Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Leccin 2:
Estos componentes tienen un gran numero de virtudes porque simplifican los circuitos , sus
propiedades permiten que cambien su caractersticas de operacin como ningn otro
material lo podra hacer , para brindar un ejemplo muy simple se podra decir que este tipo de
elementos podra comportarse en un momento similar a un alambre de cobre que conduce la
corriente elctrica y en otro momento se podra comportar en un plstico que no conduce
bien la corriente elctrica , todo esto lo hace el mismo componente y se podra conseguir
este cambio tan notable con solo invertir la polaridad del circuito.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
1
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de
dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la
medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una
fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un
mnimo para una corriente de colector dada (I c); adems de esto, suele presentar una
variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no
podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero
esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este
parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez
en el circuito.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
2
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
Se sustituye el transistor NPN por un PNP y se invierten todos los voltajes y corrientes.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
3
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Un transistor de este tipo comnmente llevara entre sus terminales una corriente usual de 1A
y voltajes de 60 V.
Encapsulados y Montajes:
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
4
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver
en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado
de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en
calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara
conectado directamente con el colector del transistor (ver siguiente prrafo). Para evitar el
contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico.
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del
mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas.
Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone
el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la
base.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.
Ver la forma en la figura.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
5
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es:
IE= x IB
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente
de base del transistor T2. Entonces
IE2 = 2 x 1 x IB1
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
6
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( las ganancias se
multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (b = 100) conectados como un transistor
Darlington y se utilizara la formula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100
= 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Muy importante: la cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington
es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del
primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2
(0.7 Voltios).
En los manuales de los componentes podemos encontrar una representacin para este
transistor como muestra la imagen inferior.
El encapsulado es una de las caractersticas en las que este transistor cambia respecto a los
convencionales BJT. Con las hojas de informacin DATASHETS es muy fcil identificar sus
terminales. En el caso de requerir sus propiedades normales de operacin este mismo
catalogo provee la informacin normal de operacin, o los valores mximo de parmetros de
funcionamiento como serian por ejemplo.
Voltaje C E
Corriente Colector normal y mxima.
Frecuencia de Trabajo Mxima.
Temperatura Mxima de Trabajo.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
7
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
En el cuadro inferior se muestra una tabla usual para una referencia especifica de un
transistor tipo DARLINTONG.
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje.
En otras palabras, la corriente Ic la es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la
corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso
la corriente de la salida del circuito se controla por un parametro del circuito de entrada, en
un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado
As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de
canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un
dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de conduccin es una funcin de dos
portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende
nicamente ya sea de la conduccin por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El
termino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos
familiarizados con la habilidad de un imn permanente de atraer limaduras de metal sin
necesidad de un contacto fsico directo.
El campo magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y las atrae hacia el
imn a travs de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico, para mantenerlas a
tan corta distancia como sea posible.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
8
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Para el FET se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes que
controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un contacto
directo entre la cantidad que controla y la que es controlada.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo
de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el
transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una
seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre
las capas difundidas en material tipo p.
El extremo superior del canal tipo n,se conecta mediante contacto hmico a la terminal
denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material
se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S).
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
9
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q).
Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarizacin.
El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura
anterior, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin
Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de
portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin.
Este tipo de transistores permiten que los mdulos de control puedan controlar cada vez mas
circuitos con alta corriente, a este efecto se le denomina ganancia, en el momento de
diagnostico de uno de estos componentes podemos encontrar que no existe cada de tensin
en la excitacin de su base. Presentando generalmente voltajes cercanos a 5V a travs
siempre de una resistencia.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
10
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Pero las diferencias principales se generan en cunto a poder de conmutacin en donde este
tipo de transistores puede tener mayor ganancia en la tabla inferior se presenta una
especificacin general para este tipo de transistor. Es importante observar por ejemplo el
valor de corriente mximo y pulsante entre Drain Source , y el voltaje mximo soportado en
estos terminales.
Transistores IGBT.
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez
mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutacin de altas corrientes es un
requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor
MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).
En el caso de la excitacin de este transistor se utiliza una compuerta aislada tipo MOSFET
con lo cual se controla la conmutacin por voltaje, y no por corriente llevando esto mucha
eficiencia a la llave electrnica.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
11
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Como se trata de una activacin por medio de un Mosfet se tendr Gate en la excitacin, y
como se tiene un bipolar en la llave electrnica ah se tendr Colector para la fuente y Emisor
para el circuito a conmutar, en la grafica se puede apreciar este arreglo.
