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ELECTRNICA APLICADA I
SEALES Y FUENTES TPICAS DE GENERACIN

Los sistemas electrnicos pueden, en general, manejar dos tipos de seales:


Seales analgicas: Son seales continuas que representan valores y variaciones reales de parmetros
fsicos. Como ejemplos estn las seales de audio.
Seales digitales: Son seales representadas por pulsos que manejan valores discretos. Como ejemplo
estn las seales binarias manejadas en una computadora.

Las seales de audio son ondas senoidales con frecuencias que estn entre 20Hz y 20KHz. La mxima sensibilidad
del odo humano, en promedio, se da a una frecuencia de 1KHz.

Los transductores son elementos que transforman en energa elctrica otros tipos de energa. Se utilizan por ejemplo
para transformar una onda sonora en una seal electrnica de audio, o viceversa.
AMPLIFICADORES

Existen tres modos bsicos de funcionamiento de los amplificadores: clase A, clase B y clase C, dependiendo de
dnde ubicamos el punto de trabajo y de la seal de entrada del sistema, lo que determina qu porcin de esa seal
es amplificada.

Se define amplificador clase A como aquel en el cual el punto de trabajo y la seal de entrada son tales que
circula corriente de salida para todo el ciclo de la seal de entrada. Es decir, que la seal de entrada es
ntegramente amplificada.

Un amplificador clase B se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la seal de entrada son tales
que circula una corriente de salida durante medio ciclo de la seal de entrada. Es decir que solo la mitad de
la seal es amplificada.

Un amplificador clase AB se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la seal de entrada son
tales que circula una corriente de salida durante un tiempo que va entre medio ciclo y el ciclo completo de
la seal de entrada.

Un amplificador clase C se define como aquel en el cual el punto de trabajo y la seal de entrada son tales
que circula una corriente de salida durante menos de medio ciclo de la seal de entrada. Es decir que slo
una porcin de la seal es amplificada.

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Distorsin es toda modificacin no deseada de la seal en un dispositivo.

Se denomina distorsin de amplitud a la debida a la no linealidad de las caractersticas de un dispositivo


activo, lo que provoca que se pierda la simetra de las seales.

sta se debe a los elementos reactivos del circuito o a los asociados a los dispositivos activos, que
provocan un defasaje indeseado de las seales.

Toda seal no senoidal se compone de infinitas componentes senoidales configurando una serie de Fourier.
Al aparecer distorsin de amplitud, la seal original presentar armnicos indeseados que estando en el
circuito provocan distorsin de la seal.

Si representamos una seal, tomando como referencia su valor pico para establecer simetra par, mediante
la serie de Fourier, obtenemos lo siguiente:
io = I oA + 2 .[I o1 . cos(.t ) + I o 2 . cos(2..t ) + I o3 . cos(3..t ) + ]
En el caso de trabajar con transistores, los armnicos mayores al cuarto pueden despreciarse, por lo que la
seal quedar representada como:
io = I oA + 2 .[I o1 . cos(.t ) + I o 2 . cos(2..t ) + I o3 . cos(3..t ) + I o 4 . cos(4..t )]
Los parmetros desconocidos de sta frmula son las magnitudes de los armnicos, as como la magnitud
del valor medio de la seal. Para encontrarlas tomaremos 5 valores de .t distintos, a saber
2
0, , , y . Queda determinado as un sistema de ecuaciones, que resuelto nos presenta las
3 2 3
siguientes soluciones:
I o max + I o min I o + I o
I oA = +
6 3
I o max I o min I o I o
2 .I o1 = +
3 3
I o max + I o min I oT
2 .I o 2 =
4 2
I o max I o min I o I o
2 .I o 3 =
6 3
I o max + I o min I o + I o I oT
2 .I o 4 = +
12 3 2
/*Estudiar la demostracin*/

Determinando las amplitudes de los armnicos generados, podemos expresar la distorsin armnica
porcentual de cada componente (respecto al armnico fundamental) como:
I o2 I o3 I o4
D2 = 100% D3 = 100% D4 = 100%
I o1 I o1 I o1

Otra cantidad de inters es la distorsin armnica total porcentual, que es:

( I o 2 )2 + ( I o 3 )2 + ( I o 4 )2
D= 100%
I o1

La potencia total de salida es la suma de la potencia de la componente fundamental mas la de los


armnicos, por lo que vemos que la existencia de armnicos disminuye el rendimiento de un amplificador,
pues se necesita ms potencia de la fuente, que ser distribuida en los armnicos.

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Existe tambin una distorsin por intermodulacin cuando la seal de entrada es composicin de dos
seales de distinta frecuencia. En ste caso, aparecern, adems de los armnicos que ya aparecan, un
armnico con una frecuencia que es la diferencia de las dos frecuencias de las seales originales, y otro
cuya frecuencia es la suma.
TRANSISTOR BIPOLAR
Etapas Amplificadoras de seales dbiles

Sabemos que las curvas caractersticas de los transistores presentan alinealidad, lo que implica una distorsin en la
amplificacin de una seal. A pesar de eso, si la seal introducida en l es pequea, podemos considerar con
bastante aproximacin que el dispositivo es lineal, lo que nos permite aplicar todas las leyes de la teora de circuitos
al anlisis del mismo.
sta aproximacin nos permite representar los efectos del transistor mediante elementos lineales considerando al
mismo como un cuadripolo. Dependiendo de la situacin en la que el transistor trabaja, ser considerada la validez
de cada modelo.

Cuando estamos trabajando con seales de audio, se pueden despreciar los efectos reactivos, constituyendo
un modelo basado en elementos resistivos y generadores. ste modelo es el de parmetros hbridos y las
ecuaciones que lo representan, junto con el modelo circuital, son los siguientes:

vbe = hie .ib + hre .vce


ic = h fe .ib + hoe .vce

donde los parmetros se definen como:


vbe
hie = Impedancia de entrada con salida en cortocircuito
ib vce = 0

vbe
hre = Transferencia inversa de tensin con entrada abierta
vce ib = 0

ic
h fe = Ganancia de corriente con salida en cortocircuito
ib vce = 0

ic
hoe = Admitancia de salida con entrada abierta
vce ib = 0

Los parmetros hbridos son dados por el fabricante para una situacin de corriente de reposo, temperatura
y rango de frecuencias dados. Para otros valores de stas magnitudes, el modelo pierde validez, porque los
parmetros hbridos son funciones de la corriente de reposo, temperatura y frecuencia.

La validez del modelo hbrido se limita a frecuencias de audio.

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Como la respuesta del transistor es funcin de la frecuencia, debemos suponer que el modelo a utilizar
tenga elementos reactivos en su interior. Para representar esta situacin es que existe el modelo de
Giacoletto o modelo , que es figurativo de las caractersticas fsicas del transistor. El circuito que lo
define es el siguiente:

Los parmetros son los siguientes:


rbb Resistencia de difusin de base: Se debe a la corriente mayoritaria que atraviesa la base del
transistor, que produce una cada de tensin en el semiconductor.
re Resistencia de base: Es la resistencia dinmica del diodo configurado entre base y emisor.
Ce Capacidad de difusin: Es la capacidad de difusin del diodo polarizado en directo de la juntura
base-emisor.
r Resistencia base-colector: Es la resistencia del diodo en inverso configurado entre base y
colector. Se debe al efecto Early. Es un valor alto.
C Capacidad base-colector: Es la capacidad de transicin de la juntura base-colector, que est
polarizada en inverso.
ro Resistencia de salida: Compensa las variaciones de la resistencia de entrada debidas al efecto
Early, ya que la corriente de colector no vara con el mismo.
Co Capacidad de salida: Es la capacidad que se presenta entre colector y emisor. No se tiene en
cuenta por ser un valor muy pequeo.
gm Transconductancia del transistor: Depende de la corriente de reposo.

Podemos conocer el valor de la transconductancia con la siguiente frmula:


IC
gm =
VT
/*Estudiar demostracin*/
donde VT = 26mV es la tensin trmica.

Capacidades del modelo de Giacoletto:


C e se determina midiendo la frecuencia f T a la que la ganancia de corriente en cortocircuito en Emisor
Comn es igual a 1. La frmula para calcularla es:
gm
Ce
2. . f T

Es posible medir C con un puente normal de capacitancia, con el Emisor abierto.

Tambin podemos obtener la suma de ambas capacidades como:

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1
C = Ce + C =
2. . f .re
donde f es la frecuencia de corte del transistor (a la cual la h fe cae al 70% de su valor).
/*Estudiar las demostraciones*/

Los dems valores no pueden obtenerse por medicin directa, por lo que deben encontrarse en relacin con
parmetros medibles.

Los parmetros de ste modelo son constantes con la frecuencia, varan con el punto de reposo y se
suponen constantes para un determinado valor de ste cuando la seal es pequea.
!
Si ignoramos los efectos capacitivos, podemos establecer relaciones entre ambos modelos. stas son:

h fe re h fe 1
re hie o re r = = ro
gm hre hre .g m hoe
/*Estudiar las demostraciones*/
" #
Polarizar un transistor es establecer la ubicacin del punto de reposo. sta ubicacin depende nicamente del
circuito de entrada, y no del de salida.
Dependiendo de la configuracin de las resistencias, es el parmetro que determinar principalmente ese punto.
Sobre la base de ello, existen diversos tipos de polarizacin.
La seleccin del punto de reposo depende de:
Carga esttica y dinmica
Fuente de alimentacin
Valores lmite del transistor
Valor pico de la seal de entrada
Distorsin permisible.
" # $

Como vemos, el parmetro que determina


el punto de trabajo es la corriente de
base constante.
La principal desventaja de ste circuito es
que si cambiamos el transistor, cambiarn
las condiciones de reposo, por lo que el
circuito presentar un comportamiento
distinto en condiciones dinmicas.
La principal ventaja es que el circuito
presenta muy buena ganancia de potencia,
debido a la poca cantidad de elementos
resistivos en el mismo.

" # %

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Como vemos, el parmetro que determina el


punto de trabajo es la tensin de trabajo
del transistor, porque ese valor es el que
determina la corriente de base. Por ello
tambin llamamos a sta polarizacin con
realimentacin de tensin.

Cuantitativamente, podemos obtener la


ecuacin para la corriente de colector:
.(VCC VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + ).RC

Una ventaja que se presenta es que se hace


ms estable el punto de reposo. Esto se ve en
la siguiente tabla:

Variable Situacin 1 ( ) Situacin 2 ( )


Corriente de colector I CQ I CQ
Tensin sobre RC V RC V RC
Tensin colector-emisor VCE VCE
Tensin colector-base VCB VCB
Corriente de base IB IB
Corriente de colector I CQ I CQ
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan luego con la
consiguiente variacin inversa. La pregunta es: cmo hacemos para minimizar la dependencia de la
corriente de colector con el del transistor? Para hacerlo, deberamos hacer que:
VCC V BEQ
R B << (1 + ).RC I CQ
RC
Pero sta condicin no es posible en la prctica, porque con una R B muy chica, la ganancia de la etapa
tiende a 1; y con una RC muy grande, la potencia que debe proveer la fuente de alimentacin debe ser
alta. No obstante esto, la condicin que ms se aplica si es necesario es la segunda.
" #

Como vemos, el parmetro que determina el punto


de trabajo es la corriente de emisor, porque ese
valor es el que determina la corriente de base. Por
ello tambin llamamos a sta polarizacin con
realimentacin de corriente.

Cuantitativamente, podemos obtener la ecuacin


para la corriente de colector:
.(VCC VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + ).R E

Una ventaja que se presenta es que se hace ms


estable el punto de reposo. Esto se ve en la
siguiente tabla:

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Variable Situacin 1 ( ) Situacin 2 ( )


Corriente de colector I CQ I CQ
Corriente de emisor IE IE
Tensin sobre RE V RE V RE
Tensin sobre RB V RB V RB
Corriente de base IB IB
Corriente de colector I CQ I CQ
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan luego con la
consiguiente variacin inversa.
Anlogamente al caso anterior, podemos minimizar la dependencia de la corriente de colector con el beta
del transistor haciendo:
VCC V BEQ
RB << (1 + ).RE I CQ
RE
Vemos que no podemos tomar que R B sea muy chica, porque la corriente de base sera muy grande. La
opcin ms factible es hacer R E grande, pero con ello veremos que se pierde ganancia y rendimiento. Un
buen criterio sera tomar:
(1 + ).RE
RB =
10
con lo que aceptamos un 10% de tolerancia.
" #
El circuito es el siguiente:

Como vemos en el circuito, la tensin en la resistencia R B 2 es fija, por lo que fijamos el punto de trabajo
a travs de la relacin entre las dos resistencias de base.

La ventaja que presenta es que es el circuito que hace ms estable el punto de reposo. Esto se ve en la
siguiente tabla:

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Variable Situacin 1 ( ) Situacin 2 ( )


Corriente de colector I CQ I CQ
Corriente de emisor IE IE
Tensin sobre RE V RE V RE
Tensin base-emisor V BE V BE
Corriente de base IB IB
Corriente de colector I CQ I CQ
Observamos que las primeras variaciones de la corriente de colector se compensan instantneamente con la
consiguiente variacin inversa.
Cuantitativamente, podemos obtener la ecuacin para la corriente de colector:
.(VBB VBEQ )
I CQ =
R B + (1 + ).R E
donde :
VCC .RB 2 RB1 .RB 2
VBB = RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2
Igual que en el caso anterior, podemos minimizar la dependencia del transistor haciendo:
V BB V BEQ
RB << (1 + ).RE I CQ
RE
Vemos que no podemos tomar que R B sea muy chica, porque para ello, la tensin VBB tambin lo sera.
La opcin ms factible es hacer R E grande, pero al igual que en el caso anterior, se pierde ganancia y
rendimiento. Un buen criterio es tomar:
(1 + ).RE
RB =
10
con lo que aceptamos un 10% de tolerancia.
& ' ( '
Para la situacin esttica y dinmica, las cargas
que se ven son distintas. Analicemos el circuito
de la figura que ejemplifica completamente la
situacin.
El caso que analizbamos hasta ahora en todas las
configuraciones, es el caso esttico, con una
RL = . Ahora, suponiendo que RL ,
veremos que la carga que ve el circuito en
condiciones estticas es distinta a la que ve en
condiciones dinmicas, debido a que los
capacitores C o y C E es un cortocircuito para la
seal y un circuito abierto para la corriente
constante.

