V.

PROCEDIMIENTO

a) Para el anlisis terico deber aplicar los criterios de diseo tanto como en el anlisis en
corriente continua como en corriente alterna. Primero se polariza los transistores por
separado para que puedan trabajar como amplificadores ptimos.

b) Luego analizar en AC presentando el hbrido del sistema: Primero sin realimentacin.

Segundo con realimentacin.

c) Despus del anlisis en AC se debe hallar Ai Ii Zi Zo, tanto sin realimentacin y con
realimentacin para despus compararlos.

d) En el anlisis en CC se deben escoger los valores de las resistencias adecuadas para que
puedan polarizar y amplificar los transistores. Para lo cual procedemos al anlisis respectivo:
Haciendo el anlisis del circuito en corriente continua es decir efectuando la polarizacin de
este circuito tenemos que: El punto de la recta para Q1en el cual cortara nuestra recta cera en:

por lo que nuestra corriente de reposo para mxima excursin simtrica

ser:

y esto es igual a: 0.55mA.

Pero la corriente de emisor del circuito de Q1 tiene una realimentacin de corriente que viene
del transistor Q3 esto pues en continua el transistor Q2 se encuentra en corte y con esto
polarizamos el transistor Q3 tambin para mxima excursin simtrica y nos da:

por lo que para mxima excursin simtrica nos dar una:

 y esta Icq3 igual a: 0.58mA.

Por lo cual la corriente de Icq1 se incrementara constantemente por la realimentacin de Icq3.

POLARIZANDO Q2

R1=56.5K

Donde pasara una corriente:

Icq2 igual a: 60mA.

e) Puede armar el circuito de la siguiente figura 3 y 4 , hacer las mediciones correspondientes

tanto de DC como en AC. Comparar los resultados e indicar el circuito ms ptimo

ARMADO DEL CIRCUITO

MEDICIONES EN DC
MEDICIONES EN AC

SEAL DE ENTRADA
SEAL DE SALIDA

SIN REALIMENTACION

CON REALIMENTACION DE 10K

AJUSTANDO UN POTENCIOMETRO A LA SALIDA RL=18 ohm

f) Confirmar resultados simulados (ircuito Propuesto en el Libro de Sedra Smith)

SIMULACION

SEAL DE ENTRADA Y FUENTE

SIN REALIMENTACION
CON REALIMENTACION DE 2K
CON REALIMENTACION DE 1K

CON REALIMENTACION DE 500

III. CUESTIONARIO FINAL:

1) Fundamentar las seales obtenidas en cada circuito.

SIN REALIMENTACION:
La seal obtenida al final de la salida del circuito es debida al proceso que sufre la
seal de entrada en este caso de amplitud 350mV con una frecuencia de 1Khz.
Observamos lo que pasa al pasar por cada etapa de los tres transistores.
PARA Q1:

Obtenemos una seal roja desfasada por el emisor comn en referencia a la de

entrada verde.

Despus del condensador de acoplo:

Observamos que la seal se carga y descarga por el capacitor y baja de tensin.

PARA Q2:

Observamos que la seal se amplifica y nuevamente se invierte de fase por el emisor

comn.

Despus del condensador de acoplo:

El capacitor acta y carga y descarga la seal disminuyendo el voltaje.

EN Q3:
Se observa que la seal es casi la misma de la de entrada debido a la atenuacin del
transistor.

Por ultimo en la salida RL tenemos:

La seal obtenida es amplificada un poco mas, en fase y con distorsin de onda.

CON REALIMENTACION:

RF=500 ohm

PARA Q1:

Obtenemos una seal roja desfasada por el emisor comn en referencia a la de

entrada verde.

Despus del condensador de acoplo:

Observamos que la seal baja de tensin.
PARA Q2:

Observamos que la seal nuevamente se invierte de fase por el emisor comn y

disminuye la tensin.
Despus del condensador de acoplo:

El capacitor acta desfasa la seal y aumenta la tensin el voltaje.

EN Q3:

Se observa que la seal es casi la misma de la anterior.

Por ultimo en la salida RL tenemos:

La seal obtenida es muy atenuada , en fase y con distorsin de onda.

2) En cada transistor indicar si el punto de operacin es el diseado y simulado, comparar
el desfasaje de la seal desfasa, indicar si la ganancia de lazo. Indicar las magnitudes
de ambos.

Son aproximadamente los calculados y diseados. Se compara con la simulacin. Excepto

`por Icq3.