UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE CIENCIAS FISICAS

UNIDAD DE POSGRADO

Magnetoresistencia del grafeno

TESIS
Para optar el Grado Acadmico de Magister en Ciencias Fisicas con
Mencion en Fisica del Estado Solido

AUTOR
Abraham Pablo Aslla Quispe

ASESOR
Pablo Hector Rivera Riofano

Lima Per
2014
 A Marisol y Albert

i
 Agradecimientos

A mi asesor el Dr. Pablo Hector Rivera Riofano por

la confianza y el apoyo incondicional que permiti
desarrollar esta aventura intelectual.
A la Asociacin Familia Zuiga y Rivero por el apoyo
econmico mediante el Programa de Becas para Tesis
de Maestra en la Facultad de Ciencias Fsicas de la
UNMSM.
A los docentes de la Unidad de Posgrado de Fsica de
la UNMSM por su paciencia y dedicacin al desarrollo
cientfico del pas.
A la comunidad cientfica de Fsicos en todo el mundo
que me permiti acceder a informacin valiosa y
libre para desarrollar el presente trabajo, as como a
la comunidad de software libre que hizo posible los
proyectos GNU.

Abrahan.

ii
 Resumen

En el presente trabajo se exponen las herramientas utilizadas en en estudio de

la estructura de bandas del grafeno y nanoribbons de grafeno con condiciones de
borde zigzag (ZGNR), armchair (AGNR) y barbados (bearded) dentro del modelo del
enlace fuerte (tight-binding). El transporte electrnico en nanodispositivos de grafeno se
describe dentro del formalismo de Landauer y Landauer-Bttiker, dentro de las cuales
usamos como herramienta principal las funciones de Green. Consideramos que cada
nanodispositivo se encuentra formado por el nanodispositivo conectado a contactos
semi-innitos ideales, reduciendo en estos casos el efecto de los contactos mediante el
uso de las autoenergas que se calculan usando las funciones de Green de los contactos.
Los contactos de los nanodispositivos se consideran formados por cadenas verticales,
donde cada cadena interacta con las cadenas paralelas y vecinas, esta propiedad
permite utilizar el mtodo recursivo de convergencia rpida para el clculo de las
funciones de Green de los contactos y el mtodo de Decimacin para el clculo de
la funcin de Green de los nanodispositivos. Evaluamos la estructura de bandas y la
conductancia elctrica de los nanoribbons de borde zigzag, borde armchair y borde
bearded, encontrando que los nanoribbons ZGNR tienen comportamiento conductor,
los nanoribbons AGNR tienen comportamiento semimetlico si M = (N + 1)/3 (con
N nmero de dmeros por cadena unidad) es un nmero entero y en caso contrario
los nanoribbons AGNR tienen comportamiento semiconductor donde el gap de energa
prohibida E tiene relacin inversa con el ancho del nanoribbons. Los nanoribbons de
borde bearded tienen comportamiento conductor al igual que los nanoribbons ZGNR,
en cambio los nanoribbons de borde mixto zigzag y bearded tienen comportamiento
semiconductor, donde el gap de energa prohibida disminuye a medida que aumenta
el ancho del nanoribbons. Analizamos tambin el transporte electrnico en nanoporos
rectangulares en redes cuadradas y en redes de grafeno, calculando asi mismo el efecto
sobre el transporte electrnico originadas por molculas de diferentes conguraciones
ubicadas en el centro de los nanoporos, los resultados muestran que las molculas
producen la presencia de resonancias y antiresonancias en diferentes valores de energa

iii
que son caracteristicos para cada tipo de molcula en el espectro de coecientes de
transmisin, estas resonancias y antiresonancias son evaluadas en trminos de variacin
del coeciente de transmisin.

Palabras clave: Grafeno, tight-binding, transporte cuntico, transporte balistico,

funciones de Green, formula de Landauer, nanoribbons, nanopores

iv
 Abstract

In this work we show the tools used to study the band structure of graphene
and graphene nanoribbons with zigzag edge (ZGNR), armchair (AGNR) and bearded
within the tight-binding model. The electronic transport in graphene nanodevices is
described within the Landauer and Landauer -Bttiker formalism, within we use as
main tool the Greens functions. We take in consideration that each nanodevice is
formed by the nanodevice connected to ideal semi-innite contacts, in such cases we
reduce the eect of contact by using the self-energy that are calculated using the
contacts Greens functions. The contacts of nanodevices are formed by vertical chains,
each chain interacts with the parallel and neighbors chains, this property allows to use
the recursive method for quickly calculate the Greens functions of contacts and the
decimation method for the calculation of the nanodevices Greens function. We evaluate
the band structure and electric conductance of nanoribbons with zigzag, armchair and
bearded edges, nding that the ZGNR nanoribbons have conductor behavior, AGNR
nanoribbons have semimetallic behavior if M = (N + 1)/3 (with N number of dimers
per chain unit) is an integer and otherwise the AGNR nanoribbons are semiconducting
behavior where the energy gap E are inversely related to the nanoribbons width.
The bearded nanoribbons have conductor behavior as the ZGNR nanoribbons, however
nanoribbons with mixed edge zigzag and bearded have semiconducting behavior, where
the energy gap decreases as the width nanoribbons increases. We also study the
electronic transport in rectangular nanopores on square networks and graphene, we
calculate too the eect on the electron transport induced by dierent molecules located
in the center of the nanopores, the results show that the presence of molecules produce
resonances and antiresonances in dierent energy values that are characteristic for
each molecule type in the transmissin prole, these resonances and antiresonances are
evaluated in terms of vatiarion of the transmission coecient.

Keywords: Garphene, tight-binding, Quantum transport, Ballistic transport,

Greens functions, Landauer formule, nanoribbons, nanopores

v
ndice general

1. Introduccin 1

2. Grafeno 6

2.1. Consideraciones de red . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2.2. Estructura de bandas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.3. Aproximacin en puntos de Dirac . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.4. Grafeno en un campo magntico uniforme . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.5. Mariposa de Hofstadter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

2.5.1. Red cuadrada nita en campo magntico uniforme . . . . . . . 16

2.5.2. Red ladrillo nito en campo magntico uniforme . . . . . . . . . 19

2.6. Mariposa de Hofstadter para redes innitas . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.6.1. Red cuadrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

2.6.2. Grafeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3. Transporte electrnico 26

3.1. Formalismo de Landauer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

vi
 3.2. Formalismo de la funcin de Green . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

3.2.1. Funcin de Green . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

3.2.2. Funciones de Green fuera de equilibrio . . . . . . . . . . . . . . 31

3.2.3. Coeciente de transmisin y la funcin de Green . . . . . . . . . 34

3.2.4. Mtodo de decimacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.2.5. Funciones de Green de contacto derecho . . . . . . . . . . . . . 39

3.3. Formalismo de Buttiker para 4 contactos . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

4. Nanoribbons de grafeno 48

4.1. Estructura electrnica de nanoribbons de grafeno zigzag . . . . . . . . . 50

4.1.1. Mtodo del tight-binding . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

4.2. Estructura electrnica de nanoribbons Armchair . . . . . . . . . . . . . 54

4.2.1. Mtodo del tight-binding . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

4.3. Nanoribbons barbados (bearded) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

4.4. Nanoribbons zizag-bearded . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

4.5. Conductancia elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

4.6. Nanoribbons en campo magntico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

5. Nanoporos 75

5.1. Nanoporos en red cuadrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

5.1.1. Modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

5.1.2. Resultados y discusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

vii
 5.2. Nanoporos de grafeno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

5.2.1. El modelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90

5.2.2. Resultados y discusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93

6. Conclusiones 101

. Bibliografa 104

A. Relaciones importantes 112

A.1. Elementos de matriz para el hamiltoniano del grafeno . . . . . . . . . . 112

A.2. Relacin de dispersin |f (k)| . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

viii
Captulo 1

Introduccin

En el desarrollo de la industria de los semiconductores de silicio, los circuitos

integrados consisten de transistores, que hacen que el estudio de la electrnica y
microelectrnica tenga importancia cada vez mayor, reas en el que el transporte de
electrones se describe por caractersticas estadsticas promedias, siendo las cantidades
fsicas utilizadas cantidades macroscpicas, ello debido a que el tamao de los
dispositivos es mucho mayor que la longitud de coherencia de fase de los estados
electrnicos. De acuerdo a la ley de Moore el nmero de transistores por unidad de
rea en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos aos, el tamao
de los circuitos integrados caer a 30 nm en el siglo XXI, tamao en el que los
circuitos integrados ya no pueden ser descritos por leyes macroscpicas, debido a que
las caractersticas ondulatorias y los efectos cunticos cobran mayor importancia, hecho
que justica el desarrollo de la nanoelectrnica.

En la naturaleza encontramos que los tomos de carbono constituyen un elemento

esencial de la vida en el planeta y la qumica orgnica, se encuentran formando
diferentes compuestos de diferentes estructuras y diferentes propiedades. As mismo
el carbono puro en la naturaleza se encuentra en dos formas: grato y diamante,
que tienen propiedades elctricas y mecnicas diferentes debido a que sus estructuras
cristalinas son diferentes. Mientras el diamante constituido por enlaces hbridos sp3 ,
es un material aislante muy duro; el grato formado por enlaces hbridos sp2 , es
un material conductor y a su vez lubricante. Los primeros altropos de carbono
encontrados articialmente fueron los fulerenos en 1985, que son molculas esfricas de
tomos de carbono considerados como sistemas cerodimensionales, este descubrimiento

1
origin una intensa investigacin de posibles materiales puros de carbono. En 1991 se
realiza el descubrimiento ocial de los nanotubos de carbono con paredes multiples
MWCNT y en 1993 nanotubos de carbono monocapa SWCNT, los nanotubos son
sistemas unidimensionales, debido a que su relacin longitud - radio es muy grande.
En el 2004, en la Universidad de Manchester, el grupo liderado por Andrei Geim y
Konstantin Novoselov obtuvo experimentalmente, por primera vez, una monocapa de
tomos de carbono sobre la supercie de un substrato de dixido de silicio SiO2 [1, 2],
a esta monocapa se le denomina grafeno. Una sucesin de grafeno forma el grato,
el material ms conocido por el hombre desde que se encontraba en las cavernas. La
tcnica desarrollada por el grupo de Geim es relativamente simple y est considerada
dentro de las tcnicas de escisin micromecnica, y consiste en pegar una cinta adhesiva
sobre un pedazo de grato de ptima calidad para luego colocarla sobre un substrato
de dixido de silicio. Luego de una bsqueda con un microscopio ptico y electrnico
se detecta el grafeno en monocapas, bicapas y terrazas de varios niveles.

Figura 1: Andre Geim (iquierda) y Konstantin Novoselov (derecha) ganadores del Premio
Nobel de Fsica 2010, por el descubrimiento y caracterizacin del grafeno.

2
 Figura 2: Construccin terica de otros altropos del carbono a partir del grafeno:
fullerenos (0D), nanotubos (1D) y grafito (3D) [1].

Durante muchos aos se presuma que sistemas bidimensionales puros no se

encontraban en estado libre en la naturaleza. Opinin que se fundamenta en la
argumentacin de Landau y Pierls, quienes demostraron que cristales bidimensionales
no pueden existir, por ser estas termodinmicamente inestables [36], dicha teora se
puso en tela de juicio con el descubrimiento del grafeno en el 2004. Sin embargo se
puede considerar que las teoras de Landau y Pierls siguen siendo vlidas si se tiene en
cuenta que las hojas de grafeno presentan ligeras corrugaciones y defectos en la tercera
dimensin y por tanto no son estrictamente bidimensionales [6, 7].

En el grafeno, los tomos de carbono se unen qumicamente formando una

estructura cristalina bidimensional de tipo hexagonal, que resulta de la hibridacin
de los orbitales 2s, con los orbitales 2px y 2py , que produce tres orbitales hbridos sp2
que se encuentran el en plano xy formando entre s 120 . La hibridacin sp2 proporciona
la estabilidad de la estructura bidimensional y las propiedades mecnicas del grafeno.

3
De acuerdo a la propuesta de L. Pauling [8] los tres estados hbridos sp2 son:

2 1 2
|2spa i = |2si + |2px i (1.1)
3 3
1 1 1
|2sp2b i = |2si |2px i + |2py i (1.2)
3 6 2
1 1 1
|2sp2c i = |2si |2px i |2py i (1.3)
3 6 2

El electrn en el orbital pz perpendicular al plano de grafeno permance sin hibridar y

le permite al grafeno adherirse al susbtrato de Si02 mediante fuerzas de Van Der Waals y
simultneamente proporciona al grafeno unas propiedades electrnicas singulares que
ha llamado la atencin de la comunidad acadmica mundial y que ha generado una
intensa actividad de investigacin tanto terica como experimental.

La estructura electrnica del grafeno dada por los orbitales pz presenta dos puntos
K y K , en la primera zona de Brillouin, donde las bandas de valencia y conduccin
coinciden puntualmente, los portadores de carga en dichos puntos no poseen masa y la
relacin de dispersin de la energa en las proximidades de los puntos K y K es lineal
respecto a la magnitud de vector de onda k, es decir E = ~kvF , donde vF 106
m/s, es la velocidad de Fermi, una velocidad que es 0.33 % respecto a la velocidad de
la luz, siendo considerado casi relativstico, esta propiedad es una de las razones por
el cual se considera al grafeno como el primer material de estado slido para realizar
experimentos de electrodinmica cuntica, que permite probar por ejemplo, la paradoja
de Klein. A los puntos K y K se les denomina puntos de Dirac y a los portadores que
se mueven al rededor de dichos puntos se les denomina fermiones de Dirac.

El comportamiento electrnico nico del grafeno se debe a las caractersticas

relativistas cunticas inusuales de los fermiones de Dirac, estos bajo la presencia de
un campo magntico uniforme dan lugar a un espectro de energa particular para
cada nivel de Landau [912], permiten tambin la observacin del efecto Hall cuntico
anmalo a bajas temperaturas [1315] y a temperatura ambiente [16].

Las redes nitas de grafeno, denominados puntos cunticos, se caracterizan por

el connamiento de los electrones y los huecos debido al tamao del sistema. Las
colinas, ondulaciones y corrugaciones del grafeno afectan intensamente las propiedades
electrnicas de los puntos cunticos por ello es necesario poseer una lmina de grafeno
lo ms plana posible cuya obtencin ya es posible [17].

4
 En el capitulo 2 describimos la estructura electrnica del grafeno, la aproximacin
en las proximidades de los puntos de Dirac para evaluar el efecto del campo magntico
uniforme sobre el grafeno. Se hace tambien una revisin de las mariposas de Hofstadter
para redes nitas e innitas en redes cuadradas y el grafeno.

En el captulo 3 desarrollamos el modelo de Landauer para el transporte electrnico

a bajas temperaturas, describimos tambin la teora de las funciones de Green para
nes de calcular la densidad de estados y la conductancia elctrica de nanodispositivos,
evaluamos mtodos numricos que nos permiten calcular recursivamente las funciones
de Green del dispositivo cuntico y de los contactos semi-innitos, estos son el mtodo
de decimacin y el mtodo recursivo de convergencia rpida. Finalmente analizamos
el formalismo de Landauer-Buttiker para evaluar numricamente la resistencia Hall de
un punto cuntico con cuatro contactos.

En el captulo 4 aplicamos la ecuacin de Dirac para describir los estados de borde

en nanoribbons zigzag y armchair, el mtodo del tight-binding para la estructura de
bandas de nanoribbons y aplicamos la frmula de landauer para evaluar la conductancia
elctrica de los nanoribbons con diferentes bordes. As mismo analizamos la estructura
de bandas de nanoribbons bajo la accin del campo magntico.

En el captulo 5 aplicamos la formulacin de Landauer al estudio de nanoporos

de estado slido construidos en redes cuadradas y el grafeno. Evaluamos tambien los
efectos sobre la conductancia elctrica producidas por la presencia de molculas de
diferentes conguraciones en el centro de los nanoporos.

Finalmente presentamos el resumen de las principales conclusiones del trabajo.

5
Captulo 2

Grafeno

2.1. Consideraciones de red

El grafeno es una monocapa de tomos de carbono distribuidos en una red cristalina

bidimensional de tipo hexagonal, conocido tambin como panal de abejas. Cada tomo
de carbono tiene seis electrones ocupando los orbitales 1s2 , 2s2 y 2p2 . Los electrones
1s2 se encuentran fuertemente ligadas al ncleo atmico debido a su baja energa, por
tanto no participan en los enlaces qumicos. De los cuatro electrones restantes en los
orbitales 2s2 y 2p2 de mayor energa tres producen enlaces covalentes hibridizados sp2 ,
que proporcionan la estabilidad de la estructura hexagonal y hacen que los tomos de
carbono se encuentren fuertemente empaquetados [1, 1820].

Los electrones en los orbitales perpendiculares al plano del grafeno son relevantes
para las propiedades de transporte elctrico, por lo que consideramos solo estas en el
clculo de la estructura de bandas de energa. La estructura hexagonal no constituye
una red de Bravais, pero se puede describir por medio de dos redes de Bravais
triangulares formada por tomos A ( ) y B ( ) respectivamente. De acuerdo a
la gura 3 los vectores primitivos de cada red triangular del grafeno son dados como:

3 3
~a1 = 3ax, ~a2 = ax + ay (2.1)
2 2

siendo |~a1 | = |~a2 | = 3a la constante de red y a = 1.42 A la distancia entre dos tomos
de carbono prximos.

6
Figura 3: Red cristalina del grafeno, representado por dos redes cristalinas triangulares de
tomos A ( ) y B ( ), donde ~a1 y ~a2 son los vectores primitivos de la red real.

Cada tomo de la red A en la posicin RA j tiene como vecinos prximos a tres

tomos de la red B ubicados en las posiciones RB A ~
i = Rj + j , j = 1, 2, 3. De acuerdo a
la gura 3 los vectores ~j son las posiciones de los tomos B respecto a las posiciones
de los tomos A, que se escriben como

~1 = 3 ax 1 ay, ~2 = 3 ax 1 ay, ~3 = ay. (2.2)
2 2 2 2
As mismo cada tomo de la red B en la posicin RB
j tiene tres tomos de la red A en
las posiciones RA B ~
i = Rj j como vecinos prximos.

En el espacio recproco, la red recproca asociada al grafeno es otra red hexagonal,

donde vectores primitivos ~b1 y ~b2 asociados a ~a1 y ~a2 son dados por
! !
~b1 = 4 3 3 4 3 3
x + y , ~b2 = x + y .
3 3a 2 2 3 3a 2 2

2.2. Estructura de bandas

Nuestro propsito es describir el transporte electrnico, por tanto nos centramos en

esta parte a la estructura de bandas asociada a los orbitales perpendiculares al plano
del grafeno, para tal n consideramos que los electrones en los orbitales perpendiculares
de los tomos en las sub redes triangulares A y B son representados por los estados
cunticos |A B
j i y |i i respectivamente. La interaccin entre vecinos prximos ocurre
de modo que un electrn del tomo A (o B) pueda saltar a los tres vecinos prximos

7
B (o A), esta interaccin se describe dentro del modelo del tight-binding, modelo en el
cual el hamiltoniano tight-binding en primera cuantizacin se escribe como [2123]
X
|A B B A


H = t j ihi | + |j ihi | (2.3)
hi,ji

siendo t = 2.8 eV el parmetro de Hopping y hi, ji una notacin que establece que la
suma en (2.3) se efecta solamente sobre los vecinos prximos.

Las funciones de onda que describen a los electrones en la red triangular A/B es
dado por
A/B A/B
hr|j i = (r Rj ). (2.4)
Siguiendo la propuesta de Wallace [24], las funciones de onda de Bloch kA y kB
asociadas a las redes triangulares A y B se expresan en trminos de las funciones
de onda de los orbitales atmicos como:
A
X
kA (r) = eikRj (r RA
j ) (2.5)
j
B
X
kB (r) = eikRj (r RB
j ) (2.6)
j

teniendo en cuenta (2.4) reescribimos (2.5) y (2.6) como

!
ikRA ikRA
X X
kA (r) = e j hr|A
j i = hr| e j |A
j i = hr|kA i
j j
!
ikRB ikRB
X X
kB (r) = e j hr|B
j i = hr| e j |B
j i = hr|kB i
j j

de donde los estados cunticos |kA i y |kB i asociados a las redes triangulares A y B
tienen la forma
A
X
|kA i = eikRj |A
j i, (2.7)
j

B
X
|kB i = eikRj |B
j i. (2.8)
j

Considerando (2.7) y (2.8) escribimos el estado cuntico |k i del grafeno como una
combinacin lineal de los estados |kA i y |kB i,

|k i = cA A B B
k |k i + ck |k i. (2.9)

8
Para calcular la estructura de bandas hacemos que el estado |k i satisfaga la ecuacin
de Schrdinger independiente del tiempo

H|k i = k |k i (2.10)

con el n de resolver (2.10) expresamos en forma matricial el hamiltoniano H en la

base {|kA i, |kB i} !
hkA |H|kA i hkA |H|kB i
H= (2.11)
hkB |H|kA i hkB |H|kB i
los elementos de matriz de H dada por la ecuacin (2.11) se deducen detalladamente
en el apndice A.1 y resultan

hkA |H|kA i = hkB |H|kB i = 0. (2.12)

y
hkA |H|kB i = tf (k) (2.13)
~ ~ ~
donde f (k) = eik1 + eik2 + eik3 .