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Haciendo el anlisis de polarizacin de la etapa, podemos ver que la pendiente de la recta de carga esttica, es:
1 1
=
Rdc RC + R E
Entonces definimos que la carga que ve el circuito en condiciones estticas es:
Rdc = RC + R E
/*Estudiar demostracin*/

Viendo ahora las condiciones dinmicas, en el grfico podemos observar que la seal recorre la recta dinmica,
cuya pendiente es mayor. Dicha pendiente tiene un valor de:
1 1 1
= =
Rac RC // R L R L
con lo que la ecuacin de la recta dinmica es:
1
(i C I CQ ) = (vCE VCEQ )
Rac
Entonces decimos que la carga que ve el circuito en condiciones dinmicas es:
Rac = RC // R L = R L
/*Estudiar demostracin*/

Podemos sacar de aqu una conclusin bastante importante:


La mxima corriente pico de seal que se puede obtener en el circuito de colector es igual al valor de la
corriente de reposo de la etapa. Esto se cumple en todos los amplificadores clase A.
icp max = I CQ (clase A)

Establecemos entonces una condicin de diseo que ser utilizada posteriormente: Para obtener la mxima
excursin de seal en un amplificador, la corriente de reposo debe ser:
VCC VCEsat
I CQ =
Rdc + Rac
/*Estudiar demostracin*/

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La mxima excursin pico a pico de tensin en la salida ser de:


vce max = 2.I CQ .(Rac )
/*Estudiar demostracin*/
'
Realizaremos el clculo de los parmetros para la forma ms general de cada configuracin del transistor,
utilizando el modelo hbrido aproximado, para poder tener una idea cuantitativa aproximada de los valores de
dichos parmetros
) *

Impedancia de Entrada:
Z i = hie Z is = Rs + (RB // hie )
Ganancia de Corriente:
RB RC RC
Ai = h fe Ais = h fe h fe
RB + hie RC + RL RC + RL
Ganancia de Tensin:
h fe .R L h fe .R L .R B h fe .R L
Av = Avs =
hie (RB + hie ).Rs + RB .hie Rs + hie
Impedancia de Salida:
Z o = Z o = R L
/*Estudiar demostraciones*/

Impedancia de Entrada:
Z i = hie + (h fe + 1).R E h fe .R E Z is = R s + (R B // Z i )
Ganancia de Corriente:
RB RC RC
Ai = h fe Ais = h fe h fe
RB + hie RC + RL RC + RL
Ganancia de Tensin:
RL R (RB // Z i )
Av = h fe L Avs = Av
Zi RE Rs + (RB // Z i )
Impedancia de Salida:
Z o = Z o = R L
/*Estudiar demostraciones*/
(
Impedancia de Entrada:
hie
Zi =
h fe .RC Z is = Rs + Z i
1+
RF
h fe .R F RF
Ganancia de Corriente: Ai =
R F + h fe .RC RC
Ganancia de Tensin:
h fe .RC Zi
Av = Avs = Av .
hie Rs + Z i
Impedancia de Salida: Z o = RC // R F
/*Estudiar demostraciones*/

! !
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*
)
Impedancia de Entrada:
Z i = hie + (h fe + 1).(R E // R L ) Z is = Rs + (R B // Z i )
Ganancia de Corriente:

Ai = (h fe + 1) Ais = (h fe + 1)
RB RE
RB + Z i RE + RL
Ganancia de Tensin:
(RB // Z i )
Av = 1 Avs =
Rs + (RB // Z i )
Impedancia de Salida:
Z o = (Rs // R B ) + hie Z o = [(Rs // R B ) + hie ] // RE // R L
/*Estudiar demostraciones*/
*
Impedancia de Entrada:
Z i = hib Z is = R s + (RE // hib )
Ganancia de Corriente:
RE RC
Ai = h fb = Ais = h fb
RE + hib RC + RL
Ganancia de Tensin:
RL RL (RE // hib )
Av = h fb Avs = Av
hib hib Rs + (RE // hib )
Impedancia de Salida:
Z o = Z o = R L
/*Estudiar demostraciones*/
Etapas Amplificadoras de seales fuertes

Un amplificador se compone de varias etapas pre-amplificadoras y una etapa de potencia. El propsito de sta
ltima es proporcionar una tensin de salida con la mxima excursin simtrica sin distorsin a una carga de baja
resistencia. Para obtener potencia en la carga se requiere una alta ganancia de corriente.

La tensin en la carga se puede incrementar


utilizando un inductor en vez de un resistor
en el circuito de colector, como se muestra
en la figura.
El inductor se selecciona para que sea un
circuito abierto para la frecuencia de la seal
de entrada, pero un cortocircuito para la
componente de continua. En otras palabras:
.L >> RL Rbob << R E
En ste caso:
Rac = R L y Rdc = RE + Rbob

!
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Queremos averiguar el punto de trabajo. Si despreciamos Rbob y VCEsat , el clculo ser:


VCC
I CQ =
RL + RE
/*Estudiar demostracin*/
Estableciendo las ecuaciones de las rectas de carga esttica y dinmica:
1
(i c I CQ ) = (vce VCEQ )
RL
VCC = VCEQ + I CQ (R E )

se puede demostrar que:


vce ic = 0
2.VCC y VCEQ VCC
/*Estudiar demostracin*/
Esto se ve claramente en la figura:
Utilizar un inductor, que almacena
energa, produce una excursin en
tensin que efectivamente equivale a
duplicar la fuente de alimentacin.
El rendimiento de stos
amplificadores, como se ver ms
adelante, es idealmente del 50%. La
ecuacin que lo relaciona con los
elementos resistivos es:
RL
= 50%
RE + RL
/*Estudiar demostracin*/
En la prctica, el rendimiento mximo
es:
max 33%

Recordemos las ecuaciones importantes


que representan a un transformador ideal:
N1
n=
N2
v1 = n.v2
i
i1 = 2
n
Z refl = n 2 .Z 2
Utilizaremos un transformador, y su
propiedad de reflejar impedancias en
alterna, para acoplar la carga al circuito de
colector, y lograr una mayor excursin de
seal. El diagrama representa sta
configuracin.
Vemos que podemos a travs de ste circuito acoplar una carga de baja impedancia al transistor por medio
de un transformador que tiene n vueltas en el primario por cada vuelta del secundario. Como la seal ve

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una impedancia mayor, a la misma corriente en el colector, ste circuito produce mayor tensin en la
carga. El anlisis es el mismo que para acoplamiento por inductor, slo que se debe reemplazar la R L
anterior por la Z refl = n 2 .R L de ahora en los clculos de alterna. Esto es:
Rac = n 2 .R L y Rdc = R E
El rendimiento es el mismo que en el caso anterior, y la ecuacin que lo determina es:
Z refl
= 50%
RE + Z refl
/*Estudiar demostracin*/
En estos amplificadores, la relacin de vueltas del transformador se obtiene una vez averiguada la Z refl
necesaria de la siguiente manera:
N1 Z refl
n= =
N2 RL
Siempre, para clase A, ste valor se trata de elegir o que se tienda a estar:
1< n < 2
(
Los transistores usados en las etapas de seales fuertes, como deben manejar corrientes y tensiones grandes, tienen
un ancho de base mayor, para que no se destruyan por efecto Early, lo que provoca que haya ms recombinacin en
sta zona y el beta ya no sea tan grande. Por este mismo efecto las curvas de salida tienden a juntarse para los
valores altos de la corriente de colector. Tambin vemos que el beta primero aumenta con la corriente de colector y
luego de cierto valor disminuye. Esto tiene un efecto que no se presentaba hasta ahora, y que es indeseado: la
distorsin de amplitud. Vemos en la siguiente figura que si introducimos una corriente de base senoidal, la corriente
de colector no ser senoidal.

Para solucionar ste inconveniente, imaginemos que podemos excitar al transistor con una corriente de base como
muestra la figura:

Nuestro problema ahora es ver cmo obtenemos una corriente de esa manera.
)+
Un generador de seal puesto en la entrada de una etapa de transistor, ve el siguiente circuito:

!
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Si R s >> hie la corriente de base se considera constante y


aproximadamente igual a
Vs
Ib =
Rs

Se dice entonces que el circuito est excitado por corriente. Esto nos produce el problema visto
anteriormente.
Caso contrario, si R s << hie , la tensin Vbe se considera constante y aproximadamente igual a Vs . Se
dice que el circuito est excitado por tensin. Entonces Vbe es senoidal, pero como hie no es lineal, sino
que presenta la alinealidad propia del transistor, la corriente de base tendr la forma que deseamos.
La condicin entonces ser que:
R s << hie
Si dibujamos la recta que representa al circuito de entrada cuando le aplicamos una seal Vs , como se
observa en la figura, vemos que quedan determinadas las siguientes ecuaciones:

Vs min = Vbe min + I b min .Rs


VBB = VBEQ + I BQ .Rs
Vs max = Vbe max + I b max .Rs

Disipacin de potencia
'
La potencia promedio consumida o producida por cualquier componente activo o pasivo, lineal o alineal, es:
1
I (t ).V (t ).dt
T
P=
T 0

Donde I (t ) y V (t ) representan a la seal completa, es decir, la parte continua superpuesta con la alterna.
Para nuestros fines suponemos que la seal es una senoidal pura.
Caso sin R L :
En un circuito bien general de amplificador clase A en Emisor Comn, la corriente de reposo, suponiendo que el
punto de trabajo est ubicado en el centro de la recta de carga, es:
VCC
I CQ =
2.(RC + RE )
/*Estudiar demostracin*/

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Caso con R L :
En un circuito bien general de amplificador clase A en Emisor Comn, con resistencia de carga y resistencia de
Emisor sin desacoplar, la corriente de reposo es:
VCC VCEsat VCC
I CQ =
RL + RC + 2.RE RL + RC + 2.RE
/*Estudiar demostracin*/
"
Caso sin R L :
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC .RC
PL =
8.(RC + R E )
2

/*Estudiar demostracin*/
Caso con R L :
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
RC VCC VCEsat
.R L
RC + RL RL + RC + 2.RE
PL =
2
/*Estudiar demostracin*/
"
Sabemos que la potencia que entrega la fuente es, despreciando la corriente que circula por el circuito de
base:
PCC = I CQ .VCC
Caso sin R L :
Reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC
PCC =
2.(RC + R E )
Caso con R L :
Reemplazando la corriente de reposo, obtenemos:
2
VCC
PCC
RL + RC + 2.RE
"
Resolviendo la integral y reemplazando la corriente y la tensin por sus expresiones , obtenemos:
.(RC + RE )
2
I
.(RC + RE ) max
2
PC = I CQ .VCC I CQ
2
/*Estudiar demostracin*/
Analicemos la ecuacin anterior:
El primer trmino representa la potencia suministrada por la fuente.
El segundo trmino es la potencia continua que disipan las resistencias del circuito de colector.
El tercer trmino es la potencia de seal que disipan esas mismas resistencias.

Se puede observar que la mxima potencia es disipada en reposo, por lo que el ltimo trmino desaparece
y nos queda que:
PC max = PCC I CQ .(RC + RE )
2

Vamos a postular como condicin de diseo, para tomar un margen de seguridad, que la potencia mxima
que disipa el transistor es la potencia de la fuente:

!
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PC max = PCC
&
Se define el rendimiento de un circuito al cociente entre la potencia de seal entregada a la carga y la
potencia suministrada por la fuente de alimentacin:
PL
= .100%
PCC
Caso sin R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
25%
=
RE
1+
RC
/*Estudiar demostracin*/
Vemos que:
Si R E = 0 , el rendimiento es el mximo para sta configuracin, y es del 25%.
Si R E = RC , el rendimiento decae a la mitad de su mximo, es decir al 12,5%
Si R E aumenta, aumenta la estabilidad del circuito, pero decae el rendimiento y por lo tanto, la
cantidad de potencia que puedo suministrar a la carga.

Caso con R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
2
RL .RC
= .100%
2.(RC + RL ) .[RL + RC + 2.RE ]
2

/*Estudiar demostracin*/
Vemos que si RE = 0 , el rendimiento es el mximo para sta configuracin se da para RL = RC , y es
del 8,33%.
, -
Se define el factor de mrito o calidad de un circuito al cociente entre la potencia disipada por l y la
potencia til entregada a la carga:
PC
fC =
PL
Caso sin R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
RE
f C = 4. 1 +
RC
/*Estudiar demostracin*/
La frmula anterior nos dice que cuando el rendimiento es mximo, estamos disipando 4 veces ms
potencia que la entregada a la carga.

Caso con R L :
Para el circuito analizado, obtenemos:
2.(RC + RL ) .[RL + RC + 2.RE ]
2

fC = 2
RL .RC
/*Estudiar demostracin*/
La frmula anterior nos dice que cuando el rendimiento es mximo, estamos disipando 12 veces ms
potencia que la entregada a la carga.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Cuando un transistor maneja grandes potencias, por ley de Joule, sta produce calor. ste calor generado produce
un aumento de la temperatura de juntura, lo que provoca un aumento de I CBO y a su vez de I C . Al aumentar la
corriente de colector, aumenta la potencia disipada y vuelve a comenzar el ciclo. Si ste calor no es evacuado, el
ciclo sigue hasta superar la temperatura mxima y el transistor se destruye.
La juntura que disipa ms potencia es la de colector-base pero, como margen de seguridad se toma para el clculo
la tensin entre colector y emisor, siendo la potencia que disipa el transistor la siguiente:
PC = I C .VCE
Como necesitamos evacuar el calor de la juntura, es preciso entender cmo se propaga el mismo y las formas en las
que lo hace. El calor se propaga siempre desde un cuerpo con mayor temperatura hacia otro con menor, y ste
intercambio termina cuando ambos cuerpos quedan en equilibrio trmico. Dos cuerpos a distintas temperaturas
intercambian tanto ms calor cuanto mayor sea la diferencia de temperatura entre ellos. Mientras mayor sea el
volumen del cuerpo que genera calor respecto al que lo recibe, mayor ser la transferencia del mismo. Las formas
de propagacin son:
Conduccin: propagacin en el interior de un cuerpo slido, o entre dos puestos en contacto entre s.
Conveccin: propagacin en el seno de un fluido (lquido o gaseoso), producida por el desplazamiento de
la materia que por tener distinta temperatura presenta distintas densidades.
Radiacin: intercambio de calor entre dos cuerpos slidos situados a una cierta distancia, teniendo o no
materia el espacio que los separa.
De lo expuesto anteriormente, deducimos que para que el transistor pueda manejar mayor potencia, es necesario
que aumentemos su volumen para que evacue ms rpido el calor. Esto se logra por medio de los disipadores de
calor.
& -
Definimos como resistencia trmica a la oposicin de un cuerpo a transferir calor de un medio al otro.
Entre la juntura del transistor y el ambiente existir una cierta resistencia trmica ja que representa la
oposicin del sistema a la propagacin del calor generado. Si esa resistencia no es lo suficientemente baja
para una determinada potencia de disipacin, ocurre tarde o temprano la destruccin del dispositivo. Para
evitar esto, debemos reducir de alguna manera la misma.
Podemos subdividir sta resistencia en dos: jc (resistencia trmica entre juntura y carcaza) y ca
(resistencia trmica entre la carcaza y el ambiente). La primera no se puede modificar a voluntad, viene
especificada en el manual del transistor. La que debemos modificar es la segunda. Para ello colocamos un
paso intermedio, que es el disipador de calor. Con ello dividimos la resistencia trmica en dos: cd
(resistencia trmica entre carcaza y disipador) y da (resistencia trmica entre el disipador y el ambiente).
Ambas pueden ser modificadas segn la eleccin del disipador y la colocacin del transistor en el mismo.
) - -
Podemos asimilar la propagacin del calor mediante un equivalente elctrico:

Podemos establecer una ley de Ohm para ste circuito que sera:
T j Ta = PC . ja = PC .( jc + cd + da )

De aqu podemos inferir que la unidad de la resistencia trmica es [] = C


W
'
Antes de calcular nada, debemos obtener o elegir ciertos datos:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Potencia disipada por el transistor ( PC ): Potencia que disipa el transistor en un circuito


determinado. Depende del tipo de circuito.
Potencia mxima permitida ( PC max ): Potencia mxima que disipa el transistor con un disipador
de rea infinita y a 25C. ste valor es dado por el fabricante. El mximo de potencia que puedo
extraer de un transistor dado depende de la temperatura ambiente en la cual se encuentre. A
mayor temperatura ambiente, ms lenta es la propagacin, y por lo tanto menos potencia puedo
disipar. Esto se ve en la curva de degradacin respecto a la temperatura ambiente, que viene en el
manual de cada dispositivo.
Temperatura mxima de juntura ( T j max ): Temperatura mxima que puede alcanzar la juntura
sin destruirse. Est dada por el fabricante, y si ste no la proporcionara, se toma como 135C para
transistores de Silicio y 90C para transistores de Germanio.
Temperatura de juntura ( T j ): Es la temperatura efectiva que alcanzar la juntura. Depender
del modo en que refrigeremos al dispositivo y la potencia que le hagamos disipar. Existe un
mtodo prctico, que consiste en multiplicar la temperatura mxima por un coeficiente
dependiendo de ciertas condiciones:
T j = k .T j max
o k < 0,5 no es aconsejable por las dimensiones del disipador
o k = 0,5 si deseamos que el transistor permanezca poco caliente o va a estar dentro de
una carcaza con poca ventilacin. Esto aumentar el tamao del disipador.
o k = 0,6 si deseamos reducir el tamao del disipador sin preocuparnos que el dispositivo
se caliente.
o k = 0,7 si necesitamos extraer mucha potencia, a condicin de que el disipador est al
aire libre.
o k > 0,7 no es aconsejable por el peligro de alcanzar por alguna falla la temperatura
mxima de juntura.
Resistencia trmica juntura-ambiente ( ja ): Viene dada por el fabricante o est tabulada,
dependiendo del tipo de carcaza.
Resistencia trmica juntura-carcaza ( jc ): ste valor viene dado por lo general en los
manuales. En el caso de no obtener este dato, se puede calcular como:
T j max 25 C
jc =
PC max
Resistencia trmica carcaza-disipador ( cd ): Est tabulada para las distintas carcazas
dependiendo de dos factores: el uso o no de mica para aislar el colector del disipador, y el uso de
grasa siliconada. El primer caso aumenta la resistencia trmica, pero permite un aislamiento
elctrico necesario en algunos casos. El segundo caso disminuye la misma debido a que rellena
las porosidades de ambos materiales, permitiendo mayor traspaso de calor entre ellos.

