactorio de la condicin de


convergencia necesaria en cualquier modelo numrico.

III.5.2. Valores iniciales del simulador y eleccin del paso de tiempo


Los valores iniciales utilizados ante la simulacin de un nuevo dispositivo
generalmente nacen de los estudios de convergencia y experiencia en la utilizacin del
simulador. Hay tres valores que deben establecerse y que pueden decirse independientes de las
caractersticas del circuito externo o de la llave gaseosa, estos son la masa inicial de la lmina
de corriente, la densidad de segmentos y el paso de tiempo.

Como valor inicial de masa generalmente se establece uno menor a 1*10-10 kg, como se
ver en el prximo captulo en la seccin IV.3.4 y como era de esperarse a partir de un cierto
umbral y para valores menores que ste, la masa inicial ya no tiene influencia en los valores
calculados de estados posteriores.

La densidad de segmento De como se vio en la seccin anterior aporta a la


convergencia del sistema, por lo que debe mantenerse lo suficientemente alta para
mantenernos cerca del valor asinttico pero que no eleve en demasa los tiempos de cmputo
haciendo el sistema poco usable. Teniendo en cuenta lo visto en la seccin anterior puede
observarse que en el peor caso tomando una densidad de segmento de 1 segmento/mm se
obtiene un desvo aproximado del 7% sobre el valor asinttico del resultado estudiado.

Valores de 1, 2 o 3 segmentos/mm permiten muy rpido clculo del simulador y aun


as obtener buenas aproximaciones que nos darn estimaciones sobre el comportamiento en
general del diseo propuesto, y luego de refinar la geometra y el resto de los parmetros
puede elevarse la densidad de segmentos a fin de mantenernos en una franja ms cercana a los
valores asintticos de convergencia.

El paso de tiempo t por experiencia debe tomarse al menos dos rdenes de magnitud
menor a la duracin del evento en el plasma focus experimental. Como medida para promover
la convergencia del sistema durante la simulacin se verifica que los valores de estado de un
paso de tiempo al otro no varen en un rango mayor al 1%, si esto sucede se avisa al usuario
del acontecimiento. Existe la posibilidad adems de implementar un control dinmico del paso
de tiempo, de esta forma si se verifica la variacin mayor al 1%, el simulador vuelve un paso
de tiempo hacia atrs el estado de la simulacin, y toma como nuevo t a la mitad de su valor
actual.

62
CAPITULO IV.

VALIDACIN
La validacin del modelo comparando con la realidad los resultados obtenidos es una
parte fundamental del proceso de desarrollo de un simulador por cuanto al comprobar la
validez de los resultados predichos se puede inferir que el modelo utilizado describe fielmente
los sucesos de la realidad y le da un mayor nivel de confianza a futuros resultados predichos
por el simulador.

Para llevar a cabo estas pruebas se cuenta con datos de diferentes experimentos y
mediciones sobre diversos dispositivos, especialmente con la colaboracin y aporte de datos
del INFIP-UBA con sede en la Ciudad de Buenos Aires, y los laboratorios asociados a la red
PLADEMA-CNEA, con sede en la ciudad de Tandil, Pcia. de Buenos Aires.

A continuacin se enumerar cada equipo sobre el que se trabaj, y se describirn


los ajustes realizados. Se mostrar adems un anlisis de sensibilidad y una demostracin de
las capacidades de simulacin de geometras no convencionales.

63
IV. VALIDACIN

IV.1. Ajuste a experimentos sobre el dispositivo PFII


En el equipo denominado PFII del laboratorio INFIP-UBA mediante una sonda
magntica ubicada en diferentes posiciones sobre la lnea z=17mm, mtodo visto en la seccin
I.1.5.2, se midi el tiempo de llegada de la lmina de corriente a lo largo de esa lnea radial
sobre el aislante (Fig.4.1) para diferentes presiones de llenado con gas Deuterio. Al pasar la
lmina por la posicin de la bobina se registra un pico en el voltaje, como puede observarse en
la Fig. 4.4-a.

Utilizando el simulador Editor de Geometras PF se reprodujo la geometra de este


dispositivo (Fig. 4.2) y una vez cargada en el simulador CShock se realizaron corridas de
simulacin para las diferentes presiones de llenado de Deuterio, tomando en cada caso la
posicin r de la lmina a travs del tiempo en z = 17mm. Se utiliz para cada caso una
densidad de 2 segmentos por mm, y t = 19 seg , con condiciones iniciales:

dQ
mi t =0
= 10 10 kg , vi t =0
= 0, Q t =0 = C.V0 , = 0.
dt t = 0

Se midi tambin el tiempo de llegada de la lmina al foco mediante una bobina de


Rogowski, mtodo tambin visto en la seccin I.1.5.2. A travs de la seal medida que es
proporcional a la derivada temporal de la corriente, puede observarse (Fig. 4.4-b) el momento
de la perturbacin de inductancia ocurrida en el foco, seal que sirve como marcador de
tiempo de arribo al mismo. Se grafic el tiempo de arribo predicho al foco contra los valores
medidos (Fig. 4.5).

Como puede observarse en la Fig. 4.3 el modelo sigue de forma muy satisfactoria las
tendencias del experimento. Los parmetros efectivos ajustados del spark-gap son:

Rsparkgap = 0.26 , sg = 7 ns

La Fig. 4.6 muestra que R0 decrece montonamente con la presin de llenado ajustando
una funcin exponencial decreciente, lo cual nos dice que el tiempo de formacin de la lmina
sigue cierta funcin exponencial tambin, este interesante resultado ser objeto de un futuro
anlisis. Utilizando la aplicacin Generador Pov-Ray se obtuvieron fotogramas de la
simulacin del movimiento de la lmina (Fig.4.7).

Parmetro Valor
Longitud del nodo 120 mm
Longitud del ctodo 120 mm
Longitud del aislante 35 mm
Espesor del aislante 5 mm
Radio del nodo 18 mm
Radio del ctodo 36 mm
Tensin inicial 30 kV
Capacidad 10.5 F
Fig. 4.1 Esquema del dispositivo PFII y la sonda utilizada para las
Inductancia externa 42.6 nH mediciones. Unidades en mm.

64
IV. VALIDACIN

Fig. 4.2 Diseo de la Geometra del dispositivo PFII en el Editor de Geometras PF.

Ajuste medicin mediante sonda

-2
3.6x10

-2
3.4x10

-2
Posicin lmina (mts)

3.2x10

-2
3.0x10 Sim 0.5 mb
Sim 1 mb
-2
2.8x10 Sim 3 mb
Sim 5 mb
-2
Exp 0.5 mb
2.6x10 Exp 1 mb
Exp 3 mb
-2
2.4x10 Exp 5 mb

-2
2.2x10
-7 -7 -7 -7 -6
2.0x10 4.0x10 6.0x10 8.0x10 1.0x10

Tiempo (seg)

Fig. 4.3 - Tiempos de llegada a distintas posiciones radiales para diferentes presiones, las lneas llenas representan
las posiciones predichas por el simulador.

65
IV. VALIDACIN

a) b)

Fig. 4.4 a) Seal de la bobina magntica, b) Seal de Rogowski

2.0

1.6
tf (sec)

1.2

0.8
0 1 2 3 4 5
po (mbar)

Fig. 4.5 - Tiempo de arribo al foco para diferentes presiones de llenado, la lnea llena
representa los valores predichos por el simulador.

66
IV. VALIDACIN

3.0

2.5
-1/3
Ri()=0.00176 p (mb)
2.0

Ri (m)
1.5

1.0

0.5

0.0
0 1 2 3 4 5 6
po (mb)

Fig 4.6 Dependencia de R0 con la presin de llenado.

1 2

3 4

5 6
Fig. 4.7 Reconstruccin 3D del movimiento de la lmina de corriente en diferentes instantes de
tiempo, equipo PFII.

67
IV. VALIDACIN

IV.2. Ajustes sobre datos del dispositivo GN1


Este dispositivo plasma focus llamado GN1 se encuentra en el INFIP-UBA, y ha sido
generador de numerosas mediciones a lo largo de los ltimos 10 aos.

IV.2.1. Caractersticas del equipo


En la Fig. 4.8 puede verse un esquema de los electrodos y la cmara de vaco del
equipo. El electrodo central (nodo) es de cobre electroltico, el ctodo est formado por 12
barras de bronce de 3 mm de dimetro cada una, mientras que la cmara es de acero
inoxidable. El aislante es de vidrio Pyrex. El sistema de vaco est compuesto por una bomba
mecnica y una difusora de aceite que permite alcanzar una presin de base de 10-8 mbar. El
banco de capacitores est formado por tres mdulos consistentes cada uno de 5 condensadores
y un spark-gap. Se obtienen corrientes pico de 350 kA con un cuarto de perodo de 1.1 s.

El generador se ha operado con presin esttica de Deuterio en el rango de 1 a 8 mbar.


Luego de cada disparo la presin se incrementa tpicamente 0,05 mbar como consecuencia de
la interaccin del plasma con las superficies expuestas. Para evitar un aumento excesivo de
presin a los largo de sucesivos disparos, la presin se reduce luego de cada descarga
mediante bombeo con mecnica. La frecuencia mxima de operacin del sistema es de un
disparo por minuto, limitada por la potencia de la fuente de alimentacin disponible. La
temperatura de la pared frontal de la cmara (tapa superior de la Fig. 4.8) se incrementa unos
20 C por sobre la temperatura ambiente luego de unas 30 descargas a la frecuencia
mencionada. La refrigeracin del cabezal se realiza por conduccin trmica entre sus piezas.

En la tabla pueden observarse las diferentes medidas de los componentes del equipo.

Parmetro Valor
Longitud del nodo 87 mm
Longitud del ctodo 100 mm
Longitud del aislante 35 mm
Espesor del aislante 4 mm
Radio del nodo 19 mm
Radio del ctodo 36 mm
Tensin inicial 30 kV
Capacidad Total 10.5 F

Fig.4.8 - Esquema del cabezal del equipo


GN1

68
IV. VALIDACIN

IV.2.2. Mediciones
En cada disparo se han registrado la evolucin temporal de la tensin entre electrodos,
V, y la derivada temporal de la corriente de descarga, dI/dt, empleando un divisor de tensin
resistivo y una bobina de Rogowski respectivamente. Las seales fueron adquiridas mediante
un digitalizador de 500 Mhz de ancho de banda analgica y 1 Gs/s.

En la Fig. 4.9 se ilustran dichas magnitudes, obtenidas en una descarga a 3 mbar de


Deuterio, puede observarse all que la amplitud del pico de tensin producido durante el foco
(aproximadamente en t=1250 ns) supera varias veces la tensin aplicada al can en los
primeros instantes de la descarga, marcando el instante en que se produce el foco.

Fig. 4.9 Tensin, derivada temporal de la corriente y corriente entre


electrodos

Siguiendo esta metodologa se midieron los tiempos de arribo al foco para presiones de
llenado de 2, 3, 4, 5, 6 y 7 mb. de gas deuterio (Fig. 4.10).

IV.2.3. Ajuste mediante simulaciones


Se cargaron los datos correspondientes a la configuracin mencionada del dispositivo
GN1 en el simulador CShock. Para ello previamente se dise su geometra en el Editor de
Geometras PF (Fig. 4.10) de acuerdo a las especificaciones

Se hicieron corridas de simulacin utilizando una densidad de 2 segmentos por mm, y


9
t = 1 seg , con condiciones iniciales:

dQ
mi t =0
= 10 10 kg , vi t =0
= 0, Q t =0 = C.V0 , = 0.
dt t = 0

Esto se hizo para las diferentes presiones de llenado en un rango de 0,2 a 7 mb con
incrementos de 0,1 mb, utilizando el modelo de formacin de resistencias efectivas, con
parmetros de ajuste:

69
IV. VALIDACIN

R0= 0 ohms, Rspark-gap= 0.25 ohms, sg = 7e-7 seg.

En el mismo grfico donde se reflejan las mediciones experimentales (Fig. 4.11) se


muestran tambin los tiempos de arribo al foco predichos por el simulador, observndose un
notable ajuste a las mediciones experimentales.

Fig. 4.10 Diseo de la Geometra del dispositivo GN1 en el Editor de Geometras PF.

0.0000016 Medicin Experimental


Simulado

0.0000014
Tiempo al Pinch (s)

0.0000012

0.0000010

Dispositivo GN1
0.0000008
Resistencia Inicial R0= 0 ohms
Resistencia SparkGap=0.25 ohms
0.0000006 Tau= 7e-7 seg

0 1 2 3 4 5 6 7 8
P0(mb)

Fig. 4.11 Tiempo al foco para diferentes presiones de llenado, datos medidos y datos ajustados
mediante simulacin

70
IV. VALIDACIN

IV.3. Ajuste a experimentos sobre el dispositivo CCII

IV.3.1. Caractersticas del Equipo


Este dispositivo llamado CCII se encuentra instalado en el laboratorio INFIP-UBA, el
Can Coaxial II (CCII) consta de dos electrodos cilndricos coaxiales entre los que se
desarrolla la descarga elctrica. Un cilindro central (de Ti o de Cu) y un juego de catorce
barras de bronce dispuestas alrededor de ste.

El can coaxial se aloja en el interior de una cmara de vidrio Pyrex transparente que
tiene la forma de cruz con cuatro brazos cilndricos. El superior y el inferior estn sellados a
travs del soporte de las sondas magnticas y del soporte del can respectivamente, mientras
que los brazos laterales se encuentran uno de ellos cerrado al vaco con una ventana de alta
calidad ptica (a travs de la cual se toman fotografas) el otro es conectado al sistema de
vaco y provisin de gases.