En la estructura interna de este transistor se encuentra una organizacin qumica que usa las
propiedades de los dos transistores que se comento en el prrafo anterior.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
12
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
En Automotriz una de las cargas mas complicadas para operar son las cargas inductivas
estas son caractersticas de los sistemas de encendido por ejemplo.
En este caso la corriente tiene una caracterstica muy interesante porque presenta un
aumento a medida que el tiempo de circuito cerrado aumenta, lo que lleva a que el conductor
de esta corriente debe tener una muy eficiente conduccin de lo contrario colapsara.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
13
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
14
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
15
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cada uno de estos bloques sern explicados posteriormente, antes se quiso hablar de los
parmetros ms importantes que caracterizan un regulador de tensin; estos son la
regulacin de carga, la regulacin de lnea y el coeficiente de temperatura.
Regulacin de carga
REG-CARGA (%) = (Vo, cargamin - Vo, cargamx) x 100% / (Vo, cargamin); donde Vo,
cargamin es la tensin de salida con carga mnima (tensin nominal) y Vo, cargamx es la
tensin de salida con carga mxima.
Regulacin de lnea
REG-LINEA (%) = "Vo / ("Vi x Vo) x 100%; donde "Vo es el cambio en la tensin de salida
para un cambio en la entrad "Vi y vo es la tensin nominal de salida. La regulacin de lnea
es comparable a otras especificaciones como el rechazo al ripple o a la regulacin de
entrada
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
16
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Coeficiente de temperatura
Como se dijo un regulador de tensin est constituido por una serie de bloques funcionales
que permiten estabilizar la tensin de salida, el diagrama que se mostr antes est formado
por referencia, circuito de muestreo , amplificador de error y un elemento de control, en teora
una variacin de la tensin de salida Vo es detectada por el amplificador de error al comparar
la referencia de tensin y el circuito de muestreo, este amplificador opera sobre el elementote
control en serie para restaurar la Vo. Antes de adentrarnos en el tema se debe hacer
mencin de algunas de estos bloques constituyentes de un regulador en serie.
Voltaje de referencia: esto constituye una parte fundamental de los reguladores de tensin
al proporcionar una tensin de continua, muy precisa y estable con la temperatura y con el
tiempo, para minimizar los errores debidos al auto calentamiento, las referencias de tensin
proporcionan una corriente de salida moderada, tpicamente en el orden de unos pocos
miliamperios, estn referencias estn basadas en diodos zener y transistores bipolares o de
salto de banda,
Un diodo zener es el dispositivo mas barato y simple para obtener una tensin de referencia
ms o menos estable. Sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones zener
presentes en el mercado, adems estos presentan fuertes deriva trmica y el ruido de
avalancha es muy elevado. Estas limitaciones pueden ser resueltas en parte con la ayuda de
un amplificador operacional, resultando un circuito con caractersticas de autorregulacin.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
17
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
En un los PCM generalmente el Regulador de tensin debe mantener una tensin de salida
constante a 5V, independientemente de el valor de entrada que podra variar de valores entre
12 y 15 V.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
18
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
El conexionado usual para los pines de estos componentes es como el mostrado en la figura
inferior.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
19
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
20
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Los componentes electrnicos puede ser fcilmente localizados en catalogos ON Line, por
Interent.
El problema que se presenta en el caso de las ECUS autmotices es que no siempre en las
mismas los componentes se encuentra con cdigos comerciales. Muchgas veces los
componentes estan con cdigos internos de fabricante y si bien estos componentes existen
en el mercado, no es sencillo identificarlos.
Por ejemplo: Si intentamos localizar el transistor de la figura, marcado con el cdigo 30021,
no podremos hallarlo en ningn catalogo.
El componente existe, pero cuando este ocurre, debemos intentar localizarlo por su funcin.
En los DATASHHET aparecen todos los datos de los componentes desde el punto de vista
de funcionamiento y aplicaciones.
Incluye tambin los conexionados tpicos y las aplicaciones mas usuales del componente
solicitado.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
21
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
22
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Los componentes que pueden ser medidos en forma muy acertada con el multmetro, son los
transistores el tipo TBJ. Tambin puede ser identificado un Darlington.
Los transistores MOSFET y los IGBT deben ser medidos con otros medios que se explicaran
posteriormente.
Estos componentes son de compuerta aislada, por lo que las mediciones de resistencia entre
sus terminales no tiene sentido realizarlas.