As mismo se encuentra
 
ik~ ik~ ik~
hkB |H|kA i = t e 1
+e 2
+e 3
= tf (k) (2.14)

Sustituyendo los resultados (2.12), (2.13) y (2.14) en la ecuacin (2.11), la expresin

matricial de H es !
0 f (k)
H = t
. (2.15)
f (k) 0
Los eigenvalores de energa de H dado por (2.15) se determinan de

det(EI H) = 0
 
 E tf (k)
=0


tf (k) E 
E 2 t2 |f (k)|2 = 0
Ek = t|f (k)| (2.16)
p p
siendo |f (k)| = |f (k)|2 = f (k)f (k), obtenida en el apndice A.2 y expresado
como

v ! !
u  
u 3 3 3
|f (k)| = t1 + 4 cos2 kx a + 4 cos kx a cos ky a (2.17)
2 2 2

9
es decir la estructura de bandas del grafeno (2.16) es

v ! !
u  
u 3 3 3
Ek = t|f (k)| = t 1 + 4 cos
t kx a cos ky a + 4 cos2 kx a (2.18)
2 2 2

Figura 4: Bandas de valencia y conduccin del grafeno dada por la Ec. (2.18)

La banda de energa Ek = t|f (k)| representa la banda de valencia y Ek = t|f (k)|

representa la banda de conduccin. Cuando |f (k)| = 0 la banda de valencia y
conduccin coinciden, dichos puntos en el espacio recproco se conocen como los puntos
de Dirac K y K .

2.3. Aproximacin en puntos de Dirac

En esta seccin vericamos que las bandas de valencia y conduccin varan

linealmente con el vector de onda en las proximidades de los puntos de Dirac K y
K , puntos que son dados de acuerdo a (2.18) como:
4 4
K = x, K = x (2.19)
3 3a 3 3a

10
expresando el vector de onda k como k = K + q, donde q = (qx , qy ) es el vector de
onda respecto a los puntos de Dirac podemos escribir f (k) como
~ ~ ~
X X
f (k) = f (K + q) = ei(K+q)i = eiKi eiqi (2.20)
i i

utilizando la aproximacin lineal ex 1 + x

~
eiqi 1 + iq ~i (2.21)
 
iK~ ~ ~
eiKi iq ~i
X X
i
f (k) = e 1 iq i = f (K) +
i i

si tenemos en cuenta que f (K) = 0 entonces

~ ~
eiKi iq ~i = i eiKi q ~i
X X
f (k) = f (K) +
i i

4 a  2
iK ~1 = i x 3x y = i
3 3a 2 3
4 a   2
iK ~2 = i x 3x y = i
3 3a 2 3
4
iK ~3 = i x (ay) = 0
3 3a
h 2 a   2 a
  i
f (k) = i ei 3 3qx qy + ei 3 3qx qy + aqy
2 2
2
donde ei 3 = cos 2 i sin 2 = 21 1 i 3




3 3

  
 
a 1  1 
f (k) = i 1 i 3 3qx qy + 1 + i 3 3qx qy + 2qy
2 2 2
a h i
f (k) = i 3qx + qy + i3qx + i 3qy 3qx + qy + i3qx i 3qy + 4qy
4
a a
f (k) = i [6iqx + 6qy ] = [6qx + i6qy ]
4 4
3
f (q) = a(qx iqy ) (2.22)
2
con este resultado el elemento de matriz hkA |H|kB i se expresa como
 
A B 3 3
hk |H|k i = tf (k) = t a(qx iqy ) = at(qx iqy ) (2.23)
2 2

del mismo modo el elemento de matriz hkB |H|kA i es

3
hkB |H|kA i = hkA |H|kB i = at(qx + iqy ) (2.24)
2

11
luego el hamiltoniano (2.11) en las proximidades del punto de Dirac K es
!
3 0 qx iqy
H = at
2 qx + iqy 0
!
0 qx iqy
H = ~vF (2.25)
qx + iqy 0
3ta 3(2.8eV)(1.42 1010 m)
donde vF = = 106 m/s es la velocidad de Fermi.
2~ 6.58 1016 eV-s

Resolviendo el problema de eigenvalores para el hamiltoniano (2.25) encontramos

 
 E ~vF (qx iqy ) 
det(E H) =  =0

 ~vF (qx + iqy ) E 

E 2 ~2 vF2 (qx + iqy )(qx iqy ) = 0

E 2 ~2 vF2 (qx2 + qy2 ) = 0

E = ~vF |q| (2.26)

La Ec. (2.26) prueba que efectivamente en las proximidades del punto de Dirac K las
bandas de energa E varan linealmente con el vector de onda |q|. Un procedimiento
similar al rededor del punto K prueba tambin que las bandas de energa en las
proximidades de K varan linealmente con el vector de onda.

Los eigen estados correspondientes a la banda de energa E+ = ~vF |q| dado por
(2.26), se expresan como |k+ i = cA |kA i + cB |kB i donde los coecientes cA y cB se
obtienen de
! ! !
0 qx iqy cA cA
~vF = ~vF |q|
qx + iqy cB cB

(qx iqy )cB = |q|cA (qx + iqy )cA = |q|cB

 
qx qy 
qx qy

i cB = cA |q|
+ i |q| cA = cB
|q| |q|
(cos i sin ) cB = cA (cos + i sin ) cA = cB

cB = ei cA
asumiendo la condicin de normalizacin |cA |2 + |cB |2 = 1 y cA = 1 ei/2 el eigen
2
estado correspondiente a E+ se escriben como
1 
|k+ i = ei/2 |kA i + ei/2 |kB i

(2.27)
2

12
 qy
donde tan = .
qx

De manera similar se encuentra que el eigen estado |k i asociado a la banda de

energa E = ~vF |q| se expresa como
1 
|k i = ei/2 |kA i ei/2 |kB i .

(2.28)
2

En el punto de Dirac K se encuentra que f (q ) es

3 3
f (q ) = a(qx iqy ) = a(qx + iqy ) (2.29)
2 2
con lo cual las bandas de energa resultan

E = ~vF |q | (2.30)

siendo los eigen estados |k iasociados a las bandas E dados por

1 
|k i = |ei/2 kA i ei/2 |kB i .

(2.31)
2

Considerando las matrices de Pauli = (x , y ) reescribimos la Ec.(2.25) al rededor

de K como
HK (q) = ~vF (x qx + y qy ) = ~vF q = vF p. (2.32)
De manera equivalente en la vecindad del punto de Dirac K se encuentra HK (q) =

HK (q), de modo que el hamiltoniano total en los puntos K y K es

!
p 0
H = vF (2.33)
0 p

2.4. Grafeno en un campo magntico uniforme

La dinmica de los electrones dentro de un material semiconductor convencional

se describe usualmente utilizando la mecanica cuntica no relativista, dentro del cual
se encuentra que la estructura de bandas de energa tiene una relacin de dispersin
parablica con el vector de onda, de la forma E = E ~2 k 2 /2m , siendo m la masa
efectiva, E+ la energa mnima en la banda de conduccin y E la energa mxima en

13
la banda de valencia. Bajo la presencia de un campo magntico uniforme de magnitud
B la energa para el movimiento perpendicular al campo es cuantizado en un conjunto
de niveles de Landau En = E ~c (n + 1/2), con n = 0, 1, 2, . . . y c = eB/m la
frecuencia ciclotrnica [25]. Este modelo falla cuando es aplicado a los electrones del
grafeno, por tanto es necesario utilizar las ecuaciones relativistas de Dirac, considerando
que los electrones del grafeno son fermiones de Dirac, caso en el cual de acuerdo a
(2.26) la estructura de bandas es proporcional al vector de onda, para analizar el
comportamiento de los electrones del grafeno bajo la accin de un campo magntico
B uniforme, asumimos que B = B0 z, con B0 constante y teniendo en cuenta que z es
un vector unitario perpendicular al plano del grafeno. Utilizando el potencial vector A
tenemos que B = A donde A = B0 yx es el gauge de Landau. La sustitucin de
Pierls [26,27], px p0x = px qA = px eB0 y, con q = e carga del electrn, permite
escribir el hamiltoniano (2.33) como:

0 p0x ipy 0 0
p + ip 0 0 0
0x y
H = vF (2.34)


0 0 0 p0x + ipy
0 0 p0x ipy 0
luego la ecuacin de Dirac para H es
A A

0 p0x ipy 0 0 K K
p + ip B B
0x y 0 0 0 K K
vF = (2.35)

A A

0 0 0 p0x + ipy K K
B B
0 0 p0x ipy 0 K K
A B A B
donde K y K son los espinores asociados a los tomos A y B en K y K y K los

espinores de los tomos A y B en K .

A B
Las soluciones de K y K al rededor del punto K se obtienen de las dos primeras
ecuaciones de (2.35),
A B
K = vF (p0x ipy )K
B A
K = vF (p0x + ipy )K
A B
desacoplando K y K de las ecuaciones anteriores, tenemos

2 K
A
= vF2 (p0x ipy )(p0x + ipy )K
A
(2.36)
2 K
B
= vF2 (p0x + ipy )(p0x ipy )K
B
(2.37)
B
con la nalidad de encontrar los niveles de energa para los estados K , consideramos
que el hamiltoniano (2.34) es independiente de x, es decir [H, px ] = 0, en consecuencia

14
px es una integral de movimiento, [px , py ] = 0, [y, py ] = i~.

2 K
B
= vF2 (p20x ip0x py + ipy p0x + p2y )K
B

2 K
B
= vF2 (p20x i[p0x , py ] + p2y )K
B

2 K
B
= vF2 ((px eB0 y)2 i [px eB0 y, py ] + p2y )K
B

2 K
B
= vF2 ((px eB0 y)2 ~eB0 + p2y )K B

 2   2 !
B 2 2 px
2
+ ~eB0 K = e B0 y + p2y K B
vF eB0
2 !
 2 2 2 2
p
 
1 B e B 0 p x y B
2
+ ~eB0 K = y + K
2m vF 2m eB0 2m

2 p2y
   
1 B k 2 B
+ ~eB0 K = (y y0 ) + K (2.38)
2m vF2 2 2m
e2 B02 px
donde k = m
, y0 = eB0
.

El lado derecho de la ecuacin anterior corresponde al hamiltoniano del oscilador

armnico simple, oscilando al rededor de y0 con eigenvalores ~ n + 21 , con =


q q
e2 B02
k
m
= m2
= eB
m
0
, es decir
 2   
1 eB0 1
+ ~eB0 = ~ n+
2m vF2 m 2
2
+ ~eB0 = ~eB0 (2n) + ~eB0
vF2
2 = 2vF2 ~eB0 n
p
= vF 2~eB0 n (2.39)
donde n = 0, 1, 2, . . .. como tiene races positivos y negativos, podemos extender los
valores de n a los enteros negativos y escribir los niveles de energa como
r
2~eB p p
= sgn(n) vF |n| = ~ Dirac sgn(n) |n|, (2.40)
c
r
2eB
con Dirac = vF .
~

Los niveles de Landau n pueden ser positivos o negativos, los valores positivos
corresponden a electrones (banda de conduccin) mientras los valores negativos
corresponden a huecos (banda de valencia). Ademas dichos niveles no son equidistantes
como en el caso convencional de materiales 2D, teniendo la mxima separacin de
energa Emax = ~ Dirac entre n = 0 y n = 1.

15
2.5. Mariposa de Hofstadter

En 1976, D. Hofstadter predijo un raro efecto cuntico, conocido como mariposa

de Hofstadter. El fenmeno consiste en que los electrones de una red bidimensional
sometido a fuertes campos magnticos muestran un espectro de energa complejo con
caractersticas fractales [28, 29].

2.5.1. Red cuadrada finita en campo magntico uniforme

Consideramos primero el caso de una red cuadrada bidimensional nita de 3 3

tomos, bajo la accin de un campo magntico uniforme B = B0 z, que es representado
por el gauge de Landau A = B0 yx, de modo que la sustitucin de Pierls [14] permite
establecer que el parmetro de Hopping entre vecinos proximos sobre el eje x es dado
por tx te2im , con m un nmero entero, y el parmetro de Hopping entre vecinos
proximos en el eje y es ty t. En la gura 5 se observa la red nita de 3 3 tomos, en
la que el origen de coordenadas (x, y) se encuentra en la posicin del tomo 1, de modo
que el nmero de echas paralelas al eje horizontal representan los valores enteros de
m, que para el caso son m = 0, 1, 2.

Figura 5: Red cuadrada finita 3 3 bajo la accin de un magntico uniforme.

Teniendo en cuenta la sustitucin de Pierls [3032] y el modelo del tight-binding el

16
hamiltoniano correspondiente a red nita de la gura 5 es

0 t 0 t 0 0 0 0 0
0 te2i

t 0 t 0 0 0 0

0 4i
t 0 0 0 te 0 0 0
t 0 0 0 t 0 t 0 0


2i
H= 0 te 0 t 0 t 0 te2i 0 (2.41)
4i
0 0 te 0 t 0 0 0 te4i


0 0 0 t 0 0 0 t 0

0
0 0 0 te2i 0 t 0 t
4i
0 0 0 0 0 te 0 t 0

El espectro de energa de (2.41) que constituye la mariposa de Hofstadter

correspondiente se muestra en la gura 6, donde = /e = p/q la razn del
ujo magntico al ujo cuntico, es decir es el ujo magntico por celda unitaria y
e = h/e es el ujo cuntico, la razon p/q indica que tiene valores racionales [29].
Siguiendo la misma idea utilizada para una red nita de la gura 5 calculamos el
espectro de energas para redes nitas de 15 15 tomos y 25 25 tomos, cuyos
resultados grcos se presentan en las guras 7 y 8 respectivamente.

Figura 6: Espectro de energa de una red cuadrada finita de 3 3 tomos en funcin de .

17
Figura 7: Espectro de energa para una red cuadrada finita de 15 15 tomos en funcin
de .

Figura 8: Espectro de energa para una red cuadrada finita de 25 25 tomos en funcin
de .

18
2.5.2. Red ladrillo finito en campo magntico uniforme

Con la nalidad de construir las mariposas de Hofstadter para redes nitas de

grafeno, utilizamos la equivalencia topolgica con la red de ladrillo, consideramos
primero el caso de una red ladrillo de 3 3 tomos mostrados en la parte derecha de a
gura 9, teniendo en cuenta que el campo magntico uniforme B = B0 z es representado
por el gauge de Landau A = B0 yx y que el principio de sustitucin de Pierls [3032]
hace que el parmetro de Hopping entre vecinos proximos es tx te2im y ty t.

Figura 9: (izquierda) Red cuadrada de 3 3 tomos (derecha) Red de ladrillo de 3 3

tomos

El hamiltoniano tight-binding correspondiente a la red de ladrillo con 3 3 tomos

representado en la gura 9 es

0 t 0 te0i 0 0 0 0 0

t 0 t 0 0 0 0 0 0

0 4i
t 0 0 0 te 0 0 0
0i
te 0 0 0 t 0 0 0 0


H= 0 2i (2.42)
0 0 t 0 t 0 te 0
4i
0 0 te 0 t 0 0 0 0


0 0 0 t 0 0 0 t 0

0 2i
0 0 0 te 0 t 0 t
0 0 0 0 0 0 0 t 0

Es espectro de energa asociado al hamiltoniano (2.42), que constituye la mariposa

de Hofstadter se muestra en la gura 10. Del mismo modo las mariposas de Hofstadter
asociados a redes nitas de grafeno constituidos por 15 15 tomos y 25 25 tomos
se presentan en las guras 11 y 12 respectivamente.

19
Figura 10: Espectro de energa de la red ladrillo de 3 3 tomos dado por el hamiltoniano
(2.42) en funcin de .

Figura 11: Espectro de energa de la red ladrillo de 15 15 tomos en funcin de .

20
 Figura 12: Espectro de energa de la red ladrillo de 25 25 tomos en funcin de .

2.6. Mariposa de Hofstadter para redes infinitas

En esta seccin reconstruimos el espectro de energa de redes innitas bajo la accin

de un campo magntico uniforme, que para el caso de redes cuadradas bidimensionales
fue obtenido primero por Hofstadter [28], y vericado en varias publicaciones [3336],
para el caso del grafeno [34, 37]

2.6.1. Red cuadrada

Sea el campo magntico uniforme B = B0 z, representado por potencial vectorial

A = B0 yx de modo que la sustitucin de Pierls introduce el factor de fase en el
hopping entre vecinos prximos en el eje x dado por tx te2im y el hopping entre
vecinos proximos en el eje y es ty t. La ecuacin de Schdinger aplicada sobre el
sitio (n, m) de la gura 13 produce

21
Figura 13: Parte de una red cuadrada infinita en el que se denotan la posicin del tomo
(n, m) y sus vecinos proximos

n,m = te2im n+1,m + te2im n1,m + tn,m1 + tn,m+1 (2.43)

con n,m funcin de onda de los electrones del tomo en el sitio (n, m) y = /0 .

con el n de transformar (2.43) a un problema unidimensional consideramos

k x = ky = 0 y
n,m = eikx na eiky ma m = m
m = te2im m + te2im m + tm1 + tm+1

m = 2t cos(2m)m + tm1 + tm+1 (2.44)

cuando es un nmero racional p/q, p y q son primos entre s, el tamao de la celda

unidad magntica es (qa, a), llamemos (x+qa, y) = (x, y) y (x, y+a) = (x, y) [38].

2t cos(2) t 0 ... 0 ... t


t 2t cos(4) t ... 0 ... 0


0 t 2t cos(6) ... 0 ... 0

.
.. .
.. .. .. .. .. ..

. . . . .

..
0 0 0 . t 2t cos(2(q 1)) t
...

t 0 0 0 t 2t cos(2q)

22
 Figura 14: Mariposa de Hofstadter red cuadrada infinita

2.6.2. Grafeno

El espectro de energa del grafeno reproducido en esta seccin, fu calculado primero

por Rammal [37], el mismo que tiene la misma estructura recursiva que la mariposa de
Hofstdater [28]. En nuestra deduccin consideramos que el campo magntico uniforme
es B = B0 z, que se representa por potencial vectorial A = B0 yx de modo que la
sustitucin de Pierls introduce un factor de fase en el parmetro de hopping tx entre
vecinos prximos en el eje x dado por tx tei2m y mantiene invariable el parmetro
de hopping entre vecinos prximos en el eje y, es decir ty t.

23
Figura 15: Parte de una red ladrillo infinita en el que indica la posicin del sitio (n, m) y
sus vecinos prximos

Aplicando la ecuacin de Schrdinger sobre los electrones de los tomos de las sub
redes A y B situados en la posicin (n, m) de la gura 15 tenemos

n,m = tn,m + tei2m n+1,m1

+ tei2m n,m1

(2.45)

n,m = tn,m + tei2(m+1) n,m+1 + tei2(m+1) n1,m+1 (2.46)

con n,m y n,m funciones de onda de los electrones en las sub redes A y B ubicados
en los sitios (n, m) respectivamente y = /0 .

Para transformar (2.45) y (2.46) a un problema unidimensional consideramos

k x = ky = 0 y

n,m = eikx na eiky ma m = m , n,m

= eikx na eiky ma m

= m

m = tm + tei2m m1

+ te2im m1

m = tm + tei2(m+1) m+1 + tei2(m+1) m+1

m = tm + 2t cos(2m)m1 (2.47)

m = tm + 2t cos(2(m + 1))m+1 (2.48)

De acuerdo a las ecuaciones (2.47) y (2.48) = p/q es un nmero racional, que

permite calcular el espectro de energa del grafeno usando una red peridica de periodo

24
2q, siendo por tanto el problema de eigenvalores (2.47) y (2.48) expresado por una
matriz de dimensin 2q 2q dada en (2.49) con condiciones de frontera peridicas
2q+1 = eiky 2q 1 .

0 t 0 ... 0 ... 2t cos(0)
t 0 2t cos(2) ... 0 ... 0



0 2t cos(2) 0 ... 0 ... 0
.. .. .. .. .. ..

..
.

. . . . . .

0 0 0 ... 0 2t cos(2q) 0

0 0 0 . . . 2t cos(2q) 0 t


2t cos(0) 0 0 ... 0 t 0
(2.49)

En el lmite de campos magnticos dbiles, la gura 16 muestra claramente los

niveles de Landau. Cuando el campo magntico es alto estos niveles de Landau
presentan sub bandas [39].

Figura 16: Mariposa de Hofstadter para el grafeno

25
Captulo 3

Transporte electrnico

Nuestro propsito en el presente captulo es describir las herramientas necesarias

para describir el transporte electrnico en sistemas de baja dimensionalidad, conocidos
como sistemas mesoscpicos, dichos sistemas son el puente entre los sistemas
macroscpicos y la escala atmica. La escala mesoscpica tiene longitudes tpicas que
van desde decenas de nm hasta algunos m, y es aquella en la que los electrones de un
semiconductor o un metal ponen de maniesto su comportamiento cuntico. En estos
sistemas mesoscpicos el trasporte electrnico se encuentra inuenciada por el tamao
del sistema L, la longitud de onda de Fermi F , el camino libre medio elstico le y la
longitud de coherencia de fase L .

La longitud de onda de Fermi F se encuentra relacionada con la energa

cintica del electrn y por tanto depende de la temperatura del sistema. Cuando
el sistema tiene dimensiones comparables a F la descripcin clsica fracasa, siendo
por tanto el comportamiento cuntico de las partculas muy importante. En sistemas
semiconductoras F tiene ordenes de magnitud mayores que en un metal.

El camino libre medio elstico es la distancia promedio que recorre un elctron

antes de ser dispersado elsticamente por un in del sistema le = vF e (donde vF es
la velocidad de Fermi y e el tiempo medio entre colisiones elsticas). En metales le
es del orden de los 10nm. En cambio a temperaturas del orden de los mili-Kelvin en
materiales semiconductores de alta pureza le puede llegar hasta los 100m.

La longitud de coherencia de fase (L ) es la distancia dentro de la cual la funcin de

onda electrnica preserva su fase. Esta longitud es de vital importancia para denir el

26
transporte en sistemas mesoscpicos. Para un sistema de longitud nita L, el transporte
es coherente siempre y cuando la longitud L sea menor que la longitud de coherencia
de fase L (L < L ).

Dentro del transporte coherente pueden distinguirse a la vez tres regmenes de

transporte:

Rgimen Balstico: se da cuando el camino libre medio le entre colisiones elsticas

es mayor que L, F L le .

Rgimen Difusivo: en este rgimen, el camino libre medio le entre colisiones elsticas
es menor que L, F le L.

Rgimen Localizado: se da cuando el camino libre medio le entre colisiones elsticas

es mucho menor que L, le F L.

Asmismo cuando F le L L tenemos el transporte en rgimen

macroscpico.

