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UNIVERSIDADE SO FRANCISCO

Curso de Engenharia Eltrica

RODRIGO MORAES LEME

CARACTERSTICAS DOS FORNOS A INDUO COM


CONVERSORES IGBTs.

Itatiba
2011
RODRIGO MORAES LEME R.A. 002200900632

IMPACTOS CAUSADOS PELOS FORNOS A INDUO


CONVERSORES IGBTs - NA REDE DE TRANSMISSO DE
ENERGIA ELTRICA

Monografia apresentada ao Curso de


Engenharia Eltrica da Universidade So
Francisco, como requisito parcial para
obteno do ttulo de Bacharel em
Engenharia Eltrica.

Orientador: Prof. Dr. Geraldo Peres


Caixeta

Itatiba
2011
A minha amada me, Sueli Aparecida de
Moraes Leme, e meu amado pai, Jair Raimundo
Leme, por tudo que eles fizeram e continuam
fazendo por mim.
Se voc quer ser bem sucedido, precisa
ter dedicao total, buscar seu ltimo limite e dar
o melhor de si mesmo.

Ayrton Senna
AGRADECIMENTOS

Gostaria de agradecer primeiramente a Deus por conceber o dom da vida e sade para
sempre seguir em frente e jamais desistir perante aos empecilhos que surgiram no decorrer desse
trabalho e tambm durante todo o curso. E por guiar meus passos e por me conceder mais essa
realizao.

Agradeo a minha famlia, que me apia e incentiva em cada momento de minha vida e sem
a qual eu no seria nada.

Agradeo aos professores Geraldo Peres Caixeta e Renato Franco de Camargo que me deram
orientaes valiosas para a elaborao deste trabalho.
RESUMO

Em muitas empresas do ramo de fundio e forjaria de metais, o principal equipamento


para realizar tal funo so os fornos de induo magntica a cadinhos que utilizam de
inversores de frequncia em seu processo. Esse tipo de equipamento trabalha em
freqncias diferentes das freqncias de rede e com isso causa danos a linha de
transmisso de energia eltrica. Neste trabalho ser realizado um estudo, atravs de
harmnicas, sobre esse tipo de equipamento e seus impactos causados na linha te
transmisso de energia e a obteno de um ndice de eficincia energtica superior a
0,92 para que no implique em multa por parte das concessionrias de energia.

Palavras-chaves: fornos de induo. inversores de frequncia. harmnicas. eficincia


energtica.
ABSTRACT

In many companies of the casting and forging of metals, the main device for performing
this function are the magnetic induction furnaces crucibles that using the frequency
inverters in the process. This type of device works on different frequencies of the
network and thereby damages in the power lines. In this work will be a detailed study
by harmonics on this type of equipment and their impacts on power lines and you obtain
an energy efficiency index greater than 0,92 to not incurring fines by the
concessionaires energy.

Key-words: induction furnaces. inverters. harmonics. energy efficiency.


LISTA DE ABREVIATURAS

ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas


AC Alternative Current
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica
BT Baixa Tenso
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contnua
CREA Conselho Regional de Engenharia e Arquitetura
DC Direct Current
F.e.m Fora Eletro Motriz
GTO Gate Turn-Off Thyristor
HVDC High Voltage Direct Current
Hz Hertz
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers
IRCB Inverter Rectifier Control Board
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect
MT Mdia Tenso
NBR Normas Tcnicas Brasileiras
PWM Pulse Width Modulation
SIT Static Induction Transistor
TBP Transistores Bipolares de Potncia
TCC Trabalho de Concluso de Curso
TI Teoria da Informao
Variao de Fluxo Magntico
t Variao de Tempo
LISTA DE FIGURAS

FIGURA 1. Diagrama eltrico unifilar do forno ............................................................................... 16


FIGURA 2. Princpio de operao TWIN-POWER de 12 pulsos ...................................................... 17
FIGURA 3. Curvas de Impedncia.................................................................................................... 19
FIGURA 4. Forno a Cadinhos por Induo tipo FS .......................................................................... 21
FIGURA 5. Vista completa do forno tipo IFM-3.............................................................................. 22
FIGURA 6. Forno a cadinhos em posio inclinada ......................................................................... 23
FIGURA 7. Diagrama de blocos de um inversor de frequncia........................................................ 25
FIGURA 8. Forma de onda na sada do inversor .............................................................................. 25
FIGURA 9. Plpito de basculamento ................................................................................................ 26
FIGURA 10. Estrutura de um IGBT ................................................................................................. 30
FIGURA 11. Esquema de operao fsica de um IGBT.................................................................... 32
FIGURA 12. Bloco funcional de um inversor de 6 pulsos................................................................ 35
FIGURA 13. Formas de onda da sada do inversor de 6 pulsos........................................................ 35
FIGURA 14. Curva de tenso e corrente para o inversor em operao nominal .............................. 37
FIGURA 15. Circuito do inversor IGBT no time range 1................................................................. 38
FIGURA 16. Circuito do inversor IGBT no time range 2................................................................. 39
FIGURA 17. Circuito do inversor IGBT no time range 3................................................................. 40
FIGURA 18. Circuito do inversor IGBT no time range 4................................................................. 40
FIGURA 19. Circuito do inversor IGBT no time range 5................................................................. 41
FIGURA 20. Limites de operao de componentes semicondutores de potncia............................. 43
FIGURA 21. Circuito retificador trifsico, com carga RL................................................................ 45
FIGURA 22. Tenso de sada de retificador ideal............................................................................. 45
FIGURA 23. Tenses e corrente de entrada com carga indutiva e espectro da corrente .................. 46
FIGURA 24. rea de seo e dimetro de fio de cobre .................................................................... 49
FIGURA 25. Resposta em freqncia de cabo trifsico (10 km)...................................................... 49
FIGURA 26. Perfil de tenso ao longo do cabo na frequncia de ressonncia................................. 49
FIGURA 27. Resposta no tempo de cabo na frequncia de ressonncia.... ...................................... 50
FIGURA 28. Circuitos equivalentes para anlise de ressonncia ..................................................... 51
FIGURA 29. Formas de onda relativas ............................................................................................. 51
FIGURA 30. Esquema de um inversor de 12 pulsos......................................................................... 52
FIGURA 31. Formas de onda da sada do inversor de 12 pulsos ..................................................... 53
FIGURA 32. Entalpia para derretimento de ferro a 1500 C em 396kWh/t ..................................... 55
FIGURA 33. Projeo futura para reduo de CO2 na Europa......................................................... 56
LISTA DE TABELAS

TABELA 1 Corrente harmnica em % nos inversores...............................................53


SUMRIO

1. Introduo................................................................................................. 14

2. Princpios Bsicos dos Fornos a Induo.................................................. 16

2.1. Funcionamento Geral............................................................................. 16

2.1.1. Princpios de Funcionamento Conversor IGBT............................... 16

2.2. Sistemas de Potncia.............................................................................. 17

2.2.1. Sistema Twin-Power........................................................................... 17

3. Partes do Forno......................................................................................... 21

3.1. Composio Mecnica........................................................................... 21

3.1.1. Cadinho............................................................................................... 21

3.1.2. Unidade Hidrulica............................................................................. 22

3.1.3. Estao de Bombeamento (Pump-Stand)............................................ 23

3.1.4. Torre de Resfriamento......................................................................... 24

3.2. Composio Eltrica.............................................................................. 24

3.2.1. Conversor de Potncia......................................................................... 24

3.2.2. Cubculo de Proteo.......................................................................... 26

3.2.3. Plpito de Basculamento..................................................................... 26

3.2.4. Transformador de Linha...................................................................... 27

4. Estudo do Inversor de Frequencia (IGBT)................................................ 28


4.1. O que um IGBT................................................................................... 28

4.2. Operao Fsica IGBT......................................................................... 29

4.3. Aplicao Fornos a Induo................................................................ 34

4.4. Princpios de Operao.......................................................................... 36

4.5. Funcionamento - Chaveamento.............................................................. 38

4.6. Comparativo entre IGBTs e demais semicondutores............................ 42

5. Impactos na Rede de Transmisso............................................................ 44

5.1. Harmnicas............................................................................................ 44

5.2. Problemas causados............................................................................... 46

5.3. Melhorias................................................................................................ 52

6. Preocupao com o meio ambiente........................................................... 54

6.1. Vantagens do aquecimento por induo................................................. 55

7. Consideraes Finais................................................................................. 57

8. Referencias Bibliogrficas........................................................................ 58
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1. INTRODUO

Quando o assunto em questo refere-se a Fornos a Induo Magntica, muitas pessoas


desconhecem esse tipo de equipamento e que de uma maneira indireta, se faz presente na vida de
todos.