Dos dispositivos vacan la cmara en forma complementaria: una bomba mecnica


encargada del vaciado grueso de la misma y una bomba difusora que permite alcanzar
presiones del orden de los 10-6 mbar.

Un juego de tres vlvulas conecta la cmara con el gas de llenado (N2 o Ar) envasado
a alta presin.

El circuito conectado a los electrodos es bsicamente un circuito RLC serie, una llave
rpida gaseosa (spark gap) controlada por un pulso de alta tensin producido por un circuito
auxiliar y una fuente de tensin de media onda y amplitud variable (0 4 kV).

El dispositivo de medicin est integrado por una bobina de Rogowski, un divisor


resistivo y dos sondas magnticas inductivas. El paso de la lmina de corriente por la posicin
de las sondas magnticas se registra como un pico en el voltaje (Fig.4.13).

Se utilizaron tres circuitos elctricos externos diferentes denominados RLC1, RLC2 y


RLC3, la configuracin geomtrica del dispositivo (Fig.4.12) y elctrica de los circuitos se
detallan a continuacin.

Fig. 4.12 - Configuracin del dispositivo CCII y su sonda de medicin

71
IV. VALIDACIN

Fig. 4.13 Diseo de la Geometra del dispositivo CCII en el Editor de Geometras PF.

Circuito RLC1:
Parmetro Valor
Tensin de carga: 20 kv
Longitud de nodo 100 mm
Inductancia: 6 uH
Resistencia: 0,104 ohms Longitud de Ctodo 100 mm
Capacitancia: 600 uF
Longitud de Aislante 10 mm
Circuito RLC2: Espesor de Aislante 2.8 mm
Tensin de carga: 20 kv Radio externo de nodo 4.75 mm
Inductancia: 1,8 uH
Resistencia: 0,01 ohms Radio interno de Ctodo 25.35 mm
Capacitancia: 600 uF

Circuito RLC3:
Tensin de carga: 20 kv
Inductancia: 168 nH
Resistencia: 0,032 ohms
Capacitancia: 5,6 uF

IV.3.2. Comparacin y ajuste de resultados


De acuerdo a la configuracin mencionada, se cuenta con los datos de las mediciones
de la posicin de la lmina para diferentes presiones de llenado con diferentes gases y
circuitos. Se probaron los dos modelos de formacin de lmina desarrollados en el trabajo,
tanto el de resistencias efectivas (II.1.2.1) como el de cada de tensin en el spark gap
(II.1.2.2).

Se carg la geometra en el Editor de Geometras PF (Fig. 4.13) y se realiz la


simulacin utilizando el modelo de formacin de lmina de resistencia efectiva ya mostrado,
una densidad de 2 segmentos por mm, y t = 19 seg , con condiciones iniciales:

72
IV. VALIDACIN

dQ
mi t =0
= 10 10 kg , vi t =0
= 0, Q t =0 = C.V0 , = 0.
dt t = 0

A continuacin se detallan las diferentes configuraciones del gas y presiones de llenado


junto con el circuito y modelo de de inicio utilizado, y se presenta el grfico que muestra el
contraste entre los datos medidos y el ajuste realizado con el simulador.

IV.3.2.1. Ajuste con modelo de Resistencias Efectivas


IV.3.2.1.1. Gas Argn y circuito RLC2

Con la cmara llena con Argn a una presin de 5 mb se obtuvo un buen ajuste
simulando el evento para los siguientes parmetros:

Presin (mb) R0 (ohms) Rsparkgap (ohms) sg (seg)


5 0.00087 0.36 1.7e-5

En la Fig. 4.14 observamos la comparacin grfica entre el tiempo de llegada a


diferentes posiciones medidos en el experimento y los simulados.

12 5 mbar
Simulado

9
Posicin de la lmina zs (cm)

0 4 8 12 16 20
Tiempo de llegada ts (s)

Fig. 4.14 Tiempos de llegada a distintas posiciones de la sonda

73
IV. VALIDACIN
IV.3.2.1.2. Gas Nitrgeno y circuito RLC1

Con la cmara llena con nitrgeno a presiones de 10, 5, 1 y 0.5 mb, se obtuvo un buen
ajuste simulando el evento para los siguientes parmetros:

Presin (mb) R0 (ohms) Rsparkgap (ohms) sg (seg)


0.5 0.0013 1.9 4e-5
1 0.00065 1.45 4e-5
5 0.00018 0.9 4.1e-5
10 0.000128 0.82 4.9e-5

En la Fig. 4.15 observamos la comparacin grfica entre el tiempo de llegada a


diferentes posiciones medidos en el experimento y los simulados.

Ti+N2CE RLC1 Lento (febrero/01)


10

8
Posicin de la lmina zs(cm)

6
Simulado
Simulado
4 Simulado
Simulado
Medido 10 mb
2 Medido 5 mb
Medido 1 mb
Medido 0.5 mb
0

-5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55

Tiempo de llegada ts(s)

Fig. 4.15 Tiempos de llegada a distintas posiciones de la sonda a diferentes presiones de llenado

74
IV. VALIDACIN
IV.3.2.1.3. Gas Nitrgeno y circuito RLC2

Con la cmara llena con nitrgeno a presiones de 10, 5, 1 y 0.5 mb, se obtuvo un buen
ajuste simulando el evento para los siguientes parmetros:

Presin (mb) R0 (ohms) Rsparkgap (ohms) sg (seg)


0.5 0.0013 0.88 1.2e-5
1 0.001 0.73 1.23e-5
5 0.00023 0.41 1.55e-5
10 0.00017 0.38 2e-5

En la Fig. 4.16 observamos la comparacin grfica entre el tiempo de llegada a


diferentes posiciones medidos en el experimento y los simulados.

Ti+N2CE RLC2 (diciembre/00)


10
Posicin de la lmina zs(cm)

6
Simulado
Simulado
4
Simulado
Simulado
Medido 10 mb
2
Medido 5 mb
Medido 1 mb
Medido 0.5 mb
0

6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
Tiempo de llegada ts(s)

Fig. 4.16 Tiempos de llegada a distintas posiciones de la sonda a diferentes presiones de llenado

75
IV. VALIDACIN

IV.3.2.1.4. Gas Nitrgeno y circuito RLC3

Con la cmara con nitrgeno a presiones de 10, 5, 1 y 0.5 mb, se obtuvo un buen ajuste
simulando el evento para los siguientes parmetros:

Presin (mb) R0 (ohms) Rsparkgap (ohms) sg (seg)


0.5 1.5e-6 0.88 1e-5
1 8e-7 0.6 4.5-5
5 1.1e-7 0.2 4.5-5
10 5e-6 0.6 4.5e-5
En la Fig. 4.17 observamos la comparacin grfica entre el tiempo de llegada a
diferentes posiciones medidos en el experimento y los simulados.

9,0 Medido a 0.5 mb


8,5 Medido a 1 mb
8,0 Medido a 5 mb
7,5 Medido a 10 mb
7,0 Simulado
6,5 Simulado
6,0 Simulado
5,5
Simulado
5,0
4,5
T (s)

4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
-0,5
-1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Posicin Z (cm)

Fig. 4.17 Tiempos de llegada a distintas posiciones de la sonda a diferentes presiones de llenado

76
IV. VALIDACIN
IV.3.2.2. Ajuste con modelo de Cada de Tensin

IV.3.2.2.1. Gas Nitrgeno y circuitos RLC1 y RLC2

Con nitrgeno a presiones de 10, 5, 1 y 0.5 mb., se obtuvo un buen ajuste simulando el
evento para los siguientes parmetros:

RLC1 RLC2
-1 -1
Presin (mbar) (s ) t0 (s) (s ) t0 (s)
0.5 Sin datos Sin Datos 0.6 0.2
1 0.2 0.2 0.8 0.2
5 0.4 0.8 4 0.2
10 0.45 2.5 6 0.2

En las Figs. 4.18 y 4.19 observamos la comparacin grfica entre el tiempo de


llegada a diferentes posiciones medidos en el experimento y los simulados.

8
Posicin axial de sonda (cm)

0
0 10 20 30 40 50
Tiempo de arribo de la lmina (sec)

Figura 4.18. Movimiento de la lmina de corriente con la configuracin RLC1


( 1 mbar, 5 mbar, 10mbar).

77
IV. VALIDACIN

Posicin axial de la sonda (cm)


6

0
0 5 10 15 20 25
Tiempo de arribo de la lmina (sec)

Figura 4.19. Movimiento de la lmina de corriente con la configuracin RLC2


( 0.5 mbar, 1 mbar, 5 mbar, 10 mbar).

IV.3.3. Resultados obtenidos


Para los cuatro casos estudiados se obtuvo un buen ajuste con el simulador a los datos
de las mediciones experimentales de la posicin de la lmina respecto al tempo para las
diferentes presiones y gases de llenado, esto se pone de manifiesto en las grficas
comparativas entre los datos medidos y los predichos por el simulador (Figs. 4.14 a 4.19).

Los ajustes se realizaron tanto con el modelo de resistencias efectivas como con el de
cada de tensin en el spark gap, lo que muestra una equivalencia entre ambos, siendo el
ltimo el ms adecuado por cuanto puede disearse una experiencia de medicin en la que se
registre la cada de tensin efectiva en el spark-gap, y de esta forma podra contrastarse dicho
modelo, esto ya ha sido llevado a cabo en los papers de referencia obteniendo buen
comportamiento de la funcin de cada de tensin seleccionada.

Como puede observarse en la Fig. 4.20 el tiempo de cierre, proporcional a -1, es


menor a altas presiones, lo cual es razonable ya que la densidad de electrones es mayor.

En las Figs. 4.21 puede observarse una secuencia de imgenes 3D, obtenidas mediante
el Generador Por-Ray, de la cinemtica de la lmina de corriente simulada, para el equipo
CCII.

78
IV. VALIDACIN

10

(sec )
-1
1

0,1
0 2 4 6 8 10
Presin de llenado (mbar)

Figura 4.20. Dependencia de parmetro del spark-gap con la presin de


llenado. Lnea slida (RLC1), lnea punteada (RLC2).

1 2

3 4

5 6
Fig. 4.21 Reconstruccin 3D del movimiento de la lmina de corriente en diferentes instantes de
tiempo, equipo CCII.

79
IV. VALIDACIN

IV.3.4. Anlisis de sensibilidad a los parmetros del modelo

Se realiz un anlisis de sensibilidad para estudiar la influencia de la masa inicial de la


lmina de corriente y los parmetros del spark-gap y t0, sobre la evolucin de la lmina y la
corriente de circuito. Como caso de referencia se utilizaron los valores correspondientes a 5
mbar con configuracin de circuito RLC1. De acuerdo a esto los parmetros son:

= 0.4 s-1 , t0 = 0.8 s, mi=10-10 kg

Las figuras 4.21 y 4.22 muestran la sensibilidad del movimiento de la lmina y la


evolucin de la corriente al parmetro del spark-gap. Mayores valores de llevan a
velocidades de lmina mayores y corrientes ms altas, aunque este efecto tiende a saturarse
para valores de mayores a 0.74 s-1. Por otra parte, t0 no muestra significativo impacto ni en
la dinmica de la lmina ni en la corriente (Figs. 4.23 y 4.24).
Tiempo de arribo de la lmina (sec)

50 (-)

40 (+)

30

20

0 2 4 6 8 10
Posicin de la sonda (cm)
Figura 4.21. Influencia de sobre el tiempo de arribo de la lmina a la sonda
magntica. = 0.4 seg-1 (valor de referencia), (+/- 50%), (+/- 75%).

80
IV. VALIDACIN

14

(+)
12
Corriente (kAmp)
(-)
10

20 30 40 50
Tiempo (sec)
Figura 4.22. Sensibilidad de la corriente al parmetro del spark-gap.
= 0.4 seg-1 (valor de referencia), +/- 50%, +/- 75%.
Tiempo de arribo de la lmina (sec)

40
(+)

(-)
35

30

25

20
0 2 4 6 8
Posicin de la sonda (cm)
Figura 4.23. Sensibilidad del arribo de la lmina de corriente a la sonda magntica al
parmetro t0 del spark-gap. t0 = 0.8 seg (valor de referencia), +/- 75%.

81
IV. VALIDACIN

14
(-)

(+)
Corriente (kAmp)
12

10

6
20 25 30 35 40 45
Tiempo ( sec)
Figura 4.24. Sensibilidad de la corriente elctrica al parmetro t0 del spark-gap.
t0 = 0.8 seg (valor de referencia), +/- 75%.

Las Figs. 4.25 y 4.26 muestran que para valores menores a 10-10 kg, la masa inicial
tiene una influencia despreciable, mientras que hay algo de impacto en el tiempo de arribo al
pinch para valores mayores. La masa inicial (la masa con la que la lmina de corriente
comienza su movimiento) principalmente influencia a la aceleracin de la lmina de corriente
durante las etapas iniciales del movimiento cerca del aislante.
Tiempo de arribo al Pinch (sec)

44,1

43,8

43,5

43,2

1E-17 1E-14 1E-11 1E-8

Masa inicial de la lmina de plasma (kg)

Figura 4.25. Influencia de la masa inicial de la lmina de corriente sobre el tiempo


de arribo al pinch (5 mbar).

82
IV. VALIDACIN

Posicin de la sonda (cm)


6

0
20 25 30 35 40

Tiempo de arribo de la lmina (sec)

Figura 4.26. Influencia de la masa inicial sobre el arribo de la lmina a la sonda


magntica. 10-15 kg, 10-10 kg, 10-9 kg, 10-8 kg.