3.1. Formalismo de Landauer

El formalismo de Landauer, se utiliza para describir el transporte elctrico de

nanoestructuras en el rgimen balstico utilizando la conductancia elctrica [23, 40, 41],
expresado como:
2e2
G= T (EF ). (3.1)
h
Siendo T (EF ) los coecientes de transmisin cuntica correspondiente a todos los
canales cunticos permitidos en el nivel de energa de Fermi EF .

El sistema utilizado para el presente estudio se representa en la gura 17 y se

encuentra constituido por tres partes, el contacto izquierdo (L), el punto cuntico (D)
y el contacto derecho (R), los contactos conectan el punto cuntico a reservorios de
electrones termalizados que ocupan los estados de los contactos. La conexin entre el
contacto y los reservorios se consideran ideales (conductores perfectos), de modo que
los electrones que vienen de los contactos y pasan a travs del punto cuntico son
dispersados solamente en la interfase entre los contactos y el punto cuntico.

27
Figura 17: Modelo de nanodispositivo conectado a dos contactos semi-infinitos

La dimensin de los contactos es semi-innita, de modo que dichos contactos

son invariantes en la direccin de propagacin y tienen innitos estados permitidos.
La dimensin del punto cuntico en la direccin transversal cuantiza los modos de
propagacin n permitidos, modos que son conocidos tambin como canales permitidos.

Para la deduccin de (3.1), se considera que la poblacin de estados electrnicos

en los contactos es dado por la distribucin de Fermi-Dirac f (E ), donde es el
potencial qumico del contacto , representando = L al contacto izquierdo y = R
al contacto derecho. La corriente elctrica generada por los electrones del contacto
que pasan a travs del punto cuntico utilizando el canal n es dado por:
2e X
In = Tn (E)v(k)f (E ), = L, R. (3.2)
W k

donde W es la longitud del punto cuntico, el factor 2 es debido a la degeneracin

que presentan los niveles electrnicos por la presencia del espn electrnico, v(k) es
la velocidad de grupo de los electrones y Tn (E) la probabilidad de transmisin de
electrones por el canal n a la energa E(k).

La corriente neta que pasa por cada canal n a travs del punto cuntico se obtiene
calculando la diferencia entre la corriente ILn producido por los electrones del contacto
izquierdo y la corriente IRn producidos por los electrones del contacto derecho
2e X
In = |ILn IRn | = v(k)Tn (E) [f (E L ) f (E R )] . (3.3)
W k

de modo que la corriente total a travs del punto cuntico es la suma las corrientes In
sobre todos los canales permitidos:
X 2e X
I= In = v(k)Tn (E) [f (E L ) f (E R )] . (3.4)
n
W n,k

en la ecuacin ultima la sumatoria discreta se transforma al dominio continuo de k,

considerando la regla usual
W
X Z
dk, (3.5)
k
2

28
que permite reescribir (3.4) como
eX
Z
I= dkv(k)Tn (E) [f (E L ) f (E R )] . (3.6)
n

y considerando que
1 dE
v(k) = ,
~ dk
encontramos
2e X
Z
I= dETn (E) [f (E L ) f (E R )] . (3.7)
h n
a bajas temperaturas y pequeos voltajes aplicados eV = L R , podemos hacer una
expansin en serie de Taylor de f (E L ) f (E R ) al rededor de la energa de
Fermi EF , que conduce a f (E L ) f (E R ) (E EF )(L R ), resultado
que permite expresar la Ec. (3.7) como
2e X
Z
I= dETn (E)(E EF ) (L R ) . (3.8)
h n

2e X
I= (L R ) Tn (EF )
h n

2e2 X
I= V Tn (EF )
h n

considerando que la conductancia elctrica G se dene como G = I/V tenemos

2e2 X
G= Tn (EF ), (3.9)
h n

de modo que la frmula de Landauer queda como:

2e2
G(EF ) = T (EF ) (3.10)
h
P
siendo T (EF ) = Tn (EF ) el coeciente de transmisin cuntica total sobre todos los
canales permitidos.

3.2. Formalismo de la funcin de Green

Las funciones de Green son una herramienta poderosa para resolver muchos
problemas de la fsica, en la presente seccin describimos el mtodo de la funcin de
Green para calcular los coecientes de transmisin, tiles para calcular las propiedades
de transporte de sistemas nanoscpicos como el grafeno.

29
3.2.1. Funcin de Green

En mecnica cuntica para describir una partcula sujeta a un potencial

independiente del tiempo se resuelve la ecuacin de Schdinger

H|n i = E|n i, (3.11)

donde H es el operador hamiltoniano asociado a la partcula. Para resolver la ecuacin

(3.11) en representacin {|ri} denimos la funcin de Green correspondiente como
solucin de la ecuacin
[E H]G(r, r , E) = (r r ). (3.12)
Si utilizamos el operador G(E) para representar la funcin de Green, entonces la Ec.
(3.12) se reescribe como,
[E H]G(E) = 1, (3.13)
de modo que
G(r, r , E) = hr|G(E)|r i. (3.14)
Si E no es un eigenvalor de H, entonces la solucin formal de la ecuacin (3.13) para
G(E) es dado por
1
G(E) = = [E H]1 (3.15)
EH
luego si En son los eigenvalores de H asociados a los autoestados normalizados |n i
entonces (3.15) se expresa como

1 X X |n ihn |
G(E) = |n ihn | = (3.16)
EH n n
E En

donde los En son reales debido a que H es hermitiano. Por tanto G(E) es analtica en
el plano complejo, con excepcin a aquellos puntos en las cuales E toma valores reales
E = En , puntos en las cuales G(E) presenta una discontinuidad (es decir el lmite de
G(E) cuando E se aproxima a En tiende al innito).

Sin embargo si no se especica las condiciones de frontera, la inversa del operador

E H en la Ec. (3.15) no est denido, en dichos casos, con la nalidad de levantar la
discontinuidad de G(E) asumimos que E E i con 0, de modo que denimos
las funciones de Green retardadas G+ (E) y las funciones de Green avanzadas G (E)
como:
G (E) = lm+ G(E i) (3.17)
0

30
La Ec. (3.13) permite expresar G (E) como

G (E) = lm+ [E i H]1 (3.18)

0

en adelante nos referimos como funciones de Green G a las funciones de Green

retardadas G+ , de modo que G = (G+ ) = G .

3.2.2. Funciones de Green fuera de equilibrio

Las funciones de Green fuera de equilibrio NEGF son regularmente utilizados para
calcular intensidad de corriente y densidad de carga en dispositivos a escala nanometrica
bajo un cierto voltage aplicado. Este metodo es usado principalmente para el transporte
balistico, pero puede ser extendido para incluir dispersion inelastica [42]. En esta
seccin derivamos la ecuacin de NEGF para la corriente elctrica y su relacin con el
coeciente de transmisin.

Siendo nuestro propsito determinar la funcin de Green GD del nano-dispositivo

de la gura 17 reescribimos la ecuacin de Schrdinger (3.11) para el sistema completo
como
HL HLD 0 |L i |L i
HDL HD HDR |D i = E |D i (3.19)

0 HRD HR |R i |R i
donde HD es el hamiltoniano del nanodispositivo, HL y HR los hamiltonianos de los
contactos izquierdo y derecho, HD con = L, R son las matrices de acoplamiento
entre el contacto = L, R y el nano-dispositivo, |D i, |L i y |R i los estados cunticos
asociados a HD , HL y HR respectivamente.

Por qu calculamos las funciones de Green?

Para un sistema representado por el hamiltoniano H, las funciones de Green

proporcionan la respuesta del sistema a una perturbacin constante |vi, en la ecuacin
de Schrdinger:
H|i = E|i + |vi (3.20)
(E H)|i = |vi (3.21)

31
de modo que la respuesta a la perturbacin es

|i = [E H]1 |vi

|i = G(E)|vi (3.22)
La funcin de Green nos permite determinar muchas propiedades de un sistema
fsico, tales como la funcin espectral, la densidad de estados (DOS), la funcin de
transmisin, etc. Por ejemplo calculamos los estados |L i asociado al contacto izquierdo
y |R i asociado al contacto derecho en funcin de los estados del punto cuntico |D i
a partir de la ecuacin de Schrdinger (3.19), que se reescribe como:

HL |L i + HLD |D i = E|L i (3.23)

HDL |L i + HD |D i + HDR |R i = E|D i (3.24)
HRD |D i + HR |R i = E|R i (3.25)

obteniendo |L i de la Ec. (3.23) y |R i de (3.25) tenemos

|L i = [E HL ]1 HLD |D i = gL HLD |D i, (3.26)

|R i = [E HR ]1 HRD |D i = gR HRD |D i. (3.27)

donde gL = [E HL ]1 y gR = [E HR ]1 son las funciones de Green asociados a los
contactos aislados izquierdo y derecho respectivamente.

Auto-energas

Para obtener la funcin de Green retardada GD asociada al nano-dispositivo de la

gura 17 hacemos = E + i y reescribimos la denicin de la funcin de Green (3.13)
correspondiente a la ecuacin de Schrdinger es (3.19) como [42, 43]

HL HLD 0 GL GLD GLR I 0 0
HDL HD HDR GDL GD GDR = 0 I 0 (3.28)

0 HRD HR GRL GRD GR 0 0 I

seleccionando tres ecuaciones de (3.28) tenemos

( HL )GLD HLD GD = 0 (3.29)

HDL GLD + ( HD )GD HDR GRD = I (3.30)
HRD GD + ( HR )GRD = 0 (3.31)

32
obteniendo GLD de (3.29) y GRD de (3.31) y reemplazando en (3.30) se tiene

HDL ( HL )1 HLD + ( HD ) HDR ( HL )1 HRD GD = I

 
(3.32)

considerando las auto-energas asociadas a lo contactos como

L = HDL gL HLD (3.33)

R = HDR gR HRD (3.34)

donde gL = ( HL )1 y gR = ( HR )1 son las funciones de Green correspondientes
a los contactos izquierdo y derecho aislados, entonces la ecuacin (3.32) se escribe como

[L + ( HD ) R ]GD = I, (3.35)

luego la funcin de Green del nano-dispositivo GD es

GD (E) = (I HD L R )1 (3.36)

Las matrices de acoplamiento L (E) y R (E) se denen como la diferencia entre las
auto-energas avanzadas y retardadas de los correspondientes contactos

L,R = i(L,R L,R ) (3.37)

De acuerdo a la ecuacin (3.36) podemos decir que el efecto de los contactos en el

dispositivo es adicionar las autoenergas al Hamiltoniano del dispositivo, es decir las
autoenergas transforman el sistema completo de la gura 18-a en un nuevo sistema
formado por el dispositivo mas autoenergas representado en la gura 18-b. En trminos
de clculo computacional en lugar de calcular la funcin Green del hamiltoniano
asociado al sistema completo, calcularemos la funcion de Green para el hamiltoniano
efectivo Hef = HD + L + R . Sin embargo debemos tener en cuenta que este es un
proceso para calcular la funcion de Green, dado que los autovalores y los autovectores
de este Hamiltoniano efectivo no son cantidades que se puedan interpretar facilmente.

33
Figura 18: Las autoenergas permite reducir el sistema completo (a) de dimensin infinita
a un sistema finito (a) de dimension igual a la del nano-dispositivo.

3.2.3. Coeficiente de transmisin y la funcin de Green

Deducimos la expresin que nos permite calcular el coeciente de transmisin en

funcin de las funciones de Green, para ello evaluamos primero la respuesta que produce
un nano-dispositivo a las ondas incidentes, considerando que los electrones (ondas
incidentes) que se inyectan en el nano-dispositivo ocupan los estados correspondientes
a los contactos [44].

Sea |L,n i un estado que corresponde al contacto L que para cierta energa E es
reejado completamente en la interface entre el contacto y el punto cuntico con n un
modo de propagacin y | + i el estado retardado obtenido como respuesta del sistema
completo, entonces el estado total |L,n i + | + i satisface la ecuacin de Schrdinger

H(|L,n i + | + i) = E(|L,n i + | + i) (3.38)

H|L,n i + H| + i = E(|L,n i + | + i) (3.39)

(HD + HL + HLD + HDL + HDR + HRD + HR )|L,n i = (HL + HDL )(|L,n i

34
debido a que |L,n i es una estado que corresponde solo al contacto L

(HL + HDL )|L,n i + H| + i = E(|L,n i + | + i)

(E + HDL )|L,n i + H| + i = E|L,n i + E| + i
HDL |L,n i + H| + i = E| + i
(E H)| + i = HDL |L,n i

luego
| + i = [E H]1 HDL |L,n i = GHDL |L,n i (3.40)
Con este resultado el estado del punto cuntico |D i se escribe como

|D i = GD HDL |L,n i. (3.41)

Adems los estados de los contactos (3.26) y (3.27) se reescriben como:

|L i = (1 + gL HLD GD HDL )|L,n i (3.42)

|R i = gR HRD GD HDL |L,n i (3.43)

La corriente elctrica inyectada por el contacto L y pasa al contacto R a travs del

punto cuntico es dado en funcin de |R i y |D i como:
ie
I21 = (hR |HRD |D i hD |HDR |R i) (3.44)
~
reemplazando |D i y |R i dadas por (3.41) y (3.43) se tiene
ie 

I21 = hR |HRD GD HDL |L,n i hL,n |HLD GD HDR |R i
~
ie 


= hL,n |HLD GD HDR gR HRD GD HDL |L,n i hL,n |HLD GD HDR gR HRD GD HDL |L,n i
~
ie 


= hL,n |HLD GD R GD HDL |L,n i hL,n |HLD GD R GD HDL |L,n i
~
e
= hL,n |HLD GD i(R R )GD HDL |L,n i
~
e
I21 =hL,n |HLD GD R GD HDL |L,n i. (3.45)
~
La corriente total que pasa del contacto izquierdo al derecho a travs de todos los

35
modos n, considerando la degeneracin de espn es
2e
Z X
I21 = dEf (E L ) (E En )hL,n |HLD GD R GD HDL |L,n i
~ n
Z
2e X
= dEf (E L ) (E En )hL,n |HLD |mihm|GD R GD HDL |L,n i
~ m,n
Z
2e X
= dEf (E L ) (E En )hm|GD R GD HDL |L,n ihL,n |HLD |mi
~ m,n
Z !
2e X X
= dEf (E L ) hm|GD R GD HDL 2 (E En )|L,n ihL,n | HLD |mi
2~ m n
Z
2e X  
= dEf (E L ) hm|GD R GD HDL gL gL HLD |mi
2~ m
Z
2e X  
= dEf (E L ) hm|GD R GD L L |mi
2~ m
Z
2e X
= dEf (E L ) hm|GD R GD L |mi
2~ m
Z
2e
I21 = dEf (E L )T r[GD R GD L ]. (3.46)
2~
De manera equivalente se encuentra que la corriente total que pasa del contacto derecho
al contacto izquierdo es
Z
2e
I12 = dEf (E R )T r[GD R GD L ]. (3.47)
2~
La corriente total a travs del punto cuntico es entonces:
Z
2e
I= dE (f (E L ) f (E R )) T r[GD R GD L ] (3.48)
2~
comparando las corrientes en el punto cuntico dadas por las Ecs. (3.7) y (3.48) se
tiene que
T (E) = T r[GD R GD L ]. (3.49)
La Ec. (3.49) es equivalente a la relacin de Fisher-Lee [45,46] que expresa el coeciente
de transmisin en trminos de las matrices de transmisin como:
T = T r(t t). (3.50)

3.2.4. Mtodo de decimacin

Utilizado para determinar las funciones gL , gR y GD de manera recursiva [47], debido

a que los contactos se consideran de dimensin semi-innita, y el punto cuntico tiene

36
dimensin nita. La aplicabilidad del mtodo de recurrencia se debe a que tanto los
contactos y el nano-dispositivo se pueden descomponer en sub redes verticales nitas
en serie como muestra la gura 19, donde cada sub red es llamada en adelante como
cadena unidad, dentro del modelo del tight-binding cada cadena unidad interacta
solamente con las cadenas unidad laterales prximas.

Figura 19: Aproximacion de un nanodispositivo utilizando la cadena unidad.

Para la presente deduccin consideramos un sistema compuesto por cinco cadenas

unidad, que en la gura 19 se denotan por 2, 1, 0, 1, 2, siendo el hamiltoniano
tight-binding asociado dado por

H2 H2,1 0 0 0

H2,1 H1 H1,0 0 0




H=
0 H1,0 H0 H0,1 0
(3.51)

0 0 H0,1 H1 H1,2



0 0 0 H1,2 H2
donde Hn , con n = 2, 1, 0, 1, 2 es el hamiltoniano correspondiente a la n-sima
cadena unidad, Hn,n+1 es la matriz de acoplamiento de la cadena n con la cadena n + 1

y Hn,n+1 es la matriz de acoplamiento de la cadena n + 1 con la cadena n. La funcin
de Green asociado al hamiltoniano (3.51) se dene de acuerdo a (3.13) por

H2 0 0 0

H2,1 G2 G2,1 G2,0 G2,1 G2,2

1 0 0 0 0

H H1 H1,0 0 0
2,1 G1,2 G1 G1,0 G1,1 G1,2

0
1 0 0 0

0 H1,0 H0 H0,1 0 G0,2

G0,1 G0 G0,1 G0,2 = 0

0 1 0 0


H1 H1,2 G1,2 G1,1 G1,0 G1 G1,2 0 0 0 1 0

0 0 H0,1
G2,2 G2,1 G2,0 G2,1 G2 0 0 0 0 1
0 0 0 H1,2 H 2
(3.52)

37
 esta ecuacin matricial se reescribe como

( H2 )G2,0 H2,1 G1,0 = 0 (3.53)

H2,1 G2,0 + ( H1 )G1,0 H1,0 G0 = 0 (3.54)

H1,0 G1,0 + ( H0 )G0 H0,1 G1,0 = 1 (3.55)

H0,1 G0 + ( H1 )G1,0 H1,2 G2,0 = 0 (3.56)

H1,2 G1,0 + ( H2 )G2,0 = 0 (3.57)

De la Ec. (3.57) obtenemos la funcin G2,0

G2,0 = ( H2 )1 H1,2 G1,0

y sustituimos en la Ec. (3.56)

H0,1 G0 + ( H1 )G1,0 H1,2 ( H2 )1 H1,2 G1,0 = 0

obteniendo G1,0 tenemos

1
G1,0 = ( H1 H1,2 ( H2 )1 H1,2 ) H0,1 G0 (3.58)

Asimismo de la ecuacin (3.53) obtenemos la funcin G2,0

G2,0 = ( H2 )1 H2,1 G1,0

y sustituimos en la Ec. (3.54)

H2,1 ( H2 )1 H2,1 G1,0 + ( H1 )G1,0 H1,0 G0 = 0

obteniendo G1,0 tenemos

G1,0 = ( H1 H2,1 ( H2 )1 H2,1 )1 H1,0 G0 (3.59)

sustituyendo (3.58) y (3.59) en la Ec. (3.55) tenemos

H1,0 ( H1 H2,1 ( H2 )1 H2,1 )1 H1,0 G0 + ( H0 )G0
1
H0,1 ( H1 H1,2 ( H2 )1 H1,2 ) H0,1 G0 = 0

de aqu obtenemos que la funcin de Green G0 se expresa como

1


1 1

G0 = H0 H1,0 H1,0 H0,1 H0,1 .




1 1

H1 H2,1 H2,1 H1 H1,2 H1,2
H2 H2
(3.60)
Para el clculo de GD esta recursin se extiende hasta el tamao del punto cuntico, y
en el clculo de gL y gR se considera hasta un tamao sucientemente grande.

38
3.2.5. Funciones de Green de contacto derecho

En la bibliografa existen varios mtodos recursivos para determinar las funciones

de Green de los contactos, as tenemos el mtodo auto-consistente [46], el mtodo de
decimacin [23, 48, 49]. Nosotros utilizamos una variante del mtodo de la matriz de
transferencia [5052], para calcular de manera rpida y eciente la funcin de Green
del contacto derecho, la particularidad de este mtodo es que se aplica cuando los
hamiltonianos asociados a cada una de las cadenas unidad del contacto derecho son
todas iguale. Para el presente clculo consideramos que el contacto derecho es una red
semi-innita, que de acuerdo a la gura 19 es representado por las cadenas unidad
n = 0, 1, 2, . . . de modo que la ecuacin (3.13) que dene la funcin de Green del
contacto derecho se escribe como:

H00 H01 0 0 ... G00 G01 G02 G03 ... 1 0 0 0 ...

H01 H11 H12

0 . . . G10
G11 G12 G13 . . . 0
1 0 0 . . .

0
H12 H22 H23 . . .

G20 G21 G22 G23 . . . =

0 0 1 0 . . .


0 0 H23 H33 . . . G30 G31 G32 G33 . . . 0 0 0 1 . . .
.. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. . .