Isso acontece porque atualmente impossvel no termos contato com algum equipamento
de origem metlica, por exemplo, um carro. A lataria do carro no nasce com aquele formato na
natureza, preciso que se obtenha o metal bruto e posteriormente que se trabalhe o mesmo, para
que se obtenha a forma desejada como produto final para determinado tipo de aplicao.

A principal funo de um forno a induo exatamente essa, pelo metal ser um elemento
com rigidez altamente elevada no to simples trabalh-lo. O forno atravs de induo magntica
consegue derreter o metal para que posteriormente ele seja trabalhado e assuma a forma desejada de
acordo com a finalidade do ramo em questo.

Os fornos de induo a cadinhos tornaram-se significantes no ramo industrial no comeo do


ano de 1930 com o desenvolvimento dos fornos de alta freqncia, alimentados por geradores. Um
grande nmero de fornos foi instalado nessa poca nos USA, Rssia e Europa com capacidade de
fundir por volta de 8 toneladas de metais

Depois da Segunda Guerra Mundial, ocorreu a migrao da alta freqncia para a mdia
freqncia em fornos induo a cadinhos. Era o inicio da era de freqncia de linha nos fornos a
induo a cadinhos. Com esse avano foi possvel que se atingisse, na dcada de 70, uma potencia
de 21MW de operao e assim fundir aproximadamente 60 toneladas de metal num curto espao de
tempo.

Aquecimento indutivo passou a ser considerado em fundies de ferro como uma tecnologia
economicamente vivel.

Em 1980, com o desenvolvimento dos inversores de freqncia, tambm chamados de


conversores de potncia e a tecnologia dos tiristores, diversos pontos em carter eltrico foram
garantia de sucesso. Entre eles, a eficincia na converso de freqncia foi aumentada de 60 para
80%, o custo de capacidade operacional foi reduzido em aproximadamente 50%.

Se compararmos os antigos fornos que utilizavam alta freqncia com os de hoje que
utilizam freqncia de linha, estes atravs dos conversores de potncia levam larga vantagem, pois
2

sua capacidade de operao trs vezes maior do que a dos fornos antigos, sem perder rendimento
no aquecimento.

Enquanto problemas como rudos, transientes, subtenses, sobre tenses podem passar quase
despercebidos por mquinas e equipamentos de uso comum em residncias ou indstrias, esses
mesmos problemas podem comprometer seriamente os dispositivos de TI.

O foco desse trabalho ser um breve estudo sobre o funcionamento desse tipo de
equipamento, dos conversores de potncia a IGBT e por operar em potncia relativamente alta e
freqncia diferente de 60 Hz, os impactos que os fornos (inversores de freqncia) causam na rede
de transmisso de energia eltrica. Esse trabalho ser realizado atravs do estudo de harmnicas
quando o forno est com potncia mxima de operao.
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2. PRINCPIOS BASICOS DOS FORNOS A INDUO

2.1. Funcionamento Geral

O funcionamento dos fornos de induo baseia-se na induo eletromagntica. Faraday estudou


este fenmeno e concluiu que num condutor eltrico submetido a um fluxo magntico varivel,
surge uma f.e.m (fora eletro motriz) tanto maior quanto maior for variao do fluxo.

(Para que a variao do fluxo no tempo seja grande preciso que o fluxo seja elevado e /
ou que o tempo de variao t seja pequeno. Esta ltima condio corresponde a uma freqncia
elevada).

Sendo muito usado para fuso de materiais condutores, formam-se nestes materiais
correntes de Foucault (correntes induzidas em massas metlicas) que produzem grande elevao de
temperatura. Se os materiais forem magnticos, haver tambm o fenmeno da histerese, que
contribui para o aumento de temperatura.

2.1.1. Princpios de Funcionamento Conversor IGBT

Na figura 1 abaixo, temos o diagrama eltrico unifilar do forno e seus componentes.


Furnace Furnace
Capacitor FS3
Bank (C1) (250kW/1kHz)
U1 V1
IGBT- Modul Coupling
250kW / 1kHz Unit AC-Choke FS3

Net Net U U1
Fuses Choke
RF Cdc INV
C1

V V1

Power
Supply
Un=660V

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 1 Diagrama eltrico unifilar do forno.


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O princpio de funcionamento consiste em processar e condicionar a energia para alimentar a


bobina do forno.

Para este fim retificado a tenso, neste caso, de 660 volts de entrada (60Hz), elevada para
uma tenso linear aproximada de 900 volts e invertida numa freqncia de 1000Hz com tenso de
pico igual a tenso retificada, tudo isso obtido na sada do mdulo IGBT, sendo os demais
componentes complementos e sistemas de proteo.

2.2. Sistemas de Potncia


2.2.1.Sistema Twin-Power
Com esta tcnica de comutao possvel alimentar com potncia dois fornos de fuso ao
mesmo tempo, a partir de um nico equipamento de conversor. Neste caso, somente necessria
uma conexo de rede e a potncia retirada da rede poder ser fornecida a ambos os fornos numa
partio praticamente arbitrria e a qualquer tempo modificvel.

Fonte: Adaptado do manual BA 30.24-182 PT item 1.2.3.2.8 ABP INDUCTION SYSTEMS

Figura 2 - Princpio de Operao TWIN-POWER de 12 pulsos


5

Atravs de um transformador, ser alimentado com corrente eltrica um retificador em


circuito de ponte de corrente trifsica (de 6 pulsos, 12 pulsos ou 24 pulsos, conforme a potncia).
No exemplo de operao de 12 pulsos, figura 2, os retificadores GR1 e GR2 fornecem uma corrente
contnua a dois inversores WR1 e WR2. Para que os inversores estejam bem desacoplados da rede,
encontra-se entre os retificadores e os inversores uma bobina de auto-induo de alisamento.

Ambos os inversores esto ligados eletricamente em srie. Com isso, flui pelos dois
inversores a mesma corrente. Na sada de cada inversor est conectado um forno.

Os fornos sero ampliados, cada um, atravs de um banco de capacitores C, para um circuito
oscilatrio paralelo.

Modo de Funcionamento:

Um circuito oscilatrio paralelo possui na sua freqncia de ressonncia, a sua maior


impedncia. Acima e abaixo de sua freqncia de ressonncia, a impedncia diminui relativamente
rapidamente. Um inversor paralelo trabalha, dependendo dos IGBTs utilizados, somente acima da
freqncia de ressonncia do circuito de carga.

O controle cuida para que a freqncia de servio de cada inversor seja ajustada de maneira
que a impedncia do circuito oscilatrio adapte-se potncia nominal desejada.

Como flui a mesma corrente em ambos os inversores, a potncia efetiva transformada ,


ento, proporcional parcela hmica da impedncia.

Atravs de ignio adequada dos IGBTs do inversor, a absoro de potncia ativa de cada
forno poder ser grandemente modificada (at uma banda de regulao mxima de
aproximadamente 50 por 1). Nesta ocasio, a regulao assegura que a potncia total permitida de
100% no seja sobre passada.

Para, alm disso, sero monitorizados, a todo o momento, os valores de sobrecarga dos
IGBTs e, no caso de sobre passo ameaador dos valores limites, reguladores de valor limite
assumem uma limitao segura para valores permitidos. Com isso, pode ocorrer, por exemplo, que
um forno, que deve atingir 90% de potncia, no atinja este valor, pois a tenso nominal j foi
anteriormente atingida. O outro forno, ento, pode, entretanto, levar a potncia restante at 100% da
potncia total.
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Com esta tcnica de controle, a potncia poder ser distribuda tambm arbitrariamente aos
fornos, quando estes so muito diferentes no seu estado.

Exemplo: Um forno sinterizado e funciona 12 horas com aproximadamente 10% da sua potncia
nominal. O outro forno tem sua disposio, ento, durante este tempo, 90% da potncia
remanescente.

Na figura 3 a seguir, est representada a parcela real da impedncia (correspondente


potncia ativa) como funo da freqncia de servio, no caso de trs diferentes estados de forno. A
curva plana operao de sinterizao, no caso da curva central, o forno Totalmente fluido e no
caso da curva superior, o forno encontra-se em ponto morto.

Fonte: Adaptado do manual BA 30.24-182 PT item 1.2.3.2.9 ABP INDUCTION SYSTEMS

Figura 3 Curvas de Impedncia

Proteo contra tenso excessiva:

A proteo contra tenso excessiva est disposta antes de cada retificador. Ela possui as
seguintes funes:

- Interceptar as tenses de excesso da rede de corrente trifsica ou atravs dos procedimentos de


comutao do conversor de corrente-transformador.
7

- Assimilar os picos da tenso de retorno dos tiristores do retificador.