Ahora debemos hacer los clculos pertinentes para hallar el disipador necesario.
La resistencia trmica entre juntura y ambiente mxima para que no se destruya el transistor puede
calcularse mediante la frmula:
T j Ta
janec =
PC
Si el dato del fabricante es menor que ste, podemos usar el transistor sin necesidad de colocar un
disipador de calor, procurando solamente que la temperatura ambiente no se modifique.
Si no ocurriera lo anterior, debemos calcular la resistencia trmica entre el disipador y el ambiente
necesaria. Esto se realiza con la siguiente frmula:
T j Ta
da = ( jc + cd )
PC
es decir que la resistencia trmica necesaria entre juntura y ambiente, se compone de las otras tres. Por lo
tanto despejando obtenemos el valor mximo que tiene que tener el disipador para hacer funcionar al
dispositivo como queremos.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Los valores de resistencia trmica de los disipadores comerciales estn tabulados dependiendo de su
forma, tamao y color. Debemos elegir entre ellos el que tenga una resistencia igual o menor que la
calculada. Por supuesto que al elegir uno de menor resistencia, tendr un tamao y un costo mayor, por lo
que esto debe justificarse en el diseo.

Funcionamiento con aire forzado:


Si la resistencia trmica entre disipador y ambiente necesaria fuera demasiado pequea que requiriera un
disipador muy grande o no existente debemos tomar otras medidas para reducir ste parmetro eligiendo
uno de resistencia mayor. Esto se hace colocando un ventilador que haga circular el aire de manera
forzada por la superficie, permitiendo propagar ms calor ms rpidamente por conveccin, y por lo tanto
disminuyendo la resistencia trmica del disipador, en un coeficiente que depender de la cantidad de aire
por unidad de tiempo pueda desplazar el ventilador. ste coeficiente est tabulado, y disminuye a medida
que aumenta la cantidad de aire desplazado o la velocidad del ventilador.
El ventilador debe siempre estar situado para que el aire atraviese longitudinalmente la aleta, debe disponer
de orificios de donde extraer y sacar el aire y tiene que estar lo ms cerca posible del disipador, para que
todo el aire se concentre en l.
Estabilidad del punto de reposo
. /-
En un circuito con transistores, los factores que producen una variacin en el punto de reposo son los siguientes:
Amplia variacin del de un dispositivo a otro.
Variacin (aumento) de la I CBO con la temperatura.
Variacin (disminucin) de V BE con la temperatura.
Variaciones de la tensin de alimentacin (mala regulacin).
Variacin de las resistencias del circuito debido a su tolerancia y efectos de la temperatura.
Las variaciones ms significativas son las variaciones trmicas, porque pueden, dadas ciertas condiciones, provocar
la destruccin del dispositivo. Llamamos inestabilidad trmica al conjunto de variaciones en el punto de reposo,
debidas a distintos parmetros, que dependen de la temperatura.
& .
Si recordamos la ecuacin que describe de manera exacta la corriente de colector en un transistor, vemos
que es:
I C = .I B + ( + 1).I CBO
Donde I CBO es la corriente inversa de saturacin de la juntura colector-base. Se ve claramente que si vara
sta corriente, variar tambin la corriente de colector, produciendo un desplazamiento del punto de
reposo.
La ecuacin matemtica que describe de forma aproximada la dependencia trmica de sta corriente es:
T Tref

I CBO (T ) = I CBO (Tref ).2 10

Donde I CBO (Tref ) es la corriente evaluada a una temperatura de referencia. Vemos claramente que la
corriente inversa de saturacin se duplica por cada 10C de aumento de la temperatura. sta variacin
tiene ms importancia en los transistores de Germanio que en los de Silicio.
& / %)
En cualquier configuracin de transistor, la tensin base-emisor est directamente relacionada con la
corriente de colector, de tal manera que si la primera vara, variar tambin la segunda.
La variacin de V BE con la temperatura se puede expresar mediante la siguiente ecuacin:
mV
VBE (T ) = 2,2 (T Tref ) + VBE (Tref )
C
Esto nos indica que por cada grado de aumento de temperatura, la tensin base-emisor cae 2,2mV. Si sta
tensin cae y tenemos una tensin constante en la base, el voltaje en el emisor aumentar, aumentando con
ello la corriente de colector y nuevamente la temperatura.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

&

No existe un vnculo matemtico entre el beta


del transistor y la temperatura, pero existen
grficas que lo relacionan con la corriente de
colector, la cual vara con la temperatura, por
lo que en ese puente encontramos la
variacin buscada. Vemos en el grfico que
existe una zona en que el beta aumenta y otra
en donde disminuye.

Para hacer estable a un circuito debo disminuir al mnimo el efecto de los distintos parmetros que hacen
que mis condiciones cambien. Existen dos tcnicas: estabilizacin y compensacin. Dejaremos el
tratamiento de la segunda para ms adelante.
La tcnica de estabilizacin utiliza circuitos de polarizacin resistivos que permiten que vare la corriente
de base, manteniendo la corriente de colector constante, respecto a las variaciones de I CBO , VBE , ,
VCC , etc. Cada uno produce un efecto independiente de los otros sobre la corriente de colector, por lo que
podemos escribir:
S S S S

dI C I C I CBO I VBE I C I VCC


= + C + + C +
dT I CBO = ctte
VBE = ctte
T VBE I CBO = ctte
= ctte
T I CBO = ctte
VBE = ctte
T VCC I CBO = ctte
VBE = ctte
T
VCC = ctte VCC = ctte VCC = ctte = ctte

donde S , S , S y S son los llamados factores de inestabilidad, pues mientras ms grande es su


valor, ms inestable es el sistema, porque ms vara la corriente de colector respecto a esos parmetros.
!
Expresando la frmula anterior en funcin de los factores de inestabilidad, reemplazando las derivadas
parciales respecto a la temperatura por cocientes incrementales y despejando la variacin de temperatura,
podemos encontrar la variacin total de la corriente de colector como:
I C = S .I CBO + S .VBE + S . + S .VCC
Aqu vemos que para que no exista variacin de la corriente de colector o sta sea mnima, I C debe
tender a cero, por lo que todos los trminos deben hacerlo. Los incrementos en cada parmetro no son
nulos, de hecho existen. Concluimos que para que el sistema sea lo ms estable posible, los factores de
inestabilidad deben ser lo ms pequeos posibles (es imposible que sean nulos).
'
" # $
I C 2 I C1
S = 1+ S = S = S =
RB 2 1 RB
/*Estudiar las demostraciones*/
" # %
1+
S= I C1 (RB + RC )
. RC S = S = S =
1+ RB + (1 + ).RC 1 [RB + (1 + 2 )RC ] R B + (1 + ).RC
R B + RC
/*Estudiar las demostraciones*/

! !
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Vemos que el circuito es ms estable mientras RC >> R B , pero esto en la prctica no es posible.
De todas maneras la estabilidad es buena para RC = R B , ya que los factores se reducen a la
mitad de los de polarizacin fija.
" #
1+
S= I C1 .S 2
.R E S = S = S =
1+ RB + (1 + ).R E 1 .(1 + 2 ) R B + (1 + ).R E
RB + R E
/*Estudiar las demostraciones*/
S2 es el factor de estabilidad S calculado con = 2 .
Vemos que el circuito es ms estable mientras R E >> R B , pero esto en la prctica reduce el
rendimiento de potencia.
Tambin se nota que el circuito es muy estable frente a variaciones de la corriente inversa de
saturacin y al beta, pero no es tan estable frente a variaciones de la tensin base-emisor.
! -
El punto de reposo puede variar tambin debido a la dispersin en las resistencias y la mala regulacin de
la fuente de alimentacin.
) -
La disipacin de la mxima potencia permitida para
un transistor se especifica a 25C de temperatura
ambiente (cpsula del transistor). Como
consecuencia de la potencia disipada en la juntura, la
temperatura de sta aumenta. Esto a su vez produce
un aumento de la corriente de colector, lo que
implica un aumento de la potencia disipada. Si ste
fenmeno, denominado escape trmico, contina, el
transistor se puede destruir.
Vemos en la figura la curva de degradacin de la
potencia del transistor respecto a la temperatura de la
juntura. Se observa que para temperaturas mayores
que la de ambiente, la juntura no puede disipar la
mxima potencia, sino que sta es menor y
disminuye en relacin a la resistencia trmica entre
juntura y ambiente.
Para obtener la mayor eficacia, debemos encontrar
el punto en el cual la hiprbola de potencia mxima
y la recta de carga esttica tengan la misma
pendiente.
Se puede demostrar que dicha interseccin se da
siempre para:
VCC
vce =
PD max
2
/*Estudiar demostracin*/
Si ubicramos el punto de trabajo en una tensin
menor, el calentamiento no traera problemas, pues
movera el punto hacia hiprbolas de menor
disipacin. El problema se da al ubicar el punto de
reposo en una tensin menor que VCC 2 , ya que
de por s estara ubicado en cierta hiprbola y al
calentarse se movera a hiprbolas de mayor
disipacin que la esperada.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

-
La condicin que debe cumplirse para evitar el escape trmico es que la velocidad a la que el calor es
generado en la juntura, debe ser menor o igual a la velocidad con que se puede disipar el mismo.
Matemticamente:
PC 1

T j ja
/*Estudiar desarrollo*/
Si aplicamos circuitalmente ste concepto, encontraremos que para un circuito de transistores en general,
se obtiene la siguiente ecuacin a satisfacer:
PC I V 1
. S . CBO + S . BE + S . +
I C T j T j T j ja
/*Estudiar desarrollo*/
Puesto que para un circuito en particular todas las derivadas de la ecuacin son conocidas (o por lo menos
de manera incremental), el diseador debe satisfacer sta ecuacin mediante la adecuada seleccin de los
factores de inestabilidad y la resistencia trmica entre juntura y ambiente, para evitar el escape trmico.

En la mayora de los casos prcticos, el efecto predominante es el de I CBO en transistores de Germanio, y


el de VBE en transistores de Silicio. Podemos entonces aproximar este anlisis para ambos casos por
separado:
Silicio:
PC mV 1
2,2 S
I C C ja
/*Estudiar demostracin*/
Germanio:
PC 1
I C
[ ]
0,07.I CBO (Tref ) S
ja
/*Estudiar demostracin*/
-
,
En las etapas de potencia, donde el rendimiento que queremos debe ser alto para poder transferir la mayor
cantidad de potencia a la carga, no conviene estabilizar la polarizacin mediante circuitos resistivos, pues
stos elementos disipan potencia extra que podra haberse transferido a la carga. Para lograr hacer estables
trmicamente stos circuitos, debemos compensar la polarizacin, es decir, introducir un elemento en el
circuito que cense las variaciones trmicas y las corrija sin disipar potencia apreciable.
Sabemos que en general, los transistores de Silicio son ms sensibles a las variaciones de la tensin base-
emisor, mientras que los de Germanio lo son a las fluctuaciones en la corriente inversa de saturacin entre
colector y base.

)
Podemos compensar las variaciones de la tensin base-emisor de un transistor de Silicio
colocando un diodo en el circuito de Emisor. Para que compense las variaciones, ste diodo debe
estar puesto en direccin opuesta a la juntura base-emisor del transistor. Para poder circular la
corriente de seal por l, debemos poner una fuente y una resistencia polarizndolo en directo, de
tal manera que la corriente de reposo se desviar por stos dos elementos encontrando la misma
cada de tensin que en el diodo (por estar stos en paralelo).Vemos sta configuracin en la
figura:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

La ecuacin de la corriente de colector es (sacada de la malla


de entrada y despreciando los efectos de I CBO ):
.[VBB (VBE Vo )]
IC =
RB + (1 + ).RE
Si derivamos dicha ecuacin respecto a la temperatura (y
considerando al beta constante con la misma), obtenemos lo
siguiente:
V BE Vo
.
I C T T
=
T R B + (1 + ).R E
Para que la corriente de colector no vare con la temperatura
se debe cumplir que la variacin trmica de la tensin base
emisor sea igual a la de la tensin del diodo.
Matemticamente:
V BE Vo
=
T T
Con lo que la corriente de colector ser:
.VBB
IC =
RB + (1 + ).RE
Si adems (1 + ).RE >> RB y >> 1 , entonces la
corriente de colector ser:
VBB
IC =
RE
pero esto ltimo no se cumple en etapas de potencia, porque
disminuye mucho el rendimiento.

Podemos compensar las variaciones de la tensin base-emisor de un transistor de


Silicio colocando un diodo en el circuito de Base. Consideraremos constante la
corriente I BB , ya que a fines prcticos lo es, debido a que R B es grande. La
configuracin es la que se ve en la figura.
Analizando:
I EQ
I BB = I D + I BQ I BB = I D +
+1
V B = V D + I D .R D = V BEQ + I EQ .R E
V D + I D .R D = V BEQ + I EQ .R E
Reemplazando una ecuacin en otra, llegamos a:
I BB .RD + (V D VBE )
I EQ = (1 + ).
RB + (1 + ).RE
Derivando respecto de la temperatura (y considerando al beta constante con la
misma) obtenemos:
V D V BE

I EQ T T
= (1 + ).
T R B + (1 + ).R E
Para que la corriente de emisor no vare con la temperatura se debe cumplir que
la variacin trmica de la tensin base emisor sea igual a la de la tensin del
diodo. Matemticamente:
V D V BE
=
T T

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Con lo que la corriente de emisor ser:

I EQ =
(1 + ).I BB .RD
RB + (1 + ).RE
Si adems (1 + ).RE >> RB , entonces la corriente de emisor ser:
I .R
I EQ = BB D
RE
pero esto ltimo no se cumple en etapas de potencia, porque disminuye mucho el rendimiento.

Podemos mejorar la compensacin utilizando dos diodos en el circuito


de base. La configuracin y su equivalente de Thvenin son los que
muestran las figuras.

La condicin de compensacin se cumple si:


RB = RD = R
y el circuito equivalente queda como se ve en la siguiente figura:

Aqu la corriente de emisor es:


VCC
+ VD VBE
I EQ = 2
R
+ (1 + ).RE
2
Para que la misma no vare con la temperatura se debe cumplir que la variacin trmica de la
tensin base emisor sea igual a la de la tensin del diodo. Matemticamente:
VD V BE
=
T T
R
Si adems (1 + ).RE >> , entonces la corriente de emisor ser:
2
VCC
I EQ =
2.(1 + ).RE
pero esto ltimo no se cumple en etapas de potencia, porque disminuye mucho el rendimiento.
/*Estudiar el desarrollo*/

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Veremos que la condicin de compensacin (igualdad de resistores) en la realidad no se cumple


siempre, porque generalmente la resistencia entre base y masa es menor que entre base y fuente.
Mientras ms me acerque a la condicin planteada, mejor se logra compensar el circuito.