. . . . . . . . . . . . . .
(3.61)
considerando que H01 = Hn,n+1 , H10 = Hn+1,n y Hnn = H00 para todo n tenemos

( H00 )G00 H01 G10 = I (3.62)

H10 G00 + ( H00 )G10 H01 G20 = 0 (3.63)
H10 G10 + ( H00 )G20 H01 G30 = 0 (3.64)
H10 G20 + ( H00 )G30 H01 G40 = 0 (3.65)
H10 G30 + ( H00 )G40 H01 G50 = 0 (3.66)
H10 G40 + ( H00 )G50 H01 G60 = 0 (3.67)
.. .. ..
. . . (3.68)

despejando G10 de (3.63) tenemos

G10 = ( H00 )1 (H10 G00 + H01 G20 ) (3.69)

reemplazando (3.69) en (3.62) encontramos G00

( H00 )G00 H01 ( H00 )1 (H10 G00 + H01 G20 ) = I

( H00 H01 ( H00 )1 H10 )G00 = I + H01 ( H00 )1 H01 G20 (3.70)

39
 Despejando ahora G30 de (3.65) se obtiene

G30 = ( H00 )1 (H10 G20 + H01 G40 ) (3.71)

reemplazando (3.69) y (3.71) en (3.64) tenemos

H10 [( H00 )1 (H10 G00 + H01 G20 )] + ( H00 )G20 H01 [( H00 )1 ](H10 G20 + H01 G40 ) = 0

reordenando
[ H00 H10 ( H00 )1 H10 H01 ( H00 )1 H10 ]G20
(3.72)
= H10 ( H00 )1 H10 G00 + H01 ( H00 )1 H10 G40

haciendo el cambio de variables

H1 = H00 + H01 ( H00 )1 H10

1 = H10 ( H00 )1 H10
1 = H01 ( H00 )1 H01
H1 = H00 + H10 ( H00 )1 H01 + H01 ( H00 )1 H10

las ecuaciones (3.70) y (3.72) se reescriben como

( H1 )G00 = I + 1 G20 (3.73)

( H1 )G20 = 1 G00 + 1 G40 (3.74)

si despejamos G50 de (3.67) y tomamos G30 de (3.71) para reemplazar en (3.66) y seguir
el mismo procedimiento seguido para deducir (3.74) encontramos

( H1 )G40 = 1 G20 + 1 G60 (3.75)

as mismo encontramos que

( H1 )G60 = 1 G40 + 1 G80 (3.76)

( H1 )G80 = 1 G60 + 1 G10 (3.77)
( H1 )G10 = 1 G80 + 1 G12 (3.78)
.. .. ..
. . . (3.79)

Para hacer una segunda iteracin despejamos G20 de (3.74) y reemplazamos en (3.73)
obteniendo

( H1 )G00 = I + 1 (( H1 )1 (1 G00 + 1 G40 ))

( H1 1 ( H1 )1 1 )G00 = I + 1 ( H1 )1 1 G40 (3.80)

40
despejando G20 de (3.74) y G60 de (3.76) y reemplazando ese obtiene

( H1 )G40 = 1 (( H1 )1 (1 G00 + 1 G40 )) + 1 (( H1 )1 (1 G40 + 1 G80 ))

( H1 1 ( H1 )1 1 1 ( H1 )1 1 )G40 = 1 ( H1 )1 1 G00 + 1 ( H1 )1 1 G80

(3.81)

haciendo el cambio de variable

H2 = H1 + 1 ( H1 )1 1
2 = 1 ( H1 )1 1
2 = 1 ( H1 )1 1
H2 = H1 + 1 ( H1 )1 1 + 1 ( H1 )1 1

escribimos (3.80) y (3.81) como

( H2 )G0 0 = I + 2 G40 (3.82)

( H2 )G40 = 2 G00 + 2 G80 (3.83)

de manera similar encontramos

( H2 )G80 = 2 G40 + 2 G12 (3.84)

( H2 )G12 = 2 G40 + 2 G12 (3.85)
( H2 )G16 = 2 G80 + 2 G16 (3.86)
.. .. ..
. . . (3.87)

De acuerdo a las ecuaciones de la primera iteracin (3.73) al (3.78) y las ecuaciones de

la segunda iteracin (3.80) al (3.86), despus de la n-sima iteracin tendremos

( Hn )G00 = I + n G2n ,0 (3.88)

( Hn )G2n ,0 = n G00 + n G22n ,0 (3.89)
( Hn )G22n ,0 = 2 G2n ,0 + 2 G32n ,0 (3.90)
( Hn )G32n ,0 = 2 G12n ,0 + 2 G42n ,0 (3.91)
( Hn )G42n ,0 = 2 G22n ,0 + 2 G52n ,0 (3.92)
.. .. ..
. . . (3.93)

con

Hn = Hn1 + n1 ( Hn1 )1 n1 (3.94)

n = n1 ( Hn1 )1 n1 (3.95)

n = n1 ( Hn1 )1 n1 (3.96)
Hn = Hn1

+ n1 ( Hn1 )1 n1 + n1 ( Hn1

)1 n1 . (3.97)

41
 Si el nmero de iteraciones n es sucientemente grande entonces se encuentra que
n es considerablemente pequea, de modo que la funcin de Green aproximada del
contacto derecho es dado por:

G00 ( Hn )1 . (3.98)

3.3. Formalismo de Buttiker para 4 contactos

Buttiker realiza una extensin al formalismo de Landauer que describe el transporte

electrnico de nano-dispositivos con dos contactos a sistemas cunticos con cuatro
terminales [53,54], en general este tratamiento se puede extender a ms terminales. En
principio consideramos un sistema multiterminal, donde cada contacto tiene varios
canales permitidos M , entonces la ecuacin (3.7) para corriente total I en el contacto
se generaliza como:
" #
2e
Z X
I = dE (M R )f T f (3.99)
h 6=

el factor 2 se debe a la degeneracin del espn, si expandimos f y f al rededor del

nivel de Fermi como  
df
f ( ) = f (F ) + eV + . . .
dE
considerando la aproximacin hasta el primer orden, la ecuacin (3.99) se escribe como
"     X    #
2e df df
Z
I = dE (M R ) f (F ) + eV T f (F ) + eV
h dE 6=
dE
" !     #
2e df df
Z X X
I = dE f (F ) (M R ) T + (M R ) eV T eV .
h 6=
dE 6=
dE

La conservacin de corriente en el contacto y la simetra de la conduccin elctrica [54]

nos permite escribir:
X X
(M R ) T = 0, (M R ) T = 0 (3.100)
6= 6=

luego I es
"     #
2e df df
Z X
I = dE (M R ) eV T eV (3.101)
h dE 6=
dE

42
asumiendo que
2e2 2e2
   
df df
Z Z
G = dE (M R ); G = dE T (3.102)
h dE h dE
tenemos
2e2 X
I = G V . (3.103)
h

a bajas temperaturas G y G dados por (3.102) se expresa como

2e2 2e2
G = (M R ); G = T (3.104)
h h

Para un punto cuntico con cuatro contactos a bajas temperaturas la corriente I

en el contacto ( = 1, 2, 3, 4) dado por (3.103) es
" #
2e2 X
I = (M R )V T V , (3.105)
h 6=

cabe recalcar en esta parte que M es el nmero de canales permitidos a travs del
P n
contacto , es decir que R = R es la probabilidad total de reexin de las ondas
P n
incidentes por los M canales permitidos en el contacto , as mismo T = T es
el coeciente de transmisin total de las ondas que inciden por el contacto y pasan
al contacto .

Figura 20: Punto cuntico con cuatro contactos.

Considerando que toda la corriente que ingresa a travs del contacto 1 pasa al
contacto 3 y toda la corriente que ingresa por el contacto 2 pasa al 4, es decir I1 = I3

43
y I2 = I4 a partir de (3.105) encontramos que

T12 + T32 T41 + T21

V3 V4 = (V2 V4 ) (V1 V3 ), (3.106)
S S
S = T12 + T14 + T32 + T34 = T21 + T41 + T23 + T43 (3.107)
con estas identidades reescribimos la ecuacin (3.105) como
! ! !
I1 2e2 11 12 V1 V3
= (3.108)
I2 h 21 22 V2 V4

donde
(T21 + T41 )(T12 + T14 )
11 = (M1 R11 ) (3.109)
S
T12 T34 T32 T14
12 = (3.110)
S
T21 T43 T23 T41
21 = (3.111)
S
(T21 + T23 )(T32 + T12 )
22 = (M2 R22 ) (3.112)
S
para la medida de la resistencia Hall, consideramos I2 = 0 en los contactos 2 y 4, de
modo que (3.108) se reescribe como

2e2
I1 = [11 (V1 V3 ) 12 (V2 V4 )]
h
2e2
0 = [21 (V1 V3 ) + 22 (V2 V4 )]
h
resolviendo para I1 encontramos

2e2 2e2 11 22 21 12
 
22
I1 = 11 (V2 V4 ) 12 (V2 V4 ) = (V2 V4 )
h 21 h 21

entonces la resistencia Hall RH es

V2 V4 h 21
RH = R13,24 = = 2 (3.113)
I1 2e 11 22 21 12
y la resistencia longitudinal RL es
V1 V3 h 22
RL = = 2 (3.114)
I1 2e 11 22 21 12

En las guras 21, 22 y 23 presentamos los resultados de RH , RL y DOS para un

punto cuntico de grafeno formado por una red nita de dimensiones 23a 21
2
3a,

44
siendo el ancho de los contactos izquierdo (1) y derecho (3) igual a 23a y el ancho de

los contactos superior (2) e inferior (4) igual a 21
2
3a. El campo magntico uniforme
aplicado sobre el sistema es representado por el potencial vector A = B0 yx y su efecto
sobre el punto cuntico es dado por la sustitucin de Pierls. Para nes de obtener los
resultados calculamos primero las funciones de Green de los contactos por medio del
mtodo recursivo rpido descrito en 3.2.5, luego calculamos las auto-energas y las
acoplamos al punto cuntico siguiendo las matrices de transformacin propuestas por
Jayasekera [55], seguidamente determinamos la funcin de Green, nalmente utilizando
la funcin de Green calculamos la resistencia Hall RH por medio de la ecuacin (3.113),
la resistencia longitudinal RL usando la ecuacin (3.114) y DOS respectivamente, el
programa numrico utilizado para estos clculos es la que proponemos en [56]. Otra
alternativa de tratamiento de las auto-energas para sistema nanoscpicos mas grandes
es utilizar las propuestas de Thorgilsson [57].

La gura 21 representa el diagrama de colores de la resistencia Hall obtenida a

partir de (3.113) en la grca el eje horizontal representa el ujo magntico por unidad
de ujo cuntico y el eje vertical la energa (E/t), los colores clidos representan los
valores positivos que toma RH y los colores frios los valores negativos de RH , la grca
muestra tambin la naturaleza anti-simtrica de RH respecto a E = 0. As mismo
observamos la formacin de los niveles de Landau, niveles que se aprecian mejor en la
grca de la DOS dada en la gura 23 y en la resistencia longitudinal RL dado por
(3.114) y representado en la gura 22. La presencia de los niveles de Landau se deben
a la localizacin de los estados de borde en determinados valores de energa a medida
que el aumenta el campo magntico y son indicadores que prueban la cuantizacin de
RH en el punto cuntico estudiado. La cuantizacin de RH es mas notoria a medida
que las dimensiones del punto cuntico se incrementan, ya que cuando las dimensiones
del punto cuntico son muy pequeas los efectos de cuantizacin espacial son mas
preponderantes.

45
 Figura 21: Resistencia Hall RH dado por la ecuacin (3.113) para un punto cuntico de
Grafeno con cuatro contactos

En la gura 22 los colores clidos representan valores positivos de RL y los colores

fros los valores negativos de RL , as mismo se observa que RL tiene propiedades
simtricas respecto a E = 0 a diferencia de RH . La gura 23 es el diagrama de colores
de la densidad de estados del punto cuntico que muestra claramente la presencia de los
niveles de Landau y la concentracin de los estados de borde en los niveles de Landau.

46
Figura 22: Resistencia longitudinal RL dado por la ecuacin (3.114) para un punto
cuntico de Grafeno con cuatro contactos

Figura 23: Densidad de estados de punto cuntico de Grafeno con cuatro contactos

47
Captulo 4

Nanoribbons de grafeno

Los nanoribbons de grafeno son bandas (cintas) de grafeno con anchos muy
pequeos (< 50 nm) como muestra la gura 24. En estos sistemas la distribucin de
los tomos en los bordes del nanoribbons juegan un rol importante en la caraterizacin
de sus propiedades electrnicas. En el presente estudio clasicamos lor bordes de
los nanoribbons de grafeno en bordes zigzag, armchair y bearded (barbado) como se
muestra en la gura 25 [19, 27, 58, 59]. A continuacin describimos analticamente la
estructura electrnica y los estados electrnicos de nanoribbons de borde zigzag y
armchair utilizando la ecuacin de Dirac y el modelo de tight-binding, calculamos
la conductancia elctrica y analizamos el efecto del campo magntico sobre los
nanoribbons de diferentes bordes.

Figura 24: Nanoribbons de borde zigzag con ancho finito en el eje y.

48
 Figura 25: Red finita de grafeno que muestra los tipos de borde zigzag, armchair y
bearded utilizados en la descripcin de los nanoribbons.

Para obtener la estructura de bandas y eigen-funciones de los nanoribbons

reescribimos el hamiltoniano (2.33) en trminos del vector de onda k = (kx , ky ) al
rededor de los puntos K y K como

0 kx iky 0 0
k + ik 0 0 0
x y
H = ~vF . (4.1)

0 0 0 (kx + iky )
0 0 (kx iky ) 0

Las soluciones a la ecuacin de Dirac para el hamiltoniano (4.1) se expresan como

!
K (r)
(r) = (4.2)
K (r)

donde K y K son los espinores asociados a los puntos K y K , las funciones K y K

A B A B
tienen cada una dos componentes denotados por K , K y K , K respectivamente.
Los superindices A y B en las componentes de los espinores representan a las subredes
A y B del grafeno, de modo que la funcin de onda total de la nanocinta se expresa
como ! ! !
A (r) A
K (r) A
K (r)
(r) = B
= eiKr B
+ eiK r B
(4.3)
(r) K (r) K (r)

en el tratamiento siguiente consideramos que el ancho de la nanocinta se encuentra en

el eje y y su longitud considerada innita se encuentra a lo largo del eje x, de modo

49
que debido a la invariancia traslacional en el eje x las funciones de onda deben cumplir
la condicin de Bloch
(r) = eikx x (y). (4.4)

4.1. Estructura electrnica de nanoribbons de grafeno

zigzag

Analizamos la estructura electrnica del nanoribbons de borde zigzag de ancho

W = 3N


2
1 a, con N nmero de dmeros en la cadena unidad mostrado en la gura
24. Haciendo que iky y la ecuacin de Dirac para el hamiltoniano (4.1) se escribe
como
A A
0 kx y 0 0 K K
k + B B
x y 0 0 0 K

K

~vF A = A (4.5)

0 0 0 (kx + y ) K K
B B
0 0 (kx y ) 0 K K

A B
de (4.5) las ecuaciones para evaluar K y K en el punto K son
! ! !
A A
0 kx y K K
~vF B
= B
(4.6)
kx + y 0 K K

B A
(kx y )K = K
A B
(4.7)
(kx + y )K = K
con = /~vF , desacoplando las ecuaciones

A 1 B
K = (kx y )K (4.8)

1 B B
(kx + y ) (kx y )K = K

(kx y2 )K
2 B
= 2 K
B

y2 K
B
+ (2 kx2 )K
B
= 0, (4.9)
la solucin general de la ecuacin (4.9) es

B
K (y) = ey + ey (4.10)

50
 p B
con = kx2 2 que puede ser real o imaginario. Reemplazando K (y) en (4.7), se
obtiene que kA (y) es
A
K (y) = (kx )ey + (kx + )ey (4.11)

Debido a que el ancho del nanoribbon en el eje y es nita, asumimos que los bordes
estn dados por y = 0 y y = W , entonces las funciones de onda deben satisfacer

B (y = 0) = 0, A (y = W ) = 0 (4.12)

La condicin B (y = 0) = 0 se asume debido al hecho de la frontera y = 0 del

nanoribbon est constituida por tomos de la subred B y la condicin A (y = W ) = 0
debido a que la frontera y = W del nanoribbon es constituida por tomos de la subred
A. la aplicacin de estas condiciones de frontera a la Ec. (4.3) conduce a la expresin
! ! !
B (y = 0) B
K (y = 0) B
K (y = 0)
+ eiK x

0= = eiKx
A (y = W ) KA
(y = W ) KA
(y = W )

B
0 = eiKx K (y = 0) + eiK x K
B
(y = 0)

A
0 = eiKx K (y = W ) + eiK x K
A
(y = W )

condiciones que se verican si

B B A A
K (y = 0) = K (y = 0) = K (y = W ) = K (y = W ) = 0 (4.13)
B
haciendo que (4.10) verique K (y = 0) = 0 se tiene
B
K (y = 0) = 0 = e(0) + e(0)

=
A
luego usando K (y = W ) = 0 en (4.11) tenemos
A
K (y = W ) = 0 = (kx )eW + (kx + )eW

0 = (kx )eW (kx + )eW

quedando la ecuacin trascendental
kx
= e2W . (4.14)
kx +

La ecuacin (4.14) tiene soluciones reales para si kx > 1/W , soluciones que
corresponden a funciones de estado de borde (edge states) localizados en la frontera
del nanoribbon, con energas
p
= kx2 2 , (4.15)

51
el resultado (4.15) no puede ser predicho a partir de la estructura de bandas del grafeno.

En otro caso si kx < 1/W las soluciones de la Ec. (4.14) son puramente complejas
de la forma = ikn , entonces
kx ikn
= e2ikn W
kx + ikn
(kx ikn )eikn W = (kx + ikn )eikn W
kx (eikn W eikn W ) = ikn (eikn W + eikn W )
kx sin(kn W ) = kn cos(kn W )

quedando
kn
kx = (4.16)
tan(kn W )
las soluciones de (4.16) corresponden a estados connados en la nanocinta, que tienen
energas
p
= kx2 + kn2 (4.17)

4.1.1. Mtodo del tight-binding

La dispersin de energa de los nanoribbons dentro del modelo del tight-binding

describe de manera eciente su estructura de bandas. El hamiltoniano asociado a
los nanoribbons se escribe de manera equivalente al hamiltoniano (2.3) del grafeno,
utilizando como condicin de frontera que las funciones de onda en los bordes del
nanoribbons se anulan, como en la ecuacin (4.12). De acuerdo a la idea propuesta
por Lee y Joannopoulos [60, 61] para el clculo de funciones de Green de conductores
semi-innitos, consideramos que el nanoribbons se encuentra formada por cadenas
verticales nitas, siendo la cadena unidad del nanoribbons zigzag representada dentro
del rectangulo rojo en la gura 24, cada cadena unidad se repite peridicamente a lo
largo del eje del nanoribbons (eje x) e interacta con las cadenas laterales y vecinas a la
izquierda y derecha, de modo que el hamiltoniano del nanoribbons N -zgnr es expresado
por la matriz de dimensin 2N 2N siguiente

52

0 2t cos(kx a) 0 0 0 0 ...
2t cos(kx a) 0 t 0 0 0 . . .



0 t 0 2t cos(kx a) 0 0 . . .
H=
0 0 2t cos(kx a) 0 t 0 . . .


0 0 0 t 0 2t cos(kx a) . . .

0 0 0 0 2t cos(kx a) 0 . . .
.. .. .. .. .. .. ..
. . . . . . .
(4.18)

La estructura de bandas del nanoribbons zigzag calculadas diagonalizando el

hamiltoniano (4.18) se ilustra en la gura 26 para seis diferentes anchos del nanoribbons.
Los resultados muestran que la cantidad de estados permitidos para cada energa
depende directamente del ancho de los nanoribbons. Otro aspecto importante que
se observa en los nanoribbons de borde zigzag es su comportamiento metlico
independientemente del ancho del nanoribbons [35, 62, 63].

53
Figura 26: Espectro de energa de nanoribbons de diferentes anchos (a) 7-zgnr, (b) 8-zgnr,
(c) 9-zgnr, (d) 10-zgnr, (e) 30-zgnr y (f) 100-zgnr

4.2. Estructura electrnica de nanoribbons Armchair

Analizamos nanoribbons armchair de ancho W = (N 1) 23 a, donde N es
el nmero de dmeros en la cadena unidad mostrado en la gura 27, as mismo
consideramos que los bordes del nanoribbons son dados por y = 0 y y = W , en
estas fronteras de acuerdo a rotacin en /2 de la gura 3 tendremos tomos de las
subredes A y B simultneamente.

54
 Figura 27: Nanoribbons de borde armchair con ancho en la direccin del eje y.

La deduccin del hamiltoniano de Dirac (4.1) se hizo considerando que el borde del
nanoribbon era la direccin zigzag, entonces para el estudio de nanoribbons armchair
introducimos una rotacin de /2 en el vector de onda, es decir hacemos kx ky y
ky kx , luego si consideramos que ky iy entonces el hamiltoniano (4.1) se escribe
como:

A A
0 iy + ikx 0 0 K K
B
B
i ik 0 0 0 K

y x
~vF A = KA (4.19)
0 0 0 iy ikx K K
B B
0 0 iy + ikx 0 K K
A B
de (4.19) las ecuaciones para obtener K y K en el punto K son
B A
i(y + kx )K = K
A B
(4.20)
i(y kx )K = K

desacoplando las ecuaciones

(y2 + kx2 )K = 2 K (4.21)

A B
con = A, B. Las soluciones para K y K son

A
K (y) = Aein y + Bein y , (4.22)
B
K (y) = Cein x + Dein y (4.23)

como en los bordes del nanoribbon existen tomos del tipo A y B, las funciones A
K y
B
K denidas por (4.3) deben cumplir las condiciones

A (y = 0) = B (y = 0) = 0 (4.24)
A (y = W ) = B (y = W ) = 0 (4.25)

55
entonces tenemos

0 = ein x K
A
(y = 0) + ein x K
A
(y = 0) (4.26)
0 = ein x K
B
(y = 0) + ein x K
B
(y = 0) (4.27)
0 = eiKW ein x K
A
(y = W ) + eiKW ein x K
A
(y = W ) (4.28)
0 = eiKW ein x K
B
(y = W ) + eiKW ein x K
B
(y = W ) (4.29)

estas condiciones se verican si

K (y = 0) + K (y = 0) = 0 (4.30)
iKW iKW
e K (y = W) + e K (y = W) = 0 (4.31)

Reemplazando (4.22) y (4.23) en estas condiciones tenemos

A+B+C +D =0 (4.32)
Aei(n +K)W + Bei(n K)W + Cei(n K)W + Dei(n +K)W = 0 (4.33)

escogiendo B = C = 0, se tiene A = D y

A ei(n +K)W ei(n +K)W = 0

sin[(n + K)W ] = 0
(n + K)W = n
n n 4
n = K = (4.34)
W W 3 3a
A
Reemplazando K = Aein y en la Ec. (4.21), se encuentra

A
y K = in Aeiy , y2 K
A
= (in )2 Aeiy = n2 K
A

(n2 ) + kx2 K

A
= 2 K
A

n2 + kx2 = 2
p
= n2 + qx2 (4.35)
dado que todas las soluciones de n conducen a soluciones oscilatorias, se concluye que
no existen estados de borde localizados.