A proteo contra tenso de excesso se encontra no armrio do retificador.

Dispositivo de arranque:

O dispositivo de arranque cuida do processo de transcondutncia inicial. Atravs de um


retificador auxiliar, o capacitor de arranque carregado em estado desligado da instalao. Quando
do arranque, o capacitor de arranque ser descarregado atravs do IGBT de arranque sobre o
circuito de carga.

Na bobina de aquecimento (circuito oscilatrio de carga) inicia o processo de


transcondutncia inicial atravs da descarga do capacitor de arranque. A lgica de controle detecta
j a primeira meia-onda e fornece, correspondentemente ao estado ajustado do impulso, o impulso
de ignio para os IGBTs - inversores.

Simultaneamente com o impulso de arranque, aumenta a corrente do circuito intermedirio.

Auxiliado pelo controle, poder ser verificado o funcionamento impecvel dos inversores e
do circuito de carga.
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3. PARTES DO FORNO
3.1. Composio Mecnica
3.1.1.Cadinho
O forno de cadinho por induo FS (ver fig. 4 e fig. 5) consiste de:

Tampa do forno (1)

Plataforma do forno (2)

Conexes para a alimentao de gua de refrigerao (3+4)

Corpo de forno (5) com cadinho e bobina

Suporte de inclinao com apoio de inclinao (6) e dois cilindros de inclinao

Bico para derramar (7)

Conexes para alimentao de energia eltrica (no visvel)

Conexes para a alimentao com leo hidrulico (no visvel)

Fonte: Adaptado do manual BA 30.24-201PT_03-12-11 item 2.2 ABP INDUCTION SYSTEMS

Figura 4 Forno de Cadinhos por Induo tipo FS


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Fonte: Adaptado do manual BA 30.24-201PT_03-12-11 item 2.4 ABP INDUCTION SYSTEMS

Figura 5 vista completa do forno tipo IFM-3

3.1.2. Unidade Hidrulica


O forno de induo a cadinhos, possui alguns comandos que so acionados hidraulicamente.
Quando o forno encontra-se em final de operao com o metal j totalmente derretido preciso
colocar esse metal nos moldes. Para tal fim, o forno possui um sistema de basculamento.

Esse sistema, como mostrado na figura 6, consiste numa inclinao do forno em torno de 91
at 93 para que o metal seja vazado nas panelas coletoras de metal. Esse sistema acionado
hidraulicamente, para tal fim entra o papel da unidade hidrulica.

A Unidade Hidrulica a responsvel pelo envio de leo nos cilindros de basculamento para
a execuo de determinada funo. Outra funo desta quando se deseja abrir e fechar a tampa do
cadinho para que o metal em processo de fuso no saia de dentro do cadinho podendo colocar o
operador, ou algum prximo ao forno em perigo. O abre-fecha da tampa acionado, assim como o
basculamento, pela Unidade Hidrulica.
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Fonte: Adaptado do manual BA 30.24-201PT_03-12-11 item 2.3 ABP INDUCTION SYSTEMS

Figura 6 Forno de cadinhos em posio inclinada

3.1.3. Estao de Bombeamento (Pump-Stand)


Esta unidade responsvel por bombear gua para todas as partes que necessitem de
refrigerao no equipamento.

So partes refrigeradas do equipamento:

- Ncleos da bobina

- Bobina

- Capacitores do conversor de potncia

- Barramentos do conversor de potncia

- Retificador

- Reator de linha

- Reatores de acoplamento

- Alguns cabos de energia


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A unidade de bombeamento um componente fundamental para o equipamento como um


todo, por se tratar de um equipamento que opera em potncia alta, a refrigerao o primeiro
componente a ser ligado no processo de startup de um forno a induo.

Na estao de bombeamento, existem 2 bombas para tal funo. A primeira a que executa
diretamente o bombeamento e a outra fica em mdulo de espera, pois qualquer problema que ocorra
com a bomba primria, a de espera atua automaticamente para que no coloque em risco o
equipamento por falta de refrigerao.

3.1.4.Torre de Resfriamento
A Torre de Resfriamento ligada, assim como a estao de bombeamento, a parte de
refrigerao do forno. No processo de refrigerao do equipamento, a gua aquecida, trata-se de
um ciclo. Em novo ciclo a gua tem de novamente estar em temperatura baixa na qual se terminou o
ciclo anterior.

A Torre de Resfriamento faz exatamente essa funo. Entre um ciclo e outro a gua que j
refrigerou as partes do forno entra na Torre para ser resfriada e novamente entra no ciclo de
refrigerao. Existem diversos componentes para monitorao da gua de refrigerao. Entre eles
esto: termostatos, pressostatos, manmetros e fluxostatos com a finalidade de estarem monitorando
o tempo todo, a presso, temperatura e fluxo da gua de refrigerao.

3.2. Composio Eltrica


3.2.1. Conversor de Potncia

Um inversor de freqncia um dispositivo capaz de gerar uma tenso e freqncias


trifsicas ajustveis, com a finalidade de controlar a velocidade de um motor de induo trifsico.

A figura 7 abaixo, mostra resumidamente o diagrama em blocos de um inversor de


freqncia escalar:
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Fonte: Retirado do texto Inversor, autor: Joerg Hallwas

Figura 7 diagrama de blocos de um inversor de frequncia

No Retificador:

Os seis diodos retificadores situados no circuito de entrada do inversor retificam a tenso


trifsica da rede de entrada (L1, L2 e L3). A tenso DC resultante filtrada pelo capacitor C e
utilizada como entrada para a seo inversora.

No Inversor:

Na seo inversora, a tenso retificada DC novamente convertida em Trifsica AC. Os


transistores chaveiam vrias vezes por ciclo, gerando um trem de pulsos com largura varivel
senoidalmente (PWM). Esta sada de tenso pulsada, sendo aplicada em um motor (carga indutiva),
ir gerar uma forma de onda de corrente bem prxima da senoidal atravs do enrolamento do motor.

Na figura 8, a forma de onda na sada do inversor:

Fonte: Retirado do texto Inversor, autor: Joerg Hallwas

Figura 8 forma de onda na sada do inversor


13

3.2.2.Cubculo de Proteo
Entre a linha de transmisso de mdia freqncia 13.8kV e o transformador abaixador de
tenso, que ser explicado em outro tpico, existe o cubculo de proteo de MT.

Resumidamente, o Cubculo composto por um disjuntor a vcuo para mdia tenso, que
acionado atravs de um rel de sobre corrente. Esse rel parametrizado, de acordo do tipo de
aplicao, para que caso haja um curto-circuito na instalao ele desarme o disjuntor no colocando
em risco o equipamento.

O cubculo de proteo muito importante porque caso ocorra algum curto-circuito de


grande porte no forno, ele evitar que o mesmo chegue at a linha de transmisso e comprometa a
distribuio de energia eltrica na regio em que o forno se encontra.

3.2.3.Plpito de Basculamento
O plpito uma espcie de mesa de operao que geralmente fica prximo ao cadinho, a
fim de facilitar a vida do operador. Para que o operador no precise ficar indo at o conversor para
ligar e desligar o equipamento, o plpito possui essa funo, alem da funo de parada de
emergncia e aterramento do banho.

Todos os acionamentos hidrulicos encontram-se contidos no plpito. Entre eles o


basculamento do forno, e abrir e fechar tampa do cadinho.

Como demonstra a figura 9 a seguir:

Fonte: Fotografia tirada na fabrica ABP INDUCTION BRASIL


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Figura 9 Plpito de Basculamento

3.2.4. Transformador de Linha


O transformador de linha responsvel em transformar a MT em BT. A tenso no primrio,
normalmente 13,8kV, e a no secundrio de acordo com o tipo do equipamento em questo.
Tendo em vista que existem vrios tipos de fornos a induo e para esses, existem vrios projetos
com diferentes tenses de entrada.
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4. ESTUDO DO INVERSOR DE FREQUNCIA


4.1. O que um IGBT?

Com a inveno do primeiro tiristor de juno PNPN, houve um grande avano nos
dispositivos semicondutores de potncia.

Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem as rudimentares


vlvulas ignitron, phanotron e thyratron, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de
suportar grandes correntes e elevadas tenses reversas em seu chaveamento. Alm disso, em vrias
aplicaes de eletrnica de potncia, h necessidade de uma operao em elevadas freqncias de
chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os inversores de tenso,
necessrios para a construo de filtros ativos de potncia. Dessa forma, os dispositivos
semicondutores devem possuir baixas perdas de potncia durante o chaveamento.