IV.3.5. Comparacin del perfil de la lmina de corriente


La configuracin geomtrica (Fig. 4.12) y el arreglo experimental de este dispositivo se
detallaron en la seccin anterior.

Debido a la naturaleza ultrarrpida de los fenmenos que se estudian en el laboratorio


(hasta centenares de microsegundos) es imprescindible, para poder tomar imgenes, que la
obturacin del instrumento se efecte electrnicamente. Para esto hay que proveer al
convertidor de imgenes (CI) de un pulso de tensin mayor de 30 V y con un rise-time de
aproximadamente 1 microsegundo de modo que las imgenes sean tomadas en los tiempos
preestablecidos. Es con este objetivo que se dise y construy el circuito conformador que
sincroniza el disparo de un convertidor de imgenes con la descarga. Dicho convertidor se
encuentra frente a la ventana ptica de la cmara de Pyrex del dispositivo.

Se emple un convertidor de imgenes (CI) CORDIN modelo 511B para obtener


fotografas que permitan caracterizarlas estudiando la morfologa de la lmina de corriente
generada en la descarga, la interaccin de esta lmina con los electrodos y las sondas
magnticas, etc.

La Fig. 4.27 muestra la parte posterior del CI, el frente de la caja metlica que contiene
al circuito electrnico construido y la pelcula fotogrfica Polaroid empleada para obtener las
fotografas (Polaroid 667, Blanco y Negro 3000 ASA).

83
IV. VALIDACIN

Fig. 4.27 Imagen del CI, panel del circuito conformador, pelcula
utilizada y ventana de la cmara por la que se toma la fotografa.

Dado que, como se observa en la Fig. 4.27, las fotografas se obtienen a travs de una
ventana ubicada en uno de los brazos de la cmara de descargas fue necesario tambin
construir piezas que permitiesen posicionar el can coaxial total o parcialmente a la altura de
esta ventana ptica. Se construyeron entonces dos suplementos que elevan los electrodos
respecto de su posicin original (todo el can coaxial esta contenido en el brazo inferior de la
cruz de vidrio). Las piezas construidas debieron naturalmente cumplir con el requisito de
cerrar vaco en la cmara de descargas y ser capaces de conducir la corriente de retorno de la
descarga.

La foto (tomada por el Dr. Javier Martnez (INFIP-UBA) en un experimento sobre el


dispositivo CCII) tiene un tiempo de exposicin de 1,09 s y con la siguiente configuracin
del dispositivo:

- Gas de llenado: hidrgeno a 1 mb.


- Circuito elctrico externo:

Tensin de Carga Inductancia Resistencia Externa Capacitancia


20 kv 168 nH 0,032 ohms 5,6 uF

Realizamos la simulacin del experimento con los datos mencionados obteniendo el


perfil transversal en 2D de la lmina de plasma simulada. Luego mediante el procesamiento de
las imgenes mezclamos la fotografa real y la imagen simulada utilizando un filtro de
exclusin de colores que nos permiti realzar la unin de los dos fotogramas.

En la Fig. 4.28 se observa el perfil obtenido mediante la simulacin, en la Fig. 4.29 la


foto tomada en el INFIP-UBA, en la Fig. 4.30 la superposicin a escala de imgenes
pudindose observar un buen ajuste al perfil real de la lmina.

84
IV. VALIDACIN

Perfil

0.025

0.020

Eje Radial R (mts)


0.015

0.010

0.005

0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10

Eje axial Z (mts)

Fig. 4.28 Reconstruccin 2D de la forma de la lmina segn


la simulacin.

Fig. 4.29 Imagen de la lmina de plasma tomada durante un disparo del dispositivo
CCII. Se observan adems el electrodo externo (lneas verticales oscuras) conformado
por barras dispuestas en forma circular alrededor del nodo.

85
IV. VALIDACIN

Fig. 4.30 - Superposicin de imgenes mediante mtodo de exclusin de


colores.

86
IV. VALIDACIN

IV.4. Comparacin del perfil de la lmina de corriente del


dispositivo chileno La Reinita
La Reinita es un equipo plasma focus pequeo perteneciente a la Comisin chilena
de Energa Nuclear, fue diseado para trabajar a baja energa (banco de capacitores de 160nF,
inductancia de 65nH, tensin inicial 25-40kV, 32-128J) de forma de obtener un dispositivo
compacto y transportable. [SIL02]

En la Fig. 4.31 se observan las caractersticas geomtricas del dispositivo, en la tabla


de la izquierda se encuentran la configuracin del circuito. Se utiliz hidrgeno como gas de
llenado a 470 mb.

Se obtuvieron imgenes del plasma en la regin visible (Fig. 4.32) en el momento del
foco (230 ns luego del disparo) con una cmara ICCD de 5 ns de apertura, el sistema ptico
estaba compuesto por un lente con distancia focal de 12.5 cm caracterizado por una
magnificacin m=0.2 y nmero ptico F=1/12.5 .

Se realiz la simulacin del dispositivo de acuerdo a sus parmetros geomtricos y del


circuito externo ya mencionados con el objetivo de comparar la forma del perfil de la lmina
de plasma y realizar adems una animacin del movimiento de la lmina de plasma.

En la Fig. 4.32 puede observarse la superposicin de imgenes realizada, entre la foto


original del plasma y el perfil de lmina predicho por el simulador (en color amarillo)
obteniendo un notable ajuste. En la Fig. 4.34 se muestra una secuencia de fotogramas que es
parte de la animacin generada utilizando la aplicacin Generador Pov Ray (desarrollada
como parte del presente trabajo) para realizar la reconstruccin 3D y luego la aplicacin Por-
Ray 3.1 para hacer el rendering de cada fotograma. La Fig. 4.33 muestra el fotograma
generado mediante la simulacin del momento del foco.

Parmetro Valor
Tensin inicial 25 kV
Capacidad 1.6E-7 F
Inductancia externa 6E-8 H

Fig. 4.31 Configuracin geomtrica del dispositivo


(mm)

87
IV. VALIDACIN

Fig. 4.32 - Fotos del foco Reinita con hidrgeno. La curva (amarilla) est calculada mediante la simulacin

Fig. 4.33 - Reconstruccin en 3D del momento en que se produce el pinch.

88
IV. VALIDACIN

1 2

3 4

5 6

7 8

Fig. 4.34 - Reconstruccin del desplazamiento de la lmina de plasma en 3D, en diferentes instantes de tiempo.

89
IV. VALIDACIN

IV.5. Ajuste Inductancia


Como se mencion, la inductancia en el circuito tiene una componente fija dada por la
inductancia del conexionado, y una componente variable dada por el movimiento de la lmina
de corriente en el interior del can coaxial una vez cerrado el circuito.

Generalmente la medicin directa de propiedades del plasma requiere instrumental


muy costoso y equipamiento sofisticado. Sin embargo es posible el diagnstico de la
evolucin del plasma durante la descarga basado en el procesamiento de las seales elctricas
[BRU06B]. En el trabajo de referencia se presenta una tcnica para determinar la evolucin
temporal de la inductancia en un plasma focus. Tcnica que slo requiere la medicin del
voltaje entre los electrodos y la derivada temporal de la corriente.

Se cargaron las caractersticas geomtricas del equipo en el Editor de Geometras PF


(Fig. 4.35), y se realiz posteriormente la simulacin mediante CShock para 1 mbar (Fig. 4.36)
y para 3 mbar (Fig. 4.37). En cada grfico los datos experimentales muestran la inductancia
para 10 disparos del Plasma Focus.

Se utiliz en la simulacin una densidad de 2 segmentos por mm, y t = 19 seg . Los


parmetros del modelo fueron:

Presin (mbar) (s-1) t0 (s)


1 3 0.05
3 3 0.05

Como puede observarse se logra reproducir correctamente la dinmica promedio de la


inductancia en el tiempo, manteniendo constantes los parmetros del modelo de spark-gap.

Fig. 4.35 Diseo de la Geometra del dispositivo [BRU06B] en el Editor de Geometras PF.

90
IV. VALIDACIN

shot 8
30 7,3
4
5,9
2,6

20
Lp (nH)
10,1

10

0
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0
t (s)

Fig. 4.36 Comparacin para 1 mbar de presin, en negro los datos obtenidos en el trabajo
de referencia, en rojo la evolucin temporal de la inductancia simulada.

shot 4

30 6,8
2,3,7,9
1
10
20
Lp (nH)

10

0
0 1 2
t (s)

Fig. 4.37 Comparacin para 3 mbar de presin, en negro los datos obtenidos en el trabajo
de referencia, en rojo la evolucin temporal de la inductancia simulada.

91
IV. VALIDACIN

IV.6. Simulacin de una geometra no convencional


Una de las principales virtudes del modelo y herramientas presentadas es la posibilidad
no slo de definir mediante el Editor de Geometras PF, geometras no convencionales de
electrodos, sino adems luego cargarlas al simulador CShock y evaluar la evolucin de los
diferentes parmetros y comparar el desempeo de stos entre diferentes geometras,
realizando de esta forma la tarea de diseo de ingeniera asistido por computadora.

Si bien no existe un dispositivo no convencional en los laboratorios con los que se


cuenta acceso en nuestro pas, para mostrar la capacidad de la herramienta desarrollada se ha
modificado la geometra del aislante y el electrodo interno dndole una forma de bala, la cual
probablemente debera variar el comportamiento de la lmina de corriente permitindole
desarrollar mayores velocidades de desplazamiento.

A continuacin se mostrar la comparacin entre tres parmetros calculados para dos


dispositivos ficticios, ambos con el mismo circuito externo y presin de llenado pero con
diferente geometra de electrodo interno. En uno de ellos como se mencion se dio forma de
bala o perfil de ala de avin al electrodo interno, y al otro un electrodo cilndrico
convencional. Para poder realizar una comparacin adecuada se midi el permetro de
electrodo interno no convencional y se le dio el mismo permetro al convencional.

En la Figs. 4.38 y 4.39 pueden observare la vista de diseo de la geometra no


convencional en el Editor de Geometras PF, en dichas figuras los puntos rojos son los puntos
de control de una spline (en color rojo) que es la utilizada como gua para dar la forma
redondeada al nodo, esto es parte de las facilidades de diseo que provee la herramienta. En
las Figs. 4.39 a y b se observa la vista 3D de aislante y electrodo interno resultante.

Fig. 4.38 Geometra no convencional en el Editor de Geometras PF

92
IV. VALIDACIN

Fig. 4.39 Geometra no convencional en el Editor de Geometras PF (zoom sobre el extremo


del nodo)

(a) (b)
Fig. 4.40 Vista 3D de la geometra no convencional

93
IV. VALIDACIN
En la Fig. 4.41 se observa la ventana grfica del simulador con el momento en que la
lmina llega al pinch.

Fig. 4.41 Simulacin mediante C-Shock de la geometra no convencional.

La geometra convencional comparativa puede observarse en la Fig. 4.42, con su viste


3D en las Figs. 4.43 a y b.

Fig. 4.42 Geometra convencional en el Editor de Geometras PF

94
IV. VALIDACIN

(a) (b)
Fig. 4.43 Vista 3D de la geometra convencional

En la Fig. 4.44 se observa la ventana grfica del simulador con el momento en que la
lmina llega al pinch.

Fig. 4.44 Simulacin mediante C-Shock de la geometra convencional.

95
IV. VALIDACIN
Para ambos casos se corri la simulacin con la siguiente configuracin:

Parmetro Valor
Capacidad 1.05*10-5 F
Inductancia Externa 3.9*10-8 H
Presin de llenado 3 mbar
Gas Deuterio
-1
0.2 s
t0 0.2 s
dt 1*10-9 seg
densidad segmentos 1 seg/mm

Como se mencion se comparan tres parmetros, stos son el tiempo de llegada al


foco, la inductancia del can a travs del tiempo y la evolucin del valor absoluto de la
corriente. De la observacin de estos parmetros puede concluirse que por un lado como era
de esperarse la velocidad de desplazamiento de la lmina es mayor para el caso no
convencional y por lo tanto llega ms rpidamente la foco, por otra parte la corriente (Fig.
4.45) no est, para ninguno de los dos casos, en su pico mximo en el pinch por lo que debera
redisearse la longitud del aislante o el circuito externo de este dispositivo ficticio para hacer
coincidir este punto de mxima corriente con la llegada al pinch, de esta forma se estar en
acuerdo con la mayora de los modelos de produccin neutrnica donde existe una fuerte
dependencia (al menos cuadrtica) entre la produccin y el valor de corriente en el pinch

La evolucin suave de la inductancia (Fig. 4.46) en la geometra no convencional est


asociada a la ausencia de quiebres en la geometra del electrodo o cambios bruscos de ngulos
en sta, tal como sucede al llegar al extremo del nodo en la geometra convencional, de aqu
la diferencia en el comportamiento de las inductancias.

Llegada al foco Valor


Geometra no convencional 2,705*10-6 seg
Geometra convencional 2,995*10-6 seg

96
IV. VALIDACIN

No Convencional
60000 Convencional

50000

40000
Corriente (A)

30000

20000

10000

-7 -6 -6 -6 -6 -6
0,0 5,0x10 1,0x10 1,5x10 2,0x10 2,5x10 3,0x10
Tiempo (seg)

Fig. 4.45 Evolucin de la corriente

3,00E-008

No Convencional
2,50E-008 Convencional

2,00E-008
Inductancia (H)

1,50E-008

1,00E-008

5,00E-009

0,00E+000

-7 -6 -6 -6 -6 -6
0,0 5,0x10 1,0x10 1,5x10 2,0x10 2,5x10 3,0x10
Tiempo (Seg)

Fig. 4.46 Evolucin de la inductancia

97
IV. VALIDACIN

IV.7. Produccin Neutrnica


El modelo desarrollado fue concebido en parte para soporte numrico de los diferentes
aspectos del fenmeno plasma focus. A modo de prueba, se implement un modelo de
produccin neutrnica que fue descripto en la seccin II.1.6, sobre el que se realizaron
numerosas pruebas de desempeo en el simulador.