56
4.2.1. Mtodo del tight-binding

Describimos la dispersin de energa de nanoribbons de borde armchair usando el

hamiltoniano tight-binding (2.3) dado para el grafeno, utilizando de acuerdo a la gura
27 las condiciones de frontera dadas en la ecuacin (4.24) y (4.25) que establecen que
las funciones de onda de las subredes A y B en los bordes del nanoribbons se anulan
simultneamente. As mismo consideramos que cada cadena unidad representada por el
rectangulo rojo en la gura 27 se repite peridicamente a lo largo del eje del nanoribbons
(eje x), cada cadena unidad interacta con las cadenas laterales y vecinas a la izquierda
y derecha de modo que el hamiltoniano del nanoribbons N -agnr es representado por
una matriz de dimensin 2N 2N expresada como:

0 t 0 0 teikx a 0 0 ...
teikx a


t 0 t 0 0 0 . . .
ikx a

0 t 0 t 0 0 te . . .
0 0 t 0 0 0 0 . . .


H=
teikx a
(4.36)
0 0 0 0 t 0 . . .
0 teikx a 0 0 t 0 t . . .

teikx a

0 0 0 0 t 0 . . .
.. .. .. .. .. .. .. ..

. . . . . . . .

Los resultados de la estructura de bandas obtenidas por diagonalizar el hamiltoniano

(4.36) se presentan en las guras 28 y 29 para diferentes anchos del nanoribbons. La
gura 28 corresponde a nanoribbons N -agnr, donde el nmero entero N que representa
el nmero de dmeros que constituyen la cadena unidad del nanoribbons verica que
N +1
M= es un nmero entero. (4.37)
3
Los resultados muestran que los nanoribbons N -agnr donde N verica la condicin
(4.37) tienen comportamiento semimetlico con gap de energa cero, debido a que en
las proximidades de E = 0 tenemos al menos un estado permitido, sin importar el
ancho del nanoribbons.

Para los nanoribbons arnchair N -agnr, en el cual el nmero de dmeros N no cumple

con la condicin (4.37) la estructura de bandas se muestra en la gura 29, resultados
en los cuales se observa que existe un gap de energa E 6= 0 sin importar el ancho de
los nanoribbons, por tanto dichos nanoribbons tienen comportamiento semiconductor.

57
 Figura 28: Espectro de energa de nanoribbons armchair cuyo ancho es formado por
diferente cantidad de tomos (a) 8-agnr, (b) 11-agnr, (c) 14-agnr, (d) 17-agnr, (e) 20-agnr y
(f) 98-agnr.

58
 Figura 29: Espectro de energa de nanoribbons armchair cuyo ancho es formado por
diferente cantidad de tomos (a) 9-agnr, (b) 10-agnr, (c) 12-agnr, (d) 13-agnr, (e) 18-agnr y
(f) 100-agnr.

4.3. Nanoribbons barbados (bearded)

Para los nanoribbons de borde bearded mostrado en la gura 25 en y = 0 y

y = W , donde W = (3N 1)a/2, donde N es el nmero de dmeros que consituyen
la cadena unidad, encontramos que el hamiltoniano tight-binding se expresa por una
matriz 2N 2N obtenida de manera similar a la ecuacin (4.18) como:

59

0 t 0 0 0 0 ...
t 0 2t cos(kx a) 0 0 0 . . .


0 2t cos(kx a) 0 t 0 0 . . .

0 0 t 0 2t cos(kx a) 0 . . .
H= (4.38)

0 0 0 2t cos(kx a) 0 t . . .

0 0 0 0 t 0 . . .

.. .. .. .. .. .. ..
. . . . . . .

Figura 30: Espectro de energa de nanoribbons de borde zigzag-bearded con diferente

nmero de tomos por celda unidad (a) 8-bearded, (b) 9-bearded, (c) 10-bearded, (d)
11-bearded, (e) 30-bearded y (f) 100-bearded

60
 La estructura de bandas de nanoribbons de borde beardeb obtenidos al diagonalizar
el hamiltoniano (4.38) se presenta en la gura 30 para diferentes anchos del
nanoribbons, los resultados muestran que el espectro de energa es equivalente a los
nanoribbons de borde zizag, pero dieren su comportamiento para energas prximas
a E = 0.

4.4. Nanoribbons zizag-bearded

Calculamos el espectro de energa correspondiente a nanoribbons con borde zigzag

en y = W , y borde barbado (bearded) en y = 0, representamos por N -zgbearded, de
modo que el nmero de tomos que constituyen el ancho W = 3N a/2 del nanoribbons
es 2N + 1.

La gura 31 representa el espectro de energa para nanoribbons N -zgbearded,

de diferentes anchos, obtenidas al diagonalizar el hamiltoniano (4.18) de dimensin
(2N + 1) (2N + 1). Los resultados encontrandos muestran que estos nanoribbons
presentan un gap de energa E 6= 0 al rededor de E = 0 para cualquier ancho, es decir,
los nanoribbons de borde mixto zigzag-bearded tienen comportamiento semiconductor.

61
 Figura 31: Espectro de energa de nanoribbons de borde zigzag-bearded con diferente
nmero de tomos por celda unidad (a) 7-zgbearded, (b) 8-zgbearded, (c) 9-zgbearded, (d)
10-zgbearded, (e) 30-zgbearded y (f) 100-zgbearded

4.5. Conductancia elctrica

De acuerdo a los espectros de energa observados en las guras 26, 28, 29, 30
y 31 los nanoribbons de grafeno presentan cuantizacin de estados permitidos [64],
esta cuantizacin trasladada a la conductancia elctrica produce la cuantizacin de
la conductancia elctrica que depende directamente del ancho del nanoribbons. Para
el clculo de la conductancia elctrica utilizamos la formula de Landauer (3.1) y las
funciones de Green fuera de equilibrio [65]. A continuacin presentamos resultados de
conductancia elctrica que arman la naturaleza conductora o semiconductora de los

62
nanoribbons predicha por el espectro de energa.

En la gura 32 mostramos los resultados obtenidos para la conductancia elctrica,

la densidad de estados y el espectro de energa de nanoribbons con borde zigzag, siendo
la gura 32-(a) correspondiente a un nanoribbons 8-zgnr de ancho W = 11a, donde
para energas 0.48t < E < 0.48t tenemos T (E) = 1, lo cual implica que para este
rango de energa existe un solo canal n de transmisin permitido, esto se corrobora
con el hecho de que para este rango de energa en el espectro de energa existe un
solo valor de k permitido, en cambio para el rango de energa 0.48t < E < 0.76t
tenemos T (E) = 3, que indica que, en este rango de energa energa existen tres
canales n permitidos correspondientes a tres valores de k permitidos. El valor mximo
del coeciente de transmisin para el nanoribbons 8-zgnr es T (E) = 8, que ocurre
en los rangos de energa 1.0t < E < 1.1t y 1.1t < E < 1.0t, asmismo en las
energas E = 0.48t, 0.76t, 0.93t, . . . , 2.62t, 2.83t, 2.95t se observa una alta
concentracin de estados permitidos, que generan discontinuidades en la densidad de
estados conocidos como discontinuidades de Van-Hove, y permiten el salto de T (E) en
nmeros enteros entre 0 y 8, ocurriendo el valor 0 para |E| > 2.95t. As mismo en la
gura 32-(b) para el nanoribbons 12-zgnr de ancho W = 17a en el rango de energa
0.34t < E < 0.34t tenemos T (E) = 1, es decir un canal de transmisin, los valores
permitidos para T (E) en este caso van de 0 a 12, ocurriendo el valor 0 para |E| > 2.98t
y el valor mximo 12 en los rangos de energa 1.05t < E < 1.00t y 1.00t < E < 1.05t.
La naturaleza conductora de los nanoribbons con borde zigzag se debe al hecho de que
para valores de energa prximas a E = 0 independiente del ancho del nanoribbons
tenemos T (E) = 1, es decir T (E) es diferente de cero.

63
 Figura 32: Conductancia, DOS y bandas de energa para (a) 8-zgnr y (b) 12-zgnr.

Los coecientes de transmisin obtenidas usando la fmula de Landauer, la densidad

de estados y el espectro de energa de un nanoribbons de borde armchair 11-agnr

de ancho W = 10 3a se presentan en la gura 33, donde observamos que para
energas 0.41t < E < 0.41t existe un solo canal n permitido, ello debido a que
T (E) = 1 y que en el espectro de energa k tiene un solo valor permitido. Para
el rango de energa 0.41t < E < 0.48t existen dos canales n permitidos, debido
a que T (E) = 2 y k tiene en este rango de energas dos valores perimitidos, el
valor mximo del coeciente de transmisin es T (E) = 5 que ocurre en el rango
de energas 1.52t < E < 0.93t y 0.93t < E < 1.52t. Las discontinuidades de
van-Hove que permiten el salto de T (E) en nmeros enteros se presentan en las energas
E = 0.41t; 0.48t; 0.72t; 0.93; 1.00t; . . . ; 2.93t. En la gura 33-b mostramos
el coeciente de transmisin, DOS y el espectro de energa correspondiente a un
nanoribbons 14-agnr, que presenta propiedades similares al nanoribbons 11-agnr, con

64
la diferencia que los valores permitidos de T (E) varan de 0 a 7.

Figura 33: Conductancia, DOS y bandas de energa para (a) 11-agnr y (b) 14-agnr.

Los resultados del coeciente de transmisin y densidad de estados mostrados en

la gura 33 verican la naturaleza semimetlica de los nanoribbons armchair, cuyos
anchos verican la condicin (4.37) debido a que en las proximidades de E = 0 el
coeciente de transmisin es diferente de cero, es decir T (E) = 1 independientemente
del ancho del nanoribbons.

El coeciente de transmisin, DOS y el espectro de energa de un nanoribbons de

borde armchair 12-agnr de ancho W = 11 3a/2 se presentan el la gura 34-a, donde
observamos que en el rango de energas 0.13t < E < 0.13t tenemos T (E) = 0, en el
rango de energas 0.13t < E < 0.30t tenemos T (E) = 1, asmismo los valores de T (E)

65
son enteros que varan de 0 a 6. La gura 34-b muestra el coeciente de transmisin,
DOS y el espectro de energa de un nanoribbons 15-agnr, donde T (E) vara de 0 a 7.

Figura 34: Conductancia, DOS y bandas de energa para (a) 12-agnr y (b) 15-agnr.

El ancho de los nanoribbons armchair utilizados en la gura 34 no cumplen con

la condicin 4.37, estos nanoribbons tienen comportamiento semiconductor, debido a
que T (E) = 0 en las proximidades de E = 0, es decir existe un pequeo gap de
energa E 6= 0. entre la banda de conduccin y valencia. El gap de energa E tiene
una dependencia inversa con el ancho del nanoribbons, es decir a mayor ancho del
nanoribbons el gap de energa disminuye.

Para los nanoribbons barbados 8-bearded de ancho W = 23 2

a los resultados del
coeciente de transmisin, DOS y el espectro de energa se muestran en la gura 35-a,

66
observandose que en el rango de energas 0.54t < E < 0.54t tenemos T (E) = 1, en el
rango de energas 0.54t < E < 0.82t tenemos T (E) = 3, as mismo los valores de T (E)
varan de 0 a 7, ocurriendo el valor mximo en el rango de energas 0.98t < E < 1.18t.

Figura 35: Conductancia, DOS y bandas de energa para (a) 8-bearded y (b) 12-bearded.

Los resultados del coeciente de transmisin, la DOS y el espectro de energa

calculados para el nanoribbon de borde mixto zigzag-bearded 8-zgbearded de ancho
W = 12a se presentan en la gura 36-a, donde se observa que en el rago de energa
0.38t < E < 0.38t tenemos T (E) = 0, existiendo por tanto un gap de energa
E = 0.76t entre la banda de conducin y valencia. En la gura 36-b para el
nanoribbons 12-zgbearded encotramos que en el rango de energa 0.28t < E < 028t
tenemos T (E) = 0, as mismo se encuentra que T (E) vara entre 0 y 10, siendo el gap de
energa entre banda de conduccin y valencia E = 0.56. Estos resultados corroboran

67
el hecho de que estos nanoribbons tienen comportamiento semiconductor, donde el gap
de energa tiene una relacin inversa con el ancho del nanoribbons.

Figura 36: Conductancia, DOS y bandas de energa para (a) 8-zgbearded y (b)
12-zgbearded.

4.6. Nanoribbons en campo magntico

En esta seccin describimos el espectro de energa de nanoribons de grafeno de

diferentes bordes bajo el efecto de un campo magntico uniforme B perpendiccular al
plano del nanoribbons, cuyo efecto es introducido en la integral de Hopping tij por
medio de la sustitucin de Pierls [26]

tij tij ei2ij , (4.39)

68
donde ij es el ujo magntico por unidad de ujo cuntico 0 = h/e dado por
j
e
Z
ij = dl A. (4.40)
h i

Para un nanoribbons de borde zigzag N -zgnr la sustitucin de Pierls (4.39) produce

en los elementos de matriz 2t cos(kx a) de la ecuacin (4.18) un cambio de fase de 2m
com m nmeros enteros que van de 1 a N , es decir

2t cos(kx a) 2t cos(kx a + 2m), (4.41)

donde
B0 Shex
= = ,
0 0

siendo Shex = 3 2 3 a2 es el rea de la celda unitaria de cada sub red del grafeno y B0 la
intensidad del campo magntico aplicado.

El espectro de energa de un nanoribbon 20-zgnr bajo la accin del campo magntico

uniforme se muestra en la gura 37 para diferentes valores de = /0 (a) = 0.0, (b)
= 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10,
(h) = 1/4 y (i) = 1/2, encontrndose que para pequeos campos magnticos
( = 1/500) el espectro de energa sufre ligeras variaciones respectro al espectro de
energa para = 0, debido a que el movimiento ciclotrnico del electrn es interrumpido
por el borde del nanoribbons, a medida que se incrementa la intensidad del campo
magntico el movimiento ciclotrnico se encuentra mas denida, para = 1/50 el
radio ciclotrnico es comprarable con el ancho del nanoribbons. En cambio si el campo
magntico es extremadamente alto = 1/4 la estructura de bandas muestra que los
niveles de Landau constituyen sub bandas de Landau.

69
 Figura 37: Estructura de bandas de energa de un nanoribbons 20-zgnr (a) = 0.0, (b)
= 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10, (h)
= 1/4 y (i) = 1/2

Para los nanoribbons de borde armchair 20-agnr y 22-agnr, los espectros de

energa para diferentes valores de campo magntico se presentan en las guras 38
y 39 respectivamente, donde similarmente a los nanoribbons 20-zgnr se observa que
para pegueos campos magnticos = 1/500 los espectros de energa son casi
invariantes respecto al espectro sin campo magntico = 0, resultado por tanto que
los movimientos ciclotrnicos de las cargas elctricas son interrumpidas por los bordes
del nanoribbons, por tanto los niveles de Landau no se encuentran bien denidas,
para campos magnticos muy altos encontramos tambien que los niveles de Landau se

70
convierten en subandas de Landau.

Figura 38: Estructura de bandas de energa de un nanoribbons 20-agnr (a) = 0.0, (b)
= 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10, (h)
= 1/4 y (i) = 1/2

71
 Figura 39: Estructura de bandas de energa de un nanoribbons 22-agnr (a) = 0.0, (b)
= 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10, (h)
= 1/4 y (i) = 1/2

Cuando el campo magntico uniforme acta sobre nanoribbons de borde bearded y

bordes mixtos zigzag-bearded los espectros de energa para diferentes intensidades del
campo magntico se presentan en las guras 40 y 41 respectivamente. Los resultados
muestran nuevamente que para pequeos campos magnticos los movimientos
ciclotrnicos de las cargas elctricas se encuentran interrumpidas por los bordes de
los nanoribbons, y para campos magnticos extremadamente altos = 1/4 los Niveles
de Landau constituyen subbandas de Landau.

72
 Figura 40: Estructura de bandas de energa de un nanoribbons 20-bearded (a) = 0.0,
(b) = 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10, (h)
= 1/4 y (i) = 1/2

73
Figura 41: Estructura de bandas de energa de un nanoribbons 20-zgbearded (a) = 0.0,
(b) = 1/500, (c) = 1/250, (d) = 1/100, (e) = 1/50, (f) = 1/20, (g) = 1/10, (h)
= 1/4 y (i) = 1/2

74
Captulo 5

Nanoporos

Los nanoporos son agujeros de tamao nanomtrico en materiales biolgicos o

de estado slido que permiten transportar a travs de l iones y molculas, son
dispositivos que han generado recientemente intensa actividad de investigacin terica
y experimental en la comunidad cientca. Los nanoporos se presentan en la actualidad
como dispositivos muy prometedores para la exploracin del genoma, en particular en
la secuenciacin del ADN [66, 67]. Se encuentra tambin que el principal inconveniente
para utilizar nanoporos tanto en estado slido o biolgicos es la longitud (largo) es
10 a 100 veces mayor que la distancia entre dos bases de una molcula de ADN (ver
gura 42-a,b,c), esto hace que la lectura de los cambios de corriente elctrica detectados
por el nanoporo correspondan a un conjunto de molculas de ADN y no as a una sola
molcula, esta dicultad se salva si se utilizan nanoporos bidimensionales ultra delgados
como es el caso de nanoporos de grafeno (ver gura 42-d), que debido a su espesor
de n tomo permiten observar cambios caractersticos en la conductancia elctrica
producidos por el paso de una sola molcula a travs del nanoporo. Para obtener los
nanoporos de grafeno se colocan hojas de grafeno en agujeros de nitruro de silicio y se
perfora el agujero de tamao nanomtrico en el grafeno utilizando un haz de electrones
de un microscopio elctrnico de transmisin [68]. Otra de las caractersticas que hacen
interesante a los nanoporos de grafeno es que son materiales altamente conductores

En los ltimos aos los nanoporos se han presentado como herramientas poderosas
para el anlisis de molculas individuales, ellos han sido utilizados para caracterizar
rpida y ecientemente biopolmeros de ADN usando nanoporos de estado slido
[69, 70], se examinaron tambin el efecto local de protenas a lo largo de la longitud

75
del ADN, usando el hecho de que el transporte de corriente a travs el ADN, as
como del ADN con protenas a lo largo de su longitud son distintas [71]. Estos y
otros resultados experimentales son un paso crucial para la exploracin del genoma, y
permiten visualizar la viabilidad de la lectura de la informacin a lo largo del ADN a
alta resolucin con un nanoporo de estado slido es posible.

Figura 42: Nanoporos para la secuenciacin del ADN. (a) el ADN se inserta en un
nanoporo, con control de velocidad proporcionado por una ADN polimerasa 29 (marrn).
Un nanoporo -hemolisina (gris) est incrustado en una bicapa de lpidos. El sustrato de
ADN (columna vertebral rojo) se inserta en el poro por un campo elctrico aplicado. Su
movimiento dentro o fuera del poro (flechas) puede ser controlado por el campo elctrico
aplicado y la actividad de la polimerasa. (b) Estructura de un nanoporo -hemolisina
insertado en una bicapa lipdica. (c) Estructura de un nanoporo MspA insertado en una
bicapa lipdica. (d) Un nanoporo grafeno dibujado en la misma escala que la -hemolisina y
poros proteicos MspA [72].

En la actualidad encontramos tambin intensa actividad cientca en el trasporte

electrnico de sistemas moleculares principalmente en el caso del ADN, por su
importancia mdica y la posibilidad de construir nuevos dispositivos que utilicen
sistemas hbridos de ADN con materiales de estado slido, debido a que los
resultados encontrados muestran que las molculas de ADN tienen caractersticas

76
semiconductoras, que depende del segmento de ADN y en particular de la secuencia
de las molculas de ADN [7376]. Estos resultados permiten tambin entender que la
utilizacin de nanoporos de grafeno es perfectamente posible para la lectura directa de
diversos tipos de molculas por ser el grafeno un material conductor por excelencia [77].
Los cambios que generan cada tipo de las secuencia nitrogenada de ADN, conocidos
tambin como nucletidos, que son la adenina, guanina, citosina y timina producen
al pasar por los nanoporos un cambio caracterstico en la conductancia elctrica del
nanoporo, cualidad que permitir en el futuro realizar una lectura rpida y ecaz de
secuencias completas del ADN.

Nuestra idea en el presente captulo es analizar numricamente dentro del modelo

del tight-binding y el rgimen de transporte balstico los cambios que producen diversos
tipos de molculas en los perles de conductancia elctrica de nanoporos construidos
en redes cuadradas y el grafeno, la descripcin del transporte electrnico se realiza
usando la Formula de Landauer y las funciones de Green descritas en el captulo 3.
Los resultados se muestran en trminos de la variacin del coeciente de transmisin,
debido a que los cambios producidos en los perles del coeciente de transmisin por
la presencia de las molculas son muy pequeas.

5.1. Nanoporos en red cuadrada

El transporte de carga a travs de nanodispositivos adheridos a dos electrodos

metlicos semi-innitos se describe en la seccin 3.1, donde la Frmula de Landauer
establece que la conductancia elctrica se encuentra cuantizada en mltiplos de la
unidad cuntica de la conductancia G0 = e2 /h.

En los ltimos aos, el transporte de carga a travs de sistemas moleculares

ha despertado el inters de diferentes grupos de investigacin. Y obviamente las
molculas que despiertan mayor inters son los cuatro monmeros o nucletidos del
cido desoxirribonucleico, ADN, que consisten de dos partes, la primera es un azcar,
desoxirribosa, con un grupo fosfato adherido, mientras que la segunda es una base que
puede ser la adenina (A), guanina (G), citosina (C) o timina (T) [78]. El esqueleto
del ADN est formado por dos cadenas que forman los azcares unidos a travs de los
grupos fosfatos y las bases se colocan perpendiculares a las cadenas de modo que unen
a las mismas pero sin repetir la base en el mismo lugar de las dos cadenas, las bases se
unen como CG y AT, o GC y TA a travs de dos pares ligados de hidrgeno [78].