At 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de


potncia em aplicaes industriais. Vrios tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram
desenvolvidos e se tornaram disponveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser amplamente
divididos em cinco tipos: os diodos de potncia, os tiristores, os transistores bipolares de juno de
potncia, os MOSFETs de potncia, os SITs e os IGBTs.

Devido as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia elevada


impedncia de entrada dos MOSFETs, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de
controle de potncia de uso industrial.

Os transistores bipolares de potncia possuem caractersticas que permitem sua utilizao no


controle de elevadas correntes com muitas vantagens, como baixas perdas no estado de conduo.
No entanto, as suas caractersticas de entrada, exigindo correntes elevadas de base, j que operam
como amplificadores de corrente trazem certas desvantagens em algumas aplicaes.

O IGBT rene a facilidade de acionamento dos MOSFETs e sua elevada impedncia de


entrada com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento
determinada, a princpio, pelas caractersticas mais lentas as quais so devidas s caractersticas
do TBP. Assim, a velocidade dos IGBTs semelhante dos TBP; no entanto, nos ltimos anos
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tem crescido gradativamente, permitindo a sua operao em freqncias de dezenas de kHz, nos
componentes para correntes na faixa de dezenas e at centenas de Ampres.

Juntando o que h de bom nesses dois tipos de transistores, o IGBT um componente que se
torna cada vez mais recomendado para comutao de carga de alta corrente em regime de alta
velocidade.

4.2. Operao Fsica - IGBT

A figura 10 apresenta a estrutura de um tpico IGBT de canal tipo N. Onde, no caso o IGBT,
ter uma dupla difuso de uma regio do tipo P e uma do tipo N.

Abaixo da regio da porta (Gate), uma camada de inverso pode ser formada a partir da
aplicao de certa tenso entre a porta e o emissor (emitter), para faz-lo entrar em conduo.

A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a incluso de um


substrato P+ (O smbolo + foi colocado para indicar que esta regio fortemente dopada,
enquanto que o smbolo - indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal
de coletor (collector). Esta mudana tem como efeito a incluso de caractersticas bipolares ao
dispositivo. Esta camada P+ tem como objetivo a incluso de portadores positivos lacunas na
regio de arrastamento (Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo PNP.

Na estrutura do IGBT, importante notar que o terminal de porta est conectado a duas
regies isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de xido de silcio
(SiO2) ao invs de ser apenas uma regio como costumamos ver em MOSFETs. Assim, o IGBT
apresenta formao de dois canais ao invs de apenas um.
17

Fonte: Retirado do texto O IGBT, autor: Margorzata Lenk

Figura 10 Estrutura de um IGBT

O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de conduo


(On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta.

Se for aplicado uma pequena tenso de porta positiva em relao ao emissor, a juno J1 da
figura anterior ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir circular atravs dessa juno.
No entanto, a aplicao de uma tenso positiva no terminal de porta far com que se forme um
campo eltrico na regio de xido de silcio responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao
substrato tipo P e a atrao de eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente
abaixo da porta.

Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de porta, no


haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor porque a juno J2 estar reversamente
polarizada, bloqueando a corrente. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser
a corrente de escape (leakage).

Uma caracterstica desta regio de operao a tenso direta de breakdown, determinada


pela tenso breakdown da juno J2. Este um fator extremamente importante, em particular para
dispositivos de potncia onde grandes tenses e correntes esto envolvidas. A tenso de breakdown
da juno J2 dependente da poro mais fracamente dopada da juno, isto , a camada N-. Isto se
deve ao fato de que a camada mais fracamente dopada resulta em uma regio de depleo desta
18

juno mais larga. Uma regio de depleo mais larga implica em um valor mximo de campo
eltrico na regio de depleo que o dispositivo poder suportar sem entrar em breakdown mais
baixo, o que implica no fato de que o dispositivo poder suportar altas tenses na regio de corte.
Esta a razo pela qual a regio N- da regio de arrastamento mais levemente dopada que a
regio tipo P da regio de corpo (Body). Os dispositivos prticos geralmente so projetados para
possurem uma tenso de breakdown entre 600 V e 1200 V.

Quando se aplica uma tenso entre porta e emissor do dispositivo, uma corrente de pequena
intensidade e de curta durao circula pela porta de forma a carregar a capacitncia parasita que
existe entre a porta e a poro semicondutora logo abaixo do terminal de porta. A tenso faz com
que um campo eltrico aparea entre o terminal de porta e a poro de semicondutor p logo abaixo
da porta. Este campo eltrico atrai alguns eltrons livres da prpria regio tipo p e alguns eltrons
livres das pores n+ localizadas dentro desse substrato p, em virtude do fato de essa regio estar
fortemente dopada. Ao se aumentar a tenso entre a porta e o emissor, conseqentemente, aumenta-
se esse campo eltrico e mais portadores negativos sero atrados para a regio imediatamente
abaixo do terminal de porta.

Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite que depende
do dispositivo conhecido como tenso de limiar (threshold voltage), simbolizada por Vth, a
quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico tamanha que a regio imediatamente
abaixo da porta acaba por se transformar do tipo p para o tipo n, fenmeno conhecido como
inverso sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inverso, mais
comumente conhecida como canal.

Com a formao deste canal, temos uma ligao do tipo n entre a pequena regio n+ e a
regio de arrastamento, tal canal permite a conduo de corrente atravs de uma pequena regio na
juno J1 que estava reversamente polarizada antes de a tenso entre porta e emissor atingir o valor
limiar. Dessa forma, eltrons sero transportados atravs deste canal at a regio de arrastamento
onde iro fazer parte da corrente que circula pela juno J3 que est diretamente polarizada, fazendo
com que o diodo formado pela juno J3 entre em conduo. Com este efeito, temos que a
camada p+ conectada ao coletor injeta lacunas positivamente carregadas na regio de arrastamento
n-.
19

Essa injeo de lacunas da regio de arrastamento causa a modulao da condutividade da


regio de arrastamento onde as densidades de ambos os portadores, eltrons livres e lacunas,
atingem valores muito mais elevados que quela que a regio n- geralmente apresenta. esta
modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo entre os terminais de
coletor e emissor do IGBT por causa da reduzida resistncia da regio de arrastamento isto se
deve ao fato de que a condutividade de um material semicondutor proporcional densidade de
portadores deste material. Assim, o IGBT poder drenar correntes elevadas com poucas perdas de
potncia, assim como o que ocorre em um transistor bipolar.

Algumas das lacunas injetadas na regio n- so recombinadas nesta mesma regio com os
eltrons livres desta camada. No entanto, a maior parte das lacunas que alcanam a regio no se
recombinam e alcanam a juno J2 que est reversamente polarizada. Assim, as lacunas encontram
um campo eltrico favorvel ao seu movimento, justamente por causa da polarizao reversa da
juno. Com este campo eltrico da juno J2, as lacunas sero arrastadas por meio da corrente de
difuso pela regio de arrastamento atravessando a juno J2 at serem coletadas pela regio do tipo
p onde est conectado o terminal de coletor.

A operao fsica do IGBT descrita aqui ilustrada na figura 11 apresentada abaixo:

Fonte: Retirado do texto O IGBT, autor: Margorzata Lenk

Figura 11 Esquema de operao fsica do IGBT

A figura 11 ilustra trs fatias de semicondutores formando uma juno PNP que a mesma
que forma um transistor bipolar de potncia cuja base conectada regio central e os terminais de
coletor e emissor so conectados do mesmo modo que no TBP. Na parte de cima da figura, existe
uma estrutura que opera com uma corrente de dreno. Essa corrente injetada na regio de
20

arrastamento que corresponde base do transistor PNP de potncia que temos ao longo do IGBT.
Essa corrente de dreno do IGBT atua como o disparo do transistor.

Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores de


freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada,
podendo com isso aparecer tenses inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser
protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor
para evitar que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT. Quando o IGBT liga novamente,
o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. A carga
armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tenso. Isso faz com
que aparea uma corrente que se soma corrente de carga a qual chamada de corrente reversa de
recuperao do diodo IRR. O mximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tenses instantneas
sobre o IGBT e o diodo se iguala tenso de alimentao. Quando o IGBT desliga, o resultado
uma variao de corrente, e isso faz com que o pico de sobretenso aparea devido variao de
corrente nas indutncias parasitas. Este pico de tenso responsvel por perdas e exige um aumento
no tempo morto entre a conduo de dois dispositivos semelhantes quando usados numa
configurao de meia-ponte, como o que ser mostrado no exemplo de aplicao desse dispositivo.