Este modelo es similar al ya utilizado para un modelo unidimensional de plasma focus


tal como el de [GON04]. Sin embargo el enfoque bidimensional discreto de la lmina de
corriente en este caso, produce el efecto de llegada en cascada de los elementos discretos de la
lmina a la posicin del pinch.

En esta seccin se presentan los resultados de una simplificacin de la cascada de


reacciones (un micropinch por cada elemento que llega forma foco) teniendo en consideracin
solamente el primer elemento discreto de lmina que toca el eje, y en base a su estado
termodinmico y el estado del circuito elctrico en ese momento se realiza el clculo de
produccin.

Las pruebas realizadas se centraron en datos experimentales del dispositivo GN1 del
INFIP-UBA disponibles en [MOR00] los que pueden observarse en la Fig. 4.47, y se busc
verificar las tendencias en los valores de produccin que se sigue en otros modelos y
experimentalmente. En la seccin IV.2 se mostr en detalle las caractersticas de este equipo y
el ajuste realizado.

Se utiliz el modelo de cada de tensin en el spark-gap, con los siguientes parmetros


del simulador:

Parmetro Valor
-1
7 s
t0 0.1 s
K 3.5
-9
dt 1*10 seg
densidad segmentos 2 seg/mm

De forma de ajustar a los valores de tiempo de llegada al foco medidos, como puede
observarse en la Fig. 4.47.

98
IV. VALIDACIN

-6
1,7x10

Tiempo al foco medido


-6
1,6x10 Tiempo al foco simulado

-6
Tiempo al Foco (seg) 1,5x10

-6
1,4x10

-6
1,3x10

-6
1,2x10

-6
1,1x10

-6
1,0x10
1 2 3 4 5 6 7
Presin de llenado (mbar)

Fig. 4.47 Tiempo al foco medido vs. simulado

Una vez logrado este ajuste cinemtico, se realizaron los clculos de produccin
neutrnica. Como resultado se encontr que para explicar los datos neutrnicos
experimentales es necesario suponer una temperatura de pinch bastante menor que la
temperatura de Benett, y una longitud de pinch del orden de las dcimas de milmetro. Como
puede verse en la Fig. 4.48, con las suposiciones mencionadas la tendencia numrica
concuerda con la experimental, incluso en la ubicacin del mximo tambin.

No hay mediciones experimentales de la temperatura del pinch de ningn plasma


focus, ya que es una medicin muy difcil de realizar (tngase en cuenta que el pinch es de
muy corta duracin y las temperaturas son muy altas). Las pocas menciones que aparecen en
la literatura de mediciones indirectas mencionan siempre temperaturas promedio menores que
la de Benett, lo cual est de acuerdo con nuestros resultados. Las longitudes tan pequeas
predichas por el presente modelo indicaran que la produccin se realiza en pequeas zonas, lo
cual est de acuerdo con la teora de los puntos calientes (o hot-spots) que se formaran en el
pinch por inestabilidades magnetohidrodinmicas.

La relacin de densidades K de ajuste es 3,5 resulta interesante observar que este valor
es cercano a la relacin de densidades de una onda de choque plana, y se encuentra en el orden
de magnitud que generalmente es supuesto en la bibliografa.

Una interesante extensin futura del modelo de produccin neutrnica sera considerar
no slo el primer segmento de lmina que llega al pinch, sino una cascada, lo cual
probablemente lleve a un comportamiento oscilatorio, con varios puntos de generacin de
neutrones, separados espacial y temporalmente. Este fenmeno fue observado en varias
mediciones experimentales.

99
IV. VALIDACIN

Medicin GN1
6,0x10
8 Simulacin C-Shock

8
4,0x10
Yn

8
2,0x10

0,0
1 2 3 4 5 6
P0

Fig. 4.48 Produccin Neutrnica medida en el dispositivo GN1 [MOR00] vs.


Produccin neutrnica calculada mediante el simulador C-Shock.(=1/150)

A continuacin en la Fig. 4.49 se muestra la variacin de la produccin para 4 mbar


(valor mximo) respecto a la relacin K de densidades. Puede observarse una relacin casi
lineal, y se evidencia un comportamiento montono y con escasa dispersin, lo cual deja una
base muy favorable para continuar trabajos futuros buscando desde el punto de vista
experimental y de los modelos determinar en forma general el valor de K, con lo cul dejara
de ser una variable de ajuste.

8x10
8 Y

8
7x10

8
6x10
Y

8
5x10

8
4x10

8
3x10
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
K

Fig. 4.49 Produccin Neutrnica vs. Relacin de densidades K

100
CAPITULO V.

CONCLUSIONES

En este trabajo se ha desarrollado un modelo que describe la dinmica de equipos


Plasma Focus (PF) a nivel de ingeniera conceptual y bsica, basado en una representacin
bidimensional de la lmina de corriente. El presente modelo bidimensional representa un
avance en detalle, capacidad de representacin y reduccin de parmetros de ajuste respecto
de los modelos existentes.

En las etapas iniciales del proyecto, se contaba con una idea de un modelo
bidimensional que requera una implementacin computacional que no se adecuaba a un
entorno de programacin procedural esttico (e.g. Fortran). Debido a la naturaleza netamente
dinmica de la discretizacin deba contarse con estructuras de datos flexibles y eficientes, y
como adems de la implementacin computacional, deba a la par probarse el modelo y
evolucionar en su desarrollo, ensayando diferentes formas de discretizar la lmina de
corriente, modelar cada componente, y diferentes estrategias algortmicas que mantengan la
cohesin en la lmina discretizada, se propuso la implementacin del simulador en un lenguaje
orientado a objetos.

Dado que an no existen patrones de diseo orientados a objetos (OO) suficientemente


probados para clculo numrico, se debi desarrollar una arquitectura OO que es lo
suficientemente general como para dar soporte al desarrollo del modelo propuesto en esta
tesis. El resultado fue la arquitectura DSim, un diseo que sirve de soporte no slo para el
simulador de Plasma Focus sino adems de cualquier simulador de este tipo que quiera
desarrollarse, brindando herramientas de representacin para la fcil modificacin de cdigo,
reusabilidad, mantenibilidad y encapsulamiento de datos. Esto presenta un aporte importante
al rea de simulacin computacional.

101
V. CONCLUSIONES
Adems de la plataforma de desarrollo de simuladores orientados a objetos, se
desarroll una serie de herramientas, tales como el simulador de dispositivos PF propiamente
dicho, un editor de geometras PF y un generador de visualizaciones 3D. Este conjunto de
herramientas conforma un sistema de diseo asistido por computadora de dispositivos PF. La
versatilidad de la arquitectura desarrollada permite, entre otras cosas, estudiar diferentes
modelos y configuraciones con agilidad. Tambin resulta importante la visualizacin de la
forma de la lmina y los electrodos, esto es un avance respecto a aplicaciones actuales de
simulacin de PF, permitiendo controlar la consistencia de la geometra planteada y observar
la evolucin y comportamiento de la lmina a medida que avanza el clculo.

Para la resolucin numrica del sistema de ecuaciones se implement como parte de la


arquitectura el mtodo de Runge-Kutta de cuarto orden, que mostr ser robusto para las
dinmicas simuladas, quedando la posibilidad, gracias a la flexibilidad de la misma, de
implementar y probar fcilmente otros mtodos de resolucin.

El modelo fsico subyacente fue extensamente validado durante la implementacin del


simulador CShock, que se llev a cabo con un proceso de desarrollo progresivo de modelos,
conjuntamente con diversos algoritmos geomtricos.

La flexibilidad introducida por la arquitectura, separando el modelo fsico del mtodo


de resolucin y de la visualizacin de valores y su graficacin, permiti llevar a cabo las
numerosas intervenciones en el cdigo del simulador a fin de testear las diferentes alternativas
del modelo y algortmicas que se planteaban a medida que se afianzaba el modelo que
actualmente se presenta, y fue fundamental para lograr un desarrollo gil y a la vez confiable,
obteniendo adems un manejo eficiente de memoria y dems recursos computacionales y un
cdigo de rpida ejecucin. Esto satisface el objetivo principal de la plataforma de desarrollo
propuesta.

Continuando con la mencin de resultados en el rea computacional del presente


trabajo, se provey al simulador de una interfaz grfica para su fcil utilizacin, cargando los
diferentes parmetros de configuracin y estado inicial del PF y del circuito elctrico, y la
geometra del dispositivo generada previamente mediante el editor de geometras PF. Esta
interfaz es un resultado original poco comn en este tipo de simuladores.

Sin lugar a dudas y acompaando la tendencia en el desarrollo de software, la incursin


cada vez mayor de la informtica en el rea de los mtodos numricos y simulacin, no slo
como mero medio de clculo de resultados y potencia computacional sino aportando las
capacidades grficas, de manejo dinmico de memoria y de nuevos paradigmas de
programacin, logran sistemas como el que se presentan en el que se amalgaman
caractersticas que facilitan el manejo de las aplicaciones agilizando las tareas del cientfico y
la deteccin temprana de errores de ingresos de datos, manteniendo la potencia de clculo.

El editor de geometras PF desarrollado es en s un editor vectorial de geometras de los


componentes del can acelerador de un PF, que permite definir formas convencionales y no
convencionales para los electrodos y el aislante, para luego llevarlas al simulador CShock y
observar el comportamiento y evolucin de los diferentes parmetros. La variacin de las
geometras permite estudiar su impacto en el estado con que llega la lmina de corriente y el
circuito elctrico al pinch, a fin de aumentar la produccin neutrnica. Esto constituye una
caracterstica y un aporte importante de este trabajo, ya que existen varios modelos
bidimensionales, con diferentes enfoques de clculo, pero todos son acotados a geometras
cilndricas, o a lo sumo cnicas de electrodo, pero no a geometras arbitrarias. Un ejemplo de
estas capacidades se mostr en el captulo de validacin.

102
V. CONCLUSIONES
Es de destacar la minimizacin de la cantidad de parmetros de ajuste del modelo del
simulador de PF, sobre todo la eliminacin de los parmetros de forma, la cual en CShock es
calculada paso a paso durante la simulacin numrica. CShock slo requiere parmetros para
modelar la cada de tensin del spark gap y dos parmetros de ajuste del modelo de
produccin neutrnica (i.e. relacin de densidades entre el gas estancado y de la lmina de
plasma, y longitud del pinch). Estos parmetros pueden ser eliminados en el futuro mediante la
introduccin de modelos de pinch ms sofisticados. Esta notable disminucin en la cantidad de
parmetros de ajuste es un aporte sumamente importante a los modelos de PF, de los que
podemos encontrar algunos con gran detalle y sofisticacin en la descripcin de fenmenos
fsicos puntuales, pero obligados a la introduccin de numerosos parmetros de ajuste o
viscosidades artificiales.

Se recopilaron datos experimentales de varios dispositivos, principalmente radicados


en nuestro pas. Los aportes realizados por todos los laboratorios del PIPAD fueron
fundamentales para el xito de este trabajo. Si bien las publicaciones internacionales permiten
recavar datos de numerosos dispositivos ubicados en laboratorios de todo el mundo, se busc
enfocar los esfuerzos a la obtencin de datos experimentales de PF radicados en el pas, con el
doble objetivo de certificar fcilmente la precisin de los datos obtenidos y de lograr la
interaccin con el personal de cada laboratorio, que signific un aporte fundamental de
conocimientos e ideas que nutrieron y se ven reflejadas en diversos aspectos del modelo final.
Con estos datos y como se mostr, se logr una validacin muy satisfactoria de la cinemtica
de la lmina de corriente, y la calibracin de los parmetros de breakdown por contraste con
mediciones experimentales del tiempo de llegada al foco.

Si bien numerosos modelos tanto bidimensionales como unidimensionales, hallados en


la bibliografa presentan como primer resultado un buen ajuste a la cinemtica de la lmina de
corriente, se lograron en el presente trabajo, resultados sumamente notables en ajuste de
valores tales como la evolucin de la inductancia variable en el can acelerador. Este ajuste
sin dudas es uno de los ms importantes logros de este trabajo, y sin dudas muestra la calidad
de los resultados obtenidos con un modelo que concebido desde un punto de vista ingenieril y
fenomenolgico de los eventos, permite mostrar que se ha hecho realidad la posibilidad de
simular estos complejos dispositivos con un nivel de detalle hasta el momento nunca
alcanzado.

Se destacan adems los resultados obtenidos mediante la adaptacin del modelo de


produccin neutrnica. Al referirlo como adaptacin se significa que se utiliz un modelo que
originalmente fue concebido para una representacin unidimensional de pistn de la lmina de
corriente, al modelo bidimensional que se presenta en este trabajo, y que llev para lograr el
ajuste a suposiciones tales como que el pinch se origina en el primer segmento discreto que
sumado a su espesor alcanza el eje de simetra del sistema. Quitando as la expresividad y
posibilidades que trae aparejado el modelo bidimensional que se presenta, tal como lo es
aprovechar la correcta representacin de la llegada de la lmina de corriente al pinch, que en la
realidad lejos de hacerlo como un pistn, lo hace progresivamente, visto desde nuestra
representacin, como una oleada de segmentos discretos que alcanzan el eje de simetra.