Para comenzar, seleccionamos un tipo de transistor al azar (el NPN). Se puede ver en el
dibujo siguiente que lo obtenido es muy similar a la estructura que antes conocamos del
diodo. A la unin N-P preexistente le agregamos un nuevo bloque semiconductor (tipo N), y
el conjunto resultante se transforma en un dispositivo de tres terminales de conexin y dos
tipos de silicio.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
23
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Bloques que componen un transistor NPN: Si hubisemos elegido para los extremos el
material tipo P (carente de electrones, con exceso de huecos) y para el bloque central uno
del tipo N (exceso de electrones), nos hubiera quedado un transistor P-N-P.
Aclaracin importante: El dibujo mostrado no tiene nada que ver con la realidad fsica de un
transistor. Lo hemos dibujado as para que se pueda apreciar las partes que lo componen y
que se pueda conocer cmo se denominan.
Si se observa el dibujo, se veran lineas que representan a las dos junturas que se han
formado a ambos lados del terminal denominado BASE por la unin de los materiales N y P,
respectivamente. Si se asocia esta particularidad fsica con los diodos, con sus junturas N y
P, lo mostrado equivale a esto:
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
24
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Entonces, se puede observar que todo se reduce a medir dos diodos. Si se aplica el mismo
razonamiento, ahora se podr descubrir que un transistor NPN equivale a dos diodos
conectados en oposicin con sus nodos unidos.
Por qu lgicamente? Porque all no se esta midiendo una juntura en directa sino que al
momento de realizar la medicin hay que atravesar dos junturas, segn el grfico antes visto.
Una de ellas s quedara polarizada en directa, pero la otra no; esto hace que la medicin
sea equivalente a un circuito abierto.
Entonces, se puede extraer del anlisis hecho que entre COLECTOR y EMISOR nunca
habr conduccin en ninguno de los sentidos y en ninguno de los tipos de transistores
bipolares NPN o PNP que se intenten medir y controlar.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
25
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
De la misma forma que se realizaron mediciones con el multmetro digital, tambin se puede
realizar la comprobacin de transistores con el instrumento analgico.
En las tres imgenes se puede ver las posibilidades que presenta una medicin BASE
EMISOR. En la primera, a la izquierda, tenemos una medicin en polarizacin directa la que,
como vemos, conduce normalmente como si fuera un diodo. En la fotografa central, hemos
invertido las puntas de medicin, y la juntura se ha polarizado en inversa y ha dejado de
conducir.
En la ltima imagen, a la derecha, se muestra la situacin verdaderamente importante de la
nota, que nos permite el instrumento de aguja. Es muy obvio notar que la juntura examinada
est excelente ya que tanto en R X 1 como en R X 10K la aguja no se mueve en absoluto.
No existen fugas de corriente a travs de las junturas.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
26
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Diodos General: Tensin en inversa Vinv. y Corriente en directa Id. Ejemplo: Diodo 1000V
1 A.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
27
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Los parmetros importantes en estos transistores son VDS ( Tensin entre Drain Y Source),
ID (Corriente de Drenaje) y un parmetro sumamente importante RDS(on) ( Resistencia en
Drain y Source , cuando el transistor esta activado)
El RDS es la resistencia que presenta el transistor entre los terminales Drain y Source
cuando el mismo esta conectado. De acuerdo a la corriente ID que pase por el Mosfet, esta
resistencia interna remanente provocar una cada de tensin en el transistor y su
calentamiento. En muchas aplicaciones de Mosfets en ECUS automotrices se debe prestar
especial atencin al parmetro RDS.
Por supuesto es importante tambin seleccionar adecuadamente el tipo de capsula.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
28
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Los parmetros importantes en estos transistores son VCE (Tensin Colector Emisor), IC
(Corriente de Colector) y un parmetro sumamente importante VCE(on) ( Voltaje en Colector
y Emisor, cuando el transistor esta activado), siendo VCE(on) el voltaje de cada en el
transistor cuando el mismo esta saturado.
Por supuesto es importante tambin seleccionar adecuadamente el tipo de capsula.
Por ejemlo, si debemos reempazar un Mosfet para exitar 4 inyectores que trabajan en forma
paralela y considerando un consumo maximo de corriente de 1 A por inyector, y teniendo en
cueta que el pico de extratensi[on entre Colectro y Emisor suele llegra a 60 V, podrimaos
elegir un Mosfet con ID= 6 Amp. VDS = 100V y el RDS lo mas bajo posible.
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
29
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
30
LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
Notas:
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
31