Um ponto importante que deve ser levado em considerao em todo dispositivo de comutao
o Efeito Miller.

O Efeito Miller nada mais do que a realimentao da tenso coletor-emissor (VCE), atravs
da capacitncia existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC).

Isso que dizer que uma variao da tenso entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito
que uma fonte de corrente interna no circuito de polarizao.

Infelizmente, Cgc no constante, mudando de valor com a tenso entre coletor e emissor. As
maiores variaes de CCG ocorrem justamente com pequenas tenses entre emissor e coletor. Em
conseqncia disso temos explicaes para alguns comportamentos do IGBT:

Quando o IGBT liga (turn-on) - partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo com
uma corrente constante carregando a porta, um aumento linear da tenso de porta obtido.
21

Com a queda da tenso entre coletor e emissor VCE, a corrente de polarizao de porta usada
para carregar CGC, e a tenso de porta permanece constante.

Mais tarde, quando a tenso entre o coletor e o emissor cai, CGC aumenta de valor de tal forma
que, uma pequena variao de VCE suficiente para levar a um aumento da corrente de porta.
Somente quando a corrente necessria carga se reduz novamente que a tenso de porta aumenta.

Quando o IGBT desliga - partindo de Vce baixa, VGE positiva ou maior que a tenso limiar
Vth a tenso de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente
constante de descarga). A diminuio da capacitncia com o aumento da carga aumenta a tenso.
Como existe uma fonte de polarizao que est drenando corrente da porta, a tenso porta-emissor
se mantm constante.

Em conseqncia, VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta usada para
manter a tenso de porta constante. O processo de carga termina quando VCE alcana a tenso de
operao.

devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutao (ligado ou desligado)
usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Isto explica porque, carregando ou descarregando, a
porta tem sua velocidade de resposta reduzida. Deve ser mencionado que as mudanas de CGC e
VCC regulam por si prprias de tal forma que apenas a corrente disponvel na porta usada. Isso
esclarece porque um resistor de grande valor ligado em srie com a porta faz que todos os eventos
que envolvam a comutao de uma IGBT tenham seu tempo de durao aumentado.

4.3. Aplicaes dos IGBTs nos Inversores de Frequncia

Uma das aplicaes de IGBT que mais so utilizadas em eletrnica de potncia a construo
de inversores de frequncia, os quais produzem tenso alternada atravs de tenso contnua. Tal
processo muito utilizado na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso
HVDC de energia eltrica. A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai produz energia
com o sistema de corrente alternada, sendo que metade da produo gerada em 60Hz e a outra
metade gerada em 50Hz. No entanto, boa parte da energia produzida pela parte paraguaia
vendida ao Brasil que consome tenso alternada em 60Hz. O problema foi resolvido instalando-se
um retificador de potncia que transforma a tenso a ser transmitida em tenso contnua e a energia
transmitida em DC at os centros consumidores onde novamente alternada, agora em 60Hz para
22

ser enviada aos transformadores que iro abaixar a tenso para a distribuio entre os consumidores
de energia. Este inversor de tenso pode geralmente ser construdo com o uso de GTOs ou IGBTs.
No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-
se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias.

O bloco bsico de construo de um inversor de tenso usando IGBTs apresentado na


figura 12 abaixo:

Fonte: Retirado do texto Um inversor de Tenso, autor: Erwin Dotsch

Figura 12 Bloco funcional de um inversor de 6 pulsos

As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de uma Mquina de


Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao chaveamento de apenas trs IGBTs, a ordem de
chaveamento mostrada nos grficos apresentados na figura 13, onde temos as tenses em cada
uma das chaves com o tempo e a tenso total entre a fase C e o neutro da associao em Y na sada
do transformador apresentado na figura 15 acima.
23

Fonte: Retirado do texto Um inversor de Tenso, autor: Erwin Dotsch

Figura 13 Tenses em cada um dos IGBTs e a forma de onda da tenso na fase C com relao ao
neutro.

Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada
por 6 segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional
denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a
mesma forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em
relao outra.

4.4. Princpios de Operao

O sistema completo pode ser cortado a partir do fornecimento de energia por um disjuntor de
circuito. O retificador integrado ao mdulo IGBT e ligados s trs fases L1, L2 e L3 da fonte de
alimentao atravs do disjuntor de circuito, os fusveis de segurana e de rede trifsica.
A ponte retificadora meia-controlada (Tiristor-Diodo-Ponte TDB1 TDB3 ...) serve apenas para o
controle de carga dos capacitores DC-link (Cdc1. .. Cdc10), que tambm so integradas ao mdulo
24

IGBT. A definio do DC-link tenso nominal da UDC = 900V alcanado quando a placa de
controle do retificador do IGBT, ou seja, o IRCB, tem acionado o retificador com = 0.
A ponte retificadora no assim usado para regular o desempenho de potncia. Isso significa que o
fator de potncia, que o cos() > 0,95 ou 95% em todas as condies de funcionamento.
A oferta secundria ou tenso de ligao definida pelo DC-link tenso nominal e vem ULlsek =
Udc/1.35 = 660V. Assim que a ligao DC-tenso nominal de 900V foi atingido, a liberao ocorre
e o conversor de energia pode ser iniciado, desde que o sistema completo esteja em condies
adequadas de funcionamento.

O conversor de energia completo, juntamente com o retificador e os capacitores do DC-link


so combinados no mdulo IGBT e permite um design compacto e de baixo indutividade do
retificador de energia. O baixo acoplamento indutivo da tenso no DC-link conseguido pelo
barramento DC.

Um projeto de baixa indutncia do sistema de corrente contnua essencial, pois os IGBTs


so operados por chaveamento e no possui um circuito de amortecimento tambem chamado de
circuito snubber.

Os reatores dee acoplamento Lc = 110H (2 x 55H) no servem para comutar o poder de


uma diagonal para o outro, e no portanto um reator de comutao.

Os reatores de acoplamento servem para acoplar a tenso do DC-link para a tenso de sada do
conversor UU1V1, que por sua vez, determinada pela condio de desligamento do inversor e a
tenso do forno.

Os reatores de acoplamento devem ser instalados como uma corrente alternada. As perdas nos
reatores tornam-se cada vez mais significativas nas freqncias de funcionamento.

Para minimizar essas perdas, o motor de arranque concebido como um ncleo de ar. Isso
elimina as perdas de ferro (perdas de magnetizao).
A freqncia de operao de 1000 Hz, o efeito da pele tambm entram em jogo. O efeito da pele
minimiza o efetivo de seo transversal, de modo que as perdas de conduo aumentam
desproporcionalmente. O reator de acoplamento , portanto, individualmente fios de cobre
revestidos com um dimetro de 0.2mm. Isto reduz significativamente as perdas de conduo.
25

As curvas de tenso e corrente nos transistores do conversor na condio de operao


estacionria so demonstradas na Figura 14.

As diferentes condies de comutao so descritas passo a passo pelos seguintes diagramas:

U, I
UC1=UFurn
Udc
UWR

IWR

' '

2 =t

-Udc

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 14 - Esquema da curva de tenso e corrente para o inversor em operao nominal

4.5. Funcionamento do Inversor


Time range 1 ( 0 ):

No tempo = 0, T1 e T2 esto ligados, de modo que a matriz diagonal A conduz. O tempo


de ligao sincronizado com a tenso do forno.

A tenso de sada do inversor UWR equivalente ao do DC-link cuja tenso Udc = 900V e
dirige uma corrente IWR crescente de tenso positiva atravs dos transistores T1 e T2 e o reator de
acoplamento Lc. A curva de tenso do IWR limitada apenas pela tenso UC1 e a indutividade do
reator de acoplamento Lc.
26

T1 T3
D1 D3

L R

+ IWR UC1
U1 V1
Udc U V
- Lc
C1

UWR
T4 T2
D4 D2

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 15 - Esquema do circuito do inversor IGBT no time range 1

Time range 2 ( ):

No tempo = os transistores T1 e T2 so desligados novamente. O reator de acoplamento


Lc agora dirige a tenso positiva do IWR atravs de diodos D3 e D4. A tenso de sada UWR do
conversor agora equivalente tenso negativa UDC do DC-link. Juntamente com a tenso do
forno (tenso recproca) UC1, este, neutraliza o fluxo de corrente de IWR. A tenso rapidamente cai
para zero. D3 e D4 agora tambm esto bloqueados.

