You are on page 1of 6

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Segovia Pujaico Alvaro Saul


15190039

CURSO TEMA

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIN ENTREGA

NUMERO

09 02 DE JUlIO DEL 05 DE JULIO DEL


2016 2016

GRUPO
PROFESOR

2
LUNES DE 10 am 12pm ING. LUIS PARETTO QUISPE

1
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

LABORATORIO 9: EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

INFORME PREVIO

Tema: Transistor monounion (UJT).

Objetivos:
a. Verificar en forma esttica el estado operativo de un UJT.
b. Verificar y determinar las caractersticas de funcionamiento de un UJT.

Informacin bsica:

El transistor monounin: Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo
N o P en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto
de la barra ms prximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal
de emisor.

Smbolo de un Circuito equivalente de un transistor


UJT monounin tipo N

Cuando se polariza el transistor la barra acta como un divisor de tensin apareciendo


una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el
circuito equivalente.

2
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

Observando el circuito de polarizacin de la figura se advierte que al ir aumentando la


tensin Vee la unin E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la
tensin Vee es cero, con un valor determinado de Vbb, circular una corriente entre bases
que originar un potencial interno en el ctodo del diodo (Vk). Si en este caso
aumentamos la tensin Vee y se superan los 0,7v en la unin E-B1 se produce un
aumento de la corriente de emisor (IE) y una importante disminucin de RB1, por lo tanto
un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha activado,
pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conduccin, alcanzando
previamente la VEB1 la tensin de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de la
intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensin de activacin Vp se alcanza
antes o despus dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensin entre
bases VBB.

Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso, circuitos de bases de


tiempos y circuitos de control de ngulo de encendido de tiristores.

El encapsulado de este tipo de transistores son los mismos que los de unin.

3
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

Procedimiento:

I. CUESTIONARIO PREVIO
Armar el circuito de la Figura 1, iniciando los potencimetros P1 y P2 en 0 , Debiendo estar los 2
miliampermetros en el rango de 30 mA. (Por lo menos); llenar la Tabla 2.

VALORES Ve(v) Ie (mA) Vb1 (v) Vb2 (v) Ib (mA)


TEORICOS 0 0 19.02381 0.116 2.077

Al no haber disparo Ie=0 A por ende Ve=0 V

20
Ib1mn=470+56+9100 = 2.077

Vb1=20 (2.077 103 )(470) = 19.0238

Vb2=(2.077 103 )(56) = 0.116

1. Ajustar gradualmente el valor de P1 hasta llegar al valor de Vp observando los


miliampermetros, visualizando el instante de disparo del UJT; llenar la Tabla 3.

VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1()


TEORICOS 13.8 4.402 18.2046 0.213 3.82 4.896k

Ve=Vp

Vp=VBB+0.7= (0.655) (20)+0.7

Vp=13.8 V

13.8
Ie= = =4.402 mA
+2 (0.655)(4700)+56

= ( + 1) = 1

= =
+1 1

20 13.8
= =
2200 + 1 1

4
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

6.21 = 30360

1 = 4.896
20
Ib1=470+56+4700 = 3.82

Vb1=20 (3.82 103 )(470) = 18.2046

Vb2=(3.82 103 )(56) = 0.2139

Ajustar gradualmente el valor de P2 observando el miliampermetro de Ie, hasta llegar al instante


de obtencin de la corriente de valle (retorno a Off); llenar la Tabla 4.

VALORES Ve(v) Ie(mA) Vb1(v) Vb2(v) Ib(mA) P1() P2()


TEORICOS 14.324 4 19.023 0.116 2.077 4.896 k 4.971k

La corriente de valle es Ie= 4 mA


Vp=Ie(RBBmin +R2)
Vp=4103 (0.75(4700) + 56)
Vp=14.324 V Ve=Vp
Ve=14.324 V
20
Ib= = 2.077
470+56+9100

Vb1=20 (2.077 103 )(470) = 19.023

Vb2=(2.077 103 )(56) = 0.116

El P1 no se modificado su valor entonces P1= 4.896 k

2 = 2

2 20 0.116
2 = = = 4.971
4 103

5
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS FIEE-UNMSM

Conclusiones:

Se puede comprobar como el transistor proporcionara los momentos de disparo


por momentos especficos en el que variara la corriente y el voltaje emisor.
Asimismo tambin podemos ver que con la introduccin del potencimetro 1 se
llegara al momento de disparo con la variacin de este elemento.

Bibliografa:

http://www.unicrom.com/buscar.asp
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/unijun.html
http://es.slideshare.net/luznellygonzalez/exposicion-transistores
Boylestad- Fundamentos de circuitos elctrinocos.
Separatas de la clase de laboratorio y teora dispositivos electrnicos.