Para compensar las variaciones de la corriente inversa de saturacin colector-


base en transistores de Germanio, donde su efecto es mayor, ponemos un diodo
de germanio en inverso entre la base y el emisor, como se muestra en la figura.
Si hacemos un anlisis detallado, vemos que:
VCC VBE VCC
I=
RB RB
IB = I ID
I C = .I B + (1 + ).I CBO
I C = .I .I D + (1 + ).I CBO
Si >> 1 , entonces: I C = .I + (I CBO I D )
Derivando respecto a la temperatura (y considerando al beta constante con la
misma):
I C I CBO I D
= .I +
T T T

Para que la corriente de colector no vare con la temperatura se debe cumplir


que la variacin trmica de la corriente inversa de saturacin colector-base
sea igual a la de la corriente inversa del diodo.
Matemticamente:
I CBO I D
=
T T
Con lo que queda:
I C = .I
0/ ( "/

T VBE R NTC V NTC T R NTC I NTC VE IB


I E = ctte I C = ctte

!
.a r
om
s.c
no
ia
TN
U

T VBE RPTC VPTC VB T RPTC VPTC IB


I E = ctte I C = ctte
Procedimientos de diseo

Para poder disear una etapa amplificadora clase A, conocemos o establecemos ciertos datos antes de disear:
Carga ( R L ): Debemos conocer qu valor tiene la impedancia de carga, que puede ser de un transductor o
la impedancia de entrada de otra etapa.
Ganancia de tensin ( Av ) y Tensin de Salida ( v o ): Sabemos qu tensin quiero en la salida y cul es
la tensin que ponemos en la entrada, por lo tanto sabemos la ganancia de tensin. En algunos casos, como
son las etapas intermedias, sabemos la tensin de salida, pues es la que debe excitar la etapa posterior, y
estimamos o establecemos una cierta ganancia, por lo tanto lo que se debe calcular es la tensin de entrada
necesaria.
Fuente de alimentacin ( VCC ): En ciertos casos conocemos ste valor, ya que podemos haber estado
diseando una etapa posterior y, por lo tanto, ya la hemos establecido. No es prctico disear un
amplificador con varias fuentes. Si no conociramos el dato, debemos elegirlo en funcin de la mxima
tensin de salida que queremos.
Rango de frecuencias de operacin: Debemos saber a qu frecuencias trabajar el amplificador, ya que
esto influye en el tipo de transistor a usar y en el clculo de la reactancia de los capacitores de
acoplamiento.
) " ) *
Podemos establecer ciertos pasos de diseo. Algunos pueden ser salteados si conociramos el dato que se quiere
obtener. stos pasos son:
1. ELECCIN DE RC : Teniendo en cuenta el teorema de la mxima transferencia de potencia, debemos
elegir RC lo ms parecida posible a la resistencia de carga, idealmente igual. Por ende:
RC = RL
2. SELECCIN DE I CQ : Teniendo en cuenta la tensin de salida, calculo qu corriente pico habr en la
carga:
vo
i L max =
RL
Como hemos seleccionado RC = RL la corriente total de colector pico ser el doble de la corriente pico
en la carga, esto es:
ic max = 2.i L max

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Sabemos que para obtener la mxima excursin de seal en el colector, la corriente de reposo debe ser
igual a la corriente pico de seal. Tomamos siempre un margen de un 20%, para evitar con seguridad que
no entremos ni en saturacin ni en corte. Esto es:
I CQ = 1,2.ic max
3. ELECCIN DE R E : Veremos que si hacemos cumplir las condiciones dinmicas de ganancia de
tensin, no obtendremos el punto de trabajo esttico esperado, o por lo menos eso es lo que pasa en la
mayora de los casos. Resolvemos ste problema dividiendo en dos la resistencia de emisor. Una parte ser
desacoplada con un capacitor, para que la seal no la vea. La figura al final de la seccin muestra cmo
quedar la configuracin.
Tendremos ahora entonces que redefinir las resistencias de carga dinmica y esttica:
Rdc = RC + RE1 + RE 2 Rac = RL + RE1 R E = R E1 + R E 2
El clculo de
RE1 se realiza a travs de la frmula de la ganancia de tensin, que en este caso es
aproximadamente Av R L R E1 . Entonces, despejando, obtenemos:
R
R E1 = L
Av
Ahora, debemos obtener la R E 2 que debe satisfacer las condiciones estticas. Por lo tanto, la despejamos
de la frmula del punto de reposo:
VCC VCEsat VCC VCEsat
I CQ = RE 2 = RL RC 2.RE1
RL + RC + 2.RE1 + RE 2 I CQ
En ste caso, puede darse la situacin queRE 2 < 0 , por lo tanto es imposible disear con las condiciones
establecidas. Si para solucionarlo aumentamos la ganancia para disminuir R E1 , caer I CQ y seguiremos
teniendo el mismo problema. Existen dos formas para solucionarlo: una es aumentando el valor de la
fuente de alimentacin hasta que R E 2 se vuelva mayor o igual que 0. Si queremos que sea igual a cero, la
reemplazo por ese valor en la frmula anterior y despejo VCC ; la otra forma es adaptando la carga
mediante un adaptador de impedancias a un valor menor, entonces disminuye la corriente de reposo.
Como debo sustituir los valores calculados de ambas resistencias por valores comerciales, deber
corroborar que se sigan cumpliendo las condiciones de diseo establecidas.
4. CLCULO DE VCEQ Y PC : Mediante la malla de salida que ya est constituida, calculo la tensin de
reposo entre colector y emisor de la siguiente manera:
VCEQ = VCC I CQ .Rdc
Luego calculo la potencia que disipa el transistor. Como vimos en la seccin dedicada a ese tema,
tomamos por seguridad el valor:
PC = PCC = VCC .I CQ
pero sabemos que en realidad es:
PC = I CQ .VCEQ
5. ELECCIN DEL TRANSISTOR: El transistor debe ser elegido teniendo en cuenta el rango de
frecuencias de operacin (audio, radiofrecuencias, etc.), el tipo de etapa que estamos diseando (de
pequea seal, de seales fuertes o de potencia) y los valores mximos de corriente y tensin o potencia
que hemos obtenido de los pasos anteriores.
6. DETERMINACIN DE R B : Para poder cumplir con la estabilidad del circuito polarizado por divisor
de tensin, tenamos una condicin:
1
RB (1 + min ).RE
10
Si tomamos un valor mayor de R B que el que establece esta condicin, haremos inestable al circuito. Si
tomamos uno demasiado menor, baja la ganancia de corriente, porque la seal se deriva a masa a travs de
sta. Concluimos que tomando el valor igual, estamos dentro de los valores de dispersin normales de los
componentes, por lo que es suficiente para que la estabilidad se cumpla. Entonces:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

1
RB = (1 + min ).RE
10
7. OBTENCIN DE V BB : Para determinar la tensin en la base, debemos primero calcular la corriente que
toma el transistor en la misma. sta es:
I CQ
I BQ =
tip
Como sabemos, I EQ I CQ , estableciendo la malla de entrada, obtenemos:
VBB = I BQ .RB + VBEQ + I CQ .RE
8. CLCULO DE RB1 Y RB 2 : Como sabemos el teorema de Thvenin nos dice que:
V .R R .R
VBB = CC B 2 RB = B1 B 2
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2
Podemos despejar de estas ecuaciones los valores desconocidos de ambas resistencias en funcin de
valores ahora conocidos. Las ecuaciones quedan de la siguiente manera:
VCC RB
RB1 = RB RB 2 =
VBB (1 VBB VCC )
Al elegir valores comerciales para ambas resistencias, nuevamente debemos verificar que se sigan
manteniendo las condiciones de reposo y los parmetros del diseo.
9. CLCULO DEL CAPACITOR DE EMISOR: Calcularemos dicho valor teniendo en cuenta que la
reactancia del mismo debe ser por lo menos 10 veces menor que la resistencia de emisor, para la menor
frecuencia de operacin. Suponiendo que estamos en audio:
10
CE =
40Hz. .RE 2
El amplificador finalmente queda de la siguiente manera.

) ,
El diseo de amplificadores de seales fuertes utiliza un mtodo grfico, por lo que es necesario contar con las
curvas caractersticas del transistor a usar. Los clculos para los valores de resistencia son los mismos que para el
caso de seales dbiles. Los pasos para el diseo de la excitacin por tensin son:
1. CONSTRUCCIN DE LA CURVA DE TRANSFERENCIA DINMICA: De las curvas de salida del
transistor y con la recta de carga dinmica se obtienen los valores necesarios para trazar la curva de

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

transferencia dinmica de la etapa. sta se obtiene tomando para cada valor de I b que intercepta la recta
de carga dinmica su correspondiente valor de I c , y luego se grafica.
2. TRANSFERENCIA HACIA LA ENTRADA: Con la ayuda de la curva de transferencia dinmica,
pasamos los correspondientes valores mximo, mnimo y de reposo del colector a la base del transistor.
Veremos all que stos valores no cumplirn la simetra.
3. OBTENCIN DE R s : Conociendo las ecuaciones planteadas anteriormente para las curvas de entrada
del transistor, y con la restriccin de que la tensin Vs es simtrica, por lo tanto:
Vs max VBB = VBB Vs min
podemos despejar la siguiente frmula para calcular Rs :
(Vbe max + Vbe min ) 2.VBEQ
Rs =
2.I BQ (I b max + I b min )
/*Estudiar demostracin*/
ste sera el valor ptimo de la resistencia del generador (o impedancia de salida de la etapa anterior),
para que la alinealidad del circuito de entrada compense a la alinealidad del circuito de salida.

4. ANLISIS Y ADAPTACIN A LAS CONDICIONES DE DISEO: Vemos que una vez calculado
Rs , ste puede ser negativo, cero o positivo.
a. Caso de Rs < 0 : Deber realizarse nuevamente el diseo, modificando alguna de las
condiciones, debido a la inexistencia de tal componente.
b. Caso de R s = 0 : Deber usarse el mnimo valor prctico posible.
c. Caso de Rs > 0 : sta puede o no ser coincidente con la resistencia del generador especificado:
i. Caso de Rs = Rgen : Aqu termina el diseo. Simplemente se utiliza el generador
considerado.
ii. Caso de R s > Rgen : Se deber conectar en serie con la resistencia del generador una
resistencia R x tal que Rs = Rgen + R x . La desventaja es que sta ocasiona una prdida
de potencia.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

iii. Caso de Rs < Rgen : Se deber conectar en paralelo una resistencia R x tal que
Rs = Rgen // R x . sta ocasiona una divisin de tensin.

) " /
Para poder implementar sta configuracin debemos tener como datos la resistencia de carga (generalmente de un
altavoz) y la potencia necesaria en esa carga. Los pasos a seguir son:
1. ESTABLECIMIENTO DE LA RELACIN DE TRANSFORMACIN: Debemos elegir una relacin
de transformacin que sea:
1 n 2
2. DETERMINACIN DE LA CORRIENTE DE REPOSO: Calculamos la corriente mxima en la carga
de la siguiente manera:
2
i L max 2.PL
PL = .R L i L max =
2 RL
Una vez encontrada la corriente mxima en la carga, hallamos la corriente de reposo como:
i L max
= ic max =
I CQ
n
Siempre tomamos un margen de seguridad de un 20% aproximadamente en sta eleccin para no entrar en
regin de saturacin o corte:

I CQ = 1,2.I CQ
3. DETERMINACIN DE LA RESISTENCIA DINMICA: Podemos determinar qu resistencia
dinmica debe ver el transistor en el colector para funcionar en ese punto de trabajo. Para ello hacemos:
Rac = Z refl = n 2 .RL
4. DETERMINACIN DEL PUNTO DE TRABAJO: Conocemos la corriente de reposo, debemos
determinar la tensin:
VCEQ = I CQ .Rac
5. ESTABLECIMIENTO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN: La determinamos con la siguiente
frmula:
PCC
VCC =
I CQ
6. DETERMINACIN DE LA RESISTENCIA ESTTICA: La resistencia esttica ser:
VCC VCEQ
VCC = VCEQ + I CQ .Rdc Rdc =
I CQ
Con lo que podemos calcular la resistencia de emisor como:
RE = Rdc Rbob
7. ELECCIN DEL TRANSISTOR: Sabemos que el rendimiento real mximo de ste tipo de
configuracin es del 33%, entonces la potencia que debe ser capaz de disipar el transistor es de:
PC max = PCC 3.PL
La corriente mxima que debe soportar es de:
I C max = 2.I CQ

! !
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Y la tensin mxima es aproximadamente:


VCE max 2.VCC
8. CIRCUITO DE BASE: Finalmente, con el hFE del transistor y las consideraciones de estabilidad y
rendimiento de la configuracin de polarizacin elegida (en este caso una polarizacin fija estabilizada por
emisor), obtenemos la resistencia de base como:
hFE .(VCC VBEQ I CQ .RE )
RB =
I CQ
En otros casos, como por ejemplo en polarizacin por divisor de tensin, reemplazo la VCC por VBB .
TRANSISTOR UNIPOLAR
(
Los transistores de efecto de campo presentan las siguientes ventajas y desventajas:
Ventajas Desventajas
Son dispositivos sensibles a la tensin con una muy Presentan una pobre respuesta en frecuencia debido a
alta impedancia de entrada la alta capacidad de entrada
Generan un nivel de ruido menor que los BJT Presentan gran distorsin armnica con seales que
Son ms estables con la temperatura no son pequeas
Se comportan como resistores variables controlados Se pueden daar al manejarlos, debido a la
por tensin para pequeos valores de la tensin de electricidad esttica
salida
Los FET de potencia suelen disipar una potencia
mayor y conmutar corrientes grandes
1,)/
Existen JFET de Canal n y de Canal p. Analizaremos todo para
el Canal n, siendo el otro de similar anlisis.
El FET de Juntura (JFET) tiene la composicin interna que
vemos en la imagen. Un canal de tipo n que conecta la fuente (S)
con el drenaje (D). La compuerta (G) controla el ancho de la
zona de transicin, y por ende, el del canal. Es importante aclarar
que por el terminal de compuerta no entra corriente (o es
despreciable), porque es una juntura polarizada en inverso,
entonces:
IG = 0
La ecuacin que describe la conductividad del canal es la
siguiente:
q. e . e .WT
G=
L
siendo q la carga del electrn, e la movilidad de los electrones, e su densidad, WT el ancho del canal
y L su longitud. El nico parmetro sobre el que tenemos control externo es el ancho del canal.
Siempre polarizamos la unin compuerta-fuente en inverso. La polaridad de la tensin a aplicar entre
drenaje y fuente es indistinta, aunque se suele utilizar el positivo en el drenaje.
2 ,)/

!
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mo
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no
ia
TN
U

El MOSFET de tipo Decremental tiene la estructura


que vemos en la figura. El canal viene construido
con el dispositivo, y la funcin que realiza el
potencial de la compuerta es disminuir su tamao. El
sustrato se conecta al terminal de la fuente (el de
menor potencial), para disminuir las corrientes de
prdida a su valor mnimo posible. Funciona de la
siguiente manera: cuando aplicamos una tensin
entre drenaje y fuente, la corriente pasa por la regin
n de la fuente, sigue por el canal, donde hay
portadores que permiten la conduccin, llega a la
zona n del drenaje y sale por ese terminal. Cuando
polarizamos ms negativa la compuerta que la
fuente, los electrones en el canal son repelidos por el
potencial negativo, y se recombinan con los huecos
del sustrato p, que son atrados por el mismo
potencial. Esa recombinacin implica una
disminucin en la cantidad de portadores en el canal,
y por lo tanto, una disminucin de la corriente que
circular por el mismo.
2 ,)/ .
El MOSFET de tipo Incremental tiene la estructura que
vemos en la figura. No existe un canal fabricado con el
dispositivo por el cual circule la corriente. La funcin de
la compuerta es inducir ese canal e incrementar su
tamao. El sustrato se conecta al terminal de la fuente (el
de menor potencial), para disminuir las corrientes de
prdida a su valor mnimo posible.
Se establecen potenciales V DS y VGS ambos positivos.
El potencial positivo en la compuerta repele a los huecos
del sustrato, y atrae a los electrones (minoritarios), que
inducirn un canal. A medida que VGS aumenta a
valores ms positivos, aumenta el tamao del canal,
porque se atraen ms portadores negativos.

" ' 1,)/


/
Definimos como tensin de estrangulamiento VP a la tensin mnima necesaria entre compuerta y
fuente para que, con un V DS pequeo se anule la corriente de drenador, es decir, el canal se agote de
portadores. Matemticamente:
V P = VGS I D =0
VDS <<

Para VGS fijo, si vamos aumentando VDS , aumentar la resistencia del canal, y llegar un momento en el
que se producir un estrechamiento del canal en el extremo del drenador. Esto se produce cuando
V DG = V P . A partir de ese momento, I D se mantendr constante en el valor alcanzado. ste valor,
cuando VGS = 0 , se denomina corriente de drenador en saturacin I DSS , y se define como el mximo
valor que alcanza la corriente de drenador. Matemticamente:
I DSS = I D VGS = 0
VDS = VP

& 2

!
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no
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TN
U

Las curvas caractersticas del JFET son las siguientes:


Vemos tres zonas bien marcadas. La
regin de triodo o regin hmica, es
alineal y sirve para utilizar al dispositivo
como una resistencia controlada por
tensin. La regin de saturacin es lineal
y es la regin activa del dispositivo, para
su uso como amplificador. La regin de
ruptura es el lmite de funcionamiento,
ya que aqu se produce la avalancha de
portadores y el dispositivo se destruye.

