ELECTRONICA GENERAL 16-12-2014

NOMBRES:

ELVIS BUNCES
DANIEL SALAZAR

Es un dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales
son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y
huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de
los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de
los antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventajas.
Elementos de un transistor o transistores:
EMISOR.- Emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la equivalente al
CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

BASE.-Controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA ctodo

en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

COLECTOR.-Capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la

PLACA en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.

Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor).
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el
material polarizado de forma opuesta.

Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )

JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado transistor unipolar, fu el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es
formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando
como una puerta, un electrodo de metal.

Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de
Hetereoestructura) y Hight Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.
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Transistor NPN Transistor PNP

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha
que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por
una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama
amplificacin. Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de
lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)
Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor,
que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, la cual asegurar que los
valores nominales mximos no sean excedidos y en donde la seal de salida exhibe una distorsin
mnima. Una regin de este tipo, se ha definido para las caractersticas de transistor. Todos los lmites de
operacin se definen sobre una tpica hoja de especificaciones de transistor.

Algunos de los lmites se explican por s mismos, como la corriente mxima de colector (denominada, por
lo general, en la hoja de especificaciones, como corriente continua de colector) y el voltaje mximo de
colector a emisor (abreviada a menudo como vCeo.)

FDefinicin de la regin lineal de operacin (sin distorsin) de un transistor: Regin Acti

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La mayora de las hojas de especificaciones se dividen en:

Valores nominales mximos

Caractersticas trmicas
Caractersticas elctricas.

Las caractersticas elctricas se subdividen adems en caractersticas en estado "encendido", en estado

"apagado" y de pequea seal. Las caractersticas en estado activo y pasivo se refieren a los lmites de cd,
mientras que las caractersticas de pequea seal incluyen los parmetros de importancia para la
operacin de ca.

Hoja de especificaciones del transistor: Valores Mximos, Caractersticas trmicas y

caractersticas elctricas de apagado.
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Hoja de especificaciones del transistor: caractersticas elctricas de encendido y

caractersticas de pequea seal.
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Hoja de especificaciones del transistor: diversas curvas.

Hoja de especificaciones del transistor: dimensiones del empaque y de los pines.

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Un transistor BJT se define como el hecho de que los huecos y los electrones participan en
el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
Existen diferentes tipos de transistores entre los ms conocidos son: transistores bipolares de
unin, transistores de efecto de campo, transistores HBT.
Hemos podido determinar el lmite de operacin de los transistores lo que nos ser de mucha
ayuda en el momento de armado de circuitos
Se pudo definir sus principales aplicaciones.
Con la hoja de datos del transistor BJT pudimos observar y determinar diversos datos como son:
valores nominales mximos, caractersticas trmicas, caractersticas elctricas y diversas graficas
correspondientes a los datos antes mencionados

www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm
www.unicrom.com/tutoriales.asp
www.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm
http://es.slideshare.net/Jhomgomez/transistor-bjt-y-polarizacion?related=1