T1 T3
D1 D3

L R

+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1

UWR
T4 T2
D4 D2

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 16 - Esquema do circuito do inversor IGBT no time range 2


27

Time range 3 ( ):

Todas as tenses, exceto para a tenso de circuito ressonante, so zero. O circuito ressonante
do forno, no entanto continua a oscilar. Se a tenso do forno agora se torna negativo, diagonal B
ser ativada por controle eletrnico. Portanto, no tempo = , os transistores T3 e T4 sero ligados.

T1 T3
D1 D3

L R

+ U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1

UWR
T4 T2
D4 D2

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 17 - Esquema do circuito do inversor IGBT no time range 3

Time tange 4 ( ' ):

Sincronizada com a tenso do forno, os transistores T3 e T4, agora sero ligados no


momento = , de modo que diagonal B conduza. A tenso de sada do inversor UWR
equivalente tenso negativa Udc do DC-link e dirige uma corrente negativa IWR atravs dos
transistores T3 e T4 e do reator de acoplamento Lc. O aumento da corrente negativa e tambm
limitado pela tenso negativa recproca UC1.
28

T1 T3
D1 D3

L R

+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1

UWR
T4 T2
D4 D2

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 18 - Esquema do circuito do inversor IGBT no time range 4

Time range 5 (' ' ):

No tempo = ', os transistores T3 e T4 esto desligados. O reator de acoplamento Lc


inicialmente continua a impulsionar a corrente negativa IWR atravs dos diodos D1 e D2. A tenso
de sada do inversor UWR agora equivalente a tenso do DC-link positivo + UDC. Juntamente
com a recproca tenso UC1, este, neutraliza o fluxo de corrente de IWR. A corrente negativa
rapidamente cai para zero. D1 e D2 agora tambm se encontram bloqueados.

T1 T3
D1 D3

L R

+ IWR
U1 V1
Udc U V
- UC1
Lc
C1

UWR
T4 T2
D4 D2
29

Fonte: Retirado de Descries Tcnicas Conversor IGBT Verso V3e_22-Okt-2003, autor: Rainald Lrick

Figura 19 - Esquema do circuito do inversor IGBT no time range 5

Time range 6 (' 2 ):

Todas as tenses, exceto para a tenso de circuito ressonante so zero. O circuito ressonante
do forno no entanto continua oscilante. Se a tenso do forno agora torna-se positiva, os transistores
T1 e T2 sero ligados e o padro de mudana pode ser mantido em sincronizao com a tenso do
forno.

4.6. Comparativo: IGBTs X outros semicondutores de Potncia


Embora tiristores sejam os dispositivos com maior capacidade de corrente e de tenso entre
os dispositivos de estado slido, eles no podem operar em freqncias muito acima da rede
eltrica.

Em geral, capacitores so componentes volumosos e custosos, o que faz com que o aumento
da freqncia seja uma alternativa muito atraente. Assim, cada vez mais h necessidade de que os
dispositivos de potncia trabalhem em maiores freqncias. Nos tiristores, o incio da conduo
ocorre quando se tem a injeo de corrente eltrica na porta (gate), portanto trata-se de um
componente controlado por corrente.

Como a operao dos tiristores fica limitada em freqncia, outros dispositivos so


desenvolvidos para tal fim.

O IGBT consiste em um transistor bipolar PNP acionado por um mosfet canal-n em uma
configurao do tipo psudo-darlington.

Um detalhe muito importante nesse tipo de estrutura que no pseudo-darlington o transistor


PNP nunca esta em saturao profunda, o que faz com que um IGBT tenha tempos de
armazenamento inferiores aos tiristores, tornando-os mais velozes que estes. Hoje comum
encontrarmos IGBTs que operem at 100kHz.

Os IGBTs so acionados por tenso, diferentemente dos tiristores que so acionados por
corrente eltrica.
30

Na figura 20, mostrado o grfico contendo uma comparao entre os principais


dispositivos semicondutores de potncia quanto s suas caractersticas de tenso, corrente e
frequncia de operao. Nesta figura, possvel observar que os tiristores so os dispositivos que
conseguem suportar os maiores valores de corrente e tenso, mas no podem operar em frequncias
de chaveamento elevadas. Como podemos ver a partir desta figura, os IGBTs possuem uma
capacidade de suportar maiores tenses e podem operar em mais altas frequncias que os
transistores bipolares de potncia e podem suportar maiores tenses e correntes que os MOSFETs
de potncia. Como podemos notar a partir deste grfico, a regio de operao segura do IGBT
maior que as regies reservadas ao MOSFET e ao transistor TBP, o que era desejado.

Fonte: Mohan, Undeland, Robbins, Power Electronics, Second edition

Figura 20 Grfico comparativo entre semicondutores de potncia


31

5. IMPACTOS NA REDE DE TRANSMISSO DE ENERGIA


ELTRICA

5.1. Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica

A anlise baseia-se no texto da recomendao IEEE-519 que trata de prticas e requisitos


para o controle de harmnicas no sistema eltrico de potncia. No referido texto so identificadas
diversas referncias especficas sobre os diferentes fenmenos abordados.

Sero apresentados os equipamentos, referentes aos fornos a induo, e fenmenos que


produzem contaminao harmnica no sistema eltrico. Quando se fizer referncia ao termo ideal,
pode-se desconsiderar os efeitos indutivos do sistema de alimentao, ou seja, considera-se a
alimentao feita a partir de uma fonte ideal.

- Em Conversores

Alguns casos tpicos de componentes harmnicas produzidas por conversores eletrnicos de


potncia, tais como retificadores e controladores CA.

- Formas de onda em conversores ideais

A figura 21 mostra um retificador a diodos alimentando uma carga do tipo RL, ou seja, que
tende a consumir uma corrente constante, caso sua constante de tempo seja muito maior do que o
perodo da rede.

Na figura 22 tem-se a forma de tenso de sada do retificador, numa situao ideal. Supondo
uma corrente constante, sem ondulao sendo consumida pela carga, a forma de onda da corrente na
entrada do retificador mostrada na figura 23.

As amplitudes das componentes harmnicas deste sinal seguem a equao:

Ih = 1 / h ;

h = k * q * (+ - 1) ;

onde:
32

h a ordem harmnica;

k qualquer inteiro positivo;

q o nmero de pulsos do circuito retificador (6, no exemplo).

Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio

Figura 21 - Circuito retificador trifsico, com carga RL.

Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio

Figura 22 - Tenso de sada de retificador ideal.


33

Fonte: Retirado do texto Formas de onda em conversores, autor: Jos Antenor Pomilio

Figura 23 - Tenses e corrente de entrada com carga indutiva ideal (a) e espectro da corrente (b).

5.2. Problemas encontrados, nos fornos a induo, devido as


harmnicas

O grau com que harmnicas podem ser toleradas em um sistema de alimentao, depende
da susceptibilidade da carga ou da fonte de potncia. Os equipamentos menos sensveis, geralmente,
so os de aquecimento (carga resistiva), para os quais a forma de onda no relevante. Os mais
sensveis so aqueles que, em seu projeto, assumem a existncia de uma alimentao senoidal
como, por exemplo, equipamentos de comunicao e processamento de dados. No entanto, mesmo
para as cargas de baixa susceptibilidade, a presena de harmnicas (de tenso ou de corrente) pode
ser prejudicial, produzindo maiores esforos nos componentes e isolantes.

- Motores e geradores

O maior efeito dos harmnicos em mquinas rotativas ,induo e sncrona, o aumento do


aquecimento devido ao aumento das perdas no ferro e no cobre. Afeta em, assim, sua eficincia e o
torque disponvel. Alm disso, tem-se um possvel aumento do rudo audvel, quando comparado
com alimentao senoidal.

Outro fenmeno a presena de harmnicos no fluxo, produzindo alteraes no


acionamento, como componentes de torque que atuam no sentido oposto ao da fundamental, como
ocorre com o 5o, 11o, 17o, etc. harmnicos. Isto significa que tanto o quinto componente quanto o
stimo induzem uma sexta harmnica no rotor. O mesmo ocorre com outros pares de componentes.
34

O sobre-aquecimento que pode ser tolerado depende do tipo de rotor utilizado. Rotores
bobinados so mais seriamente afetados do que os de gaiola. Os de gaiola profunda, por causa do
efeito pelicular, que conduz a conduo da corrente para a superfcie do condutor em freqncias
elevadas, produzem maior elevao de temperatura do que os de gaiola convencional.

O efeito cumulativo do aumento das perdas reflete-se numa diminuio da eficincia e da


vida til da mquina. A reduo na eficincia indicada na literatura como de 5 a 10% dos valores
obtidos com uma alimentao senoidal. Este fato no se aplica em mquinas projetadas para
alimentao a partir de inversores, mas apenas quelas de uso em alimentao direta da rede.