&
En la regin de triodo el JFET acta como una resistencia ( rds ), cuyo valor es controlado por la tensin
entre la compuerta y la fuente. Esta resistencia es lineal para pequeos valores de v DS .
)
La relacin tensin-corriente en la regin de triodo es parablica y se describe mediante la
siguiente ecuacin:
2
2.v v v
i D = I DSS DS 1 GS DS
VP VP VP
Para v DS pequeo tenemos:
2.I DSS v
iD = 1 GS v DS
VP VP
3
Cuando v DS es pequeo, si derivamos la expresin anterior, encontraremos la resistencia del
canal para un valor determinado como:
1
2 .I v
rds = DSS 1 GS
VP VP

&
El estrangulamiento del canal se alcanza cuando V DG = V P y por lo tanto v DS = vGS V P . Si lo
sustituimos en la relacin tensin-corriente en la regin de triodo, obtenemos:
2
v DS
i D = I DSS
VP

Si v DG < V P estamos en la regin de triodo.


Si vDG > VP estamos en la regin de saturacin.

!
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TN
U

&
El JFET en la zona de saturacin opera como una fuente
de corriente constante controlada por vGS .

)
La ecuacin que vincula la corriente de salida
con la tensin de entrada del JFET es la
denominada Ecuacin de Shockley:
2
v
i D = I DSS 1 GS para V P < vGS < 0
VP
sta ecuacin describe la curva de transferencia
del JFET que se muestra en la figura.

Polarizacin del JFET


.
Las variaciones ms significativas que producen inestabilidad en el punto de operacin son las dadas en los
parmetros del JFET, es decir, en V P e I DSS . Como los JFET tienen una gran dispersin entre uno y otro del
mismo tipo, si queremos que sea estable el punto de reposo, debemos buscar configuraciones de polarizacin que
hagan que ste no dependa en gran medida del dispositivo usado. Por suerte, los dispositivos con grandes corrientes
de saturacin tienen grandes tensiones de estrangulamiento, y a la inversa.
" # ,$
La polarizacin fija se configura de la siguiente manera:
Colocamos un resistor en el drenaje para
controlar I D , y una tensin VGG inversa con
una resistencia RG entre la compuerta y la
tensin de polarizacin de la misma. Conectamos
tambin a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarizacin cuyo VGS
depender solamente de VGG .
Las ecuaciones de ambas mallas son:

VGG = VGS
VDD = I D .RD + VDS

&
De la malla de entrada sacamos la recta de polarizacin del
circuito:
VGS = VGG
que es la ecuacin de una recta vertical en el punto cuyo
valor es el de la tensin de la fuente colocada en la
compuerta, con lo que nos queda la configuracin de la
figura.

!
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no
ia
TN
U

) #
Vemos en la figura que, si bien para el dispositivo alto el punto de operacin es adecuado, para el
dispositivo bajo el punto es muy cercano al corte y est en una regin muy alineal. Concluimos que la
estabilizacin frente a variaciones de los parmetros del JFET es mala.
#
Una autopolarizacin se configura de la siguiente manera:
Para ste tipo de polarizacin, colocamos un resistor
en el drenaje, otro en la fuente, y otro entre la
compuerta y masa. Vemos que la fuente es ms
positiva que la compuerta, que est a 0V, con lo que
obtenemos la polarizacin deseada.
Las ecuaciones de ambas mallas son:

VGS = I D .RS
VDD = I D .(RD + RS ) + VDS

&
De la malla de entrada sacamos la recta de
polarizacin del circuito:
VGS
ID =
RS
que es la ecuacin de una recta con pendiente de
valor 1 / RS , con lo que nos queda la
configuracin de la figura.

) #
Vemos en el grfico anterior que para ambos dispositivos, alto y bajo, el punto de operacin est en una
regin central, por lo tanto es ms estable. Para estabilizar mejor, vemos que podramos aumentar RS para
disminuir la pendiente, pero esto hace que la corriente sea pequea y, como veremos ms adelante, la
ganancia tambin disminuye.
" #
Una polarizacin por divisor de tensin se configura de la siguiente manera:

!
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U

Para ste tipo de polarizacin, colocamos un


resistor en el drenaje, otro en la fuente, y un divisor
de tensin que fije el valor de VG . Deberemos
tratar de que R2 tenga un valor tal que la tensin
en la compuerta sea menor que la tensin en la
fuente del JFET.
Las ecuaciones de ambas mallas son:

V DD .R2
= VG = VGS + I D .RS
R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + V DS

Se debe recordar que el valor de R D debe ser tal


que siempre el voltaje entre drenador y compuerta
sea mayor que VP , para estar en modo activo.
&
De la malla de entrada sacamos la
recta de polarizacin del circuito:
VG VGS
ID =
R S RS
que es la ecuacin de una recta
con pendiente de valor 1 / RS ,
y ordenada al origen VG / RS ,
que corta al eje de VGS en el valor
VG , con lo que nos queda la
configuracin de la figura.
) #
La solucin al problema presentado en la polarizacin anterior se da en sta: la pendiente de la recta es
baja, pero pasa por una corriente mayor ya que intercepta al eje horizontal en VGS = VG (voltaje positivo).
Esto, como se ve en la figura, hace que no tengamos tanta variacin del punto de reposo entre un
dispositivo y otro, haciendo que el circuito sea muy estable.
El JFET como amplificador:
-
El JFET para seales dbiles es considerado lineal, por eso podemos
encontrar un modelo basado en elementos lineales que lo represente. En
fuente comn, en la entrada idealmente vemos un circuito abierto y en la
salida vemos un generador de corriente controlado con una impedancia
en paralelo. El parmetro de control del generador de corriente es una
transconductancia, porque vincula la corriente de salida con la tensin
de entrada. El modelo queda representado como muestra la figura.
Aqu g m es la transconductancia del JFET, que depende del punto de
trabajo, y rds es la resistencia de salida entre drenador y fuente.
Aplicando conversin de fuentes, encontramos un modelo ms sencillo
para el anlisis, que vemos en la figura que sigue. All el parmetro
= g m .rds es el factor de amplificacin.
1
Se puede demostrar que rds
I DQ

!
.ar
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TN
U

/
Aplicando el anlisis de cuadripolos, vemos que la
transconductancia es:
i D
gm =
vGS
Si derivamos la ecuacin de la corriente de drenador, veremos
que llegamos a las siguientes expresiones:
2.I DSS VGSQ 2.I DSS I DQ
gm = 1 =
VP VP VP I DSS
g mo
donde se nota que la transconductancia depende de los
parmetros del JFET y del punto de trabajo.
' ' (
Sabiendo que al aplicar una seal, vGS = VGS + v gs = VGS + Vmax . sin (.t ) y reemplazando esto en la ecuacin
de transferencia del JFET, obtenemos:
2 2
I V 2 .I VGSQ I V
i D = I DQ + DSS max DSS 1 Vmax . sin (.t ) DSS max cos(2..t )
2 VP VP VP 2 VP
/*Estudiar demostracin*/
Analicemos sta expresin:
1. El primer trmino I DQ es el punto de trabajo.
2
I Vmax
2. El segundo trmino DSS es un desplazamiento del punto de trabajo esttico que depende de
2 VP
la amplitud de la seal ingresada al cuadrado.
2.I DSS VGSQ
3. El tercer trmino 1 Vmax . sin (.t ) es la seal de entrada amplificada en un factor
VP VP
igual a la transconductancia. El signo menos indica que la seal est en contrafase con la entrada
2
I Vmax
4. El cuarto trmino DSS cos(2..t ) es una seal de segundo armnico que aparece como
2 VP
distorsin.
Como conclusin vemos que cuando ingresamos una seal al JFET se producen dos fenmenos: desplazamiento del
punto de trabajo y distorsin armnica.
Para evitar que se produzcan stos dos fenmenos indeseables debemos restringir el funcionamiento del JFET a:
Vmax << V P
es decir, una pequea seal de entrada comparada con la tensin de estrangulamiento, para obtener linealidad de
una curva que no lo es. La ecuacin dinmica del JFET quedar entonces:
2.I DSS VGSQ
i D I DQ 1 Vmax . sin (.t )
VP VP
& +
Colocando un generador de seal en cada terminal del JFET, obtendr, haciendo un anlisis dinmico, el siguiente
circuito:

!
.ar
mo
s.c
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TN
U

Dependiendo qu generador enmudezca y cul tome como el de ingreso de la seal, es la configuracin en la cul
estar analizando. A travs de ste anlisis puedo obtener las relaciones dinmicas necesarias en cada caso.
4 5

/*Estudiar demostracin*/
4 5

/*Estudiar demostracin*/

!
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TN
U

Diseo

Por lo general, el diseo de la primera etapa (FET) es el ltimo paso en el diseo de un amplificador. Por
ende, conocemos nuestra R L que es la impedancia de entrada de la siguiente etapa.
Tambin, por el diseo que venimos haciendo, ya escogimos una fuente de alimentacin, entonces
conocemos tambin V DD . Sino podemos estimarla o establecerla de acuerdo a la excursin de salida.
Adems, conocemos la tensin de entrada requerida en la siguiente etapa y la tensin que obtenemos del
transductor, entonces conocemos la Av de la etapa.

"
1. ELECCIN DEL FET:
Debemos en primera instancia elegir el dispositivo a utilizar. Para ello debemos tener en cuenta la
frecuencia de trabajo de nuestro amplificador, porque los FET tienen una muy pobre respuesta en
frecuencia, y cada tipo responde a un ancho de banda determinado para su uso. Adems, como
V DD
generalmente elegiremos V DSQ = , el dispositivo debe ser capaz de soportar esa tensin. Por otra
2
parte, como conocemos la Vi que nos entrega el transductor, debemos elegir un FET con I DSS y V P
adecuados, para que la excursin de la seal de entrada cumpla la condicin de linealidad, es decir que sea
mucho menor que la tensin de estrangulamiento, y as no tengamos distorsin armnica.
2. DIAGRAMA DEL CIRCUITO:

3. DETERMINACIN DEL PUNTO DE TRABAJO:


La ubicacin sugerida de la corriente de reposo de drenador puede ser seleccionada entre 0,3 y 0,7 de
I DSS para trabajar en la regin de mayor linealidad de la curva de transferencia del JFET.
Generalmente fijaremos un punto de trabajo con las siguientes caractersticas, como un buen comienzo en
el diseo:
V DD I DSS
V DSQ = I DQ = VGSQ = 0,3.V P
2 2
En ese punto, la transconductancia vale:
2.I DSS VGSQ I
gm = 1 = 1,42 DSS
VP VP VP
4. DETERMINACIN DE RESISTORES DE DRENADOR Y FUENTE:
Hacemos la ecuacin de la malla de salida:
V DD = V DSQ + I DQ .(R D + R S )

!
.ar
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TN
U

Despejando calculamos con datos conocidos, la suma de los dos resistores, que utilizaremos como una
constante:
V DD V DSQ
K = R D + RS =
I DQ
Como ya sabemos, la ganancia de tensin responde a la frmula:
(R D // RL ) R D // R L
Av = =
1 1
+ RS (K R D ) +
gm gm
De donde despejamos el valor de R D , lo que nos dar por resultado una ecuacin cuadrtica.
2 1 1
Av .R D + AV K + R L + R L .R D + AV K + RL = 0
gm gm
Por ende habr dos resultados: uno positivo y otro negativo.
Tomaremos como vlido el resultado positivo y tendremos dos opciones:
Que R D > K , lo que implica que R S ser negativo. Como esto no es posible, se elige un nuevo
punto de trabajo y se recomienza el diseo. Para solucionar el problema podemos aumentar el
valor de la fuente de alimentacin, o disminuir el la corriente de reposo. Para esto ltimo
debemos cambiar el dispositivo elegido. Si no se soluciona de esa manera, utilizamos dos etapas.
Que R D < K , entonces podemos calcular la resistencia de fuente como:
RS = K R D
5. DETERMINACIN DEL VOLTAJE DE COMPUERTA:
De la malla de entrada vemos que:
VG = VGSQ + I DQ .RS
De sta manera determinamos el voltaje necesario en compuerta para polarizar de la manera que venimos
haciendo. Vemos que el trmino I DQ .RS ( V RS ) debe ser mayor en magnitud que VGSQ , que es negativo,
para que VG tenga un valor positivo y hagamos funcionar correctamente al FET. Si no se cumpliera sta
condicin, deberamos tomar VG = 0 , y realizar otra configuracin de circuito, que analizaremos en el
PASO 7.

6. DETERMINACIN DE LAS RESISTENCIAS DE COMPUERTA:


El valor de RG ( RG1 // RG 2 en el caso de existir el divisor de voltaje), debe ser un valor relativamente
alto por varias razones:
No puede ser RG = 0 o de valor pequeo porque la seal se desviara por ese cortocircuito y
anularamos la ventajosa alta impedancia de entrada del dispositivo, con lo que caera la ganancia
de tensin.
No puede ser RG = (circuito abierto) porque el dispositivo no estara polarizado en continua
con VGS negativo.
Tomaremos entonces un valor arbitrariamente alto de RG para permitir la polarizacin, sabiendo que esa
ser la impedancia de entrada de la etapa. Si tuviramos un requerimiento de ganancia de corriente,
debemos adaptarnos con esa resistencia al mismo.
Ahora, como hemos tomado polarizacin por divisor de tensin, debemos calcular RG1 y RG 2 . Para ello,
VDD .RG 2 RG1.RG 2
sabiendo que VG = y que RG = , despejamos de ese sistema de ecuaciones las
RG1 + RG 2 RG1 + RG 2
dos incgnitas, y obtenemos las siguientes frmulas:
RG .VDD RG
RG1 y RG 2 =
VG V
1 G
V DD

! !
.ar
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TN
U

7. CONFIGURACIN PARA VOLTAJE DE COMPUERTA NULO:


Si en el PASO 5 determinamos que VG = 0 , deberemos eliminar la RG 2 y configurar una
autopolarizacin. El circuito quedar de la siguiente manera:

Como hemos cambiado el valor de VG , debemos recalcular RS , que ahora necesitaremos dividir en dos
partes: una libre y la otra desacoplada con un capacitor para alterna, para que pueda cumplir los requisitos
estticos y dinmicos. Tendremos:
R Sdc = RS1 + RS 2 y R Sac = RS1
De la malla de entrada tenemos:
VG = 0 = VGSQ + I DQ .RSdc
Despejando obtenemos:
VGSQ
RSdc =
I DQ
Ahora deberemos recalcular R D , a partir de la constante K :
R D = K RSdc
Conociendo ese valor, podemos calcular R Sac = RS1 desde la frmula de la ganancia de tensin:

Av =
(R D // RL )
1
+ RS 1
gm
Despejamos RS 1 :

RS1 =
(RD // RL ) 1
Av gm
Ahora que conocemos RS 1 , tenemos dos posibilidades:
Que R S1 < RSdc , entonces podemos calcular la R S 2 como:
R S 2 = RSdc R S1
El diseo se completa con la misma RG elegida en los pasos anteriores.
Que R S1 > R Sdc , entonces R S 2 sera negativa, lo que es imposible. Determinamos entonces que
el amplificador no se puede disear con la ganancia de tensin requerida y el punto de trabajo

!
.ar
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U

seleccionado. Debemos retornar al PASO 1, disminuyendo la corriente de reposo o colocar dos


etapas en cascada.
ACOPLAMIENTO ENTRE ETAPAS

Dos amplificadores estn acoplados directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma directa a
la entrada del segundo sin utilizar elementos reactivos. En ste tipo de acoplamiento, el nivel de continua de la
salida de la primera etapa se suma al nivel de continua de polarizacin de la segunda. Dos posibles configuraciones
de este tipo de acoplamiento son las siguientes.
Dos etapas de emisor comn:

En sta configuracin utiliza la componente continua de


la salida de la primera etapa como corriente de base
para la segunda. En la segunda se utiliza un conversor
de nivel, en donde la cada de tensin en la resistencia
de colector es igual a la fuente que la polariza, por lo
que el punto en donde se extrae la seal est a 0V en
continua.

