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Concepto de memoria

Concepto de memoria La memoria es el componente del ordenador que almacena la


informacin que ste posee, es decir, sus datos y programas. Es como un bloc de notas
que mantiene la informacin mientras estamos trabajando con ella.
La memoria del ordenador est organizada en unidades de bytes, cada uno compuesto por
8 bits. No importa que tipo de informacin estemos almacenando; estar codificada en
una estructura particular de bits, que ser interpretada de la forma adecuada al tipo de
datos en cuestin.
Los mismos bytes de memoria se emplean para almacenar cdigos de instrucciones,
datos numricos, datos alfabticos, sonidos, vdeo, etc. Para ser capaces de trabajar con
la memoria, cada unidad de bytes tiene una direccin, un nmero que slo identifica a esa
unidad.
Las direcciones de memoria estn numeradas una a una, empezando por cero. Las
operaciones bsicas que permite una memoria son dos: escritura o almacenamiento y
lectura. En la escritura, o almacenamiento, la memoria necesita que le suministren una
informacin y una direccin.
La operacin consiste en grabar la informacin en la direccin especificada. En la lectura,
la memoria debe recibir una direccin. La operacin consiste en recuperar informacin
previamente escrita en esa direccin. Por tanto, podemos ver las memorias como cajas
negras, a las que hay que suministrar una direccin y unas seales de control, que
especifican la operacin que se desea realizar, adems de enviar o recibir el dato, o bloque
de datos, correspondiente.
Los disquetes, discos duros, etc. tambin son dispositivos que permiten almacenar
informacin, pero no estn conectados directamente al procesador, cada byte no tiene una
direccin para poderlo leer como en el caso comentado anteriormente. Por ello estos
dispositivos de memoria, llamados memoria masiva o auxiliar, sern estudiados en el
tema correspondiente a los perifricos.
Caractersticas de las memorias.
En el ordenador hay dos tipos bsicos de memorias, las memorias de slo lectura, o ROM
(Read Only Memory), y las memorias de lectura/escritura, o RAM (Random Access
Memory). Para poder estudiarlas vamos a introducir en este apartado una serie de
conceptos que permiten caracterizar los diversos tipos de memoria.
Memorias de Acceso Aleatorio
RAM

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en
ingls Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y
contienen un conjunto de variables de direccin que permiten seleccionar cualquier
direccin de memoria de forma directa e independiente de la posicin en la que se
encuentre. Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no
hay energa y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica.

Memoria RAM esttica

Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se
compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores
MOSFET, aunque tambin existen algunas memorias pequeas construidas con
transistores bipolares.

Memoria RAM dinmica

Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory),
diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin
a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.
Memorias de Solo Lectura

Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del ingls Read Only
Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no
voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva sin necesidad de energa.
Este tipo de memoria se emplea para almacenar informacin de forma permanente o
informacin que no cambie con mucha frecuencia.
Memoria ROM de Mscara

Este tipo de ROM se caracteriza porque la informacin contenida en su interior se


almacena durante su fabricacin y no se puede alterar.
El proceso de fabricacin es muy caro, pero se hacen econmicas con la
produccin de grandes cantidades.
La programacin se realiza mediante el diseo de un negativo fotogrfico llamado
mscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria.
Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de
conversin y caracteres.

Memoria PROM

ROM programable del ingles Programmable Read Only Memory.


Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de
fabricacin, sino que la efecta el usuario y se puede realizar una sola vez, despus de la
cual no se puede borrar o volver a almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por destruccin de fusible o por
destruccin de unin. Comnmente la informacin se programa o quema en las diferentes
celdas de memoria aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los
buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada para
fundir los fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la
celda, se almacena un 0 lgico, de lo contrario se almacena un 1 lgico (estado por
defecto), quedando de esta forma la informacin almacenada de forma permanente.

Memoria EPROM

Del ingls Erasable Read Only Memory. Este tipo de memoria es similar a la PROM con
la diferencia que la informacin se puede borrar y volver a grabar varias veces. La
programacin se efecta aplicando a un pin especial de la memoria una tensin entre 10
y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se
direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este
proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de
compuerta aislada.
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia
bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es
ms delgada y no es fotosensible. La programacin de estas memorias es similar a la
programacin de la EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios
a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga
elctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la informacin. El
borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones
negativas sobre las compuertas para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.
Ventajas de la EEPROM con respecto a la EPROM

Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.


Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen
problemas para almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de las EPROM, es decir
aproximadamente 10 aos.

Memoria FLASH

La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar


elctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacin y es
de fabricacin sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las
EPROM a menor costo que las EEPROM.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de puerta
apilada, el cual se forma con una puerta de control y una puerta aislada.
compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica una tensin lo
suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la memoria
EPROM, cuando hay carga elctrica en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo
contrario se almacena un 1.