77
 Se han reportado estudios tericos sobre el transporte de carga a travs de algunas
secuencias de ADN [73, 74] que pueden ser considerados desde el punto de vista de la
fsica como nanohilos conectados a electrodos que en algunos estudios son nanoribbons
de grafeno [75]. Los resultados sustentan que esas secuencias de ADN tienen un
comportamiento semiconductor y muestran que la relacin corriente-voltage de los
segmentos depende de la longitud del nanohilo y en particular de la secuencia de los
nucletidos [75, 76].

Por otro lado, se ha sugerido que cuando un sistema conductor no son molculas
sino una red cristalina bidimensional como el grafeno con un nanoporo conectado a dos
contactos mtalicos semi-innitos debe presentar una conductancia que podra sensar
molculas que atraviesen el nanoporo de modo que la conductancia dependiese del tipo
de molcula y la orientacin de la misma al atravezar el nanoporo. De esa forma se
podra identicar los nucletidos del ADN sensando las bases que presentaran una
sea particular y caracterstica en la conductancia para cada base [77].

En la presente seccin, hacemos un estudio bastante bsico y fundamental de un

nanoporo en un conductor rectangular adherido a dos contactos metlicos semi-innitos
donde el conductor y los contactos son emulados por una red cuadrada en la
aproximacin tight-binding a primeros vecinos. Sobre el nanoporo colocamos molculas
con orientaciones en el eje x e y y consideramos que las molculas estn dbilmente
acoplados al conductor.

5.1.1. Modelo

Un conductor adherido a dos contactos metlicos semi-innitos con potenciales

qumicos determinados es un sistema abierto. Esto signica que los portadores de
carga que proceden de izquierda a derecha con una energa igual al potencial qumico
del contacto izquierdo son esparcidos por las interfaces contacto izquierdo-conductor y
conductor-contacto derecho, de modo que al alcanzar el contacto derecho, los portadores
de carga no regresan hacia el contacto izquierdo. De la misma forma, los portadores de
carga que proceden de derecha a izquierda -con una energa igual al potencial qumico
del contacto derecho-, sufren esparcimiento en las interfaces mencionadas y una vez
alcanzado el contacto izquierdo no retornan ms hacia el contacto derecho.

Considerando el punto de vista reduccionista, los contactos y el conductor pueden

78
ser emulados por redes rectangulares semi-innitas de stios atmicos en el primer
caso y por una red rectangular nita de stios atmicos en el segundo. Esto es posible
porque, cuando un portador de carga se mueve en una dimensin el hamiltoniano
est conformado por la energa cintica y la energa potencial que sufre el portador.
Cuando se discretiza la energa cintica se genera una matrix tridiagonal y cuando se
hace lo mismo con la energa potencial se obtiene una matriz diagonal. Los elementos
no diagonales de la matriz de energa cintica est dado por

~2
t= (5.1)
2m a2
donde m es la masa efectiva de los portadores de carga, a es el parmetro de red
de la cadena lineal y ~ la constante de Planck dividido entre 2. Y los elementos
diagonales de la matriz estn dados por Uj + 2t, donde Uj es la energa potencial del
punto de discretizacin j y a t se le denomina el trmino de acoplamiento entre los
puntos que resultan de la discretizacin de un sistema unidimensional (1D) [46]. Esta
matriz producida por la discretizacin por diferencias nitas del hamiltoniano de un
ujo de portadores de carga a travs de un conductor unidimensional es equivalente
al hamiltoniano de una cadena unidimensional de sitios atmicos que se acoplan
considerando orbitales atmicos tipo s a primeros vecinos en la aproximacin de
ligaciones fuertes (tight-binding) con un parmetro de hopping t [46].

Figura 43: Representacin esquemtica de un nanoporo rectangular construdo en una red

rectangular finita conectado a dos electrodos semi-infinitos.

Por otro lado, para una red rectangular nita de stios atmicos con orbitales tipo
s y acoplamiento a primeros vecinos, el hamiltoniano en primera cuantizacin est
denido como

79
 X X  
H= Es + tx |i, jihi + 1, j| + |i + 1, jihi, j| +
i,j i,j
 
ty |i, jihi, j + 1| + |i, j + 1ihi, j| (5.2)

donde tx y ty son los parmetros de hopping a lo largo del eje x e y, respectivamente,

y los ndices i, j indican las posiciones discretas del los stios de la red dadas por
(xi , yj ) = (iax , jay ).

Un nanoporo es generado en la red rectangular nita considerando la energa de los

stios en esa regin un valor totalmente diferente y mayor que la energa de los stios
de los contactos izquierdo y derecho, L y R , respectivamente y de la red rectangular
L R , como muestra el diagrama esquemtico de la gura 43, donde el nanoporo
de longitud D y ancho W es construido dentro de la red nita de longitud X y ancho
Y , que est conectada a los electrodos izquierdo y derecho que se identican con los
potenciales qumicos L y R , respectivamente, el electrodo izquierdo constituye la
fuente de cargas elctricas y el electrodo derecho el sumidero. El anlisis del transporte
de portadores se estudia dentro de la formulacin de Landauer [79, 80] descrito en la
seccin 3.1, donde la conductancia elctrica G se expresa en funcin del coeciente de
transmisin T (E) como [45]
2e2
G(E) = T (E). (5.3)
h

En este contexto, tenemos el primer proceso en que denimos la conductancia del

sistema contacto izquierdo-conductor-contacto derecho; luego el segundo proceso en la
que obtenemos la conductancia del sistema con un nanoporo includo en el conductor
y el tercer proceso, que involucra la presencia de molculas en el centro del nanoporo
y calculamos la conductancia del sistema.

Para simular el efecto de las molculas -que se encuentran en el centro del nanoporo-,
sobre la conductancia del sistema construmos un algoritmo que incluye el hamiltoniano
de la molcula en el nanoporo considerando la interaccin entre tomos de la propia
molcula, as como la interaccin entre la molcula con los stios del borde que denen
el nanoporo dentro de la aproximacin tight-binding.

80
Funciones de Green

Para determinar los canales de transmisin en el dispositivo resolvemos la ecuacin

de autovalor del Hamiltoniano del sistema usando el mtodo de las funciones de
Green [46, 65]. Finalmente, la funcin de Green GD del conductor con el nanoporo
y las molculas en el centro del nanoporo tal como se muestra en la gura 43 se obtiene
como
h i1
GD = (E i)I HD L R (5.4)

donde I es la matriz identidad, HD el hamiltoniano del conductor que incluye al

nanoporo y a las molculas que se incluyen en el centro del mismo, i 0 es un
nmero imaginario pequeo que permite obtener las funciones de Green retrasadas
(-) y avanzadas (+); asimismo L,R son las auto-energas asociadas a los electrodos
izquierdo y derecho, respectivamente, y que contienen toda la informacin acerca de
los contactos semi-innitos.

Para determinar las auto-energas de los contactos semi-innitos usamos las ideas
propuestas por Lee y Joannopoulos [60, 61] quienes consideran que los conductores
semi-innitos estn formados por cadenas verticales nitas de stios, hl,r , que se acoplan
a las cadenas verticales laterales y vecinas a izquierda y a derecha mediante una
matriz diagonal, Vl,r , cuyos elementos incorporan las interacciones a primeros vecinos
entre cada stio de las cadenas verticales. Por tanto, las funciones de Green de los
contactos izquierdo y derecho estn dados por gl = Vl (1/hl )Vl y gr = Vr (1/hr )Vr ,
respectivamente.

Luego las auto-energas de los contactos se determinan mediante L,R = q siendo

q = HDq gq HDq , siendo HDq la matriz de acoplamiento entre el conductor y el contacto

q y HDq = HqD la matriz de acoplamiento del contacto q con el dispositivo. Para el
clculo de gL,R utilizamos el mtodo recursivo de convergencia rpida sugerida por
Sancho et al [50, 51].
h i
Finalmente, el coeciente de transmisin es T (E) = Tr L GD R GD donde L,R
son las funciones de acoplamiento de los contactos con el dispositivo y se determinan
mediante L,R = i(L,R L,R ).

A partir de la funcin de Green, GD , obtenemos tambin, la densidad de estados

81
(DOS) que proporciona la cantidad de estados disponibles en un intervalo de energa,
1 h h ii
(E) = Tr Im GD (E) . (5.5)

5.1.2. Resultados y discusin

En el presente trabajo simulamos el conductor como una red rectangular nita de

stios que poseen una periodicidad en las dos dimensiones de modo que los parmetros
de red son ax = ay considerando una interaccin a primeros vecinos con una energa
de acoplamiento tx = ty . Los contactos semi-innitos conectados a ambos lados del
conductor poseen la misma periodicidad espacial y la misma interaccin energtica a
primeros vecinos. Debido a las reducidas dimensiones del sistema, los coecientes de
transmisin a travs del conductor se cuantizan de forma tal como se observan en la
gura 44.

La gura 44(a) muestra la evolucin de la cuantizacin del coeciente de transmisin

con respecto a la energa y se puede apreciar que los valores del coeciente de tranmisin
evolucionan desde 0 hasta 20. El valor 0 corresponde para los coecientes de transmisin
cuando la energa, |E| > 4tx,y . Para estos valores de energa no existe transporte porque
la energa de los portadores de carga son superiores o inferiores al ancho de la banda del
sistema. Esto se corrobora observando las densidad de estados, DOS, cuyos resultados
se muestran en la gura 44(b), observndose que para |E| > 4tx,y no existe presencia
de estados permitidos que permitan el transporte de portadores de carga.

El coeciente de transmisin mximo de 20 ocurre cuando la energa de los

portadores alcanza el nivel del potencial qumico E = EF = 0. Asimismo, observamos
que los saltos en la cuantizacin del coeciente de transmisin ocurren en valores
de energa donde la DOS presenta las discontinuidades de Van-Hove. Los resultados
encontrados para el coeciente de transmisin y la DOS de la red nita son
equivalentes con los coecientes de transmisin y la DOS de una nanocinta formada
por una red cuadrada de ancho y = 20ax , debido esencialmente a las condiciones de
transporte balstico asumidas en el formalismo de Landauer, en la que los procesos
de esparcimiento (scattering) de los electrones en la red rectangular nita ocurren
nicamente en las interfaces entre la red nita y los electrodos, dependiendo la
cuantizacin del coeciente de transmisin solamente del ancho y.

Los efectos de la presencia de los nanoporos en el conductor rectangular en el

82
transporte elctronico se muestran en las guras 44(c), (e) y (g), donde se observan
que el coeciente de transmisin disminuye con respecto al coeciente de transmisin sin
poros Fig. 44(a), dicha disminucin se acenta a medida que el ancho W del nanoporo
aumenta. Tambin se observa que la cuantizacin en nmeros enteros de e2 /h del
coeciente de transmisin se va perdiendo, adems se observa que el coeciente de
transmisin es independientes de la longitud D del nanoporo, corroborando el aspecto
balstico del transporte.

Figura 44: Se muestran los coeficientes de transmisin (izquierda) y DOS (derecha) para una
red rectangular sin poros (a) y (b); para redes rectangulares con poros de D=9ax y W=3ay ,
(c) y (d); D=9ax y W=5ay , (e) y (f); y D=9ax y W=7ay , (g) y (h), respectivamente.

83
 Los resultados para las DOS que muestran las guras 44(d), (f) y (h) indican una
disminucin progresiva respecto a la DOS sin poros, gura 44(a), principalmente en
aquellos valores de energa donde la DOS presenta las discontinuidades de Van-Hove,
es decir, que el nmero de estados permitidos en el sistema disminuye por la presencia
del nanoporo y el aumento del tamao del nanoporo en la direccin y.

A continuacin escogemos un nanoporo cuadrado de dimensiones D=W=9ax , en el

centro del mismo simulamos la presencia de una molcula unidimensional orientadas
en la direccin x y luego otra molcula en la direccin y tal como se observa
esquemticamente en la Figura 45. Consideramos que las molculas presentan una
interaccin entre sus tomos en el esquema tight-binding con parmetro de hopping tm ,
P
de modo que el hamiltoniano molecular est dado por Hm = tm [|iihi + 1| + |i + 1ihi|],
siendo |ii los autoestados de energa asociados a los orbitales tipo s de los sitios de los
tomos. Asimismo la interaccin entre el nanoporo y la molcula se asume, tambin,
dentro del modelo tight-binding, de modo que un tomo de la molcula interacta con
el primer sitio ms prximo del nanoporo por medio del parmetro de hopping tmp
dado por
~2 ~2 tx,y
tmp = 2
= 2
= 2 (5.6)
2mb 2m(rx,y ax,y ) rx,y
siendo b = rx,y ax,y la distancia en la direccin paralela x y perpendicular y a la corriente
entre la molcula y el nanoporo.

Figura 45: Representacin esquemtica de un nanoporo cuadrado con D=W y una molcula
de cuatro tomos colineales orientados en direccin paralela (a) y en la direccin perpendicular
(b) al flujo de la corriente.

Los resultados para el coeciente de transmisin del sistema con un nanoporo de

dimensiones D=W=9ax en la cual se encuentra una molcula lineal de cuatro tomos
con acoplamiento tm = t se muestran en la gura 46, donde las curvas en negrita
representan los coeciente de transmisin del sistema con nanoporo y la presencia de la

84
molcula, mientras que las curvas azules corresponden a los coecientes de transmisin
del sistema con nanoporo sin la presencia de molculas. La gura 46(a) corresponde al
coeciente de transmisin asociado al nanoporo con una molcula orientada paralelo
al ujo de la corriente, Figura 45(a), donde la presencia de la molcula en el nanoporo
produce resonancias (ver en el inset de la Fig.46(a)) en el coeciente de transmisin
en cuatro valores de energa E/t = 0.62; 1.62, que corresponden al acoplamiento
entre los tomos que componen la molcula. En la gura 46(b) observamos que el
coeciente de transmisin para el sistema con nanoporo y con molcula orientada
perpendicularmente al ujo de corriente, Figura 45(b), los coecientes de transmisin
prximos al potencial qumico (T=0) o energa de Fermi presentan antiresonancias (ver
inset de la Fig.46(b)) mientras que para energas no muy prximas al nivel de Fermi,
las resonancias son muy bajas.

Figura 46: Se muestran los coefientes de transmisin en un conductor con un nanoporo

rectangular de dimensiones D=W=9ax , en la presencia de una molcula lineal con cuatro
tomos orientada paralela (a) y perpendicularmente (b) al flujo de corriente elctrica. En el
primer caso se presentan resonancias y en el segundo anti-resonancias (ver insets).

Debido a que las resonancias y antiresonancias que se observan en los coecientes

de transmisin son pequeas, en las guras siguientes representamos las variaciones del
coeciente de transmisin T que mide la diferencia del coeciente de transmisin del
sistema con nanoporo con la presencia de la molcula y del coeciente de transmisin del
sistema con nanoporo sin la molcula. Los resultados que se muestran en la Figura 47
corresponden a T (E) para el sistema con un nanoporo con molculas orientadas
paralelas a la corriente de portadores de carga, de modo que las molculas varan
en el nmero de sus componentes atmicos. Los resultados para una molcula con
tres tomos se muestran en la Fig. 47(a) presentando tres picos en E/t = 0.0; 1.43;

85
para una molcula compuesta con cuatro tomos, la Fig. 47(b), muestra los picos
correspondientes a cuatro energas E/t = 0.62; 1.62; para una molcula con 5 tomos,
la Fig. 47(c), presenta los picos en E/t = 0.0; 1.0; 1.73; y nalmente, para una
molcula compuesta por seis tomos, la Fig. 47(d), presenta los picos en los seis valores
de energas dados por E/t = 0.46; 1.25; 1.80. Estos resultados indican exactamente
la distribucin espectral de la energa de acoplamiento de un nmero dado de tomos
que conforman la molcula, asimismo observamos que la altura de los picos son mayores
a medida que el nmero de tomos de la molcula aumenta.

Figura 47: Variacin del coeficiente de transmisin, T , para un conductor con un nanoporo
de dimensiones D=W=9a y con la presencia de molculas lineales con varios tomos idnticos
(a) 3 tomos, (b) 4 tomos, (c) 5 tomos y (d) 6 tomos, paralelos a la corriente de portadores.

A diferencia de la gura 47 donde las molculas lineales son paralelas al ujo de la

corriente, en la gura 48 mostramos resultados correspondientes a molculas lineales
orientados en direccin perpendicular a la corriente de portadores, observandose que las
resonancias y antiresonancias ocurren en cada caso para los mismos valores de energa,
predominando en todos los casos las antiresonancias respecto a las resonancias.

86
Figura 48: Variacin del coeficiente de transmisin, T , para un conductor con un nanoporo
de dimensiones D=W=9a y con la presencia de molculas lineales con varios tomos idnticos
(a) 3 tomos, (b) 4 tomos, (c) 5 tomos y (d) 6 tomos, perpendiculares a la corriente de
portadores.

Con el n de emular el efecto en el nanoporo de molculas diferentes a las molculas

lineales consideramos molculas mostradas en la gura 49, que se encuentran en el
centro de un nanoporo rectangular de dimensiones D = W = 9ax y teniendo en cuenta
que cada sitio de la molcula interacta con su vecino prximo con el parmetro de
Hopping tm = t, los espectros correspondientes para T se muestran en la gura 50, en
las cuales los picos positivos indican valores de energa en las cuales la molcula produce
un incremento en el transporte electrnico a travs del nanoporo y los picos negativos,
indican que en dichos valores de energa produce un aumento en la resistividad elctrica,
que disminuye el transporte electronico.

Figura 49: Diferentes tipos de molculas que se consideran en el centro del nanoporo

87
 Figura 50: Variacin del coeficiente de transmisin T de nanoporo con D = W = 9a
bajo la presencia de molculas representadas en la figura 49 respectivamente.

Conclusiones

En un nanoporo rectangular construido en una red rectangular que emula al GaAs

el transporte de carga depende del ancho del nanoporo, armacin que se sustenta en
el hecho de que el coeciente de transmisin disminuye a medida que incrementa el
ancho del nanoporo.

Las molculas presentes en el centro del nanoporo rectangular producen picos en

el espectro de T que son caractersticos para cada tipo de molcula, dichos picos
dependen del tipo de tomo, y nmero de tomos que constituyen la molcula, as
mismo dependen de la forma en el cual se distribuyen los tomos en la molcula.
Estas caractersticas proporcionan la posibilidad de utilizar los nanoporos de carbono
como una tcnica espectroscpica para el anlisis de materiales, para tal n se
requiere construir una base de datos completa de cambios en la conductancia elctrica
(coeciente de transmisin) producida por diferentes molculas y desarrollar tecnicas
experimentales que permitan medir los pequeos cambios en el transporte de carga.

88
5.2. Nanoporos de grafeno

En esta seccin analizamos el transporte electrnico en nanoporos rectangulares

construidos en una red de grafeno considerando el efecto producido en el transporte
electrnico debido a la presencia de molculas con diferentes conguraciones en el centro
del nanoporo, el comportamiento de los electrones es descrito utilizando el mtodo los
enlaces fuertes (tight-binding), el transporte electrnico se realiza en rgimen balstico
por medio de la formula de Landauer, y las funciones de Green.

Como punto de partida para el estudio consideramos que el nanoporo de grafeno

es un nanodispositivo conectado a dos electrodos metlicos semi-innitos, que debido
a sus pequeas dimensiones tiene una conductancia elctrica cuantizada en mltiplos
de la unidad de conductancia cuntica G0 = e2 /h.

En los ltimos aos el transporte de carga a travs de nanodispositivos moleculares

ha despertado gran inters en diferentes grupos de investigacin. Particularmente las
molculas que despiertan mayor inters son los cuatro monmeros o nucletidos del
cido desoxirribonucleico, ADN, que consisten de dos partes, la primera es un azcar,
desoxirribosa, con un grupo fosfato adherido, mientras que la segunda es una base que
puede ser la adenina (A), guanina (G), citosina (C) o timina (T) [78]. El esqueleto
del ADN est formado por dos cadenas que forman los azcares unidos a travs de los
grupos fosfatos y las bases se colocan perpendiculares a las cadenas de modo que unen
a las mismas pero sin repetir la base en el mismo lugar de las dos cadenas, las bases se
unen como CG y AT, o GC y TA a travs de dos pares ligados de hidrgeno [78].
Como mencionamos al inici del captulo los nanoporos de grafeno surgen surgen
como una alternativa poderosa para el anlisis de molculas y el secuenciamiento del
ADN, esto es posible gracias a que el espesor del grafeno es de un tomo, propiedad
que permite leer pequeas variaciones que sufre la corriente del nanoporo cuando
una molcula pasa a travs de nanoporo, estas variaciones son caracteristicos del
tipo de molcula y sus tomos constituyentes. La secuenciacin del ADN usando
nanoporos ofrece grandes ventajas respectos a los mtodos bioqumicos por ser un
proceso de lectura de molculas rpida y directa, y no requiere complejos procesos
bioqumicos de crecimiento, clonado y reacciones qumicas necesarios en los procesos
bioqumicos. Varios grupos de investigadores an reportado muchas caractersticas del
transporte de carga de molculas de ADN, se conoce que cada nucletido adenina
(A), guanina (G), citosina (C) y timina (T) producen una relacin corriente - voltage
caracterstico [68, 72, 77, 81], los resultados muestran el trasporte de carga a lo largo

89
del esqueleto de segmentos de ADN y el transporte de carga en cada nucletido en
la direccin transversal al esqueleto del ADN. La nalidad de la secuenciacin del
ADN es la determinacin del orden de los nucletidos (A, C, G y T) que constituye
la informacin gentica heredable del ncleo celular en plantas y animales, por tanto
es til en el estudio de los procesos biolgicos fundamentales que permiten determinar
mutaciones, presencia de clulas cancergenas, etc. Las primeras pruebas experimentales
de translocacin de molculas de ADN fueron reportados en 1996 usando nanoporos
biolgicos [82].