Una etapa en emisor comn y otra en colector comn:

Al igual que la anterior, sta configuracin utiliza la


componente continua de la salida de la primer etapa
como corriente de base para la segunda, debido a que la
corriente de polarizacin en colector comn es alta.

La respuesta en frecuencia de ste tipo de configuraciones es muy buena debido a la no presencia de elementos
reactivos.

La configuracin Darlington es que muestra la figura:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

sta configuracin se utiliza para proveer mayor impedancia de entrada


y muy alta ganancia de corriente. En ste circuito el emisor del primer
transistor est conectado directamente a la base del segundo. Los
colectores estn conectados entre s, aunque esto no es necesario.
Los parmetros de sta configuracin, suponiendo que los transistores
son idnticos, son los siguientes:
Ganancia de corriente:
Ai = .(1 + h fe )(
. 2 + h fe ) h fe
2

/*Estudiar demostracin*/
Impedancia de entrada:
Ri = 2.hie
/*Estudiar demostracin*/
En ciertas aplicaciones conviene ajustar la corriente del primer transistor, independientemente de la del segundo.
Esto se puede realizar utilizando el circuito de la siguiente figura:
Veremos que se puede controlar la ganancia de corriente y la
impedancia de entrada, variando el valor de la resistencia colocada.
Los parmetros de sta configuracin, suponiendo que los
transistores son idnticos, son los siguientes:
Ganancia de corriente:
2 RB RB
Ai = h fe + h fe 1 +
RB + hie RB + hie
/*Estudiar demostracin*/
Vemos que la ganancia de corriente es menor.
Impedancia de entrada:
Ri = hie + (1 + h fe ).(R B // hie )
/*Estudiar demostracin*/

La configuracin Cascode es la que se


muestra en la figura.
Consiste en un amplificador Emisor
Comn acoplado en forma directa con
uno Base Comn. El amplificador Base
Comn cuenta con la ventaja que sus
caractersticas de respuesta en frecuencia
son muy favorables, as como sus altas
ganancia de tensin e impedancia de
salida.
La ganancia de tensin de la etapa de
emisor comn en ste caso es cercana a -
1, debido a que la carga que ve es muy
chica. Esto hace que la capacidad de
salida sea muy chica, debido al efecto
Miller, mejorando su respuesta en
frecuencia. La poca ganancia de tensin
que presenta la etapa de emisor comn se
compensa con la de la etapa de base
comn. Lo mismo, pero a la inversa, pasa
con la ganancia de corriente.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

" #
La tensin en la base de la etapa Emisor Comn se obtiene, suponiendo corrientes de base nulas, como:
R1 .VCC
VB1 =
R1 + R2 + R3
La corriente de colector es:
VB1 VBE
I CQ1 = I CQ 2 =
RE
' '
Los parmetros de sta configuracin sern:
RC
Ai .h fe1 (MEDIA)
RC + RL

RC // RL
Av (ALTA Y NEGATIVA)
hib 2

h fe 2
Zo (ALTA)
hoe 2

Z i hie1 (MEDIA)
/*Estudiar demostraciones*/

Las configuraciones de conversin de nivel se realizan


para eliminar la componente continua de polarizacin
de una seal, sin utilizar elementos reactivos, que
afectan la respuesta en frecuencia. stas
configuraciones se basan en la colocacin de fuentes de
polaridades distintas, de tal manera que la cada de
potencial entre la fuente y el punto donde yo extraigo la
seal sea justamente del valor de la misma fuente. De
sta manera el potencial esttico en la salida es nulo.
Una configuracin comn es la que se muestra en la
figura.
' '
La tensin esttica en el punto donde extraigo la salida
es:
R s .I E 2
Vo = V I V BE 2 RC .I E 2
1 + h fe
donde vemos que podemos controlarla mediante la
cada de tensin en RC . Si despreciamos el segundo
trmino, encontramos que:
RC .I E 2 V I V BE 2
' '
Si hacemos un anlisis circuital en alterna, podemos
llegar a que muy aproximadamente:
Vo V s

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Cuando realizamos un acoplamiento mediante transformador entre etapas, logramos un total aislamiento de la
componente continua, manteniendo los niveles de seales de forma aceptable. La desventaja es que, al utilizar
elementos reactivos (inductores) tenemos una prdida de la respuesta en frecuencia del amplificador.
&
El acoplamiento RC consiste en acoplar etapas de amplificacin mediante la colocacin de un capacitor entre la
salida de uno y la entrada del otro (de reactancia aproximadamente nula para la frecuencia de operacin), de manera
de aislar las componentes continuas y dejar pasar la seal.
Al igual que el caso anterior, al acoplar mediante capacitores perdemos ancho de banda, debido a la presencia de
ste elemento reactivo.
! $ ( $
Veremos las ventajas y desventajas de cada configuracin en comparacin con una monoetapa normal.

Acoplamiento Directo Darlington Cascode Conversor de nivel Transformador RC


Zi Igual Doble Igual Igual Igual Igual
Ai Producto Cuadrado Un poco menor Igual Producto Producto
Av Producto Igual Alta Igual Producto Producto
Zo Igual Menor Alta Igual Igual Igual
BW Igual Igual Mejor Igual Menor Menor

FUENTES DE CORRIENTE CONSTANTE

Un generador ideal de corriente es aquel cuya impedancia interna es infinita, de tal manera que la corriente que
genera es constante y est toda presente en la carga. Existen dos tipos: los sumideros, en los cuales ingresa la
corriente que circula por la carga, y las fuentes, las cuales generan la corriente que circular por la carga.

Podemos considerar que la corriente es constante en la carga si el valor de sta es mucho menor que la
impedancia interna de la fuente.
,
Con una simple configuracin de polarizacin por divisor de tensin podemos configurar una fuente o un sumidero
de corriente, como se ve en la figura:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Vemos que:
VBB VBE
Io =
RB + (1 + ).RE

Las condiciones que deben cumplir estos circuitos para proveer una corriente constante a la carga son:
VBB >> VBE (para eliminar la tensin base-emisor, que depende de la temperatura)
(1 + ).RE >> RB (para eliminar la variacin con respecto al beta)
Cumpliendo stas condiciones, la corriente queda:
VBB
Io =
RE
) -

Como vimos en la seccin de compensacin, la corriente de colector es constante si se compensa con uno
o dos diodos cumpliendo las condiciones mencionadas.
6-
sta es la configuracin ms utilizada como
fuente o sumidero de corriente constante. La
figura muestra cmo se configura.

Analizando obtenemos que:


VZ VBE
Io =
RE
/*Estudiar demostracin*/
Si elegimos un diodo Zner cuya variacin
trmica sea igual que la de la tensin base-
emisor, estaremos compensando
trmicamente el circuito, obteniendo mejores
resultados.

Los datos necesarios para disear son:


Corriente de salida I o
Rango de variacin de la carga, fundamentalmente su valor mximo.
Los pasos a seguir son:
1. ELECCIN DEL DIODO ZNER: Deberemos elegir un Zner con el mismo coeficiente trmico que la
tensin base-emisor, es decir que debe ser un Zner de tensin menor a 6V, porque ellos poseen
coeficiente negativo.
2. DETERMINACIN DEL RESISTOR DE EMISOR: Determinamos su valor como:
VZ VBE
RE =
Io

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

3. DETERMINACIN DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN: Debemos calcularla para el peor caso,


es decir con la mxima resistencia de carga (cae todo en la resistencia interna) y con el transistor saturado,
es decir:
VCC I o (R E + R L max ) + VCEsat
4. CLCULO DEL RESISTOR DE LIMITACIN DEL ZNER: ste depende de la corriente que
circula por el Zner, la cual determina el coeficiente de variacin trmica. Por ende, de las curvas que
representan dicha situacin (coeficiente de variacin en funcin de la corriente de Zner, con la tensin de
Zner como parmetro) obtenemos, para el coeficiente trmico esperado, la corriente de Zner, y con ella
obtenemos la resistencia limitadora de la siguiente manera:
VCC VZ
R=
IZ
En el caso que no se requiera compensacin, elegimos un valor de corriente dentro de los lmites
aceptables.
) $
Los espejos de corriente se utilizan para polarizar etapas amplificadoras en circuitos integrados sin requerir una
cantidad grande de resistencias. Las fuentes de corriente constante proporcionan mayor estabilidad frente a las
variaciones del beta, la temperatura y la fuente de alimentacin.
) $ *
Un espejo de corriente tpico es el que se muestra en la figura.
El transistor Q1 est conectado como diodo, pero funciona como
transistor, porque est en su regin activa. Suponemos que los
transistores Q1 y Q2 estn perfectamente apareados. Como sus bases
estn conectadas entre s, sus corrientes de emisor son iguales.
Haciendo un anlisis de las corrientes, veremos que:
I ref
Io = I ref =
+2 2
1+

/*Estudiar demostracin*/
Y si se cumple que >> 1 , entonces:
I o I ref
Vemos tambin que la resistencia de salida de Q2 es:
1
Zo =
hoe

Las desventajas de sta configuracin son:


Resistencia de salida relativamente baja
Alta sensibilidad a las variaciones de la fuente de alimentacin
Necesita resistencias muy grandes para obtener corrientes bajas

Cabe mencionar que para espejos de corriente con salidas mltiples, los errores debido a las corrientes
de base se van acumulando y las corrientes ya no se aproximarn tanto a la de referencia. Para una
configuracin con N salidas, la corriente de salida ser:
I ref
Io =
N
1+

/*Estudiar demostracin*/
) $ 7
Las curvas de salida de un espejo de corriente convencional son muy similares a las de un simple
transistor. Esto indica que el espejo de corriente no se comporta como una fuente ideal de corriente. Otro

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

factor a tener en cuenta es que cuando uno necesita corrientes de salida pequeas, debe disponer de un
resistor de referencia muy grande, y esto es imposible de lograr en un circuito integrado.
Para solucionar ste inconveniente existe el espejo de corriente de Widlar,
que lleva un resistor en el emisor de Q2, lo que hace que aumente su
impedancia de salida y que la corriente de salida sea bastante menor que la de
referencia, sin necesidad de resistores de tan alto valor. El espejo de Widlar es
el que se ve en la figura.
Si los transistores son iguales, se obtiene entonces una ecuacin de vnculo
entre la corriente de salida y la de entrada:
I ref
I o .RE = VT . ln
Io
/*Estudiar demostracin*/
Podemos calcular la corriente de referencia como:
VCC + V EE V BE
I ref =
Rref
Las soluciones de las dos ecuaciones anteriores en conjunto darn distintos
valores para los resistores, adecuados al diseo.

. $ 7
Haciendo un anlisis dinmico desde la salida del espejo, con el mismo procedimiento usado para
calcular cualquier impedancia de salida, llegaremos a que:
1 h fe .R E
Zo 1+
hoe R E + hie + Rref // hib
/*Estudiar la demostracin*/
Vemos que la impedancia de salida aument en un factor de aproximadamente (1 + h ),
fe
respecto a la del espejo de corriente comn.
) $
Cuando se necesitan valores muy altos de impedancia de salida se
utiliza otro arreglo denominado Cascode, en el que se sustituye la
resistencia de emisor por un transistor, tal como muestra la figura:

Haciendo un anlisis similar al caso anterior, vemos que la


impedancia de salida ser:
1
Zo =
hoe (2 )
[1 + h ( ) ]
fe 2

/*Estudiar la demostracin*/

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

) $ 7
El espejo de corriente convencional presenta dos
desventajas:
Baja impedancia de salida
Corriente de salida muy dependiente del valor
de beta, sobre todo para los bajos.
stas se pueden salvar mediante la configuracin del
espejo de corriente de Wilson, que presenta una
corriente de salida mucho ms independiente del
beta. Dicha configuracin es la que muestra la figura.
Donde vemos que:
Io 2 + 2.
= 2 1
I ref + 2. + 2
/*Estudiar demostracin*/
Vemos que la independencia del beta se cumple an
para valores bajos del mismo.
Se puede demostrar que su impedancia de salida es:

Zo =
2.hoe
/*Estudiar demostracin*/
Vemos que la misma es alta. Esto se ve claramente si
analizamos el aumento o disminucin en la corriente
de salida.

) $
A veces se requiere que la
transferencia de corriente no sea de
valor unitario, sino que sea mayor o
menor que 1. Para ello se utilizan
espejos de corriente con
multiemisores, tal como muestra la
figura.
Se puede demostrar que la relacin de
transferencia es:
Io 2 . N + .N +
= N si
I ref (1 + )(
. + N)+1
>> N
/*Estudiar demostracin*/
O sea que la corriente de salida es
aproximadamente N veces la
corriente de entrada.
Si los multiemisores estuvieran en Q3,
la relacin de transferencia sera:
Io 1

I ref N
/*Estudiar demostracin*/
,
Una fuente de corriente adems de actuar como circuito de polarizacin posee una impedancia interna de
alto valor que puede ser utilizada como elemento de carga de amplificadores. Con ello se consigue obtener
cargas de un alto valor resistivo con un rea de ocupacin muy inferior con respecto a las resistencias de
difusin de ese mismo valor.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Un ejemplo de ste tipo de aplicaciones es el siguiente circuito, en el que la resistencia que ve el colector es la
impedancia de salida del espejo de corriente:

La ganancia de tensin de sta configuracin, utilizando el modelo hbrido aproximado, ser:

Av =
( 1
h fe . hoe (1) // hoe (2 )
1
)
hie
/*Estudiar demostracin*/
El cual es un valor muy alto, lo que permite obtener amplificadores con altas ganancias en pocas etapas.
AMPLIFICADORES DIFERENCIALES

Un amplificador diferencial es aquel que maneja dos seales de entrada, y cuya salida es proporcional a la
diferencia de las mismas. La figura muestra su esquema circuital ms elemental:

! !
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Ms all de las caractersticas de las seales que ingresamos a ste amplificador, internamente
trabajaremos con dos seales distintivas para el mismo, que se relacionan con las ingresadas en la entrada.
*
La seal de modo comn v a es la semisuma de las seales de entrada:
v1 + v 2
va =
2
Es decir, que sin importar las caractersticas de las seales de entrada, la seal de modo comn
ser lo que ellas tienen en comn.
Si yo quiero ingresar a voluntad una seal de modo comn, debo ingresarla en ambas entradas,
con la misma amplitud y fase.

La seal de modo diferencial v d es la diferencia de las tensiones de entrada:


v d = v1 v 2
Es decir que si las seales de entrada son distintas, lo que tienen en comn es la seal en modo
comn, y lo que tienen de diferencia es la seal en modo diferencial.
Si yo quiero ingresar a voluntad una seal de modo diferencial, debo ingresarla en ambas entradas
con la misma amplitud y en contrafase, o ingresarla en una entrada y derivar a masa la otra.

Podemos decir entonces que siempre las seales de entrada tendrn una componente comn y otra
diferencial, entonces:
vd
v1 = v a +
2
v
v2 = va d
2
/*Estudiar demostracin*/
( '
En todo el anlisis vamos a suponer, a menos que se especifique lo contrario, que los transistores son idnticos, y
que las resistencias de colector tambin lo son.
' ) '
Para el anlisis esttico, conectamos las dos entradas a masa. Veremos que debido a la simetra del
circuito, se cumplen las siguientes ecuaciones:

I I
I E1 = I E 2 = I C1 = I C 2 VC1 = VC 2 = VCC .RC . VOD = VC1 VC 2 = 0
2 2
Vemos que la polarizacin del circuito de base se logra al tener una fuente partida para la alimentacin del
circuito. Si no contramos con la misma, podemos hacer un divisor de tensin resistivo, y referir la seal al
punto medio del mismo, con lo que establecemos ese punto como masa y la referencia anterior se vuelve
una tensin negativa respecto a ese potencial.
' '
Para analizar el funcionamiento dinmico, lo dividiremos en dos partes: una con seal en modo comn y la
otra con seal en modo diferencial. Hacemos sta divisin porque el amplificador responde de manera
distinta a stas seales.
*
Ingresamos la misma seal en las dos entradas, es decir que:
v1 = v 2
Entonces:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

vd = 0 va = vi
Haciendo un anlisis circuital llegamos a que las tensiones totales en los colectores son:
vc1 = ic1 .RC = .ie1 .RC
vc 2 = ic 2 .RC = .ie 2 .RC
Y debido a la simetra del circuito y a que estamos en modo comn, ie1 = ie 2 , entonces:
vod = vc1 vc 2 = 0
O sea que al ingresar una seal en modo comn, el amplificador diferencial ideal la rechaza.
/*Estudiar demostraciones*/

Ingresamos la misma seal pero en contrafase en ambas entradas, es decir que:


v1 = v 2
Entonces:
v d = 2.v1 = 2.v 2 va = 0
Debido a la simetra del circuito y a que estamos en modo diferencial, vemos que ie1 = ie 2 , por
lo tanto:
I I
i E1 + i E 2 = ie1 + + ie 2 + = I
2 2
Entonces, la tensin que ve la seal en la unin de los emisores es:
ve = (ie1 + ie 2 ).RE = 0
O sea que la unin de los dos emisores es una masa virtual para la seal diferencial (no as para
la seal de modo comn).