Algumas componentes harmnicas, ou pares de componentes (por exemplo, 5a e 7a,


produzindo uma resultante de 6a harmnica) podem estimular oscilaes mecnicas em sistemas
turbina-gerador ou motor-carga, devido a uma potencial excitao de ressonncias mecnicas. Isto
pode levar a problemas industriais como, por exemplo, na produo de fios, em que a preciso no
acionamento elemento fundamental para a qualidade do produto.

- Transformadores

Tambm neste caso tem-se um aumento nas perdas. Harmnicos na tenso aumentam as
perdas ferro, enquanto harmnicos na corrente elevam as perdas cobre. A elevao das perdas cobre
deve-se principalmente ao efeito pelicular, que implica numa reduo da rea efetivamente
condutora medida que se eleva a frequncia da corrente.

Normalmente as componentes harmnicas possuem amplitude reduzida, o que colabora para


no tornar esses aumentos de perdas excessivos. No entanto, podem surgir situaes especficas
(ressonncias, por exemplo) em que surjam componentes de alta freqncia e amplitude elevada.

Alm disso, o efeito das reatncias de disperso fica ampliado, uma vez que seu valor
aumenta com a freqncia.

Associada disperso existe ainda outro fator de perdas que se refere s correntes induzidas
pelo fluxo disperso. Esta corrente manifesta-se nos enrolamentos, no ncleo, e nas peas metlicas
adjacentes aos enrolamentos. Estas perdas crescem proporcionalmente ao quadrado da freqncia e
da corrente.
35

Tem-se ainda uma maior influncia das capacitncias parasitas (entre espiras e entre
enrolamento) que podem realizar acoplamentos no desejados e, eventualmente, produzir
ressonncias no prprio dispositivo.

- Cabos de alimentao

Em razo do efeito pelicular, que restringe a seco condutora para componentes de


freqncia elevada, tambm os cabos de alimentao tm um aumento de perdas devido s
harmnicas de corrente. Alm disso, tem-se o chamado "efeito de proximidade", o qual relaciona
um aumento na resistncia do condutor em funo do efeito dos campos magnticos produzidos
pelos demais condutores colocados nas adjacncias.

A figura 24 mostra curvas que indicam a seo transversal e o dimetro de condutores de


cobre que devem ser utilizados para que o efeito pelicular no seja significativo (aumento menor
que 1% na resistncia). Para 3kHz o mximo dimetro aconselhvel aproximadamente 1mm
ordem de grandeza menor do que para 50Hz. Ou seja, para frequncias acima de 3 kHz um
condutor com dimetro maior do que 2,5 mm j comea a ser significativo em termos de efeito
pelicular.

Alm disso, caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados tenham suas ressonncias
excitadas pelas componentes harmnicas, podem aparecer elevadas sobre-tenses ao longo da linha,
podendo danificar o cabo.

Na figura 25 tem-se a resposta em freqncia, para uma entrada em tenso, de um cabo de


10 km de comprimento, com parmetros obtidos de um cabo trifsico 2 AWG, 6 kV. As curvas
mostram o mdulo da tenso no final do cabo, ou seja, sobre a carga (do tipo RL). Dada a
caracterstica indutiva da carga, esta se comporta praticamente como um circuito aberto em
frequncias elevadas. Quando o comprimento do cabo for igual a do comprimento de onda do
sinal injetado, este "circuito aberto" no final da linha reflete-se como um curto-circuito na fonte.
Isto se repete para todos os mltiplos mpares desta frequncia. As duas curvas mostradas referem-
se resposta em freqncia sem e com o efeito pelicular. Nota-se que considerando este efeito tem-
se uma reduo na amplitude das ressonncias, devido ao maior amortecimento apresentado pelo
cabo por causa do aumento de sua resistncia.

Na figura 26 tem-se a perfil do mdulo da tenso ao longo do cabo quando o sinal de


entrada apresentar-se na primeira freqncia de ressonncia. Observe que a sobre-tenso na carga
36

atinge quase 4 vezes a tenso de entrada (j considerando a ao do efeito pelicular). O valor


mximo no ocorre exatamente sobre a carga porque ela no , efetivamente, um circuito aberto
nesta freqncia de aproximadamente 2,3 kHz.

Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio

Figura 24 - rea de seo e dimetro de fio de cobre que deve ser usado em funo da freqncia da corrente
para que o aumento da resistncia seja menor que 1%.

Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio

Figura 25 - Resposta em freqncia de cabo trifsico (10 km).


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Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio

Figura 26 - Perfil de tenso ao longo do cabo na freqncia de ressonncia.

Na figura 27 tem-se a resposta no tempo de uma linha de 40 km (no incluindo o efeito


pelicular), para uma entrada senoidal (50Hz), na qual existe uma componente de 1% da harmnica
que coincide com a freqncia de ressonncia do sistema (11a). Observe como esta componente
aparece amplificada sobre a carga.

medida que aumenta o comprimento do cabo ressonncia se d em freqncia mais


baixa, aumentando a possibilidade de amplificar os harmnicos mais comuns do sistema.

Fonte: Retirado do texto Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica, autor: Jos
Antenor Pomilio

Figura 27 - Resposta no tempo de cabo de transmisso a uma entrada com componente na freqncia
de ressonncia.
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- Capacitores

O maior problema a possibilidade de ocorrncia de ressonncias, excitadas pelas


harmnicas, podendo produzir nveis excessivos de corrente e/ou de tenso. Alm disso, como a
reatncia capacitiva diminui com a freqncia, tem-se um aumento nas correntes relativas s
harmnicas presentes na tenso.

As correntes de alta freqncia, que encontraro um caminho de menor impedncia pelos


capacitores, elevaro as suas perdas hmicas. O decorrente aumento no aquecimento do dispositivo
encurta a vida til do capacitor.

A figura 28 mostra um exemplo de correo do fator de potncia de uma carga e que leva
ocorrncia de ressonncia no sistema. Na figura 29 so mostradas as figuras relativas tenso e s
correntes da fonte nos diferentes circuitos.

Considere o circuito (a), no qual alimentada uma carga do tipo RL, apresentando um baixo
fator de potncia. No circuito (b), inserido um capacitor que corrige o fator de potncia, como se
observa pela forma da corrente mostrada na figura 29 (intermediria). Suponhamos que o sistema
de alimentao possua uma reatncia indutiva, a qual interage com o capacitor e produz uma
ressonncia srie (que conduz a um curto-circuito na frequncia de sintonia). Caso a tenso de
alimentao possua uma componente nesta freqncia, esta harmnica ser amplificada. Isto
observado na figura 29 (inferior), considerando a presena de uma componente de tenso de
5a harmnica, com 3% de amplitude. Observe a notvel amplificao na corrente, o que poderia
produzir importantes efeitos sobre o sistema.

(a) (b) (c)

Fonte: Retirado do texto Equipamentos eletrnicos, autor: Jos Antenor Pomilio

Figura 28 - Circuitos equivalentes para anlise de ressonncia da linha com capacitor de correo do fator de
potncia.
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Fonte: Retirado do texto Equipamentos eletrnicos, autor: Jos Antenor Pomilio

Figura 29 - Formas de onda relativas aos circuitos da figura 29: (a) - superior; (b) - intermedirio; (c) -
inferior.

5.3. Melhorias referente as distores harmnicas

A forma de onda na sada do inversor semelhante a uma forma de onda senoidal, embora
ainda possua muita distoro harmnica que possui componentes harmnicos de freqncias mais
altas. Para melhorar o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais
blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado abaixo em srie, da seguinte forma
apresentada na figura 30:
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Fonte: Retirado do texto Um inversor de Tenso, autor: Erwin Dotsch

Figura 30 Esquema de um inversor de 12 segmentos com dois blocos de inversores de 6 segmentos.

Cada um dos inversores mostrados na figura acima idntico ao inversor de 6 segmentos do


esquema anterior e geram as mesmas formas de onda. No entanto, o primeiro transformador do
tipo Y-Y, fazendo com que a forma de onda na sada no apresente nenhuma defasagem com
relao ao sinal original; j no caso do segundo transformador do tipo D-Y, temos que a sada ser
defasada em 30 com relao forma de onda original. Assim, a sada deste inversor ser formada
pela forma de onda de 6 segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30, o
que ir gerar uma forma de onda na sada de 12 segmentos como mostrado na figura 31:

Fonte: Retirado do texto Um inversor de Tenso, autor: Erwin Dotsch


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Figura 31 Forma de onda da sada do inversor de 12 pulsos

Essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de onda anterior. Para
suavizar esta forma de onda de forma que se aproxime mais de uma senide, bastando para isso
utilizar um filtro passa-baixas para eliminar as componentes de altas frequncias que so
responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de
distoro harmnica.