La idea de utilizar nanoporos de grafeno en el proceso de anlisis de molculas

individuales y la secuenciacin del ADN es medir los perles de conductancia del
nanoporo y observar las pequeas variaciones que sufre el perl del conductancia
cuando una molcula o un nucletido de ADN se encuentra en el centro del nanoporo,
dichas variaciones del perl de conductancia son caractersticos del tipo del molcula y
permiten por tanto una lectura rpida y directa del tipo de molcula que se encuentra en
el centro del nanoporo. En la actualidad se viene trabajando fuertemente en el desarrollo
de tcnicas de medicin de corriente que sean sensibles a las pequeos cambios de
corriente originadas por las molculas y que permitan la produccin comercial del los
dispositivos de secuenciamiento de ADN.

En el presente estudio la interaccin de los electrones con los tomos del

nanodispositivos se describe dentro del modelo de enlaces fuertes (mtodo del
tight-binding) a primeros vecinos y el transporte de carga se analiza en el rgimen
balstico, caso en el que la dispersin de las cargas elctricas que ingresan al
nanodispositivo desde los electrodos se realiza solamente en las supercies de contacto
entre el nanodispositivo y los electrodos y en los bordes de los nanoporos.

5.2.1. El modelo

El diagrama esquemtico de un nanoporo rectangular de grafeno conectado a

electrodos ideales semi-innitos con potenciales qumicos L y R se muestra en la
gura 51, donde consideramos que el electrodo izquierdo de potencial qumico L es
la fuente de portadores de carga y el electrodo derecho con potencial qumico R es el
sumidero. El transporte electrnico se considera balstico, es decir que los portadores
de carga que proceden de los contactos hacia el nanoporo sufren dispersin solo en las
interfaces entre el nanoporo y los contactos y en el borde del nanoporo, de modo que

90
toda carga elctrica que procede del contacto izquierdo con energa igual a L y que
alcanza el contacto derecho no regresa hacia el contacto izquierdo, de la misma forma
toda carga elctrica que ingresa por el contacto derecho con energa R y alcanza al
contacto izquierdo no volver hacia el contacto derecho.

Figura 51: Representacin esquemtica del modelo de nanoporo rectangular en grafeno

conectado a dos electrodos semi-infinitos de borde zigzag

De acuerdo a la gura 51 el nanoporo rectangular de longitud D y ancho W es

construido en una red nita de grafeno de longitud X y ancho Y , y se encuentra
conectada a dos electrodos ideales a potenciales qumicos L y R . El anlisis del
transporte de carga se efecta dentro de la formulacin de Landauer [40,80,83,84] donde
la conductancia elctrica G se determina en funcin del coeciente de transmisin T (E)
como

2e2
G= T (EF ), (5.7)
h

Contexto en el cual nuestro primer paso es determinar la conductancia del sistema

formado por la red nita de dimensiones X Y de grafeno con dos contactos, el segundo
paso es obtener la conductancia del nanoporo de dimensiones D W construido en

91
la red nita de grafeno, y el tercer paso es calcular la conductancia considerando la
presencia de molculas de diferentes conguraciones en el centro del nanoporo.

La interaccin entre sitios atmicos en el nanoporo se consideran dentro de la

interaccin tight-binding, descrita en la seccin 2.1 en trminos de los estados cunticos
|A B
j i y |j i asociados a las sub redes triangulares A y B del grafeno como

X
H = t |A B
j ihi | + h.c., (5.8)
hi,ji

donde t = 2.8 eV es el parmetro de hopping y hi, ji indica que la suma se efecta

sobre los vecinos prximos.

Para simular el efecto de las molculas - que se encuentran en el centro del nanoporo
- construimos un algoritmo que incluye en el hamiltoniano del nanoporo al hamiltoniano
correspondiente a la molcula y la interaccin de la molcula con el nanoporo. La
interaccin entre los tomos de la propia molcula, as como la interaccin de la
molcula con el borde que dene al nanoporo se efecta dentro de la aproximacin
tight-binding.

El algoritmo que permite calcular la conductancia G del nanoporo utilizando la

ecuacin (5.7) calcula primero las funciones de Green gq de los contactos izquierdo
(q = L) y derecho (q = R), teniendo en cuenta que cada contacto se encuentra formada
por cadenas verticales peridicas, donde cada cadena interacta solo con las cadenas
paralelas y vecinas a izquierda y derecha, esta propiedad permite obtener gq utilizando
el mtodo de convergencia rpida [50, 51]. Segundo calcula las auto-energas q y las
matrices de acoplamiento q = i(q q ) de los contactos. Tercero calcula la funcin
de Green del sistema nanodispositivo y contactos usando las funciones de Green fuera
de equilibrio, que de acuerdo a la seccin 3.2.2 se expresa como:

G = [EI HD L R ]1 (5.9)
aqu I es la matriz identidad, HD el hamiltoniano del nanodispositivo en estudio y L ,
R son las autoenergas asociadas a los contactos izquierdo y derecho respectivamente.
Cuarto calcula el coeciente de transmisin del sistema completo como

T (E) = T r[L GD R GD ], (5.10)

92
y la densidad de estados, DOS, que proporciona la cantidad de estados disponibles por
cada energa permitida E como

1
(E) = T r[Im(G(E))]. (5.11)

5.2.2. Resultados y discusin

Simulamos primero una red nita de grafeno de longitud X = 20 3a y ancho
Y = 28a con dos contactos, considerando interaccin a primeros vecinos con parmetro
de acoplamiento de Hopping t = 2.8 eV. Los contactos semi-innitos se consideran
cintas de grafeno de ancho Y con el mismo parmetro de Hopping que la red nita.
Debido a las pequeas dimensiones de la red nita los coecientes de transmisin
encontrados se encuentran cuantizados en valores enteros que van de 0 hasta 18 como
se muestran en la gura 52(a), la densidad de estados correspondiente a este sistema
muestra que los saltos en el coeciente de transmisin ocurren en las discontinuidades
de Van-Hove como se observa en la gura 52(b). Los resultados del coeciente de
transmisin y la DOS son equivalentes al de un nanoribbons de borde zigzag 18-zgnr,
debido a las condiciones de transporte balstico [59, 65] asumidas en el formalismo de
Landauer, es decir el resultado de T (E) es independiente de la longitud X del sistema,
dependiendo la cuantizacin solamente del ancho Y . El nanoribbons tiene naturaleza
conductora debido a que en las proximidades de EF = 0 tenemos que T (E) 6= 1, es
decir no existe presencia de un gap de energa entre la banda de conduccin y valencia.

Con la nalidad de observar los cambios que sufre el coeciente de transmisin

de la red nita de grafeno de dimensiones X Y bajo la presencia de nanoporos,
las dimensiones del nanoporo se muestran en la gura 51, donde D es la longitud
del nanoporo y W es el ancho del nanoporo. Los efectos producidos por la presencia
de nanoporos rectangulares de diferentes dimensiones D W sobre el coeciente de
transmisin T (E) se muestran en las guras 52(c), (e) y (g), casos en las que se consider

D = 7 3a y distintos anchos W = 4a, W = 7a y W = 10a respectivamente. El
resultado muestra que el coeciente de transmisin del sistema con presencia de poros
es menor que el coeciente de transmisin sin presencia de poros, dada en la gura
52(a), esta disminucin se acenta a medida que el ancho W del poro aumenta, as
mismo debido a las caractersticas de transporte balstico los resultados son invariables
respecto a la longitud D del nanoporo, se observa tambien que la cuantizacin en

93
mltiplos enteros de la conductancia cuntica e2 /h se va perdiendo.

Figura 52: Coeficientes de transmisin (izquierda) y Densidad de estados (derecha) para

una red finita de grafeno con dos contactos y sin poros (a) y (b), para la red de grafeno con

poros (c) y (d) D = 7 3a y W = 4a (e) y (f) D = 7 3a y W = 7a (g) y (h) D = 7 3a y
W = 10a

Los resultados mostrados en las guras 52(d), (f), y (h) muestran que la DOS del
sistema con presencia de poros es menor que la DOS del sistema sin presencia de

94
poros, dada en la gura 52(a), la disminucin se acenta principalmente en aquellos
valores de energa donde sin la presencia de poros se presentaban las discontinuidades
de Van-Hove, esto se debe a medida que se incrementa el tamao del poro el nmero de
estados permitidos en el sistema disminuye. En los nanoporos rectangulares estudiados
la disminucin en la DOS del sistema con poros depende de la medida del ancho
W del nanoporo y es independiente de la longitud D del nanporo, ello debido a las
caractersticas de transporte balstico considerado.

Figura 53: Representacin esquemtica de un nanoporo rectangular de grafeno con una

molcula compuesta por cuatro tomos colineales

A continuacin dentro de nanoporo de longitud D = 7 3a y ancho W = 7a, cuyos
coecientes de transmisin y DOS son dados en la gura 44(c) y (d) respectivamente
emulamos la presencia de una molcula lineal orientada en la direccin del eje x,
esta molcula lineal es una red unidimensional nita como muestra la gura 53.
Consideramos que la interaccin entre sitios atmicos de la molcula es dada dentro
de la aproximacin tight-binding con el parmetro de Hopping tm , de modo que el
P
hamiltoniano molcular es dado por Hm = tm [|iihi + 1| + |i + 1ihi|] siendo |ii los
estados cunticos asociados a los orbitales tipo s de los sitios atmicos de la molcula.
Del mismo modo la interaccin entre el nanoporo y la molcula se asume tambien dentro
del modelo del tight-binding, de modo que que cada sitio de la molcula interacta con
el primer sito mas prximo del nanoporo por medio del parmetro de hopping tmp dado
por

~2 ~2 t
tmp = 2
= 2
= 2 , (5.12)
2mb 2m(rx,y ax,y ) rx,y

95
 siendo b = rx,y ax,y la distancia de cada sitio de la molcula en la direccin paralela
x y perpendicular y a la coriente elctrica, hacia el sitio atmico mas prximo del borde
que dene el nanoporo.

Los resultados obtenidos para el coeciente de transmisin del nanoporo con la

presencia de una molcula lineal de cuatro tomos ubicada en el centro del nanoporo
como se muestra en la gura 53 es representada en la gura 54, donde se considera
que cada sitio atmico de la molcula interacta con sus vecinos prximos de la propia
molcula con el parmetro de Hopping tm = 1.2t, las curvas de color negro representan
el coeciente de transmisin del sistema con nanoporo y la presencia de la molcula y
la curva en color azul es el coeciente de transmisin del sistema con nanoporo pero si
la presencia de la molcula. La presencia de la molcula dentro del nanoporo produce
resonancias y antiresonancias en el coeciente de transmisin, que ocurren en cuatro
valores de energa E = 2.05 eV ; 5.34 eV, estas resonancias y antiresonancias (ver
inset de la Fig. 54) corresponden al acoplamiento entre los sitios de la molcula.

Figura 54: Coeficiente de transmisin de nanoporo rectangular de grafeno bajo la

presencia de una molcula lineal de cuatro tomos de la figura 53.

Debido a que las resonancias y antiresonancias que se observan en los coecientes

de transmisin son pequeas en las guras siguientes representamos las variaciones del

96
coeciente de transmisin T en lugar del coeciente de transmisin T (E), T mide
la diferencia del coeciente de transmisin del sistema con nanoporo y el coeciente de
transmisin del sistema con nanoporo y la presencia de la molcula, de modo que las
resonancias se representan por picos negativos en T y las antiresonancias por picos
positivos en T . Para las guras siguientes consideramos un nanoporo de longitud

D = 7 3a y ancho W = 7a, cuyo coeciente de transmisin es representado en la
gura 52(e). Los resultados mostrados en la gura 55 representan T en funcin de
energa del sistema con nanoporo y la presencia en el centro del nanoporo de molculas
lineales compuesta por distinto nmero de tomos. Los tomos que constituyen a la
molcula se consideran idnticos e interactan entre s con un parmetro de Hopping
tm = t.

Figura 55: Variacin del coeficiente de transmisin T de nanoporos rectangulares de

grafeno bajo la presencia de molculas lineales formadas por diferente nmero de tomos
identicos (a) 3 tomos, (b) 4 tomos, (c) 5 tomos y (d) 6 tomos.

Los resultados obtenidos para T cuando la molcula en el centro del nanoporo es

compuesta por tres tomos colineales se muestran en la gura 55(a), donde se observan
tres picos para T en las energas E = 0; 3.9 eV; para una molcula lineal compuesta
por cuatro tomos idnticos, la gura 55(b) muestra cuatro picos en T en las energas
E = 1.8; 4.5 eV; si la molcula se compone de cinco tomos existen cinco picos en
T en las energas E = 0.0; 2.8; 4.8 eV como muestra la gura 55(c); y nalmente

97
si la molcula se compone de seis tomos T presenta seis picos, que ocurren en las
energias E = 0.98; 2.78; 4.0 eV mostrados en la gura 55(d). Estos resultados
indican que la distribucin espectral de la energa de acoplamiento de un nmero de
tomos que componen la molcula lineal generan exactamente el mismo nmero de
picos en el perl de T , asmismo la intensidad de los picos en T son mas intensos
para determinados valores de energa.

Figura 56: Variacin del coeficiente de transmisin T de nanoporo rectangular de grafeno

bajo la presencia de una molcula lineal de cuatro tomos de la figura 53 con distintos
parmetros de Hopping tm (a) tm = 0.6t, (b) tm = 0.8t, (c) tm = 1.2t y (d) tm = 1.4t.

Con la nalidad de emular el efecto de molculas formadas por cuatro tomos

colineales de diferentes tipos, calculamos los perles de T considerando que cada sitio
atmico de la molcula interacta entre s con parmetros de Hopping tm variable. Los
resultados se muestran en la gura 56, donde la gura 56(a) corresponde al parmetro
de Hopping entre sitios de la molcula dados por tm = 0.6t, resultando que los picos
en T ocurren en las energas E = 0.7; 1.8 eV; la gura 56(b) corresponde a una
molcula lineal con cuatro tomos que interactan entre s con el parmetro de Hopping
tm = 0.8t encontrndose que los picos en T ocurren en las energas E = 1.0; 2.7 eV;
si el parmetro de Hopping entre sitios de la molcula es tm = 1.2t los picos en T
ocurren en las energas E = 2.0; 5.4 eV como muestra la gura 56(c), nalmente la

98
gura 56(d) corresponde al caso cuando los tomos de la molcula lineal interactan
entre s con el parmetro de Hopping tm = 1.4t apareciendo los picos en T en las
energas E = 2.5; 6.4 eV. De acuerdo a estos resultados inferimos que el nanoporo
permite leer molculas con estructuras similares pero compuesta por tomos distintos,
dado que los picos que aparecen en T ocurren para valores de energa totalmente
diferentes.

Figura 57: Variacin del coeficiente de transmisin T de nanoporo rectangular de grafeno

con presencia de molculas de distintos tipos mostrados en la figura 49 respectivamente.

Por otro lado con el n de emular el efecto producido en el trasporte de carga

del nanoporo debido a la presencia de molculas diferentes a las molculas lineales

consideramos en el nanoporo de longitud D = 7 3a y ancho W = 7a molculas
de las conguraciones mostradas en la gura 49, teniendo en cuenta que cada sitio
atmico de la molcula interactan entre s con el parmetro de Hopping tm = t,
los espectros correspondientes para T se muestran en la gura 57, en los cuales
se observa que los picos en T ocurren para diferentes valores de energa, los picos
positivos representan antiresonancias, debido a que T es dado como la diferencia
entre T (E) del sistema con nanoporo y el T (E) del sistema con nanoporo y molcula,
las resonancias se reprsentan por picos negativos de T , de acuerdo a los resultados
mostrados las antiresonancias predominan sobre las resonancias en todos los casos,
hecho que implica que la presencia de las molculas dentro del nanoporo producia

99
en general un incremento de la resistencia elctrica y consecuentemente provoca la
disminucin de la corriente elctrica del nanoporo, as mismo debido a las formas en
las cuales fueron tomados los modelos de molcula el nmero de picos no coincide con el
nmero de tomos de constituyen la molcula, pero los resultados son particularmente
caractersticos del tipo de molcula considerada.

Conclusiones

En un nanoporo rectangular construido en una red nita de grafeno conectado a

contacto ideales el transporte de carga depende del ancho del nanoporo, armacin que
se sustenta en las condiciones de transporte balstico considerado y que de acuerdo a los
resultados el coeciente de transmisin disminuye a medida que el ancho del nanoporo
aumenta.

Las molculas presentes en el centro del nanoporo rectangular producen picos en

el espectro de T que son caractersticos para cada tipo de molcula, dichos picos
dependen del tipo de tomo, y el nmero de tomos que forman la molcula, asimismo
depende de la forma estructural en el que cada uno de los tomos se distribuyen dentro
de la molcula. En particular para molculas lineales el nmero de picos de T coincide
exactamente con el nmero de tomos constituyentes de la molcula, y vara con el
tipo de tomos de forman la molcula, esta armacin no se verica en molculas no
lineales, pero se encuentra, que los espectros de T son muy particulares en cada
caso. Las paticularidades que presentan los espectros de T abren la posibilidad de
utilizar los nanoporos de grafeno como una tcnica espectroscpica para el anlisis de
materiales, para tal n se requiere construir una base de datos completa de cambios
en la conductancia elctrica (coeciente de transmisin) producida por las diferentes
molculas que existen en la naturaleza y as mismo desarrollar tecnicas experimentales
que permitan medir los pequeos cambios en el transporte de carga.

100
Captulo 6

Conclusiones

En el punto cuntico con 4 contactos la frmula de Landauer-Btiker indica que

la resistencia Hall RH es asimtrico respecto a EF = 0 a diferencia de la resistencia
longitudinal RL que es simtrica respecto a EF = 0. Para campos magnticos dbiles
( pequeo) la formacin de los niveles de Landau depende del tamao del punto
cuntico, observndose estos niveles con mayor denicin cuando las dimensiones del
punto cuntico son grandes. Asimismo el valor absoluto de la resistencia Hall |RH |
alcanza picos muy altos para determinados valores de energa en las cuales el campo
magntico produce transisiones de fase cunticas.

El transporte electrnico de los nanoribbons depende del ancho de los nanoribbons

y las condiciones de borde zigzag, armchair y/o bearded, ocurriendo que paracualquier
ancho W los nanoribbons zigzag tienen comportamiento conductor, los nanoribbons
armchair tienen comportamiento semi-metlico si el nmero de dmeros N de la cadena
unidad verica que M = (N + 1)/3 es un nmero entero positivo, caso contrario
los nanoribbons armchair tienen comportamiento semiconductor. Los nanoribbons
de borde bearded tienen comportamiento conductor, y presentan perles de T (E)
idnticas a los nanoribbons zigzag. Los nanoribbons de borde mixto zigzag - bearded
tienen comportamiento semiconductor. En los casos en que el comportamiento de los
nanoribbons es semiconductor el gap de energa entre la banda de conduccin y valencia
tiene relacin inversa con el ancho del nanoribbons, es decir, el gap de energa disminuye
a medida que el ancho del nanoribbons incrementa.

Un campo magntico uniforme que acta perpendicularmente sobre un nanoribbons,

introduce en los parmetros de Hopping un cambio de fase dado por la Sustitucin de

101
Pierls, que produce la aparicin de niveles de Landau que se observan cuando los
campos magnticos aplicados son dbiles, estos niveles de Landau se transforman en
subbandas de Landau cuando el campo magntico aplicado es extremadamente alto y
el ancho del nanoribbons es mucho mayor al radio ciclotrnico.

En un nanoporo rectangular construido en una red rectangular que emula al GaAs

o en el grafeno el transporte de carga depende del ancho del nanoporo, armacin
que se sustenta en las condiciones de transporte balstico considerado y los resultados
mostrados en las guras 44 y 52, que indican que los coecientes de transmisin
disminuyen a medida que el ancho del nanoporo aumenta.

La presencia de molculas en el centro del nanoporo rectangular construida en na red

rectangular o el grafeno producen picos en el espectro de T que son caractersticos
para cada tipo de molcula, dichos picos dependen del tipo de tomo, y el nmero
de tomos que forman la molcula. Asimismo los valores de energa en las cuales
se presentan los picos de T dependen de la forma estructural en el que cada uno
de los tomos se distribuyen dentro de la molcula. En particular para molculas
lineales el nmero de picos de T coincide exactamente con el nmero de tomos
constituyentes de la molcula, y vara con el tipo de tomos que constituyen la molcula,
esta armacin no se verica en molculas no lineales, pero se encuentra, que los
espectros de T son muy particulares en cada caso. Las paticularidades que presentan
los espectros de T abren la posibilidad de utilizar los nanoporos de grafeno como una
tcnica espectroscpica para el anlisis de materiales, para tal n se requiere construir
una base de datos completa de cambios en la conductancia elctrica (coeciente de
transmisin) producida por las diferentes molculas que existen en la naturaleza y as
mismo desarrollar tecnicas experimentales que permitan medir los pequeos cambios
en el transporte de carga.

De la observacin de las resonancias y antiresonancias producidas por la presencia

de molculas en el centro de nanoporos rectangulares en red cuadrada y en el grafeno,
concluimos que en nanoporos construidos en grafeno con la presencia de molculas las
antiresonancias son predominantes respecto a las resonancias, en cambio en nanoporos
construidos en redes cuadradas la predominancia de las resonancias o antiresonancias
depende de la orientacin de la molcula respecto al sentido de la corriente del
nanoporo.

Los mtodos numricos de decimacin y recursivo de convergencia rpida son

ecientes para evaluar el transporte electrnico utilizando la formula de Landauer,

102
siendo el mtodo recursivo de convergencia rpida mas eciente que el mtodo de
decimacin para determinar las funciones de Green de los contactos, pero para el
anlisis del nanodispositivo en s es ms recomendable el mtodo de decimacin por
ser aplicable incluso cuando las cadenas verticales consideradas tienen estructuras
diferentes, casos en las cuales el mtodo recursivo de convergencia rpida no es
aplicable, es decir una condicin necesaria para la utilizacin del mtodo recursivo
de convergencia rpida es que las cadenas verticales que constituyen el nanodispositivo
sean exactamente iguales.