Las tensiones de seal en los colectores es:


vc1 = .ie1 .RC
vc 2 = .ie 2 .RC
Entonces, la salida diferencial es:
vod = vc1 vc 2 = .2.ie .RC
Vemos que las salidas asimtricas (o individuales) son de la mitad de amplitud que la salida
diferencial.
Para la mxima excursin posible, tenemos que ie max = I 2 , por lo que:
vod max = .I .RC
Es decir que el amplificador diferencial ideal amplifica las seales diferenciales y rechaza las
seales en modo comn.
/*Estudiar demostraciones*/
&
*
Para analizar la recta de carga esttica, debemos hacer algunas simplificaciones. Esto es: al circular el
doble de corriente en la resistencia de emisor, cada transistor la ve como una resistencia del doble del
valor. Como i E1 = i E 2 = i E , entonces:
v E = 2.i E .RE = i E .(2.RE )
El circuito que analizaremos para el caso esttico, es el que muestra la figura.
La seal de entrada en condiciones estticas es la seal en modo comn, porque la carga que ve es la
misma. Del circuito analizado, vemos que la recta de carga corresponde a la ecuacin:
VCC + VEE vCE1
iC1 =
RC + 2.RE
Donde, si la dibujamos llegaremos al grfico que muestra la figura.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

All vemos que al aplicar una seal en modo comn, el punto se desplaza sobre sta
recta.
Para obtener el punto Q, utilizamos la siguiente frmula:
V EE + v a VBE
iC =
2.RE
/*Estudiar demostracin*/
Que sale de analizar la malla de entrada, y de la cual, reemplazando la seal v a por cero, su mximo o su
mnimo, obtenemos los puntos de reposo, mximo y mnimo respectivamente, que se ven en el grfico
anterior.

Recordemos que, para la seal diferencial, la unin de los emisores es una masa virtual, por lo que el
circuito a analizar es el que se muestra en la figura.
Vemos en el circuito que la nica carga que ve la salida es la resistencia de colector, por lo tanto la
pendiente de la recta de carga en modo diferencial es:
iC1 1
=
vCE1 RC
La misma se muestra en el grfico.

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

Si realizamos una combinacin de las dos rectas de carga, que contemple las variaciones de la seal en modo
comn y en modo diferencial al mismo tiempo, llegaremos a ver que la regin de operacin del amplificador
diferencial es la que se muestra en la figura que sigue.
Vemos que la corriente pico
mxima de colector est
limitada al valor de I CQ min ,
debido a la variacin de la
seal en modo diferencial.
Para obtener la mxima
excursin posible
deberamos disminuir la
pendiente de la recta de
carga en modo comn, para
lo cual tendramos que
aumentar R E . Pero esto
requerira aumentar tambin
VCC y VEE , para mantener
la corriente inalterada. A
veces dicha solucin no es
prctica.

" #
Para lograr una solucin ms efectiva al problema anterior, se
polariza al amplificador diferencial con una fuente de corriente
constante. La misma posee una impedancia de salida muy alta
(idealmente infinita), por lo que la recta de carga de modo
comn tender a hacerse de pendiente horizontal. Una
configuracin posible es la que muestra la figura.
)
La regin de operacin quedar ahora de la siguiente
manera:

Como vemos, ahora podemos extraer la mxima excursin de salida an cuando hay componente de modo
comn. Logramos con esto independizar la salida diferencial de la seal de modo comn.

Podemos establecer una relacin entre la corriente de emisor de seal de los transistores en funcin de las tensiones
de entrada. Para ello establecemos la ecuacin de la corriente de la juntura base-emisor para los dos transistores:

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

v1 ve

i E1 = I S .e VT

v 2 ve

i E 2 = I S .e VT

Dividiendo miembro a miembro, obtenemos la ecuacin de transferencia:


v1 v 2
i E1
=e VT

iE 2
Si referimos cada corriente respecto a la suma, que es en realidad la corriente por el resistor de emisor I ,
obtenemos unas ecuaciones en donde se ve ms claramente el funcionamiento del amplificador diferencial. stas
ecuaciones son:
i E1 1 iE 2 1
= v2 v1
= v1 v2
I I
1+ e VT
1+ e VT

/*Estudiar demostracin*/
Donde se ve claramente que el amplificador responde slo a la diferencia de las seales, ya que si v1 = v 2 = v a ,
las corrientes de emisor se dividen equitativamente y la salida diferencial es nula.
Vemos en la siguiente figura la curva de transferencia del Amplificador Diferencial:

&
Se observa en la curva de transferencia que si v d > 4.VT , un transistor corta y el otro satura, y el circuito
pierde linealidad, adems de independizar la salida diferencial de la entrada del mismo tipo. Entonces
establecemos que para que el amplificador diferencial sea lineal, se debe cumplir que:
v d < 4.VT 100mV

!
.ar
mo
s.c
no
ia
TN
U

) )
Una forma de ampliar la regin de funcionamiento es
conectando resistores entre el emisor de los transistores y el
punto de unin, como se muestra en la figura.
sta configuracin aumenta el rango lineal de la tensin de
entrada, conservando la simetra del amplificador, y
aumenta el rango mientras ms grande es R E . El
inconveniente es que la ganancia en modo diferencial
disminuye. El efecto en la curva de transferencia se
muestra en la grfica.

" '
Al trabajar en el rango de seales mencionado anteriormente, el amplificador es lineal, por lo tanto podemos utilizar
modelos lineales para describir su operacin. Los circuitos vistos desde el emisor y el colector son,
respectivamente:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

. )
Para calcular la resistencia de entrada, debemos dividir el anlisis. Para el caso de modo diferencial, la
resistencia de entrada es la que se ve entre las dos bases, para una seal de entrada diferencial.
Anlogamente, para el modo comn, la resistencia de entrada es la que ve una seal de modo comn.
. )
El circuito equivalente que ve una seal
diferencial en la entrada es el que muestra el
diagrama.
Vemos que la resistencia de entrada es,
sabiendo que ib1 = ib 2 = ib :
vd
Rid = = 2.hie
ib

. ) *
La resistencia de entrada de modo comn es equivalente al paralelo de las dos resistencias de
entrada de cada uno de los circuitos. Por lo tanto:
2.Ria = hie + (1 + ).2.R E
Ria = (1 + ).RE
Pero como ste es un valor alto, y la resistencia entre colector y base r est en paralelo con la
misma, por encontrarse entre la base y un potencial constante, es significativo su efecto en la
impedancia de entrada del amplificador en modo comn. Por ende:
R
Ria = [(1 + ).RE ] //
2
/
Si expresamos de otra manera las ecuaciones que describen matemticamente al amplificador diferencial,
podemos obtener lo siguiente:
I I
i E1 = v
iE 2 = vd
d
1+ e VT
1+ e VT

Transfiriendo al colector y realizando algunos pasos matemticos, vemos que:


vd vd

2.VT 2.VT
.I .e .I .e
iC1 = vd v
iC 2 = vd vd
d
2.VT 2.VT 2.VT 2.VT
e +e e +e
Para obtener linealidad, el circuito debe trabajar con v d << 2.VT , entonces podemos desarrollar las
exponenciales como series y conservar los dos primeros trminos. Las ecuaciones quedan:
.I .I v d .I .I v d
iC1 + iC 2
2 2.VT 2 2 2.VT 2
El primer trmino en ambas ecuaciones es la corriente que se divide equitativamente cuando la seal
diferencial es nula. La corriente de seal ser:
.I v d .I v d
ic1 ic 2
2.VT 2 2.VT 2
Donde vemos la relacin entre la corriente de cada salida individual y la tensin diferencial en la entrada.
sta relacin tiene dimensiones de transconductancia, por lo tanto definimos que la misma es, para un
amplificador diferencial:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

.I
gm =
2.VT
Con lo que:
vd vd
ic1 g m ic 2 g m
2 2
/
Viendo el circuito equivalente para la seal visto desde el emisor, podemos dividir nuevamente el anlisis.
/ *
Para cada entrada en particular en modo comn, la seal ve duplicada la resistencia de emisor,
entonces, se puede demostrar que la ganancia de tensin en modo comn de cada salida individual
es:
voa1 .RC1 voa 2 .RC 2
Ava1 = = Ava 2 = =
va hib + 2.RE va hib + 2.RE
/*Estudiar demostracin*/
Si el circuito es simtrico en transistores y resistencias de colector, las ganancias individuales de
modo comn sern iguales y la ganancia total en modo comn ser nula.
/
Para la entrada diferencial, la seal ve una masa virtual en la unin de los emisores, entonces, se
puede demostrar que la ganancia de tensin en modo diferencial es:
vod 1 vod 2 .RC
Avd = =
vd hib
/*Estudiar demostracin*/
& & # *
En un amplificador diferencial ideal se espera que la ganancia diferencial sea infinita y que la
ganancia en modo comn sea nula. En la realidad se busca que la primera sea muy grande y que la
segunda sea muy chica (no es nula porque no hay simetra exacta).
Podemos definir un parmetro que nos cuantifica la calidad de un amplificador diferencial de
acuerdo a stas dos cantidades: la relacin de rechazo de modo comn ( CMRR ), que es:
Avd
CMRR =
Ava
O en decibeles:
Avd
CMRR = 20. log [dB]
Ava
Lo esperado entonces en el amplificador diferencial ideal es que CMRR
Se puede demostrar que si el circuito no es simtrico en sus resistencias de colector, sta relacin
se cuantifica como:
2.RE .RC
CMRR =
hib .RC
/*Estudiar demostracin*/
&
Se puede demostrar que:
2.ic max .VT
vid max = ic1 pap .hib =
I CQ
/*Estudiar demostracin*/
La mxima seal de modo comn est limitada por la saturacin de los transistores.

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

& ) )
Cuando los transistores tienen caractersticas
diferentes se suele conectar resistencias entre el
emisor de cada dispositivo y R E , o un
potencimetro entre los emisores con el cursor
conectado a R E , para que sirva como control de
equilibrio, como se muestra en la figura.
El cursor o los valores de las resistencias se ajustan
de modo que las corrientes estticas de emisor sean
iguales.
El efecto que esto produce es que baja la ganancia
diferencial del circuito.

Las fuentes de corriente pueden ser utilizadas como


carga activa en un amplificador diferencial. El espejo
de corriente es el circuito que mejor se adapta al tener
una resistencia interna no demasiado elevada la cual
elimina problemas de polarizacin y mantiene una
ganancia muy alta. La figura muestra la estructura de un
amplificador diferencial que tiene una carga activa
constituida por el espejo de corriente formado por los
transistores Q3, Q4 y Q5. Por necesidades de
polarizacin la intensidad de referencia de este espejo
tiene que ser la mitad de I ya que las intensidades de
colector de Q1 y Q4, y Q2 y Q3 deben ser idnticas.

FUENTES DE ALIMENTACIN
&
La rectificacin de una onda consiste en convertir una seal alterna senoidal (con valor medio nulo) en una seal
continua (no constante), cuyo valor medio no ser nulo. Utilizamos la propiedad de conduccin unidireccional de
los diodos para lograr la rectificacin.

El rectificador de media onda es el que se muestra en la figura. La tensin en el transformador y la tensin


en la carga son como muestra la grfica.

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Despreciando la cada de tensin en el diodo y contemplando la


resistencia del bobinado secundario y del diodo dentro de una
RS , la corriente en el circuito ser:
Vmax
. sin (.t ) = I max . sin (.t ) 0 .t
i (t ) = RL + RS
0 .t 2.
El valor medio de la corriente en la carga ser:
I max
I CC =

/*Estudiar demostracin*/
El valor eficaz de la corriente en la carga ser:
I max
I ef =
2
/*Estudiar demostracin*/
Para calcular la tensin de salida, que depende de la carga, se utiliza la siguiente frmula:
Vmax
VCC = I CC .RS

/*Estudiar demostracin*/
2
El rectificador de onda completa tiene dos configuraciones posibles, que se muestran en la figura.

La tensin en el transformador y la tensin en la carga sern como muestra la


grfica.
La corriente en la carga tiene la misma expresin que en media onda, slo
que no tiene un intervalo nulo, y su frecuencia es ahora del doble de la
frecuencia original.
El valor medio de la corriente en la carga ser:
2.I max
I CC =

/*Estudiar demostracin*/
El valor eficaz de la corriente en la carga ser:
I max
I ef =
2
/*Estudiar demostracin*

! !
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Para calcular la tensin de salida, que depende de la carga, se utiliza la siguiente frmula:
2.Vmax
VCC = I CC .RS

/*Estudiar demostracin*/
" '
Existen dos parmetros que definen la calidad de una fuente de alimentacin, independientemente de la potencia
que sea capaz de entregar. stos son el factor de regulacin y el factor de rizado.
, &
La regulacin de una fuente es la capacidad de mantener una tensin constante ante variaciones de la
carga.
El factor de regulacin se define como:
Vvaco Vmin
Freg (%) = 100%
Vmin
Donde Vmin es la tensin que entrega la fuente para la mxima carga (mnima resistencia de carga).
Para una fuente ideal (sin resistencia interna) la regulacin es nula.
, &#
El rizado es la variacin peridica de la tensin que entrega la fuente respecto a su valor medio.
Podemos expresar a toda tensin que entrega una fuente como:
v(t ) = VCC + v ripple (t )
donde vripple (t ) es la variacin peridica de la seal.
El factor de rizado se define como el cociente entre el valor eficaz del ripple y el valor medio de la seal:
I ef Vef
r= =
I CC VCC
Donde I ef y Vef son los valores eficaces del ripple, es decir de la seal de salida desacoplada de su
componente continua.
Mediante pasos matemticos se puede llegar a que ste factor es, para cualquier forma de onda:
2 2 2
I ef I CC I ef
r= = 1
I CC I CC
/*Estudiar demostracin*/
Un mayor factor de ripple indica un circuito ineficiente para la alimentacin. Una fuente ideal, tiene
factor de ripple nulo.
Para el rectificador de media onda:
2

r= 1 = 1,21
2
Lo que indica que la tensin eficaz de la componente variable de la salida es mayor que la tensin
continua, lo que indica que el circuito es malo.
Para el rectificador de onda completa:
2

r= 1 = 0,482
2. 2
Lo que indica que mejora el circuito por ser mayor la tensin continua que el valor eficaz de su
componente variable.
,
La corriente en la salida de un rectificador est muy lejos de ser constante, y sus variaciones tan altas traen
inconvenientes en algunos circuitos. Como dichas seales no son senoidales, podemos expresarlas como series de
Fourier. Las expresiones son:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

1 1 2
cos(2.k ..t )
i (t ) = I max + sin (.t ) (MEDIA ONDA)
2 k =1 (2.k + 1)(2.k 1)

2 4
cos(2.k ..t )
i (t ) = I max (ONDA COMPLETA)
k =1 (2.k + 1)(2.k 1)
Vemos que, adems de la componente continua de la corriente, existen componentes armnicas, que producen
variacin y prdida de potencia til. Para eliminar stas variaciones se utilizan filtros de ripple, que tienden a que la
corriente sea constante en el tiempo.
,
El filtro por inductancia se basa en la propiedad fundamental de ste componente de oponerse a cualquier
variacin de corriente. De sta forma, las variaciones bruscas se suavizarn, tendiendo a que la corriente
sea ms constante.
&
La figura muestra el circuito.
La tensin en la carga responder a la siguiente ecuacin:
RL
R L .Vmax .t
v(t ) = sin (.t ) + sin .e L
2
R L + 2 .L2
.L
donde = arctan . Ecuacin vlida para 0 < t < t1 , donde
RL
t1 es el tiempo en el que se anula la tensin, cuyo valor se calcula
numricamente anulando el parntesis de la ecuacin.
La forma de la tensin en la carga
es la que se ve en la grfica.
Vemos que la tensin no cambia
bruscamente en el arranque de cada
ciclo.
La principal desventaja de utilizar
sta configuracin es que nunca nos
aproximamos a una tensin
constante.