No caso dos fornos a induo, os inversores de freqncia, geralmente trabalham com 6, 12


e 24 pulsos. A tabela a seguir mostra a distoro harmnica para os trs tipos de inversores:

TABELA1: Corrente harmnica em % da forma de onda fundamental

Fonte: Adaptado da apresentao do Joerg Lenze IGBT Modul - Dortmund 2009

Pela tabela possvel observar que quanto maior o numero de pulsos que o inversor possuir,
menor ser a distora harmnica na rede de transmisso de energia eltrica.
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6. PREOCUPAO COM O MEIO AMBIENTE

Hoje em dia, um assunto que esta em pauta em todos os setores da indstria mundial, a
sustentabilidade. Quando nos referimos s indstrias de fundio e forjaria de metais esse assunto
torna-se mais agravante pois na fuso do metal utiliza-se um equipamento bastante agressivo ao
meio ambiente.

Atualmente, as industriais fabricantes de fornos a induo desenvolveram e continuam a


desenvolver diversos mecanismos para que a agresso ao meio ambiente seja a mnima possvel.

Sustentabilidade passa a ser o equilbrio entre economia, ecologia e sociologia. E por que
no falar que tambm uma forma de estratgia de marketing em todo o mundo.

No caso dos fornos a induo que esto sendo estudados no trabalho, existem diversos
mecanismos de economia de energia e consequentemente preocupao com o meia ambiente devido
ao alto rendimento energtico.

Partes do forno com alta eficincia energtica: Fornalha, Fonte de Potncia, Transformador e
Estao de Bombeamento.

No processo de fuso pode-se observar um alto nvel energtico, entre eles: Quando o forno
esta trabalhando em sistema TWIN-POWER, maior eficincia no tamanho da panela coletora de
metal fundido, o sistema de exausto s trabalha apenas quando a tampa aberta, economizando
grande quantidade de energia, e o sistema de basculamento muito mais eficiente do que fornos
que utilizam panelas abertas para coleta do metal fundido.

Outro sistema bastante importante e presente no equipamento estudado o sistema de


exausto. No processo de basculamento do forno para a coleta do metal fundido, um gs com alto
ndice de CO2 liberado na atmosfera. Mas pensando no bem do meio ambiente, foi desenvolvido
o sistema de exausto para sugar todo esse gs txico ao meio ambiente. a famosa tampa tornado.

O equipamento tem longa vida de durao, estima-se que um forno a induo a cadinhos
suporte duas geraes de fundidores. de fcil manuteno, baixo custo de peas de reposio.

Atualmente, o mundo esta ciente de que a gua talvez seja o elemento mais importante e que
corremos serio risco de ficar sem nas prximas geraes. Com esse pensamento em mente, damos
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destaque aos fornos a induo a cadinhos, pois a principal caracterstica destes em relao ao meio
ambiente, que esse tipo de forno no desperdia gua.

6.1. Vantagens do Aquecimento Indutivo

O avano da tecnologia tambm atingiu as indstrias de fundio de forjaria de metais. Com


o passar dos anos, os fornos a induo tambm sofreram melhorias em seu desempenho.

Existem diferentes tipos de mecanismos para a fundio de metais. A induo citada at a


gora no trabalho apenas um deles, porem o foco a ser estudado.

O grfico 32 mostra a entalpia para derretimento de ferro a 1500 C em 396kWh/t.

Fonte GIFA 2011_Eficincia Energtica_en110621

Grfico 32 Entalpia para derretimento de ferro a 1500 C em 396kWh/t

Atravs desse grfico pode-se observar que aparecem novos mecanismos de fuso alem dos
indutivos.
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O Cupoia Furnace o famoso forno cubil, e seu principio de funcionamento consiste


basicamente na queima de carvo mineral para atingir a temperatura necessria para a fuso do
metal em questo.

Outro forno que esta presente no grfico o rotary furnace, ou seja, o forno rotativo e seu
princpio de operao a queima de leo e gs mineral para que a temperatura de fuso seja
atingida.

Os fornos a induo levam larga vantagem quando se diz respeito a eficincia energtica e
sustentabilidade para com o meio ambiente e eficincia energtica por se tratar de fornos
basicamente eltricos e com fator de potencia em torno de 95%.

O grfico 33 mostra uma projeo futura em % para a reduo de CO2 na atmosfera atravs
da industria de fuso de metal:

Fonte GIFA 2011_Eficincia Energtica_en110621

Grfico 33 Projeo futura para reduo de CO2 na Europa

A reduo de CO2 na atmosfera j uma realidade, e ser maior nos prximos anos. Isso quer
dizer que as industriais j esto aumentando, para a fuso de metal, os fornos a induo mais do que
os outros tipos de fornos.

Dentre as existentes, a induo a forma de derreter metais mais eficiente e ecologicamente


correta no mercado.
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7. CONSIDERAES FINAIS

Foi possvel verificar no decorrer desse trabalho que o setor de fundio e forjaria de metal
esto crescendo gradativamente com o passar dos anos. Isso acontece porque cada vez mais estamos
dependentes de equipamento de origem metlica e, portanto h a necessidade de fabricao de cada
vez mais equipamentos para tal fim.

Observou-se que com o aumento do numero de fornos a induo, tem que se ter uma
preocupao com a qualidade da energia eltrica porque so equipamentos que trabalham em
frequncias elevadas, diferentes das de linha, e devido ao processo de comutao dos
semicondutores de potncia para tal fim, as linhas de transmisso de energia eltrica sofrem danos.

Devido aos impactos causados nas linhas de transmisso as concessionrias de energia,


atravs de contratos, aplicam multa a empresa que no atingir um fator de potencia superior a 0,92
,ou seja, o equipamento tem que ter rendimento energtico superior a 92% para que os impactos na
linha de transmisso sejam satisfatrios e os problemas serem os menores possveis.

Pde-se observar que atravs dos conversores de potncia com o uso de IGBTs, o
rendimento energtico do equipamento melhorou, e seu fator de potncia atinge em torno de 0,95
ou 95%, estando livre de multas. O IGBT um componente relativamente novo se comparado aos
demais componentes de potncia, e sua principal deficincia de no suportar trabalhar em altas
potncias mas que atravs de estudos e pesquisas esta ganhando mercado e hoje existem diversos
fornos a induo a IGBTs que podem atingir potencias na casa de mega watts.

Outro agravante que foi demonstrado com relao ao meio ambiente, tema que preocupa o
mundo todo atualmente, em consequncia do problema do aquecimento global, problema no qual, o
crescimento da fundio metlica tem grande participao.

Foi dado destaque para a fuso por induo, que atravs de dados e estudos leva larga
vantagem em sustentabilidade e eficincia energtica.

Os fornos a induo e seus devidos impactos na linha de transmisso aqui estudados


atendem as exigncias mnimas de eficincia energtica exigidos pelos setores responsveis pela
qualidade da energia eltrica e cada vez mais com o desenvolvimento tecnolgico de componentes
eletro-eletrnicos esto melhorando seu desempenho energtico e sustentvel.
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8. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] A. AHMED. Eletrnica de Potncia. So Paulo: Prentice Hall, 2000, ch3.

[2] ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Utilizando Eletrnica. 1 ed. So Paulo: 2009

[3] DOTSCH, Erwin. Inductive Melting and Holding. Dortmund 2009

[4] "IEEE Recommended Practices and Requirements for Harmonic Control in Electric Power
Systems." Project IEEE-519. October 1991.

[5] Mohan et. All., Power electronics: Converters, applications and design, Second edition

[6] O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Disponivel em


<http://www.geocities.ws/moisescsilva/apostilaigbt.doc>

[7] PENELLO, Luiz Fernando. Filtro Ativo de Potncia Shunt. Tese de Mestrado,
Universidade Federal do Rio de Janeiro COPPE: 1992.

[8] POMILIO, Jos Antenor. Harmnicos e fator de potncia: Um curso de exteno. Publicao
FEEC 05/97. Disponvel em < http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor.html >

[9] RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications. 2
ed. Prentice Hall, New Jer1sey: 1993

[10] "Sine-wave Distortions in Power Systems and the Impact on Protective Relaying." Report
prepared by the Power System Relaying Committee of the IEEE Power Engineering Society.
Novembro 1982.