Esto deja abierta la exploracin de nuevos modelos bidimensionales de produccin


neutrnica, que aprovechen la capacidad de representacin provista por CShock,
aproximndose ms a las mediciones experimentales, donde se observa la focalizacin en
espacios localizados de la columna de plasma y se miden emisiones distribuidas
temporalmente. Es sugestiva la posible vinculacin de estos efectos a la oleada de segmentos
discretos que llega sucesivamente a la posicin del pinch.

103
V. CONCLUSIONES
Se puede concluir entonces que el modelo bidimensional de Plasma Focus propuesto
describe correctamente la cinemtica de la lmina de plasma desde su recorrido desde la base
del can coaxial hacia el desborde en el extremo del nodo, previo al pinch. Describe con una
concordancia excelente de la inductancia variable. De esta forma se puede estudiar la
evolucin del estado durante su movimiento y los valores de las magnitudes fsicas con que
llega el pinch, sirviendo de entrada a modelos de clculo de produccin neutrnica, tal como el
mostrado en este trabajo.

Adems, se efectu un anlisis de sensibilidad de parmetros y un anlisis de


convergencia que nos permite concluir un comportamiento satisfactorio del modelo y la
simulacin ante las pruebas realizadas. Por lo tanto, teniendo en cuenta lo mencionado, puede
concluirse que se ha generado una herramienta que es utilizable en la etapa conceptual y
bsica del diseo de equipos Plasma Focus, que era el objetivo final planteado al comenzar el
trabajo.

Los resultados de esta tesis abren un campo interesante de investigaciones futuras,


algunas ya mencionadas, pero que se centran principalmente en el refinamiento del modelo de
produccin neutrnica y en la introduccin de un kernel de produccin de rayos X, los cuales
pueden ser validados con datos de produccin existentes.

Desde el punto de vista del diseo, la herramienta desarrollada servir de base para la
exploracin de nuevos diseos no convencionales de Plasma Focus, los cuales pueden ser
ensayados para optimizar las emisiones u otras aplicaciones (e.g. propulsores de plasma para
satlites).

104
Anexo

A.1. Arquitectura DSim


Debido a las caractersticas del simuladores que se pretenden modelar, ser necesario
contar con herramientas que permitan representar sistemas de ecuaciones diferenciales y
discretizaciones espaciales de elementos a simular, se debi pensar entonces en resolver
diversos aspectos que dieran como resultado una arquitectura computacional flexible en
cuanto a su utilizacin y que facilite el diseo de simuladores de fenmenos con tales
caractersticas, de esta forma nace la arquitectura que llamamos DSim, y que fue desarrollada
en conjunto con el Ing. Gustavo . Correa Reina, como parte de nuestro trabajo final de la
carrera de Ingenera de Sistemas.

Esta arquitectura adems de servir al propsito de facilitar el desarrollo del simulador


para el presente trabajo, pretende ser un aporte a la comunidad cientfica fusionando en una
misma arquitectura capacidades de desarrollo de aplicaciones grficas interactivas, estructuras
de datos dinmicas y flexibles, y potencia de clculo numrico.

Un problema representativo del dominio de problemas al que estar orientado DSim es


el de modelar ondas de choque deformables, se trata de elementos que se mueven y cambian
de forma a lo largo del tiempo, esto exigir la redefinicin de la geometra en forma casi
continua. Adems para poder resolver numricamente el problema, esta geometra debe ser
discretizada dividindola en pequeos elementos.

Fue necesario adems resolver gran cantidad de problemas geomtricos, ya que existen
muchas consideraciones tanto en el movimiento de la onda de choque cuando sta se
encuentra con algo a su paso, casos de auto-intersecciones, como as tambin en la forma que
sta se pega a las paredes del dispositivo en la cual se encuentra contenida. Desarrollar esta
etapa consumi una gran cantidad de tiempo, probndose varios algoritmos hasta que se lleg
obtener una solucin aceptable en trminos de que responda a la fsica del problema.

Por otro lado, para la resolucin de las ecuaciones diferenciales en cada elemento de la
discretizacin es posible utilizar distintos tipos de mtodos de resolucin, por lo cual se cre
un mtodo de abstraccin para darle soporte a las mismas. En el caso de estudio utilizamos

105
A.1. ARQUITECTURA DSIM
exclusivamente el mtodo de resolucin de sistemas de ecuaciones diferenciales lineales de
Runge Kutta de cuarto orden, debido al conocido buen comportamiento en la resolucin de
dichos sistemas. Sin embargo uno de los objetivos de la arquitectura de objetos propuesta, es
lograr que la representacin de las ecuaciones que describen a los modelos no dependa del
mtodo de resolucin de ecuaciones que se utilizar, permitiendo cambiar el mtodo de
resolucin sin tener que modificar algo en las ecuaciones o en los modelos.

Ya que se trata de procesos en los cuales no existen acciones de control y que


transcurren en muy escaso tiempo, se deba poder observar el valor de todas las variables de
estado y de los clculos a medida que transcurra la simulacin, o sea, cul era el estado de
casi todos los objetos involucrados en la simulacin. Esto se resolvi utilizando el pattern
Observer [GAM95] obteniendo un bajo acoplamiento entre el modelo y las interfaces. El
estado de las variables tenia que ser mostrado tanto instantneamente como tambin se deba
guardar el historial de las mismas. Se deba volcar gran cantidad de informacin a archivos
para un posterior anlisis, eso tambin se resolvi utilizando el pattern Observer.

A continuacin y previo al diseo e implementacin de la arquitectura DSim se ver


una introduccin al modelado y la simulacin computacional, y al paradigma de orientacin a
objetos, ambos pilares de este trabajo.

A.1.1. Introduccin al Modelado y Simulacin Computacional

Cuando alguien tiene la responsabilidad de conducir un sistema dado, como por


ejemplo: un banco, una ciudad, un experimento de laboratorio, debe tomar continuamente
decisiones acerca de las acciones que ejecutar sobre el sistema. Estas decisiones deben ser
tales que la conducta resultante del sistema satisfaga de la mejor manera posible los objetivos
planteados [BAN96] [SHA98] [SCE99].

Para poder decidir correctamente es necesario saber cmo responder el sistema


ante una determinada accin. Esto podra hacerse por experimentacin con el sistema mismo;
pero factores de costos, seguridad y otros hacen que esta opcin generalmente no sea viable.

A fin de superar estos inconvenientes, se suele reemplazar el sistema original por un


sistema ideal que es una versin matemtica simplificada de la realidad. Este ltimo sistema,
denominado modelo, es utilizado para llevar a cabo las experiencias necesarias sin los
inconvenientes planteados anteriormente. Al proceso de experimentar con un modelo se
denomina simulacin. Haremos referencia a dos definiciones representativas de Simulacin:

Simulacin es el proceso de disear un modelo de un sistema real y llevar a cabo


experiencias con el mismo con la finalidad de comprender el comportamiento del
sistema o de evaluar nuevas estrategias - dentro de los lmites impuestos por un
criterio o conjunto de ellos -, para el funcionamiento del sistema. . R.E. Shannon

"Una simulacin es una imitacin de la operacin de un proceso del mundo real


sobre determinado tiempo". J. Frausto

En estas definiciones est implcito un sistema que contiene un proceso


(posiblemente formado por subprocesos), o sea se trata de un sistema que cambia con el
tiempo. Ntese que en las definiciones no se seala si las relaciones de las variables del
sistema son discretas o continuas, esto depende del modelo que representar al sistema real.

106
A.1. ARQUITECTURA DSIM
Esta divisin no existe siempre en la realidad, hemos sido los seres humanos quienes lo hemos
dividido (para facilitar su estudio) en discreto y continuo.

La simulacin puede intervenir en cualquiera de las fases del ciclo de vida del
sistema, tanto en la concepcin del mismo, como en su diseo preliminar y consiguiente
estudio de factibilidad, en el diseo detallado y en la fase de construccin para proceder a
evaluaciones y asesoramientos, o en la fase de utilizacin y mantenimiento para poder evaluar
escenarios alternativos y encontrar respuestas a preguntas del tipo que pasara si.

Pero si buscamos factores por los que la simulacin sea un campo que ha tenido y
tiene un enorme desarrollo, sin duda stos son sus caractersticas de bajo costo y falta de
riesgo, respecto a la experimentacin sobre el sistema real.

Los modelos necesarios para la realizacin de los experimentos de simulacin no


se utilizan exclusivamente para predecir el comportamiento de sistemas reales, sino que
pueden ser empleados en otro tipo de tareas, tales como:

Diagnosis. El modelo se emplea como representacin profunda del sistema,


sobre el que es posible determinar las causas que generan una desviacin
respecto a un comportamiento terico.

Control basado en modelos. El modelo se emplea para determinar las posibles


acciones a realizar sobre el sistema que conduciran al mismo a una
determinada situacin.

Optimizacin. El modelo se emplea para determinar situaciones del proceso en


las que se logra una mejora del rendimiento. Esto es uno de los objetivos que
se pretenden alcanzar con el presente trabajo.

Enseanza y Capacitacin. El modelo se utiliza para que una persona estudie el


comportamiento del sistema al que modela.

Adems se pueden mencionar los siguientes casos en los que el diseo de un


simulador se hace casi indispensable:

Existe una formulacin matemtica pero es difcil obtener una solucin analtica:
Los modelos matemticos utilizados para modelar un reactor nuclear o una
planta qumica son imposibles de resolver en forma analtica.

No existe el sistema real: Es el problema del ingeniero que tiene que disear un
equipo nuevo o una nueva planta. El diseo del sistema mejorar notablemente
si se cuenta con un modelo adecuado para realizar experimentos con una
computadora.

Los experimentos son imposibles debido a impedimentos econmicos, de


seguridad, de calidad o ticos: En este caso, el sistema real est disponible para
realizar experimentos, pero la dificultad de los mismos hace que se descarte
esta opcin. Un ejemplo de esto es la imposibilidad de provocar fallas en un
avin real para evaluar la conducta del piloto.

La gran evolucin de la informtica tanto en su aspecto de hardware como


software, ha permitido afrontar la resolucin de complejos problemas fsicos y matemticos

107
A.1. ARQUITECTURA DSIM
cuya resolucin analtica resultara prcticamente imposible. As pues la simulacin intenta
reproducir la realidad a partir de la resolucin numrica mediante una computadora de las
ecuaciones matemticas que describen dicha realidad. Por lo tanto hay que suponer que la
simulacin es tan exacta como lo sean las ecuaciones de partida y la capacidad de las
computadoras para resolverlas.

Un programa de simulacin por computadora est compuesto por las siguientes


partes:

Un modelo: Puede ser un conjunto de ecuaciones, reglas lgicas o un modelo


estadstico.

El evaluador: Es el responsable de procesar el modelo para obtener los


resultados de la simulacin. Puede contener rutinas para la resolucin de
sistemas de ecuaciones, generadores de nmeros aleatorios, rutinas estadsticas,
etc.

La interfaz: Es la parte dedicada a interactuar con el usuario, recibe las acciones


del mismo y presenta los resultados de la simulacin en una forma adecuada, es
decir, provee todos los elementos necesarios para facilitar al usuario el ingreso
de datos y el acceso a los resultados. Ms an, a fin de aumentar el realismo, la
interfaz puede llegar a ser fsica como es el caso de la cabina utilizada en los
simuladores de vuelos.

Al construir el modelo, el principal problema consiste en identificar e incluir los


principales fenmenos fsicos y qumicos que son relevantes para la situacin que se desea
modelar. Pero debe tenerse en cuenta que no existe un nico modelo para un sistema y no
existe ningn mtodo de cmo construir un modelo matemtico, solo lineamientos generales.

Entonces el modelo es por lo general representado mediante un sistema de


ecuaciones que pueden ser algebraicas y/o diferenciales lineales o no lineales, de diferentes
rdenes. Se plantean dos posibles problemas:

Encontrar la solucin de un sistema de ecuaciones algebraicas no lineales

Encontrar la integracin numrica de ecuaciones diferenciales ordinarias y en


derivadas parciales mediante ecuaciones discretizadas que aproximan a las
soluciones de las ecuaciones diferenciales continuas.

Para el primer problema usualmente se resuelve con mtodos iterativos y de


programacin lineal (e.g. SIMPLEX). Para el segundo problema debemos recurrir a un mtodo
de integracin numrica, cuya eleccin depender fundamentalmente de la precisin que
deseemos lograr en los resultados y de la preponderancia o no de la velocidad en los clculos.

A.1.1.1. Ecuaciones Diferenciales y Mtodos de Resolucin

Las leyes fundamentales de la fsica, mecnica, electricidad y termodinmica estn


basadas con frecuencia en observaciones experimentales que explican variaciones en las
propiedades fsicas y estados de los sistemas. Estas leyes, ms que describir directamente el
estado de los sistemas fsicos se expresan en trminos de los cambios espaciales y temporales
de las variables intervinientes. Es por ello que las ecuaciones diferenciales tienen importancia

108
A.1. ARQUITECTURA DSIM
fundamental en las aplicaciones de ingeniera ya que numerosos procesos fsicos son
idealizados (o modelados) matemticamente por estas ecuaciones.

Podemos citar como ejemplo de una ley fundamental que se escribe con una
ecuacin diferencial a la ley de Newton del movimiento

dv F
= (34)
dt m

donde v es la velocidad, F es la fuerza, m es la masa y t el tiempo.