&
La figura muestra el circuito:

La diferencia fundamental con el circuito anterior es que la corriente por el inductor no se


interrumpe nunca porque, cuando un diodo deja de conducir, comienza a conducir el otro.
La tensin en la carga responde a una ecuacin muy compleja, por lo que se utilizar una solucin
aproximada.
Representando a la onda rectificada por su serie de Fourier y despreciando los armnicos
superiores al segundo, obtenemos que la corriente del circuito es:
2.Vmax 4.Vmax . cos(2..t )
i (t ) =
.RL 3. R 2 + (2..L )2
L

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

/*Estudiar demostracin*/
2..L
donde = arctan .
RL
La tensin de salida tiene la forma que muestra la siguiente figura.
Se puede demostrar que el factor de rizado es:
2 1
r=
3. 2 2..L
2

1+
RL
/*Estudiar demostracin*/
Vemos que el filtrado mejora conforme disminuye la
resistencia de carga.
La regulacin de la fuente debe calcularse teniendo en cuenta
las resistencias del diodo, inductor y transformador, y su
cada cuando circula la corriente continua de salida.
,
Utilizaremos la propiedad del capacitor de almacenar energa en forma de tensin, de tal manera que
durante los periodos de no conduccin, la tensin se siga manteniendo en la carga.
&
La figura muestra el circuito.
La corriente en la carga se corresponde con
la frmula:
1
i (t ) = Vmax + (.C ) sin (.t + )
2
2
RL
donde = arctan(.C.RL ) .

Las formas de la corriente en la carga y en el diodo se muestran en la figura.


El punto en el que el diodo comienza a
conducir se lo denomina punto umbral
( t1 ), y el punto en el que deja de conducir
punto de corte ( t 2 ). Vemos que el diodo
tiene perodos cortos de conduccin con
grandes picos de corriente. De la grfica y
de la frmula vemos que si aumentamos el
valor de la capacidad para una carga fija,
aumentamos el valor pico de la corriente.
Tenemos en cuenta esto para elegir el
diodo, ya que un parmetro que
proporciona el fabricante es la corriente
pico repetitiva mxima, que no debe ser
superada en ningn momento, para no
quemar el dispositivo.
En durante el tiempo de no conduccin del
diodo, el capacitor se descarga a travs de
la resistencia de carga con una constante de
tiempo = R L .C .

&
La figura muestra el circuito:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

La ecuacin de la corriente es la misma, slo que ahora el intervalo que va de t1 a t 2 es mayor.


Las consideraciones sobre la corriente en los diodos son las mismas que las hechas en media
onda.
, 8
La configuracin de un filtro combinado LC es la que muestra la figura.
Lo que estamos logrando con un filtro LC
es combinar las ventajas y desventajas de
ambos, que resultan ser opuestas, para
lograr un mejor filtrado en condiciones
medias. Se ver cuando se analice el rizado
que la propiedad del filtro por inductor de
disminuir el mismo mientras aumenta la
carga, se combina con la propiedad del
filtro capacitivo de disminuir el mismo
mientras disminuye la carga. Obtendremos
as un rizado constante independiente de la
carga.
Para calcular la regulacin debe tenerse en cuenta la resistencia de los diodos, de la bobina y del
transformador.
Definimos el factor de atenuacin como la relacin entre la impedancia total del filtro y la impedancia de
la combinacin paralelo del capacitor y la resistencia de carga. Para que el filtro sea bueno la reactancia
del inductor a la frecuencia de trabajo debe ser mucho mayor que la resistencia de carga (circuito abierto
para el ripple) y la reactancia del capacitor a la misma frecuencia debe ser mucho menor que la resistencia
de carga (cortocircuito para el ripple). Si esto se cumple, el factor de atenuacin ser:
FA 4. 2 . f 2 .L.C 1
/*Estudiar demostracin*/
Podemos demostrar que el rizado es:
Vef 2
r= = 2
VCC 12. .L.C
/*Estudiar demostracin*/
.
Definimos inductancia crtica como la mnima inductancia para que el circuito suministre
corriente constantemente a la carga. Para valores menores que la misma, existir un punto de
corte.
Para encontrar dicho valor decimos que la corriente media debe ser mayor que el valor mximo
del ripple:
VCC
2.I ef
RL
Se puede demostrar que la inductancia debe ser:
RL
L Lcrit =
3. . f
Experimentalmente, se toma un valor umbral mayor para que nunca se llegue al punto de corte.
ste es:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

RL
L
500

La determinacin de los tiempos correspondientes al umbral y al corte es muy complicada por mtodos
exactos, ya que supone resolver una ecuacin trascendente o utilizar mtodos grficos. Veremos que
pueden obtenerse resultados bastante cercanos utilizando un mtodo aproximado. Otra alternativa es
utilizar las curvas de Shade, que son cuantificaciones de las soluciones a la mencionada ecuacin, para
distintos parmetros.
- +
El mtodo consiste en aproximar las curvas de descarga y carga del capacitor mediante segmentos
lineales como se muestra en la figura.
Se puede demostrar que el valor del capacitor
responde a la frmula:
2. .Vmax
C=
4. . f .V .RL
/*Estudiar demostracin*/
Pero una regla prctica permite utilizar otra
frmula con mayor exactitud, ya que al
aproximar con segmentos lineales nos
excedemos del valor. La frmula prctica es:
5.Vmax
C=
4. . f .V .RL
El rizado puede calcularse sabiendo que:
R.C.V
T1 =
Vmax
y que la carga que pierde el capacitor en ese tiempo es:
Q = I CC .T1
Se puede demostrar que el factor de rizado es:
Vef 1
r= =
VCC 4. 3. f .C.R L
/*Estudiar demostracin*/
-
Para utilizar el mtodo de Shade, debemos conocer ciertos datos. Ellos son:
Mnima tensin posible en la carga ( Vo min )
Mxima corriente requerida en la carga ( I o max = I CC )
Mximo porcentaje de rizado permitido ( %r )
Teniendo esos datos, seguimos el procedimiento de diseo:
1. DETERMINACIN DE LA RESISTENCIA DE CARGA: Obtenemos su valor de los datos:
Vo min
RL =
I o max
Si la fuente es regulable, obtenemos el mnimo valor de resistencia de carga.
2. ESTIMACIN DE LA RESISTENCIA INTERNA: Como no conocemos el valor de RS (resistencia interna
que incluye la del transformador, diodos, etc.) lo estimamos entre un 1% y un 10% del valor de la mnima carga.
Si tomamos un valor muy pequeo, la corriente pico no repetitiva (de encendido, debida al teorema del valor
inicial en el capacitor) ser muy grande, ya que sta es su nica limitacin, por lo que estaremos exigiendo ms a
los diodos.
3. CLCULO DEL PARMETRO DE LAS CURVAS DE SHADE: El parmetro es la relacin porcentual
entre la resistencia interna de la fuente y la de carga, entonces:

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

RS
A= .100%
RL
4. OBTENCIN DEL SEGUNDO PARMETRO MEDIANTE LA PRIMER GRFICA DE SHADE: De la
primera grfica, ingresamos por el eje del porcentaje de ripple con el valor determinado por los datos del diseo
hasta cortar la curva que corresponde al valor obtenido para el parmetro. Desde ese punto nos desplazamos
hacia el eje donde estar el valor .C.R L .
5. CLCULO DEL CAPACITOR: Con el valor obtenido del segundo parmetro, calculamos el capacitor como:
[.C.RL ]graf
C=
2. . f .RL
6. OBTENCIN DE LA TENSIN DEL SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR MEDIANTE LA
SEGUNDA GRFICA DE SHADE: Con los dos parmetros que tenemos, y conociendo qu configuracin de
rectificacin usamos, ingresamos por el eje de .C.R L en la familia de curvas correspondiente, hasta cortar la
RS V
curva de nuestro % . Desde all nos movemos hasta encontrar el valor de % CC . Con ste obtenemos la
RL Vmax
tensin que deber entregar el secundario del transformador como:
VCC .100
Vmax =
VCC
%
Vmax graf
y su valor eficaz como:
Vmax
Vef =
2
7. DETERMINACIN DE LA CORRIENTE EFICAZ QUE CIRCULA POR CADA DIODO MEDIANTE
LA TERCERA CURVA DE SHADE: Calculamos el valor del parmetro n..C.RL , siendo n = 1 para
rectificador de media onda, yn = 2 para onda completa. Ingresamos con ste valor y nos desplazamos hasta
RS I ef
cortar la curva de nuestro % . Desde all nos movemos hacia el valor de . Determinamos con ste valor
RL I CC
la corriente eficaz que circula por cada diodo como:
I ef
I ef = .I CC
I CC graf
8. OBTENCIN DE LA CORRIENTE PICO REPETITIVA DE CADA DIODO MEDIANTE LA CUARTA
CURVA DE SHADE: Con el mismo parmetro que la curva anterior ( n..C.RL ), ingresamos y nos movemos
RS I pico
hasta cortar la curva de nuestro % . Desde all nos desplazamos hacia el valor de . Con ste,
RL I CC
calculamos la corriente pico repetitiva de cada diodo como:
I pico
I pico = .I CC
I CC graf
9. ELECCIN DE LOS COMPONENTES Y FINALIZACIN DEL DISEO: Elegimos el transformador en
base a la tensin que deber entregar el secundario ( Vmax ) y a la corriente media que queremos en la carga
( I CC ). Elegimos los diodos teniendo en cuenta la corriente eficaz ( I ef ) y la corriente pico repetitiva ( I pico ), as
como la corriente pico no repetitiva que se calcula como:
Vmax
I PNR =
RS

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Primera Curva de Shade


PORCENTAJE DE RIPPLE RESPECTO AL PARMETRO .C.RL

Segunda Curva de Shade para RMO


PORCENTAJE DE TENSIN MEDIA SOBRE LA TENSIN DEL TRANSFORMADOR RESPECTO AL
PARMETRO .C.R L

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Segunda Curva de Shade para ROC


PORCENTAJE DE TENSIN MEDIA SOBRE LA TENSIN DEL TRANSFORMADOR RESPECTO AL
PARMETRO .C.R L

Tercera Curva de Shade


CORRIENTE EFICAZ SOBRE CORRIENTE MEDIA POR DIODO RESPECTO AL PARMETRO n..C.RL

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Cuarta Curva de Shade


CORRIENTE PICO REPETITIVA SOBRE CORRIENTE MEDIA POR DIODO RESPECTO AL PARMETRO
n..C.RL

,
Las fuentes vistas hasta ahora (transformador rectificador filtro) tienen algunas desventajas:
Mala regulacin (La tensin de salida vara con la carga)
Mala estabilizacin (La tensin de salida vara con la tensin alterna de alimentacin)
Alta variacin trmica debida a la sensibilidad de los semiconductores con ste parmetro.
Podemos escribir la variacin de la tensin de salida en funcin de tres derivadas parciales que representan factores
de estabilidad:
vo v v
vo = .vi + o .il + o .T
vi il T
vo = S v .vi + Ro .il + S T .T
Donde S v es el factor de estabilizacin, Ro es la resistencia de salida de la fuente y S T es el coeficiente de
temperatura. Supondremos para el anlisis que S T 0 .

La configuracin ms bsica de una fuente regulada es la que se


muestra en la figura.
Vemos que utilizamos un diodo Zner, que tiene la propiedad
de mantener casi constante su tensin aunque vare la corriente
que pasa por l. Analizaremos dos situaciones de trabajo para
determinar parmetros necesarios para el diseo de ste tipo de
fuentes:

Variacin de la carga: Si variamos la carga, dejando constante la tensin de entrada sin regular, observaremos que
existe un valor mnimo de resistencia de carga por debajo del cual el circuito deja de regular, debido a que la
corriente total est limitada por la resistencia RS , y si la mayor parte se va hacia la carga, la corriente en el Zner
no es suficiente para polarizarlo en la regin necesaria.

!
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

Vo Vo
I = I Z min + I L max = I Z min + RL min =
RL min I I Z min
Variacin de la tensin de entrada sin regular: Si aumenta dicha tensin, aumenta la corriente I , y como la
carga no ha variado, el aumento de corriente es absorbido por el Zner. Existe entonces un lmite mximo para la
tensin de entrada sin regular, que es impuesto por la mxima corriente que admite el Zner. Para asegurarnos de
estar en la regin en la que el dispositivo regula, debemos tener en cuenta que:
La corriente a travs del Zner es mnima cuando la corriente en la carga es mxima y la tensin de
entrada es mnima.
La corriente a travs del Zner es mxima cuando la corriente en la carga es mnima y la tensin de
entrada es mxima.
Vi VZ Vi VZ
I= = IZ + IL RS =
RS IZ + IL
Vi min VZ Vi max VZ
RS = y RS =
I Z min + I L max I Z max + I L min
Conocemos todos los datos menos I Z min , I Z max y RS , pero por lo general se cumple que la primera es de un
10% de la segunda. Entonces, despejando obtenemos la corriente mxima que deber soportar nuestro dispositivo:
I L min .(VZ Vi min ) + I L max (Vi max VZ )
I Z max =
Vi min 0,9.VZ 0,1.Vi max
/*Estudiar demostracin*/
Conociendo ese valor podemos calcular RS con las frmulas anteriores.
Se puede demostrar que la variacin de la tensin de salida, dependiendo de los intervalos de tensin de entrada y
de corriente en la carga, es:
Vi + RS .I L
Vo =
R
1+ S
RZ
/*Estudiar demostracin*/
De sta expresin vemos que si la resistencia del Zner es nula (caso ideal), la variacin de la tensin tambin lo es.

Vemos de las curvas anteriores que para poder tener gran variacin en la tensin de entrada, RS debe ser grande,
porque sino se alcanza muy rpidamente los lmites de funcionamiento del dispositivo.
Si analizamos el circuito dinmicamente, es decir, para el rizado, obtendremos que, el rizado de salida cumple la
siguiente ecuacin:
RZ // RL
vo = v
(RZ // RL ) + RS i
Pero como siempre se cumple que RZ << RL y RZ << RS , entonces, el rizado a la salida ser:

! !
.ar
om
s.c
no
ia
TN
U

RZ
vo vi
RS
Vemos que el rizado a la salida disminuye cuando disminuye RZ y aumenta RS .
La impedancia de salida de la fuente se puede demostrar que es aproximadamente:
Z o RZ
Ventajas y desventajas:
Ventajas:
o Baja impedancia de salida
o Pocos componentes necesarios para el armado
Desventajas:
o Gran disipacin de potencia en RS
o No se pueden manejar grandes corrientes por la limitacin del Zner
o Cuando las corrientes son grandes, la regulacin es mala
,
Para solucionar la limitacin del manejo de grandes corrientes, se puede aadir un transistor a la configuracin
anterior, como muestra la figura.
En ste circuito, la corriente que entrega el circuito regulador
del Zner es veces menor que la corriente en la carga, por lo
que mejora la regulacin.
Las principales relaciones de corrientes y tensiones en el
circuito son:
Vi VZ
I= I = IZ + IB
RS
IL
IB = Vo = V Z V BE

Anlisis de la regulacin:
Variacin de la carga: RL Vo V BE IB IL Vo
Variacin de la tensin de entrada: Vi I IZ I L = ctte
Se puede demostrar que la variacin de la tensin de salida, dependiendo de los intervalos de tensin de entrada y
de corriente en la carga, es:
I L
Vi + RS

Vo =
RS
1+
RZ
/*Estudiar demostracin*/
que es similar a la expresin anterior pero el intervalo de corriente de carga est dividido por beta.
Se puede demostrar que el rizado es:
RZ
vo = vi
RS
/*Estudiar demostracin*/
que es igual al caso anterior.