103
Bibliografa

[1] Geim, A. K. & Novoselov, K. S. The rise of graphene. Nat. Mater 6, 183191
(2007). URL http://dx.doi.org/10.1038/nmat1849.

[2] Novoselov, K. S. et al. Electric eld eect in atomically thin carbon lms. Science
306, 666669 (2004). URL http://www.sciencemag.org/content/306/5696/
666.abstract.

[3] Landau, L. D. Statistical Physics (Pergamon, Oxford, 1980).

[4] Mermin, N. D. Crystalline order in two dimensions. Phys. Rev. 176, 250254
(1968). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.176.250.

[5] Peierls, R. E. Bemerkungen ber umwandlungstemperaturen. Helv. Phys. Acta

7, 8183 (1934).

[6] Meyer, J. C. et al. The structure of suspended graphene sheets. Nature 446, 6063
(2007). URL http://dx.doi.org/10.1038/nature05545.

[7] Meyer, J. C. et al. On the roughness of single- and bi-layer graphene membranes.
ArXiv (2007). URL http://arxiv.org/abs/cond-mat/0703033.

[8] Pauling, L. The nature of the chemical bond and the structure of molecules and
crystals: an introduction to modern structural chemistry (Cornell University Press,
Ithaca-New York, 1960).

[9] Novoselov, K. S. et al. Two-dimensional gas of massless dirac fermions in graphene.

Nature 438, 197200 (2005).

[10] Gusynin, V. P. & Sharapov, S. G. Unconventional integer quantum hall eect in

graphene. Phys. Rev. Lett. 95, 146801 (2005). URL http://link.aps.org/doi/
10.1103/PhysRevLett.95.146801.

104
[11] Neto, A. H., Guinea, F. & Peres, N. M. R. Edge and surface states in the
quantum hall eect in graphene. Phys. Rev. B 73, 205408 (2006). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.73.205408.

[12] Peres, N. M. R., Guinea, F. & Neto, A. H. C. Electronics properties of disordered

two-dimensional carbon. Phys. Rev. B 73 (2006).

[13] Klitzing, K. V., Dorda, G. & Pepper, M. New method for high-accuracy
determination of the ne-structure constant based on quantized hall resistance.
Phys. Rev. Lett. 45, 494497 (1980). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/
PhysRevLett.45.494.

[14] Zheng, Y. & Ando, T. Hall conductivity of a two-dimensional graphite system.

Phys. Rev. B 65, 245420 (2002). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/
PhysRevB.65.245420.

[15] Zhang, Y., Tan, Y.-W., Stormer, H. L. & Kim, P. Experimental observation of
the quantum hall eect and berry phases in graphene. Nature 438 (2005).

[16] Novoselov, K. S. et al. Room-temperature quantum hall eect in graphene. Science

315, 1379 (2007). URL http://arxiv.org/abs/cond-mat/0702408.

[17] Lui, C. H., Liu, L., Mak, K. F., Flynn, G. W. & Heinz, T. F. Ultraat graphene.
Nature 462, 339 (2009).

[18] Gusynin, V. P., Sharapov, S. G. & Carbote, J. P. Ac conductivity of graphene: from

tight-binding model to 2+1 dimensional quantum electrodynamics. International
Journal of Modern Physics B 21, 46114658 (2007). URL http://www.
worldscientific.com/doi/abs/10.1142/S0217979207038022.

[19] Castro Neto, A. H., Guinea, F., Peres, N. M., Novoselov, K. S. & Geim, A. K.
The electronic properties of graphene. Rev. Mod. Phys. 81, 109162 (2009). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.81.109.

[20] Ando, T. Theory of electronic states and transport in carbon nanotubes. Journal
of the Physical Society of Japan 74, 777817 (2005). URL http://dx.doi.org/
10.1143/JPSJ.74.777. http://dx.doi.org/10.1143/JPSJ.74.777.

[21] Bena, C. & Montambaux, G. Remarks on the tight-binding model of graphene.

New Journal of Physics 11, 095003 (2009). URL http://stacks.iop.org/
1367-2630/11/i=9/a=095003.

105
[22] Saito, R., Dresselhaus, G. & Dresselhaus, H. Physical properties of carbon
nanotubes (Imperial College Press, Singapore, 1998).

[23] Dietl, P. Numerical Studies of Electronic Transport through Graphene Nanoribbons

with Disorder. Sustentado (2009).

[24] Wallace, P. R. The band theory of graphite. Phys. Rev. 71, 622634 (1947). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.71.622.

[25] Li, G. & Andrei, E. Y. Observation of landau levels of dirac fermions in graphite.
Nature Phys. 3, 623627 (2007).

[26] Peierls, R. Zur theorie des diamagnetismus von leitungselektronen. Zeitschrift fr

Physik 80, 763791 (1933). URL http://dx.doi.org/10.1007/BF01342591.

[27] Brey, L. & Fertig, H. A. Edge states and the quantized hall eect in graphene.
Phys. Rev. B 73, 195408 (2006). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/
PhysRevB.73.195408.

[28] Hofstadter, D. R. Energy levels and wave functions of bloch electrons in rational
and irrational magnetic elds. Phys. Rev. B 14, 22392249 (1976). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.14.2239.

[29] Osadchy, D. & Avron, J. E. Hofstadter buttery as quantum phase diagram. J.

Math. Phys. 42, 12 (2001).

[30] Guinea, F., Neto, A. H. C. & Peres, N. M. R. Electronic states and landau levels
in graphene stacks. Phys. Rev. B 73, 245426 (2006). URL http://link.aps.
org/doi/10.1103/PhysRevB.73.245426.

[31] Gosselin, P., Boumrar, H. & Mohrbach, H. Semiclassical quantization of electrons

in magnetic elds: The generalized peierls substitution. EPL (Europhysics Letters)
84, 50002 (2008). URL http://stacks.iop.org/0295-5075/84/i=5/a=50002.

[32] Nemec, N. & Cuniberti, G. Hofstadter butteries of bilayer graphene. Phys. Rev.
B 75, 201404 (2007). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.
201404.

[33] Guillement, J. P., Heler, B. & Treton, P. Walk inside hofstadters buttery. J.
Phys. France 50, 20192058 (1989).

106
[34] Iye, Y., Kuramochi, E., Hara, M., Endo, A. & Katsumoto, S. Hofstadter butteries
in a modulated magnetic eld: Superconducting wire network with magnetic
decoration. Phys. Rev. B 70 (2004).

[35] Wakabayashi, K., Fujita, M., Ajiki, H. & Sigrist, M. Electronic and magnetic
properties of nanographite ribbons. Phys. Rev. B 59, 82718282 (1999). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.59.8271.

[36] Islamolu, S., Oktel, M. O. & Glseren, O. The integer quantum hall eect of
a square lattice with an array of point defects. J. Phys. Condens. Matter. 24,
345501 (2012).

[37] Rammal, R. Landau level spectrum of bloch electrons in a honeycomb lattice. J.

Physique 46, 13451354 (1985).

[38] Iye, Y., Kuramochi, E., Hara, M., Endo, A. & Katsumoto, S. Superconducting
network with magnetic decoration - hofstadter buttery in spatially modulated
magnetic eld. Proceedings of MS+S2004 (2004). URL http://iye.issp.
u-tokyo.ac.jp/publist/iyekats/iyekats0087.pdf.

[39] Capel, H. W. On the broadening of landau levels. Physica 54, 361

384 (1971). URL http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/
0031891471901832.

[40] Datta, S. Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University

Press, New York, 1999).

[41] Bttiker, M., Imry, Y., Landauer, R. & Pinhas, S. Generalized many-channel
conductance formula with application to small rings. Phys. Rev. B 31, 62076215
(1985). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.31.6207.

[42] Paulsson, M. Non equilibrium greens functions for dummies: Introduction to

the one particle negf equations. ArXiv (2006). URL http://arxiv.org/pdf/
cond-mat/0210519v2.pdf.

[43] Torre, G. M. M. L. Espectroscopia de Tunelamento em Sistemas Nanoscopicos de

Transporte Balistico. Ph.D. thesis, UNICAMP (2003).

[44] Paulson, M. & Brandbyge, M. Transmission eigenchannels fron non-equilibrium

greens functions. Phys. Rev. B 76 (2007). URL http://arxiv.org/pdf/
cond-mat/0702295.pdf.

107
[45] Fisher, D. S. & Lee, P. A. Relation between conductivity and transmission matrix.
Phys. Rev. B 23, 68516854 (1981). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/
PhysRevB.23.6851.

[46] Datta, S. Quantum Transport: Atom to Transistor (Cambridge University Press,

New York, 2005).

[47] Rivera, P. H. Efectos de Campos Intensos sobre la Estructura Electrnica de

Nanoestructuras. Sustentado (2002).

[48] Zahid, F., Paulsson, M. & Datta, S. Advanced Semiconductors and Organic
Nano-Technique, chap. Electrical Conduction through Molecules (Academic Press,
2002), hadis morkoc edn.

[49] Metalidis, G. Electronic Transport in Mesoscopic Systems (2007). URL http:

//books.google.com.pe/books?id=aE7hygAACAAJ.

[50] Sancho, M. P. L., Sancho, J. M. L. & Rubio, J. Quick iterative scheme for the
calculation of transfer matrices: application to mo(100). J. Phys. F:Met. Phys. 14
(1984).

[51] Sancho, M. P. L., Sancho, J. M. L. & Rubio, J. Highly convergent schemes for the
calculation of bulk and surface green-functions. J. Phys. F:Met. Phys. 15 (1985).

[52] Li, T. C. & Lu, S.-P. Quantum conductance of graphene nanoribbons with edge
defects. Phys. Rev. B 77, 085408 (2008). URL http://link.aps.org/doi/10.
1103/PhysRevB.77.085408.

[53] Bttiker, M. Four-terminal phase-coherent conductance. Phys. Rev. Lett. 57,

17611764 (1986). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.57.
1761.

[54] Buttiker, M. Symmetry of electrical conduction. IBM Journal of Research and

Development 32, 317334 (1988).

[55] Jayasekera, T. & Mintmire, J. W. Transport in multiterminal graphene

nanodevices. Nanotechnology 18, 424033 (2007). URL http://stacks.iop.org/
0957-4484/18/i=42/a=424033.

[56] Aslla, A. P., Montalvo, R. A. & Rivera, P. H. Revisitando la programacin en

paralelo. Rev. Inv. de Fisica UNMSM 14, 111401851 (2011).

108
[57] Thorgilsson, G., Viktorsson, G. & Erlingsson, S. Recursive greens function method
for multi-terminal nanostructures. Journal of Computational Physics 261, 256
266 (2014). URL http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/
S0021999114000096.

[58] Koskinen, P., Malola, S. & Hkkinen, H. Evidence for graphene edges beyond
zigzag and armchair. Phys. Rev. B 80, 073401 (2009). URL http://link.aps.
org/doi/10.1103/PhysRevB.80.073401.

[59] Brey, L. & Fertig, H. A. Electronic states of graphene nanoribbons studied with
the dirac equation. Phys. Rev. B 73, 235411 (2006). URL http://link.aps.
org/doi/10.1103/PhysRevB.73.235411.

[60] Lee, D. H. & Joannopoulos, J. D. Simple scheme for surface-band calculations i.

Phys. Rev. B 23, 49884996 (1981). URL http://link.aps.org/doi/10.1103/
PhysRevB.23.4988.

[61] Lee, D. H. & Joannopoulos, J. D. Simple scheme for surface-band calculations.

ii. the greens function. Phys. Rev. B 23, 49975004 (1981). URL http:
//link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.23.4997.

[62] Dubois, S. M.-M., Zanolli, Z., Declerk, X. & Charlier, J.-C. Electronic properties
and quantum transport in graphene-based nanostructures. The European
Physical Journal B 72, 124 (2009). URL http://dx.doi.org/10.1140/epjb/
e2009-00327-8.

[63] Wakabayashi, K., Takane, Y., Yamamoto, M. & Sigrist, M. Electronic transport
properties of graphene nanoribbons. New Journal of Physics 11, 095016 (2009).
URL http://stacks.iop.org/1367-2630/11/i=9/a=095016.

[64] Peres, N. M. R., Neto, A. H. C. & Guinea, F. Conductance quantization in

mesoscopic graphene. Phys. Rev. B 73, 195411 (2006). URL http://link.aps.
org/doi/10.1103/PhysRevB.73.195411.

[65] Huang, L., Lai, Y.-C., Ferry, D. K., Akis, R. & Goodnick, S. M. Transmission and
scarring in graphene quantum dots. Journal of Physics: Condensed Matter 21,
344203 (2009). URL http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=34/a=344203.

[66] Dekker, C. Solid-state nanopores. Nat. Nano 2, 209215 (2007). URL http:
//dx.doi.org/10.1038/nnano.2007.27.

109
[67] Branton, D. et al. The potential and challenges of nanopore sequencing. Nat
Biotech 26, 11461153 (2008). URL http://dx.doi.org/10.1038/nbt.1495.

[68] Schneider, G. F. et al. Dna translocation through graphene nanopores. Nano

Letters 10, 31633167 (2010). URL http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/
nl102069z. http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl102069z.

[69] Li, J., Gershow, M., Stein, D., Brandin, E. & Golovchenko, J. A. Dna molecules
and congurations in a solid-state nanopore microscope. Nat Mater 2, 611615
(2003). URL http://dx.doi.org/10.1038/nmat965.

[70] Storm, A. J. et al. Fast dna translocation through a solid-state nanopore. Nano
Letters 5, 11931197 (2005). URL http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/
nl048030d. http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl048030d.

[71] Kowalczyk, S. W., Hall, A. R. & Dekker, C. Detection of local protein structures
along dna using solid-state nanopores. Nano Letters 10, 324328 (2010). URL
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl903631m. http://pubs.acs.org/
doi/pdf/10.1021/nl903631m.

[72] Schneider, G. F. & Dekker, C. Dna sequencing with nanopores. Nature

Biotechnology 4, 326328 (2012).

[73] Klotsa, D., Rmer, R. A. & Turner, M. S. Electronic transport in dna. Biophysical
Journal 89, 218798 (2005).

[74] Wells, S. A., Shih, C.-T. & Rmer, R. A. Modeling charge transport in dna using
transfer matrices with diagonal terms. Int. Jour. of Mod. Phys B 10 (2008).

[75] Paez, C. J., Schulz, P. A., Wilson, N. R. & Rmer, R. A. Robust signatures in the
current-voltage characteristics of dna molcules oriented between two graphene
nanoribbon electrodes. New. Journal of Physics 14, 093049 (2012).

[76] Qi, J., Edirisinghe, N., Rabbani, M. G. & Anantram, M. P. Unied model for
conductance through dna with the landauer-buttiker formalism. Phys. Rev. B 87
(2013).

[77] Saha, K. K., Drndi, M. & Nikoli, B. K. Robust signatures in the current-voltage
characteristics of dna molecules oriented between two graphene nanoribbon
electrodes. Nano Lett. 12, 5055 (2012).

[78] Alberts, B. et al. Molecular Biology of the Cell (Garland Science, New York, 2008),
quinta edn.

110
[79] Metalidis, G. & Bruno, P. Greens function technique for studying electron ow
in two-dimensional mesoscopic samples. Phys. Rev. B 72, 235304 (2005). URL
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.72.235304.

[80] Ferry, D. K., Goodnick, S. M. & Bird, J. Transport in Nanostructures (Cambridge,

New York, 2009).

[81] Sigalov, G., Comer, J., Timp, G. & Aksimentiev, A. Detection of dna secuences
using an alternating electric eld in a nanopore capacitor. Nano. Lett. 8, 5663
(2008).

[82] Kasianowicz, J. J., Brandin, E., Branton, D. & Deamer, D. W. Characterization of

individual polynucleotide molecules using a membrane channel. Proc. Natl. Acad.
Sci. 93, 1377013773 (1996).

[83] Landauer, R. Spatial variation of currents and elds due to localized scatterers
in metallic conduction. IBM Journal of Research and Development 1, 223231
(1957).

[84] Landauer, R. Electrical transport in open and closed systems. Zeitschrift fr

Physik B Condensed Matter 68, 217228 (1987). URL http://dx.doi.org/10.
1007/BF01304229.

111
Apndice A

Relaciones importantes

En la seccin 2.2 se utilizan matrices hamiltonianas H que permiten obterner la

estructura de bandas, aqui derivamos explcitamente las expresiones de los elementos
de matriz.

A.1. Elementos de matriz para el hamiltoniano del

grafeno

En esta seccin calculamos los elementos de la matriz hamiltoniana H dada en

la ecuacin (2.11) en la base {|kA i, |kB i}, dadas en (2.7), (2.8) y de acuerdo al
hamiltoniano tight-binding (2.3), es decir el elemento de matriz hkA |H|kA i se obtiene
como:

A
X ikRA A
X X
hkA |H|kA i = eikRl hA
l | t | A
j ih B
i | + | B
j ih A
i | e m |m i
l hi,ji m

A
X ikRA A
X X
= eikRl t hA
l | A
j ih B
i | + h A B
l | j ih A
i | e m |m i
l hi,ji m

A A
X X X
= eikRl t lj hB
i |
eikRm |A
mi
l hi,ji m

ikRA ikRA
X XX
= t e l e m hB A
i |m i = 0
l hii m

112
 hkA |H|kA i = 0 (A.1)
de manera similar se encuentra

hkB |H|kB i = 0. (A.2)

Calculando ahora el elemento de matriz hkA |H|kB i tenemos

A B
X X X
hkA |H|kB i = eikRl hA |A B B A
eikRm |B


l |
t j ihi | + |j ihi | mi
l hi,ji m

A
X ikRB B
X X
= eikRl t hA A B A B A
l |j ihi | + hl |j ihi | e m |m i
l hi,ji m

A B
X X X
= eikRl t lj hB
i |
eikRm |B
mi
l hi,ji m

ikRA B
X X X
= t e l ll hB
i | eikRm |B
mi
l hii m
ikRA ikRB
X XX
= t e l e m hB B
i |m i
l hii m
ikRA B
X XX
= t e l eikRm im
l hii m
ikRA B
X X
= t e l eikRi
l hii
A B
XX
= t eikRl eikRi
l hii
B RA )
XX
= t eik(Ri l

l hii

donde RB A
i Rl representa la posicin relativa de los tomos de la red B respecto a
las posiciones de los tomos A.

Para un solo tomo A tenemos que las posiciones relativas de los primeros vecinos
son RB A ~ ~ ~
i Rl = 1 , 2 , 3 , de modo que
 
B A ~ ~ ~
X
hkA |H|kB i = t eik(Ri R ) = t eik1 + eik2 + eik3
hii

hkA |H|kB i = tf (k) (A.3)

113
 ~ ~ ~
con f (k) = eik1 + eik2 + eik3 .

Por otro lado

hkB |H|kA i = hkA |H|kB i

B A
XX
= t eik(Rl Ri )
l hii
A B)
XX
= t eik(Ri Rl
l hii

para un solo tomo B las posiciones relativas de los primeros vecinos son RA B
i R =
~1 , ~2 , ~3 , entonces
 
A B ~ ~ ~
X
hkB |H|kA i = t eik(Ri R ) = t eik(1 ) + eik(2 ) + eik(3 )
hii

 
~ ~ ~
hkB |H|kA i = t eik1 + eik2 + eik3 = tf (k) (A.4)
Sustituyendo los resultados (A.1), (A.2), (A.3) y (A.4) en la ecuacin (2.11), la
expresin matricial de H es
!
0 f (k)
H = t . (A.5)
f (k) 0

A.2. Relacin de dispersin |f (k)|

Evaluamos la relacin de dispersin |f (k)| teniendo en cuenta que f (k) es dado

~ ~ ~
como f (k) = eik1 + eik2 + eik3 es decir

|f (k)|2 = f (k)f (k)

~ ~ ~ ~ ~ ~
|f (k)|2 = (eik1 + eik2 + eik3 )(eik1 + eik2 + eik3 )
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
= 3 + eik(1 2 ) + eik(1 3 ) + eik(2 1 ) + eik(2 3 ) + eik(3 1 ) + eik(3 2 )
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
= 3 + eik(1 2 ) + eik(1 2 ) + eik(1 3 ) + eik(1 3 ) + eik(2 3 ) + eik(2 3 )
= 3 + 2 cos(k (~1 ~2 )) + 2 cos(k (~1 ~3 )) + 2 cos(k (~2 ~3 ))

114
 ! !
3 1 3 1
~1 ~2 = ax ay ax ay = 3ax
2 2 2 2
!
~1 ~3 = 3 1 3 3
ax ay ay = ax ay
2 2 2 2
!
~2 ~3 = 3 1 3 3
ax ay ay = ax ay
2 2 2 2

como cos() = cos paridad de la funcin cos

 ! !
 3 3 3 3
|f (k)|2 = 3 + 2 cos 3kx a + 2 cos kx a + ky a + 2 cos kx a + ky a
2 2 2 2

usando cos ( ) = cos cos sin sin

! !   !  
3 3 3 3 3 3
cos kx a + ky a = cos kx a cos ky a sin kx a sin ky a
2 2 2 2 2 2
! !   !  
3 3 3 3 3 3
cos kx a + ky a = cos kx a cos ky a + sin kx a sin ky a
2 2 2 2 2 2

entonces
! ! !  
3 3 3 3 3 3
cos kx a + ky a + cos kx a + ky a = 2 cos kx a cos ky a
2 2 2 2 2 2


!  
2
 3 3
|f (k)| = 3 + 2 cos 3kx a + 4 cos kx a cos ky a (A.6)
2 2


1
si cos2 = 2 (1 + cos 2) entonces cos 2 = 2 cos2 2 1


2

 !
 3
cos 3kx a = 2 cos2 kx a 1 (A.7)
2
! !  
3 3 3
|f (k)|2 = 1 + 4 cos2 kx a + 4 cos kx a cos ky a (A.8)
2 2 2
de donde

v ! !
u  
u 3 3 3
|f (k)| = t1 + 4 cos kx a cos ky a + 4 cos2 kx a (A.9)
2 2 2

115