La mayora de las ecuaciones diferenciales de importancia prctica no se pueden


resolver mediante mtodos analticos de calculo, y es debido a esto que los mtodos numricos
han adquirido una gran importancia en todos los campos de la ingeniera sobre todo a partir de
la disponibilidad de computadoras que soportan grandes volmenes de clculo. Enumeramos a
continuacin un conjunto de definiciones acerca de las ecuaciones diferenciales, su
caracterizacin y solucin:

Variables independientes y dependientes: Se dice que una variable de una ecuacin


diferencial es independiente si existen una o ms derivadas con respecto a esa variable.
Una variable es dependiente cuando existen derivadas de esa variable. El nmero de
variables dependientes se denomina a menudo en los problemas de ingeniera como
grados de libertad del problema.

Ecuaciones Diferenciales ordinarias y parciales: Si en una ecuacin diferencial hay una


sola variable independiente, las derivadas son totales y a la ecuacin se la denomina
ordinaria. Por el contrario, si aparecen dos o ms variables independientes las
derivadas sern parciales y la ecuacin ser diferencial parcial.

Orden de una Ecuacin diferencial: es la derivada de mayor orden que aparece en la


ecuacin.

Ecuacin diferencial lineal: Una ecuacin diferencial es lineal si en ella no aparecen


potencias de la variable dependiente ni de sus derivadas ni productos de la variable
dependiente por sus derivadas o productos entre derivadas.
Una ecuacin diferencial ordinaria lineal es aquella que se ajusta a la forma general:

an (x) y (n )+ ....... + a1 (x ) y + a0 (x ) y = f (x ) (35)

donde y (n) es la n-sima derivada de y con respecto a x, y a(x) y f(x) son funciones
especficas de x.

Solucin de una ecuacin diferencial: Es cualquier relacin funcional que no incluya


derivadas o integrales de funciones desconocidas y que la verifique idnticamente por
sustitucin directa.

109
A.1. ARQUITECTURA DSIM
A.1.1.1.1. Solucin de una Ecuacin Diferencial

Dada un a ecuacin diferencial ordinaria de orden n, cuya forma general puede


escribirse como:

F(x,y,y,y.........y(n)) = 0 (36)

su solucin general resulta dependiente de n constantes arbitrarias y puede escribirse en


la forma:

G (x,y,c1, c2, ...., cn) = 0 (37)

Se requiere de n condiciones para obtener una solucin nica.

Grficamente, la ecuacin (37) representa a una familia de curvas planas, cada una de
ellas obtenidas para valores particulares de las n constantes c1, c2, ...., cn como se muestra en la
figura siguiente:

y G 4 =0

G 3 =0

G 2=0

G 1=0

Cada una de estas curvas corresponde a una solucin particular de la Eq. 3 y


analticamente puede obtenerse sujetando la solucin general (Eq. 4) a n condiciones
independientes que permitan valuar las constantes arbitrarias.

Bsicamente, la solucin numrica de ecuaciones diferenciales consiste en sustituir el


dominio continuo de soluciones por uno discreto, es decir formado por puntos igualmente
espaciados entre s.

As el dominio de la variable x definido por el intervalo [a,b] se discretiza en x0 = a, x1


= x0 + , x2 = x0 + 2, x3 = x0 + 3....... xn = x0 + n = b, obtenidos al dividir el intervalo [a,b]
en n partes iguales.

Habindose discretizado el problema continuo se tratar de obtener una solucin para


los puntos considerados, y esto se har, en general, sustituyendo las derivadas que aparezcan
en la ecuacin diferencial y en las condiciones de contorno, por expresiones numricas de
derivacin que proporcionen una aproximacin a las derivadas o tratando de integrar la
ecuacin y reemplazando al proceso de integracin por una frmula numrica que se aproxima
a la integral [MCC69].

110
A.1. ARQUITECTURA DSIM
A.1.1.1.2. Ecuaciones Diferenciales Ordinarias

En los denominados mtodos de un paso, que describiremos a continuacin, el valor de


la funcin en el primer punto interior del intervalo se calcula a partir del valor conocido de la
funcin en punto inicial del intervalo. De la misma forma el valor de la funcin incgnita en el
i-simo punto del dominio, xi, se calcula a partir del valor de la funcin en el punto xi-1. A su
vez la funcin en el punto i+1 se calcula a partir del valor de la funcin en el punto i. Es decir
que se calcula la funcin en un punto cualquiera del intervalo partiendo de la solucin
obtenida para el punto anterior, y as sucesivamente. De esta manera, con la aplicacin
recurrente los algoritmos correspondientes a cualquiera de estos mtodos, a lo largo de todo el
intervalo de integracin, se obtiene la denominada trayectoria de la solucin.

Los mtodos que mostraremos y que utilizamos en el presente trabajo estn limitados a
la solucin de ecuaciones diferenciales ordinarias de primer orden (EDO). Esto, que en
principio parece una severa limitacin de los mismos, no lo es tanto si recordamos que
cualquier ecuacin diferencial ordinaria de orden n puede ser transformada en un sistema de n
ecuaciones diferenciales ordinarias de primer orden. Por otra parte el procedimiento para
obtener la solucin de un sistema de EDOs de primer orden es una sencilla extensin del
procedimiento para obtener la solucin de una sola EDO por lo que estos mtodos pueden ser
aplicados sin ninguna dificultad a la solucin de EDOs de orden n.

Dada una ecuacin diferencial ordinaria de primer orden de la forma:

dy
= f (x, y ) (38)
dx

la solucin numrica tendr la forma:

y i +1 = y i + h (39)

De acuerdo con esta ecuacin, una pendiente estimada se usa para extrapolar desde
un valor anterior yi a un nuevo valor yi+1 en una distancia h.

Los denominados mtodos de un paso que mostraremos, se pueden expresar en esta


forma general, que solo va a diferir en la manera en la cual se estima la pendiente. A
continuacin se observa la interpretacin grfica.

111
A.1. ARQUITECTURA DSIM

A.1.1.1.3. Mtodo de Euler

Como sabemos, la primera derivada de una funcin f(x) valuada en un punto del
dominio xi representa la pendiente de la funcin en xi. Si la ecuacin diferencial ordinaria a
resolver la expresbamos como se mostr en la Ec. 38, entonces la pendiente en xi e yi de la
Ec. 39 ser:

= f (xi , y i ) (40)

El procedimiento ms simple es entonces usar la ecuacin diferencial para estimar la


pendiente = f (xi , y i ) derivada en xi al inicio del intervalo. En otras palabras, la pendiente al
inicio del intervalo es tomada como una aproximacin de la pendiente promedio sobre todo el
intervalo.

Entonces se predice un nuevo valor de y por medio de la pendiente en xi , que habr de


extrapolarse en forma lineal sobre el paso de longitud h , mediante la aplicacin de la
expresin:

y i +1 = y i + h = y i + f ( xi , y i ) h (41)

A.1.1.1.4. Mtodos de Runge-Kutta

La convergencia lenta del mtodo de Euler y lo restringido de su regin de estabilidad


absoluta nos lleva a considerar mtodos de orden de convergencia mayor.

En cada paso el mtodo de Euler se mueve a lo largo de la tangente de una cierta curva
que esta "cerca" a la curva desconocida o buscada. Los mtodos de Runge-Kutta extienden
esta idea geomtrica al utilizar varias derivadas o tangentes intermedias, en lugar de solo una,
para aproximar la funcin desconocida.

Como veremos la tcnica de Euler es un caso particular de esta clase ms general de


procedimientos de un paso denominados mtodos de Runge Kutta.

Si escribimos la ecuacin original del mtodo de Euler en forma generalizada,


tendremos:

y i +1 = y i + (xi , y i , h ) h (42)

112
A.1. ARQUITECTURA DSIM

donde a (xi , y i , h ) es la denominada funcin incremento, y puede ser interpretada como una
pendiente representativa sobre el intervalo. La funcin incremento se escribe en general como:

= a1 k1 + a2 k2 + .......... .......... + an kn (43)

donde las a son constantes y las k son:

k1 = f (xi , y i )
k2 = f (xi + p1 h, y i + q11 k1 h )
k3 = f (xi + p2 h, y i + q21 k1 h + q22 k2 h ) (44)
.
kn = f (xi + pn-1 h, y i + qn-1,1 k1 h + qn-1,2 k2 h + ............ + qn-1,n-1 kn-1 h )

Se observa que las k son relaciones de recurrencia ya que la primera interviene en la


segunda, a su vez la primera y la segunda intervienen en la tercera y as sucesivamente.

Es posible concebir varios tipos de mtodos de Runge Kutta al emplear diferentes


nmeros de trminos en la funcin incremento, que en general tiene n trminos. Si tomamos
n= 1, estaramos en un mtodo de Runge Kutta de primer orden, tendremos que la funcin
incremento es:

= a1 k1 = a1 f (xi , y i ) (45)

Observamos entonces que el mtodo de Runge Kutta de primer orden es el mtodo de


Euler tomando en la Ec. 41, h=a1.

De las infinitas versiones de los mtodos de Runge Kutta los de cuarto orden son los
ms utilizados. Partiendo de la ecuacin general y haciendo n = 4 tenemos:

y i +1 = y i + (a1 k1 + a2 k2 + a3 k3 + a4 k4 ) h (46)

La forma de uso ms comn, de todas las infinitas posibilidades, es la que se denomina


mtodo de Runge Kutta clsico de cuarto orden. La expresin resultante es:

1
y i +1 = y i + (k1 + 2 k2 + 2 k3 + k4 ) h (47)
6

donde:

k1 = f (xi , y i )
1 1
k2 = f xi + h, y i + k1 h
2 2
(48)
1 1
k3 = f xi + h, y i + k2 h
2 2
k4 = f (xi + h, y i + k3 h )

Cada una de las ki representa una pendiente.

113
A.1. ARQUITECTURA DSIM

Puede observarse que son desarrolladas estimaciones mltiples de las pendientes en el


punto medio (k2 y k3), para finalmente, combinadas con las pendientes obtenidas al inicio (k1)
y final del intervalo (k4), obtener una pendiente promedio representativa mejorada para el
intervalo.
La interpretacin grfica de las pendientes estimadas ki puede observarse a
continuacin.

A.1.2. Breve introduccin a la orientacin a objetos


Podemos identificar objetos en el mundo que nos rodea, estos objetos existen en la
naturaleza, en entidades hechas por el hombre, en los negocios y en los productos que usamos.
Pueden ser clasificados, descritos, organizados, combinados, manipulados y creados. Por eso
no es sorprendente que haya surgido en el desarrollo de software, que en gran parte se apoya
en abstracciones, una visin orientada a objetos para la creacin del mismo.

Este enfoque orientado a objetos para el desarrollo de software surge en los aos
sesenta, principalmente a partir de Simula 67, un lenguaje de programacin creado por Ole-
Johan Dahl y Kristen Nygaard del Norwegian Computing Center en Oslo. Sin embargo, las
tecnologas de objetos han necesitado casi veinte aos para llegar a ser ampliamente usadas.
Durante los aos 90, la ingeniera del software orientada a objetos se convirti en el paradigma
de eleccin para muchos productores de software y para un creciente nmero de sistemas de
informacin y profesionales de la ingeniera.

Durante muchos aos el trmino Orientado a Objetos (OO) se us para referirse a un


enfoque de desarrollo de software que usaba uno de los lenguajes orientados a objetos (Simula
67, Ada 95, C++, Eiffel, Smalltalk, etc.). En el libro The Structure of Scientific Revolutions, el
historiador Thomas S. Khun [KHU62] describa un paradigma como un conjunto de teoras,
estndar y mtodos que juntos representan un medio de organizacin del conocimiento, es
decir, un medio de visualizar el mundo. En este sentido, la programacin orientada a objetos
es un nuevo paradigma. La orientacin a objetos fuerza a reconsiderar nuestro pensamiento
sobre la computacin, sobre lo que significa realizar computacin y sobre cmo se estructura
la informacin dentro de la computadora.

114
A.1. ARQUITECTURA DSIM
Las tecnologas de objetos llevan a reutilizar, y la reutilizacin (de un componente de
software) lleva a un desarrollo de software ms rpido y a programas de mejor calidad. El
software orientado a objetos es ms fcil de mantener debido a que su estructura es
inherentemente poco acoplada. Esto lleva a menores efectos colaterales cuando se deben hacer
cambios. Los sistemas orientados a objetos son ms fciles de adaptar y ms fcilmente
escalables (pueden crearse grandes sistemas ensamblando subsistemas reutilizables).

El encapsulamiento es otra caracterstica de los objetos, esto significa que muestran


nicamente los comportamientos a los usuarios y ocultan el cdigo subyacente de un objeto.
Los comportamientos que el programador expone son nicamente aquellos elementos que el
usuario de un objeto puede afectar.

En un enfoque orientado a objetos, los objetos, por definicin, son modulares en su


construccin. Esto quiere decir que son entidades completas y, por lo tanto, tienden a ser
altamente reutilizables.

A.1.2.1. Caractersticas

La orientacin a objetos puede describirse como el conjunto de disciplinas que


desarrollan y modelan software que facilitan la construccin de sistemas complejos a partir de
componentes.

La programacin orientada a objetos ayuda a los desarrolladores a crear objetos que


reflejan escenarios del mundo real, proporciona mejoras y metodologas para construir
sistemas de software complejos a partir de unidades de software modularizado y reutilizable.

Un objeto es la instancia de una clase. Una clase es la representacin abstracta de un


concepto en el mundo real, y proporciona la base a partir de la cual creamos instancias de
objetos especficos.

Cada objeto es un elemento nico de la clase en la que se basa. Si una clase es como un
molde, entonces un objeto es lo que se crea a partir del molde. La clase es la definicin de un
elemento; el objeto es el elemento. El molde para una figura de cermica en particular, es
como una clase; la figura es el objeto.

Todos los objetos estn compuestos de tres cosas:

Interfaz: la interfaz es el conjunto de mtodos, propiedades, eventos y


atributos que se declaran como pblicos en su alcance y que pueden invocar
los programas escritos para usar un dado objeto.
Implementacin: al cdigo dentro de los mtodos se lo llama
Implementacin. Algunas veces tambin se le llama comportamiento, ya que
este cdigo es el que efectivamente logra que el objeto haga un trabajo til. Es
importante entender que las aplicaciones del cliente pueden utilizar el objeto
aunque se cambie la implementacin, siempre que no cambiemos la interfaz.
Siempre que se mantengan sin cambio el nombre del mtodo, su lista de
parmetros y el tipo de datos de devolucin, se podr cambiar la
implementacin totalmente.
Estado: el estado o los datos de un objeto es lo que lo hace diferente de otros
objetos de la misma clase. El estado se describe a travs de las variables de
instancia, stas son aquellas declaradas, de tal manera que estn disponibles

115
A.1. ARQUITECTURA DSIM
para todo el cdigo dentro de la clase. Por lo general, estas variables son
privadas en su alcance. Se les conoce tambin como atributos.

Los mensajes son el medio a travs del cual interactan los objetos. Un mensaje
estimula la ocurrencia de cierto comportamiento en el objeto receptor. El comportamiento se
realiza cuando se ejecuta un mtodo.

Una operacin dentro de un objeto emisor genera un mensaje de la forma:

destino.operacin (parmetros)

donde destino define al objeto receptor el cual es estimulado por el mensaje, operacin
se refiere al mtodo que recibe el mensaje y parmetros proporciona informacin requerida
para el xito de la operacin.

Los mensajes proporcionan una visin interna del comportamiento de objetos


individuales, y del sistema Orientado a Objetos como un todo.

A.1.2.2. Propiedades

A.1.2.2.1. Abstraccin

La abstraccin es uno de los medios ms importantes, mediante el cual nos


enfrentamos con la complejidad inherente al software. La abstraccin es la propiedad que
permite representar las caractersticas esenciales de un objeto, sin preocuparse de las restantes
caractersticas (no esenciales).

El elemento clave de la programacin orientada a objetos es la clase. Una clase se


puede definir como una descripcin abstracta de un grupo de objetos, cada uno de los cuales se
diferencia por su estado especfico y por la posibilidad de realizar una serie de operaciones.

La idea de escribir programas definiendo una serie de abstracciones no es nueva, pero


el uso de clases para gestionar dichas abstracciones en lenguajes de programacin ha facilitado
considerablemente su aplicacin.

Una clase bien diseada expone un conjunto mnimo de mtodos cuidadosamente


considerados que proporcionan el comportamiento esencial de una clase en una forma fcil de
usar.

Existe un principio muy importante relacionado con la abstraccin, y esta es, la


dependencia mnima. Las mejores abstracciones de software hacen que las cosas complejas
sean simples. Logran esto al ocultar por completo los aspectos no esenciales de una clase.
Estos aspectos no esenciales, una vez que han sido debidamente ocultados, no se pueden ver,
ni usar, ni depender de ellos. Este principio de dependencia mnima es lo que hace que la
abstraccin sea tan importante. El cambio es normal en el desarrollo de software. Lo mejor
que puede hacer es minimizar el impacto de un cambio cuando ste sucede. Y cuanto menos
dependa de algo, menos se ver afectado cuando cambie.

116
A.1. ARQUITECTURA DSIM

A.1.2.2.2. Encapsulamiento

El encapsulamiento es la propiedad que permite asegurar que el contenido de la


informacin de un objeto est oculta al mundo exterior: el objeto A no conoce lo que hace el
objeto B, y viceversa. En esencia, es el proceso de ocultar todos los secretos de un objeto
que no contribuyen a sus caractersticas esenciales.

Permite la divisin de un programa en mdulos. Estos mdulos se implementan


mediante clases, de forma que una clase representa el encapsulamiento de una abstraccin. En
la prctica, esto significa que cada clase debe tener dos partes: una interfaz y una
implementacin. La interfaz de una clase captura slo su vista externa y la implementacin
contiene la representacin de la abstraccin, as como los mecanismos que realizan el
comportamiento adecuado.

El encapsulamiento tambin permite controlar la forma en que se utilizan los datos y


los mtodos. Puede utilizar modificadores de acceso, como Private o Protected, para evitar que
los procedimientos externos ejecuten mtodos de clase o lean y modifiquen datos en
propiedades y campos. Se declaran los detalles internos de una clase como Private para evitar
que sean utilizados fuera de su clase. Una de las reglas bsicas del encapsulamiento es que los
datos de la clase slo se pueden modificar o recuperar a travs de los mtodos. Ocultar los
detalles de implementacin de sus clases evita que se usen de maneras no deseadas, y le
permite modificar esos elementos posteriormente sin riesgo de tener problemas de
compatibilidad.

A.1.2.2.3. Modularidad

La modularidad es la propiedad que permite subdividir una aplicacin en partes ms pequeas


(llamadas mdulos o componentes), cada una de las cuales debe ser tan independiente como
sea posible de la aplicacin en s y de las restantes partes.

La dependencia entre mdulos se conoce como acoplamiento. Un sistema con muchas


dependencias tiene acoplamiento fuerte. Los buenos sistemas tienen acoplamiento dbil,
porque en ese caso los cambios en una parte del sistema son menos probables de propagarse a
travs del sistema.

Si un mdulo bien definido puede ser factible reutilizarlo en sistemas posteriores, o


sustituirlo en el sistema existente.

A.1.2.2.4. Jerarqua

La jerarqua es una propiedad que permite la ordenacin de las abstracciones. Las dos
jerarquas ms importantes de un sistema complejo son: estructura de clases (jerarqua es-un
o de generalizacin/especializacin) y estructura de objetos (jerarqua parte-de o de
agregacin).

Las jerarquas de generalizacin/especializacin se conocen como herencia.


Bsicamente, la herencia define una relacin entre clases, en donde una clase comparte la
estructura o comportamiento definido en una o ms clases (herencia simple y herencia
mltiple, respectivamente).

117
A.1. ARQUITECTURA DSIM
La agregacin es el concepto que permite el agrupamiento fsico de estructuras
relacionadas lgicamente. As, un camin se compone de ruedas, motor, sistema de
transmisin y chasis; en consecuencia, camin es una agregacin, y ruedas, motor, transmisin
y chasis son agregados de camin.

A.1.2.2.5. Polimorfismo

La quinta propiedad significativa de los lenguajes de programacin orientados a


objetos es el polimorfismo. Es la propiedad que indica, literalmente, la posibilidad de que una
entidad tome muchas formas. En trminos prcticos, el polimorfismo permite referirse a
objetos de clases diferentes mediante el mismo elemento de programa y realizar la misma
operacin de diferentes formas, segn sea el objeto que se referencia en ese momento.

Por ejemplo, cuando se describe la clase mamferos se puede observar que la operacin
comer es una operacin fundamental en la vida de los mamferos, de modo que cada tipo de
mamfero debe poder realizar la operacin o funcin comer. Por otra parte, una cabra o una
vaca que pastan en un campo, un nio que se come un caramelo y un len que devora a otro
animal, son diferentes formas que utilizan diferentes mamferos para realizar la misma funcin
(comer).

El polimorfismo adquiere su mxima expresin en la derivacin o extensin de clases,


es decir, cuando se obtiene una clase a partir de una clase ya existente, mediante la propiedad
de derivacin de clases o herencia.

A.1.3. Aplicacin de la tecnologa de objetos al presente trabajo


Para el diseo de la arquitectura y la aplicacin se opt por el paradigma de orientacin
a objetos. Los motivos de esta decisin se basan fundamentalmente en las virtudes que ste
ofrece, tales como la extensibilidad y facilidad de mantenimiento, entre otras, pero
fundamentalmente por el natural encapsulamiento y abstraccin de las diferentes
funcionalidades ya que existe una correspondencia entre los elementos de una onda de choque
y diferentes componentes de los dispositivos a simular y los objetos que podran
representarlos.

A.1.3.1. Eleccin del lenguaje de programacin

La herramienta ha sido desarrollada en Delphi 7. Uno de los aspectos ms importantes


que se tuvieron en cuenta en la eleccin del lenguaje fue la disponibilidad de numerosos
componentes que facilitaron la visualizacin on-line de las distintas variables, adems que es
un lenguaje orientado a objetos. El cdigo generado posee alto desempeo, comparable al
obtenido con C++, factor importante debido a la gran cantidad de clculos que deben
realizarse durante la simulacin.

Tambin se analiz la posibilidad de utilizar el lenguaje Fortran (muy aceptado en el


campo de la ingeniera para disear este tipo de aplicaciones) para efectuar la simulacin, pero
su principal impedimento es que no es orientado a objetos como se pretenda

118
A.1. ARQUITECTURA DSIM
A.1.3.2. Las componentes de la arquitectura DSim

Se dividi la arquitectura en cuatro componentes. Cada una de stas tiene una interfaz
que es utilizada por las otras para llevar a cabo la simulacin. A continuacin se detallan las
componentes del sistema mediante esquemas UML. [GAM95] [LAR98]

Las cuatro componentes son Equation, Model, Implementator y Manager. Cada


una de estas ser explicada en detalle en la siguiente seccin. A continuacin se presenta una
breve descripcin de las mismas.

Model: En esta componente se encuentran todas las clases que poseen el estado de la
simulacin. Estas se pueden dividir en dos conjuntos, aquellas clases de objetos que
requieren ecuaciones para definir su comportamiento y las que no. Model es la clase
base de todos los objetos que se encuentran en esta componente, implementa el Pattern
Observer [GAM95] y de ella heredan dos clases: Container y SimModel. La primera es
un contenedor genrico y las instancias de la segunda sern objetos que implementan la
interfaz IEquations que provee el comportamiento que debe tener un objeto del modelo
que posea ecuaciones.

Equation: Representa a las ecuaciones, estas clases implementan la interfaz IEquations,


la cual define el comportamiento que deben cumplir todas las instancias de stas para

119
A.1. ARQUITECTURA DSIM
poder ser manejadas por el implementador (Implementator) del mtodo de resolucin
numrico.

Implementator: Engloba a las clases encargadas de llevar a cabo la implementacin del


mtodo de resolucin numrico que se utilice, como se ver ms adelante estas clases
estn preparadas para interactuar con clases que implementen la interfaz IEquation que
representa a las ecuaciones.

Manager: Las clases de esta componente interactan con las de las otras tres para llevar
a cabo la simulacin, consta de un Manager genrico (SimulationManager) el cual
define los pasos que se deben llevar a cabo para simular un paso de tiempo, y que
luego debern ser redefinidos para reflejar el comportamiento del caso particular
implementado.

Cada una de estas componentes define un conjunto de clases abstractas que sirven para
especificar su comportamiento el cual ser extendido para implementar el simulador que se
pretende en el presente trabajo.

A continuacin se describir en detalle cada componente mencionada.

A.1.3.2.1. Componente Model

En esta componente se definen las clases que se muestran en el siguiente diagrama:

120
A.1. ARQUITECTURA DSIM

Todas las clases de esta componente heredan de Model, sta implementa la


interfaz IValueByName y el Pattern Observer.

La interfaz IValueByName ser utilizada por el Proxy de Variables para obtener y


actualizar el valor de las variables durante la simulacin, esto ser explicado mas adelante
cuando se muestre el funcionamiento de un paso de la simulacin. Esta interfaz define el
comportamiento que se muestra a continuacin (cdigo Delphi).

IValueByName = interface (IInterface)

property ValueByName[aName: String]: Variant


read GetValueByName
write SetValueByName;
default;
property Values: TStringList
read GetValues;
end;

Esto permite que cada objeto pueda retornar sus variables por nombre como as
tambin todas las variables que ste puede llegar a publicar, tambin el valor de cada variable
le puede ser asignado por nombre.

Container representa a un contendor genrico, esta clase bsicamente implementa una


lista de elementos Model.

Discretization es un contenedor, pero adems al estar compuesto por elementos del tipo
Segment, puede llegar a realizar operaciones propias de una discretizacin espacial, como ser
el clculo de la longitud de la misma, interseccin de un segmento con sta, puntos de
interseccin con otra discretizacin, etc.

La clase SimModel representa a aquellas clases que tendrn asociado un modelo


matemtico en la simulacin. Como se puede observar, sta podra estar compuesta por varias
clases que implementen la interfaz IEquation.

Como se ver mas adelante, al finalizar cada paso de la simulacin el Manager controla
si ste se ha ejecutado dentro de parmetros significativos a la simulacin, o sea, aqu se
implementa el control de convergencia de la simulacin para determinar si el paso efectuado
se encuentra dentro de valores de error aceptables. Por ello cada SimModel tiene dos juegos de
variables, los actuales y los del paso anterior de tiempo, permitiendo de ser necesario hacer un
rollback del paso de simulacin, volviendo al estado anterior y redefiniendo el paso de tiempo
u otro parmetro que permita reducir o subsanar el excesivo error cometido en el paso de
simulacin.

En caso que la simulacin del paso de tiempo haya sido satisfactoria, las variables de
estado actuales se copiaran en las anteriores y se proceder al clculo de otro paso de tiempo,
para aceptar el paso de tiempo se debe invocar al mtodo SetStep y caso contrario el mtodo
GoBack.

121
A.1. ARQUITECTURA DSIM
A.1.3.2.2. Componente Equations

Esta componente se encarga de especificar el protocolo que se debe seguir para poder
escribir ecuaciones y que stas sean manejadas en forma genrica por el Implementador
Matemtico.

Como se vio en la componente Model, cada uno de los SimModels tienen asociado un
objeto el cual tiene que implementar la interfaz IEquation, aqu es donde se separan los datos
(variables de estado del modelo) de las ecuaciones que se calculan en cada paso de tiempo.

Lo ms importante de esta componente es la declaracin de la interfaz IEquation, la


cual se especifica a continuacin (cdigo Delphi).

PEquation = function (aSimModel: TSimModel; aVarProxy: IVarProxy;


params:array of Double): REquationResult of
object;

IEquations = interface (IInterface)


property CantEquations: Integer
read GetCantEquations;
property CantParamsOf[Index: Integer]: Integer
read GetCantParamsOf;
property Equation[Index: Integer]: PEquation
read GetEquation;
property ParamsOfEquation[Index: Integer]: string
read GetParamsOfEquation;
end;

PEquation define el tipo de funcin que se utilizar para escribir las ecuaciones, se
define qu parmetros recibirn todas las ecuaciones, permitiendo interactuar con las
ecuaciones ms fcilmente al tener todas la misma interfaz.

IEquation es la interfaz que provee una forma de conocer cuntas ecuaciones se posee,
cuantos parmetros tienen cada una de esas ecuaciones, cules son los parmetros de cada
ecuacin y una forma de acceder a la ecuacin misma para poder realizar el clculo, esto
ltimo se realiza mediante la devolucin de un puntero a una funcin del tipo PEquation.

Cada una de las funciones PEquation (que representan ecuaciones) recibe un VarProxy,
ste ser explicado en detalle cuando se explique la componente del Manager, pero
resumidamente su funcin es buscar el valor de las variables dentro de los Modelos para que
estos valores puedan ser usados.

Adems se recibe un vector de nmeros reales (doubles), stos son los parmetros de
cada funcin y deben coincidir en posicin con el resultado de la propiedad
ParamsOfEquation. En cada paso de la simulacin se pide a cada ecuacin los parmetros,
esto se hace mediante el mtodo ParamsOfEquation, luego se los carga en el vector para
invocar el clculo de la misma.

Cada ecuacin devuelve un registro que esta conformado de dos partes, una es el
resultado del clculo en s de la funcin y el otro es el nombre que se asocia al resultado del

122
A.1. ARQUITECTURA DSIM
clculo, esto es usado por el implementador matemtico para llevar a cabo todos los clculos
que involucra un paso de tiempo.

A.1.3.2.3. Componente Implementator

Esta componente es la encargada de llevar a cabo la implementacin especfica del


mtodo de resolucin elegido, en este trabajo se utiliza Runge Kutta de cuarto orden.

La clase abstracta Implementator, define el comportamiento que debern tener todas


las clases derivadas que implementen un mtodo de resolucin de ecuaciones diferenciales. Lo
que define es un mtodo abstracto Implement, el cual se invocar para calcular un nuevo paso
de tiempo, recibiendo como parmetro un objeto que implemente la interfaz IVarProxy y una
lista de los modelos de la clase SimModel. De cada uno de estos modelos se obtienen las
ecuaciones y se las calcula.

A continuacin se puede observar el diagrama de secuencia genrico correspondiente


al mtodo Implement.

El algoritmo es simple, de cada modelo se obtiene su IEquations (objeto donde estn


todas las ecuaciones) y de cada uno de stos se obtiene la cantidad de ecuaciones que tiene, a
cada ecuacin la cantidad de parmetros y el nombre de stos, luego se colocan todos los
valores de los parmetros y se procede a realizar el clculo.

123
A.1. ARQUITECTURA DSIM

Cada ecuacin retorna un resultado, como se realiza un implementador especfico para


cada mtodo de resolucin numrica, ste dispondr de los valores recin calculados como el
mtodo lo indique.

A.1.3.2.4. Componente Manager

Esta componente es la encargada de llevar a cabo la simulacin. Consta de dos clases


abstractas, SimulationManager y VarProxy, las que se muestran a continuacin.

Adems en esta componente se define la interfaz IVarProxy, la cual se muestra a


continuacin.

IVarProxy = interface (IInterface)


property Models: TList
read GetModels;
property ValueOf[aVar:string]: Double
read GetValueOf
write SetValueOf;
default;
end;

124
A.1. ARQUITECTURA DSIM
La clase VarProxy implementa la interfaz IVarProxy, esta interfaz y la clase que la
implementa son de vital importancia para llevar a cabo la simulacin ya que todas las
ecuaciones la usan para solicitar el valor de las variables que intervienen en los clculos.

El VarProxy es implementado como una tabla de hashing la cual tiene el nombre de


la variable (que ser la clave de dispersin) y el objeto (valor) que posee dicha variable.

Cuando se utiliza la propiedad ValueOf en modo lectura (es decir, que se solicita el
valor de una variable) se realiza hashing sobre el nombre de la variable y luego se obtiene el
valor de la misma, esto es gracias a que todas las clases de esta arquitectura implementan la
interfaz IValueByName.

SimulationManager dirige la simulacin. Esta clase define la siguiente


funcionalidad abstracta:

Crear todos los objetos necesarios para simular. Se requiere crear uno slo de estos
objetos (uno que herede de este SimulationManager abstracto) y ste creara todos
los dems de la simulacin. Esto se hace redefiniendo el mtodo
InitializeSimulation.

Reunir todos los objetos de la simulacin para armar una lista y con ella y el
VarProxy obtener todos los valores de variables que luego sern usados por las
ecuaciones. Esto se realiza mediante el mtodo GatheringModels.

Reunir los objetos que tengan ecuaciones que necesiten ser calculadas, armar una
lista la cual le ser pasada al implementador matemtico para que realice el clculo,
esto se hace mediante el mtodo MakeSimModelList.

Invocar al implementador matemtico para simular un paso de tiempo. Esto se


realiza mediante el mtodo Implement de la clase Implementator.

Comprobar si la simulacin ha finalizado, esto se realiza mediante el mtodo


CheckEndSimulation.

Chequear que el paso de simulacin se haya ejecutado dentro de parmetros


especificados, es decir que por ejemplo no se perdi representatividad en la lmina
debido a inestabilidades geomtricas locales.

Este ltimo punto es muy importante, este Manager define un mtodo abstracto,
CheckStep, la cual se ejecuta al final de cada paso de tiempo. Este mtodo debe ser
implementado por cada Manager especfico y realizar el control de error que sea pertinente a
la simulacin que se este realizando.

En caso de que sea necesario, se invocar el mtodo GoBack de todos los SimModels,
volviendo un paso hacia atrs la simulacin teniendo as la posibilidad de redefinir el paso de
tiempo o corregir errores, o si el paso se ejecut dentro de los parmetros establecidos, se
invocar en todos los SimModels el mtodo SetStep, haciendo que este paso de tiempo quede
aceptado y se prosiga con el paso de tiempo siguiente.

125
A.2. Diagrama de Clases del Simulador CShock

A continuacin, se presenta el diagrama general de clases del simulador de dispositivos


Plasma Focus basado en la arquitectura general de clases propuesta.

Como se podr observar, hay algunas clases que estn marcadas en color verde y otras
en color amarillo, las primeras corresponden a las clases base de la arquitectura DSim y las
segundas corresponden a las especializadas para el simulador en cuestin.

Para su mejor visualizacin se divide el diagrama en dos pginas de forma que sea
legible.

126
A.2. DIAGRAMA DE CLASES DEL SIMULADOR CSHOCK

127
A.2. DIAGRAMA DE CLASES DEL SIMULADOR CSHOCK

128
A.3. Desarrollo del Modelo de Produccin Neutrnica
Consideremos un pinch cilndrico de plasma de deuterio, produciendo reacciones
termonucleares durante un perodo corto de tiempo. La produccin total durante tal pulso
viene dada por [MOR00]:

1 2
2 t
Y= n < v >V dt (49)

La constante aparece debido a que consideramos slo los neutrones producidos en la


reaccin.

Dicho pinch podra visualizarse entonces de acuerdo a la Fig. A.3.1.

h
I
r
B

R
Fig.A.3.1- Pinch Cilndrico

El equilibrio de Bennett ocurre cuando se equiparan las fuerzas opuestas de Lorentz


por un lado y de la presin que se tiene en el gas cuando se comprime por el otro.

Podemos obtener una estimacin til de la Ec.49 asumiendo que durante el perodo
reactivo las variables permanecen cerca del equilibrio de Bennett.

Entonces podemos poner la Ec.49 como:

N 2 < v > B t
Y= (50)
2VB

Donde el subndice B se refiere a los valores en el equilibrio de Bennett y t el tiempo


que durar dicho equilibrio.

Como se mencion, durante el equilibrio se tendr por un lado la fuerza de Lorentz:

0 I 2
FL = .h (51)
4 R

y por el otro la fuerza debida a la presin del gas comprimido:

FP = p.2 .R.h (52)

129
A.2. DESARROLLO DEL MODELO DE PRODUCCIN NEUTRNICA
Debido a que en el equilibrio estas dos fuerzas se igualan resulta de las Ecs. 51 y 52:

0 I 2
.h = p B .2 .RB2 .h (53)
4 RB

Nuevamente el subndice B se refiere a los valores en el equilibrio.

Teniendo en cuenta que

V B = .RB2 .h (54)

es el volumen del pinch, y adems que

p B .V B = 2.N .k .TB (55)

donde N es el nmero de deuterones, k la constante de Boltzmann y TB la temperatura


de Bennett.

Se debe tener en cuenta que N se calcula como:

Mp
N= (56)
Md

Donde M d es la masa de un deutern y Mp la masa encerrada en el volumen V del


pinch cilndrico considerado.

De las ecuaciones precedentes podemos despejar la temperatura en Bennett


obteniendo:

h 0 I 2
TB = (57)
k 16 N

Por otro lado, al integrar la seccin eficaz de fusin < v > B ser funcin de la
temperatura, este valor est dado en tablas

1
2 TB 3
*
T 3 T m3
< v > B = f (TB ) =< v > . B* .e
*
(58)
T seg

130
A.2. DESARROLLO DEL MODELO DE PRODUCCIN NEUTRNICA
Donde el coeficiente de seccin eficaz obtiene su valor de tablas
m3
< v > * = 3,31.10 23 *
y T es un valor de temperatura de referencia de tabla, su valor es
seg
[ ]
T * = 7,65.1010 o K .

TB
Llamando en la Ec. 58, B = se obtiene:
T*

< v > B =< v > * . B


2
3 (
exp B
1
3 ) (59)

El fenmeno se comporta como un oscilador alrededor del equilibrio de Bennett, esto


puede plantearse por medio de las Ecs. 51 y 52 como:

I2
&& = h p.2 .R o
M P .R (60)
4 R

Debido a la rapidez del suceso se supone isoentropa, entonces es vlida la relacin de


Poisson:

p.V = p R .VR (61)

Donde p R y V R son valores de referencia de presin y volumen a travs de una


transformacin isoentrpica.

Para simplificar el problema, se linealiza la ecuacin mediante un oscilador armnico


simple asociado, como se mencion, que tendr una frecuencia caracterstica alrededor del
equilibrio de Bennett. Resulta entonces:

.R B 3.M d
t = (62)
4 k .TB

Despejando N de la Ec. 57, reemplazando las Ecs. 38, 54 y 62 en la Ec. 50 y


reordenando factores nos lleva a:

19 1
2 *2 B 3
h 0 3M d < v > B 6 *e
Y = * * *I4 *
128 4 kT *
5
( ) RB (63)

Que es ecuacin utilizada para el clculo de la produccin de neutrones considerando


un pinch cilndrico como el mencionado y la longitud del cilindro h=li la longitud del primer
segmento que llega al pinch.

131
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135
PUBLICACIONES CON REFERATO
A continuacin se anexa una de las principales publicaciones que se desprenden de este
trabajo y luego cronolgicamente la primer pgina de las publicaciones con referato, fruto del
presente trabajo, varias de ellas en revistas internacionales indexadas.

Cabe aclarar que en este momento se encuentra en redaccin una nueva publicacin
referida a ajustes de inductancia mediante el simulador CShock, y que peridicamente se
difunde mediante las publicaciones cientficas el avance en esta lnea de investigacin.

136
[CAS05] Federico Casanova, Cesar Moreno and Alejandro Clausse, Finite-elements numerical model of the
current-sheet movement and shaping in coaxial discharges, Plasma Physics and Controlled Fusion, 47, (8), p.
1239-1250, Aug (2005).
Documento Completo.

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[CAS07] F.Casanova, M.Vnere, C. Moreno, A.Clausse, Modelo Numrico Para El Diseo De Dispositivos
Plasma Focus, XVI ENIEF 2007, I MACI 2007, Crdoba Argentina, octubre de 2007.
Abstract.

149
[MOR03] C. Moreno, F. Casanova, G. Correa and A. Clausse, Experimental study and two-dimensional
modelling of the plasma dynamics of magnetically driven shock waves in a coaxial tube, Plasma Phys. Control.
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Abstract.

150
Abstract.

151
[COR00] G. Correa-Reina, F. Casanova, M. Vnere, C. Moreno, H. Bruzzone and A. Clausse, Computational
simulation of Plasma Focus, IX Latin American Workshop on Plasma Physics, La Serena, Chile. AIP
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Abstract.

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